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JP2018529830A - K2PtCl6結晶構造を有するシンチレーター - Google Patents

K2PtCl6結晶構造を有するシンチレーター Download PDF

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JP2018529830A JP2018526485A JP2018526485A JP2018529830A JP 2018529830 A JP2018529830 A JP 2018529830A JP 2018526485 A JP2018526485 A JP 2018526485A JP 2018526485 A JP2018526485 A JP 2018526485A JP 2018529830 A JP2018529830 A JP 2018529830A
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Abstract

シンチレーターは化学式:A2BX6[式中、Aは一価イオンを含み、Bは四価イオンを含み、Xはハロゲン化物イオンを含む]を有するホスト材料を含む。AはLi、Na、K、Rb、及びCsからなる群から選択される。BはTi、Zr、Hf、Sn、Se、及びTeからなる群から選択される。XはCl、Br、及びIからなる群から選択される。

Description

発明の詳細な説明
米国エネルギー省とローレンスリバモア国立研究所を運営するためのローレンスリバモア国家安全保障、LLCとの間の契約番号DE−AC52−07NA27344に従い、米国政府は本発明の権利を有する。
発明の分野
本発明はシンチレーターに関し、より詳細には放射線検出に特に有用である可能性があるKPtCl結晶構造を有するシンチレーターに関する。
背景
ガンマ線放射体の検出及び分類は、脆弱な標的及び庶民を高エネルギー爆発物から守ることにおいて重要性が高まっている。多くの核爆発物は、爆発物を構成する物質の放射性崩壊に起因してガンマ線を放出する。しかし、多くのあまり有害ではなく非爆発性の物質もガンマ線を放出する。したがって、場合により容器又は何らかのタイプの車両、例えば乗用車、バン、貨物コンテナなどの内側にさらに隠された、未知の物質中のガンマ線放射体の種類を特定し、可能なときは常に識別することができることが望ましい。
多くの種類の物質は、ガンマ線分光器において互いに非常に近いと思われるガンマ線を放射する。シンチレーター検出器は、ガンマ線が結晶中の原子と相互作用すると発光する結晶を使用する。発光の強度は、ガンマ線を放射している物質の種類を決定するのに使用できる。シンチレーター検出器は、他の種類の放射線、例えばアルファ線、ベータ線、及びX線などを検出するのにも使用してもよい。高エネルギー分解能のシンチレーター検出器は、間隔の狭いガンマ線ラインを生じるガンマ線放射体同士を識別するために、間隔の狭いガンマ線ラインを分解するのに有用である。
弱いガンマ線源の検出感度及び迅速で明確な同位体同定は、主にエネルギー分解能によって決まり、高い有効原子番号の検出器物質によっても向上する。一般に、ガンマ線検出器はそれらのエネルギー分解能によって特徴付けられる。分解能は絶対又は相対用語で示すことができる。一貫性のために、すべての分解能用語は本明細書において相対用語で示される。検出器の分解能を表す一般的な方式は、半値全幅(FWHM)をピークエネルギーで割ることによるものである。これはピーク分布上の最高点の半分における、スペクトルのグラフ上のガンマ線ピークの幅に等しい。
NaI(Tl)は優れたシンチレーションカウンターとして当技術分野において知られており、ガンマ線分光計として特に有用であることが知られている。高原子番号、3.67g/cmの密度、高い光収率(38,000光子/MeV)、662keVで約7%のエネルギー分解能、及び固有の放射能がないことの組み合わせによって、NaI(Tl)は最も重要なシンチレーターの1つとなる。さらに、NaIシンチレーターに関連する別の利点は、それを単結晶の形態で製造することが容易であることである。しかし、NaIは等方性の機械特性及び熱的特性をもたらす岩塩(NaCl)の立方構造を有し、これは結晶成長プロセスの際に非常に好ましいが、吸湿性も非常に高い。
弱い線源を迅速に検出及び特定できる、ガンマ線分光法に基づく改善された放射性同位体同定検出器は、より良好なエネルギー分解能及び大きい有効原子番号を実現する高感度の検出器材料を必要とする。662keVで2.6%もの好ましい最高エネルギー分解能、及び直径1”×高さ1”を超えるサイズを現在実現するシンチレーターは、LaBr(Ce)及びSrI(Eu)である。これらの結晶は非立方構造を有し吸湿性であり、これらの要素は共に結晶の成長収率を低下させ、最大の得られるシンチレーターサイズをおよそ直径2”×高さ3”に制限する。ヨウ化ストロンチウムの場合、ドーパントであるEuIの精製及びEuI中の水の除去は処理時間を増大させる。LaBr(Ce)も固有の放射能を有し、これは大容量検出器及び低計数率の用途において、望ましくないバックグラウンドをもたらし、弱い線源の放射性同位体同定の性能を妨げる。
ガンマ線分光法での応用のために検討されている別のクラスの結晶は、希土類エルパソライトの系統である。これらは、大部分がCsLiYCl(CLYC)を有するダブルペロブスカイト構造で結晶化する第四級化合物、及び報告されているその他のものである。それらの一般式はABMXであり、式中、Xはハロゲン化物イオン(F、Cl、Br、又はI)である。この構造の主な興味深い特徴は、中性子検出のためのA部位にLiが組み込まれ、B部位にCe3+活性化物質が組み込まれていることであるが、しかしCLYCの20,000光子/MeVの光収率はガンマ線シンチレーターの中ではやや低めであり、Li及び希土類イオンの両方の存在によって結晶が吸湿性となる。
概要
一実施形態によれば、シンチレーターは化学式:ABX[式中、Aは一価イオンを含み、Bは四価イオンを含み、Xはハロゲン化物イオンを含む]を有するホスト材料を含む。
本発明の他の態様及び利点は、図面と併せて用いられる場合に例によって本発明の原理を説明する、以下の詳細の説明から明らかとなる。
本発明の性質及び利点、並びに好ましい使用様式をさらに理解するために、添付の図面と併せて読まれる以下の詳細な説明を参照するべきである。
一実施形態による、分光システムの単純化した配置図である。 一実施形態による、シンチレーター材料を作製する方法のフローチャートの図である。 別の実施形態による、シンチレーター材料を作製する方法のフローチャートの図である。 非ドープCsHfClシンチレーターについてSr−90ベータ線源を使用して得られた放射線ルミネセンススペクトルを示す図である。 662keVガンマ線に対する非ドープCsHfClシンチレーターの応答のタイミング測定のデジタルオシロスコープのトレースを示す図である。 CsHfClシンチレーター(0.65cmのサイズ)及び標準NaI(Tl)結晶(1”×1”のサイズ)についてCs−137線源を使用して得られた、共に12μsの整形時間で測定された波高スペクトルを示す図である。 254nmの励起下における、紙のバックグラウンド(0.5cm四方)上の、非ドープの光学的に透明なCsHfClシンチレーターの写真の図である。 CsHfCl、SrI(Eu)、NaI(Tl)、及びLaBr(Ce)についての、実験による電子光収率の非比例性曲線を示す図である。
詳細な説明
以下の説明は本発明の一般原理を示す目的のために記載され、本明細書において主張される本発明の概念を限定することを意図していない。さらに、本明細書に記載の特定の特徴は、様々な考えられる組み合わせ及び置き換えのそれぞれにおいて、他の記載される特徴との組み合わせで使用できる。
本明細書において別途具体的に定義されない限り、すべての用語は、本明細書が暗に示す意味、並びに当業者が理解する意味、及び/又は辞書、論文などで定義される意味を含めた、それらの最も広い考えられる解釈を与えられることになる。
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する場合、単数形「a」、「an」、及び「the」は別段の指定がない限り複数の指示対象を含むことにも注意しなければならない。
また、本明細書において使用する場合、「約」という用語は、値と組み合わされた場合、その基準値のプラスマイナス10%を指す。例えば、約10nmの長さは10mm±1mmの長さを指し、4%の分解能は4±0.4%を指す、などである。
さらに本明細書において使用する場合、「光学的に透明」である材料は、実質的に相分離がない(例えば>80%相分離がない、好ましくは>90%相分離がない)材料を指し、そのためその材料は均質である(例えば1相を含む)。さらに、光学的に透明な材料は、光が内部を均一に伝搬し少なくとも90%の入射光を透過させることができる材料である。
本明細書における説明は、任意の当業者が本発明を作製及び使用できるように示され、本発明の特定の用途及びそれらの要件に関連して提示される。本開示を読めば、様々な実施形態からの特徴を合わせてそれらのさらなる及び/又は代替的な実施形態を創出することを含めて、開示される実施形態に対する様々な修正が当業者にとって容易に明らかとなる。
さらに、本明細書において定義される一般的原理は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び用途に応用することができる。したがって、本発明は示される実施形態に限定されることを意図しているのではなく、本明細書で開示される原理及び特徴と矛盾しない最も広い範囲を与えられるべきである。
前述のように、様々なシンチレーター材料が過去に検討されてきた。しかし、これらの既知のシンチレーター組成物の多くは望ましくない結晶構造(例えば、非立方晶構造)の問題があり、及び/又は吸湿性があり、したがってそれらの得られるシンチレーションサイズを制限し、又はそれらの使用及び開発を困難にする。
本明細書で開示される実施形態は、一般化学式AMX及び/又は一般的結晶構造KPtClを有する、新規の光学的に透明なシンチレーターを記載する。これらの新規の光学的に透明なシンチレーターは、低吸湿性を示し、固有の放射能がなく、さらなるアクチベーターイオン、カチオンドーパント、及び/又はアニオンドーパントが含まれていなくても、高い比例性光収率を示す。
以下は、KPtCl結晶構造を有するこれらの新規の光学的に透明なシンチレーター、及び/又は関連するシステム及び方法の、一般的及び具体的な実施形態のいくつかの実施例である。
例えば、一般的な一実施形態において、シンチレーターは化学式:ABX[式中、Aは一価イオンを含み、Bは四価イオンを含み、Xはハロゲン化物イオンを含む]を有するホスト材料を含む。
シンチレーター系放射線検出器システム
図1を参照すると、分光システム100の単純化した図が一実施形態にしたがって示される。選択肢として、分光システム100は、本明細書で挙げられる任意の他の実施形態、例えば他の図に関連して記載されるものなどによる特徴と併せて実施してもよい。当然、分光システム100及び本明細書に記載の他のシステムは、本明細書で挙げられる例示的な実施形態に具体的に記載されていてもよく又は記載されていなくてもよい、様々な用途において及び/又は置き換えにおいて使用してもよい。例えば、分光システム100は、様々なアプローチで、図1に示すものよりも多くの又は少ない構成要素を含んでいてもよい。
図1に示すように、分光システム100はシンチレーター材料102、例えば本明細書に記載される種類のものなどを含み、これは本明細書において互換的にシンチレーターと呼ばれる。システム100は光検出器104、例えば光電子増倍管、シリコン光電子増倍管、フォトダイオード、又は当技術分野において既知の他のデバイス/トランスデューサーなども含み、これはシンチレーター102からの発光の大きさを検出及び記録することができる。分光システム100は好ましくは、X線、ガンマ線、及び/又は中性子を記録するように、並びに前記の形態の放射線同士を部分的に又は完全に識別できるように構成されている。
シンチレーター102は、シンチレーター102に関与する中性子、ガンマ線、X線、又は他の放射線などの事象が発生すると、光パルスを生じる。例えば、ガンマ線がシンチレーター102を通過すると、光子が放出され、シンチレーター102から放射される光パルスとして現れる。光パルスは光検出器104により検出され、パルスの大きさに対応する電気信号へ変換される。次いで、光パルスの積分を解析しそれによりシンチレーターによって吸収されたガンマ線エネルギーを特定することによって、放射線の種類を決定できる。
いくつかの実施形態において、システム100は、前置増幅器及び/若しくはデジタイザー(図1に示されない)をさらに含んでいてもよく、又は前置増幅器及び/若しくはデジタイザーに連結可能であってもよい/連結されていてもよい。
他の実施形態において、システム100は、シンチレーター102からの光パルスに対応した、光検出器104によるパルストレース出力を処理するように構成された、処理デバイス106を含んでいてもよい。いくつかのアプローチにおいて、処理デバイス106はさらに、光検出器104によるパルストレース出力に基づく放射線像データを生成するように構成されていてもよい。
さらなるアプローチにおいて、システム100は、処理デバイスに永続的には連結されていない光検出器からのデータを受け取る、処理デバイスを含んでいてもよい。例示的な処理デバイスとしては、マイクロプロセッサー、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、特定用途向け集積回路(ASIC)、コンピューターなどが挙げられる。
処理の結果は出力及び/又は保存されてもよい。例えば、結果はディスプレイデバイス108上に任意の形態で、例えばシンチレーター又はその誘導体からの全光量に関する受け取ったカウント数のヒストグラムなどで、表示することができる。
本発明の一実施形態を実行することができるプログラム環境は、例示的には1つ又は複数の汎用コンピューター又は専用デバイス、例えば携帯型コンピューターなどを組み込む。そのようなデバイス(例えば、プロセッサー、メモリー、データ記憶装置、入出力デバイス)の詳細は良く知られており、明確にするために省略する。
本発明の技術は様々な技術を使用して実施してもよいことも理解するべきである。例えば、本明細書に記載の方法は、コンピューターシステム上で動くソフトウェアで実施してもよく、又はこの方法の操作を行うための1つ若しくは複数のプロセッサー及び論理回路(ハードウェア及び/又はソフトウェア)、特定用途向け集積回路、プログラマブル論理デバイス、例えばフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)など、及び/若しくは様々なそれらの組み合わせを利用したハードウェアで実施してもよい。特に、本明細書に記載の方法は、物理的な(例えば、非一時的)コンピューター可読媒体などの記憶媒体上にある、一連のコンピューター実行可能命令によって実施されてもよい。さらに、本発明の特定の実施形態はオブジェクト指向ソフトウェアプログラミングの概念を採用することができるが、本発明はそのように限定されず、コンピューターの操作を指示する他の形態を採用するように容易に適合される。
本発明の一部は、コンピューターコードを有する物理的なコンピューター可読媒体を含む、コンピュータープログラム製品の形態で提供することもできる。コンピューター可読媒体は、光媒体、例えば読み取り専用及び書き込み可能のCD及びDVD、磁気メモリー又は媒体(例えば、ハードディスクドライブ)、半導体メモリー(例えば、フラッシュメモリー及び他の携帯型メモリーカードなど)などを含めた、コンピューターにより使用するためのコンピューターコードを保存することが可能な任意の物理的媒体を含んでいてもよい。
シンチレーター材料
様々なアプローチにおいて、シンチレーターは組成ABX[式中、Aは適切な一価イオンであり、Bは適切な四価イオンであり、Xは適切なハロゲン化物イオンである]を含む。好ましいアプローチにおいて、AはLi、Na、K、Rb、及びCsからなる群から選択してもよく;BはTi、Zr、Hf、Sn、Se、及びTeからなる群から選択してもよく;XはCl、Br、及びIからなる群から選択してもよい。シンチレーターの構成成分(A、B、及びX)は、化学式ABXの全体の化学量論が維持されるならば、任意の割合で存在していてもよい。特定のアプローチにおいて、シンチレーター結晶は以下の化学式:CsHfCl、NaHfCl、LiHfCl、CsHfBr、NaHfBr、LiHfBr、CsHfI、NaHfI、LiHfI、CsZrCl、NaZrCl、LiZrCl、CsZrBr、NaZrBr、LiZrBr、CsHfI、NaHfCl、LiHfI、CsZrCl、NaZrCl、LiZrCl、CsZrBr、NaZrBr、LiZrBr、CsZrI、NaZrI、LiZrI、CsTiCl、NaTiCl、LiTiCl、CsTiBr、NaTiBr、LiTiBr、CsTiI、NaTiI、又はLiTiIのいずれかを有していてもよい。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは、各結晶が独立に上記の化学構造のいずれかを有する、1つ又は複数の結晶組成物の混合物で構成されていてもよい。例えば、1つのアプローチにおいて、シンチレーターは化学式ABXを有する単結晶であってもよい。別のアプローチにおいて、シンチレーターは少なくとも第1及び第2の組成物を含んでいてもよく、ここで第1及び第2の結晶は共に化学式ABXを有するが、但し第1の結晶の構成成分(例えば、A、B、及び/又はX)の1つ又は複数が第2の結晶の構成成分と異なっている。
いくつかのアプローチにおいて、シンチレーターは、シンチレーターに与えられたエネルギーを捕捉し紫外、可視、又は赤外領域の光を放出するように構成された、1つ又は複数のアクチベーターイオンを含んでいてもよい。一般に、活性化物質によって生じる発光は、前記活性化物質の電子構造に特有である。様々なアプローチにおいて、1つ又は複数のアクチベーターイオンは、発光波長又は減衰時間の変化、発光の量の増加又は減少、及びガンマ線又はX線検出器としてのシンチレーターのスペクトル分解能の改善のうちの1つ又は複数によって、出力シンチレーション光を純粋なシンチレーター(すなわち、アクチベーターイオンを含まないが他の点は同一であるシンチレーター)のものと比較して改変するように特に構成されていてもよい。適切なアクチベーターイオンとしては、限定はされないが、Tl、Cu、Ag、Au、Pb2+、Bi3+、In、Sn2+、Sb3+、Ce3+、Pr3+、Eu2+、Yb2+、Nb5+、Ta5+、W6+、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。好ましいアプローチにおいて、シンチレーター中に含まれる1つ又は複数の活性化物質の総量は約10原子%以下とすることができる。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは、本来ならホスト媒体を通って移動するエネルギーを捕捉することによって、シンチレーターの性能を向上させるように構成された、1つ又は複数のさらなるカチオンドーパントを含んでいてもよい。カチオンドーパントの適切な例としては、限定はされないが、一価カチオン、例えばLi、Na、K、Rb、Csなど;三価カチオン、例えばLa、Gd、Lu、Al、Ga、Inなど;及び四価カチオン、例えばSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Hfなどが挙げられる。本明細書で使用する場合、これらのさらなるカチオンドーパントは、シンチレーターのホスト材料/媒体中にまだ存在していない材料を指す。例えば、シンチレーターのホスト媒体が化学式CsHfClを有する1つのアプローチにおいて、カチオンLi、Na、K、Rb、La、Gd、Lu、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Ti、Zrのうちの1つ又は複数は、前記ホスト材料/媒体中にまだ存在していないので、さらなるドーパントとして含めてもよい。好ましいアプローチにおいて、シンチレーター中に含められる各カチオンドーパントは、置き換えられるホストイオンに対して約20原子%以下のレベルで存在してもよく、最も好ましくは約2原子%でドープされる。なお、さらなるアプローチにおいて、シンチレーターの性能は、シンチレーターに上記のさらなるカチオンドーパントのうちの2つを共ドープすることによってさらに改善させることができる。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは、本来ならホスト材料/媒体を通って移動するエネルギーを捕捉することによって、シンチレーターの性能を向上させるように構成された、1つ又は複数のさらなるアニオンドーパントを含んでいてもよい。アニオンドーパントの適切な例としては、限定はされないが、F、Cl、Br、I、O2−、S2−、Se2−、及びTe2−が挙げられる。また、本明細書で使用する場合、これらのさらなるアニオンドーパントは、シンチレーターのホスト材料/媒体中にまだ存在していない材料を指す。例えば、シンチレーターのホスト材料/媒体が化学式CsHfClを有する1つのアプローチにおいて、アニオンF、Br、I、O2−、S2−、Se2−、及びTe2−のうちの1つ又は複数は、前記ホスト材料/媒体中にまだ存在していないので、さらなるドーパントとして含めてもよい。好ましいアプローチにおいて、シンチレーター中に含められる各アニオンドーパントは、置き換えられるホストイオンに対して約20原子%以下のレベルで存在してもよく、最も好ましくは約2原子%でドープされる。
他のアプローチにおいて、シンチレーターは熱中性子を検出するように特に構成された成分を含んでいてもよい。いくつかのアプローチにおいて、この成分は小さい有効原子番号を有していてもよい。例えば、1つのアプローチにおいて、シンチレーターはLiをさらなる成分/熱中性子捕捉剤として含んでいてもよい。
シンチレーターは、アクチベーターイオン、さらなるカチオンドーパント、さらなるアニオンドーパント、及び熱中性子の捕捉のために特に構成された成分の任意の組み合わせを含んでいてもよいことに注目することが重要である。例えば、シンチレーターは、以下の任意選択材料:アクチベーターイオン、さらなるカチオンドーパント、さらなるアニオンドーパント、及び熱中性子の捕捉のために特に構成された成分のうちいずれも含まなくてもよく、又はそれらの1つ、2つ、若しくはすべてを含んでいてもよい。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは1つ又は複数の光学的に透明な結晶で構成されていてもよく、ここで結晶の少なくとも1つが構造的なずれがない又は最小限である立方体対称を有する。特定のアプローチにおいて、シンチレーターは1つ又は複数の結晶で構成されていてもよく、ここで結晶の少なくとも1つがKPtCl結晶構造を有する。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは1つ又は複数の光学的に透明な結晶で構成されていてもよく、ここでシンチレーターの少なくとも1つの寸法の長さは約1mm〜約12インチの範囲内である。
さらなるアプローチにおいて、シンチレーターは、溶融されておらず光学的に透明な多結晶モノリス/多結晶体として成長した粉末から焼結させてもよく、ここでシンチレーターの少なくとも1つの寸法の長さは約1mm〜約12インチの範囲内である。
さらに他のアプローチにおいて、シンチレーターは、光学的に透明の又は半透明の圧粉(pressed powder)の形態であってもよく、これはX線撮影の用途において特に有用である場合がある。
好ましいアプローチにおいて、シンチレーターは400nm付近に中心がある発光ピークを有する。なお、さらに好ましいアプローチにおいて、シンチレーターは約10μs以下、より好ましくは約4μs以下の減衰時間を示す。さらに好ましいアプローチにおいて、シンチレーターは662keVで約4%以下の分解能、より好ましくは662keVで約3%以下の分解能を有する。
シンチレーター材料を作製する例示的な方法
いくつかのアプローチにおいて、本明細書に記載のシンチレーターは溶融成長技術により(例えば、ブリッジマン方法又はチョクラルスキー方法により)形成させてもよい。図2は、一実施形態にしたがって溶融成長技術により単結晶シンチレーターを作製する1つの例示的な方法200を提示する。方法200、及び本明細書に示される他の方法は、任意の所望の環境で実施してもよい。さらに、様々な実施形態にしたがって、図2に示す操作よりも多くの操作又は少ない操作が方法200に含まれていてもよい。本明細書に記載のシンチレーターの上記の特徴のいずれかを、様々な方法にしたがって記載される実施形態のいずれかにおいて使用してもよいことにも注目すべきである。
図2に示すように、方法200は、典型的には約400℃〜約1400℃の範囲の温度で結晶が溶融するまで結晶を加熱するステップを含む。操作202を参照のこと。いくつかのアプローチにおいて、結晶は組成ABXを含み、式中、AはLi、Na、K、Rb、及びCsからなる群から選択されてもよく;BはTi、Zr、Hf、Sn、Se、及びTeからなる群から選択されてもよく;XはCl、Br、及びIからなる群から選択されてもよい。
任意選択のアプローチにおいて、1つ又は複数のアクチベーターイオン(例えば、Tl、Cu、Ag、Au、Pb2+、Bi3+、In、Sn2+、Sb3+、Ce3+、Pr3+、Eu2+、Yb2+、Nb5+、Ta5+、W6+、及びそれらの組み合わせ)を、通常は溶融プロセスの前に、結晶中に組み込んでもよい。別の任意選択のアプローチにおいて、1つ又は複数のさらなるカチオンドーパント(例えば、Li、Na、K、Rb、Cs、La、Gd、Lu、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、及びそれらの組み合わせ)を、溶融プロセスの前に及び/又は溶融プロセスの間に、結晶中に組み込んでもよい。さらに別の任意選択のアプローチにおいて、1つ又は複数のさらなるアニオンドーパント(例えば、F、Cl、Br、I、O2−、S2−、Se2−、Te2−、及びそれらの組み合わせ)を、溶融プロセスの前に及び/又は溶融プロセスの間に、結晶中に組み込んでもよい。なお、さらなる任意選択のアプローチにおいて、1つ又は複数の熱中性子捕捉剤(例えば、Li)を、溶融プロセスの前に及び/又は溶融プロセスの間に、結晶中に組み込んでもよい。
また、図2に示すように、結晶を溶融させた後、単結晶が実質的に形成されるように、結晶をゆっくり冷却する。操作204を参照のこと。
本明細書に記載のシンチレーターはまた、溶融プロセスを含まない技術によって形成させてもよい。例えば、図3は一実施形態にしたがって、焼結型プロセスによって単結晶シンチレーターを作製する1つの例示的な方法300を提示する。方法300、及び本明細書に示される他の方法は、任意の所望の環境で実施してもよい。さらに、様々な実施形態にしたがって、図2に示す操作よりも多くの操作又は少ない操作が方法300に含まれていてもよい。本明細書に記載のシンチレーターの上記の特徴のいずれかを、様々な方法にしたがって記載される実施形態のいずれかにおいて使用してもよいことにも注目すべきである。
図3に示すように、方法300は、粒子を合わせて粒子材料を形成するステップを含む。操作302を参照のこと。好ましいアプローチにおいて、粒子材料中の粒子の各々はサイズが約10nm〜約10mmの範囲内である。なお、さらに好ましいアプローチにおいて、粒子材料は組成ABXを有し、式中、AはLi、Na、K、Rb、及びCsからなる群から選択されてもよく;BはTi、Zr、Hf、Sn、Se、及びTeからなる群から選択されてもよく;XはCl、Br、及びIからなる群から選択されてもよい。
様々なアプローチにおいて、粒子材料は以下のさらなる材料:1つ又は複数のアクチベーターイオン(例えば、Tl、Cu、Ag、Au、Pb2+、Bi3+、In、Sn2+、Sb3+、Ce3+、Pr3+、Eu2+、Yb2+、Nb5+、Ta5+、W6+、及びそれらの組み合わせ);1つ又は複数のさらなるカチオンドーパント(例えば、Li、Na、K、Rb、Cs、La、Gd、Lu、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、及びそれらの組み合わせ);1つ又は複数のさらなるアニオンドーパント(例えば、F、Cl、Br、I、O2−、S2−、Se2−、Te2−、及びそれらの組み合わせ);及び/又は1つ又は複数の熱中性子捕捉剤(例えば、Li)のいずれかを場合により含んでいてもよい。
また、図3に示すように、方法300は、溶融せずに粒子を融合させて光学的に連続した固体とするために、周囲圧力の数気圧以上の圧力及び/又は約150℃を超える、周囲温度を超える温度をかけるステップを含む。操作304を参照のこと。
実験結果及び比較例
本明細書に記載のシンチレーターと関連するいくつかの例示的な実験結果及び比較例、並びに本明細書に記載のシンチレーターを作製する方法を以下に提示する。これらの実験結果及び比較例は決して限定するものではなく、例証の目的のみのために提示されることに注意することが重要である。
前記シンチレーターが立方晶構造、低吸湿性を有し、固有の放射能がなく、意図的な活性化物質を一切ドープしなくても高い比例性光収率を有する、新規で高原子番号(有効(又は平均)Z=58)、中程度の密度(3.86g/cm)の、ガンマ線分光法用のCsHfClシンチレーターを調製した。CsHfClの結晶構造は粉末X線回折データから、塩化白金カリウムKPtClと等構造の空間群Fm−3m(#225)である、格子パラメーターa=10.42±0.01Åを有する立方晶であることが決定された。CsHfClの構造は、フッ素イオンの位置のセシウムイオン及びカルシウムイオンに代わる[HfCl−2八面体を有する、カルシウムフッ化物(CaF)の構造に類似した逆ほたる石である。一般式ABXを有するKPtCl結晶構造は、構成成分が非常に多様なイオンであってもよく、例えばAはLi、Na、K、Rb、Csのいずれかであってもよく;BはTi、Zr、Hf、Sn、Se、Teのいずれかであってもよく;XはCl、Br、Iのいずれかであってもよいという点で、汎用である。
CsHfClを溶融成長技術により成長させた。使用した出発物質はすべて良好な純度を示した。99.998%の純粋なCsClビーズ(典型的には1mm又は−10メッシュ)、及び99.9%(微量金属基準、Zrを除く)HfCl粉末を使用してCsHfClの要求される組成を得るように、化学量論比を準備した。出発物質は吸湿性が高くなかったにもかかわらず、出発物質は組み合わされて結晶に成長する前にわずかに感湿性であり、したがって水分レベル及び酸素レベルが1ppm未満のままであるように制御されたアルゴン環境グローブボックス中で取り扱われ投入された。CsHfClは820℃で一致溶融し、これによりブリッジマン技術を使用した結晶成長に適したものとなった。原料装入物を溶融させ、0.5〜1cm/日の典型的な引張り速度で高温ゾーンから低温ゾーンへ平行移動させ、固体/液体界面において5℃/cmの温度勾配を得た。適切な結晶を成長させたままのブールから切り出し、研磨して以下に示す研究のための40〜100mmの体積試験結晶とした。アルキメデス方法によりCsHfClの密度は3.86g/cmであると決定された。
90Sr/90Y源(約1MeVの平均ベータエネルギーを有する)を使用してベータ励起放射線ルミネセンススペクトルを得た。熱電冷却されたシリコンCCDカメラに連結された分光器で収集されたスペクトルを図4に示す。<30keVのX線を供給するX線源管を採用するX線放射線ルミネセンスにおいて、シリコンCCD読み出しを採用する光ファイバー結合分光計により発光を収集した。Sr−90ベータ線源で得られたCsHfCl放射線ルミネセンスは、<30keVのX線を使用してシリコンCCD読み出しにより得られたX線励起放射線ルミネセンスと良く一致している。標準BGO結晶(BiGe12)との比較により光収率(LY)は54,000pH/MeVと見積もられる。スペクトル間のわずかなシフトは、測定に使用された2つの分光計の間のスペクトル感度の違いに起因すると思われる。
図5は8.5mmのCsHfCl結晶についてのシンチレーション減衰を示す。662keV励起(Cs−137)、光電子増倍管、前置増幅器、及びデジタルオシロスコープを使用して、シンチレーションタイミングを試験した。シンチレーションタイミング応答は2つの成分からなる。速い減衰時間は0.3μsであり、たった5%だけの積分強度を有するが、一方4.37μsの遅い成分はシンチレーションパルスの残りの95%を占める。900Vのバイアス下のバイアルカリ光電子増倍管、及び前置増幅器を使用して、周囲温度220℃でガンマ線スペクトルを得た。40mm試料により最良のシンチレーション性能が得られ、137Cs源を使用して662keVで3.37%のエネルギー分解能が得られた。見積もられる光収率(LY)は、CsHfClの662keVガンマ線励起の波高を同様の試験条件下のNaI(Tl)のものと比較することにより計算された。この測定から、非ドープCsHfClの見積もられるLYは約33,000光子/MeVである。
体積が0.65cmである第3のCsHfCl試料を測定し、662keVで3.3%のエネルギー分解能を得た。試料を前置増幅器に接続された光電子増倍管に光学的に連結させ、信号を分光増幅器で整形し(12μsの整形時間)、次いでマルチチャンネル分析器で記録した。エネルギー分解能を見積もるために、ガウス分布に非線形最小二乗フィッティングすることによりスペクトルをオフラインで分析した。このスペクトルをNaI(Tl)結晶からのデータと共に図6に示す。NaI(Tl)と比較したCsHfClのガンマ光収率は33,000光子/MeVであると見積もられる。607keVでのCsHfClスペクトルの小さいピークは、低容量検出器に典型的なKα蛍光X線のエスケープに起因すると思われる。
図7は、254nmの励起下における、紙のバックグラウンド(0.5cm四方)上の、非ドープの光学的に透明なCsHfCl結晶の写真である。図7の白黒写真には示されないが、CsHfCl結晶はその特徴的な青色発光を示す。
非ドープCsHfClシンチレーターの開発及び分析において遭遇した驚くべき予期しない知見の1つは、そのいわゆる「電子の非比例性」が非常に好ましいことであった。CsHfClシンチレーター及び少数の良く知られたシンチレーター(例えば、NaI(Tl)、LaBr(Ce)、及びSrI(Eu))の代表的な試料についての電子の非比例性データは図8に表される。理論上「理想的な」シンチレーターでは、図8の曲線はちょうど水平線となる(ここで縦座標は、生成する紫外−可視光子を、相対的光収率単位である光子/keVにおける励起電子のエネルギーで割った比である)。すべてのシンチレーターは理想的なケースから外れている。しかし、水平の理想形からのずれが大きいほど、可能なエネルギー分解能は悪くなる。NaI(Tl)、LaBr(Ce)、及びSrI(Eu)についての、非比例性によるモデル化された寄与は5.04%、2.43%、及び2.20%であったが(0.3%の推定誤差を含む)、非ドープCsHfClシンチレーターは同じ解析に基づき1.37%の非比例性限定の分解能を有すると評価される。CsHfClシンチレーターに関して特に驚くべきで予期しないことは、図8に示される他のシンチレーターと比較して、並びに過去に研究されたが簡潔にするために図8から省略された他の既知のシンチレーターと比較して、最も平坦な曲線を示すことである。したがって非比例性のデータから、CsHfClシンチレーターは非ドープであっても優れたエネルギーを有すると予測され、予測はこれまでに得られた実験データ(例えば図6を参照)により裏付けられる。
上記の実験結果から、KPtCl逆ほたる石構造を有する立方晶に基づく、新しいクラスのシンチレーターが開発された。驚くことに、また予想外に、CsHfClシンチレーターは、ドーパントを含まないがそれにもかかわらず、662keVで3.3%の分解能を有することが分かった。光収率(光電子増倍管の読み出しによる)は現在、400nm付近でおよそ30,000光子/MeVである。特定の理論によって拘束されることを望まないが、約400nmに中心がある非ドープCsHfClの広い発光バンドは、立方体の中心にあるCsイオンにより創出される立方体環境中に置かれた、攪乱されていない[HfCl2−アニオン錯体の電荷移動型の遷移に基づく固有の発光中心によって生じ得ることが推測される。本明細書で論じたように、CsHfClシンチレーター中にアクチベーターイオン及び/又はカチオンドーパント及び/又はアニオンドーパントを含めると、光収率をさらに増加させ、発光減衰時間を短縮させ、発光スペクトルの波長をシフトさせ、そのエネルギー分解能を改善させることができる。
応用及び使用
本発明の実施形態は多様な用途において、潜在的には高い光収率及び/又はガンマ線、高速中性子及び熱中性子、荷電粒子などの識別が有用である任意の用途において使用してもよい。
本発明の様々な実施形態の例示的な使用としては、限定はされないが、放射線検出を必要とする用途が挙げられる。特定核物質(SNM)の同定を含めた、放射性物質の検出、監視、及びモニタリングは、いくつかのそのような例である。様々な実施形態は、核燃料サイクル、国土安全保障用途、核拡散防止、医用画像、特定核物質、高エネルギー物理学施設などにおいても使用できる。さらに、中性子を最小で数百keV/ガンマ線当量のレジームまでのガンマ線と区別する能力は、拡散防止、国土安全保障、及び防衛の用途において非常に有用となる。
さらに他の使用としては、核ミサイル弾頭の位置を非侵入方式でモニタリングできる条約検査において使用するための検出器が挙げられる。さらなる使用としては、米国海洋港湾の通関業者のブイ上の検出器、貨物取り調べシステム、及び緊急対応の人員が秘密の核装置を検出又は捜索するのに使用できる計器における実施が挙げられる。放射線拡散装置の評価は別の用途である。
直前で論じたものなどの、放射線検出に関する用途において、本明細書に記載のシンチレーターのいずれかを放射線検出器において採用してもよい。特定のアプローチにおいて、この放射線検出器はシンチレーターのシンチレーション光応答を読み出す手段を含んでいてもよく、シンチレーション光に応答するように構成された光電子増倍管、シリコン光電子増倍管、フォトダイオード、又は任意のトランスデューサーを採用することにより、光収率の大きさを記録する。この放射線検出器は最終的に波高スペクトルを生じることができ、光応答はシンチレーターにより生成される光収率の各ビン内で収集されるカウント数のヒストグラムとして示される。さらに、好ましいアプローチにおいて、そのような放射線検出器はX線、ガンマ線、及び/又は中性子を記録するように構成されており、さらにこれらの特定の形態の放射線同士を部分的に又は完全に識別するように構成されている。
本明細書に記載のシンチレーターのさらなる用途としては、X線撮影、線量測定、及び科学研究を挙げることができる。例えば、別のアプローチにおいて、本明細書に記載のシンチレーターのいずれかをX線撮影システムに採用してもよく、ここでシンチレーターは、平面内の異なる点での光レベルを記録することによりピクセル化光検出器アレイで像を記録するために、光応答を読み出す手段として機能する。そのようなアプローチにおいて、シンチレーション光を光検出器アレイの中に実質的に誘導するように、シンチレーターは好ましくは光検出器アレイの付近に粉末の形態で配備されていてもよい。
本明細書で開示される本発明の概念は、複数の例示的な概要、実施形態、及び/又は実施においてその無数の特徴を説明するために、例として示されている。一般に開示される概念はモジュールと考えるべきであり、それらの任意の組み合わせ、置き換え、又は合成で実施してもよいことを認識するべきである。さらに、簡単な説明を読めば当業者が理解することになる、本発明で開示される特徴、機能、及び概念の任意の修正、変更、又は等価物も、この開示の範囲内にあると考えるべきである。
様々な実施形態が上記で記載されているが、それらは単に例として示され、限定するものではないことを理解するべきである。したがって、好ましい実施形態の幅及び範囲は上記の例示的な実施形態のいずれかによって限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの等価物によってのみ定義されるべきである。

Claims (20)

  1. 化学式:ABX[式中、Aは一価イオンを含み、Bは四価イオンを含み、Xはハロゲン化物イオンを含む]を有するホスト材料
    を含むシンチレーター。
  2. AがLi、Na、K、Rb、及びCsからなる群から選択される、請求項1に記載のシンチレーター。
  3. BがTi、Zr、Hf、Sn、Se、及びTeからなる群から選択される、請求項1に記載のシンチレーター。
  4. XがCl、Br、及びIからなる群から選択される、請求項1に記載のシンチレーター。
  5. 熱中性子、高速中性子、及びガンマ線のうち少なくとも1つに対して光応答を示す、請求項1に記載のシンチレーター。
  6. 662keVで約4%以下のエネルギー分解能を有する、請求項1に記載のシンチレーター。
  7. 前記ホスト材料が、Tl、Cu、Ag、Au、Pb2+、Bi3+、In、Sn2+、Sb3+、Ce3+、Pr3+、Eu2+、Yb2+、Nb5+、Ta5+、W6+、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのアクチベーターイオンをさらに含む、請求項1に記載のシンチレーター。
  8. 前記ホスト材料が、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba;La、Gd、Lu、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのさらなるカチオンドーパントをさらに含み、前記さらなるカチオンドーパントが、前記シンチレーターの前記ホスト材料中に本来なら存在しない、請求項1に記載のシンチレーター。
  9. 前記さらなるカチオンドーパントが、置き換えられる前記ホスト材料のカチオンに対して約20原子%以下の量で前記ホスト材料中に組み込まれる、請求項8に記載のシンチレーター。
  10. 前記ホスト材料が、F、Cl、Br、I、O2−、S2−、Se2−、Te2−、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つのさらなるアニオンドーパントをさらに含み、前記さらなるアニオンドーパントが、前記シンチレーターの前記ホスト材料中に本来なら存在しない、請求項1に記載のシンチレーター。
  11. 前記さらなるアニオンドーパントが、置き換えられる前記ホスト材料のアニオンに対して約20原子%以下の量で前記ホスト材料中に組み込まれる、請求項10に記載のシンチレーター。
  12. 前記ホスト材料が、熱中性子を捕捉するように構成されたさらなる成分をさらに含み、前記さらなる成分が、前記シンチレーターの前記ホスト材料中に本来なら存在しない、請求項1に記載のシンチレーター。
  13. 前記さらなる成分がLiである、請求項12に記載のシンチレーター。
  14. 前記ホスト材料が以下の式:CsHfCl、NaHfCl、LiHfCl、CsHfBr、NaHfBr、LiHfBr、CsHfI、NaHfI、LiHfI、CsZrCl、NaZrCl、LiZrCl、CsZrBr、NaZrBr、LiZrBr、CsHfI、NaHfCl、LiHfI、CsZrCl、NaZrCl、LiZrCl、CsZrBr、NaZrBr、LiZrBr、CsZrI、NaZrI、LiZrI、CsTiCl、NaTiCl、LiTiCl、CsTiBr、NaTiBr、LiTiBr、CsTiI、NaTiI、又はLiTiIのいずれかを有する、請求項1に記載のシンチレーター。
  15. 前記シンチレーターの少なくとも1つの寸法の長さが約1mm〜約12インチの範囲内である、請求項1に記載のシンチレーター。
  16. 光学的に透明な単結晶である、請求項1に記載のシンチレーター。
  17. 溶融成長によって形成されるという物理的特性を有する、請求項1に記載のシンチレーター。
  18. 請求項1に記載のシンチレーターと;
    前記シンチレーターからの光パルスに対応するパルストレースを処理するように構成された処理デバイスと
    を含む、放射線検出システム。
  19. 光学的に透明な圧粉又は焼結多結晶体である、請求項1に記載のシンチレーター。
  20. 請求項19に記載のシンチレーターと;
    前記シンチレーターの平面内の異なる点で、前記シンチレーターからの光パルスを検出するように構成された光検出器アレイと
    を含む、X線撮影システムであって、
    前記シンチレーターが、前記光パルスを前記光検出器アレイへ実質的に誘導するように、前記光検出器アレイの付近に配置されている、X線撮影システム。
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