JP2018521305A - イオンのキャラクタリゼーション方法 - Google Patents

Abstract

本発明の一態様は、イオンをキャラクタリゼーションする方法であって、−複数の第１世代イオンをイオントラップで捕捉するステップ、−前記イオントラップで捕捉した複数の第１世代イオンを冷却するステップ、−複数の第１世代イオンとは異なる複数の第２世代イオンを得るために、冷却した複数の第１世代イオンを光フラグメンテーションするステップであって、複数の第２世代イオンは少なくとも１種の第１型である、ステップ、−イオントラップからすべての第１世代の残留イオンおよび第１型とは異なる型のすべての第２世代イオンも放出することによって、第１型の第２世代イオンをイオントラップにおいて選択する、ステップｉ）、−イオントラップにおいて選択および捕捉された第１型の第２世代イオンを冷却するステップｉｉ）、−第１型の冷却された第２世代イオンを光フラグメンテーションして、複数の第２世代イオンとは異なる、複数の第３世代イオンを得るステップｉｉｉ）であって、前記複数の第３世代イオンは少なくとも１種の第１型である、ステップｉｉｉ）、−複数の最終世代イオンを検出するステップを含む方法に関する。

Description

本発明の技術分野は、イオンのキャラクタリゼーションの技術分野である。

本発明の第１の態様は、イオンをキャラクタリゼーションする方法であって、本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためのイオンをキャラクタリゼーションする装置に関する。

本発明は、特に分析化学、薬理学および環境の分野で応用される。

質量分析の分野は現在、最大限に拡大している。産業界の多くの懸案事項によって、系をキャラクタリゼーションするために、分析化学、薬理学および環境の分野で特に使用される機器が提起されている。しかし、これらの機器によって、検出された系のｍ／ｚで示される質量／電荷比のキャラクタリゼーションをできるようになるが、特に検出した系の各種の異性体および互変異性体はキャラクタリゼーションできるようにならない。

ＭＳ／ＭＳまたはＭＳ^２と示されるタンデム質量分析法は、イオンの同定およびキャラクタリゼーションのための質量分析技術である。ＭＳ／ＭＳ技術は、
−特定の質量／電荷比を有する第１世代イオンを質量分析計で単離すること、
−親イオンを、例えば衝突誘起解離（ＣＩＤ）技術によって活性化させること、
−第１世代イオンの活性化を起源とする特定のフラグメントを解離すること、
−第３世代フラグメントを得るために、例えばＣＩＤ技術によって前記特定のフラグメントを活性化すること
に存する。

第３世代イオンの試験により、第２世代イオンの情報が得られ、第１世代イオンの情報を間接的に得られるようになる。第３世代イオンの試験は、例えば電子分光法によって行われ得る。

光励起、または光フラグメンテーションは、使用され得る別のイオンフラグメンテーション技術である。以下が通例使用される：
−あらゆる型のイオンについての、ＩＲ光子による光フラグメンテーション技術、
−または発色団を有するイオンについての、可視光またはＵＶ光フラグメンテーション技術。

イオンの電子分光法によって、前記イオンの全体構造に関する情報を与えるスペクトルが得られるようになるが、特にイオンが高温である場合のスペクトル輻輳の現象のために、前記イオンの互変異性形態を決定することは困難なままである。スペクトル輻輳の現象は、イオンが低温である場合に特徴的な細い光線を含む得られたスペクトルが、イオンが高温の場合には幅広く特徴的でないバンドになるという事実を反映している。室温におけるイオンは、通例高温イオンであることに留意すべきである。

発明者らは、論文“Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ：Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｄａｕｇｈｔｅｒ ｉｏｎｓ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅｉｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ”，Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ （２０１４）の著者である。この論文では、以下に従って、イオン性光生成物の異性体構造をキャラクタリゼーションする方法を提案している：
−第１世代イオンをイオントラップで捕捉し、
−捕捉した第１世代イオンを冷却し、
−冷却した第１世代イオンを光フラグメンテーションして、第２世代イオンを得て、
−第２世代イオンを冷却して、
−冷却した第２世代イオンが光フラグメンテーションして、第３世代イオンを得て、
−第３世代イオンを検出する。

該論文では、キャラクタリゼーション方法をプロトン化チロシンＴｙｒＨ＋の特定の場合に適用し、ＴｙｒＨ＋の各種の光生成物を構造的にキャラクタリゼーションすることができるようになる。該方法により、プロトン化アミノ酸由来のフラグメントをキャラクタリゼーションできるようになり、論文の結論において、プロトン化ペプチドに由来するフラグメントをキャラクタリゼーションする方法の試験を、質量分析によって得たキャラクタリゼーションよりも完全な様式で行うことが想定されている。

しかし、この方法をプロトン化チロシンＴｙｒＨ＋以外のイオンに適用するために実施した実験は決定的なものではない。

"Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ：Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｄａｕｇｈｔｅｒ ｉｏｎｓ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅｉｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ（２０１４）

本発明は、イオンをキャラクタリゼーションする方法、特にイオンの異性体構造をキャラクタリゼーションする方法であって、あらゆる型のイオンに適用可能である方法を提案することにより、上記の問題に対する解決策を提供する。

従って、本発明の一態様は、イオンをキャラクタリゼーションする方法であって、
−複数の第１世代イオンをイオントラップで捕捉するステップ、
−イオントラップで捕捉した複数の第１世代イオンを冷却するステップ、
−複数の第１世代イオンとは異なる複数の第２世代イオンを得るために、冷却した複数の第１世代イオンを光フラグメンテーションするステップであって、複数の第２世代イオンは少なくとも１種の第１型である、ステップ、
−イオントラップからすべての残留第１世代イオンおよび第１型とは異なる型のすべての第２世代イオンを放出することによって、第１型の第２世代イオンをイオントラップにおいて選択する、ステップｉ）、
−イオントラップにおいて選択および捕捉された第１型の第２世代イオンを冷却するステップｉｉ）、
−第１型の冷却された第２世代イオンを光フラグメンテーションして、複数の第２世代イオンとは異なる、複数の第３世代イオンを得るステップｉｉｉ）であって、複数の第３世代イオンは少なくとも１種の第１型である、ステップｉｉｉ）、
−複数の最終世代イオンを検出するステップ
を含む方法に関する。

複数の第１世代イオンの第１の光フラグメンテーションにより、複数の第２世代イオンを得ることができる。第２世代イオンは、第１世代イオンの光フラグメントであり、第２世代イオンは第１世代イオンとは異なる。第２世代イオンは全て同じ型であってもよく、または第２世代イオンは異なる型であってもよい。「異なる型のイオン」は、互いに独立して選択することができるイオンを意味すると解釈される。さらに、第１世代イオンは、第１の光フラグメンテーションの終了時に存続し得る。ステップｉ）により、イオントラップ内の第１型の第２世代イオンを分離することが可能となる。従って、この第１型の第２世代イオンのみに対して、第２の光フラグメンテーションが行われるようになる。従って、第３世代イオンは、この第１型の第２世代イオンの光フラグメントである。第２の光フラグメンテーションを実施する前にイオントラップ内の第１型の第２世代イオンを単離することにより、得られた第３世代イオンを使用した、第１型の第２世代イオンの信頼性のあるキャラクタリゼーションが可能となる。実際に、第１型の第２世代イオンの分光学的特徴は、これの光フラグメントの検出、即ち第３世代イオンの検出によって得られる。第３世代イオンと同一のイオンは、特に残留第１世代イオンの光フラグメンテーションによって、または第１型とは異なる第２世代イオンの光フラグメンテーションによってなお得られ得る。異なる世代イオンが同じスペクトル領域で吸収される可能性もある。例えば、第１世代イオンおよび第２世代イオンはどちらもＵＶで吸収され得る。このような場合、第１型の第２世代イオンの分光学的特徴は、第１世代イオンおよび第１型とは異なる型の第２世代イオンなどの他のイオンの分光学的特徴と混合されるので、第１型の第２世代イオンの信頼性があるキャラクタリゼーションができなくなる。従って、先に引用した刊行物に記載された方法が、プロトン化チロシンＴｙｒＨ＋の特定の場合に適用されると機能するのは、プロトン化チロシンＴｙｒＨ＋がＵＶを吸収するのに対して、第２世代イオン、即ちプロトン化チロシンＴｙｒＨ＋の光フラグメントが可視光で吸収するためである。

より一般的には、Ｎ番目の光フラグメンテーションを行う前に、第Ｎ世代イオンの独自の型を単離することにより、第Ｎ世代イオンの型の信頼性のあるキャラクタリゼーションができるようになる。

前段落で述べた特性以外に、本発明の一態様によるキャラクタリゼーション方法は、個々にまたはこれの技術的に可能な全ての組合せに従って考慮される、以下のうちの１つ以上の追加の特性を有し得る：
−該方法は、複数の第１世代イオンを質量分析技術によって選択するステップを含む。

−複数の最終世代イオンを検出するステップを、質量分析技術によって行う。

−ステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）は、Ｎ回行うシーケンスを形成し、Ｎは２以上の自然整数であり、各世代の数は前記シーケンスを行うたびに１ずつ増える。

本発明の別の態様は、本発明の一態様によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置であって、
−複数のイオンを捕捉するイオントラップ、
−バッファガス源およびクライオスタットを備える、複数のイオンを冷却するモジュール、
−光フラグメンテーションレーザ、
−注目するイオンの型を選択する質量分析計、
−複数の光フラグメントを検出する検出器
を備えることを特徴とする装置に関する。

本発明およびこれの種々の応用は、以下に続く説明を読み、これに添付された図面を検討することによって、より良好に理解される。

これらの図は、表示を目的として示し、本発明を決して限定するものではない。

本発明の第１の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法のステップの図を示す。 本発明の第１の実施形態の代替法によるイオンをキャラクタリゼーションする方法の補完的ステップの図を示す。 本発明の第２の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法のステップの図を示す。 本発明の第１または第２の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置の使用の、第１段階を概略的に示す。 本発明の第１または第２の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置の使用の、第２段階を概略的に示す。 本発明の第１または第２の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置の使用の、第３段階を概略的に示す。 本発明の第１の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置の使用の、第４段階を概略的に示す。

別途指摘しない限り、別の図に示す同じ要素は単一の参照を有する。

図１ａは、本発明の第１の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法１００のステップの図を示す。図２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄは、本発明の第１の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法２０を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置３００の使用を示す。図１ａおよび図２ａから図２ｄを併せて説明する。

図１ａおよび図２ａは、複数の第１世代イオンＧ１がイオントラップＰに捕捉されるステップ１１０を示す。複数の第１世代イオンＧ１は、イオントラップＰ内のイオンの雲の形態である。

複数の第１世代イオンの複数Ｇ１は、通例、エレクトロスプレーイオン化（ＥＳＩ）技術を使用して得る。

イオントラップＰは、優先的には四重極トラップまたはポールトラップであり、これの内部のイオン雲の良好な局在化を可能にする。イオントラップ内のイオン雲の局在化が良好であると、光フラグメンテーションレーザとイオン雲との間の相互作用を効率的にすることができる。または、イオントラップＰはペニングトラップまたは多極リニアトラップであってもよい。

本発明の第１の実施形態による方法１００は、第１型の複数の第１世代イオンＧ１を得るように、複数の第１世代イオンＧ１を選択するステップ（図示せず）を含むことが有利である。第１型の第１世代イオンを選択するステップは、例えば質量分析技術によって行う。質量分析による選択のステップによって、有利には、全て同じ質量／電荷比（ｍ／ｚ）を有する複数の第１世代イオンＧ１を得ることができる。質量分析による選択のステップは、例えば複数の第１世代イオンＧ１が導入されてイオントラップＰに捕捉される前に行ってよい。または質量分析による選択のステップは、複数の第１世代イオンＧ１がイオントラップＰに導入されて捕捉された後に行ってもよい。後者の場合、選択のステップは、イオントラップＰから所望のｍ／ｚ比を有さない第１世代イオンを排出することによって、イオントラップＰに所望のｍ／ｚ比を有する第１世代イオンを保持することに存する。第１型の第１世代イオンの選択のステップは、イオン移動度分光法（ＩＭＳ）技術によっても実施され得る。

図１ａおよび図２ａは、イオントラップＰに捕捉された複数の第１世代イオンＧ１を冷却モジュールＲｅによって冷却するステップ１２０を示す。冷却モジュールＲｅは、
−バッファガスをイオントラップＰに導入できるようにするバッファガス源、および
−クライオスタット
を含む。

バッファガスは、例えばヘリウムＨｅである。従って、バッファガス源は、圧縮ヘリウムシリンダであってよい。またはバッファガス源は、圧縮器と共に使用される周囲圧のヘリウムシリンダであってよい。

図１ａ、図２ａおよび図２ｂは、冷却した複数の第１世代イオンＧ１を、第１の波長λ１で発光する光フラグメンテーションレーザＬによって光フラグメンテーションして、複数の第２世代イオンを得るステップ１３０を示す。第１の波長λ１は、光フラグメンテーションする複数の第１世代イオンＧ１の関数として選択される。複数の第２世代イオンは、複数の第１世代イオンと異なり、複数の第２世代イオンは、少なくとも１種の第１型である。第１世代イオンの光フラグメンテーションの終了時に、図２ａおよび図２ｂに示す特定の例は、イオントラップが、
−第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１、
−第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２、および
−光フラグメンテーションされていない残留第１世代イオンＧ１’
を含有することを示す。

当然、別の具体的な例（図示せず）では、イオントラップＰは、第１世代イオンの光フラグメンテーションの終了時に第３型、第４型、…第ｎ型の第２世代イオンを含有できる。イオントラップＰはまた、第１世代の残留イオンを全く含有し得ない、または単一の型の第２世代イオンのみを含有し得る。

図１ａ、図２ｂおよび図２ｃは、図１ａにおいて１４０で示すステップｉ）を示し、ステップｉ）に従って、イオントラップからすべての残留第１世代イオンおよび第１型とは異なる型のすべての第２世代イオンを排出することによって、第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１をイオントラップにおいて選択する。第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１を選択するステップは、質量分析計Ｓｐを使用して行う。図２ｂおよび図２ｃに示す特定の例において、質量分析計Ｓｐによって、残留第１世代イオンＧ１’および第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２を放出することが可能になる。選択ステップ１４０の前のイオントラップＰの内容にかかわらず、イオントラップＰは、選択ステップ１４０の終了時に、第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１を今や実質的にのみ含有することが保証される。「実質的に」とは、選択ステップ１４０の後で、イオントラップＰ内に排出すべき、わずかな残留イオン量εが存在することを意味すると解釈される。わずかな残留量εは十分に小さいので、これの信号が測定を妨げることはない。わずかな残留量εは、優先的には、選択ステップ１４０の前にイオントラップＰ中で見られる放出されるイオン全ての１０％を下回る。

選択は、通例、イオントラップＰの電極に高周波電圧を印加することによって行う。この高周波電圧は、特定のｍ／ｚ比を有するイオンを放出するように選択および調整する。図２ｂおよび図２ｃに示す特定の例において、残留第１世代イオンＧ１’を放出するために第１の高周波電圧が印加され得て、次に第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２を放出するために第２の高周波電圧が印加され得る。または第１および第２の高周波電圧を同時に印加してよい。

図１ａおよび図２ｃは、図１ａにて１５０で示されるステップｉｉ）を示し、ステップｉｉ）に従って、イオントラップにて選択および捕捉された第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１を、上記した冷却モジュールＲｅにより冷却する。

図１ａ、図２ｃおよび図２ｄは、図１ａにおいて１６０で示すステップｉｉｉ）を示し、ステップｉｉｉ）に従って、冷却した第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１を、第２の波長λ２で発光する光フラグメンテーションレーザＬによって光フラグメンテーションして、複数の第３世代イオンＧ３を得る。複数の第３世代イオンＧ３は、複数の第２世代イオンと異なり、複数の第３世代イオンＧ３は、少なくとも１種の第１型である。第２の波長λ２は、光フラグメンテーションする第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１の関数として選択される。第２の波長λ２は、通例、第１の波長λ１とは異なる。

ちょうど記載した場合において、光フラグメンテーションレーザＬは、ステップ１３０の第１の光フラグメンテーションでは第１の波長λ１で発光し、ステップ１６０の第２の光フラグメンテーションでは第２の波長λ２で発光する。または、２種の光フラグメンテーションレーザ、即ち、ステップ１３０の第１の光フラグメンテーションでは第１の波長λ１で発光する第１の光フラグメンテーションレーザと、ステップ１６０の第２の光フラグメンテーションでは第２の波長λ２で発光する第２の光フラグメンテーションレーザを使用してよい。

図１ａおよび図２ｄは、複数の最終世代イオン、この場合は複数の第３世代イオンＧ３を検出器Ｄｅによって検出するステップ１７０を示す。複数の最終世代イオンの検出は、例えばチャンネル光電子増倍管（ＣＰＭ）、マルチチャンネルプレート（ＭＣＰ）またはデイリー検出器によって行われ得る。第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１の分光学的特徴がこれにより得られる。

上述した特定の例では、第１世代イオンＧ１の光フラグメンテーションの終了時に、第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１と、第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２が得られる。ステップ１１０から１７０の第１のサイクルを行うことにより第１型の第２世代イオンのＧ２Ｔ１の分光学的特徴を得た後、次いで図１ａ’に示す第２のサイクル１００’であって：
−複数の第１世代イオンＧ１をイオントラップＰで捕捉するステップ１１０、
−イオントラップＰで捕捉した複数の第１世代イオンＧ１を冷却する、ステップ１２０、
−考慮される特定の例において、第１型の第２世代イオンＧ２Ｔ１および第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２を得るために、冷却した複数の第１世代イオンＧ１を光フラグメンテーションする、ステップ１３０、
−イオントラップからすべての残留第１世代イオンおよび第２型とは異なる型のすべての第２世代イオンを放出することによって、第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２をイオントラップにおいて選択する、ステップ１４０’、
−イオントラップＰにおいて選択および捕捉した第２型の第２世代イオンを冷却する、ステップ１５０’、
−冷却された第２型の第２世代イオンを光フラグメンテーションして第２の複数の第３世代イオンＧ３’を得る、ステップ１６０’、
−第２の複数の第３世代イオンＧ３’を検出する、ステップ１７０’
を含む第２のサイクル１００’を行うことによって、第２型の第２世代イオンのＧ２Ｔ２の分光学的特徴を得ることができる。

第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２の分光学的特徴がこれにより得られる。

ステップ１４０について説明したのと同じ方法で、質量分析計Ｓｐをステップ１４０’で使用する。選択ステップ１４０の前のイオントラップＰの内容にかかわらず、イオントラップＰは、選択ステップ１４０の終了時に、第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２を今や実質的にのみ含有することが保証される。「実質的に」とは、ステップ１４０に関して上記したように、選択ステップ１４０の後で、イオントラップＰ内に排出すべき、わずかな残留イオン量εが存在することを意味すると解釈される。

ステップ１５０について説明したのと同じ方法で、冷却モジュールＲｅをステップ１５０’で使用する。

第３の波長λ２’にて発光する光フラグメンテーションレーザＬをステップ１６０’で使用する。第３の波長λ２’は、光フラグメンテーションする第２型の第２世代イオンＧ２Ｔ２の関数として選択される。第３の波長λ２’は、通例、第１の波長λ１および第２の波長λ２とは異なる。

ちょうど記載した場合において、光フラグメンテーションレーザＬは、ステップ１３０の第１の光フラグメンテーションでは第１の波長λ１で発光し、ステップ１６０の第２の光フラグメンテーションでは第２の波長λ２で発光し、ステップ１６０’の第３の光フラグメンテーションでは第３の波長λ２’で発光する。または、２種の光フラグメンテーションレーザ、即ち、ステップ１３０の第１の光フラグメンテーションでは第１の波長λ１で発光する第１の光フラグメンテーションレーザと、ステップ１６０の第２の光フラグメンテーションでは第２の波長λ２で発光し、ステップ１６０’の第３の光フラグメンテーションでは第３の波長λ２’で発光する第２の光フラグメンテーションレーザを使用してよい。別の代替案により、３種の光フラグメンテーションレーザ、即ち、ステップ１３０の第１の光フラグメンテーションでは第１の波長λ１で発光する第１の光フラグメンテーションレーザと、ステップ１６０の第２の光フラグメンテーションでは第２の波長λ２で発光する第２の光フラグメンテーションレーザと、ステップ１６０’の第３の光フラグメンテーションでは第３の波長λ２’で発光する第３の光フラグメンテーションレーザを使用してよい。

ステップ１７０について説明したのと同じ方法で、検出器Ｄｅをステップ１７０’で使用する。

一般に、有利には、各型の第２世代イオンの分光学的特徴を得るために、第２世代イオンの異なる型の回数だけサイクルを行ってよい。

図１ｂは、本発明の第２の実施形態によるイオンをキャラクタリゼーションする方法２００のステップの図を示す。本発明の第２の実施形態において、図１ａおよび１ｂにてそれぞれ１４０、１５０および１６０で示すステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）は、Ｎ回連続して行い、Ｎは２以上の自然整数である。前記シーケンスを行うたびに、各世代の数が１ずつ増える。

ステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）のシーケンスを行う回数Ｎが２に等しい、第２の実施形態による方法２００の例示的な実施形態をここで説明する。

第２の実施形態による方法２００の第１の一連のステップ１１０、１２０、１３０、１４０、１５０および１６０は、上記した第１の実施形態による方法１００の一連のステップ１１０、１２０、１３０、１４０、１５０および１６０と同一である。実際、Ｎ＝１では、第２の実施形態による方法２００は、第１の実施形態による方法１００と同一である。この段階で、このためステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）の一連のシーケンスが１回行われている。Ｎ＝２の場合、ステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）のシーケンスは、次いで２回目が行われる：
−第２のステップｉ）により、第１型の第３世代イオンをイオントラップにおいて、第１型とは異なるすべての残留第２世代イオンおよび第３世代イオンをイオントラップから排出することによって選択し、
−第２のステップｉｉ）により、イオントラップにて選択および捕捉した第１型の第３世代イオンを冷却し、
−第２のステップｉｉｉ）により、冷却した第１型の第３世代イオンを光フラグメンテーションして、複数の第３世代イオンとは異なる複数の第４世代イオンであって、少なくとも１種の第１型である複数の第４世代イオンを得る。

最後に、本発明の第２の実施形態による方法２００は、複数の最終世代イオン、この場合、複数の第４世代イオンを検出するステップ１７０を含む。第１型の第３世代イオンの分光学的特徴がこれにより得られる。一般に、各型の第３世代イオンの分光学的特徴が有利に決定される。

Claims (5)

1. イオンをキャラクタリゼーションする方法（１００、２００）であって、
   −複数の第１世代イオン（Ｇ１）をイオントラップ（Ｐ）で捕捉するステップ（１１０）、
   −前記イオントラップで捕捉した前記複数の第１世代イオン（Ｇ１）を冷却するステップ（１２０）、
   −前記複数の第１世代イオンとは異なる複数の第２世代イオン（Ｇ２Ｔ１、Ｇ２Ｔ２）を得るために、冷却した前記複数の第１世代イオン（Ｇ１）を光フラグメンテーションするステップ（１３０）であって、前記複数の第２世代イオンが少なくとも１種の第１型（Ｇ２Ｔ１）である、ステップ（１３０）、
   −前記イオントラップからすべての残留第１世代イオンおよび第１型とは異なる型のすべての第２世代イオンを放出することによって、前記第１型の第２世代イオン（Ｇ２Ｔ１）をイオントラップにおいて選択する、ステップ（１４０）ｉ）、
   −前記イオントラップにおいて選択および捕捉した前記第１型の第２世代イオンを冷却するステップ（１５０）ｉｉ）、
   −冷却した前記第１型の第２世代イオンを光フラグメンテーションして、前記複数の第２世代イオンとは異なる、複数の第３世代イオン（Ｇ３）を得るステップｉｉｉ）であって、前記複数の第３世代イオンが少なくとも１種の第１型である、ステップ（１６０）ｉｉｉ）、
   −複数の最終世代イオン（Ｇ３）を検出するステップ（１７０）
   を含む方法（１００、２００）。
2. 前記複数の第１世代イオンを質量分析技術によって選択するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載のキャラクタリゼーション方法（１００、２００）。
3. 前記複数の最終世代イオン（Ｇ３）を検出する前記ステップ（１７０）を、質量分析技術によって行うことを特徴とする、請求項１または２に記載のキャラクタリゼーション方法（１００、２００）。
4. ステップｉ）、ｉｉ）およびｉｉｉ）（１４０、１５０、１６０）をＮ回行うシーケンスを形成し、Ｎが２以上の自然整数であり、各世代の数が前記シーケンスを行うたびに１ずつ増えることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のキャラクタリゼーション方法（１００、２００）。
5. 請求項１から４のいずれかに記載のイオンをキャラクタリゼーションする方法（１００、２００）を実施するためにイオンをキャラクタリゼーションする装置（３００）であって、
   −複数のイオン（Ｇ１、Ｇ２Ｔ１、Ｇ２Ｔ２、Ｇ３）を捕捉するイオントラップ（Ｐ）、
   −バッファガス源およびクライオスタットを備える、前記複数のイオンを冷却するモジュール（Ｒｅ）、
   −光フラグメンテーションレーザ（Ｌ）、
   −注目するイオンの型を選択する質量分析計（Ｓｐ）、
   −複数の光フラグメントを検出する検出器（Ｄｅ）
   を備えることを特徴とする装置（３００）。

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