JP2018511161A - 圧電多層デバイスを製造するための方法 - Google Patents

Abstract

本出願は、圧電多層デバイスを製造するための方法に関し、この方法は、以下のステップを含む。１つの圧電材料を含むグリーンシート上に、１つの電極材料を取り付けるステップと、この圧電材料を含む、少なくとも１つのグリーンシート上に、１つの第１の助剤の層を取り付けるステップと、１つの積層体を形成するステップであって、この積層体においてはグリーンシートは、その上に上記の電極材料が取り付けられており、上下に重なって配設されており、この積層体には、上記のグリーンシートの少なくとも１枚が配設されており、このグリーンシート上に上記の第１の助剤の層が取り付けられるステップと、上記の積層体を焼結するステップであって、この焼結の際に上記の第１の助剤の層の密度が低下するステップと、上記の積層体を焼成するステップであって、この際この積層体が上記の第１の助剤の層に沿って２つの多層デバイスに個々に分離されるステップ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、圧電多層デバイスを製造するための方法に関する。

このような方法は、たとえば特許文献１に開示されている。しかしながらこの方法の欠点は、多層デバイスが１個毎に仕上げられることで製造されることであり、このため相当な製造コストが発生することである。

独国特許出願公開第１０２０１１１０９００８Ａ１号明細書

したがって本発明の課題は、圧電多層デバイスの製造のための改善された方法を提供することであり、この方法はたとえば製造コストの低減を含む。

上記の課題は請求項１に記載の方法によって解決される。本方法のさらなる実施形態は他の請求項に記載されている。

本発明による圧電多層デバイスの製造方法では、以下のステップを含むものが提供される。
Ａ）１つの圧電材料を含むグリーンシート（複数）上に、１つの電極材料を取り付けるステップ。
Ｂ）上記の圧電材料を含む、少なくとも１つのグリーンシート上に、１つの第１の助剤の層を取り付けるステップ。
Ｃ）１つの積層体を形成するステップであって、この積層体においては上記のグリーンシートは、その上に電極材料が取り付けられており、上下に重なって配設されており、ここでこの積層体には、上記のグリーンシートの少なくとも１枚が配設されており、このグリーンシート上に上記の第１の助剤の層が取り付けられているステップ。
Ｄ）上記の積層体を焼結するステップであって、この焼結の際に上記の第１の助剤の層の密度が低下するステップ。
Ｅ）上記の積層体を焼成するステップであって、ここでこの積層体が１つの第１の助剤の層に沿って２つの多層デバイスに個々に分離されるステップ。

この方法は、複数の多層デバイスをまとめて１つの積層体で処理することを可能とし、こうして多数の処理ステップをこの製造方法の間に上記の積層体で行うことができる。このようにして手間のかかる個々のデバイスの取り扱いを避けることができる。この方法の後の方で実施される焼成のステップで漸くこの積層体は個々の多層デバイスに分離される。

この際、この焼成のステップの際の個々の分離は、これに先行する上記の焼結の際の第１の助剤の層の脆弱化によって、そしてこの焼成の際の速い温度変化にもたらされる熱衝撃によって引き起こされる。こうしてこの個々の分離は、焼成の際に、上記の第１の助剤の層が消失または分解することによって行われる。この個々の分離のためのさらなる作業ステップは全く必要ない。これにより、この多層デバイスの個々の分離用に追加の手間がなんら発生しない。これはこの焼成のステップが多層デバイスの製造の際には常に実施されなければならないからである。

この方法を用いて製造される圧電多層デバイスは、具体的には圧電アクチュエータであってよい。この圧電アクチュエータは、たとえば自動車における燃料噴射バルブの駆動に使用することができる。

上記の電極材料からなる層は、完成した多層デバイスにおいては内部電極を形成し、たとえばシルクスクリーン印刷処理（Siebdruckverfahren）を用いて金属ペーストとしてこのグリーンシートの上に取付けられてよい。

この電極材料は、１つのＣｕ合金、たとえば銅パラジウム（ＣｕＰｄ）であってよい。他の電極材料も可能であり、たとえば純粋な銅も可能である。

この圧電性のグリーンシートは、焼結されてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ)セラミックとなり得る材料を含んでよい。

上記の第１の助剤は、この第１の助剤の層が、上記の焼結のステップの間に、この層の密度が上記の積層体の焼成の際に低下し、こうしてこの層に沿ってこの積層体の層間剥離が生じるように、選択される。層間剥離とは、この第１の助剤を含んでいた上記の第１の助剤の層に沿った上記の積層体の個々の分離のことを意味する。

上記の焼結のステップの間に、上記の第１の助剤の層の密度が低減し、ここでこの第１の助剤の層の密度が、この焼結の間に低下し、および／またはここでこのステップでこの層の孔隙率が焼結の間に高くなる。この変化は、上記の第１の助剤の層から材料が拡散消失すること、および／またはこの第１の助剤がその化学的組成を変化することによって引き起こされる。

上記の第１の助剤は、たとえば１つの第１の成分、１つの第２の成分、および１つの不活性な無機材料から成っていてよい。この第１の成分は、上記の電極材料の１つの成分でもある１つの金属であってよく、ここでこの金属はこの第１の成分において１つの化合物の状態、たとえば酸化された状態となっている。たとえばこの第１の成分はＣｕＯであってよい。

上記の第２の成分は、上記の電極材料の１つの成分でもある上記の金属の純粋な形態であってよい。たとえばこの第２の成分はＣｕであってよい。

上記の第２の成分および上記の不活性な無機材料は、上記の第１の助剤の任意に選択される成分である。以上のように上記の第１の成分の割合は、上記の助剤の１００重量％まで達していてよい。好ましくは上記の第１の成分と上記の第２の成分の比は５０重量％対５０重量％が設定される。

代替として、上記の第１の助剤は、１つの有機ペーストまたは無機の、ＰＺＴに対して不活性な材料を用いた１つのペーストを含んでよい。この第１の助剤は、有機成分および無機成分の１つの組合せから成っていてもよい。この有機ペーストは、たとえばＺｒＯ_２および／またはＢａＴｉＯ_３を含むか、またはこれらの材料の１つから成っていてよい。上記の向き材料は、エチルセルロースであってよい。上記の積層体の焼結の際に、この第１の助剤の層の密度は低下する。ここでたとえば上記の第１の助剤の１つの第１の成分および１つの第２の成分が互いに化学的に反応することができる。

上記の処理ステップＤ）では、１つの実施形態では、これら第１および第２の成分は反応して第３の成分となり、および／またはこの第１の成分は第３の成分および第４の成分に分解し、そしてこの第４の成分が第２の成分と反応して第１の成分となる。これらの反応で、所定の時間後、上記の第１の助剤の第１の成分および第２の成分のほぼ全部あるいは全部が反応して第３の成分となる。

たとえばこの第２の成分が純粋な金属の形態である場合、なおこの金属は上記の電極材料においてたとえば合金としても存在しているが、本方法を用いて、上記の第１の助剤における第２の成分に対して、第１の成分を狙いを定めて追加することにより、上記の純粋な金属はこの第１の助剤において化学反応を起こし、これに対し上記の電極材料中のこの金属は化学的に変化しないか、あるいはただ非常に僅かな分量のみ化学的に変化する。

この際、この第１の成分も同様に、上記の第２の成分および上記の電極材料のような金属を含んでよく、またはこの第２の成分およびこの電極材料の金属と異なる金属を含んでよい。これらの第１および第２の成分で異なる金属が選択されると、第１の成分の分解生成物である第３成分の主成分、および第２の成分の第４の成分との反応生成物である第３の成分の副成分が生成され得る。

第１の成分の第３および第４の成分への分解は、たとえば金属酸化物の酸素解離であってよい。このためこの第１の成分は、金属酸化物であってよく、ここでこの金属は第１の酸化状態であり、第４の成分である酸素を解離する。この酸素の解離によって、第３の成分として、この金属が第２の酸化状態で存在する金属酸化物が生成され得る。この酸素解離によって、こうして上記の第１の助剤において、この金属が狙いを定めて酸化され得る。

上記の反応、とりわけ第１の成分の第３および第４の成分への分解は、最高焼結温度に達する前に起こり得る。こうして、最大焼結温度に達する前に狙いを定めた酸化が、こうして上記のデバイスの高密度化の前に起こる。

したがって、本方法は、たとえば金属の酸化の化学反応を、狙いを定めた部位、すなわち焼結の前に助剤を含んでいた層の領域に制限することを可能とする。これにより上記の第１の助剤の層における純粋な金属は、完全に酸化されるが、他方電極材料における金属は酸化されず、すなわちまったく侵されない。

酸化が焼結雰囲気を介してのみ制御される従来の方法では、狙いを定めた部位で酸化を行うことは実現できなかった。これは酸化が電極材料でも起こるためであり、この電極材料での酸化は望ましくないからである。これは一方では酸化された電極材料は拡散消失（wegdiffundieren）し、これによって電極層が分解し得、また他方では、それに沿ってステップＥ）において上記の個々の分離が起こる上記の第１の助剤の層が、完全に分解できなくなるからである。

さらに、上記の処理ステップＤ）においては、第３の成分および／または第１の成分は、電極材料を含む層の少なくとも１つに拡散侵入（hindiffundieren）する。

「拡散侵入」とは、第１および／第３の成分が、これらの成分が電極材料に吸収されるか、またはこの電極材料の方向にのみ拡散し、上記の圧電材料を通って拡散して吸収されるように、拡散することを意味する。上記の第２の変形例は、第１および第３の成分が電極材料に存在する金属を全く含まない場合に起こる。

これらの反応が完全に行われると、拡散可能な第３の成分のみが存在するが、第１の成分が残っていてもよく、これも同様に拡散可能である。このようにして、生成された、あるいはもともと存在していた、それぞれで上記の金属が異なる酸化状態となっている金属酸化物は、上記の電極材料へ拡散侵入する。この場合、この金属はカチオンとして拡散する。

この拡散は、上記の成分が化学的に反応した後に、すなわち上記の第１の助剤の層全体に第３の成分のみが存在する場合に起こる。この拡散は、上記の成分の反応がまだ起きているときに、既に始まり得る。さらに、この拡散は、最高焼結温度に達した時に起こり得る。

この拡散によって、上記の積層体における上記の第１の助剤の層の領域において、１つの分割層が形成され、この分割層に沿ってこの積層体がステップＥ）で個々に分離される。このようにして、上記の処理ステップＤ）の前に上記の第１の助剤を含んでいた層は分解され、ここで、助剤の第１および第２の成分は、焼結の際に用いられる温度の作用により反応して第３の成分となり、これにより第１および／または第３の成分が上記の電極層(複数）の方向へ拡散することが可能となる。こうして上記の第１の助剤の層の領域では、多孔質の層が形成され、これはまた分割層としても理解され、この層においては上記の第２の成分が完全に反応しており、そして上記の第３の成分および、まだ残っていれば上記の第１の成分が拡散消失している。

１つの実施形態によれば、第１の成分としてＣｕＯ、第２の成分としてＣｕ、および電極材料として１つのＣｕ合金が選択される。Ｃｕを含む成分が選択されると、上記の処理ステップＤ）における拡散は酸化銅の形態で起こる。１つのさらなる実施形態によれば、第１の成分としてＣｕＯ、第２の成分としてＣｕ、および電極材料として１つのＣｕ合金が選択される。

上記の第１の助剤の層からの材料は、上記の焼結の際に上記の電極層(複数）へ拡散し得る。たとえば、ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏは、上記の圧電材料層を貫通して上記の電極層へ拡散し得るであろう。ここでこの拡散の程度は、隣り合って配置されている、電極材料および助剤の層の間のＣｕ濃度差によって決定される。上記の電極層は、１つのＣｕ合金を含んでよく、そのＣｕの分量は、上記の助剤のＣｕの分量より少なくてよい。この「少ない分量」とは、上記の電極材料における上記の金属の総濃度が、この助剤におけるより小さいことを意味する。この濃度の違いは、上記の焼結の際に、この金属が上記の第１の助剤の層から、電極材料を含む層(複数）の少なくとも１つへの拡散が起こり得るように作用する。この際、この拡散はこの第１の助剤の層に隣接した圧電層を通って行われる。この金属の拡散は、たとえばこの金属が気相状態で、金属酸化物または純粋な金属として存在する場合に可能である。この圧電層での金属の移動性は、上記の濃度の違いを駆動力として生じる。

さらに上記の拡散特性は、上記の第１の助剤の上記の第１および第２の成分の化学反応によって生成され得る銅カチオンが、純粋な銅よりも容易に拡散することによって改善される。上記の焼結プロセスの終了後には、上記の印刷された助剤は完全に上記の内部電極層に吸収されていることが可能である。これに対応して、１つの分割層が残っており、この分割層は上記の積層体における上記の内部電極層に対し平行に延在している。この層の孔隙率によって上記の積層体の破壊応力が決定される。

ここで上記の積層体の焼成の間に、上記の積層体の層間剥離が起こり得る。この焼成では、この積層体は、まず速く加熱され、そして続いて速く冷却されてよい。これによりこの積層体にはこの焼成プロセスの間に熱衝撃が起こる。この熱衝撃は、この積層体の層間剥離をもたらし得る。

上記の積層体の焼成は、最高焼成温度に達するまで毎分１０〜３０℃で上昇する温度で行われてよい。この積層体の焼成の際には、この最高焼成温度に達した後、毎分１０〜３０℃で温度が低下されてよい。この温度の低下は、環境温度に達するまで継続されてよい。上記の最高焼成温度に上昇したら、すぐにこの温度の低下が行われてよい。この温度傾斜を、加熱または冷却の際に毎分１０〜３０℃の温度変化に調整することによって、所望の熱衝撃が達成される。

この熱衝撃は、焼結された部品の曲げ強度に直接依存する。ここでこの曲げ強度は、上記の焼成の前に上記の焼結された部品で実施される処理ステップ(複数）がプロセス技術的に安定して進み得るように選択される。これらの処理ステップには、たとえば焼結および脱炭のような熱的プロセス、およびたとえば研磨およびメタライジングのような他のプロセスが属している。

上記の最高焼成温度は、７２０〜８００℃であってよく、好ましくは７５０〜７７０℃である。この範囲における最高焼成温度は、上記の分割層に沿った層間剥離が起こることを確実にする。

上記の第１の助剤は、少なくとも１つの第１の成分および１つの第２の成分を含み、これらは処理ステップＤ）において互いに化学的に反応する。ここでこの第１の成分は１つの化合物の形態の金属であってよく、そしてこの第２の成分は純粋な金属の形態であってよい。

さらに上記の第１の助剤は、１つの不活性な無機材料を含んでよい。この材料は、特に上記の焼結プロセスの観点から不活性であってよく、すなわちこの材料はこの焼結の間に変化しない。この不活性な材料は、上記の第１の助剤の層における孔隙が開いたままとなるように機能する。この不活性な無機材料の構造は、ステント（Gefaesstuetze）になぞらえることができる。上記の分割層の破壊応力は、この不活性な無機材料の添加によって、およびこの材料の濃度とその粒子サイズの調整によって決めることができる。具体的には、上記の焼結の後には、この不活性な無機材料のみが、上記の第１の助剤の層に残っている。

この不活性な無機材料は、酸化ジルコニウム（ＩＶ）であってよい。この酸化ジルコニウムは、管状の空隙(複数）を特徴としている。これらの管状の空隙は、上述したようなステントに非常に似ており、孔隙を開いたままとするように機能する。

上記の第１の助剤での、この不活性な無機材料の分量は、少なくとも４０重量％となっていてよい。この不活性な無機材料の分量が多いほど、その層に沿った層間剥離が起き易くなる。これに対応してこの不活性な無機材料は、層の脆弱化に使用される。上記の第１の助剤でのこの不活性な無機材料の分量は、たとえば４０重量％〜９０重量％であってよく、好ましくは５０重量％〜７０重量％であってよい。これらの値は、上記の第１の助剤が、上記のグリーンシートに取り付けられる前、すなわち上記の焼結の前の状態の助剤に対するものである。

さらに処理ステップＣ）では、少なくとも１枚のグリーンシートが上記の積層体に配設されており、このグリーンシートは上記の圧電材料を含み、そしてこのグリーンシート上に１つの第２の助剤の１つの層が取り付けられている。ここで処理ステップＤ）で、この第２の助剤からなる少なくとも１つの層の密度が低下し、こうして上記の多層デバイスにおいて、この第２の助剤から成る層の領域において、１つの脆弱層が形成される。しかしながらまだこの脆弱層に沿った層間剥離には至らない。しかしながら上記の多層デバイスは、この脆弱層に沿って機械的に不安定であり、こうしてここでこの多層デバイスの動作の際に、好適に亀裂が発生し得る。ここでこの亀裂は、制御されたようにこの脆弱層に沿ってガイドされ得る。これに対応して、この脆弱層は、この多層デバイスの制御されない亀裂を避けること、または少なくともこれを低減することのために機能する。

上記の第１の助剤および上記の第２の助剤は、同じ成分を含んでいてよく、ここでこの第１の助剤における上記の不活性な無機材料の分量は、この第２の助剤におけるよりも多くなっている。これに対応して、これら２つの助剤は、それぞれの材料での上記の不活性な無機材料の分量が異なるだけである。さらに加えて、これら２つの助剤は、具体的には第１の成分として酸化銅を含み、そして第２の成分として銅を含んでいる。

上記の第２の助剤での上記の不活性な無機材料の分量は、たとえば１０重量％〜３５重量％であってよく、好ましくは２０重量％〜３０重量％であってよい。これらの値は、上記の第２の助剤が、上記のグリーンシートに取り付けられる前、すなわち上記の焼結の前の状態の助剤に対するものである。

上記の処理ステップＤ）の後で、かつ処理ステップＥ）における、少なくとも２つの多層デバイスへの個々の分離の前に、さらなる加工ステップ(複数）が実施されてよく、これらの加工ステップでは、これらの多層デバイスが一体となっている上記の積層体で処理される。これらの加工ステップには、たとえば１つの外部電極をとりつけるステップ、はんだ面の生成ステップならびに胴回りエッジおよび端面エッジの研磨ステップが属している。この研磨によって、応力集中の発生を避けることでき、そしてさらに製造ばらつきを低減することができる。

複数の多層デバイスに個々に分離される１つの積層体でのこれらのステップは、これらのデバイスの各々に対し一緒に行うことができ、個々のデバイスを処理することに対して手間が大幅に低減される。この利点は、上記の第１の助剤の層を用いることによって可能となり、この第１の助剤の層に沿って、この積層体はその焼成の際に個々に分離される。

少なくとも２つの多層デバイスに個々に分離する前に、上記の積層体のエッジ(複数）は研磨されてよく、ここでこの研磨の際に印加される力は、この研磨の際にこの積層体が個々に分離されることが起こらないように調整される。

たとえば胴回りエッジの研磨の際には、５３０〜５７０ニュートンの力が印加されてよい。端面エッジの研磨の際には、１９０〜２３０ニュートンの力が印加されてよい。これらの値は、６．８ｍｍの辺長および３０ｍｍの積層高さを有し、正方形の設置面を有する１つの積層体に対するものである。したがって他の幾何形状寸法を有する積層体が用いられる場合は、この研磨の際に印加される力は適宜調整される。

以下では、図を参照して、本発明を詳細に説明する。
１つの積層体を示し、この積層体から個々に分離する前の複数の多層デバイスが作製される。 図１に示す積層体を個々に分離することによって作製される複数の多層デバイスを示す。

図１は、１つの積層体１を示し、この積層体から複数の多層デバイス２が、本発明による製造方法の早い時点で、具体的には焼結の前に作製される。図２は、この積層体１から作製される多層デバイス(複数）２を示す。

この積層体はグリーンシート(複数）３を備え、これらのグリーンシートは、１つの圧電材料を含んでいる。これらのグリーンシート３は、１つの圧電層４となるように焼結される１つの材料を備えている。この圧電層４は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を含んでいる。

さらにこの積層体は、１つの電極材料５を含み、この電極材料はグリーンシート(複数）３上に印刷されている。この電極材料５は、金属ペーストの形態で印刷されている。この積層体の焼結の際に、この電極材料５から内部電極６ａ，６ｂが形成される。この電極材料５は、ＣｕＰｄを含んでいる。この積層体においては、第１の内部電極(複数）６ａと第２の内部電極(複数）６ｂとが交互に形成されている。ここでこの第１の内部電極６ａは、第１の側面７まで引き出されており、第２の側面８から離間している。この第２の内部電極６ｂは、第２の側面８まで引き出されており、第１の側面７から離間している。

さらに上記の積層体１は、１つの第１の助剤９の少なくとも１つの層を備え、この層は１つのグリーンシート３上に取り付けられている。この第１の助剤９の層は、本製造方法の間に、１つの分割層に転換され、この分割層に沿って２つの多層デバイス２が互いに分離される。

第１の助剤９は、１つの第１の成分および１つの第２の成分を含んでいる。この第１の成分は、化合物の状態の１つの金属であり、たとえば１つの酸化金属である。この第２の成分は、１つの純粋な金属の形態である。この第１の成分の金属およびこの第２の成分の金属は、電極材料５にも同様に存在する金属であり、この成分から内部電極６ａ，６ｂが形成される。

さらに第１の助剤９は、１つの不活性な無機材料を含んでいる。この不活性な無機材料は酸化ジルコニウム（ＩＶ）である。この材料は、焼結処理に対し不動である。

さらに加えて、上記の積層体１は、１つの第２の助剤１０を含んでいる。この第２の助剤１０は、上記の第１の助剤９を同一の成分を含んでおり、ここでこの第２の助剤１０での上記の不活性な無機材料の分量は、より少なくなっている。

第２の助剤１０の層は、多層デバイス２において１つの脆弱層１１を形成するために形成されている。この脆弱層１１に沿って、この多層デバイス２の機械的負荷の際に、亀裂が生じ得、そしてこの層に沿ってガイドされ得る。このようにして、多層デバイス２の制御されない亀裂を避けることができる。

以下ではまず図１に示す積層体１の製造を説明する。まずグリーンシート(複数）３に、後に内部電極６ａ，６ｂを形成する電極材料が印刷される。別のグリーンシート(複数）３に第１の助剤９が印刷される。別のグリーンシート(複数）３に第２の助剤１０が印刷される。続いてこれらのグリーンシートは図１に示すように１つの積層体１に積層される。

次のステップにおいて、この図１に示す積層体１は焼結される。ここでは複数の多層デバイス２がこの積層体１に結合されているので、この処理ステップの手間は、互いに分離された個々の多層デバイスの焼結に対して大幅に低減されている。

この焼結の際に、上記の第１および第２の助剤の層密度が低下する。ここで上記の第１の助剤９を含む層(複数）は、分割層(複数）となり、これらの層に沿って、後の処理ステップにおいて個々の分離が起こる。上記の第２の助剤１０を含む層(複数）は、この焼結の際に脆弱層(複数）１１となり、これらの層に沿って、多層デバイス２は動作の際に好適に亀裂を生じる。

続いて、さらなる処理ステップ(複数）が実行され、これのステップでは、上記の多層デバイスが機械的に積層体１に結合されたままとなっている。これらのステップには、積層体１の胴回りエッジ(複数）および端面エッジ(複数）の研磨が属している。胴回りエッジとは、この積層体１の最も長い辺のエッジを意味する。これらの胴回りエッジは積層体１の２つの端面１２を互いに接続している。端面エッジとは、この積層体１のこれらの端面１２に接するエッジを意味する。

上記の研磨工程では、上記の積層体１の層間剥離が生じないように研磨圧が調整される。

上記の多層デバイス(複数）２が積層体１に結合されたままとなっている間に、第１および第２の外面７，８のメタライジングによる外部電極(複数）１３の取り付けも行われてよい。これらの外部電極１３は、たとえばシルクスクリーン印刷処理またはスパッタ処理によって取り付けられてよい。

さらに、この積層体の外面上に、１つのＣｕ層が取り付けられてよく、このＣｕ層上に１つのＡｇ層がスパッタリングで取り付けられてよい。この層配列は、個々に分離された多層デバイスへの接続部をはんだ付けすることを可能とする。このステップも、多層デバイス２が積層体１に機械的に結合されている間に実施される。以上によりこれらの層を、複数の多層デバイス２に対して１つの単一の処理ステップにおいて同時に生成することができる。

場合によっては、他のコーティング処理、たとえば電解メッキが積層体１で実施されてよい。

ここに示した積層体１での全ての処理ステップは、複数の多層デバイス２に対して実施することができるので、本方法においては、手間のかかる個々の部品の処理を大幅に省略することができる。

続いて焼成工程が実施される。この焼成工程では、いわゆる熱衝撃のために、上記の分割層(複数）に沿った積層体１の個々の分離が生じる。これらの分割層には上記の第１の助剤９が配設されていた。この積層体１の焼成の際に所望の熱衝撃を生成するために、この積層体１は１つの温度に曝される。この温度は、最高焼成温度まで達するまで毎分１０〜３０℃で上昇され、そして続いて、環境温度に達するまで毎分１０〜３０℃で低下される。この際この最高焼成温度は、７２０〜８００℃であり、好ましくは７５０〜７７０℃である。

この方法は、積層体１の速い膨張およびこれに続く再収縮をもたらし、これによって機械的な応力が発生し、この応力は上記の分割層に沿った個々の分離をもたらす。上記の第２の助剤１０の部位(複数）に形成されている脆弱層(複数）１１に沿っては、個々の分離が生じない。これはこの第２の助剤１０の層が、上記の不活性な無機材料を、上記の第１の助剤９よりも少ない分量で含んでいるからである。

図２は、上記の分割層に沿って個々に分離した後の、複数の多層デバイス２を示す。

なお、図１および図２は、寸法が正確に示されている図を提供するものでは全く無い。つまりたとえばこれらの第１および第２の助剤９，１０の層は、印刷された電極材料５の厚さとほぼ同程度の厚さを有するものである。この電極材料５は焼結されて内部電極６ａ，６ｂとなる。これに対してこれらの図１および２には、見易くするために、これらの第１および第２の助剤９，１０の層は、大幅に厚く示されている。

１ ： 積層体
２ ： 多層デバイス
３ ： グリーンシート
４ ： 圧電層
５ ： 電極材料
６ａ ： 第１の内部電極
６ｂ ： 第２の内部電極
７ ： 第１の外面
８ ： 第２の外面
９ ： 第１の助剤
１０ ： 第２の助剤
１１ ： 脆弱層
１２ ： 端面
１３ ： 外部電極

Claims (13)

1. 圧電多層デバイス（２）を製造するための方法であって、
   Ａ）１つの圧電材料を含むグリーンシート（３）上に、１つの電極材料（５）を取り付けるステップと、
   Ｂ）前記圧電材料を含む、少なくとも１つのグリーンシート（３）上に、１つの第１の助剤（９）の層を取り付けるステップと、
   Ｃ）１つの積層体（１）を形成するステップであって、当該積層体においては前記グリーンシート（３）は、その上に電極材料（５）が取り付けられており、上下に重なって配設されており、当該積層体（１）には、前記グリーンシート（３）の少なくとも１枚が配設されており、当該グリーンシート上に前記第１の助剤（９）の層が取り付けられるステップと、
   Ｄ）前記積層体（１）を焼結するステップであって、当該焼結の際に前記第１の助剤（９）の層の密度が低下するステップと、
   Ｅ）前記積層体（１）を焼成するステップであって、この際当該積層体（１）が前記第１の助剤の層に沿って２つの多層デバイス（２）に個々に分離されるステップと、
   を備えることを特徴とする方法。
2. 前記積層体（１）の焼成は、最高焼成温度に達するまで毎分１０〜３０℃で上昇する温度で行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
3. 前記積層体（１）の焼成の際には、前記最高焼成温度に達した後、毎分１０〜３０℃で温度が低下されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記最高焼成温度は、７２０〜８００℃であり、好ましくは７５０〜７７０℃であることを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
5. 前記第１の助剤（９）は、少なくとも１つの第１の成分および１つの第２の成分を含み、これらの成分は前記処理ステップＤ）において互いに化学的に反応することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
6. 前記第１の成分としてＣｕＯ、前記第２の成分としてＣｕが選択されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 前記第１の助剤（９）は、１つの不活性な無機材料を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記不活性な無機材料は酸化ジルコニウム（ＩＶ）であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
9. 前記第１の助剤（９）での、前記不活性な無機材料の分量は、少なくとも４０重量％となっていることを特徴とする、請求項７または８に記載の方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法において、
    さらに前記処理ステップＣ）では、少なくとも１枚のグリーンシート（３）が前記積層体（１）に配設されており、当該グリーンシートは前記圧電材料を含み、そして当該グリーンシート上に１つの第２の助剤（１０）の１つの層が取り付けられ、
    前記処理ステップＤ）では、前記第２の助剤（１０）からなる少なくとも１つの層の密度が低下し、こうして前記多層デバイス（２）において、前記第２の助剤（１０）からなる層の領域において、１つの脆弱層（１１）が形成される、
    ことを特徴とする方法。
11. 請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法を引用する請求項１０に記載の方法において、
    前記第１の助剤（９）および前記第２の助剤（１０）は、同じ成分を含み、
    前記第１の助剤（９）における前記不活性な無機材料の分量は、前記第２の助剤（１０）におけるよりも多くなっている、
    ことを特徴とする方法。
12. 前記処理ステップＤ）の後で、かつ前記処理ステップＥ）における、少なくとも２つの多層デバイス（２）への個々の分離の前に、さらなる加工ステップが実施され、当該加工ステップでは、複数の前記多層デバイス（２）が一体となっている前記積層体（１）で処理されることを特徴とする、請求項１乃至１１いずれか１項に記載の方法。
13. 少なくとも２つの多層デバイス（２）に個々に分離する前に、前記積層体（１）のエッジ(複数）は研磨され、当該研磨の際に当該積層体が個々に分離されることが起こらないように、研磨圧が調整されることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。

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