JP2018509751A - ウエハー移送装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施例はウエハー製造工程中にウエハーを移送する工程に使われることができる。
Claims (20)
- 垂直方向又は水平方向に移動するガイド(guide);
前記ガイドに取り付けられ、互いに離隔したウエハーを装着させる移送アーム;
前記ガイドに配置され、前記移送アームに装着された互いに離隔したウエハーに第1レーザーを放出するレーザー放出部;及び
前記移送アームの下側に配置され、前記第1レーザーのうち前記互いに離隔したウエハーの間の隙間を通過した第2レーザーを捕集するレーザー感知部を含む、ウエハー移送装置。 - 前記レーザー放出部から照射される第1レーザー、及びレーザー捕集器によって捕集される第2レーザーに基づき、前記互いに離隔したウエハーの厚さを測定する制御部をさらに含む、請求項1に記載のウエハー移送装置。
- 前記第1レーザーの水平方向の放出領域の一端は前記ウエハーのうち第1ウエハーのエッジに整列され、前記第1レーザーの水平方向の放出領域の他端は前記ウエハーのうち最後のウエハーのエッジに整列される、請求項1に記載のウエハー移送装置。
- 前記ガイドと前記レーザー感知部の間に連結され、前記レーザー感知部を前記ガイドに固定させるレーザー感知支持部をさらに含む、請求項1に記載のウエハー移送装置。
- 前記レーザー感知支持部は前記ガイドと一緒に水平方向又は垂直方向に移動する、請求項4に記載のウエハー移送装置。
- 前記レーザー感知支持部は、
前記ガイドの一端と前記レーザー感知部の一端を連結する第1レーザー感知支持部;及び
前記ガイドの他端と前記レーザー感知部の他端を連結する第2レーザー感知支持部を含む、請求項4に記載のウエハー移送装置。 - 前記移送アームは、
前記ガイドの一端に結合される第1及び第2アーム;
前記ガイドの他端に結合される第3及び第4アーム;
前記第1〜第4アームと連結される支持部;及び
前記支持部と連結され、前記ウエハーが載置される載置棒を含む、請求項1に記載のウエハー移送装置。 - 前記第1〜第4アームは前記ガイドに結合された部分を軸として回転移動する、請求項7に記載のウエハー移送装置。
- 前記載置棒は、
一端が前記第1支持部に連結され、他端が第3支持部に連結される第1及び第2載置棒;及び
一端が前記第2支持部に連結され、他端が第4支持部に連結される第3及び第4載置棒を含む、請求項7に記載のウエハー移送装置。 - 前記第1〜第4載置棒は前記ウエハーが装着されるスロット(slot)を含む、請求項9に記載のウエハー移送装置。
- 前記ガイドを水平方向に移動させる移送レールをさらに含む、請求項1に記載のウエハー移送装置。
- 前記ガイドは、
前記移送レールによって水平方向に移動し、前記移送アームと連結される水平ガイド;及び
前記水平ガイドと連結され、前記水平ガイドを垂直方向に移動させる垂直ガイドを含む、請求項11に記載のウエハー移送装置。 - 垂直方向又は水平方向に移動するガイド(guide);
前記ガイドと連結され、互いに離隔したウエハーを装着させる移送アーム;
前記ガイドに配置され、前記移送アームに装着された互いに離隔したウエハーにレーザーを放出するレーザー放出部;
前記移送アームの下側に配置され、前記互いに離隔したウエハーの間の隙間を通過したレーザーを捕集するレーザー感知部;及び
前記レーザー捕集器によって捕集されなかった領域の長さを算出し、算出された長さのそれぞれに対応するウエハーの厚さを測定する制御部を含む、ウエハー移送装置。 - レーザーを照射するレーザー放出部及びレーザーを感知するレーザー感知部を備えるウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工するウエハー加工方法であって、
前記レーザー放出部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーにレーザーを照射するレーザー照射段階;
前記レーザー感知部によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの間を通過したレーザーを感知するレーザー感知段階;
前記感知された結果によって、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び
前記測定された厚さに基づき、前記ウエハー移送装置に装着されたウエハーを加工する加工段階を含む、ウエハー加工方法。 - 前記ウエハー移送装置によって前記ウエハーを移送する段階をさらに含み、
前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階は前記移送する段階中に行う、請求項14に記載のウエハー加工方法。 - 前記測定されたウエハーの厚さを既設定の厚さ値と比較する比較段階をさらに含み、
前記加工段階は、前記比較段階によって比較された結果によって前記ウエハーの加工進行を決定するかあるいは加工時間を制御する、請求項14に記載のウエハー加工方法。 - 前記加工段階は前記ウエハーを食刻する段階である、請求項14に記載のウエハー加工方法。
- 前記加工段階後、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、及び前記厚さ測定段階を行うことで、前記加工段階によって加工されたウエハーの厚さを測定する厚さ測定段階;及び
前記加工段階によって加工されたウエハーの測定された厚さが既設定の厚さと同じになるまで、前記レーザー照射段階、前記レーザー感知段階、前記厚さ測定段階、前記比較段階、及び前記加工段階を繰り返し行う段階をさらに含む、請求項16に記載のウエハー加工方法。 - 前記加工段階は、前記食刻段階で食刻されたウエハーを洗浄する洗浄段階をさらに含む、請求項17に記載のウエハー加工方法。
- 前記加工段階は、前記洗浄段階で洗浄されたウエハーを乾燥させる乾燥段階をさらに含む、請求項19に記載のウエハー加工方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150010385A KR101680214B1 (ko) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 웨이퍼 이송 장치 |
| KR10-2015-0010385 | 2015-01-22 | ||
| PCT/KR2015/006131 WO2016117777A1 (ko) | 2015-01-22 | 2015-06-17 | 웨이퍼 이송 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018509751A true JP2018509751A (ja) | 2018-04-05 |
| JP6486478B2 JP6486478B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=56417288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017536278A Active JP6486478B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-06-17 | ウエハー移送装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10192794B2 (ja) |
| JP (1) | JP6486478B2 (ja) |
| KR (1) | KR101680214B1 (ja) |
| CN (1) | CN107210255B (ja) |
| DE (1) | DE112015006031B4 (ja) |
| WO (1) | WO2016117777A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11352698B2 (en) * | 2019-04-25 | 2022-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same |
| KR102825817B1 (ko) | 2020-08-28 | 2025-06-30 | 삼성전자주식회사 | 두께 추정 방법 및 공정 제어 방법 |
| KR20240146358A (ko) * | 2023-03-29 | 2024-10-08 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 분리 장치 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198152A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | カセット内ウェハのハンドリング方法および装置 |
| JPH02106830U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-24 | ||
| JPH03250749A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 |
| JPH05152423A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-06-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPH05315309A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-26 | Kaijo Corp | 半導体基板自動処理装置 |
| JPH06151401A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体検出装置 |
| JPH0837229A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ティーチング装置 |
| JPH0851092A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び洗浄装置 |
| JPH11176912A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板処理装置及びその制御方法 |
| JP2002064075A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| US20030082840A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Larry Frisa | Method and system for determining a thickness of a layer |
| JP2008177329A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ウエットエッチング方法 |
| US20090227047A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for thinning a substrate |
| JP2013153141A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2014175608A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106830A (ja) | 1988-10-17 | 1990-04-18 | Meidensha Corp | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
| US5319216A (en) | 1991-07-26 | 1994-06-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate detector with light emitting and receiving elements arranged in staggered fashion and a polarization filter |
| JP3110218B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2000-11-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具 |
| KR0118207B1 (ko) | 1992-09-25 | 1997-09-30 | 기다오까 다까시 | 반도체 세정장치 및 웨이퍼카세트 |
| JPH08129353A (ja) | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| KR20010014319A (ko) | 1998-05-01 | 2001-02-26 | 히가시 데츠로 | 막 두께 측정 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP4389305B2 (ja) * | 1999-10-06 | 2009-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US8313277B2 (en) * | 2003-11-10 | 2012-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
| KR20060039134A (ko) | 2004-11-02 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 카세트 어라인 장치 |
| KR101339002B1 (ko) | 2006-12-13 | 2013-12-09 | (주)스마트에이스 | 기판식각장치 및 식각방법 |
| US8129279B2 (en) * | 2008-10-13 | 2012-03-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polish process control for improvement in within-wafer thickness uniformity |
| KR101469000B1 (ko) | 2013-07-17 | 2014-12-04 | 주식회사 엠엠테크 | 글라스 박형화 장치 및 그 방법 |
-
2015
- 2015-01-22 KR KR1020150010385A patent/KR101680214B1/ko active Active
- 2015-06-17 CN CN201580074090.1A patent/CN107210255B/zh active Active
- 2015-06-17 US US15/541,631 patent/US10192794B2/en active Active
- 2015-06-17 JP JP2017536278A patent/JP6486478B2/ja active Active
- 2015-06-17 DE DE112015006031.6T patent/DE112015006031B4/de active Active
- 2015-06-17 WO PCT/KR2015/006131 patent/WO2016117777A1/ko not_active Ceased
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198152A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | カセット内ウェハのハンドリング方法および装置 |
| JPH02106830U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-24 | ||
| JPH03250749A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ移替装置におけるウエハ検出装置および方法 |
| JPH05152423A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-06-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPH05315309A (ja) * | 1992-05-01 | 1993-11-26 | Kaijo Corp | 半導体基板自動処理装置 |
| JPH06151401A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体検出装置 |
| JPH0837229A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ティーチング装置 |
| JPH0851092A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び洗浄装置 |
| JPH11176912A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板処理装置及びその制御方法 |
| JP2002064075A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| US20030082840A1 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Larry Frisa | Method and system for determining a thickness of a layer |
| JP2008177329A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ウエットエッチング方法 |
| US20090227047A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for thinning a substrate |
| JP2013153141A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2014175608A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置、基板取出方法および記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101680214B1 (ko) | 2016-11-28 |
| KR20160090515A (ko) | 2016-08-01 |
| DE112015006031B4 (de) | 2022-05-12 |
| JP6486478B2 (ja) | 2019-03-20 |
| DE112015006031T5 (de) | 2017-09-28 |
| US10192794B2 (en) | 2019-01-29 |
| CN107210255B (zh) | 2020-05-05 |
| WO2016117777A1 (ko) | 2016-07-28 |
| US20180005907A1 (en) | 2018-01-04 |
| CN107210255A (zh) | 2017-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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