JP2018138665A - 多孔質粒子内の封止量子ドット - Google Patents
多孔質粒子内の封止量子ドット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018138665A JP2018138665A JP2018079653A JP2018079653A JP2018138665A JP 2018138665 A JP2018138665 A JP 2018138665A JP 2018079653 A JP2018079653 A JP 2018079653A JP 2018079653 A JP2018079653 A JP 2018079653A JP 2018138665 A JP2018138665 A JP 2018138665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- light
- coating
- core
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
- F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
- F21V7/30—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
- F21V9/32—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
【解決手段】発光材料は、粒子、特に実質的に球形の粒子であって、特にマクロポアのようなポアを有する多孔質無機材料コアを有し、ポアの少なくとも一部は、埋設された発光量子ドットを有する高分子材料で充填される。(i)発光量子ドットおよび高分子材料の硬化性のまたは重合可能な前駆体を有する第1の液体(インク)で、微粒子多孔質無機材料の前記粒子を含浸させ、前記発光量子ドットおよび硬化性のまたは重合可能な前駆体で、少なくとも一部が充填されたポアを提供するステップと、(ii)前記硬化性のまたは重合可能な前駆体を、前記多孔質材料のポア内で硬化または重合させるステップと、により製造される。また、これにより得られた生成物も提供される。
【選択図】なし
Description
「アルミニウム含有酸化物」と言う用語は、MgAl2O4、BaMgAl10O17、Y3Al5O12、および特にAl2O3など、アルミニウム含有酸化物の種類に関する。「チタン含有酸化物」と言う用語は、Ba2TiO4、CaTiO3、Li2TiO3、および特にTiO2などのチタン酸塩のような、チタン含有酸化物の種類に関する。別の実施例では、無機コーティングは、インジウム金属酸化物コーティングからなる群から選定され、例えばインジウムスズ酸化物(ITO)コーティングからなる群から選定され、インジウム亜鉛酸化物コーティングが設置されてもよい。さらに別の実施例では、コーティングは、ジルコニア(ZrO2)コーティングおよびスズ酸化物(SnO2)(SNO)コーティングからなる群から選定された無機コーティングを有する。特に、(覆いの実施例としての)コーティングは、シリカ、アルミナ、ITO、およびSNOの群の1または2以上から選定される。そのような材料の組み合わせ、または前述のような、異なる組成の層を有するマルチレイヤコーティングが設置されてもよい。ガラスの例は、例えば、ホウ酸ガラス、リン酸ガラス、ボロシリケートガラス等である。
(Y-)k-n-(X)-(-L)n
を有する。ここで、kは2、3、4、または5であり、nは1、2、3、4または5であり、k-nはゼロ以上である;XはO、OS、O-Se、O-N、O-P、O-As、S、S=0、S02、Se、Se=0、N、N=0、P、P=0、C=0 AsまたはAs=0;YおよびLは、それぞれ独立に、H、OH、アリール、ヘテロアリール、または任意で、少なくとも一つの二重結合、少なくとも一つの三重結合、もしくは少なくとも一つの二重結合と一つの三重結合とを含む、直鎖もしくは分岐鎖のC2〜18炭化水素鎖である。炭化水素鎖は、任意で、C1〜4アルキル、C2〜4アルケニル、C2〜4アルキニル、C1〜4アルコキシ、ヒドロキシ、ハロ、アミノ、ニトロ、シアノ、C3〜5シクロアルキル、3〜5員ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、Cl〜4アルキルカルボニルオキシ、Cl〜4アルコキシカルボニル、Cl〜4アルキルカルボニルまたはホルミルの、1または2以上と置換され得る。また炭化水素鎖は、任意で、-0-、-S-、-N(Ra)-、-N(Ra)-C(0)-0-、-0-C(0)-N(Ra)-、-N(Ra)-C(0)-N(Rb)-、-O-C(0)-0-、-P(Ra)-、または-P(0)(Ra)-により中断されてもよい。RaおよびRbの各々は、独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、ヒドロキシルアルキル、ヒドロキシル、またはハロアルキルであってもよい。アリール基は、置換されたまたは未置換の環状芳香族基である。一例には、フェニル、ベンジル、ナフチル、トリル、アントラシル、ニトロフェニル、またはハロフェニルが含まれる。ヘテロアリール基は、環内に、1または2以上のヘテロ原子を有するアリール基であり、例えばフリル、ピリジル、ピロリル、フェナントリルである。
実施例を概略的に示す。ここでは、これは、例えば、LEDのLED色素17である。
−アクリレート(モノマーまたはオリゴマー)に分散されたQD
−シリコーン(主としてオリゴマー)に分散されたQD
−エポキシに分散されたQD(モノマーまたはオリゴマー)
−任意の他の硬化性高分子樹脂(モノマーまたはオリゴマー)に分散されたQD。
−流動床反応器を用いた、ガス相からの成膜技術(PVD、ALD等)
−化学(湿式化学または化学気相成膜)合成における、前駆体材料からの無機シェルの成長法
を用いてシールされる。
1− ebecryl150、またはIBMA/HDDAの80/20の混合物中に、QD(0.1〜1wt%)を混合する
2− 0.5wt%のirgacureを添加する(任意)
3− 5gのQD−アクリル混合物に、1gのtriosperl多孔質シリカ粒子を添加する
4− 10分間、静かに撹拌/振動する
5− ブフナー漏斗に配置されたフィルタ(ろ紙)上に、QD−アクリル多孔質シリカ粒子混合物を設置する
6− 漏斗を1〜10分間、真空にする
7− フィルタ上の多孔質シリカ粒子を、エタノール、ヘプタン、トルエン、または別の溶媒で洗浄する(任意)
8− フィルタから粉末を除去する
9− ガラス板またはガラス瓶に粉末を広げ、N2流通の下、UVで硬化させる
10− 硬化された粉末をトルエンに分散させ、超音波処理を実施する
11− トルエンを除去して、含浸された粉末を得る。
以下のように、Trisoperl粒子を含浸した:ヘプタン中のCrystalplexのQDの5wt%分散液1gを、IBMA/HDDA(5g)に添加した。この結果、IBMA/HDDA中の1wt%の分散QDが得られる。これに1gのPSP、および0.5wt%の光開始剤(irgacure184)を加えた。粉末−アクリレート混合物をブフナー漏斗にのせ、グローブボックス中で数分間、ろ過した。ろ過処理の後、グローブボックス内でUV光を用いて、4分間、粉末を硬化した。この結果、粘着性の粉末が得られた。これは、密閉ガラス瓶内で、すなわち周囲空気と接触させずに、トルエンに分散させ、15分間US処理を行うことにより、個々のPSPの浮遊粉末に変換された。次に、デカンタ法により、グローブボックス内でトルエンが除去され、その後の数時間の気化により、全てのトルエンが除去された。FTIR測定では、アクリルが95%の変換率を有し、これは、アクリレートがほぼ完全に硬化されていることを意味する。これらの粒子のサブセットは、QEおよび安定性評価のため、ebecryl150に混合された。2回の異なる含浸実験では、これらのQDのQEは、51%および52%と測定された。含浸していないHDDA/IBMA中のQDのQEは、69%と測定された。これは、含浸、硬化、および第2のマトリクスに取入れる際に、QEにロスがあることを意味する。この低下の理由は不明であるが、追加の処理ステップによるものである可能性がある。表3には、QEデータをまとめて示す。
(グローブボックスの外で)シリコンウェハの上に、50mgの含浸PSP(バッチ1)を広げ、ASMジュアルチャンバALDシステムの(プラズマ加速ALD用の)エメラルドチャンバに導入した。100℃で、プラズマ加速ALDプロセスを用いて、50mのアルミナ層を設置した。反応ガスとして、TMA(トリメチルアルミニウム)およびO2を用いた。成膜後、粉末が回収され、これがEbecryl150(1wt%のirgacure184)と混合され、二次マトリクスに、ALDコーティングされたPSPの硬化膜が得られた。前述の例1のように、IBMA/HDDAにおける平坦QDの膜(非含浸)に加えて、ALDを有さない同じ含浸PSPの参照サンプルも作製した。全ての場合において、サンプルは、2つのガラス板の間の、100μmのアクリル層からなる。プラズマ加速ALDプロセスを用いたALDコーティングPSP(以降、サンプルALD−aと称する)のQEは、50%のQEを有し、これは、ALDコーティング前(バッチ1 52%)と同じである。従って、ALDコーティングは、QDのQEには、(ほとんど)影響を及ぼさない。
(グローブボックスの外で)30mgの含浸PSP(バッチ1)をシリコンウェハ上に広げ、ASMジュアルチャンバALDシステムの(熱ALD用)パルサーチャンバに導入した。熱ALDプロセスを用いて、反応ガスとしてTMA(トリメチルアルミニウム)およびO3を用いて、150℃で、50nmのアルミナ層を設置した。成膜後に、粉末を回収し、Ebecryl150(1wt%のirgacure184を含む)と混合し、二次マトリクスにおいて、ALDコーティングPSPの硬化膜を形成した。150℃での熱ALDを用いて、ALDコーティングされたPSP(以降、サンプルALD−bと称する)のQEは、31%のQEを有し、これは、ALDコーティング前(バッチ1、QEは52%)に比べて20%の低下である。
(グローブボックスの外で)10mgの含浸PSP(バッチ2)をシリコンウェハ上に広げ、ASMジュアルチャンバALDシステムの(熱ALD用)パルサーチャンバに導入した。熱ALDプロセスを用い、150℃で、反応ガスとしてTMA(トリメチルアルミニウム)およびO3を使用して、50nmのアルミナ層を設置した。成膜後に、粉末を回収し、Ebecryl150(0.5wt%のirgacure184を含む)に混合し、二次マトリクスにおいて、ALD−コーティングPSPの硬化膜を形成した。熱ALDを用いたALD−コーティングPSP(以降、サンプルALD−cと称される)のQEは、33%であり、これは、ALDコーティング前(バッチ2、51%)に比べて20%の低下である。この結果および前述の例は、熱ALDプロセスにより、QEに相当の低下が生じることを示しており、これは、単に温度だけの影響ではない。ALD−a(プラズマ加速)は、100℃でも実施されたからである。熱ALDプロセスにおいて使用されるオゾンが、QE低下の原因である可能性があるが、本願では、これ以上検討しない。
PCT/IB2013/059577(本願の参照として取り入れられる)に記載の方法で、Crystalplex社から市販されているQDを、シロキサンリガンドで改質した。使用したリガンドは、側鎖にアミン官能基を有する、5000Mwのシロキサン分子(AB109373、粘度~100cSt)であり、アミン基は、最初リガンド交換の前に、PCT/IB2013/059577に記載のように、カルボン酸に変換された。リガンドは、カルボン酸を介してQD表面に結合し、シロキサンリガンドは、混和性のQDを、低分子量のシリコーンにする(100cSt未満)。
Claims (8)
- ポアを有する多孔質無機材料コアを有する粒子を有する発光材料であって、
前記ポアは、少なくとも一部が、発光量子ドットが埋設された高分子材料で充填され、
前記粒子は、前記コアの少なくとも一部が被覆された覆いを有し、
前記覆いは、コーティングを有し、該コーティングは、シリコン含有酸化物、アルミニウム含有酸化物、ジルコニウム含有酸化物、ガラス、チタン含有酸化物、ハフニウム含有酸化物、およびイットリウム含有酸化物からなる群から選定された無機コーティングで、前記粒子の少なくとも一部を被覆し、
前記多孔質無機材料は、多孔質シリカ、多孔質アルミナ、多孔質ジルコニア、および多孔質チタニアの1または2以上を有する、発光材料。 - 前記覆いは、前記粒子を被覆するマルチレイヤコーティングを有し、
前記マルチレイヤコーティングは、有機高分子コーティングおよび無機コーティング、またはシリコン含有酸化物、アルミニウム含有酸化物、ジルコニウム含有酸化物、ガラス、チタン含有酸化物、ハフニウム含有酸化物、およびイットリウム含有酸化物の群から選定された、少なくとも2つのコーティングを有する、請求項1に記載の発光材料。 - 前記粒子は、1〜500μmの範囲の粒子サイズを有し、
前記ポアは、0.1〜10μmの範囲の平均ポアサイズを有し、
前記高分子材料は、アクリレート、シリコーン、またはエポキシタイプの高分子の1または2以上を有し、
前記覆いは、無機コーティングを有する、請求項1または2に記載の発光材料。 - 波長変換器であって、
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の発光材料を有する、光透過性固体マトリクスを有する、波長変換器。 - さらに、第2の発光材料を有する、請求項4に記載の波長変換器。
- 照明装置であって、
光源光を生成するように構成された光源と、
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の発光材料と、
を有し、
前記発光材料は、前記光源光の少なくとも一部を、可視発光量子ドット光に変換するように構成される、照明装置。 - 前記発光量子ドットは、コア−シェル量子ドットからなる群から選択され、
前記コアは、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InGaP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNA、およびInAlPAsナノ粒子からなる群から選定される、請求項6に記載の照明装置。 - 前記光源から、ゼロまたはゼロ以外の距離で配置された、請求項4または5に記載の波長変換器を有し、
さらに、第2の発光材料を有し、該第2の発光材料は、光による励起の下、前記発光量子ドットとは別の発光の波長分布を示す、請求項6または7に記載の照明装置。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361803563P | 2013-03-20 | 2013-03-20 | |
| US61/803,563 | 2013-03-20 | ||
| EP14153775 | 2014-02-04 | ||
| EP14153775.3 | 2014-02-04 | ||
| EP14159373 | 2014-03-13 | ||
| EP14159373.1 | 2014-03-13 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016503766A Division JP6360150B2 (ja) | 2013-03-20 | 2014-03-19 | 多孔質粒子内の封止量子ドット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018138665A true JP2018138665A (ja) | 2018-09-06 |
| JP6507284B2 JP6507284B2 (ja) | 2019-04-24 |
Family
ID=51579376
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016503766A Active JP6360150B2 (ja) | 2013-03-20 | 2014-03-19 | 多孔質粒子内の封止量子ドット |
| JP2018079653A Active JP6507284B2 (ja) | 2013-03-20 | 2018-04-18 | 多孔質粒子内の封止量子ドット |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016503766A Active JP6360150B2 (ja) | 2013-03-20 | 2014-03-19 | 多孔質粒子内の封止量子ドット |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10030851B2 (ja) |
| EP (1) | EP2976409B1 (ja) |
| JP (2) | JP6360150B2 (ja) |
| KR (1) | KR102177074B1 (ja) |
| CN (1) | CN105102580B (ja) |
| TW (1) | TWI655268B (ja) |
| WO (1) | WO2014147570A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022528043A (ja) * | 2019-03-20 | 2022-06-08 | バイオスクエア インコーポレイテッド. | 量子ドット含有ナノ粒子及びその製造方法 |
Families Citing this family (90)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130112942A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Juanita Kurtin | Composite having semiconductor structures embedded in a matrix |
| CN105377783B (zh) | 2013-05-10 | 2019-03-08 | 康宁股份有限公司 | 采用低熔融玻璃或薄吸收膜对透明玻璃片进行激光焊接 |
| KR101488660B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-02 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
| EP3152275B1 (en) * | 2014-06-03 | 2019-04-17 | 3M Innovative Properties Company | Particles with quantum dots and method of making the same |
| KR102280925B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-07-26 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 하드코팅층 형성용 조성물 |
| EP3197981A1 (en) * | 2014-09-23 | 2017-08-02 | Philips Lighting Holding B.V. | Encapsulated materials in porous particles |
| JP6748072B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2020-08-26 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 包囲された環境内の量子ドット |
| EP3053874B1 (en) * | 2015-02-04 | 2017-11-22 | LG Electronics Inc. | Light conversion member, and backlight unit and display device including the same |
| US9831397B2 (en) * | 2015-03-09 | 2017-11-28 | Pacific Light Technologies Corp. | Quantum dots with multiple insulator coatings |
| KR101781976B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2017-10-23 | 한국과학기술연구원 | 나노구조 하이브리드 입자 및 그 제조방법, 그리고 상기 입자를 포함하는 장치 |
| US10516082B2 (en) * | 2015-07-07 | 2019-12-24 | Lumileds Holding B.V. | Device for emitting light |
| KR20180027629A (ko) * | 2015-07-30 | 2018-03-14 | 퍼시픽 라이트 테크놀로지스 코포레이션 | 카드뮴 함량이 낮은 나노결정질 양자점 헤테로구조물 |
| CN107850676B (zh) * | 2015-08-07 | 2022-01-14 | 皇家飞利浦有限公司 | 基于量子点的成像探测器 |
| US10983432B2 (en) * | 2015-08-24 | 2021-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive compositions, preparation methods thereof, quantum dot polymer composite prepared therefrom |
| WO2017036997A1 (en) | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Basf Se | Process for formulating quantum dots |
| CN105204216A (zh) * | 2015-10-29 | 2015-12-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Pdlc显示面板及其制作方法与液晶显示装置 |
| CN105204104B (zh) | 2015-10-30 | 2018-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 滤光片及其制作方法、显示基板及显示装置 |
| CN105259601B (zh) * | 2015-11-10 | 2017-09-22 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种多层量子点膜及背光模组 |
| CN105259598B (zh) * | 2015-11-10 | 2018-04-17 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种量子点光学膜及背光模组 |
| CN105259704B (zh) * | 2015-11-10 | 2018-12-14 | 合肥乐凯科技产业有限公司 | 一种量子点膜及背光模组 |
| CN105304684B (zh) * | 2015-11-18 | 2019-02-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色显示装置及其制作方法 |
| JP2017110061A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | シャープ株式会社 | 蛍光体含有擬固体 |
| US20170166807A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same |
| US20170167693A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting structure and light emitting device using the same |
| JP2017110060A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | シャープ株式会社 | 発光性構造体およびそれを用いた発光装置 |
| KR20180099805A (ko) | 2015-12-31 | 2018-09-05 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 경화성 양자점 조성물 및 물품 |
| US11015114B2 (en) | 2015-12-31 | 2021-05-25 | 3M Innovative Properties Company | Article comprising particles with quantum dots |
| CN105720176A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种胶囊量子点和发光二极管、制备方法及显示装置 |
| CN105733556B (zh) * | 2016-03-21 | 2018-06-29 | 天津市中环量子科技有限公司 | 一种量子点复合荧光颗粒、led模块 |
| CN108885273B (zh) | 2016-03-23 | 2023-09-08 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有整体像素边界的纳米材料成像探测器 |
| TWI796290B (zh) * | 2016-04-12 | 2023-03-21 | 美商羅門哈斯電子材料有限公司 | 聚合物複合物及其製造方法 |
| JP2017218574A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体素子および発光素子 |
| TWI615457B (zh) * | 2016-06-08 | 2018-02-21 | 奇美實業股份有限公司 | 發光材料與發光材料的製備方法 |
| KR20180022042A (ko) * | 2016-08-23 | 2018-03-06 | 삼성전자주식회사 | 양자점 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 장치 |
| WO2018042642A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 日立化成株式会社 | 蛍光体粒子、封止材形成用組成物、封止材及び太陽電池モジュール |
| EP3512919A1 (en) * | 2016-09-13 | 2019-07-24 | Merck Patent GmbH | Light luminescent particle |
| KR101895229B1 (ko) * | 2016-10-13 | 2018-09-07 | 한국세라믹기술원 | 양자점 컴포지트, 그의 제조방법 및 그를 포함한 디스플레이용 광학 모듈 |
| CN110114439B (zh) * | 2016-10-28 | 2023-08-18 | 奈科斯多特股份公司 | 玻璃复合颗粒及其用途 |
| US10886437B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-05 | Lumileds Llc | Devices and structures bonded by inorganic coating |
| CN108239535B (zh) * | 2016-12-23 | 2021-10-22 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 具有核-壳结构的Ga掺杂的InP量子点及其制备方法 |
| EP3886186A1 (en) * | 2016-12-29 | 2021-09-29 | King Abdullah University of Science and Technology | Color-tunable transmission mode active phosphor based on iii-nitride nanowire grown on transparent substrate |
| CN106772769A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-05-31 | 惠科股份有限公司 | 背光模块及其应用的显示设备与导光板的制造方法 |
| JP6705759B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2020-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換フィルム |
| WO2018148631A1 (en) * | 2017-02-13 | 2018-08-16 | Kalisman Philp Taubman | Systems and methods for a hermetically sealed quantum dot light emitting diode |
| KR102601056B1 (ko) | 2017-02-14 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점, 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN106950624A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-07-14 | 宁波东旭成新材料科技有限公司 | 一种量子点光扩散膜 |
| CN106981538B (zh) * | 2017-04-26 | 2018-12-14 | 绍兴知威光电科技有限公司 | 硅量子点增强的氧化锌紫外探测器 |
| CN108940229B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-12-22 | 宁波大学 | 一种环氧基大孔/介孔聚合物材料及其制备方法 |
| CN108940363B (zh) * | 2017-05-19 | 2021-01-01 | 宁波大学 | 一种大孔/介孔复合型光催化剂及其制备方法 |
| CN107689388B (zh) * | 2017-08-08 | 2020-08-18 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
| CN109424860B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-05-02 | 日亚化学工业株式会社 | 荧光部件、光学零件及发光装置 |
| JP6627914B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2020-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光部材、光学部品、及び発光装置 |
| WO2019079037A1 (en) * | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Kateeva, Inc. | INK COMPOSITIONS HAVING HIGH QUANTUM POINT CONCENTRATIONS FOR DISPLAY DEVICES |
| TWI650398B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-02-11 | Chi Mei Corporation | 發光材料與應用之顯示裝置 |
| KR102542426B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2023-06-12 | 삼성전자주식회사 | 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치 |
| US20190198720A1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Particle systems and patterning for monolithic led arrays |
| CN108102643B (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-09 | 福州大学 | 一种基于垂直孔道sba-15限域的量子点发光薄膜的制备方法 |
| EP3537491B1 (en) | 2018-03-09 | 2022-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot device and electronic device |
| WO2019185361A1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | Signify Holding B.V. | Cross-linked polymer filled polymer particles for 3d printed items |
| WO2019185831A1 (en) | 2018-03-29 | 2019-10-03 | Koninklijke Philips N.V. | Pixel definition in a porous silicon quantum dot radiation detector |
| US10797207B2 (en) | 2018-07-30 | 2020-10-06 | Lumileds Llc | Light emitting device with porous structure to enhance color point shift as a function of drive current |
| TWI714191B (zh) * | 2018-07-30 | 2020-12-21 | 美商亮銳公司 | 具有多孔磷光結構的發光裝置 |
| WO2020040507A1 (ko) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 고려대학교 세종산학협력단 | 양자점 나노캡슐 및 그 제조 방법 |
| US11697762B2 (en) | 2018-08-22 | 2023-07-11 | Korea University Research And Business Foundation, Sejong Campus | Organic-inorganic hybrid coating layer, quantum dot nanocapsule, quantum dot light emitting diode package, and method of fabricating the same |
| CN109143438B (zh) * | 2018-10-29 | 2020-08-11 | 福州大学 | 一种基于微纳米多孔结构的量子点彩色滤光膜 |
| TWI744583B (zh) | 2018-12-21 | 2021-11-01 | 奇美實業股份有限公司 | 量子點及其製造方法與應用 |
| JP7028155B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2022-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
| CN109860263A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-07 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| TWI692885B (zh) * | 2019-06-14 | 2020-05-01 | 清颺科技有限公司 | 高穩定性量子點單元、波長轉換模組及發光裝置 |
| KR102873444B1 (ko) * | 2019-09-23 | 2025-10-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치, 이에 구비되는 도광판 및 그 제조 방법 |
| KR20210037034A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| GB2591221A (en) * | 2019-11-19 | 2021-07-28 | Merck Patent Gmbh | Method for modulating a condition of a biological cell |
| GB2592615A (en) * | 2020-03-03 | 2021-09-08 | Sumitomo Chemical Co | Light-emitting particles |
| CN111273484B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-08-22 | 宁波东旭成新材料科技有限公司 | 一种无阻隔膜量子点膜 |
| TWI761794B (zh) * | 2020-03-24 | 2022-04-21 | 台達電子工業股份有限公司 | 波長轉換裝置 |
| CN111548787B (zh) * | 2020-05-26 | 2024-03-19 | 天津市中环量子科技有限公司 | 量子点复合材料及其制备方法和led器件 |
| US11168248B1 (en) * | 2020-07-28 | 2021-11-09 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Nanocrystals impregnated porous article and method of making and using same |
| TW202218208A (zh) * | 2020-10-28 | 2022-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 波長轉換結構、具有波長轉換結構的發光裝置以及顯示裝置 |
| KR102471078B1 (ko) * | 2020-12-24 | 2022-11-28 | 공주대학교 산학협력단 | 발광 나노입자를 포함하는 유리복합체 및 이를 이용한 led 소자 |
| CN115376401A (zh) * | 2021-05-20 | 2022-11-22 | 台湾扬昕股份有限公司 | 显示装置 |
| US20220380249A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Nick F. Borrelli | Quantum dot-doped glass |
| WO2022252049A1 (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示装置 |
| US12291661B2 (en) | 2021-12-22 | 2025-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Quantum dot structure, method for producing a quantum dot structure, and light emitting device |
| US11807787B2 (en) | 2021-12-28 | 2023-11-07 | Industrial Technology Research Institute | Luminescence conversion material and fabrication method thereof |
| CN114530540B (zh) * | 2022-02-18 | 2023-06-09 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种色转换层及其制备方法 |
| WO2024071041A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 東レ株式会社 | 色変換組成物、色変換部材ならびにそれを含む光源ユニット、ディスプレイおよび照明装置 |
| CN116144214B (zh) * | 2023-03-27 | 2024-01-26 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 | 纳米孔装载的量子点墨水及其制备方法、使用方法 |
| WO2025029253A1 (en) * | 2023-08-01 | 2025-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ultraviolet light active particle for toner composition |
| EP4574920A1 (fr) * | 2023-12-21 | 2025-06-25 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Matériau photoluminescent plus performant |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397639A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-23 | Hoya Corp | 微粒子分散複合材料およびその製造方法 |
| JP2007521460A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-08-02 | エモリー ユニバーシティー | ナノ化学種が埋め込まれた多孔質材料、その製造方法、およびその使用方法 |
| WO2012085780A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting device with polymer containing matrices |
| CN102690658A (zh) * | 2012-05-28 | 2012-09-26 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种镶嵌量子点的多孔二氧化硅复合材料及其制备方法和应用 |
| JP2013505347A (ja) * | 2009-09-23 | 2013-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8612401D0 (en) | 1986-05-21 | 1986-06-25 | Evode Ltd | Liquid polmers |
| US6322901B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
| US20030148544A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-08-07 | Advanced Research And Technology Institute, Inc. | Methods of preparing multicolor quantum dot tagged beads and conjugates thereof |
| US6673892B2 (en) | 2002-04-29 | 2004-01-06 | Eastman Chemical Company | Process for reducing residual free radical polymerizable monomer content of polymers |
| EP1576655B1 (en) | 2002-08-15 | 2014-05-21 | Moungi G. Bawendi | Stabilized semiconductor nanocrystals |
| US7054513B2 (en) * | 2003-06-09 | 2006-05-30 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Optical fiber with quantum dots |
| US20070045777A1 (en) | 2004-07-08 | 2007-03-01 | Jennifer Gillies | Micronized semiconductor nanocrystal complexes and methods of making and using same |
| US20090203148A1 (en) * | 2006-01-19 | 2009-08-13 | Vera Gorfinkel | Methods and Devices For Detection and Identification of Encoded Beads and Biological Molecules |
| DE102006008879A1 (de) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zum Einbau von Nanophosphoren in mikrooptische Strukturen |
| JP2007224233A (ja) | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置 |
| WO2010014198A1 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Qd Vision, Inc. | Nanoparticle including multi-functional ligand and method |
| US20090114273A1 (en) * | 2007-06-13 | 2009-05-07 | University Of Notre Dame Du Lac | Nanomaterial scaffolds for electron transport |
| KR101616968B1 (ko) | 2007-09-12 | 2016-04-29 | 큐디 비젼, 인크. | 관능화된 나노입자 및 방법 |
| WO2009145813A1 (en) | 2008-03-04 | 2009-12-03 | Qd Vision, Inc. | Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods |
| KR20110009702A (ko) | 2008-05-13 | 2011-01-28 | 리써치 트라이앵글 인스티튜트 | 다공질 및 비다공질 나노구조체 및 이의 용도 |
| NL2002590C2 (en) | 2009-03-04 | 2010-09-07 | Univ Delft Technology | Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport. |
| EP2475717A4 (en) | 2009-09-09 | 2015-01-07 | Qd Vision Inc | PARTICLES WITH NANOPARTICLES, USES THEREOF AND METHOD THEREFOR |
| GB0916699D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| GB201005601D0 (en) | 2010-04-01 | 2010-05-19 | Nanoco Technologies Ltd | Ecapsulated nanoparticles |
| US20120113671A1 (en) | 2010-08-11 | 2012-05-10 | Sridhar Sadasivan | Quantum dot based lighting |
| US9279894B2 (en) | 2011-02-09 | 2016-03-08 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Systems and methods for neutron detection using scintillator nano-materials |
| JP2012246393A (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 顔料分散剤、顔料分散液、カラーフィルタ用着色樹脂組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置及び有機発光表示装置。 |
| CN102492428B (zh) | 2011-11-22 | 2014-01-22 | 无锡中德伯尔生物技术有限公司 | 一种均一荧光微球及其制备方法 |
| RU2648084C2 (ru) | 2012-10-25 | 2018-03-22 | Люмиледс Холдинг Б.В | Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах |
-
2014
- 2014-03-19 WO PCT/IB2014/059970 patent/WO2014147570A1/en not_active Ceased
- 2014-03-19 EP EP14716944.5A patent/EP2976409B1/en active Active
- 2014-03-19 CN CN201480016851.3A patent/CN105102580B/zh active Active
- 2014-03-19 KR KR1020157030077A patent/KR102177074B1/ko active Active
- 2014-03-19 US US14/763,886 patent/US10030851B2/en active Active
- 2014-03-19 JP JP2016503766A patent/JP6360150B2/ja active Active
- 2014-03-20 TW TW103110535A patent/TWI655268B/zh active
-
2018
- 2018-04-18 JP JP2018079653A patent/JP6507284B2/ja active Active
- 2018-06-01 US US15/996,117 patent/US20180340674A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0397639A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-23 | Hoya Corp | 微粒子分散複合材料およびその製造方法 |
| JP2007521460A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-08-02 | エモリー ユニバーシティー | ナノ化学種が埋め込まれた多孔質材料、その製造方法、およびその使用方法 |
| JP2013505347A (ja) * | 2009-09-23 | 2013-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 |
| WO2012085780A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting device with polymer containing matrices |
| CN102690658A (zh) * | 2012-05-28 | 2012-09-26 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种镶嵌量子点的多孔二氧化硅复合材料及其制备方法和应用 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022528043A (ja) * | 2019-03-20 | 2022-06-08 | バイオスクエア インコーポレイテッド. | 量子ドット含有ナノ粒子及びその製造方法 |
| JP7162150B2 (ja) | 2019-03-20 | 2022-10-27 | バイオスクエア インコーポレイテッド. | 量子ドット含有ナノ粒子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6507284B2 (ja) | 2019-04-24 |
| TWI655268B (zh) | 2019-04-01 |
| US20160084476A1 (en) | 2016-03-24 |
| JP2016516853A (ja) | 2016-06-09 |
| KR20150133790A (ko) | 2015-11-30 |
| US20180340674A1 (en) | 2018-11-29 |
| KR102177074B1 (ko) | 2020-11-11 |
| CN105102580A (zh) | 2015-11-25 |
| EP2976409B1 (en) | 2017-05-10 |
| CN105102580B (zh) | 2018-03-16 |
| EP2976409A1 (en) | 2016-01-27 |
| TW201444948A (zh) | 2014-12-01 |
| WO2014147570A1 (en) | 2014-09-25 |
| US10030851B2 (en) | 2018-07-24 |
| JP6360150B2 (ja) | 2018-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6360150B2 (ja) | 多孔質粒子内の封止量子ドット | |
| US20170306221A1 (en) | Encapsulated materials in porous particles | |
| CN104736662B (zh) | 用于固态照明的高度稳定qd‑复合物和通过无引发剂的聚合制作所述qd‑复合物的方法 | |
| JP6118825B2 (ja) | 新規材料並びに高量子収率及び高安定性を有するナノ粒子のマトリックス中への分散方法 | |
| JP6325556B2 (ja) | シリコーン中の量子ドットのためのpdms系配位子 | |
| TWI593720B (zh) | 使用矽氧烷之低分子量混合物以分散在聚矽氧中的量子點 | |
| TWI711684B (zh) | 具有混合塗層之磷光體及其製造方法 | |
| TW201921721A (zh) | 發光材料、波長轉換器及發光裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190401 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6507284 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |