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JP2018137361A - Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method - Google Patents

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JP2018137361A JP2017031380A JP2017031380A JP2018137361A JP 2018137361 A JP2018137361 A JP 2018137361A JP 2017031380 A JP2017031380 A JP 2017031380A JP 2017031380 A JP2017031380 A JP 2017031380A JP 2018137361 A JP2018137361 A JP 2018137361A
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Abstract

【課題】スループットの点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】パターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置は、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくとも一方を変形させる変形部と、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれ量を計測する計測部と、前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において、前記計測部による計測結果に基づいて、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれが補正されるように前記モールドと前記基板との相対位置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記位置ずれを補正するための前記相対位置の制御に起因して生じうる前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な形状変化量を推定し、推定された前記形状変化量に基づいて前記変形部を制御する。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprinting apparatus advantageous in terms of throughput. An imprinting apparatus for forming a pattern of an imprint material on a shot region of a substrate by using a mold having a pattern region includes a deformed portion that deforms at least one of the pattern region and the shot region, and said. In a state where the measuring unit that measures the amount of misalignment between the pattern region and the shot region and the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other, the pattern region is based on the measurement result by the measuring unit. The control unit includes a control unit that controls the relative position between the mold and the substrate so that the positional deviation from the shot region is corrected, and the control unit is a relative position for correcting the positional deviation. The relative shape change amount between the pattern region and the shot region that may occur due to the control is estimated, and the deformed portion is controlled based on the estimated shape change amount. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and an article manufacturing method.

モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の1つとして注目されている。インプリント装置では、モールドのパターンを基板上のインプリント材に精度よく転写するため、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態(以下、接触状態)においてモールドと基板との位置合わせが行われうる。特許文献1には、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態においてモールドと基板との位置合わせを行う方法が開示されている。   An imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a substrate using a mold has attracted attention as one of mass production lithography apparatuses such as semiconductor devices. In the imprint apparatus, in order to accurately transfer the mold pattern to the imprint material on the substrate, the mold and the substrate are aligned in a state where the mold and the imprint material on the substrate are in contact (hereinafter referred to as a contact state). Can be done. Patent Document 1 discloses a method for aligning a mold and a substrate in a state where the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other.

特開2007−137051号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-137051

モールドと基板との位置合わせでは、モールドと基板との位置ずれ量および形状差を計測する計測工程と、計測された位置ずれ量および形状差に基づいてモールドと基板との相対位置および相対形状を補正する補正工程とが繰り返される。そして、インプリント装置では、計測工程と補正工程とを繰り返す回数を低減させることが、スループットの点で好ましい。   In the alignment between the mold and the substrate, a measurement process for measuring the positional deviation amount and the shape difference between the mold and the substrate, and the relative position and relative shape between the mold and the substrate are determined based on the measured positional deviation amount and the shape difference. The correction process for correcting is repeated. In the imprint apparatus, it is preferable in terms of throughput to reduce the number of times the measurement process and the correction process are repeated.

しかしながら、接触状態でモールドと基板との相対位置を変更すると、インプリント材の粘弾性によってモールドと基板との相対位置を元に戻そうとする力が生じ、モールドと基板とに相対的な形状変化が新たに発生してしまう。そのため、補正工程において、計測工程で計測された位置ずれ量および形状差に基づいて相対位置および相対形状を補正するだけでは、計測工程と補正工程との繰り返し回数を低減させてスループットを向上させることが困難となりうる。   However, if the relative position of the mold and the substrate is changed in the contact state, the viscoelasticity of the imprint material generates a force for returning the relative position of the mold and the substrate, and the relative shape between the mold and the substrate is generated. New changes will occur. Therefore, in the correction process, simply correcting the relative position and the relative shape based on the positional deviation amount and the shape difference measured in the measurement process can improve the throughput by reducing the number of repetitions of the measurement process and the correction process. Can be difficult.

そこで、本発明は、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an imprint apparatus that is advantageous in terms of throughput.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくとも一方を変形させる変形部と、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれ量を計測する計測部と、前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において、前記計測部による計測結果に基づいて、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれが補正されるように前記モールドと前記基板との相対位置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記位置ずれを補正するための前記相対位置の制御に起因して生じうる前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な形状変化量を推定し、推定された前記形状変化量に基づいて前記変形部を制御する、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an imprint apparatus according to one aspect of the present invention is an imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a shot area of a substrate using a mold having a pattern area, A deformation unit that deforms at least one of the pattern region and the shot region, a measurement unit that measures a positional deviation amount between the pattern region and the shot region, and the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other. A control unit that controls a relative position between the mold and the substrate so that a positional deviation between the pattern region and the shot region is corrected based on a measurement result by the measurement unit. The control unit includes the pattern region and the shim that may be generated due to the control of the relative position for correcting the positional deviation. Estimating the relative shape variation amount of the Tsu bets area, controls the deformation portion based on the estimated shape variation amount, and wherein the.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, an imprint apparatus that is advantageous in terms of throughput can be provided.

インプリント装置を示す図である。It is a figure which shows an imprint apparatus. インプリント処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an imprint process. 位置ずれ量および形状差の補正を説明するための図である。It is a figure for demonstrating correction | amendment of a positional offset amount and a shape difference. 形状変化の発生を説明するための図である。It is a figure for demonstrating generation | occurrence | production of a shape change. 形状変化の発生を説明するための図である。It is a figure for demonstrating generation | occurrence | production of a shape change. モールドと基板との位置合わせの制御を示すブロック図である。It is a block diagram which shows control of position alignment with a mold and a board | substrate. 計測部による計測タイミング、基板ステージによる位置ずれ量の補正タイミング、および変形部による形状差の補正タイミングを示す図である。It is a figure which shows the measurement timing by a measurement part, the correction timing of the positional offset amount by a substrate stage, and the correction timing of the shape difference by a deformation | transformation part. モールドと基板との位置合わせの制御を示すブロック図である。It is a block diagram which shows control of position alignment with a mold and a board | substrate. 物品の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of articles | goods.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態では、基板の面と平行な方向(基板の面に沿った方向)をX方向およびY方向とし、当該基板の面に垂直な方向(基板に入射する光の光軸方向)をZ方向とする。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member thru | or element, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In the following embodiments, the direction parallel to the surface of the substrate (the direction along the surface of the substrate) is the X direction and the Y direction, and the direction perpendicular to the surface of the substrate (the optical axis direction of light incident on the substrate) is Let it be the Z direction.

<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態のインプリント装置10について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、凹凸のパターンが形成されたモールド(型)を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化し、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離(離型)する。これにより、基板上にインプリント材のパターンを形成することができる。
<First Embodiment>
An imprint apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention will be described. The imprint apparatus is an apparatus that forms a cured product pattern in which the concave / convex pattern of the mold is transferred by bringing the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. It is. For example, the imprint apparatus cures the imprint material in a state in which the mold (mold) on which the uneven pattern is formed is in contact with the imprint material on the substrate, widens the space between the mold and the substrate, and cures. The mold is peeled off (released) from the imprint material. Thereby, the pattern of the imprint material can be formed on the substrate.

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。   As the imprint material, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when given energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like is used. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared light, visible light, or ultraviolet light whose wavelength is selected from a range of 10 nm to 1 mm.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。   A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition cured by light contains at least a polysynthetic compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polysynthetic compound or a solvent as necessary. The non-polysynthetic compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。   The imprint material is applied in a film form on the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid ejecting head may be applied on the substrate in the form of droplets, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The imprint material has a viscosity (viscosity at 25 ° C.) of, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

[インプリント装置の構成]
図1は、第1実施形態のインプリント装置10を示す図である。インプリント装置10は、例えば、モールド1を保持するモールド保持部3と、基板2を保持する基板ステージ4と、計測部5と、硬化部6と、供給部7と、制御部8とを含みうる。制御部8は、例えばCPUやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント処理を制御する(インプリント装置10の各部を制御する)。
[Configuration of imprint device]
FIG. 1 is a diagram illustrating an imprint apparatus 10 according to the first embodiment. The imprint apparatus 10 includes, for example, a mold holding unit 3 that holds the mold 1, a substrate stage 4 that holds the substrate 2, a measurement unit 5, a curing unit 6, a supply unit 7, and a control unit 8. sell. The control unit 8 is configured by, for example, a computer having a CPU, a memory, and the like, and controls imprint processing (controls each unit of the imprint apparatus 10).

モールド1は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域(パターン領域1a)には、基板上に供給されたインプリント材に転写するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板2としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板2としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板2との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。   The mold 1 is usually made of a material that can transmit ultraviolet rays, such as quartz, and a partial area (pattern area 1a) on the surface on the substrate side is made of an imprint material supplied on the substrate. An uneven pattern for transfer is formed. Moreover, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, etc. are used as the board | substrate 2, and the member which consists of a material different from a board | substrate may be formed in the surface as needed. Specifically, the substrate 2 is a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, or the like. Further, before applying the imprint material, an adhesion layer may be provided to improve the adhesion between the imprint material and the substrate 2 as necessary.

モールド保持部3は、モールドチャック3aとモールド駆動部3bとを含む。モールドチャック3aは、例えば真空吸着力や静電力などによってモールド1を保持する。また、モールド駆動部3bは、例えばリニアモータやエアシリンダなどのアクチュエータを含み、モールド1(モールドチャック3a)をZ方向に駆動する。本実施形態のモールド駆動部3bは、Z方向にモールド1を駆動するように構成されているが、それに限られず、例えば、XY方向およびθ方向(Z軸周りの回転方向)にモールド1を駆動する機能などを有してもよい。ここで、モールド保持部3には、モールド1の側面における複数箇所に力を加えてパターン領域を変形させる機構としての変形部9が設けられる。変形部9は、例えばピエゾ素子などのアクチュエータを複数含みうる。   The mold holding unit 3 includes a mold chuck 3a and a mold driving unit 3b. The mold chuck 3a holds the mold 1 by, for example, a vacuum suction force or an electrostatic force. The mold driving unit 3b includes an actuator such as a linear motor or an air cylinder, and drives the mold 1 (mold chuck 3a) in the Z direction. The mold driving unit 3b of the present embodiment is configured to drive the mold 1 in the Z direction, but is not limited thereto, and for example, drives the mold 1 in the XY direction and the θ direction (rotation direction around the Z axis). It may have a function to do. Here, the mold holding unit 3 is provided with a deforming unit 9 as a mechanism for deforming the pattern region by applying a force to a plurality of locations on the side surface of the mold 1. The deformation unit 9 may include a plurality of actuators such as piezo elements.

基板ステージ4(基板保持部、ステージ)は、基板チャック4aと基板駆動部4bとを含む。基板チャック4aは、例えば真空吸着力や静電力などによって基板2を保持する。また、基板駆動部4bは、例えばリニアモータなどのアクチュエータを含み、基板2(基板チャック4a)をXY方向に駆動する。本実施形態の基板駆動部4bは、XY方向に基板2を駆動するように構成されているが、それに限られず、例えば、Z方向およびθ方向に基板2を駆動する機能などを有してもよい。ここで、本実施形態では、モールド1と基板2との間隔(Z方向の距離)を変える動作がモールド保持部3によって行われるが、基板ステージ4によって行われてもよいし、それらの双方によって相対的に行われてもよい。また、XY方向におけるモールド1と基板2との相対位置を変える動作が基板ステージ4によって行われるが、モールド保持部3によって行われてもよいし、それらの双方によって相対的に行われてもよい。   The substrate stage 4 (substrate holding unit, stage) includes a substrate chuck 4a and a substrate driving unit 4b. The substrate chuck 4a holds the substrate 2 by, for example, vacuum suction force or electrostatic force. The substrate driving unit 4b includes an actuator such as a linear motor, and drives the substrate 2 (substrate chuck 4a) in the XY directions. The substrate drive unit 4b of the present embodiment is configured to drive the substrate 2 in the XY directions, but is not limited thereto, and may have a function of driving the substrate 2 in the Z direction and the θ direction, for example. Good. Here, in the present embodiment, the operation of changing the distance between the mold 1 and the substrate 2 (distance in the Z direction) is performed by the mold holding unit 3, but may be performed by the substrate stage 4, or by both of them. It may be performed relatively. Moreover, although the operation | movement which changes the relative position of the mold 1 and the board | substrate 2 in XY direction is performed by the substrate stage 4, it may be performed by the mold holding | maintenance part 3 and may be relatively performed by both of them. .

計測部5は、モールド1(パターン領域1a)に設けられたマークと基板2(ショット領域2a)に設けられたマークとを検出する検出部(スコープ)を有し、パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれ量および形状差を計測する。例えば、計測部5は、パターン領域1aの四隅に設けられたマークとショット領域2aの四隅に設けられたマークとを検出部によって検出する。これにより、計測部5は、パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれ量とともに、パターン領域1aとショット領域2aとの形状差を計測することができる。   The measurement unit 5 includes a detection unit (scope) that detects a mark provided on the mold 1 (pattern region 1a) and a mark provided on the substrate 2 (shot region 2a), and the pattern region 1a and shot region 2a. Measure the amount of misalignment and the shape difference. For example, the measurement unit 5 detects the marks provided at the four corners of the pattern area 1a and the marks provided at the four corners of the shot area 2a by the detection unit. Thereby, the measurement part 5 can measure the shape difference between the pattern area 1a and the shot area 2a as well as the positional deviation amount between the pattern area 1a and the shot area 2a.

硬化部6(照射部)は、モールド1と基板上のインプリント材とが接触している状態で、基板上のインプリント材にモールド1を介して光(紫外線)を照射することにより当該インプリント材を硬化させる。また、供給部7は、基板上にインプリント材を供給(塗布)する。   The curing unit 6 (irradiation unit) irradiates the imprint material on the substrate with light (ultraviolet rays) via the mold 1 in a state where the mold 1 and the imprint material on the substrate are in contact with each other. The print material is cured. The supply unit 7 supplies (applies) an imprint material onto the substrate.

[インプリント処理]
次に、インプリント処理について、図2を参照しながら説明する。図2は、インプリント処理を示すフローチャートである。図2に示すフローチャートは、基板ごとに行われるインプリント処理を示しており、制御部8によって各工程が制御されうる。モールド保持部3へのモールド1の搭載・回収、および基板ステージ4への基板2の搭載・回収については説明を省略する。
[Imprint processing]
Next, the imprint process will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing the imprint process. The flowchart shown in FIG. 2 shows an imprint process performed for each substrate, and each process can be controlled by the control unit 8. Description of mounting / collecting the mold 1 on the mold holding unit 3 and mounting / collecting the substrate 2 on the substrate stage 4 is omitted.

S11では、制御部8は、インプリント処理を行う対象のショット領域2a(以下、対象ショット領域2a)が供給部7の下に配置されるように基板ステージ4を制御し、対象ショット領域2aにインプリント材を供給するように供給部7を制御する。S12では、制御部8は、モールド1のパターン領域1aの下方に対象ショット領域2aが配置されるように基板ステージ4を制御する。S13では、制御部8は、モールド1と基板2との間隔が小さくなるようにモールド保持部3(モールド駆動部3b)を制御することにより、モールド1と基板上のインプリント材とを接触させる。   In S11, the control unit 8 controls the substrate stage 4 so that the target shot area 2a (hereinafter referred to as the target shot area 2a) to be subjected to the imprint process is arranged below the supply unit 7, so that the target shot area 2a is moved to the target shot area 2a. The supply unit 7 is controlled to supply the imprint material. In S <b> 12, the control unit 8 controls the substrate stage 4 so that the target shot region 2 a is disposed below the pattern region 1 a of the mold 1. In S13, the control unit 8 controls the mold holding unit 3 (mold driving unit 3b) so that the distance between the mold 1 and the substrate 2 is reduced, thereby bringing the mold 1 and the imprint material on the substrate into contact with each other. .

S14では、制御部8は、モールド1のパターン領域1aと基板2の対象ショット領域2aとの位置ずれ量および形状差を計測部5に計測させる(計測工程)。S15では、制御部8は、計測部5による計測結果に基づいて、パターン領域1aと対象ショット領域2aとの位置ずれおよび形状差が補正されるように、モールド1と基板2との相対位置および相対形状を変更する(補正工程)。モールド1と基板2との相対位置の変更は、基板ステージ4をXY方向に移動させることによって行われうる。また、モールド1と基板2との相対形状の変更は、変形部9によりパターン領域1aを変形させることによって行われうる。ここで、本実施形態では、パターン領域1aおよびショット領域2aの少なくとも一方を変形させる変形部9として、モールド1の側面に力を加えてパターン領域1aを変形させる機構を用いた。しかしながら、それに限られず、光の照射などにより基板2に熱を加えてショット領域2aを変形させる機構を用いてもよい。即ち、変形部9は、パターン領域1aを変形させる機構、およびショット領域2aを変形させる機構のうち少なくとも一方を含むように構成されてもよい。   In S14, the control unit 8 causes the measurement unit 5 to measure the positional deviation amount and the shape difference between the pattern region 1a of the mold 1 and the target shot region 2a of the substrate 2 (measurement process). In S15, the control unit 8 determines the relative position between the mold 1 and the substrate 2 so that the positional deviation and the shape difference between the pattern region 1a and the target shot region 2a are corrected based on the measurement result by the measurement unit 5. The relative shape is changed (correction process). The relative position between the mold 1 and the substrate 2 can be changed by moving the substrate stage 4 in the XY directions. The relative shape of the mold 1 and the substrate 2 can be changed by deforming the pattern region 1a by the deforming portion 9. Here, in the present embodiment, a mechanism that deforms the pattern region 1a by applying a force to the side surface of the mold 1 is used as the deforming portion 9 that deforms at least one of the pattern region 1a and the shot region 2a. However, the present invention is not limited to this, and a mechanism for deforming the shot region 2a by applying heat to the substrate 2 by light irradiation or the like may be used. That is, the deforming unit 9 may be configured to include at least one of a mechanism for deforming the pattern area 1a and a mechanism for deforming the shot area 2a.

S16では、制御部8は、モールド1のパターン領域1aと基板2の対象ショット領域2aとの位置ずれ量および形状差を計測部5に再び計測させる(計測工程)。S17では、制御部8は、S16において計測部5により計測された位置ずれ量および形状差がそれぞれ許容範囲に収まっているか否かを判断する。位置ずれ量および形状差がそれぞれ許容範囲に収まっていない場合にはS15に戻り、S15の補正工程とS16の計測工程とを再び行う。一方、位置ずれ量および形状差がそれぞれ許容範囲に収まった場合にはS18に進む。このように、本実施形態のインプリント装置10では、位置ずれ量および形状差がそれぞれ許容範囲に収まるまでS15の補正工程とS16の計測工程とを繰り返すことにより、モールド1と基板2との位置合わせが行われる。   In S16, the control unit 8 causes the measurement unit 5 to again measure the positional deviation amount and the shape difference between the pattern region 1a of the mold 1 and the target shot region 2a of the substrate 2 (measurement process). In S17, the control unit 8 determines whether or not the positional deviation amount and the shape difference measured by the measurement unit 5 in S16 are within allowable ranges. When the positional deviation amount and the shape difference are not within the allowable ranges, the process returns to S15, and the correction process of S15 and the measurement process of S16 are performed again. On the other hand, if the positional deviation amount and the shape difference are within the allowable ranges, the process proceeds to S18. As described above, in the imprint apparatus 10 of the present embodiment, the position of the mold 1 and the substrate 2 is changed by repeating the correction process of S15 and the measurement process of S16 until the positional deviation amount and the shape difference are within the allowable ranges. Matching is done.

S18では、制御部8は、基板上のインプリント材にモールド1を介して光を照射するように硬化部6を制御し、当該インプリント材を硬化させる。S19では、制御部8は、モールド1と基板2との間隔が広がるようにモールド保持部3を制御し、硬化したインプリント材からモールド1を剥離(離型)する。S20では、制御部8は、引き続きインプリント処理を行うべきショット領域(次のショット領域)が基板上にあるか否かを判断する。次のショット領域がある場合にはS11に戻り、次のショット領域がない場合には終了する。   In S18, the control unit 8 controls the curing unit 6 to irradiate the imprint material on the substrate with light through the mold 1, and cures the imprint material. In S <b> 19, the control unit 8 controls the mold holding unit 3 so that the distance between the mold 1 and the substrate 2 is widened, and peels (releases) the mold 1 from the cured imprint material. In S20, the control unit 8 determines whether or not there is a shot area (next shot area) on which the imprint process is to be continued on the substrate. If there is a next shot area, the process returns to S11, and if there is no next shot area, the process ends.

[補正工程]
次に、S15の補正工程について、図3を参照しながら詳細に説明する。S15の補正工程は、モールド1と基板上のインプリント材とが接触している状態(以下では、接触状態と呼ぶことがある)で行われる。そして、S15の補正工程は、上述したように、パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれを補正する工程と、パターン領域1aとショット領域2aとの形状差を補正する工程とを含みうる。
[Correction process]
Next, the correction process of S15 will be described in detail with reference to FIG. The correction process of S15 is performed in a state where the mold 1 and the imprint material on the substrate are in contact (hereinafter, sometimes referred to as a contact state). And the correction process of S15 can include the process of correcting the positional deviation between the pattern area 1a and the shot area 2a and the process of correcting the shape difference between the pattern area 1a and the shot area 2a as described above.

図3(a)は、補正工程が行われる前におけるパターン領域1a(二点鎖線)とショット領域2a(破線)とを上(Z方向)から見た図である。そして、この状態におけるパターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれ量および形状差とが計測部5によって計測されるものとする。図3(a)に示す例では、説明を簡易にするため、パターン領域1aとショット領域2aとに、位置ずれ(並進シフト)と倍率成分のみを含む形状差とが生じているものとして表現している。しかしながら、実際には、倍率成分だけではなく、台形成分や弓型成分などの多種多様な成分が形状差として含まれうる。   FIG. 3A is a view of the pattern region 1a (two-dot chain line) and the shot region 2a (broken line) before being subjected to the correction process, as viewed from above (Z direction). Then, it is assumed that the positional deviation amount and the shape difference between the pattern area 1a and the shot area 2a in this state are measured by the measuring unit 5. In the example shown in FIG. 3 (a), in order to simplify the description, the pattern region 1a and the shot region 2a are expressed as a positional deviation (translational shift) and a shape difference including only a magnification component. ing. However, in practice, not only the magnification component but also various components such as a trapezoidal component and an arcuate component can be included as the shape difference.

パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれを補正する場合、例えば基板ステージ4を移動させることにより、図3(b)に示すようにパターン領域1a(モールド1)とショット領域2a(基板2)との相対位置を変更する。図3(b)では、相対位置を変更する前のショット領域2aを破線で表し、相対位置を変更した後のショット領域2a’を実線で表している。図3(b)に示す例では、ショット領域2aの中心がパターン領域1aの中心に一致するように、パターン領域1aとショット領域2aとの相対位置を変更している。   When correcting the positional deviation between the pattern area 1a and the shot area 2a, for example, by moving the substrate stage 4, the pattern area 1a (mold 1) and the shot area 2a (substrate 2) are moved as shown in FIG. Change the relative position. In FIG. 3B, the shot area 2a before the relative position is changed is indicated by a broken line, and the shot area 2a 'after the relative position is changed is indicated by a solid line. In the example shown in FIG. 3B, the relative positions of the pattern region 1a and the shot region 2a are changed so that the center of the shot region 2a coincides with the center of the pattern region 1a.

また、パターン領域1aとショット領域2aとの形状差を補正する場合、例えば変形部9によりパターン領域1aを変形することにより、図3(c)に示すようにパターン領域1aとショット領域2aとの相対形状を変更する。図3(c)では、相対形状を変更する前のパターン領域1aを二点鎖線で表し、相対形状を変更した後のパターン領域1a’を実線で表している(相対位置を変更した後のショット領域2a’に重なっている)。図3(c)で示した形状差の補正は、図3(b)で示した位置ずれの補正と同時に行われてもよいし、当該位置ずれの補正より前に行われてもよい。   Further, when correcting the shape difference between the pattern region 1a and the shot region 2a, for example, by deforming the pattern region 1a by the deformation unit 9, as shown in FIG. 3C, the pattern region 1a and the shot region 2a are Change the relative shape. In FIG. 3C, the pattern area 1a before changing the relative shape is indicated by a two-dot chain line, and the pattern area 1a ′ after changing the relative shape is indicated by a solid line (shot after changing the relative position). It overlaps the region 2a ′). The correction of the shape difference shown in FIG. 3C may be performed simultaneously with the correction of the positional deviation shown in FIG. 3B, or may be performed before the correction of the positional deviation.

ここで、インプリント装置10では、計測工程と補正工程とを繰り返す回数を低減させることが、スループットの点で好ましい。しかしながら、図3(b)に示すように、接触状態においてモールド1と基板2との相対位置を変更すると、インプリント材の粘弾性によって当該相対位置を元に戻そうとする力が生じ、モールド1と基板2とに相対的な形状変化が新たに発生してしまう。そのため、上述した工程だけでは、計測工程と補正工程とを繰り返す回数を低減してスループットを向上させることが困難であった。   Here, in the imprint apparatus 10, it is preferable in terms of throughput to reduce the number of times the measurement process and the correction process are repeated. However, as shown in FIG. 3B, when the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is changed in the contact state, a force is generated to return the relative position to the original due to the viscoelasticity of the imprint material. A relative change in shape between 1 and the substrate 2 is newly generated. Therefore, it is difficult to improve the throughput by reducing the number of times the measurement process and the correction process are repeated only by the above-described process.

例えば、図4は、モールド1と基板上のインプリント材6aとを接触させている状態を示す図であり、図5は、パターン領域1aとショット領域2aとを上から見た図である。図4(a)に示す状態のときに、パターン領域1aとショット領域2aとが図5(a)に示すように配置されているとする。この場合において、モールド1と基板2との相対位置を、図4(a)に示す状態から図4(b)に示す状態に変更すると、インプリント材6aの粘弾性によって、パターン領域1aが図5(b)の実線で示す形状1a”に変形する。このとき、図5(b)には示していないが、インプリント材6aの粘弾性により、パターン領域1aのみならず、ショット領域2aも変形しうる。つまり、パターン領域1aとショット領域2aとに相対的な形状変化が新たに発生することとなる。このような形状変化は、モールド1と基板2との相対位置を変更するごとに発生するため、計測工程と補正工程との繰り返し回数を低減させることを困難にしていた。   For example, FIG. 4 is a diagram showing a state in which the mold 1 and the imprint material 6a on the substrate are in contact with each other, and FIG. 5 is a diagram of the pattern region 1a and the shot region 2a viewed from above. Assume that the pattern region 1a and the shot region 2a are arranged as shown in FIG. 5A in the state shown in FIG. In this case, when the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is changed from the state shown in FIG. 4A to the state shown in FIG. 4B, the pattern region 1a is shown by the viscoelasticity of the imprint material 6a. 5 (b) is deformed into a shape 1a "indicated by a solid line. At this time, not only in the pattern area 1a but also in the shot area 2a due to the viscoelasticity of the imprint material 6a, not shown in FIG. 5 (b). That is, a relative shape change newly occurs between the pattern region 1a and the shot region 2a, and the shape change occurs every time the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is changed. Therefore, it has been difficult to reduce the number of repetitions of the measurement process and the correction process.

そこで、本実施形態のインプリント装置10では、パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれを補正するためのモールド1と基板2との相対位置の制御に起因して生じうるパターン領域1aとショット領域2aとの相対的な形状変化量を推定する。そして、推定された形状変化量に基づいて変形部9を制御する。以下では、「パターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれを補正するためのモールド1と基板2との相対位置の制御に起因して生じうるパターン領域1aとショット領域2aとの相対的な形状変化(量)」を、単に「形状変化(量)」と呼ぶことがある。   Therefore, in the imprint apparatus 10 of the present embodiment, the pattern region 1a and the shot that may be generated due to the control of the relative position between the mold 1 and the substrate 2 for correcting the positional deviation between the pattern region 1a and the shot region 2a. The amount of change in shape relative to the region 2a is estimated. Then, the deforming unit 9 is controlled based on the estimated shape change amount. In the following, “the relative shapes of the pattern region 1a and the shot region 2a that may be caused by the control of the relative position between the mold 1 and the substrate 2 for correcting the positional deviation between the pattern region 1a and the shot region 2a”. “Change (amount)” may be simply referred to as “shape change (amount)”.

[形状変化量の補正]
制御部8は、S14またはS16の計測工程で計測部5により計測されたパターン領域1aとショット領域2aとの位置ずれ量に基づいて形状変化量の推定を行う。そして、S15の補正工程において、推定された形状変化量に基づいて、パターン領域1aとショット領域2aとの相対的な形状変化が補正されるように変形部9を制御する。このとき、制御部8は、計測部5により計測された位置ずれ量に基づいてモールド1と基板2との相対位置の制御を行いながら、推定された形状変化量に基づいて変形部9を制御することが、スループットの点で好ましい。しかしながら、それに限られず、計測部5による次の計測を行う前であれば、当該位置ずれ量に基づいてモールド1と基板2との相対位置の制御を行った後に、推定された形状変化量に基づいて変形部9を制御してもよい。また、制御部8は、推定された形状変化量に基づいた変形部9の制御を、計測部5により計測された形状差に基づいた変形部9の制御と並行して行ってもよい。つまり、制御部8は、推定された形状変化量と計測部5により計測された形状差とを合わせた値に基づいて、変形部9を制御してもよい。
[Correction of shape change amount]
The control unit 8 estimates the shape change amount based on the positional deviation amount between the pattern region 1a and the shot region 2a measured by the measurement unit 5 in the measurement process of S14 or S16. Then, in the correction step of S15, the deformation unit 9 is controlled so that the relative shape change between the pattern region 1a and the shot region 2a is corrected based on the estimated shape change amount. At this time, the control unit 8 controls the deformation unit 9 based on the estimated shape change amount while controlling the relative position between the mold 1 and the substrate 2 based on the positional deviation amount measured by the measurement unit 5. It is preferable in terms of throughput. However, the present invention is not limited to this, and before the next measurement by the measurement unit 5, after the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is controlled based on the positional deviation amount, the estimated shape change amount is obtained. The deformation unit 9 may be controlled based on this. Further, the control unit 8 may perform the control of the deformation unit 9 based on the estimated shape change amount in parallel with the control of the deformation unit 9 based on the shape difference measured by the measurement unit 5. That is, the control unit 8 may control the deformation unit 9 based on a value obtained by combining the estimated shape change amount and the shape difference measured by the measurement unit 5.

図6は、接触状態でのモールド1と基板2との位置合わせの制御を示すブロック図である。計測部5により計測された位置ずれ量11および形状差21は、減算器12および22にそれぞれ入力される。減算器12は、計測部5により計測された位置ずれ量11と目標値13(例えば零)との偏差14を基板ステージ4および推定部8a(制御部8)に供給する。基板ステージ4は、減算器12から供給された偏差14に基づいて移動し、パターン領域1a(モールド1)とショット領域2a(基板2)との相対位置を変更する。このとき、上述したように、モールド1と基板2との相対位置の変更により、形状変化が外乱15として生じうる。そのため、推定部8aは、減算器12から供給された偏差14(位置ずれ量)に基づいて形状変化量を推定し、その形状変化量の推定値16を加算器25に供給する。形状変化量を推定する方法については後述する。   FIG. 6 is a block diagram showing control of alignment between the mold 1 and the substrate 2 in the contact state. The displacement 11 and the shape difference 21 measured by the measuring unit 5 are input to the subtracters 12 and 22, respectively. The subtractor 12 supplies a deviation 14 between the positional deviation amount 11 measured by the measuring unit 5 and a target value 13 (for example, zero) to the substrate stage 4 and the estimating unit 8a (control unit 8). The substrate stage 4 moves based on the deviation 14 supplied from the subtractor 12, and changes the relative position between the pattern region 1a (mold 1) and the shot region 2a (substrate 2). At this time, as described above, a change in shape may occur as the disturbance 15 due to a change in the relative position between the mold 1 and the substrate 2. Therefore, the estimation unit 8 a estimates the shape change amount based on the deviation 14 (position shift amount) supplied from the subtractor 12 and supplies the shape change amount estimated value 16 to the adder 25. A method for estimating the shape change amount will be described later.

一方、減算器22は、計測部5により計測された形状差21と目標値23(例えば零)との偏差24を加算器25に供給する。加算器25は、推定部8a(制御部8)から出力された形状変化量の推定値16と減算器22から出力された偏差24(形状差)とを合成し、合成した値を変形部9に供給する。変形部9は、加算器25から供給された値に基づいて動作し、パターン領域1aとショット領域2aとの相対形状を変更する。このように、推定部8aにより得られた形状変化量の推定値16に基づいて変形部9を制御することにより、モールド1と基板2との相対位置の変更により外乱15として発生した形状変化を、計測部5による次の計測の前に補正することができる。   On the other hand, the subtractor 22 supplies the adder 25 with a deviation 24 between the shape difference 21 measured by the measuring unit 5 and a target value 23 (for example, zero). The adder 25 synthesizes the estimated value 16 of the shape change amount output from the estimation unit 8a (control unit 8) and the deviation 24 (shape difference) output from the subtractor 22 and combines the synthesized value with the deformation unit 9. To supply. The deforming unit 9 operates based on the value supplied from the adder 25, and changes the relative shape between the pattern area 1a and the shot area 2a. In this way, by controlling the deformation unit 9 based on the estimated value 16 of the shape change amount obtained by the estimation unit 8a, the shape change generated as the disturbance 15 due to the change in the relative position between the mold 1 and the substrate 2 can be obtained. Correction can be made before the next measurement by the measurement unit 5.

図7は、本実施形態のインプリント装置10における、計測部5による計測タイミング、基板ステージ4による位置ずれの補正タイミング、および変形部9による形状差の補正タイミングを示す図である。図7では、横軸が時間を表し、縦軸が実行状態と待機状態との遷移を表している。つまり、計測部5による計測では、「1」のときが計測を実行している実行状態であり、「0」のときが計測が実行されていない待機状態である。基板ステージ4による位置ずれの補正、および変形部9による形状差の補正についても同様に、「1」のときが補正を実行している実行状態であり、「0」のときが補正を実行していない待機状態である。変形部9による形状差の補正では、推定部8a(制御部8)により得られた形状変化量の推定値に基づく補正も並行して行われうる。また、図7に示すように、位置ずれの補正および形状差の補正は、計測部5による計測の合間の期間Aにおいて並行して行われうる。   FIG. 7 is a diagram illustrating a measurement timing by the measurement unit 5, a positional deviation correction timing by the substrate stage 4, and a shape difference correction timing by the deformation unit 9 in the imprint apparatus 10 of the present embodiment. In FIG. 7, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the transition between the execution state and the standby state. That is, in the measurement by the measurement unit 5, “1” is an execution state in which measurement is being executed, and “0” is a standby state in which measurement is not being executed. Similarly, the correction of the positional deviation by the substrate stage 4 and the correction of the shape difference by the deforming unit 9 are the execution state in which the correction is executed when “1”, and the correction is executed when “0”. Not in standby state. In the correction of the shape difference by the deformation unit 9, correction based on the estimated value of the shape change amount obtained by the estimation unit 8a (control unit 8) can also be performed in parallel. Further, as shown in FIG. 7, the correction of the positional deviation and the correction of the shape difference can be performed in parallel in a period A between measurement by the measurement unit 5.

[形状変化量の推定方法]
次に、形状変化量を推定する方法について説明する
例えば、制御部8は、接触状態におけるモールド1と基板2との相対位置の変更量と、当該変更量によるパターン領域1aとショット領域2aとの相対的な変形量との関係を示す第1情報(例えば式)を有し、その第1情報に基づいて形状変化量を推定する。具体的には、制御部8は、計測部5によって計測された位置ずれ量を変更量として第1情報に適用したときに得られる変形量を、形状変化量として推定(決定)する。第1情報は、例えば、接触状態においてモールド1と基板2との相対位置を変更しながら計測部5によって形状差を計測することによって取得されうる。
[Method for estimating shape change]
Next, a method for estimating the amount of change in shape will be described. For example, the control unit 8 determines the amount of change in the relative position between the mold 1 and the substrate 2 in the contact state, and the pattern region 1a and shot region 2a based on the amount of change. First information (for example, an expression) indicating a relationship with the relative deformation amount is included, and the shape change amount is estimated based on the first information. Specifically, the control unit 8 estimates (determines) the deformation amount obtained when the positional deviation amount measured by the measurement unit 5 is applied to the first information as the change amount, as the shape change amount. The first information can be acquired, for example, by measuring the shape difference by the measurement unit 5 while changing the relative position between the mold 1 and the substrate 2 in the contact state.

ここで、第1情報は、インプリント処理を行う際の条件(インプリント条件)に応じて異なりうる。そのため、制御部8は、インプリント条件ごとに第1情報を複数有しておき、その中から、使用するインプリント条件に対応する第1情報を選択するとよい。インプリント条件は、例えば、インプリント材の種類(インプリント材の特性)、ショット領域上に形成すべきインプリント材の厚さ、およびパターン領域1aに形成されたパターンの形状(使用すべきモールド1)のうち少なくとも1つを含みうる。インプリント材の特性とは、例えば、インプリント材の粘弾性特性、粘性率、弾性率、剛性などを含みうる。   Here, the first information may differ depending on conditions (imprint conditions) when performing imprint processing. Therefore, the control unit 8 may have a plurality of first information for each imprint condition, and select the first information corresponding to the imprint condition to be used from among the first information. The imprint conditions include, for example, the type of imprint material (imprint material characteristics), the thickness of the imprint material to be formed on the shot area, and the shape of the pattern formed on the pattern area 1a (mold to be used). 1) may be included. The characteristics of the imprint material can include, for example, viscoelastic properties, viscosity, elastic modulus, rigidity, and the like of the imprint material.

また、制御部は、計測部により計測された位置ずれ量に基づいて、当該位置ずれ量を補正するためにモールド1と基板2との相対位置を変更するときの力を一旦求め、求めた力から形状変化量を推定してもよい。この場合、制御部8は、接触状態におけるモールド1と基板2との相対位置の変更量と、当該変更量だけモールド1と基板2との相対位置を変更させるための力(せん断力ともいう(以下、せん断力と称する))との関係を示す第2情報を有する。さらに、制御部8は、せん断力と、当該せん断力によるパターン領域1aとショット領域2aとの相対的な変形量との関係を示す第3情報を有する。そして、制御部8は、計測部5によって計測された位置ずれ量を変更量として第2情報に適用してせん断力を求め、求めたせん断力を第3情報に適用したときに得られる変形量を、形状変化量として推定(決定)する。   Further, the control unit once obtains the force for changing the relative position between the mold 1 and the substrate 2 in order to correct the misregistration amount based on the misregistration amount measured by the measurement unit. From the above, the amount of change in shape may be estimated. In this case, the control unit 8 changes the relative position between the mold 1 and the substrate 2 in the contact state, and a force (also called a shearing force) for changing the relative position between the mold 1 and the substrate 2 by the change amount ( Hereinafter, it has the 2nd information which shows the relationship with the shear force)). Further, the control unit 8 has third information indicating the relationship between the shear force and the relative deformation amount of the pattern region 1a and the shot region 2a due to the shear force. And the control part 8 calculates | requires shear force by applying the positional offset amount measured by the measurement part 5 to 2nd information as change amount, and the deformation amount obtained when the calculated | required shear force is applied to 3rd information Is estimated (determined) as a shape change amount.

ここで、第2情報は、インプリント条件に応じて異なりうる。そのため、制御部8は、インプリント条件ごとに第2情報を複数有しておき、その中から、使用するインプリント条件に対応する第2情報を選択するとよい。一方、第3情報は、使用すべきモールド1の種類に応じて異なりうるが、インプリント材の種類やインプリント材の厚さによっては殆ど変らない。そのため、制御部8は、使用すべきモールドの種類ごとに第3情報を有しておけばよい。   Here, the second information may differ depending on the imprint conditions. Therefore, the control unit 8 may have a plurality of second information for each imprint condition, and select the second information corresponding to the imprint condition to be used from among the second information. On the other hand, the third information may vary depending on the type of the mold 1 to be used, but hardly changes depending on the type of the imprint material and the thickness of the imprint material. Therefore, the control part 8 should just have 3rd information for every kind of mold which should be used.

上述したように、本実施形態のインプリント装置10は、計測部5により計測された位置ずれ量に基づいて形状変化量を推定し、推定された形状変化量に基づいて変形部9を制御する。これにより、計測工程と補正工程とを繰り返す回数を低減することができ、スループットを向上させることができる。   As described above, the imprint apparatus 10 according to the present embodiment estimates the shape change amount based on the positional deviation amount measured by the measurement unit 5 and controls the deformation unit 9 based on the estimated shape change amount. . Thereby, the frequency | count of repeating a measurement process and a correction process can be reduced, and a through-put can be improved.

<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態のインプリント装置について説明する。第2実施形態のインプリント装置は、第1実施形態のインプリント装置10を引き継ぐものであり、以下では第1実施形態と異なる点のみを説明する。第1実施形態では、計測部5により計測された位置ずれ量に基づいて形状変化量を推定する例について説明した。一方、第2実施形態では、位置ずれ量が補正されるようにモールド1と基板2との相対位置を変更するためにモールド1および基板2の少なくとも一方に加えられる力に基づいて、形状変化量を推定する例について説明する。本実施形態では、モールド1および基板2の少なくとも一方に加えられる力として、モールド保持部3および基板ステージ4の少なくとも一方で発生させた駆動力(以下では、単に「駆動力」と言うことがある)を用いる例を説明する。しかしながら、駆動力に限られるものではなく、例えば、モールド1および基板2の少なくとも一方に加えられた力を実際に計測した結果を用いてもよい。
Second Embodiment
An imprint apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The imprint apparatus according to the second embodiment takes over the imprint apparatus 10 according to the first embodiment, and only differences from the first embodiment will be described below. In the first embodiment, the example in which the shape change amount is estimated based on the positional deviation amount measured by the measurement unit 5 has been described. On the other hand, in the second embodiment, the shape change amount is based on the force applied to at least one of the mold 1 and the substrate 2 in order to change the relative position between the mold 1 and the substrate 2 so that the displacement amount is corrected. An example in which is estimated will be described. In the present embodiment, the force applied to at least one of the mold 1 and the substrate 2 may be referred to as a driving force generated in at least one of the mold holding unit 3 and the substrate stage 4 (hereinafter simply referred to as “driving force”). ) Will be described. However, it is not limited to the driving force, and for example, a result obtained by actually measuring the force applied to at least one of the mold 1 and the substrate 2 may be used.

図8は、接触状態でのモールド1と基板2との位置合わせの制御を示すブロック図である。計測部5により計測された位置ずれ量11および形状差21は、減算器12および22に入力される。減算器12は、計測部5により計測された位置ずれ量11と目標値13(例えば零)との偏差14を基板ステージ4に供給する。基板ステージ4は、減算器12から供給された偏差14に基づいて移動し、パターン領域1a(モールド1)とショット領域2a(基板2)との相対位置を変更する。このとき、上述したように、モールド1と基板2との相対位置の変更により、形状変化が外乱15として生じうる。そのため、推定部8a(制御部8)は、偏差14(位置ずれ)が補正されるようにモールド1と基板2との相対位置を変更したときに基板ステージ4で発生した駆動力17に基づいて形状変化量を推定し、その形状変化量の推定値16を加算器25に供給する。形状変化量を推定する方法については後述する。ここで、減算器22、加算器25、および変形部9の動作は、第1実施形態において図6を参照しながら説明した動作内容と同様である。   FIG. 8 is a block diagram showing control of alignment between the mold 1 and the substrate 2 in the contact state. The positional deviation amount 11 and the shape difference 21 measured by the measuring unit 5 are input to the subtracters 12 and 22. The subtractor 12 supplies a deviation 14 between the positional deviation amount 11 measured by the measuring unit 5 and a target value 13 (for example, zero) to the substrate stage 4. The substrate stage 4 moves based on the deviation 14 supplied from the subtractor 12, and changes the relative position between the pattern region 1a (mold 1) and the shot region 2a (substrate 2). At this time, as described above, a change in shape may occur as the disturbance 15 due to a change in the relative position between the mold 1 and the substrate 2. Therefore, the estimation unit 8a (control unit 8) is based on the driving force 17 generated in the substrate stage 4 when the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is changed so that the deviation 14 (positional deviation) is corrected. The shape change amount is estimated, and the estimated value 16 of the shape change amount is supplied to the adder 25. A method for estimating the shape change amount will be described later. Here, the operations of the subtracter 22, the adder 25, and the deforming unit 9 are the same as the operations described in the first embodiment with reference to FIG.

次に、形状変化量を推定する方法について説明する
例えば、制御部8は、駆動力と、当該駆動力によるパターン領域1aとショット領域2aとの相対的な変形量との関係を示す第4情報(例えば式)を有し、その第4情報に基づいて形状変化量を推定する。具体的には、制御部8は、計測部5によって計測された位置ずれ量を補正するための駆動力を第4情報に適用したときに得られる変形量を、形状変化量として推定(決定)する。駆動力は、例えば、モールド保持部3および基板ステージ4の少なくとも一方のアクチュエータに供給した電圧値または電流値から求められうる。また、第4情報は、例えば、接触状態において駆動力を変化させながら計測部5によって形状差を計測することによって取得されうる。ここで、第4情報は、インプリント条件に応じて異なりうるため、制御部8は、インプリント条件ごとに第4情報を複数有しておき、その中から、使用するインプリント条件に対応する第4情報を選択するとよい。
Next, a method for estimating the shape change amount will be described. For example, the control unit 8 includes fourth information indicating the relationship between the driving force and the relative deformation amount between the pattern region 1a and the shot region 2a due to the driving force. (E.g., an equation), and the shape change amount is estimated based on the fourth information. Specifically, the control unit 8 estimates (determines) the deformation amount obtained when the driving force for correcting the displacement amount measured by the measurement unit 5 is applied to the fourth information as the shape change amount. To do. The driving force can be obtained from, for example, a voltage value or a current value supplied to at least one actuator of the mold holding unit 3 and the substrate stage 4. The fourth information can be acquired, for example, by measuring the shape difference by the measurement unit 5 while changing the driving force in the contact state. Here, since the fourth information may differ depending on the imprint condition, the control unit 8 has a plurality of fourth information for each imprint condition, and corresponds to the imprint condition to be used. The fourth information may be selected.

第4情報は、接触状態におけるモールド1および基板2に振動を加えることによっても取得することができる。例えば、モールド保持部3および基板ステージ4の少なくとも一方によってモールド1および基板2に、時間に対して周波数が変わるように振動(スイープ振動)を加える。または、周波数が互いに異なる複数の正弦波振動を加えてもよい。これにより、モールド1および基板2の少なくとも一方に加えられる力と、モールド1と基板2との相対位置との関係についての周波数応答が分かる。この周波数応答によりインプリント材の粘弾性を算出することができ、算出されたインプリント材の粘弾性から数値シミュレーションなどを用いて第4情報を求めることができる。   The fourth information can also be obtained by applying vibration to the mold 1 and the substrate 2 in the contact state. For example, vibration (sweep vibration) is applied to the mold 1 and the substrate 2 by at least one of the mold holding unit 3 and the substrate stage 4 so that the frequency changes with time. Alternatively, a plurality of sinusoidal vibrations having different frequencies may be applied. Thereby, the frequency response about the relationship between the force applied to at least one of the mold 1 and the substrate 2 and the relative position between the mold 1 and the substrate 2 is known. The viscoelasticity of the imprint material can be calculated from this frequency response, and the fourth information can be obtained from the calculated viscoelasticity of the imprint material using a numerical simulation or the like.

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給(塗布)されたインプリント材に上記のインプリント装置(インプリント方法)を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of Method for Manufacturing Article>
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable, for example, for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. In the method of manufacturing an article according to the present embodiment, a pattern is formed on the imprint material supplied (applied) to the substrate using the above-described imprint apparatus (imprint method), and the pattern is formed in this process. Processing the substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。   The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles, or temporarily when various articles are manufactured. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図9(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 9A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 1z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図9(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図9(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 9B, the imprint mold 4z is made to face the imprint material 3z on the substrate with the side having the concave / convex pattern formed thereon. As shown in FIG. 9C, the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in a gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図9(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 9D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the die 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図9(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図9(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 9 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the grooves 5z and Become. As shown in FIG. 9 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

1:モールド、1a:パターン領域、2:基板、2a:ショット領域、3:モールド保持部、4:基板ステージ、5:計測部、6:硬化部、7:供給部、8:制御部、9:変形部、10:インプリント装置 1: mold, 1a: pattern region, 2: substrate, 2a: shot region, 3: mold holding unit, 4: substrate stage, 5: measurement unit, 6: curing unit, 7: supply unit, 8: control unit, 9 : Deformation unit, 10: imprint apparatus

Claims (11)

パターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記パターン領域および前記ショット領域の少なくとも一方を変形させる変形部と、
前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれ量を計測する計測部と、
前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において、前記計測部による計測結果に基づいて、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれが補正されるように前記モールドと前記基板との相対位置を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記位置ずれを補正するための前記相対位置の制御に起因して生じうる前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な形状変化量を推定し、推定された前記形状変化量に基づいて前記変形部を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a shot region of a substrate using a mold having a pattern region,
A deforming portion that deforms at least one of the pattern region and the shot region;
A measurement unit for measuring a positional deviation amount between the pattern region and the shot region;
In a state where the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other, the mold and the shot area are corrected based on the measurement result of the measurement unit so that the positional deviation between the pattern area and the shot area is corrected. A control unit for controlling the relative position to the substrate;
Including
The control unit estimates a relative shape change amount between the pattern region and the shot region that may be generated due to the control of the relative position for correcting the positional deviation, and the estimated shape change amount The imprinting apparatus characterized by controlling the said deformation | transformation part based on.
前記制御部は、前記位置ずれが補正されるように前記相対位置の制御を行いながら、推定された前記形状変化量に基づいて前記変形部を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   The said control part controls the said deformation | transformation part based on the estimated said amount of shape changes, controlling the said relative position so that the said position shift is correct | amended. Imprint device. 前記制御部は、前記位置ずれが補正されるように前記相対位置の制御を行った後に、推定された前記形状変化量に基づいて前記変形部を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   2. The control unit according to claim 1, wherein the control unit controls the deformation unit based on the estimated shape change amount after controlling the relative position so that the positional deviation is corrected. The imprint apparatus described. 前記計測部は、前記パターン領域と前記ショット領域との形状差を前記位置ずれ量とともに計測し、
前記制御部は、推定された前記形状変化量と前記計測部により計測された前記形状差とを合わせた値に基づいて前記変形部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
The measurement unit measures a shape difference between the pattern region and the shot region together with the positional deviation amount,
The said control part controls the said deformation | transformation part based on the value which match | combined the said amount of shape changes estimated and the said shape difference measured by the said measurement part, Among Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The imprint apparatus according to any one of the above.
前記制御部は、前記計測部により計測された前記位置ずれ量に基づいて前記形状変化量を推定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   5. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the control unit estimates the shape change amount based on the displacement amount measured by the measurement unit. 前記制御部は、前記モールドと前記基板との相対位置の変更量と、当該変更量による前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な変形量との関係を示す情報を有し、前記計測部により計測された前記位置ずれ量を前記変更量として前記情報に適用したときに得られる前記変形量を前記形状変化量として推定する、ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。   The control unit has information indicating a change amount of a relative position between the mold and the substrate, and a relationship between a relative deformation amount of the pattern region and the shot region according to the change amount, and the measurement unit The imprint apparatus according to claim 5, wherein the deformation amount obtained when the positional deviation amount measured by the method is applied to the information as the change amount is estimated as the shape change amount. 前記制御部は、前記位置ずれを補正するために前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方を駆動する駆動力に基づいて前記形状変化量を推定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   The said control part estimates the said amount of shape changes based on the driving force which drives at least one of the said mold and the said board | substrate in order to correct | amend the said position shift, Any one of the Claims 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned. The imprint apparatus according to claim 1. 前記制御部は、前記モールドおよび前記基板の少なくとも一方に加えられる力と、当該力による前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な変形量との関係を示す情報を有し、前記位置ずれを補正するための前記駆動力を前記力として前記情報に適用したときに得られる前記変形量を前記形状変化量として推定する、ことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。   The control unit has information indicating a relationship between a force applied to at least one of the mold and the substrate and a relative deformation amount of the pattern region and the shot region due to the force, and the positional deviation is determined. The imprint apparatus according to claim 7, wherein the deformation amount obtained when the driving force for correction is applied to the information as the force is estimated as the shape change amount. 前記変形部は、前記モールドの側面に力を加えて前記パターン領域を変形させる機構、および前記基板に熱を加えて前記ショット領域を変形させる機構のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   The deformation portion includes at least one of a mechanism for deforming the pattern region by applying a force to a side surface of the mold and a mechanism for deforming the shot region by applying heat to the substrate. Item 9. The imprint apparatus according to any one of Items 1 to 8. 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
A forming step of forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 9,
Processing the substrate on which the pattern is formed in the forming step, and
A method for manufacturing an article, wherein the article is manufactured from the substrate processed in the processing step.
パターン領域を有するモールドを用いて、基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれ量を計測する計測工程と、
前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態において、前記計測工程での計測結果に基づいて、前記パターン領域と前記ショット領域との位置ずれが補正されるように前記モールドと前記基板との相対位置を制御する制御工程と、
前記位置ずれを補正するための前記相対位置の制御に起因して生じうる前記パターン領域と前記ショット領域との相対的な形状変化量を推定する推定工程と、
前記推定工程で得られた前記形状変化量に基づいて、前記パターン領域および前記ショット領域の少なくとも一方を変形させる変形工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a shot region of a substrate using a mold having a pattern region,
A measurement step of measuring a positional deviation amount between the pattern region and the shot region;
In a state where the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other, the mold and the mold area are corrected based on the measurement result in the measurement step so that the positional deviation between the pattern area and the shot area is corrected. A control step for controlling the relative position with the substrate;
An estimation step for estimating a relative shape change amount between the pattern region and the shot region that may be caused by the control of the relative position for correcting the positional deviation;
A deformation step of deforming at least one of the pattern region and the shot region based on the shape change amount obtained in the estimation step;
The imprint method characterized by including.
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