JP2018137263A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液から発生するヒュームを効率良く排出する。【解決手段】基板処理装置は、基板の保持部材と、保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、処理液供給機構と、内側ガードと、内側ガードの外側に設けられた外側ガードと、当該流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、を備え、流路の通気抵抗は、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が小さく、基板の上方の部分のうち内側ガードの上端よりも上方で、かつ、外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が基板の上方から排気口側に向けて主に流れるように、内側ガードと外側ガードとが設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）の表面に、処理液を供給する基板処理技術に関する。

半導体装置等の製造工程では、選択的エッチングや選択的イオン注入のために、基板の表面にレジストのパターンが形成される。その後、レジストを基板上から剥離するためのレジスト剥離処理が行われる。レジスト剥離を液処理で行う場合に使用されるレジスト剥離液には、たとえば、硫酸と過酸化水素水との混合液（硫酸過酸化水素水混合液。ＳＰＭ：sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture）が用いられる。ＳＰＭは、強い酸化力をもつペルオキソ一硫酸を含み、かつ、硫酸と過酸化水素水との混合時に生じる反応熱によって液温が上昇するので、高いレジスト除去能力を発揮する。ＳＰＭは、装置および処理プロセスの許容範囲内で高温であるほどレジスト除去能力も向上するので、ヒーター等によって、さらに加熱される場合もある。

高温のＳＰＭが、レジストパターンが形成された基板の表面に供給されると、高温のＳＰＭとレジストが反応して、レジスト酸化した物質、硫酸由来の成分、およびレジストから分解して蒸発した水の蒸気などを成分に含むガス状のＳＰＭヒューム（以下、単に「ヒューム」とも称する）が多量に発生し、基板の表面から拡散する。チャンバー内で浮遊しているヒュームや、基板の上方の遮断板等に付着したヒュームが基板に付着するとパーティクルになるという問題を生ずる。このため、発生したヒュームを効率良く排出できる技術が求められている。

レジスト剥離工程以外の工程で、処理液から発生する気体を排出する技術として、特許文献１には、現像工程において基板上から揮発した現像液から成る気体を、ガードに囲まれた基板の上方空間から排出しつつ、現像処理を行う基板処理装置が示されている。当該装置は、基板を保持しつつ回転する基板回転機構と、基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構と、基板回転機構に保持された基板を囲むガード（「スプラッシュガード」、「カップ」とも称する）と、ガード内の気体を排出する排気機構と、ガードにおける基板の裏面側に設けられた排気口と、ガード内において基板の周縁に沿って形成され、表面側から裏面側に気体を導く流路とを備える。当該流路は、排気口から離れるのに応じて通気抵抗が小さくなるように構成されている。

流路の通気抵抗が基板の周方向において均一である場合には、気体は流路のうち排気口に近い部分を通り易くなるのに対して、特許文献１の装置では、流路は、排気口から離れるのに応じて通気抵抗が小さくなるように構成されている。このため、流路のうち排気口から離れた部分にも当該気体が回り込み易くなる。すなわち、当該装置は、排気口から離れるのに応じて通気抵抗が小さくなる流路をガード内に設けることによって、揮発した現像液からなる気体を基板の中央部から周縁部の各箇所へ均一な流量で流し、当該気体の排気効率の向上を図っている。

特開２０１５−５６６２６号公報

ＳＰＭヒュームを排出するために、現像工程に適用される特許文献１のガードの構成を、レジスト剥離工程にも適用する手法が考えられる。しかし、現像工程において現像液から揮発する気体に比べて、レジスト剥離工程では極めて多量のヒュームが発生する。このため、特許文献１の装置構成を用いた場合には、多量のヒュームに対して装置の排出能力が不足し、ガードが囲む空間にヒュームが滞留してしまう。

また、特許文献１の装置の排気機構は、工場の排気設備等に接続される。当該排気設備には、通常、当該基板処理装置を含む複数の装置が接続する。当該排気設備は、これに接続する各装置に、予め定められた排気用力を割り当てて各装置の排気を行う。このため、特許文献１の装置に割り当てられる排気用力を増大させることによって、ヒュームの排気効率を向上させる手法も採れない。

本発明は、基板処理工程において発生するヒュームを効率良く排出できる技術を提供することを目的とし、特に、レジスト剥離工程におけるヒューム発生に例示されるような多量のヒュームを効率良く排出する技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を略水平姿勢で保持しつつ回転可能な保持部材と、前記保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構と、前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、を備え、前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記回転軸に対向しており、前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられている。

第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い。

第３の態様に係る基板処理装置は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している。

第４の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している。

第５の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している。

第６の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している。

第７の態様に係る基板処理装置は、第１から第６の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第１半直線を定義し、前記回転軸を中心に前記第１半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第２半直線を定義したとき、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第２半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い。

第８の態様に係る基板処理装置は、第１から第７の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記処理液供給機構は、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するノズルを備え、前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である。

第９の態様に係る基板処理方法は、保持部材によって基板を略水平姿勢で保持しつつ回転させる基板処理装置による基板処理方法であって、前記基板処理装置は、前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、を備え、前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記基板の回転軸に対向しており、前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられており、当該基板処理方法は、基板を略水平姿勢で保持しつつ回転軸を中心に回転させる回転ステップと、前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給ステップと、を備える。

第１０の態様に係る基板処理方法は、第９の態様に係る基板処理方法であって、前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い。

第１１の態様に係る基板処理方法は、第１０の態様に係る基板処理方法であって、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している。

第１２の態様に係る基板処理方法は、第１１の態様に係る基板処理方法であって、前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している。

第１３の態様に係る基板処理方法は、第１１の態様に係る基板処理方法であって、前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している。

第１４の態様に係る基板処理方法は、第１１の態様に係る基板処理方法であって、前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している。

第１５の態様に係る基板処理方法は、第９から第１４の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第１半直線を定義し、前記回転軸を中心に前記第１半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第２半直線を定義したとき、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第２半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い。

第１６の態様に係る基板処理方法は、第９から第１５の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理液供給ステップは、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するステップであり、前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である。

第１の態様に係る発明によれば、基板の上方の部分のうち内側ガードの上端よりも上方で、かつ、外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が基板の上方から排気口側に向けて主に流れるように、内側ガードと外側ガードとの間に形成される流路の通気抵抗が、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が小さい。従って、基板に供給された処理液から発生するヒュームは、排気口側に向かう基板の上方の気流によって、流路のうち排気口側の部分から効率良く流路に導入されて、排気ダクトを経て効率良く外部に排出される。

第２の態様に係る発明によれば、内側ガードの側壁と、外側ガードの側壁との間隔は、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が広いので、流路の通気抵抗は、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が小さくなる。

第３の態様に係る発明によれば、内側ガードの側壁と、外側ガードの側壁との間隔が、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が広くなるように、内側ガードに対して外側ガードが相対的に偏心している。従って、内側ガードの側壁と、外側ガードの側壁との間隔が、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が広くなる構成を容易に実現できる。

第７の態様に係る発明によれば、前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第１半直線を定義し、前記回転軸を中心に前記第１半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第２半直線を定義したとき、前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第２半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い。当該箇所は、ヒュームの粘性と、基板の回転との影響によってヒュームが集まり易く、当該箇所からヒュームを効率良く流路に導入できるので、基板の回転による遠心力の影響によってヒュームの排気効率が低下することを抑制できる。

第８の態様に係る発明によれば、処理液供給機構のノズルは、基板の表面のうち基板の中心に対して排気口側の着液位置に処理液を吐出する。着液位置は、着液位置に吐出された処理液が基板の表面に形成する液膜が基板の中心を覆う位置である。ヒュームは、処理液の着液位置の近傍において多く発生するので基板の中心よりも排気口側で多く発生する。このため、発生したヒュームを流路の排気口側の部分から効率良く排出できる。

第９の態様に係る発明によれば、基板の上方の部分のうち内側ガードの上端よりも上方で、かつ、外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が基板の上方から排気口側に向けて主に流れるように、内側ガードと外側ガードとの間に形成される流路の通気抵抗が、回転軸に対して排気口とは反対側よりも排気口側の方が小さい。従って、基板に供給された処理液から発生するヒュームは、排気口側に向かう基板の上方の気流によって、流路のうち排気口側の部分から効率良く流路に導入されて、排気ダクトを経て効率良く外部に排出される。

実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明するための側面模式図である。 図１の基板処理装置の構成例を説明するための上面模式図である。 比較技術に係る基板処理装置において発生するヒュームの流れを説明するための側面模式図である。 図１の基板処理装置において発生するヒュームの流れを説明するための側面模式図である。 図１の回転軸と内側ガードと外側ガードとの配置関係の一例を示す上面模式図である。 図１の回転軸と内側ガードと外側ガードとの配置関係の一例を示す上面模式図である。 図１の回転軸と内側ガードと外側ガードとの配置関係の一例を示す上面模式図である。 図１の基板処理装置のノズルによる処理液の吐出を説明するための断面模式図である。 図１の基板処理装置のノズルによる処理液の吐出を説明するための平面模式図である。 図１の基板処理装置のノズルの他の例と、当該ノズルによる処理液の吐出を説明するための断面模式図である。 実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図１の内側ガードと外側ガードの構成の一例を示す側面模式図である。 図１の内側ガードと外側ガードの構成の一例を示す側面模式図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンチャックに対して基板側が上である。

＜実施形態について＞
＜１．基板処理装置１の全体構成＞
基板処理装置１の構成について、図１〜図２を参照しながら説明する。図１〜図２は、実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための図である。図１、図２は、基板処理装置１の側面模式図、上面模式図である。

図１、図２では、ノズル５１が基板９の中心ｃ１の上方に配置された状態で、基板９がスピンベース２１によって回転軸ａ１周りに所定の回転方向（矢印ＡＲ１の方向）に回転している状態が示されている。より詳細には、図１、図２では、ノズル５１が基板９の周縁部の上方と、中心ｃ１の上方との間で、経路Ｔ１に沿って走査されている状態が示されている。また、図２には、退避位置に配置されたノズル５１等が仮想線で示されている。図２では、基板処理装置１の構成要素のうち処理部５の処理液供給部８３等の一部の構成要素の記載は省略されている。また、図２では、中部材３１１の側壁３１１Ａのうち外周壁部３１１２が示されるとともに、外部材３１２の側壁３１２Ａのうち内周壁部３１２１が示されており、上壁３１１Ｂ、上壁３１２Ｂの記載は省略されている。ノズル５１が処理液として高温のＳＰＭを基板に供給して基板９の上面に形成されているレジストのパターンを剥離するレジスト剥離処理を行う場合には、高温のＳＰＭと基板上のレジストとが反応してヒュームＦ１が発生する。

基板９の表面形状は略円形である。基板９の基板処理装置１への搬入搬出は、ノズル５１、スプラッシュガード３１等が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置１に搬入された基板９は、スピンベース２１により着脱自在に保持される。

基板処理装置１は、箱形のチャンバー１１、スピンチャック２、飛散防止部３、処理部５、ノズル移動機構６、排気ダクト７、対向部１０９および制御部１３０を備える。これら各部２〜３、５〜６、１０９は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。

＜２．基板９＞
基板処理装置１にて処理対象とされる基板９の表面形状は略円形である。基板９の半径は、例えば、１５０ｍｍである。基板９は、予め、デバイス面である上面にレジストを塗布された後、露光、現像、エッチング等の処理を経て、不純物注入と活性化処理をされている。基板９の上面には、エッチングされた導電体の微細パターンの上に、レジストのパターンが残存しており、基板９は、次にレジスト剥離処理（レジスト除去処理）を施される段階であるものとする。基板処理装置１は、ノズル５１から基板９に処理液としてＳＰＭを供給して基板９のレジストを剥離するレジスト剥離処理を行う。

＜３．基板処理装置１の各部の構成＞
＜チャンバー１１＞
チャンバー１１は、スピンチャック２やノズル等を収容する。チャンバー１１の上部には、チャンバー１１内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１２が設けられている。ＦＦＵ１２は、基板９の処理中にチャンバー１１内に清浄空気の下向きの気流（「下降流」）を発生させる。

チャンバー１１の下部には、基板処理装置１の外部の排気設備９９に連通する排気ダクト７が接続している。排気ダクト７は、後述するスプラッシュガード３１の中部材３１１と外部材３１２との間に形成される流路ＣＡ内の気体を排気設備９９に導く。

＜スピンチャック２＞
スピンチャック（「回転保持機構」）２は、基板９を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。スピンチャック２は、基板９を、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に回転させる。基板処理装置１が処理液としてＳＰＭを用いるときには、基板処理装置１は、例えば、１００ｒｐｍの回転速度で基板９を回転させる。

スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース（「保持部材」、「基板保持部」）２１を備える。スピンベース２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように設けられている。スピンベース２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、サーボモータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線まわりに回転駆動する。従って、スピンベース２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１を中心に回転可能である。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンベース２１を、回転軸ａ１を中心に回転させる回転機構２３１である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。

スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）のチャックピン２５が設けられている。チャックピン２５は、基板９の端面と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で着脱可能に保持する。すなわち、チャックピン２５は、スピンベース２１の上面から隙間を隔てた基板９の周縁部を保持する。これにより、スピンベース２１は、チャックピン２５を介して基板９を下方から略水平に保持する。スピンベース２１の上面は、基板９の下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。

この構成において、スピンベース２１が基板９を吸着保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸線周りで回転される。これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に矢印ＡＲ１方向に回転される。

なお、スピンチャック２としては、挟持式のものに限らず、例えば、基板９の裏面を真空吸着することにより、基板９を水平姿勢で保持する真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。

＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部３は、スプラッシュガード３１を備える。スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンベース２１を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード３１は、例えば、内部材３１０、中部材（「内側ガード」とも称する）３１１、および、外部材（「外側ガード」とも称する）３１２の３個の部材を含んで構成されている。なお、スプラッシュガード３１の外側に、スピンチャック２を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。

内部材３１０は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部３１０１と、底部３１０１の内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部３１０２と、底部３１０１の外側縁部から上方に延びる円筒状の案内壁３１０３と、を備える。内壁部３１０２の少なくとも先端付近は、スピンベース２１のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。

底部３１０１の下端部分には、内壁部３１０２と案内壁３１０３との間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。内壁部３１０２と案内壁３１０３との間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

中部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１０の外側に設けられている。中部材３１１は、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿ってスピンベース２１の周囲を取り囲んでいる。すなわち、中部材３１１は、スピンベース２１に保持された基板９の端縁に沿って基板９を取り囲んでいる。中部材３１１は、その上部（「上端側部分」、「上端部分」）を成して、回転軸ａ１を取り囲んでいる環状の上壁３１１Ｂと、上壁３１１Ｂの外周縁部からスピンベース２１の側面（端縁）に沿ってスピンベース２１の周囲を取り囲んで下方に延設された筒形状の側壁３１１Ａとを含んでいる。上壁３１１Ｂは内側上方に向かって延びている。すなわち、上壁３１１Ｂは、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。

中部材３１１の下部である側壁３１１Ａは、スピンベース２１に対向して下方に延びる円筒状の内周壁部３１１１と、内周壁部３１１１の外側に設けられ、内周壁部３１１１に沿って下方に延びる円筒状の外周壁部３１１２とを含んでいる。内部材３１０の案内壁３１０３は、中部材３１１の内周壁部３１１１と外周壁部３１１２との間に収容される。また、外周壁部３１１２の下端は、円環状の底部３１１３の内側縁部に着設される。底部３１１３の外側縁部からは、上方に延びる円筒状の案内壁３１１４が立設されている。中部材３１１として、例えば、側壁３１１Ａと上壁３１１Ｂとのうち側壁３１１Ａのみを備える部材が採用されてもよい。

外部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材３１１との間に流路ＣＡを形成するように中部材３１１の外側に設けられている。流路ＣＡは、外部材３１２の内側に存在する気体を導入して排気ダクト７１へと導く。換言すれば、流路ＣＡは、基板９の上方の気体を導く。外部材３１２は、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って中部材３１１の周囲、すなわちスピンベース２１の周囲をスピンベース２１の側面（端縁）に沿って取り囲んでいる。すなわち、外部材３１２は、スピンベース２１に保持された基板９の端縁に沿って基板９を取り囲んでいる。外部材３１２は、その上部（「上端側部分」、「上端部分」）を成して、回転軸ａ１を取り囲んでいる環状の上壁３１２Ｂと、上壁３１２Ｂの外周縁部からスピンベース２１の周囲を取り囲んで下方に延設された筒形状の側壁３１２Ａとを含んでいる。上壁３１２Ｂは、内側上方に向かって延びている。すなわち、上壁３１２Ｂは、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。

側壁３１２Ａは、その下部に、円筒状の内周壁部３１２１と円筒状の外周壁部３１２２とを含んでいる。内周壁部３１２１は、中部材３１１の外周壁部３１１２と案内壁３１１４とに対向して外周壁部３１１２に沿って下方に延びている。外周壁部３１２２は、内周壁部３１２１の外側に設けられ、内周壁部３１２１に沿って下方に延びている。中部材３１１の案内壁３１１４は、外部材３１２の内周壁部３１２１と外周壁部３１２２との間に収容される。

スプラッシュガード３１には、これを昇降移動させるスプラッシュガード駆動機構３２が配設されている。スプラッシュガード駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータを備えて構成される。この実施の形態では、スプラッシュガード駆動機構３２は、スプラッシュガード３１が備える３個の部材３１０，３１１，３１２を、独立して昇降させる。

基板９の交換が行われるときには、３個の部材３１０，３１１，３１２は、その上端がスピンベース２１の上面よりも下方に位置する退避位置に位置決めされる。

スピンベース２１に保持された基板９に対して、基板処理装置１が、例えば、不図示のＳＣ１供給機構からＳＣ１を供給して基板９の処理を行う場合には、ＳＣ１はヒュームＦ１を発生させないため、スプラッシュガード３１は、第１処理位置に位置決めされる。スプラッシュガード３１が第１処理位置に配置された状態においては、中部材３１１と外部材３１２とはそれぞれの上壁３１１Ｂ、３１２Ｂが重なった状態で、上壁３１１Ｂ、３１２Ｂのそれぞれの内周縁が基板９の側方よりも少し上方に配置される。

基板９に対してＳＰＭを用いた処理が行われる場合には、ヒュームＦ１が発生するため、スプラッシュガード３１は、第２処理位置に位置決めされる。スプラッシュガード３１が第２処理位置に位置決めされた状態において、中部材３１１は第１処理位置と同じ位置に配置され、外部材３１２は、中部材３１１よりも上方に配置される。具体的には、外部材３１２は、中部材３１１よりも、例えば、２５ｍｍ程度上方に配置される。発生したヒュームＦ１は、中部材３１１の上壁３１１Ｂの内周縁と、外部材３１２の上壁３１２Ｂの内周縁との間から流路ＣＡに導入される。

スプラッシュガード３１が、退避位置、第１処理位置、および第２処理位置の何れの位置に位置決めされた状態においても、中部材３１１の案内壁３１１４は、外部材３１２の内周壁部３１２１と、外周壁部３１２２との間に収容される。また、内部材３１０は、その案内壁３１０３が、中部材３１１の内周壁部３１１１と外周壁部３１１２との間に収容されるように、中部材３１１に対して配置される。

スプラッシュガード駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３１の位置（具体的には、内部材３１０、中部材３１１、および、外部材３１２各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。なお、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側において、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとが重なっていてもよい。

中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなるように設定されている。

中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなるように、中部材３１１に対して外部材３１２が相対的に偏心している。図１、図２に示される例では、スピンベース２１と、内部材３１０と、中部材３１１とのそれぞれの中心軸は一致している。外部材３１２の中心軸は、中部材３１１の中心軸に対して排気口７１ａ側に偏心している。当該偏心によって、外部材３１２の内周壁部３１２１と外周壁部３１２２に収容されている中部材３１１の案内壁３１１４は、内周壁部３１２１と外周壁部３１２２とに対して移動する。このため、内周壁部３１２１と外周壁部３１２２との間隔は、案内壁３１１４の当該相対移動が可能な間隔に設定されている。

図５〜図７は、基板９（スピンベース２１）の中心ｃ１（回転軸ａ１）と、中部材３１１と外部材３１２との配置関係の一例をそれぞれ示す上面模式図である。図５〜図７では、基板９と、基板処理装置１のうち中部材３１１の側壁３１１Ａ、外部材３１２の側壁３１２Ａ、および排気口７１ａが表示され、他の要素の記載は省略されている。また、側壁３１１Ａ、３１２Ａは、基板９の平面視において円形に形成されている。図５〜図７の何れにおいても中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなるように設定されている。図５〜図７では、平面視において、回転軸ａ１と、排気口７１ａの中心とを結ぶ直線上に中部材３１１の中心ｂ１と、外部材３１２の中心ｂ２とが位置している。図５〜図７においても、側壁３１１Ａと側壁３１２Ａとの間隔は、当該直線上において、排気口７１ａ側で互いに等しい最大値Ｄ１となり、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側で互いに等しい最小値Ｄ２となっている。

図５の例では、図１、図２と同様に、基板９（スピンベース２１）の中心ｃ１（回転軸ａ１）と、中部材３１１の中心ｂ１とが一致している。外部材３１２の中心ｂ２は、中部材３１１の中心ｂ１（スピンベース２１の回転軸ａ１）に対して排気口７１ａ側にずれている。すなわち、中部材３１１は、スピンベース２１の回転軸ａ１に対して偏心しておらず、外部材３１２は、スピンベース２１の回転軸ａ１に対して排気口７１ａ側に偏心した状態で配置されている。

また、スピンベース２１と内部材３１０と外部材３１２との中心軸が一致しており、中部材３１１の中心軸が、外部材３１２の中心軸に対して基板９の径方向に沿って排気ダクト７１とは反対側に偏心されてもよい。

図６の例では、回転軸ａ１（中心ｃ１）と、外部材３１２の中心ｂ２とが一致している。中部材３１１の中心ｂ１は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側にずれている。すなわち、外部材３１２は、回転軸ａ１に対して偏心しておらず、中部材３１１は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側に偏心した状態で配置されている。

図７の例では、回転軸ａ１（中心ｃ１）と、中部材３１１の中心ｂ１と、外部材３１２の中心ｂ２とは、互いに異なっている。中心ｂ１は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側にずれている。中心ｂ２は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａ側にずれている。すなわち、中部材３１１は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側に偏心した状態で配置されている。外部材３１２は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａ側に偏心した状態で配置されている。

図５における回転軸ａ１に対する外部材３１２の中心ｂ２の偏心量と、図６における回転軸ａ１に対する中部材３１１の中心ｂ１の偏心量とは互いに等しい。図７において回転軸ａ１に対する中心ｂ１、ｂ２の偏心量は、互いに等しく、図５（図６）における回転軸ａ１に対する外部材３１２（中部材３１１）の中心ｂ２（中心ｂ１）の偏心量の半分となっている。すなわち、図７に示されるように、回転軸ａ１に対して、中部材３１１と外部材３１２との双方を偏心させれば、何れか一方のみを偏心させる場合に対して、偏心量を少なくしても、側壁３１１Ａと側壁３１２Ａとの間隔を、何れか一方のみを偏心させる場合と同じ間隔にすることができる。

なお、中部材３１１、外部材３１２が略同心の筒状体であって、例えば、外部材３１２の側壁３１２Ａのうち、排気口７１ａの近傍部分が基板９の径方向外側に膨らんでいてもよい。この構成によっても、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなるようにすることができる。また、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの形状は、平面視において円形に限られず、例えば、楕円形や、多角形などでもよい。

中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔は、好ましくは、排気口７１ａの近傍部分のうち排気口７１ａに対してスピンベース２１の回転方向の下流側の部分において最も広くなるように設定される。図２において、第１半直線４１は、基板９の平面視において回転軸ａ１から排気口７１ａの中心に延びる仮想の半直線である。第２半直線４２は、回転軸ａ１を中心に第１半直線４１を基板９の回転方向の下流側へ角度θ回転して得られる仮想の半直線である。角度θは、鋭角である。角度θは、例えば、１０度〜２０度に設定される。

ここで、流路ＣＢは、流路ＣＡのうち側壁３１１Ａ（外周壁部３１１２）と側壁３１２Ａ（内周壁部３１２１）との間の部分である。側壁３１１Ａ（外周壁部３１１２）と側壁３１２Ａ（内周壁部３１２１）との間隔、すなわち流路ＣＢの幅は、平面視において側壁３１１Ａ（外周壁部３１１２）と側壁３１２Ａ（内周壁部３１２１）とが第２半直線４２とそれぞれ交差する箇所（流路ＣＢのうち部分Ｃ１）において最も広い。部分Ｃ１は、流路ＣＢのうち基板９の径方向の幅が最も広い部分である。

上述の角度θは、基板９の回転軸ａ１から部分Ｃ１に向かう方向と、回転軸ａ１から排気ダクト７１に向かう方向とがなす角度である。角度θは、例えば、基板９の回転速度に応じて、この範囲よりも小さい角度とされてもよいし、この範囲よりも大きい角度に設定されてもよい。部分Ｃ１は、回転軸ａ１に対して排気ダクト７１側に位置している。部分Ｃ１の幅Ｄ１は、流路ＣＢのうち回転軸ａ１に対して部分Ｃ１とは反対側の部分Ｃ２の幅Ｄ２よりも大きく、さらに流路ＣＢの各部分の幅の中で最も広い。

中部材３１１と外部材３１２との間に形成される流路ＣＡ内の気体は、後述する排気ダクト７１を経て、基板処理装置１の外部の排気設備９９に排出される。また、ケーシング２４と、中部材３１１との間の部分に存在する気体は、後述する排気ダクト７２、７１を順に経て、排気設備９９に排出される。

中部材３１１と外部材３１２とはスプラッシュガード駆動機構３２によって昇降される。中部材３１１と、中部材３１１とが水平方向（例えば、基板９の径方向）にも移動可能に構成されていることが好ましい。例えば、飛散防止部３が中部材３１１と外部材３１２とを基板９の径方向に移動させるボールネジ機構を備え、基板処理装置１の運転開始に先立って、操作者が当該ボールネジ機構を用いて中部材３１１と外部材３１２との間隔を設定してもよい。飛散防止部３が、中部材３１１に対して外部材３１２を相対的に基板９の径方向に沿って移動させる移動機構を備え、当該移動機構が、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔を変動させてもよい。

＜処理部５＞
処理部（「処理液供給機構」）５は、スピンベース２１上に保持された基板９に対する処理を行う。具体的には、図１の処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の上面に処理液としてＳＰＭと過酸化水素水とを選択的に供給する。処理部５は、ノズル保持部材５０、ノズル５１、および処理液供給部８３を備えている。

ノズル保持部材５０は、ノズル５１を保持する部材である。ノズル保持部材５０は、後述するノズル移動機構６が備える長尺のアーム６３の先端に取り付けられている。アーム６３は、水平面に沿って延在する。

ノズル保持部材５０は、例えば、鉛直面に沿って延在する板状部材によって形成されている。当該ノズル保持部材５０の上端は、アーム６３の先端に取り付けられている。ノズル５１は、当該ノズル保持部材５０の下端部分に、アーム６３の延在方向に沿って、アーム６３とは反対側に突出するように取り付けられている。

図１の例では、処理部５は、処理液として処理液供給部８３から供給される硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭと、過酸化水素水とを、制御部１３０の制御に従って、選択的に吐出することができる。図８は、ノズル５１の構造と、ノズル５１による処理液の吐出を説明するための断面模式図である。図９は、ノズルによる処理液の吐出を説明するための平面模式図である。

ノズル５１は、たとえば略円筒状のケーシングを有している。ノズル５１の上部を形成するケーシングの内部には、混合室５１１が形成されている。ノズル５１は、混合室５１１の下部に、基板９の上面に向かって延在する先端側部分５２を備えている。先端側部分５２は、基板９に対向する下端部を閉鎖する底部５２ｂと、底部５２ｂの周縁から上方に延在する筒形状の側壁部５２ｃと、側壁部５２ｃのうち排気口７１ａ側の部分に設けられた吐出口５２ｃと、を備える。ノズル５１は、混合室５１１で硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液であるＳＰＭを吐出口５２ｃから基板９の上面に吐出する。

処理液供給部８３は、ノズル５１に接続され、硫酸供給源８４１から硫酸が供給される配管８４２と、過酸化水素水供給源８３１から過酸化水素水が供給される配管８３２とを含む。

配管８４２の途中部には、配管８４２を開閉するための開閉弁８４３、流量調整弁８４４およびヒーター８４５が、ノズル５１側からこの順に設けられている。ヒーター８４５は、硫酸を室温よりも高い温度（７０〜１２０℃の範囲内の一定温度。たとえば１００℃）に維持する。硫酸を加熱するヒーター８４５は、図１に示すようなワンパス方式のヒーターであってもよいし、ヒーターを含む循環経路の内部に硫酸を循環させることにより硫酸を加熱する循環方式のヒーターであってもよい。図示はしないが、流量調整弁８４４は、例えば、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整弁についても同様である。

配管８３２の途中部には、配管８３２を開閉するための開閉弁８３３と、流量調整弁８３４とが、ノズル５１側からこの順に設けられている。ノズル５１には、温度調整されていない常温（約２３℃）程度の過酸化水素水が、配管８３２を通して供給される。開閉弁８３３は、制御部１３０による制御により開閉される。

配管８４２は、ノズル５１の混合室５１１を囲む側壁に配置された硫酸用の導入口５１４に接続されている。配管８３２は、ノズル５１のケーシングの側壁において導入口５１４よりも上方に配置された過酸化水素水用の導入口５１３に接続されている。

開閉弁８４３および開閉弁８３３が開かれると、配管８４２からの硫酸が、ノズル５１において導入口５１４から混合室５１１へと供給されるとともに、配管８３２からの過酸化水素水が、ノズル５１において導入口５１３から混合室５１１へと供給される。混合室５１１に流入した硫酸および過酸化水素水は、その内部において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、硫酸と過酸化水素水とが均一に混ざり合い、硫酸と過酸化水素水との反応によって硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid；Ｈ_２ＳＯ_５）を含み、混合前の硫酸および過酸化水素水の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば、１６０℃）まで加熱される。ノズル５１の混合室５１１において生成された高温のＳＰＭは、ノズル５１の先端側部分５２に設けられた吐出口５２ｃから吐出される。

なお、処理部５としてノズル５１の外部で硫酸と過酸化水素水とを予め混合してＳＰＭを生成して必要な加熱等を行い、高温のＳＰＭをノズル５１に供給する構成が採用されてもよい。

図８、図９に示されるように、ノズル５１は、基板９の表面のうち当該ノズル５１の下方部分に対して排気口７１ａ側の着液位置Ｐ１に当たるように処理液（ＳＰＭ）を吐出する。ノズル５１は、基板９の表面のうち先端側部分５２の下方部分（経路Ｔ１）に対して排気口７１ａ側の部分に当たるように処理液を吐出する。ノズル５１の先端側部分５２が、例えば、下方に延びた後に、略水平方向に曲ったＬ字形状のパイプによって構成されてもよい。

着液位置Ｐ１に吐出された処理液の液流Ｌ１は、基板９の上面に平面視において着液位置Ｐ１から周囲へ拡がる液膜２０１を形成する。すなわち、着液位置Ｐ１は、着液位置Ｐ１に吐出された処理液が基板９の表面（上面）に形成する液膜２０１が基板の中心を覆う位置でもある。処理液は、液膜２０１からさらに、その周囲（基板９の径方向外側、かつ、回転方向の下流側の部分）へ流れる。液膜２０１の膜厚は、その周囲の処理液の膜厚よりも厚くなる。後述するノズル移動機構６が、ノズル５１を経路Ｔ１に沿って移動すると、着液位置Ｐ１は、経路Ｔ１に平行な経路Ｔ２に沿って移動する。

基板９に吐出された高温のＳＰＭは、着液位置Ｐ１の近傍において高温であり反応性が高い。ヒュームは、処理液の着液位置Ｐ１の近傍において多く発生するので基板９の中心ｃ１よりも排気口７１ａ側で多く発生する。このため、発生したヒュームを流路ＣＡの排気口７１ａ側の部分Ｃ１から効率良く排出できる。

図１０は、基板処理装置１のノズルの他の例としてのノズル５１Ａと、ノズル５１Ａによる処理液の吐出を説明するための断面模式図である。図１０に示されるように、先端側部分５２が、基板９の上面に向かって延在する筒状体であって、その先端に、当該筒状体の延在方向に沿って基板９の上面の着液位置Ｐ１に処理液を吐出する吐出口を備えていてもよい。

上述のようにＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との反応熱によって、高温となるが、硫酸と混合される過酸化水素水の割合が増加すると、硫酸と過酸化水素水との混合時に生じる反応熱が増加し、ＳＰＭの液温がさらに上昇して反応性が高くなり、ＳＰＭとレジストとが反応して発生するヒュームＦ１の量も増加する。処理部５は、ＳＰＭの吐出が終了する際には、多量の過酸化水素水をノズル５１から基板９に供給する。この場合には、極めて多量のヒュームＦ１が発生する。このため、ヒュームＦ１が流路ＣＡから排気ダクト７１を経て排気設備９９に十分に排出されない場合には、多量のヒュームＦ１が基板９の上方に滞留し、パーティクルの発生が増加する。

処理液供給部８３が備える開閉弁８３３、８４３、流量調整弁８３４、８４４は、制御部１３０と電気的に接続されている図示省略のバルブ開閉機構によって、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、ノズル５１からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。すなわち、処理部５のノズル５１は、制御部１３０の制御によって、回転軸ａ１を中心に回転している基板９の上面の着液位置Ｐ１に当たるように処理液の液流Ｌ１を吐出する。

＜ノズル移動機構６＞
ノズル移動機構６は、ノズル５１を、その処理位置と退避位置との間で移動させる機構である。ノズル移動機構６は、水平に延在するアーム６３、ノズル基台６６、昇降駆動部６８、回転駆動部６９を備える。ノズル保持部材５０は、アーム６３の先端部分に取り付けられている。

アーム６３の基端部は、ノズル基台６６の上端部分に連結されている。ノズル基台６６は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢でケーシング２４の外側に配置されている。ノズル基台６６は、その軸線に沿って鉛直方向に延在し、軸線周りに回転可能な回転軸を備えている。ノズル基台６６の軸線と回転軸の軸線とは一致する。回転軸の上端には、ノズル基台６６の上端部分が取り付けられている。回転軸が回転することにより、ノズル基台６６の上端部分は回転軸の軸線、すなわちノズル基台６６の軸線を中心に回転する。ノズル基台６６には、その回転軸を当該軸線を中心に回転させる回転駆動部６９が設けられている。回転駆動部６９は、例えば、サーボモータなどを備えて構成される。

また、ノズル基台６６には、昇降駆動部６８が設けられている。昇降駆動部６８は、例えば、サーボモータなどを備えて構成される。昇降駆動部６８は、その出力軸に連結されたボールねじを有するボールねじ機構などを介して、ノズル基台６６の回転軸をその軸線に沿って昇降させる。

回転駆動部６９は、ノズル基台６６の回転軸を介してノズル基台６６の上端部分を回転させる。当該上端部分の回転に伴って、ノズル保持部材５０もノズル基台６６の軸線周りに回転する。これにより、回転駆動部６９は、ノズル５１が基板９に対して処理液を吐出する際には、制御部１３０による制御に応じて、基板９の周縁部の上方と、中心ｃ１の上方との間で、ノズル５１を経路Ｔ１に沿って水平移動させる。経路Ｔ１は、基板９の上方から見たときに、例えば、基板９の中心ｃ１を通るように設定される。また、回転駆動部６９は、ノズル５１が基板９に対して処理液を吐出する際に、基板９上でノズル５１を停止させることも出来る。ノズル５１が経路Ｔ１に沿って移動すると、ノズル５１が吐出する処理液の着液位置Ｐ１は、経路Ｔ１に平行な経路Ｔ２に沿って移動する。

昇降駆動部６８は、ノズル基台６６の回転軸をその軸線に沿って昇降させることによって、ノズル保持部材５０、すなわちノズル５１を昇降させる。昇降駆動部６８と回転駆動部６９とは、協働して、スピンベース２１に保持された基板９の近傍の処理位置と、例えば、処理位置から基板９の径方向に沿って外側、かつ、上方の待避位置との間で、ノズル５１を移動させる。

ノズル保持部材５０およびノズル５１のそれぞれの待避位置は、これらが基板９の搬送経路と干渉せず、かつ、これらが相互に干渉しない各位置である。各退避位置は、例えば、スプラッシュガード３１の外側、かつ、上方の位置である。

駆動部６８、６９は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、ノズル５１の位置は、制御部１３０によって制御される。

＜排気ダクト７＞
排気ダクト７は、排気ダクト７１と、排気ダクト７２とを備えて構成されている。排気ダクト７１は、中部材３１１と外部材３１２との間に形成される流路ＣＡに連通する排気口７１ａを含み、当該流路ＣＡ内の気体を排気口７１ａから排気ダクト７１に導入し、基板処理装置１の外部の排気設備９９に導く。

排気ダクト７２は、一端が、排気ダクト７１の経路途中に連通している。排気ダクト７２の他端には、中部材３１１の内周壁部３１１１と、内部材３１０の案内壁３１０３との間に形成される流路に連通する排気口７２ａが形成されている。排気ダクト７２は、主に、ケーシング２４と、中部材３１１の内周壁部３１１１との間の気体を、排気口７２ａを経て排気ダクト７２に導入し、排気ダクト７１を経て排気設備９９に排出する。排気設備９９は、排気ダクト７の内部を減圧して、流路ＣＡ内の気体を吸引する。

基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上壁３１１Ｂの内周縁よりも上方で、かつ、外部材３１２の上壁３１２Ｂの内周縁よりも下方の部分の気体が基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れるように、流路ＣＡの通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さい。外部材３１２の上端は、中部材３１１の上端よりも上方に位置し、外部材３１２の上端と中部材３１１の上端とがなす開口は、回転軸ａ１に対向しており、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って回転軸ａ１を取り囲んでいる。中部材３１１と外部材３１２とは、基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上端よりも上方で、かつ、外部材３１２の上端よりも下方の部分の気体が基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れるように、流路ＣＡの通気抵抗が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さい幾何学的関係で設けられている。これにより、基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上壁３１１Ｂの内周縁よりも上方で、かつ、外部材３１２の上壁３１２Ｂの内周縁よりも下方の部分には、主に、基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れる気流Ａ１が生ずる。なお、図１２、図１３は、内側ガードと外側ガードの構成の一例をそれぞれ示す側面模式図である。流路ＣＡの通気抵抗が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さくなるように、流路ＣＡ内の気流を乱す突起３１５等の擾乱構造が中部材３１１、外部材３１２に設けられてもよい（図１２参照）。突起３１５は、中部材３１１、外部材３１２の何れか一方のみに設けられてもよい。また、流路ＣＡの開口のうち回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側の部分の面積を、当該開口のうち排気口７１ａ側の部分の面積よりも小さくするシャッター３１６が、中部材３１１の上端（内周縁）と、外部材３１２の上端（内周縁）とのうち少なくとも一方に設けられてもよい（図１３参照）。このようにシャッター３１６を設けることによって、流路ＣＡの通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さくなる。

ノズル５１がＳＰＭを基板９の上面に吐出して、ＳＰＭとレジストとの反応でヒュームＦ１が発生する場合においても、発生したヒュームＦ１は、気流Ａ１によって、効率的に流路ＣＡのうち排気口７２ａ側の部分に運ばれて、流路ＣＡ内に導入され、排気ダクト７１を通って排気設備９９へ排出される。排気設備９９は、例えば、工場の設備であり、ポンプなどを備えて排気用力を発生させる。排気設備９９には、通常、基板処理装置１以外の他の装置の排気ダクトも接続されており、排気設備９９の排気用力は、基板処理装置１以外の他の装置の排気にも均等に割り当てられる。このため、ヒュームＦ１の排気を行う基板処理装置１のみのために大きな用力を割り当てることが出来ないので、排気設備９９から供給される排気用力を増大させることによってヒュームＦ１の排気効率を高めることはできない。基板処理装置１において、流路ＣＡの通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さい。このため、排気ダクト７１の吸引力によって、基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上端よりも上方で、かつ、外部材３１２の上端よりも下方の部分の気体が基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れる気流が発生する。基板処理装置１に割り当てられる用力を増やすことが出来ない場合においても、基板処理装置１においては、ＳＰＭから発生したヒュームＦ１を流路ＣＡと排気ダクト７１とを介して効率良く排気設備９９に回収できる。

＜対向部１０９＞
対向部１０９はスピンベース２１上に保持された基板９の上面と隙間を空けて対向することによって、基板９の上面を保護する。対向部１０９は、当該隙間の幅を変更することが出来る。

対向部１０９は、円筒状の軸部材９４を備える。軸部材９４の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。対向部１０９は、円筒状の回転部９３と、円板状の遮断板９０とをさらに備える。回転部９３は軸部材９４の下端部分を挿通した状態で、ベアリングを介して当該下端部分に取り付けられている。回転部９３の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。これにより、回転部９３は、回転軸ａ１を中心として軸部材９４の周囲を周方向に回転可能となっている。

回転部９３の下部には、円板状の遮断板（「対向部材」）９０が回転部９３と一体的に回転可能なように取り付けられている。遮断板９０は、基板９と同等若しくは基板９よりも若干大きい円板状の形状を有しており、その中心を回転軸ａ１が通る。これにより、遮断板９０は、回転軸ａ１を中心とする周方向に回転可能である。遮断板９０は、基板９の上面全域に対向する下面（「主面」）９１と、下面９１の周縁から上方に立設された側面９２とを含んでいる。下面９１は円形である。遮断板９０の中央部には、軸部材９４と連通する貫通孔９５が設けられている。下面９１は、チャックピン２５に保持された基板９の上面と隙間を隔てて対向する。隙間の幅は、対向部１０９の高さに応じて変動する。

回転部９３には、遮断板回転機構９７が結合されている。遮断板回転機構９７は、制御部１３０により動作を制御される電動モーター、ギア等を備えており、回転部９３を、回転軸ａ１を中心に周方向に回転させる。これにより、遮断板９０は、回転部９３と一体的に回転する。より詳細には、遮断板回転機構９７は、制御部１３０の制御に従って、基板９と同じ回転速度で、同じ方向に遮断板９０と回転部９３とを回転させる。

軸部材９４の上端部分には、軸部材９４を保持する保持部材（不図示）を介して、制御部１３０により動作を制御される電動モーター、ボールねじ等を含む構成の遮断板昇降機構９８が結合されている。遮断板昇降機構９８は、遮断板９０、回転部９３と一緒に軸部材９４を鉛直方向に昇降する。遮断板昇降機構９８は、遮断板９０の下面９１がスピンベース２１に保持されている基板９の上面に近接する近接位置と、近接位置の上方に設けられた退避位置の間で、遮断板９０、回転部９３、および軸部材９４を昇降させる。遮断板昇降機構９８は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板９０を保持可能である。遮断板９０の退避位置は、具体的には、基板９の上面から遮断板９０の下面９１までの高さが、例えば、１５０ｍｍとなる高さ位置である。また、近接位置は、当該高さが、例えば、３ｍｍとなる高さ位置である。基板処理装置１が、例えば、軸部材９４の中空部を挿通したノズルから基板９の上面にリンス液を供給するリンス液供給機構などをさらに備え、遮断板９０を近接位置に配置した状態で基板９の上面にリンス液等を供給してもよい。

＜４．流路の通気抵抗とヒュームの排気効率＞
図３は、比較技術に係る基板処理装置１００において発生するヒュームＦ１００の流れＨ１００を説明するための側面模式図である。図４は、実施形態に係る基板処理装置１において発生するヒュームＦ１の流れＨ１を説明するための側面模式図である。

基板処理装置１００は、基板処理装置１の飛散防止部３に代えて飛散防止部３００を備えることを除いて基板処理装置１と同様に構成されている。飛散防止部３と飛散防止部３００とは何れも中部材３１１、外部材３１２を備えているが、飛散防止部３と飛散防止部３００では、中部材３１１に対する外部材３１２の基板９の径方向における相対的な配置関係が異なっている。

基板処理装置１において、中部材３１１の側壁３１１Ａ（外周壁部３１１２）と外部材３１２の側壁３１２Ａ（内周壁部３１２１）との間に流路ＣＢのうち回転軸ａ１に対して排気ダクト７１（排気口７１ａ）側の部分Ｘ１の幅Ｄ１が、流路ＣＢの各部分の幅の中で最も広い。流路ＣＢのうち回転軸ａ１に対して部分Ｘ１とは反対側の部分Ｘ２の幅Ｄ２は、流路ＣＢの各部分の幅の中で最も狭い。幅Ｄ１は幅Ｄ２よりも大きい。流路ＣＢの排気口７１ａ側の部分Ｘ１の通気抵抗は、部分Ｘ２の通気抵抗よりも小さい。

このため、基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上端よりも上方で、かつ、外部材３１２の上端よりも下方の部分、すなわち、基板９の上方の部分のうち外部材３１２の上端と中部材３１１の上端とがなす開口の高さ位置には、主に、基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れる気流Ａ１が生ずる。ノズル５１から基板９に吐出された高温のＳＰＭと、基板９のレジストとが反応して生成するヒュームＦ１は、遮断板９０側に向かって基板９から上昇するが、遮断板９０の下面に殆ど付着することなく排気口７１ａ側から、流路ＣＢを含む流路ＣＡに効率良く導かれて排気ダクト７１を経て排気設備９９に排出される。このため、発生したヒュームＦ１は、基板９の汚染やパーティクルの要因と成りにくい。

基板処理装置１００において、中部材３１１の側壁３１１Ａ（外周壁部３１１２）と外部材３１２の側壁３１２Ａ（内周壁部３１２１）との間に流路ＣＢのうち回転軸ａ１に対して排気ダクト７１（排気口７１ａ）側の部分Ｙ１の幅Ｄ３が、流路ＣＢの各部分の幅の中で最も狭い。流路ＣＢのうち回転軸ａ１に対して部分Ｙ１とは反対側の部分Ｙ２の幅Ｄ４は、流路ＣＢの各部分の幅の中で最も広い。幅Ｄ３は、幅Ｄ４よりも小さい。流路ＣＢの排気口７１ａ側の部分Ｙ１の通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａと反対側の部分Ｙ２の通気抵抗よりも大きい。このため、基板９の上方の気体が、回転軸ａ１を取り囲む流路ＣＡの開口の各位置から流路ＣＡに入る際の流路ＣＡの通気流量のばらつきが流路ＣＡの周方向において抑制される。このため、基板９の中心の上方（遮断板９０の下方）から流路ＣＡの開口の各位置に向けて放射状に略等しい流量で向かう気流Ｂ１が生じ、発生したヒュームＦ１００は基板９の上面から遮断板９０側に略鉛直方向に立ち上った後、遮断板９０に遮られて、基板９の中心の上方から放射状に流路ＣＡの開口に流れる。このため、ヒュームＦ１００は、流路ＣＡに入る前に、遮断板９０の下面に付着し、パーティクルの要因となる。

＜５．基板処理装置１の動作＞
図１１は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。基板処理装置１は、このフローチャートに沿って、処理液によって基板９を処理する。このフローチャートに係る動作の開始に先立って、基板９はスピンベース２１によって予め保持されている。また、基板９の上面には、エッチングされた導電体の微細パターンの上に、レジストのパターンが残存しており、基板９は、次にレジスト剥離処理（レジスト除去処理）を施される段階であるものとする。

先ず、回転機構２３１が、制御部１３０の制御に従って、スピンベース２１の回転を開始させることによって、スピンベース２１に保持された基板９の回転を開始させる（図１１のステップＳ１０）。

次に、処理部５のバルブ開閉機構が、制御部１３０の制御下で、開閉弁５２１を所定の開度で開くことによって、ノズル５１は、基板９の上面における着液位置Ｐ１に当たるように処理液の吐出を開始する（ステップＳ２０）。

制御部１３０は、処理液による処理の所要時間（「処理時間」）が経過するのを待って（ステップＳ３０）、処理部５のバルブ開閉機構に開閉弁５２１、５２２を閉じさせて、ノズル５１による処理液の吐出を停止し（ステップＳ４０）、その後、回転機構２３１にスピンベース２１の回転を停止させて基板９の回転を停止する（ステップＳ５０）。図１１に示される基板処理装置１の処理動作が終了する。

以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、中部材３１１と外部材３１２との間に流路ＣＡが形成されている。そして、基板９の上方の部分のうち中部材３１１の上壁３１１Ｂの内周縁よりも上方で、かつ、外部材３１２の上壁３１２Ｂの内周縁よりも下方の部分の気体が基板９の上方から排気口７１ａ側に向けて主に流れるように、流路ＣＡの通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さい。従って、基板９に供給された処理液から発生するヒュームＦ１は、排気口７１ａ側に向かう基板９の上方の気流によって、流路ＣＡのうち排気口７１ａ側の部分から効率良く流路ＣＡに導入されて、排気ダクト７１を経て効率良く外部に排出される。

また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広い。従って、流路ＣＡの通気抵抗は、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が小さくなる。

また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなるように、中部材３１１に対して外部材３１２が偏心している。従って、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔が、回転軸ａ１に対して排気口７１ａとは反対側よりも排気口７１ａ側の方が広くなる構成を容易に実現できる。

また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔が、排気口７１ａの近傍部分のうち排気口７１ａに対してスピンベース２１の回転方向の下流側の部分において最も広いので、ヒュームＦ１の粘性と基板９の回転の影響によってヒュームＦ１の排気効率が低下することを抑制できる。

ヒュームＦ１は、排気口７１ａ側に向かう基板９の上方の気流によって、排気口７１ａ側へ向かって流れる。さらに、ヒュームＦ１の粘性と基板９の回転とによって、ヒュームＦ１には基板９の回転方向の下流側向きの力も作用する。このため、ヒュームＦ１は、平面視において排気口７１ａ側へ向かいつつ基板９の回転方向の下流側へ向かうので、排気口７１ａの近傍部分のうち排気口７１ａに対してスピンベース２１の回転方向の下流側の部分に向かって最も多く流れる。ここで、中部材３１１の側壁３１１Ａと、外部材３１２の側壁３１２Ａとの間隔は、当該下流側の部分において最も広いので、当該下流側の部分に向かって流れたヒュームＦ１を効率良く捕捉して流路ＣＡ内に導くことができる。これにより、ヒュームＦ１の粘性と基板９の回転の影響によってヒュームＦ１の排気効率が低下することを抑制できる。

また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、また、本実施形態に係る基板処理装置１によれば、処理液供給機構のノズル５１は、基板９の表面のうち当該ノズル５１の下方部分に対して排気口７１ａ側の部分に当たるように処理液を吐出する。ヒュームＦ１は、処理液が基板９に当たった部分の近傍において多く発生する。このため、発生したヒュームＦ１を流路ＣＡの排気口７１ａ側の部分から効率良く排出できる。

また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板９の表面のうち当該ノズル５１の下方部分に対して排気口７１ａ側の部分に当たるように処理液を吐出するノズル５１を簡単な構成によって実現できる。

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ 基板処理装置
２ スピンチャック（回転保持機構）
２１ スピンベース（保持部材）
３ 飛散防止部
３１ スプラッシュガード
３１１ 中部材（内側ガード）
３１２ 外部材（外側ガード）
５ 処理部（「処理液供給機構」）
５１ ノズル
６ ノズル移動機構
７ 排気ダクト
７１，７２ 排気ダクト
７１ａ，７２ａ 排気口
Ｃ１，Ｃ２ 部分
ＣＡ，ＣＢ 流路
Ａ１ 気流
Ｌ１ 液流

Claims (16)

1. 基板を略水平姿勢で保持しつつ回転可能な保持部材と、
   前記保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、
   前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構と、
   前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、
   前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、
   前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、
   を備え、
   前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、
   前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記回転軸に対向しており、
   前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられている、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
   前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している、基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
   前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している、基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
   前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理装置。
6. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
   平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第１半直線を定義し、
   前記回転軸を中心に前記第１半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第２半直線を定義したとき、
   前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第２半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い、基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記処理液供給機構は、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するノズルを備え、
   前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である、基板処理装置。
9. 保持部材によって基板を略水平姿勢で保持しつつ回転させる基板処理装置による基板処理方法であって、
   前記基板処理装置は、
   前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、
   前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、
   前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、
   を備え、
   前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、
   前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記基板の回転軸に対向しており、
   前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられており、
   当該基板処理方法は、
   基板を略水平姿勢で保持しつつ回転軸を中心に回転させる回転ステップと、
   前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給ステップと、
   を備える、基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法であって、
    前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
    前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い、基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している、基板処理方法。
12. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
    前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している、基板処理方法。
13. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
    前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理方法。
14. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理方法。
15. 請求項９から請求項１４の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
    平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第１半直線を定義し、
    前記回転軸を中心に前記第１半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第２半直線を定義したとき、
    前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第２半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い、基板処理方法。
16. 請求項９から請求項１５の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理液供給ステップは、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するステップであり、
    前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である、基板処理方法。

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