JP2018129265A - 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極の低抵抗化を実現し、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示パネルは、基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、発光層上および前記給電補助電極層上に跨って設けられた機能層と、機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備える。給電補助電極層は基板方向に凹入した凹部を有している。機能層は給電補助電極層の凹部の内壁上に位置する部分が欠落するか薄層化している。【選択図】図１３
Description
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル、及びその製造方法に関する。
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造をしている。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造をしている。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。
共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、共通電極の電気抵抗が大きい場合、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生してしまう可能性がある。
そこで、共通電極の低抵抗化のために補助電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、補助電極を画素電極と同層に形成し、補助電極を、画素電極とは電気的に絶縁しつつ共通電極とは電気的に接続した構成が開示されている。
そこで、共通電極の低抵抗化のために補助電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１には、補助電極を画素電極と同層に形成し、補助電極を、画素電極とは電気的に絶縁しつつ共通電極とは電気的に接続した構成が開示されている。
ところが、上記従来の手法では、複数層からなる有機層のうち特に発光層の上層に位置する電子輸送層を形成する際に、補助電極を避けて形成するためにマスク蒸着を行う必要があり、生産コストが増大するという課題がある。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネル、及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制した有機ＥＬ表示パネル、及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、発光層上および給電補助電極層上に跨って設けられた機能層と、機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備える。給電補助電極層は前記基板方向に凹入した凹部を有し、機能層は給電補助電極層の凹部の内壁上に位置する部分が欠落しており、共通電極層は前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触していることを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様Ａ１に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、前記給電補助電極層は前記基板方向に凹入した凹部を有し、前記機能層は前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分が欠落している又は薄層化しており、前記共通電極層は前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触しており、前記機能層が薄膜化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続していることを特徴とする。
本開示の態様Ａ１に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨って設けられた機能層と、前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、前記給電補助電極層は前記基板方向に凹入した凹部を有し、前記機能層は前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分が欠落している又は薄層化しており、前記共通電極層は前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触しており、前記機能層が薄膜化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続していることを特徴とする。
係る構成により、簡易な製造プロセスを用いて製造でき、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
本開示の態様Ａ２に係る有機ＥＬ表示パネルは、態様Ａ１に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板上の前記電極作成領域には、凹部が形成されており、前記給電補助電極層の凹部は、前記基板の凹部に沿って形成されていることを特徴とする。
本開示の態様Ａ２に係る有機ＥＬ表示パネルは、態様Ａ１に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記基板上の前記電極作成領域には、凹部が形成されており、前記給電補助電極層の凹部は、前記基板の凹部に沿って形成されていることを特徴とする。
係る構成により、基板に設けられた凹部に沿った凹部を有する補助電極層を気相成長法により形成することができる。また、基板上に形成する凹部の側壁の傾斜角を制御することで、補助電極層に形成される凹部のコンタクト面を最適な傾斜角で形成することができる。
本開示の態様Ａ３に係る有機ＥＬ表示パネルは、態様Ａ１または態様Ａ２に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記給電補助電極層の凹部の内壁と前記基板の上面のなす角度が７５度以上１２０度以下であることを特徴とする。
本開示の態様Ａ３に係る有機ＥＬ表示パネルは、態様Ａ１または態様Ａ２に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、前記給電補助電極層の凹部の内壁と前記基板の上面のなす角度が７５度以上１２０度以下であることを特徴とする。
係る構成により、機能層で段切れを発生させるために最適な傾斜角のコンタクト面を有する凹部が補助電極層に形成されることになるので、マスク蒸着を必要としない簡易な製造プロセスにより、補助電極層と共通電極層との直接接触を実現できる。
本開示の態様Ａ４に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で前記基板側に凹入する凹部を有する給電補助電極層を、気相成長法により形成する工程と、前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨る機能層を、前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分において欠落する又は薄層化するよう真空蒸着法により形成する工程と、前記機能層上に連続して延伸するように、且つ、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触するように、前記機能層が薄膜化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続するように、共通電極層をスパッタリング法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本開示の態様Ａ４に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で前記基板側に凹入する凹部を有する給電補助電極層を、気相成長法により形成する工程と、前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨る機能層を、前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分において欠落する又は薄層化するよう真空蒸着法により形成する工程と、前記機能層上に連続して延伸するように、且つ、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触するように、前記機能層が薄膜化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続するように、共通電極層をスパッタリング法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する工程と、を含むことを特徴とする。
係る構成により、共通電極と補助電極との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる有機ＥＬ表示パネルを簡易な製造プロセスで製造できる。
本開示の態様Ａ５に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、態様Ａ４に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、さらに、前記基板を準備する工程の後に、前記電極作成領域に凹部を形成する工程を含み、前記給電補助電極層を形成する工程では、前記基板の凹部に沿って前記給電補助電極層の凹部を形成することを特徴とする。
本開示の態様Ａ５に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、態様Ａ４に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、さらに、前記基板を準備する工程の後に、前記電極作成領域に凹部を形成する工程を含み、前記給電補助電極層を形成する工程では、前記基板の凹部に沿って前記給電補助電極層の凹部を形成することを特徴とする。
係る構成により、基板に設けられた凹部に沿った凹部を有する補助電極層を気相成長法により形成することができる。また、基板上に形成する凹部の側壁の傾斜角を制御することで、補助電極層に形成される凹部のコンタクト面を最適な傾斜角で形成することができる。
本開示の態様Ａ６に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、態様Ａ５に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法において前記電極作成領域に凹部を形成する工程では、内壁と前記基板の上面とのなす角度が７５度以上１２０度以下の凹部を形成することを特徴とする。
本開示の態様Ａ６に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、態様Ａ５に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法において前記電極作成領域に凹部を形成する工程では、内壁と前記基板の上面とのなす角度が７５度以上１２０度以下の凹部を形成することを特徴とする。
係る構成により、機能層で段切れを発生させるの最適な傾斜角のコンタクト面を有する凹部が補助電極層に形成されることになるので、マスク蒸着を必要としない簡易な製造プロセスにより、補助電極層と共通電極層との直接接触を実現できる。
≪実施の形態１≫
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
≪実施の形態１≫
１．１ 表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」とする）の回路構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」とする）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
なお、表示装置１において、表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態に限定されない。
１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
１．２ 表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、および発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極層（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2および駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
また、各副画素ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
１．３ 表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
図３は、実施の形態に係る表示パネルの一部を示す模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
表示パネル１０の表示領域には、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅ（以後、区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」とする）が１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行方向に順に３つ並んだ画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。
表示パネル１０には、複数の補助電極層２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。補助電極層２００は、画素電極層１１９と同じ光反射材料からなる。補助電極層２００の上面には、補助電極層２００と後述する共通電極層１２５とを接続する複数の接続凹部２００ｂ（コンタクトホール）が形成されている。
隣接する画素電極層１１９間および隣接する画素電極層１１９と補助電極層２００との間には、絶縁層形式のライン状に延伸するバンクが設けられており、画素電極層１１９とこれに隣接する画素電極層１１９または補助電極層２００とは、互いに絶縁されている。行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４及び外縁１１９ａ３、１１９ａ４間、および、行方向に隣接する画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、１１９ａ４及び補助電極層２００の外縁２００ａ１、２００ａ２間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数列並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。
一方、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、１１９ａ２及び外縁１１９ａ１、１１９ａ２間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数行並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ、補助電極層２００の配される領域に対応する補助間隙５２２ｚＡ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＡを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４、図５、及び図６用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図５は、図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。図６は、図３におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。
１．４ 表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４、図５、及び図６用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。図５は、図３におけるＡ２−Ａ２で切断した模式断面図である。図６は、図３におけるＡ３−Ａ３で切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
１．４．１ 基板
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。
１．４．１ 基板
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線１１０を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。配線１１０は、ＴＦＴのソースＳ1に接続されている。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線１１０を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。配線１１０は、ＴＦＴのソースＳ1に接続されている。
（２）層間絶縁層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には層間絶縁層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、層間絶縁層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
基材上及びＴＦＴ層の上面には層間絶縁層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。また、層間絶縁層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
層間絶縁層１１８には、図５に示すように配線１１０の上方の一部にコンタクト孔１１８ａが開設されているとともに、図４，６に示すように補助電極層２００の下方の一部にコンタクト孔１１８ｂが開設されている。層間絶縁層１１８の上限膜厚は、１０μｍ以上では、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共にボトム線幅の制御が困難となる。また、タクト増大による生産性低下の観点から７μｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１μｍ以下では、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には２μｍが限界となる。したがって、層間絶縁層１１８の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
１．４．２ 有機ＥＬ素子部
（１）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４、図５に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて層間絶縁層１１８上に配されている。層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ａ上には、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部１１９ｃの底で画素電極層１１９と配線１１０とが接続される。
（１）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４、図５に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極層１１９は、光反射性を有し、画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて層間絶縁層１１８上に配されている。層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ａ上には、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部１１９ｃの底で画素電極層１１９と配線１１０とが接続される。
（２）補助電極層２００
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４、図６に示すように、補助電極層２００も設けられている。補助電極層２００は、画素電極層１１９間に行方向に間隔δＸをあけて配されている。層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂに沿って、補助電極層２００の一部を基板１００ｘ方向に凹入された接続凹部２００ｂが形成されている。接続凹部２００の内部には、コンタクト面２００ｃが内壁として形成されている。接続凹部２００ｂは、上面から見ると略円形をしており、径ｒは２μｍから１０μｍの範囲で形成されていることが好ましい。接続凹部２００ｂは、深さｈが１μｍから７μｍの範囲で形成されていることが好ましい。コンタクト面２００ｃは、基板１００ｘ上面に対する傾斜角θが７５度から１２０度の範囲で形成されていることが好ましい。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４、図６に示すように、補助電極層２００も設けられている。補助電極層２００は、画素電極層１１９間に行方向に間隔δＸをあけて配されている。層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂに沿って、補助電極層２００の一部を基板１００ｘ方向に凹入された接続凹部２００ｂが形成されている。接続凹部２００の内部には、コンタクト面２００ｃが内壁として形成されている。接続凹部２００ｂは、上面から見ると略円形をしており、径ｒは２μｍから１０μｍの範囲で形成されていることが好ましい。接続凹部２００ｂは、深さｈが１μｍから７μｍの範囲で形成されていることが好ましい。コンタクト面２００ｃは、基板１００ｘ上面に対する傾斜角θが７５度から１２０度の範囲で形成されていることが好ましい。
（３）ホール注入層１２０
画素電極層１１９上には、図４、図５に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０、画素電極層１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、前記基板側から順に、画素電極層１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
画素電極層１１９上には、図４、図５に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０、画素電極層１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、前記基板側から順に、画素電極層１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、上部層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは、画素電極層１１９上に形成された下部層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（４）バンク１２２
図４、図５に示すように、画素電極層１１９、ホール注入層１２０の下層部１２０Ａ及び補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクは、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図３に示すように、列バンク５２２Ｙは行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。
（４）バンク１２２
図４、図５に示すように、画素電極層１１９、ホール注入層１２０の下層部１２０Ａ及び補助電極層２００の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクは、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図３に示すように、列バンク５２２Ｙは行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面１２２Ｘｂを有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極層１１９は露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。
具体的には、行バンク１２２Ｘは、画素電極層１１９の列方向における外縁１１９ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９のコンタクト領域１１９ｂと重なった状態で形成され、行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、ａ２間の距離δＹより所定長大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の列方向外縁１１９ａ１、２を被覆することにより共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、列方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。
列バンク５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方及び補助電極層２００の行方向における外縁２００ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９及び補助電極層２００の一部と重なった状態で形成される。列バンク５２２Ｙが形成される領域の行方向の幅は、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間の距離及びδＸより所定幅大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆することにより共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。そのため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
列バンク５２２Ｙは、画素電極層１１９の行方向における外縁１１９ａ３、ａ４上方及び補助電極層２００の行方向における外縁２００ａ１、ａ２上方に存在し、画素電極層１１９及び補助電極層２００の一部と重なった状態で形成される。列バンク５２２Ｙが形成される領域の行方向の幅は、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４間の距離及びδＸより所定幅大きく構成されている。これにより、画素電極層１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆することにより共通電極層１２５との間の電気的リークを防止するとともに、行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。上述のとおり列方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。そのため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。
（５）ホール輸送層１２１
図４、図５に示すように、行バンク１２２Ｘ、及び間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
図４、図５に示すように、行バンク１２２Ｘ、及び間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は上部層１２０Ｂ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
図４、図５に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
（６）発光層１２３
図４、図５に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は列方向に延伸するように線状に設けられている。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
（７）電子輸送層１２４
図４〜６に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成されている。
電子輸送層１２４は、図４、図５に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
図４〜６に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成されている。
電子輸送層１２４は、図４、図５に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
電子輸送層１２４は、図４、図６に示すように、補助電極層２００の上にも形成される。電子輸送層１２４には、補助電極層２００の接続凹部２００ｂにおいて、欠落（図の端部１２４ａ１、１２４ａ２間、または、端部１２４ａ３、ａ４間）しており、欠落部分において補助電極層２００のコンタクト面２００ｃが露出している。
（８）共通電極層１２５
図４〜６に示すように、電子輸送層１２４上に共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、表示パネル１０の全面にわたって形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
（８）共通電極層１２５
図４〜６に示すように、電子輸送層１２４上に共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、表示パネル１０の全面にわたって形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。
共通電極層１２５は、図４、図５に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極層１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
共通電極層１２５は、図４、図６に示すように、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１、ａ２間、または端部１２４ａ３、ａ４間）において露出しているコンタクト面２００ｃと、直接接触するように形成される。
共通電極層１２５は、図４、図６に示すように、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１、ａ２間、または端部１２４ａ３、ａ４間）において露出しているコンタクト面２００ｃと、直接接触するように形成される。
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。
（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。
（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
１．４．３ 各部の構成材料
図４、図５、図６に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
図４、図５、図６に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極層１１９及び補助電極層２００
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
（２）画素電極層１１９及び補助電極層２００
画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
補助電極層２００は、画素電極層１１９と同じ材料により構成されている。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１５に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。
電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１５に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、
銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
共通電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、
銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
１．５ 表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図７〜１１を用いて説明する。
（１）基板１００ｘの準備
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図７（ａ））。
表示パネル１０の製造方法について、図７〜１１を用いて説明する。
（１）基板１００ｘの準備
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図７（ａ））。
（２）層間絶縁層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を形成する（図７（ｂ））。
層間絶縁層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図７（ｃ））。
基板１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８を形成する（図７（ｂ））。
層間絶縁層１１８を形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１１８を露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図７（ｃ））。
その後、現像によって、コンタクト孔１１８ａ及びコンタクト孔１１８ｂをパターニングした層間絶縁層１１８を形成する（図７（ｄ））。コンタクト孔１１８ａの底部において配線１１０が露出し、コンタクト孔１１８ｂの底部において基板１００ｘが露出する。
本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成してもよい。
本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８を形成してもよい。
（３）画素電極層１１９及び補助電極層２００の形成
コンタクト孔１１８ａ、１１８ｂを開設した層間絶縁層１１８が形成された後、画素電極層１１９及び補助電極層２００を形成する（図８（ａ））。
画素電極層１１９及び補助電極層２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃを形成する。また、コンタクト孔１１８ｂの内壁に沿って金属膜を形成することによりコンタクト孔１１８ｂの内壁に沿ったコンタクト面２００ｃを有する補助電極層２００接続凹部２００ｂを形成する。
コンタクト孔１１８ａ、１１８ｂを開設した層間絶縁層１１８が形成された後、画素電極層１１９及び補助電極層２００を形成する（図８（ａ））。
画素電極層１１９及び補助電極層２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃを形成する。また、コンタクト孔１１８ｂの内壁に沿って金属膜を形成することによりコンタクト孔１１８ｂの内壁に沿ったコンタクト面２００ｃを有する補助電極層２００接続凹部２００ｂを形成する。
画素電極層１１９は、コンタクト孔１１８ａの底部において露出した配線１１０と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。
（４）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
画素電極層１１９及び補助電極層２００を形成した後、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成する（図８（ｂ））。
（４）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
画素電極層１１９及び補助電極層２００を形成した後、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成する（図８（ｂ））。
下部層１２０Ａは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用いそれぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
（５）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成した後、下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する（図８（ｃ））。
（５）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成した後、下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する（図８（ｃ））。
バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２Ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する。バンク１２２は、間隙５２２Ｚ内に補助電極層の表面が、間隙５２２Ｚ内の行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間にホール注入層１２０の下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の表面が露出するように設けられる。
バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
具体的には、バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
列バンク５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。
（６）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図９（ａ））。
上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図９（ａ））。
上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（７）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、用い表示パネル１０の全面わたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図９（ｂ））。電子輸送層１２４は、補助電極層２００の上にも形成される。その際、補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃにおいて意図的に欠落（段切れ）を発生させ、その欠落部分（端部１２４ａ１，ａ２間又は端部１２４ａ３、ａ４間）において補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃが露出するように成膜する。
（７）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、用い表示パネル１０の全面わたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図９（ｂ））。電子輸送層１２４は、補助電極層２００の上にも形成される。その際、補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃにおいて意図的に欠落（段切れ）を発生させ、その欠落部分（端部１２４ａ１，ａ２間又は端部１２４ａ３、ａ４間）において補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃが露出するように成膜する。
（８）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などにより形成する（図９（ｃ））。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。その際、共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１，ａ２間又は端部１２４ａ３、ａ４間）に回り込み、電子輸送層１２４の欠落部分において露出している補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃに直接接触するように成膜する。
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などにより形成する（図９（ｃ））。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。その際、共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１，ａ２間又は端部１２４ａ３、ａ４間）に回り込み、電子輸送層１２４の欠落部分において露出している補助電極層２００の接続凹部２００ｂのコンタクト面２００ｃに直接接触するように成膜する。
ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに説明する。
まず、図１２を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。
まず、図１２を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施形態においては、Ａｒが用いられる。
スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温せず、常温でスパッタリングが行われる。
成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１２では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、または、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１２では電源６２４は交流電源であるが、直流電源、または、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。
なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
（９）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図９（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（９）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図９（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（１０）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１０（ａ））。
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１０（ａ））。
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１０（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１０（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１０（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１２８Ｒを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１０（ｆ））。
この図１０（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図１０（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
この図１０（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する（図１０（ｇ））。なお、ペースト１２８Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１１）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
（１１）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１１（ｂ））。
１．６．補助電極層２００と共通電極層１２５とを直接接触させる構成
図１３に、図４における補助電極２００の周辺の拡大構成について示す。補助電極２００では、コンタクト面の傾斜角θは７５度以上１２０度以下であることが望ましい。７５度未満では、電子輸送層１２４が断切れせず、共通電極層１２５との電気的接続を確保しにくくなる。一方、１２０度を超えると、補助電極層２００及び共通電極層１２５が層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂの側面で断切れしてしまい、補助電極層２００が共通電極層１２５と接触しにくくなるためである。この傾斜角θは、コンタクト孔１１８ｂの側面の傾斜角と一致するため、コンタクト孔１１８ｂを形成する際の露光量により制御することができる。また、接続凹部２００ｂの深さｈは、１μｍ以上から７μｍの範囲で形成される。接続凹部２００ｂの径ｒは、例えば２μｍから１０μｍの範囲で形成される。
１．６．補助電極層２００と共通電極層１２５とを直接接触させる構成
図１３に、図４における補助電極２００の周辺の拡大構成について示す。補助電極２００では、コンタクト面の傾斜角θは７５度以上１２０度以下であることが望ましい。７５度未満では、電子輸送層１２４が断切れせず、共通電極層１２５との電気的接続を確保しにくくなる。一方、１２０度を超えると、補助電極層２００及び共通電極層１２５が層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂの側面で断切れしてしまい、補助電極層２００が共通電極層１２５と接触しにくくなるためである。この傾斜角θは、コンタクト孔１１８ｂの側面の傾斜角と一致するため、コンタクト孔１１８ｂを形成する際の露光量により制御することができる。また、接続凹部２００ｂの深さｈは、１μｍ以上から７μｍの範囲で形成される。接続凹部２００ｂの径ｒは、例えば２μｍから１０μｍの範囲で形成される。
このような形状により、補助電極層２００の上に形成される電子輸送層１２４は、接続凹部２００ｂにおいて途切れて（断切れして）形成される。詳細には、電子輸送層１２４では、補助電極層２００のコンタクト面２００ｃが露出するように、端部１２４ａ１，ａ２間（あるいは端部１２４ａ３、ａ４間）が離れて配置される。共通電極層１２５は、この電子輸送層１２４の端部１２４ａ１，ａ２間（あるいは端部ａ３，ｅａ４間）に回り込むように、補助電極層２００のコンタクト面２００ｃに接触して形成される。
補助電極層２００は、層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂの側面で段切れしないように、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により形成することが望ましい。また、ステップカバレッジの優れた成膜方法によっても補助電極層２００の膜厚が過度に薄いと、段切れが発生する可能性があるため、膜厚は、２５ｎｍ以上で形成することが好ましい。
電子輸送層１２４は、接続凹部２００ｂにおいて段切れしてコンタクト面２００が露出するように、比較的ステップカバレッジの劣る成膜方法（例えば、真空蒸着法）により形成することが望ましい。また、電子輸送層１２４の膜厚が過度に薄いと、共通電極層１２５から発光層１２３へ電子が直接移動し、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を果たせない。従って、電子輸送層１２４の膜厚を１０ｎｍ以上に形成することが望ましい。一方、電子輸送層１２４の厚膜化は、電子輸送層１２４の透過率を低下させ、段切れの発生を阻害する。電子輸送層１２４を通過する光を過度に減衰させないため、かつ、補助電極層２００の接続凹部２００ｂにおいて意図的に段切れを発生させるため、電子輸送層１２４の膜厚を４０ｎｍ以下に形成することが好ましい。
共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の段切れ部分（端部１２４ａ１，ａ２間、または端部１２４ａ３、ａ４間）にまわりこんで形成されるように、ステップカバレッジの優れた成膜方法（例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法）により形成することが望ましい。共通電極層１２５が過度に薄いと、段切れ発生の要因にもなるため、共通電極層１２５は膜厚を２５ｎｍ以上に形成することが望ましい。一方、共通電極層１２５の厚膜化は、共通電極層１２５の透過率を低下させるため、共通電極層１２５は膜厚を３００ｎｍ以下に形成することが望ましい。
１．７ 表示パネル１０の効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
表示パネル１０は、基板１００ｘ上の画素領域に設けられた画素電極層１１９と、前記基板上の補助領域に設けられた補助電極層２００と、画素電極層１１９上に設けられた発光層１２３と、発光層１２３上および補助電極層２００上に設けられた電子輸送層１２４と、電子輸送層１２４上に設けられた共通電極層１２５と、を備え、補助電極層２００の上面には、内部にコンタクト面２００ｃを有する接続凹部２００ｂが形成されており、電子輸送層１２４には補助電極層２００の接続凹部２００ｂ内においてコンタクト面２００ｃが露出するように欠落しており、共通電極層１２５は電子輸送層１２４の欠落部分において補助電極層２００のコンタクト面２００ｃと直接接触している構成を採る。
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。
表示パネル１０は、基板１００ｘ上の画素領域に設けられた画素電極層１１９と、前記基板上の補助領域に設けられた補助電極層２００と、画素電極層１１９上に設けられた発光層１２３と、発光層１２３上および補助電極層２００上に設けられた電子輸送層１２４と、電子輸送層１２４上に設けられた共通電極層１２５と、を備え、補助電極層２００の上面には、内部にコンタクト面２００ｃを有する接続凹部２００ｂが形成されており、電子輸送層１２４には補助電極層２００の接続凹部２００ｂ内においてコンタクト面２００ｃが露出するように欠落しており、共通電極層１２５は電子輸送層１２４の欠落部分において補助電極層２００のコンタクト面２００ｃと直接接触している構成を採る。
係る構成により、補助電極層２００が、コンタクト面２００ｂにおいて、電子輸送層１２４を介さずに、共通電極層１２５と直接接触するため、共通電極層１２５に起因する電圧降下が抑制され、発光効率を向上させると共に画面中央部での輝度低下が抑えられ、輝度ムラを低減することが可能である。
また、補助電極層２００に接続凹部２００ｂを設けることにより、電子輸送層２００を段切れさせ、段切れによって露出した補助電極層２００のコンタクト面２００ｃと共通電極層１２５が直接接触する構成である。
また、補助電極層２００に接続凹部２００ｂを設けることにより、電子輸送層２００を段切れさせ、段切れによって露出した補助電極層２００のコンタクト面２００ｃと共通電極層１２５が直接接触する構成である。
係る構成により、電子輸送層１２４を形成する際に、補助電極層２００を避けて形成するためにマスク蒸着を行う必要がなく、精密マスクの高精度の位置合わせに伴う生産性低下を回避することができる。
補助電極層２００の構成材料は画素電極層１１９の構成材料と同じであり、補助電極層２００の接続凹部２００ｂの形成方法は、画素電極層１１９の接続凹部（コンタクトホール）１１９ｃの形成方法と同じである。従って、補助電極層２００は、専用の工程を設けることなく、画素電極層１１９と同じ工程で形成でき、工程数増加による生産性低下を回避することができる。
補助電極層２００の構成材料は画素電極層１１９の構成材料と同じであり、補助電極層２００の接続凹部２００ｂの形成方法は、画素電極層１１９の接続凹部（コンタクトホール）１１９ｃの形成方法と同じである。従って、補助電極層２００は、専用の工程を設けることなく、画素電極層１１９と同じ工程で形成でき、工程数増加による生産性低下を回避することができる。
１．８ 変形例
実施の形態１に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
実施の形態１に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、パネル１０の変形例を説明する。
表示パネル１０では、電子輸送層１２４は、補助電極層２００の接続凹部２００ｂ内においてコンタクト面２００ｃが露出するように欠落し、共通電極層１２５は、補助電極層２００と直接接触するように形成される構成としている。しかしながら、電子輸送層１２４は上記に限られず適宜変更してもよい。例えば、電子輸送層１２４には、補助電極層２００の接続凹部２００ｂ内においてコンタクト面２００ｃ近傍に位置する一部分が欠落するには至らないものの、電子輸送層１２４の一部分が１ｎｍ以下の膜厚に薄層化された薄層化部（不図示）が形成される構成としてもよい。係る構成により、電子輸送層１２４の一部分が欠落するには至らないものの、共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の薄層化部において、薄層化部以外の部分よりも低い電気抵抗にて補助電極層２００に電気的に接続される構造を実現することができる。その結果、共通電極層１２５と補助電極層２００との電気的接続における電気抵抗の低減を図り、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制することができる。
表示パネル１０では、補助電極層２００に設けられた接続凹部２００ｂは、図１４（ａ）に示すように、略円形の形状の凹部が所定の間隔で列方向に一列に配されている。しかしながら、接続凹部２００ｂは、図１４（ｂ）、（ｄ）に示すように複数列に配されていてもよく、図１４（ｃ）、（ｄ）に示すようにスリット状であってもよい。
表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓeに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
１ 有機ＥＬ表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極層
２００ 補助電極層
２００ｂ 接続凹部
２００ｃ コンタクト面
１２０ ホール注入層
１２０Ａ 下部層
１２０Ｂ 上部層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 共通電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ カラーフィルタ基板
１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１８ 層間絶縁層
１１９ 画素電極層
２００ 補助電極層
２００ｂ 接続凹部
２００ｃ コンタクト面
１２０ ホール注入層
１２０Ａ 下部層
１２０Ｂ 上部層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 共通電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ カラーフィルタ基板
Claims (6)
- 基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域が確保され、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で設けられた給電補助電極層と、
前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨って設けられた機能層と、
前記機能層上に連続して延伸する状態で設けられた共通電極層と、を備え、
前記給電補助電極層は前記基板方向に凹入した凹部を有し、
前記機能層は前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分が欠落している又は薄層化しており、
前記共通電極層は、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触しており、前記機能層が薄膜化している部分において、それ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗にて前記給電補助電極層に電気的に接続している
有機ＥＬ表示パネル。 - 前記基板上の前記電極作成領域には、凹部が形成されており、
前記給電補助電極層の凹部は、前記基板の凹部に沿って形成されている
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 前記給電補助電極層の凹部の内壁と前記基板の上面のなす角度が７５度以上１２０度以下である
請求項１または２記載の有機ＥＬ表示パネル。 - 基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記基板上の行または列方向に隣接する画素電極の間隙の内の少なくとも１の間隙上に列または行方向に延伸する電極作成領域を確保し、当該電極作成領域に隣接する画素電極とは非接触の状態で前記基板側に凹入する凹部を有する給電補助電極層を、気相成長法により形成する工程と、
前記発光層上および前記給電補助電極層上に跨る機能層を、前記給電補助電極層の前記凹部の内壁上に位置する部分において欠落するか薄層化するよう真空蒸着法により形成する工程と、
前記機能層上に連続して延伸するように、且つ、前記機能層の欠落により露出している前記給電補助電極層と直接接触するように、前記機能層が薄層化している部分ではそれ以外の前記機能層の部分よりも低い抵抗で前記共通電極層が前記給電補助電極層に電気的に接続されるように、共通電極層をスパッタリング法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する工程と、
を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - さらに、前記基板を準備する工程の後に、前記電極作成領域に凹部を形成する工程を含み、
前記給電補助電極層を形成する工程では、前記基板の凹部に沿って前記給電補助電極層の凹部を形成する
請求項４記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。 - 前記電極作成領域に凹部を形成する工程では、内壁と前記基板の上面とのなす角度が７５度以上１２０度以下の凹部を形成する
請求項５記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
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