JP2018124437A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第1絶縁基板を備える第1基板と、第2絶縁基板を備え、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる接着層と、を備え、前記接着層は、第1端部及び第2端部を有する第1部分を有し、前記第2基板は、前記第1端部と前記第2端部との間に位置する第3端部を有し、前記第1基板は、前記第1部分と重なる位置において、折れ曲がっている、表示装置。【選択図】 図7
Description
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
表示装置は、例えば、第1基板と第2基板とがシールによって接着されることで構成されている。このような表示装置の製造工程として、2枚の基板をシールによって貼り合わせ、1つずつの表示パネルの個片に切断した後、第2基板の一部を切断し除去することによって、第1基板上の実装部に配置された電極を露出させるという工程が含まれている。このとき、第2基板を切断するためのレーザー光が電極に当たるのを抑制するために、電極と第2基板との間にレーザー光を遮光する部材を配置する技術が知られている。
また、近年では、当該基板にポリイミドなどの樹脂基板を用いることで、表示パネルに可撓性を与えたフレキシブルタイプの表示装置が開発されている。例えば、このようなフレキシブルタイプの表示装置では、表示領域の外において各種配線が形成された配線領域を表示領域の裏側に向けて折り曲げることで、狭額縁化を実現できる。しかしながら、この場合には、折り曲げに起因した応力により配線が損傷するリスクがある。
本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
本実施形態によれば、第1絶縁基板を備える第1基板と、第2絶縁基板を備え、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる接着層と、を備え、前記接着層は、第1端部及び第2端部を有する第1部分を有し、前記第2基板は、前記第1端部と前記第2端部との間に位置する第3端部を有し、前記第1基板は、前記第1部分と重なる位置において、折れ曲がっている、表示装置が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などに適用可能である。
図1は、本実施形態に係る表示装置DSPの構成を示す斜視図である。図1は、第1方向Xと、第1方向Xに垂直な第2方向Yと、第1方向X及び第2方向Yに垂直な第3方向Zによって規定される三次元空間を示している。なお、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。
図1に示すように、表示装置DSPは、表示パネルPNLと、配線基板1と、フレキシブル配線基板2と、を備えている。表示パネルPNLは、平板状の第1基板SUB1と、第1基板SUB1と対向する平板状の第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に配置されたシールSLと、を備えている。
以下の説明において、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。また、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かって見ることを平面視という。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAを囲む非表示領域NDAと、を備えている。表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yに並べられ、マトリクス状に設けられている。
第1基板SUB1は、第2基板SUB2と重なる領域よりも第2方向Yに延出した実装部MTを有している。ここで、第1基板SUB1の第1方向Xに平行な側縁の長さは、第2基板SUB2の第1方向Xに平行な側縁の長さと略等しい。また、第1基板SUB1の第2方向Yに平行な側縁の長さは、第2基板SUB2の第2方向Yに平行な側縁の長さより大きい。つまり、第1基板SUB1のX−Y平面に平行な面積は、第2基板SUB2のX−Y平面に平行な面積より大きい。ここで、X−Y平面は、第1方向Xと第2方向Yとで規定される平面である。
シールSLは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせる接着層に相当する。図示した例では、シールSLは、第2基板SUB2と重なる領域よりも第2方向Yに延出し、実装部MT上にも配置されている。
配線基板1は、非表示領域NDAにおいて実装部MTの上方に接着されている。図示した例では、配線基板1の第1方向Xに平行な側縁の長さは、第1基板SUB1の第1方向Xに平行な側縁の長さと比べて小さいが、同等であっても良い。配線基板1は、表示パネルPNLと電気的に接続されている。
フレキシブル配線基板2は、配線基板1の下方に配置され、配線基板1と電気的に接続されている。フレキシブル配線基板2は、配線基板1の第1基板SUB1が重なっている側とは反対側に重なっている。なお、フレキシブル配線基板2は、配線基板1の上方に配置されていてもよい。
ここで、本実施形態においては、表示装置DSPは、電子機器等の筐体に収容される際に折り曲げられる領域である折り曲げ領域BAを有している。図中、折り曲げ領域BAは、斜線で示されている。すなわち、配線基板1及びフレキシブル配線基板2が表示領域DAの下方側に配置されるように、折り曲げ領域BAが折り曲げられる。折り曲げ領域BAは、非表示領域NDA内に位置している。
以下、本実施形態においては、表示装置が液晶表示装置である場合の構成について説明する。
図2は、図1に示した表示装置DSPの表示領域DAを示す断面図である。なお、図2は、一例として、Twisted Nematic(TN)モードを用いた反射型の液晶表示装置を示している。
図2は、図1に示した表示装置DSPの表示領域DAを示す断面図である。なお、図2は、一例として、Twisted Nematic(TN)モードを用いた反射型の液晶表示装置を示している。
図2に示すように、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、薄膜トランジスタTr、反射層4、画素電極PE、第1配向膜AL1、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第4絶縁膜14等を備えている。
第1絶縁基板10は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えばポリイミドを用いて形成される。第1絶縁基板10は、第1絶縁膜11によって覆われている。
薄膜トランジスタTrは、第1絶縁膜11の上方に形成されている。図示した例では、薄膜トランジスタTrはトップゲート型に構成されているが、ボトムゲート型であっても良い。薄膜トランジスタTrは、第1絶縁膜11の上に形成された半導体層SCを備えている。半導体層SCは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。
薄膜トランジスタTrのゲート電極WGは、第2絶縁膜12の上に形成され、半導体層SCの直上に位置している。ゲート電極WGは、ゲート配線Gに電気的に接続され(あるいは、ゲート配線Gと一体的に形成され)、第3絶縁膜13によって覆われている。また、第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。
このような第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、及び、第3絶縁膜13は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。
薄膜トランジスタTrのソース電極WS及びドレイン電極WDは、第3絶縁膜13の上に形成されている。また、ソース配線Sも同様に第3絶縁膜13の上に形成されている。ソース電極WSは、ソース配線Sに電気的に接続されている(あるいは、ソース配線Sと一体的に形成されている)。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、それぞれ第2絶縁膜12及び第3絶縁膜13を貫通するコンタクトホールCH1、CH2を通して半導体層SCと電気的に接続されている。薄膜トランジスタTrは、第4絶縁膜14によって覆われている。第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上にも配置されている。このような第4絶縁膜14は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。
反射層4は、例えば、第4絶縁膜14の上に形成されている。反射層4は、アルミニウムや銀等の反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層4の表面(つまり、第2基板SUB2側の面)は、光散乱性を付与するための凹凸面であることが望ましい。
画素電極PEは、第4絶縁膜14の上に形成されるが、図示した例では、反射層4に重なっている。なお、反射層4は、画素電極PEと対向する位置に形成されていれば良く、画素電極PEと反射層4との間に他の絶縁膜が介在していても良い。画素電極PEは、第4絶縁膜14を貫通するコンタクトホールCH3を通して薄膜トランジスタTrのドレイン電極WDにコンタクトしている。画素電極PEは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)等の透明な導電材料によって形成されている。画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。
一方、第2基板SUB2は、第1基板SUB1の上方に位置し、第1基板SUB1に対向配置されている。第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、共通電極CE、第2配向膜AL2等を備えている。
第2絶縁基板20は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えばポリイミドを用いて形成される。ここで、第1絶縁基板10の第3方向Zに沿った厚さT1及び第2絶縁基板20の第3方向Zに沿った厚さT2は、互いに異なっていても良い。例えば、厚さT1は、厚さT2より小さく形成されている。
遮光層BMは、第2絶縁基板20の主面20A側に形成されている。遮光層BMは、各画素PXを区画するように形成されており、第1基板SUB1に設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらには薄膜トランジスタTr等の配線部やコンタクトホールCH3等に対向するように形成されている。遮光層BMは、遮光性の金属材料や黒色の樹脂材料によって形成されている。
カラーフィルタCFは、主面20A側に形成され、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色のカラーフィルタは赤色画素に対応して配置され、緑色のカラーフィルタは緑色画素に対応して配置され、青色のカラーフィルタは青色画素に対応して配置されている。なお、カラーフィルタCFは、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。異なる色のカラーフィルタCF間の境界は、遮光層BMと対向している。
オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂材料によって形成されている。
共通電極CEは、オーバーコート層OCの第1基板SUB1と対向する側に形成されている。このような共通電極CEは、例えば、ITOやIZO等の透明な導電材料によって形成されている。共通電極CEは、第2配向膜AL2によって覆われている。
上述したような第1基板SUB1と第2基板SUB2において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、互いに対向して配置されている。このとき、第1基板SUB1と第2基板SUB2の間には、図示しないスペーサにより、所定のセルギャップが形成される。第1基板SUB1と第2基板SUB2とは、セルギャップが形成された状態で図示しないシールによって貼り合わせられている。液晶層LQは第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。第2絶縁基板20の主面20Bには、偏光板PLを含む光学素子ODが配置されている。
図3は、本実施形態に係る表示パネルPNLの構成を示す平面図である。シールSLは、右上がりの斜線で示される領域に配置されている。ここで、表示領域DAよりも左側の領域を一端側とし、表示領域DAよりも右側の領域を他端側とする。
シールSLは、第1方向Xに沿って延出した第1部分SL1と、第2方向Yに沿って延出した第2部分SL2と、第1方向Xに沿って延出した第3部分SL3と、第2方向Yに沿って延出した第4部分SL4と、を有している。第1部分SL1は、実装部MT側に配置されている。第1部分SL1は、第1方向Xに沿って延出した端部(第1端部)SLE1及び端部(第2端部)SLE2を有している。端部SLE2は、端部SLE1よりも表示領域DA側に位置している。第2部分SL2は、非表示領域NDAの一端側で第1部分SL1と交差している。第4部分SL4は、非表示領域NDAの他端側で第1部分SL1と交差している。第3部分SL3は、一端側で第2部分SL2と交差し、他端側で第4部分SL4と交差している。第1部分SL1と第3部分SL3とは、表示領域DAを介して第2方向Yに対向している。第2部分SL2と第4部分SL4とは、表示領域DAを介して第1方向Xに対向している。
第1部分SL1は、第2方向Yに沿って幅W1を有している。第2部分SL2は、第1方向Xに沿って幅W2を有している。第3部分SL3は、第2方向Yに沿って幅W3を有している。第4部分SL4は、第1方向Xに沿って幅W4を有している。幅W2、W3、W4は、例えば、略同一の大きさである。また、幅W1は、幅W2より大きい。ここで、本実施形態においては、例えば、幅W1は約2.5mmであり、幅W2、W3、W4はそれぞれ約0.5mmである。
また、接着力の観点から、第1部分SL1の幅W1のうち、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に配置される幅W1aは、少なくとも第2部分乃至第4部分SL2乃至SL4の幅W2乃至W4と略同一であるのが好ましい。なお、接着力を向上させるために幅W1aが幅W2乃至W4よりも大きい幅を有しても良いが、少なくとも幅W1よりも小さい方が好ましい。
また、接着力の観点から、第1部分SL1の幅W1のうち、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に配置される幅W1aは、少なくとも第2部分乃至第4部分SL2乃至SL4の幅W2乃至W4と略同一であるのが好ましい。なお、接着力を向上させるために幅W1aが幅W2乃至W4よりも大きい幅を有しても良いが、少なくとも幅W1よりも小さい方が好ましい。
第1基板SUB1は、第1方向Xに沿って延出した端部(第4端部)SUB1Eを有している。また、第2基板SUB2は、第1方向Xに沿って延出した端部(第3端部)SUB2Eを有している。実装部MTは、端部SLE1と端部SUB1Eとの間に位置している。端部SUB2Eは、平面視で、端部SLE1と端部SLE2との間に位置している。また、端部SLE1は、端部SUB1Eと端部SUB2Eとの間に位置している。
また、第1基板SUB1は、外部から電気回路を接続するための複数のパッド電極PDを備えている。複数のパッド電極PDは、実装部MTにおいて、第1方向Xに並んで配置されている。折り曲げ領域BAは、端面SLE2と端面SUB2Eとの間に位置している。複数の信号配線6は、それぞれパッド電極PDに接続され、折り曲げ領域BAにおいて第2方向Yに沿って延出し第1方向Xに沿って並んでいる。
図4は、図3に示した表示パネルPNLの線A−Bに沿った断面図である。ここでは、非表示領域NDAにおける表示パネルPNLを示している。また、図4では、主要な構成のみを図示している。図示した例では、表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、第1部分SL1と、液晶層LQと、を備えている。
上記したように、端部SLE1は、第2方向Yにおいて、端部SUB1Eと端部SUB2Eとの間に位置している。すなわち、第1部分SL1は、第2基板SUB2と重なる重畳部SL1aと、第2基板SUB2から露出した露出部SL1bと、を有している。重畳部SL1aと露出部SL1bとの間の境界は、端部SUB2Eと同一平面上に位置している。つまり、端部SUB2Eは、第1部分SL1と第3方向Zにおいて重なっている。
図5及び図6は、本実施形態の表示装置DSPの製造方法を示す図である。図5及び図6は、図3に示した表示パネルPNLの線A−Bに沿った断面における製造方法を示している。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。図5は、複数の第1基板SUB1を形成するための第1マザー基板、及び、複数の第2基板SUB2を形成するための第2マザー基板をシールSLによって貼り合わせ、表示パネルPNLを個片に切断した後の工程を示している。
図5に示すように、表示パネルPNLを用意する。図示した表示パネルPNLにおいては、第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、X−Y平面において略同一の面積を有している。このとき、端部SUB1E及びSUB2Eは、第3方向Zにおいて同一平面上に位置している。また、端部SLE1は、第2方向Yにおいて、端部SUB1E及びSUB2Eよりも液晶層LQ側に位置している。
次に、図6に示すように、第2基板SUB2を切断し除去して、第1基板SUB1に配置されたパッド電極PDを表示パネルPNLの上方に露出させる。すなわち、レーザー光LLを照射することによって第2基板SUB2を切断し、第2基板SUB2の部分30を取り除く。このとき、第2基板SUB2は、第1部分SL1と第3方向Zに重なる位置で切断されている。つまり、レーザー光LLは、第2基板SUB2を切断する際に、第1部分SL1に到達する。ここで、第1部分SL1は、例えば、アクリレート骨格を有する樹脂材料を用いて形成され、本実施形態においては、エポキシアクリレートを用いて形成されている。また、レーザー光LLは、例えば、CO2レーザーである。本実施形態においては、レーザー光LLは、308nm以下の波長を有している。第1部分SL1は、350nmより波長の短い光でのレーザーによって分解されるためのエネルギーが第2基板SUB2よりも大きい。つまりは、第1部分SL1は、350nmより波長の短い光では分解されにくい。そのため、レーザー光LLによって第2基板SUB2は削られ切断されるが、第1部分SL1はほとんど削られることはない。
上記のように、部分30が除去されることによって、端部SUB2Eが第3方向Zにおいて第1部分SL1と重なり、端部SLE1が第2方向Yにおいて端部SUB2Eと端部SUB1Eとの間に位置する。また、第1基板SUB1に実装部MTが形成され、パッド電極PDは、表示パネルPNLの上方に露出する。
図7は、本実施形態に係る表示装置DSPの折り曲げ領域BAが折り曲がった状態を示す図である。
折り曲げ領域BAは、配線基板1と表示領域DAが対向するように折れ曲がっている。図示した例では、第1絶縁基板10、信号配線6、第1部分SL1、及び、第2絶縁基板20は、それぞれ折り曲げ領域BAにおいて折れ曲がっている。すなわち、表示装置DSPは、第1部分SL1と重なる位置において折れ曲がっている。
折り曲げ領域BAは、配線基板1と表示領域DAが対向するように折れ曲がっている。図示した例では、第1絶縁基板10、信号配線6、第1部分SL1、及び、第2絶縁基板20は、それぞれ折り曲げ領域BAにおいて折れ曲がっている。すなわち、表示装置DSPは、第1部分SL1と重なる位置において折れ曲がっている。
サポート部材5は、実装部MTと表示領域DAとの間に配置されている。接着層AD1は、表示領域DA側の表示パネルPNLとサポート部材5との間に配置され、両者を接着している。また、接着層AD2は、実装部MT側の表示パネルPNLとサポート部材5との間に配置され、両者を接着している。接着層AD1及びAD2は、例えば両面テープである。
なお、サポート部材5は、配置されていなくても良い。また、図中のサポート部材5が配置されている位置に、例えば、バックライトユニットが配置されていても良い。
なお、サポート部材5は、配置されていなくても良い。また、図中のサポート部材5が配置されている位置に、例えば、バックライトユニットが配置されていても良い。
ここで、折り曲げ領域BAにおいては、表示パネルPNLに引張応力と圧縮応力が発生する。引張応力は、主面20Bで最大となり、圧縮応力は、主面10Bで最大となる。信号配線6にこれらの引張応力あるいは圧縮応力が加わると、信号配線6が断線する恐れがある。そこで、本実施形態においては、折り曲げ領域BAに位置する信号配線6を圧縮応力と引張応力がいずれも零となる中立面又はその近傍に位置させることによって、信号配線6の断線を抑制することが可能である。
本実施形態によれば、第1部分SL1の幅W1は、第2部分SL2の幅W2、第3部分SL3の幅W3、第4部分SL4の幅W4より大きく、折り曲げ領域BAは、第1部分SL1と重なるように位置している。すなわち、折り曲げ領域BAにおいて、信号配線6が中立面又はその近傍に位置するように、シールSLが配置されている。このため、信号配線6を圧縮応力及び引張応力から保護することができる。これにより、信号配線6の断線などのダメージを軽減することができる。また、折り曲げ領域BAは、第2基板SUB2とも重なるように位置している。すなわち、折り曲げ領域BAにおいて、表示パネルPNLは、中立面を中心にして略上下対称の積層構造を有している。このため、より中立面制御がしやすく、信号配線6が中立面又はその近傍に位置するように形成することができる。これにより、さらに、信号配線6を圧縮応力及び引張応力から保護することができ、断線などのダメージを軽減することができる。
さらに、シールSLを中立面制御に用いることによって、中立面制御のための部材点数を削減することができるとともに、製造工程数を削減することができる。このため、製造コストを削減することができる。
なお、信号配線6を中立面又はその近傍に位置させるため、上述したように、第1絶縁基板10の厚さT1と第2絶縁基板20の厚さT2とは、異なっていても良い。
なお、信号配線6を中立面又はその近傍に位置させるため、上述したように、第1絶縁基板10の厚さT1と第2絶縁基板20の厚さT2とは、異なっていても良い。
また、本実施形態によれば、第2基板SUB2の端部SUB2Eは、第1部分SL1と第3方向Zに重なっている。すなわち、図6に示したように、第2基板SUB2はレーザー光LLによって切断され、このとき、レーザー光LLは第1部分SL1に到達する。350nmより短波長の光に対して、第1部分SL1のレーザーによって分解されるためのエネルギーは、第2基板SUB2のレーザーによって分解されるためのエネルギーよりも大きい。このため、適切なパワーに調整したレーザー光LLによって、第1部分SL1と重なる位置で第2基板SUB2を切断することで、第1基板SUB1の損傷を抑制し、歩留まりの低下を抑制することができる。
また、上記したように、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが貼り合わせられた後に部分30が除去される。このため、予め部分30の分だけ小さく形成された第2基板SUB2を第1基板SUB1に貼り合わせる場合と比べて、第2基板SUB2の位置精度を考慮する必要がない。また、部分30を除去する工程まで、第2基板SUB2はパッド電極PDと第3方向Zで対向しているため、パッド電極PDを保護することができる。
また、幅W1が幅W2、W3、W4より大きいことから、第1部分SL1の塗布面積は、第2部分SL2、第3部分SL3、及び、第4部分SL4の塗布面積より大きい。そのため、幅W1が幅W2、3、4と同等であった場合と比較してシールSLの接着強度を向上することができる。したがって、シールSLの剥がれが抑制され、信頼性を向上することができる。
図8及び図9は、本実施形態の表示装置DSPの他の製造方法を示す図である。図8及び図9は、図3に示した表示パネルPNLの線A−Bに沿った断面における製造方法を示している。
図8に示すように、表示パネルPNLを用意する。図8は、図5と比較して、表示パネルPNLが保護フィルム40を備えている点で相違している。保護フィルム40は、表示パネルPNLの上に配置され、製造工程において、第2基板SUB2を保護する。また、保護フィルム40は、隙間Sを有している。隙間Sは、例えば、表示パネルPNLを個片に切断する工程において用いられるのと同様のレーザーを用いて形成され、例えば、CO2レーザーによって形成される。
次に、図9に示すように、第2基板SUB2を切断し除去して、第1基板SUB1に配置されたパッド電極PDを表示パネルPNLの上方に露出させる。このとき、レーザー光LLを図8に示した隙間Sと重なる位置に照射することによって第2基板SUB2を切断し、第2基板SUB2の部分30を取り除く。すなわち、隙間Sによって部分30を切断するためのカットラインが形成される。そのため、レーザー光LLをカットラインに合わせて照射すればよく、レーザー照射の位置精度を向上することができる。部分30を除去した後、保護フィルム40を剥離する。
図8及び図9に示したような実施例によれば、隙間Sを有する保護フィルム40を表示パネルPNLの上に配置することで、レーザー光LLの照射位置を定めることができる。そのため、レーザー光LLによる切断位置のずれが生じるのを抑制し、第1部分SL1と重なる位置で第2基板SUB2を切断することが可能である。このため、第1基板SUB1の損傷を抑制し、歩留まりの低下を抑制することができる。さらには、隙間Sは表示パネルPNLを個片に切断する工程において同時に形成することができ、製造工程数を増やさず、歩留りの低下を抑制することができる。
さらに、保護フィルム40は、レーザー光LLを遮光する材料によって形成されている。つまり、第2基板SUB2は、保護フィルム40によってマスクされているため、隙間Sの周辺において第2基板SUB2がレーザー光LLによって損傷するのを抑制することができる。
このような実施例においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
このような実施例においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。
なお、上記実施形態は表示装置が液晶表示装置である場合について説明したが、表示装置が、有機エレクトロルミネッセンス表示装置である場合にも、上記実施形態を適用することができる。
また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
DSP…表示装置、10…第1絶縁基板、20…第2絶縁基板、MT…実装部、
SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、SL…シール、GL…接着層、
SL1…第1部分、SL2…第2部分、SL1a…重畳部、SL1b…露出部、
W1、W2、W3、W4…幅、LQ…液晶層、OLED…有機EL素子、
SLE…端部、SUB1E…端部、SUB2E…端部。
SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、SL…シール、GL…接着層、
SL1…第1部分、SL2…第2部分、SL1a…重畳部、SL1b…露出部、
W1、W2、W3、W4…幅、LQ…液晶層、OLED…有機EL素子、
SLE…端部、SUB1E…端部、SUB2E…端部。
Claims (7)
- 第1絶縁基板を備える第1基板と、
第2絶縁基板を備え、前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる接着層と、を備え、
前記接着層は、第1端部及び第2端部を有する第1部分を有し、
前記第2基板は、前記第1端部と前記第2端部との間に位置する第3端部を有し、
前記第1基板は、前記第1部分と重なる位置において、折れ曲がっている、表示装置。 - 前記第1基板は、第4端部を有し、前記第2端部と前記第4端部との間に実装部を備える、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁基板及び前記第2絶縁基板は、ポリイミドで形成される、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記第1部分は、350nmより短い波長の光によって分解されるためのエネルギーが前記第2基板よりも大きい、請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記接着層は、エポキシアクリレートを用いて形成される請求項1乃至4の何れか1項に記載の表示装置。
- さらに、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層を備える、請求項1乃至5の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記接着層は、前記第1部分と交差する第2部分を有し、前記第1部分の第1幅は、前記第2部分の第2幅より大きい、請求項6に記載の表示装置。
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