JP2018123030A - ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018123030A JP2018123030A JP2017017226A JP2017017226A JP2018123030A JP 2018123030 A JP2018123030 A JP 2018123030A JP 2017017226 A JP2017017226 A JP 2017017226A JP 2017017226 A JP2017017226 A JP 2017017226A JP 2018123030 A JP2018123030 A JP 2018123030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pen input
- glass substrate
- input device
- glass
- pen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 239000006066 glass batch Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- KZDCMKVLEYCGQX-UDPGNSCCSA-N 2-(diethylamino)ethyl 4-aminobenzoate;(2s,5r,6r)-3,3-dimethyl-7-oxo-6-[(2-phenylacetyl)amino]-4-thia-1-azabicyclo[3.2.0]heptane-2-carboxylic acid;hydrate Chemical compound O.CCN(CC)CCOC(=O)C1=CC=C(N)C=C1.N([C@H]1[C@H]2SC([C@@H](N2C1=O)C(O)=O)(C)C)C(=O)CC1=CC=CC=C1 KZDCMKVLEYCGQX-UDPGNSCCSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- -1 WO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008395 clarifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001676 gahnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000007372 rollout process Methods 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052644 β-spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
【課題】入力ペンによる書き味が優れるとともに、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができるペン入力装置用ガラス基板の提供。【解決手段】ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶Cを有する結晶化ガラス板により構成され、結晶化ガラス板は、結晶化度が50%以上であり、ヘイズが、可視光の波長域において10%以下であり、結晶化ガラス板の主面20aは、結晶化ガラスにより構成されたガラス元板をエッチングすることにより、主面20aには結晶による凹凸が形成され、主面20aが、結晶Cにより構成されてなるペン入力装置用ガラス基板。結晶Cの粒子径が5〜10nmであるペン入力装置用ガラス基板。【選択図】図2
Description
本発明は、ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法に関する。
従来より、入力ペンを用いて文字及び図形等の入力を行うことができるペン入力装置が知られている。
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等のディスプレイ装置の前面側にガラス基板等で構成される透明なカバー部材が配置されており、このカバー部材に対して入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、一般的にガラス基板の表面は凹凸が小さく滑らかに形成されているため、ガラス基板の表面に入力ペンを接触させて移動した場合にペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等のディスプレイ装置の前面側にガラス基板等で構成される透明なカバー部材が配置されており、このカバー部材に対して入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、一般的にガラス基板の表面は凹凸が小さく滑らかに形成されているため、ガラス基板の表面に入力ペンを接触させて移動した場合にペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。
例えば特許文献1には、ペン入力装置における入力ペンの書き味を高めるために、活性エネルギー線硬化型樹脂組成物からなり、カバー部材の表面に凹凸を有する樹脂層(防眩層)を形成することが開示されている。
しかし、前述のような凹凸を有する樹脂層は、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが高くなる傾向があり、凹凸を有する樹脂層が形成されたカバー部材をディスプレイ装置の前面側に配置すると、ディスプレイ装置の解像度が低下することとなる。解像度の低下は、特に高解像度のディスプレイ装置において顕著である。
また、特許文献1のようにカバー部材の表面に凹凸を有する樹脂層を形成した場合、スパークリングと呼ばれるギラつきが発生する。
さらに、樹脂層は一般に柔らかく、耐傷性が低いために傷が付きやすく、樹脂層に付いた傷はディスプレイ装置の解像度を低下させる原因となる。
すなわち、従来の防眩層の材質の検討では、入力ペンにより書き味を良くするとともに、ディスプレイ装置の解像度を保持することは困難であった。
また、特許文献1のようにカバー部材の表面に凹凸を有する樹脂層を形成した場合、スパークリングと呼ばれるギラつきが発生する。
さらに、樹脂層は一般に柔らかく、耐傷性が低いために傷が付きやすく、樹脂層に付いた傷はディスプレイ装置の解像度を低下させる原因となる。
すなわち、従来の防眩層の材質の検討では、入力ペンにより書き味を良くするとともに、ディスプレイ装置の解像度を保持することは困難であった。
そこで、本発明においては、耐傷性が高く、入力ペンによる書き味が優れるとともに、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができるペン入力装置用ガラス基板、及びペン入力装置を提供するものである。
上記課題を解決するペン入力装置用ガラス基板、及びペン入力装置は、以下の特徴を有する。
即ち、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板は、結晶を有する結晶化ガラス板により構成され、前記結晶化ガラス板の主面には、前記結晶により凹凸が形成されてなる。
このような構成により、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持し、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。
即ち、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板は、結晶を有する結晶化ガラス板により構成され、前記結晶化ガラス板の主面には、前記結晶により凹凸が形成されてなる。
このような構成により、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持し、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。
また、前記結晶は、粒子径が5nm以上、100nm以下であることが好ましい。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
また、前記結晶化ガラス板は、結晶化度が50%以上であることが好ましい。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
また、ヘイズが、可視光の波長域において10%以下であることが好ましい。
これにより、ペン入力装置用ガラス基板の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。
これにより、ペン入力装置用ガラス基板の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。
また、前記結晶が、β−石英固溶体であることが好ましい。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。
また、質量百分率表示で、SiO2 55〜75%、Al2O3 15〜25%、Li2O 3〜4%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、MgO 0〜3%、BaO 0.5〜2%、TiO2 1〜3%、ZrO2 0〜3%、TiO2+ZrO2 3〜5%、P2O5 0〜3%、SnO2 0〜0.5%、Fe2O3 0.003〜0.02%の組成を含有することが好ましい。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味をより優れたものとすることができる。
また、ペン入力装置は、上述の何れかのペン入力装置用ガラス基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える。
このような構成により、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持し、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。
このような構成により、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持し、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。
また、ペン入力装置用ガラス基板の製造方法は、結晶を有する結晶化ガラス板により構成されるペン入力装置用ガラス基板の製造方法であって、前記結晶化ガラス基板は、結晶を有する結晶化ガラスにより構成されたガラス元板をエッチングし、主面に、前記結晶による凹凸を形成する。
これにより、上述のペン入力装置用ガラス基板を容易に製造することができる。
これにより、上述のペン入力装置用ガラス基板を容易に製造することができる。
本発明によれば、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
図1に示すペン入力装置10は、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板を備えたペン入力装置の一実施形態である。
ペン入力装置10は、映像を表示するディスプレイパネル30と、ディスプレイパネル30の前面側に配置されるカバーガラスとしてのペン入力装置用ガラス基板20と、ディスプレイパネル30の背面側に配置されるデジタイザ回路40と、入力ペン50とを備える。ペン入力装置用ガラス基板20は、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板の一例であり、デジタイザ回路40は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
なお、ディスプレイパネル30の「前面側」とは、映像が表示される側をいい、ディスプレイパネル30の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側をいう。図1において、ディスプレイパネル30の「前面側」は、紙面上方、「背面側」は、紙面下方となる。
ペン入力装置10は、映像を表示するディスプレイパネル30と、ディスプレイパネル30の前面側に配置されるカバーガラスとしてのペン入力装置用ガラス基板20と、ディスプレイパネル30の背面側に配置されるデジタイザ回路40と、入力ペン50とを備える。ペン入力装置用ガラス基板20は、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板の一例であり、デジタイザ回路40は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
なお、ディスプレイパネル30の「前面側」とは、映像が表示される側をいい、ディスプレイパネル30の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側をいう。図1において、ディスプレイパネル30の「前面側」は、紙面上方、「背面側」は、紙面下方となる。
ペン入力装置10は、ペン入力装置用ガラス基板20に対して入力ペン50を接触させた状態で移動させることにより、文字や図形などの入力を行うことが可能となっている。
ペン入力装置10は、例えばタブレット端末である。このタブレット端末は、表示機能とペン入力機能とを備えたペン入力用表示装置を広く意味する。タブレット端末は、タブレットPC、モバイルPC、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含む。
ペン入力装置10は、例えばタブレット端末である。このタブレット端末は、表示機能とペン入力機能とを備えたペン入力用表示装置を広く意味する。タブレット端末は、タブレットPC、モバイルPC、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含む。
ペン入力装置用ガラス基板20は、少なくとも一方の主面20aに凹凸が形成された透明なガラス板により形成されている。ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶化ガラス板である。なお、ペン入力装置用ガラス基板20の詳細については後述する。
ディスプレイパネル30は、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、及び有機ELディスプレイなどの公知の表示パネルにて構成されている。ディスプレイパネル30においては、ペン入力装置用ガラス基板20は、凹凸が形成された主面20aが入力ペン50が接触する側の面となるように配置されている。
デジタイザ回路40は、入力ペン50による入力を検出する検出センサを備えている。
入力ペン50は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力具であり、ペン入力装置用ガラス基板20と接触するペン先51は、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、又はフェルトなどで構成されている。これらの部材により構成されたペン先51は、凹凸に対して引っかかりやすい。従って、入力ペン50のペン先51を、凹凸が形成されたペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。
入力ペン50は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力具であり、ペン入力装置用ガラス基板20と接触するペン先51は、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、又はフェルトなどで構成されている。これらの部材により構成されたペン先51は、凹凸に対して引っかかりやすい。従って、入力ペン50のペン先51を、凹凸が形成されたペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。
次に、ペン入力装置用ガラス基板20について説明する。
ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶化ガラス板により構成されており、図2に示すように、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aは、結晶Cと、ガラスマトリックスAMにより構成されている。すなわち、ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶Cが露出するように構成されてなる。そして、ペン入力装置用ガラス基板の主面20aには、ガラスマトリックスAMと比較して硬度の高い結晶Cによって構成された凹凸が形成されているため、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aは、耐傷性が高く、ペン先51が結晶Cに引っ掛かりやすい。
ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶化ガラス板により構成されており、図2に示すように、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aは、結晶Cと、ガラスマトリックスAMにより構成されている。すなわち、ペン入力装置用ガラス基板20は、結晶Cが露出するように構成されてなる。そして、ペン入力装置用ガラス基板の主面20aには、ガラスマトリックスAMと比較して硬度の高い結晶Cによって構成された凹凸が形成されているため、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aは、耐傷性が高く、ペン先51が結晶Cに引っ掛かりやすい。
そのため、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aは、上述のエラストマー、ポリアセタール樹脂などの樹脂材、及びフェルトなどといった凹凸に対して引っかかりを生じやすい部材で構成されているペン先51に対して書き味が特に優れたものとなっている。
本実施形態の場合、結晶Cは、β−石英固溶体である。β−石英固溶体の結晶とは、構成成分としてLi2O、Al2O3及びSiO2を必須とする結晶(LAS系結晶)を主結晶として析出した結晶化ガラスを意味し、Li2O・Al2O3・nSiO2(ただし4>n≧2)で表すことができる。結晶としては、β−石英固溶体の結晶以外にも、LAS系結晶であるβ−スポジュメン[Li2O・Al2O3・nSiO2(ただしn≧4)]や、LAS系結晶以外の結晶を析出しても良い。LAS系結晶以外の結晶として、例えば、ムライト[2SiO2・3Al2O3]、β−ウイレマイト[ZnO・2SiO2]、ガーナイト[ZnO・Al2O3]、フォルステライト[2MgO・SiO2]が挙げられる。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20に含まれる結晶Cの粒子径が5nm以上、100nm以下である。
結晶Cの粒子径がこのような範囲であることにより、散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラツキの発生を抑制できる。また、ペン先51のペン入力装置用ガラス基板20に対する引っかかりも良く、より書き味が優れる。
結晶Cの粒子径がこのような範囲であることにより、散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラツキの発生を抑制できる。また、ペン先51のペン入力装置用ガラス基板20に対する引っかかりも良く、より書き味が優れる。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶Cの粒子径の下限値は5nmに設定されているが、10nmに設定することが好ましく、15nmに設定することがさらに好ましい。
また、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶Cの粒子径の上限値は100nmに設定されているが、50nmに設定することが好ましく、40nmに設定することがさらに好ましい。
結晶Cの粒子径の測定は、例えばペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡により観察して測定することが可能である。この場合、走査型電子顕微鏡の倍率は、100000〜300000倍であることが好ましい。なお、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの粒子径と、ペン入力装置用ガラス基板20の内部(図2において、主面20aよりも紙面下方)の結晶Cの粒子径は、ほぼ同一である。また、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡により観察して測定することにより、主面20aが結晶Cにより構成されているか否かについて確認することも可能である。例えば、図3は、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの走査型電子顕微鏡の画像であり、塊状の物体が、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aにおいて、結晶Cであることを示す。なお、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡で観察する前には、埃や異物等を除去するために、ペン入力装置用ガラス基板20を超音波洗浄機により1分間洗浄した後、主面20aに一切触れず、埃等の異物が付着しないように、密閉したデシケーター内で1時間乾燥させた後に測定を行った。
また、画像の塊状の物体が結晶Cか否かを判断する方法としては、例えば、X線回折装置により結晶の粒子径の概算値を求め、概算値に対して、1/3〜3倍の粒子は結晶Cであるものと判断しても良い。
また、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶Cの粒子径の上限値は100nmに設定されているが、50nmに設定することが好ましく、40nmに設定することがさらに好ましい。
結晶Cの粒子径の測定は、例えばペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡により観察して測定することが可能である。この場合、走査型電子顕微鏡の倍率は、100000〜300000倍であることが好ましい。なお、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの粒子径と、ペン入力装置用ガラス基板20の内部(図2において、主面20aよりも紙面下方)の結晶Cの粒子径は、ほぼ同一である。また、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡により観察して測定することにより、主面20aが結晶Cにより構成されているか否かについて確認することも可能である。例えば、図3は、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの走査型電子顕微鏡の画像であり、塊状の物体が、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aにおいて、結晶Cであることを示す。なお、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aを走査型電子顕微鏡で観察する前には、埃や異物等を除去するために、ペン入力装置用ガラス基板20を超音波洗浄機により1分間洗浄した後、主面20aに一切触れず、埃等の異物が付着しないように、密閉したデシケーター内で1時間乾燥させた後に測定を行った。
また、画像の塊状の物体が結晶Cか否かを判断する方法としては、例えば、X線回折装置により結晶の粒子径の概算値を求め、概算値に対して、1/3〜3倍の粒子は結晶Cであるものと判断しても良い。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20は、その結晶化度が50%以上である。
結晶化度がこのような範囲であることにより、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに、結晶Cが均一に形成されやすいため、入力ペン50のペン先51を、凹凸が形成されたペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。
結晶化度がこのような範囲であることにより、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに、結晶Cが均一に形成されやすいため、入力ペン50のペン先51を、凹凸が形成されたペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶化度の下限値は50%に設定されているが、55%に設定することが好ましく、60%に設定することがさらに好ましい。
また、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶化度の上限値は設定されていないが、90%に設定することが好ましく、85%に設定することがさらに好ましい。
また、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶化度の上限値は設定されていないが、90%に設定することが好ましく、85%に設定することがさらに好ましい。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20の可視光(380nm〜780nm)の平均透過率は、30%以上であることが好ましい。
ペン入力装置用ガラス基板20の可視光の平均透過率を30%以上とすることで、ペン入力装置用ガラス基板20の透明度を保持することができ、ディスプレイパネル30の高解像度を保持することができる。
ペン入力装置用ガラス基板20の可視光の平均透過率を30%以上とすることで、ペン入力装置用ガラス基板20の透明度を保持することができ、ディスプレイパネル30の高解像度を保持することができる。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20の可視光の平均透過率は、30%以上に設定されているが、50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましい。
ペン入力装置用ガラス基板20は、ディスプレイパネル30の映像をペン入力装置用ガラス基板20を介して見たときの映像の解像度の観点から、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが、可視光の波長域(380nm〜780nm)において10%以下であることが好ましい。
ペン入力装置用ガラス基板20のヘイズを10%以下とすることで、ペン入力装置用ガラス基板20の透明度を保持することができ、ディスプレイパネル30の高解像度を保持することができる。
ペン入力装置用ガラス基板20のヘイズを10%以下とすることで、ペン入力装置用ガラス基板20の透明度を保持することができ、ディスプレイパネル30の高解像度を保持することができる。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20のヘイズは10%以下に設定されているが、7%以下であることが好ましく、5%以下であることがより好ましく、4%以下であることがさらに好ましい。
また、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aには、入力ペン50が接触する側の反射率を低下させるための反射防止膜、又は撥水性、撥油性を付与し、指紋の付着を防止するための防汚膜が形成されていてもよい。
反射防止膜は、ペン入力装置用ガラス基板20をペン入力装置10のカバーガラスとして使用する場合には、少なくともペン入力装置用ガラス基板20の表側(入力ペン50が接触する側)の主面20aに有する。また、ペン入力装置用ガラス基板20とディスプレイパネル30との間に隙間がある場合には、ペン入力装置用ガラス基板20の裏側(ディスプレイパネル30側)の主面20aにも反射防止膜を有することが好ましい。
反射防止膜としては、例えばペン入力装置用ガラス基板20よりも屈折率が低い低屈折率膜、又は相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、又はCVD法などにより形成することができる。
反射防止膜としては、例えばペン入力装置用ガラス基板20よりも屈折率が低い低屈折率膜、又は相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、又はCVD法などにより形成することができる。
ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するペン入力装置用ガラス基板20のヘイズが上述の範囲となるように、ペン入力装置用ガラス基板20の主面の凹凸が形成される。
防汚膜は、ペン入力装置用ガラス基板20をペン入力装置10のカバーガラスとして使用する場合には、ペン入力装置用ガラス基板20の表側(入力ペン50が接触する側)の主面20aに有する。
防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、−Si−O−Si−ユニットを有し、かつ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
ペン入力装置用ガラス基板20の表側の主面20aに反射防止膜と防汚膜とを有する場合には、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20a上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜が形成される。
防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、−Si−O−Si−ユニットを有し、かつ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
ペン入力装置用ガラス基板20の表側の主面20aに反射防止膜と防汚膜とを有する場合には、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20a上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜が形成される。
ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに防汚膜を有する場合、又はペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のペン入力装置用ガラス基板20のヘイズ、又は反射防止膜と防汚膜とを形成した後のペン入力装置用ガラス基板20のヘイズが上述の範囲となるように、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの凹凸が形成される。
図4は、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aに反射防止膜AR及び防汚膜AFを有する膜付きガラス基板60である。
本実施形態の場合、ペン入力装置用ガラス基板20は、質量百分率表示で、SiO2 55〜75%、Al2O3 15〜25%、Li2O 3〜4%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、MgO 0〜3%、BaO 0.5〜2%、TiO2 1〜3%、ZrO2 0〜3%、TiO2+ZrO2 3〜5%、P2O5 0〜3%、SnO2 0〜0.5%、Fe2O3 0.003〜0.02%を含有することが好ましい。
以下、ペン入力装置用ガラス基板20の各成分の含有量を上記のように規定した理由を説明する。なお、ガラスの組成の説明において、特に断りの無い限り、「%」は「質量%」を意味する。
SiO2はガラスの骨格を形成するとともに、析出結晶であるβ−石英固溶体を構成する成分である。SiO2の含有量は、質量百分率表示で、55〜75%である。SiO2の含有量が少なすぎると、結晶が析出、成長しにくくなり、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの数が少なくなりやすく、書き味向上効果が得られにくくなる。一方、SiO2の含有量が多すぎると、ガラスの溶融性が悪化したり、ガラス融液の粘度が高くなって、清澄しにくくなったりガラスの成形が困難となる傾向がある。SiO2の好ましい範囲は58〜70%であり、より好ましい範囲は60〜68%である。
Al2O3はガラスの骨格を形成するとともに、析出結晶であるβ−石英固溶体を構成する成分である。Al2O3の含有量は、質量百分率表示で、15〜25%である。Al2O3の含有量が少なすぎると、結晶が析出、成長しにくくなり、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの数が少なくなりやすく、書き味向上効果が得られにくくなる。一方、Al2O3の含有量が多すぎると、ガラスの溶融性が悪化したり、ガラス融液の粘度が高くなって、清澄しにくくなったり、ガラスの成形が難しくなる傾向がある。また、ムライトの結晶が析出してペン入力装置用ガラス基板20の透明性が低下しやすくなる。Al2O3の好ましい範囲は18〜25%であり、より好ましい範囲は20〜24%である。
Li2Oは析出結晶であるβ−石英固溶体を構成する成分であり、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶性に大きな影響を与える。Li2Oの含有量は、質量百分率表示で、3〜4%である。Li2Oの含有量が少なすぎると、ムライトの結晶が析出してペン入力装置用ガラス基板20の透明性が低下しやすくなる。また、ガラスを結晶化させる際に、β−石英固溶体が析出、成長しにくくなり、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの数が少なくなりやすく、書き味向上効果が得られにくくなる。一方、Li2Oの含有量が多すぎると、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶性が強くなりすぎて、ガラスが失透しやすくなる。Li2Oの好ましい範囲は3.5〜4%である。
Na2Oは、β−石英固溶体に固溶する成分であり、結晶性に大きな影響を与える。Na2Oの含有量は、百分率表示で、0〜1%である。Na2Oの含有量が多すぎると、結晶性が強くなりすぎて、ガラスが失透しやすくなる。また、ガラスを結晶化させる際に、β−石英固溶体が析出、成長しにくくなり、ペン入力装置用ガラス基板20の主面20aの結晶Cの数が少なくなりやすく、書き味向上効果が得られにくくなる。Na2Oの好ましい範囲は0〜0.8%である。
K2OはNa2Oと同様に、β−石英固溶体に固溶する成分であり、結晶性に大きな影響を与える。K2Oの含有量は、百分率表示で、0〜1%である。K2Oの含有量が多すぎると、結晶性が強くなりすぎて、ガラスが失透しやすくなる。K2Oの好ましい範囲は0〜0.8%である。
BaOは、ガラスの粘度を低下させて、ガラスの溶融性および成形性を向上させる成分である。BaOの含有量は、質量百分率表示で、0.5〜2%である。BaO含有量が多すぎると、Baを含む結晶が析出し易くなり、ガラスが失透する。BaOの好ましい範囲は0.8〜1.8%であり、より好ましい範囲は1〜1.5%である。
TiO2は、結晶を析出させるための核形成剤となる成分である。TiO2の含有量は、質量百分率表示で、1〜3質量%である。TiO2の含有量が少なすぎると、ガラスを溶融する際に失透しやすくなる。一方、TiO2の含有量が多すぎると、ガラスの着色を強め、透明性が低下する。また、ガラスが失透しやすくなる。TiO2の好ましい範囲は1.5〜3%であり、より好ましい範囲は1.5〜2.5%である。
ZrO2はTiO2と同様に、結晶を析出させるための核形成剤となる成分である。ZrO2の含有量は、質量百分率表示で、0〜3%である。ZrO2の含有量が多すぎると、ガラスを溶融する際に失透する傾向にあり、ガラスの成形が難しくなる。ZrO2の好ましい範囲は0.5〜2.5%であり、より好ましい範囲は1〜2.5%である。
なお、核形成剤であるZrO2及びTiO2は、合量で3〜5%であることが好ましい。ZrO2及びTiO2の合量が少なすぎると、結晶が析出しにくくなる。一方、ZrO2及びTiO2の合量が多すぎると、ガラスが失透する傾向にあり、ガラスの成形が難しくなる。ZrO2及びTiO2の合量のより好ましい範囲は3.5〜5%であり、さらに好ましい範囲は4〜5%である。
P2O5は、ガラスの分相を促進して結晶核の形成を助ける成分である。P2O5の含有量は、質量百分率表示で、0〜3%である。P2O5の含有量が多すぎると、溶融工程においてガラスが分相し易くなり、ガラスの均質性が低下する傾向がある。P2O5の好ましい範囲は0.5〜3%であり、より好ましい範囲は1〜2%である。
SnO2は、清澄剤として働く成分である。SnO2の含有量は、質量百分率表示で、0〜0.5%である。SnO2の含有量が少なすぎると、耐熱性の向上や清澄剤としての効果が得られにくくなる。一方、SnO2の含有量が多すぎると、ガラスが失透しやすくなるほか、原料コストの上昇にも繋がる。さらに、結晶化させた際に着色が強くなる傾向にある。SnO2の好ましい範囲は0.1〜0.4%であり、より好ましい範囲は0.15〜0.35%である。
また、Fe2O3は、不純物として混入する成分であり、ガラスの着色を強める成分である。Fe2O3の含有量は、質量百分率表示で、0.003〜0.02%である。Fe2O3の含有量が多すぎると、ガラスの着色が強くなりすぎ、ガラスの透明性が低下しやすくなる。Fe2O3の含有量は少ない方が好ましいが、少なくするにつれて不純物であるFe2O3の除去コストが高くなる。Fe2O3の好ましい範囲は、0.003〜0.018%であり、より好ましい範囲は0.003〜0.015%である。
また、上記成分以外にも種々の成分を含有可能である。例えばH2、CO2、CO、H2O、He、Ne、Ar、N2等の微量成分をそれぞれ0.1%まで、Ag、Au、Pd、Ir等の貴金属元素をそれぞれ10ppmまで含有させてもよい。
さらに、ペン入力装置用ガラス基板20の透明性に悪影響を与えない限りにおいて、B2O3、CaO、SrO、ZnO、Cr2O3、Sb2O3、SO3、MnO、CeO2、Cl2、La2O3、WO3、Nd2O3、Nb2O5、Y2O3等を合量で2%まで含有してもよい。
さらに、ペン入力装置用ガラス基板20の透明性に悪影響を与えない限りにおいて、B2O3、CaO、SrO、ZnO、Cr2O3、Sb2O3、SO3、MnO、CeO2、Cl2、La2O3、WO3、Nd2O3、Nb2O5、Y2O3等を合量で2%まで含有してもよい。
次に、ペン入力装置用ガラス基板20の製造方法について説明する。
まず、質量百分率表示で、SiO2 55〜75%、Al2O3 15〜25%、Li2O 3〜4%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、MgO 0〜3%、BaO 0.5〜2%、TiO2 1〜3%、ZrO2 0〜3%、TiO2+ZrO2 3〜5%、P2O5 0〜3%、SnO2 0〜0.5%、Fe2O3 0.003〜0.02%を有するように、ガラス原料を調合する。なお、必要に応じて、ガラスの溶融性及び成形性を向上させるための成分、清澄剤等を添加してもよい。
次に、調合したガラス原料を、1550〜1750℃の温度で溶融した後、溶融ガラスを板状等の所定の形状に成形する。なお、成形方法としては、フロート法、ロールアウト法、プレス法、オーバーフローダウンドロー法等の成形法が挙げられる。このようにして、結晶性ガラスが得られる。
上記の手順で得られた結晶性ガラスを600〜800℃で1〜5時間熱処理して結晶核を形成させた後、さらに、800〜950℃で0.5〜3時間熱処理を行い、主結晶としてβ−石英固溶体の結晶を析出させる。このようにして、図5に示すような結晶化ガラス元板21が得られる。なお、この結晶化処理の前や途中に、加熱した結晶性ガラスに荷重をかける等の方法により、曲げ加工を施すことも可能である。また、この結晶化処理の前に、結晶性ガラスを研磨してもよい。なお、結晶性ガラスの熱処理には、加熱炉を用いることができるが、加熱炉の加熱源として、ガスバーナーや電熱ヒーターが挙げられる。主面付近の結晶の成長を促進することを考えると、ガスバーナーを加熱源とすることが好ましい。
図5に示すように、結晶化ガラス元板21の主面21aは、主にガラスマトリックスAMにより構成されている。そこで、得られた結晶化ガラス元板21の主面21aをエッチングすることにより、主面20aが、結晶Cにより構成されたペン入力装置用ガラス基板20が得られる。
結晶化ガラス元板21のエッチングは、フッ化水素(HF)ガス、フッ化水素酸等のエッチング液に、結晶化ガラス元板21を浸漬することにより行われる。
エッチング液として、フッ化水素酸を用いた場合、エッチング液の温度は10〜40℃、フッ化水素濃度は0.5〜10wt%のエッチング液を用い、結晶化ガラス元板21を0.5〜10分間エッチング液に浸漬することが好ましい。
エッチング液として、フッ化水素酸を用いた場合、エッチング液の温度は10〜40℃、フッ化水素濃度は0.5〜10wt%のエッチング液を用い、結晶化ガラス元板21を0.5〜10分間エッチング液に浸漬することが好ましい。
以下、主面20aが、結晶Cにより構成されたペン入力装置用ガラス基板20の実施例について説明する。但し、ペン入力装置用ガラス基板20はこれに限定されるものではない。
[試料の作製]
本実施例においては、ペン入力装置用ガラス基板20の実施例として試料1を作製し、比較例として試料2を作製した。
まず、表1に記載の組成を有するガラスとなるように各原料を酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の形態で調合し、均一に混合し、ガラスバッチを得た。得られたガラスバッチを酸素燃焼による耐火物窯に投入し、1650℃で溶融してガラス融液とした。白金スターラーによりガラス融液を撹拌した後、該ガラス融液を成形装置により4mmの厚さとなるようにロール成形して板状物を成形し、さらに徐冷炉により板状物を室温まで徐冷し、縦2000mm×横1200mmとなるように成形して結晶性ガラス板を得た。なお、この結晶性ガラス板が、試料2となる。
次に、結晶性ガラス板を、ローラーハースキルンで室温から核形成温度である780℃で3時間熱処理することにより結晶核を形成し、その後890℃で1時間熱処理することにより結晶化させ、結晶化ガラス基板を得た。最後に、結晶化ガラス基板を、温度25℃、濃度2wt%のフッ化水素酸に1分間浸漬することによりエッチングし、試料1を得た。
本実施例においては、ペン入力装置用ガラス基板20の実施例として試料1を作製し、比較例として試料2を作製した。
まず、表1に記載の組成を有するガラスとなるように各原料を酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の形態で調合し、均一に混合し、ガラスバッチを得た。得られたガラスバッチを酸素燃焼による耐火物窯に投入し、1650℃で溶融してガラス融液とした。白金スターラーによりガラス融液を撹拌した後、該ガラス融液を成形装置により4mmの厚さとなるようにロール成形して板状物を成形し、さらに徐冷炉により板状物を室温まで徐冷し、縦2000mm×横1200mmとなるように成形して結晶性ガラス板を得た。なお、この結晶性ガラス板が、試料2となる。
次に、結晶性ガラス板を、ローラーハースキルンで室温から核形成温度である780℃で3時間熱処理することにより結晶核を形成し、その後890℃で1時間熱処理することにより結晶化させ、結晶化ガラス基板を得た。最後に、結晶化ガラス基板を、温度25℃、濃度2wt%のフッ化水素酸に1分間浸漬することによりエッチングし、試料1を得た。
[結晶の粒子径測定]
試料1及び試料2について、主面の結晶の粒子径を、日立ハイテクノロジー株式会社製 走査型電子顕微鏡 S−4300SEを用いて測定した。具体的には、倍率を180000倍として観察を行い、ペン入力装置用ガラス基板20の任意の場所の写真を撮り、0.74μm×0.55μmにおける任意の10個の結晶の粒子径の範囲を写真から確認した。
試料1及び試料2について、主面の結晶の粒子径を、日立ハイテクノロジー株式会社製 走査型電子顕微鏡 S−4300SEを用いて測定した。具体的には、倍率を180000倍として観察を行い、ペン入力装置用ガラス基板20の任意の場所の写真を撮り、0.74μm×0.55μmにおける任意の10個の結晶の粒子径の範囲を写真から確認した。
[結晶の粒子径測定結果]
試料1において、結晶の粒子径は、20〜30nmの範囲内であった。一方、試料2において、結晶が確認されなかった。
試料1において、結晶の粒子径は、20〜30nmの範囲内であった。一方、試料2において、結晶が確認されなかった。
[X線回折測定]
試料1について、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶化度を、株式会社リガク製 X線回折装置 RINT−2100を用いて測定した。
試料1について、ペン入力装置用ガラス基板20の結晶化度を、株式会社リガク製 X線回折装置 RINT−2100を用いて測定した。
[X線回折の測定結果]
試料1において、析出結晶がβ−石英固溶体のみであり、結晶化度は、70%、結晶子サイズは26nmであった。試料2において、結晶ピークは確認されず、非晶質を示すハローピークのみが確認された。
試料1において、析出結晶がβ−石英固溶体のみであり、結晶化度は、70%、結晶子サイズは26nmであった。試料2において、結晶ピークは確認されず、非晶質を示すハローピークのみが確認された。
[ヘイズの測定]
試料1、2についてヘイズの測定を行った。ヘイズの測定は、株式会社島津製作所製 紫外可視近赤外分光光度計(UV−3100PC)を用い、JIS K7361−1(1997年)に基づいて測定した。
試料1、2についてヘイズの測定を行った。ヘイズの測定は、株式会社島津製作所製 紫外可視近赤外分光光度計(UV−3100PC)を用い、JIS K7361−1(1997年)に基づいて測定した。
[ヘイズの測定結果]
ヘイズは、試料1、2ともに10%以下であった。
ヘイズは、試料1、2ともに10%以下であった。
[解像度の評価]
ペン入力装置10におけるディスプレイパネル30の前面側に試料1、2のペン入力装置用ガラス基板20を載置した場合の、ディスプレイパネル30に表示される映像の解像度について評価を行った。評価方法としては、ディスプレイパネル30に表示される映像に滲みが見られるか否かを以下に示す3段階で評価を行った。〇:鮮明な映像が見え、像に滲みが見られない、×:映像が不鮮明であり、かつ像の滲みが目立つ。
ペン入力装置10におけるディスプレイパネル30の前面側に試料1、2のペン入力装置用ガラス基板20を載置した場合の、ディスプレイパネル30に表示される映像の解像度について評価を行った。評価方法としては、ディスプレイパネル30に表示される映像に滲みが見られるか否かを以下に示す3段階で評価を行った。〇:鮮明な映像が見え、像に滲みが見られない、×:映像が不鮮明であり、かつ像の滲みが目立つ。
[解像度の評価結果]
映像の解像度は、試料1、2ともに〇となった。
映像の解像度は、試料1、2ともに〇となった。
[書き味の評価]
ペン入力装置用ガラス基板20に対して入力ペン50により文字及び図形等の入力を行った際の書き味を官能試験により評価した。評価方法としては、入力ペン50としてワコム社製プロペン(KP−503E)を使用し、ペン入力装置用ガラス基板20上での書き味が、紙上でのHBのシャープペンシルの書き味と感覚的に近い場合を〇とし、当該書き味よりも滑りやすい、滑りにくいなど感覚的に異なる場合を×として、書き味の判定を行った。
ペン入力装置用ガラス基板20に対して入力ペン50により文字及び図形等の入力を行った際の書き味を官能試験により評価した。評価方法としては、入力ペン50としてワコム社製プロペン(KP−503E)を使用し、ペン入力装置用ガラス基板20上での書き味が、紙上でのHBのシャープペンシルの書き味と感覚的に近い場合を〇とし、当該書き味よりも滑りやすい、滑りにくいなど感覚的に異なる場合を×として、書き味の判定を行った。
[書き味の評価結果]
書き味は、実施例となる試料1については〇となり、未処理の比較例である試料2については×となった。
書き味は、実施例となる試料1については〇となり、未処理の比較例である試料2については×となった。
[各試料の総合評価]
表1に示すように、実施例となる試料1については、書き味が良好であり、解像度も良好な評価結果が得られた。
一方比較例である試料2については、書き味が悪かった。
表1に示すように、実施例となる試料1については、書き味が良好であり、解像度も良好な評価結果が得られた。
一方比較例である試料2については、書き味が悪かった。
10 ペン入力装置
20 ペン入力装置用ガラス基板
20a 主面
30 ディスプレイパネル
40 デジタイザ回路
50 入力ペン
20 ペン入力装置用ガラス基板
20a 主面
30 ディスプレイパネル
40 デジタイザ回路
50 入力ペン
Claims (8)
- 結晶を有する結晶化ガラス板により構成され、
前記結晶化ガラス板の主面には、前記結晶により凹凸が形成されてなる、
ペン入力装置用ガラス基板。 - 前記結晶は、粒子径が5nm以上、100nm以下である、
請求項1に記載のペン入力装置用ガラス基板。 - 前記結晶化ガラス板は、結晶化度が50%以上である、
請求項1または2に記載のペン入力装置用ガラス基板。 - ヘイズが、可視光の波長域において10%以下である、
請求項1〜請求項3の何れか1項に記載のペン入力装置用ガラス基板。 - 前記結晶が、β−石英固溶体である、
請求項1〜4の何れか1項に記載のペン入力装置用ガラス基板。 - 質量百分率表示で、SiO2 55〜75%、Al2O3 15〜25%、Li2O 3〜4%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、MgO 0〜3%、BaO 0.5〜2%、TiO2 1〜3%、ZrO2 0〜3%、TiO2+ZrO2 3〜5%、P2O5 0〜3%、SnO2 0〜0.5%、Fe2O3 0.003〜0.02%を含有する、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のペン入力装置用ガラス基板。 - 請求項1〜6の何れか1項に記載のペン入力装置用ガラス基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える、
ペン入力装置。 - 結晶を有する結晶化ガラス板により構成されるペン入力装置用ガラス基板の製造方法であって、
前記結晶化ガラス基板は、
結晶を有する結晶化ガラスにより構成されたガラス元板をエッチングし、主面に、前記結晶による凹凸を形成する
ペン入力装置用ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017017226A JP2018123030A (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017017226A JP2018123030A (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018123030A true JP2018123030A (ja) | 2018-08-09 |
Family
ID=63109367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017017226A Pending JP2018123030A (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2018123030A (ja) |
-
2017
- 2017-02-02 JP JP2017017226A patent/JP2018123030A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111741933B (zh) | 玻璃 | |
| TWI400207B (zh) | 強化玻璃、強化玻璃基板以及其製造方法 | |
| JP5850401B2 (ja) | 強化ガラス板 | |
| CN1215005C (zh) | 不含碱金属的玻璃以及用于显示器的玻璃板 | |
| JP5333984B2 (ja) | 無アルカリガラス | |
| US20150093581A1 (en) | Toughened glass substrate and manufacturing process therefor | |
| JP2019112303A (ja) | ガラス | |
| TW201242922A (en) | Alkali free glass | |
| KR20090027259A (ko) | 강화 유리 기판 | |
| WO2015150207A1 (en) | Chemically temperable glass sheet | |
| JP2010168233A (ja) | 強化ガラスおよびガラス | |
| JP2010202514A (ja) | 携帯型液晶ディスプレイ用のガラス基板及びその製造方法並びにこれを用いた携帯型液晶ディスプレイ | |
| JPH08295530A (ja) | 無アルカリガラス基板 | |
| CN115427365A (zh) | 结晶化玻璃 | |
| KR102815028B1 (ko) | 유리 | |
| JP2022159280A (ja) | 無アルカリガラス | |
| TWI622566B (zh) | 無鹼玻璃 | |
| JP2024045688A (ja) | ガラス | |
| WO2019208584A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
| JP2013040095A (ja) | 強化ガラス、強化用ガラスおよび強化ガラスの製造方法 | |
| KR20230095089A (ko) | 개선된 기계적 내구성을 갖는 상 분리가능한 유리 조성물 | |
| JP7729345B2 (ja) | 化学強化ガラス | |
| JP2018123030A (ja) | ペン入力装置用ガラス基板、ペン入力装置、及びペン入力装置用ガラス基板の製造方法 | |
| WO2020021933A1 (ja) | 強化ガラス及び強化用ガラス | |
| CN111819159A (zh) | 强化玻璃及强化用玻璃 |