JP2018120062A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】感光層中での電荷輸送材料の結晶化を抑制するとともに、電気特性の低下を抑制する電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に配置され、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、電荷移動度が４×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である第一の電荷輸送材料、並びにトリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの第二の電荷輸送材料を含み、前記第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である感光層と、を有する電子写真感光体。【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

従来、電子写真方式の画像形成装置としては、電子写真感光体（以下、「感光体」という場合がある。）を用いて帯電、静電潜像形成、現像、転写、クリーニング等の工程を順次行う装置が広く知られている。

電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性を有する基体上に、電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層を積層する機能分離型の感光体、又は、電荷を発生する機能と電荷を輸送する機能を同一の層が果たす単層型感光体が知られている。

例えば、特許文献１には、基材と、電荷発生層と、電荷輸送層と、任意のオーバーコート層と、を備え、最外層が、少なくとも１つの電気活性セグメントおよび粒径が１００ｎｍ〜５０００ｎｍの第２のフッ素化成分とを含む、複数のセグメントおよび複数のリンカーを含む構造化有機フィルム（ＳＯＦ）を含む画像形成表面であり、前記少なくとも１つの電気活性セグメントが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−（ｐ−トリル）ビフェニル−４，４’−ジアミンである第１のセグメントと、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミンである第２のセグメントとを含む、画像形成部材が開示されている。
また、特許文献２には、特定の化学式で表される化合物を少なくとも含むトリフェニルアミンダイマー混合体を、電荷輸送層中に電荷輸送材として含有する積層型電子写真感光体が開示されている。

特開２０１４−０３８３２５号公報 特開２００３−０８９６８１号公報

電子写真感光体の感光層に含有する電荷輸送材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみを用いている場合、電荷輸送材料が、感光層中で結晶化して析出することがあった。そして、感光層中で、電荷輸送材料の結晶化が生じると、感光体は電気特性が低下することがあった。

本発明の課題は、導電性基体上に配置された、トリフェニルアミン骨格を２つ持つ電荷輸送材料を含む感光層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみ含む場合に比べ、感光層中での電荷輸送材料の結晶化を抑制するとともに、電気特性の低下を抑制する電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。

請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に配置され、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である第一の電荷輸送材料、並びにトリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの第二の電荷輸送材料を含み、前記第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である感光層と、
を有する電子写真感光体である。

請求項２に係る発明は、
前記感光層が、電荷発生層と、前記第一の電荷輸送材料、及び前記第二の電荷輸送材料を含み、前記第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である電荷輸送層と、を前記導電性基体上にこの順で有する感光層である請求項１に記載の電子写真感光体である。

請求項３に係る発明は、
前記第一の電荷輸送材料が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンである請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体である。

請求項４に係る発明は、
前記トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−１）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。

［一般式（ＣＴ２−１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。］

請求項５に係る発明は、
前記トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−２）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。

［一般式（ＣＴ２−２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］

請求項６に係る発明は、
前記トリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−３）で示される電荷輸送材料および下記一般式（ＣＴ２−４）で示される電荷輸送材料のうちの少なくとも一つである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体である。

［一般式（ＣＴ２−３）中、Ｒ^Ｃ３１、Ｒ^Ｃ３２、Ｒ^Ｃ３３、Ｒ^Ｃ３２’、及びＲ^Ｃ３３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］

［一般式（ＣＴ２−４）中、Ｒ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４２、Ｒ^Ｃ４３、Ｒ^Ｃ４１’、Ｒ^{Ｃ４１’’}、Ｒ^{Ｃ４２’’}、及びＲ^{Ｃ４３’’}は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］

請求項７に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。

請求項８に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置である。

請求項１、２、３、５、６に係る発明によれば、トリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料を含む感光層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみ含む場合に比べ、感光層中での電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制される電子写真感光体が提供される。

請求項４に係る発明によれば、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンと、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンとの組み合わせで含む場合に比べて、感光層中での電荷輸送材料の結晶化を抑制するとともに、電気特性の低下を抑制する電子写真感光体が提供される。

請求項７、８に係る発明によれば、トリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料を含む感光層を有する電子写真感光体において、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみ含む場合に比べ、感光層中での電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。

本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された感光層とを有する。感光層には、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である第一の電荷輸送材料（以下、単に「第一の電荷輸送材料」と称する場合がある）、並びにトリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの第二の電荷輸送材料（以下、単に「第二の電荷輸送材料」と称する場合がある）とを含む。そして、第二の電荷輸送材料の含有量は、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である。

なお、本明細書中において、トリフェニルアミン骨格を１つ有するとは、Ｎ（Ｃ_６Ｈ_５）_３で表される骨格を１つ有することを表す。また、トリフェニルアミン骨格を２つ有するとは、Ｎ（Ｃ_６Ｈ_５）_３で表される骨格２つ有することを表し、トリフェニルアミン骨格を３つ有するとは、Ｎ（Ｃ_６Ｈ_５）_３で表される骨格を３つ有することを表す。トリフェニルアミン骨格を２つ有する、又はトリフェニルアミン骨格を３つ有する場合、同じベンゼン環に、２つのフェニルを有するアミノ基が、２つ又は３つ置換した骨格を有していてもよい。

従来、電子写真感光体の感光層には、例えば、トリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料が利用されている。トリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料は、電荷輸送能が高い（例えば、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上）材料が用いられることがある。このうち、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンが用いられている。
以下、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料の一例として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンを用いた場合を例に挙げて説明する。

ところで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンは、高い電荷輸送能を有すること以外に、他のトリフェニルアミン骨格を２つ有する電荷輸送材料と比較して、結晶化が抑制された材料とされている。
しかしながら、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみ用いた感光層とした場合、感光層中で、この電荷輸送材料の結晶化が起こり、電気特性を低下させる場合があることが分かってきた。そして、感光体の電気特性が低下した状態で、画像を形成すると、形成した画像には、例えば、色点が発生する場合がある。

感光層中で、電荷輸送材料の結晶化が発生する要因としては、次のように考えられる。
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンは、溶剤（例えば、テトラヒドロフランなど）に溶解し難い性質を有しており、粗大粒子が溶け残ることがある。この溶け残った粗大粒子の電荷輸送材料は、結晶の核となり、電荷輸送材料の結晶化の要因となると考えられる。そのため、フィルターにより、粗大粒子の電荷輸送材料を除去する手間がかかる。
また、フィルターにより除去した後の感光層形成用塗布液を塗布した後、感光層形成用塗布液中の溶剤が揮発するときに、溶剤の蒸発潜熱により、飽和に近い状態で溶解した電荷輸送材料が凝集して結晶化しやすくなると考えられる。特に、感光層の膜厚が厚い場合は、電荷輸送材料の結晶化の発生が顕著になりやすい。
このように、フィルターにより、粗大粒子を除去しても、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみ用いた感光層では、この電荷輸送材料の結晶化が生じることがある。

これに対し、本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、感光層中で、電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制される。この理由は、定かではないが、以下のように推測される。

本実施形態に係る電子写真感光体は、電荷輸送材料が、上記の組み合わせで用いることで、第一の電荷輸送材料の電荷輸送材料全体に対する濃度が希釈されるため、電荷輸送材料全体の凝集が抑制される。また、電荷輸送材料が上記組み合わせであることで、電荷輸送材料全体としての分子構造の対称性が損なわれるため、電荷輸送材料全体の凝集が抑制される。このため、電荷輸送材料の結晶化が抑制されると考えられる。

また、第一の電荷輸送材料と組み合わせる第二の電荷輸送材料が、トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電荷輸送材料である場合、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることで、電荷が捕獲（トラップ）され難いため、電気特性の低下が抑制される。さらに、第一の電荷輸送材料と、この第二の電荷輸送材料との間でフェニル基によるホッピングサイト数の低下が抑制される。その結果、電荷輸送能の低下が抑制され、電気特性の低下が抑制されると考えられる。
一方、第一の電荷輸送材料と組み合わせる第二の電荷輸送材料が、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料の少なくとも１種の場合、感光層中で、第一の電荷輸送材料と、これらの第二の電荷輸送材料との間で、アミン部位の積み重ね構造が形成されることにより、窒素と窒素との距離が近くなる。その結果、電荷輸送能の低下が抑制され、電気特性の低下が抑制されると考えられる。
なお、例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンのような、トリフェニルアミン骨格を１つ有していても、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ未満であり、アミン部位の積み重ね構造が形成されにくい電荷輸送材料を併用した場合は、電荷輸送能が低下しやすい。そのため、電荷輸送材料をこの組み合わせとした場合に比べると、本実施形態に係る電子写真感光体では、電荷輸送材料を上記の第一の電荷輸送材料と第二の電荷輸送材料との組み合わせとすることで、電荷輸送能の低下が抑制されると考えられる。

また、結晶化を抑制するために、第二の電荷輸送材料として、例えば、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料の少なくとも一方を多量（全電荷輸送材料に対して、１．０質量％超）に含有させた場合、例えば、感光層内で、電荷の捕獲が発生し、電気特性が低下しやすくなると考えられる。

以上の理由から、本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制されると推測される。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、感光層内で、電荷の捕獲が抑制されるため、電気特性の低下が抑制される。そのため、例えば、ゴースト（前画像の履歴が画像に現れる現象）、焼き付き（連続露光された領域における画像濃度が濃くなる現象）、及び光疲労（光暴露された領域における画像濃度が濃くなる現象）の発生も抑制されやすくなる。

以上、第一の電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンを例に挙げて説明したが、これ以外の他の第一の電荷輸送材料を用いた場合でも、感光層中での電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制される。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７Ａの層構成の一例を示す概略部分断面図である。図１に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。

なお、電子写真感光体７Ａは、下引層１が設けられていない層構成であってもよい。また、電子写真感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、更に保護層が設けられた層構成であってもよい。また、各電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３との機能が一体化した単層型感光体層あってもよい。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。
電荷輸送材料としては、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である第一の電荷輸送材料、並びにトリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの第二の電荷輸送材料を含む。そして、第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である。

ここで、電荷輸送材料の電荷移動度の測定は以下のようにして行う。
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）基板上に、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂に対して、電荷輸送材料を５０質量％濃度で含有する膜からなる層を設け、その表面に半透明の金電極スパッタリング法により作製し、電荷移動測定用サンプルとする。電荷移動度の測定はＴＯＦ（Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）法により行う。測定サンプルに電圧を印加し電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍなるようにする。その後、窒素パルスレーザー（波長；３３７ｎｍ）を照射し、発生した過渡電流波形を高速電流アンプとデジタルオシロスコープを用いて測定する。電荷移動度は、電流と時間との関係対数変換し、得られた極性の変曲点の時間から電荷移動度を算出する。値が大きいほど電気特性が良好なことを示している。

第一の電荷輸送材料は、トリフェニルアミン骨格を２つ有しており、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上（好ましくは５×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上）である。なお、第一の電荷輸送材料の電荷移動度の上限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下が挙げられる。

第一の電荷輸送材料としては、トリフェニルアミン骨格を２つ有していて、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、特に限定されるものではない。第一の電荷輸送材料としては、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、例えば、後述の一般式（ＣＴ２−２）で表される電荷輸送材の例示化合物を用いてもよい。

第一の電荷輸送材料は、電荷移動度が高く、さらに、電荷輸送材料の結晶化を抑制しやすい点で、下記構造式（ＣＴ１）で表される、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンであることが好ましい。

次に、第二の電荷輸送材料について説明する。
第二の電荷輸送材料は、トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの電荷輸送材料である。

まず、トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料について説明する。
トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上（好ましくは７×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上）である電荷輸送材料としては、特に限定されない。この電荷輸送材料の電荷移動度は、第一の電荷輸送材料が有する電荷移動度と同じ、又は第一の電荷輸送材料が有する電荷移動度を超えるものであればよい。電荷移動度の上限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^−４ｃｍ^２／Ｖｓ以下が挙げられる。
この電荷輸送材料としては、電荷移動度の点で、例えば、一般式（ＣＴ２−１）で表されるブタジエン系電荷輸送材料であることがよい。

−ブタジエン系電荷輸送材料−
ブタジエン系電荷輸送材料は、下記一般式（ＣＴ２−１）で示される電荷輸送材料である。

一般式（ＣＴ２−１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。

一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ２−１）において、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲ^Ｃ１１及びＲ^Ｃ１２同士、Ｒ^Ｃ１３及びＲ^Ｃ１４同士、Ｒ^Ｃ１５及びＲ^Ｃ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。

一般式（ＣＴ２−１）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。

一般式（ＣＴ２−１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ２−１）は、下記構造式（ＣＴ２−１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−１−３））であることがより好ましい。

以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ２−１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基

ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ２−１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

−トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料−
次に、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料について説明する。
トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料としては、特に限定されないが、例えば、一般式（ＣＴ２−２）で表される電荷輸送材料であって、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料であることがよい。

一般式（ＣＴ２−２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。

一般式（ＣＴ２−２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。

一般式（ＣＴ２−２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。

一般式（ＣＴ２−２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。

一般式（ＣＴ２−２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。

なお、一般式（ＣＴ２−２）において、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。

一般式（ＣＴ２−２）において、電荷輸送材料の結晶化を抑制する点で、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’は、各々独立に、水素原子、水酸基、ホルミル基、又は、炭素数１以上６以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことがよい。また、Ｒ^Ｃ２１及びＲ^Ｃ２１’が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２２が水素原子、水酸基、又はメチル基を表し、Ｒ^Ｃ２３が水素原子、ホルミル基、メチル基を表し、Ｒ^Ｃ２２’が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ２３’がメチル基を表すことが好ましい。特に、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、及びＲ^Ｃ２３と、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’は非対称の構造となるように、異なる基が置換されていることがより好ましい。

以下に、一般式（ＣＴ２−２）で表される電荷輸送材料の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−Ｃ_２Ｈ_５：エチル基
・−ＯＣＨ_３：メトキシ基
・−ＯＣ_２Ｈ_５：エトキシ基
・−ＣＨＯ：ホルミル基

一般式（ＣＴ２−２）で表される電荷輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、第二の電荷輸送材料として、一般式（ＣＴ２−２）で表される電荷輸送材料を用いる場合、第二の電荷輸送材料は、第一の電荷輸送材料とは異なる構造を有する。

−トリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料−
次に、トリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料について説明する。
トリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料としては、特に限定されないが、例えば、一般式（ＣＴ２−３）及び一般式（ＣＴ２−４）のうちの少なくとも一方の電荷輸送材料であることがよい。一般式（ＣＴ２−３）及び一般式（ＣＴ２−４）は、いずれか一方でもよく、両方を含んでいてもよい。

一般式（ＣＴ２−３）中、Ｒ^Ｃ３１、Ｒ^Ｃ３２、Ｒ^Ｃ３３、Ｒ^Ｃ３２’、及びＲ^Ｃ３３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。

一般式（ＣＴ２−４）中、Ｒ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４２、Ｒ^Ｃ４３、Ｒ^Ｃ４１’、Ｒ^{Ｃ４１’’}、Ｒ^{Ｃ４２’’}、及びＲ^{Ｃ４３’’}は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。

一般式（ＣＴ２−３）中のＲ^Ｃ３１、Ｒ^Ｃ３２、Ｒ^Ｃ３３、Ｒ^Ｃ３２’、及びＲ^Ｃ３３’が示すハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基、並びに、一般式（ＣＴ２−４）中のＲ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４２、Ｒ^Ｃ４３、Ｒ^Ｃ４１’、Ｒ^{Ｃ４１’’}、Ｒ^{Ｃ４２’’}、及びＲ^{Ｃ４３’’}が示すハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基は、一般式（２−２）中のＲ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’が示すハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基と同様の基が挙げられる。

一般式（ＣＴ２−３）において、特に、電荷輸送材料の結晶化を抑制する点で、Ｒ^Ｃ３１、Ｒ^Ｃ３２、Ｒ^Ｃ３３、及びＲ^Ｃ３２’は、各々独立に、水素原子、水酸基、ホルミル基、又は、炭素数１以上６以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことが好ましい。また、同様の点で、Ｒ^Ｃ３１が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ３２が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ３３がメチル基を表し、Ｒ^Ｃ３２’が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ３３’がメチル基を表すことがより好ましい。

一般式（ＣＴ２−４）において、特に、電荷輸送材料の結晶化を抑制する点で、Ｒ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４２、Ｒ^Ｃ４３、Ｒ^Ｃ４１’、Ｒ^{Ｃ４１’’}、Ｒ^{Ｃ４２’’}、及びＲ^{Ｃ４３’’}は、各々独立に、水素原子、水酸基、ホルミル基、又は、炭素数１以上６以下のアルキル基（特に、メチル基）を表すことが好ましい。また、同様の点で、Ｒ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４１’、及びＲ^{Ｃ４１’’}が水素原子を表し、Ｒ^Ｃ４２及びＲ^{Ｃ４２’’}が水素原子又は水酸基を表し、Ｒ^Ｃ４３、及びＲ^{Ｃ４３’’}がホルミル基又はメチル基を表すことがより好ましい。

以下に、一般式（ＣＴ２−３）で表される電荷輸送材料、及び一般式（ＣＴ２−４）で表される電荷輸送材料の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。「＊」は結合部を表す。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−ＣＨＯ：ホルミル基
・−ＯＨ：水酸基

一般式（ＣＴ２−３）で表される電荷輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。「＊」は結合部を表す。
・−ＣＨ_３：メチル基
・−ＣＨＯ：ホルミル基
・−ＯＨ：水酸基

一般式（ＣＴ２−４）で表される電荷輸送材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

次に、第二の電荷輸送材料の含有量について説明する。
前述のように、第二の電荷輸送材料の含有量は、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である。第二の電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送材料の結晶化をより抑制する点、および電気特性の低下をより抑制する点で、全電荷輸送材料に対して、０．３質量％以上０．５質量％以下であることが好ましい。

ここで、第二の電荷輸送材料の含有量は、トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料の合計含有量である。例えば、第二の電荷輸送材料が、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料が併用されている場合は、これらの合計量を表す。
また、全電荷輸送材料は、第一の電荷輸送材料と第二の電荷輸送材料との総量を表す。
つまり、第二の電荷輸送材料の含有量は、トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料の合計含有量が、第一の電荷輸送材料と第二の電荷輸送材料との総量に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下の範囲内に設定される。

以上から、感光層（電荷輸送層）を上記構成とすることで、感光層（電荷輸送層）中の電荷輸送材料の結晶化が抑制されるとともに、電気特性の低下が抑制される。
なお、感光層（電荷輸送層）中の電荷輸送材料の結晶化の評価は次のようにして行う。
まず、測定対象となる感光体から感光層を剥がし取り、小片を切り出してエポキシ樹脂に包埋・固化させ、ミクロトームにより切片を調製して、観察用試料とする。そして、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の装置としてＪＳＭ−６７００Ｆ（日本電子社製）を使用し、上記観察用試料について、電荷輸送材料の析出物の観察の程度を観察する。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ_２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲ^Ｑ１ _３−Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、特に断りがないかぎり、「部」は「質量部」、「％」は「質量％」であることを示す。

［実施例１］
（下引層の形成）
酸化亜鉛（商品名：ＭＺ ３００、テイカ株式会社製）１００質量部、シランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液を１０質量部、トルエン２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付けて、シランカップリング剤による酸化亜鉛の表面処理を行った。
表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、下記構造式（ＡＱ−１）で示される化合物：１質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて３時間の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。
さらに、浸漬塗布法にて、下引層形成用塗布液を、直径４７ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、膜厚２５μｍの下引層を得た。

（電荷発生層の形成）
次に、電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１８質量部、結着樹脂として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１６質量部、および溶媒としてのｎ−酢酸ブチルからなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に、充填率５０％で１．０ｍｍφガラスビーズと共に入れて、ペイントシェーカーを用いて２．５時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。電荷発生層用塗布液全体に対する固形分の含有量は６．０質量％とした。
得られた電荷発生層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷輸送層の形成）
次に、第一の電荷輸送材料として、表１に示す量（質量部）のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、および表１に示す種類及び量（質量部）の第二の電荷輸送材料と、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量４万）５７質量部とを、溶媒としてのテトラヒドロフラン３４０質量部に加えて溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
なお、得られた電荷輸送層形成用塗布液をフィルターによるろ過は行わなかった。
得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１５０℃、４０分の乾燥を行うことにより、膜厚４０μｍの電荷輸送層を形成した。
以上の工程を経て、実施例１の電子写真感光体を得た。

［実施例２〜６］
表１に従って、第一の電荷輸送材料の量、第二の電荷輸送材料の種類及び量を変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

［比較例１］
電荷輸送層の形成において、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンのみに変更し、得られた電荷輸送層形成用塗布液をフィルターでろ過した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の電子写真感光体を得た。

［比較例２〜５］
電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンに加え、第二の電荷輸送材料を併用し、表１に従って、第一の電荷輸送材料の量、第二の電荷輸送材料の種類及び量を変更した以外は、比較例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。ただし、比較例３のみ、電荷輸送層形成用塗布液のフィルターによるろ過は行わなかった。

［評価］
各例で得られた電子写真感光体について、下記要領で、「感光層中の電荷輸送材料の結晶化物の評価」、「色点の評価」、「ゴーストの評価」「焼付きの評価」、及び「光疲労の評価」の評価を行った。結果を表１に示す。

（感光層中の電荷輸送材料の結晶化の評価）
既述の方法により、電荷輸送層の表面をＳＥＭ装置により観察した。評価基準は以下のとおりである。
−評価基準−
Ｇ１：膜表面１ｍｍ^２内に結晶発生１箇所未満
Ｇ２：膜表面１ｍｍ^２内に結晶発生１箇所以上３箇所未満
Ｇ３：膜表面１ｍｍ^２内に結晶発生３箇所以上５箇所未満
Ｇ４：膜表面１ｍｍ^２内に結晶発生５箇所以上７箇所未満
Ｇ５：膜表面１ｍｍ^２内に結晶発生７箇所以上

（色点の評価）
各例で得られた電子写真感光体を、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ Ｃ２２７５）に搭載し、２０％濃度の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ）を１枚出力した。そして、出力したハーフトーン画像を観察し、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定はＧ０〜Ｇ６まで１Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、結果が良好であることを示す。許容グレードはＧ３以下である。
なお、画像出力は全て１０℃、１５％ＲＨの環境下で実施した。

（ゴーストの評価）
各例で得られた電子写真感光体を、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ Ｃ２２７５）に搭載し、Ａ３サイズの用紙に、Ｇの文字と黒領域（黒べた部分）を有するパターンのチャートの画像を１枚出力した後、画像濃度２０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ色の全面ハーフトーン画像）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定はＧ０〜Ｇ４まで１Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、結果が良好であることを示す。ゴーストの許容グレードはＧ３以下である。
なお、画像出力は全て１０℃、１５％ＲＨの環境下で実施した。

（焼付きの評価）
各例で得られた電子写真感光体を、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ Ｃ２２７５）に搭載し、Ａ３サイズの用紙に格子模様チャートを３０００枚連続出力した後、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度２０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ色の全面ハーフトーン画像）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、格子模様の連続画像出力部と非連続画像出力部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定はＧ０〜Ｇ４まで１Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、濃度差が小さく、焼付きゴーストが発生していないことを示す。焼付きゴーストの許容グレードはＧ３以下である。
なお、画像出力は全て１０℃、１５％ＲＨの環境下で実施した。

（光疲労の評価）
先ず、各例で得られた電子写真感光体を、２ｃｍ四方の窓を開けた黒紙に巻き、窓開け部のみが光暴露されるようにして、白色蛍光灯（１０００Ｌｕｘ）下で１０分間放置し、電子写真感光体を光暴露させた。
次に、光暴露させた電子写真感光体を、電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ Ｃ２２７５）に搭載し、Ａ３サイズの用紙に、画像濃度５０％の全面ハーフトーン画像（Ｃｙａｎ）を１枚出力した。
そして、出力した全面ハーフトーン画像を観察し、光暴露部と非光暴露部との濃度差について、目視による官能評価（グレード判定）を実施した。グレード判定はＧ０〜Ｇ４まで１Ｇ刻みで行い、Ｇの数字が小さい程、濃度差が小さく、光疲労が発生していないことを示す。光疲労の許容グレードはＧ３以下である。
なお、画像出力は全て１０℃、１５％ＲＨの環境下で実施した。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感光層中の結晶化物の評価結果が良好であることがわかる。また、色点の評価が良好であることから、電気特性の低下が抑制されていることがわかる。
また、本実施例では、比較例に比べ、「ゴースト」、「焼付き」、および「光疲労」が抑制されていることがわかる。

なお、表１中、「−」は該当する材料を用いていないことを示す。「電荷輸送材料全体に対する割合（質量％）」は、第一の電荷輸送材料と第二の電荷輸送材料の総量に対する第二の電荷輸送材料の割合（質量％）を表す。

なお、表１の略称等の詳細は以下の通りである。
・「ＣＴ１」：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（下記構造式（ＣＴ１）で示される化合物：既述の方法により測定した電荷移動度４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ）
・「ＣＴ２−１」：電荷輸送材料（ＣＴ２−１）の例示化合物（ＣＴ２−１−３：既述の方法により測定した電荷移動度５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ）
・「ＣＴ２−２〜４混」：電荷輸送材料（ＣＴ２−２）の例示化合物（ＣＴ２−１−１）〜（ＣＴ２−１−８）、電荷輸送材料（ＣＴ２−３）の例示化合物（ＣＴ２−３−１）〜（ＣＴ２−１−２）、及び電荷輸送材料（ＣＴ２−４）の例示化合物（ＣＴ２−３−１）〜（ＣＴ２−１−２２）の混合物
・「ＣＴ３」：Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン（下記構造式（ＣＴ３）で示される化合物：既述の方法により測定した電荷移動度９×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ）

１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、７Ａ、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (8)

1. 導電性基体と、
   前記導電性基体上に配置され、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、電荷移動度が４×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である第一の電荷輸送材料、並びにトリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料、トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料、及びトリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも一つの第二の電荷輸送材料を含み、前記第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である感光層と、
   を有する電子写真感光体。
2. 前記感光層が、電荷発生層と、前記第一の電荷輸送材料、及び前記第二の電荷輸送材料を含み、前記第二の電荷輸送材料の含有量が、全電荷輸送材料に対して、０．２質量％以上１．０質量％以下である電荷輸送層と、を前記導電性基体上にこの順で有する感光層である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記第一の電荷輸送材料が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンである請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
4. 前記トリフェニルアミン骨格を１つ有する、電荷移動度が５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−１）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   
   ［一般式（ＣＴ２−１）中、Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４、Ｒ^Ｃ１５、及びＲ^Ｃ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。］
5. 前記トリフェニルアミン骨格を２つ有する、前記第一の電荷輸送材料以外の電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−２）で示される電荷輸送材料である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   
   ［一般式（ＣＴ２−２）中、Ｒ^Ｃ２１、Ｒ^Ｃ２２、Ｒ^Ｃ２３、Ｒ^Ｃ２１’、Ｒ^Ｃ２２’、及びＲ^Ｃ２３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］
6. 前記トリフェニルアミン骨格を３つ有する電荷輸送材料が、下記一般式（ＣＴ２−３）で示される電荷輸送材料および下記一般式（ＣＴ２−４）で示される電荷輸送材料のうちの少なくとも一つである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   
   ［一般式（ＣＴ２−３）中、Ｒ^Ｃ３１、Ｒ^Ｃ３２、Ｒ^Ｃ３３、Ｒ^Ｃ３２’、及びＲ^Ｃ３３’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］
   
   ［一般式（ＣＴ２−４）中、Ｒ^Ｃ４１、Ｒ^Ｃ４２、Ｒ^Ｃ４３、Ｒ^Ｃ４１’、Ｒ^{Ｃ４１’’}、Ｒ^{Ｃ４２’’}、及びＲ^{Ｃ４３’’}は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ホルミル基、アルキル基、アルコキシ基、又は、アリール基を表す。］
7. 請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
8. 請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
   を備える画像形成装置。