JP2018107746A - Insulated waveguide - Google Patents
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Abstract
【課題】低損失と低熱流入を両立できる断熱導波路を提供することである。【解決手段】実施形態の断熱導波路は、基板と、第1導体線路と、第2導体線路および第3導体線路とを持つ。前記第1導体線路は、前記基板の一方の端部から他方の端部にわたる。前記第2導体線路および前記第3導体線路は、前記第1の導体線路とは前記基板の厚さ方向の位置を違えて、前記基板の一方の端部から他方の端部にわたって、幅方向に離間して形成されている。前記第1導体線路は、前記基板に垂直な方向から見て、前記第2導体線路と前記第3導体線路との間隙の少なくとも一部と重なる位置にある。【選択図】図1An object of the present invention is to provide a heat insulating waveguide that can achieve both low loss and low heat inflow. A heat insulating waveguide according to an embodiment has a substrate, a first conductor line, a second conductor line, and a third conductor line. The first conductor line extends from one end of the substrate to the other end. The second conductor line and the third conductor line are different in position in the thickness direction of the substrate from the first conductor line, and extend in the width direction from one end of the substrate to the other end. They are spaced apart. The first conductor line is at a position overlapping at least a part of the gap between the second conductor line and the third conductor line when viewed from a direction perpendicular to the substrate. [Selection] Figure 1
Description
本発明の実施形態は、断熱導波路に関する。 Embodiments described herein relate generally to a heat insulating waveguide.
従来、温度が異なる2点間で高周波等の信号を伝送するための接続構造として、平面回路基板を用いた導波路がある。前記導波路には断熱性能が求められることがある。
前記導波路では、グランド層の面積を小さくすることで熱流入を抑制し、断熱性能を高めることができるが、その場合、電磁界放射により信号の通過損失量が増大する可能性があった。
Conventionally, there is a waveguide using a planar circuit board as a connection structure for transmitting a signal such as a high frequency between two points having different temperatures. The waveguide may be required to have heat insulation performance.
In the waveguide, heat inflow can be suppressed and the heat insulation performance can be improved by reducing the area of the ground layer, but in this case, there is a possibility that the amount of signal passing loss may increase due to electromagnetic field radiation.
本発明が解決しようとする課題は、低損失と低熱流入を両立できる断熱導波路を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an adiabatic waveguide that can achieve both low loss and low heat inflow.
実施形態の断熱導波路は、基板と、第1導体線路と、第2導体線路および第3導体線路とを持つ。前記第1導体線路は、前記基板の一方の端部から他方の端部にわたる。前記第2導体線路および前記第3導体線路は、前記第1の導体線路とは前記基板の厚さ方向の位置を違えて、前記基板の一方の端部から他方の端部にわたって、幅方向に離間して形成されている。前記第1導体線路は、前記基板に垂直な方向から見て、前記第2導体線路と前記第3導体線路との間隙の少なくとも一部と重なる位置にある。 The heat insulating waveguide of the embodiment has a substrate, a first conductor line, a second conductor line, and a third conductor line. The first conductor line extends from one end of the substrate to the other end. The second conductor line and the third conductor line are different in position in the thickness direction of the substrate from the first conductor line, and extend in the width direction from one end of the substrate to the other end. They are spaced apart. The first conductor line is at a position overlapping at least a part of the gap between the second conductor line and the third conductor line when viewed from a direction perpendicular to the substrate.
以下、実施形態の断熱導波路を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, the heat insulation waveguide of embodiment is demonstrated with reference to drawings.
図1(a)は実施形態の断熱導波路100の一方の面を示す平面図である。図1(b)は実施形態の断熱導波路100の他方の面を示す平面図である。図2は、断熱導波路100の断面図であって、図1(a)のI−I断面を示す図である。なお、平面視とは、誘電体基板101に垂直な方向から見ることをいう。 FIG. 1A is a plan view showing one surface of the heat insulating waveguide 100 of the embodiment. FIG.1 (b) is a top view which shows the other surface of the heat insulation waveguide 100 of embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the heat insulating waveguide 100 and is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. Note that the plan view means viewing from a direction perpendicular to the dielectric substrate 101.
図1(a)および図1(b)に示すように、断熱導波路100は、誘電体基板101と、伝達線路102と、第1グランド線路103aと、第2グランド線路103bとを備えている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the heat insulating waveguide 100 includes a dielectric substrate 101, a transmission line 102, a first ground line 103a, and a second ground line 103b. .
誘電体基板101は、例えばアルミナ等のセラミック材料等からなる。誘電体基板101は、例えば平面視において長方形とされている。誘電体基板101は「基板」の一例である。
誘電体基板101の長さ方向に沿う方向をY方向という。誘電体基板101の第1主面101aに沿う面内においてY方向に直交する方向をX方向という。
The dielectric substrate 101 is made of a ceramic material such as alumina, for example. The dielectric substrate 101 is, for example, rectangular in plan view. The dielectric substrate 101 is an example of a “substrate”.
A direction along the length direction of the dielectric substrate 101 is referred to as a Y direction. A direction orthogonal to the Y direction in a plane along the first main surface 101a of the dielectric substrate 101 is referred to as an X direction.
断熱導波路100は、例えば、誘電体基板101の長さ方向の一方の端部104aが、他方の端部104bに比べて高温となる環境で用いることができる。すなわち、例えば、端部104aは高温部側に配置され、端部104bは低温部側に配置される。端部104aを高温端部104aといい、端部104bを低温端部104bということがある。断熱導波路100の一方の端部(高温端部104a)と他方の端部(低温端部104b)との温度差は例えば150℃以上である。 The heat insulating waveguide 100 can be used, for example, in an environment where one end 104a in the length direction of the dielectric substrate 101 is hotter than the other end 104b. That is, for example, the end portion 104a is disposed on the high temperature portion side, and the end portion 104b is disposed on the low temperature portion side. The end 104a may be referred to as a high temperature end 104a, and the end 104b may be referred to as a low temperature end 104b. The temperature difference between one end (the high temperature end 104a) and the other end (the low temperature end 104b) of the heat insulating waveguide 100 is, for example, 150 ° C. or more.
図1(a)および図2に示すように、伝達線路102は、誘電体基板101の第1主面101a(一方の面)に形成されている。伝達線路102は、金属などの導電性材料からなる膜である。前記金属としては、例えば金、銅、銅合金等が好ましい。伝達線路102は「第1導体線路」の一例である。 As shown in FIGS. 1A and 2, the transmission line 102 is formed on the first main surface 101 a (one surface) of the dielectric substrate 101. The transmission line 102 is a film made of a conductive material such as metal. As said metal, gold | metal | money, copper, copper alloy etc. are preferable, for example. The transmission line 102 is an example of a “first conductor line”.
伝達線路102は、誘電体基板101の高温端部104aから低温端部104bにわたって形成されている。伝達線路102は、例えば、誘電体基板101の幅方向(X方向)の中央に、誘電体基板101の長さ方向(Y方向)に沿って形成され、長さ方向に一定の幅を有する。伝達線路102の幅(すなわちX方向の寸法)を「幅W」という。 The transmission line 102 is formed from the high temperature end 104 a to the low temperature end 104 b of the dielectric substrate 101. The transmission line 102 is formed along the length direction (Y direction) of the dielectric substrate 101 in the center of the width direction (X direction) of the dielectric substrate 101, for example, and has a certain width in the length direction. The width of the transmission line 102 (that is, the dimension in the X direction) is referred to as “width W”.
伝達線路102は、平面視において、後述するグランド線路103a,103bの間隙105と重なる位置にある。
なお、図1(a)および図2等に示す伝達線路102は、全体が間隙105と重なる位置にあるが、伝達線路は、間隙の少なくとも一部と重なる位置にあればよい。
The transmission line 102 is in a position overlapping a gap 105 between ground lines 103a and 103b described later in plan view.
Note that the transmission line 102 shown in FIG. 1A and FIG. 2 and the like is entirely in a position overlapping the gap 105, but the transmission line may be in a position overlapping at least a part of the gap.
図1(b)および図2に示すように、第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、誘電体基板101の第2主面101b(他方の面)に形成されている。第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、金属などの導電性材料からなる膜である。前記金属としては、例えば金、銅、銅合金等が好ましい。
第1グランド線路103aは「第2導体線路」の一例である。第2グランド線路103bは「第3導体線路」の一例である。
As shown in FIGS. 1B and 2, the first ground line 103 a and the second ground line 103 b are formed on the second main surface 101 b (the other surface) of the dielectric substrate 101. The first ground line 103a and the second ground line 103b are films made of a conductive material such as metal. As said metal, gold | metal | money, copper, copper alloy etc. are preferable, for example.
The first ground line 103a is an example of a “second conductor line”. The second ground line 103b is an example of a “third conductor line”.
第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、それぞれ、誘電体基板101の高温端部104aから低温端部104bにわたって形成されている。第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、例えば、一定の線路幅を有し、誘電体基板101の長さ方向(Y方向)に沿って形成されている。第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bの幅方向はX方向に一致する。 The first ground line 103a and the second ground line 103b are respectively formed from the high temperature end portion 104a to the low temperature end portion 104b of the dielectric substrate 101. The first ground line 103 a and the second ground line 103 b have, for example, a constant line width and are formed along the length direction (Y direction) of the dielectric substrate 101. The width directions of the first ground line 103a and the second ground line 103b coincide with the X direction.
第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、これら線路103a,103bの幅方向(X方向)に互いに離間して形成されている。第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、互いに平行であり、並列して誘電体基板101の第2主面101bに形成されている。
なお、第1グランド線路103aと第2グランド線路103bとは、概ね同じ方向に沿って形成されていればよく、互いに平行でなくてもよい。例えば、第1グランド線路と第2グランド線路とが、いずれも基板の一方の端部と他方の端部とを結んで形成されていれば、概ね同じ方向に沿って形成されているといえる。
The first ground line 103a and the second ground line 103b are formed apart from each other in the width direction (X direction) of the lines 103a and 103b. The first ground line 103a and the second ground line 103b are parallel to each other, and are formed in parallel on the second main surface 101b of the dielectric substrate 101.
Note that the first ground line 103a and the second ground line 103b may be formed along substantially the same direction, and may not be parallel to each other. For example, if the first ground line and the second ground line are both formed by connecting one end and the other end of the substrate, it can be said that they are formed along substantially the same direction.
第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、誘電体基板101の第2主面101bに形成されているため、第1主面101aに形成された伝達線路102とは、誘電体基板101の厚さ方向の位置が異なる。 Since the first ground line 103a and the second ground line 103b are formed on the second main surface 101b of the dielectric substrate 101, the transmission line 102 formed on the first main surface 101a is different from that of the dielectric substrate 101. The position in the thickness direction is different.
第1グランド線路103aと第2グランド線路103bとの間隙105は、第2主面101bのうち、第1グランド線路103aと第2グランド線路103bとの間の領域である。間隙105は、誘電体基板101の高温端部104aから低温端部104bに至る矩形の領域である。間隙105は、例えば長さ方向(X方向)に一定の幅を有する。間隙105の幅方向の寸法(X方向の寸法)を「ギャップG」という。 A gap 105 between the first ground line 103a and the second ground line 103b is a region between the first ground line 103a and the second ground line 103b in the second main surface 101b. The gap 105 is a rectangular region extending from the high temperature end 104a to the low temperature end 104b of the dielectric substrate 101. The gap 105 has a certain width in the length direction (X direction), for example. The dimension in the width direction (dimension in the X direction) of the gap 105 is referred to as “gap G”.
第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、例えば、伝達線路102と平行である。第1グランド線路103aの幅と、第2グランド線路103bの幅とは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
なお、第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bは、伝達線路102と概ね同じ方向に沿って形成されていればよく、伝達線路102と平行でなくてもよい。例えば、グランド線路と伝達線路とが、いずれも基板の一方の端部と他方の端部とを結んで形成されていれば、グランド線路は、概ね伝達線路と同じ方向に沿って形成されているといえる。
The first ground line 103a and the second ground line 103b are parallel to the transmission line 102, for example. The width of the first ground line 103a and the width of the second ground line 103b may be the same or different from each other.
The first ground line 103 a and the second ground line 103 b may be formed along substantially the same direction as the transmission line 102, and may not be parallel to the transmission line 102. For example, if the ground line and the transmission line are both formed by connecting one end and the other end of the substrate, the ground line is formed substantially along the same direction as the transmission line. It can be said.
図2に示すように、第1グランド線路103aおよび第2グランド線路103bの内側の側縁103a1,103b1(向かい合う側の縁)は、例えば、伝達線路102の側縁102a,102aよりも、外方寄りに位置している。すなわち、グランド線路103aの内側の側縁103a1は、伝達線路102の−X方向側の側縁102a1よりも−X方向寄りに位置する。グランド線路103bの内側の側縁103b1は、伝達線路102の+X方向側の側縁102a2よりも+X方向寄りに位置する。
+X方向は、X方向のうち、第1グランド線路103aから第2グランド線路103bに向かう方向である。−X方向は、+X方向の反対方向である。
As shown in FIG. 2, the inner side edges 103a1 and 103b1 (the opposite edges) of the first ground line 103a and the second ground line 103b are, for example, more outward than the side edges 102a and 102a of the transmission line 102. It is located near. That is, the inner side edge 103a1 of the ground line 103a is located closer to the −X direction than the side edge 102a1 of the transmission line 102 on the −X direction side. The inner side edge 103b1 of the ground line 103b is located closer to the + X direction than the side edge 102a2 of the transmission line 102 on the + X direction side.
The + X direction is a direction from the first ground line 103a toward the second ground line 103b in the X direction. The −X direction is opposite to the + X direction.
第1グランド線路103aと伝達線路102との幅方向(X方向)の距離L1と、第2グランド線路103bと伝達線路102との幅方向(X方向)の距離L2とは、互いに等しいことが好ましい。
距離L1は、第1グランド線路103aの内側の側縁103a1と、伝達線路102の−X方向側の側縁102a1とのX方向の距離である。距離L2は、第2グランド線路103bの内側の側縁103b1と、伝達線路102の+X方向側の側縁102a2とのX方向の距離である。
The distance L1 in the width direction (X direction) between the first ground line 103a and the transmission line 102 is preferably equal to the distance L2 in the width direction (X direction) between the second ground line 103b and the transmission line 102. .
The distance L1 is a distance in the X direction between the inner side edge 103a1 of the first ground line 103a and the side edge 102a1 on the −X direction side of the transmission line 102. The distance L2 is a distance in the X direction between the side edge 103b1 on the inner side of the second ground line 103b and the side edge 102a2 on the + X direction side of the transmission line 102.
図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100によれば、伝達線路102が、第1グランド線路103aと第2グランド線路103bとの間隙105と重なる位置にある。よって、伝達線路の全体がグランド線路と重なる位置にある場合に比べて、線路の面積が小さい場合でも、損失を低く抑えることができる。
伝達線路102およびグランド線路103a,103bの面積を小さくすれば、熱流入量を抑えることができるため、断熱導波路100では、損失を小さくし、かつ熱流入を抑制できる。すなわち、断熱導波路100では、低損失と低熱流入を両立できる。
According to the heat insulating waveguide 100 shown in FIGS. 1A, 1B, and 2, the transmission line 102 is positioned so as to overlap the gap 105 between the first ground line 103a and the second ground line 103b. Therefore, even when the area of the transmission line is small compared to the case where the entire transmission line overlaps the ground line, the loss can be suppressed low.
If the areas of the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b are reduced, the amount of heat inflow can be suppressed. Therefore, in the heat insulating waveguide 100, loss can be reduced and heat inflow can be suppressed. That is, the heat insulating waveguide 100 can achieve both low loss and low heat inflow.
断熱導波路100において、線路の面積が小さい場合でも損失を抑えることができることについては、次の推測が可能である。
断熱導波路100では、伝達線路102が、グランド線路103a,103bの間隙105と重なる位置にある。そのため、伝達線路102とグランド線路103a,103bとの間の電気的な相互作用による線路側縁での電流分布の偏りによって、伝達線路102およびグランド線路103a,103bにおけるエネルギーの放射が抑制される。したがって、伝達線路の全体がグランド線路と重なる位置にある場合に比べて、線路の面積が小さい場合でも損失を抑えることができる。
In the heat insulating waveguide 100, it is possible to estimate the following that the loss can be suppressed even when the area of the line is small.
In the heat insulating waveguide 100, the transmission line 102 is at a position overlapping the gap 105 between the ground lines 103a and 103b. Therefore, the radiation of energy in the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b is suppressed by the bias of the current distribution at the line side edge due to the electrical interaction between the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b. Therefore, the loss can be suppressed even when the area of the line is small, compared to the case where the entire transmission line is in a position overlapping the ground line.
断熱導波路100では、伝達線路102およびグランド線路103a,103bに欠損箇所がないため、直流電流を用いる場合に有利である。よって、下流側に接続される回路への直流電流の供給にも対応できる。 In the heat insulation waveguide 100, since there is no defect | deletion location in the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b, it is advantageous when using a direct current. Therefore, it can respond also to supply of direct current to the circuit connected downstream.
次に、実施形態の断熱導波路100の第1変形例について説明する。断熱導波路100との共通点については同じ符号を付して説明を省略する。
図3(a)は、断熱導波路100の第1変形例である断熱導波路100Aの一方の面を示す平面図である。図3(b)は、断熱導波路100Aの他方の面を示す平面図である。図4は、断熱導波路100Aの断面図であって、図3(a)のII−II断面を示す図である。
Next, the 1st modification of the heat insulation waveguide 100 of embodiment is demonstrated. The common points with the heat insulating waveguide 100 are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
FIG. 3A is a plan view showing one surface of a heat insulating waveguide 100 </ b> A that is a first modification of the heat insulating waveguide 100. FIG. 3B is a plan view showing the other surface of the heat insulating waveguide 100A. FIG. 4 is a cross-sectional view of the heat insulating waveguide 100A and is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
図3(a)、図3(b)および図4に示すように、断熱導波路100Aは、伝達線路102の中間部102dに欠損部504が形成されていること以外は、図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100と同じ構成である。
中間部102dは、伝達線路102の一方の端部102bと他方の端部102cの間の部分である。
As shown in FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 4, the heat insulating waveguide 100A is the same as that shown in FIG. 1A except that a missing portion 504 is formed in the intermediate portion 102d of the transmission line 102. The configuration is the same as that of the heat insulating waveguide 100 shown in FIGS.
The intermediate portion 102d is a portion between one end portion 102b and the other end portion 102c of the transmission line 102.
欠損部504は、伝達線路102を構成する導電性膜がない箇所である。欠損部504では、誘電体基板101の第1主面101aが露出している。
欠損部504は、例えば、伝達線路102の側縁102a,102aより内方に位置している。すなわち、欠損部504は、図4に示すように、伝達線路102の側縁102a1より+X方向寄り、かつ側縁102a2より−X方向寄りに位置する。
The defect portion 504 is a portion where there is no conductive film constituting the transmission line 102. In the defect portion 504, the first main surface 101a of the dielectric substrate 101 is exposed.
The defect part 504 is located inward from the side edges 102a and 102a of the transmission line 102, for example. That is, as shown in FIG. 4, the missing portion 504 is located closer to the + X direction than the side edge 102a1 of the transmission line 102 and closer to the −X direction than the side edge 102a2.
図3(a)に示すように、欠損部504は、例えば、伝達線路102の幅方向(X方向)の中央に、伝達線路102の長さ方向(Y方向)に沿って形成されている。欠損部504は、例えば長さ方向に一定の幅を有する。欠損部504の平面視形状は、例えば矩形状(例えば長方形)である。なお、欠損部の平面視形状は特に限定されず、例えば、長径方向を線路の長さ方向に向けた楕円形状であってもよい。 As illustrated in FIG. 3A, the defect portion 504 is formed, for example, in the center in the width direction (X direction) of the transmission line 102 along the length direction (Y direction) of the transmission line 102. The defect portion 504 has a certain width in the length direction, for example. The planar view shape of the defect | deletion part 504 is a rectangular shape (for example, rectangle), for example. In addition, the planar view shape of a defect | deletion part is not specifically limited, For example, the elliptical shape which orient | assigned the major axis direction to the length direction of the track | line may be sufficient.
断熱導波路100Aでは、電流強度が低い中間部102dに欠損部504が形成されているため、損失を増大させずに伝達線路102の面積を小さくできる。よって、損失を低くし、かつ熱流入量をさらに抑えることができる。 In the heat insulating waveguide 100A, since the defect portion 504 is formed in the intermediate portion 102d having a low current intensity, the area of the transmission line 102 can be reduced without increasing the loss. Therefore, loss can be reduced and the amount of heat inflow can be further suppressed.
次に、実施形態の断熱導波路100の第2変形例について説明する。断熱導波路100との共通点については同じ符号を付して説明を省略する。
図5(a)は、断熱導波路100の第2変形例である断熱導波路100Bの一方の面を示す平面図である。図5(b)は、断熱導波路100Bの他方の面を示す平面図である。
Next, the 2nd modification of the heat insulation waveguide 100 of embodiment is demonstrated. The common points with the heat insulating waveguide 100 are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
FIG. 5A is a plan view showing one surface of a heat insulating waveguide 100B which is a second modification of the heat insulating waveguide 100. FIG. FIG. 5B is a plan view showing the other surface of the heat insulating waveguide 100B.
図5(a)および図5(b)に示すように、断熱導波路100Bは、伝達線路802の中間部802dに、伝達線路802の長さ方向の他の部分804aより幅が狭い幅狭部804bが形成されていること以外は、図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100と同じ構成である。
中間部802dは、伝達線路802の一方の端部802bと他方の端部802cの間の部分である。
幅狭部804bは、両方の側縁802a,802aにそれぞれ切欠きを形成することによって形成されている。幅狭部804bは、例えば、長さ方向に一定の幅を有する。
幅狭部804bは、両方の側縁802a,802aにそれぞれ同幅の切欠きを形成することによって形成されている。そのため、幅狭部804bの幅方向(X方向)の位置は、伝達線路802の中央である。
As shown in FIG. 5A and FIG. 5B, the heat insulating waveguide 100B is a narrow portion having a narrower width than the other portion 804a in the length direction of the transmission line 802 in the intermediate portion 802d of the transmission line 802. Except that 804b is formed, it is the same structure as the heat insulation waveguide 100 shown to Fig.1 (a), FIG.1 (b), and FIG.
The intermediate portion 802d is a portion between one end 802b and the other end 802c of the transmission line 802.
The narrow portion 804b is formed by forming notches in both side edges 802a and 802a. The narrow part 804b has a certain width in the length direction, for example.
The narrow portion 804b is formed by forming notches having the same width on both side edges 802a and 802a. Therefore, the position in the width direction (X direction) of the narrow portion 804 b is the center of the transmission line 802.
断熱導波路100Bでは、電流強度が低い中間部802dに幅狭部804bが形成されているため、損失を増大させずに伝達線路802の面積を小さくできる。よって、損失を低くし、かつ熱流入量をさらに抑えることができる。 In the heat insulating waveguide 100B, since the narrow portion 804b is formed in the intermediate portion 802d having low current intensity, the area of the transmission line 802 can be reduced without increasing the loss. Therefore, loss can be reduced and the amount of heat inflow can be further suppressed.
次に、実施形態の断熱導波路100の第3変形例について説明する。断熱導波路100との共通点については同じ符号を付して説明を省略する。
図6は、断熱導波路100の第3変形例である断熱導波路100Cを模式的に示す図である。
Next, the 3rd modification of the heat insulation waveguide 100 of embodiment is demonstrated. The common points with the heat insulating waveguide 100 are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a heat insulating waveguide 100 </ b> C that is a third modification of the heat insulating waveguide 100.
図6に示すように、断熱導波路100Cは、基板1001がフレキシブル基板であること以外は、図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100と同じ構成である。
基板1001は、例えばポリイミド系材料からなるフレキシブル基板である。
断熱導波路100Cの両端部にはそれぞれ接続部1004a,1004bが設けられている。
断熱導波路100Cは、例えば、屈曲部1003において、厚さ方向に約90°に曲げられている。
As illustrated in FIG. 6, the heat insulating waveguide 100 </ b> C has the same configuration as the heat insulating waveguide 100 illustrated in FIGS. 1A, 1 </ b> B, and 2 except that the substrate 1001 is a flexible substrate.
The substrate 1001 is a flexible substrate made of, for example, a polyimide material.
Connection portions 1004a and 1004b are provided at both ends of the heat insulating waveguide 100C, respectively.
For example, the heat insulating waveguide 100C is bent at about 90 ° in the thickness direction at the bent portion 1003.
断熱導波路100Cでは、基板1001がフレキシブル基板であるため、厚さ方向の曲げ変形が可能となる。そのため、損失を増大させずに実装の自由度を高めることができる。よって、接続部1004a,1004bに設置位置の制約がある場合でも、それに対応して適切な位置に設置できる。よって、断熱導波路100Cを用いた装置の小型化を図ることができる。 In the heat insulating waveguide 100C, since the substrate 1001 is a flexible substrate, bending deformation in the thickness direction is possible. Therefore, the degree of freedom in mounting can be increased without increasing loss. Therefore, even if the connection portions 1004a and 1004b have a restriction on the installation position, the connection parts 1004a and 1004b can be installed at an appropriate position. Therefore, it is possible to reduce the size of the apparatus using the heat insulating waveguide 100C.
以下、実施例に基づいて上記の実施形態をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, based on an Example, said embodiment is described further in detail.
まず、実施例1を説明する。
図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100を用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)と熱流入量(mW)の計算を行った。
断熱導波路100の誘電体基板101の熱伝導率は0.5(W/m・K)、厚みは0.1mm、幅は2mmとした。
伝達線路102およびグランド線路103a,103bを構成する金属膜の厚みは9μmとした。金属膜を構成する金属は銅とした。伝達線路102の幅は0.24mm(マイクロストリップ線路における50Ω線路幅)とした。グランド線路103a,103bの線路幅は合計で0.2mmとした。
この構成において、前記中心周波数における損失量は0.32dB、熱流入量は31.7mWである。結果を図7に示す。
First, Example 1 will be described.
Using the heat insulating waveguide 100 shown in FIGS. 1 (a), 1 (b) and 2, the loss (dB) and heat inflow (mW) were calculated when the center frequency was 9 GHz.
The thermal conductivity of the dielectric substrate 101 of the heat insulating waveguide 100 was 0.5 (W / m · K), the thickness was 0.1 mm, and the width was 2 mm.
The thickness of the metal film constituting the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b was 9 μm. The metal constituting the metal film was copper. The width of the transmission line 102 was 0.24 mm (50Ω line width in the microstrip line). The total line width of the ground lines 103a and 103b was 0.2 mm.
In this configuration, the loss at the center frequency is 0.32 dB, and the heat inflow is 31.7 mW. The results are shown in FIG.
次に、比較例1を説明する。
図12(a)は、従来の断熱導波路の一例である断熱導波路200の一方の面を示す平面図である。図12(b)は、断熱導波路200の他方の面を示す平面図である。
断熱導波路200は、誘電体基板201と、伝達線路202と、グランド線路203とを備えている。
伝達線路202は、誘電体基板201の第1主面201a(一方の面)に形成されている。伝達線路202は、平面視においてグランド線路203と重なる位置にある。
グランド線路203は、誘電体基板201の第2主面201b(他方の面)に形成されている。グランド線路203は、伝達線路202よりも幅広に形成されている。グランド線路203の長さ方向に沿う中央線は、平面視において伝達線路202の長さ方向に沿う中央線に重なる。
Next, Comparative Example 1 will be described.
FIG. 12A is a plan view showing one surface of a heat insulating waveguide 200 which is an example of a conventional heat insulating waveguide. FIG. 12B is a plan view showing the other surface of the heat insulating waveguide 200.
The heat insulating waveguide 200 includes a dielectric substrate 201, a transmission line 202, and a ground line 203.
The transmission line 202 is formed on the first main surface 201 a (one surface) of the dielectric substrate 201. The transmission line 202 is at a position overlapping the ground line 203 in plan view.
The ground line 203 is formed on the second main surface 201b (the other surface) of the dielectric substrate 201. The ground line 203 is formed wider than the transmission line 202. The center line along the length direction of the ground line 203 overlaps the center line along the length direction of the transmission line 202 in plan view.
図12(a)および図12(b)に示す断熱導波路200を用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)と熱流入量(mW)の計算を行った。
断熱導波路200の誘電体基板201の熱伝導率は0.5(W/m・K)、厚みは0.1mm、幅は2mmとした。
伝達線路202およびグランド線路203を構成する金属膜の厚みは9μmとした。金属膜を構成する金属は銅とした。伝達線路202の幅は0.24mm(マイクロストリップ線路における50Ω線路幅)とした。
グランド線路203の幅W1を0.2mm、0.75mm、1.2mmとした場合に前記中心周波数における損失量はそれぞれ0.50dB、0.26dB、0.18dBである。熱流入量はそれぞれ31.7mW、47.3mW、70.5mWである。結果を図7に示す。
Using the adiabatic waveguide 200 shown in FIGS. 12A and 12B, the amount of loss (dB) and the amount of heat inflow (mW) were calculated when the center frequency was 9 GHz.
The thermal conductivity of the dielectric substrate 201 of the heat insulating waveguide 200 was 0.5 (W / m · K), the thickness was 0.1 mm, and the width was 2 mm.
The thickness of the metal film constituting the transmission line 202 and the ground line 203 was 9 μm. The metal constituting the metal film was copper. The width of the transmission line 202 was 0.24 mm (50Ω line width in the microstrip line).
When the width W1 of the ground line 203 is 0.2 mm, 0.75 mm, and 1.2 mm, the loss amounts at the center frequency are 0.50 dB, 0.26 dB, and 0.18 dB, respectively. The heat inflow amounts are 31.7 mW, 47.3 mW and 70.5 mW, respectively. The results are shown in FIG.
次に、比較例2を説明する。
同軸ケーブルである導波路を用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)と熱流入量(mW)の計算を行った。
前記導波路の中心導体(Cu)の外径は2.2mmとした。中間層(Cu)の外径は3.2mmとした。最外層(CuNi)の外径は3.6mmとした。
前記中心周波数における損失量はそれぞれ1.60dB、0.42dB、0.25dBである。熱流入量はそれぞれ78mW、357mW、714mWである。結果を図7に示す。
Next, Comparative Example 2 will be described.
Using a waveguide that is a coaxial cable, a loss amount (dB) and a heat inflow amount (mW) were calculated when the center frequency was 9 GHz.
The outer diameter of the central conductor (Cu) of the waveguide was 2.2 mm. The outer diameter of the intermediate layer (Cu) was 3.2 mm. The outer diameter of the outermost layer (CuNi) was 3.6 mm.
The loss amounts at the center frequency are 1.60 dB, 0.42 dB, and 0.25 dB, respectively. The heat inflow amounts are 78 mW, 357 mW, and 714 mW, respectively. The results are shown in FIG.
図7に示すように、実施例1では、比較例1,2に比べて、同程度の損失量では低熱流入量にでき、同程度の熱流入量では低損失量にできる。
このことより、実施例1では、熱流入の要因となる線路面積を減らすことによって損失を抑制できるため、低損失量と低熱流入量を両立できることがわかる。
また、実施例1では線路に欠損箇所がないため、直流電流を用いる場合に有利である。よって、下流側に接続される回路への直流電流の供給にも対応できる。
As shown in FIG. 7, in Example 1, compared with Comparative Examples 1 and 2, it is possible to achieve a low heat inflow amount with the same amount of loss and a low loss amount with the same amount of heat inflow.
From this, in Example 1, since loss can be suppressed by reducing the line area which becomes a factor of heat inflow, it turns out that low loss and low heat inflow can be made compatible.
Further, in the first embodiment, since there is no defect in the line, it is advantageous when a direct current is used. Therefore, it can respond also to supply of direct current to the circuit connected downstream.
実施例1に示す断熱導波路100において、伝達線路102の幅W(図1(a)および図2参照)を一定として、グランド線路103a,103bのギャップG(図1(b)および図2参照)を変化させたときの、幅Wに対するギャップGの比率(G/W)を算出した。比率G/Wと、損失量との関係についての計算結果を図8に示す。なお、伝達線路102の幅方向の中央線と、間隙105の幅方向の中央線とは平面視において一致させた。 In the heat insulating waveguide 100 shown in the first embodiment, the width W of the transmission line 102 (see FIGS. 1A and 2) is constant, and the gap G between the ground lines 103a and 103b (see FIG. 1B and FIG. 2). ), The ratio of the gap G to the width W (G / W) was calculated. FIG. 8 shows the calculation result of the relationship between the ratio G / W and the loss amount. The center line in the width direction of the transmission line 102 and the center line in the width direction of the gap 105 were made to coincide in plan view.
図8より、比率G/Wを1より大きくすることによって、損失量を低くできる。
比率G/Wは、ある範囲までは大きくなるに従って電流強度の偏りが少なくなるが、大きくなり過ぎれば放射損失が増す可能性がある。そのため、全体としての損失量は増加する可能性がある。
比率G/Wは、2以上とすることによって、損失量をさらに低くできる。比率G/Wは、3.5以下とすることによって、全体の損失量を低くできる。よって、比率G/Wは、2〜3.5とすることによって、損失量を低くできる。
From FIG. 8, the loss amount can be reduced by making the ratio G / W larger than 1.
As the ratio G / W increases up to a certain range, the bias of the current intensity decreases. However, if the ratio G / W increases too much, radiation loss may increase. Therefore, the loss amount as a whole may increase.
The loss amount can be further reduced by setting the ratio G / W to 2 or more. By setting the ratio G / W to 3.5 or less, the overall loss can be reduced. Therefore, the loss amount can be reduced by setting the ratio G / W to 2 to 3.5.
次に、実施例2を説明する。
図3(a)、図3(b)および図4に示す断熱導波路100Aを用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)と熱流入量(mW)の計算を行った。
実施例2は、伝達線路102の幅方向の中央に欠損部504が形成されていること以外は実施例1と同様とした。
この構成において、前記中心周波数における損失量および熱流入量の計算結果を表1に示す。
Next, Example 2 will be described.
Using the heat insulating waveguide 100A shown in FIGS. 3A, 3B, and 4, the loss (dB) and heat inflow (mW) were calculated when the center frequency was 9 GHz.
The second embodiment is the same as the first embodiment except that the missing portion 504 is formed at the center in the width direction of the transmission line 102.
Table 1 shows the calculation results of the loss and heat inflow at the center frequency in this configuration.
表1より、実施例2では、実施例1に比べて損失量を増加させずに熱流入量を低くできることがわかる。 From Table 1, it can be seen that in Example 2, the heat inflow amount can be lowered without increasing the loss amount as compared with Example 1.
次に、実施例3を説明する。
図5(a)および図5(b)に示す断熱導波路100Bを用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)と熱流入量(mW)の計算を行った。
実施例3は、伝達線路802の中間部802dに幅狭部804bが形成されていること以外は実施例1と同様とした。
この構成において、前記中心周波数における損失量および熱流入量の計算結果を表2に示す。
Next, Example 3 will be described.
Using the heat insulating waveguide 100B shown in FIGS. 5A and 5B, the loss (dB) and heat inflow (mW) were calculated when the center frequency was 9 GHz.
The third embodiment is the same as the first embodiment except that the narrow portion 804b is formed in the intermediate portion 802d of the transmission line 802.
Table 2 shows the calculation results of the loss and heat inflow at the center frequency in this configuration.
表2より、実施例3では、実施例1に比べて損失量を増加させずに熱流入量を低くできることがわかる。 From Table 2, it can be seen that in Example 3, the amount of heat inflow can be reduced without increasing the amount of loss compared to Example 1.
次に、実施例4を説明する。
図6に示す断熱導波路100Cを用いて、中心周波数を9GHzとした場合における損失量(dB)の計算を行った。
実施例3は、基板としてフレキシブル基板1001を用いること以外は実施例1と同様とした。
この構成において、断熱導波路100Cに、厚さ方向に90°の曲げを加えた場合、および曲げを加えない場合(曲げ角度0°)の、前記中心周波数における損失量を表3に示す。
Next, Example 4 will be described.
Using the heat insulating waveguide 100C shown in FIG. 6, the amount of loss (dB) was calculated when the center frequency was 9 GHz.
Example 3 was the same as Example 1 except that a flexible substrate 1001 was used as the substrate.
Table 3 shows the amount of loss at the central frequency when 90 ° bending is applied to the heat insulating waveguide 100C in this configuration and when bending is not applied (bending angle 0 °).
表3より、実施例4では、曲げを加えた場合でも、曲げを加えない場合と同等の損失量が得られることがわかる。 From Table 3, it can be seen that in Example 4, even when bending is applied, a loss amount equivalent to that obtained when bending is not applied can be obtained.
図9(a)は、断熱導波路100の第1の例である断熱導波路100Dにおいて、一方の面(第1主面101a)における電流強度の分布を示す図である。図9(b)は、断熱導波路100Dにおいて、他方の面(第2主面101b)における電流強度の分布を示す図である。図9(a)および図9(b)においては電流強度が濃淡で表されている。 FIG. 9A is a diagram illustrating a distribution of current intensity on one surface (first main surface 101a) in the heat insulating waveguide 100D which is the first example of the heat insulating waveguide 100. FIG. FIG. 9B is a diagram showing the distribution of current intensity on the other surface (second main surface 101b) in the heat insulating waveguide 100D. In FIG. 9 (a) and FIG. 9 (b), the current intensity is represented by shading.
図9(b)に示すように、断熱導波路100Dでは、グランド線路103a,103bのギャップG(G1)は比較的小さい。そのため、グランド線路103a,103bと、伝達線路102との距離は小さい。
図9(a)に示すように、伝達線路102の側縁102a,102aのうち端部102b,102cに近い部分においては、電流強度が高くなっている。
図9(b)に示すように、グランド線路103a,103bの内側の側縁103a1,103b1(向かい合う側の縁)のうち、端部103a2,103a3,103b2,103b3に近い部分においては、電流強度が高くなっている。
As shown in FIG. 9B, in the heat insulating waveguide 100D, the gap G (G1) between the ground lines 103a and 103b is relatively small. Therefore, the distance between the ground lines 103a and 103b and the transmission line 102 is small.
As shown in FIG. 9A, the current intensity is high in the portions near the end portions 102b and 102c of the side edges 102a and 102a of the transmission line 102.
As shown in FIG. 9 (b), the current intensity is close to the end portions 103a2, 103a3, 103b2, and 103b3 in the side edges 103a1 and 103b1 (edges facing each other) inside the ground lines 103a and 103b. It is high.
図10(a)は、断熱導波路100の第2の例である断熱導波路100Eにおいて、一方の面(第1主面101a)における電流強度の分布を示す図である。図10(b)は、断熱導波路100Eにおいて、他方の面(第2主面101b)における電流強度の分布を示す図である。 FIG. 10A is a diagram showing a distribution of current intensity on one surface (first main surface 101a) in the heat insulating waveguide 100E which is the second example of the heat insulating waveguide 100. FIG. FIG. 10B is a diagram showing a current intensity distribution on the other surface (second main surface 101b) in the heat insulating waveguide 100E.
図10(b)に示すように、断熱導波路100Eでは、グランド線路103a,103bのギャップG(G2)は比較的大きい。そのため、図9(a)および図9(b)に示す断熱導波路100Dに比べて、グランド線路103a,103bと、伝達線路102との距離は大きい。
図10(a)に示すように、伝達線路102の側縁102a,102aのうち端部102b,102cに近い部分では、電流強度は他の部分に比べて高くなるが、図9(a)に示す断熱導波路100Dの伝達線路102に比べれば電流強度の偏りは小さい。
図10(b)に示すように、グランド線路103a,103bの内側の側縁103a1,103b1(向かい合う側の縁)であって端部103a2,103a3,103b2,103b3に近い部分では、電流密度は他の部分に比べて高くなるが、図9(b)に示す断熱導波路100Dのグランド線路103a,103bに比べれば電流密度の偏りは小さい。
As shown in FIG. 10B, in the heat insulating waveguide 100E, the gap G (G2) between the ground lines 103a and 103b is relatively large. Therefore, the distance between the ground lines 103a and 103b and the transmission line 102 is larger than that of the heat insulating waveguide 100D shown in FIGS. 9A and 9B.
As shown in FIG. 10A, the current intensity is higher in the portions near the end portions 102b and 102c of the side edges 102a and 102a of the transmission line 102 than in the other portions. Compared with the transmission line 102 of the adiabatic waveguide 100D shown, the current intensity is small.
As shown in FIG. 10 (b), the current density is different at the side edges 103a1 and 103b1 (edges facing each other) inside the ground lines 103a and 103b and close to the ends 103a2, 103a3, 103b2, and 103b3. Compared with the ground lines 103a and 103b of the heat insulating waveguide 100D shown in FIG. 9B, the current density deviation is small.
図11(a)は、断熱導波路の他の例である断熱導波路100Fにおいて、一方の面(第1主面101a)における電流密度の分布を示す図である。図11(b)は、断熱導波路100Fにおいて、他方の面(第2主面101b)における電流密度の分布を示す図である。 FIG. 11A is a diagram showing a current density distribution on one surface (first main surface 101a) in a heat insulating waveguide 100F as another example of the heat insulating waveguide. FIG. 11B is a diagram showing a current density distribution on the other surface (second main surface 101b) in the heat insulating waveguide 100F.
断熱導波路100Fは、図9(b)および図10(b)に示すグランド線路103a,103bのギャップGがゼロとなった例である。そのため、図11(b)に示すように、誘電体基板101の第2主面101bには、グランド線路103a,103bに代えて、1つのグランド線路103abが形成されている。 The heat insulating waveguide 100F is an example in which the gap G between the ground lines 103a and 103b shown in FIGS. 9B and 10B is zero. Therefore, as shown in FIG. 11B, one ground line 103ab is formed on the second main surface 101b of the dielectric substrate 101 in place of the ground lines 103a and 103b.
図9(a)〜図11(b)に示すように、図9(a)〜図10(b)に示す断熱導波路100D,100Eは、図11(a)および図11(b)に示す断熱導波路100Fとは、伝達線路およびグランド線路における電流密度の分布が異なる。
また、断熱導波路100D(図9(a)、図9(b)参照)に比べて、ギャップGが大きい断熱導波路100E(図10(a)、図10(b)参照)は、電流密度の偏りが比較的小さい。
As shown in FIGS. 9 (a) to 11 (b), the heat insulating waveguides 100D and 100E shown in FIGS. 9 (a) to 10 (b) are shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b). The distribution of current density in the transmission line and the ground line is different from that of the heat insulating waveguide 100F.
In addition, compared to the heat insulating waveguide 100D (see FIGS. 9A and 9B), the heat insulating waveguide 100E (see FIGS. 10A and 10B) having a larger gap G has a current density. The bias is relatively small.
図1(a)、図1(b)および図2に示す断熱導波路100においては、平面視において伝達線路102の全体が間隙105に重なる位置にあるが、伝達線路102の一部は、グランド線路103a,103bに重なっていてもよい。
断熱導波路100では、図2に示すように、第1グランド線路103aと伝達線路102との距離L1と、第2グランド線路103bと伝達線路102との距離L2とは互いに等しいが、距離L1と距離L2は同じでなくてもよい。
断熱導波路100においては、伝達線路102と、第1グランド線路103aと、第2グランド線路103bとは平行であるが、これに限らず、線路102,103a,103bは、これらのうち2以上の線路が平行でなくてもよい。
In the heat insulating waveguide 100 shown in FIG. 1A, FIG. 1B, and FIG. 2, the entire transmission line 102 is in a position overlapping the gap 105 in plan view, but a part of the transmission line 102 is grounded. It may overlap with the lines 103a and 103b.
In the heat insulating waveguide 100, as shown in FIG. 2, the distance L1 between the first ground line 103a and the transmission line 102 and the distance L2 between the second ground line 103b and the transmission line 102 are equal to each other. The distance L2 may not be the same.
In the adiabatic waveguide 100, the transmission line 102, the first ground line 103a, and the second ground line 103b are parallel to each other, but not limited thereto, the lines 102, 103a, and 103b include two or more of them. The track may not be parallel.
断熱導波路100は、2つのグランド線路103a,103bを有するが、グランド線路の数は複数であればよく、例えば幅方向に間隔をおいて形成された3以上のグランド線路を有していてもよい。その場合、断熱導波路は、グランド線路間の間隙を複数有するが、伝達線路は、複数の間隙のうち少なくとも1つの間隙の少なくとも一部と重なる位置にあればよい。 The heat insulating waveguide 100 includes the two ground lines 103a and 103b, but the number of the ground lines only needs to be plural. For example, the heat insulating waveguide 100 may include three or more ground lines formed at intervals in the width direction. Good. In that case, the heat insulating waveguide has a plurality of gaps between the ground lines, but the transmission line may be located at a position overlapping at least a part of at least one of the plurality of gaps.
断熱導波路100では、伝達線路102とグランド線路103a,103bとが、それぞれ誘電体基板101の一方および他方の面にそれぞれ形成されている。これによって、伝達線路102とグランド線路103a,103bとは、誘電体基板101の厚さ方向に位置を違えて形成されている。実施形態の断熱導波路では、伝達線路とグランド線路とが基板の厚さ方向に位置を違えて形成される構成はこれに限らない。例えば、伝達線路とグランド線路のうち一方が基板の表面に形成され、他方が基板の内部に埋設された構成も可能である。 In the heat insulating waveguide 100, the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b are formed on one and the other surfaces of the dielectric substrate 101, respectively. Accordingly, the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b are formed at different positions in the thickness direction of the dielectric substrate 101. In the heat insulating waveguide of the embodiment, the configuration in which the transmission line and the ground line are formed at different positions in the thickness direction of the substrate is not limited thereto. For example, a configuration in which one of the transmission line and the ground line is formed on the surface of the substrate and the other is embedded in the substrate is also possible.
図2に示す断熱導波路100では、グランド線路103a,103bの内側の側縁103a1,103b1は、幅方向(X方向)について、全長にわたって伝達線路102の側縁102a,102aよりも外方寄りに位置しているが、側縁103a1,103b1の長さ方向の一部のみが伝達線路102の側縁102a,102aよりも外方寄りに位置していてもよい。 In the heat insulating waveguide 100 shown in FIG. 2, the side edges 103a1 and 103b1 inside the ground lines 103a and 103b are more outward than the side edges 102a and 102a of the transmission line 102 over the entire length in the width direction (X direction). However, only a part of the side edges 103a1 and 103b1 in the length direction may be located outward from the side edges 102a and 102a of the transmission line 102.
グランド線路103a,103bの側縁103a1,103b1は、平面視において、伝達線路102の側縁102a,102aより外方寄りに位置することが好ましいが、側縁102a,102aと一致する位置にあってもよいし、側縁102a,102aより内方寄りに位置していてもよい。 The side edges 103a1 and 103b1 of the ground lines 103a and 103b are preferably located outward from the side edges 102a and 102a of the transmission line 102 in a plan view, but are located at positions corresponding to the side edges 102a and 102a. Alternatively, it may be located inward from the side edges 102a, 102a.
図3(a)、図3(b)および図4に示す断熱導波路100Aでは、伝達線路102およびグランド線路103a,103bのうち伝達線路102のみに欠損部504が形成されている。実施形態の断熱導波路は、これに限らず、伝達線路およびグランド線路のうち少なくともいずれか1つに欠損部が形成されている構成であってもよい。例えば、第1グランド線路および第2グランド線路のいずれか一方または両方に欠損部が形成されていてもよい。
断熱導波路100Aでは、欠損部504の幅方向(X方向)の位置は、伝達線路102の中央であるが、伝達線路における欠損部の幅方向の位置はこれに限らず、中央に対してX方向にずれた位置でもよい。
In the heat insulating waveguide 100A shown in FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 4, a defect 504 is formed only in the transmission line 102 of the transmission line 102 and the ground lines 103a and 103b. The heat insulating waveguide of the embodiment is not limited to this, and may have a configuration in which a defective portion is formed in at least one of the transmission line and the ground line. For example, a defective portion may be formed in one or both of the first ground line and the second ground line.
In the heat insulating waveguide 100A, the position in the width direction (X direction) of the defect portion 504 is the center of the transmission line 102. However, the position in the width direction of the defect portion in the transmission line is not limited to this, The position may be shifted in the direction.
図5(a)および図5(b)に示す断熱導波路100Bでは、伝達線路802およびグランド線路103a,103bのうち伝達線路802のみに幅狭部804bが形成されている。実施形態の断熱導波路は、これに限らず、伝達線路およびグランド線路のうち少なくともいずれか1つに幅狭部が形成されている構成であってもよい。例えば、第1グランド線路および第2グランド線路のいずれか一方または両方に幅狭部が形成されていてもよい。
断熱導波路100Bでは、幅狭部804bの幅方向(X方向)の位置は、伝達線路802の中央であるが、伝達線路における幅狭部の幅方向の位置はこれに限らず、中央に対してX方向にずれた位置でもよい。
In the heat insulating waveguide 100B shown in FIGS. 5A and 5B, the narrow portion 804b is formed only in the transmission line 802 of the transmission line 802 and the ground lines 103a and 103b. The heat insulating waveguide of the embodiment is not limited to this, and may have a configuration in which a narrow portion is formed in at least one of the transmission line and the ground line. For example, a narrow portion may be formed on one or both of the first ground line and the second ground line.
In the heat insulating waveguide 100B, the position in the width direction (X direction) of the narrow portion 804b is the center of the transmission line 802, but the position in the width direction of the narrow portion in the transmission line is not limited to this. The position may be shifted in the X direction.
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、伝達線路102が、第1グランド線路103aと第2グランド線路103bとの間隙105と重なる位置にあるため、損失を小さくし、かつ熱流入を抑制できる。 According to at least one embodiment described above, since the transmission line 102 is positioned so as to overlap the gap 105 between the first ground line 103a and the second ground line 103b, loss can be reduced and heat inflow can be suppressed. .
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
100,100A,100B,100C…断熱導波路、101…誘電体基板、102…伝達線路、102d,802d…中間部、103a…第1グランド線路103a(第2導体線路)、103b…第2グランド線路103b(第3導体線路)、104a…端部(一方の端部)、104b…端部(他方の端部)、105…間隙、804b…幅狭部、1001…フレキシブル基板。 100, 100A, 100B, 100C ... adiabatic waveguide, 101 ... dielectric substrate, 102 ... transmission line, 102d, 802d ... middle part, 103a ... first ground line 103a (second conductor line), 103b ... second ground line 103b (third conductor line), 104a ... end (one end), 104b ... end (the other end), 105 ... gap, 804b ... narrow part, 1001 ... flexible substrate.
Claims (6)
前記基板の一方の端部から他方の端部にわたる第1導体線路と、
前記第1の導体線路とは前記基板の厚さ方向の位置を違えて、前記基板の一方の端部から他方の端部にわたって、幅方向に離間して形成された第2導体線路および第3導体線路と、を備え、
前記第1導体線路は、前記基板に垂直な方向から見て、前記第2導体線路と前記第3導体線路との間隙の少なくとも一部と重なる位置にある、断熱導波路。 A substrate,
A first conductor line extending from one end of the substrate to the other end;
A second conductor line and a third conductor line which are different from each other in the thickness direction of the substrate from the first conductor line and are spaced apart in the width direction from one end of the substrate to the other end. A conductor line,
The adiabatic waveguide, wherein the first conductor line is located at a position overlapping at least a part of a gap between the second conductor line and the third conductor line when viewed from a direction perpendicular to the substrate.
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