JP2018101664A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 予備はんだの酸化を防止して銅製のボンディングワイヤの採用を可能とする。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第２導電性部材に導電性スペーサの下面がはんだ付けされているとともに、導電性スペーサの上面に予備はんだが設けられた第１半製品を用意する工程と、第１導電性部材に半導体素子の下面がはんだ付けされているとともに、半導体素子の上面にボンディングワイヤが接合された第２半製品を用意する工程と、第１半製品の予備はんだを溶融して、第２半製品の半導体素子の上面を、第１半製品の導電性スペーサの下面にはんだ付けする工程とを備える。【選択図】図５

Description

本明細書で開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１に、半導体装置とその製造方法が記載されている。半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の下面に接合された第１導電性部材と、半導体素子の上面に導電性スペーサを介して接合された第２導電性部材と、半導体素子の上面に接合されたボンディングワイヤとを備える。この半導体装置の製造方法は、第１導電性部材上に半導体素子を介して導電性スペーサをはんだ付けする第１はんだ付け工程と、半導体素子にボンディングワイヤを接合するワイヤボンド工程と、導電性スペーサ上に第２導電性部材をはんだ付けする第２はんだ付け工程とを備える。第２はんだ付け工程では、導電性スペーサと第２導電性部材との間にはんだ箔が配置され、そのはんだ箔を溶融させることによって、導電性スペーサと第２導電性部材とが互いに接合される。

特開２００４−３０３８６９号公報

上記した第２はんだ付け工程では、導電性スペーサ、はんだ箔及び第２導電性部材の三者の位置を正しく合わせる必要がある。例えば、はんだ箔が正規の位置から外れて配置されていると、溶融したはんだが導電性スペーサと第２導電性部材との間からはみ出すことによって、短絡や接合不良といった不具合が生じ得る。しかしながら、三つの部材の位置を同時に合せることは面倒である。そこで、導電性スペーサ上へ予めはんだを溶着しておくことが考えられる。このようなはんだは、予備はんだ（又は迎えはんだ）と称される。導電性スペーサ上に予備はんだが設けられていれば、第２はんだ付け工程では、導電性スペーサと第２導電性部材の二者の間で位置合わせを行えば足りる。予備はんだを設ける工程は、第１はんだ付け工程内に組み込むことができ、それによって第２はんだ付け工程を容易かつ簡素にすることができる。

しかしながら、導電性スペーサ上に予備はんだが設けられていると、ワイヤボンド工程において半導体素子を加熱したときに、導電性スペーサ上の予備はんだも加熱されて酸化することがある。予備はんだの酸化は、その後の第２はんだ付け工程において接合不良を招く。一般に、アルミニウム製のボンディングワイヤが使用される場合は、ワイヤボンド工程において半導体素子を加熱する必要はない。それに対して、銅製のボンディングワイヤが使用される場合は、半導体素子の加熱が不可欠とされている。銅製のボンディングワイヤは、アルミニウム製のものと比較して、高い強度や優れた導電性といった利点を有する。そのことから、銅製のボンディングワイヤを採用すれば、ボンディングワイヤをより細くすることが可能となり、それによって半導体素子（特に、ボンディングワイヤが接合される半導体素子上の電極）の小型化を図ることができる。しかしながら、銅製のボンディングワイヤを採用するためには、上述した予備はんだの酸化という問題を解決する必要がある。

本開示は、上述した予備はんだが酸化するという問題を解決して、銅製のボンディングワイヤの採用を可能とする技術を提供する。

本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に具現化される。半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の下面に接合された第１導電性部材と、半導体素子の上面に導電性スペーサを介して接合された第２導電性部材と、半導体素子の上面に接合された銅製のボンディングワイヤとを備える。製造方法は、第２導電性部材に導電性スペーサの下面がはんだ付けされているとともに、導電性スペーサの上面に予備はんだが設けられた第１半製品を用意する工程と、第１導電性部材に半導体素子の下面がはんだ付けされているとともに、半導体素子の上面にボンディングワイヤが接合された第２半製品を用意する工程と、第１半製品の予備はんだを溶融して、第２半製品の半導体素子の上面を、第１半製品の導電性スペーサの下面にはんだ付けする工程とを備える。

上記した製造方法では、先ず、第１半製品と第２半製品とがそれぞれ用意される。第１半製品では、第２導電性部材に導電性スペーサの下面がはんだ付けされているとともに、導電性スペーサの上面に予備はんだが設けられている。即ち、予備はんだは、第１半製品に設けられる。一方、第２半製品では、第１導電性部材に半導体素子の下面がはんだ付けされているとともに、半導体素子の上面にボンディングワイヤが接合されている。即ち、ボンディングワイヤの接合は、第２半製品を用意する過程で実施される。このように、予備はんだを第１半製品に設けておくとともに、第２半製品においてボンディングワイヤの接合を完了しておくことで、ボンディングワイヤの接合時に半導体素子を加熱しても、第１半製品の予備はんだを酸化させることがない。その後、第１半製品の予備はんだを溶融し、第２半製品の半導体素子の上面を、第１半製品の導電性スペーサの下面にはんだ付けすることで、上記した半導体装置の構成が完成する。

なお、本明細書における上面及び下面といった用語は、互いに反対側に位置する面を便宜的に表現するものであり、上面及び下面が必ずしも鉛直上方及び鉛直下方にそれぞれ位置することを意味しない。例えば、半導体装置を製造する過程において、半導体素子の上面が、半導体素子の下側に位置する面となり、半導体素子の下面が、半導体素子の上側に位置する面となってもよい。第１及び第２導電性スペーサやその他の部材の上面及び下面についても同様である。

半導体装置１０の構造を示す断面図。 図１中のＩＩ部の拡大図。 導電性スペーサ２６の下面２６ｂを示す図。 図３中のＩＶ−ＩＶ線における断面図。 半導体装置１０の製造方法の一実施例の流れを示すフローチャート。 第１半製品１０ａを用意する工程Ｓ１０、Ｓ１２を示す図。 第２半製品１０ｂを用意する工程の一部であって、第１導電性部材２２に半導体素子１２をはんだ付けする工程Ｓ１４を示す図。 第２半製品１０ｂを用意する工程の他の一部であって、半導体素子１２にボンディングワイヤ３２を接合する工程Ｓ１６を示す図。 予備はんだ４４ｐを溶融して、第１半製品１０ａと第２半製品１０ｂとの間をはんだ付けする工程Ｓ１８を示す図。 封止材料２０ｍを用いて第３半製品１０ｃをパッケージングする工程Ｓ２０を示す図。

本技術の一実施形態において、導電性スペーサには、下面の周縁に沿って凹部が設けられていてもよい。このような手法によると、予備はんだを溶融してはんだ付けを行うときに、余剰のはんだが凹部に収容されることによって、はんだのはみ出しを防止することができる。

本技術の一実施形態において、第１半製品を用意する工程は、第２導電性部材の鉛直上方に導電性スペーサが位置する状態で、第２導電性部材に導電性スペーサをはんだ付けする工程を含んでもよい。このような手法によると、第２導電性部材と導電性スペーサとの間の溶融したはんだが、自重によって第２導電性部材上に広がりやすくなる。それにより、第２導電性部材には、はんだの濡れ性を改善するための表面処理（例えば金めっき）が必ずしも必要とされない。そのような表面処理が省略されることで、半導体装置の製造コストを削減することができる。

本技術の一実施形態において、第２半製品を用意する工程は、半導体素子の下面を第１導電性部材にはんだ付けする工程と、第１導電性部材にはんだ付けされた半導体素子の上面にボンディングワイヤを接合する工程とを含んでもよい。このような手法によると、半導体素子へボンディングワイヤを接合するときに、半導体素子が第１導電性部材に固定されているので、第１導電性部材と共に半導体素子の位置決めを行いやすい。

本技術の一実施形態において、ボンディングワイヤを接合する工程は、第１導電性部材にはんだ付けされた半導体素子を加熱する工程と、加熱された半導体素子の上面にボンディングワイヤを超音波接合法によって接合する工程とを含んでもよい。このような手法によると、銅製のボンディングワイヤを十分な強度で半導体素子に接合することができる。

図面を参照して、半導体装置１０の製造方法の一実施例について説明する。本実施例の半導体装置１０は、特に限定されないが、例えばハイブリッド車、燃料電池車又は電気自動車といった電動型の自動車において、コンバータやインバータといった電力変換回路に用いることができる。以下では、先ず半導体装置１０の構成について説明し、次いで半導体装置１０の製造方法について説明する。但し、下記する半導体装置１０及びその製造方法は一例であり、本明細書で開示する複数の技術要素は、単独又はいくつかの組み合わせによって、様々な半導体装置及びその製造方法に適用することができる。

図１、図２に示すように、本実施例における半導体装置１０は、半導体素子１２と、半導体素子１２を封止する封止体２０とを備える。半導体素子１２は、パワー半導体素子である。半導体素子１２の具体的な構成は限定されないが、例えばスイッチング素子、ダイオード又はそれらの組み合わせであってよい。ここでいうスイッチング素子は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が含まれる。半導体素子１２に使用される半導体材料についても特に限定されず、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又はＩＩＩ−Ｖ族半導体であってよい。封止体２０は、絶縁性を有する材料で構成されている。本実施例の封止体２０は、特に限定されないが、エポキシ樹脂といった熱硬化性の樹脂材料で構成されている。図１では、一つの半導体素子１２のみが図示されているが、半導体装置１０は、二以上の半導体素子１２を備えてもよい。

半導体素子１２の下面１２ｂには、第１電極１４が設けられており、半導体素子１２の上面１２ａには、第２電極１６及び第３電極１８が設けられている（図２参照）。第１電極１４と第２電極１６は電力用の電極であり、第３電極１８は信号用の電極である。例えば半導体素子１２がＩＧＢＴの場合、第１電極１４はエミッタ電極であってよく、第２電極１６はコレクタ電極であってよい。半導体素子１２がＭＯＳＦＥＴの場合、第１電極１４はソース電極であってよく、第２電極１６はドレイン電極であってよい。第３電極１８は、半導体素子１２への制御信号（例えば、ゲート駆動信号）が入力される電極であってもよいし、半導体素子１２の温度や電流に応じた信号を出力する電極であってもよい。

半導体装置１０はさらに、第１導電性部材２２と第２導電性部材２４と導電性スペーサ２６とを備える。第１導電性部材２２は、例えば銅又はその他の金属といった、導電性を有する材料で構成されている。第１導電性部材２２は、上面２２ａと下面２２ｂとを有する板形状を有する。第１導電性部材２２の上面２２ａは、封止体２０の内部において、半導体素子１２の下面１２ｂに接合されている。より詳しくは、半導体素子１２の第１電極１４が、第１導電性部材２２にはんだ付けされており、半導体素子１２と第１導電性部材２２との間に、第１はんだ接合層４２が形成されている（図２参照）。これにより、第１導電性部材２２は、半導体素子１２と電気的に接続されている。また、第１導電性部材２２の下面２２ｂは、封止体２０の外部に露出している。第１導電性部材２２は、半導体素子１２と熱的にも接続されており、半導体素子１２の熱を外部へ放出する放熱部材としても機能する。

第２導電性部材２４及び導電性スペーサ２６についても、例えば銅又はその他の金属といった、導電性を有する材料で構成されている。第２導電性部材２４は、上面２４ａと下面２４ｂとを有する板形状を有する。導電性スペーサ２６もまた、上面２６ａと下面２６ｂとを有する板形状を有する。第２導電性部材２４の下面２４ｂは、封止体２０の内部において、導電性スペーサ２６を介して半導体素子１２の上面１２ａに接合されている。より詳しくは、半導体素子１２の第２電極１６が、導電性スペーサ２６の下面２６ｂにはんだ付けされており、半導体素子１２と導電性スペーサ２６との間に、第２はんだ接合層４４が形成されている（図２参照）。そして、導電性スペーサ２６の上面２６ａが、第２導電性部材２４の下面２４ｂにはんだ付けされており、導電性スペーサ２６と第２導電性部材２４との間に、第３はんだ接合層４６が形成されている。これにより、第２導電性部材２４は、導電性スペーサ２６を介して半導体素子１２と電気的に接続されている。また、第２導電性部材２４の上面２４ａは、封止体２０の外部に露出している。第２導電性部材２４は、導電性スペーサ２６を介して半導体素子１２と熱的にも接続されており、半導体素子１２の熱を外部へ放出する放熱部材としても機能する。

半導体装置１０はさらに、第３導電性部材３０とボンディングワイヤ３２を備える。第３導電性部材３０は、例えば銅又はその他の金属といった、導電性を有する材料で構成されている。第３導電性部材３０は、封止体２０の内部から外部へと伸びている。ボンディングワイヤ３２は、封止体２０の内部において、第３導電性部材３０と半導体素子１２とを電気的に接続する。詳しくは、ボンディングワイヤ３２の一端は、封止体２０の内部で第３導電性部材３０に接合されており、ボンディングワイヤ３２の他端は、半導体素子１２の上面１２ａに位置する第３電極１８に接合されている（図２参照）。これにより、第３導電性部材３０は、ボンディングワイヤ３２を介して半導体素子１２の第３電極１８に電気的に接続されている。

ボンディングワイヤ３２は、銅製のボンディングワイヤである。ここでいう銅製のボンディングワイヤとは、銅を主成分とするボンディングワイヤを意味し、銅以外の元素が含有されていてもよい。この場合、銅の含有率は、特に限定されないが、９５質量パーセント以上であるとよい。銅製のボンディングワイヤは、例えばアルミニウム製のものと比較して、高い強度や優れた導電性といった利点を有する。そのことから、銅製のボンディングワイヤ３２を採用することで、ボンディングワイヤ３２を細くすることができる。ボンディングワイヤ３２が細くなると、半導体素子１２の第３電極１８のサイズを小さくすることができ、それによって半導体素子１２の小型化を図ることができる。半導体素子１２を小型化することで、一枚の半導体ウエハから多くの半導体素子１２を製造することが可能となり、半導体素子１２の製造コスト（即ち、半導体装置１０の製造コスト）を削減することができる。

図２−４に示すように、導電性スペーサ２６には、下面２６ｂの周縁に沿って凹部２６ｃが設けられている。このような構成によると、導電性スペーサ２６の下面２６ｂが半導体素子１２の上面１２ａにはんだ付けされるときに、余剰のはんだが凹部２６ｃに収容されることによって、はんだのはみ出しを防止することができる。凹部２６ｃの具体的な構造は特に限定されないが、本実施例の凹部２６ｃは、凹状に湾曲する曲面で画定されている。凹部２６ｃは、下面２６ｂの周縁に沿って一連に形成されてもよいし、下面２６ｂの周縁に沿って断続的に形成されてもよい。なお、他の実施形態として、導電性スペーサ２６は、凹部２６ｃを有さなくてもよい。

次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。図５は、製造方法の流れを示すフローチャートである。以下、図５に示す製造方法の流れに沿って、各工程を詳細に説明する。先ず、工程Ｓ１０、Ｓ１２において、図６に示す第１半製品１０ａが用意される。第１半製品１０ａでは、第２導電性部材２４の下面２４ｂに導電性スペーサ２６の上面２６ａがはんだ付けされているとともに、導電性スペーサ２６の下面２６ｂに予備はんだ４４ｐが設けられている。なお、図１と比較して、図６では第２導電性部材２４及び導電性スペーサ２６が上下反転されている。従って、図６では、導電性スペーサ２６の上面２６ａが下方を向いており、導電性スペーサ２６の下面２６ｂが上方を向いている。第２導電性部材２４についても同様である。

第１半製品１０ａを用意する具体的な手法は特に限定されない。一例ではあるが、本実施例では、工程Ｓ１０において、第２導電性部材２４の下面２４ｂ上に、導電性スペーサ２６の上面２６ａをはんだ付けする。このはんだ付けは、図６に示すように、第２導電性部材２４の鉛直上方に導電性スペーサ２６が位置する状態で行うことができる。このような手法によると、第２導電性部材２４と導電性スペーサ２６との間の溶融したはんだ（即ち、第３はんだ接合層４６を形成するはんだ）が、自重によって第２導電性部材２４上に広がりやすくなる。それにより、第２導電性部材２４には、はんだの濡れ性を改善するための表面処理（例えば金めっき）が必ずしも必要とされない。そのような表面処理が省略されることで、半導体装置１０の製造コストを削減することができる。

工程Ｓ１２では、導電性スペーサ２６の下面２６ｂに、予備はんだ４４ｐが設けられる。即ち、導電性スペーサ２６の下面２６ｂ上ではんだを一時的に溶融させて、当該下面２６ｂにはんだを付着させる。予備はんだ４４ｐは、後の工程において第２はんだ接合層４４になる。ここで、工程Ｓ１０、Ｓ１２の順序は問わず、いずれの工程が先に行われてもよい。あるいは、両工程Ｓ１０、Ｓ１２の一部又は全部が同時に行われてもよい。

次に、工程Ｓ１４、Ｓ１６において、図８に示す第２半製品１０ｂが用意される。第２半製品１０ｂでは、第１導電性部材２２の上面２２ａに半導体素子１２の下面１２ｂがはんだ付けされているとともに、半導体素子１２の上面１２ａにボンディングワイヤ３２が接合されている。なお、第２半製品１０ｂを用意する工程Ｓ１４、Ｓ１６は、第１半製品１０ａを用意する工程Ｓ１０、Ｓ１２よりも先に実施されてもよいし、第１半製品１０ａを用意する工程Ｓ１０、Ｓ１２と並行して行われてもよい。

第２半製品１０ｂを用意する具体的な手法は特に限定されない。一例ではあるが、本実施例では、工程Ｓ１４において、図７に示すように、半導体素子１２の下面１２ｂを第１導電性部材２２の上面２２ａにはんだ付けする。次いで、工程Ｓ１６において、図８に示すように、半導体素子１２の上面１２ａ及び第３導電性部材３０に、ボンディングワイヤ３２を接合する。工程Ｓ１４、Ｓ１６の順序は問わない。但し、工程Ｓ１４の後に工程Ｓ１６が実施されると、半導体素子１２へボンディングワイヤ３２を接合するときに、半導体素子１２が第１導電性部材２２に固定されているので、第１導電性部材２２と共に半導体素子１２の位置決めを行いやすい。

ボンディングワイヤ３２を接合する工程Ｓ１６では、第１導電性部材２２にはんだ付けされた半導体素子１２を加熱し、加熱された半導体素子１２の上面１２ａにボンディングワイヤ３２を超音波接合法によって接合することができる。即ち、半導体素子１２の上面１２ａに当接させたボンディングワイヤ３２に、超音波振動を加えることができる。このような手法によると、銅製のボンディングワイヤ３２を、十分な強度で半導体素子１２に接合することができる。半導体素子１２を加熱する手法は特に限定されない。例えば、ヒータ（図示省略）上に第１導電性部材２２を配置し、第１導電性部材２２を介して半導体素子１２を加熱することができる。半導体素子１２を加熱する目標温度は、例えば１８０℃以上とすることができる。本実施例では、特に限定されないが、半導体素子１２の上面１２ａが２００℃となるように、ヒータによる加熱量を調節している。

以上の工程Ｓ１０−Ｓ１６により、第１半製品１０ａと第２半製品１０ｂとがそれぞれ用意される。次に、図５の工程Ｓ１８では、第１半製品１０ａの予備はんだ４４ｐを溶融し、第１半製品１０ａと第２半製品１０ｂとの間がはんだ付けされる。詳しくは、第２半製品１０ｂの半導体素子１２の上面１２ａが、第１半製品１０ａの導電性スペーサ２６の下面２６ｂにはんだ付けされる。これにより、図９に示す第３半製品１０ｃが用意される。図９に示すように、予備はんだ４４ｐを用いたはんだ付けの工程Ｓ１８のでは、予備はんだ４４ｐが設けられた第１半製品１０ａを、第２半製品１０ｂの鉛直下方に配置することできる。なお、図１と比較して、図９では全ての部材が上下反転されて図示されている。

予備はんだ４４ｐを用いたはんだ付けの工程Ｓ１８では、第１導電性部材２２の下面２２ｂから、第２導電性部材２４の上面２４ａまでの距離が設計値に等しくなるように、第１半製品１０ａと第２半製品１０ｂとの間の相対位置が調整される。そのことから、第１半製品１０ａ及び第２半製品１０ｂの実寸法に応じて、半導体素子１２の上面１２ａと導電性スペーサ２６の下面２６ｂとの間の距離が、設計値よりも狭くなることがある。この場合、溶融した予備はんだ４４ｐの一部が余剰となるが、余剰のはんだが導電性スペーサ２６の凹部２６ｃに収容されることによって、溶融した予備はんだ４４ｐのはみ出しを防止することができる。

次に、図５の工程Ｓ２０では、封止材料２０ｍによるパッケージングが行われる。図１０に示すように、封止材料２０ｍによるパッケージングは、インサート成形によって行うことができる。即ち、第３半製品１０ｃを配置した金型１００内に、第３半製品１０ｃを配置し、金型１００内に封止材料２０ｍを注入する。金型１００内に充填された封止材料２０ｍは、温度低下に伴って硬化して、半導体装置１０の封止体２０（図１参照）となる。その後、パッケージング後の第３半製品１０ｃを金型１００から取り出し、必要な仕上げ処理を行うことによって、半導体装置１０が完成する。

以上のように、本実施例の製造方法では、先ず、第１半製品１０ａと第２半製品１０ｂとがそれぞれ用意される。第１半製品１０ａでは、第２導電性部材２４に導電性スペーサ２６の下面２６ｂがはんだ付けされているとともに、導電性スペーサ２６の上面２６ａに予備はんだ４４ｐが設けられている。一方、第２半製品１０ｂでは、第１導電性部材２２に半導体素子１２の下面１２ｂがはんだ付けされているとともに、半導体素子１２の上面１２ａにボンディングワイヤ３２が接合されている。即ち、ボンディングワイヤ３２の接合は、第２半製品１０ｂを用意する過程で実施され、第１半製品１０ａの予備はんだ４４ｐに影響を与えない。このように、予備はんだ４４ｐを第１半製品１０ａに設けておくとともに、第２半製品１０ｂにおいてボンディングワイヤ３２の接合を完了しておくことで、ボンディングワイヤ３２の接合時に半導体素子１２を加熱しても、予備はんだ４４ｐを酸化させることがない。従って、ボンディングワイヤ３２に銅製のものを採用することができる。前述したように、銅製のボンディングワイヤ３２を採用することで、半導体素子１２を小型化することが可能となり、半導体素子１２の製造コスト（即ち、半導体装置１０の製造コスト）を削減することができる。

以上、本技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。本明細書又は図面に記載された技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載された組合せに限定されるものではない。また、本明細書又は図面に例示された技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０：半導体装置
１０ａ：半導体装置１０の第１半製品
１０ｂ：半導体装置１０の第２半製品
１０ｃ：半導体装置１０の第３半製品
１２：半導体素子
１２ａ：半導体素子１０の上面
１２ｂ：半導体素子１０の下面
１４：半導体素子１０の第１電極
１６：半導体素子１０の第２電極
１８：半導体素子１０の第３電極
２０：封止体
２０ｍ：封止材料
２２：第１導電性部材
２２ａ：第１導電性部材２２の上面
２２ｂ：第１導電性部材２２の下面
２４：第２導電性部材
２４ａ：第２導電性部材２４の上面
２４ｂ：第２導電性部材２４の下面
２６：導電性スペーサ
２６ａ：導電性スペーサ２６の上面
２６ｂ：導電性スペーサ２６の下面
２６ｃ：導電性スペーサ２６の凹部
３０：第３導電性部材
３２：ボンディングワイヤ
４２：第１はんだ接合層
４４：第２はんだ接合層
４４ｐ：予備はんだ
４６：第３はんだ接合層
１００：金型

Claims (5)

1. 半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体装置は、
   半導体素子と、
   前記半導体素子の下面に接合された第１導電性部材と、
   前記半導体素子の上面に導電性スペーサを介して接合された第２導電性部材と、
   前記半導体素子の前記上面に接合された銅製のボンディングワイヤと、を備え、
   前記製造方法は、
   前記第２導電性部材に前記導電性スペーサの上面がはんだ付けされているとともに、前記導電性スペーサの下面に予備はんだが設けられた第１半製品を用意する工程と、
   前記第１導電性部材に前記半導体素子の前記下面がはんだ付けされているとともに、前記半導体素子の前記上面に前記ボンディングワイヤが接合された第２半製品を用意する工程と、
   前記第１半製品の予備はんだを溶融して、前記第２半製品の前記半導体素子の前記上面を、前記第１半製品の前記導電性スペーサの前記下面にはんだ付けする工程と、
   を備える製造方法。
2. 前記導電性スペーサには、前記下面の周縁に沿って凹部が設けられている、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記第１半製品を用意する工程は、前記第２導電性部材の鉛直上方に前記導電性スペーサが位置する状態で、前記第２導電性部材に前記導電性スペーサをはんだ付けする工程を含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
4. 前記第２半製品を用意する工程は、前記半導体素子の前記下面を前記第１導電性部材にはんだ付けする工程と、前記第１導電性部材にはんだ付けされた前記半導体素子の前記上面に前記ボンディングワイヤを接合する工程とを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
5. 前記ボンディングワイヤを接合する工程は、前記第１導電性部材にはんだ付けされた前記半導体素子を加熱する工程と、加熱された前記半導体素子の前記上面に前記ボンディングワイヤを超音波接合法によって接合する工程とを含む、請求項４に記載の製造方法。

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