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JP2018100851A - Secondary battery state detection device and secondary battery state detection method - Google Patents

Secondary battery state detection device and secondary battery state detection method Download PDF

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JP2018100851A JP2016245714A JP2016245714A JP2018100851A JP 2018100851 A JP2018100851 A JP 2018100851A JP 2016245714 A JP2016245714 A JP 2016245714A JP 2016245714 A JP2016245714 A JP 2016245714A JP 2018100851 A JP2018100851 A JP 2018100851A
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典靖 岩根
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丹 大野
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淳人 樋口
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Abstract

【課題】異なる特性の二次電池を用いた場合でも補正誤差を少なくすること。【解決手段】二次電池14の状態を検出する二次電池状態検出装置1において、二次電池の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する算出手段(制御部10)と、算出手段によって算出された等価回路モデルの素子値を、二次電池が基準状態である場合の素子値に補正する補正手段(制御部10)と、補正手段によって補正された基準状態における等価回路モデルの素子値に基づいて二次電池の状態を推定する推定手段(制御部10)と、算出手段によって算出されたその時点の素子値と、前記基準状態を示す状態値とに基づいて補正手段が有する係数を調整する調整手段(制御部10)と、を有する。【選択図】図1A correction error is reduced even when secondary batteries having different characteristics are used. In a secondary battery state detection device 1 for detecting a state of a secondary battery 14, a calculation means (control unit 10) for calculating an element value of an element constituting an equivalent circuit model of the secondary battery, and a calculation means Correction means (control unit 10) for correcting the element value of the equivalent circuit model calculated by the above to the element value when the secondary battery is in the reference state, and the element of the equivalent circuit model in the reference state corrected by the correction means A coefficient that the correction means has based on the estimation means (control unit 10) for estimating the state of the secondary battery based on the value, the element value at that time calculated by the calculation means, and the state value indicating the reference state Adjusting means (control unit 10) for adjusting [Selection] Figure 1

Description

本発明は、二次電池状態検出装置および二次電池状態検出方法に関するものである。   The present invention relates to a secondary battery state detection device and a secondary battery state detection method.

二次電池の個体差や特性変化に対応するための技術としては、例えば、特許文献1,2に開示された技術がある。   As a technique for coping with individual differences and characteristic changes of the secondary battery, for example, there are techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2.

特許文献1には、二次電池の内部インピーダンスの温度特性を的確に補正して高い精度で二次電池の劣化状態を判定する技術が開示されている。   Patent Document 1 discloses a technique for accurately determining a temperature characteristic of an internal impedance of a secondary battery and determining a deterioration state of the secondary battery with high accuracy.

また、特許文献2には、内部抵抗比Zr(=Z(その時点での抵抗)/Z0(新品時などの基準となる抵抗))を求め、各Zrにおける相対SOCの値を求め、これらを対応付けたテーブルを作成することで、二次電池の種類(例えば、製造メーカや容量)または個体によらず略一定のSOCを得る技術が開示されている。   In Patent Document 2, the internal resistance ratio Zr (= Z (resistance at that time) / Z0 (reference resistance at the time of new article)) is obtained, and the relative SOC value in each Zr is obtained. A technique is disclosed in which a substantially constant SOC is obtained regardless of the type (for example, manufacturer or capacity) or individual of the secondary battery by creating an associated table.

特開2005−091217号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-091217 特開2012−189373号公報JP 2012-189373 A

ところで、前述した特許文献1,2に開示された技術では、補正誤差の大小については評価していないことから、予め特性を得た二次電池と異なる特性を持つ二次電池では補正誤差が大きくなるという問題点がある。   By the way, in the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2 described above, since the magnitude of the correction error is not evaluated, the correction error is large in the secondary battery having characteristics different from the secondary battery obtained in advance. There is a problem of becoming.

本発明は、以上のような状況に鑑みてなされたものであり、異なる特性の二次電池を用いた場合でも補正誤差を少なくすることが可能な二次電池状態検出装置および二次電池状態検出方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above situation, and a secondary battery state detection device and a secondary battery state detection capable of reducing correction errors even when secondary batteries having different characteristics are used. It aims to provide a method.

上記課題を解決するために、本発明は、二次電池の状態を検出する二次電池状態検出装置において、前記二次電池の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する算出手段と、前記算出手段によって算出された前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が基準状態である場合の素子値に補正する補正手段と、前記補正手段によって補正された前記基準状態における前記等価回路モデルの素子値に基づいて前記二次電池の状態を推定する推定手段と、前記算出手段によって算出されたその時点の素子値と、前記基準状態を示す状態値とに基づいて前記補正手段を調整する調整手段と、を有することを特徴とする。
このような構成によれば、異なる特性の二次電池を用いた場合でも補正誤差を少なくすることが可能となる。
In order to solve the above problems, the present invention provides a secondary battery state detection device for detecting a state of a secondary battery, a calculation means for calculating an element value of an element constituting an equivalent circuit model of the secondary battery, Correction means for correcting the element value of the equivalent circuit model calculated by the calculation means to an element value when the secondary battery is in a reference state; and the equivalent circuit in the reference state corrected by the correction means The estimating means for estimating the state of the secondary battery based on the element value of the model, the current element value calculated by the calculating means, and the correction means are adjusted based on the state value indicating the reference state Adjusting means.
According to such a configuration, correction errors can be reduced even when secondary batteries having different characteristics are used.

また、本発明は、前記調整手段は、前記補正手段による補正の際に生じる誤差が所定の閾値未満であると推定された場合に前記補正手段を調整することを特徴とする。
このような構成によれば、補正手段をより正確に調整することが可能となる。
Further, the present invention is characterized in that the adjustment means adjusts the correction means when it is estimated that an error occurring during correction by the correction means is less than a predetermined threshold value.
According to such a configuration, the correction unit can be adjusted more accurately.

また、本発明は、前記等価回路モデルを構成する素子としては、導体・液抵抗、反応抵抗、および、電気二重層容量の少なくとも1つを有し、前記基準状態を示す状態値としては、液温、SOC、および、OCVの少なくとも1つを有する、ことを特徴とする。
このような構成によれば、目的に応じて最適なパラメータを用いて二次電池の状態を検出することができる。
Further, according to the present invention, the element constituting the equivalent circuit model has at least one of a conductor / liquid resistance, a reaction resistance, and an electric double layer capacity, and the state value indicating the reference state is a liquid value It has at least one of temperature, SOC, and OCV.
According to such a configuration, it is possible to detect the state of the secondary battery using an optimum parameter according to the purpose.

また、本発明は、前記補正手段は、前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が前記基準状態である場合の素子値に補正する補正式を有し、前記調整手段は、前記補正式を所定の状態値で偏微分して得た傾きと、その時点における当該状態値の推定誤差とを乗算することで得られる値が所定の閾値未満である場合に、前記補正式が有する係数を調整することを特徴とする。
このような構成によれば、補正式の特性に応じて係数を適切に調整することができる。
In the invention, it is preferable that the correction unit has a correction formula for correcting the element value of the equivalent circuit model to an element value when the secondary battery is in the reference state, and the adjustment unit includes the correction The coefficient of the correction equation when the value obtained by multiplying the gradient obtained by partial differentiation of the equation with the predetermined state value and the estimated error of the state value at that time is less than the predetermined threshold value It is characterized by adjusting.
According to such a configuration, the coefficient can be appropriately adjusted according to the characteristic of the correction formula.

また、本発明は、前記補正手段は、前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が前記基準状態である場合の素子値に補正する補正式を有し、前記調整手段は、その時点の状態における素子値から、前記基準状態における素子値に補正する場合の誤差見込み値と、前記補正式を所定の状態値で偏微分して得た傾きと、その時点における当該状態値の推定誤差の値と、を乗算して得た値が所定の閾値未満である場合には、前記補正式が有する係数を調整することを特徴とする。
このような構成によれば、補正式の特性と誤差見込み値とに応じて係数を適切に調整することができる。
In the invention, it is preferable that the correction unit has a correction formula for correcting the element value of the equivalent circuit model to an element value when the secondary battery is in the reference state, and the adjustment unit The estimated error when correcting the element value in the reference state to the element value in the reference state, the slope obtained by partial differentiation of the correction formula with the predetermined state value, and the estimated error of the state value at that time When the value obtained by multiplying the value of 未 満 is less than a predetermined threshold, the coefficient of the correction equation is adjusted.
According to such a configuration, the coefficient can be appropriately adjusted according to the characteristic of the correction formula and the estimated error value.

また、本発明は、前記調整手段は、前記二次電池の分極状態が略解消された場合に、前記補正手段を調整することを特徴とする。
このような構成によれば、分極の影響を低減することで、補正手段をより正確に調整することができる。
Further, the present invention is characterized in that the adjusting means adjusts the correcting means when the polarization state of the secondary battery is substantially eliminated.
According to such a configuration, the correction means can be adjusted more accurately by reducing the influence of polarization.

また、本発明は、二次電池の状態を検出する二次電池状態検出方法において、前記二次電池の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する算出ステップと、前記算出ステップにおいて算出された前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が前記基準状態である場合の素子値に補正する補正ステップと、前記補正ステップにおいて補正された前記基準状態における等価回路モデルの素子値に基づいて前記二次電池の状態を推定する推定ステップと、前記算出ステップによって算出されたその時点の素子値と、前記基準状態を示す状態値とに基づいて前記補正ステップが有する係数を調整する調整ステップと、を有することを特徴とする。
このような構成によれば、異なる特性の二次電池を用いた場合でも補正誤差を少なくすることが可能となる。
Further, the present invention provides a secondary battery state detection method for detecting a state of a secondary battery, a calculation step for calculating an element value of an element constituting an equivalent circuit model of the secondary battery, and a calculation in the calculation step. Further, a correction step of correcting the element value of the equivalent circuit model to an element value when the secondary battery is in the reference state, and an element value of the equivalent circuit model in the reference state corrected in the correction step An estimation step for estimating the state of the secondary battery, an adjustment step for adjusting a coefficient of the correction step based on the current element value calculated by the calculation step and the state value indicating the reference state It is characterized by having.
According to such a configuration, correction errors can be reduced even when secondary batteries having different characteristics are used.

本発明によれば、異なる特性の二次電池を用いた場合でも補正誤差を少なくすることが可能な二次電池状態検出装置および二次電池状態検出方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a secondary battery state detection device and a secondary battery state detection method capable of reducing correction errors even when secondary batteries having different characteristics are used.

本発明の実施形態に係る二次電池状態検出装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the secondary battery state detection apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図1の制御部の詳細な構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the detailed structural example of the control part of FIG. 本発明の実施形態において使用する二次電池の等価回路モデルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of the equivalent circuit model of the secondary battery used in embodiment of this invention. Cr_Rohmの液温およびSOCに対する依存性を示す図である。It is a figure which shows the dependence with respect to the liquid temperature and SOC of Cr_Rohm. Cr_Rct1の液温およびSOCに対する依存性を示す図である。It is a figure which shows the dependence with respect to the liquid temperature and SOC of Cr_Rct1. Cr_C1の液温およびOCVに対する依存性を示す図である。It is a figure which shows the dependence with respect to the liquid temperature and OCV of Cr_C1. 本発明の実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating operation | movement of embodiment of this invention. 等価回路モデルの学習処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the learning process of an equivalent circuit model.

次に、本発明の実施形態について説明する。   Next, an embodiment of the present invention will be described.

(A)本発明の実施形態の構成の説明
図1は、本発明の実施形態に係る二次電池状態検出装置を有する車両の電源系統を示す図である。この図において、二次電池状態検出装置1は、制御部10、電圧センサ11、電流センサ12、温度センサ13、および、放電回路15を主要な構成要素としており、二次電池14の充電状態を制御する。ここで、制御部10は、電圧センサ11、電流センサ12、および、温度センサ13からの出力を参照し、二次電池14の状態を検出するとともに、オルタネータ16の発電電圧を制御することで二次電池14の充電状態を制御する。電圧センサ11は、二次電池14の端子電圧を検出し、制御部10に通知する。電流センサ12は、二次電池14に流れる電流を検出し、制御部10に通知する。温度センサ13は、二次電池14の電解液または周囲の環境温度を検出し、制御部10に通知する。放電回路15は、例えば、直列接続された半導体スイッチと抵抗素子等によって構成され、制御部10によって半導体スイッチがオン/オフ制御されることにより二次電池14を間欠的に放電させる。
(A) Description of Configuration of Embodiment of the Present Invention FIG. 1 is a diagram showing a power supply system of a vehicle having a secondary battery state detection device according to an embodiment of the present invention. In this figure, the secondary battery state detection device 1 includes a control unit 10, a voltage sensor 11, a current sensor 12, a temperature sensor 13, and a discharge circuit 15 as main components, and indicates the charge state of the secondary battery 14. Control. Here, the control unit 10 refers to the outputs from the voltage sensor 11, the current sensor 12, and the temperature sensor 13, detects the state of the secondary battery 14, and controls the power generation voltage of the alternator 16 to control the power generation voltage. The charging state of the secondary battery 14 is controlled. The voltage sensor 11 detects the terminal voltage of the secondary battery 14 and notifies the control unit 10 of it. The current sensor 12 detects the current flowing through the secondary battery 14 and notifies the control unit 10 of the current. The temperature sensor 13 detects the electrolyte solution of the secondary battery 14 or the ambient environmental temperature and notifies the control unit 10 of it. The discharge circuit 15 is configured by, for example, a semiconductor switch and a resistance element connected in series, and the secondary battery 14 is intermittently discharged when the control unit 10 performs on / off control of the semiconductor switch.

二次電池14は、電解液を有する二次電池、例えば、鉛蓄電池、ニッケルカドミウム電池、または、ニッケル水素電池等によって構成され、オルタネータ16によって充電され、スタータモータ18を駆動してエンジンを始動するとともに、負荷19に電力を供給する。オルタネータ16は、エンジン17によって駆動され、交流電力を発生して整流回路によって直流電力に変換し、二次電池14を充電する。オルタネータ16は、制御部10によって制御され、発電電圧を調整することが可能とされている。   The secondary battery 14 is constituted by a secondary battery having an electrolytic solution, for example, a lead storage battery, a nickel cadmium battery, or a nickel metal hydride battery. The secondary battery 14 is charged by the alternator 16 and drives the starter motor 18 to start the engine. At the same time, power is supplied to the load 19. The alternator 16 is driven by the engine 17 to generate AC power, convert it into DC power by a rectifier circuit, and charge the secondary battery 14. The alternator 16 is controlled by the control unit 10 and can adjust the generated voltage.

エンジン17は、例えば、ガソリンエンジンおよびディーゼルエンジン等のレシプロエンジンまたはロータリーエンジン等によって構成され、スタータモータ18によって始動され、トランスミッションを介して駆動輪を駆動し、車両に推進力を与えるとともに、オルタネータ16を駆動して電力を発生させる。スタータモータ18は、例えば、直流電動機によって構成され、二次電池14から供給される電力によって回転力を発生し、エンジン17を始動する。負荷19は、例えば、電動ステアリングモータ、デフォッガ、シートヒータ、イグニッションコイル、カーオーディオ、および、カーナビゲーション等によって構成され、二次電池14からの電力によって動作する。   The engine 17 is constituted by, for example, a reciprocating engine such as a gasoline engine and a diesel engine, a rotary engine, or the like, and is started by a starter motor 18 to drive driving wheels through a transmission to provide propulsive force to the vehicle. To generate electric power. The starter motor 18 is constituted by, for example, a DC motor, generates a rotational force by the electric power supplied from the secondary battery 14, and starts the engine 17. The load 19 is constituted by, for example, an electric steering motor, a defogger, a seat heater, an ignition coil, a car audio, a car navigation, and the like, and operates with electric power from the secondary battery 14.

図2は、図1に示す制御部10の詳細な構成例を示す図である。この図に示すように、制御部10は、CPU(Central Processing Unit)10a、ROM(Read Only Memory)10b、RAM(Random Access Memory)10c、通信部10d、I/F(Interface)10eを有している。ここで、CPU10aは、ROM10bに格納されているプログラム10baに基づいて各部を制御する。ROM10bは、半導体メモリ等によって構成され、プログラム10ba等を格納している。RAM10cは、半導体メモリ等によって構成され、プログラム10baを実行する際に生成されるデータや、後述する数式またはテーブル等のパラメータ10caを格納する。通信部10dは、上位の装置であるECU(Electronic Control Unit)等との間で通信を行い、検出した情報または制御情報を上位装置に通知する。I/F10eは、電圧センサ11、電流センサ12、および、温度センサ13から供給される信号をデジタル信号に変換して取り込むとともに、放電回路15、オルタネータ16、および、スタータモータ18等に駆動電流を供給してこれらを制御する。   FIG. 2 is a diagram illustrating a detailed configuration example of the control unit 10 illustrated in FIG. 1. As shown in this figure, the control unit 10 includes a CPU (Central Processing Unit) 10a, a ROM (Read Only Memory) 10b, a RAM (Random Access Memory) 10c, a communication unit 10d, and an I / F (Interface) 10e. ing. Here, the CPU 10a controls each unit based on the program 10ba stored in the ROM 10b. The ROM 10b is configured by a semiconductor memory or the like, and stores a program 10ba or the like. The RAM 10c is configured by a semiconductor memory or the like, and stores data generated when the program 10ba is executed, and parameters 10ca such as mathematical formulas or tables described later. The communication unit 10d communicates with an upper device such as an ECU (Electronic Control Unit) and notifies the detected information or control information to the upper device. The I / F 10e converts the signals supplied from the voltage sensor 11, the current sensor 12, and the temperature sensor 13 into digital signals and takes them in, and supplies drive current to the discharge circuit 15, the alternator 16, the starter motor 18, and the like. Supply them to control them.

(B)本発明の実施形態の動作の説明
つぎに、本発明の実施形態の動作について説明する。なお、以下では、本発明の実施形態の動作原理について説明した後、詳細な動作について説明する。
(B) Description of Operation of the Embodiment of the Present Invention Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described. In the following, after describing the operation principle of the embodiment of the present invention, the detailed operation will be described.

まず、本発明の実施形態の動作原理について説明する。本発明の実施形態では、二次電池14の液温をTemp、充電率をSOC、開回路電圧をOCVとする。そして、種類の異なる二次電池でも同様な傾向を示す等価回路モデル(予め取得した等価回路モデル)を構成する素子の液温、SOC、OCVのそれぞれに関する依存性補正曲面(または依存性補正曲線)を、二次電池14を使用している場合(制御部10が二次電池14の状態(液温、SOC、OCV等)を把握している場合)に、それぞれの二次電池の特性に合うように補正(学習)する。より詳細には、その時点の液温、SOC、OCVにおける依存性補正曲面の接面(または依存性補正曲線の接線)の傾斜の大きさと、液温、SOC、OCVのそれぞれに関する推定誤差とに基づいて、液温、SOC、OCVのそれぞれの依存性補正曲面(または依存性補正曲線)への影響の大きさを考慮しつつ、液温、SOC、OCVのそれぞれに関する依存性補正曲面(または依存性補正曲線)を補正する。このような動作により、二次電池14の種類または個体差によらず、正確な状態を検出することができる。   First, the operation principle of the embodiment of the present invention will be described. In the embodiment of the present invention, the liquid temperature of the secondary battery 14 is Temp, the charging rate is SOC, and the open circuit voltage is OCV. Then, dependency correction curved surfaces (or dependency correction curves) relating to the liquid temperature, SOC, and OCV of the elements constituting the equivalent circuit model (equivalent circuit model acquired in advance) showing the same tendency even in different types of secondary batteries. When the secondary battery 14 is used (when the control unit 10 knows the state of the secondary battery 14 (liquid temperature, SOC, OCV, etc.)), it matches the characteristics of each secondary battery. Correct (learn) as follows. More specifically, the liquid temperature at that time, the magnitude of the slope of the tangent surface of the dependency correction curved surface (or the tangent line of the dependency correction curve) in the SOC and OCV, and the estimated error relating to each of the liquid temperature, SOC, and OCV. Based on this, the dependency correction curved surface (or dependency) for each of the liquid temperature, SOC, and OCV is taken into consideration while considering the magnitude of the influence on the dependency correction curved surface (or dependency correction curve) of the liquid temperature, SOC, and OCV. Correction curve). By such an operation, an accurate state can be detected regardless of the type or individual difference of the secondary battery 14.

図3(A)は、本発明の実施形態において使用する二次電池14の等価回路モデルの一例である。この図3(A)の例では、等価回路モデルは、導体抵抗および液抵抗(以下、「導体・液抵抗」と称する)であるR_ohm、反応抵抗Rct1、および、電気二重層容量C1を有している。なお、図3(A)の例では、反応抵抗Rct1と電気二重層容量C1は並列接続され、並列接続された反応抵抗Rct1と電気二重層容量C1に対して、導体・液抵抗R_ohmが直列接続されている。   FIG. 3A is an example of an equivalent circuit model of the secondary battery 14 used in the embodiment of the present invention. In the example of FIG. 3A, the equivalent circuit model has conductor resistance and liquid resistance (hereinafter referred to as “conductor / liquid resistance”) R_ohm, reaction resistance Rct1, and electric double layer capacitance C1. ing. In the example of FIG. 3A, the reaction resistance Rct1 and the electric double layer capacitance C1 are connected in parallel, and the conductor / liquid resistance R_ohm is connected in series to the reaction resistance Rct1 and electric double layer capacitance C1 connected in parallel. Has been.

まず、本実施形態では、規定SOC(例えば、100%)、規定液温(例えば、25℃)、および、規定OCV(例えば、12.0V)を二次電池14の基準状態とする。ここで、SOC、OCV、および、液温を、基準状態を示す状態値と称する。なお、例示した基準状態の値は一例であって、これ以外の値を用いてもよいことは言うまでもない。そして、等価回路モデルを構成する導体・液抵抗であるR_ohmの基準状態への補正係数をCr_Rohmとし、反応抵抗であるRct1の基準状態への補正係数をCr_Rct1とし、電気二重層容量であるC1の基準状態への補正係数をCr_C1とする。そして、これらの補正係数Cr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1を求めるための計算式を以下のように定義し、これらの計算式を実測によって事前に求める。   First, in the present embodiment, the specified SOC (for example, 100%), the specified liquid temperature (for example, 25 ° C.), and the specified OCV (for example, 12.0 V) are set as the reference state of the secondary battery 14. Here, SOC, OCV, and liquid temperature are referred to as state values indicating the reference state. Needless to say, the value of the exemplified reference state is an example, and other values may be used. Then, the correction coefficient to the reference state of R_ohm which is the conductor / liquid resistance constituting the equivalent circuit model is Cr_Rohm, the correction coefficient to the reference state of Rct1 which is the reaction resistance is Cr_Rct1, and the electric double layer capacitance of C1 The correction coefficient for the reference state is Cr_C1. Then, calculation formulas for obtaining these correction coefficients Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 are defined as follows, and these calculation formulas are obtained in advance by actual measurement.

Cr_Rohm = f(SOC,Temp,OCV) ・・・(1)
Cr_Rct1 = g(SOC,Temp,OCV) ・・・(2)
Cr_C1 = h(SOC,Temp,OCV) ・・・(3)
Cr_Rohm = f (SOC, Temp, OCV) (1)
Cr_Rct1 = g (SOC, Temp, OCV) (2)
Cr_C1 = h (SOC, Temp, OCV) (3)

このようにして実測によって求めた式(1)〜式(3)は、図2に示すRAM10cにパラメータ10caとして格納する。なお、RAM10cに式(1)〜式(3)を格納する作業は、車両の組み立て時、または、制御部10の組み立て時に行われる。その際、式(1)〜式(3)は、車両に搭載される二次電池14の種類に対応した式を選択して格納するようにすればよい。   The expressions (1) to (3) thus obtained by actual measurement are stored as parameters 10ca in the RAM 10c shown in FIG. The operation of storing the expressions (1) to (3) in the RAM 10c is performed when the vehicle is assembled or when the control unit 10 is assembled. In that case, as for the formulas (1) to (3), a formula corresponding to the type of the secondary battery 14 mounted on the vehicle may be selected and stored.

式(1)〜式(3)が格納された車両が、ユーザの元に届けられ、ユーザが車両の使用を開始すると、二次電池14の状態が不安定な充放電直後を除いたタイミング(例えば、車両が停車されてから所定の時間が経過したタイミング)に以下のような処理が実行される。   When the vehicle in which the expressions (1) to (3) are stored is delivered to the user and the user starts using the vehicle, the timing (except immediately after charging / discharging in which the state of the secondary battery 14 is unstable ( For example, the following processing is executed at a timing when a predetermined time has elapsed since the vehicle stopped.

すなわち、制御部10のCPU10aは、二次電池14の液温、SOC、および、OCVを推定する処理を実行する。より詳細には、CPU10aは、温度センサ13の出力を参照することで二次電池14の液温Tempを推定する。また、CPU10aは、二次電池14が安定した状態になった場合の端子電圧を電圧センサ11で検出してOCVを推定する。さらに、CPU10aは、OCVとSOCの関係式に対して、先に推定したOCVを適用することでSOCを推定する。なお、放電回路15を制御して二次電池14をパルス放電させ、そのときの電圧および電流を電圧センサ11および電流センサ12で検出することで二次電池14の内部インピーダンスを測定し、内部インピーダンスに基づいてSOCを検出するようにしてもよい。   That is, the CPU 10a of the control unit 10 performs a process of estimating the liquid temperature, SOC, and OCV of the secondary battery 14. More specifically, the CPU 10 a estimates the liquid temperature Temp of the secondary battery 14 by referring to the output of the temperature sensor 13. Moreover, CPU10a detects the terminal voltage when the secondary battery 14 will be in the stable state by the voltage sensor 11, and estimates OCV. Furthermore, the CPU 10a estimates the SOC by applying the previously estimated OCV to the relational expression between the OCV and the SOC. The secondary battery 14 is pulse-discharged by controlling the discharge circuit 15, and the internal impedance of the secondary battery 14 is measured by detecting the voltage and current at that time with the voltage sensor 11 and the current sensor 12. The SOC may be detected based on the above.

つぎに、CPU10aは、その時点における図3(A)の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する。なお、この処理の詳細については、図8を参照して後述する。   Next, the CPU 10a calculates the element values of the elements constituting the equivalent circuit model of FIG. Details of this process will be described later with reference to FIG.

つぎに、CPU10aは、先に求めた液温、SOC、OCVの推定結果に対応する、液温、SOC、OCVのそれぞれの推定誤差見込み値を、例えば、RAM10cのパラメータ10caから取得する。より詳細には、液温を推定する場合、その液温に応じた誤差が生じる。例えば、液温が20℃の場合には3℃程度の誤差が生じ、液温が30℃の場合には5℃程度の誤差が生じるような場合がある。同様にして、SOCおよびOCVの場合もその値に応じた誤差が生じる。このような推定誤差見込み値は、液温、SOC、OCVのそれぞれの値と対応付けたテーブルとしてRAM10cのパラメータ10caに格納されている。   Next, the CPU 10a obtains estimated liquid crystal temperature, SOC, and OCV estimated error values corresponding to the previously obtained liquid temperature, SOC, and OCV estimation results from the parameter 10ca of the RAM 10c, for example. More specifically, when the liquid temperature is estimated, an error corresponding to the liquid temperature occurs. For example, an error of about 3 ° C. may occur when the liquid temperature is 20 ° C., and an error of about 5 ° C. may occur when the liquid temperature is 30 ° C. Similarly, in the case of SOC and OCV, an error corresponding to the value occurs. The estimated estimated error value is stored in the parameter 10ca of the RAM 10c as a table associated with the liquid temperature, SOC, and OCV values.

つづいて、CPU10aは、その時点の液温、SOC、OCVにおける式(1)〜式(3)の傾きを算出する。具体的には、式(1)に関しては、以下の式(4)〜式(6)によって傾きを求める。なお、∂は偏微分記号である。   Subsequently, the CPU 10a calculates the slopes of the equations (1) to (3) in the liquid temperature, the SOC, and the OCV at that time. Specifically, regarding the formula (1), the inclination is obtained by the following formulas (4) to (6). Note that ∂ is a partial differential symbol.

∂f/∂Temp={f(SOC,Temp+dTemp,OCV)−f(SOC,Temp,OCV)}/dTemp ・・・(4)   ∂f / ∂Temp = {f (SOC, Temp + dTemp, OCV) −f (SOC, Temp, OCV)} / dTemp (4)

∂f/∂SOC={f(SOC+dSOC,Temp,OCV)−f(SOC,Temp,OCV)}/dSOC ・・・(5)   ∂f / ∂SOC = {f (SOC + dSOC, Temp, OCV) −f (SOC, Temp, OCV)} / dSOC (5)

∂f/∂OCV={f(SOC,Temp,OCV+dOCV)−f(SOC,Temp,OCV)}/dOCV ・・・(6)   ∂f / ∂OCV = {f (SOC, Temp, OCV + dOCV) −f (SOC, Temp, OCV)} / dOCV (6)

また、式(2)に関しては、以下の式(7)〜式(9)によって傾きを求める。   For equation (2), the slope is determined by the following equations (7) to (9).

∂g/∂Temp={g(SOC,Temp+dTemp,OCV)−g(SOC,Temp,OCV)}/dTemp ・・・(7)   ∂g / ∂Temp = {g (SOC, Temp + dTemp, OCV) −g (SOC, Temp, OCV)} / dTemp (7)

∂g/∂SOC={g(SOC+dSOC,Temp,OCV)−g(SOC,Temp,OCV)}/dSOC ・・・(8)   ∂g / ∂SOC = {g (SOC + dSOC, Temp, OCV) −g (SOC, Temp, OCV)} / dSOC (8)

∂g/∂OCV={g(SOC,Temp,OCV+dOCV)−g(SOC,Temp,OCV)}/dOCV ・・・(9)   ∂g / ∂OCV = {g (SOC, Temp, OCV + dOCV) −g (SOC, Temp, OCV)} / dOCV (9)

また、式(3)に関しては、以下の式(10)〜式(12)によって傾きを求める。   In addition, regarding the expression (3), the inclination is obtained by the following expressions (10) to (12).

∂h/∂Temp={h(SOC,Temp+dTemp,OCV)−h(SOC,Temp,OCV)}/dTemp ・・・(10)   ∂h / ∂Temp = {h (SOC, Temp + dTemp, OCV) −h (SOC, Temp, OCV)} / dTemp (10)

∂h/∂SOC={h(SOC+dSOC,Temp,OCV)−h(SOC,Temp,OCV)}/dSOC ・・・(11)   ∂h / ∂SOC = {h (SOC + dSOC, Temp, OCV) −h (SOC, Temp, OCV)} / dSOC (11)

∂h/∂OCV={h(SOC,Temp,OCV+dOCV)−h(SOC,Temp,OCV)}/dOCV ・・・(12)   ∂h / ∂OCV = {h (SOC, Temp, OCV + dOCV) −h (SOC, Temp, OCV)} / dOCV (12)

図4は、式(4)に対応する、Cr_Rohmの液温およびSOCに対する依存性を示すグラフである。この図4において、横軸は液温を示し、縦軸はCr_Rohmの値を示している。また、それぞれの曲線は、SOCが異なる場合の液温とCr_Rohmの関係を示している。この図4において、例えば、SOCが100%であり、液温が10℃である場合の∂f/∂Tempは、破線の直線のようになる。   FIG. 4 is a graph showing the dependence of Cr_Rohm on the liquid temperature and SOC, corresponding to equation (4). In FIG. 4, the horizontal axis indicates the liquid temperature, and the vertical axis indicates the value of Cr_Rohm. Moreover, each curve has shown the relationship between the liquid temperature in case SOC differs, and Cr_Rohm. In FIG. 4, for example, ∂f / ∂Temp when the SOC is 100% and the liquid temperature is 10 ° C. is as shown by a broken line.

図5は、式(8)に対応する、Cr_Rct1の液温およびSOCに対する依存性を示すグラフである。この図5において、横軸はSOCを示し、縦軸はCr_Rct1の値を示している。また、それぞれの曲線は、液温が異なる場合のSOCとCr_Rct1の関係を示している。この図5において、例えば、液温が0℃であり、SOCが40%である場合の∂g/∂SOCは、破線の直線のようになる。   FIG. 5 is a graph showing the dependence of Cr_Rct1 on the liquid temperature and SOC corresponding to equation (8). In FIG. 5, the horizontal axis indicates the SOC, and the vertical axis indicates the value of Cr_Rct1. Moreover, each curve has shown the relationship between SOC and Cr_Rct1 in case liquid temperature differs. In FIG. 5, for example, when the liquid temperature is 0 ° C. and the SOC is 40%, SOg / ∂SOC is as shown by a broken line.

図6は、式(12)に対応する、Cr_C1の液温およびOCVに対する依存性を示すグラフである。この図6において、横軸はOCVを示し、縦軸はCr_C1の値を示している。また、それぞれの曲線は、液温が異なる場合のOCVとCr_C1の関係を示している。この図6において、例えば、液温が50℃であり、OCVが12.4である場合の∂h/∂OCVは、破線の直線のようになる。   FIG. 6 is a graph showing the dependence of Cr_C1 on the liquid temperature and OCV corresponding to Expression (12). In FIG. 6, the horizontal axis indicates OCV, and the vertical axis indicates the value of Cr_C1. Moreover, each curve has shown the relationship between OCV and Cr_C1 in case liquid temperature differs. In FIG. 6, for example, when the liquid temperature is 50 ° C. and the OCV is 12.4, ∂h / ∂OCV is as shown by a broken line.

なお、式(1)に関しては、式(4)〜式(6)によって、例えば、∂f/∂Temp=0.03、∂f/∂SOC=0.01、∂f/∂OCV=0.005のような値を得る。   Note that with respect to the equation (1), according to the equations (4) to (6), for example, ∂f / ∂Temp = 0.03, ∂f / ∂SOC = 0.01, ∂f / ∂OCV = 0. A value like 005 is obtained.

つぎに、CPU10aは、先に求めた液温、SOC、OCVにおける、式(1)〜式(3)の補正誤差見込み値を、例えば、RAM10cのパラメータ10caから取得する。より詳細には、例えば、f(SOC,Temp,OCV)によってCr_Rohmを求める場合、SOC,Temp,OCVの値によってCr_Rohmが有する誤差が異なる。同様にして、g(SOC,Temp,OCV)およびh(SOC,Temp,OCV)によってCr_Rct1およびCr_C1を求める際にもSOC,Temp,OCVの値によってCr_RohmおよびCr_C1が有する誤差が異なる。そこで、SOC,Temp,OCVの値によるCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1の補正誤差見込み値をテーブルとしてRAM10cのパラメータ10caに格納しておき、そのときのSOC,Temp,OCVの値に対応する補正誤差見込み値をテーブルから取得することができる。例えば、その時点におけるSOC,Temp,OCVに対応するCr_Rohmの補正誤差見込み値として10%を得る。   Next, CPU10a acquires the correction | amendment error estimated value of Formula (1)-Formula (3) in liquid temperature, SOC, and OCV calculated | required previously from the parameter 10ca of RAM10c, for example. More specifically, for example, when obtaining Cr_Rohm by f (SOC, Temp, OCV), the error of Cr_Rohm varies depending on the values of SOC, Temp, OCV. Similarly, when obtaining Cr_Rct1 and Cr_C1 by g (SOC, Temp, OCV) and h (SOC, Temp, OCV), the errors of Cr_Rohm and Cr_C1 differ depending on the values of SOC, Temp, and OCV. Therefore, the expected correction error values of Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 based on the values of SOC, Temp, and OCV are stored as a table in the parameter 10ca of the RAM 10c, and the correction errors corresponding to the SOC, Temp, and OCV values at that time are stored. Expected values can be obtained from a table. For example, 10% is obtained as the expected correction error value of Cr_Rohm corresponding to SOC, Temp, and OCV at that time.

つぎに、CPU10aは、式(1)〜式(3)のそれぞれについて、温度依存性の学習誤差見込み値、SOC依存性の学習誤差見込み値、および、OCV依存性の学習誤差見込み値を算出する。例えば、式(1)については、以下の式(13)〜式(15)に基づいて、温度依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_Temp、SOC依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_SOC、および、OCV依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_OCVを算出する。   Next, the CPU 10a calculates a temperature-dependent learning error estimated value, an SOC-dependent learning error estimated value, and an OCV-dependent learning error estimated value for each of the equations (1) to (3). . For example, for the equation (1), based on the following equations (13) to (15), the temperature-dependent learning error expected value E_Rohm_Temp, the SOC-dependent learning error estimated value E_Rohm_SOC, and the OCV-dependent A predicted learning error value E_Rohm_OCV is calculated.

E_Rohm_Temp=∂f/∂Temp×Temp推定誤差見込み値×Cr_Rohmの補正誤差見込み値・・・(13)   E_Rohm_Temp = ∂f / ∂Temp × Temp Estimated Error Expected Value × Cr_Rohm Corrected Error Expected Value (13)

E_Rohm_SOC=∂f/∂SOC×SOC推定誤差見込み値×Cr_Rohmの補正誤差見込み値・・・(14)   E_Rohm_SOC = ∂f / ∂SOC × SOC estimated error expected value × Cr_Rohm expected correction error value (14)

E_Rohm_OCV=∂f/∂OCV×OCV推定誤差見込み値×Cr_Rohmの補正誤差見込み値・・・(15)   E_Rohm_OCV = ∂f / ∂OCV × OCV estimated error expected value × Cr_Rohm expected correction error value (15)

なお、式(2)についても以下の式(16)〜式(18)に基づいて、温度依存性の学習誤差見込み値E_Rct1_Temp、SOC依存性の学習誤差見込み値E_Rct1_SOC、および、OCV依存性の学習誤差見込み値E_Rct1_OCVを算出する。   Note that also for the expression (2), based on the following expressions (16) to (18), the temperature-dependent learning error estimated value E_Rct1_Temp, the SOC-dependent learning error estimated value E_Rct1_SOC, and the OCV-dependent learning The estimated error value E_Rct1_OCV is calculated.

E_Rct1_Temp=∂g/∂Temp×Temp推定誤差見込み値×Cr_Rct1の補正誤差見込み値・・・(16)   E_Rct1_Temp = ∂g / ∂Temp × Temp estimated error expected value × Cr_Rct1 expected correction error value (16)

E_Rct1_SOC=∂g/∂SOC×SOC推定誤差見込み値×Cr_Rct1の補正誤差見込み値・・・(17)   E_Rct1_SOC = ∂g / ∂SOC × SOC estimated error expected value × Cr_Rct1 expected correction error value (17)

E_Rct1_OCV=∂g/∂OCV×OCV推定誤差見込み値×Cr_Rct1の補正誤差見込み値・・・(18)   E_Rct1_OCV = ∂g / ∂OCV × OCV estimated error expected value × Cr_Rct1 expected correction error value (18)

さらに、式(3)についても以下の式(19)〜式(21)に基づいて、温度依存性の学習誤差見込み値E_C1_Temp、SOC依存性の学習誤差見込み値E_C1_SOC、および、OCV依存性の学習誤差見込み値E_C1_OCVを算出する。   Further, with regard to the expression (3), based on the following expressions (19) to (21), the temperature-dependent learning error estimated value E_C1_Temp, the SOC-dependent learning error estimated value E_C1_SOC, and the OCV-dependent learning The estimated error value E_C1_OCV is calculated.

E_C1_Temp=∂h/∂Temp×Temp推定誤差見込み値×Cr_C1の補正誤差見込み値・・・(19)   E_C1_Temp = ∂h / ∂Temp × Temp estimated error value × Cr_C1 expected correction error value (19)

E_C1_SOC=∂h/∂SOC×SOC推定誤差見込み値×Cr_C1の補正誤差見込み値・・・(20)   E_C1_SOC = ∂h / ∂SOC × SOC estimated error expected value × Cr_C1 expected correction error value (20)

E_C1_OCV=∂h/∂OCV×OCV推定誤差見込み値×Cr_C1の補正誤差見込み値・・・(21)   E_C1_OCV = ∂h / ∂OCV × OCV estimated error expected value × Cr_C1 expected correction error value (21)

そして、CPU10aは、以上の式(13)〜式(21)によって求めた9種類の学習誤差見込み値が所定の閾値を全て下回っている場合には、そのときのRohm、Rct1、および、C1の測定値と、基準状態におけるRohm、Rct1、および、C1であるRohm_0、Rct1_0、および、C1_0に基づいて、Cr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1を以下の式(22)〜式(24)によって計算する。   Then, when the nine kinds of estimated learning error values obtained by the above formulas (13) to (21) are all below a predetermined threshold value, the CPU 10a determines the Rohm, Rct1, and C1 at that time. Based on the measured values and Rohm_0, Rct1_0, and C1_0 that are Rohm, Rct1, and C1 in the reference state, Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 are calculated by the following formulas (22) to (24).

Cr_Rohm=Rohm_0/Rohm ・・・(22)
Cr_Rct1=Rct1_0/Rct1 ・・・(23)
Cr_C1 =C1_0/C1 ・・・(24)
Cr_Rohm = Rohm_0 / Rohm (22)
Cr_Rct1 = Rct1_0 / Rct1 (23)
Cr_C1 = C1_0 / C1 (24)

そして、CPU10aは、算出したCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1ならびにそのときのSOC、Temp、および、OCVを対応付けしてRAM10cにパラメータ10caとして格納する。   Then, the CPU 10a associates the calculated Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 and the SOC, Temp, and OCV at that time and stores them in the RAM 10c as the parameter 10ca.

以上のような処理を繰り返し、所定の数のCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1がRAM10cに格納された場合には、これらの値に基づいて、式(1)〜式(3)が有する係数を最適化する処理を実行する。   When the above-described processing is repeated and a predetermined number of Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 are stored in the RAM 10c, the coefficients of the expressions (1) to (3) are optimized based on these values. Execute the process to convert.

以上の処理によれば、等価回路モデルを構成する素子の素子値を基準状態に補正する補正式を、使用されている二次電池14に応じて最適化することができる。このため、二次電池14として、メーカ指定とは異なる種類の二次電池を搭載した場合や、二次電池14の個体差がある場合や、二次電池14が劣化して特性が新品時から変化場合でも、等価回路モデルを構成する素子の素子値を正確に算出することができる。   According to the above processing, the correction formula for correcting the element values of the elements constituting the equivalent circuit model to the reference state can be optimized according to the secondary battery 14 being used. For this reason, when a secondary battery of a type different from that specified by the manufacturer is mounted as the secondary battery 14, there is an individual difference of the secondary battery 14, or the secondary battery 14 deteriorates and the characteristics are new. Even in the case of a change, the element values of the elements constituting the equivalent circuit model can be accurately calculated.

つぎに、図7を参照して、図1に示す制御部10において実行される処理について説明する。図7に示すフローチャートの処理は、例えば、二次電池14の充放電が終了してから所定の時間が経過した場合(例えば、二次電池14が搭載された車両が停車されて一定時間が経過した場合)であって、二次電池14の分極が略解消されたとき(例えば、分極によって生じる電圧が所定の閾値未満になったとき)に実行される。図7のフローチャートの処理が開始されると、以下のステップが実行される。   Next, processing executed in the control unit 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. The processing of the flowchart shown in FIG. 7 is performed when, for example, a predetermined time has elapsed since the charging / discharging of the secondary battery 14 has ended (for example, a certain time has elapsed since the vehicle on which the secondary battery 14 is mounted is stopped). And when the polarization of the secondary battery 14 is substantially eliminated (for example, when the voltage generated by the polarization becomes less than a predetermined threshold). When the processing of the flowchart of FIG. 7 is started, the following steps are executed.

ステップS10では、制御部10のCPU10aは、二次電池14の液温、SOC、および、OCVを推定する。より詳細には、CPU10aは、温度センサ13の出力を参照することで液温を推定し、二次電池14の端子電圧を電圧センサ11で検出してOCVを推定する。また、CPU10aは、OCVとSOCの関係式に対して、先に推定したOCVを適用することでSOCを推定する。なお、前述したように、放電回路15を制御して二次電池14をパルス放電させ、そのときの電圧および電流を電圧センサ11および電流センサ12で検出することで二次電池14の内部インピーダンスを測定し、内部インピーダンスに基づいてSOCを推定するようにしてもよい。   In step S10, the CPU 10a of the control unit 10 estimates the liquid temperature, SOC, and OCV of the secondary battery 14. More specifically, the CPU 10a estimates the liquid temperature by referring to the output of the temperature sensor 13, detects the terminal voltage of the secondary battery 14 by the voltage sensor 11, and estimates the OCV. Moreover, CPU10a estimates SOC by applying OCV estimated previously with respect to the relational expression of OCV and SOC. In addition, as described above, the discharge circuit 15 is controlled to cause the secondary battery 14 to pulse discharge, and the voltage and current at that time are detected by the voltage sensor 11 and the current sensor 12, whereby the internal impedance of the secondary battery 14 is determined. The SOC may be estimated based on the internal impedance.

ステップS11では、CPU10aは、その時点における二次電池14の図3(A)に示す等価回路モデルの素子値を学習する。なお、この処理の詳細については、図8を参照して後述する。   In step S11, the CPU 10a learns the element values of the equivalent circuit model shown in FIG. 3A of the secondary battery 14 at that time. Details of this process will be described later with reference to FIG.

ステップS12では、CPU10aは、液温、SOC、および、OCVの推定誤差見込み値を求出する。より詳細には、CPU10aは、例えば、RAM10cにパラメータ10caとして格納されている、その時点の液温、SOC、および、OCVに対応する推定誤差見込み値を取得する。   In step S12, the CPU 10a calculates estimated liquid error, SOC, and OCV estimated error values. More specifically, for example, the CPU 10a acquires an estimated error expected value corresponding to the liquid temperature, the SOC, and the OCV at that time, which is stored in the RAM 10c as the parameter 10ca.

ステップS13では、CPU10aは、液温、SOC、および、OCVのそれぞれに関する依存性補正式(または補正曲面)の傾きを算出する。より詳細には、前述した式(4)〜式(12)に基づいて依存性補正式(または補正曲面)の傾きを算出する。   In step S13, the CPU 10a calculates the inclination of the dependency correction formula (or correction curved surface) for each of the liquid temperature, the SOC, and the OCV. More specifically, the inclination of the dependency correction formula (or correction curved surface) is calculated based on the above-described formulas (4) to (12).

ステップS14では、CPU10aは、そのときのSOC、Temp、OCVの値に対応する補正誤差見込み値をRAM10cのパラメータ10caから取得する。より詳細には、CPU10aは、RAM10cにパラメータ10caとして予め格納されているSOC、Temp、OCVの値によるCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1の補正誤差見込み値を取得する。   In step S14, the CPU 10a acquires a predicted correction error value corresponding to the SOC, Temp, and OCV values at that time from the parameter 10ca of the RAM 10c. More specifically, the CPU 10a acquires the expected correction error values of Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 based on the SOC, Temp, and OCV values stored in advance in the RAM 10c as the parameters 10ca.

ステップS15では、CPU10aは、前述した式(13)〜式(21)に基づいて、温度依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_Temp,E_Rct1_Temp,E_C1_Temp、SOC依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_SOC,E_Rct1_SOC,E_C1_SOC、および、OCV依存性の学習誤差見込み値E_Rohm_OCV,E_Rct1_OCV,E_C1_OCVを算出する。   In step S15, the CPU 10a, based on the above-described equations (13) to (21), predicts the temperature-dependent learning error value E_Rohm_Temp, E_Rct1_Temp, E_C1_Temp, and the SOC-dependent learning error probability value E_Rohm_SOC, E_Rct1_SOC, E_C1, E_C1 Then, OCV-dependent learning error estimated values E_Rohm_OCV, E_Rct1_OCV, and E_C1_OCV are calculated.

ステップS16では、CPU10aは、式(13)〜式(21)によって求めた9種類の学習誤差見込み値が全て所定の閾値を全て下回っているか否かを判定し、全て所定の閾値を下回っていると判定した場合(ステップS16:Y)にはステップS17に進み、それ以外の場合(ステップS16:N)には処理を終了する。   In step S <b> 16, the CPU 10 a determines whether all nine types of estimated learning error values obtained by the equations (13) to (21) are all below a predetermined threshold, and all are below the predetermined threshold. Is determined (step S16: Y), the process proceeds to step S17. Otherwise (step S16: N), the process ends.

ステップS17では、CPU10aは、そのときのRohm、Rct1、および、C1の測定値と、基準状態におけるRohm、Rct1、および、C1であるRohm_0、Rct1_0、および、C1_0に基づいて、Cr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1を前述した式(22)〜式(24)によって計算し、得られたCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1ならびにそのときのSOC、Temp、および、OCVを対応付けてRAM10cにパラメータ10caとして格納する。   In step S17, the CPU 10a determines Cr_Rohm, Cr_Rct1, and R1 based on the measured values of Rohm, Rct1, and C1, and Rohm_0, Rct1_0, and C1_0 that are Rohm, Rct1, and C1 in the reference state. , Cr_C1 is calculated according to the above-described equations (22) to (24), and the obtained Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 and the SOC, Temp, and OCV at that time are associated with each other and stored in the RAM 10c as the parameter 10ca. .

ステップS18では、CPU10aは、所定の個数のCr_Rohm、Cr_Rct1、および、Cr_C1がRAM10cに格納された場合には、これらの値に基づいて、前述した式(1)〜式(3)が有する係数を最適化する処理を実行する。   In step S18, when a predetermined number of Cr_Rohm, Cr_Rct1, and Cr_C1 are stored in the RAM 10c, the CPU 10a uses the values of the above-described equations (1) to (3) based on these values. Execute the process to be optimized.

つぎに、図8を参照して、図3(A)に示す等価回路モデルの学習処理について説明する図である。図8の処理が開始されると以下のステップが実行される。   Next, with reference to FIG. 8, it is a figure explaining the learning process of the equivalent circuit model shown to FIG. 3 (A). When the process of FIG. 8 is started, the following steps are executed.

ステップS50では、制御部10のCPU10aは、時間を示す変数Tに、前回値Tn−1にΔTを加算した値を代入する。なお、ΔTとしては、例えば、数msec〜数百msecを用いることができる。 In step S50, the CPU 10a of the control unit 10 substitutes a value obtained by adding ΔT to the previous value T n−1 to a variable T n indicating time. As ΔT, for example, several msec to several hundred msec can be used.

ステップS51では、CPU10aは、電圧センサ11、電流センサ12、および、温度センサ13からの検出信号に基づいて、電流I、電圧V、温度θを測定する。 In step S51, the CPU 10a measures the current I n , the voltage V n , and the temperature θ n based on the detection signals from the voltage sensor 11, the current sensor 12, and the temperature sensor 13.

ステップS52では、CPU10aは、ステップS51で測定した電圧Vを以下の式(25)に適用し、電圧降下ΔVを算出する。 In step S52, the CPU 10a calculates the voltage drop ΔV n by applying the voltage V n measured in step S51 to the following equation (25).

ΔV=V−OCV ・・・(25) ΔV n = V n −OCV (25)

ここで、OCVは、開回路電圧である。OCVを求める方法としては、例えば、二次電池14の起動直前に測定された端子電圧、または、二次電池14の充放電状態から推定した二次電池14の開回路電圧をOCVとすることができる。   Here, OCV is an open circuit voltage. As a method for obtaining the OCV, for example, the terminal voltage measured immediately before the secondary battery 14 is started or the open circuit voltage of the secondary battery 14 estimated from the charge / discharge state of the secondary battery 14 is defined as OCV. it can.

ステップS52では、CPU10aは、n回目の観測値と前回の状態ベクトル推定値とから、以下の式(26)に基づいてヤコビアンFの更新を行う。なお、diag()は対角行列を示す。 In step S52, CPU 10a from the n-th observed value and the previous state vector estimate to update the Jacobian F n based on the following equation (26). Note that diag () indicates a diagonal matrix.

=diag(1−ΔT/Rct1・C1,1,1,1,1) ・・・(26) F n = diag (1-ΔT / Rct1 n · C1 n , 1,1,1,1) (26)

ステップS54では、CPU10aは、ステップS52で計算によって得たΔVを以下の式(27)で示すように、拡張カルマンフィルタの実測観測値Yとする。 In step S54, the CPU 10a sets ΔV n obtained by calculation in step S52 as the observed observation value Y n of the extended Kalman filter, as shown by the following equation (27).

=ΔV ・・・(27) Y n = ΔV n (27)

ステップS55では、CPU10aは、以下の式(28)に基づいて、一期先の状態ベクトルXn+1を求める。 In step S55, the CPU 10a obtains a state vector Xn + 1 | n ahead of the time based on the following equation (28).

n+1=F・X+U ・・・(28) X n + 1 | n = F n · X n + U n ··· (28)

ここで、XおよびUは、以下の式(29)および式(30)で表される。なお、Tは転置行列を示す。 Here, Xn and Un are represented by the following formulas (29) and (30). T represents a transposed matrix.

=(ΔV2,Rct1,Rohm,C1,V0) ・・・(29) X n T = (ΔV2, Rct1, Rohm, C1, V0) (29)

=(Δt・I/C1,0,0,0,0) ・・・(30) U n T = (Δt · I n / C1, 0, 0, 0, 0) (30)

なお、H を以下の式(31)ように定めることで、観測方程式および予測観測値Yn+1を式(32)のように定めることができる。 Note that by defining H n T as in the following equation (31), the observation equation and the predicted observation value Y n + 1 | n can be defined as in equation (32).

=(1,I,0,0,0) ・・・(31) H n T = (1, I n , 0, 0, 0) (31)

=H ・X ・・・(32) Y n = H n T · X n (32)

ステップS56では、CPU10aは、状態ベクトルの一期先の予測値Xn+1と実測観測値Yn+1と予測観測値Yn+1に基づいて、カルマンゲイン計算とフィルタリング計算による拡張カルマンフィルタ演算により、最適な状態ベクトルXを逐次的に推定し、推定された状態ベクトルXから(等価回路モデルの)調整パラメータを最適なものに更新する。 In step S56, CPU 10a, the prediction value one period ahead of the state vector X n + 1 | n and the measured observations Y n + 1 and the predicted observation value Y n + 1 | based on n, the extended Kalman filter operation using a Kalman gain calculation and filtering calculation, The optimum state vector Xn is sequentially estimated, and the adjustment parameter (of the equivalent circuit model) is updated to the optimum one from the estimated state vector Xn .

以上の処理により、図3(A)に示す等価回路モデルを構成する素子の素子値を得ることができる。   Through the above processing, the element values of the elements constituting the equivalent circuit model shown in FIG. 3A can be obtained.

以上の図7および図8に示す処理によって得られた、補正された基準状態における等価回路モデルの素子値であるRohm_0、Rct1_0、および、C1_0を、以下の式(33)および式(34)に適用することで、二次電池14の状態としてのSOHまたはSOFを知ることができる。   Rohm_0, Rct1_0, and C1_0, which are the element values of the equivalent circuit model in the corrected reference state, obtained by the processing shown in FIGS. By applying, it is possible to know SOH or SOF as the state of the secondary battery 14.

SOH=F(Rohm_0,Rct1_0,C1_0) ・・・(33)   SOH = F (Rohm_0, Rct1_0, C1_0) (33)

SOF=G(Rohm_0,Rct1_0,C1_0) ・・・(34)   SOF = G (Rohm_0, Rct1_0, C1_0) (34)

(C)変形実施形態の説明
以上の実施形態は一例であって、本発明が上述したような場合のみに限定されるものでないことはいうまでもない。例えば、以上の実施形態では、等価回路モデルのRohm、Rct1、C1について式(1)〜式(3)を用いて、そのときのSOC、Temp、OCVに応じて補正を行うようにしたが、Rohm、Rct1、C1のいずれか1つ、または、これらのいずれか2つについて補正を行うようにしてもよい。また、式(1)〜式(3)では、SOC、Temp、OCVを変数としたが、これらのいずれか1つ、または、いずれか2つを変数として用いるようにしてもよい。あるいは、式(1)〜式(3)では、SOC、Temp、OCVを変数としたが、これ以外の変数、例えば、二次電池14の分極を変数として用いるようにしてもよい。
(C) Description of Modified Embodiment It goes without saying that the above embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to the case described above. For example, in the above embodiment, the equivalent circuit model Rohm, Rct1, and C1 are corrected according to the SOC, Temp, and OCV using the expressions (1) to (3). Any one of Rohm, Rct1, and C1, or any two of them may be corrected. Further, in the expressions (1) to (3), SOC, Temp, and OCV are variables, but any one or two of these may be used as variables. Alternatively, in the expressions (1) to (3), SOC, Temp, and OCV are variables, but other variables, for example, the polarization of the secondary battery 14 may be used as a variable.

また、以上の実施形態では、図3(A)に示す等価回路モデルを用いるようにしたが、例えば、図3(B)に示す等価回路モデルを用いるようにしてもよい。その場合には、式(1)〜式(3)に対して、Rct2、C2に対応する式が追加される。   In the above embodiment, the equivalent circuit model shown in FIG. 3A is used. However, for example, the equivalent circuit model shown in FIG. 3B may be used. In that case, equations corresponding to Rct2 and C2 are added to equations (1) to (3).

また、図7のステップS16では、全ての依存性補正曲面学習誤差見込み値が所定の閾値を下回る場合に、ステップS17に進むようにしたが、例えば、一部の依存性補正曲面学習誤差見込み値が所定の閾値を下回った場合にステップS17に進むようにしてもよい。あるいは、依存性補正曲面学習誤差見込み値によらず、全ての場合でステップS17に進むようにしてもよい。   Further, in step S16 of FIG. 7, when all the dependency correction curved surface learning error expected values are below a predetermined threshold value, the process proceeds to step S17. When the value falls below a predetermined threshold value, the process may proceed to step S17. Or you may make it progress to step S17 in all cases irrespective of the dependence correction | amendment curved surface learning error estimated value.

また、以上の実施形態では、依存性補正式の傾きと、推定誤差見込み値と、依存性補正誤差見込み値とを乗算して得られる値と依存性補正曲面の学習誤差見込み値としたが、例えば、依存性補正式の傾きと、推定誤差見込み値とを乗算した値を依存性補正曲面の学習誤差見込み値として、ステップS16の処理を実行するようにしてもよい。   Further, in the above embodiment, the value obtained by multiplying the slope of the dependency correction equation, the estimated error estimated value, and the estimated dependency correction error value and the learning error estimated value of the dependency correction curved surface, For example, the process of step S16 may be executed by using a value obtained by multiplying the inclination of the dependency correction formula by the estimated error estimated value as a learning error estimated value of the dependency corrected curved surface.

また、以上の実施形態では、図7に示す処理は、二次電池14の充放電が終了してから所定の時間が経過した場合に実行されるようにしたが、充放電中に実行するようにしたり、充放電が終了してから所定時間が経過する前に実行したりするようにしてもよい。   Further, in the above embodiment, the process shown in FIG. 7 is performed when a predetermined time has elapsed after the charge / discharge of the secondary battery 14 is completed, but is performed during the charge / discharge. Or may be executed before a predetermined time has elapsed since the end of charging and discharging.

また、以上の実施形態では、図8に示すフローチャートによって等価回路モデルの定数を計算するようにしたが、図8以外の処理によって等価回路モデルの定数を計算するようにしてもよい。   In the above embodiment, the constants of the equivalent circuit model are calculated according to the flowchart shown in FIG. 8, but the constants of the equivalent circuit model may be calculated by a process other than that in FIG.

1 二次電池状態検出装置
10 制御部(算出手段、推定手段、補正手段、調整手段)
10a CPU
10b ROM
10c RAM
10d 通信部
10e I/F
11 電圧センサ
12 電流センサ
13 温度センサ
14 二次電池
15 放電回路
16 オルタネータ
17 エンジン
18 スタータモータ
19 負荷
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Secondary battery state detection apparatus 10 Control part (Calculation means, estimation means, correction means, adjustment means)
10a CPU
10b ROM
10c RAM
10d Communication unit 10e I / F
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Voltage sensor 12 Current sensor 13 Temperature sensor 14 Secondary battery 15 Discharge circuit 16 Alternator 17 Engine 18 Starter motor 19 Load

Claims (7)

二次電池の状態を検出する二次電池状態検出装置において、
前記二次電池の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する算出手段と、
前記算出手段によって算出された前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が基準状態である場合の素子値に補正する補正手段と、
前記補正手段によって補正された前記基準状態における前記等価回路モデルの素子値に基づいて前記二次電池の状態を推定する推定手段と、
前記算出手段によって算出されたその時点の素子値と、前記基準状態を示す状態値とに基づいて前記補正手段を調整する調整手段と、
を有することを特徴とする二次電池状態検出装置。
In the secondary battery state detection device for detecting the state of the secondary battery,
Calculating means for calculating an element value of an element constituting the equivalent circuit model of the secondary battery;
Correction means for correcting the element value of the equivalent circuit model calculated by the calculation means to an element value when the secondary battery is in a reference state;
Estimating means for estimating a state of the secondary battery based on an element value of the equivalent circuit model in the reference state corrected by the correcting means;
Adjusting means for adjusting the correcting means based on the element value at that time calculated by the calculating means and a state value indicating the reference state;
A secondary battery state detection device comprising:
前記調整手段は、前記補正手段による補正の際に生じる誤差が所定の閾値未満であると推定された場合に前記補正手段を調整することを特徴とする請求項1に記載の二次電池状態検出装置。   2. The secondary battery state detection according to claim 1, wherein the adjustment unit adjusts the correction unit when it is estimated that an error occurring during correction by the correction unit is less than a predetermined threshold value. apparatus. 前記等価回路モデルを構成する素子としては、導体・液抵抗、反応抵抗、および、電気二重層容量の少なくとも1つを有し、
前記基準状態を示す状態値としては、液温、SOC、および、OCVの少なくとも1つを有する、
ことを特徴とする請求項2に記載の二次電池状態検出装置。
The element constituting the equivalent circuit model has at least one of conductor / liquid resistance, reaction resistance, and electric double layer capacitance,
The state value indicating the reference state has at least one of liquid temperature, SOC, and OCV.
The secondary battery state detection device according to claim 2.
前記補正手段は、前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が前記基準状態である場合の素子値に補正する補正式を有し、
前記調整手段は、前記補正式を所定の状態値で偏微分して得た傾きと、その時点における当該状態値の推定誤差とを乗算することで得られる値が所定の閾値未満である場合に、前記補正式が有する係数を調整することを特徴とする請求項3に記載の二次電池状態検出装置。
The correction means has a correction formula for correcting the element value of the equivalent circuit model to the element value when the secondary battery is in the reference state,
When the value obtained by multiplying the gradient obtained by partial differentiation of the correction equation with a predetermined state value by the estimated error of the state value at that time is less than a predetermined threshold The secondary battery state detection device according to claim 3, wherein a coefficient of the correction formula is adjusted.
前記補正手段は、前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が前記基準状態である場合の素子値に補正する補正式を有し、
前記調整手段は、その時点の状態における素子値から、前記基準状態における素子値に補正する場合の誤差見込み値と、前記補正式を所定の状態値で偏微分して得た傾きと、その時点における当該状態値の推定誤差の値と、を乗算して得た値が所定の閾値未満である場合には、前記補正式が有する係数を調整することを特徴とする請求項3に記載の二次電池状態検出装置。
The correction means has a correction formula for correcting the element value of the equivalent circuit model to the element value when the secondary battery is in the reference state,
The adjustment means includes an estimated error value when correcting the element value in the current state to the element value in the reference state, a slope obtained by partial differentiation of the correction formula with a predetermined state value, and the time point 4. The coefficient of the correction formula is adjusted when the value obtained by multiplying the estimated error value of the state value in FIG. 1 is less than a predetermined threshold value. Secondary battery state detection device.
前記調整手段は、前記二次電池の分極状態が略解消された場合に、前記補正手段を調整することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の二次電池状態検出装置。   6. The secondary battery state detection device according to claim 2, wherein the adjustment unit adjusts the correction unit when the polarization state of the secondary battery is substantially eliminated. . 二次電池の状態を検出する二次電池状態検出方法において、
前記二次電池の等価回路モデルを構成する素子の素子値を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにおいて算出された前記等価回路モデルの素子値を、前記二次電池が基準状態である場合の素子値に補正する補正ステップと、
前記補正ステップにおいて補正された前記基準状態における前記等価回路モデルの素子値に基づいて前記二次電池の状態を推定する推定ステップと、
前記算出ステップによって算出されたその時点の素子値と、前記基準状態を示す状態値とに基づいて前記補正ステップが有する係数を調整する調整ステップと、
を有することを特徴とする二次電池状態検出方法。
In the secondary battery state detection method for detecting the state of the secondary battery,
A calculation step of calculating an element value of an element constituting the equivalent circuit model of the secondary battery;
A correction step of correcting the element value of the equivalent circuit model calculated in the calculation step to an element value when the secondary battery is in a reference state;
An estimation step for estimating a state of the secondary battery based on an element value of the equivalent circuit model in the reference state corrected in the correction step;
An adjustment step of adjusting a coefficient of the correction step based on the current element value calculated by the calculation step and a state value indicating the reference state;
A secondary battery state detection method comprising:
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