JP2018198198A - 有機発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光表示装置を提供する。【解決手段】複数画素を含む有機発光表示装置において、各画素は、画素電極、有機発光層及び対向電極を具備する有機発光素子と、画素電極のエッジを覆い、画素電極の一部を露出させる開口部を有することで発光領域を定義する画素定義膜に、画素電極と、絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された基準配線と、を含み、該基準配線は、開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、この開口部は、第１方向と垂直である第２方向に沿って、画素電極の一側に偏って配置される。【選択図】図６

Description

本発明は、有機発光表示装置に関する。

有機発光表示装置は、２つの電極と、その間に位置する有機発光層を含み、１方の電極であるカソード（cathode）から注入された電子（electron）と、他方の電極であるアノード（anode）から注入された正孔（hole）とが、有機発光層で結合し、励起子（exciton）を形成し、該励起子がエネルギーを放出する際に発光する。

有機発光表示装置は、カソード、アノード及び有機発光層からなる有機発光素子（ＯＬＥＤ：organic light-emitting device）を含む複数個の画素を含み、各画素には、有機発光素子を駆動するための複数のトランジスタ及びキャパシタ（capacitor）が形成されている。該複数のトランジスタは、基本的に、スイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタを含む。このような有機発光表示装置は、迅速な応答速度を有すると共に、低い消費電力によって駆動されるという長所がある。

高解像度になるほど、有機発光素子、有機発光素子を駆動する複数のトランジスタ、キャパシタ、及びそれらに信号を伝達する配線を、互いに重なり合うように配置することとなり、それにより、多様な問題が発生しうる。

韓国特許公開第2016-0035680号公報

本発明の実施形態は、画素間の特性差を最小化させながら、側面カラーシフト現象（側方または斜め方向から見た場合のカラーシフト）を低減させ、優れた視認性を確保することができる有機発光表示装置を提供しようとするものである。

本発明が解決する課題は、以上に言及した課題に制限されるものではなく、言及されていない他の課題は、本発明の記載から、当分野で当業者に明確に理解されるであろう。

本発明の一実施形態は、複数の画素を含む有機発光表示装置において、各画素は、画素電極、有機発光層及び対向電極を具備する有機発光素子；前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の一部を露出させる開口部を有することで発光領域を画定する画素定義膜；及び前記画素電極に絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された基準配線；を含み、前記基準配線は、前記開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、前記開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記画素電極の一側に偏って（shift）配置された有機発光表示装置を開示する。

本実施形態において、前記開口部と重なるように配置され、前記基準配線と同一の層に配置され、前記基準配線の一側に配置された配線の数は、前記基準配線の他側に配置された配線の数と同一でありうる。

本実施形態において、前記複数の画素は、赤色画素、緑色画素、及び青色画素を含み、前記の赤色画素及び緑色画素についての前記開口部には、前記基準配線の両側に、それぞれ第１追加配線及び第２追加配線が、前記基準配線と同一の層に配置され、前記緑色画素についての前記開口部には、前記基準配線だけが配置されるのであってもよい。

本実施形態において、前記基準配線は、各画素に駆動電圧を伝達する駆動電圧線であり、前記第１追加配線は、各画素にデータ信号を伝達するデータ線でありうる。

本実施形態において、前記複数の画素の各画素は、基板上に具備され、駆動ゲート電極を含む駆動薄膜トランジスタをさらに含み、前記画素電極の少なくとも一部は、前記駆動ゲート電極と重ねられて形成されるのでありうる。

本実施形態において、前記複数の画素の各画素は、前記駆動薄膜トランジスタと重なるように配置され、第１電極及び第２電極を具備するストレージキャパシタをさらに含み、前記第１電極は、前記駆動ゲート電極と一体に形成されるのでありうる。

本実施形態において、前記駆動薄膜トランジスタは、前記駆動ゲート電極の下方に具備されて、第１ゲート絶縁膜によって絶縁される駆動半導体層を含み、前記第１電極と前記第２電極との間には、第２ゲート絶縁膜が具備されるのであってもよい。

本実施形態において、前記第２電極は、前記基準配線とコンタクトホールを介して連結されうる。

本発明の他の実施形態は、複数の画素を含む有機発光表示装置において、前記複数の画素は、互いに異なる色を出す、複数の第１画素、複数の第２画素、及び複数の第３画素を含み、前記複数の第１画素の各画素は、第１画素電極、第１有機発光層及び第１対向電極を具備する第１有機発光素子と、前記第１画素電極のエッジを覆い、前記第１画素電極の一部を露出させる第１開口部を有して発光領域を画定する第１画素定義膜と、前記第１画素電極に、絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された第１基準配線と、を含み、前記第１基準配線は、前記第１開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、前記第１開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第１画素電極の一側に偏って配置された有機発光表示装置を開示する。

本実施形態において、前記第１開口部と重なるように配置され、前記第１基準配線と同一の層に配置されて、前記第１基準配線の一側に配置された配線の数は、前記第１基準配線の他側に配置された配線の数と同一でありうる。

本実施形態において、前記複数の第２画素の各画素は、第２画素電極、第２有機発光層及び第２対向電極を具備する第２有機発光素子と、前記第２画素電極のエッジを覆い、前記第２画素電極の一部を露出させる第２開口部を有することで発光領域を画定する第２画素定義膜と、前記第２画素電極に絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された第２基準配線と、を含み、前記第２基準配線は、前記第２開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、前記第２開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第２画素電極の一側に偏って配置されてもよい。

本実施形態において、前記複数の第１画素は、緑色を具現し、前記複数の第２画素は、青色を具現することができる。

本実施形態において、前記複数の第１画素についての前記第１開口部には、前記第１基準配線だけが配置され、前記複数の第２画素についての前記第２開口部には、前記第２基準配線の両側に、それぞれ第１追加配線及び第２追加配線が、配置されてもよい。

本実施形態において、前記複数の第２画素の各画素は、第２画素電極、第２有機発光層及び第２対向電極を具備する第２有機発光素子と、前記第２画素電極のエッジを覆い、前記第２画素電極の一部を露出させる第２開口部を有することで発光領域を画定する第２画素定義膜と、を含み、前記第２開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第２画素電極の一側に偏って配置されるのであり、前記第２開口部が前記第２画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第２画素のそれぞれの位置によって異なりうる。

本実施形態において、前記第２開口部が前記第２画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第２画素が、それぞれ第２方向に沿って配置された位置によって、漸進的に変化しうる。

本実施形態において、前記複数の第３画素の各画素は、第３画素電極、第３有機発光層及び第３対向電極を具備する第３有機発光素子と、前記第３画素電極のエッジを覆い、前記第３画素電極の一部を露出させる第３開口部を有することで発光領域を画定する第３画素定義膜と、を含み、前記第３開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第３画素電極の一側に偏って配置されるのであり、前記第３開口部が前記第３画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第３画素のそれぞれの位置によって異なりうる。

本実施形態において、前記複数の第２画素は、赤色を具現し、前記複数の第３画素は、青色を具現することができる。

本実施形態において、前記複数の画素それぞれは、基板上に具備され、駆動ゲート電極を含む駆動薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１画素電極の少なくとも一部は、前記駆動ゲート電極と重畳されても形成される。

本実施形態において、前記複数の画素の各画素は、前記駆動薄膜トランジスタと重なるように配置され、第１電極及び第２電極を具備するストレージキャパシタをさらに含み、前記第１電極は、前記駆動ゲート電極と一体に形成されうる。

本実施形態において、前記駆動薄膜トランジスタは、前記駆動ゲート電極の下方に具備され、第１ゲート絶縁膜によって絶縁される駆動半導体層を含み、前記第１電極と前記第２電極との間には、第２ゲート絶縁膜が具備されるのであってもよい。

本発明の多様な実施形態によれば、画素間での均一な特性を維持しながら、有機発光表示装置の側面カラーシフト現象が最小化され、右側ＷＡＤ(white angular dependency)及び左側ＷＡＤの均一性を確保することができる。ここで、ＷＡＤとは、視線角度（sightline angle; ユーザーの目から当該画素へ向かう視線と、当該画素の近傍からの垂線とがなす角度）に依存して、白色表示の色相に生じる変異のことをいう。また、右側ＷＡＤ及び左側ＷＡＤとは、それぞれ、右側及び左側に傾斜した視線を通じてみる場合における、白色表示の色相についての、視線角度に対する依存性をいう。

ただし、このような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一部分を概略的に図示する平面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示したブロック図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置における１つの画素についての等価回路図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置における複数の画素の発光領域のみを示した概略的な配置図（配置平面図）である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素における複数の薄膜トランジスタ及びキャパシタなどについての位置を概略的に図示する配置図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素における、有機発光素子の画素電極及び発光領域の配置、及び、発光領域と、これに重ねられて配置される配線との間の位置関係について説明するための概略的な配置図である。 図５をＩ−Ｉ’線で切った積層断面図であって、有機発光素子ＯＬＥＤが配置された状態を図示している。 本発明による実施形態と比較するための比較例を示す、図６と同様の配置図である。 本発明の実施形態と比較例とにおける、色相別の輝度比、及び白色光の色座標の値を示す表である。 本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の画素における、有機発光素子の画素電極及び発光領域の配置、及び、発光領域と、これに重ねられて配置される配線との間の位置関係について説明するための概略的な配置図である。 本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の画素における、有機発光素子の画素電極及び発光領域の配置、及び、発光領域と、これに重ねられて配置される配線との間の位置関係について説明するための概略的な配置図である。 本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の画素における、有機発光素子の画素電極及び発光領域の配置、及び、発光領域と、これに重ねられて配置される配線との間の位置関係について説明するための概略的な配置図である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によって具現されうる。

以下の実施形態において、第１、第２といった用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用される。

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に反する意味でない限り、複数の表現を含む。

以下の実施形態において、「含む」または「有する」といった用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。

図面においては、説明の便宜のために、構成要素について、その大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されており、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されたと述べるとき、膜、領域、構成要素が直接的に連結された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に、他の膜、領域、構成要素が介在され、間接的に連結された場合も含む。

以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３つの軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味に解釈されうる。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交しうるが、互いに直交しない、互いに異なる方向を指すことも可能である。

また、添付図面には、１つの画素に、７個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）と１個のキャパシタ（capacitor）とを具備する７トランジスタ１キャパシタ構造の能動駆動（ＡＭ：active matrix）型有機発光表示装置を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。従って、該有機発光表示装置は、１つの画素に、複数のトランジスタと、１以上のキャパシタとを具備することができ、別途の配線がさらに形成されたり、既存の配線が省略されたりすることで、多様な構造を有するように形成することもできる。ここで、画素は、画像を表示する最小単位をいい、該有機発光表示装置は、複数の画素を通じて画像を表示する。

さて、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一部分を概略的に図示する平面図である。図１に図示されているように、本実施形態によるディスプレイ装置は、基板１１０を具備し、基板１１０は、画像が具現されるディスプレイ領域ＤＡと、該ディスプレイ領域ＤＡの外側の周辺領域ＰＡとを有する。基板１１０のディスプレイ領域ＤＡには、有機発光素子ＯＬＥＤ（図３）（organic light-emitting device）を含む画素ＰＸによって画像を表示する、表示部が配置され、基板１１０の周辺領域ＰＡには、ディスプレイ領域ＤＡに印加する電気的信号を伝達する、多様な配線及び／または駆動部が位置することができる。

ディスプレイ領域ＤＡは、互いに異なる位置に配置された第１画素領域Ｒ１及び第２画素領域Ｒ２を含む。本実施形態において、第１画素領域Ｒ１及び第２画素領域Ｒ２に配置された画素ＰＸの構造は、いずれも同一に構成されることも、異なって構成されることもありうる。例えば、画素ＰＸにおける発光領域及び画素電極の配置、または配線間の配置が、第１画素領域Ｒ１と第２画素領域Ｒ２とで異なるように構成されうる。

図２は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示したブロック図である。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数画素ＰＸを含む表示部１０、走査駆動部２０、データ駆動部３０、発光制御駆動部４０及び制御部５０を含む。

表示部１０は、ディスプレイ領域に配置され、複数の走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ＋１と、複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍとの交差部ごとに、または、複数の発光制御線ＥＬ１〜ＥＬｎと、複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍとのの交差部ごとに位置し、ほぼ行列の形態に配列された複数の画素ＰＸを含む。複数の走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ＋１、及び複数の発光制御線ＥＬ１〜ＥＬｎは、行方向である第２方向に延長され、複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍ、及び駆動電圧線ＥＬＶＤＤＬは、列方向である第１方向に延長されている。１本の画素ラインにおける、複数の走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ＋１のｎ値（本数から１を引いた数）は、複数の発光制御線ＥＬ１〜ＥＬｎのｎ値（本数）と異なりうる。

各画素ＰＸは、表示部１０に走査信号を伝達する複数の走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ＋１のうちの３本の走査線に連結されている。走査駆動部２０は、走査線ごとに走査信号を生成して伝達するのであり、複数の走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ＋１のうちの、これら３本の走査線を通じて、各画素ＰＸに、３つの走査信号を伝達する。すなわち、走査駆動部２０は、第２走査線ＳＬ１〜ＳＬｎ−１、第１走査線ＳＬ２〜ＳＬｎ、及び第３走査線ＳＬ３〜ＳＬｎ＋１に、この順で走査信号を順次供給する。

初期化電圧線ＩＬは、外部の電源供給源ＶＩＮＴから初期化電圧を印加され、各画素ＰＸに供給することができる。

また、各画素ＰＸは、表示部１０に連結される複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍのうちの１本のデータ線、及び、表示部１０に連結される複数の発光制御線ＥＬ１〜ＥＬｎのうちの１本の発光制御線に連結されている。

データ駆動部３０は、複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍを通じて、各画素ＰＸにデータ信号を伝達する。データ信号は、第１走査線ＳＬ２〜ＳＬｎに走査信号が供給されるたびに、走査信号によって選択された画素ＰＸに供給される。

発光制御駆動部４０は、複数の発光制御線ＥＬ１〜ＥＬｎを通じて、各画素に、発光制御信号を生成して伝達する。該発光制御信号は、画素ＰＸの発光時間を制御する。発光制御駆動部４０は、画素ＰＸの内部構造によっては、省略されてもよい。

制御部５０は、外部から伝達される複数の映像信号ＩＲ，ＩＧ，ＩＢを複数の映像データ信号ＤＲ，ＤＧ，ＤＢに変更し、データ駆動部３０に伝達する。また、制御部５０は、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びクロック信号ＭＣＬＫの伝達を受けて、前記の走査駆動部２０、データ駆動部３０及び発光制御駆動部４０の駆動を制御するための制御信号を生成し、これら駆動部に、それぞれ伝達する。すなわち、制御部５０は、走査駆動部２０を制御する走査駆動制御信号ＳＣＳ、データ駆動部３０を制御するデータ駆動制御信号ＤＣＳ、及び発光制御駆動部４０を制御する発光駆動制御信号ＥＣＳを、それぞれ生成して伝達する。

複数の画素ＰＸの各画素には、外部の駆動電源電圧ＥＬＶＤＤ及び共通電源電圧ＥＬＶＳＳが供給される。駆動電源電圧ＥＬＶＤＤは、所定のハイレベル電圧でありうるのであり、共通電源電圧ＥＬＶＳＳは、前記駆動電源電圧ＥＬＶＤＤより低い電圧であったり接地電圧であったりしうる。駆動電源電圧ＥＬＶＤＤは、駆動電圧線ＥＬＶＤＤＬを通じて各画素ＰＸに供給される。

複数画素ＰＸの各画素には、複数のデータ線ＤＬ１〜ＤＬｍを介して伝達されたデータ信号により、発光素子に供給される駆動電流によって所定輝度の光を発光する。

図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の１つの画素ＰＸの等価回路図である。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置の１つの画素ＰＸは、複数の薄膜トランジスタＴ１〜Ｔ７、及び少なくとも１つのストレージキャパシタ（storage capacitor）Ｃｓｔを含む画素回路ＰＣを含む。そして、画素ＰＸは、画素回路ＰＣを通じて、駆動電流が伝達されて発光する、有機発光素子ＯＬＥＤを含む。

複数の薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５、及び、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含む。

画素ＰＸは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び補償薄膜トランジスタＴ３に、第１走査信号Ｓｎを伝達する第１走査線１４、第１初期化薄膜トランジスタＴ４に、第２走査信号Ｓｎ−１を伝達する第２走査線２４、第２初期化薄膜トランジスタＴ７に、第３走査信号Ｓｎ＋１を伝達する第３走査線３４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５及び第２発光制御薄膜トランジスタＴ６に、発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御線１５、データ信号Ｄｍを伝達するデータ線１６、駆動電源電圧ＥＬＶＤＤを伝達する駆動電圧線２６、及び、駆動薄膜トランジスタＴ１を初期化する初期化電圧ＶＩＮＴを伝達する初期化電圧線２２を含む。

駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１と連結されている。駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１は、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、駆動電圧線２６と連結されている。駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１は、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード（anode）電極と電気的に連結されている。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作によってデータ信号Ｄｍが伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流Ｉｄを供給する。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２は、第１走査線１４と連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２は、データ線１６と連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１と連結されており、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、駆動電圧線２６と連結されている。このようなスイッチング薄膜トランジスタＴ２は、第１走査線１４を介して伝達された第１走査信号Ｓｎによってターンオン（turn on）され、データ線１６から伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を遂行する。

補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３は、第１走査線１４に連結されている。補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１と連結されており、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と連結されている。補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の全てに連結されている。補償薄膜トランジスタＴ３は、第１走査線１４を介して伝達された第１走査信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と駆動ドレイン電極Ｄ１とを互いに連結し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード連結（diode-connection）させる。

第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４は、第２走査線２４と連結されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、初期化電圧線２２と連結されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極Ｓ４は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の全てに連結されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、第２走査線２４を介して伝達された第２走査信号Ｓｎ−１によってターンオンされ、初期化電圧ＶＩＮＴを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を遂行する。

第１発光制御薄膜トランジスタＴ５の第１発光制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御線１５と連結されている。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５の第１発光ソース電極Ｓ５は、駆動電圧線２６と連結されている。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５の第１発光ドレイン電極Ｄ５は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２と連結されている。

第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の第２発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御線１５と連結されている。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の第２発光ソース電極Ｓ６は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１、及び補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３と連結されている。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の第２発光制御ドレイン電極Ｄ６は、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と電気的に連結されている。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５及び第２発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線１５を介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電源電圧ＥＬＶＤＤが有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流Ｉｄが流れる。

第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７は、第３走査線３４に連結されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７は、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と連結されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、初期化電圧線２２と連結されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第３走査線３４を介して伝達された第３走査信号Ｓｎ＋１によってターンオンされ、有機発光素子ＯＬＥＤのアノード電極を初期化させる。

ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極Ｃ２は、駆動電圧線２６と連結されている。ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４に共に連結されている。

有機発光素子ＯＬＥＤのカソード（cathode）電極は、共通電源電圧ＥＬＶＳＳと連結されている。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流Ｉｄが伝達されて、発光することにより、画像を表示する。

一方、本発明の一実施形態においては、第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含む７トランジスタ１キャパシタ構造を図示しているが、本発明がそれに限定されるものではなく、トランジスタの数とキャパシタの数は、多様に変形可能である。

図４は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の複数画素Ｒ，Ｇ，Ｂの発光領域を示した概略的な配置図である。このとき、画素の発光領域は、画素定義膜の開口部によって画定されるが、それについては後述する。

図４に図示されているように、第１行１Ｎには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔で離隔されて配列されており、隣接した第２行２Ｎには、複数の赤色画素Ｒと、複数の青色画素Ｂとが交互に配列されており、隣接した第３行３Ｎには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔で離隔されて配列されており、隣接した第４行４Ｎには、複数の青色画素Ｂと、複数の赤色画素Ｒとが交互に配列されており、このような画素の配置が、第Ｎ行まで反復されている。ここで、青色画素Ｂ及び赤色画素Ｒは、緑色画素Ｇより大きく形成されている。

ここで、第１行１Ｎに配置された複数の緑色画素Ｇと、第２行２Ｎに配置された複数の赤色画素Ｒ及び青色画素Ｇは、互い違いに配置されている。従って、第１列１Ｍには、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂが交互に配列されており、隣接した第２列２Ｍには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔で離隔されて配列されており、隣接した第３列３Ｍには、青色画素Ｂ及び赤色画素Ｒが交互に配列されており、隣接した第４列４Ｍには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔で離隔されて配列されており、このような画素の配列が第Ｍ列まで反復されている。

このような画素配置構造を異なる具合に表現すれば、緑色画素Ｇの中心点を四角形の中心点とする仮想の四角形ＶＳを想定し、この４つの頂点のうち、互いに対向する第１頂点及び第３頂点には、赤色画素Ｒが配置され、残りの頂点である第２頂点及び第４頂点には、青色画素Ｂが配置されているという具合に表現することができる。ここで、仮想の四角形ＶＳは、直方形、菱形、正方形など多様に変形されうる。

本発明の画素配置構造は、前述のところに限定されるものではない。例えば、図４において、仮想の四角形ＶＳの中心点に、緑色画素Ｇの代わりに、青色画素Ｂが配置され、仮想の四角形ＶＳの４つの頂点のうち、互いに対向する第１頂点及び第３頂点には、赤色画素Ｒが配置され、残りの頂点である第２頂点及び第４頂点には、緑色画素Ｇが配置されてもよい。

このような画素配置構造をペンタイルマトリックス（PenTile Matrix）といい、隣接した画素を共有して色相を表現するレンダリング（rendering）駆動を適用することにより、少ない数の画素で高解像度を具現することができる。

一方、本発明の画素配置構造は、前述のペンタイルマトリックス構造に限定されるものではない。例えば、本発明は、ストライプ（strip）配列、モザイク（mosic）配列、デルタ（delta）配列を有する画素配置構造にも適用される。また、本発明は、白色光を出すホワイト画素をさらに含む画素配置構造にも適用される。

図５は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素における複数の薄膜トランジスタ及びキャパシタなどの位置を概略的に図示しており、有機発光素子ＯＬＥＤは、省略されている。図５においては、隣接する３つの画素Ｒ，Ｇ，Ｂを図示する。

図５を参照すれば、画素には、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６、第２初期化薄膜トランジスタＴ７、及びストレージキャパシタＣｓｔが形成されている。

駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動半導体層Ａ１、駆動ゲート電極Ｇ１、駆動ソース電極Ｓ１及び駆動ドレイン電極Ｄ１を含む。駆動ソース電極Ｓ１は、駆動半導体層Ａ１において、不純物がドーピングされた駆動ソース領域に該当し、駆動ドレイン電極Ｄ１は、駆動半導体層Ａ１において、不純物がドーピングされた駆動ドレイン領域に該当する。駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４と連結される。さらに詳細には、駆動ゲート電極Ｇ１は、第１電極Ｃ１と同一の層に一体に具備される。駆動ゲート電極Ｇ１、補償ドレイン電極Ｄ３及び第１初期化ソース電極Ｓ４は、第１コンタクト配線ＣＭ１によって連結される。第１コンタクト配線ＣＭ１は、駆動ゲート電極Ｇ１に、第１コンタクトホール５１を通じて連結される。また、第１コンタクト配線ＣＭ１は、最下層の配線における、補償ドレイン電極Ｄ３と、第１初期化ソース電極Ｓ４との間の領域に、第２コンタクトホール５２を通じて連結される。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング半導体層Ａ２、スイッチングゲート電極Ｇ２、スイッチングソース電極Ｓ２及びスイッチングドレイン電極Ｄ２を含む。スイッチングソース電極Ｓ２は、スイッチング半導体層Ａ２において、不純物がドーピングされたスイッチングソース領域に該当し、スイッチングドレイン電極Ｄ２は、スイッチング半導体層Ａ２において、不純物がドーピングされたスイッチングドレイン領域に該当する。スイッチングソース電極Ｓ２は、第３コンタクトホール５３を介して、データ線１６と連結される。スイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１及び第１発光制御薄膜トランジスタＴ５と連結されている。スイッチングゲート電極Ｇ２は、第１走査線１４の一部に形成される。

補償薄膜トランジスタＴ３は、補償半導体層Ａ３、補償ゲート電極Ｇ３、補償ソース電極Ｓ３及び補償ドレイン電極Ｄ３を含む。補償ソース電極Ｓ３は、補償半導体層Ａ３において、不純物がドーピングされた補償ソース領域に該当し、補償ドレイン電極Ｄ３は、補償半導体層Ａ３において、不純物がドーピングされた補償ドレイン領域に該当する。補償ゲート電極Ｇ３は、第１走査線１４の一部と、第１走査線１４から突出して延長された配線の一部とにより、デュアルゲート電極を形成し、漏れ電流（leakage current）を防止する。

第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、第１初期化半導体層Ａ４、第１初期化ゲート電極Ｇ４、第１初期化ソース電極Ｓ４及び第１初期化ドレイン電極Ｄ４を含む。第１初期化ソース電極Ｓ４は、第１初期化半導体層Ａ４において、不純物がドーピングされた第１初期化ソース領域に該当し、第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、第１初期化半導体層Ａ４において、不純物がドーピングされた第１初期化ドレイン領域に該当する。第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７と連結され、第１初期化ソース電極Ｓ４は、第２コンタクトホール５２及び第１コンタクトホール５１に具備された第１コンタクト配線ＣＭ１を介して、駆動ゲート電極Ｇ１、及びストレージキャパシタＣｃｓｔの第１電極Ｃ１と連結されうる。第１初期化ゲート電極Ｇ４は、第２走査線２４の一部に形成される。第１初期化半導体層Ａ４は、第１初期化ゲート電極Ｇ４と２回オーバーラップされることにより、デュアルゲート電極を形成する。

第１発光制御薄膜トランジスタＴ５は、第１発光制御半導体層Ａ５、第１発光制御ゲート電極Ｇ５、第１発光制御ソース電極Ｓ５及び第１発光制御ドレイン電極Ｄ５を含む。第１発光制御ソース電極Ｓ５は、第１発光制御半導体層Ａ５において、不純物がドーピングされた第１発光制御ソース領域に該当し、第１発光制御ドレイン電極Ｄ５は、第１発光制御半導体層Ａ５において、不純物がドーピングされた第１発光制御ドレイン領域に該当する。第１発光制御ソース電極Ｓ５は、第４コンタクトホール５４を介して、駆動電圧線２６とも連結される。第１発光制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御線１５の一部に形成される。

第２発光制御薄膜トランジスタＴ６は、第２発光制御半導体層Ａ６、第２発光制御ゲート電極Ｇ６、第２発光制御ソース電極Ｓ６及び第２発光制御ドレイン電極Ｄ６を含む。第２発光制御ソース電極Ｓ６は、第２発光制御半導体層Ａ６において、不純物がドーピングされた第２発光制御ソース領域に該当し、第２発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第２発光制御半導体層Ａ６において、不純物がドーピングされた第２発光制御ドレイン領域に該当する。第２発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第５コンタクトホール５５と連結された第２コンタクト配線ＣＭと、第２コンタクト配線ＣＭと連結されたビアホールＶＩＡとを介して、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と連結される。第２発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御線１５の一部に形成される。

第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第２初期化半導体層Ａ７、第２初期化ゲート電極Ｇ７、第２初期化ソース電極Ｓ７及び第２初期化ドレイン電極Ｄ７を含む。第２初期化ソース電極Ｓ７は、第２初期化半導体層Ａ７において、不純物がドーピングされた第２初期化ソース領域に該当し、第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第２初期化半導体層Ａ７において、不純物がドーピングされた第２初期化ドレイン領域に該当する。第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第７コンタクトホール５７と連結された第３コンタクト配線ＣＭ３と連結され、第３コンタクト配線ＣＭ３は、第６コンタクトホール５６を介して、初期化電圧線２２と連結されうる。第２初期化ゲート電極Ｇ７は、第２走査線２４の一部に形成され、第２走査線２４は、第３走査線の役割を行うことができる。

ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１は、駆動ゲート電極Ｇ１と直接連結され、第１コンタクトホール５１及び第２コンタクトホール５２に具備された第１コンタクト配線ＣＭ１を介して、第１初期化薄膜トランジスタＴ４及び補償薄膜トランジスタＴ３と連結される。第１電極Ｃ１は、フローティング電極の形態を有することができ、駆動半導体層Ａ１と重なるように配置される。

ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極Ｃ２は、第１電極Ｃ１と重なるが、第２電極Ｃ２が第１電極Ｃ１を完全に覆い隠すように重なるものではない。第２電極Ｃ２は、第１電極Ｃ１の一部を露出させる開口ＯＰを含み、該開口ＯＰ内に、第１コンタクトホール５１が形成される。第２電極Ｃ２は、第８コンタクトホール５８を介して、駆動電圧線２６と連結される。隣接した画素間の第２電極Ｃ２は、互いに連結されて形成されうる。

第１走査線１４、第２走査線２４、発光制御線１５は、いずれも同一の層に形成され、第２方向に延長される。第１走査線１４、第２走査線２４及び発光制御線１５は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１と同一層に形成される。

データ線１６、駆動電圧線２６、第１コンタクト配線ＣＭ１、第２コンタクト配線ＣＭ及び第３コンタクト配線ＣＭ３は、いずれも同一層に形成され、第１方向に延長される。

第２電極Ｃ２及び初期化電圧線２２は、同一層に形成され、第２方向に延長される。しかし、本発明は、それらに限定されるものではない。例えば、初期化電圧線２２は、第１走査線１４またはデータ線１６と同一の層に形成されうるなど、多様な変形が可能である。

図６は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素において、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極３１０、発光領域を画定する画素定義膜１５０の開口部１５０ｈ、及び、この開口部１５０ｈと重ねられて配置される配線との関係について説明するための概略的な平面図である。図７は、図５をＩ−Ｉ’線で切った断面図であり、一つ有機発光素子ＯＬＥＤが配置された際の積層状態を図示している。

図６及び図７を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含み、各画素は、有機発光素子ＯＬＥＤ、開口部１５０ｈによって発光領域を画定する画素定義膜１５０、基準配線に対応する駆動電圧線２６を含む。

複数の画素は、複数の赤色画素Ｒ、複数の緑色画素Ｇ、及び複数の青色画素Ｂを含んでもよい。図６においては、複数の画素のうちの１つの赤色画素Ｒ、及び、１つの緑色画素Ｇ、１つの青色画素Ｂを図示している。前述のように、複数の画素は、ペンタイル構造に配列されうる。

有機発光素子ＯＬＥＤは、画素電極３１０、有機発光層を含む中間層３２０、及び対向電極３３０を含み、有機発光素子ＯＬＥＤの発光領域は、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈによって画定される。有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極３１０及び対向電極３３０のうちのいずれか一つは、アノード電極の機能を行い、他の一つは、カソード電極の機能を行う。

画素定義膜１５０は、画素電極３１０のエッジを覆うとともに、画素電極３１０を一部露出させる開口部１５０ｈを含む。前記開口部１５０ｈによって露出された画素電極３１０の上に、有機発光層を含む中間層３２０が配置され、前記中間層３２０の上に、対向電極３３０が配置され、画素電極３１０と対向電極３３０との間の中間層３２０にて光が発生するのであるが、前記開口部１５０ｈにより、画素の発光領域が画定されるのである。

前記画素電極３１０の下には、画素電極３１０に、絶縁層１４０を挟むようにして重ねられて配置される複数の配線、すなわち、駆動電圧線２６、データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１、及び、第３コンタクト配線ＣＭ３が具備される。これらの配線は、いずれも同一の層に形成され、第１方向に延長される。本実施形態において、これらの配線は、層間絶縁膜１３０の上に配置されている。

本明細書においては、これら３つの配線のうちで、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈの中心点ＣＰに重ねられ、第１方向に延長された配線を、基準配線と称する。ここで、開口部１５０ｈの中心点ＣＰは、開口部１５０ｈが画素定義膜１５０の下の層を露出させる領域を、一つの平面図形とするとき、前記平面図形の重量中心を意味する。または、中心点ＣＰは、開口部１５０ｈの第１方向に最大幅を形成する線と、開口部１５０ｈの第２方向に最大幅を形成する線との交差点として定義されてもよい。

図６及び図７において、該基準配線は、駆動電圧線２６である。しかし、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１、第３コンタクト配線ＣＭ３、または他の機能を行う配線が、開口部１５０ｈの中心点ＣＰに重ねられて配置されるならば、前記データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１、第３コンタクト配線ＣＭ３、または他の機能を行う配線も、基準配線になりうる。

また、図６においては、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂの基準配線が、いずれも駆動電圧線２６に配置されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂの基準配線は、駆動電圧線２６になり、緑色画素Ｇの基準配線は、データ線１６または第３コンタクト配線ＣＭ３でありうる。

本実施形態において、開口部１５０ｈの内部には、基準配線以外に、該基準配線と同一の層に配置された追加の配線が配置されてもよい。該追加の配線は、該基準配線と離隔され、第１方向に延長されうる。その場合、該基準配線の一側に配置された配線の数は、該基準配線の他側に配置された配線の数と同一とする。

赤色画素Ｒの開口部１５０ｈの内部には、赤色画素Ｒの基準配線である駆動電圧線２６の左右両側に、それぞれ、追加配線として、データ線１６及び第１コンタクト配線ＣＭ１が配置されている。駆動電圧線２６の一側（左側）に配置された配線の数と、駆動電圧線２６の他側（右側）に配置された配線の数は、いずれも「１」であり、同一の数の配線が配置されている。

緑色画素Ｇの開口部１５０ｈの内部には、緑色画素Ｇの基準配線である駆動電圧線２６の左右両側のいずれにも、追加の配線が配置されていない。緑色画素Ｇを通過する駆動電圧線２６を基準に、一側に配置された配線の数と、他側に配置された配線の数は、いずれも「０」であり、同一の数の配線が配置されているといえる。

青色画素Ｂの開口部１５０ｈの内部には、青色画素Ｂの基準配線である駆動電圧線２６の両側に、追加配線として、データ線１６及び第１コンタクト配線ＣＭ１が配置されている。駆動電圧線２６の一側に配置された配線の数と、駆動電圧線２６の他側に配置された配線の数は、いずれも「１」であり、同一の数の配線が配置されている。

このように、基準配線の両側に追加配線が配置される場合、該追加配線は、基準配線の一側に配置された第１追加配線と、基準配線の他側に配置された第２追加配線とによって構成されうるのであり、第１追加配線と基準配線との間の最短の離隔間隔と、第２追加配線と基準配線との間の最短の離隔間隔との差は、１μｍ以内でありうる。すなわち、第１追加配線と第２追加配線は、それぞれ基準配線を中心に、対称的であるか、あるいは互いに類似した隔離距離をなすように配置されてもよい。

図６において、緑色画素Ｇの開口部１５０ｈ内部には、駆動電圧線２６だけが配置されている。しかし、それに限定されるものではない。例えば、緑色画素Ｇにおける開口部１５０ｈの大きさ、及び画素電極３１０Ｇの大きさを大きくし、開口部１５０ｈの内部に、追加の配線として、データ線１６及び第３コンタクト配線ＣＭ３が配置されるようにすることもできる。または、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈの大きさを小さくし、基準配線である駆動電圧線２６だけが配置されるようにすることができるなど、多様な変形が可能である。

本実施形態において、基準配線及び追加配線に対応する、駆動電圧線２６、データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１、及び第３コンタクト配線ＣＭ３を、前述のように配置することは、有機発光表示装置の側面カラーシフト現象を最小化させ、非対称ＷＡＤ（white angular dependency）現象を改善するためでありうる。

すなわち、図７を参照すれば、有機発光表示装置を、正面（Ｐ方向）から見るときと、側方（Ｑ１方向の側またはＱ２方向の側）から見るときとで、画素の色を示す色座標の値が、異なって現れうる。また、左側４５°（Ｑ１方向）から見るときと、右側４５°（Ｑ２方向）から見るときとの画素色を示す色座標の値が、異なって現れうる。本実施形態は、開口部１５０ｈに配置される配線の位置を調節し、有機発光表示装置を視認する角度によって変化する色座標の値を最小化させ、左側から見るときと、右側から見るときとの色座標値の差を最小化させるためのものでありうる。

前記基準配線及び追加配線に対応する駆動電圧線２６、データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１、第３コンタクト配線ＣＭ３は、前記画素電極３１０に、絶縁層１４０を挟んで重ねられて配置されているが、前記配線の上に配置された絶縁層１４０及び／または画素電極３１０は、平坦ではなく、前記配線の高さ（厚み）によって段差が形成されうる。すなわち、配線により、その上に構成された絶縁層１４０及び／または画素電極３１０には、垂直方向への屈曲が発生しうる。

このような、配線による段差の影響、または配線の位置に依存する影響は、画素の光学特性を変化させる。図７でのように、絶縁層１４０及び／または画素電極３１０に形成された段差または屈曲は、光の反射または散乱、反射による波長の変化などに影響を与え、それにより、配線の配置が非対称である場合、左側から見るとき（特にはＱ１方向）と、右側から見るとき（特にはＱ２方向）とで、視認する色座標の差が、対称である場合よりも大きく発生しうる。

従って、本発明の実施形態においては、発光領域である画素定義膜１５０の開口部１５０ｈの中心点ＣＰを、基準配線が通過するようにし、基準配線を中心に、左右に追加配線が同一の数だけ配置されるようにし、発光領域の内部において、左右の対称性を確保している。

一方、画素定義膜１５０は、画素電極３１０におけるエッジの近傍を覆うとともに、画素電極３１０の一部を露出させる開口部１５０ｈを有することで発光領域を画定する。ここで、開口部１５０ｈは、第１方向（表示面に向かって上下方向）と垂直である第２方向（表示面に向かって左右方向）に沿って、画素電極３１０の一側に偏って（shift）形成される。

すなわち、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを通過しながら第２方向に延長される仮想の基準線ＶＬを想定したならば、この基準線ＶＬ上における、画素電極３１０の縁の点（edge point）と、これに対応する開口部１５０ｈの縁の点との距離Ｌ１，Ｌ２は、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを基準に、左側と右側とで互いに異なるように形成される。図面においては、右側での距離Ｌ２が左側での距離Ｌ１よりも大きいものとして図示されている。すなわち、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを基準に、右側における、画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との間の距離Ｌ２が、左側における、画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との間の距離Ｌ１よりも大きく形成されたものとして図示している。

図示の例において、画素電極及び開口部は、いずれも、角を直線状に切り取った四角形、特には正方形から四隅の角を取った形状をなしている。開口部がなす、角を取った四角形は、対応する画素電極がなす、角を取った四角形の内側にあって、対応する辺同士が、所定間隔以上に離隔されている。特に、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂの場合、画素電極及び開口部は、いずれも、角を取った正方形をなし、その対角線が、前記の第１方向（表示面に向かって上下方向）及び第２方向（表示面に向かって左右方向）に沿って延びている。そのため、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂの場合、基準線ＶＬ上の左右の縁の点は、角取り部分に相当する。一方、緑色画素Ｇの場合、延長部（後述の「拡張画素電極313G」）を除く画素電極（後述の「基本画素電極311G」）、及び、開口部が、いずれも、正方形から四隅の角を直線状に切り取った形状をなしており、この正方形の四辺が、前記の第１方向及び第２方向（左右方向）に沿って延びている。

本実施形態において、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈが、画素電極３１０の一側に偏って形成されているのは、各画素に均一な寄生キャパシタンスを確保し、該寄生キャパシタンスにより生じうる、色偏差またはその他の特性の差を最小化させるためでありうる。

図７を参照すれば、画素電極３１０の下方には、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１及び／または第２電極Ｃ２、ゲート電極Ｇ１〜Ｇ７が配置されている。それにより、画素電極３１０と、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１との間、及び／または、第２電極Ｃ２と、ゲート電極Ｇ１〜Ｇ７との間には、寄生キャパシタンスが発生しうる。寄生キャパシタンスが画素ごとに異なるならば、寄生キャパシタンスに依存する画素ごとの特性が異なってしまう。

本実施形態においては、各画素に、均一な寄生キャパシタンス値をもたせるために、画素電極３１０は、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈを中心に形成されず、その下の第１ゲート電極または第２ゲート電極を考慮して形成しているのである。

一例として、図６を参照すれば、緑色画素Ｇの場合、角を取った正方形をなす基本画素電極３１１Ｇと、これらから第１方向の一方（表示面に向かって下方）に延長された拡張画素電極３１３Ｇを具備しているが、それは、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂと同一のレベルの寄生キャパシタンス値を確保するためである。同様に、画素電極３１０の位置を、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈの位置に応じて、これよりずれるように動かせば、このような寄生キャパシタンス値に差が発生することになるので、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈは、画素電極３１０の一側に偏って形成されうる。

以下、図７を参照しながら、本発明の実施形態の構成について、さらに詳細に説明する。図７は、図５をＩ−Ｉ’線で切った断面図に、有機発光素子ＯＬＥＤが形成された状態を図示している。図５のＩ−Ｉ’線は、図６のＩ−Ｉ’に対応する。図７においては、複数の薄膜トランジスタのうちの駆動薄膜トランジスタＴ１、及び、ストレージキャパシタＣｓｔを図示している。

図７においては、発明の特徴を明確に示すために、切断線に沿って切った断面に配置される、一部の配線、一部の電極、一部の半導体層といった構成要素のうち、駆動薄膜トランジスタＴ１及びストレージキャパシタＣｓｔを示す上で関連性が低い構成要素は、省略した。従って、図７は、図５を実際にＩ−Ｉ’線に沿って切った断面図と差がありうる。

図７を参照すれば、基板１１０は、ガラス材、金属材、またはＰＥＴ（polyethylene terephthalate）・ＰＥＮ（polyethylene naphthalate）・ポリイミド（polyimide）といったプラスチック材など、多様な材料によって形成されうる。基板１１０は、フレキシブルな特性または曲げ可能（ベンダブル）な特性を有することができる。また、基板１１０は、前記の材料の単層または多層の構造を有することができる。

基板１１０上には、バッファ層１１１が形成されてもよい。バッファ層１１１は、基板１１０の上面の平滑性を高めたり、基板１１０などからの不純物が駆動薄膜トランジスタＴ１に侵透することを防止したり最小化させたりする役割を行うことができる。バッファ層１１１は、酸化物または窒化物といった無機物、または有機物、または有機・無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造または多層構造によって形成されうる。一実施形態において、バッファ層１１１は、シリコンオキサイド／シリコンナイトライド／シリコンオキサイドからなる三層積層構造を有することができる。

バッファ層１１１上には、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動半導体層Ａ１が形成される。駆動半導体層Ａ１は、ポリシリコンから形成されうるのであり、不純物がドーピングされていないチャネル領域と、チャネル領域の両側にあって、不純物がドーピングされて形成されたソース領域及びドレイン領域と、を含んでもよい。ここで、該不純物は、薄膜トランジスタの種類によって異なり、Ｎ型不純物またはＰ型不純物が可能である。図示されていないが、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング半導体層Ａ２、補償薄膜トランジスタＴ３の補償半導体層Ａ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化半導体層Ａ４、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化半導体層Ａ７、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５の第１発光制御半導体層Ａ５も、駆動半導体層Ａ１及び第２発光制御半導体層Ａ６と連結され、同時に形成される。

半導体層Ａ１〜Ａ７を覆うように、第１ゲート絶縁膜ＧＩ１が基板１１０の全面に積層される。第１ゲート絶縁膜ＧＩ１は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物などの無機物質から形成された積層膜層または単層膜でありうる。第１ゲート絶縁膜ＧＩ１は、半導体層とゲート電極とを絶縁する役割を行う。本発明の一実施形態によれば、第１ゲート絶縁膜ＧＩ１は、追って説明される第２ゲート絶縁膜ＧＩ２に比べ、その厚みが厚い。第１ゲート絶縁膜ＧＩ１は、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、第２初期化薄膜トランジスタＴ７、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５及び第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の半導体層と、前記薄膜トランジスタのゲート電極Ｇ１〜Ｇ７との間の絶縁を行う役割を行う。このような第１ゲート絶縁膜ＧＩ１の厚みが厚い場合、半導体層とゲート電極との間の寄生キャパシタンスが低減され、有機発光表示装置によって表示されるイメージにおけるムラやまだらが減少する。また、駆動薄膜トランジスタＴ１の場合、駆動半導体層Ａ１と駆動ゲート電極Ｇ１との寄生キャパシタンスが低減され、駆動ゲート電極Ｇ１に印加されるゲート電圧Ｖｇｓの駆動範囲（driving range）が広い範囲を有することになる。それにより、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に印加されるゲート電圧Ｖｇｓの大きさをより著しく異ならせることで、有機発光素子から発光される光が、より豊かな階調を有するように制御することができる。

第１ゲート絶縁膜ＧＩ１の上には、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１、及び、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃ１が形成される。

また、図示されていないが、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７、及び第１発光制御薄膜トランジスタＴ５の第１発光制御ゲート電極Ｇ５が、第２発光制御ゲート電極Ｇ６、駆動ゲート電極Ｇ１、及び第１電極Ｃ１と同時に形成される。駆動ゲート電極Ｇ１、スイッチングゲート電極Ｇ２、補償ゲート電極Ｇ３、第１初期化ゲート電極Ｇ４、第２初期化ゲート電極Ｇ７、第１発光制御ゲート電極Ｇ５、第２発光制御ゲート電極Ｇ６及び第１電極Ｃ１は、いずれも、第１ゲート配線ＧＬ１をなす物質によって形成されるのであり、以下では、まとめて、第１ゲート電極という。

スイッチングゲート電極Ｇ２、補償ゲート電極Ｇ３、第１初期化ゲート電極Ｇ４、第２初期化ゲート電極Ｇ７、第１発光制御ゲート電極Ｇ５及び第２発光制御ゲート電極Ｇ６は、第１走査線１４、第２走査線２４及び発光制御線１５が、半導体層と重なり合う領域として定義される。従って、スイッチングゲート電極Ｇ２、補償ゲート電極Ｇ３、第１初期化ゲート電極Ｇ４、第２初期化ゲート電極Ｇ７、第１発光制御ゲート電極Ｇ５及び第２発光制御ゲート電極Ｇ６を形成する過程は、取りも直さず、第１走査線１４、第２走査線２４及び発光制御線１５を形成する過程である。駆動ゲート電極Ｇ１は、第１電極Ｃ１と一体に形成される。第１ゲート配線ＧＬ１をなす物質は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちから選択された１以上の金属を含んでもよい。

本発明の一実施形態によれば、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重ねられて具備される。詳細には、駆動ゲート電極Ｇ１と第１電極Ｃ１とが一体に形成されるので、ストレージキャパシタＣｓｔと駆動薄膜トランジスタＴ１とが重畳して配置される。ストレージキャパシタＣｓｔを、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳して配置しており、ストレージキャパシタＣｓｔの保存容量を十分に確保することができる。

第１ゲート電極を覆うように、第２ゲート絶縁膜ＧＩ２が基板１１０の全面に積層される。第２ゲート絶縁膜ＧＩ２は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物などの無機物質からなる積層膜または単層膜として形成されうる。第２ゲート絶縁膜ＧＩ２は、第１ゲート電極と第２ゲート電極とを絶縁する役割を行う。また、第２ゲート絶縁膜ＧＩ２は、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層の役割を行う。ストレージキャパシタＣｓｔの保存容量を大きくするために、第２ゲート絶縁膜ＧＩ２は、第１ゲート絶縁膜ＧＩ１に比べて厚みが薄くなる。

第２ゲート絶縁膜ＧＩ２の上に、ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極Ｃ２が形成される。第２電極Ｃ２は、第１電極Ｃ１と重なり合うように形成される。しかし、第２電極Ｃ２は、第１電極Ｃ１の一部を露出させる開口ＯＰを含む。該開口ＯＰ内に形成された第１コンタクトホール５１を介して、第１電極Ｃ１は、補償薄膜トランジスタＴ３及び第１初期化薄膜トランジスタＴ４と連結されうる。第２電極Ｃ２は、第２ゲート配線ＧＬ２をなす物質によって形成され、以下では、これらをまとめて、第２ゲート電極という。第２ゲート配線ＧＬ２をなす物質も、第１ゲート配線ＧＬ１をなす物質と同様に、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちから選択された１以上の金属を含んでもよい。１つの画素の第２電極Ｃ２は、隣接した画素の第２電極Ｃ２と直接に連結されて具備されてもよい。

ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極Ｃ２を覆うように、層間絶縁膜１３０が基板１１０の全面に形成される。層間絶縁膜１３０は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド及び／またはシリコンオキシナイトライドなどの無機絶縁物によって形成されうる。

バッファ層１１１、第１ゲート絶縁膜ＧＩ１、第２ゲート絶縁膜ＧＩ２、層間絶縁膜１３０といった無機物を含む絶縁膜は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）またはＡＬＤ（atomic layer deposition）を通じて形成されうる。それは、後述する実施形態及びその変形例においても同様である。

層間絶縁膜１３０の上には、駆動電圧線２６、データ線１６、第１コンタクト配線ＣＭ１などが形成され、これらの、データ線１６、駆動電圧線２６、第１コンタクト配線ＣＭ１などの配線を覆うように、基板１１０の全面に絶縁層１４０が形成される。

絶縁層１４０は、アクリル、ＢＣＢ（benzocyclobutene）またはＨＭＤＳＯ（hexamethyldisiloxane）といった有機絶縁物によって形成されうる。また、絶縁層１４０は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド及び／またはシリコンオキシナイトライドなどの無機絶縁物によっても形成されうる。絶縁層１４０は、単層膜または積層膜として構成されうる。

前記絶縁層１４０上には、画素電極３１０、対向電極３３０、及びその間に介在され、有機発光層を含む中間層３２０を有する有機発光素子ＯＬＥＤが位置することができる。画素電極３１０は、絶縁層１４０に形成されたビアホールＶＩＡ（図５）を介して、第２コンタクト配線ＣＭ（図５）とも連結される。第２コンタクト配線ＣＭは、第６コンタクトホール５６（図５）を介して、第２発光制御ドレイン電極Ｄ６及び第２初期化ソース電極Ｓ７とも連結される。

絶縁層１４０の上には、画素定義膜１５０が配置される。該画素定義膜１５０は、各画素に対応する開口部１５０ｈ、すなわち、少なくとも画素電極３１０の一部を露出させる開口部１５０ｈを有することにより、画素の発光領域を画定する役割を行う。また、図７に図示されているような場合、画素定義膜１５０は、画素電極３１０のエッジの部分と、画素電極３１０の上方の対向電極３３０との間の距離を増大させることにより、画素電極３１０のエッジの部分にて、アークなどが発生することを防止する役割を行う。このような画素定義膜１５０は、例えば、ポリイミドまたはＨＭＤＳＯ（hexamethyldisiloxane）といった有機物によって形成されうる。

有機発光素子ＯＬＥＤの中間層３２０は、低分子または高分子の物質を含んでもよい。低分子物質を含む場合、ホール注入層（ＨＩＬ：hole injection layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、有機発光層（ＥＭＬ：emission layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）、電子注入層（ＥＩＬ：electron injection layer）などが、単一の構造体あるいは複合された構造体をなすように積層された構造を有することができ、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめてする多様な有機物質を含みうる。このような層は、真空蒸着方法によって形成されうる。

中間層３２０が高分子物質を含む場合には、概してホール輸送層（ＨＴＬ）及び有機発光層（ＥＭＬ）を含む構造を有することができる。このとき、該ホール輸送層は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）を含み、発光層は、ＰＰＶ（poly-phenylenevinylene）系及びポリフルオレン系のような高分子物質を含んでもよい。かような中間層３２０は、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：laser induced thermal imaging）などで形成することができる。

ただ、中間層３２０は、必ずしもそれらに限定されるものではなく、多様な構造を有することもできるということは言うまでもない。そして、中間層３２０は、複数個の画素電極３１０にわたって一体である層を含みうるのであり、複数個の画素電極３１０のそれぞれに個別に対応するようにパターニングされた層を含んでもよい。

対向電極３３０は、複数個の有機発光素子３００にわたって一体に形成されて、複数個の画素電極３１０に対応するのでありうる。

画素電極３１０が電極の機能を行う場合、前記画素電極３１０は、仕事関数が高いＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んで具備されてもよい。有機発光表示装置が前面発光型である場合、前記画素電極３１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、ＹｂまたはＣａなどを含む反射膜をさらに含んでもよい。それらは、単独でまたは合金などとして互いに組み合わされて使用されうる。また、画素電極３１０は、前述の金属及び／または合金を含む単層構造または多層構造によっても形成されうる。一実施形態において、画素電極３１０は、反射型電極として、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造を含んでもよい。

前記対向電極３３０がカソード電極の機能を行う場合、前記対向電極３３０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、ＬｉまたはＣａの金属によって形成されうる。有機発光表示装置が前面発光型である場合、前記対向電極３３０は、光透過が可能になるように具備されなければならない。一実施形態において、前記対向電極３３０は、透明伝導性金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＴＯ（
zinc tin oxide
）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などを含んで具備されてもよい。

他の実施形態において、前記対向電極３３０は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇまたはＹｂのうちから選択される少なくとも１つの物質を含む薄膜で形成することができる。例えば、対向電極３３０は、Ｍｇ：Ａｇ、Ａｇ：Ｙｂ及び／またはＡｇが単一層構造または積層構造に形成されうる。

図６及び図７に図示されているように、画素電極３１０の下方には、多様な配線が重ねられて配置されており、このような配線により、その上に構成された絶縁層１４０及び／または画素電極３１０などが平坦ではなく、段差が発生しうる。すなわち、該配線により、その上部に構成された絶縁層１４０及び／または画素電極３１０などに、垂直方向への屈曲が発生しうる。

このような配線による段差の影響、または配線の位置に依存する影響を最小化させるために、本発明の実施形態においては、発光領域である、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈの中心点ＣＰを、基準配線が通過するようにし、該基準配線を中心に、左右に追加配線が配置されるようにし、発光領域内部において、左右の対称性を確保している。

一方、本発明の実施形態において、画素定義膜１５０の開口部１５０ｈは、画素電極３１０の一側に偏って形成されているが（Ｌ１＜Ｌ２）、それは、画素電極３１０と、第１ゲート電極及び／または第２ゲート電極との間に発生しうる寄生キャパシタンスを、各画素に均一に確保するためである。

図８は、本発明による実施形態と比較するための比較例を示す。

図８を参照すれば、赤色画素Ｒ’及び青色画素Ｂ’の開口部の中心点ＣＰには、基準配線である第１コンタクト配線ＣＭ１が通過しているが、基準配線である第１コンタクト配線ＣＭ１の一側及び他側に配置された追加配線の数は、同一ではない。

赤色画素Ｒ’の場合、基準配線の左側に、１本の追加配線として、駆動電圧線２６が配置されており、基準配線の右側には、追加配線が配置されていない。

青色画素Ｂ’の場合、基準配線である第１コンタクト配線ＣＭ１の左側に、２本の追加配線であるデータ線１６、駆動電圧線２６が配置されており、基準配線の右側には、追加の配線が配置されていない。

緑色画素Ｇの場合、開口部の中心点ＣＰに、基準配線が配置されていない。

また、各画素Ｒ’，Ｇ’，Ｂ’の開口部１５０ｈ’は、第２方向に沿って、画素電極３１０の一側に偏って配置されるものではない。すなわち、開口部１５０ｈ’の中心点ＣＰを通過しながら第２方向に延長される仮想の基準線ＶＬを想定したしたならば、この基準線ＶＬ上における、画素電極３１０の縁の点と、これに対応する開口部１５０ｈ’の縁の点との間の距離Ｌ１’，Ｌ２’が、開口部１５０ｈ’の中心点ＣＰを基準に、左側と右側とで互いに実質的に同一である。すなわち、開口部１５０ｈ’の中心点ＣＰを基準に、右側における、画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との間の距離Ｌ２’が、左側における、画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との間の距離Ｌ１’と、同一であるものとして図示されている（Ｌ１’＝Ｌ２’）。

図９は、本発明の実施形態と比較例とにおける、色相別の輝度比、及び白色光の色座標を示している。

図９のＲ＿４５゜、Ｇ＿４５゜、Ｂ＿４５゜は、それぞれ、正面（垂直方向）から見た場合の輝度に対する、垂直方向に対し左右に４５°傾斜した方向から測定した場合の、赤色、緑色、及び青色に対する輝度の比を示す。すなわち、正面から測定した輝度を１００％と仮定するときにおける、赤色、緑色、及び青色についての輝度の比を意味する。本発明の実施形態の場合、赤色、緑色、及び青色について、４５゜傾斜方向から測定した輝度の比が、それぞれ４４．９％、４１．２％、３７．５％となり、いずれも比較例の輝度比より上昇することが分かる。

一方、図９のＷ＿ｘ、及びＷ＿ｘ’は、ＣＩＥ １９３１色座標系のｘ値を示している。Ｗ＿ｘは、正面から測定した白色光のｘ座標を意味し、Ｗ＿ｘ’は、４５°傾斜方向から測定した白色光のｘ座標を意味する。ｘ座標に変化があるというのは、赤色に対する影響があるということを意味する。△ｘは、Ｗ＿ｘ’−Ｗ＿ｘ値であり、正面からと、左右の傾斜方向からとの間での色座標値の変化を意味する。

比較例の場合、色座標のｘ値が、正面から見た場合と、左右の傾斜方向から見た場合とで変化しているが、本実施形態の場合、色座標のｘ値が変化しないということが分かる。すなわち、本発明の実施形態によると、各画素における左右の傾斜方向での輝度の改善だけではなく、カラーシフト現象も低減させうるということが分かる。

図１０は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の画素ＰＸにおいて、有機発光素子における画素電極３１０、及び、発光領域を画定する画素定義膜１５０の開口部１５０ｈの配置、及び、開口部１５０ｈと、これに重ねられて配置される配線との間の位置関係について説明するための概略的な平面図である。

図１０を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含み、各画素は、有機発光素子ＯＬＥＤ、開口部１５０ｈによって発光領域を画定する画素定義膜１５０、及び、基準配線に対応する駆動電圧線２６を含む。該複数の画素は、複数の赤色画素Ｒ、複数の緑色画素Ｇ、及び複数の青色画素Ｂを含んでもよい。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂのうちの一部だけに、開口部１５０ｈの中心点ＣＰと重ねられて配置される基準配線が配置され、基準配線の一側に配置された追加配線の数と、基準配線の他側に配置された追加配線の数は、同一でありうる。ここで、該追加配線は、開口部１５０ｈと重ねられて配置される配線を意味する。

図１０を参照すれば、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂの場合、開口部１５０ｈの中心点ＣＰと重ねられて配置される基準配線が配置され、基準配線の一側に配置された追加配線の数と、基準配線の他側に配置された追加配線の数は、同一である。

すなわち、緑色画素Ｇを通過する駆動電圧線２６を基準として、一側に配置された配線の数と、他側に配置された配線の数は、いずれも「０」であり、同一の数の配線が配置されているといえる。

青色画素Ｂの開口部１５０ｈの内部には、青色画素Ｂの基準配線である駆動電圧線２６の左右両側に、それぞれ、追加配線として、データ線１６及び第１コンタクト配線ＣＭ１が配置されている。駆動電圧線２６の一側（左側）に配置された配線の数と、駆動電圧線２６の他側（右側）に配置された配線の数は、いずれも「１」であり、同一の数の配線が配置されている。

このように、基準配線の左右両側に追加の配線が配置される場合、該追加配線は、基準配線の一側に配置された第１追加配線と、基準配線の他側に配置された第２追加配線とから構成され、該第１追加配線と基準配線との間の最短の離隔間隔と、該第２追加配線と基準配線との間の最短の離隔間隔との差は、１μｍ以内となるようにに配置される。すなわち、該第１追加配線と該第２追加配線は、それぞれ基準配線を中心に、対称的であるか、または互いに類似した隔離距離をなすように配置されうる。

赤色画素Ｒの場合、基準配線である第１コンタクト配線ＣＭ１の左側に、１本の追加配線として駆動電圧線２６’が配置されており、基準配線の右側には、追加配線が配置されていない。

一方、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂの開口部１５０ｈは、第１方向と垂直である第２方向に沿って、画素電極３１０の一側（左側）に偏って形成される。一方、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈは、第２方向に沿って、画素電極３１０の一側に偏って形成されていない。

すなわち、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂの場合、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを通過しながら第２方向に延長される仮想の基準線ＶＬを想定したしたならば、この基準線ＶＬ上における、画素電極３１０の縁の点と、これに対応する開口部１５０ｈの縁の点との間の距離Ｌ１，Ｌ２が、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを基準に、左側と右側とで互いに異なるように形成される。図面では、右側でのＬ２が左側でのＬ１よりも長いものとして図示されている。すなわち、開口部１５０ｈの中心点ＣＰを基準に、右側における画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との距離Ｌ２が、左側における画素電極の縁の点と、開口部の縁の点との距離Ｌ１より長く形成されたものとして図示されている。

赤色画素Ｒの場合、開口部１５０ｈ’の中心点ＣＰを通過しながら第２方向に延長される仮想の基準線ＶＬを想定したしたならば、この基準線ＶＬ上における、画素電極３１０の縁の点と、これに対応する開口部１５０ｈ’の縁の点との間の距離Ｌ１’，Ｌ２’が、開口部１５０ｈ’の中心点ＣＰを基準に、実質的に同一に形成される。

図１０に示す本実施形態において、赤色画素Ｒは、図８の比較例の赤色画素と同一の構造を有し、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂは、図６の実施形態と同一の構造を有する。図１０の実施形態は、図９のデータに基づくならば、赤色画素、緑色画素、及び青色画素の相互間における、正面から見た輝度に対する４５°傾斜方向からの輝度の比についての差を最小化させるための構成でありうる。

図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置において、それぞれ互いに異なる位置に配置された、第１画素領域Ｒ１（図１）の一部の画素、及び、第２画素領域Ｒ２（図１）の一部の画素を、それぞれ示している。

図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すれば、第１画素領域Ｒ１及び第２画素領域Ｒ２において、緑色画素Ｇの場合は、開口部１５０ｈの内部に、開口部１５０ｈの中心点ＣＰと重ねられて配置される基準配線が配置され、基準配線の一側に配置された配線の数と、基準配線の他側に配置された配線の数は、同一である。また、第１画素領域Ｒ１及び第２画素領域Ｒ２において、緑色画素Ｇの開口部１５０ｈは、第１方向と垂直である第２方向に沿って、画素電極３１０の一側に偏って形成される。このような、緑色画素Ｇの構造は、第１画素領域Ｒ１及び第２画素領域Ｒ２だけではなく、有機発光表示装置のディスプレイ領域の全般にわたって反映される。

しかし、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂは、第１画素領域Ｒ１と第２画素領域Ｒ２とにおいて、互いに異なる構造を有することができる。一実施形態において、第１画素領域Ｒ１と第２画素領域Ｒ２は、第２方向に沿って延長された１本の直線上に配置され、第１画素領域Ｒ１は、有機発光表示装置のディスプレイ領域において、左側に配置され、第２画素領域Ｒ２は、右側に配置されてもよい。

第１画素領域Ｒ１において、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈは、対応する画素電極３１０Ｒの領域中、左側に偏って形成されている。また、青色画素Ｂの開口部１５０ｈも、対応する画素電極３１０Ｂの領域中、左側に偏って形成されている。（Ｌ１＜Ｌ２）

第２画素領域Ｒ２において、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈは、対応する画素電極３１０Ｒの領域中、右側に偏って形成されている。また、青色画素Ｂの開口部１５０ｈも、対応する画素電極３１０Ｂの領域中、右側に偏って形成されている。（Ｌ１＞Ｌ２）

本実施形態において、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈ、及び青色画素Ｂの開口部１５０ｈが、画素電極３１０の左側または右側に偏った程度は、ディスプレイ領域の位置によって変化するのでありうる。例えば、画素領域が第２方向に沿って、左側から右側に行くほどＬ１の値が漸進的に増大するのでありうる。

しかし、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、第１画素領域Ｒ１において、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈは、対応する画素電極３１０Ｒの領域中にて右側に偏って形成され、第２画素領域Ｒ２において、赤色画素Ｒの開口部１５０ｈは、対応する画素電極３１０Ｒの領域中にて左側に偏って形成されるなど、多様な変形が可能である。

本実施形態において、緑色画素Ｇの場合は、画素領域内での位置に関わらず、開口部１５０ｈ内の配線の配置を均一に維持するが、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂの場合は、画素領域の位置に応じて、開口部１５０ｈ内の配線の配置を調節している。このような調節により、有機発光表示装置における右側ＷＡＤ（右側の傾斜方向から見た白色表示の傾斜角依存性）と左側ＷＡＤ（左側の傾斜方向から見た白色表示の傾斜角依存性）との間の差を最小化させることができる。

以上、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照にして説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野で当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。

本発明の好ましい実施形態によると、有機発光表示装置(OLED)において、左右の斜め方向から見た場合に、色相がずれてしまうカラーシフト現象を軽減または防止すべく、特には、画素間での表示特性の差を小さくしつつ、左右の斜め方向から見た場合の色相のずれを小さくすべく、下記(i)〜(ii)を前提として、下記Ａを実現するようにする。

(i) データ線、及び、これに並行に延びる配線が、最上層の絶縁膜を挟んで、各画素電極と重ねられる。
(ii) 画素定義膜により形成される各画素開口が、対応する画素電極における内側の領域（縁部以外の領域）に形成される。

Ａ 表示領域中の少なくとも一部における、少なくとも一部の原色の画素にて、
画素開口に重なる領域中にて、画素電極と、絶縁層を挟んで重ねられる配線との間に生ずる寄生キャパシタンスが、各画素別に近づくようにする。

上記Ａを実現するためには、下記Ｂにより、下記Ｃ及びＤを実現する。

Ｂ 画素開口の位置を、対応する画素電極の領域中にて、左右のいずれかに偏らせる。
Ｃ 画素開口の中心と、データ線と同一層のいずれかの配線（「基準配線」）の中心線とが、ほぼ一致するようにする。
Ｄ 画素開口の領域中、画素開口の中心と重なる上記配線（「基準配線」）の左右には、データ線と同一層のいずれかの配線が、１本ずつ（または２本ずつ）存在するか、または、存在しない。

本発明の有機発光表示装置は、例えば、画像表示関連の技術分野に効果的に適用可能である。

１０ 表示部
１４ 第１走査線
１５ 発光制御線
１６ データ線
２２ 初期化電圧線
２４ 第２走査線
２６ 駆動電圧線
３０ データ駆動部
４０ 発光制御駆動部
５０ 制御部
５１〜５７ 第１コンタクトホールないし第７コンタクトホール
１１０ 基板
１１１ バッファ層
１３０ 層間絶縁膜
１４０ 絶縁層
１５０ 画素定義膜
１５０ｈ 開口部
３１０ 画素電極
３２０ 中間層
３３０ 対向電極
ＯＬＥＤ 有機発光素子

Claims (20)

1. 複数の画素を含む有機発光表示装置において、
   前記複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、
   画素電極、有機発光層及び対向電極を具備する有機発光素子と、
   前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の一部を露出させる開口部を有することで発光領域を画定する画素定義膜と、
   前記画素電極に、絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された基準配線と、を含み、
   前記基準配線は、前記開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、
   前記開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記画素電極の一側に偏って配置された有機発光表示装置。
2. 前記開口部と重なるように配置され、前記基準配線と同一の層に配置され、前記基準配線の一側に配置された配線の数は、前記基準配線の他側に配置された配線の数と同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記複数の画素は、赤色画素、緑色画素、及び青色画素を含み、
   前記の赤色画素及び緑色画素についての前記開口部には、前記基準配線の両側に、それぞれ第１追加配線及び第２追加配線が、前記基準配線と同一の層に配置され、
   前記緑色画素についての前記開口部には、前記基準配線だけが配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
4. 前記基準配線は、各画素に駆動電圧を伝達する駆動電圧線であり、
   前記第１追加配線は、各画素にデータ信号を伝達するデータ線であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記複数の画素の各画素は、
   基板上に具備され、駆動ゲート電極を含む駆動薄膜トランジスタをさらに含み、
   前記画素電極の少なくとも一部は、前記駆動ゲート電極と重ねられて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
6. 前記複数画素の各画素は、
   前記駆動薄膜トランジスタと重なるように配置され、第１電極及び第２電極を具備するストレージキャパシタをさらに含み、
   前記第１電極は、前記駆動ゲート電極と一体に形成されたことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
7. 前記駆動薄膜トランジスタは、前記駆動ゲート電極の下方に具備されて、第１ゲート絶縁膜によって絶縁される駆動半導体層を含み、
   前記第１電極と前記第２電極との間には、第２ゲート絶縁膜が具備されたことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
8. 前記第２電極は、前記基準配線と、コンタクトホールを介して連結されたことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
9. 複数の画素を含む有機発光表示装置において、前記複数の画素は、互いに異なる色を出す複数の第１画素、複数の第２画素及び複数の第３画素を含み、
   前記複数の第１画素のうち、少なくとも１つの画素は、
   第１画素電極、第１有機発光層及び第１対向電極を具備する第１有機発光素子と、
   前記第１画素電極のエッジを覆い、前記第１画素電極の一部を露出させる第１開口部を有して発光領域を画定する第１画素定義膜と、
   前記第１画素電極に、絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された第１基準配線と、を含み、
   前記第１基準配線は、前記第１開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、
   前記第１開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第１画素電極の一側に偏って配置された有機発光表示装置。
10. 前記第１開口部と重なるように配置され、前記第１基準配線と同一の層に配置されて、前記第１基準配線の一側に配置された配線の数は、前記第１基準配線の他側に配置された配線の数と同一であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
11. 前記複数の第２画素のうち、少なくとも１つの画素は、
    第２画素電極、第２有機発光層及び第２対向電極を具備する第２有機発光素子と、
    前記第２画素電極のエッジを覆い、前記第２画素電極の一部を露出させる第２開口部を有することで発光領域を画定する第２画素定義膜と、
    前記第２画素電極に、絶縁層を挟んで重ねられて配置され、第１方向に沿って延長された第２基準配線と、を含み、
    前記第２基準配線は、前記第２開口部の中心点ＣＰと重なるように配置され、
    前記第２開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第２画素電極の一側に偏って配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
12. 前記複数の第１画素は、緑色を具現し、前記複数の第２画素は、青色を具現することを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置。
13. 前記複数の第１画素の前記第１開口部には、前記第１基準配線だけが配置され、
    前記複数の第２画素の前記第２開口部には、前記第２基準配線の両側に、それぞれ第１追加配線及び第２追加配線が、配置されたことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置。
14. 前記複数の第２画素のうち、少なくとも１つの画素は、
    第２画素電極、第２有機発光層及び第２対向電極を具備する第２有機発光素子と、
    前記第２画素電極のエッジを覆い、前記第２画素電極の一部を露出させる第２開口部を有して発光領域を画定する第２画素定義膜と、を含み、
    前記第２開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第２画素電極の一側に偏って配置されるのであり、前記第２開口部が前記第２画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第２画素のそれぞれの位置によって異なることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
15. 前記第２開口部が前記第２画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第２画素が、それぞれ第２方向に沿って配置された位置によって、漸進的に変化することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
16. 前記複数の第３画素のうち、少なくとも１つの画素は、
    第３画素電極、第３有機発光層及び第３対向電極を具備する第３有機発光素子と、
    前記第３画素電極のエッジを覆い、前記第３画素電極の一部を露出させる第３開口部を有することで発光領域を画定する第３画素定義膜と、を含み、
    前記第３開口部は、前記第１方向と垂直である第２方向に沿って、前記第３画素電極の一側に偏って配置されるのであり、前記第３開口部が前記第３画素電極の一側に偏った程度は、前記複数の第３画素のそれぞれの位置によって異なることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
17. 前記複数の第２画素は、赤色を具現し、前記複数の第３画素は、青色を具現することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置。
18. 前記複数画素それぞれは、基板上に具備され、駆動ゲート電極を含む駆動薄膜トランジスタをさらに含み、
    前記第１画素電極の少なくとも一部は、前記駆動ゲート電極と重なるようにて形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
19. 前記複数画素の各画素は、
    前記駆動薄膜トランジスタと重なるように配置され、第１電極及び第２電極を具備するストレージキャパシタをさらに含み、
    前記第１電極は、前記駆動ゲート電極と一体に形成されたことを特徴とする請求項１８に記載の有機発光表示装置。
20. 前記駆動薄膜トランジスタは、前記駆動ゲート電極の下方に具備され、第１ゲート絶縁膜によって絶縁される駆動半導体層を含み、
    前記第１電極と前記第２電極との間には、第２ゲート絶縁膜が具備されたことを特徴とする請求項１９に記載の有機発光表示装置。

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