JP2018197729A - 圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】センサチップに伝わる振動によってセンサチップが破損してしまうことを防止することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】防振部１７０は、センサチップ１５０のうちモールド樹脂部１４０から露出している露出部１６４と圧力導入部１１１の内壁面１１８との間に配置されている。また、防振部１７０は、露出部１６４がモールド樹脂部１４０の一端部１４１から突出する突出方向において少なくとも露出部１６４の全体に対応した長さの筒状に構成されている。そして、防振部１７０は、測定対象である油３００からハウジング１１０及びモールド樹脂部１４０を介して伝わる振動あるいは油３００を介して伝わる振動を減衰（吸収）あるいは反射する。これにより、振動がセンサチップ１５０に伝わりにくくなるので、振動によってセンサチップ１５０が破損してしまうことを防止することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧力センサに関する。

従来より、圧力を検出するゲージチップが固定されたゲージケースと、ゲージケースに固定されていると共に取付対象に固定される取付用アダプタと、を備えた圧力センサが、例えば特許文献１で提案されている。

ゲージチップは、中心部に孔の開いたガラス台座に接合された状態でゲージケースに固定されている。また、ゲージケースは、ゲージチップに圧力媒体である測定対象を導入するための圧力導入パイプと導入孔を有している。

取付用アダプタは、ゲージケースの圧力導入パイプに接続されている。また、取付用アダプタは、導入孔に繋がる衝撃波緩衝用オフセット導入孔を有している。これにより、測定対象は、衝撃波緩衝用オフセット導入孔、導入孔、及びガラス台座を介してゲージチップの受圧面に到達する。

特開２００７−４６９２３号公報

上記従来の技術では、ゲージチップがガラス台座に接合された構成になっている。そこで、ゲージチップを一つのウェハレベルパッケージのセンサチップとして構成することが考えられる。この場合、センサチップは受圧面が露出するように保持されると共に、圧力導入孔内に位置するように配置される。

しかしながら、振動が測定対象に加わると、その振動が圧力センサを構成するケース等の部材を介してセンサチップに伝わってしまう、あるいは圧力導入孔内において振動が液体等の測定対象を介して圧力波として伝わってしまう。センサチップは脆性材料である半導体材料によって形成されているので、センサチップに伝わる振動によってセンサチップが破損してしまう可能性がある。

本発明は上記点に鑑み、センサチップに伝わる振動によってセンサチップが破損してしまうことを防止することができる圧力センサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、圧力センサは、ウェハレベルパッケージとして複数の層（１５２〜１５６）が積層されて構成された板状の積層基板（１５７）と、複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象（３００）の圧力が印加されるダイヤフラム（１５８）と、ダイヤフラムに設けられた圧力検出部（１５１）と、を有し、ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を圧力検出部から出力するセンサチップ（１５０）を備えている。

圧力センサは、一端部（１４１）と、一端部とは反対側の他端部（１４２）と、を有し、センサチップのうち圧力検出部に対応する部分が露出するように、一端部にセンサチップの一部を封止したモールド樹脂部（１４０）を備えている。

圧力センサは、圧力導入孔（１１２）が形成されていると共に取付対象（２００）に固定される圧力導入部（１１１）を有し、センサチップの圧力検出部が圧力導入孔に位置するようにモールド樹脂部の他端部を保持する保持部（１１０、１２０、１３０）を備えている。

さらに、圧力センサは、センサチップのうちモールド樹脂部から露出している露出部（１６４）と圧力導入部の内壁面（１１８）との間に配置され、露出部がモールド樹脂部の一端部から突出する突出方向において少なくとも露出部の全体に対応した長さに構成され、取付対象から保持部及びモールド樹脂部を介して伝わる振動あるいは測定対象を介して伝わる振動を吸収あるいは反射する防振部（１７０）を備えている。

これによると、振動がセンサチップに到達するまでに防振部によって吸収あるいは反射されるので、センサチップに振動が伝わりにくくなる。したがって、センサチップに伝わる振動によってセンサチップが破損してしまうことを防止することができる。

なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る圧力センサの一部断面図である。 センサチップの一部断面図である。 圧力センサに印加される衝撃（加速度）と、センサチップの検出値（圧力値）の最大ピーク値と最小ピーク値と、の差との相関関係を示した図である。 防振部が設けられていない比較例に衝撃を加えたときのサージ圧とその周波数特性を示した図である。 防振部が設けられた圧力センサに衝撃を加えたときのサージ圧とその周波数特性を示した図である。 本発明の第２実施形態に係る圧力センサの断面図である。 本発明の第３実施形態に係る圧力センサの断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力センサは、測定対象の圧力を検出可能に構成されたものである。圧力センサは取付対象として例えば配管に固定され、配管内の測定対象の圧力を検出する。測定対象は、例えば油である。

図１に示されるように、圧力センサ１００は、ハウジング１１０、成形樹脂部１２０、ポッティング樹脂部１３０、モールド樹脂部１４０、センサチップ１５０、及び防振部１７０を備えている。

ハウジング１１０は、ＳＵＳ等の金属材料が切削等により加工された中空形状の金属製ケースである。ハウジング１１０は、一端側に配管２００に固定される圧力導入部１１１を有している。圧力導入部１１１には圧力導入孔１１２が形成されている。圧力導入孔１１２はハウジング１１０の他端側に形成された開口部１１３に連通している。ハウジング１１０の開口部１１３は周壁１１４に囲まれることで構成されている。

また、圧力導入部１１１の外周面には、配管２００にネジ結合可能な雄ネジ部１１５が形成されている。ハウジング１１０は、配管２００の肉厚部２１０に設けられた貫通ネジ穴２２０に固定される。配管２００は、測定対象である油３００で満たされている。

さらに、ハウジング１１０は、圧力導入部１１１の先端部分にディフューザ１１６を有している。ディフューザ１１６は、配管２００の肉厚部２１０から配管２００の中空部分に突出する部分であり、複数の孔１１７が設けられている。そして、ディフューザ１１６は、複数の孔１１７のいずれかを介して油３００を圧力導入孔１１２に導く役割を果たす。

成形樹脂部１２０は、圧力センサ１００と外部装置とを電気的に接続するためのコネクタを構成する部分である。成形樹脂部１２０は、例えばＰＰＳ等の樹脂材料で形成されており、一端側がハウジング１１０の開口部１１３に固定される固定部１２１として形成され、他端側がコネクタ部１２２として形成されている。

また、成形樹脂部１２０は、センサチップ１５０の圧力検出部１５１が圧力導入孔１１２に位置するように、モールド樹脂部１４０の他端部１４２を封止してモールド樹脂部１４０の他端部１４２を保持している。そして、成形樹脂部１２０は、固定部１２１がＯリング１２３を介してハウジング１１０の開口部１１３に嵌め込まれた状態で、ハウジング１１０の周壁１１４の端部が当該固定部１２１を押さえるようにかしめ固定されている。

ポッティング樹脂部１３０は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成されており、成形樹脂部１２０の固定部１２１に設けられた凹部１２４に充填されている。ポッティング樹脂部１３０は、油３００からモールド樹脂部１４０の一部をシール・保護する役割を果たす。

モールド樹脂部１４０は、センサチップ１５０を保持する柱状の部品である。モールド樹脂部１４０は、一端部１４１と、一端部１４１とは反対側の他端部１４２と、を有している。モールド樹脂部１４０は、センサチップ１５０のうち圧力検出部１５１に対応する部分が露出するように、一端部１４１にセンサチップ１５０の一部を封止している。

また、モールド樹脂部１４０は、図示しないリードフレームや回路チップ等の電子部品、及びターミナル１４３の一部を封止している。

回路チップは、メモリ等の半導体集積回路が形成されたＩＣチップである。回路チップは、半導体基板等を用いて形成されている。回路チップは、センサチップ１５０への電源（定電流）の供給、センサチップ１５０から圧力信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて圧力信号の信号処理を行う。信号処理値とは、各信号の信号値を増幅や演算等するための調整値である。回路チップは、図示しないボンディングワイヤによってリードフレームを介してセンサチップ１５０等と電気的に接続されている。

ターミナル１４３は、外部との電気的接続を行うための部品である。ターミナル１４３の一端側はモールド樹脂部１４０に封止され、他端側はコネクタ部１２２に露出するようにモールド樹脂部１４０にインサート成形されている。

センサチップ１５０は、油３００の圧力を検出する電子部品である。センサチップ１５０は、例えば銀ペースト等でリードフレームに実装されている。

図２に示されるように、センサチップ１５０は、複数の層１５２〜１５６が積層されて構成された板状の積層基板１５７を有して構成されている。複数の層１５２〜１５６は、ウェハレベルパッケージとして複数のウェハが積層され、半導体プロセス等で加工された後、センサチップ１５０毎にダイシングカットされる。

複数の層１５２〜１５６は、第１層１５２、第２層１５３、第３層１５４、第４層１５５、及び第５層１５６が積層されて構成されている。例えば、第１層１５２、第２層１５３、及び第３層１５４によってＳＯＩ基板が構成され、第４層１５５及び第５層１５６によってキャップ基板が構成されている。

第２層１５３及び第３層１５４は、薄肉状のダイヤフラム１５８として構成されている。第３層１５４は例えばシリコン等の半導体層であり、複数のゲージ抵抗１５９が形成されている。各ゲージ抵抗１５９は、第３層１５４に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。各ゲージ抵抗１５９はダイヤフラム１５８の上に形成された薄膜抵抗として構成されていても良い。なお、第３層１５４には、各ゲージ抵抗１５９に接続された図示しない配線部やパッド等も形成されている。

各ゲージ抵抗１５９は、ダイヤフラム１５８の歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子である。各ゲージ抵抗１５９は、ホイートストンブリッジ回路を構成するように電気的に接続されている。ホイートストンブリッジ回路は、回路チップから定電流の電源が供給される。これにより、各ゲージ抵抗１５９のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム１５８の歪みに応じた電圧をセンサ信号として検出することができる。

具体的には、センサチップ１５０は、ダイヤフラム１５８の歪みに応じた複数のゲージ抵抗１５９の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路の中点電圧の変化として検出し、当該中点電圧を圧力信号として出力する。

また、第１層１５２は、ダイヤフラム１５８のうち各ゲージ抵抗１５９が設けられたセンシング領域に対応する開口部１６０を有する。これにより、ダイヤフラム１５８のセンシング領域が第１層１５２の開口部１６０に露出する。測定対象である油３００の圧力は、この開口部１６０に露出するダイヤフラム１５８の受圧面１６１に印加される。

一方、第４層１５５及び第５層１５６は、ダイヤフラム１５８のセンシング領域に対応した部分が凹んだ凹部１６２を有する。この凹部１６２は、第３層１５４、第４層１５５、及び第５層１５６が積層されることで密閉された空間部１６３を構成している。空間部１６３は、例えば真空室になっている。したがって、センサチップ１５０によって測定される圧力は絶対圧である。

なお、第１層１５２は例えば半導体基板であり、第２層１５３及び第４層１５５は例えば絶縁層である。第５層１５６は、半導体基板やガラス基板等で構成されている。

そして、図１に示されるように、センサチップ１５０は、ダイヤフラム１５８すなわち受圧面１６１が露出するようにモールド樹脂部１４０の一端部１４１に封止されている。

防振部１７０は、配管２００からハウジング１１０やモールド樹脂部１４０等を介して伝わる振動あるいは油３００を介して伝わる振動を吸収あるいは反射するための部品である。防振部１７０は、圧力導入部１１１及び測定対象である油３００と音響インピーダンスが異なる金属材料、樹脂材料、及びゴム材料のいずれかの材料で形成されている。

防振部１７０は、センサチップ１５０のうちモールド樹脂部１４０から露出している露出部１６４と圧力導入部１１１の内壁面１１８との間に配置されている。また、防振部１７０は、センサチップ１５０の露出部１６４に接触しないように露出部１６４に対して隙間１８０を持って配置されている。防振部１７０がセンサチップ１５０に接触していると、振動が防振部１７０からセンサチップ１５０に直接伝達してしまうが、隙間１８０によって振動が直接伝達することを防止することができる。

また、防振部１７０は、圧力導入孔１１２の内壁面１１８に接触しないように内壁面１１８に対して隙間１８１を持って配置されている。これにより、防振部１７０が圧力導入部１１１から直接加振されることを防止し、圧力波の伝搬を抑えることができる。

本実施形態では、防振部１７０は、円筒状に構成されている。例えば、防振部１７０は、一方の開口部分がモールド樹脂部１４０に差し込まれることでモールド樹脂部１４０に固定されている。モールド樹脂部１４０に対する防振部１７０の固定方法は、圧入、接着剤、引っ掛け等の嵌合構造等で行われる。防振部１７０の固定方法は、防振部１７０の素材から決定すれば良い。防振部１７０は、ハウジング１１０に固定されていても良い。なお、油３００は防振部１７０の他方の開口部分からセンサチップ１５０の受圧面１６１に到達する。

また、防振部１７０は、センサチップ１５０の露出部１６４がモールド樹脂部１４０の一端部１４１から突出する突出方向において少なくとも露出部１６４の全体に対応した長さに構成されている。本実施形態では、防振部１７０は突出方向において、露出部１６４以上の長さになっており、突出方向に垂直な方向に露出部１６４を完全に覆っている。

圧力センサ１００の製造方法としては、まず、センサチップ１５０等の電子部品をリードフレームに実装し、センサチップ１５０の一部及びターミナル１４３の一部をモールド樹脂部１４０で封止する。また、モールド樹脂部１４０を成形金型に設置し、成形樹脂部１２０を樹脂成型する。さらに、成形樹脂部１２０の凹部１２４にポッティング樹脂部１３０を充填する。この後、防振部１７０をモールド樹脂部１４０の一端部１４１側に差し込んで固定する。

続いて、ハウジング１１０を用意し、モールド樹脂部１４０をハウジング１１０の圧力導入孔１１２に通し、Ｏリング１２３を咬ませて成形樹脂部１２０の固定部１２１をハウジング１１０の開口部１６０に配置する。そして、ハウジング１１０の周壁１１４の端部で固定部１２１をかしめ固定する。こうして、圧力センサ１００が完成する。

次に、防振部１７０の作用効果について説明する。発明者らは、図１に示された圧力センサ１００の構成が受ける衝撃に対して、防振部１７０による振動抑制の効果を調べた。比較例として、図１に示された圧力センサ１００に防振部１７０が設けられていない構成においてセンサチップ１５０が受ける衝撃を調べた。

ここで、防振部１７０として、シリコンゴムで形成されたものを用いた。また、液体の測定対象として、油３００を用いた。衝撃は、衝撃印加装置によって取付対象である配管２００に印加した。振動は、配管２００や圧力センサ１００のハウジング１１０等を介してセンサチップ１５０に伝わったり、油３００を介して圧力波として伝わる。

まず、発明者らは、圧力センサ１００及び比較例に印加される衝撃すなわち加速度に対してセンサチップ１５０の圧力値（サージ圧）の最大ピーク値と最小ピーク値との差を調べた。つまり、ピーク値の差はセンサチップ１５０が受ける衝撃の大きさに対応するので、ピーク値あるいはピーク値の差は小さいほど良い。この調査結果を図３に示す。

図３に示されるように、防振部１７０が設けられていない比較例よりも本実施形態に係る圧力センサ１００の圧力値が小さくなった。油３００が正圧の場合及び負圧の場合の両方で同様の結果となった。したがって、防振部１７０によるサージ圧の抑制効果が発揮されたと言える。また、センサチップ１５０に印加される衝撃が大きくなるほど防振部１７０の効果が高くなっている。

また、発明者らは、比較例及び圧力センサ１００に衝撃（加速度）を印加したときのサージ圧の周波数特性を調べた。その結果を図４及び図５に示す。なお、図４及び図５の（ａ）は衝撃の時間特性、（ｂ）は衝撃の周波数特性、（ｃ）はセンサチップ１５０の圧力値（サージ圧）の時間特性、（ｄ）はセンサチップ１５０の圧力値（サージ圧）の周波数特性をそれぞれ示している。周波数特性は時間特性に示された時間範囲内での周波数分析結果である。

比較例に対して図４（ａ）に示された衝撃（加速度）が加えられた場合、図４（ｂ）の破線で囲まれた部分に示されるように、衝撃の周波数特性にはサージ圧の元となる振動が含まれる。そして、図４（ｃ）に示されたサージ圧が高周波ノイズとしてセンサチップ１５０で検出された。このサージ圧の波形は、図４（ａ）の衝撃の波形に類似している。

また、図４（ｄ）に示されるように、サージ圧には、サージ圧の元となる振動と同じ周波数成分が含まれていた。つまり、配管２００の衝撃がセンサチップ１５０に伝わり、サージ圧（ノイズ）として検出されたと言える。センサチップ１５０は半導体材料で構成されているので、振動によってセンサチップ１５０が破損する可能性がある。

一方、本実施形態に係る圧力センサ１００に対して図５（ａ）に示された衝撃（加速度）が加えられた場合、上記と同様に、図５（ｂ）の破線で囲まれたサージ圧の元となる振動が含まれる。しかしながら、図５（ｃ）に示されるように、センサチップ１５０に加わるサージ圧は時間の経過と共に減衰した。これに伴い、図５（ｄ）に示されるように、圧力値の周波数特性には特徴的なピークが現れていない。図５（ｂ）と図５（ｄ）の周波数特性を比較すると、サージ圧の元となる振動のピークが減衰していることがわかる。

防振部１７０がシリコンゴムの場合は振動を減衰させる作用が高いので、サージ圧の元となる振動がセンサチップ１５０に到達するまでに、防振部１７０によって振動を減衰させることができた。測定対象が油３００の場合、シリコンゴムの防振部１７０と油３００との音響インピーダンスが近いため、圧力波の一部が防振部１７０を透過するが、サージ圧である高い周波数の振動は防振部１７０によって減衰しており、上記のように一定の効果が認められた。

なお、防振部１７０が金属材料で形成されている場合、音響インピーダンスがシリコンゴムより大きいため、圧力波が防振部１７０の表面で反射されてより大きな効果が期待できる。

以上説明したように、振動がセンサチップ１５０に到達するまでに振動が防振部１７０によって減衰（吸収）あるいは反射されるので、センサチップ１５０に振動が伝わりにくくなる。したがって、センサチップ１５０に伝わる振動によってセンサチップ１５０が破損してしまうことを防止することができる。

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ハウジング１１０、成形樹脂部１２０、及びポッティング樹脂部１３０が特許請求の範囲の「保持部」に対応する。また、配管２００が特許請求の範囲の「取付対象」に対応し、油３００が特許請求の範囲の「測定対象」に対応する。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、防振部１７０は、圧力導入孔１１２の内壁面１１８との間に配置された別の防振部１９０を有している。別の防振部１９０は、防振部１７０と圧力導入孔１１２の内壁面１１８との間の隙間１８１に埋められている。また、別の防振部１９０は、防振部１７０とは音響インピーダンスが異なっている。

さらに、圧力導入部１１１の内壁面１１８側の防振部１７０の音響インピーダンスは、センサチップ１５０の露出部１６４側の別の防振部１９０の音響インピーダンスよりも大きくなっている。音響インピーダンスの違いは、サージ圧の元となる振動の抑制方法の違いである。

例えば、防振部１７０は振動を反射する金属材料で形成され、別の防振部１９０は振動を減衰（吸収）するシリコンゴムで形成されている。この場合、外側に位置する別の防振部１９０で振動の一部が減衰し、別の防振部１９０で吸収しきれなかった振動を防振部１７０が反射する。これにより、センサチップ１５０に振動が到達することを阻止できる。以上のように、防振部１７０は複数で構成されていても良い。なお、内側の防振部１７０がシリコンゴムで形成され、外側の別の防振部１９０が金属材料で形成されていても良い。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、２実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、圧力導入部１１１の先端部分にはディフューザ１１６が設けられていない。また、防振部１７０は、ディフューザ１７１を有している。ディフューザ１７１は、圧力導入部１１１から突出した突出部分に複数の孔１７２が設けられていると共に、複数の孔１７２のいずれかを介して油３００を圧力導入孔１１２に導く部分である。

本実施形態では、防振部１７０は圧力導入部１１１の内壁面１１８に接触する形状に構成されている。もちろん、図１に示されるように、防振部１７０と圧力導入部１１１の内壁面１１８との間に隙間１８１が設けられていても良い。以上のように、防振部１７０がディフューザ機能を兼ねることで、圧力センサ１００以外の金属部からの圧力波の影響も小さくすることができる。

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された圧力センサ１００の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、防振部１７０はセンサチップ１５０の突出方向に平行な軸の周方向に一周連続して設けられた筒状でなく、短冊状のように一部に設けられていても振動抑制の効果はある。また、防振部１７０は、円筒状に限られず、角筒や楕円筒等の筒状に構成されていれば良い。

防振部１７０は一層に限られず、複数層で構成されていても良い。この場合、防振部１７０の内側の層から外側の層に向かって音響インピーダンスが順次大きくなるように材料を選定すれば良い。

センサチップ１５０の各ゲージ抵抗１５９は、ダイヤフラム１５８の歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子であると共に、温度に応じて抵抗値が変化する素子として構成されていても良い。これにより、各ゲージ抵抗１５９のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム１５８の温度に応じた電圧を温度信号として検出することができる。具体的には、センサチップ１５０は、積層基板１５７が測定対象から受ける熱に応じた複数のゲージ抵抗１５９の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路のブリッジ電圧として検出し、当該ブリッジ電圧を温度信号として出力する。このように、各ゲージ抵抗１５９は、圧力検出部１５１及び温度検出部の両方の機能を有していても良い。第３実施形態のように、防振部１７０がディフューザ１７１を有する構成では、センサチップ１５０の温度検出部が測定対象を伝わる圧力波の影響を小さくできる。なお、この構成では、センサチップ１５０は、圧力検出部及び温度検出部に対応した部分が露出するように、モールド樹脂部１４０に封止される。

複数のゲージ抵抗１５９が圧力と温度の両方を検出するように構成されている場合、圧力を検出する素子と温度を検出する素子とは別々に構成されていても良い。つまり、圧力検出部と温度検出部とがセンサチップ１５０に別々に設けられていても良い。

センサチップ１５０の構成は５つの層１５２〜１５６に限られず、ウェハレベルパッケージとして構成されていれば層の数は適宜変更しても構わない。

１１０ ハウジング、１１１ 圧力導入部、１１２ 圧力導入孔、１１８ 内壁面、１２０ 成形樹脂部、１３０ ポッティング樹脂部、１４０ モールド樹脂部、１４１ 一端部、１４２ 他端部、１５０ センサチップ、１５１ 圧力検出部、１５２〜１５６ 層、１５７ 積層基板、１５８ ダイヤフラム、１６４ 露出部、１７０ 防振部、２００ 配管、３００ 油

Claims (7)

1. ウェハレベルパッケージとして複数の層（１５２〜１５６）が積層されて構成された板状の積層基板（１５７）と、前記複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象（３００）の圧力が印加されるダイヤフラム（１５８）と、前記ダイヤフラムに設けられた圧力検出部（１５１）と、を有し、前記ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を前記圧力検出部から出力するセンサチップ（１５０）と、
   一端部（１４１）と、前記一端部とは反対側の他端部（１４２）と、を有し、前記センサチップのうち前記圧力検出部に対応する部分が露出するように、前記一端部に前記センサチップの一部を封止したモールド樹脂部（１４０）と、
   圧力導入孔（１１２）が形成されていると共に取付対象（２００）に固定される圧力導入部（１１１）を有し、前記センサチップの前記圧力検出部が前記圧力導入孔に位置するように前記モールド樹脂部の前記他端部を保持する保持部（１１０、１２０、１３０）と、
   前記センサチップのうち前記モールド樹脂部から露出している露出部（１６４）と前記圧力導入部の内壁面（１１８）との間に配置され、前記露出部が前記モールド樹脂部の前記一端部から突出する突出方向において少なくとも前記露出部の全体に対応した長さに構成され、前記取付対象から前記保持部及び前記モールド樹脂部を介して伝わる振動あるいは前記測定対象を介して伝わる振動を吸収あるいは反射する防振部（１７０）と、
   を備えている圧力センサ。
2. 前記防振部は、前記圧力導入部及び前記測定対象と音響インピーダンスが異なる金属材料、樹脂材料、及びゴム材料のいずれかの材料で形成されている請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記防振部は、前記露出部に接触しないように前記露出部に対して隙間（１８０）を持って配置されている請求項１または２に記載の圧力センサ。
4. 前記防振部は、前記圧力導入孔の前記内壁面に接触しないように前記内壁面に対して隙間（１８１）を持って配置されているか、もしくは、前記圧力導入孔の前記内壁面との間に配置されていると共に音響インピーダンスが異なる別の防振部（１９０）を有している請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力センサ。
5. 前記防振部と前記圧力導入部の前記内壁面との間に前記別の防振部が配置されている場合、前記圧力導入部の前記内壁面側の防振部の音響インピーダンスは、前記露出部側の前記別の防振部の音響インピーダンスよりも大きくなっている請求項４に記載の圧力センサ。
6. 前記防振部は、筒状に構成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサ。
7. 前記防振部は、前記圧力導入部から突出した突出部分に複数の孔（１７２）が設けられていると共に前記複数の孔のいずれかを介して前記測定対象を前記圧力導入孔に導くディフューザ（１７１）を有している請求項１ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサ。