JP2018195671A - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の搬送を確実に実施しながら、温度調整の過渡状態における温度調整プレートの面内温度の均一性を改善すること。【解決手段】熱処理ユニットは、載置されたウェハの温度調整を行う、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄが形成された温度調整プレート５１と、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを開閉可能に構成された開閉プレート７１，７２と、を備え、開閉プレート７１，７２は、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを閉じることにより、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄに対応する領域と、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。【選択図】図７

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。

基板処理装置においては、基板の温度を調整する温度調整プレートが用いられる。このような温度調整プレートには、通常、他の構成との間で基板を受け渡しするための切欠き（孔）が形成される。当該切欠きは、基板を受け渡し（搬送）する際の他の構成の逃げ部として機能する。切欠きが形成されていることによって、基板の受け渡し時において温度調整プレートとその他の構成が干渉することが防止される。一方で、当該切欠き部分は、温度調整プレートにおける他の部分と比べて熱伝導率が小さくなってしまう。このことにより、特に温度調整の過渡期において、温度調整プレートにおける面内温度の均一性が悪化してしまう。

例えば特許文献１に開示された技術では、上述した切欠きに対してガスを吐出することにより、面内温度の均一化を図っている。また、特許文献２に開示された技術では、切欠きに段差を設けて厚みを基板に近づけることにより、面内温度の均一化を図っている。

実用新案登録第３１８００４８号公報 特開２００３−２７０３３号公報

しかしながら、上記特許文献１の構成においては、ガスの吐出口の形状、ガスの温度、流量、圧力の設定等、詳細に設定するパラメータが多くなってしまう。また、ガスの温度、流量、圧力を設定する際には、ガスの流路を含む基板の周縁部への温度影響も考慮する必要がある。これらを考慮すると、特許文献１に記載された技術によって面内温度の均一化を十分に図ることは困難である。また、特許文献２の切欠きに段差を設ける構成によっても、面内温度の均一化を十分に図ることができていない。

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、基板の搬送を確実に実施しながら、温度調整の過渡状態における温度調整プレートの面内温度の均一性を改善することを目的とする。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、載置された基板の温度調整を行う、所定の切欠きが形成された温度調整プレートと、切欠きを開閉可能に構成された開閉部と、を備え、開閉部は、切欠きを閉じることにより、切欠きに対応する領域と、温度調整プレートにおける切欠きの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。

本開示の一態様に係る基板処理装置では、温度調整プレートの切欠きが、開閉部によって開閉可能とされており、開閉部が切欠きを閉じることによって、切欠きに対応する領域と、切欠きの周囲の領域との間で熱が伝導される。温度調整プレートに基板を載置するためには、通常、温度調整プレートに基板受け渡し（搬送）のための切欠きが形成される。しかしながら、当該切欠きが形成されていることによって、基板が載置される部分のうち切欠きに対応する領域の熱伝導率が他の領域の熱伝導率よりも低くなり、温度調整の過渡状態において、温度調整プレートの面内温度の均一化を図ることが難しくなる。この点、開閉プレートによって切欠きが閉じられ、切欠きに対応する領域と切欠きの周囲の領域との間で熱が伝導されることにより、熱伝導率が低い切欠きに対応する領域についても、切欠きの周囲の領域と同程度の温度とすることができる。このことで、温度調整プレートの面内温度の均一性を改善することができる。また、開閉部が切欠きを開閉可能に構成されていることにより、基板受け渡し時等、切欠きが開放されている必要がある場合には、切欠きを開放することができる。以上より、本開示の一態様に係る基板処理装置によれば、基板の搬送を確実に実施しながら、温度調整の過渡状態における温度調整プレートの面内温度の均一性を改善することができる。

上記基板処理装置は、開閉部を駆動させる駆動部と、温度調整プレートの移動に応じて開閉部による切欠きの開閉が行われるように駆動部を制御する制御部と、を更に備えていてもよい。このように、温度調整プレートの移動に追従して切欠きの開閉が行われることにより、例えば温度調整プレートが移動して基板を受け渡すタイミングで切欠きを開放し、基板の受け渡しが完了した後に切欠きを閉じる、等の、温度調整プレートの動きに応じた切欠きの開閉が可能となる。

駆動部は、温度調整プレートに設けられていてもよい。温度調整プレートに、開閉部を駆動させる駆動部が設けられていることにより、切欠きが閉じられた状態と開放された状態とを、容易且つ確実に切り替えることができる。

開閉部は、切欠きの開閉状態に関わらず、温度調整プレートに追従して移動するように設けられていてもよい。これにより、温度調整プレートに形成された切欠きの開閉を簡易且つ確実に行うことができる。

制御部は、温度調整プレートに基板が受け渡しされる際に、開閉部によって切欠きが開放されるように駆動部を制御することと、基板の受け渡し後における基板の温度調整期間の少なくとも一部において、開閉部によって切欠きが閉じられるように駆動部を制御することと、を実行するように構成されていてもよい。これにより、基板が受け渡しされる際には切欠きが開放され、基板の温度調整を行う際には切欠きが閉じられることとなり、基板の受け渡しを確実に実現しながら、温度調整の過渡状態における面内温度の均一性を改善することができる。

制御部は、温度調整期間後、温度調整プレートから基板が離間した後に、開閉部によって切欠きが閉じられるように駆動部を制御すること、を更に実行するように構成されていてもよい。このように、温度調整期間以外であって切欠きを開放する必要がない期間（温度調整プレートから基板が離間した後）において切欠きが閉じられることにより、当該期間において、温度調整プレートの面内温度の均一性を向上させることができる。このことで、その後の温度調整期間において、過渡状態における面内温度の均一性の改善をより効果的（より早期）に行うことができる。

本開示の一態様に係る基板処理方法は、基板を所定温度に調整する温度調整プレートに基板が受け渡しされる際に、該温度調整プレートに形成された切欠きを開放する工程と、基板の受け渡し後における該基板の温度調整期間の少なくとも一部において、切欠きを閉じる工程と、を含む。

本開示の一態様に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体によれば、基板の搬送を確実に実施しながら、温度調整の過渡状態における熱伝導率の不均衡を改善することができる。

基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 熱処理ユニットの一例を示す概略縦断面図である。 熱処理ユニットの一例を示す概略平面図である。 搬送アームを説明する図であり、図６（ａ）は温度調整プレートにウェハを受け渡す搬送アームの平面図、図６（ｂ）は搬送アームとウェハを示す斜視図である。 温度調整プレートの平面図であり、図７（ａ）は冷却時の平面図、図７（ｂ）はウェハ受け取り時の平面図である。 コントローラによる開閉部の制御を説明する図である。 コントローラによる開閉部の制御を説明する図であり、図９（ａ）は開状態の開閉部を示す平面図、図９（ｂ）は閉状態の開閉部を示す平面図である。 コントローラのハードウェア構成図である。 基板処理のシーケンスを示す図である。 本実施形態の作用効果を説明する図であり、図１２（ａ）は開状態の開閉部を示す断面図、図１２（ｂ）は閉状態の開閉部を示す断面図である。 本実施形態の作用効果を説明する図であり、過渡状態における温度について、比較例との比較を示すグラフである。 変形例に係る開閉部を説明する図であり、図１４（ａ）は開状態の開閉部を示す断面図、図１４（ｂ）は閉状態の開閉部を示す断面図である。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（塗布液）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１についての詳細は後述する。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔熱処理ユニット〕
続いて、処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２について詳細に説明する。図４に示すように、熱処理ユニットＵ２は、筐体９０と、加熱機構３０と、温度調整機構５０と、開閉機構７０（図７（ａ），（ｂ）及び図８参照）と、コントローラ１００（制御部）とを有する。

筐体９０は、加熱機構３０及び温度調整機構５０を収容する処理容器である。筐体９０の側壁にはウェハＷの搬入口９１が開口されている。また、筐体９０内には、筐体９０内をウェハＷの移動領域である上方領域と、下方領域とに区画する床板９２が設けられている。

加熱機構３０は、ウェハＷを加熱処理する構成である。加熱機構３０は、支持台３１と、天板部３２と、昇降機構３３と、加熱プレート３４と、支持ピン３５と、昇降機構３６と、排気ダクト３７と、を有する。

支持台３１は、中央部分に凹部が形成された円筒形状を呈する部材である。支持台３１は、加熱プレート３４を支持する。天板部３２は、支持台３１と同程度の直径の円板状の部材である。天板部３２は、例えば筐体９０の天井部分に支持された状態で、支持台３１と隙間を介して対向する。天板部３２の上部には排気ダクト３７が接続されている。排気ダクト３７は、チャンバ内の排気を行う。

昇降機構３３は、コントローラ１００の制御に応じて天板部３２を昇降させる構成である。昇降機構３３によって天板部３２が上昇させられることにより、ウェハＷの加熱処理を行う空間であるチャンバが開かれた状態となり、天板部３２が下降させられることにより、チャンバが閉じられた状態となる。

加熱プレート３４は、支持台３１の凹部に嵌合されると共に、ウェハＷを載置し該ウェハＷを加熱する。加熱プレート３４は、ウェハＷを加熱処理するためのヒータを有している。当該ヒータは例えば抵抗発熱体から構成されている。

支持ピン３５は、支持台３１及び加熱プレート３４を貫通するように延びウェハＷを下方から支持する部材である。支持ピン３５は、上下方向に昇降することにより、ウェハＷを所定の位置に配置する。支持ピン３５は、ウェハＷを搬送する温度調整プレート５１との間でウェハＷの、受け渡しを行う構成である。支持ピン３５は、例えば周方向等間隔に３本設けられている。昇降機構３６は、コントローラ１００の制御に応じて支持ピン３５を昇降させる構成である。

温度調整機構５０は、加熱プレート３４と外部の搬送アームＡ３（図３及び図６（ａ），（ｂ）参照）との間でウェハＷを受け渡す（搬送する）と共に、ウェハＷの温度を所定温度に調整する構成である。温度調整機構５０は、温度調整プレート５１と、連結ブラケット５２とを有する。

温度調整プレート５１は、載置されたウェハＷの温度調整を行うプレートであり、詳細には、加熱プレート３４により加熱されたウェハＷを載置し該ウェハＷを所定温度に冷却するプレートである。本実施形態では、温度調整プレート５１は、略円盤状に形成されている。温度調整プレート５１は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されており、熱による変形を防止する観点等から同一の材料で構成されることが好ましい。温度調整プレート５１の内部には、冷却水及び（又は）冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されている。

また、図５に示されるように、温度調整プレート５１の周縁部には、複数の切欠き部５１ａ（切欠き）が形成されている。切欠き部５１ａは、温度調整プレート５１の周方向に沿って略等間隔となる位置に４つ形成されている。切欠き部５１ａは、温度調整プレート５１を厚さ方向に貫通するように形成されている。各切欠き部５１ａの形状及び位置は、後述する搬送アームＡ３の突片Ａｚ（図６（ｂ）参照）が上下方向に通過可能となるような、形状及び位置とされている。更に、温度調整プレート５１には、周縁部から中心方向に向かって２つのガイド溝５１ｄ，５１ｄ（切欠き）が形成されている。当該２つのガイド溝５１ｄ，５１ｄは互いに略平行に延びている。ガイド溝５１ｄは、温度調整プレート５１を厚さ方向に貫通するように形成された溝部である。ガイド溝５１ｄは、温度調整プレート５１から加熱プレート３４にウェハＷが受け渡される際に、加熱プレート３４の支持ピン３５が通過するためのガイド溝（すなわち、支持ピン３５の逃げ部）である。

連結ブラケット５２は、温度調整プレート５１に連結されると共に、コントローラ１００によって制御される駆動機構５３によって駆動させられ、筐体９０内を移動する。より詳細には、連結ブラケット５２は、筐体９０の搬入口９１から加熱機構３０の近傍にまで延びるガイドレール（不図示）に沿って移動可能とされている。連結ブラケット５２がガイドレール（不図示）に沿って移動することにより、温度調整プレート５１が搬入口９１から加熱機構３０まで移動可能となっている。連結ブラケット５２は、例えば熱伝導率の高い、アルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されている。

ここで、上述した温度調整プレート５１にウェハＷを受け渡す搬送アームＡ３の構成について、図６（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。なお、図６（ａ）及び（ｂ）は、搬送アームＡ３の構成のうち、温度調整プレート５１とのウェハＷの受け渡しの説明において必要となる構成のみを示している。図６（ａ）及び（ｂ）に示されるように、搬送アームＡ３は、平面視略Ｃ字状のフォークＡｘと、フォークＡｘを支持する基体Ａｙとを有する。フォークＡｘの内周の大きさは温度調整プレート５１の直径よりもやや大きく形成されている（図６（ａ）参照）。また、フォークＡｘの内周には、内側に張り出した突片Ａｚが設けられている。突片Ａｚは、フォークＡｘの内周面に沿って略等間隔となる位置に４つ形成されている。突片Ａｚは、ウェハＷを保持する部分である（図６（ｂ）参照）。そして、フォークＡｘは、例えば昇降機構（不図示）によって基体Ａｙを介して昇降自在に構成されている。搬送アームＡ３から温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡される際には、ウェハＷを保持したフォークＡｘが搬入口９１から筐体９０内に進入し、フォークＡｘが図６（ａ）に示されるように温度調整プレート５１に対して上方から覆いかぶさるように下降する。上述したように、温度調整プレート５１の切欠き部５１ａの形状及び位置は突片Ａｚの形状及び位置に対応しているので、フォークＡｘが温度調整プレート５１に覆いかぶさることにより、ウェハＷを温度調整プレート５１に残して（受け渡して）フォークＡｘが温度調整プレート５１の下方側に通過する。以上のようにして、搬送アームＡ３から温度調整プレート５１へのウェハＷの受け渡しが行われる。

開閉機構７０は、図７（ａ），（ｂ）及び図８に示されるように、開閉プレート７１，７２（開閉部）と、駆動機構７３（駆動部）とを有する。

開閉プレート７１は、図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、温度調整プレート５１上に（すなわち、温度調整プレート５１の上面と接するように）設けられている。開閉プレート７１は、温度調整プレート５１の切欠き部５１ａ（図７（ｂ）参照）を開閉可能に構成された部材である。切欠き部５１ａを開閉可能とは、切欠き部５１ａが開放された状態と、切欠き部５１ａが閉じられた状態とを切り替え可能であることをいう。切欠き部５１ａが開放された状態とは、図７（ｂ）に示されるように、切欠き部５１ａ上に開閉プレート７１が設けられていない（平面視において、切欠き部５１ａの領域と開閉プレート７１の領域とが重複していない）状態をいう。切欠き部５１ａが閉じられた状態とは、図７（ａ）に示されるように、切欠き部５１ａ上に開閉プレート７１が設けられている（平面視において、切欠き部５１ａの領域と開閉プレート７１の領域とが重複している）状態をいう。開閉プレート７１は、４つの切欠き部５１ａに１対１で対応するように、４つ設けられている。開閉プレート７１は、温度調整プレート５１の移動に追従して切欠き部５１ａを開閉する（詳細は後述）。また、開閉プレート７１は、切欠き部５１ａの開閉状態に関わらず、温度調整プレート５１に追従して移動するように設けられている。

開閉プレート７１は、切欠き部５１ａを閉じることにより、切欠き部５１ａに対応する領域と、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。すなわち、開閉プレート７１は、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａの周囲の領域に接しているため、切欠き部５１ａを閉じた状態において、切欠き部５１ａ及びその上方（ウェハＷと対向する側）の領域に、切欠き部５１ａの周囲の領域の熱を伝導させることができる。

開閉プレート７２は、図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、温度調整プレート５１上に（すなわち、温度調整プレート５１と接するように）設けられている。開閉プレート７２は、温度調整プレート５１のガイド溝５１ｄを開閉可能に構成された部材である。ガイド溝５１ｄを開閉可能とは、ガイド溝５１ｄが開放された状態と、ガイド溝５１ｄが閉じられた状態とを切り替え可能であることをいう。ガイド溝５１ｄが開放された状態とは、図７（ｂ）に示されるように、ガイド溝５１ｄ上に開閉プレート７２が設けられていない（平面視において、ガイド溝５１ｄの領域と開閉プレート７２の領域とが重複していない）状態をいう。ガイド溝５１ｄが閉じられた状態とは、図７（ａ）に示されるように、ガイド溝５１ｄ上に開閉プレート７２が設けられている（平面視において、ガイド溝５１ｄの領域と開閉プレート７２の領域とが重複している）状態をいう。開閉プレート７２は、２つのガイド溝５１ｄに１対１で対応するように、２つ設けられている。開閉プレート７２は、温度調整プレート５１の移動に追従してガイド溝５１ｄを開閉する。また、開閉プレート７２は、ガイド溝５１ｄの開閉状態に関わらず、温度調整プレート５１に追従して移動するように設けられている。

開閉プレート７２は、ガイド溝５１ｄを閉じることにより、ガイド溝５１ｄに対応する領域と、温度調整プレート５１におけるガイド溝５１ｄの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。すなわち、開閉プレート７２は、温度調整プレート５１におけるガイド溝５１ｄの周囲の領域に接しているため、ガイド溝５１ｄを閉じた状態において、ガイド溝５１ｄ及びその上方（ウェハＷと対向する側）の領域に、ガイド溝５１ｄの周囲の領域の熱を伝導させることができる。

開閉プレート７１，７２は、少なくとも空気よりも熱伝導率の高い部材で構成されており、例えば温度調整プレート５１と同じか、温度調整プレート５１よりも熱伝導率の高い部材で構成されている。具体的には、開閉プレート７１，７２は、例えばアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されている。

駆動機構７３は、コントローラ１００の制御に応じて、開閉プレート７１，７２を駆動させる構成である。駆動機構７３は、温度調整プレート５１に設けられている。駆動機構７３の構成の一例について、図８及び図９（ａ），（ｂ）を参照して説明する。

図８及び図９（ａ），（ｂ）は、切欠き部５１ａを開閉する開閉プレート７１を駆動させる駆動機構７３の一例を示している。図８に示されるように、駆動機構７３は、エアシリンダーであり、より詳細には、エアの切り替えにより回転方向を変化させるロータリーシリンダーである。駆動機構７３は、温度調整プレート５１の厚さ方向に伸びる回転軸７３ａと、該回転軸を内部に収容した円筒状の円筒部７３ｂと、円筒部７３ｂの下端に設けられたエアの入口である流入ポート７３ｃ，７３ｄと、配管８１，８２を介して流入ポート７３ｃ，７３ｄにエアを供給するエア供給源７３ｅと、を有する。エア供給源７３ｅは、コントローラ１００の制御に応じて、配管８１又は配管８２の一方に（すなわち、流入ポート７３ｃ，７３ｄの一方に）エアを供給する。駆動機構７３では、円筒部７３ｂに対していずれの流入ポート７３ｃ，７３ｄからエアが流入したかに応じて、回転軸７３ａの回転方向が変化するように設定されている。そして、回転軸７３ａには開閉プレート７１が接続されており、開閉プレート７１は、回転軸７３ａと共に回転可能とされている。なお、温度調整プレート５１には、開閉プレート７１が回転する領域を確保すべく、開閉プレート７１が設けられる領域に凹部が形成されていてもよい。

例えば、駆動機構７３においては、流入ポート７３ｃからエアが流入した場合に、図９（ａ）に示されるように、平面視で時計回りに回転軸７３ａが回転するように、予め設定される。これにより、例えば、切欠き部５１ａに対して反時計回り側で隣り合っていた開閉プレート７１を、回転軸７３ａ回りに時計回りに回転させて、切欠き部５１ａを閉じる位置に移動させることができる（図９（ａ）参照）。また、駆動機構７３においては、例えば、流入ポート７３ｄからエアが流入した場合に、図９（ｂ）に示されるように、平面視で反時計回りに回転軸７３ａが回転するように、予め設定される。これにより、例えば、切欠き部５１ａを閉じていた開閉プレート７１を、回転軸７３ａ回りに反時計回りに回転させて、切欠き部５１ａを開放する位置に移動させることができる（図９（ｂ）参照）。

なお、駆動機構７３の一例として、開閉プレート７１を駆動させる構成について説明したが、開閉プレート７２を駆動させる構成についても、同様の構成により実現可能である。また、駆動機構７３の構成は、上述したロータリーシリンダーの構成に限定されず、開閉プレート７１を回転、スライド等、駆動させる各種のアクチュエータを用いた構成を採用することができる。

コントローラ１００は、温度調整プレート５１の移動に応じて開閉プレート７１による切欠き部５１ａの開閉（又は、開閉プレート７２によるガイド溝５１ｄの開閉）が行われるように、駆動機構７３を制御する。

コントローラ１００は、温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる際に、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように）、駆動機構７３を制御することと、ウェハＷの受け渡し後におけるウェハＷの温度調整期間の少なくとも一部において、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが閉じられるように）、駆動機構７３を制御することと、を実行するように構成されている。

コントローラ１００は、温度調整期間後、温度調整プレート５１からウェハＷが離間した後に、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが閉じられるように）、駆動機構７３を制御すること、を更に実行するように構成されている。

図４に示すように、コントローラ１００は、機能モジュールとして、チャンバ開閉制御部１０１と、支持ピン昇降制御部１０２と、プレート移動制御部１０３と、開放制御部１０４と、閉鎖制御部１０５とを有する。

チャンバ開閉制御部１０１は、天板部３２の昇降によってチャンバが開閉するように、昇降機構３３を制御する。

支持ピン昇降制御部１０２は、支持ピン３５の昇降によって温度調整プレート５１と支持ピン３５との間でウェハＷの受け渡しが行われるように、昇降機構３６を制御する。

プレート移動制御部１０３は、温度調整プレート５１が筐体９０内を移動するように、駆動機構５３を制御する。

開放制御部１０４は、温度調整プレート５１の移動に応じて開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように）、駆動機構７３を制御する。開放制御部１０４は、温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる際に、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように）、駆動機構７３を制御する。

具体的には、開放制御部１０４は、プレート移動制御部１０３によって温度調整プレート５１が加熱機構３０方向に移動するタイミングを、加熱プレート３４から温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる処理の開始タイミングであると判定し、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように駆動機構７３を制御する。なお、当該タイミングは、例えば加熱機構３０による熱処理が終了するタイミングである。また、開放制御部１０４は、プレート移動制御部１０３によって温度調整プレート５１が搬送アームＡ３方向に移動するタイミングを、搬送アームＡ３から温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる処理の開始タイミングであると判定し、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように駆動機構７３を制御する。

開放制御部１０４は、図８に示されるように、配管８２を介して流入ポート７３ｄからエアが供給されるように、エア供給源７３ｅを制御する。これにより、図９（ｂ）に示されるように、切欠き部５１ａを閉じていた開閉プレート７１が回転軸７３ａ回りに反時計回りに回転し、切欠き部５１ａが開放される。

閉鎖制御部１０５は、温度調整プレート５１の移動に応じて開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが閉じられるように）駆動機構７３を制御する。閉鎖制御部１０５は、ウェハＷの引き受け後におけるウェハＷの温度調整期間において、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する。具体的には、閉鎖制御部１０５は、プレート移動制御部１０３によって温度調整プレート５１が加熱機構３０から離れるタイミングを、温度調整期間の開始タイミングであると判定し、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する。

また、閉鎖制御部１０５は、温度調整期間後、温度調整プレート５１からウェハＷが離間した後（すなわち、温度調整プレート５１から搬送アームＡ３にウェハＷが受け渡しされた後）に、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する。具体的には、閉鎖制御部１０５は、プレート移動制御部１０３によって温度調整プレート５１が搬送アームＡ３方向に移動し所定の時間が経過した際に、温度調整プレート５１から搬送アームＡ３へのウェハＷの受け渡しが完了した（ウェハＷが離間した）と判定し、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する。

開放制御部１０４は、図８に示されるように、配管８１を介して流入ポート７３ｃからエアが供給されるように、エア供給源７３ｅを制御する。これにより、図９（ａ）に示されるように、開閉プレート７１が回転軸７３ａ回りに時計回りに回転し、切欠き部５１ａが閉じられる。

コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図１０に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。

入出力ポート１２４は、昇降機構３３、昇降機構３６、駆動機構５３、及び駆動機構７３との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体を有する。記録媒体は、後述の基板処理手順を実行させるためのプログラムを記録している。記録媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記録媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔基板処理手順〕
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ１００の制御に応じて熱処理ユニットＵ２が実行する基板処理手順を、図１１を参照して説明する。図１１に示す基板処理のシーケンスは、加熱プレート３４におけるウェハＷの加熱処理（熱処理）が実行されている状態から開始している。所定の加熱時間が経過すると、時刻ｔ１において、チャンバ開閉制御部１０１が昇降機構３３を制御することにより、天板部３２が上昇しチャンバが開かれる（チャンバーＵＰ）。更に、時刻ｔ２において、支持ピン昇降制御部１０２が昇降機構３６を制御することにより、支持ピン３５が上昇し（支持ピンＵＰ）、ウェハＷが支持ピン３５によって支持される。

そして、時刻ｔ３において、プレート移動制御部１０３の制御により温度調整プレート５１が加熱機構３０方向に向かって移動を開始し、開放制御部１０４が、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように駆動機構７３を制御する（開閉プレートＯＦＦ）。時刻ｔ３までの処理で、熱処理が完了する。

そして、加熱機構３０に到達した温度調整プレート５１は、時刻ｔ４においてチャンバ内に進入する（温度調整プレートＩＮ）。チャンバ内においては、加熱プレート３４から温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる。受け渡しの際には、ガイド溝５１ｄが開放されているため、当該ガイド溝５１ｄに支持ピン３５を逃がす（支持ピン３５を通過させる）ことが可能となっている。

ウェハＷの受け渡しが完了すると、時刻ｔ５において、支持ピン昇降制御部１０２が昇降機構３６を制御することにより、支持ピン３５が下降する（支持ピンＤＯＷＮ）。そして、プレート移動制御部１０３の制御により温度調整プレート５１がチャンバ外部に向かって移動を開始し、時刻ｔ６において、温度調整プレート５１がチャンバ外に出る（温度調整プレートＯＵＴ）。当該時刻ｔ６においては、閉鎖制御部１０５が温度調整期間の開始のタイミングと判断し、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する。そして、時刻ｔ７において、チャンバ開閉制御部１０１が昇降機構３３を制御することにより、天板部３２が下降しチャンバが閉じられ（チャンバーＤＯＷＮ）、温度調整プレート５１によるウェハＷの温度調整（冷却）が開始される。

温度調整プレート５１による冷却が行われている時刻ｔ８において、プレート移動制御部１０３の制御により温度調整プレート５１が搬送アームＡ３方向に向かって移動を開始し、開放制御部１０４が、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように駆動機構７３を制御する（開閉プレートＯＦＦ）。時刻ｔ８までの処理で、冷却処理が完了する。

そして、時刻ｔ９において搬送アームＡ３が搬入口９１に進入し（搬送アームＩＮ）、温度調整プレート５１から搬送アームＡ３にウェハＷが受け渡し（払い出し）される。受け渡しの際には、切欠き部５１ａが開放されているため、当該切欠き部５１ａに突片Ａｚを逃がす（突片Ａｚを通過させる）ことが可能となっている。ウェハＷの受け渡しが完了すると、時刻ｔ１０において、搬送アームＡ３が搬入口９１から退出する（搬送アームＯＵＴ）。

搬送アームＡ３の退出後、時刻ｔ１１において、閉鎖制御部１０５が、開閉プレート７１，７２によって切欠き部５１ａ及びガイド溝５１ｄが閉じられるように駆動機構７３を制御する（開閉プレートＯＮ）。所定時間が経過すると、時刻ｔ１２において、新たなウェハＷの受け渡しをすべく、開放制御部１０４が、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように駆動機構７３を制御する（開閉プレートＯＦＦ）。

そして、時刻ｔ１３において、新たなウェハＷを保持した搬送アームＡ３が搬入口９１に進入し（搬送アームＩＮ）、搬送アームＡ３から温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる。受け渡しの際には、切欠き部５１ａが開放されているため、当該切欠き部５１ａに突片Ａｚを逃がす（突片Ａｚを通過させる）ことが可能となっている。ウェハＷの受け渡しが完了すると、時刻ｔ１４において、搬送アームＡ３が搬入口９１から退出し（搬送アームＯＵＴ）、当該新たなウェハＷの熱処理が開始される。以上が、基板処理手順の一例である。

〔作用効果〕
熱処理ユニットＵ２は、載置されたウェハＷの温度調整を行う、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄが形成された温度調整プレート５１と、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを開閉可能に構成された開閉プレート７１，７２と、を備え、開閉プレート７１，７２は、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを閉じることにより、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄに対応する領域と、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。

図１２（ａ）に示すように、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａ（ウェハＷ受け渡しのための切欠き）は、外気との連通部分となっており、エアが対流するので、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａの周囲の領域と比べて熱伝導率が低くなってしまう。このことにより、温度調整プレート５１において面内温度の均一性が悪化するおそれがある。

この点、熱処理ユニットＵ２では、図１２（ｂ）に示すように、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられることにより、切欠き部５１ａに対応する領域に、温度調整プレート５１における切欠き部５１ａの周囲の領域の熱が伝導される。このことで、温度調整プレート５１の水平面上（ウェハＷに対向する面状）における温度分布を均一化することができる。

図１３は、比較例と比べた本実施形態の効果を説明するグラフである。図１３において、実線は温度調整プレートの温度（各領域の平均温度）を示している（図１３中の左軸）。一点鎖線は、開閉プレート７１を設けず切欠きが常に開放された比較例に係る温度調整プレートの温度の標準偏差（各領域毎のばらつき）を示している（図１３中の右軸）。破線は、本実施形態に係る温度調整プレート５１の温度の標準偏差を示している。図１３に示す、時刻：６３ｓｅｃにおいて、ウェハＷの冷却が開始されたとする。ウェハＷの冷却が開始された後、実線で示すように、温度調整プレートの温度は徐々に低下する。比較例に係る温度調整プレートにおいては、過渡状態にて、各領域の温度のばらつきが大きいことが確認できる。この点、比較例の温度調整プレートと比較すると、本実施形態に係る温度調整プレート５１では、過渡状態において、各領域の温度のばらつきを小さく抑えることができている。すなわち、比較例の温度調整プレートと比較して、本実施形態に係る温度調整プレートでは面内温度の均一性を向上させることができている。

また、開閉プレート７１，７２が切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを開閉可能に構成されていることにより、ウェハＷの受け渡し時等、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄが開放されている必要がある場合には、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを開放することができる。以上より、熱処理ユニットＵ２によれば、ウェハＷの搬送を確実に実施しながら、温度調整の過渡状態における温度調整プレート５１の面内温度の均一性を改善することができる。

上記熱処理ユニットＵ２は、開閉プレート７１，７２を駆動させる駆動機構７３と、温度調整プレート５１の移動に応じて開閉プレート７１，７２による切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄの開閉が行われるように駆動機構７３を制御するコントローラ１００とを備えている。このように、温度調整プレート５１の移動に追従して切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄの開閉が行われることにより、例えば温度調整プレート５１が移動してウェハＷを受け渡すタイミングで切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを開放し、ウェハＷの受け渡しが完了した後に切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄを閉じる、等の、温度調整プレート５１の動きに応じた切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄの開閉が可能となる。

上記熱処理ユニットＵ２は、開閉プレート７１が、切欠き部５１ａの開閉状態に関わらず、温度調整プレート５１に追従して移動するように設けられている。これにより、温度調整プレート５１に形成された切欠き部５１ａの開閉を簡易且つ確実に行うことができる。

駆動機構７３は、温度調整プレート５１に設けられている。温度調整プレート５１に、開閉プレート７１，７２を駆動させる駆動機構７３が設けられていることにより、切欠き部５１ａ，ガイド溝５１ｄが閉じられた状態と開放された状態とを、容易且つ確実に切り替えることができる。

コントローラ１００は、温度調整プレート５１にウェハＷが受け渡しされる際に、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが開放されるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが開放されるように）、駆動機構７３を制御することと、ウェハＷの受け渡し後におけるウェハＷの温度調整期間の少なくとも一部において、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが閉じられるように）、駆動機構７３を制御することと、を実行するように構成されている。これにより、ウェハＷが受け渡しされる際には切欠きが開放され、ウェハＷの温度調整を行う際には切欠きが閉じられることとなり、ウェハＷの受け渡しを確実に実現しながら、温度調整の過渡状態における面内温度の均一性を改善することができる。

コントローラ１００は、温度調整期間後、温度調整プレート５１からウェハＷが離間した後に、開閉プレート７１によって切欠き部５１ａが閉じられるように（又は、開閉プレート７２によってガイド溝５１ｄが閉じられるように）、駆動機構７３を制御すること、を更に実行するように構成されている。このように、温度調整期間以外であって切欠きを開放する必要がない期間（温度調整プレート５１からウェハＷが離間した後）において切欠きが閉じられることにより、当該期間において、温度調整プレート５１の面内温度の均一性を向上させることができる。このことで、その後の温度調整期間において、過渡状態における面内温度の均一性の改善をより効果的（より早期）に行うことができる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、開閉プレート７１は温度調整プレート５１の上面側に設けられているとして説明したが、図１４に示す開閉プレート１７１のように、温度調整プレート５１の下面側に設けられて、切欠き部５１ａを開閉するものであってもよい。この場合においても、開閉プレート１７１によって、切欠き部５１ａに対応する領域と、切欠き部５１ａの周囲の領域との間で熱を伝導させることができる。

また、温度調整プレートとして、ウェハＷを冷却する冷却プレートである温度調整プレート５１を説明したが、本発明に係る温度調整プレートは、ウェハを加熱する加熱プレートであってもよい。この場合においては、加熱プレートに形成された切欠きを開閉可能に構成された開閉プレートが設けられる。温度調整プレートが加熱プレートである場合においても、切欠きに対応する領域と、その周囲の領域とで、温度均一性が担保されない場合がある。この点、加熱プレートの切欠きを開閉する開閉プレートを設けることにより、加熱プレートの面内温度均一性を向上させることができる。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、５１…温度調整プレート、５１ａ…切欠き部（切欠き）、５１ｄ…ガイド溝（切欠き）、７１，７２…開閉プレート（開閉部）、７３…駆動機構（駆動部）、１００…コントローラ、Ｗ…ウェハ。

Claims (8)

1. 載置された基板の温度調整を行う、所定の切欠きが形成された温度調整プレートと、
   前記切欠きを開閉可能に構成された開閉部と、を備え、
   前記開閉部は、前記切欠きを閉じることにより、前記切欠きに対応する領域と、前記温度調整プレートにおける前記切欠きの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている、基板処理装置。
2. 前記開閉部を駆動させる駆動部と、
   前記温度調整プレートの移動に応じて前記開閉部による前記切欠きの開閉が行われるように前記駆動部を制御する制御部と、を更に備える請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記開閉部は、前記切欠きの開閉状態に関わらず、前記温度調整プレートに追従して移動するように設けられている、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記駆動部は、前記温度調整プレートに設けられている、請求項２又は３記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記温度調整プレートに前記基板が受け渡しされる際に、前記開閉部によって前記切欠きが開放されるように前記駆動部を制御することと、
   前記基板の受け渡し後における前記基板の温度調整期間の少なくとも一部において、前記開閉部によって前記切欠きが閉じられるように前記駆動部を制御することと、を実行するように構成されている、請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、
   前記温度調整期間後、前記温度調整プレートから前記基板が離間した後に、前記開閉部によって前記切欠きが閉じられるように前記駆動部を制御すること、を更に実行するように構成されている、請求項５記載の基板処理装置。
7. 基板を所定温度に調整する温度調整プレートに基板が受け渡しされる際に、該温度調整プレートに形成された切欠きを開放する工程と、
   前記基板の受け渡し後における該基板の温度調整期間の少なくとも一部において、前記切欠きを閉じる工程と、を含む基板処理方法。
8. 請求項７記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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