JP2018194841A - リソグラフィレチクルシステム - Google Patents

Abstract

【課題】デュアル（二重）ペリクル膜を提供する。【解決手段】リソグラフィレチクルシステム１００であって、レチクル１０４と、レチクル１０４の前に取り付けられた第１のペリクル膜１１２と、第１のペリクル膜１１２の前に取り付けられた第２のペリクル膜１２２とを備え、第１のペリクル膜１１２はレチクル１０４と第２のペリクル膜１２２との間に配置され、第２のペリクル膜１２２は、第１のペリクル膜１１２およびレチクル１０４に対して取り外し可能に取り付けられている。【選択図】図１

Description

本発明の概念は、リソグラフィレチクルシステム、リソグラフィ露光ツール、およびリソグラフィ露光ツールのペリクル膜を交換する方法に関する。

半導体製造では、デバイスおよび回路パターンを画定する過程で、様々なリソグラフィプロセスが広く使用されている。画定される特徴のサイズに応じて、異なる光学リソグラフィプロセスが使用され得る。リソグラフィプロセスでは、フォトマスクまたはレチクル上に存在するパターンが、レチクルを照明することによって感光性フォトレジストコーティング上に転写され得る。その光は、レチクルパターンによって変調され、フォトレジストがコーティングされたウエハ上に結像される。

従来のリソグラフィでは、通常、ペリクルがレチクル上に配置されて、ハンドリングおよび露光などの間にレチクルを汚染から保護する。したがって、ペリクルは、望ましくない粒子からレチクルを保護する（さもなければ、それらの粒子は、ウエハへのパターン転写の忠実度に悪影響を与える可能性がある）。ペリクルが露光中にレチクルを覆うので、吸収、耐久性及び粒子遮蔽能力などの点でペリクルに厳しい要求がある。

しかしながら、ペリクルの膜は、処理環境内の放射線および/または化学薬品のために、経時的に劣化し得る。いくらかの劣化は許容可能であるが、最終的に、ペリクルの取り換えを可能にするために、リソグラフィ露光ツールからレチクルおよびペリクルが取り外される必要がある。レチクルおよびペリクルは、通常、ペリクルの取り換えが行われるマスク店に戻される。これは、製造プロセスにおいて望ましくない中断を引き起こす可能性がある。さらに、ペリクルが取り換えられている間に、レチクル表面は、環境中に存在する周囲雰囲気および粒子に曝される。

本発明概念の目的は、上記の問題に対処することである。更なる目的は以下から理解されるであろう。

本発明概念の第１の局面によれば、リソグラフィレチクルシステムは、
レチクルと、
上記レチクルの前に取り付けられた第１のペリクル膜と、
上記第１のペリクル膜の前に取り付けられた第２のペリクル膜とを備え、
上記第１のペリクル膜は上記レチクルと上記第２のペリクル膜との間に配置され、
上記第２のペリクル膜は、上記第１のペリクル膜および上記レチクルに対して取り外し可能に取り付けられている。

本発明のリソグラフィレチクルシステムによれば、デュアル（二重）ペリクル膜が提供される。上記第２のペリクル膜は、上記第１のペリクル膜および上記レチクルの前に取り外し可能に取り付けられていることによって、必要に応じて便利に取り換えられ得る。

ここで、上記第２のペリクル膜が「上記第１のペリクル膜および上記レチクルに対して取り外し可能に取り付けられている」とは、上記第２のペリクル膜の取り外しが許容される一方、上記第１のペリクル膜が上記レチクルの前に残るように、上記第２のペリクル膜が取り付けられていることを意味する。したがって、上記第１のペリクル膜は、上記第２のペリクル膜が取り換えられている間、上記レチクルを遮蔽または保護することができる。

上記第１のペリクル膜は、上記レチクルと上記第２のペリクル膜との間に配置されているので、上記第１のペリクル膜は、上記第２のペリクル膜によってプロセス環境から遮蔽され得る。

上記の利点は、ペリクルの取り換えのためにマスク店に上記レチクルを戻す必要を無くすか、少なくとも低減することができる。

また、以下にさらに説明するように、上記第２のペリクル膜の取り外し可能な配置は、上記第２のペリクル膜の、その場（in-situ）での、すなわちリソグラフィツール内での取り換えを可能にすることができる。

ペリクルの劣化および取り換えは、リソグラフィの分野において大きな問題であるけれども、本発明者らが認識したように、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）においてますます問題となっている。極端紫外線リソグラフィでは、短波長、高出力および潜在的に有害なプロセス条件（例えば、レチクルチャンバ環境内の水素雰囲気に起因する）は、ペリクル膜の劣化を加速する可能性がある。したがって、本発明のリソグラフィレチクルシステムの利点は、ＥＵＶＬに関連して特に顕著であり得る。

レチクルは、レチクル支持体上に配置されてもよい。ここで、「レチクル支持体」とは、リソグラフィ露光ツール内で上記レチクルの支持体として機能するように構成されたベースまたは支持体を意味する。レチクル支持体は、このレチクル支持体上での上記レチクルの取り外し可能な取り付けを許容するように構成されてもよい。

ここで、「レチクル」または同義のマスク若しくはフォトマスクとは、ウエハまたは基板に転写されるべきパターンを備えた構造または要素を意味する。レチクルは、反射レチクルとして形成され得る。言い換えれば、レチクルは入射放射線を反射するように構成され得る。反射された放射線は、ウエハの方へ向けられてもよい。

上記第１および第２のペリクル膜は各々フィルムによって形成されてもよい。上記膜は、上記リソグラフィ露光ツールで使用される波長の比較的低い吸収を示し、かつ、粒子汚染物質の通過を防止するかまたは少なくとも抑える材料または材料の組み合わせで形成され得る。有利なことに、上記第１および第２のペリクル膜の各々は、上記リソグラフィ露光ツールで使用される波長の範囲内の波長の光に対して少なくとも９０％の透過率を示すことができる。例えば、上記第１および第２のペリクル膜の各々は、深紫外光（ＤＵＶ）（例えば１９３ｎｍ）またはＥＵＶ（例えば４０ｎｍ未満、例えば１３．５ｎｍ）に対して少なくとも９０％の透過率を示すことができる。

上記第１のペリクル膜は、上記レチクルの前に固定して取り付けられてもよい。しかしながら、上記第１のペリクル膜はまた、上記レチクルに対して取り外し可能に取り付けられてもよい。上記第１のペリクル膜は、上記レチクルの主表面に沿って平行に広がるように配置されてもよい。上記第１のペリクル膜は、上記レチクルから或る距離に配置されてもよい。この距離は、１ｍｍ〜６ｍｍの範囲内にあるのが有利である。

上記第２のペリクル膜は、上記第１のペリクル膜に沿って平行に広がるように配置されてもよい。上記第２のペリクル膜は、上記第１のペリクル膜から或る距離に配置されてもよい。この距離は、０．２５ｍｍ〜４ｍｍの範囲内にあるのが有利である。

ここで、上記レチクルの「前」に配置され、取り付けられ、または位置付けられた上記第１のペリクル膜によって、上記レチクル（の反射性またはパターン化された主表面）に垂直な方向に沿って（または見て）、上記第１のペリクル膜が上記レチクルの前に配置され、取り付けられ、または位置付けられていることが意味されている。これに対応して、上記第１のペリクル膜の「前」に配置され、取り付けられ、または位置付けられた上記第２のペリクル膜によって、上記レチクルに対する法線方向に沿って（または見て）、上記第２のペリクル膜が上記第１のペリクル膜の前に配置され、取り付けられ、または位置付けられていることが意味されている。以下では、このことは、第１の特徴または要素の「前」に配置されているとして本明細書に記載された如何なる第２の特徴または要素にも対応して適用される。

さらに、第１の特徴または要素の「前」に配置され、取り付けられ、または位置付けられた第２の特徴または要素は、第１の特徴または要素の上方に配置され、取り付けられ、または位置付けられている、と言い換えられてもよい。例えば、「上側（upper）」、「下方（below）」、「下（under）」、「下側（lower）」などの他の「鉛直（vertical）」な修飾語への言及は、上記法線方向に沿った位置を指すものと、対応して理解されてもよい。

一実施形態によれば、上記第１のペリクル膜は第１のペリクルフレームによって支持され、この第１のペリクルフレームは上記レチクル上に搭載されている。上記第１のペリクルフレームおよび上記第１のペリクル膜は、第１のペリクルの一部を形成してもよい。したがって、上記レチクルの上方の遮蔽された空間は、上記第１のフレームおよび上記第１のペリクル膜によって画定され得る。上記第１のフレームの下部または底部は上記レチクルに取り付けられ得る。上記第１のペリクル膜は、第１のフレームの上部または頂部に取り付けられてもよい。

ここで、第１の特徴または要素の「上に配置された（arranged on）」、「上に取り付けられた（mounted on）」、「上に位置付けられた（positioned on）」または「に取り付けられた（attached to）」第２の特徴または要素によって、第２の特徴が、第１の特徴の上に（on）／へ（to）直接に、すなわち上記第１の特徴に隣接して、あるいは、上記第２の特徴と上記第１の特徴との中間に１つ以上の特徴または要素を介して、すなわち上記第１の特徴と直接接触せず、配置され、取り付けられ（mounted on）、位置付けられ、または取り付けられ（attached to）ていることが意味されている。

上記第１のペリクルフレームは、ガス透過性の材料で形成されていてもよい。これは、例えば、ロード（load）またはアンロード（unload）の間の圧力変化による第１のペリクルフレームおよび第１のペリクル膜への応力を減らすことができるので、有利である。

一実施形態では、上記第２のペリクル膜は第２のペリクルフレームによって支持され、この第２のペリクルフレームは上記第１のペリクル膜および上記レチクルに対して取り外し可能に取り付けられている。上記第２のペリクルフレームおよび上記第２のペリクル膜は、第２のペリクルの一部を形成してもよい。したがって、上記第１のペリクル膜の上の遮蔽された空間は、上記第２のフレームおよび上記第２のペリクル膜によって画定され得る。上記第２のペリクル膜は、上記第２のフレームの上部または頂部に取り付けられてもよい。

上記システムは、さらに、レチクル支持体を備え、
上記レチクルは上記レチクル支持体上に配置され、
上記第２のペリクルフレームは、上記レチクル支持体上に、このレチクル支持体に対して取り外し可能に取り付けられている。

それによって、上記第２のペリクル膜（上記第２のペリクルフレームによって支持されることによって）は、上記第１のペリクル膜および上記レチクルに対して取り外し可能に取り付けられ得る。上記第２のフレームの下部または底部は、上記レチクル支持体に取り付けられてもよい。

上記第２のペリクルフレームが上記レチクル支持体に取り付けられていることによって、上記第２のペリクルフレームの比較的信頼性の高い取り付けおよび取り外しが可能になる。とりわけ、上記第２のペリクルフレームを取り付けたり取り外したりする行為が上記第１のペリクル膜または上記第１のペリクルフレームに応力または損傷を引き起こす危険性を緩和することができる。

上記に代えて、上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームおよび上記第１のペリクル膜を含む第１のペリクル上に、この第１のペリクルに対して取り外し可能に取り付けられていてもよい。ここで、上記第１のペリクルフレームは、上記第１のペリクル膜を支持している。上記第２のペリクルフレームが上記第１のペリクル上に配置されていることによって、上記第２のペリクルフレームは、上記レチクルと接する如何なる付加的な点も必要としない。

上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレーム上に、この第１のペリクルフレームに対して取り外し可能に取り付けられていてもよい。上記第１のペリクルフレームは、上記第２のペリクルフレームに対して比較的強力で信頼性の高い支持体を提供することができる。さらに、この構成は、上記第２のペリクル膜が上記第１のペリクル膜を完全に遮蔽または覆うことを可能にする。

上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームの外側壁面に隣接して配置されていてもよい。これにより、上記第２のペリクルによって、上記第１のペリクル膜の上の空間の確実な密閉が得られる。上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームの外側壁面にぴったりと嵌合されるよう配置されていてもよい。

上記に代えて、上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームの頂面上に配置されていてもよい。これにより、上記第１のペリクルフレームの占有面積を超えて上記第２のペリクルフレームの占有面積を増加させることなく、上記第２のペリクル膜は上記第１のペリクル膜を完全に遮蔽または覆うことができる。これに対応して、第１および第２のペリクル膜は同じ横方向寸法を示すように形成されてもよい。上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームの頂面に隣接して配置されてもよい。

上記第１のペリクル膜は、上記第１のペリクルフレームの頂面に取り付けられてもよい。ここで、上記第１のペリクル膜が上記第１のペリクルフレームと上記第２のペリクルフレームに関して中間にある状態で、上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレームの頂面に配置されてもよい。

一実施形態では、上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレーム（上記第１のペリクル膜を支持している）の、または、上記レチクルを支持するようになっているレチクル支持体の機械的結合部材と取り外し可能に係合するようになっている機械的結合部材を含む。

互いに取り外し可能に係合し且つ協働するようになっている機械的結合部材（複数）によって、上記第２のペリクルフレームの確実な取り付けおよび便利な取り外しが可能になる。

上記機械的結合部材（複数）は、スナップ（snap）ロック構造を形成するようになっていてもよい。

上記機械的結合部材（複数）は、フランジと、このフランジを受けるようになっているスロットとの組み合わせとして形成されてもよい。上記フランジは上記スロット内にスライドして受け入れられるようになっていてもよい。

一実施形態では、上記第２のペリクルフレームは、上記第１のペリクルフレーム（上記第１のペリクル膜を支持している）の、または、上記レチクルを支持するようになっているレチクル支持体の磁気的結合部材と磁気的に結合するようになっている磁気的結合部材を含む。

互いに磁気的に結合するようになっている磁気的結合部材によって、上記第２のペリクルフレームの確実な取り付けおよび便利な取り外しが可能になる。その磁気的結合は、上記第２のペリクルフレームを上記第１のペリクルフレームに対して所定の位置に保持することができる。上記第２のペリクルフレームは、上記磁気的結合の力を超える機械的な力を加えることによって取り外され得る。

上記磁気的結合部材の一方は、永久磁石または電磁石を含むことができる。他方の磁気的結合部材は、強磁性材料を含むことができる。ここで、上記磁気的結合部材間に引力が発生し得る。

上記第１のペリクル膜と上記第２のペリクル膜との間に密閉空間が形成されていてもよい。これにより、上記第１のペリクル膜は、リソグラフィツール内の潜在的に不利な雰囲気状態から遮蔽され得る。上記密閉空間は、上記第１および上記第２の膜および上記第２のペリクルフレームによって画定され得る。

一実施形態では、上記第２のペリクルフレームはガス入口を含む。ガス入口は、上記マスクおよび上記ペリクルのロードおよびアンロードの間に圧力均等化を可能にすることができる。ガス入口は、上記密閉空間内へスピーシーズ（species）の導入を許容するようになっていてもよい。例えば、上記第１および／または上記第２のペリクル膜の処理を形成するためのスピーシーズが、上記ガス入口を介して導入されてもよい。その処理は、上記ペリクル膜の冷却を含むことができる。その処理は、例えば、上記第１のペリクル膜が上記リソグラフィツール内の水素雰囲気と反応するのを防止する保護コーティングの形成を含んでいてもよい。

さらに、上記第２のペリクルフレームはガス出口を含むことができる。ガス出口は、上記マスクおよび上記ペリクルのロードおよびアンロードの間に圧力均等化を可能にすることができる。ガス出口は、上記密閉空間からスピーシーズの取り出しを許容するようになっていてもよい。

本発明概念の第２の局面によれば、
リソグラフィ露光ツールであって、
光源と、
基板支持体と、
上記第１の局面に従うレチクルシステムと、
上記光源からの光を上記レチクルシステムの上記レチクルを介して上記基板支持体へ向けて導くための光学系と
を含むリソグラフィ露光ツールが提供される。

この局面は、一般に、前の局面と同じまたは対応する利点を示すことができる。それゆえ、第１の局面の利点、変形例および詳細についての上記の論述が参照される。

ここで、「基板支持体」は、露光中の基板またはウエハのための支持体として働くように構成されたベースまたは支持体を意味する。上記基板支持体は、この基板支持体上への上記基板の取り外し可能な取り付けを許容するように構成されてもよい。

上述したように、上記レチクルシステムのレチクルは、反射レチクルであってもよい。ここで、上記第１および上記第２のペリクル膜は、上記レチクルと上記基板支持体との間の光伝搬経路に沿って（見られたとき）、上記レチクルと上記基板支持体との間に配置され得る。

上記光源は極端紫外線光源であってもよい。これにより、上記リソグラフィ露光ツールは、極端紫外線リソグラフィ露光ツールであり得る。

本発明概念の第３の局面によれば、リソグラフィ露光ツールのペリクル膜を交換する方法が提供される。ここで、
上記リソグラフィ露光ツールは、
光源と、
基板支持体と、
上記第１の局面に従うレチクルシステムと、
上記光源からの光を上記レチクルシステムの上記レチクルを介して上記基板支持体へ向けて導くための光学系と
を含み、
上記方法は、
上記リソグラフィ露光ツールから、上記レチクル、上記第１のペリクル膜および上記第２のペリクル膜をアンロードすることと、
（上記レチクルのアンロードに続いて）上記第１のペリクル膜の前の上記第２のペリクル膜を取り除くこととを含み、この取り除く際に上記第１のペリクル膜は上記レチクル上に残っており、
上記第１のペリクル膜の前に第３のペリクル膜を取り外し可能に取り付けることと、
上記レチクル、上記第１のペリクル膜および上記第３のペリクル膜を、上記リソグラフィ露光ツール内にロードすることと
を含む。

したがって、上記第１のペリクル膜が上記レチクル上に残ったまま、上記第２のペリクル膜は上記第３のペリクル膜によって交換または取り換えられて、取り換えの間、上記レチクルの汚染を妨げる。

上記アンロードの間、上記第１のペリクル膜および上記第２のペリクル膜は、上記レチクル上に取り付けられたままである。したがって、上記レチクル、上記第１のペリクル膜および上記第２のペリクル膜は、単一のユニットとしてアンロードされ得る。上記ロードの間、上記第１のペリクル膜および上記第３のペリクル膜が上記レチクル上に取り付けられる。したがって、上記レチクル、上記第１のペリクル膜および上記第３のペリクル膜は、単一のユニットとしてロードされ得る。

本発明概念の第４の局面によれば、リソグラフィ露光ツール内でペリクル膜を交換する方法が提供される。ここで、
上記リソグラフィ露光ツールは、
光源と、
基板支持体と、
上記第１の局面に従うレチクルシステムと、
上記光源からの光を上記レチクルシステムの上記レチクルを介して上記基板支持体へ向けて導くための光学系と
を含み、
上記方法は、
上記第１のペリクル膜の前の上記第２のペリクル膜を取り除くことを含み、この取り除く際に上記第１のペリクル膜は上記レチクル上に残っており、
上記第１のペリクル膜の前に第３のペリクル膜を取り外し可能に取り付けること
を含む。

したがって、上記第１のペリクル膜が上記リソグラフィ露光ツール内で上記レチクル上に取り付けられたままで、上記第２のペリクル膜は、上記第３のペリクル膜によって交換または取り換えられる。これにより、上記第２のペリクル膜のその場での取り換えが提供される。取り換えの間、上記第１のペリクル膜は上記レチクル上に取り付けられたままである。これにより、上記第１のペリクル膜は、取り換えの間、上記レチクルの汚染を妨げることができる。

上記第２のペリクル膜は、上記レチクルが上記レチクル支持体上に配置されているまま、取り外され得る。これにより、上記第２のペリクルの時間効率の良い取り換えが可能になる。さらに、上記取り換え作業の間、上記レチクルは、上記レチクル支持体上の比較的保護された位置に留まることができる。

さらに、上記方法は、上記第３のペリクル膜を取り外し可能に取り付けるのに先立って、上記第３のペリクル膜をロードロックにロードすること、および、上記第３のペリクル膜を上記第１のペリクル膜の前方の位置に搬送することを含んでもよい。

さらに、上記方法は、上記第２のペリクル膜を取り外すのに続いて、上記第２のペリクル膜を上記ツールのロードロックに搬送すること、および、上記第２のペリクルフレームを上記ロードロックからアンロードすることを含んでもよい。これにより、上記第２のペリクル膜は、上記ツールから取り外され得る。

さらに、上記方法は、
上記第２のペリクル膜を取り外すのに続いて、上記第２のペリクルフレームを上記ツールの保管位置に搬送すること、および、
上記第３のペリクル膜を取り外し可能に取り付けるのに先立って、上記ツールの上記保管位置から上記第３のペリクルフレームを上記第１のペリクル膜の前方の位置に搬送すること
を含んでもよい。これにより、ペリクルの交換はさらに自動化され得る。

本発明概念の上記の目的、追加の目的、特徴および利点は、添付の図面を参照して以下の非限定的な詳細な説明によって、より良く理解されるであろう。図面において、特に断らない限り、同様の要素には同様の参照符号が使用される。
レチクルシステムの概略図である。 上記レチクルシステムの変形例の概略図である。 上記レチクルシステムのさらなる変形例の概略図である。 リソグラフィ露光ツール、および、ペリクルを交換する方法を示す概略図である。 リソグラフィ露光ツール、および、そのツール内でペリクルを交換する方法を示す概略図である。

図１は、リソグラフィレチクルシステム１００（以下、システム１００と呼ぶ）を側方から見た断面を示している。システム１００はレチクル１０４を含む。第１のペリクル膜１１２は、レチクル１０４に垂直な方向Ｎに沿って見て、レチクル１０４の前または上に取り付けられている。第２のペリクル膜１２２は、第１のペリクル膜１１２の前または上に取り付けられている。したがって、方向Ｎに沿って、第１のペリクル膜１１２は、レチクル１０４と第２のペリクル膜１２２との間に配置されている。第２のペリクル膜１２２は、第１のペリクル膜１１２およびレチクル１０４に対して取り外し可能に取り付けられている。その結果、第１のペリクル膜１１２およびレチクル１０４の前方の位置からの第２のペリクル膜１２２の取り外しは、第１のペリクル膜１１２がレチクル１０４の前に取り付けられたまま、許容される。

レチクル１０４は、反射レチクルとして形成されている。レチクル１０４の主表面には、基板に転写されるべき反射パターンが形成されていてもよい。一例として、そのパターンが入射光を反射して、光学系が反射された光を収集し、その光をさらに基板へ方向付けてもよい。レチクル１０４は、伝統的な方法で、このレチクル１０４が使用されるべきリソグラフィ露光ツールの光の波長に応じて、形成されている。

レチクル１０４は、レチクル支持体１０２上に配置されている。レチクル支持体１０２は、このレチクル支持体１０２上のレチクル１０４の取り外しを可能にするように構成されている。レチクル支持体１０２は、レチクル台であってもよい。レチクル支持体１０２は、静電的な力または真空によってレチクル１０４の取り付けを許容するようになっていてもよい。しかしながら、機械的な取り付け（例えば、クランプによる）または任意の他の伝統的な固定機構も可能である。

第１のペリクル膜１１２は長方形の形状を有してもよいが、円形、楕円形、多角形などの他の形状も考えられる。第２のペリクル膜１２２は、第１のペリクル膜１１２の形状に対応する形状を有していてもよい。

第１のペリクル膜１１２と第２のペリクル膜１２２は、同じ材料若しくは材料の組み合わせ、または、異なる材料若しくは材料の組み合わせであってもよい。その材料は、レチクル１０４が使用されるべきリソグラフィ露光ツールの光の波長に応じて選択され得る。

第１のペリクル膜１１２および／または第２のペリクル膜１２２は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィルムの１つまたは複数の層によって有利に形成されてもよい。このことは、ＥＵＶＬの用途に特に有利であり得る。

上記ＣＮＴフィルムのＣＮＴは、単一壁ＣＮＴ、ＳＷＣＮＴであってもよい。したがって、少なくとも１つのＣＮＴフィルムの各々は、ＳＷＣＮＴによって形成され得る。ＳＷＣＮＴは、単一のグラフェンシートの円筒形または管状の分子として説明され得る。上記少なくとも１つのＣＮＴフィルムは、０．５〜２ｎｍの範囲内の直径を有するＳＷＣＮＴから形成されてもよい。ＳＷＣＮＴは、典型的には、ＥＵＶ放射の低吸収を示し得る。

上記ＣＮＴフィルムのＣＮＴは、多重壁ＣＮＴ（ＭＷＣＮＴ）であってもよい。したがって、少なくとも１つのＣＮＴフィルムの各々は、ＭＷＣＮＴによって形成され得る。ＭＷＣＮＴは、ＳＷＣＮＴのチューブの２つ以上の同心円筒として説明され得る。上記少なくとも１つのＣＮＴフィルムは、５〜３０ｎｍの範囲内の直径を有するＭＷＣＮＴによって形成されてもよい。

ＣＮＴペリクル膜は、自立形（free-standing）ＣＮＴ膜として好ましく形成され得る。そのことは、例えばペリクルフレームに懸架されているとき、そのＣＮＴ膜が自重を支えることができるという意味で、自立しているかまたは自己支持している任意のＣＮＴ膜を指してもよい。換言すれば、自立形ＣＮＴペリクル膜は、リソグラフィでの使用に適したサイズを有する場合、感知され得る弛み無しに、自重を支えることができる。

自立形ＣＮＴペリクル膜を使用することによって、ペリクルは、比較的高い機械的強度および低いＥＵＶ光吸収を示し得る。また、上記ペリクルの粒子保持特性および耐薬品性が向上し得る。

上記ＣＮＴペリクル膜は、積層された態様で、互いの頂部に配置された複数のＣＮＴ膜を含むことができる。上記ＣＮＴペリクル膜は、幾つかの非限定的な例を与えるために、例えば２，３，４または１０枚のＣＮＴフィルムを含むことができる。各ＣＮＴフィルムは、ＣＮＴ（複数）のランダムまたは規則的な網（web；ウエブ）または格子（grid；グリッド）を含むことができる。上記ＣＮＴフィルム（複数）は、上記ＣＮＴペリクル膜を形成するように一緒に結合され得る。

上記ＣＮＴ（複数）は、複数の個々のＣＮＴが束（すなわち、紐またはロープ様の構造）を形成するという意味で、上記ＣＮＴフィルム内で束ねられてもよい。ここで、上記ＣＮＴフィルムは、整列された若しくはランダムに方向付けられたＣＮＴ束の網を形成している複数の束から形成される。ＣＮＴ束は、例えば２〜２０個の個々のＣＮＴを含むことができる。ＣＮＴ束では、個々のＣＮＴは整列され、それらの長手方向に沿って接合され得る。したがって、１つの束のＣＮＴ（複数）は、そのＣＮＴ束の長さが個々のＣＮＴの長さよりも長くなるようにエンド・ツー・エンドに接合され得る。上記ＣＮＴ（複数）は、典型的には、ファンデルワールス力によって接合され得る。

１つ以上のＣＮＴ膜は、金属または半導体材料でコーティングされてもよい。コーティングは、リソグラフィの間、上記膜のＣＮＴを潜在的な有害なプロセス環境から保護することができる。コーティング材料の例は、Ｂ、Ｂ_４Ｃ、ＺｒＮ、Ｍｏ、Ｒｕ、ＳｉＣ、ＴｉＮ、ａ−Ｃおよびグラフェン、またはそれらの組み合わせを含む。

第１のペリクル膜１１２および／または第２のペリクル膜１２２の材料の他の例は、フルオロポリマー（特にＤＵＶ用途に適している）、セラミック、および／または他の誘電体コーティングを含む。

システム１００は、第１のペリクル膜１１２とこの第１のペリクル膜１１２を支持する第１のペリクルフレーム１１４とを含む第１のペリクル１１０を含んでいる。第１のペリクルフレームは、２対の互いに対向する側壁のような、幾つかの側壁を含むことができる。第１のペリクルフレーム１１４は、気体透過性材料によって形成されてもよい。ペリクルフレーム１１４は、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２または石英で形成され得る。しかしながら、幾つかの例を示すと、ペリクルフレーム１１４のために、金属、プラスチックまたはセラミック材料のような他の材料も可能である。

第１のペリクル膜１１２は、第１のペリクルフレーム１１４の頂部に取り付けられている。第１のペリクル膜１１２は、接着剤によって、または溶接などによって、第１のペリクルフレーム１１４に取り付けられてもよい。

第１のペリクルフレーム１１４は、レチクル１０４の上方に開口（openingまたはaperture）を画定している。第１のペリクル膜１１２は、開口を覆っている。第１のペリクル膜１１２は、第１のペリクルフレーム１１４によってレチクル１０４の前に懸架されている。第１のペリクルフレーム１１４の高さおよび厚さは、レチクル１０４の主表面と第１のペリクル膜１１２との間の距離が１ｍｍ〜６ｍｍの範囲内にあるようなものであってもよい。

第１のペリクルフレーム１１４の底部は、レチクル１０４に取り付けられている。第１のペリクルフレーム１１４は、上記レチクルに接着、溶接、または他の方法で結合されてもよい。

システム１００は、第２のペリクル膜１２２とこの第２のペリクル膜１２２を支持する第２のペリクルフレーム１２４とを含む第２のペリクル１２０を含んでいる。第２のペリクルフレームは、２対の互いに対向する側壁のような、幾つかの側壁を含むことができる。第２のペリクルフレームは、例えば第１のペリクルフレーム１１４に関連して説明した材料のいずれかで形成され得る。

第２のペリクル膜１２２は、第２のペリクルフレーム１２４の頂部に取り付けられている。第２のペリクル膜１２２は、接着剤によって、または溶接などによって、第２のペリクルフレーム１２４に取り付けられてもよい。

第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクル膜１１２の上方に開口（openingまたはaperture）を画定している。第２のペリクル膜１２２は、第２のペリクルフレーム１２４によって第１のペリクル膜１１２の前に懸架されている。第２のペリクルフレームの高さまたは厚さは、第１のペリクル膜１１２と第２のペリクル膜１１２との間の距離（図１の「ｄ」で示される）が０．２５ｍｍ〜４ｍｍの範囲にあるようなものである。

第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクル１１０上に取り外し可能に取り付けられている。より具体的には、図１に示すように、第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクルフレーム１１４の頂面上に配置されている。図１に示すように、第１のペリクル膜１１２は、第１のペリクルフレーム１１４の頂面に取り付けられ、その頂面を完全に覆っていてもよい。したがって、第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクルフレーム１１４の頂面上の第１のペリクル膜１１２上に（すなわち、第１のペリクルフレーム１１４の頂面を覆う第１のペリクル膜１１２の部分上に）配置され得る。しかし、第１のペリクルフレーム１１４の頂面の少なくとも一部が第１のペリクル膜１１２によって露出されるならば、第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクルフレーム１１４の頂面上に直接配置されてもよい。

第２のペリクルフレーム１２４は、結合部材を備えていてもよい。対応する結合部材が、第１のペリクルフレーム１１４に設けられ得る。それらの結合部材は、図１中に破線の箱１２９によって非常に概略的に示されている。

第２のペリクルフレーム１２４が機械的結合部材１２９を備え、また、第１のペリクルフレーム１１４は、対応する機械的結合部材１２９を備えることができる。それらの結合部材１２９は、互いに取り外し可能に係合するようになっている。機械的結合部材の様々な構成が可能である。

それらの機械的結合部材１２９は、スナップロック構造を形成するようになっていてもよい。それらの機械的結合部材１２９の一方はフックを含み、他方の結合部材１２９は溝を含むことができる。第２のペリクルフレーム１２４が第１のペリクルフレーム１１４上に位置付けられるとき、上記フックは上記溝と係合するようになっていてもよい。上記溝は、第２のペリクルフレーム１２４の第１のペリクルフレーム１１４の外側壁面に形成されてもよい。上記フックは、他方のペリクルフレーム１１４の外側壁面まで延びて上記溝に入るように形成されてもよい。上記フックは、弾性材料から形成され、上記溝から外れるように弾性的に（例えば、ペリクルフレーム１１４，１２４に対して外向きに）曲げられてもよい。それにより、第１のペリクル１１０からの第２のペリクル１２０の取り外しを可能にすることができる。上記結合部材は、１つ以上のそのようなフックおよび溝を含むことができる。例えば、第１及び第２のペリクルフレーム１１４，１２４の互いに反対の側に、フックと溝の対を形成することができる。

上記機械的結合部材（複数）１２９は、フランジと、このフランジを受けるようになっているスロットとの組み合わせとして形成されてもよい。上記フランジは上記スロット内にスライドして受け入れられるようになっていてもよい。それらの結合部材１２９の一方はスロットを含み、他方の結合部材１２９は、第２のペリクルフレーム１２４が第１のペリクルフレーム１１４上に位置付けられるとき、上記スロット内に受け入れられるようになっているフランジ、ラグ（lug）または他の突起を含むことができる。上記一方の結合部材１２９は、互いに反対側の一対のスロットを含むことができる。上記他方の結合部材１２９は、一対のスロットに受け入れられるようになっている互いに反対側の一対のフランジを含むことができる。例えば、第１のペリクルフレーム１１４の頂面上に、互いに反対側の一対のスロットが形成され得る。第２のペリクルフレーム１２４の底部に、互いに反対側で外向きに突出する一対のフランジが形成され得る。したがって、上記フランジ（複数）を上記スロット（複数）に挿入することによって、第２のペリクル１２０は、第１のペリクル１１０支持体１０２上に取り外し可能に取り付けられ得る。上記スロット（複数）は、レチクル１０４の主表面と平行な方向に延在するように配置されていてもよい。したがって、上記フランジ（複数）を上記スロット（複数）のそれぞれの口（mouth）に合わせて、第２のペリクル１２０をレチクル１０４の主表面に平行な方向に移動させることによって、第２のペリクル１２０は第１のペリクル１１０上に取り付けられ得る。その動きを逆にすることによって、第２のペリクル１２０は第１のペリクル１１０から取り外され得る。

このように又は同様に構成された結合部材によって、第２のペリクルの簡単で信頼性のある取り外し可能な取り付けが提供される。また、結合部材は、クリップまたはクランプ構造によっても形成され得る。

上記に代えて、第２のペリクルフレーム１２４は磁気的結合部材１２９を備え、また、第１のペリクルフレーム１１４は、対応する磁気的結合部材１２９を備えてもよい。それらの結合部材１２９は、互いに磁気的に結合されるようになっていてもよい。例えば、第１のペリクルフレーム１１４は、１つ以上の永久磁石または１つ以上の電磁石を備えてもよい。第２のペリクルフレーム１１４は１つ以上の強磁性材料部分を備えてもよい。ここで、第２のペリクルフレーム１２４が第１のペリクルフレーム１１４上に位置付けられたとき、第２のペリクルフレーム１１４をレチクル支持体１０２または第１のペリクルフレーム１１４の方へ引き付ける力が生成され得る。電磁石の場合は、第２のペリクルフレーム１２４が取り外されるとき電磁石は停止され、また、第２のペリクルフレーム１２４が取り付けられるとき電磁石は活性化されてもよい。それに代えて、第２のペリクルフレーム１２４が１つ以上の永久磁石または１つ以上の電磁石を備え、第１のペリクルフレーム１２４が１つ以上の強磁性材料部分を備えていてもよい。

図１に示すように、第１のペリクル膜１１２と第２のペリクル膜１２２との間に、密閉空間が形成されている。この空間は、第２のペリクルフレーム１２４の内側壁面、第１のペリクル膜１１２、および第２のペリクル膜１２２によって画定されている。

図示のように、第２のペリクルフレーム１２４は、ガス入口１２６を含んでもよい。ガス入口１２６は、例えばバルブによって、選択的に開口可能であってもよい。そのバルブは、レチクルシステム１００が使用されることが意図されているリソグラフィ露光ツールのコントローラによって作動され得る。ガス入口１２６は、例えば、レチクル１０４およびペリクル１１０，１２０のアンロードの間に開かれてもよい。これにより、第１のペリクル膜１１２に関して、圧力変化の速度が低減され得る。しかしながら、ガス入口１２６は上記密閉空間へのスピーシーズの導入のために使用されてもよい。例えば、第１および第２のペリクル膜１１２，１２２を冷却するための、または、さもなければそれらを処理するためのスピーシーズが、ガス入口１２６を介して導入されてもよい。スピーシーズの例には、Ｈｅ、ＢおよびＮが含まれる。この目的のために、上記リソグラフィ露光ツールは、上記入口に結合されたガス源（例えば、Ｈｅ、ＢまたはＮ源）を含んでもよい。

第２のペリクルフレーム１２４は、ガス出口１２８をさらに含むことができる。ガス出口１２８は、例えばバルブによって、選択的に開口可能であってもよい。バルブは、電気的手段によって制御され得る。レチクル１０４およびペリクル１１０，１２０のロードの間、ガス出口１２８は開かれ、これにより、第１のペリクル膜１１２に関して、圧力変化の速度が低減され得る。

図２は、変形例によるリソグラフィレチクルシステム１００を側方から見た断面を示している。図２に示すシステム１００は、図１のシステムに対応する要素を含んでいる。図２に示すシステム１００は、第２のペリクルフレーム１２０がレチクル支持体１０２上に配置されている点でのみ、図１に示すシステム１００から異なっている。第２のペリクルフレーム１２４は、図１に関連して第２のペリクルフレーム１２４および第１のペリクルフレーム１１４に関して説明したのと同様の態様で、レチクル支持体１０２上に取り外し可能に取り付けられていてもよい。例えば、（機械的または磁気的）結合部材が第２のペリクルフレーム１２４に設けられ、また、対応する（機械的または磁気的）結合部材がレチクル支持体１０２上に設けられ得る。

密閉空間が、第１のペリクル膜１１２と第２のペリクル膜１２２との間に形成されている。この空間は、第２のペリクルフレーム１２４の内側壁面、第１のペリクルフレーム１１４の外側壁面、第１のペリクル膜１１２、および第２のペリクル膜１２２によって画定されている。

図３は、更なる変形例によるリソグラフィレチクルシステム１００を側方から見た断面を示している。図３に示すシステム１００は、図１中の要素に対応する要素を含んでいる。図３に示すシステム１００は、第２のペリクルフレーム１２０が第１のペリクルフレーム１１４の外側壁面に隣接して配置されている点でのみ、図１に示すシステム１００から異なっている。したがって、第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクルフレーム１１４の外側壁面の周りに、ぴったりと嵌合する態様で配置されている。第２のペリクルフレーム１２４は、第１のペリクルフレーム１１４の外側壁面に対して摺動可能にもたれていてもよい。

第２のペリクルフレーム１２４の第１のペリクルフレーム１１４に対する取り付けの信頼性を向上させるために、図１に関連して第２のペリクルフレーム１２４および第１のペリクルフレーム１１４に関して説明したのと同様に、結合部材が設けられてもよい。

密閉空間が、第１のペリクル膜１１２と第２のペリクル膜１２２との間に形成されている。この空間は、第２のペリクルフレーム１２４の内側壁面のうち第１のペリクル膜１１２の上方に突出している部分、第１のペリクル膜１１２、および第２のペリクル膜１２２によって画定されている。

図４は、リソグラフィ露光ツール２００（以下「ツール２００」と呼ぶ。）の概略図である。ツール２００は、レチクルシステム１００を含んでいる。このツールは、光または放射線Ｒを放射するための光源２０６を含んでいる。光源２０６は、リソグラフィツールのタイプに応じて、ＤＵＶ光源でもＥＵＶ光源でもよい。

ツール２００は、処理されるべき基板またはウエハ２０４を支持するための基板支持体２０２を含んでいる。

ツール２００は、光源２０６からの光を、レチクル１０４を介して基板支持体２０２および基板２０４の方へ向ける光学系２１０を含んでいる。したがって、概略的に示されている通り、光Ｒは、光源から伝播し、基板２０４上に入射する前に第１および第２のペリクル膜１１２，１２２を２回通る。

ペリクル交換または取り換え方法の間、レチクル１０４、第１のペリクル１１０および第２のペリクル１２０は、ツール２００からアンロードされ得る。レチクル１０４は、レチクル支持体１０２から取り外されて、自動アンロード機構によってツール２００のロードロック２１２に搬送される。これが概略的に矢印Ａで示されている。続いて、レチクル１０４、第１のペリクルおよび第２のペリクル１２０の組み合わせは、ロードロック２１２のロードポートを介して、ロードロック２１２からアンロードされ得る。これが概略的に矢印Ｂで示されている。

ツール２００の外側で、第２のペリクル１２０は、第１のペリクル１１０から手動で取り外され得る。第３のペリクル膜を有し、かつ第２のペリクル１２０と同じ設計および構成の第３のペリクル１３０が、第１のペリクル１１０上に取り外し可能に取り付けられ得る。この動作を通して、第１のペリクル１１０はレチクル１０４上に取り付けられたままであることが、留意されるべきである。

続いて、レチクル１０４、第１のペリクル１１０および第３のペリクル１３０の組み合わせは、ロードロック２１２の上記ロードポートを介して、ロードロック２１０内にロードされ得る。これが概略的に矢印Ｃで示されている。真空排気の後、レチクル１０４、第１のペリクル１１０および第３のペリクル１３０の組み合わせは、自動ロード機構によってレチクル支持体１０２に搬送される。これが概略的に矢印Ｄで示されている。そのロード機構は、伝統的なリソグラフィ露光ツールの伝統的なロード機構に対応する態様で実現され得る。レチクル１０４は、レチクル支持体１０２上に配置され得る。その後、リソグラフィ動作が開始され得る。

図５は、図４に示すツール２００に対応するリソグラフィ露光ツール２００の概略図である。しかし、図５には、異なるペリクル交換方法が示されている。

レチクル１０４、第１のペリクル１１０および第２のペリクル１２０の組み合わせをアンロードするのに代えて、第２のペリクル１２０が第１のペリクル１１０から取り外される一方、レチクル１０４および第１のペリクル１１０はレチクル支持体１０２上に留まる。続いて、第２のペリクル１２０は、ロードロック２１２に搬送される。これが概略的に矢印Ａで示されている。ツール２００は、ペリクル１１０，１２０の結合部材を互いに係合解除させるための機構を含むことができる。続いて、第２のペリクル１２０は、ロードロック２１２のロードポートを介して、ロードロック２１２からアンロードされ得る。これが概略的に矢印Ｂで示されている。

第３のペリクル膜を有し、かつ第２のペリクル１２０と同じ設計および構成の第３のペリクル１３０が、ロードロック２１２の上記ロードポートを介して、ロードロック２１２にロードされ得る。これが概略的に矢印Ｃで示されている。真空排気の後、第３のペリクル１３０は、自動ロード機構によってレチクル支持体１０２に搬送され、第１のレチクル１１０上に取り付けられ得る。そのロード機構は、伝統的なリソグラフィ露光ツールの伝統的なロード機構に対応する態様で実現され得る。これが概略的に矢印Ｄで示されている。ツール２００は、ペリクル１１０，１３０の結合部材を互いに係合させるための機構を含むことができる。その後、リソグラフィ動作が開始され得る。

上記に代えて、第２のペリクル１２０は、ツール２００の保管場所（図示せず）、例えばペリクルカートリッジに搬送されてもよい。第２のペリクルは、使用済みのペリクルのために意図された保管場所の部分に搬送されてもよい。これに対応して、第３のペリクル１３０は、保管場所からレチクル支持体１０２へ搬送され、第１のレチクル１１０上に取り付けられてもよい。第３のペリクル１３０は、例えば、未使用のペリクルのために意図された保管場所の部分から搬送され得る。これにより、ペリクル交換はさらに自動化され得る。上記保管場所は、ツール２００のメンテナンス中に、空にされ、および／または、必要に応じて補充されてもよい。

上では、本発明の概念は、主に限定された数の例を参照して説明されてきた。しかし、当業者であれば容易に分かるように、上に開示したもの以外の他の例は、添付の特許請求の範囲によって規定される通り、本発明概念の範囲内で等しく可能である。例えば、上述の第１のペリクル１１０はレチクル１０４と同じ占有面積をもつことが示されているけれども、レチクル１０４よりも小さな占有面積をもつ第１のペリクル１１０を形成することも可能である。これは、例えば、レチクル１０４の主表面のサブ領域上にのみパターンが形成されている場合に、適するかも知れない。そのような構成で、第２のペリクル１２０は、レチクル１０４の主表面上に取り外し可能に取り付けられ得る。さらに、図４および図５において、ツール２００は、図１に示すレチクルシステム１００に関連して記述された。しかし、ツール２００において、図２および図３に示すレチクルシステム１００の変形例を使用することも、等しく可能である。

Claims (15)

1. リソグラフィレチクルシステム（１００）であって、
   レチクル（１０４）と、
   上記レチクル（１０４）の前に取り付けられた第１のペリクル膜（１１２）と、
   上記第１のペリクル膜（１１２）の前に取り付けられた第２のペリクル膜（１２２）とを備え、
   上記第１のペリクル膜（１１２）は上記レチクル（１０４）と上記第２のペリクル膜（１２２）との間に配置され、
   上記第２のペリクル膜（１２２）は、上記第１のペリクル膜（１１２）および上記レチクル（１０４）に対して取り外し可能に取り付けられているシステム。
2. 請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
   上記第１のペリクル膜（１１２）を支持する第１のペリクルフレーム（１１４）を備え、
   上記第１のペリクルフレーム（１１４）が上記レチクル（１０４）上に取り付けられているシステム。
3. 請求項１または２に記載のシステムにおいて、さらに、
   上記第２のペリクル膜（１２２）を支持する第２のペリクルフレーム（１２４）を備え、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は上記第１のペリクル膜（１１２）および上記レチクル（１０４）に対して取り外し可能に取り付けられているシステム。
4. 請求項３に記載のシステムにおいて、さらに、
   レチクル支持体（１０２）を備え、
   上記レチクル（１０４）は上記レチクル支持体（１０２）上に配置され、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、上記レチクル支持体（１０２）上に、このレチクル支持体（１０２）に対して取り外し可能に取り付けられているシステム。
5. 請求項３に記載のシステムにおいて、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、上記第１のペリクル膜（１１２）を支持する第１のペリクルフレーム（１１４）上に、この第１のペリクルフレーム（１１４）に対して取り外し可能に取り付けられているシステム。
6. 請求項５に記載のシステムにおいて、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、上記第１のペリクルフレーム（１１４）の外側壁面に隣接して配置されているシステム。
7. 請求項５に記載のシステムにおいて、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、上記第１のペリクルフレーム（１１４）の頂面上に配置されているシステム。
8. 請求項３から７までのいずれか一つに記載のシステムにおいて、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、第１のペリクルフレーム（１１４）の、または、上記レチクル（１０４）を支持するようになっているレチクル支持体（１０２）の機械的結合部材（１２９）と取り外し可能に係合するようになっている機械的結合部材（１２９）を含むシステム。
9. 請求項３から７までのいずれか一つに記載のシステムにおいて、
   上記第２のペリクルフレーム（１２４）は、第１のペリクルフレーム（１１４）の、または、上記レチクル（１０４）を支持するようになっているレチクル支持体（１０２）の磁気的結合部材（１２９）と磁気的に結合するようになっている磁気的結合部材（１２９）を含むシステム。
10. 請求項１から９までのいずれか一つに記載のシステムにおいて、
    上記第２のペリクルフレーム（１２４）はガス入口（１２６）を含むシステム。
11. 請求項１から１０までのいずれか一つに記載のシステムにおいて、
    上記第１のペリクル膜（１１２）と上記第２のペリクル膜（１２２）は、或る距離だけ離間されているシステム。
12. リソグラフィ露光ツール（２００）であって、
    光源（２０６）と、
    基板支持体（２０２）と、
    請求項１から１１までのいずれか一つに記載のレチクルシステム（１００）と、
    上記光源からの光を上記レチクルシステムの上記レチクルを介して上記基板支持体へ向けて導くための光学系（２１０）と
    を含むリソグラフィ露光ツール。
13. 請求項１２に記載のリソグラフィ露光ツール（２００）において、
    上記光源は極端紫外線光源であるリソグラフィ露光ツール。
14. 請求項１２または１３に記載のリソグラフィ露光ツール（２００）のペリクル膜を交換する方法であって、
    上記方法は、
    上記リソグラフィ露光ツール（２００）から、上記レチクル（１０４）、上記第１のペリクル膜（１１２）および上記第２のペリクル膜（１２２）をアンロードすることと、
    上記第１のペリクル膜（１１２）の前の上記第２のペリクル膜（１２２）を取り除くこととを含み、この取り除く際に上記第１のペリクル膜（１１２）は上記レチクル（１０４）上に残っており、
    上記第１のペリクル膜（１１２）の前に第３のペリクル膜（１３２）を取り外し可能に取り付けることと、
    上記レチクル（１０４）、上記第１のペリクル膜（１１２）および上記第３のペリクル膜（１３２）を、上記リソグラフィ露光ツール内にロードすることと
    を含む方法。
15. 請求項１２または１３に記載のリソグラフィ露光ツール内でペリクル膜を交換する方法であって、
    上記方法は、
    上記第１のペリクル膜（１１２）の前の上記第２のペリクル膜（１２２）を取り除くことを含み、この取り除く際に上記第１のペリクル膜（１１２）は上記レチクル（１０４）上に残っており、
    上記第１のペリクル膜（１１２）の前に第３のペリクル膜（１３２）を取り外し可能に取り付けること
    を含む方法。

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