JP2018191289A - 振動板アセンブリ、トランスデューサー及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−ボイスコイル巻型内部にボイスコイルゲージを挿入するステップと、
−ボイスコイルをゲージとともに空隙に挿入するステップと、
−第2の振動板構成要素の内周部にボイスコイルを取り付けるステップと、
−ボイスコイルゲージを取り除くステップと、
−オーバーラップ部分において第2の振動板構成要素に第1の振動板構成要素を取り付けるステップと、
を含む、対応する製造方法が提案される。
−ボイスコイルゲージがボイスコイル巻型121の内側に挿入される。
−ボイスコイルがゲージとともに空隙303に挿入される。ゲージは、空隙303におけるボイスコイルの高さ及び半径方向の配置を画定する。
−フレーム401、すなわちバスケットにおいて、スパイダー123の外周部に対して、又はスパイダー123のそれぞれの部分に、接着剤が塗布される。
−スパイダー123が、ボイスコイル巻型121の上に配置される。
−ボイスコイル及びスパイダー123によって形成されたサブアセンブリが、磁石システムに対して押し付けられ、それにより、ゲージの停止レベルがボイスコイルに対する正確な高さを画定する。
−スパイダー123とボイスコイル巻型121との間の接触箇所に接着剤が塗布される。
−第2の振動板構成要素112と外側懸架要素114との間の接触箇所に接着剤を塗布し、2つを接触させることにより、第2の振動板構成要素112及び外側懸架要素114を備えるサブアセンブリが用意される。
−外側懸架要素114を受け入れるために外側フレーム部分401の接触面に、又は外側懸架要素114のそれぞれの接触面に、接着剤が塗布される。
−第2の振動板構成要素112及び外側懸架要素114によって形成されたサブアセンブリが、フレーム400の上に配置される。
−第2の振動板構成要素112とボイスコイル巻型121との間の接触箇所に、接着剤が塗布される。
−第2の振動板構成要素112がボイスコイル巻型121に取り付けられる。
−ボイスコイルゲージが取り除かれる。
−第1の振動板構成要素111と内側懸架要素113との間の接触箇所に接着剤を塗布し、2つを接触させることにより、第1の振動板構成要素111及び内側懸架要素113を備えるサブアセンブリが用意される。
−第1の振動板構成要素111及び第2の振動板構成要素112のいずれか又は両方の接触面において、オーバーラップ部分Lに接着剤が塗布される。
−フレーム400の内側フレーム部分402と内側懸架要素113との間のそれぞれの接触面又は両方の接触面に、接着剤が塗布される。
−第1の振動板構成要素111及び内側懸架要素113を備えるサブアセンブリが、第2の振動板構成要素112及び外側懸架要素114によって形成されたサブアセンブリの上に、かつフレーム402の上に配置される。
110 振動板
111 第1の振動板構成要素
111a 内周部
111b 外縁
112 第2の振動板構成要素
112a 内周部
112b 外縁
113 内側懸架要素
114 外側懸架要素
115 外側
116 内側
120 ボイスコイルアセンブリ
121 ボイスコイル
123 スパイダー
200 振動板アセンブリ、高周波数範囲
300 磁気回路
301 磁石
302 センターポール
303 間隙
400 フレーム
401 外側フレーム部分
402 内側フレーム部分
1000 トランスデューサー
L オーバーラップ部分
R 半径方向の広がり
X 音響軸
Claims (23)
- 振動板アセンブリ(100)は、
振動板(110)と、
前記振動板(110)に接続されたボイスコイルアセンブリ(120)と、を備え、
前記振動板(110)は、内周部(111a)と外縁(111b)との間に延在する第1の振動板構成要素(111)と、 内周部(112a)と外縁(112b)との間に延在する第2の振動板構成要素(112)と、を備え、
前記第1の振動板構成要素(111)の前記外縁(111b)は、オーバーラップ部分(L)を介して前記第2の振動板構成要素(112)と重なり、該第2の振動板構成要素(112)は、前記オーバーラップ部分(L)において前記第1の振動板構成要素(111)に取り付けられており、
前記ボイスコイルアセンブリ(120)は、前記第2の振動板構成要素(112)の前記内周部(112a)に接続されていることを特徴とする、振動板アセンブリ。 - 請求項1に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記オーバーラップ部分(L)は環状である、振動板アセンブリ。
- 請求項1又は2に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記振動板(110)は、断面が音響軸(X)に沿う場合に、該音響軸(X)の方向における成分を含む輪郭の上を、該音響軸(X)から離れる方向に延在する、断面形状を有する、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記振動板(110)は切頭円錐形である、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記第1の振動板構成要素(111)及び前記第2の振動板構成要素(112)は環状である、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記オーバーラップ部分(L)は、前記音響軸(X)に対して半径方向(R)に前記第2の振動板構成要素(112)の半径方向の広がりの1%〜100%、好ましくは5%〜20%にわたって延在する、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記第1の振動板構成要素(111)及び前記第2の振動板構成要素(112)は接線方向に位置合せされている、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、前記第1の振動板構成要素(111)は、前記音響軸(X)に沿って外側から見た場合、前記第2の振動板構成要素(112)と前記ボイスコイルアセンブリ(120)との間の接触箇所を覆い、好ましくはその上に延在する、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、振動板(110)は、音声再生のために十分剛性があるように構築されている、振動板アセンブリ。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)であって、該振動板アセンブリ(100)は、スピーカートランスデューサー(1000)のサブアセンブリとして構築されている、振動板アセンブリ。
- スピーカートランスデューサー(1000)であって、請求項1〜10のいずれか一項に記載の振動板アセンブリ(100)を備える、スピーカートランスデューサー。
- 請求項11に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、該スピーカートランスデューサーは、
フレーム(401、402)と、
前記振動板(110)を該スピーカートランスデューサー(1000)の前記フレーム(401、402)に懸架するように構成された少なくとも1つの懸架要素(113、114)と、を備える、スピーカートランスデューサー。 - 請求項12に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、
第1の振動板構成要素(111)又は、
第2の振動板構成要素(112)又は、
前記第1の振動板構成要素(111)及び前記第2の振動板構成要素(112)の両方は、前記少なくとも1つの懸架要素(113、114)の軸方向剛性より大きい軸方向剛性又は結合された軸方向剛性を有する、スピーカートランスデューサー。 - 請求項12又は13に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、
前記第1の振動板構成要素(111)又は、
前記第2の振動板構成要素(112)又は、
前記第1の振動板構成要素(111)及び前記第2の振動板構成要素(112)の両方の前記軸方向剛性は、前記少なくとも1つの懸架要素(113、114)の前記軸方向剛性と比較して桁が異なる、スピーカートランスデューサー。 - 請求項12、13又は14のいずれか一項に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、前記少なくとも1つの懸架要素(114)の軸方向運動は、多くとも、前記外側懸架(114)及び前記振動板(110)それぞれの半径方向(R)の広がりに沿った中間点において前記振動板(110)の運動の半分である、スピーカートランスデューサー。
- 請求項12〜15のいずれか一項に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、前記少なくとも1つの懸架要素(113、114)及び前記振動板(110)は、接線方向に位置合せされている、スピーカートランスデューサー。
- 請求項12〜16のいずれか一項に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、前記少なくとも1つの懸架要素は、前記振動板アセンブリ(100)を該スピーカートランスデューサー(1000)の周囲のフレーム(401)に懸架する、前記第2の振動板構成要素(112)の前記外縁(112b)に接続された外側懸架要素(114)である、スピーカートランスデューサー。
- 請求項12〜17のいずれか一項に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、前記少なくとも1つの懸架要素は、前記振動板アセンブリ(110)を該スピーカートランスデューサー(1000)の中心フレーム(402)に懸架する、前記第1の振動板構成要素(111)の前記内周部(111a)に接続された内側懸架要素(113)である、スピーカートランスデューサー。
- 請求項18に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、
低周波数振動板アセンブリとして、請求項1〜10のいずれか一項に記載の前記振動板アセンブリ(100)と、
該スピーカートランスデューサー(1000)の前記中心フレーム要素(402)に収容された高周波数振動板アセンブリ(200)と、
を備える複合トランスデューサーである、スピーカートランスデューサー。 - 請求項11〜19のいずれか一項に記載のスピーカートランスデューサー(1000)であって、前記振動板(110)の第1のブレークアップモード周波数は、該トランスデューサー(1000)の通過帯域の最高周波数以上にある、スピーカートランスデューサー。
- トランスデューサー(1000)のスピーカー振動板アセンブリ(100)を製造する方法であって、
ボイスコイル巻型(121)内部にボイスコイルゲージを挿入することと、
ボイスコイルを前記ゲージとともに空隙(303)に挿入することと、
第2の振動板構成要素(112)の内周部(112a)に前記ボイスコイルを取り付けることと、
前記ボイスコイルゲージを取り除くことと、
オーバーラップ部分(L)において前記第2の振動板構成要素(112)に第1の振動板構成要素(111)を取り付けることと、
を含む、方法。 - 前記トランスデューサー(1000)は、請求項11〜20のいずれか一項に記載のものである、請求項21に記載の方法。
- 前記取付け方法は接着である、請求項21又は22に記載の方法。
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