JP2018191034A - Omni-directional small planar antenna device - Google Patents
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Abstract
【課題】目的とする整合周波数の1波長よりも直径を小型化でき、水平偏波だけでなく垂直偏波でも無指向性を実現できる無指向性小型平面アンテナ装置を提供する。【解決手段】無指向性小型平面アンテナ装置1Aは、第1導電層3と第2導電層4が上下面に形成された正方形の誘電体基板2の四側面中央部に第1〜第4導電連結部61〜64を設けて、第1〜第4分割線PL1〜PL4で4等分することにより第1〜第4スロットアンテナ領域を形成し、各領域には、第1導電層3の上面第1〜第4スリット部31〜34から誘電体基板2の第1〜第4側面スリット部231〜234を経て第2導電層4の下面第1〜第4スリット部41〜44に至る同一形状の第1〜第4通信スロット11S〜14Sを設け、第1導電層3の中心に設けた給電ポート5より信号の注入、または取り出しを行う。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an omnidirectional small planar antenna device which can be made smaller in diameter than one wavelength of a target matching frequency and can realize omnidirectionality not only in horizontal polarization but also in vertical polarization. SOLUTION: An omnidirectional small planar antenna device 1A has first to fourth conductive layers at the center of four side surfaces of a square dielectric substrate 2 having a first conductive layer 3 and a second conductive layer 4 formed on the upper and lower surfaces thereof. The first to fourth slot antenna regions are formed by providing the connecting portions 61 to 64 and equally dividing the first to fourth dividing lines PL1 to PL4 into four regions. In each region, the upper surface of the first conductive layer 3 is formed. The same shape from the first to fourth slit portions 31 to 34 to the lower surface first to fourth slit portions 41 to 44 of the second conductive layer 4 through the first to fourth side surface slit portions 231 to 234 of the dielectric substrate 2. The first to fourth communication slots 11S to 14S are provided to inject or take out signals from the power supply port 5 provided at the center of the first conductive layer 3. [Selection diagram] Fig. 1
Description
本発明は、無指向性を有する小型で平面構造のアンテナ装置に関する。 The present invention relates to a small and planar antenna device having omnidirectionality.
アンテナの小型化は可搬性の観点等から携帯無線端末等に望まれるテーマである。また、無指向性は向きの変化する移動局や、全方向の端末と通信を行う基地局にも望まれる特性である。小型で無指向性を実現可能なアンテナ装置として、平板状の上面導体部と下面導体部の縁に帯状の側面導体部を垂直に接続してなり、上面導体部から側面導体部を経て下面導体部へ至る連続したスリットで構成した通信スロットを設け、上面導体部と下面導体部の間を進行するTEM波に対して、通信スロットの長手方向における経路の一部が交差するようにしたアンテナ装置が提案されている(例えば、特許文献1を参照)。 Miniaturization of the antenna is a theme desired for portable radio terminals and the like from the viewpoint of portability. Further, omnidirectionality is a characteristic desired for a mobile station whose direction changes and a base station which communicates with terminals in all directions. As a small and omnidirectional antenna device, a strip-shaped side conductor is vertically connected to the edge of a flat top conductor and a bottom conductor, and the bottom conductor is passed from the top conductor to the side conductor. An antenna device provided with a communication slot composed of continuous slits leading to a portion, so that a part of the path in the longitudinal direction of the communication slot intersects a TEM wave traveling between the upper surface conductor portion and the lower surface conductor portion Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
上記特許文献1に記載のアンテナ装置は、水平偏波にて無指向性を実現できる。また、誘電体基板の両面および側面に導体を設けた平面構造にてアンテナ装置本体を構成でき、モノポールアンテナなどに比べて超低姿勢である。しかも、通信スロットは、上面導体部から側面導体部を経て下面導体部へ至るようにスリット開設して構成するので、無指向性を実現できる整合周波数の1波長程度にアンテナ装置の直径を小型化できる。 The antenna device described in Patent Document 1 can realize omnidirectionality by horizontal polarization. In addition, the antenna device main body can be configured with a planar structure in which conductors are provided on both surfaces and side surfaces of the dielectric substrate, which is extremely low in comparison with a monopole antenna or the like. In addition, since the communication slot is configured by opening a slit from the upper conductor portion to the lower conductor portion through the side conductor portion, the diameter of the antenna device is reduced to about one wavelength of the matching frequency capable of realizing omnidirectionality. it can.
しかしながら、上記特許文献1に記載された発明では、基板の直径が約1波長であるため、携帯無線端末としての可搬性や実装性を高めるためには、更なる小型化が望まれる。また、マルチパスの影響や、携帯無線端末の向きの変化を受けても、安定した通信を確保するためには、水平偏波の成分だけでなく、垂直偏波の成分によっても無指向性を実現できることが望ましい。 However, in the invention described in Patent Document 1, since the substrate has a diameter of about one wavelength, further miniaturization is desired in order to improve portability and mountability as a portable wireless terminal. In addition, in order to ensure stable communication even under the influence of multipaths and changes in the orientation of mobile radio terminals, omnidirectionality can be achieved not only by horizontal polarization components but also by vertical polarization components. It is desirable that it can be realized.
そこで、本発明は、目的とする整合周波数の1波長よりも直径を小型化でき、水平偏波だけでなく垂直偏波でも無指向性を実現できる無指向性小型平面アンテナ装置の提供を目的とする。 Therefore, the present invention has an object to provide an omnidirectional small planar antenna device that can be made smaller in diameter than one wavelength of a target matching frequency and can realize omnidirectionality not only in horizontal polarization but also in vertical polarization. To do.
前記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、対向する二面が平行な板状の誘電体基板と、前記誘電体基板の第1面に所要厚さの導電体で形成され、所要形状の第1スリット部を設けた第1導電層と、前記誘電体基板の第2面に所要厚さの導電体で形成され、所要形状の第2スリット部を設けた第2導電層と、前記誘電体基板の第1面と第2面に直交して誘電体基板の重心を通る仮想中心軸が第1導電層または第2導電層と交差する部位に設ける給電ポートと、前記誘電体基板の外側面あるいは側面近傍に形成され、前記第1導電層と第2導電層とを電気的に連結する導電連結部と、前記導電連結部から導電連結部まで誘電体基板の側面が連続して露出する側面スリット部と、を備え、前記側面スリット部の一方端を前記第1スリット部と連結し、側面スリット部の他方端を前記第2スリット部と連結することで、第1スリット部から側面スリット部を経て第2スリット部に至る長尺な通信スロットを形成し、前記給電ポートから信号を注入あるいは信号を取り出すようにしたことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is formed of a plate-like dielectric substrate whose two opposing surfaces are parallel, and a conductor having a required thickness on the first surface of the dielectric substrate, A first conductive layer provided with a first slit portion of a required shape; a second conductive layer formed of a conductor having a required thickness on the second surface of the dielectric substrate; and a second conductive layer provided with a second slit portion of a required shape; A power supply port provided at a portion where a virtual central axis passing through the center of gravity of the dielectric substrate perpendicular to the first surface and the second surface of the dielectric substrate intersects the first conductive layer or the second conductive layer; and the dielectric A conductive connecting portion that is formed on the outer surface or near the side surface of the substrate and electrically connects the first conductive layer and the second conductive layer, and the side surface of the dielectric substrate is continuous from the conductive connecting portion to the conductive connecting portion. And a side slit portion exposed in the first slit, wherein one end of the side slit portion is the first slit. And connecting the other end of the side slit part to the second slit part to form a long communication slot from the first slit part to the second slit part through the side slit part, It is characterized in that a signal is injected from or taken out of the signal.
また、請求項2に係る発明は、前記請求項1に記載の無指向性小型平面アンテナ装置において、前記仮想中心軸をそれぞれ通って第1,第2導電層および誘電体基板をn等分(nは2以上の自然数)する等分割面が誘電体基板の側面と交わる部位に、前記導電連結部をそれぞれ設け、前記等分割面によって等分されたn個のスロットアンテナ領域には、それぞれ、同一形状の通信スロットを形成するようにしたことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the omni-directional small planar antenna device according to the first aspect, the first and second conductive layers and the dielectric substrate are divided into n equal parts through the virtual central axes ( n is a natural number greater than or equal to 2) where the conductive connecting portions are provided at portions where the equally divided surface intersects the side surface of the dielectric substrate, and each of the n slot antenna regions equally divided by the equally divided surface includes A communication slot having the same shape is formed.
また、請求項3に係る発明は、前記請求項1又は請求項2に記載の無指向性小型平面アンテナ装置において、前記第1導電層に設ける第1スリット部と第2導電層に設ける第2スリット部は同一形状であり、前記誘電体基板を挟んで反対称に配置するようにしたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the omnidirectional small planar antenna device according to the first or second aspect of the present invention, a second slit provided in the first conductive layer and a second conductive layer provided in the second conductive layer. The slit portions have the same shape and are arranged antisymmetrically with the dielectric substrate interposed therebetween.
また、請求項4に係る発明は、前記請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の無指向性小型平面アンテナ装置において、前記第1スリット部および/または第2スリット部は、少なくとも、側面スリット部に第1端が連結され、他方の第2端が中心方向に延出する所要幅の基端スリットと、前記基端スリットの第2端側へ屈曲状に連結され、誘電体基板の側面と平行に延出する所要幅の屈曲スリットと、を備えることを特徴とする。 The invention according to claim 4 is the omnidirectional small planar antenna device according to any one of claims 1 to 3, wherein the first slit portion and / or the second slit portion is at least A first end connected to the side slit portion, and a second end connected to the second end of the base end slit in a bent shape, and a second end connected to the second end side in a bent shape. A bent slit having a required width extending in parallel with the side surface of the substrate.
また、請求項5に係る発明は、前記請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の無指向性小型平面アンテナ装置において、前記第1スリット部の形状と、第2スリット部の形状と、側面スリット部のスリット長とを変化させずに、誘電体基板の厚さおよび/または誘電率を変化させることで、整合周波数を変化させるようにしたことを特徴とする。 The invention according to claim 5 is the omnidirectional small planar antenna device according to any one of claims 1 to 4, wherein the shape of the first slit portion and the shape of the second slit portion are provided. In addition, the matching frequency is changed by changing the thickness and / or the dielectric constant of the dielectric substrate without changing the slit length of the side slit portion.
本発明に係る無指向性小型平面アンテナ装置によれば、目的とする整合周波数の1波長よりも直径を小型化でき、水平偏波だけでなく垂直偏波でも無指向性を実現できる。 According to the omnidirectional small planar antenna device according to the present invention, the diameter can be made smaller than one wavelength of the target matching frequency, and omnidirectionality can be realized not only in horizontal polarization but also in vertical polarization.
次に、添付図面に基づいて、本発明に係る無指向性小型平面アンテナ装置の実施形態につき説明する。 Next, an embodiment of the omnidirectional small planar antenna device according to the present invention will be described based on the attached drawings.
図1および図2は、第1実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aを示すものである。無指向性小型平面アンテナ装置1Aは、一辺がW[mm]の略正方形で厚さh[mm]の誘電体基板2と、誘電体基板2の第1面21に形成された第1導電層3と、誘電体基板2の第2面22に形成された第2導電層4で構成される。 1 and 2 show an omnidirectional small planar antenna device 1A according to the first embodiment. The omni-directional small planar antenna device 1A includes a dielectric substrate 2 having a substantially square side of W [mm] and a thickness h [mm], and a first conductive layer formed on the first surface 21 of the dielectric substrate 2. 3 and the second conductive layer 4 formed on the second surface 22 of the dielectric substrate 2.
誘電体基板2は、対向する二面が平行な板状の誘電体板より構成するもので、以下の説明では、仮に、第1面21側を上面、第2面22側を下面と呼ぶ場合がある。また、誘電体基板2は、正多角形(正方形)であるから、上面の中心と下面の中心を通る軸線状に必ず重心がある。以下の説明では、誘電体基板2の第1面21と第2面22に直交して重心を通る軸線を仮想中心軸CAと呼ぶ。この仮想中心軸CAが第1導電層3と交差する部位に給電ポート5を設け、この給電ポート5から信号を注入、あるいは信号を取り出す。なお、同軸ケーブルを給電ポート5に接続する場合、同軸ケーブルの外部導体を第1導電層3に、中心導体を第2導電層4にそれぞれ導通させる。また、通信ポート5を第2導電層4側に設けるようにしても良い。 The dielectric substrate 2 is composed of a plate-like dielectric plate whose two opposing surfaces are parallel. In the following description, the first surface 21 side is referred to as the upper surface and the second surface 22 side is referred to as the lower surface. There is. In addition, since the dielectric substrate 2 is a regular polygon (square), it always has a center of gravity in the shape of an axis passing through the center of the upper surface and the center of the lower surface. In the following description, an axis passing through the center of gravity perpendicular to the first surface 21 and the second surface 22 of the dielectric substrate 2 is referred to as a virtual central axis CA. A power feeding port 5 is provided at a portion where the virtual central axis CA intersects the first conductive layer 3, and a signal is injected or taken out from the power feeding port 5. When the coaxial cable is connected to the power feeding port 5, the outer conductor of the coaxial cable is electrically connected to the first conductive layer 3 and the central conductor is electrically connected to the second conductive layer 4. Further, the communication port 5 may be provided on the second conductive layer 4 side.
第1導電層3は、誘電体基板2の第1面21に所要厚さの導電体で形成されるもので、所要形状の上面第1スリット部31、上面第2スリット部32、上面第3スリット部33、上面第4スリット部34を設ける。これら上面第1〜第4スリット部31〜33は、全て同一形状で、第1導電層3の中心点(仮想中心軸CAとの交点)に対して点対称に配置される。 The first conductive layer 3 is formed of a conductor having a required thickness on the first surface 21 of the dielectric substrate 2, and has an upper surface first slit portion 31, an upper surface second slit portion 32, and an upper surface third in a required shape. The slit portion 33 and the upper surface fourth slit portion 34 are provided. These upper surface first to fourth slit portions 31 to 33 are all in the same shape, and are arranged symmetrically with respect to the center point of the first conductive layer 3 (intersection with the virtual central axis CA).
第2導電層4は、誘電体基板2の第2面22に所要厚さの導電体で形成されるもので、所要形状の下面第1スリット部41、下面第2スリット部42、下面第3スリット部43、下面第4スリット部44を設ける。これら上面第1〜第4スリット部31〜33は、全て同一形状で、第1導電層3の中心点(仮想中心軸CAとの交点)に対して点対称に配置される。 The second conductive layer 4 is formed of a conductor having a required thickness on the second surface 22 of the dielectric substrate 2, and has a lower surface first slit portion 41, a lower surface second slit portion 42, and a lower surface third in a required shape. A slit portion 43 and a lower surface fourth slit portion 44 are provided. These upper surface first to fourth slit portions 31 to 33 are all in the same shape, and are arranged symmetrically with respect to the center point of the first conductive layer 3 (intersection with the virtual central axis CA).
なお、上面第1〜第4スリット部31〜34および下面第1〜第4スリット部41〜44は、第1,第2導電層3,4の一部を除去して形成されるもので、誘電体基板2の外表面が表出した部分である。同様に、誘電体基板2の四側面23も外部に露出しているので、各側面は第1側面スリット部231、第2側面スリット部232、第3側面スリット部233、第4側面スリット部234となる。 The upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 and the lower surface first to fourth slit portions 41 to 44 are formed by removing a part of the first and second conductive layers 3, 4. This is a portion where the outer surface of the dielectric substrate 2 is exposed. Similarly, since the four side surfaces 23 of the dielectric substrate 2 are also exposed to the outside, each side surface has a first side surface slit portion 231, a second side surface slit portion 232, a third side surface slit portion 233, and a fourth side surface slit portion 234. It becomes.
更に、第1〜第4側面スリット部231〜234の各中心位置には、第1導電層3と第2導電層4とを電気的に連結する第1導電連結部61、第2導電連結部62、第3導電連結部63、第4導電連結部64を形成してある。よって、第1側面スリット部231は、第1導電連結部61を境界として第1側面Aスリット部231aと第1側面Bスリット部231bに分けられ、第2側面スリット部232は、第2導電連結部62を境界として第2側面Aスリット部232aと第2側面Bスリット部232bに分けられ、第3側面スリット部233は、第3導電連結部63を境界として第3側面Aスリット部233aと第3側面Bスリット部233bに分けられ、第4側面スリット部234は、第4導電連結部64を境界として第4側面Aスリット部234aと第4側面Bスリット部234bに分けられる。 Furthermore, a first conductive connecting portion 61 and a second conductive connecting portion that electrically connect the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 to the central positions of the first to fourth side slit portions 231 to 234, respectively. 62, a third conductive connecting portion 63, and a fourth conductive connecting portion 64 are formed. Accordingly, the first side slit part 231 is divided into the first side A slit part 231a and the first side B slit part 231b with the first conductive connection part 61 as a boundary, and the second side slit part 232 is the second conductive connection part. The second side A slit part 232a and the second side B slit part 232b are divided with the part 62 as a boundary, and the third side slit part 233 is separated from the third side A slit part 233a with the third conductive connection part 63 as a boundary. The fourth side surface slit portion 234 is divided into a fourth side surface A slit portion 234a and a fourth side surface B slit portion 234b with the fourth conductive connection portion 64 as a boundary.
なお、本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいては、第1〜第4導電連結部61〜64は、いずれも幅d[mm]の帯状導電層を誘電体基板2の四側面23にそれぞれ形成するものとしたが、導電連結部の構造はこれに限らず、誘電体基板2の四側面23の近傍に形成したスルーホールで第1導電層3と第2導電層4を連結するような導電連結部としても構わない。 In the omni-directional small planar antenna device 1A of the present embodiment, each of the first to fourth conductive connecting portions 61 to 64 has a strip-like conductive layer having a width d [mm] as the four side surfaces 23 of the dielectric substrate 2. However, the structure of the conductive connecting portion is not limited to this, and the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 are connected by through holes formed in the vicinity of the four side surfaces 23 of the dielectric substrate 2. Such a conductive connecting portion may be used.
また、第1〜第4導電連結部61〜64は、誘電体基板2の第1〜第4側面スリット部231〜234の中心部に設けたのは、無指向性小型平面アンテナ装置1Aを4つの領域に等分割するためである。すなわち、仮想中心軸CAをそれぞれ通って第1,第2導電層3,4および誘電体基板2をn等分(nは2以上の自然数)する等分割面が誘電体基板2の側面と交わる部位に、導電連結部をそれぞれ設ければ、等分割面によって等分されたn個のスロットアンテナ領域を形成できるのである。 In addition, the first to fourth conductive connecting portions 61 to 64 are provided at the center of the first to fourth side slit portions 231 to 234 of the dielectric substrate 2 because the four omnidirectional small planar antenna devices 1A are provided. This is because it is equally divided into two areas. That is, an equally divided surface that divides the first and second conductive layers 3 and 4 and the dielectric substrate 2 into n equal parts (n is a natural number of 2 or more) through the virtual central axis CA intersects the side surface of the dielectric substrate 2. If the conductive connecting portions are respectively provided in the portions, n slot antenna regions equally divided by the equally dividing plane can be formed.
本実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aでは、仮想中心軸CAを通って誘電体基板2の第1側面スリット部231に直交する等分割面が無指向性小型平面アンテナ装置1Aの外表面と交わる第1分割線PL1と、仮想中心軸CAを通って誘電体基板2の第2側面スリット部232に直交する等分割面が無指向性小型平面アンテナ装置1Aの外表面と交わる第2分割線PL2と、仮想中心軸CAを通って誘電体基板2の第3側面スリット部233に直交する等分割面が無指向性小型平面アンテナ装置1Aの外表面と交わる第3分割線PL3と、仮想中心軸CAを通って誘電体基板2の第4側面スリット部234に直交する等分割面が無指向性小型平面アンテナ装置1Aの外表面と交わる第4分割線PL4とによって、4つのスロットアンテナ領域を形成する。 In the omnidirectional small planar antenna device 1A according to the present embodiment, the equally divided plane that passes through the virtual central axis CA and is orthogonal to the first side slit portion 231 of the dielectric substrate 2 is outside the omnidirectional small planar antenna device 1A. A first dividing line PL1 intersecting with the surface and an equally dividing plane passing through the virtual central axis CA and orthogonal to the second side slit portion 232 of the dielectric substrate 2 intersects the outer surface of the omnidirectional small planar antenna device 1A. A dividing line PL2, and a third dividing line PL3 in which an equal dividing plane passing through the virtual central axis CA and orthogonal to the third side slit portion 233 of the dielectric substrate 2 intersects the outer surface of the omnidirectional small planar antenna device 1A; Four slots are formed by a fourth dividing line PL4 in which an equally dividing plane passing through the virtual central axis CA and orthogonal to the fourth side slit portion 234 of the dielectric substrate 2 intersects the outer surface of the omnidirectional small planar antenna device 1A. To form the antenna area.
具体的には、第1等分割線PL1と第2等分割線PL2によって区画された第1スロットアンテナ領域11に第1通信スロット11Sを、第2等分割線PL2と第3等分割線PL3によって区画された第2スロットアンテナ領域12に第2通信スロット12Sを、第3等分割線PL3と第4等分割線PL4によって区画された第3スロットアンテナ領域13に第3通信スロット13Sを、第4等分割線PL4と第1等分割線PL1によって区画された第4スロットアンテナ領域14に第4通信スロット14Sをそれぞれ設けるのである。 Specifically, the first communication slot 11S is placed in the first slot antenna region 11 defined by the first equal dividing line PL1 and the second equal dividing line PL2, and the second equal dividing line PL2 and the third equal dividing line PL3. The second communication slot 12S is provided in the partitioned second slot antenna region 12, the third communication slot 13S is provided in the third slot antenna region 13 partitioned by the third equal dividing line PL3 and the fourth equal dividing line PL4, and the fourth. A fourth communication slot 14S is provided in each of the fourth slot antenna regions 14 partitioned by the equal dividing line PL4 and the first equal dividing line PL1.
第1通信スロット11Sは、第1スロットアンテナ領域11内に設けられている各スリット部(上面第1スリット部31、第1側面Aスリット部231a、第2側面Bスリット部232b、下面第1スリット部41)から構成される。 The first communication slot 11S includes slit portions (upper surface first slit portion 31, first side surface A slit portion 231a, second side surface B slit portion 232b, and lower surface first slit provided in the first slot antenna region 11. Part 41).
上面第1スリット部31は、第1側面Aスリット部231aの分割端側(第1導電連結部61の形成側)に第1端31a1が連結され、他方の第2端が第1等分割線PL1に沿って中心方向に延出する幅SW1の基端スリット31aと、この基端スリット31aの第2端側へ屈曲状に連結され、第1側面Aスリット部231aと平行に延出する幅SW2の第1屈曲スリット31bと、この第1屈曲スリット31bの延出端側へ屈曲状に連結され、第2側面Bスリット部232bと平行に延出する幅SW3の第2屈曲スリット31cと、この第2屈曲スリット31cの延出端側へ屈曲状に連結され、第2等分割線PL2に沿って中心から遠ざかるように延出する幅SW4の先端スリット31dから成る。よって、上面第1スリット部31は、誘電体基板2の幅Wに匹敵するスリット長を備えるものとなる。なお、図1(c)に示すように、基端スリット31aのスリット長はSL1、第1屈曲スリット31bのスリット長はSL2、第2屈曲スリット31cのスリット長はSL3、先端スリット31dのスリット長はSL4とする。 The upper surface first slit portion 31 has a first end 31a1 connected to the dividing end side (formation side of the first conductive connecting portion 61) of the first side surface A slit portion 231a, and the other second end is a first equal dividing line. A base end slit 31a having a width SW1 extending in the center direction along PL1 and a width connected to the second end side of the base end slit 31a in a bent shape and extending in parallel with the first side face A slit portion 231a. A first bent slit 31b of SW2, a second bent slit 31c of width SW3 connected in a bent manner to the extending end side of the first bent slit 31b, and extending in parallel with the second side surface B slit portion 232b; The second bent slit 31c includes a leading end slit 31d having a width SW4 that is bently connected to the extending end side and extends away from the center along the second equal dividing line PL2. Therefore, the upper surface first slit portion 31 has a slit length comparable to the width W of the dielectric substrate 2. As shown in FIG. 1C, the slit length of the base end slit 31a is SL1, the slit length of the first bent slit 31b is SL2, the slit length of the second bent slit 31c is SL3, and the slit length of the distal end slit 31d. Is SL4.
下面第1スリット部41は、第2側面Bスリット部232bの分割端側(第2導電連結部62の形成側)に第1端41a1が連結され、他方の第2端が第4等分割線PL4に沿って中心方向に延出する幅SW1の基端スリット41aと、この基端スリット41aの第2端側へ屈曲状に連結され、第4側面Bスリット部232bと平行に延出する幅SW2の第1屈曲スリット41bと、この第1屈曲スリット41bの延出端側へ屈曲状に連結され、第1側面Aスリット部231aと平行に延出する幅SW3の第2屈曲スリット41cと、この第2屈曲スリット41cの延出端側へ屈曲状に連結され、第1等分割線PL1に沿って中心から遠ざかるように延出する幅SW4の先端スリット41dから成る。よって、下面第1スリット部41も、誘電体基板2の幅Wに匹敵するスリット長を備えるものとなる。 The lower surface first slit portion 41 has a first end 41a1 connected to a dividing end side (a formation side of the second conductive connecting portion 62) of the second side surface B slit portion 232b, and the other second end is a fourth equal dividing line. A base end slit 41a having a width SW1 extending in the center direction along PL4 and a width connected to the second end side of the base end slit 41a in a bent shape and extending in parallel with the fourth side surface B slit portion 232b. A first bent slit 41b of SW2, a second bent slit 41c of width SW3 connected in a bent manner to the extending end side of the first bent slit 41b, and extending in parallel with the first side surface A slit portion 231a; The second bent slit 41c includes a leading end slit 41d having a width SW4 that is bently connected to the extending end side of the second bent slit 41c and extends away from the center along the first equal dividing line PL1. Therefore, the lower surface first slit portion 41 also has a slit length comparable to the width W of the dielectric substrate 2.
すなわち、図2に示すように、第1スロットアンテナ領域11には、上面第1スリット部31(先端スリット31d→第2屈曲スリット31c→第1屈曲スリット31b→基端スリット31a)から第1側面Aスリット部231aおよび第2側面Bスリット部232bを経て下面第1スリット部41(基端スリット41a→第1屈曲スリット41b→第2屈曲スリット41c→先端スリット41d)に至る長尺な第1通信スロット11Sを構成できる。 That is, as shown in FIG. 2, the first slot antenna region 11 has a first side surface extending from the upper surface first slit portion 31 (front end slit 31d → second bent slit 31c → first bent slit 31b → base end slit 31a). A long first communication that reaches the lower surface first slit 41 (base end slit 41a → first bent slit 41b → second bent slit 41c → tip slit 41d) through the A slit 231a and the second side B slit 232b. The slot 11S can be configured.
同様に、第2スロットアンテナ領域12には、上面第2スリット部32(先端スリット32d→第2屈曲スリット32c→第1屈曲スリット32b→基端スリット32a)から第2側面Aスリット部232aおよび第3側面Bスリット部233bを経て下面第2スリット部42(基端スリット42a→第1屈曲スリット42b→第2屈曲スリット42c→先端スリット42d)に至る長尺な第2通信スロット12Sを構成できる。 Similarly, the second slot antenna region 12 includes an upper surface second slit portion 32 (front end slit 32d → second bent slit 32c → first bent slit 32b → base end slit 32a) to the second side surface A slit portion 232a and the second slit antenna region 232a. A long second communication slot 12S extending from the bottom side second slit portion 42 (base end slit 42a → first bent slit 42b → second bent slit 42c → tip slit 42d) through the three side B slit portions 233b can be configured.
第3スロットアンテナ領域13には、上面第3スリット部33(先端スリット33d→第2屈曲スリット33c→第1屈曲スリット33b→基端スリット33a)から第3側面Aスリット部233aおよび第4側面Bスリット部234bを経て下面第3スリット部43(基端スリット43a→第1屈曲スリット43b→第2屈曲スリット43c→先端スリット43d)に至る長尺な第3通信スロット13Sを構成できる。 The third slot antenna region 13 includes a third side surface A slit portion 233a and a fourth side surface B from the upper surface third slit portion 33 (front end slit 33d → second bent slit 33c → first bent slit 33b → base end slit 33a). A long third communication slot 13S extending from the slit portion 234b to the lower surface third slit portion 43 (base end slit 43a → first bent slit 43b → second bent slit 43c → tip slit 43d) can be configured.
第4スロットアンテナ領域14には、上面第4スリット部34(先端スリット34d→第2屈曲スリット34c→第1屈曲スリット34b→基端スリット34a)から第4側面Aスリット部234aおよび第1側面Bスリット部231bを経て下面第4スリット部44(基端スリット44a→第1屈曲スリット44b→第2屈曲スリット44c→先端スリット44d)に至る長尺な第4通信スロット14Sを構成できる。 The fourth slot antenna region 14 includes a fourth side surface A slit portion 234a and a first side surface B from the upper surface fourth slit portion 34 (front end slit 34d → second bent slit 34c → first bent slit 34b → base end slit 34a). A long fourth communication slot 14S extending from the slit portion 231b to the lower surface fourth slit portion 44 (base end slit 44a → first bent slit 44b → second bent slit 44c → tip slit 44d) can be configured.
上記のように構成した無指向性小型平面アンテナ装置1Aでは、第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14に、それぞれ長尺なスロット長を有する第1〜第4通信スロット11S〜114を等間隔に配置したこととなる。スロットアンテナでは、整合周波数の約半波長のスロット長が必要であるが、本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Aでは、誘電体基板2の四側面23をスロット開口として利用すると共に、上面および下面に形成するスリットを適宜折り曲げてスリット長を長くすることで、基板直径の0.1波長程度まで小型化できる。 In the omni-directional small planar antenna device 1A configured as described above, the first to fourth communication slots 11S to 114 each having a long slot length are equally spaced in the first to fourth slot antenna regions 11 to 14, respectively. It will be arranged in. The slot antenna requires a slot length of about half a wavelength of the matching frequency. However, in the omni-directional small planar antenna device 1A of the present embodiment, the four side surfaces 23 of the dielectric substrate 2 are used as slot openings and the top surface Further, the slit formed on the lower surface is appropriately bent to increase the slit length, whereby the substrate diameter can be reduced to about 0.1 wavelength.
なお、本実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aでは、第1導電層3に設ける上面第1〜第4スリット部31〜34と、第2導電層4に設ける下面第1〜第4スリット部41〜44は全て同一形状であり、誘電体基板2を挟んでそれぞれ反対称に配置されるものとした。斯くすれば、図2に示すように、上面第1〜第4スリット部31〜34が形成される第1導電層3と、下面第1〜第4スリット部41〜44が形成される第2導電層4とは、同一形状となるので、第1導電層3と第2導電層4を同一のエッチング用マスクで形成できるという利点がある。無論、上面第1〜第4スリット部31〜34の形状と下面第1〜第4スリット部41〜44の形状は、必ずしも同一にする必要は無く、スリット幅SWやスリット長SLが上面と下面で異なるようにしても構わない。 In the omnidirectional small planar antenna device 1 </ b> A according to the present embodiment, the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 provided in the first conductive layer 3 and the lower surface first to fourth provided in the second conductive layer 4. All the slit portions 41 to 44 have the same shape, and are arranged antisymmetrically with respect to the dielectric substrate 2. In this case, as shown in FIG. 2, the first conductive layer 3 in which the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 are formed and the second surface in which the lower surface first to fourth slit portions 41 to 44 are formed. Since the conductive layer 4 has the same shape, there is an advantage that the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4 can be formed with the same etching mask. Of course, the shape of the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 and the shape of the lower surface first to fourth slit portions 41 to 44 are not necessarily the same, and the slit width SW and the slit length SL are the upper surface and the lower surface. It does not matter if they are different.
図3に示すのは、基板幅W=300[mm]、基板厚さh=16[mm]、基板比誘電率εr=2.17の誘電体基板2をベースに、分割数n=4で整合周波数fres=117.6[MHz]の無指向性小型平面アンテナ装置1Aを、有限要素法シミュレーションソフトウェアHFSS(Ansys社)を用いて設計した例である。第1〜第4通信スロット11S〜114のスロット全長は約870mmで、整合周波数の波長λresの約0.341倍である。整合周波数の波長λresに対して、基板幅Wは0.118倍に抑制できていることが分かる。なお、以下の説明では、この設計寸法に基づく無指向性小型平面アンテナ装置1Aを基本構成と呼ぶ。 FIG. 3 shows a substrate number W = 300 [mm], a substrate thickness h = 16 [mm], a dielectric substrate 2 having a substrate relative dielectric constant εr = 2.17, and a division number n = 4. This is an example in which the omni-directional small planar antenna device 1A having a matching frequency fres = 117.6 [MHz] is designed using finite element method simulation software HFSS (Ansys). The total length of the first to fourth communication slots 11S to 114 is about 870 mm, which is about 0.341 times the wavelength λres of the matching frequency. It can be seen that the substrate width W can be suppressed to 0.118 times the wavelength λres of the matching frequency. In the following description, the omnidirectional small planar antenna device 1A based on this design dimension is referred to as a basic configuration.
基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2の厚さ(基板厚さh)が及ぼす影響について、図4〜図6に基づき説明する。 The influence of the thickness of the dielectric substrate 2 (substrate thickness h) in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A will be described with reference to FIGS.
基本構成の基板厚さhを16mmから変化させた場合のアンテナ特性を図4に示す。図4(a)は、反射係数|S11|の周波数特性であり、図4(b)は放射効率ηradの周波数特性を示す。基本構成の基板厚さh=16[mm]の場合、反射係数|S11|が−10dB以下となる周波数比帯域は約0.42%と狭帯域である。そして、誘電体基板2の基板厚hが薄くなるほど、整合周波数帯域が狭くなることがわかる。ただし、基板厚さhを変えた場合に、各寸法を最適化することによって整合が改善される可能性がある。また、基本構成の基板厚さh=16[mm]の時、整合周波数fres=117.6[MHz]であり、誘電体基板2の基板幅W=300[mm]は、整合周波数の波長λres=2551[mm]の0.118倍である。基板厚さhを半分の8mmに薄くすると、整合周波数fres=96.3[MHz]と0.82倍に低周波数化し、誘電体基板2の基板幅Wは約0.96λresになるが、ηradは−3.0dBに劣化することが分かる。 FIG. 4 shows antenna characteristics when the substrate thickness h of the basic configuration is changed from 16 mm. FIG. 4A shows the frequency characteristic of the reflection coefficient | S11 |, and FIG. 4B shows the frequency characteristic of the radiation efficiency ηrad. When the substrate thickness h = 16 [mm] in the basic configuration, the frequency ratio band where the reflection coefficient | S11 | is equal to or less than −10 dB is a narrow band of about 0.42%. It can be seen that the matching frequency band becomes narrower as the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 becomes thinner. However, when the substrate thickness h is changed, the alignment may be improved by optimizing each dimension. Further, when the substrate thickness h = 16 [mm] in the basic configuration, the matching frequency fres = 117.6 [MHz], and the substrate width W = 300 [mm] of the dielectric substrate 2 is the wavelength λres of the matching frequency. = 0.118 times 2551 [mm]. If the substrate thickness h is reduced to half of 8 mm, the matching frequency fres = 96.3 [MHz] is reduced to 0.82 times, and the substrate width W of the dielectric substrate 2 becomes about 0.96λres. It turns out that deteriorates to -3.0 dB.
この図4より、誘電体基板2の基板厚さhを変化させると整合周波数fresは変化するが、整合がとれる周波数が必ず存在する状態が維持されていることが分かる。また、放射効率ηradも基板厚さhを変化させることで変化していることが分かる。そこで、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける整合周波数fres、放射効率最大周波数fη、放射効率最大値ηmaxの基板厚さhに対する依存特性を図5に示す。 From FIG. 4, it can be seen that when the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 is changed, the matching frequency fres changes, but a state in which there is always a frequency that can be matched is maintained. Further, it can be seen that the radiation efficiency ηrad is also changed by changing the substrate thickness h. FIG. 5 shows the dependence characteristics of the matching frequency fres, the maximum radiation efficiency frequency f η , and the maximum radiation efficiency value ηmax on the substrate thickness h in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A.
図5より、放射効率ηradが最大となる放射効率最大周波数fηは、整合周波数fresにほぼ一致したまま変化することが分かる。基板厚さhを小さくすると整合周波数fresが低くなるので、アンテナ本体の小型化に有効である。逆に、誘電体基板2の基板厚さhを小さくしても、整合周波数fresを変えないためには、アンテナ径(誘電体基板2の幅W)を小さくすればよいので、無指向性小型平面アンテナ装置1Aは更に小型、軽量となる。ただし、放射効率最大周波数fηにおける最大放射効率ηmaxは、基板厚さhが小さくなるにしたがって低下する。 5 that the radiation efficiency maximum frequency f eta radiation efficiency ηrad is maximized, it can be seen that change remains almost identical to the matching frequency fres. If the substrate thickness h is reduced, the matching frequency fres is lowered, which is effective for downsizing the antenna body. Conversely, in order not to change the matching frequency fres even if the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 is reduced, the antenna diameter (the width W of the dielectric substrate 2) has only to be reduced. The planar antenna device 1A is further reduced in size and weight. However, the maximum radiation efficiency ηmax in radiation efficiency maximum frequency f eta decreases as the substrate thickness h is reduced.
図6(a)は、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2の基板厚さhをパラメータとして変化させた場合における水平偏波の絶対利得Gaの垂直面パターン特性図であり、図6(b)は、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2の基板厚さhをパラメータとして変化させた場合における垂直偏波の絶対利得Gaの垂直面パターン特性図である。無指向性小型平面アンテナ装置1Aは水平面内において水平偏波および垂直偏波のどちらもほぼ無指向性である。ただし、水平偏波が垂直偏波より約10dB強く、誘電体基板2の基板厚さhが薄くなるほど交差偏波識別度が大きくなり、垂直偏波の割合が小さくなることが分かる。 FIG. 6A is a vertical plane pattern characteristic diagram of the absolute gain Ga of the horizontal polarization when the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 is changed as a parameter in the unidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration. FIG. 6B shows a vertical plane of the absolute gain Ga of the vertical polarization when the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 is changed as a parameter in the omnidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration. FIG. The omnidirectional small planar antenna device 1A is substantially omnidirectional in both horizontal polarization and vertical polarization in a horizontal plane. However, it can be seen that as the horizontal polarization is about 10 dB stronger than the vertical polarization and the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 is reduced, the cross-polarization discrimination increases and the ratio of the vertical polarization decreases.
次に、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2を構成する誘電体の比誘電率εrが及ぼす影響について、図7〜図9に基づき説明する。 Next, the influence of the relative permittivity εr of the dielectric constituting the dielectric substrate 2 in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A will be described with reference to FIGS.
基本構成の基板比誘電率εrを2.17から変化させた場合のアンテナ特性を図7に示す。図7(a)は、反射係数|S11|の周波数特性であり、図7(b)は放射効率ηradの周波数特性を示す。図7より、基板比誘電率εrを変化させることで整合周波数fresは変化するが、整合が得られる周波数が必ず存在し続けることが分かる。 FIG. 7 shows antenna characteristics when the substrate relative dielectric constant εr of the basic configuration is changed from 2.17. 7A shows the frequency characteristic of the reflection coefficient | S11 |, and FIG. 7B shows the frequency characteristic of the radiation efficiency ηrad. From FIG. 7, it can be seen that the matching frequency fres changes by changing the substrate relative permittivity εr, but there is always a frequency at which matching can be obtained.
また、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける整合周波数fres、放射効率最大周波数fη、放射効率最大値ηmaxの基板比誘電率εrに対する依存特性を図8に示す。図8より、放射効率最大周波数fηは整合周波数fresにほぼ一致し、基板比誘電率εrを大きくすることにより低くなるが、放射効率ηradも低下することが分かる。基板比誘電率εr=6の高誘電率材料を用いることにより、整合周波数fresを117.6[MHz]から77.2[MHz]に低周波数化できる反面、放射効率ηradも−5.9[dB]に劣化してしまう。 FIG. 8 shows the dependence characteristics of the matching frequency fres, the maximum radiation efficiency frequency f η , and the maximum radiation efficiency value ηmax on the substrate relative dielectric constant εr in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A. From FIG. 8, it can be seen that the maximum radiation efficiency frequency f η substantially matches the matching frequency fres and decreases as the substrate relative permittivity εr increases, but the radiation efficiency ηrad also decreases. By using a high dielectric constant material with a substrate relative dielectric constant εr = 6, the matching frequency fres can be lowered from 117.6 [MHz] to 77.2 [MHz], but the radiation efficiency ηrad is also −5.9 [ [dB].
図9(a)は、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2の基板比誘電率εrをパラメータとして変化させた場合における水平偏波の絶対利得Gaの垂直面パターン特性図であり、図9(b)は、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいて、誘電体基板2の基板比誘電率εrをパラメータとして変化させた場合における垂直偏波の絶対利得Gaの垂直面パターン特性図である。無指向性小型平面アンテナ装置1Aは水平面内において水平偏波および垂直偏波のどちらもほぼ無指向性である。また、誘電体基板2の基板比誘電率εrを高めると、基板厚さhを薄くした場合と同様に、交差偏波識別度が高まることが分かる。 FIG. 9A shows the vertical plane pattern characteristics of the absolute gain Ga of the horizontal polarization when the substrate relative permittivity εr of the dielectric substrate 2 is changed as a parameter in the unidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration. FIG. 9B is a diagram showing the absolute gain Ga of vertically polarized waves when the substrate relative permittivity εr of the dielectric substrate 2 is changed as a parameter in the omnidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration. It is a vertical surface pattern characteristic view. The omnidirectional small planar antenna device 1A is substantially omnidirectional in both horizontal polarization and vertical polarization in a horizontal plane. It can also be seen that when the substrate relative permittivity εr of the dielectric substrate 2 is increased, the cross-polarization discrimination increases as in the case where the substrate thickness h is reduced.
以上のように、無指向性小型平面アンテナ装置1Aを構成する誘電体基板2の基板厚さhを薄くすること、基板比誘電率εrを大きくすることにより、整合周波数fresを低周波数化することができる。等価的にこれらの設計変更によりアンテナ本体の小型化が可能である反面、整合周波数帯域は狭くなる。なお、通信スロットを設けるスロットアンテナ領域の分割数nを4よりも小さくすれば、各通信スロットのスロット長をアンテナ寸法に対して相対的に長くすることができるので、整合周波数fresの低周波数化が可能と考えられる。よって、スロットアンテナ領域の分割数nを小さくすれば、整合周波数fresを保ったままアンテナ本体を小型化することができる。 As described above, the matching frequency fres can be lowered by reducing the substrate thickness h of the dielectric substrate 2 constituting the omnidirectional small planar antenna device 1A and increasing the substrate relative permittivity εr. Can do. Although the antenna main body can be reduced in size by these design changes, the matching frequency band is narrowed. Note that if the number of divisions n of the slot antenna area in which the communication slot is provided is smaller than 4, the slot length of each communication slot can be made relatively long with respect to the antenna size, so that the matching frequency fres can be lowered. Is considered possible. Therefore, if the division number n of the slot antenna region is reduced, the antenna body can be reduced in size while maintaining the matching frequency fres.
図10に示すのは、基板幅W=120[mm]、基板厚さh=1.588[mm]、基板比誘電率εr=2.17の誘電体基板2をベースに、分割数n=4で整合周波数fres=169.7[MHz]の無指向性小型平面アンテナ装置1Aを、HFSSを用いて設計した例である。整合周波数の波長λresに対して、基板幅Wは0.068倍と、基本構成と比べて小さく、放射効率ηradの計算値は−4.3[dB]である。なお、以下の説明では、この設計寸法に基づく無指向性小型平面アンテナ装置1Aを試作構成と呼ぶ。 FIG. 10 shows a dielectric substrate 2 having a substrate width W = 120 [mm], a substrate thickness h = 1.588 [mm], and a substrate relative dielectric constant εr = 2.17. 4 is an example in which the omnidirectional small planar antenna device 1A having a matching frequency fres = 169.7 [MHz] is designed using HFSS. The substrate width W is 0.068 times the wavelength λres of the matching frequency, which is smaller than the basic configuration, and the calculated value of the radiation efficiency ηrad is −4.3 [dB]. In the following description, the omnidirectional small planar antenna device 1A based on this design dimension is referred to as a prototype configuration.
図11は、試作構成の設計寸法に基づいて試作した無指向性小型平面アンテナ装置1Aの第1面(上面)側の外観を示す。なお、第1〜第4導電連結部61〜64は、3[mm]幅の銅テープを半田付けして構成してある。図12は、この試作アンテナで実際に得られた実測結果と、有限要素法による電磁界解析シミュレータHFSS(Ansys社)にて行ったシミュレーション結果を示す反射係数|S11|の周波数特性図である。多少のずれはあるものの、試作構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおいてもほぼ設計周波数で整合が得られ、整合動作が確認できた。なお、計算より良い整合が得られているが、試作精度が低いためにn=4の対称性が崩れているのが原因と考えられる。 FIG. 11 shows the external appearance of the first surface (upper surface) side of the omnidirectional small planar antenna device 1A that is prototyped based on the design dimensions of the prototype configuration. The first to fourth conductive connecting portions 61 to 64 are configured by soldering a copper tape having a width of 3 [mm]. FIG. 12 is a frequency characteristic diagram of the reflection coefficient | S11 | showing the actual measurement results actually obtained with this prototype antenna and the simulation results performed by the electromagnetic field analysis simulator HFSS (Ansys) by the finite element method. Although there was some deviation, matching was obtained at almost the design frequency even in the prototype non-directional small planar antenna device 1A, and the matching operation could be confirmed. Although better matching than the calculation is obtained, it is thought that the cause is that the symmetry of n = 4 is broken because the prototype accuracy is low.
上述したように、本実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aは低姿勢であるが、上面と下面の両方に跨がる通信スロットを備えるので、アンテナ収容筐体などの導電体に接触させた状態で無指向性小型平面アンテナ装置1Aを設置すると、特性が劣化すると考えられる。そこで、携帯無線機などの筐体に近接設置する場合を想定して、導体平板へ近接することの影響について説明する。図13は、平坦で幅Wpの導電性プレート7から離隔距離Hpだけ離して無指向性小型平面アンテナ装置1Aを平行に配置した状態を示す。 As described above, the omni-directional small planar antenna device 1A according to the present embodiment has a low profile, but includes a communication slot that extends over both the upper surface and the lower surface, so that it contacts a conductor such as an antenna housing case. If the omnidirectional small planar antenna device 1A is installed in such a state, the characteristics are considered to deteriorate. Therefore, assuming the case of being installed close to a housing such as a portable wireless device, the effect of being close to the conductor flat plate will be described. FIG. 13 shows a state in which the omnidirectional small planar antenna device 1A is arranged in parallel by being separated from the conductive plate 7 having a flat width Wp by a separation distance Hp.
まず、導電性プレート7の幅Wp=∞とし、無限大の導電性プレート7から基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aまでの離隔距離Hpを変化させた場合のアンテナ特性(反射係数|S11|の周波数特性)の変化を図14に示す。基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける共振周波数fresおよび共振時反射係数|S11|minの離隔距離Hpに対する依存特性図を図15に示す。基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける放射効率最大周波数fηおよび最大放射効率ηmaxの離隔距離Hpに対する依存特性を図16に示す。 First, the antenna characteristics (reflection coefficient | S11) when the width Wp of the conductive plate 7 is set to ∞ and the separation distance Hp from the infinite conductive plate 7 to the basic omnidirectional small planar antenna device 1A is changed. FIG. 14 shows changes in the frequency characteristics of |. FIG. 15 shows a dependence characteristic diagram of the resonance frequency fres and the resonance reflection coefficient | S11 | min with respect to the separation distance Hp in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A. The dependency characteristic with respect to separation distance Hp of the radiation efficiency maximum frequency f eta and maximum radiation efficiency ηmax in omnidirectional small planar antenna device 1A of the basic configuration shown in FIG. 16.
無指向性小型平面アンテナ装置1Aが導電性プレート7に近接すると、まず共振時反射係数|S11|minの増加が起こり、次に共振周波数fresが高周波数化することが分かる。離隔距離Hpが400[mm](約0.16λres)まで近づいても、導電性プレート7がない状態で整合がとれる周波数fres=117.6MHzにおいて|S11|<−6dBの整合周波数が維持されることが分かる。また、無指向性小型平面アンテナ装置1Aが導電性プレート7に近づくと、整合の劣化だけでなく、放射効率ηradが劣化することが分かる。離隔距離Hpが200mmに狭まると、放射効率ηradは−4.7dBにまで劣化する。さらに、離隔距離Hpが200mm以下に狭まると、急激に整合周波数fresや放射効率最大周波数fηが変化する。 It can be seen that when the omnidirectional small planar antenna device 1A is close to the conductive plate 7, the resonance reflection coefficient | S11 | min first increases and then the resonance frequency fres increases. Even when the separation distance Hp approaches 400 [mm] (about 0.16λres), the matching frequency of | S11 | <−6 dB is maintained at the frequency fres = 117.6 MHz at which matching can be achieved without the conductive plate 7. I understand that. Further, it can be seen that when the omnidirectional small planar antenna device 1A approaches the conductive plate 7, not only the matching is deteriorated but also the radiation efficiency ηrad is deteriorated. When the separation distance Hp is narrowed to 200 mm, the radiation efficiency ηrad deteriorates to −4.7 dB. Further, the separation distance Hp is the narrow below 200 mm, rapidly matching frequency fres and radiation efficiency maximum frequency f eta changes.
次に、導電性プレート7の厚さは1mmとし、無指向性小型平面アンテナ装置1Aとの離隔距離Hpを50mm(約0.02λres)に固定し、正方形の導電性プレート7のプレート幅Wpを変化させた場合のアンテナ特性(反射係数|S11|の周波数特性)の変化を図17に示す。基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける共振周波数fresおよび共振時反射係数|S11|minのプレート幅Wpに対する依存特性図を図18に示す。基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける放射効率最大周波数fηおよび最大放射効率ηmaxのプレート幅Wpに対する依存特性を図19に示す。 Next, the thickness of the conductive plate 7 is set to 1 mm, the separation distance Hp from the omnidirectional small planar antenna device 1A is fixed to 50 mm (about 0.02λres), and the plate width Wp of the square conductive plate 7 is set. FIG. 17 shows changes in antenna characteristics (frequency characteristics of reflection coefficient | S11 |) when changed. FIG. 18 shows a dependency characteristic diagram of the resonance frequency fres and the reflection coefficient at resonance | S11 | min with respect to the plate width Wp in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A. FIG. 19 shows the dependence characteristics of the maximum radiation efficiency frequency η and the maximum radiation efficiency ηmax on the plate width Wp in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A.
無指向性小型平面アンテナ装置1Aが導電性プレート7に近接(離隔距離Hp=50mm)していても、プレート幅Wp=150[mm](約0.059λres)のとき、導電性プレート7がない状態で整合がとれる周波数fres=117.6[MHz]において|S11|<−8dBの整合が維持できることが分かる。プレート幅Wpが200[mm]まで大きくなると、導電性プレート7がない状態で整合がとれる周波数fres=117.6[MHz]において|S11|>−3dBに劣化する。プレート幅Wpがさらに大きくなると、整合周波数fresの高周波化が急激である。 Even if the omnidirectional small planar antenna device 1A is close to the conductive plate 7 (separation distance Hp = 50 mm), there is no conductive plate 7 when the plate width Wp = 150 [mm] (about 0.059λres). It can be seen that the matching of | S11 | <−8 dB can be maintained at the frequency fres = 17.6 [MHz] at which matching can be achieved in the state. When the plate width Wp is increased to 200 [mm], the frequency deteriorates to | S11 |> −3 dB at a frequency fres = 117.6 [MHz] at which matching is achieved without the conductive plate 7. When the plate width Wp is further increased, the matching frequency fres is rapidly increased.
図17〜図19より、導体近接によるアンテナ特性劣化は、反射係数|S11|や放射効率ηradの劣化というよりも、整合周波数fresのずれによるものが大きいことが分かる。したがって、導体近接による整合周波数fresのずれを考慮して整合周波数をあらかじめ低周波数側にずらして設計することが、導体近接対策として有効と考えられる。 17 to 19, it can be seen that the deterioration of the antenna characteristics due to the proximity of the conductor is more due to the shift of the matching frequency fres than the deterioration of the reflection coefficient | S11 | and the radiation efficiency ηrad. Therefore, it is considered effective as a countermeasure for the proximity of the conductor to design in advance by shifting the matching frequency to the low frequency side in consideration of the shift of the matching frequency fres due to the proximity of the conductor.
ここで、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1A(基板厚さh=16[mm]、整合周波数fres=118[MHz])における電流分布をベクトル表示で図20に示す。 Here, the current distribution in the basic omnidirectional small planar antenna device 1A (substrate thickness h = 16 [mm], matching frequency fres = 118 [MHz]) is shown in vector form in FIG.
図20(a)は、無指向性小型平面アンテナ装置1Aの第1面(上面)に設けた第1導電層3の外表面に流れる電流分布を示し、図20(b)は、無指向性小型平面アンテナ装置1Aの第1面(上面)に設けた第1導電層3の内表面(誘電体基板2の第1面に接している面)に流れる電流分布を示す。第1導電層3の外表面および内表面の何れにおいても、上面第1〜第4スリット部31〜34の縁と第1導電層3の外縁に強い電流が流れている。一方、内表面の中央部では放射状に電流が流れ、外表面の中央部では回転方向に電流が流れており、この回転方向の電流が水平偏波放射に関与していると考えられる。なお、アンテナ構造の反対称性より、第2導電層4の表面側と内面側には、図20(a),(b)とは反対称に電流が流れている。 20A shows the distribution of current flowing on the outer surface of the first conductive layer 3 provided on the first surface (upper surface) of the omnidirectional small planar antenna device 1A, and FIG. 20B shows the omnidirectionality. The current distribution flowing on the inner surface of the first conductive layer 3 provided on the first surface (upper surface) of the small planar antenna device 1A (the surface in contact with the first surface of the dielectric substrate 2) is shown. A strong current flows through the edges of the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 and the outer edge of the first conductive layer 3 on both the outer surface and the inner surface of the first conductive layer 3. On the other hand, a current flows radially at the central portion of the inner surface, and a current flows in the rotational direction at the central portion of the outer surface, and it is considered that the current in the rotational direction is involved in the horizontally polarized radiation. Note that due to the anti-symmetry of the antenna structure, a current flows anti-symmetrically with respect to FIGS. 20A and 20B on the surface side and the inner surface side of the second conductive layer 4.
以上説明したように、本実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aは、目的とする整合周波数fresの波長λresの0.1倍程度のアンテナ幅で構成でき、しかも低姿勢で、無指向性を有する。したがって、誘電体基板2の厚さを薄くすることにより、放射効率の劣化と狭帯域化が伴うものの、アンテナ本体の小型、軽量化が可能である。なお、整合周波数帯域は約1%以下と狭帯域であるものの、隣接システムとの干渉を抑える必要性の高い通信アプリケーションでは、その狭帯域を活かすことができる。 As described above, the omnidirectional small planar antenna device 1A according to the present embodiment can be configured with an antenna width of about 0.1 times the wavelength λres of the target matching frequency fres, and has a low attitude and is omnidirectional. Have sex. Therefore, by reducing the thickness of the dielectric substrate 2, the antenna body can be reduced in size and weight, although the radiation efficiency is deteriorated and the band is narrowed. Although the matching frequency band is a narrow band of about 1% or less, the narrow band can be utilized in communication applications that are highly required to suppress interference with adjacent systems.
加えて、無指向性小型平面アンテナ装置1Aの主偏波は水平偏波であるが、約−10dBの垂直偏波を有する。したがって、両偏波にある程度の感度を有する無指向性小型平面アンテナ装置1Aは、通常のループアンテナのように指向性が一つの偏波面に制限されないので、この特性に適した通信アプリケーションがあると考えられる。 In addition, the main polarization of the omni-directional small planar antenna device 1A is horizontal polarization, but has vertical polarization of about −10 dB. Accordingly, the omni-directional small planar antenna device 1A having a certain degree of sensitivity to both polarizations is not limited to a single polarization plane as in a normal loop antenna, and therefore there is a communication application suitable for this characteristic. Conceivable.
さらに、無指向性小型平面アンテナ装置1Aは、整合周波数fresの波長λresの約0.16倍の離隔距離までなら導電性プレート7に近接しても、|S11|<−6dBの整合が維持できる。また、整合周波数fresのずれが整合劣化の主因であるので、近接設置物による整合周波数の高周波化をキャンセルするように、整合周波数を低くずらして無指向性小型平面アンテナ装置1Aを設計することが有効と考えられる。 Furthermore, the omni-directional small planar antenna device 1A can maintain the matching of | S11 | <−6 dB even if it is close to the conductive plate 7 up to a separation distance of about 0.16 times the wavelength λres of the matching frequency fres. . Further, since the shift of the matching frequency fres is the main cause of the matching deterioration, the omnidirectional small planar antenna device 1A can be designed by shifting the matching frequency low so as to cancel the increase of the matching frequency due to the adjacent installation. It is considered effective.
また、無指向性小型平面アンテナ装置1Aに設ける通信スロットの形状も、必要とされる特性に応じて適宜変更して構わない。例えば、図21(a)に示す無指向性小型平面アンテナ装置1A′は、第1実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aの第1改変例であり、上面第1スリット31′の先端スリット31d′、上面第2スリット32′の先端スリット32d′、上面第3スリット33′の先端スリット33d′、上面第4スリット34′の先端スリット34d′、下面第1スリット41′の先端スリット41d′、下面第2スリット42′の先端スリット42d′、下面第3スリット43′の先端スリット43d′、下面第4スリット44′の先端スリット44d′を、全て中心方向へ延出させた構造である。また、図21(b)に示す無指向性小型平面アンテナ装置1A″は、第1実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aの第2改変例であり、上面第1スリット31′の第2屈曲スリット31c′、上面第2スリット32′の第2屈曲スリット32c′、上面第3スリット33′の第2屈曲スリット33c′、上面第4スリット34′の第2屈曲スリット34c′、下面第1スリット41′の第2屈曲スリット41c′、下面第2スリット42′の第2屈曲スリット42c′、下面第3スリット43′の第2屈曲スリット43c′、下面第4スリット44′の第2屈曲スリット44c′を、全て先端とし、等分割線にほぼ平行に設ける先端スリットを設けない構造である。 Further, the shape of the communication slot provided in the omnidirectional small planar antenna device 1A may be changed as appropriate according to the required characteristics. For example, the omnidirectional small planar antenna device 1A ′ shown in FIG. 21A is a first modification of the omnidirectional small planar antenna device 1A according to the first embodiment, and is the tip of the upper surface first slit 31 ′. Slit 31d ', tip slit 32d' of upper surface second slit 32 ', tip slit 33d' of upper surface third slit 33 ', tip slit 34d' of upper surface fourth slit 34 ', tip slit 41d of lower surface first slit 41' ', The front end slit 42d' of the lower surface second slit 42 ', the front end slit 43d' of the lower surface third slit 43 ', and the front end slit 44d' of the lower surface fourth slit 44 'are all extended in the center direction. . An omni-directional small planar antenna device 1A ″ shown in FIG. 21 (b) is a second modification of the omni-directional small planar antenna device 1A according to the first embodiment, and is the first modification of the upper surface first slit 31 ′. 2nd bending slit 31c ', second bending slit 32c' of upper surface second slit 32 ', second bending slit 33c' of upper surface third slit 33 ', second bending slit 34c' of upper surface fourth slit 34 ', lower surface second The second bent slit 41c 'of the first slit 41', the second bent slit 42c 'of the lower second slit 42', the second bent slit 43c 'of the lower third slit 43', and the second bent of the lower fourth slit 44 '. All of the slits 44c 'are front ends, and no front end slit provided substantially parallel to the equal dividing line is provided.
図22に示すのは、第2実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Bである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Bも、第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14にそれぞれ長尺なスロット長を有する第1〜第4通信スロット11S〜114を等間隔に配置する構造である。これに加えて、第1スロットアンテナ領域11においては、第2側面Bスリット部232bの上縁と連なる上縁第1スリット部351を第1導電層3に設けると共に、第1側面Aスリット部231aの下縁と連なる下縁第1スリット部451を設ける。同様に、第2スロットアンテナ領域12においては、第3側面Bスリット部233bの上縁と連なる上縁第2スリット部352を第1導電層3に設けると共に、第2側面Aスリット部232aの下縁と連なる下縁第2スリット部452を設ける。第3スロットアンテナ領域13においては、第4側面Bスリット部234bの上縁と連なる上縁第3スリット部353を第1導電層3に設けると共に、第3側面Aスリット部233aの下縁と連なる下縁第3スリット部453を設ける。第4スロットアンテナ領域14においては、第1側面Bスリット部231bの上縁と連なる上縁第4スリット部354を第1導電層3に設けると共に、第4側面Aスリット部234aの下縁と連なる下縁第4スリット部454を設ける。 FIG. 22 shows an omnidirectional small planar antenna device 1B according to the second embodiment. Also in the omnidirectional small planar antenna device 1B of the present embodiment, the first to fourth communication slots 11S to 114 having long slot lengths are arranged at equal intervals in the first to fourth slot antenna regions 11 to 14, respectively. Structure. In addition, in the first slot antenna region 11, an upper edge first slit portion 351 that is continuous with the upper edge of the second side surface B slit portion 232b is provided in the first conductive layer 3, and the first side surface A slit portion 231a. A lower edge first slit portion 451 connected to the lower edge is provided. Similarly, in the second slot antenna region 12, an upper edge second slit portion 352 that continues to the upper edge of the third side surface B slit portion 233b is provided in the first conductive layer 3, and the second side surface A slit portion 232a is provided below. A lower edge second slit portion 452 connected to the edge is provided. In the third slot antenna region 13, an upper edge third slit portion 353 that is continuous with the upper edge of the fourth side surface B slit portion 234b is provided in the first conductive layer 3, and is also continuous with the lower edge of the third side surface A slit portion 233a. A lower edge third slit portion 453 is provided. In the fourth slot antenna region 14, an upper edge fourth slit portion 354 that is continuous with the upper edge of the first side surface B slit portion 231b is provided in the first conductive layer 3, and is also continuous with the lower edge of the fourth side surface A slit portion 234a. A lower edge fourth slit 454 is provided.
図23に示すのは、第3実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Cである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Cでは、誘電体基板2の四つ角に第1〜第4導電連結部61〜64をそれぞれ設けることで、略三角形状の第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14を形成したものである。第1スロットアンテナ領域11においては、第1導電層3に設けた上面第1スリット部31から第1側面スリット部231を経て第2導電層4に設けた下面第1スリット部41に連なる第1通信スロット11Sが形成される。同様に、第2スロットアンテナ領域12においては、第1導電層3に設けた上面第2スリット部32から第2側面スリット部232を経て第2導電層4に設けた下面第2スリット部42に連なる第2通信スロット12Sが形成される。第2スロットアンテナ領域12においては、第1導電層3に設けた上面第2スリット部32から第2側面スリット部232を経て第2導電層4に設けた下面第2スリット部42に連なる第2通信スロット12Sが形成される。第3スロットアンテナ領域13においては、第1導電層3に設けた上面第3スリット部33から第3側面スリット部233を経て第2導電層4に設けた下面第3スリット部43に連なる第3通信スロット13Sが形成される。第4スロットアンテナ領域14においては、第1導電層3に設けた上面第4スリット部34から第4側面スリット部234を経て第2導電層4に設けた下面第4スリット部44に連なる第4通信スロット14Sが形成される。なお、無指向性小型平面アンテナ装置1Cの第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14は、誘電体基板2の四側縁を長辺とする三角形状であることから、上面第1〜第4スリット部31〜34および下面第1〜第4スリット部41〜44は、基端スリットから屈曲スリットを経て先端スリットへ連なる形状となる。また、上面第1〜第4スリット部31〜34および下面第1〜第4スリット部41〜44の屈曲スリットは、その途中でスリット幅が異なる段差構造としても良い。 FIG. 23 shows an omnidirectional small planar antenna device 1C according to the third embodiment. In the omnidirectional small planar antenna device 1 </ b> C of the present embodiment, the first to fourth conductive connection portions 61 to 64 are provided at the four corners of the dielectric substrate 2, respectively, so that the first to fourth slot antenna regions having a substantially triangular shape are provided. 11 to 14 are formed. In the first slot antenna region 11, the first continuous to the lower surface first slit portion 41 provided in the second conductive layer 4 from the upper surface first slit portion 31 provided in the first conductive layer 3 through the first side surface slit portion 231. A communication slot 11S is formed. Similarly, in the second slot antenna region 12, the upper surface second slit portion 32 provided in the first conductive layer 3 passes through the second side surface slit portion 232 to the lower surface second slit portion 42 provided in the second conductive layer 4. A continuous second communication slot 12S is formed. In the second slot antenna region 12, the second continuous with the lower surface second slit portion 42 provided in the second conductive layer 4 from the upper surface second slit portion 32 provided in the first conductive layer 3 through the second side surface slit portion 232. A communication slot 12S is formed. In the third slot antenna region 13, a third continuous from the upper surface third slit portion 33 provided in the first conductive layer 3 to the lower surface third slit portion 43 provided in the second conductive layer 4 through the third side surface slit portion 233. A communication slot 13S is formed. In the fourth slot antenna region 14, a fourth continuous with the lower surface fourth slit portion 44 provided in the second conductive layer 4 from the upper surface fourth slit portion 34 provided in the first conductive layer 3 through the fourth side surface slit portion 234. A communication slot 14S is formed. Since the first to fourth slot antenna regions 11 to 14 of the omni-directional small planar antenna device 1C have a triangular shape having the four side edges of the dielectric substrate 2 as long sides, the first to fourth upper surfaces are arranged. The slit parts 31 to 34 and the lower surface first to fourth slit parts 41 to 44 have a shape that continues from the proximal slit to the distal slit through the bending slit. In addition, the bent slits of the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 and the lower surface first to fourth slit portions 41 to 44 may have a step structure having different slit widths in the middle thereof.
図24に示すのは、第4実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Dである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Dでは、円形の誘電体基板2Dを用い、その上面に円形の第1導電層3Dを、下面に円形の第2導電層4Dを設け、略扇形の第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14を形成したものである。円形の誘電体基板2Dは正多角形の基板と同様に、上面の中心と下面の中心を通る軸線状に必ず重心があるので、仮想中心軸を通るように等分割することができる。なお、焦点が2つある楕円形の基板にも仮想中心軸が存在するが、同一形状に等分割することはできないので、水平方向無指向性を実現する上で障害になると考えられる。しかしながら、端末ケースのサイズ等から正円形状の誘電体基板を使用した無指向性小型平面アンテナ装置1Dを収納できない場合、長軸と短軸の差が小さい楕円形の誘電体基板を用いて無指向性小型平面アンテナ装置1Dを作れば、無指向性に近い特性を得られる可能性がある。 FIG. 24 shows an omnidirectional small planar antenna device 1D according to the fourth embodiment. In the omnidirectional small planar antenna device 1D of the present embodiment, a circular dielectric substrate 2D is used, a circular first conductive layer 3D is provided on the upper surface thereof, and a circular second conductive layer 4D is provided on the lower surface thereof. The first to fourth slot antenna regions 11 to 14 are formed. Like the regular polygonal substrate, the circular dielectric substrate 2D always has a center of gravity in the shape of an axis passing through the center of the upper surface and the center of the lower surface, and can be equally divided so as to pass through the virtual central axis. Note that an elliptical substrate with two focal points also has a virtual central axis, but it cannot be equally divided into the same shape, which is considered to be an obstacle to realizing horizontal omnidirectionality. However, if the omni-directional small planar antenna device 1D using the circular dielectric substrate cannot be accommodated due to the size of the terminal case, etc., the elliptical dielectric substrate having a small difference between the long axis and the short axis is not used. If the directional small planar antenna device 1D is made, there is a possibility that characteristics close to omnidirectionality can be obtained.
上記無指向性小型平面アンテナ装置1Dの第1スロットアンテナ領域11においては、第1導電層3Dに設けた上面第1スリット部31から円弧状の第1側面スリット部231を経て第2導電層4Dに設けた下面第1スリット部41に連なる第1通信スロット11Sが形成される。同様に、第2スロットアンテナ領域12においては、第1導電層3Dに設けた上面第2スリット部32から円弧状の第2側面スリット部232を経て第2導電層4Dに設けた下面第2スリット部42に連なる第2通信スロット12Sが形成される。第2スロットアンテナ領域12においては、第1導電層3Dに設けた上面第2スリット部32から円弧状の第2側面スリット部232を経て第2導電層4Dに設けた下面第2スリット部42に連なる第2通信スロット12Sが形成される。第3スロットアンテナ領域13においては、第1導電層3Dに設けた上面第3スリット部33から円弧状の第3側面スリット部233を経て第2導電層4Dに設けた下面第3スリット部43に連なる第3通信スロット13Sが形成される。第4スロットアンテナ領域14においては、第1導電層3Dに設けた上面第4スリット部34から円弧状の第4側面スリット部234を経て第2導電層4Dに設けた下面第4スリット部44に連なる第4通信スロット14Sが形成される。なお、無指向性小型平面アンテナ装置1Cの第1〜第4スロットアンテナ領域11〜14は、それぞれ扇形であることから、上面第1〜第4スリット部31〜34および下面第1〜第4スリット部41〜44は、基端スリットから屈曲スリットを経て先端スリットへ連なる形状で、各屈曲スリットは、第1〜第4側面スリット部231〜234に沿った円弧形状である。また、各屈曲スリットの途中でスリット幅が異なる段差構造としても良い。 In the first slot antenna region 11 of the omnidirectional small planar antenna device 1D, the second conductive layer 4D passes from the upper surface first slit portion 31 provided in the first conductive layer 3D through the arc-shaped first side surface slit portion 231. A first communication slot 11 </ b> S is formed which is continuous with the lower surface first slit portion 41 provided on the lower surface. Similarly, in the second slot antenna region 12, the lower surface second slit provided in the second conductive layer 4D from the upper surface second slit portion 32 provided in the first conductive layer 3D through the arc-shaped second side surface slit portion 232. A second communication slot 12S that is continuous with the unit 42 is formed. In the second slot antenna region 12, from the upper surface second slit portion 32 provided in the first conductive layer 3D to the lower surface second slit portion 42 provided in the second conductive layer 4D via the arc-shaped second side surface slit portion 232. A continuous second communication slot 12S is formed. In the third slot antenna region 13, the upper surface third slit portion 33 provided in the first conductive layer 3 </ b> D passes through the arc-shaped third side surface slit portion 233 to the lower surface third slit portion 43 provided in the second conductive layer 4 </ b> D. A continuous third communication slot 13S is formed. In the fourth slot antenna region 14, the upper surface fourth slit portion 34 provided in the first conductive layer 3D passes through the arc-shaped fourth side surface slit portion 234 to the lower surface fourth slit portion 44 provided in the second conductive layer 4D. A continuous fourth communication slot 14S is formed. Since the first to fourth slot antenna regions 11 to 14 of the omni-directional small planar antenna device 1C are respectively fan-shaped, the upper surface first to fourth slit portions 31 to 34 and the lower surface first to fourth slits. The portions 41 to 44 have a shape that extends from the proximal slit to the distal slit through the bending slit, and each bending slit has an arc shape along the first to fourth side surface slit portions 231 to 234. Moreover, it is good also as a level | step difference structure from which a slit width differs in the middle of each bending slit.
図25(a)に示すのは、第5実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Eで、分割数nを6としたものである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Eでは、六角形の誘電体基板2Eを用い、その上面に六角形の第1導電層3Eを、下面に六角形の第2導電層4Eを設け、各辺の中央部に第1〜第6導電連結部61〜66を設けることで、第1〜第6スロットアンテナ領域11〜16に等分割したものである。第1〜第6スロットアンテナ領域11〜16には、それぞれ第1〜第6通信スロット11S〜16Sが設けられるが、各通信スロットのスリット長はアンテナ径に対してあまり長くとることができない。図25(b)に示す無指向性小型平面アンテナ装置1E′は、第5実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Eの改変例で、各角部に第1〜第6導電連結部61〜66を設けることで、第1〜第6スロットアンテナ領域11〜16に等分割したものである。この無指向性小型平面アンテナ装置1E′においても、各通信スロットのスリット長はアンテナ径に対してあまり長くとることができない。このため、分割数nが4より大きい無指向性小型平面アンテナ装置1E,1E′では、第1実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aと比較して、アンテナ本体の小型・軽量化に不利であると考えられる。 FIG. 25A shows an omnidirectional small planar antenna device 1E according to the fifth embodiment in which the division number n is six. In the omnidirectional small planar antenna device 1E of the present embodiment, a hexagonal dielectric substrate 2E is used, a hexagonal first conductive layer 3E is provided on the top surface, and a hexagonal second conductive layer 4E is provided on the bottom surface. The first to sixth slot antenna regions 11 to 16 are equally divided by providing the first to sixth conductive connection portions 61 to 66 at the center of each side. The first to sixth slot antenna regions 11 to 16 are provided with first to sixth communication slots 11S to 16S, respectively. However, the slit length of each communication slot cannot be made too long with respect to the antenna diameter. An omnidirectional small planar antenna device 1E ′ shown in FIG. 25 (b) is a modified example of the omnidirectional small planar antenna device 1E according to the fifth embodiment, and the first to sixth conductive connecting portions 61 are provided at the corners. To 66 are equally divided into first to sixth slot antenna regions 11 to 16. Also in this omni-directional small planar antenna device 1E ′, the slit length of each communication slot cannot be made too long with respect to the antenna diameter. For this reason, in the omnidirectional small planar antenna devices 1E and 1E ′ having a division number n larger than 4, the antenna body can be made smaller and lighter than the omnidirectional small planar antenna device 1A according to the first embodiment. It is considered disadvantageous.
一方、図26に示すのは、第6実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Fで、分割数nを3としたものである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Fでは、三角形の誘電体基板2Fを用い、その上面に三角形の第1導電層3Fを、下面に三角形の第2導電層4Fを設け、各辺の中央部に第1〜第3導電連結部61〜63を設けることで、第1〜第3スロットアンテナ領域11〜13に等分割したものである。第1〜第3スロットアンテナ領域11〜13には、それぞれ第1〜第3通信スロット11S〜13Sが設けられ、各通信スロットのスリット長はアンテナ径に対して長くとることができる。図26(b)に示す無指向性小型平面アンテナ装置1F′は、第6実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Fの改変例で、各角部に第1〜第3導電連結部61〜63を設けることで、第1〜第3スロットアンテナ領域11〜13に等分割したものである。この無指向性小型平面アンテナ装置1F′においても、各通信スロットのスリット長はアンテナ径に対して長くとることができる。このため、分割数nが4より小さい無指向性小型平面アンテナ装置1F,1F′では、第1実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Aと比較して、アンテナ本体の小型・軽量化に有利であると考えられる。 On the other hand, FIG. 26 shows an omnidirectional small planar antenna device 1F according to the sixth embodiment in which the division number n is 3. In the omnidirectional small planar antenna device 1F of the present embodiment, a triangular dielectric substrate 2F is used, a triangular first conductive layer 3F is provided on the upper surface, and a triangular second conductive layer 4F is provided on the lower surface. By providing the first to third conductive connection portions 61 to 63 in the center portion, the first to third slot antenna regions 11 to 13 are equally divided. The first to third slot antenna regions 11 to 13 are provided with first to third communication slots 11S to 13S, respectively, and the slit length of each communication slot can be made longer than the antenna diameter. An omnidirectional small planar antenna device 1F ′ shown in FIG. 26 (b) is a modified example of the omnidirectional small planar antenna device 1F according to the sixth embodiment, and the first to third conductive connecting portions 61 are provided at each corner. To 63 are equally divided into first to third slot antenna regions 11 to 13. Also in this omni-directional small planar antenna device 1F ′, the slit length of each communication slot can be made longer than the antenna diameter. For this reason, in the omnidirectional small planar antenna devices 1F and 1F ′ in which the division number n is smaller than 4, the antenna body can be made smaller and lighter than the omnidirectional small planar antenna device 1A according to the first embodiment. It is considered advantageous.
図27に示すのは、第7実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Gで、分割数nを2としたものである。本実施形態の無指向性小型平面アンテナ装置1Gでは、四角形の誘電体基板2を用い、対向する二辺の各中央部に第1,第2導電連結部61,62を設けることで、第1,第2スロットアンテナ領域11,12に等分割したものである。第1スロットアンテナ領域に設けられる第1通信スロット11Sは、第1導電層3に設けた上面第1スリット部31から第1側面Aスリット部231a、第2側面スリット部232、第3側面Bスリット部233bを経て第2導電層4に設けた下面第1スリット部41に連なるものである。第2スロットアンテナ領域に設けられる第2通信スロット12Sは、第1導電層3に設けた上面第2スリット部32から第3側面Aスリット部233a、第4側面スリット部234、第1側面Bスリット部231bを経て第2導電層4に設けた下面第2スリット部42に連なるものである。 FIG. 27 shows a non-directional small planar antenna device 1G according to the seventh embodiment in which the division number n is 2. In the omnidirectional small planar antenna device 1G of the present embodiment, the first and second conductive connecting portions 61 and 62 are provided at the center portions of the two opposing sides using the rectangular dielectric substrate 2, so that the first , Equally divided into second slot antenna regions 11 and 12. The first communication slot 11S provided in the first slot antenna region includes a first side surface A slit portion 231a, a second side surface slit portion 232, and a third side surface B slit from the upper surface first slit portion 31 provided in the first conductive layer 3. It continues to the lower surface first slit portion 41 provided in the second conductive layer 4 through the portion 233b. The second communication slot 12S provided in the second slot antenna region includes the upper side second slit part 32 provided in the first conductive layer 3 to the third side face A slit part 233a, the fourth side face slit part 234, and the first side face B slit. It is continuous with the lower surface second slit portion 42 provided in the second conductive layer 4 via the portion 231b.
第1通信スロット11Sの上面第1スリット部31は、第1側面Aスリット部231aに第1端が連結され、他方の第2端が中心方向に延出する所要幅の基端スリット31と、基端スリット31の第2端側へ屈曲状に連結され、第1側面Aスリット部231aと平行に延出する所要幅の第1屈曲スリット31bと、第1屈曲スリット31bの延出端へ屈曲状に連結され、第2側面スリット部232と平行に延出する第2屈曲スリット31cと、第2屈曲スリット31cの延出端へ屈曲状に連結され、第3側面Bスリット部233bと平行に延出する第3屈曲スリット31dと、第3屈曲スリット31dの延出端側へ屈曲状に連結され、中心から遠ざかるように延出する先端スリット31eよりなる。よって、上面第1スリット部31は、基板全周の1/2近いスリット長となる。なお、第2屈曲スリット31cは、スリット幅と第2側面スリット部232からの離隔距離が異なる第2屈曲前段スリット31c1と第2屈曲後段スリット31c2からなる段差構造である。 The upper surface first slit portion 31 of the first communication slot 11S has a first end connected to the first side surface A slit portion 231a, and a base end slit 31 having a required width that the other second end extends in the center direction, A first bent slit 31b having a required width connected in a bent manner to the second end side of the proximal end slit 31 and extending in parallel with the first side surface A slit portion 231a, and bent to an extending end of the first bent slit 31b The second bent slit 31c extending in parallel with the second side slit portion 232 and connected to the extending end of the second bent slit 31c in a bent shape and parallel to the third side B slit portion 233b The third bent slit 31d extends, and the tip slit 31e is connected to the extended end side of the third bent slit 31d in a bent shape and extends away from the center. Therefore, the upper surface first slit portion 31 has a slit length close to ½ of the entire circumference of the substrate. The second bent slit 31c is a step structure including a second pre-bend slit 31c1 and a second post-bend slit 31c2 that have different slit widths and separation distances from the second side slit portion 232.
説明を省略した上面第2スリット部32および下面第1,第2スリット部41,42は、全て上面第1スリット部31と同一形状であるから、それぞれ基板全周の1/2近いスリット長を備えるので、第1,第2通信スロット11S、12Sの各スロット長は、分割数n=4とした基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aにおける第1〜第4通信スロット11S〜14Sの各スロット長と比べて非常に長いものとなる。したがって、分割数nを2とした無指向性小型平面アンテナ装置1Gでは、基本構成の無指向性小型平面アンテナ装置1Aと比較して、アンテナ寸法を変えずに低周波数化を実現できると考えられる。 Since the upper surface second slit portion 32 and the lower surface first and second slit portions 41 and 42, which are not described, are all the same shape as the upper surface first slit portion 31, each has a slit length close to ½ of the entire circumference of the substrate. Therefore, the slot lengths of the first and second communication slots 11S and 12S are respectively the first to fourth communication slots 11S to 14S in the unidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration in which the division number n = 4. This is very long compared to the slot length. Therefore, it is considered that the omnidirectional small planar antenna device 1G with the division number n of 2 can achieve a lower frequency without changing the antenna dimensions, as compared with the omnidirectional small planar antenna device 1A having the basic configuration. .
そこで、アンテナ寸法を変えずに、n=4の無指向性小型平面アンテナ装置1Aから、n=2の無指向性小型平面アンテナ装置1Gに変える設計変更をシミュレートしたところ、無指向性小型平面アンテナ装置1Aでの整合周波数fres=128MHzから無指向性小型平面アンテナ装置1Gでは整合周波数fres=69MHzとなる結果を得られた。分割数nを4から2へ半分にすると、整合周波数fresも約半分に低周波数化できるのである。 Therefore, when a design change in which the n = 4 omni-directional small planar antenna device 1A is changed to the n = 2 omnidirectional small planar antenna device 1G without changing the antenna dimensions is simulated, the omni-directional small planar device is simulated. From the matching frequency fres = 128 MHz in the antenna device 1A, the matching frequency fres = 69 MHz was obtained in the non-directional small planar antenna device 1G. If the number of divisions n is halved from 4 to 2, the matching frequency fres can be lowered to about half.
また、無指向性小型平面アンテナ装置1Aと同じ整合周波数を得られるように無指向性小型平面アンテナ装置1Gを設計するのであれば、無指向性小型平面アンテナ装置1Aで用いる基板の約半分のサイズ(基板幅がW/2)の誘電体基板2で無指向性小型平面アンテナ装置1Gを構成できると考えられるので、面積、体積、重量は約1/4に小型・軽量化が可能である。 If the omnidirectional small planar antenna device 1G is designed so as to obtain the same matching frequency as that of the omnidirectional small planar antenna device 1A, the size is about half the size of the substrate used in the omnidirectional small planar antenna device 1A. Since it is considered that the omni-directional small planar antenna device 1G can be configured with the dielectric substrate 2 having a substrate width of W / 2, the area, volume, and weight can be reduced to about 1/4, and the size and weight can be reduced.
以上のことから、小さなnで設計を行うことは小型化に有効であると考えられる。図28に示すのは、分割数n=1とした第8実施形態に係る無指向性小型平面アンテナ装置1Hである。n=1の場合、アンテナ領域を2以上に等分割しないので、第1通信スロット11Sが形成される第1スロットアンテナ領域11のみとなる。ただし、第1導電層3と第2導電層4とを電気的に接続する導電連結部6を設けることで、誘電体基板2の側面が分割され、上面第1スリット部31は導電連結部6の一側近傍にて第1側面Aスリット部231aに連なり、下面第1スリット部41は導電連結部6の他側近傍にて第1側面Bスリット部231bに連なる。すなわち、無指向性小型平面アンテナ装置1Hの第1通信スロット11Sは、上面第1スリット部31から第1側面Aスリット部231a、第2側面スリット部232、第3側面スリット部233、第4側面スリット部234、第1側面Bスリット部231bを経て下面第1スリット部41に至る長尺なスロット長を得ることができる。 From the above, it is considered that designing with a small n is effective for miniaturization. FIG. 28 shows an omnidirectional small planar antenna device 1H according to the eighth embodiment in which the division number n = 1. When n = 1, the antenna region is not equally divided into two or more, and therefore only the first slot antenna region 11 in which the first communication slot 11S is formed. However, the side surface of the dielectric substrate 2 is divided by providing the conductive connection portion 6 that electrically connects the first conductive layer 3 and the second conductive layer 4, and the upper surface first slit portion 31 is the conductive connection portion 6. 1 side A slit part 231a is connected in the vicinity of one side, and the lower surface first slit part 41 is connected to the first side B slit part 231b in the vicinity of the other side of the conductive connecting part 6. That is, the first communication slot 11S of the omnidirectional small planar antenna device 1H includes the first side surface A slit portion 231a, the second side surface slit portion 232, the third side surface slit portion 233, and the fourth side surface from the upper surface first slit portion 31. A long slot length that reaches the lower surface first slit portion 41 through the slit portion 234 and the first side surface B slit portion 231b can be obtained.
なお、一般にアンテナを小型化すると、放射効率が低下することが知られている。すなわち、分割数nを小さくすれば、アンテナ本体の小型化を実現できる反面、実用的な放射効率が得られなくなる可能性もあるので、目的とする整合周波数と十分な放射効率を得るのに適切な分割数nを選択することが望ましい。 In general, it is known that when the antenna is downsized, the radiation efficiency decreases. That is, if the division number n is reduced, the antenna body can be reduced in size, but there is a possibility that practical radiation efficiency may not be obtained. Therefore, it is appropriate to obtain the target matching frequency and sufficient radiation efficiency. It is desirable to select a proper division number n.
以上、本発明に係る無指向性小型平面アンテナ装置を実施形態に基づき説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の構成を変更しない限りにおいて実現可能な全ての無指向性小型平面アンテナ装置を権利範囲として包摂するものである。 As described above, the omnidirectional small planar antenna device according to the present invention has been described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and the configuration described in the claims is not changed. All omni-directional small planar antenna devices that can be realized in the above are included as a scope of rights.
1A 無指向性小型平面アンテナ装置(第1実施形態)
11〜14 第1〜第4スロットアンテナ領域
11S〜14S 第1〜第4通信スロット
2 誘電体基板
21 第1面(上面)
22 第2面(下面)
23 四側面
3 第1導電層
31〜34 上面第1〜第4スリット部
4 第4導電層
41〜44 下面第1〜第4スリット部
5 給電ポート
61〜64 第1〜第4導電連結部
1A Omnidirectional Small Planar Antenna Device (First Embodiment)
11-14 First to fourth slot antenna regions 11S-14S First to fourth communication slots 2 Dielectric substrate 21 First surface (upper surface)
22 2nd surface (lower surface)
23 Four side surfaces 3 First conductive layers 31 to 34 Upper surface first to fourth slit portions 4 Fourth conductive layers 41 to 44 Lower surface first to fourth slit portions 5 Power supply ports 61 to 64 First to fourth conductive connection portions
Claims (5)
前記誘電体基板の第1面に所要厚さの導電体で形成され、所要形状の第1スリット部を設けた第1導電層と、
前記誘電体基板の第2面に所要厚さの導電体で形成され、所要形状の第2スリット部を設けた第2導電層と、
前記誘電体基板の第1面と第2面に直交して誘電体基板の重心を通る仮想中心軸が第1導電層または第2導電層と交差する部位に設ける給電ポートと、
前記誘電体基板の外側面あるいは側面近傍に形成され、前記第1導電層と第2導電層とを電気的に連結する導電連結部と、
前記導電連結部から導電連結部まで誘電体基板の側面が連続して露出する側面スリット部と、
を備え、
前記側面スリット部の一方端を前記第1スリット部と連結し、側面スリット部の他方端を前記第2スリット部と連結することで、第1スリット部から側面スリット部を経て第2スリット部に至る長尺な通信スロットを形成し、前記給電ポートから信号を注入あるいは信号を取り出すようにしたことを特徴とする無指向性小型平面アンテナ装置。 A plate-like dielectric substrate whose two opposing faces are parallel;
A first conductive layer formed of a conductor having a required thickness on the first surface of the dielectric substrate and provided with a first slit portion having a required shape;
A second conductive layer formed of a conductor having a required thickness on the second surface of the dielectric substrate and provided with a second slit portion having a required shape;
A power supply port provided at a portion where a virtual central axis passing through the center of gravity of the dielectric substrate perpendicular to the first surface and the second surface of the dielectric substrate intersects the first conductive layer or the second conductive layer;
A conductive connection part formed on the outer surface or in the vicinity of the side surface of the dielectric substrate and electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer;
A side slit portion where the side surface of the dielectric substrate is continuously exposed from the conductive connection portion to the conductive connection portion;
With
By connecting one end of the side slit part to the first slit part and connecting the other end of the side slit part to the second slit part, the first slit part passes through the side slit part to the second slit part. An omnidirectional small planar antenna device characterized in that a long communication slot is formed and a signal is injected or extracted from the power feeding port.
前記等分割面によって等分されたn個のスロットアンテナ領域には、それぞれ、同一形状の通信スロットを形成するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の無指向性小型平面アンテナ装置。 The conductive connecting portion is provided at a portion where an equally divided surface that divides the first and second conductive layers and the dielectric substrate into n equal parts (n is a natural number of 2 or more) through the virtual central axis intersects the side surface of the dielectric substrate. Provided,
2. The omnidirectional small planar antenna device according to claim 1, wherein a communication slot having the same shape is formed in each of the n slot antenna regions equally divided by the equally divided surface.
側面スリット部に第1端が連結され、他方の第2端が中心方向に延出する所要幅の基端スリットと、
前記基端スリットの第2端側へ屈曲状に連結され、誘電体基板の側面と平行に延出する所要幅の屈曲スリットと、
を備えることを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の無指向性小型平面アンテナ装置。 The first slit portion and / or the second slit portion is at least:
A base end slit having a required width in which the first end is connected to the side slit portion and the other second end extends in the center direction;
A bent slit having a required width connected in a bent manner to the second end side of the base end slit and extending in parallel with the side surface of the dielectric substrate;
The omnidirectional small planar antenna device according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
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