JP2018190820A - インダクタ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させたインダクタ素子を提供する。【解決手段】 コイル状に導体が巻回してある巻線部と、巻線部の周囲を囲み、磁性粉体と樹脂とを含むコア部と、を有するインダクタ素子である。巻軸中心から垂直な外側方向に巻線部が存在し巻軸中心から前記垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離であるコア部の領域を中芯中央領域とする。巻軸中心から垂直な外側方向に巻線部が存在せず巻軸中心から垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離であるコア部の領域を天板中央領域とする。巻軸中心を通過し巻軸中心と平行な任意の断面において、中芯中央領域全体に占める磁性粉体の面積割合をＳα（％）、天板中央領域全体に占める磁性粉体の面積割合をＳβ（％）とする場合に、Ｓα−Ｓβ≧−２％である。【選択図】図１

Description

本発明は、インダクタ素子に関する。

インダクタ素子の一例として、金属磁性粉に樹脂を加えて加圧成形して得られるコアの内部にコイルを埋設しているインダクタ素子が知られている。

下記の特許文献１には、磁性粉末と熱硬化性樹脂とを混合し、加圧成形して２個の圧粉体を成形し、それらの圧粉体でコイル部を挟み込むように再加圧するとともに熱硬化を行うコイル部品の製造方法が記載されている。そして、それらの圧粉体は再加圧成形する際に圧粉体の形状が崩れない硬度の強硬度部と圧粉体の形状が崩れる硬度の弱硬度部を設け、再圧縮により弱硬度部を崩しながら成形を行っている。

しかしながら、特許文献１の技術では、圧粉体の一部を崩して再圧縮して成形する必要がある。近年、コイル部品の大電流化が進み、コイルの直流重畳特性の向上が求められている。直流重畳特性の向上のためには、密度を高密度にすることが求められている。

また、再加圧成形時に弱硬度部の形状が崩れやすいために十分な圧力伝達が行えず、特に圧粉体同士を接合させる部分の密度が低くなりやすい。すなわち、最終的に得られるインダクタ素子において、コアの中芯部の密度が低くなりやすい。さらに、密度を高くするために再加圧成形時の圧力を高くしようとすると、コイル被膜が破れたり、金型内壁と磁性粉末表面との擦れが発生したりして、耐電圧を低下させやすい。

特開２００２−２５２１２０号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させたインダクタ素子を提供することである。

上記の目的を達成するために、本発明に係るインダクタ素子は、
コイル状に導体が巻回してある巻線部と、
前記巻線部の周囲を囲み、磁性粉体と樹脂とを含むコア部と、を有するインダクタ素子であって、
巻軸中心から垂直な外側方向に前記巻線部が存在し前記巻軸中心から前記垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離である前記コア部の領域を中芯中央領域とし、
巻軸中心から垂直な外側方向に前記巻線部が存在せず前記巻軸中心から前記垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離である前記コア部の領域を天板中央領域とし、
前記巻軸中心を通過し前記巻軸中心と平行な任意の断面において、前記中芯中央領域全体に占める前記磁性粉体の面積割合をＳα（％）、前記天板中央領域全体に占める前記磁性粉体の面積割合をＳβ（％）とする場合に、
Ｓα−Ｓβ≧−２％である。

本発明に係るインダクタ素子は、上記の構成を有することにより、インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させることができる。

さらに、Ｓα−Ｓβ≧−１％であることが好ましい。

さらに、Ｓα−Ｓβ≧０％であることが好ましい。

さらに、Ｓα≧６５％であることが好ましい。

図１は本発明の第１実施形態に係るインダクタ素子の断面図である。 図２は図１に示すインダクタ素子の製造過程で用いる予備成形体およびインサート部材の斜視図である。 図３は図２に示すIII-III線に沿う断面図である。 図４は本発明の他の実施形態に係るインダクタ素子の製造過程で用いる予備成形体およびインサート部材の斜視図である。 図５は本発明の他の実施形態に係るインダクタ素子の製造過程で用いる予備成形体およびインサート部材の斜視図である。 図６は本発明の他の実施形態に係るインダクタ素子の製造過程で用いる予備成形体およびインサート部材の斜視図である。 図７は本願実施例１のインダクタ素子の断面写真である。 図８は本願比較例３のインダクタ素子の断面写真である。 図９は本願実施例４のインダクタ素子の断面写真である。 図１０は本願比較例５のインダクタ素子の断面写真である。 図１１は本願実施例１の中芯中央領域のＳＥＭ画像である。 図１２は本願比較例３の中芯中央領域のＳＥＭ画像である。 図１３は本願実施例４の中芯中央領域のＳＥＭ画像である。 図１４は本願比較例５の中芯中央領域のＳＥＭ画像である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されない。

第１実施形態
図１は後述する巻線部４の巻軸中心４αを通過し、巻軸中心４αと平行な断面である。図１に示すように、本発明の一実施形態におけるインダクタ素子２は、巻線部４と、コア部６と、を有する。巻線部４では、導体５がコイル状に巻回してある。コア部６は、巻線部４の内周側に位置する内周部（中芯部とも言う）６ａと、巻線部４の外周側に位置する外周部６ｂと、を有する。巻線部４を構成する導体５とコア部６の隙間部６ｃには、コア部６を構成する磁性体粉および樹脂が入り込んでいる。

本実施形態のインダクタ素子２は、コア部６の上面および下面がＺ軸に対して略垂直であり、コア部６の側面は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に対して略垂直となっている。また、巻線部４の巻軸はＺ軸に対して略平行となっている。ただし、コア部６の形状は、図１の形状に限定されず、円柱形、楕円柱などであっても良い。

本実施形態のインダクタ素子２のサイズは、特に限定されないが、例えば、リード部５ａ，５ｂを除く部分が、（２〜１７）ｍｍ×（２〜１７）ｍｍ×（１〜７）ｍｍの直方体または立方体に含まれるサイズである。なお、図１では、図２に示す巻線部４のリード部５ａ，５ｂの図示が省略してある。巻線部４を構成する導体５の両端に形成してあるリード部５ａ，５ｂは、図１に示すコア部６の外部に取り出されるようになっている。

巻線部４を構成する導体（導線）５には、必要に応じて外周を絶縁被覆層で被覆してある。導体５としては、たとえばＣｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ、あるいはこれらの金属を含む合金などで構成してある。絶縁被覆層は、たとえばポリウレタン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエステル−イミド、ポリエステル−ナイロンなどで構成してある。導体５の横断面形状は、特に限定されず、円形、楕円、平角形状などが例示される。本実施形態では、導体５の横断面形状は円形としている。

コア部６は、磁性粉体および樹脂（バインダ）を有する。磁性粉体の材質としては、特に限定されないが、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎなどのフェライト、Ｆｅ−Ｓｉ（鉄―シリコン）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ；鉄−シリコン−アルミニウム）、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ（鉄−シリコン−クロム）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）、などの金属が例示される。好ましくは、Ｆｅ−ＳｉまたはＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒである。磁性粉体の結晶構造には特に限定はなく、アモルファス、結晶質などが例示される。樹脂の種類としては、特に限定されないが、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、シリコン樹脂、これらを組み合わせたものなどが例示される。

本実施形態では、コア部６が、その内部において所定の密度差を有することに特徴がある。

図１に示すように、巻軸中心４αから垂直な外側方向に巻線部４が存在し、巻軸中心４αから当該垂直な外側方向に向けて２８０μｍ以内である前記コア部の領域を中芯中央領域６αとし、巻軸中心４αから垂直な外側方向に巻線部４が存在せず、前記巻軸中心４αから前記垂直な外側方向に向けて２８０μｍ以内である前記コア部の領域を天板中央領域６β１，６β２とする。

本実施形態に係るインダクタ素子は、中芯中央領域６α全体に占める磁性粉体の面積割合をＳα（％）、天板中央領域６β１，６β２全体に占める磁性粉体の面積割合をＳβ（％）とする場合に、Ｓα−Ｓβ≧−２％である。また、より好ましくはＳα−Ｓβ≧−１％であり、さらに好ましくはＳα−Ｓβ≧０％であり、最も好ましくはＳα−Ｓβ≧０．８％である。また、Ｓα−Ｓβには上限はないが、通常は３０％以下である。

なお、通常は中芯中央領域６αと天板中央領域６βとの間における磁性粉体の面積割合の変化、すなわち磁性粉体の密度の変化は連続的である。すなわち、磁性粉体の密度の高い領域と磁性粉体の密度の低い領域との境界は明確ではない。

本実施形態に係るインダクタ素子は、Ｓα−Ｓβを所定の範囲内とすることにより、インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させることができる。

また、本実施形態に係るインダクタ素子は、Ｓα≧６５％であることが好ましい。中芯中央領域６αにおける磁性粉体の密度が所定量以上であることが好ましい。磁性粉体の密度を高密度とすることで、クラックの発生を抑制しやすくなり、さらに、インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させやすくすることができる。

次に、図１に示すインダクタ素子２の製造方法について図２および図３を用いて説明する。

本発明の一実施形態におけるインダクタ素子の製造方法により製造されるインダクタ素子２は、２つの予備成形体６０ａ，６０ｂと、空芯コイルなどで構成される巻線部４を有するインサート部材と、を一体化することにより製造される。巻線部４を構成する導体５の両端は、リード部５ａ，５ｂとして、巻線部４の外側に引き出されている。端子（図示せず）はリード部５ａ，５ｂと本圧縮後に接続してもよいし、本圧縮前に予め接続しておいてもよい。

各予備成形体６０ａ，６０ｂには、それぞれ接合予定面７０ａ，７０ｂが形成してあり、それらが相互に突き合わされて接合される。それぞれの接合予定面７０ａ，７０ｂには、それぞれ巻回部４の上半部および下半分を収容するための収容凹部９０ａ，９０ｂが形成してある。収容凹部９０ａ，９０ｂの大きさは、インサート部材としての巻線部４が、その内外周および巻軸方向端部が接触して入り込める程度の大きさである。

また、いずれか一方または双方の接合予定面７０ａ，７０ｂには、リード部５ａ，５ｂをコア部６の外側に引き出すための引出溝８０が形成してある。なお、図２には一対のリード部５ａ，５ｂを記載しているが、図３では一対のリード部５ａ，５ｂを省略している。

図３に示す中芯部６０ａαの高さが外周部６０ｂαの高さよりもｚ１だけ高い予備成形体６０ａを準備する。また、同様にして中芯部６０ａβの高さが外周部６０ｂβの高さよりもｚ２だけ高い予備成形体６０ｂを準備する。

そして、予備成形体６０ａ，６０ｂを用いて本圧縮成形を行うことで、中芯部６０ａα，６０ａβにおける磁性粉体の量が外周部６０ｂα，６０ｂβにおける磁性粉体の量より多くなり、図１のインダクタ素子２の中芯部６ａ（図１の中芯中央領域６α）における磁性粉体の密度が高くなる。

なお、ｚ１とｚ２との大小関係には特に制限はない。すなわち、ｚ１＝ｚ２であってもよく、ｚ１＞ｚ２であってもよく、ｚ１＜ｚ２であってもよい。さらに、ｚ１またはｚ２が０でもよい。

また、図３に示すように、内周部６０ａα，６０ａβでは、Ｚ軸方向の長さが、外周部６０ｂα，６０ｂβよりも長いため、図１に示す中芯部６ａ（図１の中芯中央領域６α）では、外周部６ｂよりも圧縮力が強く作用して密度が高くなる。

本実施形態に係るインダクタ素子２を製造する上では、まず、予備成形体６０ａ，６０ｂの原料となる顆粒を製造する。顆粒の製造方法には特に制限はない。たとえば磁性粉体に樹脂を添加し撹拌した後に乾燥させることで製造することができる。

磁性粉体の粒径に特に制限はないが、例えば平均粒径が０．５〜５０μｍの磁性粉体を用いることができる。樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、シリコン樹脂、これらを組み合わせたものなどが例示される。また、磁性粉体と樹脂とを混合する前に、磁性粉体表面に絶縁被膜を形成してもよい。例えば、ゾルゲル法によりＳｉＯ_２膜である絶縁被膜を形成することができる。

また、磁性粉体に樹脂を添加し撹拌した後にメッシュを通過させることで粗大な顆粒を取り除いてもよい。また、樹脂は磁性粉体に添加する際に溶媒で希釈してもよい。溶媒としては、例えばケトン類等が用いられる。

樹脂の含有量には特に制限はないが、磁性粉体１００ｗｔ％に対して１．０〜６．０ｗｔ％含有することが好ましい。樹脂の含有量を適量とすることにより、後述する本圧縮時に接合予定面７０ａ，７０ｂを接合しやすくなる。また、樹脂の含有量が多いほど磁性粉体の密度が小さくなり、ＳαおよびＳβが小さくなる傾向にある。

予備成形体６０ａ，６０ｂは、前記磁性粉体および前記樹脂を含む顆粒を金型のキャビティ内に充填し、予備圧縮成形して製造される。予備圧縮成形時の圧力には特に制限はないが、２．５×１０^２ 〜１×１０^３ ＭＰａ（２．５〜１０ｔ／ｃｍ^２ ）とすることが好ましい。また、予備成形体６０ａ，６０ｂの密度には特に制限はない。たとえば、４．０〜６．５ ｇ／ｃｍ^３であることが好ましい。

予備圧縮成形時の圧力を２．５×１０^２ 〜１×１０^３ ＭＰａとすることで、後述する本圧縮後に生じる巻線部４の位置の歪みおよび／または巻線の形状の歪みを防止し、耐電圧、インダクタンスおよび直流重畳特性が全て優れたインダクタ素子を製造しやすくなる。また、予備成形体６０ａ，６０ｂの密度を上記の範囲内、特に４．０ｇ／ｃｍ^３以上とすることで、上記ＳαおよびＳβを高くしやすくなる。また、６．５ｇ／ｃｍ^３以下とすることで予備圧縮成形時の圧力が高くなり過ぎず、錆や成形クラックの発生が抑えやすくなる。

次に、得られた予備成形体６０ａ，６０ｂおよびインサート部材を図２および図３に示す態様で、予備成形体製造時とは別の金型のキャビティ内に配置し、本圧縮（圧着）を行うことでインダクタ素子２を得ることができる。本圧縮時の圧力には特に制限はないが、たとえば１×１０^２〜８×１０^２ＭＰａ（１〜８ｔ／ｃｍ^２）とすることが好ましい。また、本圧縮時の圧力は予備圧縮成形時の圧力（１００％）に比較して、好ましくは、４０〜８０％程度に低く、さらに好ましくは５０〜６０％程度に低い。本圧縮時の圧力を予備圧縮成形時の圧力よりも低くすることで、本圧縮後に生じる巻線部４の位置の歪みおよび／または巻線の形状の歪みを防止しやすくなり、予備圧縮成形時の圧力が本圧縮時の圧力と比べて大きいほど耐電圧特性が向上しやすい傾向にある。

また、本圧縮後に金型から取り出したインダクタ素子２に対して加熱を行うことで樹脂を完全硬化させることが好ましい。具体的には、金型から取り出したインダクタ素子２に対して、樹脂が硬化開始する温度よりも高い温度で加熱することにより、樹脂を完全硬化させることが好ましい。

上記の製造方法で得られるインダクタ素子２は、巻線部４の位置の歪みおよび／または巻線の形状の歪みが小さく、コア部６、特に中芯中央領域６αを高密度に形成することができる。したがって、インダクタンスおよび直流重畳特性を向上させながら耐電圧も向上させることができる。

本実施形態では、最終的に得られるインダクタ素子２のコア部６について、中芯部を高密度で作製できる。その結果、従来のインダクタ素子よりもインダクタンスおよび直流重畳特性を向上させることができる。

本実施形態に係るインダクタ素子２を製造する方法としては、図２および図３に示す方法の他、例えば、図４に示すように、板形状の予備成形体６０ａ１およびポット形状の予備成形体６０ｂ１を準備する方法がある。このときに、ポット形状の予備成形体６０ｂ１の中芯部の高さを外周部の高さよりも高くする方法がある。また、図５に示すように、板状の予備成形体６０ｃおよび６０ｇ、リング状の予備成形体６０ｄおよび６０ｆ、および、円柱状の予備成形体６０ｅを準備する方法がある。このときに、円柱状の予備成形体６０ｅの高さを、コイル５の高さよりも高くする方法がある。さらに、図６に示すように、３個の予備成形体６０ｅ２，６０ｈ，６０ｉを準備する方法がある。このときに、円柱状の予備成形体６０ｅ２の高さを、コイル５の高さよりも高くする方法がある。また、予備成形体の形状は図６〜図８に示す形状でなくてもよく、最終的に得られるインダクタ素子２が図１に示す形状となり、中芯中央領域６αの密度が高くなればよい。また、予備成形体の個数が多いほど直流重畳特性が向上する傾向にある。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１〜３
実施例１〜３では、図２および図３に示す形状の予備成形体を予備圧縮成形にて作製し、その後、本圧縮を行い図１に示す形状のインダクタ素子を得た。

まず、金型のキャビティ内に充填する顆粒を準備した。磁性粉末として球状のＦｅ−Ｓｉ合金（平均粒径２５μｍ）を用意し、磁性粉末表面にゾルゲル法を用いたＳｉＯ_２膜である絶縁被膜を形成した。上記磁性粉末にアセトンに希釈したエポキシ樹脂を、磁性粉末全体を１００重量％として３重量％加え攪拌した。撹拌した後に、２５０ミクロンの目開きのメッシュをパスさせ、室温で２４時間乾燥させ、金型のキャビティ内に充填する顆粒を得た。

金型のキャビティ内に前記顆粒を充填し、予備圧縮成形を行い、図２および図３に示す形状の２個の予備成形体を作製した。本実施例では２個の予備成形体は同一形状とした。予備圧縮成形時の圧力は６×１０^２ＭＰａとした。このときに、実施例１〜３では、それぞれｚ１（＝ｚ２）の値を変化させた。

次に、作製した予備成形体およびインサート部材を、予備圧縮成形に用いた金型とは別の金型のキャビティ内に配置した。キャビティ内部に、図２および図３に示す２個の予備成形体と、内径４ｍｍ、高さ３ｍｍの巻線部を有するインサート部材と、を図２および図３に示す態様で配置した。

次に、図３のＺ軸方向の上下から加圧して本圧縮した。本圧縮時の成形圧力は１×１０^２ＭＰａとした。

その後に、金型から成形体を取り出し、前記エポキシ樹脂が硬化開始する温度（１１０℃）よりも高い１８０℃で１時間の加熱処理を行い、前記エポキシ樹脂を硬化させ、表１に示す実施例のインダクタ素子のサンプルを得た。得られたコア部の寸法は、縦７ｍｍ×横７ｍｍ×高さ５．４ｍｍであった。

このようにして得られたインダクタ素子のサンプルについて、ＳαおよびＳβを測定した。具体的には、各測定箇所について４８０μｍ×５６０μｍのＳＥＭ画像を観察してＳαおよびＳβを算出した。巻軸中心４α上にあり巻軸中心４αが通過するインダクタ素子の一方の面からの距離が０．２４ｍｍ、０．７４ｍｍ、１．６４ｍｍ、２．１４ｍｍ、２．６４ｍｍ、３．１４ｍｍ、３．６４ｍｍ、４．５４ｍｍおよび４．８４ｍｍである点を測定領域の中心点として各測定箇所を設定した。そして、各測定箇所における磁性粉体の面積割合を算出した。各測定箇所における磁性粉体の面積割合と合せて表１に示す。そして、インダクタ素子の一方の面からの距離が０．２４ｍｍの点，０．７４ｍｍの点，４．５４ｍｍの点または４．８４ｍｍの点を含む４個の各測定箇所における磁性粉体の面積割合の平均をＳβとした。インダクタ素子の一方の面からの距離が１．６４ｍｍの点，２．１４ｍｍの点，２．６４ｍｍの点，３．１４ｍｍの点または３．６４ｍｍの点を含む５個の各測定箇所における磁性粉体の面積割合の平均をＳαとした。

さらに、各インダクタ素子のインダクタンスＬ_０を測定した。

インダクタンスの測定は、測定周波数１００ＫＨｚ、測定電圧０．５ｍＶで、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード（株）製）を用いて行った。インダクタンスＬ_０は４７．０〜５６．４μＨである場合を良好とした。

直流重畳特性の測定は、各インダクタ素子のサンプルに直流電流を０から印加していき、電流０の時のインダクタンス（μＨ）に対して、８０％に低下する時に流れる電流の値（アンペア）をＩｓａｔとし、Ｉｓａｔの数値で評価した。Ｉｓａｔが６．０Ａ以上の場合に直流重畳特性が良好であるとした。

さらに、実施例１のインダクタ素子のサンプルについて、断面写真を撮影した。結果を図７に示す。さらに、実施例１の中芯中央領域のＳＥＭ画像を図１１に示す。

比較例１〜３
比較例１〜３では、実施例１〜３と同様に顆粒を作製したのちに、本圧縮用の金型のキャビティにインサート部材を配置し、顆粒を充填させ、予備圧縮成形なしで本圧縮を行った。予備圧縮成形なしで本圧縮を行った点以外は実施例１〜３と同様にしてインダクタ素子を作製した。すなわち、比較例１〜３は全て同条件で実施した結果であり、試験結果にばらつきがある。結果を表１に示す。さらに、比較例３の中芯中央領域のＳＥＭ画像を図１２に示す。

さらに、比較例３のインダクタ素子のサンプルについて、断面写真を撮影した。結果を図８に示す。

表１、図１１，図１２より、本願実施例１は、中芯中央領域の密度が天板中央領域の密度より高い。これに対し、本願比較例３は、中芯中央領域の密度よりも天板中央領域の密度が高い。さらに、図７および図８を比較すれば、本願実施例１のインダクタ素子は本願比較例３のインダクタ素子と比較して歪みが小さい。

さらに、表１より、Ｓα−Ｓβが−２．０％以上である本願実施例１〜３は、Ｓα−Ｓβが−２．０％未満である本願比較例１〜３と比較してインダクタンスおよび直流重畳特性が良好である。さらにＳαが６５％以上である本願実施例１〜３は、Ｓαが６５％未満である本願比較例１〜３と比較して直流重畳特性が優れている。

実施例４〜６および比較例４〜６
磁性粉末として不定形状のＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金（平均粒径２５μｍ）を用意した点以外は実施例１〜３と同条件で実施例４〜６を、比較例１〜３と同条件で比較例４〜６を、それぞれ作成した。結果を表２に示す。

磁性粉末の材質の変化により得られるインダクタ素子の特性が変化する。そして、要求されるインダクタンスおよび直流重畳特性が変化する。したがって、実施例４〜６および比較例４〜６では、実施例１〜３および比較例１〜３とは異なり、インダクタンスＬ_０が５２．０〜５６．４μＨである場合を良好とした。また、Ｉｓａｔが３．５Ａ以上である場合を良好とした。

また、実施例４のインダクタ素子のサンプルについて、断面写真を撮影した。結果を図９に示す。比較例５のインダクタ素子のサンプルについて、断面写真を撮影した。結果を図１０に示す。さらに、実施例４の中芯中央領域のＳＥＭ画像を図１２に、比較例５の中芯中央領域のＳＥＭ画像を図１３に示す。

実施例４〜６および比較例４〜６より、磁性粉末の種類がＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金である場合においても、磁性粉末の種類がＦｅ−Ｓｉ合金の場合と同様の傾向を示した。

２，２Ａ… インダクタ素子
４… 巻線部
４α…巻軸中心
５… 導体
６… コア部
６ａ…内周部
６ｂ…外周部
６α…中芯中央領域
６β１…天板中央領域
６β２…天板中央領域
６０ａ〜６０ｋ… 予備成形体
７０ａ〜７０ｎ… 接合予定面
８０，８０ａ，８０ｂ… 引出溝
９０ａ，９０ｂ… 収容凹部

Claims (4)

1. コイル状に導体が巻回してある巻線部と、
   前記巻線部の周囲を囲み、磁性粉体と樹脂とを含むコア部と、を有するインダクタ素子であって、
   巻軸中心から垂直な外側方向に前記巻線部が存在し前記巻軸中心から前記垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離である前記コア部の領域を中芯中央領域とし、
   巻軸中心から垂直な外側方向に前記巻線部が存在せず前記巻軸中心から前記垂直な外側方向に向けて所定範囲内の距離である前記コア部の領域を天板中央領域とし、
   前記巻軸中心を通過し前記巻軸中心と平行な任意の断面において、前記中芯中央領域全体に占める前記磁性粉体の面積割合をＳα（％）、前記天板中央領域全体に占める前記磁性粉体の面積割合をＳβ（％）とする場合に、
   Ｓα−Ｓβ≧−２％であるインダクタ素子。
2. Ｓα−Ｓβ≧−１％である請求項１に記載のインダクタ素子。
3. Ｓα−Ｓβ≧０％である請求項１または２に記載のインダクタ素子。
4. Ｓα≧６５％である請求項１〜３のいずれかに記載のインダクタ素子。

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