JP2018189715A5 - - Google Patents
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Description
液晶表示装置と比較して、一般のOLED表示装置は、より長いデータ書き込み時間を必要とする。そのため、デマルチプレクサの動作による遅延時間により、OLED表示装置における書き込み時間が不足し得る。また、デマルチプレクサをパネル上に実装する構成は、より広い額縁領域を必要とする。さらに、高精細化に伴い、データ線と画素回路との間の距離が小さくなり、クロストークの影響が大きくなる。
[画素回路]
絶縁基板111上には、複数の副画素のアノード電極にそれぞれ供給する電流を制御する複数の回路(画素回路)が形成されている。図3Aは、画素回路の構成例を示す。各副画素は、第1のトランジスタT1と、第2のトランジスタT2と、第3のトランジスタT3と、保持容量C1とを含む画素回路と、OLED素子E1とを含む。トランジスタは、TFT(Thin Film Transistor)である。以下、第1のトランジスタT1〜第3のトランジスタT3をそれぞれトランジスタT1〜トランジスタT3と略記する。
絶縁基板111上には、複数の副画素のアノード電極にそれぞれ供給する電流を制御する複数の回路(画素回路)が形成されている。図3Aは、画素回路の構成例を示す。各副画素は、第1のトランジスタT1と、第2のトランジスタT2と、第3のトランジスタT3と、保持容量C1とを含む画素回路と、OLED素子E1とを含む。トランジスタは、TFT(Thin Film Transistor)である。以下、第1のトランジスタT1〜第3のトランジスタT3をそれぞれトランジスタT1〜トランジスタT3と略記する。
画素回路は、絶縁基板151と封止基板200との間に形成されている。画素回路は、下部電極(例えば、アノード電極162)と、上部電極(例えば、カソード電極166)と、有機発光膜165とを含む。図4は、トップエミッション型の副画素の例を示し、カソード電極166は、有機発光膜165からの光を封止基板200に向けて透過させる透明電極である。副画素は、ボトムエミッション型であってもよい。
アノード電極162の上に、OLED素子を分離する絶縁性の画素定義層(Pixel Defining Layer:PDL)163が形成されている。画素定義層163は、素子分離膜とも呼ぶ。OLED素子は、積層された、アノード電極162、有機発光膜165、及びカソード電極166(の部分)で構成される。OLED素子は、画素定義層163の開口に形成されている。このように、画素定義層163の開口が、各副画素それぞれの発光領域を規定する。
B発光領域532は、図5Aと異なる態様で形成、配置されてもよい。例えば、主画素行において、B発光領域532は均等に配列されてもよい。これにより、図5Aの構成例と比較して、画像品質を上げることができる。B副画素ペアにおいて、二つのB発光領域532の間の行方向における中心点は、当該画素ペアの間の行方向における中心点と異なっていてもよい。
データ線Xamは、主画素列551mにおける全R副画素及び半分のG副画素に接続されている。データ線Xbmは、主画素列551mにおける全B副画素及び残り半分のG副画素に接続されている。主画素列551mにおけるG副画素は、データ線Xamとデータ線Xbmに交互に接続されている。図7Bの例において、データ線Xamは偶数番目主画素行のG副画素に接続され、データ線Xbmは、奇数番目主画素行のG副画素に接続されている。
データ線Xam+1は、主画素列551m+1における全R副画素及び半分のG副画素に接続されている。データ線Xbm+1は、主画素列551m+1における全B副画素及び残り半分のG副画素に接続されている。主画素列551m+1におけるG副画素は、データ線Xam+1とデータ線Xbm+1に交互に接続されている。図7Bの例において、データ線Xam+1は偶数番目主画素行のG副画素に接続され、データ線Xbm+1は、奇数番目主画素行のG副画素に接続されている。
Claims (10)
- マトリックス状に配列された主画素と、
行方向に延び、前記行方向に垂直な列方向に配列された、走査線と、
前記列方向に延び、前記行方向に配列された、データ線と、
を含み、
前記主画素のそれぞれは、第1色副画素、第2色副画素、及び第3色副画素を含み、
前記第2色副画素は、前記第1色副画素に対して、前記行方向に配置され、
前記第3色副画素は、前記第1色副画素に対して、前記列方向に配置され、
前記第1色副画素、前記第2色副画素、及び前記第3色副画素それぞれは、トランジスタと、前記トランジスタに接続される第1電極と、前記第1電極上に形成される素子分離膜と、前記素子分離膜に設けた開口を覆うように形成される発光材料部と、前記発光材料部上に形成される第2電極と、を含み、
前記素子分離膜の開口が、前記第1色副画素、前記第2色副画素、及び前記第3色副画素それぞれの発光領域を規定し、
前記第1色副画素、前記第2色副画素、及び前記第3色副画素は、それぞれ、前記走査線のうちの1本の走査線及び前記データ線のうちの1本のデータ線と接続し、
前記行方向における前記主画素の数はM(Mは自然数)であり、前記列方向における前記主画素の数はNであり、
前記走査線の数は、(3/2)N(Nは正の偶数)であり、
前記走査線のそれぞれが接続された副画素の数は、2Mであり、
前記データ線の数は、2Mであり、
前記データ線のそれぞれに接続された主画素の数は、Nであり、
前記データ線のそれぞれに接続された副画素の数は、(3/2)Nである、表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置であって、
前記第3色の発光材料の発光寿命は、前記第1色及び前記第2色の発光材料の発光寿命よりも短く、
前記第3色副画素は、前記第1色副画素及び前記第2色副画素の双方に対して、前記列方向に配置されており、
前記第3色副画素の発光領域は、前記第1色副画素及び前記第2色副画素の発光領域よりも広い、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置であって、
前記第1色、前記第2色、及び前記第3色は、それぞれ、赤色、緑色、及び青色である、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置であって、
前記主画素それぞれにおいて、前記第1色副画素、前記第2色副画素、及び前記第3色副画素の間において発光材料部は分離され、
前記行方向において隣接する主画素からなるペアそれぞれにおいて、第3色副画素の発光材料部は連続し、前記第3色副画素の間において発光領域は分離され、
前記行方向において、隣接ペアの間において前記第3色副画素の発光材料部は分離されている、表示装置。 - 請求項4に記載の表示装置であって、
第1主画素行において、隣接する主画素のペアそれぞれは、奇数列の主画素と次の偶数列の主画素で構成され、
前記第1主画素行に隣接する第2主画素行において、隣接する主画素のペアそれぞれは、偶数列の主画素と次の奇数列の主画素で構成されている、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置であって、
前記主画素それぞれにおいて、前記第1色副画素の発光領域と前記第2色副画素の発光領域との間を、データ線が前記列方向において延びている、
列方向に延びる電力供給線とデータ線とが、行方向において交互に配列されている、表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置であって、
前記走査線は、1本の主画素行に含まれる副画素のうちの2/3の副画素に接続された第1種走査線と、隣接する2本の主画素行の各主画素行に含まれる副画素のうちの1/3の副画素に接続された第2種走査線と、で構成される、表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置であって、
前記第1色、前記第2色、及び前記第3色は、それぞれ、赤色、青色、及び緑色であり、
前記第2色副画素は、前記第1色副画素及び前記第3色副画素に対して、前記行方向において配置されている、表示装置。 - マトリクス状に配列された複数の主画素と、
行方向に延び、前記行方向に垂直な列方向に配列された、複数の走査線と、
前記列方向に延び、前記行方向に配列された、複数のデータ線と、
を含み、
前記主画素のそれぞれは、自発光素子を含む、第1色副画素、第2色副画素、及び第3色副画素を含み、
前記複数の走査線は、前記行方向に配置された第1主画素群に含まれる第1色副画素と第2色副画素とに接続する第1走査線と、前記第1主画素群に隣接する、前記行方向に配置された第2主画素群に含まれる第2色副画素と、前記第1主画素群に含まれる第3色副画素とに接続する第2走査線とを含み、
前記複数のデータ線は、前記列方向に配置された複数の主画素に含まれる第1色副画素と第3色副画素とに接続する第1データ線と、前記列方向に配置された複数の主画素に含まれる第2色副画素と前記第1データ線が接続していない第3色副画素とに接続する第2データ線とを含む、表示装置。 - 請求項9に記載の表示装置であって、
前記複数の走査線は、さらに、前記第2主画素群に含まれる複数の第1色副画素と複数の第3色副画素とに接続する第3走査線を含む、表示装置。
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