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JP2018189396A - Probe and method for manufacturing the same - Google Patents

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JP2018189396A
JP2018189396A JP2017089568A JP2017089568A JP2018189396A JP 2018189396 A JP2018189396 A JP 2018189396A JP 2017089568 A JP2017089568 A JP 2017089568A JP 2017089568 A JP2017089568 A JP 2017089568A JP 2018189396 A JP2018189396 A JP 2018189396A
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wire
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dlc film
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JP2017089568A
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Japanese (ja)
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高橋　浩二
Koji Takahashi
浩二 高橋
良 柴田
Makoto Shibata
良 柴田
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe for use in continuity test of a fine printed circuit board and a method for manufacturing the probe.SOLUTION: A probe 10 relating to an embodiment of this invention comprises an electrically conductive wire 13 and an insulating film 20 covering the wire 13. The insulating film 20 is formed of a DLC film.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は導電性の線材と線材を被覆する絶縁膜とからなるプローブ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a probe comprising a conductive wire and an insulating film covering the wire, and a method for manufacturing the probe.

特許文献１のプローブは、樹脂製の絶縁膜で被覆されている。 The probe of Patent Document 1 is covered with a resin insulating film.

特開２００２−９０４１０号公報（段落［００１９］）JP 2002-90410 A (paragraph [0019])

特許文献１のプローブでは、絶縁膜を薄くすることが困難であると考えられている。   In the probe of Patent Document 1, it is considered difficult to make the insulating film thin.

本発明の導通検査用のプローブは、導電性の線材と、前記線材を被覆している絶縁膜とからなる。そして、前記絶縁膜はＤＬＣ膜で形成されている。   The probe for continuity inspection according to the present invention includes a conductive wire and an insulating film covering the wire. The insulating film is formed of a DLC film.

本発明の導通検査用のプローブの製造方法は、導電性の線材を準備することと、前記線材を絶縁性のＤＬＣ膜で被覆することと、を含む。   The manufacturing method of the probe for a continuity test of the present invention includes preparing a conductive wire and coating the wire with an insulating DLC film.

（Ａ）参考例に係るプローブの側面図（Ｂ）プローブの拡大側面図(A) Side view of probe according to reference example (B) Enlarged side view of probe プローブの断面図Cross section of the probe プローブの製造工程を説明する工程図Process drawing explaining the manufacturing process of the probe

まず、本実施形態のプローブ１０を説明するための参考例が図１〜図３に基づいて説明される。図１には、参考例のプローブ１０が示されている。図１（Ａ）の左側に示されているように、プローブの形状は略円柱である。もしくは、プローブの形状は線形である。また、プローブ１０は、図１（Ａ）の右側に端部が拡大して示されているように、導電性の線材１３と線材１３の側面を被覆している絶縁膜２０で形成されている。図１（Ａ）に示されるように、プローブ１０は上端部１３ｂと上端部１３ｂと反対側の下端部１３ａを有する。例えば、プローブ１０がプリント配線板等の検査対象の検査に用いられる時、下端部１３ａがプリント配線板と対向する。そして、プローブ１０は上端部１３ｂに形成される上端面１３Ｂと下端部１３ａに形成される下端面１３Ａを有する。検査時、下端面１３Ａの少なくとも一部がプリント配線板に接する。   First, a reference example for explaining the probe 10 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a probe 10 of a reference example. As shown on the left side of FIG. 1A, the probe has a substantially cylindrical shape. Alternatively, the probe shape is linear. Further, the probe 10 is formed of a conductive wire 13 and an insulating film 20 covering the side surface of the wire 13 as shown in the enlarged right end of FIG. 1A. . As shown in FIG. 1A, the probe 10 has an upper end 13b and a lower end 13a opposite to the upper end 13b. For example, when the probe 10 is used for inspection of an inspection target such as a printed wiring board, the lower end portion 13a faces the printed wiring board. The probe 10 has an upper end surface 13B formed on the upper end portion 13b and a lower end surface 13A formed on the lower end portion 13a. At the time of inspection, at least a part of the lower end surface 13A is in contact with the printed wiring board.

プローブ１０は上端面１３Ｂから下端面１３Ａに至る中心軸を有している。中心軸は上端面１３Ｂの中心と下端面１３Ａの中心を通る。あるいは、中心軸は上端面１３Ｂの重心と下端面１３Ａの重心を通る。 The probe 10 has a central axis extending from the upper end surface 13B to the lower end surface 13A. The central axis passes through the center of the upper end surface 13B and the center of the lower end surface 13A. Alternatively, the central axis passes through the center of gravity of the upper end surface 13B and the center of gravity of the lower end surface 13A.

線材１３は、導電性を有する部材で形成される。例えば、線材１３は、レニウムタングステン、タングステン、ベリリウム銅、ステンレス鋼、高炭素鋼のうちの何れかを主成分として含んでいる。   The wire 13 is formed of a conductive member. For example, the wire rod 13 contains rhenium tungsten, tungsten, beryllium copper, stainless steel, or high carbon steel as a main component.

線材１３の上端面１３Ｂと下端面１３Ａと上端面１３Ｂと下端面１３Ａとの間の側面をめっき層１２（図２参照）で覆うことが可能である。例えば、めっき層１２は、ニッケル、ニッケル銅、ロジウム、パラジウム、金等で形成される。   The side surfaces between the upper end surface 13B, the lower end surface 13A, the upper end surface 13B, and the lower end surface 13A of the wire 13 can be covered with the plating layer 12 (see FIG. 2). For example, the plating layer 12 is formed of nickel, nickel copper, rhodium, palladium, gold, or the like.

絶縁膜２０は、無機絶縁体を主成分として含んでいる。その無機絶縁体として、金属酸化物や金属窒化物が挙げられる。例えば、絶縁膜２０はアルミナ、シリカ、ジルコニア、イットリア、ステアタイト、ムライト、チタニア及びマグネシアなどの金属酸化物で形成される。あるいは、絶縁膜２０は窒化アルミニウムやマジナブルセラミックスで形成される。なお、本参考例のプローブ１０の絶縁膜２０は、アルミナからなる無機絶縁膜２０で形成されている。   The insulating film 20 contains an inorganic insulator as a main component. Examples of the inorganic insulator include metal oxides and metal nitrides. For example, the insulating film 20 is formed of a metal oxide such as alumina, silica, zirconia, yttria, steatite, mullite, titania, and magnesia. Alternatively, the insulating film 20 is formed of aluminum nitride or a manageable ceramic. Note that the insulating film 20 of the probe 10 of this reference example is formed of an inorganic insulating film 20 made of alumina.

図２に示されるように、線材１３の直径φ１は、例えば、１５［μｍ］以上、４０［μｍ］以下である。例えば、本参考例のプローブ１０の線材１３の直径φ１は２７［μｍ］である。また、線材１３の長さは、例えば、１０〜５０［ｍｍ］である。めっき層１２の厚みは０．５〜３．０［μｍ］である。例えば、めっき層１２の厚みは１［μｍ］である。   As shown in FIG. 2, the diameter φ1 of the wire 13 is, for example, 15 [μm] or more and 40 [μm] or less. For example, the diameter φ1 of the wire 13 of the probe 10 of this reference example is 27 [μm]. Moreover, the length of the wire 13 is 10-50 [mm], for example. The thickness of the plating layer 12 is 0.5 to 3.0 [μm]. For example, the thickness of the plating layer 12 is 1 [μm].

図１（Ａ）に示されるように、線材１３の下端面１３Ａは、例えば中心軸と直交する平坦な面である。また、線材１３の上端面１３Ｂも中心軸と直交する平坦な面である。なお、線材１３の下端面１３Ａ及び上端面１３Ｂを斜めな面、もしくは、曲面にすることができる。図１（Ｂ）に示されるように、曲面は凸状に膨らんでいる。   As shown in FIG. 1A, the lower end surface 13A of the wire 13 is, for example, a flat surface orthogonal to the central axis. Moreover, the upper end surface 13B of the wire 13 is also a flat surface orthogonal to the central axis. Note that the lower end surface 13A and the upper end surface 13B of the wire 13 can be formed into an oblique surface or a curved surface. As shown in FIG. 1B, the curved surface swells in a convex shape.

絶縁膜２０の膜厚ｔは、０．３［μｍ］以上、３．０［μｍ］以下である。また、膜厚ｔと線材１３の半径ｒ（図２参照）との比（ｔ／ｒ）が１／６以下である。なお、膜厚ｔの好ましい範囲は、０．５［μｍ］以上２［μｍ］以下である。なお、本参考例のプローブ１０は、例えば、膜厚ｔは約１［μｍ］である。   The thickness t of the insulating film 20 is not less than 0.3 [μm] and not more than 3.0 [μm]. The ratio (t / r) between the film thickness t and the radius r of the wire 13 (see FIG. 2) is 1/6 or less. In addition, the preferable range of the film thickness t is 0.5 [μm] or more and 2 [μm] or less. In the probe 10 of this reference example, for example, the film thickness t is about 1 [μm].

図１（Ａ）に示されるように、線材１３の側面は絶縁膜２０で完全に覆われていない。線材１３のうち上端面１３Ｂと上端面１３Ｂから延びる所定の長さの側面は露出している。その部分は上側の露出部１３Ｕである。上側の露出部１３Ｕと上端部１３ｂはほぼ同じである。上側の露出部１３Ｕは長さｈ２を有し、長さｈ２は、３０［ｍｍ］以下である。線材１３のうち下端面１３Ａと下端面１３Ａから延びる所定の長さの側面は露出している。その部分は下側の露出部１３Ｌである。下側の露出部１３Ｌと下端部１３ａはほぼ同じである。下側の露出部１３Ｌは長さｈ１を有し、長さｈ１は、０［ｍｍ］以上０．０５［ｍｍ］以下である。   As shown in FIG. 1A, the side surface of the wire 13 is not completely covered with the insulating film 20. The side surface of the predetermined length extended from the upper end surface 13B and the upper end surface 13B among the wires 13 is exposed. That portion is the upper exposed portion 13U. The upper exposed portion 13U and the upper end portion 13b are substantially the same. The upper exposed portion 13U has a length h2, and the length h2 is 30 [mm] or less. Side surfaces of a predetermined length extending from the lower end surface 13A and the lower end surface 13A of the wire rod 13 are exposed. That portion is the lower exposed portion 13L. The lower exposed portion 13L and the lower end portion 13a are substantially the same. The lower exposed portion 13L has a length h1, and the length h1 is not less than 0 [mm] and not more than 0.05 [mm].

絶縁膜２０は上部２１Ｕと下部２１Ｌと上部２１Ｕと下部２１Ｌとの間の中央部２１Ｍで形成されている。上部２１Ｕは上側の露出部１３Ｕに繋がっていて、下部２１Ｌは下側の露出部１３Ｌに繋がっている。上部２１Ｕの絶縁膜２０の厚みは中央部２１Ｍから上側の露出部１３Ｕに向かって徐々に薄くなる。同様に、下部２１Ｌの絶縁膜２０の厚みは中央部２１Ｍから下側の露出部１３Ｌに向かって徐々に薄くなる。上部２１Ｕと下部２１Ｌは長さｍを有し、長さｍは５ｍｍ以下である。中央部２１Ｍの絶縁膜２０の厚みは略等しい。本参考例のプローブ１０で上部２１Ｕのみが上側の露出部１３Ｕに向かって徐々に薄くなってもよい。本参考例のプローブ１０で下部２１Ｌのみが下側の露出部１３Ｌに向かって徐々に薄くなってもよい。実施形態のプローブ１０で上部２１Ｕと下部２１Ｌの両方が上側の露出部１３Ｕ及び下側の露出部１３Ｌに向かって徐々に薄くならなくてもよい。   The insulating film 20 is formed in the central portion 21M between the upper portion 21U, the lower portion 21L, and the upper portion 21U and the lower portion 21L. The upper portion 21U is connected to the upper exposed portion 13U, and the lower portion 21L is connected to the lower exposed portion 13L. The thickness of the insulating film 20 on the upper portion 21U gradually decreases from the central portion 21M toward the upper exposed portion 13U. Similarly, the thickness of the insulating film 20 in the lower portion 21L gradually decreases from the central portion 21M toward the lower exposed portion 13L. The upper part 21U and the lower part 21L have a length m, and the length m is 5 mm or less. The thickness of the insulating film 20 in the central portion 21M is substantially equal. In the probe 10 of this reference example, only the upper portion 21U may gradually become thinner toward the upper exposed portion 13U. In the probe 10 of this reference example, only the lower portion 21L may gradually become thinner toward the lower exposed portion 13L. In the probe 10 of the embodiment, both the upper portion 21U and the lower portion 21L may not gradually become thinner toward the upper exposed portion 13U and the lower exposed portion 13L.

本参考例のプローブ１０の製造方法の例が以下に示される。
（１）図３（Ａ）に示されるように、線材１３が準備される。線材１３の長さは１０ｍｍ以上、５０ｍｍ以下である。 An example of the manufacturing method of the probe 10 of this reference example is shown below.
(1) As shown in FIG. 3A, a wire rod 13 is prepared. The length of the wire 13 is 10 mm or more and 50 mm or less.

（２）電解めっき処理により、図３（Ｂ）に示されるように、線材１３全体がめっき層１２で覆われる。   (2) Through the electrolytic plating process, the entire wire 13 is covered with the plating layer 12 as shown in FIG.

（３）上端面１３Ｂと下端面１３Ａに絶縁膜２０が付着しないように、線材１３の上端面１３Ｂと下端面１３Ａは適当な部材で覆われる。適当な部材の例はテープである。あるいは、上側の露出部１３Ｕが形成されるように、上端面１３Ｂと上端面１３Ｂから延びる線材１３の側壁をフォトレジストで覆うことができる。同様に、下側の露出部１３Ｌが形成されるように、下端面１３Ａと下端面１３Ａから延びる線材１３の側壁をフォトレジストで覆うことができる。   (3) The upper end surface 13B and the lower end surface 13A of the wire 13 are covered with an appropriate member so that the insulating film 20 does not adhere to the upper end surface 13B and the lower end surface 13A. An example of a suitable member is a tape. Or the side wall of the wire 13 extended from the upper end surface 13B and the upper end surface 13B can be covered with a photoresist so that the upper exposed portion 13U is formed. Similarly, the lower end surface 13A and the side wall of the wire 13 extending from the lower end surface 13A can be covered with a photoresist so that the lower exposed portion 13L is formed.

（４）上側の露出部１３Ｕと下側の露出部１３Ｌが形成されるように線材１３がフォトレジストで覆われる。次いで、蒸着法でフォトレジストとフォトレジストから露出する線材１３上に無機絶縁膜２０が形成される。本参考例では、アルミナからなる絶縁膜２０が形成される。なお、蒸着法の例は、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤである。   (4) The wire 13 is covered with a photoresist so that the upper exposed portion 13U and the lower exposed portion 13L are formed. Next, the inorganic insulating film 20 is formed on the photoresist and the wire 13 exposed from the photoresist by vapor deposition. In this reference example, an insulating film 20 made of alumina is formed. Examples of the vapor deposition method are an ion plating method, a sputtering method, and plasma CVD.

リフトオフ法により、フォトレジストとフォトレジスト上の絶縁膜２０が除去される。上側の露出部１３Ｕと下側の露出部１３Ｌとを有するプローブが完成する（図１（Ａ））。   The photoresist and the insulating film 20 on the photoresist are removed by a lift-off method. A probe having an upper exposed portion 13U and a lower exposed portion 13L is completed (FIG. 1A).

本参考例のプローブ１０は、例えば、プリント配線板等の回路基板の導通検査に使用される。その例が特開２００６−１７４５５号公報、特開２００２−９０４１０号公報、２０１２−１８１１６号公報に開示されている。   The probe 10 of this reference example is used for, for example, a continuity test of a circuit board such as a printed wiring board. Examples thereof are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2006-17455, 2002-90410, and 2012-18116.

例えば、特開２００６−１７４５５号公報（特許文献２）に開示されている導通検査装置に本参考例のプローブ１０が使用される。特許文献２と同様に、本参考例のプローブ１０の下端面１３Ａがプリント配線板の電極に押し当てられる。電極の例は半田バンプである。   For example, the probe 10 of this reference example is used in a continuity test apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-17455 (Patent Document 2). Similarly to Patent Document 2, the lower end surface 13A of the probe 10 of this reference example is pressed against the electrode of the printed wiring board. An example of an electrode is a solder bump.

プリント配線板の高密度化が進んでいる。そのため、隣接する電極間の間隔（ピッチ）や電極の大きさは小さくなっている。ピッチは１つの電極の中心とその電極に隣接する電極の中心間の距離である。微細な電極を有するプリント配線板の導通検査は精度の観点から、４端子法により行われる。４端子法では、１つの電極に２つのプローブが押し当てられる。一つは電流端子であり、もう一つは電圧端子である。例えば、ピッチが８０μｍ以下になる。あるいは、電極の直径が４０μｍ以下になると、特許文献１のプローブにより４端子法で検査することは難しいと考えられる。なぜなら、特許文献１のプローブは、樹脂製の絶縁膜を有するので、絶縁膜の厚みを５［μｍ］以下にすることが困難であると考えられる。例えば、樹脂製の絶縁膜の摩耗と無機製の絶縁膜の摩耗が比較されると、前者は後者より大きい。そのため、プローブを長期に使用するため、樹脂製の絶縁膜の厚みは厚くなる。線材１３を被覆する絶縁膜２０の厚みが厚いと、電流端子と電圧端子との間の間隔が広い。例えば、電流端子の側壁と電圧端子の側壁間の距離を１０［μｍ］以下にすることが難しい。このため、特許文献１のプローブが検査に用いられると、微細な電極を有するプリント配線板の検査結果の精度が低くなりやすい。特許文献１のプローブを長期に使用することが難しい。 The density of printed wiring boards is increasing. Therefore, the space | interval (pitch) between adjacent electrodes and the magnitude | size of an electrode are small. The pitch is the distance between the center of one electrode and the center of an electrode adjacent to that electrode. From the viewpoint of accuracy, the continuity inspection of the printed wiring board having fine electrodes is performed by a four-terminal method. In the four-terminal method, two probes are pressed against one electrode. One is a current terminal and the other is a voltage terminal. For example, the pitch is 80 μm or less. Alternatively, when the diameter of the electrode is 40 μm or less, it is considered difficult to inspect with the probe of Patent Document 1 by the four-terminal method. Because the probe of Patent Document 1 has an insulating film made of resin, it is considered difficult to reduce the thickness of the insulating film to 5 [μm] or less. For example, when the wear of a resin insulating film is compared with the wear of an inorganic insulating film, the former is larger than the latter. Therefore, since the probe is used for a long time, the thickness of the resin insulating film is increased. When the insulating film 20 covering the wire 13 is thick, the distance between the current terminal and the voltage terminal is wide. For example, it is difficult to set the distance between the side wall of the current terminal and the side wall of the voltage terminal to 10 [μm] or less. For this reason, when the probe of Patent Document 1 is used for inspection, the accuracy of the inspection result of the printed wiring board having fine electrodes tends to be low. It is difficult to use the probe of Patent Document 1 for a long time.

これ対し、本参考例のプローブ１０は、絶縁膜２０が無機絶縁体で形成されている。そのため、絶縁膜２０の厚みを薄くすることができる。例えば、絶縁膜２０の厚みを５［μｍ］以下にすることができる。電流端子を形成するプローブ１０の線材１３と電圧端子を形成するプローブ１０の線材１３との間の間隔を１０［μｍ］以下にすることができる。これにより、本参考例のプローブ１０が検査に用いられると、微細な電極を有するプリント配線板の検査結果の精度が高くなる。例えば、プリント配線板の電極の直径が２５μｍ以上、４０μｍ以下でも、検査の精度が高い。本参考例のプローブが長期に使用されても、検査の精度が高い。本参考例のプローブ１０は上部２１Ｕや下部２１Ｌを有することができる。その部分の絶縁膜２０の厚みは露出部に向かって薄くなっている。線材１３は金属で形成され、絶縁膜２０はセラミックスで形成されている。金属の物性とセラミックスの物性は異なる。例えば、物性の例はヤング率や機械強度である。従って、例えば、露出部の強度と被覆部の強度は、大きく異なりやすい。そのため、上部２１Ｕや下部２１Ｌが存在しないと、露出部と被覆部の境界でプローブの強度が大きく変化しやすい。その場合、プローブ１０が繰り返し使用されると、露出部と被覆部の境界からプローブが劣化しやすい。それに対し、上部２１Ｕや下部２１Ｌが存在すると、露出部から中央部に向かってプローブの強度が徐々に変化する。その結果、プローブ１０が長期に使用されても、検査の精度が低くなり難い。   In contrast, in the probe 10 of this reference example, the insulating film 20 is formed of an inorganic insulator. Therefore, the thickness of the insulating film 20 can be reduced. For example, the thickness of the insulating film 20 can be 5 [μm] or less. The distance between the wire 13 of the probe 10 that forms the current terminal and the wire 13 of the probe 10 that forms the voltage terminal can be 10 [μm] or less. Thereby, when the probe 10 of the present reference example is used for inspection, the accuracy of the inspection result of the printed wiring board having fine electrodes is increased. For example, even when the electrode diameter of the printed wiring board is 25 μm or more and 40 μm or less, the inspection accuracy is high. Even if the probe of this reference example is used for a long time, the inspection accuracy is high. The probe 10 of this reference example can have an upper portion 21U and a lower portion 21L. The thickness of the insulating film 20 at that portion is reduced toward the exposed portion. The wire 13 is made of metal, and the insulating film 20 is made of ceramic. The physical properties of metals and ceramics are different. For example, examples of physical properties are Young's modulus and mechanical strength. Therefore, for example, the strength of the exposed portion and the strength of the covering portion are likely to be greatly different. Therefore, if the upper portion 21U and the lower portion 21L are not present, the probe strength is likely to change greatly at the boundary between the exposed portion and the covering portion. In that case, if the probe 10 is used repeatedly, the probe is likely to deteriorate from the boundary between the exposed portion and the covering portion. On the other hand, when the upper portion 21U and the lower portion 21L exist, the strength of the probe gradually changes from the exposed portion toward the central portion. As a result, even if the probe 10 is used for a long time, the accuracy of the inspection is unlikely to be lowered.

特許文献１のプローブの直径と本参考例のプローブ１０の直径が同じである場合、本参考例のプローブ１０の絶縁膜２０の厚みを特許文献１のプローブの絶縁膜２０の厚みより薄くすることができる。そのため、本参考例のプローブ１０の線材１３を太くすることができる。これにより、本参考例のプローブの線材１３の強度を高くすることができる。線材１３と電極間の接触面積を大きくすることができる。線材１３の電気抵抗を小さくすることができる。また、本参考例のプローブ１０の絶縁膜２０の主成分は、無機絶縁体なので絶縁膜２０の耐摩耗性を高くすることができる。   When the diameter of the probe of Patent Document 1 and the diameter of the probe 10 of this Reference Example are the same, the thickness of the insulating film 20 of the probe 10 of this Reference Example is made thinner than the thickness of the insulating film 20 of the probe of Patent Document 1. Can do. Therefore, the wire 13 of the probe 10 of this reference example can be thickened. Thereby, the intensity | strength of the wire 13 of the probe of this reference example can be made high. The contact area between the wire 13 and the electrode can be increased. The electrical resistance of the wire 13 can be reduced. In addition, since the main component of the insulating film 20 of the probe 10 of this reference example is an inorganic insulator, the wear resistance of the insulating film 20 can be increased.

本参考例のプローブ１０の製造方法では、絶縁膜２０が蒸着処理によって形成される。それに対し、例えば、樹脂製の絶縁膜の製造方法は、線材１３に樹脂を塗布することとその樹脂を乾燥することを含み、それらの処理が複数回繰り返される。そのため、本参考例の製造方法の生産性は樹脂製の絶縁膜を有するプローブの製造方法より高い。   In the method for manufacturing the probe 10 of this reference example, the insulating film 20 is formed by vapor deposition. On the other hand, for example, a method for manufacturing a resin insulating film includes applying a resin to the wire 13 and drying the resin, and these processes are repeated a plurality of times. Therefore, the productivity of the manufacturing method of this reference example is higher than that of a probe having a resin insulating film.

線材１３の形状の例は円柱や角柱である。下側の露出部１３Ｌや上側の露出部１３Ｕの線材１３の形状の例は円柱や角柱や円錐や角錐である。   Examples of the shape of the wire 13 are a cylinder and a prism. Examples of the shape of the wire 13 of the lower exposed portion 13L and the upper exposed portion 13U are a cylinder, a prism, a cone, and a pyramid.

線材１３の側面の全体が絶縁膜２０で覆われる。その後、ブラストやレーザーで上端面１３Ｂ付近の絶縁膜２０や下端面１３Ａ付近の絶縁膜２０を除去することで、上側の露出部１３Ｕや下側の露出部１３Ｌを形成することができる。   The entire side surface of the wire 13 is covered with the insulating film 20. Thereafter, the upper exposed portion 13U and the lower exposed portion 13L can be formed by removing the insulating film 20 near the upper end surface 13B and the insulating film 20 near the lower end surface 13A with blast or laser.

［第１実施形態］
本実施形態のプローブ１０は、上記参考例を変形したものであり、絶縁膜がＤＬＣ膜２０で形成されている点が、上記参考例と異なる。ＤＬＣ膜２０はダイヤモンドライクカーボンで構成された膜である。ＤＬＣ膜２０は、主として炭化水素、あるいは、炭素の同素体から成る非晶質（アモルファス）の硬質膜である。ＤＬＣ膜２０は、硬度が１０００ＨＶ以上である。また、ＤＬＣ膜２０は、比抵抗が１ＭΩ／ｃｍ以上である。絶縁膜をＤＬＣ膜２０で構成することで、プローブ１０の耐摩耗性の向上が図られる。 [First Embodiment]
The probe 10 of this embodiment is a modification of the above reference example, and is different from the above reference example in that the insulating film is formed of the DLC film 20. The DLC film 20 is a film made of diamond-like carbon. The DLC film 20 is an amorphous hard film mainly made of hydrocarbons or carbon allotropes. The DLC film 20 has a hardness of 1000 HV or higher. The DLC film 20 has a specific resistance of 1 MΩ / cm or more. By configuring the insulating film with the DLC film 20, the wear resistance of the probe 10 can be improved.

また、本実施形態のＤＬＣ膜２０を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を挙げることができるが、特に、プラズマイオン注入法によって形成することが望ましい。具体的には、導電性の線材１３に高周波を架けた状態で、負の高電圧パルスを印加する。そして、炭素イオンを注入する。これにより、均一性及び密着性に優れたＤＬＣ膜２０を形成できる。なお、第１実施形態のプローブ１０の製造方法と同様に絶縁膜２０をプラズマイオン注入法で形成する前に、線材１２の一端側のマスクで覆うことが好ましい。   In addition, examples of a method for forming the DLC film 20 of the present embodiment include a plasma CVD method, a sputtering method, an ion plating method, and the like, but it is particularly preferable to form the DLC film 20 by a plasma ion implantation method. Specifically, a negative high voltage pulse is applied in a state where a high frequency is applied to the conductive wire 13. Then, carbon ions are implanted. Thereby, the DLC film 20 excellent in uniformity and adhesion can be formed. As in the method for manufacturing the probe 10 of the first embodiment, it is preferable to cover the insulating film 20 with a mask on one end side of the wire 12 before forming the insulating film 20 by plasma ion implantation.

［第２実施形態］
第１実施形態のプローブ１０は、下端面１３Ａから延びる線材１３の側面が露出している。それに対し、第２実施形態のプローブ１０では、下端面１３Ａから延びる線材１３の側面は露出しない。下端面１３Ａのみが露出する。第２実施形態のプローブ１０で下部２１Ｌが下端面１３Ａに向かって徐々に薄くなっても、下端面１３Ａに向かって徐々に薄くならなくてもよい。下部２１Ｌが下端面１３Ａに向かって徐々に薄くなることが好ましい。下側の露出部１３Ｌを除き、第２実施形態のプローブ１０と第１実施形態のプローブ１０は同様である。下側の線材１３の側面の露出を無くすことで、電極上で電源端子と電圧端子が接触しても絶縁を保つことができる。 [Second Embodiment]
In the probe 10 of the first embodiment, the side surface of the wire 13 extending from the lower end surface 13A is exposed. On the other hand, in the probe 10 of the second embodiment, the side surface of the wire 13 extending from the lower end surface 13A is not exposed. Only the lower end surface 13A is exposed. Even if the lower part 21L becomes gradually thinner toward the lower end surface 13A in the probe 10 of the second embodiment, it does not have to be gradually thinner toward the lower end surface 13A. It is preferable that the lower portion 21L is gradually thinner toward the lower end surface 13A. Except for the lower exposed portion 13L, the probe 10 of the second embodiment and the probe 10 of the first embodiment are the same. By eliminating the exposure of the side surface of the lower wire 13, insulation can be maintained even if the power supply terminal and the voltage terminal contact on the electrode.

１０ プローブ
２０ 絶縁膜，ＤＬＣ膜
１２ めっき層
１３ 線材
２０ 絶縁膜
ｒ 半径
ｔ 膜厚 10 Probe 20 Insulating film, DLC film 12 Plating layer 13 Wire 20 Insulating film r Radius t Film thickness

Claims (17)

導電性の線材と、
前記線材を被覆している絶縁膜とからなる導通検査用のプローブであって、
前記絶縁膜はＤＬＣ膜で形成されている。 Conductive wire,
A probe for continuity testing comprising an insulating film covering the wire,
The insulating film is formed of a DLC film. 請求項１に記載のプローブであって、
前記ＤＬＣ膜は、硬度が１０００ＨＶ以上であり、かつ、比抵抗が１ＭΩ／ｃｍ以上である。 The probe according to claim 1, wherein
The DLC film has a hardness of 1000 HV or more and a specific resistance of 1 MΩ / cm or more. 請求項１又は２に記載のプローブであって、
前記線材は、レニウムタングステン又はタングステン又はベリリウム銅のうちの何れか１つで形成されている。 The probe according to claim 1 or 2,
The wire is made of any one of rhenium tungsten, tungsten, or beryllium copper. 請求項１乃至３の何れか１の請求項に記載のプローブであって、
前記ＤＬＣ膜の膜厚は、０．３μｍ以上である。 The probe according to any one of claims 1 to 3,
The DLC film has a thickness of 0.3 μm or more. 請求項１乃至４の何れか１の請求項に記載のプローブであって、
前記ＤＬＣ膜の膜厚は、３μｍ以下である。 The probe according to any one of claims 1 to 4,
The film thickness of the DLC film is 3 μm or less. 請求項１乃至５の何れか１の請求項に記載のプローブであって、
前記線材の半径（ｒ）と前記ＤＬＣ膜の膜厚（ｔ）との比（ｔ／ｒ）は６分の１以下である。 The probe according to any one of claims 1 to 5,
The ratio (t / r) between the radius (r) of the wire and the thickness (t) of the DLC film is 1/6 or less. 請求項１乃至６の何れか１の請求項に記載のプローブであって、
前記線材は、上端面と前記上端面と反対側の下端面を有し、
前記線材の前記上端面及び前記下端面は、前記ＤＬＣ膜から露出している。 The probe according to any one of claims 1 to 6,
The wire has an upper end surface and a lower end surface opposite to the upper end surface,
The upper end surface and the lower end surface of the wire are exposed from the DLC film. 請求項７に記載のプローブであって、
前記ＤＬＣ膜は前記上端面側に形成される上部と、前記下端面側に形成される下部と、前記上部と前記下部との間に形成される中央部で形成され、前記下部の前記ＤＬＣ膜の厚みは前記中央部から前記下端面に向かって薄くなる。 The probe according to claim 7, wherein
The DLC film is formed by an upper portion formed on the upper end surface side, a lower portion formed on the lower end surface side, and a central portion formed between the upper portion and the lower portion, and the lower DLC film The thickness decreases from the central portion toward the lower end surface. 請求項７に記載のプローブであって、
前記下端面と前記下部の間の距離は０．０５［ｍｍ］以下である。 The probe according to claim 7, wherein
The distance between the lower end surface and the lower part is 0.05 [mm] or less. 請求項１乃至９の何れか１の請求項に記載のプローブであって、
前記線材は、めっき層で被覆されている。 The probe according to any one of claims 1 to 9,
The wire is covered with a plating layer. 請求項１０に記載のプローブであって、
前記めっき層は、ニッケル又はニッケル銅を含んでいる。 The probe according to claim 10, wherein
The plating layer contains nickel or nickel copper. 導電性の線材を準備することと、
前記線材を絶縁性のＤＬＣ膜で被覆することと、を含む導通検査用のプローブの製造方法。 Preparing a conductive wire;
Coating the wire with an insulating DLC film, and a method for manufacturing a probe for continuity testing. 請求項１２に記載のプローブの製造方法であって、
前記ＤＬＣ膜は、プラズマイオン注入法により形成される。 A method of manufacturing a probe according to claim 12,
The DLC film is formed by plasma ion implantation. 請求項１２に記載のプローブの製造方法であって、
さらに、前記線材の端面を覆うことを含み、前記覆うことは前記被覆することより前に行われる。 A method of manufacturing a probe according to claim 12,
Further, the method includes covering the end face of the wire, and the covering is performed before the covering. 請求項１２至１４の何れか１の請求項に記載のプローブの製造方法であって、
前記線材は、上端面と前記上端面と反対側の下端面を有し、前記ＤＬＣ膜は前記上端面側に形成される上部と、前記下端面側に形成される下部と、前記上部と前記下部との間に形成される中央部で形成され、前記下部の前記ＤＬＣ膜の厚みは前記中央部から前記下端面に向かって薄くなる。 A method for manufacturing a probe according to any one of claims 12 to 14,
The wire has an upper end surface and a lower end surface opposite to the upper end surface, and the DLC film has an upper portion formed on the upper end surface side, a lower portion formed on the lower end surface side, the upper portion, The DLC film is formed at a central portion formed between the lower portion and the thickness of the lower DLC film is reduced from the central portion toward the lower end surface. 請求項１２乃至１５のうち何れか１の請求項に記載のプローブの製造方法であって、
さらに、前記線材の表面にめっき層を形成することを含み、前記めっき層を形成することは前記被覆することよりも前に行われる。 A method of manufacturing a probe according to any one of claims 12 to 15,
Furthermore, the method includes forming a plating layer on the surface of the wire, and forming the plating layer is performed before the covering. 請求項１２乃至１６のうち何れか１の請求項に記載のプローブの製造方法であって、
前記線材は、レニウムタングステン又はタングステン又はベリリウム銅のうちの何れか１つで形成されている。 A method of manufacturing a probe according to any one of claims 12 to 16,
The wire is made of any one of rhenium tungsten, tungsten, or beryllium copper.
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