JP2018186148A - Operational method for substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハなどの基板を処理するための基板処理装置の運転方法に関する。 The present invention relates to a method for operating a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a wafer.
基板処理装置は、複数の基板を研磨し、洗浄し、さらに乾燥させることができる複合処理装置である。この基板処理装置は、1枚の基板の処理を完了させるまでにある程度の電力を消費する。特に、複数の基板を同時に処理しているときには、処理負荷が重なるために、電力消費が増大する。 The substrate processing apparatus is a composite processing apparatus that can polish, clean, and dry a plurality of substrates. This substrate processing apparatus consumes a certain amount of power until the processing of one substrate is completed. In particular, when a plurality of substrates are processed at the same time, the processing load is overlapped, resulting in an increase in power consumption.
図12は、基板処理装置の電力需要を示すグラフである。図12において、縦軸は基板処理装置で消費される電力[W]を表し、横軸は時間[秒]を表している。複数の基板は、基板処理装置の研磨部に順次搬入され、順次研磨される。さらに研磨された基板は基板処理装置の洗浄部に順次搬入され、順次洗浄および乾燥される。図12に示すグラフから分かるように、基板の処理動作に従って、基板処理装置の電力需要は周期的に変動する。特に、最大枚数の基板が処理されているとき、多くの電力が消費される。 FIG. 12 is a graph showing the power demand of the substrate processing apparatus. In FIG. 12, the vertical axis represents power [W] consumed by the substrate processing apparatus, and the horizontal axis represents time [seconds]. The plurality of substrates are sequentially loaded into the polishing unit of the substrate processing apparatus and polished sequentially. Further, the polished substrate is sequentially carried into the cleaning unit of the substrate processing apparatus, and is sequentially cleaned and dried. As can be seen from the graph shown in FIG. 12, the power demand of the substrate processing apparatus varies periodically according to the processing operation of the substrate. In particular, a large amount of power is consumed when the maximum number of substrates is being processed.
そこで、本発明は、基板処理装置の電力消費を削減することができる基板処理装置の運転方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a method of operating a substrate processing apparatus that can reduce power consumption of the substrate processing apparatus.
本発明の一態様は、基板処理部の動作モードを、待機モードから処理モードに切り替え、基板を前記基板処理部で処理し、前記基板の処理が終了した後に、前記基板処理部の動作モードを処理モードから待機モードに切り替え、かつ前記基板処理部の少なくとも1つのモータへの電力ラインを遮断することを特徴とする基板処理装置の運転方法である。 According to one embodiment of the present invention, the operation mode of the substrate processing unit is switched from the standby mode to the processing mode, the substrate is processed by the substrate processing unit, and the processing mode of the substrate processing unit is changed after the processing of the substrate is completed. A method for operating a substrate processing apparatus, comprising switching from a processing mode to a standby mode and cutting off a power line to at least one motor of the substrate processing unit.
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1つのモータは、前記基板を研磨するための研磨テーブルを回転させるテーブルモータ、前記基板を研磨するための研磨ヘッドを回転させるヘッドモータを含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1つのモータは、前記基板を搬送するための搬送ロボットの駆動モータを含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも1つのモータは、前記基板を洗浄するための洗浄ユニットの洗浄具を回転させる洗浄具モータを含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の処理が終了した後に、前記基板処理部に基板を搬入するためのローダーの駆動モータへの電力ラインを遮断する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板処理部は、基板を研磨するための研磨部、または基板を洗浄するための洗浄部であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記基板の処理が終了した後に、前記基板処理部で使用されるユーティリティの流量を下げる工程をさらに含むことを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the at least one motor includes a table motor that rotates a polishing table for polishing the substrate, and a head motor that rotates a polishing head for polishing the substrate. .
In a preferred aspect of the present invention, the at least one motor includes a drive motor of a transfer robot for transferring the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the at least one motor includes a cleaning tool motor that rotates a cleaning tool of a cleaning unit for cleaning the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the method further includes a step of shutting off a power line to a drive motor of a loader for carrying the substrate into the substrate processing unit after the processing of the substrate is completed.
In a preferred aspect of the present invention, the substrate processing unit is a polishing unit for polishing a substrate or a cleaning unit for cleaning the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the method further includes a step of reducing the flow rate of the utility used in the substrate processing unit after the processing of the substrate is completed.
本発明の一態様は、基板処理部で使用された第1ユーティリティの体積を電力消費量に換算して第1換算電力消費量を算出し、前記基板処理部で使用された第2ユーティリティの体積を電力消費量に換算して第2換算電力消費量を算出し、前記基板処理部での電力消費量を算出し、前記第1換算電力消費量と、前記第2換算電力消費量と、前記基板処理部での電力消費量を記録することを特徴とする基板処理装置の運転方法である。
本発明の好ましい態様は、前記第1換算電力消費量と、前記第2換算電力消費量と、前記基板処理部での電力消費量のグラフを作成することを特徴とする。
In one aspect of the present invention, the volume of the first utility used in the substrate processing unit is converted into the power consumption to calculate the first converted power consumption, and the volume of the second utility used in the substrate processing unit. Is converted into power consumption to calculate the second converted power consumption, the power consumption in the substrate processing unit is calculated, the first converted power consumption, the second converted power consumption, An operation method of a substrate processing apparatus, wherein power consumption in a substrate processing unit is recorded.
In a preferred aspect of the present invention, a graph of the first converted power consumption, the second converted power consumption, and the power consumption in the substrate processing unit is created.
本発明によれば、モータへの電力ラインを遮断することによって、基板処理装置の電力消費を削減することができる。 According to the present invention, the power consumption of the substrate processing apparatus can be reduced by cutting off the power line to the motor.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、ウェーハなどの基板を研磨し、研磨された基板を洗浄し、洗浄された基板を乾燥するための基板処理装置の一実施形態の概略図である。図1に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。基板処理装置は、基板処理動作を制御する動作制御部5を有している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view of an embodiment of a substrate processing apparatus for polishing a substrate such as a wafer, cleaning the polished substrate, and drying the cleaned substrate. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a substantially rectangular housing 1, and the interior of the housing 1 is divided into a load / unload unit 2, a
ロード/アンロード部2は、多数の基板(例えばウェーハ)を収納する基板カセットが載置されるフロントロード部20を備えている。ロード/アンロード部2には、フロントロード部20の並びに沿ってレール機構21が敷設されており、このレール機構21上に基板カセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット(ローダー)22が設置されている。搬送ロボット22はレール機構21上を移動することによって、フロントロード部20に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。さらに搬送ロボット22は上昇および下降ができるように構成されている。搬送ロボット22は、図示しない駆動モータを動力源として備えている。
The load / unload unit 2 includes a
研磨部3は、複数の基板を並列に研磨することができる複数の研磨ユニットを有する。本実施形態の研磨部3は、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、第4研磨ユニット3Dを備えている。ただし、研磨ユニットの数は本実施形態に限定されない。
The
図1に示すように、第1研磨ユニット3Aは、研磨面を有する研磨パッド10が取り付けられた第1研磨テーブル30Aと、基板を研磨テーブル30A上の研磨パッド10に押圧し、研磨するための第1研磨ヘッド31Aと、研磨パッド10に研磨液(例えばスラリー)やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための第1液体供給ノズル32Aと、研磨パッド10の研磨面のドレッシングを行うための第1ドレッサ33Aと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体を霧状にして研磨パッド10の研磨面に噴射する第1アトマイザ34Aを備えている。
As shown in FIG. 1, the
同様に、第2研磨ユニット3Bは、研磨パッド10が取り付けられた第2研磨テーブル30Bと、第2研磨ヘッド31Bと、第2液体供給ノズル32Bと、第2ドレッサ33Bと、第2アトマイザ34Bとを備えており、第3研磨ユニット3Cは、研磨パッド10が取り付けられた第3研磨テーブル30Cと、第3研磨ヘッド31Cと、第3液体供給ノズル32Cと、第3ドレッサ33Cと、第3アトマイザ34Cとを備えており、第4研磨ユニット3Dは、研磨パッド10が取り付けられた第4研磨テーブル30Dと、第4研磨ヘッド31Dと、第4液体供給ノズル32Dと、第4ドレッサ33Dと、第4アトマイザ34Dとを備えている。
Similarly, the
第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、および第4研磨ユニット3Dは、同一の構成を有している。以下、第1研磨ユニット3Aについて図2を参照して説明する。図2は、第1研磨ユニット3Aを模式的に示す斜視図である。なお、図2において、ドレッサ33Aおよびアトマイザ34Aは省略されている。
The
研磨テーブル30Aは、テーブル軸30aを介してその下方に配置されるテーブルモータ19に連結されており、このテーブルモータ19により研磨テーブル30Aが矢印で示す方向に回転されるようになっている。この研磨テーブル30Aの上面には研磨パッド10が貼付されており、研磨パッド10の上面が基板Wを研磨する研磨面10aを構成している。研磨ヘッド31Aはヘッドシャフト16Aの下端に連結されている。研磨ヘッド31Aは、真空吸引によりその下面に基板Wを保持できるように構成されている。
The polishing table 30A is connected to a
ヘッドシャフト16Aは、ヘッドアーム35Aに回転自在に支持されている。ヘッドアーム35Aには、ヘッドシャフト16Aおよび研磨ヘッド31Aをその軸心を中心に回転させるためのヘッドモータ37Aが固定されている。ヘッドシャフト16Aは、ヘッドモータ37Aの回転軸に直接または動力伝達機構(例えば、ベルトおよびプーリなど)を介して連結されている。
The
ヘッドアーム35A内には、研磨ヘッド31Aおよびヘッドアーム35Aの全体を旋回シャフト38Aを中心に旋回させるための旋回モータ39Aが配置されている。旋回モータ39Aは旋回シャフト38Aに連結されている。旋回モータ39Aを駆動させることにより、研磨ヘッド31Aは図2に示す研磨位置と、研磨テーブル30Aの外側にある搬送位置(後述する)との間を移動することができる。さらに、ヘッドシャフト16Aおよび研磨ヘッド31Aは、ヘッドアーム35A内に配置された上下動機構(図示せず)により上下動されるように構成されている。
In the
基板Wの研磨は次のようにして行われる。研磨ヘッド31Aおよび研磨テーブル30Aをそれぞれ矢印で示す方向に回転させ、液体供給ノズル32Aから研磨パッド10上に研磨液(スラリー)を供給する。この状態で、研磨ヘッド31Aは、基板Wを研磨パッド10の研磨面10aに押し付ける。基板Wの表面は、研磨液の化学的作用と研磨液に含まれる砥粒の機械的作用により研磨される。研磨終了後は、図1に示すドレッサ33Aによる研磨面10aのドレッシング(コンディショニング)が行われ、さらに図1に示すアトマイザ34Aから高圧の流体が研磨面10aに供給されて、研磨面10aに残留する研磨屑およびスラリーが除去される。
Polishing of the substrate W is performed as follows. The polishing
図3は、研磨ヘッド31Aを示す断面図である。研磨ヘッド31Aは、円板状のキャリヤ41と、キャリヤ41の下に複数の圧力室D1,D2,D3,D4を形成する円形の柔軟な弾性膜(メンブレン)43と、弾性膜43を囲むように配置され、研磨パッド10の研磨面10aを押し付けるリテーナリング45とを備えている。圧力室D1,D2,D3,D4は弾性膜43とキャリヤ41の下面との間に形成されている。キャリヤ41は、ヘッドシャフト16Aの下端に固定されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the polishing
弾性膜43は、複数の環状の仕切り壁43aを有しており、圧力室D1,D2,D3,D4はこれら仕切り壁43aによって互いに仕切られている。中央の圧力室D1は円形であり、他の圧力室D2,D3,D4は環状である。これらの圧力室D1,D2,D3,D4は、同心円状に配列されている。圧力室の数は特に限定されず、研磨ヘッド31Aは4つよりも多い圧力室を備えてもよい。
The
圧力室D1,D2,D3,D4は、流体ラインG1,G2,G3,G4に接続されており、加圧流体(例えば加圧空気)が流体ラインG1,G2,G3,G4を通じて圧力室D1,D2,D3,D4内に供給されるようになっている。流体ラインG1,G2,G3,G4には、圧力レギュレータR1,R2,R3,R4がそれぞれ取り付けられている。圧力レギュレータR1,R2,R3,R4は、圧力室D1,D2,D3,D4内の加圧流体の圧力を独立に調節することが可能である。これにより、研磨ヘッド31Aは、基板Wの対応する4つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部を同じ研磨荷重または異なる研磨荷重で研磨することができる。
The pressure chambers D1, D2, D3, and D4 are connected to the fluid lines G1, G2, G3, and G4, and pressurized fluid (for example, pressurized air) passes through the fluid lines G1, G2, G3, and G4. It is supplied in D2, D3 and D4. Pressure regulators R1, R2, R3, and R4 are attached to the fluid lines G1, G2, G3, and G4, respectively. The pressure regulators R1, R2, R3, and R4 can independently adjust the pressure of the pressurized fluid in the pressure chambers D1, D2, D3, and D4. Thereby, the polishing
リテーナリング45とキャリヤ41との間には、環状の弾性膜46が配置されている。この弾性膜46の内部には環状の圧力室D5が形成されている。この圧力室D5は、流体ラインG5に接続されており、加圧流体(例えば加圧空気)が流体ラインG5を通じて圧力室D5内に供給されるようになっている。流体ラインG5には、圧力レギュレータR5が取り付けられている。圧力室D5内の加圧流体の圧力は、圧力レギュレータR5によって調節される。圧力室D5内の圧力はリテーナリング45に加わり、リテーナリング45は弾性膜(メンブレン)43とは独立して研磨パッド10の研磨面10aを直接押圧することができる。流体ラインG1,G2,G3,G4,G5には、流量計K1,K2,K3,K4,K5がそれぞれ取り付けられている。
An annular
基板Wの研磨中、弾性膜43は基板Wを研磨パッド10の研磨面10aに対して押し付けながら、リテーナリング45は基板Wの周囲で研磨パッド10の研磨面10aを押し付ける。図示しないが、研磨ヘッド31B〜31Dも上述した研磨ヘッド31Aと同じ構成を有している。
During polishing of the substrate W, the
図1に戻り、第1研磨ユニット3Aおよび第2研磨ユニット3Bに隣接して、第1リニアトランスポータ6が配置されている。この第1リニアトランスポータ6は、4つの搬送位置(第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4)の間で基板を搬送する搬送ロボットである。また、第3研磨ユニット3Cおよび第4研磨ユニット3Dに隣接して、第2リニアトランスポータ7が配置されている。この第2リニアトランスポータ7は、3つの搬送位置(第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7)の間で基板を搬送する搬送ロボットである。第1リニアトランスポータ6および第2トランスポータ7は、図示しない駆動モータを動力源として備えている。
Returning to FIG. 1, a first linear transporter 6 is disposed adjacent to the
基板は、第1リニアトランスポータ6によって第1研磨ユニット3Aおよび/または第2研磨ユニット3Bに搬送される。第1研磨ユニット3Aの研磨ヘッド31Aは、そのスイング動作により研磨テーブル30Aの上方位置と第2搬送位置TP2との間を移動する。したがって、研磨ヘッド31Aと第1リニアトランスポータ6との間での基板の受け渡しは第2搬送位置TP2で行われる。
The substrate is transported to the
同様に、第2研磨ユニット3Bの研磨ヘッド31Bは研磨テーブル30Bの上方位置と第3搬送位置TP3との間を移動し、研磨ヘッド31Bと第1リニアトランスポータ6との間での基板の受け渡しは第3搬送位置TP3で行われる。第3研磨ユニット3Cの研磨ヘッド31Cは研磨テーブル30Cの上方位置と第6搬送位置TP6との間を移動し、研磨ヘッド31Cと第2リニアトランスポータ7との間での基板の受け渡しは第6搬送位置TP6で行われる。第4研磨ユニット3Dの研磨ヘッド31Dは研磨テーブル30Dの上方位置と第7搬送位置TP7との間を移動し、研磨ヘッド31Dと第2リニアトランスポータ7との間での基板の受け渡しは第7搬送位置TP7で行われる。研磨ヘッド31A,31B,31C,31Dは、基板を研磨パッド10上の研磨位置と、搬送位置TP2,TP3,TP6,TP7との間で搬送する基板搬送装置としても機能する。
Similarly, the polishing
第1搬送位置TP1には、搬送ロボット22から基板を受け取るためのリフタ11が配置されている。リフタ11は搬送ロボット22と第1リニアトランスポータ6との間に配置されている。基板はこのリフタ11を介して搬送ロボット22から第1リニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11に基板が渡されるようになっている。
A
第1リニアトランスポータ6と、第2リニアトランスポータ7と、洗浄部4との間には、基板を搬送するための搬送ロボットであるスイングトランスポータ12が配置されている。第1リニアトランスポータ6から第2リニアトランスポータ7への基板の搬送は、スイングトランスポータ12によって行われる。基板は、第2リニアトランスポータ7によって第3研磨ユニット3Cおよび/または第4研磨ユニット3Dに搬送される。
Between the first linear transporter 6, the second linear transporter 7, and the cleaning unit 4, a
スイングトランスポータ12の側方には、図示しないフレームに設置された基板の仮置きステージ72が配置されている。この仮置きステージ72は、図1に示すように、第1リニアトランスポータ6に隣接して配置されており、第1リニアトランスポータ6と洗浄部4との間に位置している。スイングトランスポータ12は、第4搬送位置TP4、第5搬送位置TP5、および仮置きステージ72の間で基板を搬送する。スイングトランスポータ12および仮置きステージ72は、研磨部3内に配置されている。スイングトランスポータ12は、図示しない駆動モータを動力源として備えている。
On the side of the
搬送ロボット22、研磨ヘッド31A〜31D、リニアトランスポータ6,7、およびスイングトランスポータ12は、基板を研磨部3に搬入し、基板を研磨部3内で搬送する研磨側基板搬送システムを構成する。この研磨側基板搬送システムの動作は、動作制御部5によって制御される。
The
洗浄部4は、研磨された基板を洗浄する第1洗浄ユニット73A,73Bおよび第2洗浄ユニット74A,74Bと、洗浄された基板を乾燥する乾燥ユニット75A,75Bを備えている。第1洗浄ユニット73Aは第1洗浄ユニット37Bの上方に配置されており、第2洗浄ユニット74Aは第2洗浄ユニット74Bの上方に配置されている。乾燥ユニット75Aは乾燥ユニット75Bの上方に配置されている。
The cleaning unit 4 includes
洗浄部4は、基板を搬送するための第1搬送ロボット77および第2搬送ロボット78をさらに備えている。仮置きステージ72に載置された基板は、第1搬送ロボット77によって洗浄部4内に搬入される。第1搬送ロボット77は、第1洗浄ユニット73A,73Bと第2洗浄ユニット74A,74Bとの間に配置されている。第1搬送ロボット77は、基板を仮置きステージ72から第1洗浄ユニット73Aまたは第1洗浄ユニット73Bに搬送するように動作する。第2搬送ロボット78は、第2洗浄ユニット74A,74Bと乾燥ユニット75A,75Bとの間に配置されている。
The cleaning unit 4 further includes a
図4は、洗浄部4の側面図である。図4に示すように、第1洗浄ユニット73Aは第1洗浄ユニット37Bの上方に配置されており、第2洗浄ユニット74Aは第2洗浄ユニット74Bの上方に配置されている。乾燥ユニット75Aは乾燥ユニット75Bの上方に配置されている。第1搬送ロボット77は、第1昇降軸80に支持されており、第1昇降軸80上を上下動可能に構成されている。第2搬送ロボット78は、第2昇降軸81に支持されており、第2昇降軸81上を上下動可能に構成されている。
FIG. 4 is a side view of the cleaning unit 4. As shown in FIG. 4, the
第1搬送ロボット77は、基板を第1洗浄ユニット73Aまたは第1洗浄ユニット73Bから、第2洗浄ユニット74Aまたは第2洗浄ユニット74Bに搬送するように動作する。第2搬送ロボット78は、基板を第2洗浄ユニット74Aまたは第2洗浄ユニット74Bから、乾燥ユニット75Aまたは乾燥ユニット75Bに搬送するように動作する。本実施形態では、第1搬送ロボット77および第2搬送ロボット78は、基板を洗浄部4内で搬送する洗浄側基板搬送システムを構成する。この洗浄側基板搬送システムの動作は、図1に示す動作制御部5によって制御される。
The
洗浄部4は、2台の第1洗浄ユニット73A,73B、2台の第2洗浄ユニット74A,74B、および2台の乾燥ユニット75A,75Bを備えているので、2枚の基板を並列して洗浄および乾燥する2つの洗浄レーンを構成することができる。「洗浄レーン」とは、洗浄部4の内部において、一つの基板が複数の洗浄ユニットおよび乾燥ユニットによって洗浄および乾燥される処理経路のことである。例えば、図4に示すように、1つの基板を、第1洗浄ユニット73A、第2洗浄ユニット74A、および乾燥ユニット75Aの順で搬送し(第1の洗浄レーン)、これと並列して、他の基板を、第1洗浄ユニット73B、第2洗浄ユニット74B、および乾燥ユニット75Bの順で搬送することができる(第2の洗浄レーン)。このように、2つの並列する洗浄レーンは、2枚の基板を並列に洗浄および乾燥することができる。
Since the cleaning unit 4 includes two
2つの並列する洗浄レーンにおいて、複数の基板を所定の時間差を設けて洗浄および乾燥してもよい。所定の時間差で洗浄することの利点は次の通りである。第1搬送ロボット77および第2搬送ロボット78は、複数の洗浄レーンで兼用されている。このため、複数の洗浄または乾燥処理が同時に終了した場合には、搬送ロボットが即座に基板を搬送できず、スループットを悪化させてしまう。このような問題を回避するために、複数の基板を所定の時間差で洗浄および乾燥することによって、処理された基板を速やかに搬送ロボット77,78によって搬送することができる。
In two parallel cleaning lanes, a plurality of substrates may be cleaned and dried with a predetermined time difference. The advantages of cleaning at a predetermined time difference are as follows. The
本実施形態では、第1洗浄ユニット73A,73Bおよび第2洗浄ユニット74A,74Bは、ロールスポンジ型の洗浄機である。ロールスポンジ型の洗浄機は、基板を回転させながら、かつ基板の上方および下方に配置された2つのロールスポンジを回転させながら、2つのロールスポンジを基板の上面および下面に接触させるように構成されている。本実施形態では、第1洗浄ユニット73A,73Bおよび第2洗浄ユニット74A,74Bは、同一の構造を有している。
In the present embodiment, the
図5は、第1洗浄ユニット73Aの一実施形態を示す斜視図である。図5に示すように、第1洗浄ユニット73Aは、基板Wを保持して回転させる4つの保持ローラ85と、基板Wの上下面に接触する円柱状のロールスポンジ(洗浄具)87,88と、これらのロールスポンジ87,88を回転させる洗浄具モータ90,91と、基板Wの上面にリンス液(例えば純水)を供給する上側リンス液供給ノズル95,96と、基板Wの上面に洗浄液(例えば薬液)を供給する上側洗浄液供給ノズル97,98とを備えている。図示しないが、基板Wの下面にリンス液(例えば純水)を供給する下側リンス液供給ノズルと、基板Wの下面に洗浄液(例えば薬液)を供給する下側洗浄液供給ノズルが設けられている。
FIG. 5 is a perspective view showing an embodiment of the
保持ローラ85は図示しない駆動機構(例えばエアシリンダ)によって、基板Wに近接および離間する方向に移動可能となっている。4つの保持ローラ85は、図示しないモータによって同じ方向に回転されるようになっている。4つの保持ローラ85が基板Wを保持した状態で、保持ローラ85が回転することにより、基板Wはその軸心まわりに回転する。基板Wの洗浄時には、ロールスポンジ87,88は互いに近接する方向に移動して基板Wの上下面に接触する。洗浄具として、ロールスポンジに代えて、ロールブラシが使用されることもある。
The holding
次に、基板Wを洗浄する工程について説明する。まず、保持ローラ85により基板Wをその軸心まわりに回転させる。次いで、上側洗浄液供給ノズル97,98および図示しない下側洗浄液供給ノズルから基板Wの上面及び下面に洗浄液が供給される。この状態で、ロールスポンジ87,88がその水平に延びる軸心周りに回転しながら基板Wの上下面に摺接することによって、基板Wの上下面をスクラブ洗浄する。
Next, a process for cleaning the substrate W will be described. First, the substrate W is rotated around its axis by the holding
スクラブ洗浄後、回転する基板Wにリンス液として純水を上側リンス液供給ノズル95,96および図示しない下側リンス液供給ノズルから供給することによって基板Wの濯ぎ(リンス)が行われる。基板Wのリンスは、ロールスポンジ87,88を基板Wの上下面に摺接させながら行なってもよいし、ロールスポンジ87,88を基板Wの上下面から離間させた状態で行なってもよい。
After scrub cleaning, the substrate W is rinsed by supplying pure water as a rinse liquid to the rotating substrate W from the upper rinse
一実施形態では、第1洗浄ユニット73A,73Bまたは第2洗浄ユニット74A,74Bは、ペンスポンジ型の洗浄機であってもよい。ペンスポンジ型の洗浄機は、基板を回転させながら、かつペン型スポンジを回転させながら、ペン型スポンジを基板の上面に接触させ、さらにペン型スポンジを基板の半径方向に移動させるように構成されている。基板の洗浄中は、基板の上面には洗浄液が供給される。
In one embodiment, the
乾燥ユニット75A,75Bは、純水ノズルおよびIPAノズルを基板の半径方向に移動させながら、純水ノズルおよびIPAノズルから純水とIPA蒸気(イソプロピルアルコールとN2ガスとの混合物)を基板の上面に供給することで基板を乾燥させるIPAタイプの乾燥機である。乾燥ユニット75A,75Bは、他のタイプの乾燥機であってもよい。例えば、基板を高速で回転させるスピンドライタイプの乾燥機を使用することもできる。
The drying
本実施形態では、2台の第1洗浄ユニット73A,73Bと、2台の第2洗浄ユニット74A,74Bと、2台の乾燥ユニット75A,75Bが設けられているが、本発明はこの実施形態に限らず、第1洗浄ユニット、第2洗浄ユニット、および乾燥ユニットをそれぞれ3台以上としてもよい。つまり、3つ以上の洗浄レーンを設けてもよい。一実施形態では、洗浄レーンは1つであってもよい。また、第2洗浄ユニット74A,74Bと乾燥ユニット75A,75Bとの間に、複数の第3洗浄ユニットをさらに設けてもよい。
In the present embodiment, two
次に、図1を参照して基板処理装置の動作の一例について説明する。搬送ロボット22は、基板カセットから基板を取り出してリフタ11に渡す。第1リニアトランスポータ6はリフタ11から基板を取り出し、基板は第1リニアトランスポータ6および/または第2リニアトランスポータ7を経由して研磨ユニット3A〜3Dのうちの少なくとも1つに搬送される。基板は、研磨ユニット3A〜3Dのうちの少なくとも1つで研磨される。
Next, an example of the operation of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. The
研磨された基板は、第1リニアトランスポータ6または第2リニアトランスポータ7、スイングトランスポータ12、第1搬送ロボット77を経由して第1洗浄ユニット73Aおよび第2洗浄ユニット74Aに搬送され、研磨された基板はこれら第1洗浄ユニット73Aおよび第2洗浄ユニット74Aによって順次洗浄される。さらに、洗浄された基板は搬送ロボット78によって乾燥ユニット75Aに搬送され、ここで洗浄された基板が乾燥される。上述したように、基板は、第1洗浄ユニット73B、第2洗浄ユニット74B、および乾燥ユニット75Bに搬送される場合もある。
The polished substrate is transferred to the
乾燥された基板は、搬送ロボット22によって乾燥ユニット75Aから取り出され、フロントロード部20上の基板カセットに戻される。このようにして、研磨、洗浄、および乾燥を含む一連の処理が基板に対して行われる。
The dried substrate is taken out from the drying
基板処理装置は、研磨部3および/または洗浄部4での電力消費を削減するためのオンデマンドオペレーション機能を備える。オンデマンドオペレーション機能とは、基板処理部(研磨部3および/または洗浄部4)が待機モードにあるときに、基板処理部のモータへの電力ラインを遮断することによって電力消費を削減する機能である。以下、オンデマンドオペレーション機能について説明する。
The substrate processing apparatus has an on-demand operation function for reducing power consumption in the
図6は、図1に示す基板処理装置を模式的に示す側面図である。図6の符号100は、基板を処理するための基板処理部を表している。この基板処理部100は、基板を研磨するための研磨部3であってもよいし、または基板を洗浄するための洗浄部4であってもよいし、または研磨部3および洗浄部4の両方を含んでもよい。基板処理装置は、商用電源101に電気的に接続される電源103と、電源103に接続された電力遮断装置106を有している。基板処理部100の各モータは、電力ライン109により電力遮断装置106を通じて電源103に接続されている。電力遮断装置106は電力ライン109上に配置されている。電力は、電源103から電力ライン109および電力遮断装置106を通じて各モータに供給される。
6 is a side view schematically showing the substrate processing apparatus shown in FIG.
基板処理部100のモータは、研磨テーブル30Aを回転させるテーブルモータ19、研磨ヘッド31Aを回転させるヘッドモータ37A、研磨ヘッド31Aを旋回させる旋回モータ39A、基板処理部100の搬送ロボットの駆動モータ、第1洗浄ユニット73A,73Bの洗浄具87,88を回転させる洗浄具モータ90,91を含む。基板処理部100の搬送ロボットは、研磨部3のリニアトランスポータ6,7およびスイングトランスポータ12を含み、さらに洗浄部4の第1搬送ロボット77および第2搬送ロボット78を含む。
The motor of the
搬送ロボット(ローダー)22の駆動モータも、同様に、電力ライン109により電力遮断装置106を通じて電源103に接続されている。図示しないが、研磨ユニット3B,3C,3Dのテーブルモータ、ヘッドモータ、および旋回モータ、第2洗浄ユニット74A,74Bの洗浄具モータも、同様に電力ライン109により電力遮断装置106を通じて電源103に接続されている。
Similarly, the drive motor of the transfer robot (loader) 22 is connected to the
研磨部3の内部に負圧を形成するための排気ダクト110が研磨部3に接続されている。排気ダクト110は、図示しない真空源(例えば真空ポンプ)に接続されている。排気ダクト110には流量調節弁111および流量計113が取り付けられている。研磨部3から排気ダクト110を通じて排気される気体の流量は流量調節弁111によって調節され、流量計113によって測定される。同様に、洗浄部4の内部に負圧を形成するための排気ダクト114が洗浄部4に接続されている。排気ダクト114は、図示しない真空源(例えば真空ポンプ)に接続されている。排気ダクト114には流量調節弁115および流量計116が取り付けられている。洗浄部4から排気ダクト114を通じて排気される気体の流量は流量調節弁115によって調節され、流量計116によって測定される。これらの流量調節弁111,115の動作は、動作制御部5によって制御される。
An
ロード/アンロード部2、研磨部3、および洗浄部4は、ハウジング1内に配置されている。ハウジング1の上壁には、ソーラーパネル119およびファンフィルタユニット(FFU)122が配置されている。ソーラーパネル119は、工場内の照明を電力に変換し、蓄電池121に供給するようになっている。蓄電池121に蓄えられた電力は、必要に応じて基板処理装置の電気機器に供給される。
The load / unload unit 2, the polishing
ファンフィルタユニット122は、ハウジング1内に清浄な空気を供給することで、ハウジング1内に清浄な空気の下降流を形成する。ファンフィルタユニット122は、フィルタ(例えば、HEPAフィルタ)123と、ファン124と、ファン124を回転させるためのファンモータ125を備える。ファンモータ125は、図示しないドライバ(インバータ)を介して電源103に接続されている。ファンモータ125の回転速度は、ドライバ(インバータ)を介して動作制御部5によって制御される。
The
電力遮断装置106は、基板処理部100の上述した各モータと電源103との電気的接続を確立し、遮断するスイッチである。各モータは、他のモータとは独立に電力遮断装置106によって電源103に電気的に接続され、かつ電気的に遮断される。電力遮断装置106は動作制御部5に接続されており、電力遮断装置106の動作は動作制御部5によって制御される。
The
動作制御部5は、基板処理部100の動作モードを、処理モードと待機モードとの間で切り替えるように構成されている。処理モードは、基板を処理(例えば研磨および/または洗浄)するときの動作モードであり、待機モードは、基板の処理が終了した後の動作モードである。具体的には、動作制御部5は、処理すべき基板が基板処理部100内に搬入される前に動作モードを待機モードから処理モードに切り替え、基板が基板処理部100で処理された後に動作モードを処理モードから待機モードに切り替える。
The
動作制御部5は、基板処理部100での基板の処理が終了した後に、基板処理部100の動作モードを処理モードから待機モードに切り替え、かつ電力遮断装置106に指令を発して、基板処理部100の少なくとも1つのモータへの電力ライン109を電力遮断装置106に遮断させるように構成されている。例えば、研磨部3での基板の研磨が終了した後、電力遮断装置106は、動作制御部5からの指令信号を受け、テーブルモータ19、ヘッドモータ37A、および旋回モータ39Aへの電力ライン109を遮断する。一実施形態では、電力遮断装置106は、テーブルモータ19、ヘッドモータ37A、旋回モータ39A、トランスポータ6,7の駆動モータ、スイングトランスポータ12の駆動モータへの電力ライン109を遮断してもよい。
The
洗浄部4での基板の洗浄および乾燥が終了した後、電力遮断装置106は、動作制御部5からの指令信号を受け、洗浄具モータ90,91への電力ライン109を遮断する。一実施形態では、電力遮断装置106は、洗浄具モータ90,91、および搬送ロボット77,78の駆動モータへの電力ライン109を遮断してもよい。
After the cleaning and drying of the substrate in the cleaning unit 4 is completed, the power cut-off
一般に、研磨部3が基板を研磨していないときであっても、研磨テーブル30Aは、その軸受の潤滑を維持するために低速で回転される。同様に、洗浄部4が基板を洗浄していないときであっても、洗浄ユニット73Aの洗浄具87,88の乾燥を防止するために、洗浄具87,88に純水を供給しながら、洗浄具87,88は低速で回転される。本実施形態のオンデマンドオペレーション機能によれば、研磨部3または洗浄部4が待機モードにある間、研磨部3または洗浄部4のモータへの電力ライン109が電力遮断装置106によって遮断される。その結果、待機モードにある研磨部3または洗浄部4での電力消費量を削減することができる。
In general, even when the
一実施形態では、基板処理部100での基板の処理が終了した後に、動作制御部5は、電力遮断装置106に指令を発して、搬送ロボット(ローダー)22への電力ライン109を電力遮断装置106に遮断させるようにしてもよい。このような操作により、待機中の基板処理装置全体の電力消費量をさらに削減することができる。
In one embodiment, after the substrate processing in the
次に、基板処理装置のオンデマンドコントロール機能について説明する。オンデマンドコントロール機能とは、基板処理部100(研磨部3および/または洗浄部4)が待機モードにあるときの基板処理装置の電力消費量およびユーティリティの消費量を下げる機能である。以下、オンデマンドコントロール機能について説明する。
Next, the on-demand control function of the substrate processing apparatus will be described. The on-demand control function is a function that reduces the power consumption and utility consumption of the substrate processing apparatus when the substrate processing unit 100 (the polishing
本実施形態では、基板処理部100(研磨部3および/または洗浄部4)での基板の処理が終了した後に、動作制御部5は、基板処理部100の動作モードを処理モードから待機モードに切り替え、かつファンフィルタユニット122のファンモータ125の回転速度を下げるように構成されている。具体的には、動作制御部5は、ファンモータ125の回転速度の設定値を、標準設定値から、該標準設定値よりも低い値まで下げる。このような操作により、基板処理装置の電力消費量を削減することができる。
In the present embodiment, after the substrate processing in the substrate processing unit 100 (the polishing
一実施形態では、オンデマンドコントロール機能は、電力消費量を下げるのみならず、基板処理部100で使用されるユーティリティの量を下げる機能を含んでもよい。具体的には、基板処理部100(研磨部3および/または洗浄部4)での基板の処理が終了した後に、動作制御部5は、基板処理部100の動作モードを処理モードから待機モードに切り替え、かつ基板処理部100で使用されるユーティリティの流量を低下させる。
In one embodiment, the on-demand control function may include a function of reducing the amount of utility used in the
ユーティリティは、基板処理部100(研磨部3および洗浄部4)での基板の処理に必要な消耗流体である。ユーティリティの例としては、純水、基板処理部100からの排気、ドライ空気、冷却水である。純水は、例えば、研磨パッド10の保湿水として使用される。純水は、液体供給ノズル32Aから研磨パッド10に供給される。純水の流量は、流量調節弁130によって調節され、流量計131によって測定される。加えて、純水は、洗浄ユニット73Aの洗浄具87,88の保湿水としても使用される。純水の流量は、流量調節弁134によって調節され、流量計135によって測定される。
The utility is a consumable fluid necessary for processing the substrate in the substrate processing unit 100 (the polishing
基板処理部100からの排気は、排気ダクト110,114を通じて基板処理部100から排出される気体である。基板処理部100から排出される気体は、主に空気である。排気の流量は、流量調節弁111,115によって調節され、流量計113,116によって測定される。
The exhaust from the
ドライ空気は、例えば、研磨ヘッド31Aの圧力室(図3の符号D1〜D5参照)に供給される加圧気体である。圧力室へのドライ空気の流量は、流量計K1〜K5によって測定される。ドライ空気は、アクチュエータとしてのエアシリンダの作動流体として使用されることもある。
The dry air is, for example, a pressurized gas that is supplied to the pressure chamber of the polishing
冷却水は、図6に示すように、研磨テーブル30Aの冷却に使用される。冷却水流路管140は、研磨テーブル30A内を延びている。基板と研磨パッド10との摺接により温度が上昇した研磨テーブル30Aは、冷却水流路管140を流れる冷却水によって冷却される。冷却水の流量は、流量調節弁141によって調節され、流量計142によって測定される。
The cooling water is used for cooling the polishing table 30A as shown in FIG. The cooling
上述したユーティリティの用途は例であって、他の用途に使用されてもよい。また、ユーティリティの他の例として、窒素ガス、排水なども挙げられる。 The utility uses described above are examples and may be used for other purposes. Other examples of utilities include nitrogen gas and drainage.
マイクロ/ナノエレクトロニクス製造サプライチェーンの国際工業会であるSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)は、半導体製造装置で使用されるユーティリティを電力消費量に換算するための換算係数を提供している。ユーティリティの体積に換算計数を乗算することによって、ユーティリティの使用量を電力消費量に換算することができる。例えば、排気の換算計数は0.0037kWh/m3であり、ドライ空気の換算計数は0.147kWh/m3であり、冷却水(温度20〜25℃)の換算計数は1.56kWh/m3であり、純水(加圧)の換算計数は9.0kWh/m3である。 SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International), an international association of micro / nanoelectronics manufacturing supply chains, provides conversion factors for converting utilities used in semiconductor manufacturing equipment into power consumption. By multiplying the utility volume by the conversion factor, the utility usage can be converted into the power consumption. For example, conversion factor of the exhaust is 0.0037kWh / m 3, in terms of counts of the dry air is 0.147kWh / m 3, in terms of counts of the cooling water (temperature 20-25 ° C.) is 1.56kWh / m 3, The conversion factor for pure water (pressurization) is 9.0 kWh / m 3 .
動作制御部5は、その記憶装置210内に上述した各ユーティリティの換算係数を予め記憶している。排気、純水、ドライ空気、および冷却水の流量を測定するための上述した流量計は、動作制御部5に接続されており、各ユーティリティの流量の測定値は動作制御部5に送られる。動作制御部5は、基板処理部100で使用された各ユーティリティの体積を流量の測定値から算出し、各ユーティリティの体積と、対応する換算係数から、各ユーティリティの使用量を電力消費量に換算して換算電力消費量[kWh]を算出する。例えば、動作制御部5は、基板処理部100から排気された気体の体積に、対応する換算係数を乗算することで、排気の換算電力消費量を算出する。
The
動作制御部5は、基板処理部100での基板の処理が終了した後に、上述した流量調節弁のうちの少なくとも1つを操作して、基板処理部100で使用されるユーティリティ(排気、純水、ドライ空気、または冷却水)の流量を下げるように構成されている。このような操作により、基板処理部100が待機モードにあるときのユーティリティの使用量を削減することができる。ユーティリティの使用量の削減は、電力消費量の削減に相当する。言い換えれば、ユーティリティの使用量を削減することによって、基板処理装置全体での電力消費量を削減することができる。
After the processing of the substrate in the
図6に示す電力計150は、電源103から基板処理部100に供給される電力を測定し、電力の測定値[W]を動作制御部5に送信する。動作制御部5は、基板処理部100での電力消費量[kWh]を電力の測定値から算出する。動作制御部5は、基板処理部100での電力消費量を動作制御部5の記憶装置210内に記録する。同様に、動作制御部5は、各ユーティリティごとに計算された換算電力消費量を、動作制御部5の記憶装置210内に記録する。さらに、動作制御部5は、電力消費データとして記録された基板処理部100での電力消費量および換算電力消費量を、表示装置241上に表示する。
The
図7は、動作制御部5の表示装置241上に表示された電力消費量および換算電力消費量のグラフである。縦軸は電力消費量[kWh]を表し、横軸は時間を表している。図7に示される電力消費量は、基板処理部100での電力消費量と、ユーティリティごとに算出された換算電力消費量の合計、すなわち、総電力消費量である。図7に示すように、動作制御部5は、時間によって変化する電力消費量を視覚化することができ、基板処理装置の運転方法の改善に寄与できるグラフを提供することができる。
FIG. 7 is a graph of the power consumption and the converted power consumption displayed on the
動作制御部5は、ある時間内の総電力消費量の積算値を、その時間内に処理した基板の枚数で割り算することで、1枚の基板当たりの電力消費量を算出することができる。1枚の基板当たりの電力消費量は、例えば、基板の研磨レシピや洗浄レシピの評価に使用することができる。同様にして、動作制御部5は、1つの基板カセット当たり(1ロット当たり)の電力消費量を算出することも可能である。さらに、動作制御部5は、ある時点から現在までの電力消費量の積算値を算出することも可能である。
The
オンデマンドコントロール機能は、先に説明したオンデマンドオペレーション機能と同時に実行することができる。例えば、基板処理部100での基板の処理が終了した後、動作制御部5は、電力遮断装置106に指令を発してテーブルモータ19への電力ライン109を遮断するとともに、ファンフィルタユニット122のファンモータ125の回転速度を下げてもよい。このようにオンデマンドオペレーション機能とオンデマンドコントロール機能との組み合わせにより、基板処理装置の全体の電力消費量を効率よく削減することができる。
The on-demand control function can be executed simultaneously with the above-described on-demand operation function. For example, after the substrate processing in the
図8は、基板処理装置の電力消費量を削減するための他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態の基板処理装置は、基板処理装置の複数のモータM1,M2,M3に電気的に接続された多軸一体型アンプ160を備えている。通常、電力は、電源103から多軸一体型アンプ160を通じてモータM1,M2,M3に供給される。多軸一体型アンプ160は、複数のモータM1,M2,M3のうちの1つが減速しているときに発生する回生電力を、モータM1,M2,M3のうちの他の1つに供給するように構成されている。このような多軸一体型アンプ160は、市場で入手することができる。本実施形態では3つのモータが多軸一体型アンプ160に接続されているが、2つのモータ、または3つよりも多いモータが多軸一体型アンプ160に接続されてもよい。
FIG. 8 is a schematic diagram showing another embodiment for reducing the power consumption of the substrate processing apparatus. Since the configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the above-described embodiment, the redundant description is omitted. The substrate processing apparatus of this embodiment includes a multi-axis
多軸一体型アンプ160に接続されるモータM1,M2,M3は、4つの研磨ユニット3A〜3Dのテーブルモータ19、搬送ロボット(ローダー)22の駆動モータ、第1搬送ロボット77の駆動モータ、第2搬送ロボット78の駆動モータ、リニアトランスポータ6,7の駆動モータ、スイングトランスポータ12の駆動モータなどから選択される。例えば、第1研磨ユニット3Aのテーブルモータ19と、第2研磨ユニット3Bのテーブルモータ19が、多軸一体型アンプ160に接続される。この構成において、第1研磨ユニット3Aのテーブルモータ19が減速しているとき、このテーブルモータ19に発生する回生電力は、多軸一体型アンプ160を通って第2研磨ユニット3Bのテーブルモータ19に供給される。したがって、基板処理装置の全体の電力消費量を削減することができる。回生電力は図6に示す蓄電池121に蓄えてもよい。
Motors M1, M2, and M3 connected to the multi-axis
図9に示すように、テーブルモータ19と、ヘッドモータ37Aを多軸一体型アンプ160に接続してもよい。基板の研磨中に研磨テーブル30Aの回転速度が研磨ヘッド31Aの回転速度よりも高いとき、ヘッドモータ37Aは発電する。この発電された電力は多軸一体型アンプ160を通じてテーブルモータ19に供給される。したがって、テーブルモータ19での消費電力量が低下し、結果として、基板処理装置の全体の電力消費量を削減することができる。
As shown in FIG. 9, the
図10は、基板処理装置の電力消費量を削減するための他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない本実施形態の構成は、上述した実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。図10に示すように、第1研磨ユニット3Aは、研磨テーブル30Aの周囲に配置されたパン170と、パン170の底部から下方に延びる流体導管171と、流体導管171に接続された気液分離槽175と、流体導管171内に配置された水車177と、水車177に連結された発電機179とを備えている。
FIG. 10 is a schematic diagram showing another embodiment for reducing the power consumption of the substrate processing apparatus. Since the configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the above-described embodiment, the redundant description is omitted. As shown in FIG. 10, the
基板の研磨中、液体供給ノズル32Aから研磨液(スラリー)が研磨パッド10に供給される。また、基板の研磨後には、ドレッシング液としての純水が液体供給ノズル32Aから研磨パッド10に供給される。パッドドレッシング後には、アトマイザ34Aから気液混合流体が研磨パッド10に供給される。これらの流体は、パン170に集められ、流体導管171を通って気液分離槽175に導かれる。流体は、気液分離槽175内で気体と液体に分離される。気体は排気ダクト181を通じて排出され、液体はドレイン182を通じて排出される。
During polishing of the substrate, a polishing liquid (slurry) is supplied to the
流体導管171を流れる流体は、水車177を回転させ、水車177に連結されている発電機179に電力を発生される。発生された電力は、基板処理装置の上述したモータのいずれかに供給されてもよいし、または図6に示す蓄電池121に蓄えてもよい。このように、本実施形態によれば、流体の位置エネルギーを電力に変換することができるので、結果として基板処理装置の全体の電力消費量を削減することができる。本実施形態では、水車177は螺旋形状を有している。このタイプの水車177は低揚程で効率よく回転することができるという利点を有する。一実施形態では、水車177は他のタイプの水車であってもよい。図示しないが、第2研磨ユニット3B〜第4研磨ユニット3Dも、図10に示す構成を備えてもよい。
The fluid flowing through the
基板処理装置の動作は、動作制御部5によって制御される。本実施形態では、動作制御部5は、専用のコンピュータまたは汎用のコンピュータから構成される。図11は、動作制御部5の構成を示す模式図である。動作制御部5は、プログラムやデータなどが格納される記憶装置210と、記憶装置210に格納されているプログラムに従って演算を行うCPU(中央処理装置)などの処理装置220と、データ、プログラム、および各種情報を記憶装置210に入力するための入力装置230と、処理結果や処理されたデータを出力するための出力装置240と、インターネットなどのネットワークに接続するための通信装置250を備えている。
The operation of the substrate processing apparatus is controlled by the
記憶装置210は、処理装置220がアクセス可能な主記憶装置211と、データおよびプログラムを格納する補助記憶装置212を備えている。主記憶装置211は、例えばランダムアクセスメモリ(RAM)であり、補助記憶装置212は、ハードディスクドライブ(HDD)またはソリッドステートドライブ(SSD)などのストレージ装置である。
The
入力装置230は、キーボード、マウスを備えており、さらに、記録媒体からデータを読み込むための記録媒体読み込み装置232と、記録媒体が接続される記録媒体ポート234を備えている。記録媒体は、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、例えば、光ディスク(例えば、CD−ROM、DVD−ROM)や、半導体メモリー(例えば、USBフラッシュドライブ、メモリーカード)である。記録媒体読み込み装置232の例としては、CDドライブ、DVDドライブなどの光学ドライブや、カードリーダーが挙げられる。記録媒体ポート234の例としては、USB端子が挙げられる。記録媒体に電気的に格納されているプログラムおよび/またはデータは、入力装置230を介して動作制御部5に導入され、記憶装置210の補助記憶装置212に格納される。出力装置240は、表示装置241、印刷装置242を備えている。
The
動作制御部5は、記憶装置210に電気的に格納されたプログラムに従って動作する。プログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、記録媒体を介して動作制御部5に提供される。または、プログラムは、インターネットなどの通信ネットワークを介して動作制御部5に提供されてもよい。
The
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。 The embodiment described above is described for the purpose of enabling the person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be construed in the widest scope according to the technical idea defined by the claims.
1 ハウジング
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
3A,3B,3C,3D 研磨ユニット
4 洗浄部
5 動作制御部
6 第1リニアトランスポータ
7 第2リニアトランスポータ
10 研磨パッド
11 リフタ
12 スイングトランスポータ
16A ヘッドシャフト
19 テーブルモータ
20 フロントロード部
21 レール機構
22 搬送ロボット(ローダー)
30A,30B,30C,30D 研磨テーブル
31A,31B,31C,31D 研磨ヘッド
32A,32B,32C,32D 液体供給ノズル
33A,33B,33C,33D ドレッサ
34A,34B,34C,34D アトマイザ
35A ヘッドアーム
37A ヘッドモータ
38A 旋回シャフト
39A 旋回モータ
41 キャリヤ
43 弾性膜
45 リテーナリング
72 仮置きステージ
73A,73B 第1洗浄ユニット
74A,74B 第2洗浄ユニット
75A,75B 乾燥ユニット
77 第1搬送ロボット
78 第2搬送ロボット
80 第1昇降軸
81 第2昇降軸
85 保持ローラ
87,88 ロールスポンジ(洗浄具)
90,91 洗浄具モータ
95,96 上側リンス液供給ノズル
97,98 上側洗浄液供給ノズル
100 基板処理部
101 商用電源
103 電源
106 電力遮断装置
109 電力ライン
110,114 排気ダクト
111,115 流量調節弁
113,116 流量計
119 ソーラーパネル
121 蓄電池
122 ファンフィルタユニット(FFU)
123 フィルタ
124 ファン
125 ファンモータ
130 流量調節弁
131 流量計
134 流量調節弁
135 流量計
140 冷却水流路管
141 流量調節弁
142 流量計
150 電力計
160 多軸一体型アンプ
170 パン
171 流体導管
175 気液分離槽
177 水車
179 発電機
181 排気ダクト
182 ドレイン
210 記憶装置
241 表示装置
D1,D2,D3,D4,D5 圧力室
G1,G2,G3,G4,G5 流体ライン
R1,R2,R3,R4,R5 圧力レギュレータ
K1,K2,K3,K4,K5 流量計
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing 2 Load / unload
30A, 30B, 30C, 30D Polishing tables 31A, 31B, 31C, 31D Polishing heads 32A, 32B, 32C, 32D
90, 91
123
Claims (9)
基板を前記基板処理部で処理し、
前記基板の処理が終了した後に、前記基板処理部の動作モードを処理モードから待機モードに切り替え、かつ前記基板処理部の少なくとも1つのモータへの電力ラインを遮断することを特徴とする基板処理装置の運転方法。 Switch the operation mode of the substrate processing unit from standby mode to processing mode,
Processing the substrate in the substrate processing section,
After the processing of the substrate is completed, the operation mode of the substrate processing unit is switched from the processing mode to the standby mode, and the power line to at least one motor of the substrate processing unit is cut off. Driving method.
前記基板処理部で使用された第2ユーティリティの体積を電力消費量に換算して第2換算電力消費量を算出し、
前記基板処理部での電力消費量を算出し、
前記第1換算電力消費量と、前記第2換算電力消費量と、前記基板処理部での電力消費量を記録することを特徴とする基板処理装置の運転方法。 The volume of the first utility used in the substrate processing unit is converted into power consumption to calculate the first converted power consumption,
The volume of the second utility used in the substrate processing unit is converted into power consumption to calculate the second converted power consumption,
Calculate power consumption in the substrate processing unit,
An operation method of a substrate processing apparatus, wherein the first converted power consumption, the second converted power consumption, and the power consumption in the substrate processing unit are recorded.
The operation method of the substrate processing apparatus according to claim 8, wherein a graph of the first converted power consumption, the second converted power consumption, and the power consumption in the substrate processing unit is created.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017085861A JP2018186148A (en) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | Operational method for substrate processing apparatus |
| PCT/JP2018/014560 WO2018198707A1 (en) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | Substrate processing method and substrate processing device operating method |
| TW107112971A TW201842541A (en) | 2017-04-25 | 2018-04-17 | Substrate processing method and substrate processing device operating method |
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| JP2017085861A JP2018186148A (en) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | Operational method for substrate processing apparatus |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2018186148A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022107553A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-27 | 株式会社荏原製作所 | Substrate holding device |
| JP2025127997A (en) * | 2024-02-21 | 2025-09-02 | ユニテスト インク. | Utility Supply Electrical Connectors |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017085861A patent/JP2018186148A/en active Pending
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| WO2022107553A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-27 | 株式会社荏原製作所 | Substrate holding device |
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