JP2018185230A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】検出精度の低下を抑制できる電流センサを提供すること。【解決手段】電流センサ100は、バスバ40と、バスバ40の対向部41に対向配置されて、バスバ40に電流が流れることでバスバ40から発生する磁界を検知して電気信号に変換する磁気検出素子を含む磁気検出部10とを備えている。また、電流センサ100は、対向部41と磁気検出部10とを挟み込みつつ対向配置された対を成す第1磁気シールド31と第2磁気シールド32とを備えている。さらに、電流センサ100は、第2磁気シールド31、バスバ40、磁気検出部10、第1磁気シールド31の順で積層されたセンサ相を複数備えている。この複数のセンサ相は、積層方向に直交する方向に隣り合って配置されている。そして、バスバ40は、対向部41と、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に屈曲した第1端子部42とを備えている。【選択図】図3
Description
本開示は、電流センサに関する。
従来、電流センサの一例として、特許文献1に開示された電流検出構造がある。
この電流検出構造は、バスバと、バスバを流れる電流により発生する磁界の強度を測定する磁気検出素子と、を備えている。バスバは、その一部が、横断面視で凹状に形成されるとともに幅方向の中心に対して対称形状に形成されている。磁気検出素子は、凹状に形成されたバスバに囲まれた空間に配置されるとともに、バスバの幅方向の中心に配置される。
ところで、従来技術ではないが、電流センサは、電流経路と磁気検出部とが積層されたセンサ相を複数相備えており、複数のセンサ相が積層方向に直交する方向に隣り合って配置されているものが考えられる。また、電流センサは、取り付け対象との組付性などを考慮して、屈曲した形状の電流経路とすることが考えられる。よって、電流経路は、磁気検出部に対向する対向部と、対向部に対して磁気検出部側に屈曲した屈曲部とを含むこともありうる。
この場合、電流センサは、対向部よりも磁気検出部側の領域において、電流経路に電流が流れることで対向部から発生する磁界と、電流経路に電流が流れることで屈曲部から発生する磁界とが強め合う。よって、電流センサは、この強め合った磁界が隣りのセンサ相における磁気検出部に影響を及ぼし、検出精度が低下するという問題があった。
本開示は、上記問題点に鑑みなされたものであり、検出精度の低下を抑制できる電流センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本開示は、
電流経路に流れる電流を検知する電流センサであって、
電流経路(40)と、
電流経路の一部に対向配置されて、電流経路に電流が流れることで電流経路から発生する磁界を検知して電気信号に変換する磁気検出素子(12)を含む磁気検出部(10)と、
磁気検出部に対する外乱磁界を抑制するものであり、電流経路の一部と磁気検出部とを挟み込みつつ対向配置された対を成す第1磁気シールド(31)と第2磁気シールド(32)と、を含み、
第2磁気シールド、電流経路、磁気検出部、第1磁気シールドの順で積層されたセンサ相を複数備えており、
複数のセンサ相は、積層方向に直交する方向に隣り合って配置されており、
電流経路が、磁気検出部が対向する対向部(41)と、対向部から第1磁気シールド側ではなく第2磁気シールド側に屈曲した屈曲部(42)と、を備えていることを特徴とする。
電流経路に流れる電流を検知する電流センサであって、
電流経路(40)と、
電流経路の一部に対向配置されて、電流経路に電流が流れることで電流経路から発生する磁界を検知して電気信号に変換する磁気検出素子(12)を含む磁気検出部(10)と、
磁気検出部に対する外乱磁界を抑制するものであり、電流経路の一部と磁気検出部とを挟み込みつつ対向配置された対を成す第1磁気シールド(31)と第2磁気シールド(32)と、を含み、
第2磁気シールド、電流経路、磁気検出部、第1磁気シールドの順で積層されたセンサ相を複数備えており、
複数のセンサ相は、積層方向に直交する方向に隣り合って配置されており、
電流経路が、磁気検出部が対向する対向部(41)と、対向部から第1磁気シールド側ではなく第2磁気シールド側に屈曲した屈曲部(42)と、を備えていることを特徴とする。
このように、本開示は、磁気検出部が対向する対向部と、対向部から第1磁気シールド側ではなく第2磁気シールド側に屈曲した屈曲部とを含む電流経路を備えている。このため、本開示では、対向部と第1磁気シールドとの間の領域において、電流経路に電流が流れることで対向部から発生する磁界と、電流経路に電流が流れることで屈曲部から発生する磁界とが打ち消し合う。よって、本開示では、対向部と第1磁気シールドとの間の領域に発生した磁界が、隣りのセンサ相の磁気検出部に影響することを抑制できる。従って、本開示は、隣りのセンサ相から流入する磁界による検出精度の低下を抑制できる。
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本開示の技術的範囲を限定するものではない。
以下において、図面を参照しながら、本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
なお、以下においては、互いに直交する3方向をX方向、Y方向、Z方向と示す。また、X方向とY方向とによって規定される平面をXY平面、X方向とZ方向とによって規定される平面をXZ平面、Y方向とZ方向とによって規定される平面をYZ平面と示す。Z方向は、積層方向に相当する。
図1〜図6を用いて、本実施形態の電流センサ100に関して説明する。なお、図5、図6では、図面を見やすくするために、回路基板20、ハウジング50の図示を省略している。
電流センサ100は、図4に示すように、一例として磁気平衡式の電流センサを採用している。また、電流センサ100は、例えば集磁コアを必要としないコアレス電流センサを採用できる。電流センサ100の回路構成に関しては、後程説明する。
電流センサ100は、例えば、特開2016−178799号公報に記載されているように、昇圧回路と、二つのインバータと、二つのモータジェネレータ(以下モータ)とを備えたシステムに適用できる。つまり、電流センサ100は、リアクトルを有した昇圧回路と、昇圧回路で昇圧された直流電力を三相交流電力に変換する二つのインバータと、各インバータからの三相交流電力が印加されて動作する二つのモータとともに車両に搭載される。
そして、電流センサ100は、インバータとモータとの間に流れる電流、及びリアクトルを流れるリアクトル電流を検出する構成を有している。詳述すると、電流センサ100は、インバータとモータを電気的に接続している六つのバスバ40のそれぞれに流れる電流を個別に検出するとともに、他のバスバ40に流れるリアクトル電流を検出する。
電流センサ100は、一組のインバータとモータに対応した第1センサ相P1、第2センサ相P2、第3センサ相P3と、他の一組のインバータとモータに対応した第4センサ相P4、第5センサ相P5、第6センサ相P6とを備えている。さらに、電流センサ100は、リアクトル電流を検出するためのリアクトル電流相ILを備えている。なお、各センサ相P1〜P6のそれぞれは、特許請求の範囲におけるセンサ相に相当する。よって、本開示は、リアクトル電流相ILを備えていなくてもよい。
第1センサ相P1〜第3センサ相P3は、一組のインバータとモータにおけるV相、U相、W相に対応して設けられており、インバータとモータとの間における各相のそれぞれに流れる電流を個別に検出するために設けられている。同様に、第4センサ相P4〜第6センサ相P6は、他の一組のインバータとモータにおけるV相、U相、W相に対応して設けられており、インバータとモータとの間における各相のそれぞれに流れる電流を個別に検出するために設けられている。このように、電流センサ100は、電流経路であるバスバ40に流れる電流を検知するセンサである。
なお、本実施形態で用いているシステムでは、三つのセンサ相P1〜P3のいずれかにおいて、電流検出の結果に誤差が生じた場合であっても、他の二つの相の電流検出の結果に誤差が生じていなければ動作に影響しにくい。また、三つのセンサ相P4〜P6に関しても同様である。このため、三つのセンサ相P1〜P3や、三つのセンサ相P4〜P6では、一つのバスバに対して、冗長的に二つの磁気検出部10を配置する必要がない。
このように、本実施形態では、一例として、六つのセンサ相P1〜P6に加えて、リアクトル電流相ILを備えた電流センサ100を採用している。しかしながら、本開示は、これに限定されず、複数のセンサ相、すなわち少なくとも二つのセンサ相を備えていればよい。
電流センサ100は、図1、図2、図3に示すように、磁気検出部10と、第1磁気シールド31と、第2磁気シールド32と、バスバ40と、回路基板20と、ハウジング50などを備えている。電流センサ100は、バスバ40、磁気検出部10、第1磁気シールド31、第2磁気シールド32を含み、第2磁気シールド32、バスバ40、磁気検出部10、第1磁気シールド31の順で積層されたセンサ相を複数備えていると言える。また、本実施形態では、一例として、六つのセンサ相P1〜P6に加えて、リアクトル電流相ILを備えた電流センサ100を採用している。このため、電流センサ100は、八つの磁気検出部10と、八つの第1磁気シールド31と、八つの第2磁気シールド32を備えている。
また、電流センサ100は、各センサ相P1〜P6のそれぞれに、一つずつバスバ40が設けられている。さらに、電流センサ100は、リアクトル電流相ILに、例えばU字形状の一つのバスバ40が設けられている。なお、各センサ相P1〜P6におけるバスバ40は、特許請求の範囲における電流経路に相当する。
また、各センサ相P1〜P6は、図2に示すように、積層方向に直交する方向に隣り合って配置されている。ここでは、各センサ相P1〜P6がX方向に並んで配置されている例を採用している。言い換えると、各センサ相P1〜P6は、後程説明する対向部41において電流が流れる方向(Y方向)が平行となるように配置されている。各センサ相P1〜P6の第1磁気シールド31は、Z方向の位置及びY方向の位置が同じで、X方向の位置が異なる。磁気検出部10、第2磁気シールド32、バスバ40に関しても同様である。なお、バスバ40に関しては、バスバ40の各部におけるZ方向の位置及びY方向の位置が同じで、バスバ40の各部におけるX方向の位置が異なる。
各センサ相P1〜P6は、同様の構成を有している。よって、図3では、第3センサ相P3を代表例として採用している。第3センサ相P3は、磁気検出部10と、第1磁気シールド31と、第2磁気シールド32と、バスバ40とを含んでいる。磁気検出部10は、バスバ40の一部に対向配置されて、バスバ40に電流が流れることでバスバ40から発生する磁界を検知して電気信号に変換する磁気検出素子12を含んでいる。なお、磁気検出部10に関しては、後程、回路構成を詳しく説明する。
第1磁気シールド31と第2磁気シールド32は、磁性材料によって構成されている。第1磁気シールド31と第2磁気シールド32とは、対を成しており、磁気検出部10に対する外部からの磁界を遮蔽するものである。第1磁気シールド31と第2磁気シールド32とは、バスバ40の一部である対向部41と磁気検出部10とを挟み込みつつ対向配置されている。つまり、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32とは、Z方向において間隔をあけて対向配置されており、磁気検出部10や対向部41を挟みこむように配置されている。よって、対向部41の少なくとも一部や磁気検出部10は、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32との対向領域内に配置されていると言える。
本実施形態では、Z方向に厚みを有しXY平面において矩形状をなしている第1磁気シールド31と第2磁気シールド32を採用している。つまり、各磁気シールド31、32は、板状部材と言うことができる。この各磁気シールド31、32は、例えば、板状の磁性材料が積層されて構成されている。さらに、各磁気シールド31、32は、図2、図3に示すように、磁気検出部10の対向領域、及び対向部41の対向領域を覆うことができる程度の大きさである。
各磁気シールド31,32は、XY平面に沿う面が平坦であり、XY平面と平行に設けられている。なお、各磁気シールド31,32は、平行に配置されているため、平行平板シールドとも言える。しかしながら、磁気シールド31,32は、ここで説明した構成に限定されない。
なお、外部とは、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32との対向領域に外側である。言い換えると、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32は、外乱磁界が磁気検出部10に印加されることを抑制するものである。当然ながら、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32は、これらで挟まれた磁気検出部10とバスバ40との間で磁界を遮蔽するものではない。よって、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32は、磁気検出部10の検出対象である磁界を遮蔽するものではない。
回路基板20には、各磁気検出部10と各第1磁気シールド31とが実装されている。詳述すると、回路基板20は、樹脂やセラミックスなどの電気絶縁性の基材に、導電体の配線が形成されたものである。回路基板20は、例えば直方体形状を有している。回路基板20は、ハウジング50に固定するための部位として、例えば貫通穴が形成されている。回路基板20は、貫通穴に、ハウジング50に設けられた固定部51が挿入されて、ハウジング50と固定される。しかしながら、回路基板20とハウジング50の工程構造は、これに限定されない。
回路基板20は、一方の面に各磁気検出部10が形成されており、反対面に各第1磁気シールド31が形成されている。つまり、各磁気検出部10は、回路基板20における、各バスバ40が形成されたハウジング50と対向する側の面に形成されている。各磁気検出部10と各第1磁気シールド31とは、回路基板20を介して対向する位置関係となるように配置されているとも言える。
また、本実施形態では、図4に示すように、第1抵抗11、磁気検出素子12、オペアンプ13、フィードバックコイル14、第2抵抗15などを備えた磁気検出部10を採用している。回路基板20は、図4に示す回路が、各センサ相P1〜P6、及びリアクトル電流相ILのそれぞれに対応して設けられている。このように、本実施形態では、磁気平衡方式の電流センサ100を採用している。
磁気検出部10は、電源Vddとグランドとの間に、第1抵抗11と磁気検出素子12とが直列に接続されている。磁気検出素子12は、バスバ40に電流が流れることでバスバ40から発生する磁界(誘導磁界)を検知して電気信号に変換する。磁気検出素子12は、例えば、巨大磁気抵抗素子(GMR)、異方性磁気抵抗素子(AMR)、トンネル磁気抵抗素子(TMR)、又はホール素子などを採用できる。
オペアンプ13は、特許請求の範囲における供給部に相当する。オペアンプ13は、第1抵抗11と磁気検出素子12との間の電圧V2と、基準電圧V1とが印加される。オペアンプ13は、基準電圧V1と電圧V2が印加されると、フィードバックコイル14が相殺磁界を形成するためのフィードバック電流Ifbをフィードバックコイル14に供給する。フィードバック電流Ifbは、特許請求の範囲における相殺電流に相当する。
フィードバックコイル14は、特許請求の範囲における電磁石に相当する。フィードバックコイル14は、オペアンプ13の出力端とグランドとの間において、第2抵抗15と直列に接続されている。フィードバックコイル14は、バスバ40に対向して配置されており、磁気検出素子12が検知する磁界を相殺するための相殺磁界を発生する。つまり、フィードバックコイル14は、フィードバック電流Ifbが流れることで相殺磁界を発生する。磁気検出素子12が検知する磁界は、バスバ40に電流が流れることでバスバ40から発生する誘導磁界である。
オペアンプ13は、フィードバックコイル14から発生する相殺磁界と、バスバ40から発生する誘導磁界とが相殺して、基準電圧V1と電圧V2が等しくなるように、フィードバック電流Ifbを制御する。そして、電流センサ100は、フィードバック電流Ifbに基づいてバスバ40に流れる電流を検知することができる。つまり、電流センサ100は、磁気検出部10におけるフィードバックコイル14と第2抵抗15との間の出力電圧Voutに基づいて、バスバ40に流れる電流を検知することができる。
このように、本実施形態では、磁気検出部10と、第1磁気シールド31と、第2磁気シールド32と、バスバ40とが、回路基板20やハウジング50によって一体的に構成された例を採用している。しかしながら、本開示は、これに限定されない。
ハウジング50は、例えば樹脂などによって構成されており、図1、図2、図3に示すように、各第2磁気シールド32と各バスバ40とを一体的に保持している。ハウジング50は、インサート成形などによって、各第2磁気シールド32と各バスバ40とを一体的に保持した構成とすることができる。各第2磁気シールド32は、図2、図3に示すように、ハウジング50の一部と、バスバ40の一部である対向部41を介して、各磁気検出部10と対向する位置関係となるように配置されている。
バスバ40は、インバータとモータとを接続している。バスバ40は、図1、図2、図3などに示すように、例えば、板状の導電性部材が屈曲した形状をなしている。バスバ40は、対向部41と、第1端子部42と、第2端子部43とが一体物として構成されており、例えば第1端子部42に第1ねじ穴44が設けられている。
対向部41は、磁気検出部10が対向する部位であり、第1磁気シールド31と第2磁気シールド32で挟み込まれている部位である。対向部41は、平坦な部位であり、且つ、XY平面に対して平行に設けられている。対向部41は、少なくとも一部がハウジング50に内装されている。
対向部41は、一方の端部に第1端子部42が設けられており、他方の端部に第2端子部43が設けられている。このため、対向部41は、第1端子部42と第2端子部43との間に設けられた部位である。
第1端子部42は、特許請求の範囲における屈曲部に相当する。また、第1端子部42は、例えばモータ側の端子である。第1端子部42は、図3などに示すように、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に屈曲した部位である。本実施形態では、対向部41に対して直角に屈曲している第1端子部42を採用している。
このため、第1端子部42は、第2磁気シールド32の一つの側面と対向する部位、すなわち、積層方向に直交する方向において、第2磁気シールド32とオーバーラップする部位を含んでいる。つまり、第1端子部42は、積層方向に直交する方向において、磁気検出部10とオーバーラップする部位を含んでいない。なお、図2に示すように、各センサ相P1〜P6の第1端子部42は、XZ平面において、平行に配置されている。
第1端子部42は、モータと電気的及び機械的に接続するために、厚み方向に貫通した第1ねじ穴44が設けられている。第1端子部42は、図3に示すように、例えば、外面がハウジング50から露出した状態で、ハウジング50に埋設されている。
ハウジング50は、第1ねじ穴44に対向する位置に、第2ねじ穴52が設けられている。電流センサ100は、第1ねじ穴44と第2ねじ穴52にねじが挿入されてモータとねじ止めされることで、モータと電気的及び機械的に接続される。
第2端子部43は、特許請求の範囲における第2屈曲部に相当する。また、第2端子部43は、例えばインバータ側の端子である。第2端子部43は、図3などに示すように、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に屈曲した部位である。本実施形態では、対向部41に対して直角に屈曲している第2端子部43を採用している。
このため、第2端子部43は、第2磁気シールド32の一つの側面と対向する部位、すなわち、積層方向に直交する方向において、第2磁気シールド32とオーバーラップする部位を含んでいる。つまり、第2端子部43は、積層方向に直交する方向において、磁気検出部10とオーバーラップする部位を含んでいない。
このように、バスバ40は、第1端子部42と第2端子部43とが平行に設けられている。つまり、バスバ40は、YZ平面において、第1端子部42と第2端子部43とが平行である。
なお、第2端子部43は、図3に示すように、例えば、外面がハウジング50から突出した対向部41の端部に設けられている。このため、第2端子部43は、ハウジング50に埋設されていない。
ここで、図8、図9に示す比較例の電流センサ(以下、単に比較例)を用いつつ、電流センサ100の効果に関して説明する。比較例の構成要素において、電流センサ100と同様である箇所に関しては、電流センサ100と同じ符号を付与している。比較例は、電流センサ100と同様に複数のセンサ相を備えているものの、バスバ40bの構成が電流センサ100と異なる。各センサ相は、磁気検出部10、第1磁気シールド31、第2磁気シールド32、バスバ40bを備えている。
バスバ40bは、対向部41と、第1端子部42bと、第2端子部43bとを含んでいる。バスバ40bは、第1端子部42bと第2端子部43bとが、対向部41から第2磁気シールド32側ではなく第1磁気シールド31側に屈曲している。
このため、比較例では、図8の第3磁界mf3に示すように、バスバ40bに電流が流れることで対向部41から発生する磁界と、バスバ40bに電流が流れることで第1端子部42bと第2端子部43bから発生する磁界とが強め合う。つまり、比較例では、バスバ40bと第1磁気シールドとの間の領域で磁界が強め合う。従って、比較例では、図9の左から右への矢印方向で示すように、左側のセンサ相で強め合った磁界が右側のセンサ相へ流入する。
この結果、右側のセンサ相では、自身のバスバ40bから発生した磁界に加えて、左側のセンサ相からの磁界を検知することになる。よって、右側のセンサ相では、左側のセンサ相からの磁界の影響を受けて、検出精度が低下する。つまり、右側のセンサ相では、検出値に誤差が発生する。
これに対して、電流センサ100は、磁気検出部10が対向する対向部41と、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に屈曲した第1端子部42とを含むバスバ40を備えている。このため、電流センサ100では、図5に示すように、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域において、バスバ40に電流が流れることで対向部41から第1磁界mf1が発生する。さらに、電流センサ100では、図5に示すように、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域において、バスバ40に電流が流れることで第1端子部42から第2磁界mf2が発生する。
よって、電流センサ100では、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域において、バスバ40に電流が流れることで対向部41から発生する磁界と、バスバ40に電流が流れることで第1端子部42から発生する磁界とが打ち消し合う。つまり、電流センサ100では、打消し領域cfで両磁界が打ち消し合う。なお、打消し領域cfや第1磁界mf1〜第3磁界mf4は、イメージである。
よって、電流センサ100は、比較例よりも、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域に発生した磁界が、隣りのセンサ相の磁気検出部10に影響することを抑制できる。つまり、電流センサ100は、比較例よりも、図6の左から右への矢印方向で示す隣りのセンサ相への磁界の流入を抑制できる。従って、電流センサ100は、比較例よりも、隣りのセンサ相から流入する磁界による検出精度の低下を抑制できる。つまり、右側のセンサ相では、比較例よりも、検出値に誤差が発生することを抑制できる。また、電流センサ100は、隣りのセンサ相からの磁界の流入を受けにくい形状のバスバ40を備えていると言える。
さらに、本実施形態では、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に屈曲した第2端子部43を含むバスバ40を備えた電流センサ100を採用している。このため、電流センサ100は、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域において、バスバ40に電流が流れることで対向部41から発生する第1磁界mf1と、バスバ40に電流が流れることで第2端子部43から発生する第2磁界mf2とが打ち消し合う。つまり、電流センサ100では、打消し領域cfで両磁界が打ち消し合う。従って、電流センサ100は、検出精度の低下をより一層抑制できる。
なお、バスバ40は、対向部41に対して、第1端子部42や第2端子部43が直角に屈曲していなくてもよい。バスバ40は、対向部41から第1磁気シールド31側ではなく第2磁気シールド32側に、第1端子部42や第2端子部43が屈曲していればよい。これによっても、電流センサ100は、比較例よりも検出精度の低下を抑制できる。
また、電流センサ100は、第1端子部42と第2端子部43を回路基板20や磁気検出部10側に屈曲させていない。このため、電流センサ100は、バスバ40が形成されたハウジング50に対して、磁気検出部10が形成された回路基板20を取り付けやすい。つまり、電流センサ100は、第1端子部42と第2端子部43との間隔に影響されずに、ハウジング50に回路基板20を取り付けることができる。さらに、電流センサ100は、第1端子部42と第2端子部43との間に回路基板20が配置されていないので、バスバ40と回路基板20との絶縁距離を保ちやすい。
また、電流センサ100は、磁気平衡式の電流センサ100であり、且つ、隣相からの磁界流入が抑制されているため、相殺磁界を発生させるためのフィードバック電流Ifbを小さくできる。よって、電流センサ100は、省電力化が可能である。
以上、本開示の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本開示は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
(変形例)
ここで、図7を用いて、変形例の電流センサ110に関して説明する。ここでは、電流センサ100における電流センサ100と異なる点に関して説明する。電流センサ110は、バスバ40aの形状が電流センサ100と異なる。なお、電流センサ110の構成要素において、電流センサ100と同様である箇所に関しては、電流センサ100と同じ符号を付与している。よって、電流センサ100と同じ符号が付与されている箇所は、上記実施形態を参照して適用できる。
ここで、図7を用いて、変形例の電流センサ110に関して説明する。ここでは、電流センサ100における電流センサ100と異なる点に関して説明する。電流センサ110は、バスバ40aの形状が電流センサ100と異なる。なお、電流センサ110の構成要素において、電流センサ100と同様である箇所に関しては、電流センサ100と同じ符号を付与している。よって、電流センサ100と同じ符号が付与されている箇所は、上記実施形態を参照して適用できる。
バスバ40aは、対向部41に対して、第2端子部43aが屈曲していない。つまり、第2端子部43aは、対向部41に対して、直線状に設けられている。このような構成であっても、電流センサ110は、電流センサ100と同様に、対向部41と第1磁気シールド31との間の領域において、対向部41から発生する磁界と、第1端子部42から発生する磁界とが打ち消し合う。
よって、電流センサ110は、電流センサ100と同様に、比較例よりも検出精度の低下を抑制でき、検出値に誤差が発生することを抑制できる。つまり、本開示の電流経路は、第1端子部と第2端子部の少なくとも一方が屈曲していればよい。これによっても、本開示は、比較例よりも検出精度の低下を抑制でき、検出値に誤差が発生することを抑制できる。
10…センサ素子、11…第1抵抗、12…磁気検出素子、13…オペアンプ、14…フィードバックコイル、15…第2抵抗、20…回路基板、31…第1磁気シールド、32…第2磁気シールド、40…バスバ、41…対向部、42…屈曲部、43…端子部、44…第1ねじ穴、50…ハウジング、51…固定部、52…第2ねじ穴、P1…第1センサ相、P2…第2センサ相、P3…第3センサ相、P4…第4センサ相、P5…第5センサ相、P6…第6センサ相、IL…リアクトル電流相、100,110…電流センサ
Claims (5)
- 電流経路に流れる電流を検知する電流センサであって、
前記電流経路(40)と、
前記電流経路の一部に対向配置されて、前記電流経路に電流が流れることで前記電流経路から発生する磁界を検知して電気信号に変換する磁気検出素子(12)を含む磁気検出部(10)と、
前記磁気検出部に対する外乱磁界を抑制するものであり、前記電流経路の一部と前記磁気検出部とを挟み込みつつ対向配置された対を成す第1磁気シールド(31)と第2磁気シールド(32)と、を含み、
前記第2磁気シールド、前記電流経路、前記磁気検出部、前記第1磁気シールドの順で積層されたセンサ相を複数備えており、
複数の前記センサ相は、積層方向に直交する方向に隣り合って配置されており、
前記電流経路が、前記磁気検出部が対向する対向部(41)と、前記対向部から前記第1磁気シールド側ではなく前記第2磁気シールド側に屈曲した屈曲部(42)と、を備えている電流センサ。 - 前記屈曲部が、前記対向部に対して直角に屈曲している請求項1に記載の電流センサ。
- 前記電流経路が、前記対向部の一方の端部に前記屈曲部が設けられており、他方の端部に、前記対向部から前記第1磁気シールド側ではなく前記第2磁気シールド側に屈曲した第2屈曲部(43)を備えている請求項1又は2に記載の電流センサ。
- 前記第2屈曲部が、前記対向部に対して直角に屈曲している請求項3に記載の電流センサ。
- 前記磁気検出素子が検知する前記磁界を相殺するための相殺磁界を発生する電磁石(14)と、
前記相殺磁界を形成するための相殺電流を前記電磁石に供給する供給部(13)と、を備え、
前記相殺電流に基づいて前記電流経路に流れる電流を検知する請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電流センサ。
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