JP2018182014A - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隣接画素に電荷が漏れることによる表示品質の低下を抑制することを目的とする。
【解決手段】表示装置１００において、複数の画素Ｐと、複数の画素Ｐを跨って設けられる発光素子層１４と、前記複数の画素Ｐのうち互いに隣接する画素を区画するように設けられるバンク１３と、を有し、発光素子層１４は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層１４ｂを含み、ｐドープ正孔輸送層１４ｂは、バンク１３上で分離して複数の画素Ｐそれぞれに設けられる。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置としては、下部電極（アノード電極）と、下部電極上に設けられる発光層と、発光層上に設けられる上部電極（カソード電極）とを有する発光素子層を備えるものがある。発光素子層としては、複数の画素を跨って設けられるものが知られている。また、発光素子層としては、正孔を下部電極から発光層へ輸送するための正孔輸送層を含むものが知られている。正孔輸送層としては、有機物質を含むｐドープ材料が添加されたものが知られている（例えば、特許文献１）。

特表２００４−５３７１４９号公報

ｐドープ材料が添加された正孔輸送層は、正孔輸送性能が高い。そのため、ｐドープ材料が添加された正孔輸送層を画素間を跨って設けた場合、隣接画素に電荷が漏れ、意図せず隣接画素が発光してしまうおそれがある。その結果、混色（電気混色）が生じることにより表示品質が低下するおそれがある。

本発明は、隣接画素に電荷が漏れることによる表示品質の低下を抑制することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素を跨って設けられる発光素子層と、前記複数の画素のうち互いに隣接する画素を区画するように設けられる絶縁層と、を有し、前記発光素子層は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層を含み、前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層上で分離して前記複数の画素それぞれに設けられることを特徴とする。

本発明の一態様の表示装置の製造方法は、複数の画素のうち互いに隣接する画素を区画するように絶縁層を設ける工程と、前記複数の画素を跨って正孔輸送層を設ける工程と、前記正孔輸送層にｐドープ材料を添加することで、前記絶縁層上で分離するように前記複数の画素それぞれにｐドープ正孔輸送層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

本実施形態に係る表示装置の全体構成の概略を示す斜視図である。 本実施形態の回路基板の概略を示す概略断面図である。 本実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す模式図である。 図４は、正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。 ｐドープ正孔輸送層の配置を示す平面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。

以下、本発明の実施形態（以下、本実施形態という）について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成の概略を示す斜視図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置１００は、例えば、赤色、緑色、青色からなる複数色の画素Ｐを組み合わせて、フルカラー画像を表示するようになっている。

図１に示すように、表示装置１００は、回路基板１０と、対向基板２０とを有する。対向基板２０は、充填層３０（図２、図３参照）を介して、回路基板１０に対向して配置される。

回路基板１０は、表示領域Ａと、表示領域Ｍ周辺の額縁領域Ｎと、端子領域Ｔとを有する。表示領域Ｍには、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置される。なお、図１においては、１の画素Ｐのみを図示するが、画素Ｐは表示領域Ｍの略全域に設けられる。端子領域Ｔには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップが搭載される。なお、図示しないが、端子領域Ｔには外部との電気的接続のためにフレキシブル配線基板等を接続してもよい。

図２は、本実施形態の回路基板の概略を示す概略断面図である。回路基板１０は、基板１１と、絶縁性の平坦化層１２と、絶縁性のバンク（絶縁層）１３と、発光素子層１４と、封止層１５とを含む。発光素子層１４は、少なくとも、アノード電極（下部電極）１４ａと、ｐドープ正孔輸送層（ｐドープＨＴＬ（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ））１４ｂと、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４ｃと、発光層（ＥＭＬ、ＥＭｉｓｓｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）１４ｄと、カソード電極（上部電極）１４ｅとを含む。

詳細な構成の図示は省略するが、基板１１としては、薄膜トランジスタを備え、その下層にガラス基板や樹脂基板を含むものを用いるとよい。平坦化層１２は、基板１１上に設けられ、アノード電極１４ａ及びアノード電極１４ａの下層に設けられる反射メタル１４ｆを平坦に形成する役割を担う。平坦化層１２としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料を用いるとよい。バンク１３は、各画素Ｐを区画するように設けられる。バンク１３は、アノード電極１４ａと発光素子層１４（ｐドープ正孔輸送層１４ｂ）の一部を隔離させるように設けられる。また、バンク１３には、アノード電極１４ａの一部を露出するよう開口が設けられている。

発光層１４ｄは、例えば、蒸着により形成される。発光層１４ｄは、アノード電極１４ａとｐドープ正孔輸送層１４ｂが接する領域において発光し、アノード電極１４ａとｐドープ正孔輸送層１４ｂが隔離された領域においては発光しない。封止層１５は、水分が外部から発光層１４ｄに侵入するのを防ぐために設けられる層であり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などからなる少なくとも一層の無機絶縁層を含み、複数の絶縁層による積層構造であってもよい。なお、カソード電極１４ｅ、及び封止層１５等は、複数の画素Ｐを跨って、表示領域Ｍの略全面に成膜される。アノード電極１４ａは、複数の画素Ｐ（赤色画素ＰＲ、緑色画素ＰＧ、青色画素ＰＢ）のそれぞれに対応するように設けられる。また、アノード電極１４ａは、平坦化層１２を貫通して設けられるコンタクトホールを通じて、配線層と導通する構造となっている。

アノード電極１４ａとしては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な材料を用いるとよい。また、アノード電極１４ａの下層には、銀やアルミニウムなどの光を反射する反射メタル１４ｆを配置するとよい。カソード電極１４ｅとしては、アノード電極１４ｅと同様に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な材料を用いるとよい。

図３は、本実施形態に係る表示装置の積層構造を模式的に示す模式図である。発光素子層１４は、上述したアノード電極１４ａ、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃ、発光層１４ｄ、カソード電極１４ｅ、反射メタル１４ｆに加えて、さらに、図３に示すように、電子障壁層（ＥＢＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）と、正孔障壁層（ＨＢＬ、Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）と、電子輸送層（ＥＴＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）と、電子注入層（ＥＩＬ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）とを含んでもよい。これら各層は、図３に示すように、反射メタル１４ｆ、アノード電極１４ａ、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃ、電子障壁層、発光層１４ｄ、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層、カソード電極１４ｅの順に下層から積層されるとよい。

ここで、表示装置１００における発光原理について説明する。発光層１４ｄの両端に設けられるアノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｅに電圧を印加すると、正の電荷を持った正孔（ホール）が、アノード電極１４ａからｐドープ正孔輸送層１４ｂ、正孔輸送層１４ｃを通って発光層１４ｄに流れ込み、負の電荷を持った電子が、カソード電極１４ｅから電子注入層、電子輸送層を通って発光層１４ｄに流れ込む。なお、発光層１４ｄの上層に、正孔障壁層が設けられるため、アノード電極１４ａから発光層１４ｄに流れ込んできた正孔は、発光層１４ｄよりもカソード電極１４ｅ側へは移動しない。また、発光層１４ｄの下層に、電子障壁層が設けられるため、カソード電極１４ｅから発光層１４ｄに流れ込んできた電子は、発光層１４ｄよりもアノード電極１４ａ側へは移動しない。

発光層１４ｄにおいて、電子と正孔が結合し、結合によって生じたエネルギーで周りの分子が励起される。そして、励起状態から再び基底状態に戻る。その際に、放出されるエネルギーによって光を発する。すなわち、発光層１４ｄにおいて電子と正孔が再結合し、発光層１４ｄを形成する有機材料が励起され、高エネルギー準位から低エネルギー準位に遷移することにより発光する。

図３に示すように、発光層１４ｄから発せられた光の一部は、表示面側（対向基板２０側）に進む。表示面側に進む光Ｌ１は、表示面側から表示装置１００の外部に取り出される。一方、発光層１４ｄから発せられた光の他の一部は、表示面側の反対側に進む。表示面の反対側に進む光Ｌ２は、反射メタル１４ｆで反射された後、表示面側から表示装置１００の外部に取り出される。なお、反射メタル１４ｆを省略して、アノード電極１４ａを光を反射する材料で形成し、光Ｌ２をアノード電極１４ａの表面で反射させる構成としても構わない。

発光層１４ｄとしては、白色発光する材料を用いるとよい。そして、例えば、対向基板２０に各画素Ｐ（ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）に対応するようにカラーフィルタを配置するとよい。カラーフィルタとしては、赤色の光を透過するカラーフィルタ、緑色の光を透過するカラーフィルタ、青色の光を透過するカラーフィルタを用いることにより、フルカラー画像を表示できるようにするとよい。または、カラーフィルタを用いることなく、発光層１４ｄとして赤色、緑色、青色の発光をする材料を用い、それら発光層１４ｄを各画素Ｐにそれぞれ塗り分けて設ける構成であってもよい。

次に、図４を参照して、従来例と比較しつつ、本実施形態における正孔輸送のメカニズムについて説明する。図４（ａ）は、従来例における正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。図４（ｂ）は、本実施形態における正孔輸送のメカニズムを説明するための概念図である。図４（ａ）、図４（ｂ）において、Ｙ方向はエネルギー（ｅＶ）の大きさを示すものであり、各層のＹ方向の正方向側がＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）であり、Ｙ方向の負方向側がＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）である。また、図４（ａ）、図４（ｂ）において、Ｘ方向の正方向がカソード電極１４ｅ側であり、Ｘ方向の負方向がアノード電極１４ａ側である。

従来例においては、正孔輸送層１４ｃの下層には、正孔注入層（ＨＩＬ、Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が設けられている。正孔注入層は、隣接する正孔輸送層との界面において、電荷分離により正孔及び電子を発生させる機能を有する。正孔注入層は、正孔注入材料である２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ（Hexacyano）−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（hexaazatriphenylene）（ＨＡＴ−ＣＮ）、ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン（Ｆ_１６ＣｕＰｃ）等により構成される。これら正孔注入材料のＬＵＭＯは、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料のＨＯＭＯと比較的近い値である。

一方、本実施形態においては、上記正孔注入材料からなる正孔注入層の代わりに、正孔輸送層１４ｃの下層には、正孔輸送層に有機物質を含むｐドープ材料が添加されてなるｐドープ正孔輸送層１４ｂが設けられている。正孔輸送層１４ｃは、発光層１４ｄへ正孔を輸送する機能を有する。一方、ｐドープ材料が添加されてなるｐドープ正孔輸送層１４ｂは、正孔輸送層とｐドープのバルクにおいて、電荷分離により正孔及び電子を発生させ、発光層１４ｄへ正孔を輸送する機能を有する。

正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、例えば、１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）、ビス（Ｎ−（（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Triphenylamine−tetramer（ＴＰＴＥ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン（ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）などを用いるとよい。ｐドープ材料としては、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化レニウム（Ｒｅ_２０_７）、フッ素化テトラシアノキノジメタン（Ｆ_４−ＴＣＮＱ）などを用いるとよい。正孔輸送材料のＨＯＭＯのエネルギー準位の値はおよそ５．０〜５．５（ｅＶ）であり、ｐドープ材料のＬＵＭＯと比較的近い値である。

アノード電極１４ａ及びカソード電極１４ｅに電圧を印加すると、電荷分離により、正（＋）の電荷を持つ正孔と、負（−）の電荷を持つ電子が発生する。図４（ａ）に示すように、従来例においては、正孔輸送層１４ｃと正孔注入層との界面において、電荷分離が生じることにより正孔と電子が発生し、正孔はカソード電極１４ｅ側（Ｘ方向の正方向）に移動する。一方、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにおける、正孔輸送層と、正孔輸送層に添加されたｐドープ材料とのバルクにおいて、電荷分離が生じることにより正孔と電子が発生し、正孔はカソード電極１４ｅ側（Ｘ方向の正方向）に移動する。

従来例の構成においては、正孔輸送層１４ｃと正孔注入層との界面のみにおいて電荷分離が生じるのに対して、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂにおける、正孔輸送層と、その正孔輸送層に添加されたｐドープ材料とのバルクにおいて電荷分離が生じるため、電荷分離の発生箇所が多くなる。そのため、本実施形態の構成においては、従来例の構成よりも、正孔の発生数が多く、正孔輸送性能（正孔注入性能）が高い。したがって、本実施形態においては、より低電圧で、正孔を発光層１４ｄへ移動させることができる。なお、添加されるｐドープ材料の量が多いほど、ｐドープ正孔輸送層１４ｂの正孔輸送性能は高くなる。

また、正孔注入層としては、フッ素を含む有機材料が用いられることがあるが、フッ素系分子は表面張力が低く、十分な密着性が得られなかった。すなわち、正孔注入層とアノード電極１４ａとが剥がれやすいという問題があった。また、正孔注入層として、金属や酸化物を使用した場合においては、十分な透過率が得られず発光効率が低下するという問題があった。本実施形態のように、正孔注入層の代わりに、フッ素を含まないｐドープ正孔輸送層１４ｂを用いることで、密着性や透過率の問題点を解消することができる。

次に、図２及び図５を参照して、本実施形態におけるｐドープ正孔輸送層の構成の詳細について説明する。図５は、ｐドープ正孔輸送層の配置を示す平面図である。本実施形態においては、図２、図５に示すように、緑色画素ＰＧが、赤色画素ＰＲ及び青色画素ＰＢに隣接するように配置した。なお、画素の配置はこれに限られるものではない。また、各画素それぞれにｐドープ正孔輸送層１４ｂを、隣接画素間で分離するように配置した。
ｐドープ正孔輸送層１４ｂは、図２に示すように、バンク１３から露出するアノード電極１４ａ上及びバンク１３の開口端部付近に設けられる。なお、図５においては、複数の画素Ｐ（ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）を跨ってｐドープ正孔輸送層１４ｂ上に配置される正孔輸送層１４ｃ、発光層１４ｄ、カソード電極１４ｅ、封止層１５等の図示は省略し、画素Ｐの配置と、ｐドープ正孔輸送層１４ｂの配置のみを示す。

上述したように、ｐドープ正孔輸送層１４ｃを採用する本実施形態の構成は、正孔注入層を採用する従来例の構成と比較して、正孔輸送性能が高い。そのため、複数の画素Ｐを跨ってｐドープ正孔輸送層を設けた場合、隣接する画素に電荷が漏れてしまい、隣接する画素が意図せず発光してしまうおそれがある。それにより、混色が生じ、色純度、コントラストが低下するおそれがある。その結果、表示品質が低下するおそれがある。特に、隣接する画素の色が互いに異なる場合、表示品質の低下が顕著となってしまう。

そこで、本実施形態においては、ｐドープ正孔輸送層１４ｂをバンク１３上で分離して複数の画素Ｐそれぞれに設ける構成を採用した。このような構成を採用するため、ｐドープ正孔輸送層１４ｂが分離した領域においては、正孔が移動することができない。図２中の矢印は、緑色画素ＰＧで発生した正（＋）の電荷を持った正孔の移動方向を示す。緑色画素ＰＧで発生した正孔の一部は、ｐドープ正孔輸送層１４ｂを通って、隣接する赤色画素ＰＲ及び青色画素ＰＢへ向かう方向に移動する。しかしながら、ｐドープ正孔輸送層１４ｂは、バンク１３上において、緑色画素ＰＧと赤色画素ＰＲの間、及び緑色画素ＰＧと青色画素ＰＢの間で分離されているため、正孔は、ｐドープ正孔輸送層１４ｂを通って隣接する画素へ到達できない。本実施形態においては、このような構成を採用するため、隣接する画素Ｐに電荷が漏れるのを抑制できる。そのため、混色（電気混色）が生じにくく、表示品質の向上を図ることができる。

次に、図６を参照して、表示装置１００の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。

まず、基板１１を用意する（ステップＳ１）。基板１１上に平坦化層１２を設け（ステップＳ２）、平坦化層１２上にアノード電極１４ａを設ける（ステップＳ３）。平坦化層１２及びアノード電極１４ａ上に、複数の画素Ｐのうち互いに隣接する画素を区画し、アノード電極１４ａの一部を露出するようにバンク１３を設ける（ステップＳ４）。複数の画素Ｐを跨って正孔輸送層を設ける（ステップＳ５）

正孔輸送層にｐドープ材料を添加することにより、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層１４ｂを形成する。この際、バンク１３上で分離するようにｐドープ正孔輸送層１４ｂを形成する（ステップＳ６）。バンク１３上で分離するように正孔輸送層を設ける工程は、例えば、隣接する画素Ｐを跨って、正孔輸送層をアノード１４ａ及びバンク１３上に蒸着し（ベタ成膜）、メタルマスク等をバンク１３上に配置した状態で、蒸着された正孔輸送層にｐドープ材料を添加し、アノード電極１４ａ上及びバンク１３の開口端部上にのみｐドープ正孔輸送層１４ｂを形成することにより行うとよい。または、隣接する画素Ｐを跨って、正孔輸送層をアノード電極１４ａ及びバンク１３上に蒸着し（ベタ成膜）、蒸着された正孔輸送層の全域にｐドープ材料を添加し、その後、レーザアブレ−ションにより、バンク１３上のｐドープ材料を除去することにより行うとよい。または、ｐドープ正孔輸送層１４ｂを複数の画素Ｐを跨って設けた後、バンク１３上のｐドープ正孔輸送層１４ｂの厚さを無視できる程度に薄くなるように、鋳型などでｐドープ正孔輸送層１４ｂを押し潰す方法を採用してもよい。

その後、ｐドープ正孔輸送層１４ｂ上に、複数の画素Ｐを跨って正孔輸送層１４ｃを設ける（ステップＳ７）。さらに、下層から順に、電子障壁層、発光層１４ｄ、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層を積層し（ステップＳ８）、その上に、カソード電極１４ｅ、封止層１５を順に設ける（ステップＳ９、Ｓ１０）。その後、充填層３０を介して、封止層１５上に対向基板２０を設ける（ステップＳ１１）。

１０ 回路基板、１１ 基板、１２ 平坦化層、１３ バンク、１４ 発光素子層、１４ａ アノード電極、１４ｂ ｐドープ正孔輸送層、１４ｃ 正孔輸送層、１４ｄ 発光層、１４ｅ カソード電極、１４ｆ 反射メタル、１５ 封止層、２０ 対向基板、３０ 充填層、１００ 表示装置、Ｐ 画素、ＰＲ 赤色画素、ＰＧ 緑色画素、ＰＢ 青色画素、Ｍ 表示領域、Ｎ 額縁領域、Ｔ 端子領域。

Claims (9)

1. 複数の画素と、
   前記複数の画素を跨って設けられる発光素子層と、
   前記複数の画素のうち互いに隣接する画素を区画するように設けられる絶縁層と、
   を有し、
   前記発光素子層は、ｐドープ材料を含有するｐドープ正孔輸送層を含み、
   前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層上で分離して前記複数の画素それぞれに設けられることを特徴とする表示装置。
2. 前記発光素子層は、前記発光層と、前記発光層の下部に配置される下部電極と、前記発光層の上部に配置される上部電極とを含み、
   前記絶縁層は、前記下部電極の一部を露出するように設けられ、
   前記ｐドープ正孔輸送層は、前記絶縁層から露出した前記下部電極上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記互いに隣接する画素は、互いに色の異なる画素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記ｐドープ正孔輸送層上に、前記複数の画素を跨って設けられる正孔輸送層をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 複数の画素のうち互いに隣接する画素を区画するように絶縁層を設ける工程と、
   前記複数の画素を跨って正孔輸送層を設ける工程と、
   前記正孔輸送層にｐドープ材料を添加することで、前記絶縁層上で分離するように前記複数の画素それぞれにｐドープ正孔輸送層を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 前記絶縁層を設ける工程の前に、下部電極を設ける工程を含み、
   前記絶縁層を設ける工程において、前記下部電極の一部を露出するように前記絶縁層を設け、
   前記ｐドープ正孔輸送層を形成する工程において、前記絶縁層から露出した前記下部電極上に前記ｐドープ正孔輸送層を形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記ｐドープ正孔輸送層を形成する工程において、前記絶縁層上にマスクを配置した状態で、前記正孔輸送層に前記ｐドープ材料を添加することを特徴とする請求項５又は６に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記ｐドープ正孔輸送層を形成する工程において、前記複数の画素を跨って前記ｐドープ正孔輸送層が形成されるように前記ｐドープ材料を添加し、その後、前記絶縁層上において前記正孔輸送層に添加されたｐドープ材料を除去することを特徴とする請求項５又は６に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記ｐドープ正孔輸送層上に、前記複数の画素を跨って正孔輸送層をさらに設ける工程を含むことを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

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