JP2018181926A - 基板洗浄装置、基板洗浄方法および基板洗浄装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い洗浄性能を有する基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに、そのような基板洗浄装置の制御装置および制御プログラムを提供する。
【解決手段】基板を保持して回転させる基板保持回転部と、回転する前記基板に接触して前記基板を洗浄する長尺状の洗浄部材と、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側に配置された第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、前記第１ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第１ノズル側の第１領域に、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給し、前記第２ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第２ノズル側であって、少なくとも基板の周縁部外側の領域を含む前記第１領域より広い第２領域に液体を供給する、基板洗浄装置が提供される。
【選択図】図３

Description

本発明は、液体を供給しながら基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法ならびにそのような基板洗浄装置の制御方法に関する。

液体を供給しながらロールスポンジで基板を洗浄する技術が知られている（特許文献１，２）。液体を供給するノズルとして、噴霧ノズルや単管ノズルが用いられる。単管ノズルからは狭い領域にしか液体を供給できないため、広い領域に液体を供給するためには噴霧ノズルが有用である。

しかしながら、噴霧ノズルは洗浄に用いられた液体を基板外に排出する性能が低いため、洗浄後に液体や異物が基板上に残ることがある。そうすると、基板の洗浄性能が低下してしまうという問題がある。

特開２０１５−１５２８４号公報 特開２０１５−２０１６２７号公報

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、高い洗浄性能を有する基板洗浄装置および基板洗浄方法、ならびに、そのような基板洗浄装置の制御方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、基板を保持して回転させる基板保持回転部と、回転する前記基板に接触して前記基板を洗浄する長尺状の洗浄部材と、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側に配置された第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、前記第１ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第１ノズル側の第１領域に、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給し、前記第２ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第２ノズル側であって、少なくとも基板の周縁部外側の領域を含む前記第１領域より広い第２領域に液体を供給する、基板洗浄装置が提供される。
第１ノズルから勢いよく液体を供給することで、洗浄に用いられた液体を効率よく基板から排出でき、洗浄力が向上する。

前記第１ノズルは単管ノズルであり、前記第２ノズルはスプレー型ノズルであってもよい。また、前記洗浄部材はロール型であってもよい。

前記第１領域は、前記基板の中心近傍であり、前記第２領域は、一端の少なくとも一部が前記第１領域の少なくとも一部と重複しており、他端が前記基板の縁まで延びていてもよい。
このように第１領域および第２領域を設定することで、洗浄に用いられた液体を効率よく基板から排出できる。

前記第２領域の長手方向は、前記洗浄部材の長手方向とは非平行であり、前記基板の縁に近いほど前記第２領域は前記洗浄部材と離れるのが望ましい。
これにより、液膜が保護されるとともに、第２ノズルから供給される液体が基板Ｗの外に向かって流れるのが妨げられない。

前記第１領域および前記第２領域は、回転する前記基板が前記洗浄部材に接触した後の領域に位置するのが望ましい。
前記第２ノズルからの液体供給方向は、前記基板の回転方向と逆行しないのが望ましい。
前記第２ノズルからの液体供給方向と、前記洗浄部材と前記基板とが接触する位置における前記洗浄部材の回転方向と、が一致するのが望ましい。

前記第１ノズルは、アタッチメントを介して液体供給源からの配管に接続され、前記アタッチメントにおける液体が通る孔の径は、前記配管の径より小さいのが望ましい。
これにより、第１ノズルから供給される液体の勢いを増すことができる。

本発明の別の態様によれば、基板を保持して回転させることと、前記基板に接触して前記基板を長尺状の洗浄部材で洗浄すること、第１ノズルから前記基板における第１領域に液体を供給しつつ、第２ノズルから前記基板における第２領域に液体を供給することと、を含み、前記第１領域および前記第２領域は、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側であり、前記第２領域は、前記第１領域より広く、前記第１ノズルは、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給する、基板洗浄方法が提供される。

本発明の別の態様によれば、基板洗浄装置を制御する方法であって、基板を保持して回転させることと、前記基板に接触して前記基板を長尺状の洗浄部材で洗浄させること、第１ノズルから前記基板における第１領域に液体を供給しつつ、第２ノズルから前記基板における第２領域に液体を供給させることと、を含み、前記第１領域および前記第２領域は、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側であり、前記第２領域は、前記第１領域より広く、前記第１ノズルは、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給する、基板洗浄装置の制御方法が提供される。

洗浄後の液体が効率よく基板外に排出されるため、基板の洗浄力が向上する。さらに、結果として単位時間当たりの洗浄能力を高めることができるので、洗浄液の使用量を削減することができる。

一実施形態に係る基板処理装置の概略上面図。 基板洗浄装置４を模式的に示す斜視図。 ロールスポンジ３０７の側面図。 基板Ｗ、ロールスポンジ３０７，３０８、洗浄液供給ノズル３１５，３１６および薬液供給ノズル３１７，３１８を模式的に示す図。 本実施形態の効果を確認するために行った実験結果を示す図。 変形例である基板洗浄装置の正面図。 変形例である基板洗浄装置の側面図。

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置の概略上面図である。本基板処理装置は、直径３００ｍｍあるいは４５０ｍｍの半導体ウエハ、フラットパネル、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）やＣＣＤ（Charge Coupled Device）などのイメージセンサ、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）における磁性膜の製造工程において、種々の基板を処理するものである。

基板処理装置は、略矩形状のハウジング１と、多数の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート２と、１または複数（図１に示す態様では４つ）の基板研磨装置３と、１または複数（図１に示す態様では２つ）の基板洗浄装置４と、基板乾燥装置５と、搬送機構６ａ〜６ｄと、制御部７とを備えている。

ロードポート２は、ハウジング１に隣接して配置されている。ロードポート２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦポッド、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板としては、例えば半導体ウエハ等を挙げることができる。

基板を研磨する基板研磨装置３、研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置４、洗浄後の基板を乾燥させる基板乾燥装置５は、ハウジング１内に収容されている。基板研磨装置３は、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、基板洗浄装置４および基板乾燥装置５も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。

ロードポート２、ロードポート２側に位置する基板研磨装置３および基板乾燥装置５に囲まれた領域には、搬送機構６ａが配置されている。また、基板研磨装置３ならびに基板洗浄装置４および基板乾燥装置５と平行に、搬送機構６ｂが配置されている。搬送機構６ａは、研磨前の基板をロードポート２から受け取って搬送機構６ｂに受け渡したり、基板乾燥装置５から取り出された乾燥後の基板を搬送機構６ｂから受け取ったりする。

２つの基板洗浄装置４間に、これら基板洗浄装置４間で基板の受け渡しを行う搬送機構６ｃが配置され、基板洗浄装置４と基板乾燥装置５との間に、これら基板洗浄装置４と基板乾燥装置５間で基板の受け渡しを行う搬送機構６ｃが配置されている。

さらに、ハウジング１の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部７が配置されている。本実施形態では、ハウジング１の内部に制御部７が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング１の外部に制御部７が配置されてもよい。

図２は、基板洗浄装置４を模式的に示す斜視図である。基板洗浄装置４は、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させる４つのローラ３０１〜３０４（基板保持回転部）と、基板Ｗの上下面にそれぞれ接触して基板Ｗを洗浄するロールスポンジ３０７，３０８（洗浄部材）と、これらのロールスポンジ３０７，３０８を回転させる回転機構３１０，３１１と、基板Ｗの上下面に洗浄液（例えば純水）を供給する洗浄液供給ノズル３１５，３１６と、基板Ｗの上下面に薬液を供給する薬液供給ノズル３１７，３１８とを備えている。

ローラ３０１は、保持部３０１ａおよび肩部（支持部）３０１ｂの２段構成となっている。肩部３０１ｂの直径は保持部３０１ａの直径よりも大きく、肩部３０１ｂの上に保持部３０１ａが形成されている。ローラ３０２〜３０４も、ローラ３０１と同一の構成を有している。ローラ３０１〜３０４は図示しない駆動機構（例えばエアシリンダ）によって、互いに近接および離間する方向に移動可能となっている。また、ローラ３０１〜３０４のうちの少なくとも１つは図示しない回転機構によって回転駆動される。

上側のロールスポンジ３０７を回転させる回転機構３１０は、その上下方向の動きをガイドするガイドレール３２０に取り付けられている。また、この回転機構３１０は昇降駆動機構３２１に支持されており、回転機構３１０および上側のロールスポンジ３０７は昇降駆動機構３２１により上下方向に移動されるようになっている。

なお、図示しないが、下側のロールスポンジ３０８を回転させる回転機構３１１もガイドレールに支持されており、昇降駆動機構によって回転機構３１１および下側のロールスポンジ３０８が上下動するようになっている。なお、昇降駆動機構としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが使用される。

図２Ａは、ロールスポンジ３０７の側面図である。図示のように、ロールスポンジ３０７の表面には複数の凸部６０が設けられ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの多孔性ポリマー材料から形成される。

図２に戻り、基板Ｗの搬入搬出時には、ロールスポンジ３０７，３０８は互いに離間した位置にある。基板Ｗの洗浄時には、これらロールスポンジ３０７，３０８は互いに近接する方向に移動して基板Ｗの上下面に接触する。ロールスポンジ３０７，３０８が基板Ｗの上下面を押圧する力は、それぞれ昇降駆動機構３２１および図示しない昇降駆動機構によって調整される。上側のロールスポンジ３０７および回転機構３１０は昇降駆動機構３２１によって下方から支持されているので、上側のロールスポンジ３０７が基板Ｗの上面に加える押圧力は０［Ｎ］からの調整が可能である。

搬送機構６ｂにより搬送されてきた基板Ｗは、まずローラ３０１〜３０４の肩部３０１ｂ〜３０４ｂの上に載置され、その後ローラ３０１〜３０４が基板Ｗに向かって移動することにより保持部３０１ａ〜３０４ａに保持される。ローラ３０１〜３０４の少なくとも１つが回転駆動されることにより、基板Ｗはその外周部がローラ３０１〜３０４に保持された状態で回転する。

一方、搬送されてきた基板Ｗがローラ３０１〜３０４によって保持されると、上側のロールスポンジ３０７が下降するとともに下側のロールスポンジ３０８が上昇し、基板Ｗの上面および下面にそれぞれ接触する。そして、ロールスポンジ３０７，３０８は回転機構３１０，３１１によって回転駆動される。これにより、ロールスポンジ３０７，３０８は基板Ｗの上面および下面にそれぞれ接触しながら回転する。

このように基板Ｗおよびロールスポンジ３０７，３０８が回転した状態で、洗浄液供給ノズル３１５，３１６から洗浄液が供給され、薬液供給ノズル３１７，３１８から薬液が供給される。これによって基板Ｗが洗浄される。薬液はアンモニアなど基板処理装置における洗浄に一般的に使用される薬液である。なお、洗浄液および薬液を総称して単に液体とも呼ぶ。

本実施形態の特徴の１つは洗浄液供給ノズル３１５，３１６および薬液供給ノズル３１７，３１８からの液体供給形態にあり、この点について詳しく説明する。

図３は、基板Ｗ、ロールスポンジ３０７，３０８、洗浄液供給ノズル３１５，３１６および薬液供給ノズル３１７，３１８を模式的に示す図であり、上方および側方から見た図を示している。以下、基板Ｗは上方から見て時計回りに回転し、ロールスポンジ３０７は側方から見て時計回りに回転するものと
する。ロールスポンジ３０８は反時計回りに回転するものとする。

また、基板Ｗの中心を原点、ロールスポンジ３０７が延びる方向をｙ軸（図の上を正とする）、基板Ｗを通る平面においてｙ軸と直交する方向をｘ軸（図の右を正とする）とする座標系を定義する。なお、座標（ｘ，ｙ）の単位はｍｍである。そして、この座標系における基板Ｗの半径を１５０ｍｍとする。

ロールスポンジ３０７は長尺状であり、基板Ｗの中心上を通るように配置され、基板Ｗの直径以上の長さを有する。下側のロールスポンジ３０８も同様である。

洗浄液供給ノズル３１５，３１６および薬液供給ノズル３１７，３１８はｘ＜０の領域（つまり、ロールスポンジ３０７の長手方向に対して同じ側）に配置される。さらに詳しくは、洗浄液供給ノズル３１５および薬液供給ノズル３１７はスプレー型ノズル（第２ノズル）であり、ｘ＜０かつｙ＞０の領域に配置される。一方、洗浄液供給ノズル３１６および薬液供給ノズル３１８はピン型ノズル（第１ノズル）であり、ｘ＜０かつｙ＜０の領域に配置される。

スプレー型ノズルは噴霧ノズルとも呼ばれ、その先端には液体が通る複数の貫通孔が形成されていて該先端から拡がるように霧状に液体が供給される。一方、ピン型ノズルは単管ノズルとも呼ばれ、その先端からほとんど拡がらずに液体が勢いよく供給される。よって、スプレー型ノズルから供給された液体は、ピン型ノズルから供給された液体より広い基板Ｗ上の領域に着液する。一方、ピン型ノズルからはスプレー型ノズルより勢いよく液体が供給される。本実施形態では、ピン型ノズルおよびスプレー型ノズルのそれぞれの特徴を生かして、これらの配置を最適化するものである。

ピン型ノズルは液体供給源（不図示）からの配管に差し込む（接続する）アタッチメント付きのものとすることができる。配管径（例えば４ｍｍ程度）よりアタッチメントを小径（例えば１ｍｍ程度）とすることで、ピン型ノズルから供給する液体の勢いを増すことができる。

ピン型ノズルである洗浄液供給ノズル３１６および薬液供給ノズル３１８は、基板Ｗの中心に向かう方向に液体を供給し、着液領域Ｐは基板Ｗ上面の近傍、より具体的には、基板Ｗの中心よりやや手前側、例えば座標（−２０，−２０）を中心とする狭い領域となる。着液領域Ｐは基板Ｗとの距離が所定値以下となる領域とも言える。基板Ｗの中心付近は基板Ｗの回転による作用が小さく液体の動きが少ないが、ピン型ノズルから勢いよく液体を供給することで、液体を積極的に動かすことができる。

一方、スプレー型ノズルである洗浄液供給ノズル３１５および薬液供給ノズル３１７は、基板Ｗの回転方向と逆行しないよう、基板Ｗのｘ＜０かつｙ＞０の領域に向かって液体を供給し、着液領域Ｓは基板Ｗ上面の中心付近と縁との間、例えば座標（−２０，−２５）と（−６０，１３５）とを結ぶ線分近傍の領域となる。基板Ｗの中心から離れた領域では液体の供給量が不足しがちであるので、スプレー型ノズルから十分な量の液体を供給することができる。

このように、ピン型ノズルからの着液領域Ｐとスプレー型ノズルからの着液領域Ｓは、ロールスポンジ３０７の長手方向に対して同じ側（ピン型ノズルおよびスプレー型ノズルが配置された側）となる。言い換えると、着液領域Ｐ，Ｓは、回転する基板Ｗがロールスポンジ３０７に接触した後の領域に位置している。また、着液領域Ｓの一端の少なくとも一部は、着液領域Ｐの少なくとも一部と重複している。そして、着液領域Ｓの他端は基板Ｗの縁まで延びている。

ここで、着液領域Ｓの長手方向はロールスポンジ３０７の長手方向とは非平行であり、基板Ｗの縁に近いほど着液領域Ｓがロールスポンジ３０７から離れるのが望ましい。また、スプレー型ノズルから供給された液体の一部は基板Ｗの外側にはみ出る（すなわち、着液領域Ｓが基板Ｗの周縁部外側を含む）のが望ましい。

スプレー型ノズルから供給された液体は、基板Ｗの回転により、広い着液領域Ｓからロールスポンジ３０７の方に向かう。ロールスポンジ３０７と基板Ｗとの間に液体が介在した状態でロールスポンジ３０７が基板Ｗと接触して回転することで、基板Ｗが洗浄される。洗浄に用いられた液体はロールスポンジ３０７と基板Ｗとの間を通ってｘ＞０の領域に到達する。この液体は洗浄に用いられたため、汚染されていたり異物を含んだりしている。

一方、ピン型ノズルから供給された勢いがある液体は、狭い着液領域Ｐからロールスポンジ３０７と基板Ｗのほぼ中心との間を通り、ある程度勢いを保ったままｘ＞０の領域に到達する。そして、このピン型ノズルからの液体の勢いによって、洗浄に用いられたスプレー型ノズルからの液体は基板Ｗの外に排出される。

このように、ピン型ノズルから勢いよく液体を基板Ｗの中心に向かって供給することで、洗浄後の液体を基板Ｗから効率よく排出でき、洗浄後に薬液や異物が基板Ｗに残るのを抑制できる。

また、スプレー型ノズルからの着液領域Ｓをロールスポンジ３０７と非平行とすることで、液膜が保護されるとともに、ピン型ノズルから供給される液体が基板Ｗの外に向かって流れるのが妨げられない。すなわち、仮にロールスポンジ３０７に対して着液領域Ｓが平行であると、基板Ｗの縁近傍の液体は基板Ｗの回転による作用によって外側に排出されやすいが、基板Ｗの中心近傍の液体は基板Ｗの回転による作用が小さいため、排出に時間を要したり、基板Ｗ上に滞留したりしやすくなる傾向にある。

これに対し、本実施形態では、ロールスポンジ３０７に対して着液領域Ｓを非平行とする（基板Ｗの外側に向かって斜めとする）ことで、スプレー型ノズルから供給される液体は全て基板Ｗの外側に向かって流れる方向となり、排出性がよくなる。すなわち、基板Ｗ上に供給した液体が基板上に液溜まりとなることなく可能な限り素早く基板Ｗの外側に排出させ、基板Ｗ上の液体をリフレッシュすることができる。

さらに、通常スプレー型ノズルからの着液領域の端は液量が不足しやすいが、スプレー型ノズルからの液体の一部が基板Ｗの外側にはみ出すようにすることで、基板Ｗの縁近傍も液体の流量を確保できる。

また、ピン型ノズルからの着液領域Ｐとスプレー型ノズルからの着液領域Ｓとの間に隙間ができないように重複させることで、ピン型ノズルからの液体とスプレー型ノズルからの液体とを連動させて基板Ｗの外側にスムーズに液体を排出させることができる。

図４は、本実施形態の効果を確認するために行った実験結果を示す図である。本実験では、Ｌｏｗ−Ｋ（低誘電率）膜を有する基板（ＢＤ３）と、銅膜を有する基板（Ｃｕ）のそれぞれについて実験し、それぞれ、洗浄後に基板Ｗ上に残存するディフェクトの数をカウントとした。なお、Ｌｏｗ−Ｋ膜を有する基板（ＢＤ３）の場合は１００ｎｍ以上のディフェクトをカウントし、銅膜を有する基板（Ｃｕ）の場合は１１０ｎｍ以上のディフェクトをカウントした。

比較例は、図３におけるピン型ノズル３１６，３１８をともにスプレー型ノズルに置き換えた態様である。実施例１は図３に示す態様である。実施例２は、図３におけるロールスポンジ３０７の回転方向を反時計回りとし、ロールスポンジ３０８の回転方向を時計回りとした態様である。つまり、実施例２では、ロールスポンジ３０７と基板Ｗとが接触する位置におけるロールスポンジ３０７の回転方向が、スプレー型ノズルからの液体供給方向と一致する。

図４から分かるように、比較例に対して実施例１，２ではそれぞれＢＤ３を３０％および５０％に低減できた。

このように、本実施形態では、ピン型ノズルおよびスプレー型ノズルの両方を用い、着液領域Ｐ，Ｓを最適化する。すなわち、スプレー型ノズルから基板Ｗの手前側の広い領域に液体を供給し、ピン型ノズルから基板Ｗの中心付近の狭い領域に勢いよく液体を供給する。これにより、洗浄後の液体が基板Ｗの外に効率よく排出され、洗浄力が向上する。なお、基板Ｗの表面（パターンが形成される面）のみならず、裏面側に対しても上述したノズルの配置とすることで洗浄力が向上する。

なお、以上説明した基板洗浄装置４の動作の少なくとも一部は、制御装置によって制御されてもよい。具体的には、制御装置が、基板Ｗを保持して回転させたり、ロールスポンジ３０７，３０８で基板Ｗを洗浄させたり、ピン型ノズルおよびスプレー型ノズルから液体を供給させたりしてもよい。そして、制御装置は所定のプログラムを実行することによって基板処理装置を制御してもよい。

また、基板Ｗを水平方向に保持するのではなく、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、基板Ｗを垂直方向に保持してもよい。なお、基板Ｗの表面を洗浄するロールスポンジ３０７は時計回りに回転する場合、基板Ｗの裏面を洗浄するロールスポンジ３０８（図５Ｂ参照）は反時計回りに回転する。このように基板Ｗを垂直方向に保持する場合でも、スプレー型ノズルから基板Ｗの手前側（上側）の広い領域に液体を供給し、ピン型ノズルから基板Ｗの中心付近の狭い領域に勢いよく液体を供給すればよい。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

４ 基板洗浄装置
３０１〜３０４ ローラ
３０７，３０８ ロールスポンジ
３１０，３１１ 回転機構
３１５，３１６ 洗浄液供給ノズル
３１７，３１８ 薬液供給ノズル

Claims (11)

1. 基板を保持して回転させる基板保持回転部と、
   回転する前記基板に接触して前記基板を洗浄する長尺状の洗浄部材と、
   前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側に配置された第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、
   前記第１ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第１ノズル側の第１領域に、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給し、
   前記第２ノズルは、前記基板における前記洗浄部材より前記第２ノズル側であって、少なくとも基板の周縁部外側の領域を含む前記第１領域より広い第２領域に液体を供給する、基板洗浄装置。
2. 前記第１ノズルは単管ノズルであり、前記第２ノズルはスプレー型ノズルである、請求項１に記載の基板洗浄装置。
3. 前記洗浄部材はロール型である、請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
4. 前記第１領域は、前記基板の中心近傍であり、
   前記第２領域は、一端の少なくとも一部が前記第１領域の少なくとも一部と重複しており、他端が前記基板の縁まで延びている、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板洗浄装置。
5. 前記第２領域の長手方向は、前記洗浄部材の長手方向とは非平行であり、前記基板の縁に近いほど前記第２領域は前記洗浄部材と離れる、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板洗浄装置。
6. 前記第１領域および前記第２領域は、回転する前記基板が前記洗浄部材に接触した後の領域に位置する、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板洗浄装置。
7. 前記第２ノズルからの液体供給方向は、前記基板の回転方向と逆行しない、請求項１乃至６のいずれかに記載の基板洗浄装置。
8. 前記第２ノズルからの液体供給方向と、前記洗浄部材と前記基板とが接触する位置における前記洗浄部材の回転方向と、が一致する、請求項７に記載の基板洗浄装置。
9. 前記第１ノズルは、アタッチメントを介して液体供給源からの配管に接続され、
   前記アタッチメントにおける液体が通る孔の径は、前記配管の径より小さい、請求項１乃至８のいずれかに記載の基板洗浄装置。
10. 基板を保持して回転させることと、
    前記基板に接触して前記基板を長尺状の洗浄部材で洗浄すること、
    第１ノズルから前記基板における第１領域に液体を供給しつつ、第２ノズルから前記基板における第２領域に液体を供給することと、を含み、
    前記第１領域および前記第２領域は、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側であり、
    前記第２領域は、前記第１領域より広く、
    前記第１ノズルは、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給する、基板洗浄方法。
11. 基板洗浄装置を制御する方法であって、
    基板を保持して回転させることと、
    前記基板に接触して前記基板を長尺状の洗浄部材で洗浄させること、
    第１ノズルから前記基板における第１領域に液体を供給しつつ、第２ノズルから前記基板における第２領域に液体を供給させることと、を含み、
    前記第１領域および前記第２領域は、前記洗浄部材の長手方向に対して同じ側であり、
    前記第２領域は、前記第１領域より広く、
    前記第１ノズルは、前記第２ノズルより勢いよく液体を供給する、基板洗浄装置の制御方法。