JP2018181799A - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の端部と第２の端部を有する基板と、基板上の複数の発光素子と、複数の発光素子上のパッシベーション膜と、パッシベーション膜上のバリア層と、バリア層上のタッチセンサを有する表示装置が開示される。バリア層は、第１の端部に沿う第１の側壁と第２の端部に沿う第２の側壁を有し、基板の上面と第１の側壁間の第１の角度は、基板の上面と第２の側壁間の第２の角度と異なる。
【選択図】図６

Description

本発明の実施形態の一つは、表示装置、およびその製造方法に関する。例えばタッチセンサが搭載された表示装置とその製造方法に関する。

ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチセンサが知られている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献１では、有機ＥＬ表示装置にタッチセンサが搭載された電子機器が開示されている。ここでは、有機ＥＬ素子（以下、発光素子と記す）上に封止膜を形成し、その上にタッチセンサ用のタッチ電極が形成されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３０７２６号明細書

本発明に係る実施形態は、表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、第１の端部と第２の端部を有する基板と、基板上の複数の発光素子と、複数の発光素子上のパッシベーション膜と、パッシベーション膜上のバリア層と、バリア層上のタッチセンサを有する。バリア層は、第１の端部に沿う第１の側壁と第２の端部に沿う第２の側壁を有し、基板の上面と第１の側壁間の第１の角度は、基板の上面と第２の側壁間の第２の角度と異なる。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、第１の端部と第２の端部を有する基板と、基板上に位置し、トランジスタ、およびトランジスタと電気的に接続される発光素子を各々有する複数の画素と、複数の画素上のパッシベーション膜と、パッシベーション膜上のバリア層と、バリア層上のタッチセンサを有する。バリア層は、第１の端部に沿う第１の側壁と第２の端部に沿う第２の側壁を有し、基板の上面と第１の側壁間の第１の角度は、基板の上面と第２の側壁間の第２の角度と異なる。

本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。製造方法は、第１の端部と第２の端部を有する基板上に複数の発光素子を形成することによって表示領域を形成すること、複数の発光素子上にパッシベーション膜を形成すること、パッシベーション膜上にバリア層を形成すること、およびバリア層上にタッチセンサを形成することを含む。バリア層の形成は、ポリマーの溶液を表示領域、および表示領域と第１の端部の間の領域に塗布することなく第２の端部に沿って選択的に塗布することによってリブを形成した後、表示領域、および上記領域にポリマーの溶液を塗布することによって行う。

本発明の実施形態の表示装置の模式的斜視図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

（第１実施形態）
［１．全体構成］
図１に本実施形態の表示装置１００の模式的斜視図を示す。理解を促進するため、図１では表示装置１００が展開された状態を示しているが、表示装置１００は図１に示した各構成要素が一体化された状態で使用に供される。

表示装置１００は、基板１０２と、基板１０２に対向する対向基板１０４を有する。基板１０２と対向基板１０４の間には、表示装置１００に表示機能を付与する表示ユニット１１０、タッチセンサ３００、および表示ユニット１１０とタッチセンサ３００の間のバリア層２００が設けられる。バリア層２００は、少なくとも表示ユニット１１０の表示領域１１４を覆うように設けられる。任意の構成として、表示装置１００は偏光板２１０をタッチセンサ３００と対向基板１０４の間に有してもよい。

［２．タッチセンサ］
表示装置１００の上面模式図を図２に示す。ここでは、対向基板１０４や偏光板２１０は図示していない。タッチセンサ３００は、列方向にストライプ状に配列される複数の第１のタッチ電極３０２と、行方向にストライプ状に配列され、第１のタッチ電極３０２と交差する複数の第２のタッチ電極３０４を有する。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。タッチセンサ３００は表示領域１１４と重なるように設けられ表示領域１１４とほぼ同じ大きさ、形状を有することができる。

図３（Ａ）にタッチセンサ３００の拡大図を示す。図３（Ａ）に示すように、第１のタッチ電極３０２はほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域（ダイアモンド電極）３０２ａと、隣接するダイアモンド電極３０２ａを接続する接続領域３０２ｂを有している。同様に、第２のタッチ電極３０４も、複数のダイアモンド電極３０４ａと、隣接するダイアモンド電極３０４ａを接続する接続領域３０４ｂを有している。各第１のタッチ電極３０２と各第２のタッチ電極３０４は図示しない絶縁層を介して互いに離間して電気的に独立しており、これらの間で容量が形成される。人の指などが第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を介して表示領域１１４に触れる（以下、タッチと記す）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ３００が形成される。

図３（Ａ）では、ダイアモンド電極３０２ａと３０４ａが異なる層に存在する例が示されているが、図３（Ｂ）に示すように、これらは同一の層内に存在するよう、タッチセンサ３００を構成してもよい。この場合には、ブリッジ電極３１６が接続領域３０２ｂ、あるいは接続領域３０４ｂとして機能し、隣接するダイアモンド電極３０２同士、あるいはダイアモンド電極３０４同士の電気的な接続を行う。

ダイアモンド電極３０２ａ、３０４ａは、図３（Ａ）や図３（Ｂ）に示すように、それぞれ開口を持たない導電層でも良く、あるいは図３（Ｃ）に示すように開口を有するメッシュ状の配線によって形成されていてもよい。開口を持たない導電層の場合、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４はインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物を含むことができる。メッシュ状の配線を適用する場合、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４は、上述した導電性酸化物のほか、アルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができる。

第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４は配線３０６と電気的に接続され、配線３０６は表示領域１１４と重ならない領域を経由して基板１０２の端部付近まで延伸し、表示ユニット１１０において端子１２０と接続される（図２）。端子１２０はフレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１２６と接続され、外部回路（図示せず）から端子１２０を経由してタッチセンサ用信号が第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４に与えられる。これにより、タッチセンサ３００が制御される。

［３．表示ユニット］
表示ユニット１１０、およびバリア層２００の上面模式図を図４に示す。表示ユニット１１０は、パターニングされた種々の絶縁層層、導電層、半導体層が積層されることによって構成される。これら種々の層により、画素１１２や駆動回路１１６、端子１２０、１２２などが形成される。

画素１１２はマトリクス状に複数設けられ、表示領域１１４を形成する。各画素１１２には発光素子や液晶素子などの表示素子、および表示素子と電気的に接続される一つ、あるいは複数のトランジスタが備えられる。画素１１２が与える色は表示素子、あるいは画素１１２上に任意の構成として設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書および請求項では、画素１１２とは、それぞれ一つの表示素子を有し、表示領域１１４で再現される映像の一部を構成する最小単位である。

画素１１２に、例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を設けることでフルカラー表示を行うことができる。あるいは、全画素１１２で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素１１２ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素１１２の配列に制限はなく、ストライプ配列、ペンタイル配列、モザイク配列などを採用することができる。

表示領域１１４の外側には、画素１１２の駆動を制御するための駆動回路１１６が設けられる。ここでは二つの駆動回路１１６が表示領域１１４を挟むように形成される例が示されているが、一つの駆動回路１１６で画素１１２を制御してもよい。駆動回路１１６は表示ユニット１１０によって形成される必要は無く、基板１０２とは異なる基板（半導体基板など）上に形成されたＩＣチップなどを駆動回路として表示ユニット１１０上やコネクタ１２６上に設け、これらの駆動回路によって各画素１１２を制御してもよい。本実施形態では、図２に示すように、駆動回路１１６と、コネクタ１２６上に設けられるＩＣチップ１２８によって画素１１２が主に制御される例が示される。なお、ＩＣチップ１２８はタッチセンサ３００の制御を行ってもよく、ＩＣチップ１２８とは異なるＩＣチップを別途用いてタッチセンサ３００を制御してもよい。

表示領域１１４や駆動回路１１６から配線１１８が基板１０２の端部へ延伸する。表示ユニット１１０において、配線１１８は基板１０２の端部で端子１２２を形成する。端子１２２はコネクタ１２６と電気的に接続される。図示しない外部回路から映像信号がＩＣチップ１２８や駆動回路１１６を介して画素１１２に与えられ、トランジスタや表示素子が制御される。

図１、図２、図４に示すように、基板１０２は四角形の形状を有することができ、この場合、基板１０２は第１の端部、第２の端部、第３の端部、および第４の端部としてそれぞれ、第１の辺１３０、第２の辺１３２、第３の辺１３４、第４の辺１３６を有する（図４）。第１の辺１３０と第３の辺１３４は互いに対向し、表示領域１１４を挟む。同様に、第２の辺１３２と第４の辺１３６も互いに対向し、表示領域１１４を挟む。端子１２０、１２２は基板１０２の一つの辺（第１の辺１３０）に沿うように配列することができ、これにより、一つのコネクタ１２６を用いて映像信号やタッチセンサ用信号を表示装置１００に供給することができる。

［４．バリア層］
バリア層２００は表示ユニット１１０上に設けられ、表示領域１１４や配線１１８を覆う。バリア層２００はさらに、端子１２０、１２２の一部や駆動回路１１６を覆ってもよい。バリア層２００はポリマーを含むことができ、ポリマーとしては、ガスバリア性の高いものが好ましく、例えば水蒸気透過率が１×１０^-2ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上１００ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、１×１０^-2ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上５０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、あるいは１×１０^-2ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上１０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下のポリマーから選択することができる。このようなポリマーとしては、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンおよびその共重合体、ポリアクリロニトリルおよびその共重合体、ポリビニリデンクロリドおよびその共重合体、脂肪族ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートやポリナフタレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリ塩化ビニルおよびその共重合体、フッ素を含むポリエチレンおよびその共重合体、ポリシラザンとその共重合体、ジアリールカーボナートを基本骨格として有するポリカーボナートおよびその共重合体などが挙げられる。これらのポリマーはリニアな鎖状の構造を有していてもよい。あるいはバリア層２００は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの、分子間で架橋して三次元ネットワークを形成するポリマーを含んでもよい。バリア層２００は、例えばインクジェット法やスピンコート法、ディップコーティング法などの、いわゆる湿式成膜法によって形成することができる。

［５．断面構造］
＜５−１．表示ユニット＞
断面模式図を用い、表示装置１００の構造を詳細に説明する。図５に図４の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図を示す。ここでは、表示素子として発光素子１６８を有する画素１１２を例として用い、基板１０２、および表示ユニット１１０の断面模式図が示されている。表示素子の構成には制約はなく、表示素子は液晶素子や電気泳動素子など、電圧駆動型の表示素子でもよい。この断面模式図には、一つの画素１１２とこれに隣接する画素１１２の一部が示されている。以下に説明するように、トランジスタ１３８や保持容量、付加容量がそれぞれ各画素１１２に一つづつ描かれているが、各画素１１２はこれらの半導体素子をそれぞれ複数有していてもよい。

基板１０２は表示ユニット１１０やその上に設けられるバリア層２００、タッチセンサ３００などを支持する機能を有し、例えばガラスや石英、セラミック、ポリマーを含むことができる。可撓性を有するポリマーを基板１０２を用いてもよく、これにより表示装置１００に可撓性を付与することができる。

図５に示すように、表示ユニット１１０にはパターニングされた種々の絶縁層、半導体層、導電体層が設けられ、これらによって画素１１２や駆動回路１１６などが形成される。たとえば表示ユニット１１０には、基板１０２に接するようにアンダーコート１４０を設けることができる。アンダーコート１４０は、基板１０２に含まれるアルカリ金属イオンなどの不純物がトランジスタ１３８などへ拡散することを防ぐ機能を有し、例えばケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ケイ素を含有する無機化合物としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などが挙げられる。アンダーコート１４０は単層の構造を有していてもよく、上記無機化合物から選択される複数の化合物が積層された構造を有していてもよい。

トランジスタ１３８はアンダーコート１４０上に設けることができる。トランジスタ１３８は、半導体層１４２、ゲート電極１４６、半導体層１４２とゲート電極１４６間に挟持されるゲート絶縁層１４４、層間膜１５０、および半導体層１４２と電気的に接続されるソース／ドレイン電極１５２、１５４を基本構造として有する。

半導体層１４２は、例えばケイ素などの１４族元素、あるいは酸化物半導体を含むことができる。酸化物半導体としては、インジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＺＯ）、インジウム、ガリウム、亜鉛の混合酸化物（ＩＧＺＯ）など、１３族元素を含む酸化物を用いることができる。半導体層１４２の結晶性に制約なく、単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスのモルフォロジーを有してもよい。また、一つの半導体層１４２中にこれらのモルフォロジーが混在していてもよい。

ゲート絶縁層１４４も絶縁層であり、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ゲート絶縁層１４４も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。

ゲート電極１４６は、電圧を印加することによって半導体層１４２にキャリアを発生させる機能を有し、これにより、トランジスタ１３８のオン／オフが制御される。ゲート電極１４６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。配線１１８や端子１２０、１２２もゲート電極１４６と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線１１８や端子１２０、１２２、およびゲート電極１４６は同一層内に存在する。

層間膜１５０はゲート電極１４６上に設けられる。層間膜１５０も絶縁層であり、ゲート絶縁層１４４と同様、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。層間膜１５０も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。

ソース／ドレイン電極１５２、１５４は、ゲート絶縁層１４４や層間膜１５０に設けられる開口部で半導体層１４２と電気的に接続される。ソース／ドレイン電極１５２、１５４もゲート電極１４６で使用可能な金属を含むことができ、積層構造、あるいは単層構造で形成される。配線１１８や端子１２０、１２２をソース／ドレイン電極１５２、１５４と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線１１８や端子１２０、１２２、およびゲート電極１４６は同一層内に存在する。

トランジスタ１３８の構造に限定はなく、図５に示すトップゲート構造を有してもよく、ボトムゲート構造を有していてもよい。あるいは、ゲート電極１４６は半導体層１４２の上下に設置してもよい。また、複数のゲート電極１４６が１つの半導体層１４２と重なる、いわゆるマルチゲート構造を有するトランジスタを用いてもよい。

表示ユニット１１０はさらに、半導体層１４２およびソース／ドレイン電極１５４と重なり、これらに挟持される容量電極１４８を有してもよい。容量電極１４８はゲート電極１４６と同時に形成してもよく、一体化されていてもよい。半導体層１４２、ゲート絶縁層１４４、容量電極１４８、層間膜１５０、およびソース／ドレイン電極１５４によって保持容量が形成され、ゲート電極１４６の電位の維持に寄与する。

表示ユニット１１０はさらに、トランジスタ１３８上に平坦化層１５６を有することができる。平坦化層１５６は、トランジスタ１３８や保持容量などに起因する凹凸を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化層１５６も絶縁層であり、有機化合物で形成することができる。有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサンなどのポリマー材料が挙げられる。図示しないが、平坦化層１５６の下、あるいは上に窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁層を形成してもよい。

平坦化層１５６には、トランジスタ１３８と発光素子１６８を電気的に接続するための開口部が設けられる。図５に示すように、この開口部にソース／ドレイン電極１５４と電気的に接続される接続電極１５８を設けてもよい。接続電極１５８は、可視光を透過可能な導電性酸化物を用いて形成することができる。

任意の構成として、表示ユニット１１０には付加容量電極１６０、およびそれを覆う絶縁層１６２を設けることができる。付加容量電極１６０は平坦化層１５６の上に設けられる。絶縁層１６２は、付加容量電極１６０とともに接続電極１５８を覆うように形成することができるが、接続電極１５８の底面の一部を覆わず、接続電極１５８を露出させる。これにより、接続電極１５８の底面が発光素子１６８の第１の電極１７０と電気的に接続することができる。

付加容量電極１６０と絶縁層１６２、およびこれらの上に設けられる発光素子１６８の第１の電極１７０によって付加容量が形成される。すなわち、絶縁層１６２は誘電体膜として機能する。付加容量電極はトランジスタ１３８のゲート電極１４６と電気的に接続することができ、これにより、付加容量がソース／ドレイン電極１５４とゲート電極１４６間の電位の維持に寄与する。

付加容量電極１６０は、ゲート電極１４６やソース／ドレイン電極１５２、１５４で使用可能な金属や合金を含むことができ、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。絶縁層１６２は、アンダーコート１４０と同様、ケイ素を含む無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なお、配線１１８や端子１２０、１２２と付加容量電極１６０が同一の層内に存在するよう、同時に形成してもよい。

発光素子１６８は、接続電極１５８と電気的に接続される第１の電極１７０、第１の電極１７０上のＥＬ層１７４、ＥＬ層１７４上の第２の電極１８２によって構成される。本明細書と請求項において、ＥＬ層１７４とは、第１の電極１７０と第２の電極１８２に挟持される層の全体を指し、第１の電極１７０と第２の電極１８２からキャリアが注入される層である。

発光素子１６８からの発光を第２の電極１８２から取り出す場合、第１の電極１７０は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極１７０は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。発光素子１６８からの発光を第１の電極１７０から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第１の電極１７０を形成すればよい。

表示ユニット１１０はさらに、第１の電極１７０の端部を覆う隔壁１７２を有してもよい。隔壁１７２により、第１の電極１７０などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１１２の第１の電極１７０同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１７２は第１の電極１７０の端部を覆うことで、その上に設けられるＥＬ層１７４や第２の電極１８２の断線を防ぐことができる。隔壁１７２も絶縁層であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサンなどのポリマーを含むことができる。

ＥＬ層１７４は有機化合物を含み、第１の電極１７０と隔壁１７２と重なるように設けられる。ＥＬ層１７４の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばＥＬ層１７４は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを適宜組み合わせて形成すればよい。一つの層が複数の機能を兼ねてもよい。図５では、ＥＬ層１７４が正孔注入／輸送層１７６、発光層１７８、電子注入／輸送層１８０を含む例が示されている。隣接する画素１１２間で発光層１７８の構造や材料を変えることで、隣接する画素１１２間で異なる発光色を与えることができる。この場合、正孔注入／輸送層１７６や電子注入／輸送層１８０は隣接する画素１１２によって共有され、正孔注入／輸送層１７６と電子注入／輸送層１８０は隔壁１７２上で互いに接してもよい。

第２の電極１８２はＥＬ層１７４上に設けられる。第２の電極１８２は、複数の画素１１２に共有されるよう、複数の画素１１２にわたって形成することができる。発光素子１６８からの発光を第１の電極１７０から取り出す場合には、第２の電極１８２として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金（例えばＭｇ−Ａｇ）を用いればよい。逆に発光素子１６８からの発光を第２の電極１８２から取り出す場合には、第２の電極１８２として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。

表示ユニット１１０はさらに、発光素子１６８上に封止膜（パッシベーション膜）１９０を有する。パッシベーション膜１９０は、外部から発光素子１６８やトランジスタ１３８に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ機能を有する。パッシベーション膜１９０は、例えばケイ素を含有する無機化合物を単層構造で有することができる。あるいは図５に示すように、パッシベーション膜１９０は三つの層（第１の層１９２、第２の層１９４、第３の層１９６）を含んでもよい。この場合、第１の層１９２と第３の層１９６には、例えばケイ素を含有する無機化合物を用いることができる。一方、第２の層１９４では、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミドなどのポリマーを用いることができる。第２の層１９４は、発光素子１６８や隔壁１７２に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成してもよい。

本明細書、および請求項では、表示ユニット１１０は、パッシベーション膜１９０、およびパッシベーション膜１９０と基板１０２間に存在する複数の膜を指す。

＜５−２．基板端部の構造＞
図２における鎖線Ｂ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図をそれぞれ図６、図７に示す。理解の促進のため、表示ユニット１１０の詳細な構造は図示していない。

（電源線）
図７に示すように、表示ユニット１１０には、第２の電極１８２に一定電位を供給するための電源線１８４が、表示領域１１４と基板１０２の端部（ここでは第２の辺１３２）の間に配置される。第２の電極１８２は電源線１８４と電気的に接続される。図示していないが、表示領域１１４と第４の辺１３６、あるいは第３の辺１３４の間にも電源線１８４を設けてもよい。

（水分遮断構造）
図６、図７に示すように、基板１０２の端部（ここでは第１の辺１３０、第２の辺１３２）と表示領域１１４の間の領域において、平坦化層１５６の一部を除去し、層間膜１５０（あるいは平坦化層１５６の下に設けられる無機化合物を含む絶縁層）と第１の層１９２が直接接するよう、表示ユニット１１０を構成することができる。このような構造は水分遮断構造とも呼ばれ、平坦化層１５６が基板１０２の端部で露出することを防ぐことができる。平坦化層１５６に使用可能なポリマーは、ケイ素を含む無機化合物と比較して水との親和性が高い。このため、平坦化層１５６が基板１０２の端部で露出すると、外部から水が平坦化層１５６に侵入する。この場合、平坦化層１５６は表示領域１１４へ延伸しているため、平坦化層１５６は水の輸送経路として働き、その結果、水が表示領域１１４へ侵入する。発光素子１６８などの表示素子は水の存在下で駆動すると速やかに劣化するため、表示装置１００の信頼性が低下する。しかしながら水分遮断構造を用いることで、外部からの水の侵入を防ぐことができ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

（端子）
上述したように、端子１２０、１２２はトランジスタ１３８のゲート電極１４６、ソース／ドレイン電極１５２、１５４、あるいは付加容量電極１６０と同時に形成することができる。また、図６に示すように、端子１２０は積層構造を有することができる。図６では示されていないが、端子１２２も同様に積層構造を有することができる。この場合、例えばゲート電極１４６、ソース／ドレイン電極１５２、１５４、あるいは付加容量電極１６０と同一の層に存在する金属膜と、接続電極１５８、あるいは第１の電極１７０と同一の層に存在する導電性酸化物の膜が積層された構造を採用することができる。端子１２０、１２２は、異方性導電層２１２などの導電性を有する接着剤など用い、コネクタ１２６と電気的に接続される。

（パッシベーション膜）
図６、図７に示すように、パッシベーション膜１９０の第２の層１９４は、第１の層１９２と第３の層１９６によって挟持され、基板１０２の端部と表示領域１１４の外端との間で第１の層１９２と第３の層１９６が接する。図６に示すように、第１の層１９２は端子１２０（および端子１２２）と接しても良い。図示していないが、第３の層１９６は、第１の層１９２の側面と第１の辺１３０の間で端子１２０、１２２と接してもよい。

（タッチセンサ）
バリア層２００上にタッチセンサ３００の第１のタッチ電極３０２が設けられる。ここでは第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４が同一の層内に存在する例が示されており、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を覆うように絶縁層３１０が設けられる。絶縁層３１０は誘電体膜として機能し、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４とともに容量を形成する。絶縁層３１０は、例えばケイ素を含む無機化合物、あるいはアクリル樹脂やエポキシ樹脂などのポリマーを含むことができる。

絶縁層３１０上には、ブリッジ電極３１６が設けられ、隣接するダイアモンド電極３０４ａが電気的に接続される。絶縁層３１０には第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４に達する開口部が設けられ、この開口部を埋めるように配線３０６が設けられる。配線３０６はバリア層２００の側壁を横断して第１の辺１３０の方向に延伸し、端子１２０と電気的に接続される。したがって、配線３０６とバリア層２００は接しても良い。配線３０６はアルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができ、ブリッジ電極３１６と同一の層内に存在することができる。

（バリア層）
バリア層２００は第１の層１９２と第３の層１９６を覆うように設けられ、第１の辺１３０と表示領域１１４間で端子１２０と接する。図示していないが、バリア層２００は端子１２２と接してもよい。

ここで、第１の辺１３０に沿うバリア層２００の側壁（第１の側壁）２００＿１の傾斜が比較的小さくなるよう、バリア層２００を構成することができる。より具体的には、第１の側壁２００＿１と基板１０２の上面がなす角度（第１の角度）θ₁が０°より大きく、５°以下、あるいは１°以上３°以下となるよう、バリア層２００を設けることができる。第１の角度θ₁をこの範囲に調整することによって、第１の側壁２００＿１上で延伸する配線３０６が切断されることを防ぐことができ、その結果、高い信頼性を有する表示装置１００を製造することが可能となる。

一方、図７に示すように、第２の辺１３２に沿って形成されるバリア層２００の側壁（第２の側壁）２００＿２の傾斜は、第１の側壁２００＿１のそれと異なるようにバリア層２００を形成することができる。すなわち、第２の側壁２００＿２と基板１０２の上面となす角度（第２の角度）θ₂はθ₁と異なるよう、バリア層２００を形成することができる。第２の角度θ₂は、第１の角度θ₁よりも大きくてもよい。例えば、角度θ₂は２０°以上６０°以下、２０°以上４５°以下、あるいは２０°以上３０°以下に調整することができる。このような大きな角度を第２の側壁２００＿２に付与することにより、表示領域１１４と第２の辺１３２の間の距離を小さくすることができ、表示領域１１４の面積を増大することが可能となる。

図４に示すように、第１の辺１３０と第２の辺１３２と同様、バリア層２００は第３の辺１３４と第４の辺１３６にそれぞれ沿った側壁（第３の側壁２００＿３と第４の側壁２００＿４）を有する。したがって、表示領域１１４は、第１の側壁２００＿１から第４の側壁２００＿４に囲まれる領域と重なる。第３の側壁２００＿３と基板１０２の上面がなす角度（第３の角度）、および第４の側壁２００＿４と基板１０２の上面がなす角度（第４の角度）は第１の角度θ₁よりも大きく、第２の角度θ₂と同じ、あるいは実質的に同じになるよう、バリア層２００を構成することができる。

図６や図７では、バリア層２００の側壁が平坦な面によって構成される例が示されているが、例えば図８（Ａ）から図８（Ｃ）に示すように、側壁の断面が曲線で表されるようにバリア層２００を構成してもよい。この場合、図８（Ａ）に示すように曲線は変曲点を有していてもよく、図８（Ｂ）や図８（Ｃ）に示すように変曲点を持たなくてもよい。変曲点を持たない場合には、曲線は上に凸でも下に凸でもよい。側壁の断面が曲線で表される場合、第１の角度θ₁、第２の角度θ₂は、断面における緩衝膜２００の端部（表示領域１１４よりも基板１０２の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ）と緩衝膜２００の平坦な面の端部（表示領域１１４よりも基板１０２の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ）を通る直線と、基板１０２の上面とがなす角度として定義することができる。

＜５−３．その他の構成＞
任意の構成として、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４、およびブリッジ電極３１６を覆うように保護膜３１２を設けてもよい。保護膜３１２はケイ素を含有する無機化合物や、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などのポリマーを含むことができる。さらに任意の構成として、保護膜３１２を介して偏光板２１０をタッチセンサ３００上に設けることができる。偏光板２１０は直線偏光板でも良く、円偏光板でも良い。円偏光板を使用することで、タッチセンサ３００や表示ユニット１１０内で反射した外光を遮蔽することができ、表示品質を向上させることができる。対向基板１０４は接着層３１４を介して偏光板２１０の上に設けられる。偏光板２１０は対向基板１０４の上に配置してもよい。

上述したように、表示装置１００の表示素子（発光素子１６８）は、パッシベーション膜１９０によって保護され、そしてパッシベーション膜１９０上にタッチセンサ３００が形成される。タッチセンサ３００の第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４は、スパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて導電性の膜を形成した後、エッチング加工を行うことで形成される。パッシベーション膜１９０は無機化合物を含む膜（例えば第３の層１９６）を含むが、無機化合物を含む膜は必ずしも基板１０２全体にわたって均一に、かつ緻密に形成することは容易ではない。このため、例えば第３の層１９６にピンホールなどが存在する場合、第１のタッチ電極３０２を形成する際にピンホールからエッチャントや洗浄液などが不純物として侵入し、封止構造が破壊される。不純物によって発光素子１６８が劣化して発光効率が低下すると、最終的には発光素子１６８から発光が得られなくなる。発光が得られない発光素子１６８を有する画素１１２は黒点（ダークスポット）として認識され、表示装置１００の表示品質に対して致命的な影響を与える。

しかしながら、バリア層２００を形成することで、第３の層１９６を保護することができる。例えば有機溶媒に可溶なポリマーを用いてバリア層２００を形成することにより、第３の層１９６に生じるピンホールを効果的に充填することが可能である。このため、タッチセンサ３００の形成時に不純物によってパッシベーション膜１９０による封止が破壊されることを防ぐことができ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

さらに上述したように、バリア層２００の第１の側壁２００＿１の傾斜を緩やかにすることで、配線３０６の切断を防ぐことができる。一方、第２の辺１３２、第３の辺１３４、第４の辺１３６にそれぞれ沿った第２の側壁２００＿２、第３の側壁２００＿３、第４の側壁２００＿４の傾斜を第１の側壁２００＿１のそれよりも大きくすることで、狭額縁化を達成することができる。したがって、本実施形態を適用することで、信頼性が高く、広い表示領域１１４が確保された表示装置１００を提供することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、表示装置１００の製造方法の一例を図９（Ａ）から図２３を用いて説明する。図９（Ａ）から図１１（Ｂ）、図１３（Ａ）から図１４（Ｂ）は図５の断面の一部であり、図１２（Ａ）、図１５（Ａ）、図１９（Ｂ）から図２３は図２の鎖線Ｂ−Ｂ´に沿った断面に相当し、図１２（Ｂ）、図１５（Ｂ）、図１７（Ａ）から図１７（Ｄ）、図１９（Ａ）は図２の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面に相当する。第１実施形態と同様の内容に関しては、説明を割愛することがある。

［１．表示ユニット］
まず、図９（Ａ）に示すように、基板１０２上にアンダーコート１４０をＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて形成する。アンダーコート１４０に積層構造を適用する場合、例えば窒化ケイ素を含む膜を酸化ケイ素を含む膜で挟持した構造を用いることができる。基板１０２中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート１４０は設けない、あるいは基板１０２の一部だけを覆うように形成してもよい。

次に、アンダーコート１４０上に半導体層１４２を形成する（図９（Ａ））。半導体層１４２がケイ素を含む場合、半導体層１４２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１４２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。

次に、ドーピングを行う。ドーピングは複数回行っても良く、例えば以下の手順を採用することができる。まず、半導体層１４２に対して一回目のドーピングを行い、ドープ領域１４２＿２とアンドープ領域１４２＿１を形成する（図９（Ｂ））。具体的には、アンドープ領域１４２＿１が形成される部分にレジスト膜１６４を形成し、その後イオンを半導体層１４２にドープする（図９（Ａ））。イオンとしては、例えばｎ型導電性を付与するリンや窒素のイオンを用いることができる。その後レジスト膜１６４を除去する。

次に半導体層１４２を覆うようにゲート絶縁層１４４を形成する（図９（Ｂ））。ゲート絶縁層１４４はＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。

引き続き、ゲート絶縁層１４４上にゲート電極１４６、および容量電極１４８をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図９（Ｂ））。ゲート電極１４６は、アンドープ領域１４２＿１と重なるように設けられる。

次に、ゲート電極１４６をマスクとして用い、半導体層１４２に対して二回目のドーピングを行う（図１０（Ａ））。この時のドーピング条件は、一回目のドーピングと比較して低濃度で半導体層１４２がドープされるように調整される。これにより、アンドープ領域１４２＿１のゲート電極１４６と重ならない領域に低濃度ドープ領域１４２＿３が形成される。低濃度ドープ領域１４２＿３は、ドープ領域１４２＿２と比較して不純物の濃度が小さい。ゲート電極１４６と重なるアンドープ領域１４２＿１は不純物がドープされない、あるいは実質的にドープされない領域であり、チャネル領域として機能する。なお、半導体層１４２が酸化物半導体を含む場合、上述したドーピング工程は行わなくてもよい。

次にゲート電極１４６、容量電極１４８上に層間膜１５０を形成する（図１０（Ａ））。その後、層間膜１５０とゲート絶縁層１４４に対してエッチングを行い、ドープ領域１４２＿２に達する開口部を形成する。エッチングは、例えばプラズマ存在下、フッ素含有炭化水素を含むガス中で行うことができる。これらの開口部を覆うようにスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を成形することで、ソース／ドレイン電極１５２、１５４を形成する（図１０（Ｂ））。これにより、トランジスタ１３８が形成される。ソース／ドレイン電極１５４を形成すると同時に端子１２０、１２２を形成してもよい。

次に平坦化層１５６を形成する（図１１（Ａ））。平坦化層１５６は上述した湿式成膜法などによって形成することができる。平坦化層１５６がポリマーを含む層と無機化合物を含む層の積層構造を有する場合、無機化合物を含む絶縁層はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。

次に平坦化層１５６に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極１５４に達する開口部を形成する（図１１（Ｂ））。この時、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）に示すように、表示領域１１４の周囲、すなわち、表示領域１１４と基板１０２の端部（第１の辺１３０、第２の辺１３２、第３の辺１３４、第４の辺１３６）の間の領域において平坦化層１５６の一部を除去し、層間膜１５０を露出させて水分遮断構造が形成される。

その後、開口部を覆うように接続電極１５８を形成する（図１３（Ａ））。接続電極１５８は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を含むターゲットに対してスパッタリングを行うことで形成することができる。この時、端子１２０、１２２の表面をＩＴＯやＩＺＯで覆ってもよい（図１５参照）。このプロセスは必ずしも行う必要はないが、このプロセスを行うことで、引き続くプロセスにおいてソース／ドレイン電極１５４や端子１２０、１２２の表面など、露出している金属の表面を保護することができ、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。

次に付加容量電極１６０を形成し、引き続き、絶縁層１６２を形成する（図１３（Ａ））。これらはＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成することができる。任意の構成として、絶縁層１６２には、のちに形成される隔壁１７２と平坦化層１５６が接するよう、開口部を設けてもよい。これにより、表示装置１００の製造プロセス中に平坦化層１５６から脱離する水などの不純物を解放することができる。

次に発光素子１６８の第１の電極１７０をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成し、その後、隔壁１７２を形成する（図１３（Ｂ））。第１の電極１７０は、平坦化層１５６に設けられた開口部を埋め、接続電極１５８と接続されるように設けられる。隔壁１７２は上述した湿式成膜法を適用して形成することができる。隔壁１７２は、第１の電極１７０の端部を覆い、当該端部以外を露出するように開口部を有している。これにより、後に形成されるＥＬ層１７４や第２の電極１８２のカバレッジ不良を防ぐことができる。

隔壁１７２の形成後、発光素子１６８のＥＬ層１７４、およびＥＬ層１７４上の第２の電極１８２を形成する（図１４（Ａ））。ここでは、ＥＬ層１７４は正孔注入／輸送層１７６、発光層１７８、および電子注入／輸送層１８０の３層を有する構成を示しているが、本実施形態はこれに限られず、単層の構造を有するＥＬ層１７４を用いてもよく、あるいは４層以上の構造を有するＥＬ層１７４を用いてもよい。ＥＬ層１７４は蒸着法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などによって形成することができる。第２の電極１８２は、蒸着法、スパッタリング法などによって形成することができる。

第２の電極１８２の形成後、パッシベーション膜１９０を第２の電極１８２上に形成する（図１４（Ｂ））。パッシベーション膜１９０の構成は任意に選択できるが、ここでは第１の層１９２、第２の層１９４、第３の層１９６の三層構造を有する例が示されている。

第１の層１９２は、ＳｉＮなどの無機絶縁層からなり、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。第２の層１９４は、図１４（Ｂ）に示すように、隔壁１７２に起因する凹凸を吸収するよう、かつ、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層１９４はインクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、第１実施形態で述べたポリマーの原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１９２に吹き付け、その後オリゴマーを重合することによって第２の層１９４を形成してもよい。第３の層１９６は、第１の層１９２と同様の方法で形成することができる。

この段階における基板端部の断面模式図を図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）にそれぞれ示す。図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示すように、第１の層１９２と第３の層１９６は、基板１０２の端部に達するように形成することができ、また、基板１０２の端部よりも内側に終端があっても良い。、第１の層１９２や第３の層１９６の形成には、端子１２０、１２２を遮蔽するマスクを用いなくてもよい。

第２の層１９４は、表示領域１１４を覆うものの、その端部は表示領域１１４と、第１の層１９２と第３の層１９６の端部より内側に位置するよう形成される。したがって、第１の層１９２と第３の層１９６は、表示領域１１４と基板１０２の端部の間で接することができる。

以上のプロセスにより、表示ユニット１１０が形成される。

［２．バリア層２００］
引き続き、パッシベーション膜１９０上にバリア層２００を形成する。具体的には、第１実施形態で述べたポリマーを含む溶液の塗布し、溶液中の溶媒の留去するプロセスを繰り返すことでバリア層２００を段階的に形成する。例えば、図１６（Ａ）に示すように、第１のステップにおいて、第２の辺１３２、第３の辺１３４、および第４の辺１３６に沿うように基板１０２の端部にポリマー溶液を塗布し、その後溶媒を留去する。これにより、ポリマーを含むリブ２０２＿１が形成される。塗布はインクジェット法、あるいは凹版印刷やスクリーン印刷などの印刷法を用いて行うことができる。この時、端子１２０、１２２が形成される第１の辺１３０と表示領域１１４間の領域にはポリマーの溶液が塗布されないよう、選択的に溶液の液滴を吐出する。

この段階における、断面模式図を図１７（Ａ）に示す。この段階では、リブ２０２＿１の一端は基板１０２の端部に到達してもよい。第３の層１９６の一部は基板１０２の端部においてリブ２０２＿１に覆われ、第２の辺１３２から離れた領域（すなわち、基板１０２の端部と表示領域１１４の間）で一部が露出する。図示しないが、第３の辺１３４、第４の辺１３６においても同様である。したがって、リブ２０２＿１は第２の辺１３２、第３の辺１３４、および第４の辺１３６に沿うように、基板１０２の端部と表示領域１１４の間で延伸し、基板１０２の上面と平行な平面内において開いた形状（例えばコの字形状）を形成する。

第１のステップに引き続く第２のステップでは、前段階で形成されたリブ２０２＿１上に、再度ポリマー溶液を塗布し、その後溶媒を留去する。第２のステップでは、リブ２０２＿１上だけに選択的にポリマー溶液を塗布してもよく、あるいは図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）に示すように、リブ２０２＿１、およびこれよりも表示領域１１４側に塗布してもよい。これにより、リブ２０２＿１を含有するリブ２０２＿２が形成される。第１のステップと同様、第２のステップにおいても、第１の辺１３０と表示領域１１４間の領域にはポリマーの溶液が塗布されないよう、選択的に溶液の液滴を吐出する。また、第３の辺１３４、第４の辺１３６においても同様にリブ２０２＿２が形成される。したがって、リブ２０２＿２も第２の辺１３２、第３の辺１３４、および第４の辺１３６に沿うように、基板１０２の端部と表示領域１１４の間で延伸し、基板１０２の上面と平行な面内において開いた形状を形成する。同様のステップを複数回（ｎ回、ｎは２以上の自然数）行うことで、リブ２０２の高さと幅が徐々に増大し、リブ２０２＿ｎが形成される（図１６（Ｃ）、図１７（Ｃ））。さらにこのステップを行い、リブ２０２＿ｍが形成される（図１６（Ｄ）、図１７（Ｄ））。ここでｍはｎよりも大きい自然数である。リブ２０２＿ｍの上面と基板１０２の上面間の距離は、パッシベーション膜１９０の基板１０２の上面と平行な面と基板１０２の上面間の距離よりも大きくなるよう、リブ２０２＿ｍを形成する。

リブ２０２＿ｍが形成されたのち、リブ２０２＿ｍに囲まれた表示領域１１４、および表示領域１１４と第１の辺１３０の間の領域にポリマー溶液を塗布し、その後溶媒を留去する（図１８）。この時、表示領域１１４上に形成されるバリア層２００の上面が、リブ２０２＿ｍの上面とほぼ同一平面になるよう、ポリマー溶液を塗布する（図１９（Ａ））。一方、表示領域１１４と第１の辺１３０の間の領域では、形成されるバリア層２００の端部が端子１２０、１２２と部分的に重なるよう、ポリマー溶液を塗布する。すなわち、ポリマー溶液が第１の辺１３０まで達しないようにポリマー溶液を塗布する。これにより、バリア層２００の第１の側壁２００＿１の底辺が端子１２０、１２２と重なる（図１９（Ｂ））。

ポリマー溶液の塗布と溶媒の留去を行うことで、溶液中のポリマーが析出してポリマーの薄膜が形成される。この薄膜上に再度溶液を塗布した場合、薄膜と溶液間の低い親和性に起因し、薄膜上では溶液の液滴は大きな接触角を有する。この状態で溶媒を留去させることで、リブ２０２の側壁、すなわち、のちに形成されるバリア層２００の側壁の傾斜を大きくすることができる。このため、上述した方法を用いることで、その結果、大きな第２の角度θ₂を有する第２の側壁２００＿２を形成することができる。同様に、第３の辺１３４及び第４の辺１３６にも、各側壁が形成される。

一方、リブ２０２＿ｍに囲まれた表示領域１１４、および表示領域１１４と第１の辺１３０の間の領域には、段階的な塗布を行わない。あるいは、ポリマー溶液を塗布した後、溶媒が完全に蒸発する前に再度ポリマー溶液を塗布する。また、ポリマー溶液は第３の層１９６に対して親和性が比較的高いため、均一に広がる。このため、表示領域１１４と第１の辺１３０の間の領域においてバリア層２００の側壁（すなわち、第１の側壁２００＿１）の傾斜が小さくなる。その結果、小さい第１の角度θ₁を有する第１の側壁２００＿１を形成することができる。

その後、端子１２０、１２２を露出するためのエッチングを行う。具体的には、バリア層２００をマスクとして用い、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行い、端子１２０、１２２を覆う第１の層１９２と第３の層１９６を除去する（図２０（Ａ））。これにより、端子１２０、１２２が第１の層１９２と第３の層１９６から露出する。

端子１２０の拡大図を図２０（Ｂ）に示す。バリア層２００をマスクとして用いてプラズマエッチングを行うことで、異方的にエッチングが進行する。このため、バリア層２００の第１の側壁の底辺は、第３の層１９６の側面が存在する平面上に存在することができる。換言すると、第３の層１９６の側面の上辺は、バリア層２００の第１の側壁２００＿１の底辺に接することができる。なお、エッチングが横方向に進行する（サイドエッチング）場合には、図２０（Ｃ）に示すように、第３の層１９６の側面の上辺は、バリア層２００の第１の側壁２００＿１の底面に接することができる。

［３．タッチセンサ］
引き続き、タッチセンサ３００を形成する。具体的には、バリア層２００上に第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４をスパッタリング、あるいはＣＶＤ法を用いて形成する（図２１）。その後、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４を覆うように絶縁層３１０を形成する。絶縁層３１０はＣＶＤ法、あるいは湿式成膜法を適用して形成すればよい。

その後、エッチングによって第１のタッチ電極３０２や、ここでは図示しない第２のタッチ電極３０４を露出するための開口部を絶縁層３１０に形成する。引き続き、この開口部を覆うように、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて配線３０６やブリッジ電極３１６を形成する（図２２）。さらに、ＣＶＤ法や湿式成膜法を利用し、保護膜３１２を形成し、保護膜３１２を介して偏光板２１０が貼り合わされるても良い（図２３）。その後、偏光板２１０上に接着層３１４を介して対向基板１０４が配置される。この後、異方性導電層２１２を用いてコネクタ１２６が端子１２０、１２２と電気的に接続される（図６、図７）。

以上の工程により、表示装置１００を製造することができる。

上述したように、本実施形態の製造方法では、パッシベーション膜１９０の第１の層１９２と第３の層１９６の形成時、マスクを用いて端子１２０、１２２を遮蔽する必要がなく、端子１２０、１２２を覆うように第１の層１９２と第３の層１９６を形成することができる。コネクタ１２６との接続のために端子１２０、１２２を第１の層１９２と第３の層１９６から露出する工程は、バリア層２００をマスクとするエッチングによって行うことができる。バリア層２００はインクジェット法や印刷法を用いて形成することができるため、第１の層１９２と第３の層１９６のエッチングされる領域を精確に制御することができる。したがって、マスク数の減少に伴う製造コストの低減とともに、端子１２０、１２２の形成を精密に制御することが可能となる。

さらに、本実施形態の製造方法を適用することにより、傾斜の異なる側壁を有するバリア層２００を形成することができ、パッシベーション膜１９０の封止機能を損なうことなく、タッチセンサ３００を表示領域１１４上に形成できるとともに、タッチセンサ３００の配線３０６を緩やかな傾斜に沿って形成することにより断線を防止することができる。

なお、表示領域１１４にバリア層２００が無い構成としても良い。例えば、図２４、図２５に示す構造は、第１実施形態の図２における鎖線Ｂ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図である図６、図７に示した構造と、表示領域１１４にバリア層２００が無い点で異なる。この構造では、表示領域１１４上において第３の層１９６が第１のタッチ電極３０２と接する。これにより、表示領域１１４とその周囲に平坦な表面を形成し、その平坦な表面上にタッチセンサ３００を形成することができる。その結果、第１のタッチ電極３０２や第２のタッチ電極３０４の断線を効果的に防ぐことができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：基板、１０４：対向基板、１１０：表示ユニット、１１２：画素、１１４：表示領域、１１６：駆動回路、１１８：配線、１２０：端子、１２２：端子、１２６：コネクタ、１２８：ＩＣチップ、１３０：第１の辺、１３２：第２の辺、１３４：第３の辺、１３６：第４の辺、１３８：トランジスタ、１４０：アンダーコート、１４２：半導体層、１４２＿１：アンドープ領域、１４２＿２：ドープ領域、１４２＿３：低濃度ドープ領域、１４４：ゲート絶縁層、１４６：ゲート電極、１４８：容量電極、１５０：層間膜、１５２：ソース／ドレイン電極、１５４：ソース／ドレイン電極、１５６：平坦化層、１５８：接続電極、１６０：付加容量電極、１６２：絶縁層、１６４：レジスト膜、１６８：発光素子、１７０：第１の電極、１７２：隔壁、１７４：ＥＬ層、１７６：正孔注入／輸送層、１７８：発光層、１８０：電子注入／輸送層、１８２：第２の電極、１８４：電源線、１９０：パッシベーション膜、１９２：第１の層、１９４：第２の層、１９６：第３の層、２００：バリア層、２００＿１：第１の側壁、２００＿２：第２の側壁、２００＿３：第３の側壁、２００＿４：第４の側壁、２０２：リブ、２０２＿１：リブ、２０２＿２：リブ、２０２＿ｍ：リブ、２０２＿ｎ：リブ、２１０：偏光板、２１２：異方性導電層、３００：タッチセンサ、３０２：第１のタッチ電極、３０２ａ：ダイアモンド電極、３０２ｂ：接続領域、３０４：第２のタッチ電極、３０４ａ：ダイアモンド電極、３０４ｂ：接続領域、３０６：配線、３１０：絶縁層、３１２：保護膜、３１４：接着層、３１６：ブリッジ電極

Claims (18)

1. 第１の端部と第２の端部を有する基板と、
   前記基板上の複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子上のパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上のバリア層と、
   前記バリア層上のタッチセンサを有し、
   前記バリア層は、前記第１の端部に沿う第１の側壁と前記第２の端部に沿う第２の側壁を有し、
   前記基板の上面と前記第１の側壁間の第１の角度は、前記上面と前記第２の側壁間の第２の角度と異なる表示装置。
2. 前記基板上に複数の端子をさらに有し、
   前記複数の端子は前記複数の発光素子と電気的に接続され、
   前記複数の端子は、前記第１の端部に沿って配置され、
   前記第１の角度は前記第２の角度よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記基板は第３の端部をさらに有し、
   前記バリア層は前記第３の端部に沿う第３の側壁を有し、
   前記複数の発光素子は前記第１の端部と前記第３の端部によって挟まれ、
   前記第１の角度は、前記上面と前記第３の側壁間の第３の角度よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１の角度は０°よりも大きく５°以下であり、
   前記第２の角度は２０°以上４５°以下である、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記パッシベーション膜は、
   無機化合物を含む第１の層と、
   前記第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、
   前記第２の層に位置し、無機化合物を含む第３の層を有し、
   前記第３の層の側壁の上辺は、前記第１の側壁の底辺、あるいは前記バリア層の底面に接する、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記有機化合物はポリマーである、請求項５に記載の表示装置。
7. 第１の端部と第２の端部を有する基板と、
   前記基板上に位置し、トランジスタ、および前記トランジスタと電気的に接続される発光素子を各々有する複数の画素と、
   前記複数の画素上のパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上のバリア層と、
   前記バリア層上のタッチセンサを有し、
   前記バリア層は、前記第１の端部に沿う第１の側壁と前記第２の端部に沿う第２の側壁を有し、
   前記基板の上面と前記第１の側壁間の第１の角度は、前記上面と前記第２の側壁間の第２の角度と異なる表示装置。
8. 前記基板上に複数の端子をさらに有し、
   前記複数の端子は前記複数の発光素子と電気的に接続され、
   前記複数の端子は、前記第１の端部に沿って配置され、
   前記第１の角度は前記第２の角度よりも小さい、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記基板は第３の端部をさらに有し、
   前記バリア層は前記第３の端部に沿う第３の側壁を有し、
   前記複数の発光素子は前記第１の端部と前記第３の端部によって挟まれ、
   前記第１の角度は、前記上面と前記第３の側壁間の第３の角度よりも小さい、請求項７に記載の表示装置。
10. 前記第１の角度は０°よりも大きく５°以下であり、
    前記第２の角度は２０°以上４５°以下である、請求項７に記載の表示装置。
11. 前記パッシベーション膜は、
    無機化合物を含む第１の層と、
    前記第１の層上に位置し、有機化合物を含む第２の層と、
    前記第２の層に位置し、無機化合物を含む第３の層を有し、
    前記第３の層の側壁の上辺は、前記第１の側壁の底辺、あるいは前記バリア層の底面に接する、請求項７に記載の表示装置。
12. 前記有機化合物はポリマーである、請求項１１に記載の表示装置。
13. 第１の端部と第２の端部を有する基板上に複数の発光素子を形成することによって表示領域を形成し、
    前記複数の発光素子上にパッシベーション膜を形成し、
    前記パッシベーション膜上にバリア層を形成し、
    前記バリア層上にタッチセンサを形成することを含み、
    前記バリア層の形成は、ポリマーの溶液を前記表示領域、および前記表示領域と前記第１の端部の間の領域に塗布することなく前記第２の端部に沿って選択的に塗布することによってリブを形成した後、前記表示領域、および前記領域に前記溶液を塗布することによって行う、表示装置の製造方法。
14. 前記複数の発光素子と電気的に接続される複数の端子を、前記第１の端部に沿って形成することをさらに含む、請求項１３に記載の製造方法。
15. 前記基板はさらに第３の端部と第４の端部を有し、
    前記複数の発光素子は前記第１の端部と前記第３の端部に挟まれ、かつ、前記第２の端部と前記第４の端部に挟まれ、
    前記リブは、前記第２の端部、前記第３の端部、前記第４の端部に沿って形成されて開いた形状を有する、請求項１３に記載の製造方法。
16. 前記パッシベーション膜の形成は、
    前記表示領域と前記複数の端子を覆うように無機化合物を含む第１の層を形成し、
    前記第１の層上に有機化合物を含む第２の層を形成し
    前記第１の層と接するように、前記第２の層上に無機化合物を含む第３の層を形成することによって行われる、請求項１４に記載の製造方法。
17. 前記領域への前記溶液の塗布は、前記前記第３の層と前記端子が前記ポリマーによって覆われるように行い、
    前記第３の層を覆う前記ポリマーをエッチングして前記複数の端子を露出することをさらに含む、請求項１６に記載の製造方法。
18. 前記溶液の塗布は、インクジェット法によって行われる、請求項１３に記載の製造方法。

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