JP2018179800A - Radiation detector and method of measuring radiation - Google Patents
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Abstract
【課題】荷電粒子または中性子を計測する放射線モニタに係り、高線量率環境下においても計測可能な放射線検出器および放射線の測定方法を提供する。【解決手段】放射線検出器100は、少なくとも1つ以上のピクセル素子1aからなるピクセル型検出素子1と、ピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1a1つに対して1本接続され、ピクセル型検出素子1で発生した光子を伝送する光ファイバ10と、光ファイバ10によって伝送された光子を電気信号に変換する光検出部20と、光検出部20で変換された電気信号の計数率を求める測定装置30と、測定装置30で求めた計数率に基づいて放射線の線量率を求める解析・表示装置40と、を備え、ピクセル型検出素子1で発生した1個1個の光子の計数率の時刻変化を測定する。【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector and a radiation measuring method capable of measuring even in a high dose rate environment, in relation to a radiation monitor for measuring charged particles or neutrons. A radiation detector (100) is connected to one pixel element (1a) of at least one pixel element (1a) and one pixel element (1a) of the pixel element (1a). 1, an optical fiber 10 for transmitting the photons generated in step 1, a photodetector 20 for converting the photons transmitted by the optical fiber 10 into an electric signal, and a measuring device for obtaining the count rate of the electric signal converted by the photodetector 20. 30 and an analysis/display device 40 that obtains a radiation dose rate based on the counting rate obtained by the measuring device 30, and changes in counting rate of each photon generated by the pixel-type detection element 1 with time. To measure. [Selection diagram]
Description
本発明は、荷電粒子または中性子を計測することが可能な放射線検出器および放射線の測定方法に関する。 The present invention relates to a radiation detector capable of measuring charged particles or neutrons and a method of measuring radiation.
小型かつ極めて安価であると同時に、中性子イメージ作成の処理速度が極めて高速である中性子イメージ検出器として、特許文献1には、中性子入射によって生じた蛍光を、一定の間隔で1次元的にまたは2次元的に収集し、収集した蛍光を検出して、中性子の入射位置を決定する中性子イメージ検出方法であって、蛍光を検出する際、フォトン計測法を用いて検出し、出力された各フォトンにより生成されたパルス信号を、フォトン一個により生成されるパルス信号の時間幅と同一の間隔幅で発生させたクロック信号を基に取り出し、出力されたパルス信号を計数し、1つの中性子が入射した際得られる入射位置を変数とした計数分布を求め、得られた計数分布に基づき重心計算を行い中性子の入射位置を決定する技術が記載されている。
As a neutron image detector which is small and extremely inexpensive and at the same time processing speed of neutron imaging is extremely high,
従来から存在する、荷電粒子(アルファ線、ベータ線等)を検出する放射線検出器としては、ガス検出器やシンチレーション検出器、半導体検出器がある。 As a radiation detector which detects charged particles (alpha ray, beta ray, etc.) which exist conventionally, there are a gas detector, a scintillation detector, and a semiconductor detector.
ガス検出器は、ガスを封入した容器内に金属ワイヤーを設置した構造のもので、荷電粒子が検出器内のガスを電離することによって電子が生成され、その電子を金属ワイヤー近傍の高電界領域で増幅することによって電気信号として計測する検出器である。 The gas detector has a structure in which a metal wire is placed in a gas-sealed container, and when charged particles ionize the gas in the detector, electrons are generated, and the electrons form a high electric field area near the metal wire. It is a detector which measures as an electric signal by amplifying with.
しかし、高線量率環境下においては、ガス検出器では、入射してくるガンマ線と、封入したガスや検出器容器材料とのコンプトン散乱による電子を数多く計測してしまうことから、荷電粒子との弁別が困難である、との問題がある。 However, in a high dose rate environment, the gas detector measures a large number of incident gamma rays and electrons due to Compton scattering from the enclosed gas and detector container material, so discrimination from charged particles is possible. Is difficult, and there is a problem.
シンチレーション素子を用いた荷電粒子検出器では、シンチレーション素子に荷電粒子が入射するとシンチレーション素子が発光する。そしてその発光を光電子増倍管等を用いて電気信号に変換し、その電気信号をもとに荷電粒子を計測する。荷電粒子が1個入射した時に多数の光子が生成されるが、生成される光子の個数は入射した荷電粒子のエネルギに比例することから、生成した光子の個数に比例するパルス状の電気信号の波高値を測定することで、入射した荷電粒子のエネルギを測定することが可能である。 In a charged particle detector using a scintillation element, the scintillation element emits light when the charged particle is incident on the scintillation element. Then, the light emission is converted into an electric signal using a photomultiplier tube or the like, and charged particles are measured based on the electric signal. A large number of photons are generated when one charged particle is incident, but the number of generated photons is proportional to the energy of the incident charged particles, so a pulse-like electrical signal proportional to the number of generated photons is generated. By measuring the peak value, it is possible to measure the energy of the incident charged particle.
しかし、シンチレーション検出器では、高線量率環境下においては、多数のガンマ線が同時にシンチレーション素子に入射してしまい、パルス状の電気信号が重なり合ってしまうことから、荷電粒子を正しく測定することが困難である、との問題がある。それを防ぐために、シンチレーション素子の周囲を鉛等の放射線遮蔽体で覆ってしまうことが考えられるが、荷電粒子が検出器内に入射することができず、検出に必要な発光自体がなくなってしまうため、高線量率環境下では使用が困難である、との問題がある。 However, with a scintillation detector, in a high dose rate environment, a large number of gamma rays are simultaneously incident on a scintillation element, and pulse-like electrical signals overlap, making it difficult to measure charged particles correctly. There is a problem with In order to prevent this, it is conceivable to cover the periphery of the scintillation element with a radiation shield such as lead, but the charged particles can not enter into the detector and the light emission necessary for detection is lost. Therefore, there is a problem that it is difficult to use in a high dose rate environment.
半導体素子を用いた荷電粒子検出器は、p型とn型の半導体を接合した接合面を中心に形成される電子や正孔がほとんど存在しない領域(空乏層)において、荷電粒子による電離によって生じた電子正孔対が、それぞれp型、n型に移動することによって生じる電気信号をもとに荷電粒子を検出する検出器である。荷電粒子が1個入射した時に、多数の電子正孔対が生成される。この生成された電子正孔対の個数が入射した荷電粒子のエネルギに比例することから、生成された電子正孔対の個数に比例するパルス状の電気信号の波高値を測定することで、入射した荷電粒子のエネルギを測定することが可能である。 A charged particle detector using a semiconductor element is generated by ionization by charged particles in a region (depletion layer) in which electrons and holes formed at the junction surface where p-type and n-type semiconductors are joined are hardly present. It is a detector that detects charged particles based on the electric signal generated by the movement of the electron-hole pairs to p-type and n-type respectively. When one charged particle is incident, a large number of electron-hole pairs are generated. Since the number of electron-hole pairs generated is proportional to the energy of the charged particle, the pulse height of the pulse-like electrical signal proportional to the number of electron-hole pairs generated is measured. It is possible to measure the energy of charged particles.
しかし、半導体検出器においても、高線量率環境下では、多数のガンマ線が同時に半導体素子に入射してしまい、パルス状の電気信号が重なり合ってしまうことから、荷電粒子を正しく測定することが困難である、との問題がある。それを防ぐために、半導体素子の周囲を鉛等の放射線遮蔽体で覆ってしまうと、シンチレーション検出器と同様に荷電粒子が検出器内に入射することができず、使用は困難である、との問題がある。 However, even in a semiconductor detector, in a high dose rate environment, a large number of gamma rays are simultaneously incident on the semiconductor element, and pulse-like electric signals overlap, which makes it difficult to correctly measure charged particles. There is a problem with If the periphery of the semiconductor element is covered with a radiation shield such as lead in order to prevent it, charged particles can not enter into the detector as in the case of a scintillation detector, making it difficult to use. There's a problem.
中性子検出器に関しては、荷電粒子検出器と同様に、ガス検出器やシンチレーション検出器、半導体検出器があるが、やはり、荷電粒子検出器と同様に、高線量率環境下における測定が困難だった。 With respect to neutron detectors, like charged particle detectors, there are gas detectors, scintillation detectors and semiconductor detectors, but again, like charged particle detectors, it was difficult to measure under high dose rate environment .
本発明の目的は、荷電粒子や中性子を計測する放射線モニタに係り、高線量率環境下においても計測可能な放射線検出器および放射線の測定方法を提供することである。 The object of the present invention relates to a radiation monitor for measuring charged particles and neutrons, and to provide a radiation detector and a method of measuring radiation which can be measured even in a high dose rate environment.
本発明は、上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、少なくとも1つ以上のピクセル素子からなるピクセル型検出素子と、前記ピクセル型検出素子の各ピクセル素子1つに対して1本接続され、前記ピクセル型検出素子で発生した光子を伝送する光ファイバと、前記光ファイバによって伝送された光子を電気信号に変換する光検出部と、前記光検出部で変換された電気信号の計数率を求める測定装置と、前記測定装置で求めた計数率に基づいて放射線の線量率を求める解析装置と、を備え、前記ピクセル型検出素子で発生した1個1個の光子の計数率の時刻変化を測定することを特徴とする。 The present invention includes a plurality of means for solving the above problems, and an example thereof is a pixel type detection element comprising at least one or more pixel elements, and one pixel element of the pixel type detection element. Optical fiber that transmits photons generated by the pixel type detection element, a light detection unit that converts photons transmitted by the optical fiber into an electrical signal, and the light detection unit A measuring device for determining the counting rate of the electric signal, and an analyzing device for determining the dose rate of radiation based on the counting rate determined by the measuring device, and one photon generated by the pixel type detection element Measuring the time change of the counting rate of
本発明によれば、原子力発電所内の使用済み燃料貯蔵プール、原子炉圧力容器内外、原子炉格納容器内外、サプレッションプール内外、原子炉建屋内外、および、再処理施設等において、高線量率環境下においても荷電粒子や中性子を計測可能な放射線検出器および放射線の測定方法を提供することができる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施例の説明により明らかにされる。 According to the present invention, the high-dose-rate environment of the spent fuel storage pool in the nuclear power plant, inside and outside of the reactor pressure vessel, inside and outside of the reactor containment vessel, inside and outside the suppression pool, inside and outside the reactor building, and reprocessing facilities etc. Can also provide a radiation detector capable of measuring charged particles and neutrons, and a method of measuring radiation. Problems, configurations and effects other than those described above will be clarified by the description of the following embodiments.
以下に本発明の放射線検出器および放射線の測定方法の実施例を、図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the radiation detector and the radiation measuring method of the present invention will be described with reference to the drawings.
最初に、放射線検出器および放射線の測定方法の概略を説明する。 First, an outline of a radiation detector and a method of measuring radiation will be described.
本発明の放射線検出器は、ピクセル型検出素子、光ファイバ、光検出部、測定装置、および、解析・表示装置で構成されるものであり、ピクセル型検出素子のそれぞれに光ファイバが接続されており、解析・表示装置において検出素子で生成された1個1個の光子の計数率の時刻変化を測定するものである。 The radiation detector of the present invention comprises a pixel type detection element, an optical fiber, a light detection unit, a measuring device, and an analysis / display device, and an optical fiber is connected to each of the pixel type detection elements. In the analysis / display device, the time change of the counting rate of each photon generated by the detection element is measured.
例えば、個々のピクセルに相当し、セラミック母材に希土類元素を添加したピクセル素子を一つ以上有するピクセル型検出素子を測定エリアに設置する。 For example, a pixel type detection element corresponding to an individual pixel and having one or more pixel elements in which a rare earth element is added to a ceramic base material is disposed in the measurement area.
このようなピクセル型検出素子に荷電粒子が入射すると、検出素子内の電子または希土類原子がエネルギの高い励起状態となる。その高い励起状態から、低い励起状態または基底状態に遷移するときに光子が生成される。 When charged particles are incident on such a pixel type detection element, electrons or rare earth atoms in the detection element become excited with high energy. From the high excited state, photons are generated when transitioning to the low excited or ground state.
生成された光子1個1個を、光ファイバを通して、光電子増倍管またはフォトダイオード等の光検出部で検出する。光検出部では、光子1個1個を検出し、電気信号に変換する。光検出部で変換した電気信号の計数率を測定装置で計数する。 The generated photons are detected through an optical fiber by a light detection unit such as a photomultiplier or a photodiode. The light detection unit detects photons one by one and converts them into electrical signals. The counting rate of the electrical signal converted by the light detection unit is counted by the measuring device.
本発明者らは、光子1個1個の計数率と、検出素子における吸収線量率が1対1の関係があることを実験により見出した。また、ピクセル型検出素子を用いる場合に、ガンマ線による吸収線量率を、荷電粒子による吸収線量率よりも数桁以上小さくすることが可能なことも見出した。更に、高線量率環境下では、線量率が一定の場合、計数率の時刻変化が殆ど無く、ほぼ一定の計数率となるが、荷電粒子が入射した場合、吸収線量率が急激に増加することから、計数率が急激に増加し、検出素子の光減衰時定数の数倍程度の時間で入射する前の計数率に戻ることを見出した。そして、この増加と減少の時刻変化を測定することで、荷電粒子1つ1つを測定することが可能となることを発想し、本発明に至った。 The inventors of the present invention have found by experiments that there is a one-to-one relationship between the counting rate of each photon and the absorbed dose rate in the detection element. Moreover, when using a pixel type | mold detection element, it also discovered that it was possible to make the absorbed dose rate by a gamma ray several orders of magnitudes or more than the absorbed dose rate by charged particle | grains. Furthermore, in a high dose rate environment, when the dose rate is constant, there is almost no change in counting rate with time, and the count rate is almost constant, but when charged particles are incident, the absorbed dose rate rapidly increases. From the above, it has been found that the count rate increases rapidly and returns to the count rate before incidence in several times the light decay time constant of the detection element. Then, it was conceived that it becomes possible to measure each charged particle by measuring the time change of this increase and decrease, and came to the present invention.
また、中性子を測定する場合は、検出素子の中性子が入射してくる方向側に、中性子との核反応により荷電粒子を生成する材料を設置し、反対側を光ファイバに接続することで、中性子との核反応により生成した荷電粒子を、上述の荷電粒子を検出する場合と同様に検出することができ、これにより高線量率環境下においても中性子を測定することが可能となることを見出した。 In the case of measuring neutrons, a material that generates charged particles by a nuclear reaction with neutrons is placed on the side of the detection element where neutrons are incident, and the opposite side is connected to an optical fiber to obtain neutrons. It has been found that charged particles produced by the nuclear reaction with can be detected in the same manner as in the case of detecting the above-mentioned charged particles, which makes it possible to measure neutrons even under a high dose rate environment. .
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<実施例1>
本発明に好適な一実施例である実施例1の放射線検出器および放射線の測定方法の一例を図1〜図5に基づいて説明する。最初に、放射線検出器の構成について図1および図2を用いて説明する。図1に本実施例の放射線検出器の構成の一例を、図2に本実施例の放射線検出器の構成の他の一例を示す。
Example 1
An example of a radiation detector and a radiation measurement method according to a first embodiment which is a preferred embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 5. First, the configuration of the radiation detector will be described using FIG. 1 and FIG. FIG. 1 shows an example of the configuration of the radiation detector of the present embodiment, and FIG. 2 shows another example of the configuration of the radiation detector of the present embodiment.
図1において、放射線検出器100は、ピクセル型検出素子1、光ファイバ10、光検出部20、測定装置30、および解析・表示装置(解析装置)40を備えている。
In FIG. 1, the
ピクセル型検出素子1は、少なくとも1つ以上のピクセル素子1aからなる素子であり、各々のピクセル素子1aが入射した放射線の線量率に対応する強度の光子を発生させる材料で構成されている。そのため、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aに荷電粒子が入射すると、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1a内の電子または希土類原子がエネルギの高い励起状態となる。その高い励起状態から、低い励起状態または基底状態に遷移するときに光子が生成される。
The pixel
光ファイバ10は、ピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1a1つに対して1本接続されており、ピクセル素子1aと同数設けられている。光ファイバ10は、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aで生成された光子を後述する光検出部20に伝送する。
One
光検出部20は、ピクセル素子1aで生成され、光ファイバ10を介して伝送された光子を1個1個検出し、電気信号に変換する。また、変換した電気信号を後述する測定装置30に対して出力する。この光検出部20は、光電子増倍管や、アバランシェフォトダイオード等のフォトダイオードを採用することができる。これら光電子増倍管等を用いることで、電流増幅された一つの電気信号として単一光子を検出することができる。
The
測定装置30は、光検出部20に接続されており、光検出部20で変換された電気信号の計数率を求める装置である。測定装置30は、求めた計数率を後述する解析・表示装置40に対して出力する。測定装置30としては、例えば、デジタルシグナルプロセッサ等を採用することができる。
The measuring
解析・表示装置40は、測定装置30で求めた電気信号の計数率を放射線の線量率に換算し、その値を表示する装置である。解析・表示装置40は、単一光子の電気信号の計数率と放射線の線量率とを対応付けるデータベースを保有している記憶部40aと、記憶部40aのデータベースを用いて電気信号の計数率から放射線の線量率を換算する演算部40bと、換算した放射線の線量率を表示する表示部40cを有している。また、本実施例の解析・表示装置40の演算部40bでは、ピクセル型検出素子1で発生した1個1個の光子の計数率の時刻変化に基づいて放射線、特に荷電粒子の線量率を演算する。具体的には、解析・表示装置40は、ピクセル型検出素子1で発生する光子の計数率がパルス状に増減をした時に、荷電粒子がそのピクセル素子1aに入射したと判断する。その理由は後述する。
The analysis and
解析・表示装置40としては、例えば、上述した機能を有するパーソナルコンピュータ等を採用することができる。なお、本明細書において「電気信号の計数率」とは、単位時間あたりに測定された電気信号の数を意味する。
As the analysis /
なお、図2に示す放射線検出器100Aのように、ピクセル型検出素子は、ピクセル素子1a1つからなるものであっても良い。
As in the case of the
ここで、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aのそれぞれの大きさは、ピクセル型検出素子1を設置する場所における放射線の線量率によってピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率が、ピクセル型検出素子1に荷電粒子が入射した時にピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率以下となるようにすることが望ましい。以下その理由について図3および図4を用いて説明する。図3に検出素子の吸収線量率に対する光子放出特性の関係を、図4に測定結果の一例を示す。
Here, the size of each of the
図3に示すように、光子1個1個の放出率(従って計数率)と、検出素子における吸収線量率が1対1の関係があることを本発明者らは発見した。この知見から、光子1個1個の計数率を測定することでピクセル型検出素子1内の吸収線量率を測定できることが分かる。
As shown in FIG. 3, the inventors have found that there is a one-to-one relationship between the emission rate of each photon (and hence the count rate) and the absorbed dose rate in the detection element. From this finding, it is understood that the absorbed dose rate in the pixel
また、ピクセル型検出素子1が一定の線量率環境にある場合は、線量率の測定結果である光計数率についても同様に一定の値を示す。更に、上述のように、ガンマ線が入射した場合は、そのエネルギをほとんどピクセル型検出素子1内部に付与しないことから、図4に示すように、高ガンマ線環境下(従って高線量率環境下)においても、ガンマ線による光子計数率は、比較的低い値を示すことになる。
In addition, when the pixel
これに対し、高線量率環境下のピクセル型検出素子1に荷電粒子が入射した場合、上述のように荷電粒子はそのエネルギのほとんどをピクセル素子1aの内部に付与することから、ピクセル型検出素子1の吸収線量率は非常に高い値となる。従って、図4に示すように、荷電粒子の入射により計数率が急激に増加し、検出素子の光減衰時定数の数倍程度の時間で入射する前の計数率に戻る。すなわち、光子の計数率の時刻変化をみると、荷電粒子の入射はパルス状の波形となって表れる。このようなパルス状の増加と減少の時刻変化を測定することで、荷電粒子1つ1つを測定することが可能となる。
On the other hand, when charged particles are incident on the pixel
そのために、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aのそれぞれの大きさは、ピクセル型検出素子1を設置する場所における放射線の線量率によってピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率が、ピクセル型検出素子1に荷電粒子が入射した時にピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率以下となるようにすることが望まれる。
Therefore, the size of each of the
ピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1aは、その大きさがピクセル型検出素子1に入射する荷電粒子のピクセル素子1a内での飛程以下とすることが望ましい。以下その理由について図5を用いて説明する。図5に、本実施例の放射線検出器のピクセル型検出素子1に入射する荷電粒子およびガンマ線の様子の一例を示す。
The size of each
ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aの大きさがピクセル型検出素子1に入射する荷電粒子のピクセル素子1a内での飛程以下である場合を考える。荷電粒子は基本的に質量が高く、また電荷を帯びていることから透過力が低いため、ピクセル型検出素子1に荷電粒子が入射すると、図5に示すように、ピクセル素子1aを構成する材料と入射した荷電粒子との作用により、荷電粒子のエネルギのほとんどがピクセル素子1a内部に付与される。このため、ピクセル型検出素子1の吸収線量率は非常に高い値となる。
A case where the size of the
一方、ガンマ線は透過力が高く、ピクセル素子1aを構成する材料に対する透過力も高い。そのため、ピクセル型検出素子1にガンマ線が入射しても、図5に示すように、ガンマ線はそのエネルギをほとんど失うことなく透過してしまい、そのエネルギはほとんどがピクセル素子1a内部に付与されない。このことから、ピクセル型検出素子1の吸収線量率は非常に低い値となる。
On the other hand, gamma rays have high permeability and high permeability to the material of the
これらのことから、荷電粒子の吸収線量率を高めるために、ピクセル素子1aの大きさをピクセル型検出素子1に入射する荷電粒子のピクセル素子1a内での飛程以下とすることが望ましい。
From these facts, in order to increase the absorbed dose rate of charged particles, it is desirable to set the size of the
これらのように、ピクセル型検出素子1の設置位置における放射線の線量率に応じて、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aの大きさを設定することが望ましい。そのために、予め測定環境における放射線の線量率の暫定的な値を本実施例の放射線検出器100,100Aとは異なる検出器で測定しておき、他の検出器で測定した暫定的な線量率の値に基づいてピクセル素子1aの大きさを設定することが望ましい。
As described above, it is desirable to set the size of the
なお、線量率環境が、上述したパルス状の増加と減少の時刻変化の時間内で変化する場合は、荷電粒子の測定が容易でない場合があると考えられる。しかし、ピクセル型検出素子1の一例として、ネオジムをドープしたイットリウム・アルミ・ガーネットを用いた場合、その光減衰時定数は、230マイクロ秒程度であることから、1ミリ秒程度以内に、次の荷電粒子が入射しない、または、線量率環境が急激に変化しない場合は、荷電粒子1個1個を高精度に計測することが可能である。
In addition, when the dose rate environment changes within the time of the time change of the pulse-like increase and decrease described above, it is considered that the measurement of charged particles may not be easy. However, in the case of using yttrium aluminum garnet doped with neodymium as an example of the pixel
また、高線量率環境下では、光ファイバ10の放射線劣化が生じる可能性があり、この劣化により、光子の透過性能が劣化することが考えられる。しかし、ピクセル型検出素子1で生成される光子が800nm以上の波長の光子の場合、ガンマ線による光ファイバの劣化はほとんど問題にならない水準でしか生じない。このことから、ピクセル型検出素子1の材料としては、ガンマ線または荷電粒子の入射によって、800nm以上の波長の光子を放出する材料が望ましい。このような材料としては、イットリウム・アルミ・ガーネットを含むセラミックス母材にイットリビウム、ネオジム、セリウム、プラセオジウムのうち少なくともいずれか一つ以上の希土類元素を添加したが挙げられる。一例として、ネオジムをドープしたイットリウム・アルミ・ガーネットを用いた場合、ガンマ線または荷電粒子の入射により、1064nmの光子を放出することから、ピクセル型検出素子1の材料として望ましい。
In addition, under a high dose rate environment, radiation degradation of the
次に、本実施例に係る放射線の測定方法の一例について説明する。 Next, an example of the radiation measurement method according to the present embodiment will be described.
本実施例に係る放射線の測定の前には、予め、測定環境における放射線の線量率の暫定的な値を本実施例の放射線検出器100,100Aとは異なる検出器で測定しておき、他の検出器で測定した線量率に基づいてピクセル素子1aの大きさを設定することが望ましい。
Prior to the measurement of radiation according to the present embodiment, the provisional value of the dose rate of radiation in the measurement environment is measured in advance by a detector different from the
最初に、測定環境に放射線検出器100,100Aのうち、少なくとも1つ以上のピクセル素子1aからなるピクセル型検出素子1を設置する。そして、ピクセル型検出素子1に入射した放射線によって発生した1個1個の光子を光ファイバ10により光検出部20に伝送する。そして光検出部20において光子を1個1個検出し、電気信号に変換する。
First, the pixel
その後、変換された電気信号の計数率を測定装置30等により求め、求めた1個1個の光子の計数率の時刻変化に基づいて放射線の線量率を求める。
Thereafter, the counting rate of the converted electrical signal is determined by the measuring
次に、本実施例の効果について説明する。 Next, the effects of this embodiment will be described.
上述した本発明の実施例1の放射線検出器100,100Aは、少なくとも1つ以上のピクセル素子1aからなるピクセル型検出素子1と、ピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1a1つに対して1本接続され、ピクセル型検出素子1で発生した光子を伝送する光ファイバ10と、光ファイバ10によって伝送された光子を電気信号に変換する光検出部20と、光検出部20で変換された電気信号の計数率を求める測定装置30と、測定装置30で求めた計数率に基づいて放射線の線量率を求める解析・表示装置40と、を備え、ピクセル型検出素子1で発生した1個1個の光子の計数率の時刻変化を測定するものである。また、本発明の実施例1の放射線の測定方法は、少なくとも1つ以上のピクセル素子1aからなるピクセル型検出素子1に入射した放射線によって発生した1個1個の光子を電気信号に変換し、変換された電気信号を計数して光子の計数率を求め、求めた1個1個の光子の計数率の時刻変化に基づいて放射線の線量率を求めるものである。
The above-described
これによって、従来の検出器では検出が困難であった高線量率環境下においても荷電粒子の検出が可能となり、原子力発電所内の使用済み燃料貯蔵プール、原子炉圧力容器内外、原子炉格納容器内外、サプレッションプール内外、原子炉建屋内外、再処理施設、病院および研究所等において好適に用いられる放射線検出器を提供することができる。 This makes it possible to detect charged particles even in high-dose-rate environments that are difficult to detect with conventional detectors, and can be used for spent fuel storage pools in nuclear power plants, inside and outside reactor pressure vessels, inside and outside reactor containment vessels. It is possible to provide a radiation detector suitably used inside and outside the suppression pool, inside and outside the reactor building, reprocessing facilities, hospitals, research institutes and the like.
また、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aのそれぞれの大きさを、ピクセル型検出素子1の設置位置における放射線の線量率によってピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率が、ピクセル型検出素子1に荷電粒子が入射した時にピクセル型検出素子1で発生する光子を計数したときの計数率以下となるようにすることにより、荷電粒子による吸収線量率をガンマ線による吸収線量率に比べて確実に高めることができ、荷電粒子の検出効率をより向上させることができる。
Further, the count rate when counting the photons generated by the pixel
更に、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aのそれぞれの大きさを、ピクセル型検出素子1に入射する荷電粒子のピクセル素子1a内での飛程以下とすることで、ガンマ線による吸収線量率に対する荷電粒子による吸収線量率を最大にすることができ、荷電粒子の検出性能をより向上させることができる。
Furthermore, by setting the size of each of the
また、ピクセル型検出素子1の設置位置における放射線の線量率に応じて、ピクセル型検出素子1のピクセル素子1aの大きさを設定することにより、荷電粒子による吸収線量率をガンマ線による吸収線量率に比べて確実に高めることができ、荷電粒子の検出効率の更なる向上を図ることができる。
Further, by setting the size of the
更に、解析・表示装置40は、ピクセル型検出素子1で発生する光子の計数率が、パルス状に増減をした時に、荷電粒子がそのピクセル素子1aに入射したと判断することで、荷電粒子1個1個のピクセル型検出素子1への入射をより高精度に検出することでき、荷電粒子の検出性能をより向上することができる。
Furthermore, when the counting rate of photons generated in the pixel
また、ピクセル型検出素子1は、イットリウム・アルミ・ガーネットを含むセラミックス母材にイットリビウム、ネオジム、セリウム、プラセオジウムのうち少なくともいずれか一つ以上の希土類元素を添加した放射線発光素子が用いられていることにより、光減衰時定数を検出精度を高く保つのに十分短いものとすることができ、荷電粒子の高精度な検出を図ることができる。
In addition, the pixel-
<実施例2>
次に、本発明に好適な一実施例である実施例2の放射線検出器および放射線の測定方法の一例を図6乃至図8に基づいて説明する。実施例1と同じ構成には同一の符号を示し、説明は省略する。以下の実施例においても同様とする。
Example 2
Next, an example of a radiation detector and a radiation measurement method according to a second embodiment which is a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The same reference numerals are given to the same components as in the first embodiment, and the description will be omitted. The same applies to the following embodiments.
図6に示す放射線検出器100Bや図7に示す放射線検出器100Cは、基本的には、図1に示す実施例1の放射線検出器100や図2に示す放射線検出器100Aとそれぞれ同様の構成である。
The radiation detector 100B shown in FIG. 6 and the
本実施例の放射線検出器100B,100Cは、更に、単数または複数のピクセル素子1aから構成されるピクセル型検出素子1の光ファイバ10と接続された側とは反対側に、中性子との核反応により荷電粒子を生成する材料2が設置されたものである。このような放射線検出器100B,100Cでは、材料2側の反対側を光ファイバ10に接続する。なお、材料2の設置位置はこれに限られず、光ファイバ10の接続部のみ材料2を設置せずに、ピクセル型検出素子1の他の部分の周囲全てに材料2を設置することができる。
The
本実施例の放射線検出器100B,100Cのピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1aの大きさは、中性子との核反応により材料2で生成された荷電粒子のピクセル素子1a内での飛程以下とすることが望ましい。以下その理由について図8を用いて説明する。図8に、検出素子に入射する中性子、ガンマ線および中性子との核反応で生成する荷電粒子の様子の一例を示す。
The size of each
上述のように、中性子90が材料2中に入射すると、図8に示すように、中性子と材料2との反応により荷電粒子70が生成される。生成した荷電粒子70がピクセル型検出素子1内に入射すると、実施例1の場合と同様に、そのエネルギのほとんどがピクセル素子1a内部に付与されることから、ピクセル型検出素子1の吸収線量率は非常に高い値となる。これに対し、ガンマ線80に付いては、実施例1と同様に、そのエネルギをほとんどピクセル型検出素子1内部に付与せず、光子計数率は、比較的低い値を示す。
As described above, when
従って、荷電粒子の入射により計数率が急激に増加し、検出素子の光減衰時定数の数倍程度の時間で入射する前の計数率に戻る。この増加と減少の時刻変化を測定することで、荷電粒子1つ1つを測定することが可能となることから、間接的に中性子1個1個を測定することが可能となる。 Therefore, the count rate is rapidly increased by the incidence of charged particles, and returns to the count rate before the incidence in a time several times the light attenuation time constant of the detection element. It becomes possible to measure each charged particle one by one by measuring the time change of this increase and decrease, it becomes possible to measure one neutron one by one indirectly.
材料2を構成する、中性子との核反応によって荷電粒子を生成する核種としては、リチウムの同位体であるリチウム6やホウ素の同位体であるホウ素10が挙げられる。リチウム6は、中性子を吸収して、トリチウムとアルファ線といった荷電粒子を生成する。ホウ素10は、リチウム6と同様に中性子を吸収して、リチウム7とアルファ線といった荷電粒子を生成する。そこで、中性子との核反応により荷電粒子を生成する材料2としては、これらの核種、または、これらの核種を含む化合物を用いることが望ましい。
Examples of the nuclide that forms charged particles by nuclear reaction with neutrons that constitute the
前述の材料2の厚さとしては、荷電粒子を生成する材料2の通過前後で、入射する中性子が核反応による荷電粒子の生成、吸収、または、他の反応により全量が無くなる厚さ以下とすることが望ましい。
The thickness of the above-mentioned
ここで、前述の材料2中で生成した荷電粒子は、前述の材料2中でもエネルギを付与してしまう。このため、できるだけ多くのエネルギをピクセル型検出素子1に付与させるためには、前述の材料2の厚さは、入射する中性子が材料2との反応により全量が無くなる厚さ以下であり、かつできるだけ薄い方が望ましい。
Here, the charged particles generated in the above-described
その他の構成・動作は前述した実施例1の放射線検出器100,100Bと略同じ構成・動作であり、詳細は省略する。
The other configuration and operation are substantially the same as those of the
本発明の実施例2の放射線検出器100B,100Cによれば、ピクセル型検出素子1の光ファイバ10と接続された側とは反対側に、中性子との核反応により荷電粒子を生成する材料2が設けられたことにより、高線量率環境下においても中性子の検出が可能となり、前述した実施例1の放射線検出器100,100Aおよび放射線の測定方法とほぼ同様に、原子力発電所内の使用済み燃料貯蔵プール、原子炉圧力容器内外、原子炉格納容器内外、サプレッションプール内外、原子炉建屋内外、再処理施設、病院および研究所等において好適に用いられる放射線検出器を提供することができる。
According to the
また、材料2の厚さを、材料2の通過前後で、入射する中性子が材料2との反応により全量が無くなる厚さ以下とすることで、材料2に入射する中性子による荷電粒子の生成効率を高いものとすることができ、その荷電粒子の検出をより高精度に行うことができることから、高線量率環境下における中性子の検出精度をより向上させることができる。
In addition, by setting the thickness of the
更に、材料2として、リチウムの同位体またはホウ素の同位体、または、リチウムの同位体またはホウ素の同位体を含む化合物を用いることにより、中性子との反応効率が高い元素によって材料2を構成することができ、中性子の検出精度の更なる向上を図ることができる。
Furthermore, by using a compound containing lithium isotope or boron isotope or lithium isotope or boron isotope as the
<実施例3>
次に、本発明に好適な一実施例である実施例3の放射線検出器およびその測定方法の一例を図9および図10に基づいて説明する。
Example 3
Next, an example of a radiation detector according to a third embodiment which is a preferred embodiment of the present invention and a method of measuring the same will be described with reference to FIGS.
図9に示す放射線検出器100Dや図10に示す放射線検出器100Dは、それぞれ、図1に示す実施例1の放射線検出器100や図2に示す放射線検出器100Aと同様の構成である。
The
本実施例の放射線検出器100D,100Eは、更に、ピクセル型検出素子1と光検出部20の間の光ファイバ10の部分に、波長選択フィルタ50aまたは波長減衰フィルタ50bからなるフィルタが設置されたものである。
In the
高線量率環境下にピクセル型検出素子1を設置した場合、そのピクセル型検出素子1の各ピクセル素子1aに接続された光ファイバ10も少なくともその一部が同様に高線量率環境下に設置される。このような場合、ガンマ線のコンプトン散乱による電子が光ファイバ10に多量に入射することから、光ファイバ10内でこの電子によるチェレンコフ光が生成し、それが測定のバックグラウンドになる可能性がある。
When the pixel
ここで、生成されるチェレンコフ光は、300〜400nmのところにピークを持ち、波長が長くなるに従って減少する、との特性がある。一方、ピクセル型検出素子1では、ガンマ線および荷電粒子の入射により、通常、一定の波長の光子が生成されることから、ピクセル型検出素子1から放出される光子の波長のみ透過させて光検出部20に対して伝送できるようにする波長選択フィルタ50aを光ファイバ10のうち光検出部20の直前に設置することで、チェレンコフ光によるバックグラウンドを低減することができ、より高い精度でのピクセル型検出素子1で生成された光子1個1個の検出と、それに伴う計数率の精度の更なる向上を図ることができる。
Here, the Cherenkov light generated has a characteristic of having a peak at 300 to 400 nm and decreasing as the wavelength becomes longer. On the other hand, in the pixel
ピクセル型検出素子1の一例として、ネオジムをドープしたイットリウム・アルミ・ガーネットを用いた場合、ガンマ線または荷電粒子の入射により、1064nmの光子が放出される。このことから、1064nmの光子を透過させる波長選択フィルタ50aを用いることで、チェレンコフ光によるバックグラウンドをより効果的に低減することができる。
When neodymium-doped yttrium aluminum garnet is used as an example of the pixel
また、ガンマ線および荷電粒子のピクセル型検出素子1への入射率が大きい場合、光子の計数率が光検出部20の計数能力を超えてしまうことが予想される。その場合、ピクセル型検出素子1と光検出部20の間の光ファイバ10の部分に波長減衰フィルタ50bを設置することで、ガンマ線による光子の計数率と荷電粒子による光子の計数率の比を変えること無しに、光検出部20に入射する光子を光検出部20の計数能力以下にすることができ、ガンマ線および荷電粒子の検出素子への入射率が大きい場合においても、高精度な放射線の測定が可能となる、との効果が得られる。
In addition, when the incidence rates of gamma rays and charged particles to the pixel
その他の構成・動作は前述した実施例1の放射線検出器100,100Aと略同じ構成・動作であり、詳細は省略する。
The other configuration and operation are substantially the same as those of the
本発明の実施例3の放射線検出器100D,100Eおよび放射線の測定方法においても、前述した実施例1の放射線検出器100,100Aおよび放射線の測定方法とほぼ同様な効果が得られる。
Also in the
また、ピクセル型検出素子1と光検出部20の間の光ファイバ10の部分に、波長選択フィルタ50aを更に備えたことにより、より高精度な光子1個1個の検出が可能となる。また、波長減衰フィルタ50bを更に備えたことにより、極めて線量率の高い環境下においても、荷電粒子や荷電粒子の検出を利用した中性子の検出が可能となる。
Further, by further providing the
なお、極めて線量率の高い領域である場合においては、波長選択フィルタ50aと波長減衰フィルタ50bとを併用することができる。
In the case of a region where the dose rate is extremely high, the
<その他>
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記の実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることも可能である。
<Others>
The present invention is not limited to the above embodiments, and includes various modifications. The above embodiments have been described in detail in order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and are not necessarily limited to those having all the configurations described. In addition, part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Moreover, it is also possible to add, delete, and replace other configurations for part of the configuration of each embodiment.
1…ピクセル型検出素子
1a…ピクセル素子
2…中性子との核反応により荷電粒子を放出する核種を含む材料
10…光ファイバ
20…光検出部
30…測定装置
40…解析・表示装置(解析装置)
50a…波長選択フィルタ
50b…波長減衰フィルタ
70…荷電粒子
80…ガンマ線
90…中性子
100,100A,100B,100C,100D,100E…放射線検出器
DESCRIPTION OF
50a ...
Claims (15)
前記ピクセル型検出素子の各ピクセル素子1つに対して1本接続され、前記ピクセル型検出素子で発生した光子を伝送する光ファイバと、
前記光ファイバによって伝送された光子を電気信号に変換する光検出部と、
前記光検出部で変換された電気信号の計数率を求める測定装置と、
前記測定装置で求めた計数率に基づいて放射線の線量率を求める解析装置と、を備え、
前記ピクセル型検出素子で発生した1個1個の光子の計数率の時刻変化を測定する
ことを特徴とする放射線検出器。 A pixel type detection element comprising at least one or more pixel elements;
An optical fiber connected to one of the pixel elements of the pixel type detection element and transmitting photons generated by the pixel type detection element;
A light detection unit that converts photons transmitted by the optical fiber into an electrical signal;
A measuring device for obtaining a count rate of the electrical signal converted by the light detection unit;
An analyzer for determining a dose rate of radiation based on the count rate determined by the measurement device;
What is claimed is: 1. A radiation detector comprising: measuring a time change of a counting rate of photons generated by the pixel type detection element.
前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子のそれぞれの大きさを、前記ピクセル型検出素子の設置位置における放射線の線量率によって前記ピクセル型検出素子で発生する光子を計数したときの計数率が、前記ピクセル型検出素子に荷電粒子が入射した時に前記ピクセル型検出素子で発生する光子を計数したときの計数率以下となるようにする
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
When counting the number of photons generated by the pixel type detection element according to the dose rate of radiation at the installation position of the pixel type detection element, the count rate of each pixel of the pixel type detection element is the pixel What is claimed is: 1. A radiation detector comprising: a count rate equal to or less than a count rate of photons generated by the pixel type detection element when charged particles are incident on the type detection element.
前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子のそれぞれの大きさを、前記ピクセル型検出素子に入射する荷電粒子の検出素子内での飛程以下とする
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
A radiation detector, wherein a size of each of the pixel elements of the pixel type detection element is equal to or less than a range in a detection element of charged particles incident on the pixel type detection element.
前記ピクセル型検出素子の設置位置における放射線の線量率に応じて、前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子の大きさを設定する
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
A size of the pixel element of the pixel type detection element is set according to a dose rate of radiation at an installation position of the pixel type detection element.
前記解析装置は、前記ピクセル型検出素子で発生する光子の計数率が、パルス状に増減をした時に、荷電粒子がそのピクセル素子に入射したと判断する
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
The radiation detector, wherein the analyzer determines that charged particles are incident on the pixel element when the count rate of photons generated by the pixel type detection element increases and decreases in a pulse shape.
前記ピクセル型検出素子の前記光ファイバと接続された側とは反対側に、中性子との核反応により荷電粒子を生成する材料が設けられた
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
A radiation detector characterized in that a material that generates charged particles by a nuclear reaction with neutrons is provided on the side opposite to the side of the pixel type detection element connected to the optical fiber.
前記材料の厚さを、前記材料の通過前後で、入射する前記中性子が前記材料との反応により全量が無くなる厚さ以下とする
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 6,
The radiation detector, wherein the thickness of the material is equal to or less than the thickness at which the total amount of the neutrons which are incident upon the reaction with the material disappears before and after the passage of the material.
前記材料として、リチウムの同位体またはホウ素の同位体、または、リチウムの同位体またはホウ素の同位体を含む化合物を用いる
こと特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 6,
A radiation detector characterized in that a lithium isotope or a boron isotope, or a compound containing a lithium isotope or a boron isotope is used as the material.
前記ピクセル型検出素子と前記光検出部の間の前記光ファイバの部分に、波長選択フィルタまたは波長減衰フィルタを更に備えた
こと特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
A radiation detector, further comprising: a wavelength selection filter or a wavelength attenuation filter in a portion of the optical fiber between the pixel type detection element and the light detection unit.
前記ピクセル型検出素子は、イットリウム・アルミ・ガーネットを含むセラミックス母材にイットリビウム、ネオジム、セリウム、プラセオジウムのうち少なくともいずれか一つ以上の希土類元素を添加した放射線発光素子が用いられている
ことを特徴とする放射線検出器。 In the radiation detector according to claim 1,
The pixel type detection device is characterized in that a radiation light emitting device in which at least one or more rare earth elements selected from ytterbium, neodymium, cerium and praseodymium are added to a ceramic base material containing yttrium, aluminum and garnet is used. Radiation detector.
少なくとも1つ以上のピクセル素子からなるピクセル型検出素子に入射した放射線によって発生した1個1個の光子を電気信号に変換し、
前記変換された電気信号を計数して光子の計数率を求め、
前記求めた1個1個の光子の計数率の時刻変化に基づいて放射線の線量率を求める
ことを特徴とする放射線の測定方法。 A method of measuring radiation,
Converting each single photon generated by the radiation incident on the pixel type detection element consisting of at least one or more pixel elements into an electrical signal,
Counting the converted electrical signal to obtain a photon counting rate;
A radiation measurement method, comprising: determining a dose rate of radiation based on the time change of the counting rate of each photon.
前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子のそれぞれの大きさを、前記ピクセル型検出素子の設置位置における放射線の線量率によって前記ピクセル型検出素子で発生する光子を計数したときの計数率が、前記ピクセル型検出素子に荷電粒子が入射した時に前記ピクセル型検出素子で発生する光子を計数したときの計数率以下となるようにする
ことを特徴とする放射線の測定方法。 In the radiation measurement method according to claim 11,
When counting the number of photons generated by the pixel type detection element according to the dose rate of radiation at the installation position of the pixel type detection element, the count rate of each pixel of the pixel type detection element is the pixel A method of measuring radiation characterized by being equal to or less than a count rate when photons generated by the pixel type detection element are counted when charged particles enter the type detection element.
前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子のそれぞれの大きさを、前記ピクセル型検出素子に入射する荷電粒子の検出素子内での飛程以下とする
ことを特徴とする放射線の測定方法。 In the radiation measurement method according to claim 11,
A method of measuring radiation, wherein the size of each of the pixel elements of the pixel type detection element is equal to or less than the range of the charged particles entering the pixel type detection element in the detection element.
前記ピクセル型検出素子の設置位置における放射線の線量率に応じて、前記ピクセル型検出素子の前記ピクセル素子の大きさを設定する
ことを特徴とする放射線の測定方法。 In the radiation measurement method according to claim 11,
The size of the pixel element of the pixel type detection element is set according to the dose rate of radiation at the installation position of the pixel type detection element.
前記ピクセル型検出素子で発生する光子の計数率が、パルス状に増減をした時に、荷電粒子がそのピクセル素子に入射したと判断する
ことを特徴とする放射線の測定方法。 In the radiation measurement method according to claim 11,
A method of measuring radiation characterized in that when the count rate of photons generated by the pixel type detection element increases and decreases in a pulse-like manner, charged particles are determined to have entered the pixel element.
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