JP2018179618A - 半導体素子の検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 スナップバック電圧よりも低い電圧を印加する電流源を用いて、スナップバック特性を有するＩＧＢＴと有さないＩＧＢＴとを検査可能な検査装置を提案する。【解決手段】 ＩＧＢＴを備える半導体素子の検査装置であって、第１端子（エミッタ）と第２端子（コレクタ）の間に並列に接続されている第１回路と第２回路を有する。前記第１回路が、前記第１回路内において前記第１端子から前記第２端子に向かう向きに電流を流す電流源と、前記電流源に対して直列に接続されているコイルを有する。前記第２回路が、ツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードに対して直列に接続されているリレーを有している。前記ツェナーダイオードのツェナー電圧が、前記ＩＧＢＴの立ち上がり電圧よりも高いとともに前記電流源の定格電圧よりも低い。前記リレーが、前記ツェナーダイオードがオンした後にオフする。【選択図】図２

Description

本明細書に開示の技術は、ＩＧＢＴを有する半導体素子を検査する装置に関する。

特許文献１に、ＭＯＳＦＥＴの検査装置が開示されている。この検査装置では、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を測定することができる。

特許文献２に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）という）が開示されている。

特開２０００−１７１５１７号公報 特開２０１３−１５２９９６号公報

一般的なＩＧＢＴでは、ＩＧＢＴのゲートに閾値以上の電圧を印加した状態でコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅを上昇させると、電圧Ｖｃｅが特定の電圧を超えたときにＩＧＢＴに流れる主電流（コレクタ‐エミッタ間電流）Ｉｃｅが急に増加する。主電流Ｉｃｅが急に増加するときの電圧Ｖｃｅを、以下では、立ち上がり電圧という。

他方、特許文献２に開示されているように、ＩＧＢＴがスナップバック特性を有する場合がある。スナップバック特性を有するＩＧＢＴでは、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧を超えても、主電流Ｉｃｅがほとんど増加しない。電圧Ｖｃｅを立ち上がり電圧よりもさらに高い電圧（以下、スナップバック電圧という）まで上昇させると、主電流Ｉｃｅが急に増加するとともに電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧と略等しい電圧まで急激に低下する。その後は、電圧Ｖｃｅを上昇させるのに伴って主電流Ｉｃｅが増加する。

ＩＧＢＴの量産時には、スナップバック特性を有するＩＧＢＴと有さないＩＧＢＴとが製造される場合がある。スナップバック特性を有さないＩＧＢＴでは、電圧Ｖｃｅを立ち上がり電圧まで上昇させれば、主電流Ｉｃｅを流すことができる。したがって、スナップバック特性を有さないＩＧＢＴでは、立ち上がり電圧より若干高い程度の電圧を印加可能な電流源を用いれば、オン特性（主電流Ｉｃｅが流れているときの特性）の検査を行うことができる。他方、スナップバック特性を有するＩＧＢＴでは、電圧Ｖｃｅを一旦スナップバック電圧まで上昇させないと、主電流Ｉｃｅを流すことができない。このため、スナップバック特性を有するＩＧＢＴでは、スナップバック電圧よりも高い電圧を印加可能な電流源を用いなければ、オン特性を測定することができない。スナップバック特性を有さないＩＧＢＴとスナップバック特性を有するＩＧＢＴとが混在する場合には、スナップバック電圧よりも高い電圧を印加可能な電流源が必要であった。

したがって、本明細書では、スナップバック電圧よりも低い電圧を印加する電流源を用いて、スナップバック特性を有するＩＧＢＴと有さないＩＧＢＴのオン特性を検査可能な検査装置を提案する。

本明細書が開示する検査装置は、ＩＧＢＴを備える半導体素子を検査する。この検査装置は、検査対象の前記ＩＧＢＴのエミッタに接続される第１端子と、検査対象の前記ＩＧＢＴのコレクタに接続される第２端子と、前記第１端子と前記第２端子の間に接続されている第１回路と、前記第１回路に対して並列に、前記第１端子と前記第２端子の間に接続されている第２回路を有している。前記第１回路が、前記第１回路内において前記第１端子から前記第２端子に向かう向きに電流を流す電流源と、前記電流源に対して直列に接続されているコイルを有している。前記第２回路が、前記第１端子側がアノードとなるとともに前記第２端子側がカソードとなる向きで接続されているツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードに対して直列に接続されているリレーを有している。前記ツェナーダイオードのツェナー電圧が、前記ＩＧＢＴの立ち上がり電圧よりも高いとともに前記電流源の定格電圧よりも低い。前記リレーが、前記ツェナーダイオードがオンした後にオフする。

まず、スナップバック特性を有さないＩＧＢＴを検査するときの検査装置の動作について説明する。ＩＧＢＴは、第１端子と第２端子とに接続される。オン特性の測定時には、ＩＧＢＴのゲートに閾値以上の電位が印加される。この状態で、電流源を動作させる。すると、電流源が、第１端子（エミッタ）と第２端子（コレクタ）の間の電圧Ｖｃｅを徐々に増加させる。電圧ＶｃｅがＩＧＢＴの立ち上がり電圧に達すると、ＩＧＢＴの主電流Ｉｃｅが増加する。したがって、ＩＧＢＴのオン特性を検査することができる。

次に、スナップバック特性を有するＩＧＢＴを検査するときの検査装置の動作について説明する。まず、ＩＧＢＴを第１端子と第２端子に接続し、ＩＧＢＴのゲートに閾値以上の電位を印加する。次に、電流源を動作させる。すると、電流源が、第１端子（エミッタ）と第２端子（コレクタ）の間の電圧Ｖｃｅを徐々に増加させる。電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧に達しても主電流Ｉｃｅは増加しないので、電流源はさらに電圧Ｖｃｅを増加させる。電流源の定格電流がツェナーダイオードのツェナー電圧よりも高いので、電流源は電圧Ｖｃｅをツェナー電圧まで上昇させる。電圧Ｖｃｅをツェナー電圧まで上昇させると、ツェナーダイオードがオンする。すると、第１回路（電流源とコイルの直列回路）から第２回路（ツェナーダイオードとリレーの直列回路）に電流が流れる。ツェナーダイオード（すなわち、第２回路）に電流が流れると、その後にリレーがオフする。すると、第２回路に流れる電流が停止する。すると、第１回路のコイルが電流を維持する向きに誘導電圧を生じさせる。このため、電流源の印加電圧とコイルの誘導電圧を合わせた電圧が、ＩＧＢＴに印加される。すなわち、電圧Ｖｃｅが、コイルの誘導電圧によって上昇する。このため、電圧Ｖｃｅがスナップバック電圧を超える。このように、コイルの誘導電圧を用いることで、電流源の印加電圧がスナップバック電圧よりも低くても、電圧Ｖｃｅをスナップバック電圧よりも高くすることができる。電圧Ｖｃｅがスナップバック電圧に達すると、主電流Ｉｃｅが急に増加する。また、主電流Ｉｃｅが増加するのと略同時に、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧と略等しい電圧（すなわち、電流源の最大定格よりも低い電圧）まで急に低下する。したがって、電圧Ｖｃｅが低下した後は、電流源の印加電圧によって、主電流Ｉｃｅを流し続けることができる。このため、ＩＧＢＴのオン特性を検査できる。

以上に説明したように、この検査装置によれば、電流源の定格電圧がスナップバック電圧より低い場合でも、スナップバック特性を有するＩＧＢＴを検査することができる。この検査装置によれば、スナップバック特性を有するＩＧＢＴと有さないＩＧＢＴを検査することができる。

ＩＧＢＴの電圧Ｖｃｅと主電流Ｉｃｅの関係を示すグラフ。 検査装置１０を示す回路図。 第２回路４０の詳細を示す回路図。 スナップバック特性を有さないＩＧＢＴの検査工程を示すグラフ。 スナップバック特性を有するＩＧＢＴの検査工程を示すグラフ。

以下に説明する実施形態の検査装置は、１つの半導体基板にＩＧＢＴとダイオードが設けられている半導体素子を検査する。ＩＧＢＴのエミッタがダイオードのアノードに接続されており、ＩＧＢＴのコレクタがダイオードのカソードに接続されている。ＩＧＢＴがスナップバック特性を有する場合がある。特に、１つの半導体基板にＩＧＢＴとダイオードが設けられている半導体素子においては、ＩＧＢＴの領域からダイオードの領域に電流が流れる場合があり、このような電流が生じやすい半導体素子ではＩＧＢＴがスナップバック特性を有し易い。まず、ＩＧＢＴのスナップバック特性について、図１を用いて説明する。図１は、ＩＧＢＴのゲートに閾値以上の電位が印加されているとき（すなわち、ＩＧＢＴにチャネルが形成されているとき）の電圧Ｖｃｅと主電流Ｉｃｅの関係を示している。電圧ＶｃｅはＩＧＢＴのコレクタとエミッタの間の電圧であり、主電流ＩｃｅはＩＧＢＴのコレクタからエミッタに流れる電流（主電流）である。図１では、破線のグラフがスナップバック特性を有さないＩＧＢＴの特性を示しており、実線のグラフがスナップバック特性を有するＩＧＢＴの特性を示している。なお、主電流Ｉｃｅが高い範囲では、破線のグラフが実線のグラフと重複している。

スナップバック特性を有さないＩＧＢＴでは、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎより低い場合には主電流Ｉｃｅがほとんど流れない。電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎを超えると、主電流Ｉｃｅが急激に増加する。

スナップバック特性を有するＩＧＢＴでも、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎより低い場合に主電流Ｉｃｅがほとんど流れない。スナップバック特性を有するＩＧＢＴでは、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎに達しても、主電流Ｉｃｅはほとんど増加しない。電圧Ｖｃｅを立ち上がり電圧Ｖｏｎよりも高いスナップバック電圧Ｖｓｎまで上昇させると、主電流Ｉｃｅが急激に増加するとともに、電圧Ｖｃｅが急激に低下する。電圧Ｖｃｅは、立ち上がり電圧Ｖｏｎと略等しい電圧まで低下する。その後は、スナップバック特性を有さない場合と同様にして、電圧Ｖｃｅの上昇に伴って主電流Ｉｃｅが増加する。

なお、スナップバック電圧Ｖｓｎの大きさは、量産される半導体素子の間で大きくばらつく。これに対し、量産される半導体素子の間で、立ち上がり電圧Ｖｏｎの大きさのばらつきは小さい。

図２は、実施形態の検査装置１０を示している。検査装置１０は、検査対象の半導体素子９０を接続するためのソケットを有している。ソケットは、端子２１〜２３を有している。検査対象の半導体素子９０は、ＩＧＢＴ９２とｐｎダイオード９４を有している。ＩＧＢＴ９２のコレクタＣはダイオード９４のカソードＫに接続されている。ＩＧＢＴ９２のコレクタＣ（すなわち、ダイオード９４のカソードＫ）は、端子２２に接続されている。ＩＧＢＴ９２のエミッタＥはダイオード９４のアノードＡに接続されている。ＩＧＢＴ９２のエミッタＥ（すなわち、ダイオード９４のアノードＡ）は、端子２１に接続されている。ＩＧＢＴ９２のゲートＧは、端子２３に接続されている。

端子２３と端子２１の間に、ゲート電源７０が接続されている。ゲート電源７０は、ＩＧＢＴ９２のゲートＧの電位を制御する。

端子２１と端子２２の間に配線５０が接続されている。配線５０には、第１回路３４が介装されている。

第１回路３４は、コイル３０と定電流源３２を有している。定電流源３２は、配線５０に介装されている。定電流源３２は、配線５０に端子２１から端子２２に向かう向きに電流を流す。コイル３０は、配線５０に介装されている。コイル３０は、定電流源３２に対して直列に接続されている。コイル３０は、定電流源３２よりも端子２２側に接続されている。但し、コイル３０は、定電流源３２よりも端子２１側に接続されていてもよい。

配線５０に対して第２回路４０が接続されている。第２回路４０の一端は、第１回路３４よりも端子２２側で配線５０に接続されている。第２回路４０の他端は、端子２１（すなわち、エミッタＥ）と同電位に接続されている。すなわち、第２回路４０は、第１回路３４に対して並列に、端子２１と端子２２の間に接続されている。第２回路４０は、ツェナーダイオード４２とリレー４４を有している。ツェナーダイオード４２は、端子２１側（低電位側）がアノードとなり、端子２２側（高電位側）がカソードとなる向きで接続されている。リレー４４は、ツェナーダイオード４２に対して直列に接続されている。リレー４４は、ツェナーダイオード４２よりも端子２１側（低電位側）に接続されている。但し、リレー４４は、ツェナーダイオード４２よりも端子２２側（高電位側）に接続されていてもよい。リレー４４は、通常時はオンしている。リレー４４は、ツェナーダイオード４２に電流が流れると、それから一定時間経過後にオフするように構成されている。

図３は、第２回路４０の詳細を示している。図３に示すように、ツェナーダイオード４２のアノードに接続されている配線に、電流センサ４６が設置されている。電流センサ４６は、ツェナーダイオード４２に流れる電流を検出する。リレー４４は、２つの固定接点４４ａ、４４ｂと可動接点４４ｃと、コイル４４ｄを有している。可動接点４４ｃは、端子２１（エミッタＥ）と同電位に接続されている。固定接点４４ａは、ツェナーダイオード４２のアノードに接続されている。固定接点４４ｂは、コイル４４ｄを介して所定電位Ｖｈに接続されている。また、第２回路４０は、トランジスタ４８をさらに有している。トランジスタ４８のベースは、抵抗４７を介して電流センサ４６に接続されている。トランジスタ４８のコレクタは、固定接点４４ｂに接続されている。トランジスタ４８のエミッタは、端子２１（エミッタＥ）と同電位に接続されている。

リレー４４の可動接点４４ｃは、通常時は、固定接点４４ａに接している。ツェナーダイオード４２のカソード（すなわち、端子２２）の電位がツェナーダイオード４２のツェナー電圧よりも高くなると、ツェナーダイオード４２がオンする。すると、ツェナーダイオード４２、固定接点４４ａ及び可動接点４４ｃを介して電流が流れる。すると、電流センサ４６がツェナーダイオード４２に流れる電流を検知し、電流センサ４６の出力電圧が上昇する。すると、トランジスタ４８のベースの電位が上昇し、トランジスタ４８がオンする。すると、コイル４４ｄに電流が流れる。すると、コイル４４ｄで生じる磁力によって、可動接点４４ｃがコイル４４ｄに引き寄せられる。このため、可動接点４４ｃは、固定接点４４ａに対して非接触になるとともに固定接点４４ｂに接触する。すると、リレー４４がオフし、ツェナーダイオード４２に流れる電流が停止する。このように、ツェナーダイオード４２に電流が流れると、それから一定時間経過後にリレー４４がオフし、ツェナーダイオード４２に流れる電流が停止する。ツェナーダイオード４２のツェナー電圧は、定電流源３２の定格電圧（定電流源３２が印加することが可能な最大電圧）よりも低く、ＩＧＢＴ９２の立ち上がり電圧よりも高い。

図２に示すように、端子２１と端子２２の間には、電圧計６０が接続されている。電圧計６０は、端子２１と端子２２の間の電圧（すなわち、ＩＧＢＴ９２のコレクタ‐エミッタ間の電圧Ｖｃｅ）を測定する。

次に、図４、５を用いて検査装置１０の動作について説明する。なお、図４、５において、電流Ｉｚｎは、ツェナーダイオード４２に流れる電流を示している。

図４は、スナップバック特性を有さないＩＧＢＴ９２を備える半導体素子９０を検査するときの動作を示している。検査工程では、ゲート電源７０によってＩＧＢＴ９２のゲートＧに閾値以上の電位が印加される。タイミングｔ０において、定電流源３２の動作を開始する。定電流源３２は、電圧Ｖｃｅを徐々に上昇させる。なお、図４に示すように、定電流源３２の動作開始直後においては、電圧Ｖｃｅがツェナーダイオード４２のツェナー電圧Ｖｚｎよりも低いので、ツェナーダイオード４２はオフしている。このため、第２回路４０には電流は流れていない。タイミングｔ１において電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎに達すると、主電流Ｉｃｅが増加する。主電流Ｉｃｅは、定電流源３２からコイル３０とＩＧＢＴ９２を経由して定電流源３２に戻る閉経路に流れる。定電流源３２は、主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１に達するまで電圧Ｖｃｅを上昇させる。タイミングｔ５で主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１に達すると、定電流源３２は、主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１に維持されるように、電圧Ｖｃｅを略一定値に制御する。タイミングｔ１以降に、ＩＧＢＴ９２のオン特性を測定することができる。オン特性は、タイミングｔ１からタイミングｔ５の間（主電流Ｉｃｅが増加しているとき）に測定してもよいし、タイミングｔ５以降（主電流Ｉｃｅが一定であるとき）に測定してもよい。例えば、主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１であるときの電圧Ｖｃｅを、電圧計６０によって測定することができる。図４の動作では、ツェナーダイオード４２に電流が流れないので、ツェナーダイオード４２の電流Ｉｚｎが略ゼロに維持される。

図５は、スナップバック特性を有するＩＧＢＴ９２を備える半導体素子９０を検査するときの動作を示している。なお、上述したように、ＩＧＢＴ９２のスナップバック電圧Ｖｓｎは素子によって異なる。図５では、スナップバック電圧Ｖｓｎが、定電流源３２の最大定格Ｖｍａｘよりも高い場合を示している。

図５の動作においては、ゲート電源７０によってＩＧＢＴ９２のゲートＧに閾値以上の電位が印加される。タイミングｔ０において、定電流源３２の動作を開始する。定電流源３２は、タイミングｔ０以降に電圧Ｖｃｅを徐々に上昇させる。電圧Ｖｃｅがツェナー電圧Ｖｚｎより低い間は、第２回路４０には電流は流れない。タイミングｔ１において電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎに達する。しかしながら、図１に示すように、スナップバック特性を有するＩＧＢＴ９２では、電圧Ｖｃｅが立ち上がり電圧Ｖｏｎに達しても、主電流Ｉｃｅがほとんど増加しない。このため、定電流源３２が電圧Ｖｃｅをさらに上昇させる。定電流源３２の定格電圧Ｖｍａｘがツェナーダイオード４２のツェナー電圧Ｖｚｎよりも高いので、タイミングｔ２において、電圧Ｖｃｅがツェナー電圧Ｖｚｎに達する。すると、ツェナーダイオード４２がオンする。このため、定電流源３２から、コイル３０、ツェナーダイオード４２、リレー４４を経由して定電流源３２に戻る閉回路に電流が流れる。したがって、図５に示すように、タイミングｔ２においてツェナーダイオード４２に電流Ｉｚｎが流れ始める。電流経路がコイル３０を有しているので、タイミングｔ２以降に電流Ｉｚｎは所定の割合で増加する。また、タイミングｔ２でツェナーダイオード４２がオンするので、タイミングｔ２以降に、電圧Ｖｃｅがツェナー電圧Ｖｚｎで略一定となる。

上述したように、ツェナーダイオード４２に電流が流れると、それから一定時間経過後にリレー４４がオフする。図５では、タイミングｔ２から一定時間経過後のタイミングｔ３に、リレー４４がオフする。このため、タイミングｔ３で電流Ｉｚｎが低下する。また、電流Ｉｚｎが低下すると、コイル３０で誘導電圧が生じる。コイル３０では、端子２２側を高電位とするように誘導電圧が生じる。その結果、端子２１と端子２２の間に、定電流源３２の印加電圧にコイル３０の誘導電圧を加算した電圧が印加される。このため、タイミングｔ３において、コイル３０の誘導電圧によって電圧Ｖｃｅが急激に上昇する。電圧Ｖｃｅは、スナップバック電圧Ｖｓｎを超える電圧まで上昇する。すると、スナップバック現象（図１参照）が発生し、タイミングｔ３以降に、主電流Ｉｃｅが急激に増加するとともに、電圧Ｖｃｅが急激に低下する。タイミングｔ３の直後のタイミングｔ４において、電圧Ｖｃｅは立ち上がり電圧Ｖｏｎと略等しい電圧まで低下する。また、タイミングｔ３からタイミングｔ４の間に、コイル３０の誘導電圧は略ゼロまで低下する。このため、タイミングｔ４以降は、電圧Ｖｃｅが定電流源３２の印加電圧と略一致する。タイミングｔ４以降は、定電流源３２が一定の割合で電圧Ｖｃｅを増加させる。タイミングｔ４以降の電圧Ｖｃｅは定電流源３２の定格電圧Ｖｍａｘよりも低いので、タイミングｔ４以降に定電流源３２は電圧Ｖｃｅを制御することができる。タイミングｔ４以降は、スナップバック特性を有さないＩＧＢＴの検査工程と同様に、定電流源３２によって電圧Ｖｃｅと主電流Ｉｃｅを制御することができる。定電流源３２は、タイミングｔ５において主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１に達すると、タイミングｔ５以降は主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１に維持されるように電圧Ｖｃｅを略一定に制御する。タイミングｔ４以降に、ＩＧＢＴ９２のオン特性を測定することができる。オン特性は、タイミングｔ４からタイミングｔ５の間（主電流Ｉｃｅが上昇しているとき）に測定してもよいし、タイミングｔ５以降（主電流Ｉｃｅが一定であるとき）に測定してもよい。例えば、主電流Ｉｃｅが設定値Ｉｃｅ１であるときの電圧Ｖｃｅを、電圧計６０によって測定することができる。

以上に説明したように、ＩＧＢＴ９２がスナップバック特性を有する場合でも、タイミングｔ４以降は、ＩＧＢＴ９２がスナップバック特性を有さない場合と同様にＩＧＢＴ９２に主電流Ｉｃｅを流すことができる。したがって、タイミングｔ４以降に、主電流Ｉｃｅが流れているときのＩＧＢＴ９２の特性（すなわち、オン特性）を測定することができる。

以上に説明したように、実施形態の検査装置１０によれば、定電流源３２の最大定格がスナップバック電圧Ｖｓｎよりも低い場合でも、ＩＧＢＴ９２のオン特性を検査することができる。このため、最大定格が小さい定電流源３２を用いることが可能となり、検査装置１０の小型化及びコストダウンを行うことができる。また、実施形態の検査装置１０によれば、スナップバック特性を有するＩＧＢＴとスナップバック特性を有さないＩＧＢＴとを検査することができる。スナップバック特性を有するＩＧＢＴとスナップバック特性を有さないＩＧＢＴとで検査モードの切り換え等が不要であるので、効率的に検査を行うことができる。

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

１０：検査装置
２１〜２３：端子
３０：コイル
３２：定電流源
３４：第１回路
４０：第２回路
４２：ツェナーダイオード
４４：リレー
６０：電圧計
７０：ゲート電源
９０：半導体素子
９２：ＩＧＢＴ
９４：ダイオード

Claims (1)

1. ＩＧＢＴを備える半導体素子の検査装置であって、
   検査対象の前記ＩＧＢＴのエミッタに接続される第１端子と、
   検査対象の前記ＩＧＢＴのコレクタに接続される第２端子と、
   前記第１端子と前記第２端子の間に接続されている第１回路と、
   前記第１回路に対して並列に、前記第１端子と前記第２端子の間に接続されている第２回路、
   を有しており、
   前記第１回路が、
   前記第１回路内において前記第１端子から前記第２端子に向かう向きに電流を流す電流源と、
   前記電流源に対して直列に接続されているコイル、
   を有しており、
   前記第２回路が、
   前記第１端子側がアノードとなり、前記第２端子側がカソードとなる向きで接続されているツェナーダイオードと、
   前記ツェナーダイオードに対して直列に接続されているリレー、
   を有しており、
   前記ツェナーダイオードのツェナー電圧が、前記ＩＧＢＴの立ち上がり電圧よりも高いとともに前記電流源の定格電圧よりも低く、
   前記リレーが、前記ツェナーダイオードがオンした後にオフする、
   検査装置。

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