JP2018177903A - イオン液体、潤滑剤及び磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)低揮発性であること。
(2)表面補充機能のために低表面張力であること。
(3)末端極性基とディスク表面への相互作用があること。
(4)使用期間での分解、減少がないように、熱的及び酸化安定性が高いこと。
(5)金属、ガラス、高分子に対して化学的に不活性で、ヘッドやガイドに対して摩耗粉を生じないこと。
(6)毒性、可燃性がないこと。
(7)境界潤滑特性に優れていること。
(8)有機溶媒、特にフッ素系溶媒に溶解すること。
しかし、イオン液体が各種用途における潤滑剤として期待されているところ、この提案の技術のイオン液体よりも更に摩擦特性が優れるイオン液体が望まれている。
<1> イオン液体を含有し、
前記イオン液体が、下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しないカチオンと、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しないアニオンとを有することを特徴とする潤滑剤である。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
<2> 前記一般式(A)において、R2、R3、及びR4の1つが水素原子である前記<1>に記載の潤滑剤である。
<3> 前記一般式(X)が、下記構造式のいずれかである前記<1>から<2>のいずれかに記載の潤滑剤である。
<5> 下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しないカチオンと、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しないアニオンとを有することを特徴とするイオン液体である。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
<6> 前記一般式(A)において、R2、R3、及びR4の1つが水素原子である前記<5>に記載のイオン液体である。
<7> 前記一般式(X)が、下記構造式のいずれかである前記<5>から<6>のいずれかに記載のイオン液体である。
1. 潤滑剤及びイオン液体
2. 磁気記録媒体
3. 実施例
本発明の一実施形態として示す潤滑剤は、イオン液体を含有する。
本発明の一実施形態として示すイオン液体は、下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しないカチオンと、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しないアニオンとを有する。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
前記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が含まれる。
前記カチオンは、下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しない。
前記カチオンは、ハロゲン原子を有しないことが好ましい。
前記炭素数6以上の直鎖状の炭化水素基を含む基としては、炭素数6以上の直鎖状の炭化水素基が好ましい。
前記一般式(A)が、炭素数6以上の直鎖状の炭化水素基を有することは、本発明のイオン液体が摩擦特性に優れる一因となる。
R2、R3、及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、及び炭化水素基のいすれかを表す。
前記アニオンは、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しない。
前記アニオンは、ハロゲン原子を有しないことが好ましい。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
前記Ar1における置換基を有していてもよい芳香族基の置換基としては、フッ素原子以外であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭化水素基などが挙げられる。前記炭化水素基の炭素数としては、例えば、1〜4などが挙げられる。
前記Ar1における置換基を有していてもよい芳香族基の置換基の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0〜5などが挙げられる。
前記Ar1における置換基を有していてもよい芳香族基の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。
前記R5におけるアルキレン基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましい。
前記Ar2における置換基を有していてもよい芳香族基の置換基としては、フッ素原子以外であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭化水素基などが挙げられる。前記炭化水素基の炭素数としては、例えば、1〜4などが挙げられる。
前記Ar2における置換基を有していてもよい芳香族基の置換基の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、0〜5などが挙げられる。
前記Ar2における置換基を有していてもよい芳香族基の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。
前記イオン液体の融点は、25℃以下であることが好ましく、10℃以下であることがより好ましい。前記イオン液体の融点の下限値としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記イオン液体の融点は、−100℃以上が好ましい。
前記融点は、例えば、示差走査熱量測定により求めることができる。
前記イオン液体が常温以下の融点であることで、常温において流動性があるイオン液体となる。
前記溶媒としては、フッ素系溶媒が好ましい。前記フッ素系溶媒としては、例えば、
ハイドロフルオロエーテル〔例えば、C3F7OCH3、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C2F5CF(OCH3)C3F7、CF3(CHF)2CF2CF3〕などが挙げられるが、それにIPAやエタノールあるいはメタノール等のアルコールを混合して用いても良い。
前記フッ素系溶媒は、市販品であってもよい。前記市販品としては、例えば、3M社製のNovecTM 7000、7100、7200、7300、71IPA、三井・デュポン フロロケミカル株式会社製のVertrel XF、X−P10などが挙げられる。
次に、前述の潤滑剤を用いた磁気記録媒体について説明する。本発明の一実施形態として示す磁気記録媒体は、非磁性支持体上に少なくとも磁性層を有してなり、前記磁性層に前述の潤滑剤を保有してなるものである。
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。本実施例では、イオン液体を合成し、イオン液体を含有する潤滑剤を作製した。その潤滑剤のn−ヘキサンとエタノールの混合溶媒に溶解させ、磁気ディスク及び磁気テープの表面に塗布して、それぞれディスク耐久性及びテープ耐久性について評価した。磁気ディスクの製造、ディスク耐久性試験、磁気テープの製造、及びテープ耐久性試験は、次のように行った。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
例えば、国際公開第2005/068589号公報に従って、ガラス基板上に磁性薄膜を形成し、図4に示すような磁気ディスクを作製した。具体的には、アルミシリケートガラスからなる外径65mm、内径20mm、ディスク厚0.635mmの化学強化ガラスディスクを準備し、その表面をRmaxが4.8nm、Raが0.43nmになるように研磨した。ガラス基板を純水及び純度99.9%以上のイソプロピルアルコール(IPA)中で、それぞれ5分間超音波洗浄を行い、IPA飽和蒸気内に1.5分間放置後、乾燥させ、これを基板11とした。
TG/DTA測定では、セイコーインスツルメント社製EXSTAR6000を使用し、200ml/minの流量で空気中を導入しながら、10℃/minの昇温速度で30℃−600℃の温度範囲で測定を行った。
市販のひずみゲージ式ディスク摩擦・摩耗試験機を用いて、ハードディスクを14.7Ncmの締め付けトルクで回転スピンドルに装着後、ヘッドスライダーのハードディスクに対して内周側のエアベアリング面の中心が、ハードディスクの中心より17.5mmになるようにヘッドスライダーをハードディスク上に取り付けCSS耐久試験を行った。本測定に用いたヘッドは、IBM3370タイプのインライン型ヘッドであり、スライダーの材質はAl2O3−TiC、ヘッド荷重は63.7mNである。本試験は、クリーン清浄度100、25℃60%RHの環境下で、CSS(Contact、Start、Stop)毎に摩擦力の最大値をモニターした。摩擦係数が1.0を超えた回数をCSS耐久試験の結果とした。CSS耐久試験の結果において、50,000回を超える場合には「>50,000」と表示した。また、耐熱性を調べるために、300℃の温度で3分間加熱試験を行った後のCSS耐久性試験を同様に行った。
図5に示すような断面構造の磁気テープを作製した。先ず、5μm厚の東レ製ミクトロン(芳香族ポリアミド)フィルムからなる基板21に、斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚100nmの強磁性金属薄膜からなる磁性層22を形成した。次に、この強磁性金属薄膜表面にプラズマCVD法により10nmのダイヤモンドライクカーボンからなるカーボン保護層23を形成させた後、6ミリ幅に裁断した。このカーボン保護層23上にIPAに溶解したイオン液体を、膜厚が1nm程度となるように塗布して潤滑剤層24を形成し、サンプルテープを作製した。
各サンプルテープについて、温度−5℃環境下、温度40℃30%RH環境下のスチル耐久性、並びに、温度−5℃環境下、温度40℃90%RH環境下の摩擦係数及びシャトル耐久性について測定を行った。スチル耐久性は、ポーズ状態での出力が−3dB低下するまでの減衰時間を評価した。シャトル耐久性は、1回につき2分間の繰り返しシャトル走行を行い、出力が3dB低下するまでのシャトル回数で評価した。また、耐熱性を調べるために、100℃の温度で10分間加熱試験を行った後の耐久性試験も同様に行った。
<トリドデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートの合成>
トリドデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートの合成は、以下のスキームにしたがって行った。
988cm−1、 1096cm−1、 1274cm−1、 1468cm−1、 1639cm−1、 1805cm−1、 2854cm−1、 2923cm−1に吸収ピークが見られた。
1H−NMR(CDCl3,δppm);0.848(t/J=6.8Hz,9H), 1.180−1.340(m,54H), 1.630−1.720(m,6H), 2.963‐3.004(m,6H)
13C−NMR(CDCl3,δppm);14.080, 22.647, 23.270, 26.739, 29.048, 29.297, 29.374, 29.450, 29.565, 31.865, 52.420, 159.134
<トリドデシルアンモニウムビス(マンデラート)ボレートの合成>
トリドデシルアンモニウムビス(マンデラート)ボレートの合成は、以下のスキームにしたがって行った。
931cm−1、 1105cm−1、 1259cm−1、 1469cm−1、 1738cm−1、 2853cm−1、 2922cm−1、 3032cm−1に吸収ピークが見られた。
1H−NMR(CDCl3,δppm);0.858(t/J=6.8Hz,9H), 1.140−1.310(m,54H), 1.430−1.520(m,6H), 2.778‐2.820(m,6H), 5.310(s,1H), 5.397(d/J=3.6Hz,1H),7.200−7.259(m,2H)7.260−7.351(m,4H)7.574−7.632(m,4H)
13C−NMR(CDCl3,δppm);14.099, 22.656, 23.193, 26.489, 28.943, 29.307, 29.422, 29.575, 31.875, 52.526, 126,054, 126.284, 127.520, 127.597, 127.702, 128.162, 128.287, 139.278, 139.374, 178.999, 179.152
<トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートの合成>
トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートについては、下記スキームによって合成した。
988cm−1、 1096cm−1、 1202cm−1、 1275cm−1、 1467cm−1、 1779cm−1、 1804cm−1、 2857cm−1、 2927cm、 2957cm−1に吸収ピークが見られた。
1H−NMR(CD3OD,δppm);0.818−0.875(m,12H), 1.180−1.390(m,40H), 1.550−1.690(m,8H), 3.172−3.214(m,8H)
13C−NMR(CD3OD,δppm);13.764, 14.061, 21.918, 22.283, 22.618, 25.895, 26.221, 28.971, 29.240, 29.278, 29.364, 29.518, 29.565, 29.594, 30.051, 31.846, 58.994, 158.808
<トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(オキサラート)ボレートの合成>
比較のために、トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(オキサラート)ボレートの合成を、下記の合成スキームで、非特許文献(Phys. Chem. Chem. Phys., 2011, 13, 12865−12873)に従って行った。
<トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(マンデラート)ボレートの合成>
比較のために、トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(マンデラート)ボレートの合成を、下記の合成スキームで、同様に非特許文献(Phys. Chem. Chem. Phys., 2011, 13, 12865−12873)に従って行った。
<トリドデシルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの合成>
比較のために、トリドデシルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの合成を、下記の合成スキームで行った。
1059cm−1、 1136cm−1、 1189cm−1、 1351cm−1、 1469cm−1、 2853cm−1、 2921cm−1、 3156cm−1に吸収ピークが見られた。
1H−NMR(CDCl3,δppm);0.856(t/J=6.8Hz,9H), 1.190−1.360(m,54H), 1.590−1.690(m,6H), 3.003‐3.046(m,6H)
13C−NMR(CDCl3,δppm);14.080, 22.656, 23.250, 26.441, 28.933, 29.259, 29.288, 29.393, 29.527, 29.556, 31.865, 53.072, 119.620(q/J=319Hz)
<ディスク耐久性試験>
実施例1Aの潤滑剤であるトリドデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートを塗布して、磁気ディスクを作製した。ディスク耐久性試験結果を表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は、50,000回を超え、加熱試験後のCSS測定も50,000回を超え、優れた耐久性を示した。
<ディスク耐久性試験>
実施例2Aの潤滑剤であるトリドデシルアンモニウムビス(マンデラート)ボレートを塗布して、磁気ディスクを作製した。ディスク耐久性試験結果を表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は、50,000回を超え、加熱試験後のCSS測定も50,000回を超え、優れた耐久性を示した。
<ディスク耐久性試験>
トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は41,000回で実施例1Aと比較して低く、また加熱試験後のCSS測定は38,000回であり、加熱試験により耐久性が低下した。長鎖のアルキル鎖を含むアンモニウムビス(オキサラート)ボレート塩でありながら、実施例1Aに示す3級アンモニウムの塩と比較すると耐久性が低い。
<ディスク耐久性試験>
トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(オキサラート)ボレートを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は30,000回で実施例と比較して悪く、また加熱試験後のCSS測定は25,000回であり、加熱試験により耐久性が悪化した。長鎖のアルキル鎖を含むホスホニウムビス(オキサラート)ボレート塩では、実施例に示すアンモニウムのボレート塩と比較すると耐久性が悪い。
<ディスク耐久性試験>
トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(マンデラート)ボレートを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は27,000回で実施例と比較して悪く、また加熱試験後のCSS測定は24,000回であり、加熱試験により耐久性が悪化した。長鎖のアルキル鎖を含むホスホニウムビス(マンデラート)ボレート塩では、実施例に示すアンモニウムのボレート塩と比較すると耐久性が悪い。また比較例1Bで示す同じホスホニウム塩であるオキサラートボレートよりも耐久性は劣化した。
<ディスク耐久性試験>
トリドデシルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。ディスク耐久性試験結果を表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は、50,000回を超え、加熱試験後のCSS測定も50,000回を超え、優れた耐久性を示した。ただし、トリドデシルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドは、フッ素原子を含有する。
<ディスク耐久性試験>
Z−DOLを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は、50,000回を超えたものの、加熱試験後のCSS測定は12,000回であり、加熱試験により耐久性が悪化した。
<ディスク耐久性試験>
Z−TETRAOLを含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気ディスクを作製した。表2に示すように、磁気ディスクのCSS測定は、50,000回を超えたものの、加熱試験後のCSS測定は36,000回であり、加熱試験により耐久性が悪化した。
長鎖のアルキル基を含む三級アンモニウムをカチオンとしてマンデラートボレートあるいはオキサラトートボレートアニオンとするイオン液体を磁気ディスクの潤滑剤として用いた場合に優れたCSS特性を示し、それは加熱後でも特性は劣化しない(実施例1B、実施例2B)。同じマンデラートボレートあるいはオキサラトートボレートアニオンとするイオン液体であるホスホニウム塩と比較して優れたCSS特性を示す。
またオキサラトートボレートアニオンを持つアンモニウム塩においてもアプロティックな4級アンモニウム塩であるイオン液体(実施例3B)と比較しても、実施例1B、実施例2Bの3級アンモニウム塩では耐久性が良い。
また、実施例1B〜実施例3Bのイオン液体は、耐久性に優れるビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドアニオンのイオン液体(比較例3B)と比較しても、耐久性は、同等又はわずかに劣る程度である。ただし、比較例3Aのイオン液体は、フッ素原子を含有する。
つまり、イオン液体で、長鎖のアルキル鎖持つアンモニウムのボレート塩とすることにより、優れたCSS耐久性を持つことを見出した。
次に磁気テープ用の潤滑剤として使用した場合に耐久性を調べた結果を示す。
実施例1A〜実施例3Aのイオン液体、比較例1A〜比較例3Aのイオン液体、Z−DOL、及びZ−Tetraolをそれぞれ含有する潤滑剤を用いて、前述の磁気テープを作製した後に、以下の測定を行った。
・100回のシャトル走行後の磁気テープの摩擦係数
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度90%環境下
・スチル耐久試験
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度30%環境下
・シャトル耐久試験
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度90%環境下
・加熱試験後の100回のシャトル走行後の磁気テープの摩擦係数
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度90%環境下
・加熱試験後のスチル耐久試験
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度30%環境下
・加熱試験後のシャトル耐久試験
温度−5℃の環境下、又は温度40℃、相対湿度90%環境下
表中、シャトル耐久性の「>200」は、200回超であることを表す。
実施例1A〜実施例2Aのそれぞれのイオン液体を含有する潤滑剤を塗布した磁気テープは、優れた摩擦特性、スチル耐久性、及びシャトル耐久性を有することが分かった。
また、表3−1から、本発明のイオン液体のうち、プロティックなイオン液体は、磁気テープにおける優れた耐久性が得られることが分かった。
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
Optimol社製シリンダーオンディスク摩擦試験機SRV4を用いて、摩擦試験を行った。図6に試験機の概略図を示す。
以下に記載の条件で摩擦試験を行った。つまり、80℃の温度環境で、25mmφ(材質100Cr6)のディスク上に実施例1Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布し、15mmφ、長さ22mmのシリンダー(材質100Cr6)に400Nの荷重をかけ(最大圧力は0.3GPa)、移動距離1.0mmを周波数50Hzで60分間走行させたときの摩擦を測定した。その摩擦の変化を図7に示す。60分後の摩擦係数は0.041であった。
〔測定条件〕
・周波数:50Hz
・運動幅:1.0mm
・潤滑剤:3ml
・荷重:400N
・最大圧力:0.3GPa
・温度:80℃
・時間:60min
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
実施例1Dと同様に、ディスク上に実施例2Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布して摩擦試験を行った。その摩擦の変化を図7に示す。60分後の摩擦係数は0.059であった。
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
実施例1Dと同様に、ディスク上に実施例3Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布して摩擦試験を行った。60分後の摩擦係数は0.098であった。
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
実施例1Dと同様に、ディスク上に比較例1Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布して摩擦試験を行った。その摩擦の変化を図7に示す。60分後の摩擦係数は0.105であった。
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
実施例1Dと同様に、ディスク上に比較例2Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布して摩擦試験を行った。その摩擦の変化を図7に示す。60分後の摩擦係数は0.140であった。
<シリンダーオンディスクによる摩擦試験結果>
実施例1Dと同様に、ディスク上に比較例3Aで合成したイオン液体潤滑剤3gを塗布して摩擦試験を行った。60分後の摩擦係数は0.125であった。
また同じオキサラトートボレートアニオンを持つアンモニウム塩において、アプロティックな4級アンモニウム塩である実施例3Aのイオン液体は0.098であり、それと比較しても実施例1A、実施例2Aの摩擦係数は低い。また同じ共役酸である3級アンモニウム塩でも、共役塩基としてビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドアニオンとのイオン液体である比較例3Aの場合に摩擦係数は0.125であり、実施例よりも摩擦係数が高い。つまり上記実施例のイオン液体で、長鎖のアルキル鎖を持つアンモニウムのボレート塩とすることにより、シリンダーオンディスク摩擦試験において低い摩擦係数を持つことを見出した。
<熱安定性測定結果>
トリドデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ219.9℃、243.2℃、266.1℃であり、比較例として示した一般的に磁気記録媒体用途の潤滑剤として知られている市販品のパーフルオロポリエーテルZ−DOL(比較例4E)と比較例して改善しており、Z−TETRAOL(比較例5E)と同程度であることが分かる。
<熱安定性測定結果>
トリドデシルアンモニウムビス(マンデラート)ボレートの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ242.0℃、268.7℃、292.9℃であり、比較例として示した一般的に磁気記録媒体用途の潤滑剤として知られている市販品のパーフルオロポリエーテルZ−DOL(比較例4E)と比較例して改善しており、Z−TETRAOL(比較例5E)と同程度であることが分かる。
<熱安定性測定結果>
トリヘキシルテトラデシルアンモニウムビス(オキサラート)ボレートの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ196.9℃、207.9℃、232.5℃であった。
<熱安定性測定結果>
トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(オキサラート)ボレートの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ218.0℃、233.1℃、262.5℃であった。
<熱安定性測定結果>
トリヘキシルテトラデシルホスフォニウムビス(マンデラート)ボレートの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ289.8℃、317.5℃、341.1℃であった。
<熱安定性測定結果>
トリドデシルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ306.2℃、336.2℃、361.8℃であった。
<熱安定性測定結果>
比較例4Eとして、末端に水酸基をもつ分子量約2000の市販品のパーフルオロポリエーテルZ−DOLの測定を行った結果、5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ165.0℃、197.0℃、226.0℃であり、重量減少は蒸発に起因している。
<熱安定性測定結果>
市販品で磁気記録媒体用潤滑剤として一般的に使用されている、末端に水酸基を複数個持つ分子量約2000のパーフルオロポリエーテル(Z−TETRAOL)を、比較例5Eの潤滑剤として用いた。Z−TETRAOLの5%、10%、20%重量減少温度は、それぞれ240.0℃、261.0℃、282.0℃であり、Z−DOL同様に重量減少は蒸発に起因している。
つまり、本発明のイオン液体は、耐熱性が良好であり、特に、プロティックなイオン液体は、その傾向が強い。
また、本発明のイオン液体は、同じアニオンを用いた場合のホスフェート塩と比較して、優れたシリンダーオンディスク試験結果を示した。
更に、本発明のイオン液体のうち、プロティックなイオン液体は、耐熱性も非常に優れていた。
12 下地層
13 磁性層
14 カーボン保護層
15 潤滑剤層
21 基板
22 磁性層
23 カーボン保護層
24 潤滑剤層
25 バックコート層
Claims (7)
- イオン液体を含有し、
前記イオン液体が、下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しないカチオンと、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しないアニオンとを有することを特徴とする潤滑剤。
ただし、前記一般式(A)中、R1は、炭素数6以上の直鎖状の炭化水素基を含む基を表し、R2、R3、及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、及び炭化水素基のいすれかを表す。
ただし、前記一般式(X)中、Xは、下記一般式(Y−1)、下記一般式(Y−2)、及び下記一般式(Y−3)のいずれかを表す。
ただし、前記一般式(Y−1)中、nは、0〜5の整数を表す。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。 - 前記一般式(A)において、R2、R3、及びR4の1つが水素原子である請求項1に記載の潤滑剤。
- 前記一般式(X)が、下記構造式のいずれかである請求項1から2のいずれかに記載の潤滑剤。
- 非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に磁性層と、前記磁性層上に請求項1から3のいずれかに記載の潤滑剤とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
- 下記一般式(A)で表され、フッ素原子を有しないカチオンと、下記一般式(X)で表され、フッ素原子を有しないアニオンとを有することを特徴とするイオン液体。
ただし、前記一般式(A)中、R1は、炭素数6以上の直鎖状の炭化水素基を含む基を表し、R2、R3、及びR4は、それぞれ独立して、水素原子、及び炭化水素基のいすれかを表す。
ただし、前記一般式(X)中、Xは、下記一般式(Y−1)、下記一般式(Y−2)、及び下記一般式(Y−3)のいずれかを表す。
ただし、前記一般式(Y−1)中、nは、0〜5の整数を表す。
ただし、前記一般式(Y−2)中、Ar1は、メタ位で*1及び*2の結合手を有し、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(Y−3)中、R5は、結合手、及びアルキレン基のいずれかを表し、Ar2は、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。 - 前記一般式(A)において、R2、R3、及びR4の1つが水素原子である請求項5に記載のイオン液体。
- 前記一般式(X)が、下記構造式のいずれかである請求項5から6のいずれかに記載のイオン液体。
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