JP2018176366A - Cleaning device for substrate peripheral portion, cleaning method for substrate peripheral portion, and storage medium - Google Patents
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Abstract
【課題】研磨テープを用いて基板の周縁部をクリーニングするにあたり、処理に要する時間を抑えることができる技術を提供すること。【解決手段】基板保持部２５に保持された基板Ｗを回転させる回転機構２３と、研磨テープを前記基板Ｗの側方にて保持する第１のテープ保持部５４と、研磨テープを基板Ｗの下方にて保持する第２のテープ保持部５１と、を備えた研磨ヘッド３と、回転する基板Ｗの側面が前記第１のテープ保持部５４に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、研磨ヘッド３に対して基板保持部２５を相対的に前進させる前進機構２４と、回転する基板Ｗの周縁部の下面が第２のテープ保持部５１に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、研磨ヘッド３を基板Ｗに対して相対的に上昇させる上昇機構２６と、を備えるように装置を構成する。【選択図】図２PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of reducing a time required for processing when cleaning a peripheral edge portion of a substrate using an abrasive tape. SOLUTION: A rotating mechanism 23 for rotating a substrate W held by a substrate holding portion 25, a first tape holding portion 54 for holding a polishing tape on the side of the substrate W, and a polishing tape on the substrate W. The polishing head 3 provided with the second tape holding portion 51 held below and the side surface of the rotating substrate W are slid and cleaned by the polishing tape held by the first tape holding portion 54. As described above, the advancing mechanism 24 for advancing the substrate holding portion 25 relative to the polishing head 3 and the polishing tape on which the lower surface of the peripheral edge portion of the rotating substrate W is held by the second tape holding portion 51 are rubbed. The device is configured to include a raising mechanism 26 that raises the polishing head 3 relative to the substrate W so that it can be moved and cleaned. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本発明は、研磨テープを用いて基板の周縁部をクリーニングする技術に関する。 The present invention relates to a technique for cleaning the periphery of a substrate using an abrasive tape.
半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が、搬送機構により各種の装置間を搬送されて、成膜処理やエッチング処理などを含む一連の処理が行われる。そのように一連の処理が行われる過程において、ウエハの周縁部に不要な膜が残ったり、異物が付着した状態となる場合が有る。そうなると、搬送先の装置におけるウエハの処理に悪影響を及ぼすおそれや、搬送機構がウエハの周縁部に接触することで上記の不要な膜や異物がパーティクルとなってウエハから落下して装置を汚染してしまうおそれが有る。 In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) which is a substrate is transported between various devices by a transport mechanism, and a series of processes including a film forming process, an etching process, and the like are performed. . In the process of performing a series of processes as described above, an unnecessary film may remain on the peripheral portion of the wafer, or a foreign matter may be attached. If this happens, the processing of the wafer in the transfer destination device may be adversely affected, or the transfer mechanism contacts the peripheral portion of the wafer, and the unnecessary film or foreign matter described above becomes particles and falls from the wafer and contaminates the device. There is a risk of
特許文献１、２には、研磨テープを保持する保持部を１つ備える研磨ヘッドにより、当該研磨テープをウエハの周縁部に押し当て、ウエハを回転させることでウクリーニングを行う装置が記載されている。この研磨ヘッドは、ウエハの周縁部を構成する互いに傾きが異なる各面を研磨することができるように、水平軸回りにその向きが変更自在に構成されており、上記の保持部が異なる方向から研磨テープをウエハに押し当てる。しかし、そのように１つの保持部を有する研磨ヘッドの向きを変更する装置構成では、上記のウエハの周縁部を構成する各面をすべてクリーニングするために、各面毎に研磨ヘッドを所定の傾きに配置する必要があるので処理に多くの時間を要してしまう
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、研磨テープを用いて基板の周縁部をクリーニングするにあたり、処理に要する時間を抑えることができる技術を提供することである。 The present invention has been made under the circumstances described above, and an object thereof is to provide a technique capable of suppressing the time required for processing when cleaning the peripheral portion of a substrate using a polishing tape. .
本発明の基板周縁部のクリーニング装置は、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
研磨テープを前記基板の側方にて保持する第１のテープ保持部と、前記研磨テープを前記基板の下方にて保持する第２のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドと、
回転する前記基板の側面が前記第１のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる前進機構と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第２のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる上昇機構と、
を備えることを特徴とする。
The apparatus for cleaning a substrate peripheral portion according to the present invention comprises: a substrate holding unit for holding a substrate;
A rotation mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding unit;
A polishing head comprising: a first tape holder for holding a polishing tape on the side of the substrate; and a second tape holder for holding the polishing tape below the substrate.
An advancing mechanism that advances the substrate holding unit relative to the polishing head such that the side surface of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the first tape holding unit; ,
A lifting mechanism that raises the polishing head relative to the substrate such that the lower surface of the peripheral portion of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the second tape holder. When,
And the like.
本発明の基板周縁部のクリーニング方法は、基板保持部により基板を保持する工程と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
研磨ヘッドを各々構成する第１のテープ保持部、第２のテープ保持部により、研磨テープを前記基板の側方、前記基板下方にて各々保持する工程と、
回転する前記基板の側面が前記第１のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる工程と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第２のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる工程と、
を含むことを特徴とする。
The method for cleaning a substrate peripheral portion according to the present invention comprises the steps of: holding a substrate by a substrate holding unit;
Rotating the substrate held by the substrate holding unit;
Holding the polishing tape on the side of the substrate and below the substrate by the first tape holder and the second tape holder respectively constituting the polishing head;
Advancing the substrate holding unit relative to the polishing head such that the side surface of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the first tape holding unit;
Raising the polishing head relative to the substrate such that the lower surface of the peripheral portion of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the second tape holding unit; ,
It is characterized by including.
研磨テープに基板の周縁部を摺動させてクリーニングするクリーニング装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、上記の基板周縁部のクリーニング方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
A storage medium storing a computer program for use in a cleaning device which cleans a peripheral portion of a substrate by sliding it on a polishing tape
The computer program is characterized in that a step group is assembled to execute the above-described method for cleaning the substrate peripheral edge.
本発明においては、研磨テープを基板の側方にて保持する第１のテープ保持部と、前記研磨テープを基板の下方にて保持する第２のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドが設けられ、回転する基板の研磨ヘッドに対する相対的な前進と、回転する基板に対する研磨ヘッドの相対的な上昇と、が行われて基板の周縁部がクリーニングされる。第１のテープ保持部と、第２のテープ保持部とで、基板の周縁部における互いに異なる向きの面をクリーニングすることができるため、基板の周縁部を構成する各面に合わせて研磨ヘッドを配置するための時間を抑えることができるので、処理に要する時間を抑えることができる。 In the present invention, a polishing head provided with a first tape holder for holding the polishing tape on the side of the substrate and a second tape holder for holding the polishing tape below the substrate is provided. The relative advance of the rotating substrate relative to the polishing head and the relative elevation of the polishing head relative to the rotating substrate are performed to clean the periphery of the substrate. The first tape holding portion and the second tape holding portion can clean the surfaces of the peripheral portion of the substrate which are different from each other. Therefore, the polishing head is fitted to each surface constituting the peripheral portion of the substrate. Since the time for placement can be reduced, the time required for processing can be reduced.
本発明の一実施形態である基板周縁部のクリーニング装置１について、図１の斜視図及び図２の平面図を参照しながら説明する。このクリーニング装置１は、例えば直径が３００ｍｍの円形の基板であるウエハＷの周縁部を、研磨テープに対して摺動させることにより、当該周縁部における不要な膜や異物を除去するクリーニング処理を行う。 A cleaning device 1 for a substrate peripheral portion, which is an embodiment of the present invention, will be described with reference to the perspective view of FIG. 1 and the plan view of FIG. The cleaning device 1 performs a cleaning process to remove unnecessary films and foreign substances in the peripheral portion by sliding the peripheral portion of the wafer W, which is a circular substrate having a diameter of 300 mm, for example, against the polishing tape. .
図３はウエハＷの周縁部を示す縦断側面図である。ウエハＷの側周をなす側端面を１１、側端面１１に連続して形成され、側端面１１からウエハＷの中心部に向かうにつれて上る上側傾斜面を１２、側端面１１に連続して形成され、側端面１１からウエハＷの中心部に向かうにつれて下る下側傾斜面を１３として示している。側端面１１、上側傾斜面１２及び下側傾斜面１３はウエハＷの側面をなす。上側傾斜面１２、下側傾斜面１３は夫々水平なウエハＷの表面（上面）、裏面（下面）に連続しており、当該ウエハＷの裏面において下側傾斜面１３の下端から若干ウエハＷの中心寄りに離れた位置に至る裏面周縁領域を１４として示している。クリーニング装置１は、図３中に点線の枠で囲った、上側傾斜面１２の上端から裏面周縁領域１４に至るまでの連続した領域をクリーニングする。
FIG. 3 is a longitudinal sectional side view showing the peripheral portion of the wafer W. As shown in FIG. A side end face forming the side circumference of the wafer W is formed continuously with the
図１、図２に戻って、クリーニング装置１の説明を続ける。図中２１は基台であり、図中２２は基台２１上を、その長さ方向が前後方向に沿うように形成されたスリットである。図中２３はこのスリット２２内から基台２１上に突出するように設けられる回転機構であり、基台２１内に設けられる前後移動機構２４によって、前後方向に移動する。なお、この前後移動機構２４は、ウエハＷを後述の研磨ヘッド３に対して前進させる前進機構をなす。図中２５は、基板保持部をなすスピンチャックであり、回転機構２３上に設けられており、ウエハＷの裏面中央部を吸着して当該ウエハＷを水平に支持する。回転機構２３によってスピンチャック２５は鉛直軸回りに回転することで、当該スピンチャック２５に載置されたウエハＷは、当該ウエハＷの中心軸回りに回転する。このスピンチャック２５について、図１ではクリーニング装置１の外部に設けられる搬送機構との間でウエハＷを受け渡すための後退位置に位置する状態を、図２ではウエハＷを処理するための前進位置に位置する状態を夫々示している。
Referring back to FIGS. 1 and 2, the description of the cleaning device 1 will be continued. In the drawing,
基台２１上において、上記のスピンチャック２５の移動路の前方には、左右移動機構２６、昇降機構２７及び研磨ヘッド３が設けられている。左右移動機構２６により昇降機構２７が基台２１上を左右に水平に移動し、昇降機構２７により研磨ヘッド３が垂直に昇降する。つまり、左右移動機構２６、昇降機構２７により、研磨ヘッド３は左右へ水平移動し、且つ垂直に昇降する。従って、昇降機構２７は、研磨ヘッド３をウエハＷに対して相対的に上昇させる上昇機構をなす。
A
上記の研磨ヘッド３について、斜視図である図４及び縦断側面図である図５も参照して説明する。研磨ヘッド３は、垂直で前後方向に伸びる板状の支持部３１を備えており、当該支持部３１が上記の昇降機構２７に接続されている。この支持部３１において、前方へ向かって見たときの左側の側面には、テープ送出リール３２、テープ回収リール３３及びヘッド本体４が設けられており、右側の側面にはモーター３４及び回転制限部３５が設けられている。ヘッド本体４は支持部３１の後端部に設けられており、研磨テープＴを保持してクリーニングを行う。テープ送出リール３２及びテープ回収リール３３は、各々左右方向に沿った水平軸回りに回転できるように、ヘッド本体４よりも前方側に設けられており、テープ送出リール３２は、テープ回収リール３３よりも上方、且つ前方に位置している。
The polishing
テープ送出リール３２には未使用の研磨テープＴのロールＴ１が取り付けられており、このロールＴ１はテープ送出リール３２と共に回転する。このロールＴ１から引き出された研磨テープＴの長さ方向の端部はヘッド本体４の後方側を通過し、テープ回収リール３３に巻き掛けられてロールＴ２を形成しており、このロールＴ２はテープ回収リール３３と共に回転する。従って、テープ回収リール３３を回転させることは、研磨テープＴの長さ方向の端部を引っ張ることになり、そのようにテープ回収リール３３を回転させることによって研磨テープＴについてヘッド本体４で使用済みの領域をテープ回収リール３３に巻き取って当該ヘッド本体４から除去すると共に、テープ送出リール３２のロールＴ１から研磨テープＴについて未使用の領域をヘッド本体４に送り出すことができる。なお、図１、図２、図４では、ロールＴ１、Ｔ２間の研磨テープＴの図示は省略している。
A roll T 1 of unused abrasive tape T is attached to the
モーター３４は、上記のようにテープ回収リール３３を回転させる。回転制限部３５は、ロールＴ１から引き出されている研磨テープＴが引っ張られることで、テープ送出リール３２に設定値以上の負荷が加わったときのみ、当該テープ送出リール３２が回転するように、テープ送出リール３２の回転を制限する。この設定値以上の負荷が加わるときとは、モーター３４の回転によって研磨テープＴの未使用の領域をヘッド本体４に供給するとき、及びその未使用の領域を、後述するようにテープ装着機構６によってヘッド本体４に装着するときである。以上に説明したテープ送出リール３２、テープ回収リール３３、モーター３４及び回転制限部３５は、研磨テープＴについてヘッド本体４上に位置する領域を長さ方向に移動させるテープ送り機構を構成する。
The
続いてヘッド本体４について説明する。ヘッド本体４は、起立した壁部４１と、壁部４１の下端から後方側に吐出した台部４２とを備えている。壁部４１の上端部における左右方向の中央部は切り欠かれ、この切り欠かれた中央部にはローラー４３が設けられている。台部４２の後端部は下方へと引き延ばされると共に、左右方向の中央部が切り欠かれており、この切り欠かれた中央部にはローラー４４、４５が上下に２段に設けられている。ローラー４３〜４５は、左右の水平軸を回転軸として回転できるように構成されている。図５に示すようにロールＴ１、Ｔ２間において研磨テープＴは、これらのローラー４３〜４５に掛けられており、前方に向かって見ると、垂直方向に引き回されている。ローラー４３、４４は、後述の第１のテープ保持部をなす側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５の上方、且つ第２のテープ保持部をなす下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２の上方において、研磨テープＴを懸架する懸架部として構成され、ローラー４３、４４間において懸架される研磨テープＴの上面が、研磨材が設けられた研磨面（表面）とされる。
Subsequently, the head
台部４２の上面は水平に形成されており、左右に細長の矩形状の下側処理パッド５１が、当該台部４２の上面から上方へ突出するように設けられている。下側処理パッド５１は、研磨テープＴを介してウエハＷが押し当てられる基板押し当て部であり、例えばシリコーンなどの弾性体により構成されており、その上面は水平に形成されている。当該下側処理パッド５１の上面は、研磨テープＴが密着される密着面をなす。
The upper surface of the
また、台部４２には下側処理パッド５１を左側、右側及び後方側の三方から囲むようにコ字型に形成されると共に、例えばセラミックスなどの多孔質体により構成された下側吸着パッド５２が、当該台部４２の表面から上方へ若干突出するように設けられている。この下側吸着パッド５２の上面は水平に形成されており、下側処理パッド５１の上面から見て、当該下側処理パッド５１の上面よりも低い位置に設けられている。下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２は左右対称なレイアウトで形成されており、平面で見て上記のローラー４３〜４５に掛けられる研磨テープＴに重なり、下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２の左右の中心が、この研磨テープＴの左右の中心と揃っている。
Further, the
上記の下側吸着パッド５２は図示しない排気機構に接続されている。この排気機構によって下側吸着パッド５２の上面の孔から排気されることで、後述するように当該下側吸着パッド５２に押し付けられた研磨テープＴが吸着され、それによって当該研磨テープＴは、下側処理パッド５１に密着して保持される。従って、下側吸着パッド５２はテープ吸引部をなし、上記の下側吸着パッド５２の上面は吸引面であり、当該上面の孔は吸引孔をなす。なお、排気機構により、下側吸着パッド５２からの吸引が行われる状態と、吸引が行われない状態とが切り替えられる。
The
また、台部４２の上面には２つの吸引孔５３が、下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２を左右から挟むように開口しており、これらの吸引孔５３は、平面で見て、当該台部４２において研磨テープＴが保持される領域の外側に設けられている。吸引孔５３は図示しない排気機構に接続されており、当該排気機構によって吸引が行われる状態と、吸引が行われない状態とが切り替えられる。クリーニング処理中は吸引が行われる状態とされ、当該クリーニング処理で発生する削り屑が吸引されて除去される。
Further, two
壁部４１における後方に向かう正面は、左右方向及び垂直方向に沿って形成されており、当該正面には左右に細長の矩形状の側方処理パッド５４が、後方へ突出するように設けられている。側方処理パッド５４の上下の長さは、下側処理パッド５１の前後の長さよりも長いが、そのような長さの違いを除いて側方処理パッド５４は下側処理パッド５１と同様に構成されている。従って、側方処理パッド５４も、研磨テープＴを介してウエハＷが押し当てられる基板押し当て部をなし、その正面は当該研磨テープＴが密着される密着面をなす。この側方処理パッド５４の下端は、上記の下側処理パッド５１の上面よりも低い高さに位置にしている。
The rear facing front of the
また壁部４１の正面には、側方処理パッド５４を左側、右側及び上方側の三方から囲むようにコ字型に形成された側方吸着パッド５５が、壁部４１の正面から後方へ若干突出するように設けられている。この側方吸着パッド５５よりも上記の側方処理パッド５４の方が、壁部４１の正面から大きく突出している。従って、側方処理パッド５４の正面から見て、側方吸着パッド５５の正面は側方処理パッド５４の正面よりも低い位置に設けられている。また、当該側方吸着パッド５５の正面は垂直面をなす。側方吸着パッド５５は、上記の下側吸着パッド５２と同様に構成されており、図示しない排気機構に接続され、当該排気機構によってその正面の孔から吸引が行われる状態と、当該吸引が行われない状態とが切り替えられる。従って、側方吸着パッド５５についてもテープ吸引部として構成されており、当該側方吸着パッド５５の正面は吸引面をなし、当該正面の孔は吸引孔をなす。
Also, on the front of the
側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５は左右対称なレイアウトで形成されており、前方に向かって見たときに上記のローラー４３〜４５に掛けられる研磨テープＴに重なり、側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５の左右の中心は、この研磨テープＴの左右の中心に揃う。側方吸着パッド５５によって、後述するように当該側方吸着パッド５５に押し付けられた研磨テープＴが吸着され、それによって当該研磨テープＴは、側方処理パッド５４に密着して保持される。
The
壁部４１及び台部４２を拡大して示した図６を参照して、各部の寸法の一例を示しておくと、下側処理パッド５１の左右の幅Ｌ１は３４ｍｍであり、下側処理パッド５１の前後の幅Ｌ２は９ｍｍである。なお、上記の左右の幅Ｌ１は、側方処理パッド５４の左右の幅でもある。下側吸着パッド５２について、前後の幅Ｌ３は１７ｍｍであり、左右の幅Ｌ４は４７ｍｍである。この幅Ｌ４は研磨テープＴの幅よりも若干小さい。また、下側吸着パッド５２に囲まれる領域の縁の左右の幅Ｌ５は３９ｍｍである。なお、上記のように下側吸着パッド５２と側方吸着パッド５５とは同様に構成されているため、以上に示した下側吸着パッド５２の各部の寸法は、側方吸着パッド５５の各部の寸法でもある。また、下側処理パッド５１の上面と、下側吸着パッド５２の上面との高さの差Ｈ１は２．５ｍｍであり、側方処理パッド５４の正面と側方吸着パッド５５の正面との前後の距離Ｌ６も同様に２．５ｍｍである。
Referring to FIG. 6 showing the
続いて図１、図２に戻って、クリーニング装置１に設けられるテープ装着機構６について説明する。このテープ装着機構６は、上記のローラー４３、４４に懸架された研磨テープＴを、下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２に向かうように押圧してこれらのパッド５１、５２に密着させると共に、側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５に向けて押圧してこれらのパッド５４、５５に密着させる押圧機構をなす。テープ装着機構６は、前後移動機構６１、転動体支持部６２及びテープ装着用ローラー６３により構成されている。
Subsequently, referring back to FIGS. 1 and 2, the tape mounting mechanism 6 provided in the cleaning device 1 will be described. The tape mounting mechanism 6 presses the polishing tape T suspended by the
基台２１上において、ヘッド本体４が設けられる位置よりも後方側に、前後方向に伸びるスリット２８（図２では省略している）が形成されている。このスリット２８内から基台２１上へ伸びるように転動体支持部６２が設けられており、当該転動体支持部６２は、基台２１内に設けられる前後移動機構６１に接続されており、当該前後移動機構６１により前後移動する。また、基台２１上において転動体支持部６２の上部は前方へ向かって伸びた後、水平方向に向かって伸びるように屈曲され、この水平方向に伸びる部位の左右に離れた位置から前方に向けて突出して突出部を各々なし、この突出部間にテープ装着用ローラー６３が設けられている。従って、上記の前後移動機構６１により、転動体支持部６２を介してテープ装着用ローラー６３が前後方向に移動することができる。
A slit 28 (not shown in FIG. 2) extending in the front-rear direction is formed on the
図４ではテープ装着用ローラー６３の斜視図を、図５ではテープ装着用ローラー６３の縦断側面図を夫々示している。テープ装着用ローラー６３は、左右に伸びる水平軸回りに回転できるように構成されている。このテープ装着用ローラー６３の左右の縁部は各々拡径されて大径部６４をなしており、各大径部６４の間は小径部６５として構成されている。従って、大径部６４の回転軸及び小径部６５の回転軸は互いに一致している。
4 shows a perspective view of the
後に詳述するが、このように大径部６４及び小径部６５が形成されることで、各大径部６４が下側吸着パッド５２の左右の各端部において前後に伸びる部位を転動すると共に小径部６５が下側処理パッド５１を転動する動作と、各大径部６４が側方吸着パッド５５の左右の各端部において前後に伸びる部位を転動すると共に小径部６５が側方処理パッド５４を転動する動作とを行い、研磨テープＴをヘッド本体４に装着することができる。このように転動が行えるように、第１の転動体である大径部６４及び第２の転動体である小径部６５の各径の大きさが設定されている。上記のような研磨テープＴの装着を行う場合を除いて、テープ装着用ローラー６３は研磨ヘッド３よりも後方の待機位置で待機する。また、このテープ装着用ローラー６３及び転動体支持部６２は、クリーニング処理が行われるウエハＷに干渉しないように、スピンチャック２５の上端よりも下方に設けられている。
As will be described in detail later, by forming the
また、図１、図２に示すように、基台２１上を前方に向かって見たときに、ヘッド本体４の右側で当該ヘッド本体４の近くには、給排気機構７が設けられている。この給排気機構７について、図７の縦断側面図も参照して説明する。給排気機構７は側壁７１を備え、この側壁７１を構成する側面７２は、ウエハＷの周の一部における側端面１１と対向すると共に、当該ウエハＷの周に沿って形成されている。そして、側壁７１の上端部、下端部は、前方に向かって見たときに右側に位置する部位ほど後方側へと突出し、上板７３、下板７４を夫々形成している。これらの上板７３及び下板７４は水平に形成されると共に互いに間隔を空けて対向しており、前進位置に位置するスピンチャック２５に保持されるウエハＷの周縁部の一部を夫々覆う。このように各部が構成されることで、上板７３、下板７４及び側壁７１に囲まれる領域は扁平な円弧状であり、ウエハＷの周縁部が収納されると共に当該ウエハＷの周縁部にパージガスを供給するパージ空間７５をなす。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, an air supply /
上記の側面７２には、ウエハＷの側端面１１に向かう排気口７６が、パージ空間７５の周方向に沿って間隔を空けて複数開口している。図中７７は、排気口７６が接続される排気機構である。また、上板７３、下板７４には、ウエハＷの径方向の内側から外側に向かって各々パージガスであるＮ２（窒素）ガスを吐出するガス吐出口７８、７９が開口しており、ガス吐出口７８はウエハＷの表面の周縁部に向けて斜め下方に、ガス吐出口７９はウエハＷの裏面の周縁部に向けて斜め上方に、夫々ガスを吐出する。ガス吐出口７８、７９は、ウエハＷの周方向に沿った異なる位置にパージガスを吐出することができるように、パージ空間７５の周方向に沿って、間隔を空けて複数設けられている。
A plurality of
図中８１は、上板７３において各ガス吐出口７８の上流側に設けられるガス流路である。図中８２は下板７４において各ガス吐出口７９の上流側に設けられるガス流路である。これらガス流路８１、８２に、Ｎ２ガス供給源８３から送り出されたＮ２ガスが各々供給される。ウエハＷのクリーニング処理中は、ガス吐出口７８、７９からのウエハＷの表面及び裏面へのＮ２ガスの吐出と、排気口７６によるウエハＷの外側からの排気とが並行して行われ、パージ空間７５には図７に矢印で示すように、ウエハＷの内側から外側へ向かう気流が形成される。この気流に曝されることで、ウエハＷの周縁部に付着している削り屑がパージされて除去される。
In the drawing,
また、図１、図２に示すようにクリーニング装置１には、コンピュータである制御部１０が設けられる。制御部１０は、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述するクリーニング処理及びヘッド本体４への研磨テープＴの装着が行われるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納される。このプログラムによって制御部１０は、クリーニング装置１の各部に制御信号を出力して各部の動作を制御する。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning device 1 is provided with a
続いて、ヘッド本体４への研磨テープＴの装着動作について、研磨テープＴの状態とヘッド本体４及びテープ装着用ローラー６３の位置とを示す図８〜図１１の説明図と、上記の図５とを用いて説明する。また、ヘッド本体４及びテープ装着用ローラー６３の位置を示す図１２、図１３の斜視図も適宜参照する。先ず、下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５による吸引が停止し、テープ装着用ローラー６３が研磨ヘッド３の後方の待機位置で待機した状態で、所定の高さ及び左右の所定の位置に研磨ヘッド３が位置する。図５は、研磨ヘッド３がこの所定の位置に配置された状態を示している。また、このとき研磨ヘッド３のヘッド本体４で研磨テープＴの使用済みの領域はロールＴ２に巻き取られ、ヘッド本体４のローラー４３、４４には研磨テープＴの未使用の領域が、緩みが無いように懸架された状態となっている。
Subsequently, with respect to the mounting operation of the polishing tape T to the head
そして、図５に示す状態からテープ装着用ローラー６３が前進すると共に、下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５による吸引が開始される。ローラー４３、４４間の研磨テープＴがテープ装着用ローラー６３の大径部６４に当接し、ヘッド本体４の台部４２に向けて押圧され、下側吸着パッド５２の後端部の上面に、当該研磨テープＴの左右の縁部が押し付けられると共に、当該研磨テープＴの中央部が当該下側吸着パッド５２の後端部の上面に近接し、これらの左右の縁部及び中央部が当該下側吸着パッド５２からの吸引によって、当該下側吸着パッド５２に密着して固定される（図８）。
Then, the
さらにテープ装着用ローラー６３が前進して、大径部６４が下側吸着パッド５２上を転動し、研磨テープＴの左右の縁部が前方に向かって下側吸着パッド５２に押し付けられ、当該下側吸着パッド５２に密着し、吸引されて固定される。然る後、小径部６５が下側処理パッド５１の上面に乗り上げて当該上面を転動し、研磨テープＴの左右の中央部が当該下側処理パッド５１の上面に押し付けられ、当該上面に密着するように敷設される。研磨テープＴにおいて、このように下側処理パッド５１に敷設された部位の左右が下側吸着パッド５２に固定されることで、当該下側処理パッド５１に敷設された部位は当該下側処理パッド５１に密着した状態で固定される。
Further, the
テープ装着用ローラー６３が引き続き前進して、下側処理パッド５１の上面全体に研磨テープＴが敷設されると、大径部６４が側方吸着パッド５５の下部側の正面に、小径部６５が側方処理パッド５４の下部側の正面に夫々当接して、研磨テープＴをこれらの正面に押し付け、当該テープ装着用ローラー６３の前進が停止する。このように大径部６４に押し付けられた研磨テープＴの左右の縁部は側方吸着パッド５５に密着し、吸引されて固定される。また、小径部６５に押し付けられた研磨テープＴの左右の中央部は、側方処理パッド５４の正面に密着するように敷設されると共に、その左右の縁部が上記のように側方吸着パッド５５に固定されることで、当該側方処理パッド５４に固定される（図９、図１２）。
When the
続いて、研磨ヘッド３が下降し、小径部６５が研磨テープＴの左右の中央部を側方処理パッド５４の正面に押し付けながら、当該側方処理パッド５４の上方へ向かって転動すると共に、大径部６４が研磨テープＴの左右の縁部を側方吸着パッド５５の正面に押し付けながら、当該側方吸着パッド５５の上方へ向かって転動する。それによって、側方吸着パッド５５の上方へ向かって研磨テープＴの左右の縁部が当該側方吸着パッド５５に固定されてゆくと共に、側方処理パッド５４の上方へ向かって研磨テープＴの左右の中央部が、当該側方処理パッド５４に密着するように敷設されて固定されてゆく。研磨ヘッド３の下降が続けられ、側方処理パッド５４の正面全体に研磨テープＴが敷設されると共に固定され、小径部６５が側方処理パッド５４の上方へ移動すると共に大径部６４が側方吸着パッド５５の上端部に移動し、研磨テープＴの左右の縁部及び左右の中央部が、この側方吸着パッド５５の上端部に固定されると、ヘッド本体４への研磨テープＴの未使用の領域の装着は終了し、研磨ヘッド３の下降が停止する（図１０、図１３）。
Subsequently, the polishing
なお、以上のテープ装着用ローラー６３の前進中及び研磨ヘッド３の下降中において、テープ装着用ローラー６３によって研磨テープＴが押されることで当該研磨テープＴに張力が働き、ロールＴ１がセットされるテープ送出リール３２に設定値以上の負荷が加わった場合には、上記の回転制限部３５によるテープ送出リール３２の回転制限が解除され、当該張力によってテープ送出リール３２が回転する。つまり、上記のように未使用の研磨テープＴをヘッド本体４に装着するにあたり、ローラー４３、４４間の研磨テープＴの長さが不足することは無い。上記のように研磨テープＴの装着が終了した後は、テープ装着用ローラー６３が後方の待機位置へと戻り、ヘッド本体４は、ウエハＷのクリーニング処理を行うために所定の位置へと上昇する（図１１）。
During the forward movement of the
続いて、ウエハＷのクリーニング処理について説明する。このクリーニング処理は、ウエハＷが回転した状態で研磨ヘッド３、即ちヘッド本体４が昇降及び左右移動することで行われる。図１４〜図１６は、クリーニング処理中におけるヘッド本体４、ウエハＷ及び研磨テープＴの状態を示すために、これらの縦断側面を示している。なお、図１４〜図１６では、点線の矢印の先端が接続される円枠内に、ウエハＷの周縁部を拡大して示している。
Subsequently, the cleaning process of the wafer W will be described. The cleaning process is performed by moving the polishing
また、前方に向かって見た側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１に対する、回転するウエハＷの最前端の位置をポイントＰ１〜Ｐ１１として示した図１７〜図１９も適宜参照する。クリーニング処理中に、ウエハＷの最前端はポイントＰ１〜Ｐ１１を番号順に移動し、図１７〜図１９の矢印はこの移動の軌跡を示している。なお、クリーニング処理中にウエハＷに押圧されることによって、下側処理パッド５１の上面の高さは変移するが、図１７〜図１９においては、そのように押圧されていないとする場合の当該下側処理パッド５１の上面の高さを示している。さらに、側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１と、ウエハＷとの位置関係を示す平面図である図２０も適宜参照する。なお、これ以降の説明で特に記載が無い場合は、右側、左側の表記は、前方に向かって見た場合の右側、左側であるものとする。
Also, reference is appropriately made to FIGS. 17 to 19 where the positions of the foremost ends of the rotating wafers W with respect to the
図８〜図１３で説明したようにヘッド本体４に研磨テープＴが装着された後、当該ヘッド本体４が所定の高さ及び所定の左右位置に配置される。その一方で、搬送機構によってウエハＷが、後退位置におけるスピンチャック２５上に搬送されて載置され、当該スピンチャック２５に吸着保持される。然る後、当該スピンチャック２５が前進位置へ移動し、ウエハＷの前端部に側方処理パッド５４が押圧され、その弾性によって変形することで、当該ウエハＷの前端部は当該側方処理パッド５４に埋没して当該側方処理パッド５４の復元力を受ける状態となると共に、当該前端部の右側のウエハＷの周縁部が、給排気機構７のパージ空間７５に進入する。
After the polishing tape T is attached to the
そして、ヘッド本体４で吸引孔５３からの排気が開始されると共に、給排気機構７でパージガスの吐出及び排気が開始されて図７で説明した気流が形成されると、例えば平面視時計回りにウエハＷが回転する。なお、図２０中の太線の矢印は、このウエハＷの回転方向を示している。このときウエハＷの最前端は、側方処理パッド５４の右外側におけるポイントＰ１（図１７参照）に位置している。図２０において、そのようにウエハＷの最前端がポイントＰ１に位置するときの側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１の位置を実線で示している。
Then, when the exhaust from the suction holes 53 is started in the head
そして、ヘッド本体４が下降すると共に右側へ移動する。側方処理パッド５４の復元力及びヘッド本体４の下降により、ウエハＷの上側傾斜面１２及び側端面１１が側方処理パッド５４に敷設された研磨テープＴに対して押圧され、図１４に示すように当該研磨テープＴに密着した状態となる。この上側傾斜面１２及び側端面１１が、ウエハＷの回転によって当該研磨テープＴに対して摺動し、当該上側傾斜面１２及び側端面１１における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。このときに、側方処理パッド５４に埋没している回転中のウエハＷの前端部はヘッド本体４が下降することによって上方へ向かう力を受けるが、この下降中にヘッド本体４が横方向にも移動していることで、当該ウエハＷにおける局所的な位置が長い時間、上記の上方へ向かう力を受けることが防がれる。従って、上記の上方へ向かう力によってウエハＷが変形することが抑制されながら、上記のクリーニングが進行する。
And while the head
そして、ウエハＷの最前端が、側方処理パッドの左外側のポイントＰ２（図１７参照）に位置すると、ヘッド本体４の右側への移動及び下降が停止する。図２０において、そのようにウエハＷの最前端がポイントＰ２に位置するときの側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１の位置を鎖線で示している。然る後、ヘッド本体４が上昇し、ウエハＷの最前端がポイントＰ３に移動する。
Then, when the front end of the wafer W is located at the point P2 (see FIG. 17) on the left outside of the side processing pad, the movement and lowering of the head
その後、ヘッド本体４の上昇が続けられたまま、当該ヘッド本体４が左側へ移動する。側方処理パッド５４の復元力及びヘッド本体４の上昇により、ウエハＷの下側傾斜面１３及び側端面１１が、側方処理パッド５４に敷設された研磨テープＴに対して押圧され、図１５に示すように当該研磨テープＴに密着した状態となる。この下側傾斜面１３及び側端面１１が、ウエハＷの回転によって当該研磨テープＴに対して摺動し、当該下側傾斜面１３及び側端面１１における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。このときに、側方処理パッド５４に埋没している回転中のウエハＷの前端部はヘッド本体４が上昇することによって下方へ向かう力を受けるが、この上昇中にヘッド本体４が横方向にも移動していることで、当該ウエハＷにおける局所的な位置が長い時間、上記の下方へ向かう力を受けることが防がれる。従って、上記の下方へ向かう力によってウエハＷが変形することが抑制されながら、上記のクリーニングが進行する。
Thereafter, the head
そして、ウエハＷの最前端が、側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１から見てポイントＰ１の垂直下方に位置するポイントＰ４（図１７参照）に移動すると、ヘッド本体４の左側への移動が停止し、ヘッド本体４の上昇が続けられて、ウエハＷの最前端がポイントＰ５に位置する。然る後、ヘッド本体４が下降すると共に右側に移動し、ウエハＷの最前端がポイントＰ１からＰ２へ移動するときと同様に、上側傾斜面１２及び側端面１１がクリーニングされる。然る後、ウエハＷの最前端が、側方処理パッド５４及び下側処理パッド５１から見てポイントＰ２、Ｐ３の垂直下方に位置するポイントＰ６に移動すると、ヘッド本体４の右側への移動が停止すると共にヘッド本体４が上昇してポイントＰ７へ移動し、ヘッド本体４の上昇が続けられたまま、当該ヘッド本体４が左側へ移動し、ウエハＷの最前端がポイントＰ３からＰ４へ移動するときと同様に、下側傾斜面１３及び側端面１１がクリーニングされる。
Then, when the front end of the wafer W moves to a point P4 (see FIG. 17) located vertically below the point P1 when viewed from the
このようにウエハＷの最前端がポイントＰ７から移動する途中、ウエハＷの裏面周縁部が下側処理パッド５１の上面よりも下方へと移動することで、当該下側処理パッド５１を押圧し、当該下側処理パッド５１がその弾性により変形する。そして、ウエハＷの最前端がポイントＰ８に位置すると、研磨ヘッド３の上昇及び左側への移動が停止する。図１７に示すように、このポイントＰ８は正面に向かって見て、側方処理パッド５１の内側である。然る後、研磨ヘッド３が右側へ移動する。このときウエハＷの前端部が側方処理パッド５４に埋まり、上方へ向かうことが規制された状態で、下側処理パッド５１の復元力がウエハＷの裏面周縁領域１４に作用することにより、当該裏面周縁領域１４が当該下側処理パッド５１に押圧され、図１６に示すように当該下側処理パッド５１に敷設されている研磨テープＴに密着した状態となる。そのような状態で、裏面周縁領域１４がウエハＷの回転によって当該研磨テープＴに対して摺動し、当該裏面周縁領域１４における不要な膜や異物が除去されて、クリーニングが進行する。
In this way, while the front end of the wafer W moves from the
そして、ウエハＷの最前端がポイントＰ９に位置すると、ヘッド本体４の右側への移動が停止する。図１７、図１８に示すように、このポイントＰ９は、正面に向かって見て側方処理パッド５１の内側である。然る後、ヘッド本体４が左側へ移動し、ウエハＷの最前端が、ポイントＰ８と同じ位置であるポイントＰ１０（図１８参照）へ移動し、続いてヘッド本体４が右側へ移動してウエハＷの最前端が側方処理パッド５１の左外側のポイントＰ１１（図１９参照）へ移動する。このようにウエハＷの最前端がポイントＰ９からＰ１０へ移動するとき及びポイントＰ１０からポイントＰ１１へ移動するときも、当該ウエハＷの最前端がポイントＰ８からポイントＰ９へ移動するときと同様に、裏面周縁領域１４がクリーニングされる。
Then, when the front end of the wafer W is located at the point P9, the movement of the head
ウエハＷの最前端がポイントＰ１１に移動した後は、ウエハＷの回転が停止し、ヘッド本体４の吸引孔５３からの排気が停止すると共に給排気機構７におけるパージガスの吐出及び排気が停止する。続いて、スピンチャック２５が後退位置へ移動し、ウエハＷは図示しない搬送機構によりクリーニング装置１の外部へ搬送される。その一方でヘッド本体４が下降し、下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５による研磨テープＴの吸引が停止し、ヘッド本体４による研磨テープＴの保持が解除される。然る後、研磨ヘッド３のテープ回収リール３３が回転して、ヘッド本体４に保持されていた研磨テープＴの使用済みの領域が当該テープ回収リール３３に巻き取られると共に研磨テープＴの未使用の領域がテープ送出リール３２のロールＴ１からヘッド本体４のローラー４３、４４間に供給され、図５に示したヘッド本体４への装着を行うことができる状態となる。以降は図５〜図１３で説明した研磨テープＴの装着が再度行われ、続いて、新たにクリーニング装置１に搬入されたウエハＷに対して図１４〜図２０で説明したクリーニング処理が行われる。
After the foremost end of the wafer W has moved to the point P11, the rotation of the wafer W is stopped, the exhaust from the suction holes 53 of the head
このクリーニング装置１は、ウエハＷの側方にて研磨テープＴを保持する側方処理パッド５４と、ウエハＷの周縁部の下方にて保持する下側処理パッド５１とを備えた研磨ヘッド３を備え、ウエハＷを回転させるスピンチャック２５の研磨ヘッド３への前進と、研磨ヘッド３の昇降とによって、ウエハＷの周縁部のクリーニングが行われる。側方処理パッド５４はウエハＷの側端面１１、上側傾斜面１２及び下側傾斜面１３のクリーニングに用いられ、下側処理パッド５１はウエハＷの裏面周縁領域１４のクリーニングに用いられる。このように２つの処理パッド５１、５４によってウエハＷの各面をクリーニングすることで、ウエハＷの周縁部の各面毎の異なる向きに研磨ヘッド３を配置する必要が無いため、ウエハＷの処理に要する時間を抑えることができる。また、側方処理パッド５１を弾性体により構成し、当該側方処理パッド５１に回転するウエハＷの前端部が埋まった状態で研磨ヘッド３が昇降して、互いに異なる向きを有するウエハＷの側端面１１、上側傾斜面１２及び下側傾斜面１３がクリーニングされるので、ウエハＷの処理に要する時間を、より確実に抑えることができる。
The cleaning apparatus 1 includes a polishing
なお、研磨ヘッド３を水平軸回りに回転させる回転機構が設けられる構成とし、側端面１１、上側傾斜面１２、下側傾斜面１３を各々クリーニングするために、側方処理パッド５１が側端面１１、上側傾斜面１２、下側傾斜面１３に各々対向させると共に密着するように、研磨ヘッド３が各々異なる向きを向くようにすることで、これらの各面の研磨を行うようにしてもよい。そのような構成とした場合であっても、ウエハＷの裏面周縁領域１４については、下側処理パッド５１によりクリーニングが行われることで、側方処理パッド５１を当該裏面周縁領域１４に対向させて密着するように配置する必要が無いので、クリーニング処理中の研磨ヘッド３の移動量は抑えられることから、ウエハＷの処理に要する時間を抑えることができる。
The
また、クリーニング装置１によれば、ヘッド本体４に設けられる下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５によって、研磨テープＴの裏面を吸引することで、研磨テープＴを確実にヘッド本体４に保持させることができる。なお、研磨テープＴの裏面に粘着材を設け、テープ装着用ローラー６３によって、当該研磨テープＴが下側処理パッド５１及び側方処理パッド５４に押し付けられると、この粘着材の作用によって当該研磨テープＴが下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５に保持されるようにしてもよい。その場合、研磨テープＴをヘッド本体４から取り外すには、テープ回収リール３３を回転させて研磨テープＴに張力を加えることで、ヘッド本体４上に粘着されている研磨テープＴを引き剥がす。ただし、ヘッド本体４に粘着材が異物として残留することを防ぐために、既述のように研磨テープＴを吸引して保持することが好ましい。
Further, according to the cleaning device 1, the polishing tape T is reliably held on the head
また、クリーニング装置１は、研磨ヘッド３に対して独立して設けられた、即ち研磨ヘッド３の移動に合わせて移動しないように設けられた給排気機構７を備えている。そのように研磨ヘッド３から独立しているため、給排気機構７は回転するウエハＷに対する位置が固定されており、研磨ヘッド３の移動によって上記のパージ空間７５に形成される気流が乱れることが無い。従って、この給排気機構７が設けられていることで、より確実に削り屑を除去することができる。ただし、給排気機構７が研磨ヘッド３と共に移動する構成であってもよい。
The cleaning device 1 further includes an air supply /
なお、テープ装着機構６のテープ装着用ローラー６３について、小径部６５が設けられず、大径部６４のみが設けられた構成としてもよいが、当該小径部６５によって研磨テープＴが下側処理パッド５１及び側方処理パッド５４に押し付けられ、当該テープＴをこれらの下側処理パッド５１及び側方処理パッド５４に緩み無く密着させることができる。従って、小径部６５を設けた方が、クリーニング性能の向上を図ることができるので好ましい。
Although the
また、下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５の吸引力が比較的大きい場合、テープ装着機構６により研磨テープＴがこれら下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５に押し付けられずに近接される場合であっても、これら下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５による吸着を行うことができる。従って、研磨テープＴを押圧する押圧機構としては、下側吸着パッド５２及び側方吸着パッド５５を転動する転動体を備えることには限られない。
When the suction force of the
従って、例えばスピンチャック２５に保持されたウエハＷに対してヘッド本体４を相対的に移動させることで、当該ウエハＷにより研磨テープＴをヘッド本体４に向けて押圧し、近接させることでヘッド本体４が研磨テープＴを保持するようにしてもよい。つまりテープ装着機構６は、クリーニング装置１に設けられていなくてもよいが、より確実に研磨テープＴをヘッド本体４に保持させるために、テープ装着機構６が設けられることが好ましい。なお、テープ装着機構６の転動体支持部６２には転動体として、テープ装着用ローラー６３の代わりに球体を設け、当該球体により研磨テープＴをヘッド本体４に押し付けてもよい。
Therefore, for example, by moving the head
なお、ヘッド本体４に向けてウエハＷを前進させて処理を行っているが、ヘッド本体４を前後移動させる移動機構を設け、そのようにウエハＷを前進させる代わりにウエハＷに向けてヘッド本体４を後退させることで処理を行ってもよい。また、ヘッド本体４を昇降させて処理を行っているが、スピンチャック２５を昇降させる昇降機構を設け、そのようにヘッド本体４を昇降させる代わりに、スピンチャック２５を昇降させることで処理を行ってもよい。
Although the processing is performed by advancing the wafer W toward the head
ところで研磨ヘッドについて、研磨テープＴの長さ方向の一端側を側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５により保持し、他端側を下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２により保持する、上記の研磨ヘッド３の構成とすることには限られない。図２１は研磨ヘッド８４の概略正面図を示している。上記の研磨ヘッド３との差異点を述べると、研磨ヘッド８４においてはテープ送出リール３２及びテープ回収リール３３が２組設けられており、同じ組をなすテープ送出リール３２及びテープ回収リール３３はヘッド本体４を挟んで左右に設けられている。一の組のテープ送出リール３２及びテープ回収リール３３は前後に沿った水平軸回りに回転し、これらのリール３２、３３間の研磨テープＴ（図中に点線で表示している）は下側処理パッド５１及び下側吸着パッド５２に保持される。他の組のテープ送出リール３２及びテープ回収リール３３は垂直軸回りに回転し、これらのリール３２、３３間の研磨テープＴ（図中に鎖線で表示している）は側方処理パッド５４及び側方吸着パッド５５に保持される。ただし、研磨ヘッド８４においては、リール３２、３３、及び当該リール３２、３３が接続されるモーター３４、回転制限部３５が各々複数必要になるため、研磨ヘッド３の構成とすることの方が好ましい。
Regarding the polishing head, one end side in the length direction of the polishing tape T is held by the
なお、上記の下側吸着パッド５２、側方吸着パッド５５の形状については上記の例とすることに限られず、下側処理パッド５１及び側方処理パッド５４の各全周を囲うような形状としてもよいし、これらの下側処理パッド５１及び側方処理パッド５４を左右から挟むように左右が分割された形状としてもよい。そのように吸着パッドが処理パッドの左右のみに配置され、処理パッドの前後あるいは上下に配置されていない場合についても、吸着パッドは処理パッドの周囲に配置されていることに含まれる。さらに、ヘッド本体４の吸引孔５３としては上記のように台部４２に設けることに限られず、例えば壁部４１における研磨テープＴが保持される領域の左右の外側に設けられていてもよい。なお、本発明は、既述した各実施例に限られず、各実施例については適宜変更したり、組み合わせたりすることができる。
The shapes of the
Ｔ 研磨テープ
Ｗ ウエハ
１ クリーニング装置
１０ 制御部
２３ 回転機構
２４ 前後移動機構
２５ スピンチャック
３ 研磨ヘッド
４ ヘッド本体
５１ 下側処理パッド
５２ 下側吸着パッド
５４ 側方処理パッド
５５ 側方吸着パッド
６ テープ装着機構
７ 給排気機構
T Polishing tape W Wafer 1
Claims (13)
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転機構と、
研磨テープを前記基板の側方にて保持する第１のテープ保持部と、前記研磨テープを前記基板の下方にて保持する第２のテープ保持部と、を備えた研磨ヘッドと、
回転する前記基板の側面が前記第１のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる前進機構と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第２のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる上昇機構と、
を備えることを特徴とする基板周縁部のクリーニング装置。 A substrate holding unit for holding a substrate;
A rotation mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding unit;
A polishing head comprising: a first tape holder for holding a polishing tape on the side of the substrate; and a second tape holder for holding the polishing tape below the substrate.
An advancing mechanism that advances the substrate holding unit relative to the polishing head such that the side surface of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the first tape holding unit; ,
A lifting mechanism that raises the polishing head relative to the substrate such that the lower surface of the peripheral portion of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the second tape holder. When,
An apparatus for cleaning a peripheral portion of a substrate, comprising:
前記研磨テープが密着され、当該研磨テープを介して前記基板に押し当てられる基板押し当て部と、
前記基板押し当て部の周囲に設けられ、当該基板押し当て部に前記研磨テープが密着されるように、前記研磨テープを吸引するテープ吸引部と、
を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板周縁部のクリーニング装置。 At least one of the first tape holder and the second tape holder is:
A substrate pressing unit which is in close contact with the polishing tape and is pressed against the substrate through the polishing tape;
A tape suction unit that is provided around the substrate pressing unit and that sucks the polishing tape so that the polishing tape is in close contact with the substrate pressing unit;
An apparatus for cleaning a substrate peripheral portion according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
前記テープ吸引部は、前記密着面から見て当該密着面よりも低い位置に設けられた、前記研磨テープを吸引する吸引孔が設けられる吸引面を備えることを特徴とする請求項４記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The substrate pressing unit includes an adhesion surface to which the polishing tape is adhered.
5. The substrate according to claim 4, wherein the tape suction portion has a suction surface provided with a suction hole for suctioning the polishing tape, which is provided at a position lower than the close contact surface as viewed from the close contact surface. Peripheral edge cleaning device.
前記懸架部に懸架された研磨テープの未使用の領域を、前記テープ吸引部によって吸引するために、前記テープ吸引部に向かうように押圧する押圧機構が設けられることを特徴とする請求項４または５記載の基板周縁部のクリーニング装置。 A suspension for suspending the polishing tape on the substrate pressing unit and the tape suction unit, and an end in the lengthwise direction of the polishing tape are pulled to be suspended on the substrate pressing unit and the tape suction unit. A tape feeding mechanism for moving the area in the longitudinal direction of the polishing tape;
5. The apparatus according to claim 4, further comprising a pressing mechanism for pressing the unused area of the polishing tape suspended by the suspension section toward the tape suction section in order to suck the unused area by the tape suction section. 5. The cleaning device for the substrate peripheral portion according to 5.
前記第１のテープ保持部は前記基板押し当て部を備え、
当該基板押し当て部は弾性体により構成され、
回転する基板の周縁部が前記基板押し当て部に押し当てられて当該基板押し当て部の復元力が当該基板に作用する状態で、前記昇降機構による研磨ヘッドの前記基板に対する相対的な移動が行われることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板周縁部のクリーニング装置。 The elevating mechanism is an elevating mechanism that raises and lowers the polishing head relative to the rotating substrate,
The first tape holding unit includes the substrate pressing unit.
The substrate pressing portion is made of an elastic body,
The relative movement of the polishing head relative to the substrate by the elevating mechanism is performed in a state where the peripheral portion of the rotating substrate is pressed against the substrate pressing portion and the restoring force of the substrate pressing portion acts on the substrate. The apparatus for cleaning a substrate peripheral portion according to any one of claims 1 to 8, characterized in that:
前記基板押し当て部の復元力が基板に作用する状態で、前記昇降機構による研磨ヘッドの前記基板に対する相対的な移動と、前記左右移動機構による研磨ヘッドの基板に対する相対的な移動とが共に行われることを特徴とする請求項９記載の基板周縁部のクリーニング装置。 A horizontal movement mechanism is provided to move the polishing head relative to the rotating substrate relative to the substrate,
In a state where the restoring force of the substrate pressing unit acts on the substrate, both the relative movement of the polishing head relative to the substrate by the elevating mechanism and the relative movement of the polishing head relative to the substrate by the left and right movement mechanism are performed. 10. The apparatus for cleaning a substrate peripheral edge according to claim 9, characterized in that:
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる工程と、
研磨ヘッドを各々構成する第１のテープ保持部、第２のテープ保持部により、研磨テープを前記基板の側方、前記基板下方にて各々保持する工程と、
回転する前記基板の側面が前記第１のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドに対して前記基板保持部を相対的に前進させる工程と、
回転する前記基板の周縁部の下面が前記第２のテープ保持部に保持される研磨テープに摺動してクリーニングされるように、前記研磨ヘッドを前記基板に対して相対的に上昇させる工程と、
を含むことを特徴とする基板周縁部のクリーニング方法。 Holding the substrate by the substrate holding unit;
Rotating the substrate held by the substrate holding unit;
Holding the polishing tape on the side of the substrate and below the substrate by the first tape holder and the second tape holder respectively constituting the polishing head;
Advancing the substrate holding unit relative to the polishing head such that the side surface of the rotating substrate slides and is cleaned on the polishing tape held by the first tape holding unit;
Raising the polishing head relative to the substrate such that the lower surface of the peripheral portion of the rotating substrate slides on the polishing tape held by the second tape holding unit; ,
A method of cleaning a peripheral portion of a substrate, comprising:
前記コンピュータプログラムは、請求項１２記載の基板周縁部のクリーニング方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing a computer program for use in a cleaning device which cleans a peripheral portion of a substrate by sliding it on a polishing tape
A storage medium characterized in that the computer program is configured to execute steps for cleaning the substrate peripheral portion according to claim 12.
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