JP2018174244A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】異物検出が可能で、半導体装置の量産に適した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、リードフレームＲＦＰを準備する工程と、リードフレームに複数の半導体チップを搭載する工程と、リードフレームの一部を封止樹脂で封止する工程を備える。ここで、樹脂封止する工程は、キャビティ部１−Ｃ、２−Ｃが形成された主面１−Ｓ１、２−Ｓ１を有し、加熱されている金型１、２の主面にリードフレームを配置する工程と、リードフレームの一部を封止樹脂で封止するように、加熱されている金型の主面に樹脂を注入する工程と、リードフレームを加熱されている金型から取り出す工程を有し、取り出す工程では、リードフレームを取り出しながら、センサ１５を用いて、金型の主面を検査し、センサは、冷却されており、リードフレームを取り出すアームと一体に構成されている。【選択図】図１７

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂によって封止する工程を備えた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置は、種々の回路ブロックが形成された半導体チップが、例えばリードフレーム（または、基材）に搭載され、半導体チップの電極（ボンディングパッド）とリードフレーム間がワイヤーによって電気的に接続され、パッケージングされて提供される。パッケージングは、半導体チップが搭載されたリードフレームを、モールド装置により例えば樹脂によって部分的に封止することにより行われる。

モールド装置では、それぞれ加熱された上金型と下金型との間に、半導体チップが搭載されたリードフレームが挟まれ、プレス器によって上金型と下金型とが締め付けられる。上金型の主面と、上金型の主面と対向する下金型の主面には、それぞれ所定の形状のキャビティ部が形成されており、このキャビティ部に半導体チップが位置するように、リードフレームは、上金型と下金型の間に配置される。また、締め付けるとき、樹脂がキャビティ部に充填されるように注入される。これにより、半導体チップおよび半導体チップを搭載したリードフレームの部分（タブ等）が、所定の形状の樹脂によって封止され、パッケージングされた半導体装置として提供される。

このようなモールド装置は、例えば特許文献１に記載されている。なお、特許文献１では、モールド装置をトランスファ成形装置と称している。

特開平９−１２３１８３号公報

リードフレームを樹脂で封止した後、上金型の主面または／および下金型の主面には、注入した樹脂等のレジン屑やレジンバリなどが残ってしまうことがある。レジン屑やレジンバリは、次のリードフレームを樹脂で封止する際の異物となる。このような異物が存在すると、樹脂で封止する際に、ボンディングパッドとリードフレームとを接続するワイヤーを変形させて、ワイヤー間がショートする可能性がある。また、上金型または／および下金型には、封止の際に発生する余剰空気を放出するエアベントが形成されるが、エアベントに異物が詰まり、ボイド不良を引き起こす可能性がある。いずれの場合も歩留まりの低下に繋がる。歩留まりの低下を低減するために、例えば樹脂封止したリードフレームを上金型および下金型から取り出した後、上金型および下金型の主面をクリーニング機構によってクリーニングすることが行われる。

特許文献１では、上金型および下金型の定期清掃作業において、上金型および下金型をクリーニングして、掃除用レジンの屑が残らないようにするとともに、クリーニング機構に鏡を設けて、目視で清掃度を確認することが示されている。

この特許文献１では、目視でレジン屑等を確認するため、確認することの可能なサイズが数ｍｍ程度と比較的大きいことが要求される。また、目視で確認するため、鏡が設けられたクリーニング機構の移動速度も低速（例えば２０〜３０ｍｍ／ｓｅｃ程度）であることが要求される。特許文献１に示されている技術は、定期清掃作業において比較的サイズの大きなレジン屑等を検出することは可能であるが、次に述べるように、半導体装置を量産する際に、レジン屑等の異物を検出するのには適していない。

すなわち、特許文献１では、目視でレジン屑等を確認するため、クリーニング機構の移動速度を遅くすることが要求される。これに対して、半導体装置の量産において、クリーニング機構の移動速度は例えば１５０ｍｍ／ｓｅｃ以上となる。そのため、目視でレジン屑等を確認することは困難である。また、量産で問題となる異物のサイズは、数百μｍ程度である。一方、目視で確認可能なサイズは、数ｍｍ程度が限度である。そのため、問題となる異物のサイズの観点でも、特許文献１の技術では、量産の際のレジン屑等を検出することは困難である。

また、目視で確認できるサイズの感度は、検査者に大きく依存する。そのため、検査者にトレーニングを施しても、検査者間で１ｍｍ程度の誤差が生じるものと推定される。すなわち、検査者間で確認した結果に差が生じることになり、安定した検査結果が得られない。さらに、目視で検出するためには、量産の際に常時検査者を配置することが要求され、膨大な人件費が必要とされる。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態に係わる半導体装置の製造方法を述べると、次のとおりである。

すなわち、半導体装置の製造方法は、（ａ）複数のデバイス形成領域を有するリードフレームを準備する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程の後、リードフレームの複数のデバイス形成領域に複数の半導体チップを搭載する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、複数の半導体チップとリードフレームの一部を封止樹脂で封止する工程とを備える。ここで、（ｃ）工程は、（ｃ１）リードフレームの複数のデバイス形成領域のそれぞれが配置される複数のキャビティ部が形成された主面を有し、かつ、加熱されている金型の主面にリードフレームを配置する工程と、（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、複数の半導体チップとリードフレームの一部を封止樹脂で封止するように、加熱されている金型の主面上に樹脂を注入する工程と、（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、リードフレームを加熱されている金型から取り出す工程を有する。前記（ｃ３）工程では、リードフレームを取り出しながら、センサを用いて、金型の主面を検査し、センサは、冷却されており、リードフレームを取り出すアームと一体に構成されている。

一実施の形態によれば、異物検出が可能で、半導体装置の量産に適した半導体装置の製造方法を提供することができる。

実施の形態１に係わる半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、実施の形態１に係わるリードフレームの斜視図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる樹脂封止後のリードフレームおよび半導体装置の斜視図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる半導体装置の構造を示す図である。 実施の形態１に係わる樹脂封止を説明するための説明図である。 （Ａ）から（Ｊ）は、実施の形態１に係わるモールド装置の動作を示すタイミング図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 （Ａ）から（Ｃ）は、実施の形態１に係わる複合ユニットの構造を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態１に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態２に係わるモールド装置の状態を示す図である。 実施の形態３に係わるモールド装置の状態を示す図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施の形態１）
＜半導体装置の製造方法の概略＞
図１は、実施の形態１に係わる半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。ステップ（工程）Ｓ１では、公知の半導体製造技術によって複数の回路ブロックが形成された半導体チップが準備される。また、ステップＳ２では、ステップＳ１で準備された半導体チップを搭載するリードフレームが準備される。このステップＳ２で準備されるリードフレームは、それぞれ半導体チップが搭載される複数のリードフレームが、例えば１枚の一体となったリードフレームとして準備される。ステップＳ３では、ステップＳ２で準備されたリードフレームに、ステップＳ１で準備された半導体チップが搭載され、半導体チップのボンディングパッドと、リードフレームのインナーリードとがワイヤーによって電気的に接続される。

ステップＳ３で準備された半導体チップが搭載されたリードフレームは、金型を有するモールド装置によって部分的に樹脂封止される。半導体製造装置に該当するモールド装置によって行われるステップ（工程）は、大別すると次の３つのステップＳ４〜Ｓ６を含んでいる。すなわち、ステップＳ４では、ステップＳ３で準備されたリードフレームが、材料としてモールド装置に投入（材料投入）される。すなわち、半導体チップを搭載したリードフレームが、金型を構成する上金型と下金型との間に挿入（リードフレームのロード）される。ステップＳ４に続くステップＳ５では、樹脂（封止樹脂）を注入しながら、加熱状態にされた上金型と下金型によってリードフレームを締め付けて、半導体チップを搭載したリードフレームの一部を樹脂封止する。また、ステップＳ５の後のステップＳ６では、リードフレームの取り出しが行われる。すなわち、上金型と下金型との間を広げて、部分的に樹脂封止されたリードフレームを取り出す（リードフレームのアンロード）。

取り出されたリードフレームは、ステップＳ７において、半導体チップごとのリードフレームとなるように、切断が行われ、リードの成形が行われる。

次に、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレームを例にして、図１に示したフローチャートを説明する。図２は、実施の形態１に係わるリードフレームの斜視図である。また、図３は、実施の形態１に係わる樹脂封止後のリードフレームおよび半導体装置の斜視図である。

図２（Ａ）は、ステップＳ２で準備されたリードフレームの斜視図である。同図において、ＤＹＰは、ステップＳ１で準備された半導体チップＣＨＰ（図２（Ｂ））が搭載されるダイ部（デバイス形成領域）を示している。このダイ部ＤＹＰを囲むようにリード部ＰＲが配置され、１個の半導体チップＣＨＰに対応するリードフレームＲＦが形成されている。それぞれ半導体チップＣＨＰに対応する複数のリードフレームＲＦが、１枚の金属板に形成されて、一体のリードフレームＲＦＰが形成されている。リードフレームＲＦＰに開口されている部分ＲＣＫは、後で説明するが、リードフレームＲＦＰを金型に配置および取り出す際に、ローダおよびアンローダ（以下、アームとも称する）に設けられたフレームチャック部が挿入される部分を示している。

図２（Ｂ）には、ステップＳ１で準備された半導体チップＣＨＰが、リードフレームＲＦのそれぞれのダイ部ＤＹＰに搭載された状態が示されている。図２（Ｃ）には、ステップＳ３において、半導体チップＣＨＰのボンディングパッド（図示しない）とリード部ＰＲのインナーリード部とがワイヤーＢＷＲによって電気的に接続された状態が示されている。

図２（Ｃ）に示した状態のリードフレームが、ステップＳ４で金型にロードされ、ステップＳ５で樹脂封止され、ステップＳ６で金型からアンロードされる。図３（Ａ）は、アンロードされたリードフレームＲＦＰを示す斜視図である。同図において、ＲＧＰは、半導体チップＣＨＰおよびインナーリード部を封止した封止樹脂を示している。ステップＳ７では、図３（Ａ）に示したリードフレームＲＦＰから、半導体チップＣＨＰに対応したリードフレームＲＦが切り出され、アウターリード部の成形が行われ、図３（Ｂ）に示すような半導体装置ＳＨＰとなる。

図４は、実施の形態１に係わる半導体装置ＳＨＰの構造を示す図である。図４（Ａ）は、半導体装置ＳＨＰの平面図を示し、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の平面図において、Ａ−Ａ断面を示す断面図である。図４（Ｂ）に示すように、リードフレームＲＦを構成するリード部ＲＲのうちインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）とダイ部ＤＹＰと、ダイ部ＤＹＰに搭載された半導体チップＣＨＰは、封止樹脂ＲＧＰによって封止されている。また、半導体チップＣＨＰのボンディングパッドＰＤとインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）とを接続するワイヤーＢＷＲも、封止樹脂ＲＧＰによって封止されている。図４（Ｂ）において、ＣＲＣは、ダイ部ＤＹＰと半導体チップＣＨＰとを接続する接続層を示している。

ＭＣは、アウターリード部ＲＲ（ＯＴ）に塗布されたメッキ層を示している。アウターリード部ＲＲ（ＯＴ）は、図４（Ｂ）に示すように、折り曲げて、成形されている。ここでは、ＱＦＰを例にしているため、図４（Ａ）に示すように、封止樹脂ＲＧＰで構成されたパッケージの４辺のそれぞれから、アウターリード部ＲＲ（ＯＴ）が突出している。

＜封止工程の概要＞
次に、モールド装置によって、リードフレームＲＦＰを部分的に樹脂封止する際の動作を説明する。図２で説明したように、リードフレームＲＦＰは、それぞれ半導体チップＣＨＰに対応した複数のリードフレームＲＦによって形成されているが、ここでは、１個のリードフレームＲＦを例にして説明する。

図５は、実施の形態１に係わる樹脂封止を説明するための説明図である。同図において、１および２は、モールド装置が備える金型を示している。ここで、１は上金型を示し、２は下金型を示している。本明細書では、鉛直方向において、下側に配置される金型を下金型と称し、上側に配置される金型を上金型と称する。

上金型１は、主面１−Ｓ１と、主面１−Ｓ１の反対側の裏面１−Ｓ２を備えている。同様に、下金型２も、主面２−Ｓ１と、主面２−Ｓ１の反対側の裏面２−Ｓ２を備えている。上金型１の主面１−Ｓ１と下金型２の主面２−Ｓ１が対向するように（向かい合うように）、上金型１および下金型２は配置される。また、同図では、省略されているが、上金型１の裏面１−Ｓ２と下金型２の裏面２−Ｓ２のそれぞれは、プレス器に結合されている。リードフレームＲＦを締め付ける際には、上金型１の主面１−Ｓ１におけるパーティング面１−Ｐと下金型２の主面２−Ｓ１におけるパーティング面２−ＰとがリードフレームＲＦを介して当接するように、プレス器によって上金型１と下金型２との間が狭くなるように、上金型１と下金型２とを移動させる。これに対して、リードフレームＲＦを取り出す際には、プレス器によって、主面１−Ｓ１と主面２−Ｓ１との間が開くように、上金型１と下金型２とを移動させる。

また、上金型１および下金型２は、図示しない加熱装置によって、常時加熱され、常に例えば１８０℃に維持されている。

上金型１の主面１−Ｓ１には、パッケージの外形形状に合わせたキャビティ部１−Ｃが形成されている。また、この実施の形態１においては、上金型１の主面１−Ｓ１の一部に、キャビティ部１−Ｃに連結したエアベント１−Ａが形成されている。すなわち、主面１−Ｓ１には、キャビティ部１−Ｃ、パーティング面１−Ｐおよびエアベント１−Ａが形成されていることになる。

下金型２の主面２−Ｓにも、パッケージの外形形状に合わせたキャビティ部２−Ｃが形成されている。また、この実施の形態１においては、下金型２の主面２−Ｓ１には、ポッド３用の開口部が形成されている。すなわち、主面２−Ｓには、キャビティ部２−Ｃ、パーティング面２−Ｐおよびポッド３用の開口部が形成されていることになる。

リードフレームＲＦの一部を樹脂で封止するとき、図５に示したように、半導体チップＣＨＰを搭載したタブ部ＤＹＰとインナーリード部が、キャビティ部１−Ｃおよび２−Ｃに収まるように、リードフレームＲＦは、上金型１と下金型２の間に配置される。その後、プレス器によって、主面１−Ｓ１のパーティング面１−Ｐと主面２−Ｓ１のパーティング面２−ＰとがリードフレームＲＦを介して当接するように、上金型１および下金型２が移動させられる。このとき、ポッド３には、樹脂タブレットＲＧＰ−Ｔが投入され、プランジャ４が、同図において、鉛直方向に沿って下側から上側に押し上げられる。加熱状態の上金型１および下金型２によって、樹脂タブレットＲＧＰ−Ｔが溶解し、キャビティ部１−Ｃおよび２−Ｃによって形成された空間に注入され、樹脂によって満たされる。これにより、半導体チップＣＨＰおよびインナーリード部は、樹脂によって封止される。なお、樹脂の注入によって余剰となった空気は、エアベント１−Ａを介して放出される。

樹脂によって封止した後、プレス器によって、上金型１と下金型２との間が広げられて、樹脂で部分的に封止されたリードフレームＲＦが取り出される。

ここでは、半導体チップＣＨＰに対応したリードフレームＲＦを例にして説明したが、複数のリードフレームＲＦが一体的に形成されたリードフレームＲＦＰの場合も同様である。

部分的に樹脂封止したリードフレームＲＦＰを取り出した後、主面１−Ｓ１または／および２−Ｓ１に樹脂が残っていると、レジン屑となる。この場合、主面１−Ｓ１に残ったレジン屑は、鉛直方向において下側に配置されている下金型２の主面２−Ｓ１に重力によって落下することになる。そのため、レジン屑は、主面２−Ｓ１に残っていることが多い。

＜モールド装置の動作＞
次に、モールド装置の動作を説明する。モールド装置が動作することにより、図１に示したステップＳ４〜Ｓ５の工程が実行されるため、以下に説明する動作は、半導体装置ＳＨＰの製造方法における工程を説明していると見なすことができる。

モールド装置は、上金型、下金型、プレス器、ローダ、アンロード、ローダおよびアンローダに結合された駆動機構および制御部等を備えている。モールド装置を構成するこれらの部分については、以降で説明するモールド装置の動作の際に説明する。

図６は、実施の形態１に係わるモールド装置の動作を示すタイミング図である。図６において横軸は、時間を示している。図６（Ａ）は、モールド装置全体の状態を示し、図６（Ｂ）は、モールド装置が備える金型（上金型および下金型）の状態を示している。図６（Ｃ）〜図６（Ｉ）は、図１のステップＳ６において実行されるリードフレームのアンロードに係わるタイミングを示している。また、図６（Ｊ）は、後で説明するが、センサの冷却に用いられる乾空の風量を示している。先ず、図６（Ａ）および図６（Ｂ）を用いて、リードフレームのロード（図１のステップＳ４）および樹脂の封止（図１のステップＳ５）までを説明し、その後でアンロード（図１のステップＳ６）を説明する。

この実施の形態１においては、下金型に異物が存在するか否かの検出が行われる。異物が検出されない場合、モールド装置は、同じ動作を繰り返し実行する。すなわち、同じ動作がサイクリックに繰り返される。図６には、現サイクルと、現サイクルに続く次サイクルの一部が示されている。

＜＜リードフレームのロード＞＞
現サイクルは、時刻ｔ１よりも前の時刻ｔ０で開始する。この時刻ｔ０から時刻ｔ１の間で、モールド装置は、「材料投入」状態と「樹脂封止」状態となる。すなわち、図６において、次サイクルの一部として示されている「材料投入」と同様の「材料投入」状態が、時刻ｔ０から開始し、そのあと図６の現サイクルに示されている「樹脂封止」状態が時刻ｔ１まで続く。この「材料投入」状態が、リードフレームのロードに相当する。「材料投入」状態を、図７〜図１０を用いて説明する。図７〜図１０は、実施の形態１に係わるモールド装置１０の状態を示す図である。

現サイクルの「材料投入」状態では、モールド装置は、図７の状態となる。図７において、上金型１および下金型２は、図５で説明したものと同じ構成を有している。図７では、図面が複雑になるのを避けるために、エアベント１−Ａ、ポッド３、樹脂タブレット３およびプランジャ４は省略されている。以降の図面においても、上金型１および下金型２は、図５と同じ構成を有しているが、図７と同様に、エアベント１−Ａ、ポッド３、樹脂タブレット３およびプランジャ４は省略している。

また、図７において、１−Ｌは上金型１の第１端部を示し、１−Ｆは上金型１の第２端部を示している。同図に示すように、主面１−Ｓ１には、第１端部１−Ｌと第２端部１−Ｆとの間で、複数のキャビティ部１−Ｃが形成されている。図７において、２−Ｌは下金型２の第１端部を示し、２−Ｆは下金型２の第２端部を示している。主面１−Ｓ１と同様に、主面２−Ｓ１には、第１端部２−Ｌと第２端部２−Ｆとの間で、複数のキャビティ部２−Ｃが形成されている。

なお、図７において、ＩＲは異物を示している。図６に示した現サイクルよりも前のサイクルでレジン屑が残っている場合、レジン屑が下金型の主面２−Ｓ１におけるパーティング面２−Ｐまたは／およびキャビティ部２−Ｃに残り、異物となることを示している。

モールド装置１０は、ローダ１１を備えている。ローダ１１は、主面１１−Ｓ１と、主面１１−Ｓ１の反対側の裏面１１−Ｓ２と、第１端部１１−Ｌおよび第２端部１１−Ｆを備えている。第１端部１１−Ｌと第２端部１１−Ｆとの間の主面１１−Ｓ１において、ローダ１１には、複数のフレームチャック部ＰＣＴが設けられている。ローダ１１は、図示しない駆動機構に結合され、駆動機構によって、同図において、「前」と記載されている方向（←前進）に前進または「後」と記載されている方向（→後退）に後進するように駆動される。

「材料投入」状態では、ローダ１１の主面１１−Ｓ１に、それぞれのダイ部ＤＹＰに半導体チップＣＨＰが搭載されたリードフレームＲＦＰ（図２（Ａ）〜（Ｃ））が装着される。すなわち、図２（Ｃ）に示したリードフレームＦＲＰが、主面１１−Ｓ１に装着される。この場合、特に制限されないが、フレームチャック部ＰＣＴが、図２（Ｃ）に示したリードフレームＲＦＰの開口部ＲＣＫに挿入され、リードフレームＲＦＰが固定される。

「材料投入」状態のときは、図６（Ｂ）に示すように、上金型１と下金型２との間は広がっている（開放）。ローダ１１に結合された駆動機構によって、ローダ１１は、前進し、上金型１と下金型２との間に挿入される。すなわち、主面１−Ｓ１にローダ１１の裏面１１−Ｓ２が向かい合い、主面２−Ｓ１にローダ１１の主面１１−Ｓ１が向かい合うように、ローダ１１が挿入される。ローダ１１の前進は、ローダ１１の第２端部１１−Ｆが、上金型１および下金型２の第１端部１−Ｌおよび２−Ｌから第２端部１−Ｆおよび２−Ｆに向かって移動することにより行われる。この場合、ローダ１１が、上金型１および下金型２と接触しないように、ローダ１１の裏面１１−Ｓ２とパーティング面１−Ｐとが平行し、ローダ１１の主面１１−Ｓ１とパーティング面２−Ｐとが平行するように、ローダ１１は移動する。

図８は、「材料投入」状態において、ローダ１１が、上金型１と下金型２の間に挿入され、所定の位置に到達したときの状態が示されている。図８（Ａ）は、上金型１、下金型２およびローダ１１を断面で見た断面図であり、図８（Ｂ）は、上金型１上から見た平面図である。上記した所定の位置とは、図８（Ｂ）に示すように平面視において、リードフレームＲＦＰを構成するそれぞれのリードフレームＲＦにおけるダイ部ＤＹＰおよびインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）が、キャビティ部１−Ｃおよび２−Ｃに収まる位置を示している。言い換えるならば、リードフレームＲＦにおけるダイ部ＤＹＰとインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）が、キャビティ部１−Ｃおよび２−Ｃに対応する位置に配置されるように、リードフレームＲＦＰが移動する。

ローダ１１が、所定の位置に到達すると、フレームチャック部ＰＣＴによってローダ１１に固定されていたリードフレームＲＦＰは、フレームチャック部ＰＣＴから分離される。これにより、図９に示すように、リードフレームＲＦＰは、下金型２の主面２−Ｓ１に配置されることになる。図９（Ａ）は、上金型１、下金型２およびローダ１１を断面で見た断面図であり、図９（Ｂ）は、下金型２を、その上面から見た平面図である。この場合、それぞれのリードフレームＲＦにおけるダイ部ＤＹＰおよびインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）は、図９（Ｂ）に示すようにキャビティ部２−Ｃに収まるように、配置される。

図９に示すように、リードフレームＲＦＰが、下金型２の主面２−Ｓ１に搭載されると、ローダ１１は、「後」の方向へ移動する。すなわち、ローダ１１が後退する。ローダ１１の第２端部１１−Ｆに注目すると、第２端部１１−Ｆは、上金型１および下金型２の第２端部１−Ｆおよび２−Ｆから、第１端部１−Ｌおよび２−Ｌに向かって移動し、第１端部１−Ｌおよび２−Ｌよりも外側まで、移動する。上金型１の裏面１−Ｓ２を、その上方から見た平面視では、金型（上金型１および下金型２）の外側まで、ローダ１１が移動することになる。これにより、図１０に示すように、上金型１と下金型２との間から、ローダ１１が取り出されることになる。

以上で、複数の半導体チップＣＨＰを搭載したリードフレームＲＦＰが、下金型２の所定の位置に配置される。

＜＜樹脂封止＞＞
次に、「樹脂封止」状態を、図１１および図１２を用いて説明する。図１１および図１２は、実施の形態１に係わるモールド装置１０の状態を示す図である。

「材料投入」状態が完了し、「樹脂封止」状態へ移行すると、金型（上金型１および下金型２）によって、リードフレームＲＦＰの締め付け（型締）が行われる。すなわち、図１０に示したように開いていた上金型１と下金型２との間が狭くなるように、図示しないプレス器によって金型が移動させられる。これにより、図１１に示すように、上金型１のパーティング面１−Ｐと下金型２のパーティング面２−Ｐとが当接し、リードフレームＲＦＰが、上金型１と下金型２によって締め付けられることになる。

特に制限されないが、図１１に示した状態のときに、図５に示した樹脂タブレットＲＧＰ−Ｔがポッド３に投入される。これにより、図５で説明したように、それぞれのキャビティ部に樹脂ＲＧＰが注入され、半導体チップＣＨＰを搭載したタブ部ＤＹＰおよびインナーリード部ＲＲ（ＩＮ）が、樹脂ＲＧＰで封止され、図１２に示す状態となる。

以上で、リードフレームＲＦＰの所定部が部分的に樹脂ＲＧＰによって封止された状態となる。「樹脂封止」状態において、もし下金型２の主面２−Ｓ１に異物ＩＲが存在すると、例えばエアベントを塞ぐことがある。また、キャビティ部２−Ｃに異物ＩＲが存在すると、注入した樹脂ＲＧＰに混入または／および成形された樹脂ＲＧＰに付着することになり、ワイヤーＢＷＲ（図５（Ｂ））の変形に繋がる。

＜＜リードフレームのアンロード＞＞
次に、図１で説明したステップＳ６で実施されるリードフレームのアンロードを説明する。図６では、時刻ｔ１から時刻ｔ３において実行され、図６（Ａ）のモールド装置１０の状態は「樹脂封止が完了したリードフレーム取り出し」状態（以下、「リードフレーム取り出し」状態とも称する）に相当する。

この実施の形態においては、「リードフレーム取り出し」状態において、下金型２の主面２−Ｓ１に存在する異物ＩＲをクリーニングする動作が行われる。クリーニングは、下金型２の主面２−Ｓ１から上金型１の主面１−Ｓ１方向へ空気を吸引することにより実施される。すなわち、吸引により、主面２−Ｓ１に存在する異物ＩＲを集塵することによって、クリーニングが行われることになる。そのため、クリーニングを行うクリーニング機構としては、例えば吸引器あるいは集塵器が用いられる。

また、この実施の形態においては、クリーニングを実施した主面２−Ｓ１に異物ＩＲが残っているか否かの検出が行われる。この異物検出も、「リードフレーム取り出し」状態において実施される。この実施の形態においては、下金型２の主面２−Ｓ１をセンサやカメラによって撮影し、撮影された像のデータに基づいて、異物ＩＲが残っているか否かの検出が行われる。

次に図１３〜図１８を用いて説明するが、この実施の形態においては、金型からリードフレームを取り出すアンローダ、金型のクリーニングを行うクリーニング機構およびセンサが一体で構成されている。これにより、リードフレームの取り出し、クリーニングおよび異物の検出を、時間的に並行的に行うことが可能となり、半導体装置ＳＨＰの製造に要する時間を短縮することが可能となる。また、主面２−Ｓ１の像を撮影するために、センサは、加熱状態の上金型１および下金型２に近接することになる。そのため、センサは高温状態に置かれることになり、その特性の劣化または／および寿命が短くなることが考えられる。この実施の形態１においては、センサは冷却機構によって冷却されるため、加熱状態の上金型１、下金型２に近接しても、その特性の劣化または／および寿命が短くなるのを抑制することが可能となっている。

図１３は、アンローダ、クリーニング機構およびセンサが一体的に構成された複合ユニットの構造を示す構造図である。また、図１４〜図１８は、実施の形態１に係わるモールド装置１０の状態を示す図である。

＜＜＜複合ユニット＞＞＞
図１３（Ａ）は、複合ユニットＬＣＵの平面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す断面図であり、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面を示す断面図である。

複合ユニットＬＣＵは、アンローダ（アーム）１２と、クリーニング機構１３とカバー筐体１４に収められたセンサ１５を備えている。アンローダ１２は、平面視で見たとき、その外形が長方形の箱形をしている。長方形の一方の短辺に相当する端部が、アンローダ１２の第１端部１２−Ｌとされ、他方の短辺に相当する端部が、アンローダ１２の第２端部１２−Ｆとされている。箱の底面が、アンローダ１２の主面１２−Ｓ１とされ、上面が、アンローダ１２の裏面１２−Ｓ２とされる。箱形であるため、第１端部１２−Ｌと第２端部１２−Ｆとは互いに反対側に位置し、主面１２−Ｓ１と裏面１２−Ｓ２も互いに反対側に位置している。アンローダ１２の主面１２−Ｓ１には、ローダ１１と同様に、第１端部１２−Ｌと第２端部１２−Ｆとの間に、複数のフレームチャック部ＰＣＴが設けられている。

アンローダ１２の第２端部１２−Ｆ側には、クリーニング機構１３が取り付けられている。この実施の形態１に係わるクリーニング機構１３は、主面１３−Ｓ１と、裏面１３−Ｓ２と、４つの側面１３−Ｌ、１３−Ｕ、１３−Ｄおよび１３−Ｆを備えた箱状の筐体をしている。ここで、主面１３−Ｓ１は開口状態にされた開口面で、裏面１３−Ｓ２は配管を介して集塵器（図示しない）に結合されている。集塵器によって空気の吸引が開始されると、クリーニング機構１３の開口面から、ＢＡの方向で空気の吸引が行われ、空気とともに異物も、ＢＡの方向へ吸引される。このクリーニング機構１３の側面１３−Ｌが、アンローダ１２の第２端部１２−Ｆに取り付けられ、固定されている。

カバー筐体１４も、箱形の外形形状をしており、主面１４−Ｓ１、裏面１４−Ｓ２および４つの側面１４−Ｌ、１４−Ｆ（側面１４−Ｌの反対側の側面）、１４−Ｕ、１４−Ｄ（側面１４−Ｕの反対側の側面）を備えている。主面１４−Ｓ１は開口状態の開口面となっており、裏面には配管と結合する開口部１６が設けられている。カバー筐体１４の側面１４−Ｌが、クリーニング機構１３の側面１３−Ｆに取り付けられ、カバー筐体１４は、クリーニング機構１３に固定されている。また、開口部１６は配管１９に結合され、この配管１９は、モールド装置１０が設置された半導体装置を製造する工場の乾燥空気源（図示しない）に結合されている。配管１９は、この実施の形態１では、３つの配管部１９−１〜１９−３によって構成されている。配管部１９−１と１９−２との間には、カバー筐体１４へ供給する空気（乾燥空気：以下、乾空とも称する）の流量を調整する流量調整弁２０が設置され、配管部１９−２と１９−３との間には、カバー筐体１４への乾空の供給を停止／開始する開閉バルブ２１が設置されている。

開閉バルブ２１を開いて、乾燥空気源からの乾空をカバー筐体１４へ送ることにより、カバー筐体１４の開口面１４−Ｓ１から乾空がＢＢの方向へ排出されることになる。また、流量調整弁２０によって、開口面１４−Ｓ１から排出される乾空の流量を調整することが可能となっている。

カバー筐体１４内には、センサ１５が配置されている。センサ１５は、この実施の形態では、ラインセンサによって構成されている。ラインセンサ（センサ）１５は、カバー筐体１４の側面１４−Ｌを貫通した取り付け金具１８によって、クリーニング機構１３の側面１３−Ｆに取り付けられ、固定されている。すなわち、カバー筐体１４およびセンサ１５は、クリーニング機構１３を挟んで、アンローダ１２の第２端部１２−Ｆ側に配置され、固定されている。クリーニング機構１３、カバー筐体１４およびセンサ１５は、アンロード１２に固定されているため、アンローダ１２が移動すると、クリーニング機構１３、カバー筐体１４およびセンサ１５も、一体として移動することになる。すなわち、複合ユニットＬＣＵを構成するアンローダ１３、クリーニング機構１３、カバー筐体１４およびセンサ１５は、一体として構成され、一体として移動することになる。

図１４〜図１８を用いて説明するが、「リードフレーム取り出し」状態のとき、複合ユニットＬＣＵは、前進して、上金型１と下金型２との間に挿入され、その後、後退する。複合ユニットＬＣＵが、金型間に挿入された状態では、アンローダ１２の主面１２−Ｓ１、クリーニング機構１３の主面（開口面）１３−Ｓ１、カバー筐体１４の主面（開口面）１４−Ｓ１およびセンサ１５の撮像面１５−Ｓ１が、下金型２の主面２−Ｓ１と向き合うことになる。そのため、クリーニング機構１３の開口面１３−Ｓ１は、下金型２の主面２−Ｓ１から上金型１の主面１−Ｓ１に向かう方向（ＢＡ）で吸引を行い、集塵を行うことになる。一方、カバー筐体１４の開口面１４−Ｓ１は、上金型１の主面１−Ｓ１から下金型２の主面２−Ｓ１へ向かう方向（ＢＢ）で、乾空の排出を行うことになる。

この実施の形態においては、図１３（Ｂ）に示すように、開口面１４−Ｓ１、撮像面１５−Ｓ１、開口面１３−Ｓ１の順に、低くなっている。そのため、下金型２上に複合ユニットＬＣＵが配置されたとき、開口面１３−Ｓ１が最も主面２−Ｓ１に近くなり、次いで撮像面１５−Ｓ１が近くなり、開口面１４−Ｓ１が最も遠くなる。これにより、効率よく異物ＩＲの集塵を行うことが可能になる。また、乾空がセンサ１５の周囲の空間１７を流れて、開口面１３−Ｓ１から排出されるため、流れる乾空によってセンサ１５の温度が上昇するのを抑制し、冷却することが可能となっている。

図１３（Ａ）において、破線で示した複数のブロック２−Ｃは、複合ユニットＬＣＵが、下金型２上に配置されたときのキャビティ部を示している。例えば図７では、上金型１および下金型２を模式的な断面で示しているため、キャビティ部１−Ｃおよび２−Ｃが１列で示されているが、キャビティ部１−Ｃ、２−Ｃのそれぞれは、図８（Ｂ）、図９（Ｂ）および図１３（Ａ）に示したように、上金型１の主面１−Ｓ１および下金型２の主面２−Ｓ１において、平面視的には、行列状に形成されている。また、クリーニング機構１３は、図１３（Ａ）において列方向に形成された複数のキャビティ部２−Ｃに対して同時に集塵を行う。同様に、ラインセンサ１５は、列方向に形成された複数のキャビティ部２−Ｃに対して同時に撮影を行う。

＜＜＜リードフレーム取り出し＞＞＞
次に、上記した複合ユニットＬＣＵを用いた「リードフレーム取り出し」状態を説明する。図６に戻って説明する。図６（Ｃ）は上記した複合ユニットＬＣＵの状態を示す図である。図６（Ｃ）において、時刻ｔ１からｔ２の間で、複合ユニットＬＣＵは、前進し、リードフレームチャックを行う。また、図６（Ｊ）は、カバー筐体１４の開口面１４−Ｓ１から下金型２の主面２−Ｓ１に向かって排出される乾空の流量を示している。時刻ｔ１からｔ２の間、流量調整弁２０を調整することにより、開口面１４−Ｓ１から排出される乾空の流量は小さく（微風）にされている。

複合ユニットＬＣＵの前進を、図１４および図１５を用いて説明する。図１４は、複合ユニットＬＣＵが前進を開始するときの状態を示している。図６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、「リードフレーム取り出し」状態になると、金型が開放する。すなわち、上金型１と下金型２との間が広がる。これにより、樹脂封止されたリードフレームＲＦＰは、図１４に示されているように、下金型２の主面２−Ｓ１に配置された状態で、上金型１の主面１−Ｓ１と下金型２の主面２−Ｓ１との間が広がっている。

配管部１９−１を介して少ない流量の乾空が、カバー筐体１４に供給されるため、空間１７を流れる乾空によって、センサ１５の温度上昇が抑制されている。

アンローダ１２の第１端部１２−Ｌには、後で図１７を用いて説明するが、複合ユニットＬＣＵを駆動する駆動機構に結合されている。この駆動機構によって、複合ユニットＬＣＵは、図１４において「前」と記載された方向（←前進）へ移動し、開いた状態の上金型１と下金型２の間に挿入される。すなわち、主面１−Ｓ１に、裏面１４−Ｓ２、１３−Ｓ２および１２−Ｓ２が向かい合い、主面２−Ｓ１に主面１４−Ｓ１、１３−Ｓ１および１２−Ｓ１が向かい合うように、複合ユニットＬＣＵが挿入される。複合ユニットＬＣＵの前進は、側面１４−Ｆ、側面１３−Ｆおよび第２端部１２−Ｆが、上金型１および下金型２の第１端部１−Ｌおよび２−Ｌから第２端部１−Ｆおよび２−Ｆに向かって移動することにより行われる。この場合、複合ユニットＬＣＵは、上金型１および下金型２と接触しないように、上金型１のパーティング面１−Ｐおよび下金型２のパーティング面２−Ｐとアンローダ１２の主面１２−Ｓ１とが平行するように移動する。

複合ユニットＬＣＵが前進して、所定の位置に到達した状態が、図１５に示されている。ここで、所定の位置とは、アンローダ１２に設けられたそれぞれのフレームチャック部ＰＣＴが、リードフレームＲＦＰの対応する開口部ＰＣＫ（図２（Ｃ））上に到達した位置である。これにより、複合ユニットＬＣＵの前進が完了し、リードフレームチャックが開始される。

リードフレームチャックでは、複合ユニットＬＣＵと下金型２の主面２−Ｓ１との間の距離が小さくされる。例えば、複合ユニットＬＣＵが、図示しない駆動機構によって、下側に移動させられる。複合ユニットＬＣＵが下側に移動することにより、フレームチャック部ＰＣＴが、リードフレームＲＦＰの開口部ＰＣＫに挿入され、リードフレームＲＦＰが、アンローダ１２に固定される。リードフレームＲＦＰがアンローダ１２に固定された状態で、複合ユニットＬＣＵは、上側に移動する。リードフレームＲＦＰを固定し、上側に複合ユニットＬＣＵが移動した状態が、図１６に示されている。

以上で、所定部が樹脂封止されたリードフレームＲＦＰに対するリードフレームチャックが完了する。なお、リードフレームチャックにおいても、カバー筐体１４の開口面１４−Ｓ１では、微風の排出が継続している。

再び図６に戻り、説明を続ける。リードフレームチャックが、時刻ｔ２で完了すると、図６（Ｃ）に示すように、複合ユニットＬＣＵは、後退を開始する。図１７は、複合ユニットＬＣＵが後退を開始するときの状態を示す図である。

図１７において、３３はモータを示し、３４はモータ３３の回転数に応じたエンコーダパルスＥＣＰを発生するエンコーダを示している。モータ３３とアンローダ１２の第１端部１２−Ｌとの間は、ボールネジ３５によって結合されている。モータ３３が回転することにより、ボールネジ３３が回転し、ボールネジ３３の回転により、アンローダ１２が、前進または後退する。すなわち、モータ３３が回転することにより、複合ユニットＬＣＵが、前進または後退することになる。そのため、モータ３３およびボールネジ３５によって、複合ユニットＬＣＵを駆動する駆動機構が構成されている。また、エンコーダ１４から出力されるエンコーダパルスＥＣＰは、モータ３３の回転数に応じて発生するため、モータ３３の回転速度とは無関係に、エンコーダパルスＥＣＰから複合ユニットＬＣＵの位置を把握することができる。

実施の形態１に係わるモールド装置１０は、上記した金型（上金型１、下金型２）、ローダ１１、複合ユニットＬＣＵだけでなく、上記した駆動機構を備え、さらに、コントローラ３０および認識ユニット３１も備えている。

認識ユニット３１は、カバー筐体１４に収められたセンサ１５に接続され、センサ１５に対してスキャン開始信号ＳＣＣを供給する。センサ１５は、スキャン開始信号ＳＣＣに応答して、撮影を行い、撮影した像のデータをスキャン画像データＳＣＤとして認識ユニット３１へ供給する。認識ユニット３１は、供給されたスキャン画像データＳＣＤから、異物が存在する否かを判定する。すなわち、センサ１５と認識ユニット３１によって、下金型２の主面に異物が存在するか否かの検査が行われることになる。この検査において、異物が存在すると判定した場合、特に制限されないが、認識ユニット３１は、判定した異物のサイズと異物の個数を把握し、さらに所定のサイズ（しきい値）を超えるサイズの異物が存在するかを判定する。しきい値を超えるサイズの異物が存在すると判定した場合、認識ユニット３１は、コントローラ３０に停止信号ＳＴＰ１を供給する。ここでのしきい値は、量産で問題となる異物のサイズ（例えば、数百μｍ程度）である。

また、認識ユニット３１は、異物の有無、異物のサイズ、異物の個数およびしきい値を超える異物の有無を、認識結果ＤＥＴとして管理サーバー３２へ供給する。この管理サーバー３２は、モールド装置１０ではなく、工場に設置され、工場に設置された複数の製造装置（モールド装置１０を含む）を管理する共通のサーバーである。配管１９−３に結合された工場乾空源３６も、同様にモールド装置１０ではなく、工場に設置されている。

コントローラ３０は、モールド装置１０の全体を制御する。例えばコントローラ３０は、エンコーダ３４からのエンコーダパルスＥＣＰを受信し、複合ユニットＬＣＵの位置を把握し、把握した位置に基づいて、複合ユニットＬＣＵが所望の位置に到達するように、モータ３０の回転数および回転方向を制御する。これ以外にもコントローラ３０は、ローダ１１およびプレス器等の制御も行うが、本明細書では、複合ユニットＬＣＵに関する制御のみを説明する。

コントローラ３０は、駆動機構によって複合ユニットＬＣＵを前進させ、エンコーダパルスＥＣＰに基づいて、複合ユニットＬＣＵが所定の位置に到達したと判定すると、図１６に示したようにリードフレームＲＦＰが複合ユニットＬＣＵに固定されるように駆動機構を制御する。その後、コントローラ３０は、駆動機構によって複合ユニットＬＣＵを後退させる。後退に際して、コントローラ３０は、図示しない集塵器を動作させるとともに、認識ユニット３１に対して認識開始トリガＤＥＴＳを供給するとともに、エンコーダパルスＥＣＰに同期したエンコーダパルスＲＥＣＴを供給する。この実施の形態１において、コントローラ３０は、エンコーダパルスＥＣＰに基づいて、複合ユニットＬＣＵの位置を判定し、位置に基づいて流量調整弁２０を制御する。この実施の形態１においては、複合ユニットＬＣＵが所定の位置に到達し、後退を開始する時刻ｔ２で、乾空の流量が大きくなるように、流量調整弁２０を制御する。

認識ユニット３１は、上記した認識開始トリガＤＥＴＳが供給されるとスキャン開始信号ＳＣＣを形成し、センサ１５が、エンコーダパルスＲＥＣＴに同期して撮影を行うように動作させる。なお、センサ１５を構成するラインセンサは、撮影面１５−Ｓ１に向かい合う面（主面２−Ｓ１）を撮影する。

コントローラ３０は、認識ユニット３１から停止信号ＳＴＰ１が供給されると、駆動機構を構成するモータ３３を停止させる。また、コントローラ３０は、管理サーバー３２から停止信号ＳＴＰ２が供給された場合も、モータ３３を停止させる。

管理サーバー３２は、例えば認識ユニット３１から定期的に認識結果ＤＥＴが供給されない場合、停止信号ＳＴＰ２を発生する。モールド装置１０が適切に稼働している場合、定期的に「リードフレーム取り出し」状態となる。「リードフレーム取り出し」状態になるたびに、認識ユニット３１にはスキャン画像データＳＣＤが供給され、管理サーバー３２には、停止信号ＳＴＰ１とは無関係に、認識結果ＤＥＴが供給される。一方、モールド装置１０に異常が発生し、適切に稼働していない状態に陥ると、「リードフレーム取り出し」状態が発生しない状態に陥る。この場合、スキャン画像データＳＣＤが、認識ユニット３１に供給されなくなる。その結果、認識結果ＤＥＴが管理サーバー３２へ供給されなくなる。そのため、認識結果ＤＥＴが、定期的に、管理サーバー３２に供給されない場合、管理サーバー３２は、モールド装置１０が適切に稼働していないと判断し、停止信号ＳＴＰ２を発生する。

また、センサ１５または／および認識ユニット３１に異常が発生した場合も、管理サーバー３２には、定期的に認識結果ＤＥＴが供給されなくなる。そのため、検査機構（センサ１５および認識ユニット３２）が適切に稼働していない場合も、停止信号ＳＴＰ２が発生することになる。このように停止信号ＳＴＰ２が発生すると、モールド装置１０が停止する。そのため、モールド装置１０または検査機構が適切に稼働していない場合に、不良品が製造されるのを防ぐことが可能となり、不良品の発生のリスクを低減することが可能となる。

また、管理サーバー３２は、定期的に供給される認識結果ＤＥＴを基にして、モールド装置１０の状況を推定し、推定に基づいて停止信号ＳＴＰ２を発生する。例えば、連続して供給された認識結果ＤＥＴにおいて、しきい値を超えないサイズの異物の数が増加している場合、管理サーバー３２は、モールド装置１０のメンテナンスを行うことが望ましいと推定し、停止信号ＳＴＰ２を発生して、モールド装置１０を停止させる。すなわち、管理サーバー３２は、しきい値を超えないサイズの異物の数から、異物の傾向を把握し、異物の数が増加する傾向であれば、メンテナンスを行った方がよい状況と推定し、モールド装置１０を停止させる。異物の傾向を把握すると言う観点から見ると、管理サーバー３２は、定期的に供給される認識結果を基にして、異物の傾向管理を実施していると見なすことができる。このように見なした場合、しきい値を超えないサイズの異物の数が所定の値（傾向管理用しきい値）を超えたとき、管理サーバー３２は、モールド装置１０を停止させることになる。

「リードフレーム取り出し」状態において、コントローラ３０により制御される集塵器のタイミングが、図６（Ｄ）に示されている。また、上記した認識開始トリガ信号の波形が、図６（Ｅ）に示され、上記したエンコーダパルス信号ＥＣＰおよびＲＥＣＰの波形が、図６（Ｆ）に示されている。さらに、センサ１５の撮像タイミングが、図６（Ｇ）に示され、認識ユニット３１の動作が、図６（Ｈ）に示され、上記した停止信号ＳＴＰ１が図６（Ｉ）に示されている。なお、図６（Ｉ）は、認識ユニット３１の異物有無判定において異物が存在すると判定された場合の波形を示している。

また、図６（Ｊ）には、コントローラ３０による流量調整弁２０の制御によって変化する乾空の流量変化が示されている。図６（Ｊ）に示した流量変化は、カバー筐体１４から排出される乾空の流量変化である。

＜＜＜後退の動作＞＞＞
図６および図１７を用いて、複合ユニットＬＣＵが後退するときの動作を説明する。フレームチャックが、時刻ｔ２で完了すると、コントローラ３０は、モータ３３を「前進」のときとは反対方向に回転させる。これにより、ボールネジ３５が反対方向に回転し、複合ユニットＬＣＵが、図６（Ｃ）に示すように後退する。

複合ユニットＬＣＵの後退においては、図１７において「後」と記載された方向（←後退）へ、複合ユニットＬＣＵが移動し、開いた状態の上金型１と下金型２の間から、リードフレームＲＦＰが固定された状態の複合ユニットＬＣＵが取り出される。すなわち、主面１−Ｓ１に、裏面１４−Ｓ２、１３−Ｓ２および１２−Ｓ２が向かい合い、主面２−Ｓ１に主面１４−Ｓ１、１３−Ｓ１および１２−Ｓ１が向かい合うような状態で、複合ユニットＬＣＵが、後退の方向へ移動する。複合ユニットＬＣＵの後退では、側面１４−Ｆ、側面１３−Ｆおよび第２端部１２−Ｆが、上金型１および下金型２の第２端部１−Ｆ側および２−Ｆ側から、第１端部１−Ｌ側および２−Ｌ側に向かって移動する。この場合も、複合ユニットＬＣＵは、上金型１および下金型２と接触しないように、上金型１のパーティング面１−Ｐおよび下金型２のパーティング面２−Ｐとアンローダ１２の主面１２−Ｓ１とが平行するように移動する。

コントローラ３０は、複合ユニットＬＣＵが、後退を開始すると、図６（Ｄ）に示すように、集塵器を動作させる。これにより、クリーニング機構１３の開口面１３−Ｌ１で吸引が開始され、下金型２の主面２−Ｓ１に存在する異物ＩＲが、空気とともに集塵される。図６（Ｄ）に示すように、複合ユニットＬＣＵが後退している期間、集塵器が動作状態を維持している。そのため、複合ユニットＬＣＵの後退に伴って、開口面１３−Ｓ１は、下金型２の第２端部２−Ｆ側から第１端部２−Ｌ側に向かって移動しながら、開口面１３−Ｓ１に対向する下金型２の主面部分における異物の集塵が行われることになる。すなわち、下金型２の第２端部２−Ｆ側から第１端部２−Ｌ側に向かって、順次クリーニングが行われる。

コントローラ３０は、複合ユニットＬＣＵが後退を開始し、所定の位置に到達したことを、エンコーダパルスＥＣＰから把握すると、図６（Ｅ）に示すように、認識開始トリガ信号ＤＥＴＳを発生するとともに、エンコーダパルスＲＥＣＴを発生する。認識ユニット３１は、認識開始トリガ信号ＤＥＴＳが供給されると、スキャン開始信号ＳＣＣを発生し、センサ１５に撮影を開始させる。センサ１５は、ラインセンサによって構成されており、認識ユニット３１は、エンコーダパルスＲＥＣＴの所定パルス数単位で、撮影を実行させる。複合ユニットＬＣＵの後退に伴って、センサ１５の撮像面１５−Ｓ１は、下金型２の第２端部２−Ｆ側から第１端部２−Ｌ側に向かって移動し、第２端部２−Ｆ側から第１端部２−Ｌ側に向けて順次撮影を行い、撮影された像のデータは、スキャン画像データＳＣＤとして認識ユニット３１へ供給される。

複合ユニットＬＣＵにおいて、センサ１５は、図１７に示すように、第１端部１２−Ｌに対して、クリーニング機構１３よりも遠い位置に配置されている。そのため、複合ユニットＬＣＵが後退するとき、センサ１５は、クリーニング機構１３によってクリーニングが行われた主面部分を、撮影することになる。すなわち、下金型２の主面２−Ｓ１において、クリーニングされた主面部（位置）を撮影し、撮影された像のデータがスキャン画像データＳＣＤとして認識ユニット３１に供給されることになる。

さらに詳しく述べると、図１７に示すように、断面視において、アンローダ（アーム）１２は、第１端部１２−Ｌと、第１端部の反対側の第２端部１２−Ｆと、第１端部１２−Ｌと第２端部１２−Ｆとの間に配置され、リードフレームＲＦＰを保持するチャック部ＰＣＴを有する主面１２−Ｓ１を備えている。ここで、クリーニング機構１３は、アーム１２の第２端部１２−Ｆに配置され、センサ１５は、断面視において、クリーニング機構１３を挟んで（介して）アーム１２の第２端部１２−Ｆ側に配置されている。さらに、下金型２（または上金型１）は、第１端部２−Ｆ（または第１端部１−Ｆ）と第１端部２−Ｆ（または第１端部１−Ｆ）の反対側の第２端部２−Ｌ（または第２端部１−Ｌ）、第１端部２−Ｆ（または第１端部１−Ｆ）と第２端部２−Ｌ（または第２端部１−Ｌ）の間にある、複数のキャビティ部２−Ｃ（またはキャビティ部１−Ｃ）が形成された主面２−Ｓ１（または主面１−Ｓ１）とを備えている。ここで、リードフレームＲＦＰを加熱されている下金型２（または上金型１）から取り出す工程では、次の工程を備えている。

まず、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型の第２端部２−Ｌ側から第１端部２−Ｆ側に向かって、アーム１２の主面１２−Ｓ１と下金型２の主面２−Ｓ１が平行するように移動させる。その後、アーム１２のチャック部ＰＣＴでリードフレームＲＦＰを保持する。そして、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって、アーム１２の主面１２−Ｓ１と下金型２の主面２−Ｓ１が平行するように移動させる。ここで、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって移動させるとき、クリーニング機構１３によるクリーニングと、センサ１５による撮影とが行われる。

すなわち、断面視において、クリーニング機構１３をアーム１２とセンサ１５で挟むように配置し、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって移動させることで、クリーニングされた金型の主面の一部からセンサ１５による撮影を行えることが出来、生産性の向上、ターンアラウンドタイム（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の向上に貢献できる。

例えば、センサ１５をアーム１２とクリーニング機構１３で挟むように配置し、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって移動させた場合、センサ１５を通過し、クリーニング機構１３でクリーニングされた金型の主面の一部をセンサ１５で撮影（検査）するために、一度、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第２端部２−Ｌ側から第１端部２−Ｆ側に向かって移動させ、もう一度、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって移動させることが必要となる。結果として、クリーニング機構１３をアーム１２とセンサ１５で挟むように配置し、アーム１２の第２端部１２−Ｆを下金型２の第１端部２−Ｆ側から第２端部２−Ｌ側に向かって移動させることが、生産性の向上等に繋がる。

認識ユニット３１には、センサ１５からスキャン画像データＳＣＤが、順次供給され、下金型２の主面２−Ｓ１の金型面画像を取得することができる。認識ユニット３１は、図６（Ｈ）に示すように、金型面画像を取得したあと、異物の有無を判定する。この判定は、既に述べたように、しきい値を超えるか否かで判断する。異物が存在すると判定した場合、認識ユニット３１は、図６（Ｉ）に示すように停止信号ＳＴＰ１を発生し、コントローラ３０へ供給するとともに、認識結果ＤＥＴを管理サーバー３２へ供給する。もし、異物が存在しないと判定した場合、認識ユニット３１は、停止信号ＳＴＰ１を発生せずに、認識結果ＤＥＴを管理サーバー３２へ供給する。

この実施の形態においては、コントローラ３０は、図６（Ｊ）に示すように、複合ユニットＬＣＵを後退させるとき、流量調整弁２０によって、乾空の流量を大きくする（強風）。これにより、配管部１９−１を介してカバー筐体１４に供給される乾空の流量が大きくなり、センサ１５の周囲から排出される乾空の流量を大きくして、センサ１５を冷却する能力を高めることが可能となる。クリーニング機構１３によって主面２−Ｓ１をクリーニングするために、複合ユニットＬＣＵと下金型２との間の距離を、例えば複合ユニットＬＣＵを前進させるときよりも小さくしても、前進およびリードフレームチャックのときに比べて、冷却能力が高くされているため、センサ１５の特性劣化または／および寿命が短くなるのを抑制することが可能である。図６（Ｊ）では、「材料投入」状態および「樹脂封止」状態においても、流量が大きくなっているが、これらのときには、流量が小さくなるようにしてもよい。

なお、センサ１５を冷却するのに必要とされる乾空の流量（流量大：強風）は、例えばモールド装置１０で複数回封止を行い、それぞれの封止においてセンサ１５の温度が、動作可能温度以下となるような流量を求めて、求めた流量の例えば平均値を、必要とされる乾空の流量とすればよい。ここで、動作可能温度は、センサ１５の特性劣化および寿命が短くなるのを抑制することが可能な温度を示している。一例を述べると、動作可能温度は、例えば５０℃〜６０℃である。

図６（Ｉ）に示すように、停止信号ＳＴＰ１が発生すると、コントローラ３０はモータ３３の回転を停止する。これにより、以降の複合ユニットＬＣＵによるリードフレーム取り出しは停止される。

ローダ１１を駆動する駆動機構についても、停止信号ＳＴＰ１が発生したとき、コントローラ３０が停止させる。これにより、モールド装置１０による封止が停止するため、金型に異物が存在することによる歩留まり低下を低減することが可能である。モールド装置１０を停止している間に、例えばスキャン画像データＳＣＤによって特定されている異物を取り除くようにクリーニングを行い、その後モールド装置１０を再起動して、製造を再開すればよい。

勿論、停止信号ＳＴＰ２が発生した場合も、コントローラ３０は、両方の駆動機構を停止させる。この場合には、モールド装置１０を停止させている間に、メンテナンスを実行すればよい。

また、複合ユニットＬＣＵを駆動する駆動機構を、ローダ１１を駆動する駆動機構とし兼用するようにしてもよい。この場合には、コントローラ３０が、モータ３３を停止させることにより、モールド装置１０を停止させることが可能となる。

図１８は、複合ユニットＬＣＵが、上金型１と下金型２との間から取り出された状態を示している。この状態においても、配管１９−１からカバー筐体１４に乾空が供給されており、センサ１５の周囲から排出されている。このとき部分的に樹脂封止されたリードフレームＲＦＰは、まだ複合ユニットＬＣＵに固定されているが、その外形形状は、図３（Ａ）に示すようになっている。この後で、図１に示したステップＳ７等を実行することにより、１枚の部分的に樹脂封止されたリードフレームＲＦＰから複数の半導体装置ＳＨＰが取得される。

この実施の形態１においては、上金型１および下金型２は、サイクルの期間中、すなわち、「材料投入」状態、「樹脂封止」状態および「リードフレーム取り出し」状態の間、継続的に加熱され、例えば１８０℃に維持されている。サイクルの期間中、センサ１５は、上金型１の主面１−Ｓ１から下金型２の主面２−Ｓ１へ向かう方向（ＢＢ）に排出される空気によって、継続的に冷却されている。これにより、センサ１５の特性劣化および寿命が短くなるのを抑制しながら、下金型２の主面２−Ｓ１を検査することが可能となる。

センサ１５は、下金型２から上金型１へ向かう方向に吸引する空気によっても冷却を行うことが可能である。しかしながら、このように吸引すると、カバー筐体１４内に下金型２から屑等を集塵する可能性が高くなり、センサ１５に屑等が付着する可能性がある。これに対して、実施の形態１に示すように排出であれば、カバー筐体１４内が外部に対して正圧となるため、カバー筐体１４内に屑等が侵入するのを防ぎ、反対にセンサ１５から屑等を吹き飛ばすように作用する。そのため、実施の形態１で説明したように空気（乾空）を排出することが望ましい。

センサ１５を冷却する冷却機構として、乾空を用いる例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、冷却機構として、ペルチェ素子のような冷却装置を用いるようにしてもよい。

また、この実施の形態１においては、センサ１５としてラインセンサが用いられている。センサとしては、広い範囲を一度に撮影することが可能な高角度のセンサも用いることが可能である。しかしながら、高角度のセンサを用いた場合、クリーニング機構１３によってまだクリーニングが行われていない主面部までも撮影されてしまうことが考えられる。例えば、下金型２の中央付近で、下金型２の主面２−Ｓ１の全領域を、高角度センサで撮影した場合、下金型２の第１端部２−Ｌ側は、まだクリーニングが行われていないため、クリーニング前の主面部を含むスキャン画像データＳＣＤが取得されることになる。取得されたスキャン画像データＳＣＤに基づいて、認識ユニット３１が、異物が存在すると判定しても、クリーニング前の状態を含むため、クリーニングによって異物が取り除かれる可能性があり、不要にモールド装置１０を停止させることになる。そのため、センサ１５としては、ラインセンサを用いることが望ましい。

（実施の形態２）
図１９は、実施の形態２に係わるモールド装置１０の状態を示す図である。図１９は、図１７に類似しているので、相違点を主に説明する。この実施の形態２においては、カバー筐体１４内に、冷却装置４０が追加されている。この冷却装置４０は、例えばペルチェ素子によって構成される。特に制限されないが、冷却装置４０は、センサ１５に結合されている。これにより、センサ１５は、周囲を流れる乾空によって冷却されるとともに、冷却装置４０によっても冷却される。実施の形態１では、周囲を流れる乾空によって、センサ１５が動作可能温度以下になるように冷却されていたが、この実施の形態２によれば、センサ１５をより低い温度に維持することが可能となる。これにより、温度による特性劣化をさらに低減し、センサ１５をより長時間使用することが可能となる。さらに、実施の形態１と同様に、屑がセンサ１５の撮像面１５−Ｓ１に付着することも低減することが可能となる。

冷却装置４０は、常時センサ１５を冷却するようにしてもよいが、コントローラ３０によって、例えば複合ユニットＬＣＵを後退させるときにのみ、冷却装置４０がセンサ１５を冷却するように制御してもよい。

また、冷却装置４０によって、センサ１５を常時冷却し、乾空は複合ユニットＬＣＵが後退するときのみセンサ１５の周囲を流れるようにしてもよい。

（実施の形態３）
図２０は、実施の形態３に係わるモールド装置１０の構成を示すブロック図である。図２０も、図１７に類似しているため、ここでは主に相違点のみを説明する。

この実施の形態３においては、カバー筐体１４の裏面１４−Ｓ２も開口面とされ、カバー筐体内に２個のセンサ１５−１および１５−２が配置される。ここで、センサ１５−１の撮像面１５−１−Ｓ１は、実施の形態１および２と同様に、下金型２の主面２−Ｓ１に対向し、主面２−Ｓ１を撮影する。これに対して、センサ１５−２は、その撮像面１５−２−Ｓ１が、上金型１の主面１−Ｓ１に対向し、複合ユニットＬＣＵが後退するとき、上金型１の主面１−Ｓ１を撮影する。

カバー筐体１４の裏面１４−Ｓ２も開口面とされているため、乾空は、カバー筐体１４のそれぞれの開口面から、上金型および下金型に向かって排出されることになる。これにより、センサ１５−１および１５−２のそれぞれの周囲を乾空が流れ、センサ１５−１および１５−２の温度が上昇するのを抑制し、それぞれの撮像面に屑等が付着するのを防ぐことが可能となる。

この実施の形態３では、認識ユニット３１に上金型１に係わるスキャン画像データと下金型２に係わるスキャン画像データとが供給されることになる。認識ユニット３１は、これらのスキャン画像データによって、上金型１および下金型２のいずれかに異物が存在すると判定した場合、停止信号ＳＴＰ１を発生する。また、それぞれのスキャン画像データに対する認識結果ＤＥＴを、管理サーバー３２に供給する。

この実施の形態３によれば、下金型２の主面だけでなく、上金型１の主面における異物も検出することが可能となる。その結果、異物による半導体製品の不良発生リスクをより低減することが可能となる。

勿論、この実施の形態３においても、実施の形態２で説明したような冷却装置４０を、それぞれのセンサ１５−１、１５−２に結合してもよい。

実施の形態１〜３では、目視ではなく、センサ１５で撮影した像のデータ（スキャン画像データＣＳＤ）に基づいて、認識ユニット３１が異物を判定している。すなわち、認識ユニット３１における画像処理により、異物の判定を行っており、異物を高速に検出することが可能である。半導体装置ＳＨＰの量産においては、複合ユニットＬＣＵの移動速度は、例えば最大４００ｍｍ／ｓｅｃ程度になるが、この移動速度で複合ユニットＬＣＵを移動（後退）させても、金型の主面に存在する異物を検出することが可能である。また、センサ１５の分解能力は、目視に比べて高く、例えば数μｍのレジン屑を識別することが可能である。そのため、量産時に問題となるサイズのレジン屑の存在も検出することが可能である。

さらに、撮影は、エンコーダパルスＥＣＰに同期したパルスＲＥＣＰに同期して行われるため、複合ユニットＬＣＵの後退速度が変化しても、所定の位置を撮影することが可能となる。そのため、安定した品質で金型の主面の像を取得することが可能となる。認識ユニット３１における画像処理によって、異物を検出するため、目視に比べて検出できる異物間のサイズのバラツキを抑制することが可能である。画像処理であれば、異物として検出するサイズのバラツキは、例えば数十μｍである。これにより、量産の際に安定した検出が可能となる。また、目視による検出でないため、膨大な人件費が継続的に発生するのを避けることができる。

モールド装置１０においては、金型１および２は常時加熱状態になっており、また金型は屑等が存在する粉塵環境におかれている。このような環境下でも、カバー筐体１４内にセンサ１５を収容し、乾空を排出することにより、センサ１５の特性劣化および寿命が短くなるのを抑制しながら、高速に検査を行うことが可能である。すなわち、半導体装置ＳＨＰの量産の際に、金型上の異物を検査することが可能である。

また、管理サーバー３２は、定期的に供給される認識結果ＤＥＴに基づいて、モールド装置１０の状態を推定している。これにより、不良品が発生するのを防ぐように、モールド装置１０のメンテナンスを行うことが可能となる。さらに、定期的に認識結果ＤＥＴが供給されているかを、管理サーバー３２は監視することにより、モールド装置１０または／および検査機構（センサ１５、認識ユニット３１）が適切な状態で稼働しているかを把握することが可能となっている。これにより、モールド装置１０が適切な状態で稼働していることを担保し、不良品の発生するリスクを低減することが可能である。

実施の形態１〜３では、冷却機構によって冷却されるセンサ１５、クリーニング機構１３およびアンローダ１２を一体とした複合ユニットＬＣＵを例に説明したが、例えばセンサ１５とローダ１１とが一体とされた複合ユニットを用いて、金型の主面を撮影するようにしてもよい。また、センサ１５とアンローダ１２とが一体とされた複合ユニットを用いてもよいし、センサ１５とクリーニング機構１３とが一体とされた複合ユニットを用いるようにしてもよい。いずれの場合も、センサ１５は、金型の主面を撮影する際に、加熱状態の金型に近接することになるため、実施の形態１〜３で説明したように冷却される。このように、センサ１５と冷却機構は、他の構成と一体化して複合ユニットを構成することが可能である。しかしながら、実施の形態１〜３で示したように、センサ、クリーニング機構およびアンローダを一体化した複合ユニットを用いれば、リードフレームの取り出しと、金型のクリーニングと、金型の撮影を、時間的に平行して行うことが可能となる。これにより、量産の際に樹脂封止に要する時間が長くなるのを抑制することが可能となり、望ましい。

また、実施の形態１〜３では、ＱＦＰを例にして説明したが、パッケージはこれに限定されるものではなく、パッケージは、ＢＧＡ、ＳＯＢあるいはＯＦＭであってもよい。

さらに、図１７等では、スキャン画像データＳＣＤが認識ユニット３１にのみ供給される例を示したが、スキャン画像データＳＣＤは、コントローラ３０にも供給されるようにしてもよい。同様に、エンコーダパルスＥＣＰはコントローラ３０だけでなく、認識ユニット３１にも供給されるようにしてもよい。さらに、スキャン画像データＳＣＤに基づいて異物の有無を判定するのは、認識ユニット３１ではなく、コントローラ３０が行うようにしてもよい。また、実施の形態１〜３では、認識結果ＤＥＴは、管理サーバー３２に供給されていたが、これに限定されるものではない。例えばモールド装置１０に記憶装置を設け、認識ユニット３１からの認識結果ＤＥＴは、定期的に管理サーバー３２または／およびモールド装置１０内の記憶装置に供給されるようにしてもよい。この場合、モールド装置１０内の記憶装置は、定期的に供給された認識結果ＤＥＴを順次格納することになる。

また、クリーニング機構１３として、レジン屑を集塵する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、ブラシ等で主面１−Ｓ１および２−Ｓ１に付着したレジン屑を掻き落とし、集塵するようにしてもよい。さらに、半導体装置ＳＨＰの量産の場合だけでなく、特許文献１で述べられている定期清掃作業の場合にも適用することができる。

＜付記＞
本明細書には、複数の発明が開示されており、その内のいくつかは、請求の範囲に記載しているが、これ以外の発明も開示しており、その代表的なものを次に列記する。
（Ａ） 複数のキャビティ部が形成された主面を備える下金型と、前記下金型の主面と対向し、複数のキャビティ部が形成された主面を備える上金型とを備え、半導体チップが搭載されたリードフレームを、加熱状態の前記上金型の主面と前記下金型の主面との間で挟むことにより、部分的に樹脂封止されたリードフレームを形成する半導体製造装置であって、
前記半導体製造装置は、
前記部分的に樹脂封止されたリードフレームをアンロードするために、第１端部と、前記第１端部と対向する第２端部と、前記第１端部と前記第２端部との間に配置され、前記リードフレームを保持するチャック部を備え、前記上金型の主面と前記下金型の主面との間から、前記部分的に樹脂封止されたリードフレームを取り出すとき、前記第１端部側から後退するアームと、
前記アームの前記第２端部側に配置されたクリーニング機構と、
前記クリーニング機構を挟んで前記アームの前記第２端部側に配置されたセンサと、
前記センサを冷却する冷却機構と、
を備え、
前記センサは、前記アームが後退するとき、前記冷却機構によって冷却され、冷却状態で、前記下金型の主面を撮影する、半導体製造装置。
（Ｂ） 上記（Ａ）に記載の半導体製造装置において、
前記半導体製造装置は、
前記センサによって撮影された像のデータに基づいて、異物を検出する認識ユニットと、
前記アームを駆動するモータと、
前記アームの位置を示すエンコーダパルスを出力するエンコーダと、
前記エンコーダからのエンコーダパルスおよび前記認識ユニットからの結果に基づいて、前記モータを制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記認識ユニットによって異物が検出された場合、前記モータを停止させる、半導体製造装置。
（Ｃ） 上記（Ｂ）に記載の半導体製造装置において、
前記認識ユニットからの認識結果は、管理サーバーに供給され、前記管理サーバーからの指示に従って、前記コントローラは、前記モータを停止させる、半導体製造装置。
（Ｄ） 上記（Ｃ）に記載の半導体製造装置において、
前記センサは、前記クリーニング機構を挟んで、前記アームの前記第２端部側に設けられ、前記下金型の主面と対向する開口面を備えたカバー筐体に収容されたラインセンサを含み、
前記カバー筐体には配管を介して空気が供給され、前記カバー筐体は前記開口面から前記下金型の主面に向かって空気を排出する、半導体製造装置。
（Ｅ） 上記（Ｄ）に記載の半導体製造装置において、
前記カバー筐体の前記開口面から排出される空気の流量は、前記アームが、前記上金型の主面と前記下金型の主面との間を前進するときに比べて、後退するときの方が大きくされる、半導体製造装置。
（Ｆ） 上記（Ｃ）に記載の半導体製造装置において、
前記管理サーバーは、異物の傾向管理を実施する、半導体製造装置。
（Ｇ） 上記（Ｆ）に記載の半導体製造装置において、
前記管理サーバーは、異物の数がしきい値を超えたとき、前記コントローラに対して、前記モータを停止させる、半導体製造装置。
（Ｈ） 上記（Ｃ）に記載の半導体製造装置において、
前記管理サーバーは、定期的に前記認識結果が供給されないとき、前記コントローラに対して、前記モータを停止させる、半導体製造装置。
（Ｉ） 上記（Ｂ）に記載の半導体製造装置において、
前記半導体製造装置は、前記認識ユニットからの認識結果を格納する記憶装置を備える、半導体製造装置。
（Ｊ） 上記（Ｂ）に記載の半導体製造装置において、
前記コントローラは、前記認識ユニットに撮影を開始させる認識開始トリガ信号を供給する、半導体製造装置。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

１ 上金型
１−Ｓ１、２−Ｓ１ 主面
２ 下金型
１０ モールド装置
１１ ローダ
１２ アンローダ
１３ クリーニング機構
１４ カバー筐体
１５ センサ
３０ コントローラ
３１ 認識ユニット
３２ 管理サーバー
３３ モータ
３４ エンコーダ
ＬＣＵ 複合ユニット

Claims (13)

1. （ａ） 複数のデバイス形成領域を有するリードフレームを準備する工程と、
   （ｂ） 前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記複数のデバイス形成領域に複数の半導体チップを搭載する工程と、
   （ｃ） 前記（ｂ）工程の後、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの一部を封止樹脂で封止する工程と、
   を備え、
   前記（ｃ）工程は、
   （ｃ１） 前記リードフレームの前記複数のデバイス形成領域のそれぞれが配置される複数のキャビティ部が形成された主面を有し、かつ、加熱されている金型の前記主面に前記リードフレームを配置する工程と、
   （ｃ２） 前記（ｃ１）工程の後、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの一部を封止樹脂で封止するように、加熱されている前記金型の前記主面上に樹脂を注入する工程と、
   （ｃ３） 前記（ｃ２）工程の後、前記リードフレームを加熱されている前記金型から取り出す工程と、
   を有し、
   前記（ｃ３）工程では、前記リードフレームを取り出しながら、センサを用いて、前記金型の前記主面を検査し、
   前記センサは、冷却されており、前記リードフレームを取り出すアームと一体に構成されている、半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記（ｃ３）工程は、前記金型の前記主面をクリーニングする工程を備え、前記主面をクリーニングするクリーニング機構が、前記アームと一体に構成されている、半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記センサは、ラインセンサを含み、
   前記ラインセンサは、前記クリーニング機構でクリーニングされた前記金型の主面を撮影する、半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記（ｃ３）工程のとき、前記ラインセンサは、前記金型の前記主面へ向かって排出される空気によって冷却される、半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記クリーニングは、前記金型の前記主面からの吸引によって行われる、半導体装置の製造方法。
6. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記アームは、断面視において、第１端部と、前記第１端部の反対側の第２端部と、前記第１端部と前記第２端部との間に配置され、前記リードフレームを保持するチャック部を有する第１主面とを備え、
   前記クリーニング機構は、断面視において、前記アームの前記第２端部側に配置され、
   前記センサは、断面視において、前記クリーニング機構を挟んで前記アームの前記第２端部側に配置され、
   前記金型は、断面視において、第３端部と、前記第３端部の反対側の第４端部、前記第３端部と前記第４端部の間にある複数のキャビティ部が形成された第２主面とを備え、
   前記（ｃ３）工程は、
   （ｃ３−１）前記アームの前記第２端部を前記金型の前記第４端部側から前記第３端部側に向かって、前記第１主面と前記第２主面が平行するように移動させる工程と、
   （ｃ３−２）前記（ｃ３−１）工程の後、前記アームの前記チャック部で前記リードフレームを保持する工程と、
   （ｃ３−３）前記（ｃ３−２）工程の後、前記アームの前記第２端部を前記金型の前記第３端部側から前記第４端部側に向かって、前記第１主面と前記第２主面が平行するように移動させる工程と、
   を有し、前記（ｃ３−３）工程において、前記クリーニング機構によるクリーニングと、前記センサによる撮影とが行われる、半導体装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記センサは、前記クリーニング機構を挟んで、前記アームの前記第２端部側に配置され、前記金型の主面と対向する開口面を備えたカバー筐体に収容され、
   前記カバー筐体には配管を介して空気が供給され、前記カバー筐体は前記開口面から前記金型の主面に向かって空気を排出する、半導体装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記クリーニング機構は、後退のときに、前記金型の主面から吸引を行う、半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記アームが、前記金型の前記主面上を前進するとき、前記カバー筐体の前記開口面からは、前記アームが後退するときに比べて、流量の少ない空気が排出される、半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記カバー筐体には、冷却機構が設けられ、前記センサは、前記空気の排出と前記冷却機構による冷却によって、冷却される、半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記冷却機構は、前記アームが前進するときと、後退するときに、前記センサを冷却し、
    前記アームが前進するとき、前記空気の排出は停止され、前記アームが後退するとき、前記空気の排出が行われる、半導体装置の製造方法。
12. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記センサは、前記アームの位置を示すエンコーダパルスに基づいて、前記金型の主面における所定の位置に到達したとき、撮影を開始し、
    前記（ｃ３）工程では、前記センサによって撮影された像のデータに基づいて、認識ユニットが、異物の認識を行い、認識結果を管理サーバーに供給し、管理サーバーは、認識結果に基づいて、前記（ｃ）工程を制御する、半導体装置の製造方法。
13. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記金型は、前記（ｃ）工程において、前記リードフレームを挟む上金型と下金型を備え、
    前記（ｃ３）において、前記センサは、前記上金型および前記下金型の主面を撮影し、
    撮影された像に基づいて、前記下金型および前記上金型の主面における異物の検査が行われる、半導体装置の製造方法。

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