JP2018174012A - 磁気ディスク基板の研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット - Google Patents

Abstract

【課題】研磨効率の低下を抑制しつつ面精度を高め得る磁気ディスク基板研磨方法を提供する。【解決手段】本発明により提供される研磨方法は、同一の研磨定盤上に研磨スラリーＳ１と研磨スラリーＳ２とをこの順に供給して磁気ディスク基板を研磨する研磨工程を含む。上記研磨スラリーＳ１は、該研磨スラリーＳ１に含まれる砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１と平均粒子径ｄ１との積として表される砥粒作用指数Ｗ１を有する。上記研磨スラリーＳ２は、該研磨スラリーＳ２に含まれる砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２と平均粒子径ｄ２との積として表される砥粒作用指数Ｗ２を有する。ここで、Ｗ１およびＷ２は、０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８を満たす。【選択図】なし

Description

本発明は、磁気ディスク基板の研磨方法、該研磨方法に用いられる研磨用組成物、および研磨用組成物セットに関する。

磁気ディスク基板の製造においては、一般に、最終製品の面精度に仕上げるために行う仕上げ研磨工程の前に、より研磨効率を重視した予備研磨工程が行われている。例えば、Ｎｉ−Ｐ基板に対して、少なくとも予備研磨と最終研磨とを行うことにより、高精度の表面が効率よく実現され得る。ここでＮｉ−Ｐ基板とは、ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板のことをいう。磁気ディスクの研磨に関する技術文献として、特許文献１〜４が挙げられる。

特開２０１１−２０４３２７号公報 特開２０１４−０３２７１８号公報 特開２０１４−１３０６６０号公報 特開２０１４−２１０３２２号公報

近年、磁気ディスク基板の最終製品に要求される面精度はますます高まっている。予備研磨工程の終了時における磁気ディスク基板の面精度を高めることは、仕上げ研磨後の磁気ディスク基板の面精度を効率よく高めるための有用な手段となり得る。しかし、研磨に用いられる研磨スラリーの研磨効率と、該研磨スラリーにより到達可能な面精度とは、一般にトレードオフの関係にある。そのため、研磨効率が重視される予備研磨工程において、面精度を向上させ、かつ研磨効率の低下を抑制することは容易ではない。

特許文献１，４には、同一の研磨定盤上において基板を２種類の研磨スラリーで順次研磨し、先に基板に供給される研磨スラリーがアルミナ砥粒を含む研磨方法が記載されている。特許文献２，３には、同一の研磨機を用いて基板を２種類の研磨スラリーで順次、間にリンス処理を挟んで研磨し、先に基板に供給される研磨スラリーがアルミナ粒子を含む研磨方法が記載されている。しかし、これら特許文献１〜４における課題は、基板に突き刺さったアルミナ粒子の除去性向上、アルミナ粒子の突き刺さりの低減、アルミナ粒子の突き刺さり低減による最終研磨後の表面品質向上等である。すなわち、特許文献１〜４は、上記２種類の研磨スラリーで順次研磨する研磨工程の終了時における面精度の向上と、該研磨工程における研磨効率の低下抑制との両立を課題とするものではない。

本発明は、同一の研磨定盤上で研磨対象物に複数種類の研磨スラリーを順次供給して該基板を研磨する研磨工程を含む研磨方法において、上記研磨工程の終了時における研磨対象物の面精度を高め、かつ研磨効率の低下を抑制することを一つの目的とする。本発明の他の目的は、かかる研磨方法に好ましく用いられ得る研磨用組成物および研磨用組成物セットを提供することである。

この明細書により提供される磁気ディスク基板研磨方法は、同一の研磨定盤上に研磨スラリーＳ１と研磨スラリーＳ２とをこの順に供給して上記磁気ディスク基板を研磨する研磨工程を含む。上記研磨スラリーＳ１は、該研磨スラリーＳ１に含まれる砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１と平均粒子径ｄ１との積として表される砥粒作用指数Ｗ１を有する。上記研磨スラリーＳ２は、該研磨スラリーＳ２に含まれる砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２と平均粒子径ｄ２との積として表される砥粒作用指数Ｗ２を有する。上記砥粒作用指数Ｗ１と上記砥粒作用指数Ｗ２とは、次の関係式：０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８；を満たす。かかる関係式を満たす研磨スラリーＳ１，Ｓ２を同一の研磨定盤上にこの順で供給して研磨を行うことにより、研磨効率の低下を抑えつつ、研磨後の面精度を効果的に高めることができる。

この明細書によると、ここに開示されるいずれかの研磨方法に用いられる研磨用組成物であって、上記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液である研磨用組成物が提供される。ここで、上記研磨スラリーＳ２は、上記砥粒作用指数Ｗ２が５０以上である。上記研磨用組成物またはその希釈液を研磨スラリーＳ２として用いることにより、ここに開示される研磨方法を好適に実施することができる。

この明細書によると、ここに開示されるいずれかの研磨方法に用いられる研磨用組成物セットが提供される。その研磨用組成物セットは、上記研磨スラリーＳ１またはその濃縮液である第１組成物と、上記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液である第２組成物とを含む。上記研磨用組成物セットにおいて、上記第１組成物と上記第２組成物とは互いに分けて保管されている。このような研磨用組成物セットによると、上記第１組成物またはその希釈液を研磨スラリーＳ１として使用し、上記第２組成物またはその希釈液を研磨スラリーＳ１として使用することにより、ここに開示される研磨方法を好適に実施することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

なお、以下の説明において、いずれの研磨段階に用いられる研磨スラリーであるかを問わず、ここに開示される研磨方法において使用される研磨スラリー一般を指す用語として「研磨スラリー」の語を用いることがある。また、以下において、研磨スラリーを「スラリー」と、磁気ディスク基板を「基板」と、研磨定盤を「定盤」と、それぞれ略記することがある。

ここに開示される研磨方法は、スラリーＳ１とスラリーＳ２とをこの順に供給して研磨対象物を研磨する研磨工程を含む。以下、スラリーＳ１を供給して研磨する段階を第１段階といい、スラリーＳ２を供給して研磨する段階を第２段階ということがある。上記研磨工程において、第１段階と第２段階とは、途中で研磨対象物を別の研磨装置または別の定盤上に移動させることなく行われる。すなわち、第１段階と第２段階とは同一定盤上で行われる。第１段階および第２段階は、同一の研磨対象物に対して、逐次的に、すなわち段階を追って行われる。ただし、各研磨段階において複数の研磨対象物を同時に（並行して）研磨することは妨げられない。また、第１段階と第２段階とを逐次的に行うとは、これらの段階の開始時点が逐次的であることをいい、第１段階の終了前に第２段階を開始することは妨げられない。すなわち、第１段階と第２段階とは部分的には重複し得る。

＜砥粒作用指数＞
ここに開示される研磨方法は、第１段階で供給されるスラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１と、第２段階で供給されるスラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２とが、以下の関係式を満たすことによって特徴づけられる。
０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８
すなわち、砥粒作用指数Ｗ１に対する砥粒作用指数Ｗ２の比が０．１を超えて０．８未満である。

ここで、各スラリーの砥粒作用指数は、当該スラリーに含まれる砥粒の平均アスペクト比と平均粒子径との積として定義される。ただし、砥粒作用指数の算出にあたり、平均粒子径の値としては、該平均粒子径をナノメートル（ｎｍ）の単位で表したときの数値部分のみを用いるものとする。したがって、ここでいう砥粒作用指数の値は無次元数である。

一般に、スラリーに含まれる砥粒の平均粒子径が大きくなると、研磨対象物に及ぼす研磨作用は大きくなる傾向にある。また、スラリーに含まれる砥粒の平均アスペクト比が高くなると、研磨対象物に及ぼす研磨作用は大きくなる傾向にある。ここに開示される技術における「砥粒作用指数」は、スラリーに含まれる砥粒の平均粒子径および平均アスペクト比の両方を考慮して、研磨対象物に対する研磨作用の強さを総合的に把握するための指標として有用である。より研磨作用の強いスラリーによると、より高い研磨効率が得られやすい。例えば、より高い研磨レートが得られやすい。しかし、研磨作用の強いスラリーを用いた研磨によって高い面精度に到達することは困難である。上記面精度は、例えば、後述する実施例に記載の方法で測定される「うねり」の大きさによって評価することができる。うねりの値が小さいことは、より面精度が高いことを意味する。一方、より研磨作用の弱いスラリーを用いた研磨によると、より高い面精度が実現され得る。しかし、スラリーの研磨作用が弱くなると、該スラリーによる研磨レートは低くなる傾向にある。

ここに開示される技術では、同一定盤上で行われる研磨工程において、砥粒作用指数Ｗ１を有するスラリーＳ１を供給して研磨する第１段階と、より低い砥粒作用指数Ｗ２を有するスラリーＳ２を供給して研磨する第２段階とをこの順で行う。かかる研磨工程によると、第１段階において研磨レートを稼ぎ、その後に行われる第２段階において面精度を効率よく高めることができる。これにより、上記研磨工程全体として、研磨レートの低下を抑えつつ研磨対象物の面精度を高めることができる。また、第１段階と第２段階とを同一の定盤上で行うことにより、２種類の研磨スラリーを用いることによる研磨プロセスの煩雑化や生産性の低下を抑制することができる。

スラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２は、スラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１よりも小さいことが好ましい。スラリーＳ１およびスラリーＳ２は、Ｗ２／Ｗ１が例えば０．９未満、好ましくは０．８未満となるように選択することができる。より高い効果を得る観点から、Ｗ２／Ｗ１は、例えば０．７５未満であってよく、０．７未満でもよく、０．６５未満でもよく、０．６０未満でもよい。いくつかの態様において、Ｗ２／Ｗ１は、例えば０．５５未満であってよく、０．５０未満でもよい。

また、第１段階と第２段階とは同一定盤上で行われるため、少なくとも第２段階の開始時点では、スラリーＳ１の一部が残留している定盤上にスラリーＳ２が供給されることにより、定盤上においてスラリーＳ２にスラリーＳ１が混入した組成の混合スラリーが形成され得る。このとき、スラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１に対してスラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２が小さすぎると、上記混合スラリーがスラリーＳ１の影響を強く受け、スラリーＳ２が本来の面精度向上効果を適切に発揮することが困難となることがあり得る。かかる観点から、Ｗ２／Ｗ１は、０．１超であることが好ましく、例えば０．１５超であってよく、０．２超でもよく、０．２５超でもよい。

研磨スラリーの砥粒作用指数は、該研磨スラリーに含まれる砥粒の平均アスペクト比と平均粒子径との積として求められる。ここで、砥粒の平均アスペクト比とは、該砥粒を構成する個々の粒子の長径／短径比の平均値、すなわち個数平均アスペクト比をいう。以下、特記しない場合、本明細書において平均アスペクト比とは、上記個数平均アスペクト比を意味するものとする。

砥粒の個数平均アスペクト比は、例えば次の方法で測定される。すなわち、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）を用いて、測定対象の砥粒に含まれる所定個数の粒子を、１視野内に２０個以上の粒子を含むＳＥＭ画像で観察する。測定対象の砥粒は、１種類の砥粒粒子でもよく、２種類以上の砥粒粒子の混合物でもよい。上記ＳＥＭ画像中の砥粒粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。その長方形の長辺の長さを長径の値とし、短辺の長さを短径の値として、各粒子について長径の値を短径の値で除した値をアスペクト比として算出する。すなわち、各粒子のアスペクト比は、該粒子に外接する最小の長方形の長辺／短辺の比として求められる。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、個数平均アスペクト比を求めることができる。上記個数平均アスペクト比は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。後述の実施例についても同様である。また、複数種類の砥粒粒子を含む砥粒について、該砥粒粒子の種類毎の平均アスペクト比を同様にして求めることができる。
なお、上記所定個数、すなわち粒子毎のアスペクト比を算出する粒子の個数は、測定精度や再現性を高める観点から、通常、１００個以上とすることが適当であり、５００個以上とすることが好ましい。上記所定個数の上限は特に制限されない。測定効率の観点から、上記所定個数は、例えば５０００個以下であってよく、２５００個以下でもよい。また、ＳＥＭによる観察倍率は、５０００倍〜２０００００倍の範囲から、観察対象の砥粒に含まれる大粒子から小粒子までをもれなく観察し得るように選択する。例えば、観察倍率として５００００倍程度の倍率を好ましく採用し得る。また、各粒子のアスペクト比の下限は、原理的に、１である。したがって個数平均アスペクト比の下限も１となる。

この明細書において、砥粒の平均粒子径とは、レーザ回折／散乱法に基づいて測定される体積基準の平均粒子径、すなわち５０％体積平均粒子径を指す。以下、特記しない場合、本明細書において平均粒子径とは、上記５０％体積平均粒子径を意味するものとする。平均粒子径の測定は、例えば、株式会社堀場製作所製のレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置「ＬＡ−９５０」を用いて行うことができる。後述の実施例についても同様である。また、複数種類の砥粒粒子を含む砥粒について、該砥粒粒子の種類毎の平均粒子径を同様にして測定することができる。

＜スラリーＳ１＞
ここに開示される技術において、第１段階の研磨に用いられるスラリーＳ１は、砥粒Ｐ１を含み、典型的にはさらに水を含む。

（砥粒Ｐ１）
砥粒Ｐ１としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれも利用可能である。無機粒子の具体例としては、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子を構成するアルミナの例としては、α−アルミナ、α−アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。上記中間アルミナとは、α−アルミナ以外のアルミナの総称であり、具体例としてはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル粒子、ポリ（メタ）アクリル酸粒子、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。ここで、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。これらは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

ここに開示される技術は、砥粒Ｐ１が少なくともシリカ粒子を含む態様で好ましく実施することができる。ここで、本明細書においてシリカ粒子とは、シリカを主成分とする粒子をいう。上記シリカ粒子は、典型的には、該粒子の９０〜１００重量％、好ましくは９５〜１００重量％、例えば９８〜１００重量％がシリカである粒子である。

使用し得るシリカ粒子の非限定的な例には、コロイダルシリカ、沈降法シリカ、ゲル法シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等が含まれる。使用し得るシリカ粒子の例には、さらに、これらのシリカ粒子、すなわちコロイダルシリカ、沈降法シリカ、ゲル法シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等のシリカ粒子を、原材料として用いて得られたシリカ粒子が含まれ得る。以下、このように原材料として用いられるシリカ粒子を「原料シリカ」ともいう。上記原料シリカを用いて得られるシリカ粒子の例には、該原料シリカに対して、加温、乾燥、焼成等の熱処理、オートクレーブ処理等の加圧処理、解砕や粉砕（破砕ともいう。）等の機械的処理、表面改質、等から選択される１または２以上の処理を適用して得られたシリカ粒子が含まれ得る。上記表面改質の例には、官能基の導入や金属修飾等の化学的修飾が含まれ得る。砥粒Ｐ１は、このようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。

ここに開示される技術のいくつかの態様において、砥粒Ｐ１またはその構成成分としては、例えば、上述したいずれかの原料シリカに対して熱処理を施す過程を経て得られたシリカ粒子を好ましく使用し得る。以下、原料シリカに対して熱処理を施して得られたシリカ粒子を「熱処理シリカ」ともいう。熱処理シリカとしては、具体的には、加温されたシリカ粒子、乾燥されたシリカ粒子、焼成されたシリカ粒子等を好ましく利用し得る。以下、焼成されたシリカ粒子を「焼成シリカ」ともいう。
ここで、加温されたシリカ粒子とは、典型的には、６０℃以上１１０℃未満の環境下に一定時間以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。上記環境下に保持する時間以上は、例えば１５分以上、典型的には３０分以上であり得る。
また、乾燥されたシリカ粒子とは、典型的には、１１０℃以上５００℃未満、好ましくは３００℃以上５００℃未満の環境下に、一定時間以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。上記環境下に保持する時間は、例えば１５分以上、典型的には３０分以上であり得る。
そして、焼成されたシリカ粒子、すなわち焼成シリカとは、典型的には５００℃以上、好ましくは７００℃以上、さらに好ましくは９００℃以上の環境下に、一定時間以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。上記環境下に保持する時間は、例えば１５分以上、典型的には３０分以上であり得る。

シリカ粒子として焼成シリカを使用する場合、該焼成シリカとしては、焼成された後に解砕されたものを好ましく使用し得る。ここで「解砕」とは、細かい粒子が集まって一塊になっているものをほぐして細かくする操作のことをいう。以下、焼成された後に解砕されたシリカ粒子を「焼成解砕シリカ」ともいう。

また、ここに開示される技術のいくつかの態様において、砥粒Ｐ１またはその構成成分として、コロイダルシリカを好ましく使用し得る。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形の具体例としては、ピーナッツ形状、繭形状、突起付き形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。ここで上記ピーナッツ形状とは、落下性の殻の形状をいう。上記突起付き形状の例としては、金平糖形状が挙げられる。

また、ここに開示される技術のいくつかの態様において、砥粒Ｐ１またはその構成成分として、湿式法シリカを好ましく使用し得る。上記湿式法シリカの例示には、沈降法シリカ、ゲル法シリカ、水相での粒子成長を経て得られたコロイダルシリカ等が含まれ得る。

ここに開示される技術において、スラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１は、スラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２との関係でＷ２／Ｗ１が適当な範囲となるように設定することができ、特に限定されない。砥粒作用指数Ｗ１は、例えば、８０を超えて８００未満の範囲であり得る。第１段階において高い研磨レートを得やすくする観点から、いくつかの態様において、砥粒作用指数Ｗ１は、例えば１００超であってよく、１５０超でもよく、１７５超でもよい。ここに開示される技術は、砥粒作用指数Ｗ１が２００以上または２４０以上である態様でも好適に実施され得る。また、第１段階の終了時における研磨対象物の面精度が低すぎると、第２段階で面精度を効率よく高めることが難しくなることがあり得る。例えば、微小うねりを効率よく低減することが困難となり得る。かかる観点から、いくつかの態様において、砥粒作用指数Ｗ１は、例えば６００未満であってよく、５００未満でもよく、４００未満でもよく、３５０未満でもよい。砥粒作用指数Ｗ１は、砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１と平均粒子径ｄ１との一方または両方を調整することにより調節することができる。

砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１は、特に限定されず、例えば１．０以上３．０以下の範囲であり得る。砥粒作用指数Ｗ１を大きくする観点から、いくつかの態様において、平均アスペクト比Ａ１は、例えば１．０２以上であってよく、１．０５以上でもよく、１．１０以上でもよく、１．１５以上でもよい。また、第２段階において面精度を効率よく高めやすくする観点から、いくつかの態様において、平均アスペクト比Ａ１は、通常、２．５０未満であることが適当であり、２．０未満でもよく、１．７０未満でもよい。ここに開示される技術は、砥粒Ｐ１の平均アスペクト比が１．５０未満、さらには１．３０未満である態様でも好適に実施され得る。平均アスペクト比Ａ１は、砥粒Ｐ１として用いる砥粒粒子の選択、砥粒Ｐ１として複数種類の砥粒粒子を用いる場合にはそれらの砥粒粒子の組合せや使用量比、等により調節することができる。

砥粒Ｐ１の平均粒子径ｄ１は、特に限定されず、例えば７０ｎｍ以上７００ｎｍ未満の範囲であり得る。砥粒作用指数Ｗ１を大きくする観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ１は、例えば８０ｎｍ超であってよく、１００ｎｍ超でもよく、１２０ｎｍ以上でもよく、１５０ｎｍ以上でもよい。ここに開示される技術は、平均粒子径ｄ１が１８０ｎｍ以上または２００ｎｍ以上である態様でも好適に実施され得る。また、第２段階において面精度を効率よく高めやすくする観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ１は、例えば５００ｎｍ未満であってよく、４５０ｎｍ未満でもよく、４００ｎｍ未満でもよく、３５０ｎｍ未満でもよく、３００ｎｍ未満でもよい。平均粒子径ｄ１は、砥粒Ｐ１として用いる砥粒粒子の選択、砥粒Ｐ１として複数種類の砥粒粒子を用いる場合にはそれらの砥粒粒子の組合せや使用量比、等により調節することができる。

いくつかの態様において、砥粒Ｐ１は、少なくとも熱処理シリカを含み得る。熱処理シリカを含む砥粒Ｐ１によると、第１段階に適した砥粒作用指数Ｗ１を有する研磨スラリーＳ１が得られやすい。熱処理シリカとしては、例えば焼成シリカを好ましく用いることができる。砥粒Ｐ１の平均粒子径ｄ１や平均アスペクト比Ａ１を好適な範囲に調製しやすいことから、焼成解砕シリカが特に好ましい。

砥粒Ｐ１が熱処理シリカを含む場合、該熱処理シリカの平均粒子径は、例えば１００ｎｍ以上であってよく、２００ｎｍ以上でもよく、２５０ｎｍ以上でもよく、３００ｎｍ以上でもよい。また、熱処理シリカの平均粒子径は、例えば１５００ｎｍ未満であってよく、通常は１０００ｎｍ未満が適当であり、９００ｎｍ未満でもよく、７００ｎｍ未満でもよい。いくつかの態様において、熱処理シリカの平均粒子径は、５００ｎｍ未満でもよく、４００ｎｍ未満でもよい。熱処理シリカの平均粒子径は、砥粒Ｐ１の平均粒子径と同様の方法で測定することができる。

砥粒Ｐ１が熱処理シリカを含む場合、該熱処理シリカの平均アスペクト比は、典型的には１．０５以上であり、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．２以上、さらに好ましくは１．３以上であり、例えば１．３５以上であってもよい。熱処理シリカは、平均アスペクト比が高くても加工時に粒子の欠けが発生しにくいため、砥粒Ｐ１またはその構成成分として好適である。熱処理シリカの平均アスペクト比は、通常、３．０未満であることが適当であり、好ましくは２．５未満、より好ましくは２．０未満であり、例えば１．７未満であってもよい。熱処理シリカの平均アスペクト比は、砥粒Ｐ１の平均アスペクト比と同様の方法で測定することができる。

いくつかの態様において、砥粒Ｐ１は、少なくともコロイダルシリカを含み得る。コロイダルシリカを含む砥粒Ｐ１によると、第１段階の終了時における面精度が悪すぎる事態を防止しやすく、第２段階において面精度を効率よく高めやすい。コロイダルシリカとしては、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカを好ましく用いることができる。砥粒Ｐ１がコロイダルシリカを含む場合、該コロイダルシリカの平均粒子径は、例えば３０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲であり得る。コロイダルシリカの平均粒子径は、砥粒Ｐ１の平均粒子径と同様の方法で測定することができる。

砥粒Ｐ１がコロイダルシリカを含む場合、該コロイダルシリカの平均アスペクト比は、特に限定されない。コロイダルシリカの平均アスペクト比は、例えば１．０以上であってよく、１．０１以上でもよく、１．０５以上でもよく、１．１以上でもよい。また、コロイダルシリカの平均アスペクト比は、例えば２．０未満であってよく、１．７未満でもよく、１．５未満でもよく、１．４未満でもよい。コロイダルシリカシリカの平均アスペクト比は、砥粒Ｐ１の平均アスペクト比と同様の方法で測定することができる。

熱処理シリカは、熱処理シリカ以外の粒子と組み合わせて用いることができる。すなわち、砥粒Ｐ１は、熱処理シリカと、熱処理シリカ以外の粒子とを組み合わせて含み得る。上記熱処理シリカ以外の粒子の例には、シリカ以外の粒子と、熱処理シリカ以外のシリカ粒子とが含まれる。上記熱処理シリカ以外の粒子としては、熱処理シリカ以外のシリカ粒子が好ましく、例えばコロイダルシリカを好ましく使用し得る。上記熱処理シリカ以外の粒子の平均粒子径は、熱処理シリカの平均粒子径より小さいことが好ましい。具体的には、上記熱処理シリカ以外の粒子の平均粒子径は、第１段階の終了時の面精度を高めやすくする観点から、例えば３００ｎｍ未満であってよく、２００ｎｍ未満でもよく、１５０ｎｍ未満でもよく、１００ｎｍ未満でもよい。また、上記熱処理シリカ以外の粒子の平均粒子径は、研磨効率の観点から、３０ｎｍ以上が適当であり、５０ｎｍ超でもよく、６０ｎｍ超でもよく、６５ｎｍ超でもよい。

砥粒Ｐ１が少なくとも熱処理シリカを含む態様において、砥粒Ｐ１における熱処理シリカの含有量は、特に限定されない。上記熱処理シリカの含有量は、研磨レートの観点から、砥粒Ｐ１全体の１０重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上でもよく、２５重量％以上でもよく、３０重量％以上でもよく、４０重量％以上でもよい。砥粒Ｐ１における熱処理シリカの含有量の上限は特に限定されない。砥粒Ｐ１における熱処理シリカの含有量は、例えば９９重量％以上であってよく、実質的に１００重量％であってもよい。研磨レートと面精度とのバランスをとる観点から、いくつかの態様において、砥粒Ｐ１における熱処理シリカの含有量は、例えば９０重量％以下であってよく、８０重量％以下でもよく、７５重量％以下でもよく、６０重量％以下でもよい。

砥粒Ｐ１は、熱処理シリカを含まず、熱処理シリカ以外の１種または２種以上のシリカ粒子を含む構成であってもよい。このような構成において、上記熱処理シリカ以外のシリカ粒子の平均粒子径は、砥粒作用指数Ｗ１を大きくする観点から、例えば７５ｎｍ超であってよく、８０ｎｍ超でもよく、９０ｎｍ超でもよく、１００ｎｍ超でもよく、１２０ｎｍ超でもよく、１４０ｎｍ超でもよい。また、かかる構成の砥粒Ｐ１の平均粒子径は、上記熱処理シリカ以外のシリカ粒子の入手容易性等の観点から、例えば４００ｎｍ未満であってよく、３００ｎｍ未満でもよく、２５０ｎｍ未満でもよく、２００ｎｍ以下でもよい。上記熱処理シリカ以外のシリカ粒子の一好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。上記平均粒子径が適用される砥粒Ｐ１は、コロイダルシリカを単独で含む構成、すなわちコロイダルシリカ以外の粒子を実質的に含有しない構成であってもよい。

砥粒Ｐ１は、シリカ粒子とシリカ以外の粒子とを組み合わせて含み得る。研磨対象物がＮｉ−Ｐ基板の研磨である場合、上記シリカ粒子以外の粒子としては、例えばα−アルミナ等のアルミナ粒子が用いられ得る。また、研磨対象物がガラス磁気ディスク基板である場合、上記シリカ粒子以外の粒子としては、例えば、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子等が用いられ得る。

砥粒Ｐ１におけるシリカ粒子の含有量は、特に限定されない。いくつかの態様において、本発明による効果を発揮しやすくする観点から、上記シリカ粒子の含有量は、砥粒Ｐ１全体の４０重量％以上であることが好ましい。上記シリカ粒子の含有量は、例えば、砥粒Ｐ１全体の５０重量％以上でもよく、６０重量％以上でもよく、８０重量％以上でもよく、９０重量％以上でもよく、９９重量％以上でもよく、１００重量％でもよい。

ここに開示される技術は、砥粒Ｐ１がシリカ粒子以外の粒子（非シリカ粒子）を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。ここで、砥粒Ｐ１が非シリカ粒子を実質的に含まないとは、砥粒Ｐ１全体のうち非シリカ粒子の割合が１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下であることをいい、非シリカ粒子の割合が０重量％である場合を包含する。このような態様において、本発明の適用効果が好適に発揮され得る。

砥粒Ｐ１が複数種類の砥粒粒子を含む場合、砥粒Ｐ１に含まれる砥粒粒子の種類数は、通常、該砥粒粒子の材質や外形の相違から概ね把握することができる。上記外形の相違は、例えば、平均アスペクト比の相違、平均粒子径の相違、突起の有無やその程度等の表面形状の相違、等のうちの少なくとも一つであり得る。砥粒粒子の外形は、例えば、ＳＥＭ観察により把握することができる。各砥粒粒子の含有量や含有量比は、例えば、ＳＥＭ観察による画像解析に基づいて求めることができる。

スラリーＳ１における砥粒Ｐ１の含有量は、特に限定されない。砥粒Ｐ１の含有量は、例えば５ｇ／Ｌ以上であってよく、１０ｇ／Ｌ以上でもよく、２０ｇ／Ｌ以上でもよく、３０ｇ／Ｌ以上でもよく、４０ｇ／Ｌ以上でもよい。砥粒Ｐ１の含有量の増大により、研磨レートは向上する傾向にある。また、研磨の安定性や経済性の観点から、スラリーＳ１における砥粒Ｐ１の含有量は、通常、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、２００ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。いくつかの態様において、スラリーＳ１における砥粒Ｐ１の含有量は、例えば１５０ｇ／Ｌ以下であってよく、１００ｇ／Ｌ以下でもよく、８０ｇ／Ｌ以下でもよい。
上記の砥粒含有量は、スラリーＳ２における砥粒Ｐ２の含有量にも適用され得る。スラリーＳ１における砥粒Ｐ１の含有量と、スラリーＳ２における砥粒Ｐ２の含有量とは、同程度であってもよく、異なってもよい。例えば、スラリーＳ２における砥粒Ｐ２の含有量が、スラリーＳ１における砥粒Ｐ１の含有量よりも低くてもよい。

（水）
スラリーＳ１は、典型的には、砥粒Ｐ１の他に、該砥粒Ｐ１を分散させる水を含有する。水としては、脱イオン水、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。

（酸）
スラリーＳ１は、研磨促進剤として酸を含むことが好ましい。酸としては、有機酸および無機酸のいずれも使用可能である。好適に使用され得る有機酸の非限定的な例には、有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸、アミノ酸等が含まれる。これらの有機酸の炭素原子数は、例えば１〜１８程度、典型的には１〜１０程度であり得る。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機酸の具体例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、ホスホン酸、ホウ酸、スルファミン酸、炭酸、亜リン酸、フッ化水素酸、オルトリン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリン酸等が挙げられる。

有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アジピン酸、シュウ酸、吉草酸、エナント酸、カプロン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノレン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン、ニコチン酸、ピコリン酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタンヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、１０−カンファースルホン酸、イセチオン酸、タウリン等が挙げられる。

研磨効率の観点から好ましい酸として、硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、メタンスルホン酸等が例示される。なかでも硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、メタンスルホン酸が好ましい。マレイン酸、クエン酸、イセチオン酸等の有機酸を用いることにより、より高い平滑性が実現される傾向にある。
また、例えば研磨対象物がガラス磁気ディスク基板である場合、クエン酸、コハク酸、イタコン酸、酢酸、スルホコハク酸、グリコール酸、亜リン酸、リン酸、硫酸、イセチオン酸、マレイン酸、等の酸を好ましく採用し得る。

スラリーＳ１が酸を含む場合、その含有量は特に限定されない。酸の含有量は、例えば、ｐＨ調整や研磨促進等の使用目的に応じて、所望の使用効果が得られるように設定することができる。酸の含有量は、例えば０．１ｇ／Ｌ以上であってよく、１ｇ／Ｌ以上でもよく、５ｇ／Ｌ以上でもよい。酸の含有量が少なすぎると、研磨レートが不足しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。いくつかの態様において、酸の含有量は、例えば１０ｇ／Ｌ以上であってよく、１５ｇ／Ｌ以上でもよい。また、酸の含有量は、通常、１００ｇ／Ｌ以下が適当であり、７０ｇ／Ｌ以下でもよく、５０ｇ／Ｌ以下でもよく、３０ｇ／Ｌ以下でもよい。酸の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。

酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩等が挙げられる。上記金属塩の非限定的な例には、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が含まれる。上記アンモニウム塩の非限定的な例には、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩が含まれる。上記アルカノールアミン塩の非限定的な例には、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩等が含まれる。

このような塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。

スラリーＳ１に含まれ得る塩としては、無機酸の塩を好ましく採用し得る。上記無機酸の塩は、例えば、アルカリ金属塩やアンモニウム塩であり得る。例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム、リン酸カリウム等を好ましく使用し得る。

酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。好ましい一態様において、酸と、該酸とは異なる酸の塩とを組み合わせて用いることができる。例えば、無機酸と、該無機酸とは異なる無機酸の塩とを組み合わせて用いることができる。

（酸化剤）
スラリーＳ１には、必要に応じて酸化剤を含有させることができる。酸化剤の非限定的な例には、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が含まれる。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。酸化剤は、少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。酸化剤は、典型的には前述の酸と組み合わせて用いられることにより、研磨促進剤として効果的に作用し得る。例えば、研磨対象物がＮｉ−Ｐ基板等の金属材料である場合、このような酸化剤を好ましく使用し得る。

スラリーＳ１が酸化剤を含む場合、その含有量は、有効成分量基準で、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上であってよく、通常は０．１ｇ／Ｌ以上が適当であり、０．５ｇ／Ｌ以上でもよく、１ｇ／Ｌ以上でもよく、３ｇ／Ｌ以上でもよく、４ｇ／Ｌ以上でもよい。酸化剤の含有量が少なすぎると、研磨対象物を酸化する速度が遅くなり、研磨レートが低下するため、実用上好ましくない場合がある。また、スラリーＳ１が酸化剤を含む場合、その含有量は、有効成分量基準で、例えば３０ｇ／Ｌ以下であってよく、１５ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以下でもよい。酸化剤の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。

（塩基性化合物）
スラリーＳ１には、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、スラリーＳ１に添加されることで該スラリーＳ１のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩や炭酸水素塩、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

アルカリ金属水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
炭酸塩や炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウム；このような水酸化第四級アンモニウムのアルカリ金属塩；等が挙げられる。上記アルカリ金属塩の例としては、ナトリウム塩およびカリウム塩が挙げられる。
アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。
有機酸塩の具体例としては、クエン酸カリウム、シュウ酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。

スラリーＳ１が塩基性化合物を含む態様において、該塩基性化合物の含有量は特に限定されず、使用目的等に応じて適宜設定することができる。スラリーＳ１における塩基性化合物の含有量は、例えば０．１ｇ／Ｌ以上であってよく、０．５ｇ／Ｌ以上でもよく、１ｇ／Ｌ以上でもよく、５ｇ／Ｌ以上でもよい。また、貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、通常、７０ｇ／Ｌ以下が適当であり、５０ｇ／Ｌ以下でもよく、３０ｇ／Ｌ以下でもよい。ここに開示される技術は、スラリーＳ１が塩基性化合物を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

好ましい一態様において、上述した酸および塩基性化合物を、ｐＨの緩衝作用が発揮され得るように組み合わせて使用することができる。このような緩衝系として、例えば、クエン酸とクエン酸ナトリウムのような弱酸とその強塩基塩との組合せや、硫酸と硫酸アンモニウムのような強酸とその弱塩基塩との組合せなどを利用することができる。ただし、ここに開示される技術において利用し得る緩衝系は上記で例示したものに限定されない。 なお、上述した酸、酸化剤および塩基性化合物の各々について、使用し得る材料の種類、使用量、含有または不含有等に関する記載は、スラリーＳ２にも同様に適用され得る。

（その他の成分）
スラリーＳ１は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、水溶性高分子、分散剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨スラリーに使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。上記添加剤は、磁気ディスク基板用の研磨スラリーに使用され得る公知の添加剤であり得る。スラリーＳ２についても同様である。

界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤は、分散安定性の向上に役立ち得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、およびこれらの塩等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸；およびこれらの塩等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。

スラリーＳ１が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、例えば０．００５ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。ここに開示される技術は、スラリーＳ１が界面活性剤を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

スラリーＳ１には、水溶性高分子を含有させてもよい。水溶性高分子を含有させることにより、研磨後の面精度が向上し得る。水溶性高分子のＭｗは、典型的には１×１０^４以上であり、例えば１×１０^４以上２００×１０^４以下であり得る。なお、界面活性剤や水溶性高分子のＭｗとしては、水系のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づくポリエチレンオキサイド換算の値を採用することができる。
水溶性高分子の例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、キトサン塩類等が挙げられる。水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

スラリーＳ１が水溶性高分子を含む場合、水溶性高分子の含有量は、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨後の研磨対象物の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０８ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。ここに開示される技術は、スラリーＳ１が水溶性高分子を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

分散剤の例としては、ポリカルボン酸ナトリウム塩、ポリカルボン酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸系分散剤；ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩、ナフタレンスルホン酸アンモニウム塩等のナフタレンスルホン酸系分散剤；アルキルスルホン酸系分散剤；ポリリン酸系分散剤；ポリアルキレンポリアミン系分散剤；第四級アンモニウム系分散剤；アルキルポリアミン系分散剤；アルキレンオキサイド系分散剤；多価アルコールエステル系分散剤；等が挙げられる。ここに開示される技術は、スラリーＳ１が分散剤を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。
なお、上記その他の成分として使用し得る各種添加剤の種類、使用量、含有または不含有等に関する記載は、スラリーＳ２にも同様に適用され得る。

（ｐＨ）
スラリーＳ１のｐＨは、特に制限されない。スラリーＳ１のｐＨは、例えば、１２．０以下であってよく、１０．０以下でもよい。研磨レートや面精度等の観点から、スラリーＳ１のｐＨは、例えば７．０以下であってよく、好ましくは５．０以下、より好ましくは４．０以下であり、３．０以下であってもよい。また、スラリーＳ１のｐＨは、例えば０．５以上であってよく、１．０以上でもよい。いくつかの態様において、スラリーＳ１のｐＨは、例えば１．０〜３．０の範囲であってよく、１．０〜２．０の範囲であることが好ましく、１．０〜１．８の範囲であることがより好ましい。研磨対象物に供給されるスラリーＳ１において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸、塩基性化合物等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記のｐＨは、スラリーＳ２にも同様に適用することができる。上記のｐＨは、例えば、Ｎｉ−Ｐ基板等の磁気ディスク基板の研磨に用いられるスラリーＳ１，Ｓ２に好ましく適用され得る。スラリーＳ１のｐＨとスラリーＳ２のｐＨとは、同程度であってもよく、異なってもよい。

＜スラリーＳ２＞
ここに開示される技術において、第２段階の研磨に用いられるスラリーＳ２は、砥粒Ｐ２を含み、典型的にはさらに水を含む。

砥粒Ｐ２としては、砥粒Ｐ１に使用し得る粒子として例示したものと同様の粒子から選択される１種または２種以上を使用し得る。砥粒Ｐ２は、少なくともシリカ粒子を含むことが好ましい。砥粒Ｐ２におけるシリカ粒子の含有量は、該砥粒Ｐ２全体の５０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上でもよく、９０重量％以上でもよく、９５重量％以上でもよく、９９重量％以上でもよく、１００重量％でもよい。

砥粒Ｐ２に使用し得るシリカ粒子の例としては、砥粒Ｐ１に使用し得るシリカ粒子として例示したものと同様のものが挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。砥粒Ｐ２としてコロイダルシリカを用いることにより、面精度の高い表面が好適に実現され得る。砥粒Ｐ２におけるコロイダルシリカの含有量は、砥粒Ｐ２全体の、例えば５０重量％以上であってよく、７０重量％以上でもよく、９０重量％以上でもよく、９５重量％以上でもよく、９９重量％以上でもよく、１００重量％でもよい。いくつかの態様において、砥粒Ｐ２は、１種または２種以上のコロイダルシリカのみからなる構成であり得る。

スラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２は、スラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１との関係でＷ２／Ｗ１が適切な範囲となるように設定することができ、特に限定されない。砥粒作用指数Ｗ２は、例えば、３０を超えて４００未満の範囲であり得る。より高い面精度を得る観点から、砥粒作用指数Ｗ２は、例えば３００未満であってよく、２５０未満でもよく、２００未満でもよく、１５０未満でもよく、１２０未満でもよい。いくつかの態様において、砥粒作用指数Ｗ２は、例えば１００未満であってよく、８５未満でもよい。また、研磨レートの低下を抑えて面精度を効率よく向上させる観点から、砥粒作用指数Ｗ２は、例えば４０超であってよく、４５超でもよく、５０超でもよく、５５超でもよい。いくつかの態様において、砥粒作用指数Ｗ２は、例えば６５超であってよく、７０超でもよい。砥粒作用指数Ｗ２は、砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２と平均粒子径ｄ２との一方または両方を調整することにより調節することができる。

砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２は、特に限定されず、例えば１．０以上３．０以下の範囲であり得る。より高い面精度を得る観点から、平均アスペクト比Ａ２は、通常、２．０未満であることが適当であり、１．７未満でもよく、１．５未満でもよい。いくつかの態様において、平均アスペクト比Ａ２は、例えば１．３未満であってよく、１．２未満でもよい。また、平均アスペクト比Ａ２は、例えば１．０であってよく、１．０超であってもよく、１．０２以上でもよく、１．０５以上でもよい。平均アスペクト比Ａ２は、平均アスペクト比Ａ１と同様の手法で調節することができる。

ここに開示される技術において、砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２は、砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１との関係で、Ａ２／Ａ１≦１を満たすことが好ましい。すなわち、平均アスペクト比Ａ２が平均アスペクト比Ａ１と同等以下であることが好ましい。このような構成によると、第２段階において面精度を効率よく高めやすい。いくつかの態様において、Ａ２／Ａ１は、例えば０．９７未満であってよく、０．９５未満でもよい。また、第１段階の終了時の面精度が低くなりすぎることを防ぐ観点から、Ａ２／Ａ１は、通常、０．５以上であることが好ましく、０．６以上であることがより好ましい。いくつかの態様において、Ａ２／Ａ１は、例えば０．７以上であってよく、０．７５以上でもよく、０．８以上でもよい。

砥粒Ｐ２の平均粒子径ｄ２は、特に限定されず、例えば２０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の範囲であり得る。より高い面精度を得る観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ２は、例えば３００ｎｍ未満であってよく、２５０ｎｍ未満でもよく、２００ｎｍ未満でもよく、１５０ｎｍ未満でもよく、１２０ｎｍ未満でもよい。また、研磨レートの低下を抑えて面精度を効率よく向上させる観点から、平均粒子径ｄ２は、例えば３５ｎｍ超であってよく、４０ｎｍ超でもよく、４５ｎｍ超でもよく、５０ｎｍ超でもよい。研磨定盤上において砥粒Ｐ１が混入し得ることによる影響を抑制する観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ２は、５５ｎｍ超でもよく、６０ｎｍ超でもよく、６５ｎｍ超でもよい。平均粒子径ｄ２は、平均粒子径ｄ１と同様の手法で調節することができる。

ここに開示される技術において、砥粒Ｐ２の平均粒子径ｄ２は、砥粒Ｐ１の平均粒子径ｄ１との関係で、ｄ２／ｄ１＞０．１５を満たすことが好ましい。このような構成によると、第２段階の開始時において研磨定盤上にスラリーＳ１が残留し得ることによる第２段階への影響を抑制しやすい。いくつかの態様において、ｄ２／ｄ１は、例えば０．２０超であってよく、０．２５超でもよく、０．３超でもよい。また、より高い面精度を得る観点から、ｄ２／ｄ１は、通常、０．９未満であることが好ましく、０．８未満でもよく、０．７未満でもよい。

スラリーＳ２は、典型的には、砥粒Ｐ２の他に、該砥粒Ｐ２を分散させる水を含有する。水としては、スラリーＳ１と同様、脱イオン水、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。

スラリーＳ２には、酸、酸化剤、塩基性化合物、およびその他の成分を、必要に応じて含有させることができる。これらの成分として使用し得る材料や使用量の例示については、スラリーＳ１と概ね同様であるので、重複する説明は省略する。

ここに開示される技術は、少なくとも１種類の酸がスラリーＳ１およびスラリーＳ２の両方に含まれる態様で好ましく実施することができる。すなわち、少なくとも１種類の酸がスラリーＳ１とスラリーＳ２とに共通して含まれる態様で好ましく実施することができる。スラリーＳ１，Ｓ２に含まれる酸の全てが共通であってもよい。ここに開示される研磨方法では、第１段階と第２段階とが同一定盤上で行われるため、該定盤上においてスラリーＳ１とスラリーＳ２とが少なくとも一時的に共存し得る。スラリーＳ１とスラリーＳ２とが共通する酸を含むことは、これらのスラリーが共存した状態における分散安定性向上や凝集物の発生抑制の観点から有利となり得る。上記共通する酸のスラリーＳ１における含有量とスラリーＳ２における含有量とは、同程度であってもよく、異なってもよい。
同様の理由から、ここに開示される技術は、少なくとも１種類の酸化剤がスラリーＳ１とスラリーＳ２とに共通して含まれる態様で好ましく実施することができる。上記共通する酸化剤のスラリーＳ１における含有量とスラリーＳ２における含有量とは、同程度であってもよく、異なってもよい。

（リンス液）
ここに開示される研磨方法は、同一定盤上で行われる第１段階と第２段階との間に、砥粒を含まないリンス液を供給して上記定盤上において研磨対象物をリンスするリンス段階を含み得る。上記リンス液としては、例えば水を用いることができる。上記リンス液は、酸や塩基性化合物により適宜ｐＨが調整された水であってもよい。リンス液のｐＨは、例えば０．５以上１２．０以下であってよく、１．０以上１０．０以下でもよく、４．０以上８．０以下でもよい。また、例えば、スラリーＳ１またはスラリーＳ２に使用し得る成分のうち砥粒以外の任意の成分を水中に含むリンス液を用いてもよい。

＜研磨対象物＞
ここに開示される技術は、磁気ディスク基板の研磨に好ましく適用され得る。好ましい適用対象の例として、基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板が挙げられる。上記基材ディスクは、例えばアルミニウム合金製であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えた磁気ディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板の研磨への適用が好適である。ここに開示される技術は、また、磁気ディスク用ガラス基板、すなわちガラス磁気ディスク基板にも適用され得る。上記ガラス基板の例としては、アルミノシリケートガラス基板、シリケートガラス基板等が挙げられる。上記ガラス基板は、結晶構造を有しているものや、化学強化処理を施したものであってもよい。化学強化処理は研磨後に行ってもよい。

＜研磨＞
ここに開示される研磨方法は、同一定盤上において、研磨対象物に対し、スラリーＳ１およびスラリーＳ２をこの順に供給して該研磨対象物を研磨する研磨工程を含む。上記同一定盤上で行われる研磨工程は、例えば以下のようにして行うことができる。ただし、以下の説明は上記研磨工程の実施態様を制限するものではない。

すなわち、研磨対象物としての磁気ディスク基板を研磨装置にセットする。そして、上記磁気ディスク基板へのスラリーＳ１の供給を開始し、該磁気ディスク基板を研磨する第１段階を行う。スラリーＳ１は、例えば、上記研磨装置の定盤に固定された研磨パッドを通じて上記磁気ディスクに供給される。上記第１段階の研磨は、典型的には、スラリーＳ１を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動させることにより行われる。上記相対的な移動は、例えば回転移動であり得る。スラリーＳ１の供給開始から所定時間ｔ１が経過したら、スラリーＳ１の供給を停止する。また、スラリーＳ１の供給開始後の適切な時期にスラリーＳ２の供給を開始し、上記研磨対象面にスラリーＳ２を供給して研磨する第２段階を所定時間ｔ２に亘って行う。このようにして行われる第１段階および第２段階を経て、上記研磨工程を終了する。

ここで、スラリーＳ２の供給は、スラリーＳ１の供給停止とほぼ同時に開始してもよく、スラリーＳ１の供給停止から間隔をあけて開始してもよい。スラリーＳ１の供給停止から間隔をあけてスラリーＳ２の供給を開始する場合、スラリーＳ１の供給停止からスラリーＳ２の供給開始までの期間は上述したリンス液を供給することが好ましい。上記リンス液の供給時期は、スラリーＳ１の供給時期およびスラリーＳ２の供給時期の一方または両方と部分的に重複していてもよい。例えば、リンス液の供給時期とスラリーＳ２の供給時期とが重複していてもよい。あるいは、スラリーＳ１の供給停止前にスラリーＳ２の供給を開始してもよい。すなわち、スラリーＳ１の供給時期とスラリーＳ２の供給時期とが部分的に重複していてもよい。各液の供給開始および供給終了にあたっては、供給量を徐々にまたは段階的に変化させてもよく、一度に変化させてもよい。このように、この明細書において、スラリーＳ１，Ｓ２をこの順に供給するとは、スラリーＳ１の供給開始時点よりもスラリーＳ２の供給開始時点のほうが後であることをいう。スラリーＳ１，Ｓ２をこの順に供給する態様の好適例として、スラリーＳ１の供給開始より後にスラリーＳ２の供給を開始し、かつ、スラリーＳ２の供給停止より前にスラリーＳ１の供給を停止する態様が挙げられる。かかる態様は、スラリーＳ２を供給せずにスラリーＳ１を供給して研磨する期間と、スラリーＳ１を供給せずにスラリーＳ２を供給する期間とを、この順に有する。スラリーＳ２の供給開始時点は、スラリーＳ１の供給停止時点とほぼ同時またはそれより前とすることが好ましい。リンス液を使用する場合、リンス液の供給開始時点は、例えば、スラリーＳ１の供給停止とほぼ同時またはそれより前であって、典型的にはスラリーＳ１の供給開始後とすることができる。また、リンス液の供給停止時点は、スラリーＳ２の供給開始とほぼ同時またはそれより後とすることができる。リンス液の供給停止時点は、スラリーＳ２の供給停止より前であってもよく、後であってもよく、スラリーＳ２の供給停止とほぼ同時であってもよい。また、リンス液は複数の期間に分けて供給してもよい。例えば、スラリーＳ１の供給終了からスラリーＳ２の供給開始までの期間と、スラリーＳ２の供給終了後の期間との２つの期間にリンス液を供給してもよい。

第１段階の研磨時間ｔ１と、第２段階の研磨時間ｔ２との関係は、特に限定されない。いくつかの態様において、第１段階の研磨時間ｔ１を第２段階の研磨時間ｔ２より長くすることができる。すなわち、ここに開示される研磨方法は、研磨対象物にスラリーＳ２を供給して研磨する時間ｔ２が、該研磨対象物にスラリーＳ１を供給して研磨する時間ｔ１よりも短い態様で実施することができる。このように、スラリーＳ１およびスラリーＳ２のうち、より砥粒作用指数の大きいスラリーＳ１で研磨する時間を相対的に長くすることにより、上記研磨工程全体としての研磨レートを高めやすくなる。ここに開示される技術では、スラリーＳ１の砥粒作用指数Ｗ１とスラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２との関係を適切に設定することにより、第２段階において面精度を効率よく高めることができる。これにより、スラリーＳ２で研磨する時間を相対的に短くしても、高精度の表面を的確に実現し得る。研磨時間ｔ１に対する研磨時間ｔ２の比、すなわちｔ２／ｔ１は、例えば０．４未満であってよく、０．３５未満でもよく、０．３未満でもよく、０．２８未満でもよく、０．２５未満でもよい。いくつかの態様において、ｔ２／ｔ１は、０．２３未満でもよく、０．２１未満でもよく、０．１９未満でもよい。また、面精度向上の観点から、ｔ２／ｔ１は、例えば０．０５以上とすることが適当であり、０．０７以上でもよく、０．１以上でもよい。

研磨時間ｔ２は、面精度の向上や工程管理の容易性等の観点から、通常、１０秒以上とすることが適当であり、１５秒以上でもよく、２０秒以上でもよい。また、研磨工程全体としての研磨レートの低下を抑制する観点から、研磨時間ｔ２は、例えば５分以下とすることができ、３分以下としてもよく、１．５分以下としてもよい。いくつかの態様において、研磨時間ｔ２は、１分以下としてもよく、０．７５分以下としてもよく、０．６分以下としてもよい。

第１段階の研磨時間ｔ１と第２段階との研磨時間ｔ２との合計長さ、すなわちｔ１＋ｔ２は、特に限定されない。生産性向上の観点から、いくつかの態様において、ｔ１＋ｔ２は、例えば３０分以下であってよく、２０分以下でもよく、１０分以下でもよく、７分以下でもよい。また、面精度向上の観点から、いくつかの態様において、ｔ１＋ｔ２は、例えば１分以上とすることができ、２分以上としてもよく、３分以上としてもよい。

上記研磨工程がリンス段階を含む場合、リンス液を供給する時間は、工程管理の容易性等の観点から、例えば１０秒以上とすることができ、２０秒以上としてもよい。また、生産性向上の観点から、リンス液の供給時間は、通常、３分以下とすることが適当であり、２分以下とすることが好ましく、１分以下とすることがより好ましい。

各研磨スラリーは、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態であってもよい。上記濃縮された形態は、研磨スラリーの濃縮液の形態であり、研磨スラリーの原液としても把握され得る。このような濃縮液は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。上記濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨スラリー（ワーキングスラリー）を調製し、該研磨スラリーを研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば、上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。上記濃縮液における濃縮倍率は特に限定されない。上記濃縮倍率は、例えば、体積換算で２倍〜１００倍程度とすることができ、５倍〜５０倍程度としてもよく、例えば１０倍〜４０倍程度としてもよい。

ここに開示される技術において使用される研磨スラリーまたはその濃縮液は、それぞれ、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、研磨スラリーの構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートＡと、残りの成分を含むパートＢとを混合し、必要に応じて適切なタイミングで希釈することにより研磨スラリーが調製されるように構成されていてもよい。

研磨スラリーまたはその濃縮液の調製方法は特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いて、研磨スラリーまたはその濃縮液に含まれる各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。

研磨スラリーは、いわゆる「かけ流し」の態様、すなわち、いったん研磨に使用したら使い捨てにする態様で使用することができる。あるいは、研磨スラリーは、循環して繰り返し使用してもよい。研磨スラリーを循環使用する態様の一例として、研磨装置から排出される使用済みの研磨スラリーをタンク内に回収し、回収した研磨スラリーを再度研磨装置に供給する態様が挙げられる。ここに開示される研磨方法は、スラリーＳ１およびスラリーＳ２を、いずれも、かけ流しで使用する態様で好ましく実施することができる。

ここに開示される研磨方法において用いられる研磨パッドは、特に限定されない。例え
ば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の研磨パッドを用いる
ことができる。各研磨パッドは、砥粒を含んでもよく、砥粒を含まなくてもよい。通常は
、砥粒を含まない研磨パッドが好ましく用いられる。

ここに開示される研磨方法は、Ｎｉ−Ｐ基板やガラス磁気ディスク基板等のような磁気ディスク基板の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨方法を含むことを特徴とする、磁気ディスク基板の製造方法が提供される。この明細書によると、また、上記研磨方法または製造方法を適用して得られた磁気ディスク基板が提供される。

ここに開示される研磨方法のいくつかの好適な態様において、同一定盤上にスラリーＳ１およびスラリーＳ２をこの順に供給して研磨する上述の研磨工程は、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される算術平均粗さＲａが２０Å〜３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨して、該磁気ディスク基板を１０Å以下の算術平均粗さＲａに調整する工程であり得る。

上記研磨工程は、例えば、第２段階の研磨後における「うねり」が、典型的には１０Å未満、好ましくは５Å以下、より好ましくは３Å未満、例えば２．５Å未満となるように研磨する工程であり得る。また、第２段階の研磨後における上記うねりは、例えば０．５Å以上であってよく、０．８Å以上でもよく、１．０Å以上でもよい。上記うねりは、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。

上記研磨工程は、例えば、研磨対象物の予備研磨工程に好ましく適用され得る。この明細書によると、上記研磨工程を予備研磨工程として含む、磁気ディスク基板の製造方法および研磨方法が提供される。かかる製造方法および研磨方法は、上記予備研磨工程の後に、仕上げ研磨工程を含み得る。上記研磨方法によると、磁気ディスク基板の面精度を効率よく高めることができる。また、上記製造方法によると、面精度の高い磁気ディスク基板を効率よく製造することができる。上記予備研磨工程は、例えば、Ｎｉ−Ｐ基板の製造プロセスにおいて、ニッケルリンめっき後の最初の研磨工程であり得る。

上記仕上げ研磨工程は、予備研磨工程を終えた研磨対象物にスラリーＳ３を供給して該研磨対象物をさらに研磨する工程として把握され得る。スラリーＳ３は、砥粒Ｐ３を含み、典型的にはさらに水を含む。砥粒Ｐ３としては、砥粒Ｐ２に使用し得る粒子として例示したものと同様の粒子から選択される１種または２種以上を使用し得る。砥粒Ｐ３は、少なくともシリカ粒子を含むことが好ましい。砥粒Ｐ３におけるシリカ粒子の含有量は、該砥粒Ｐ３全体の７０重量％以上であることが好ましく、９０重量％以上でもよく、９９重量％以上でもよく、１００重量％でもよい。

砥粒Ｐ３に使用し得るシリカ粒子の例としては、砥粒Ｐ２に使用し得るシリカ粒子として例示したものと同様のものが挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。砥粒Ｐ３としてコロイダルシリカを用いることにより、より面精度の高い表面が好適に実現され得る。砥粒Ｐ３におけるコロイダルシリカの含有量は、砥粒Ｐ３全体の、例えば７０重量％以上であってよく、９０重量％以上でもよく、９９重量％以上でもよく、１００重量％でもよい。いくつかの態様において、砥粒Ｐ３は、１種または２種以上のコロイダルシリカのみからなる構成であり得る。

仕上げ研磨工程に用いられるスラリーＳ３は、砥粒Ｐ３の平均アスペクト比Ａ３と平均粒子径ｄ３との積として表される砥粒作用指数Ｗ３を有する。砥粒作用指数Ｗ３は、スラリーＳ２の砥粒作用指数Ｗ２との関係で、Ｗ３／Ｗ２＜１を満たすことが好ましい。いくつかの態様において、Ｗ３／Ｗ２は、例えば０．９５未満であってよく、０．８未満でもよく、０．７未満でもよく、０．６未満でもよく、０．５未満でもよい。また、研磨効率の観点から、Ｗ３／Ｗ２は、例えば０．１超であってよく、０．１５超でもよく、０．２超でもよい。

砥粒Ｐ３の平均アスペクト比Ａ３は、特に限定されず、例えば１．０以上１．５未満の範囲であり得る。より高い面精度を得る観点から、平均アスペクト比Ａ３は、好ましくは１．３未満、さらに好ましくは１．２５未満であり、１．２未満でもよく、１．１５未満でもよく、１．１未満でもよい。平均アスペクト比Ａ３は、平均アスペクト比Ａ１，Ａ２と同様にして測定される。平均アスペクト比Ａ３は、平均アスペクト比Ａ１，Ａ２と同様の手法で調節することができる。

砥粒Ｐ３の平均粒子径ｄ３は、特に限定されず、例えば１０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満の範囲であり得る。より高い面精度を得る観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ３は、例えば１００ｎｍ以下であってよく、８０ｎｍ以下でもよく、７０ｎｍ以下でもよい。また、研磨効率の観点から、平均粒子径ｄ３は、例えば５ｎｍ以上であってよく、８ｎｍ以上でもよい。より高い研磨効果を得る観点から、いくつかの態様において、平均粒子径ｄ３は、例えば１０ｎｍ以上であってよく、１８ｎｍ以上でもよく、２０ｎｍ以上でもよい。平均粒子径ｄ３は、平均粒子径ｄ１，ｄ２と同様にして測定される。平均粒子径ｄ３は、平均粒子径ｄ１，ｄ２と同様の手法で調節することができる。

スラリーＳ３における砥粒Ｐ３の含有量は、特に限定されない。砥粒Ｐ３の含有量は、例えば５ｇ／Ｌ以上であってよく、１０ｇ／Ｌ以上でもよく、２０ｇ／Ｌ以上でもよく、３０ｇ／Ｌ以上でもよく、４０ｇ／Ｌ以上でもよい。砥粒Ｐ３の含有量の増大により、研磨レートは向上する傾向にある。また、研磨の安定性や経済性の観点から、スラリーＳ３における砥粒Ｐ３の含有量は、通常、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、２００ｇ／Ｌ以下でもよく、１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１００ｇ／Ｌ以下でもよく、８０ｇ／Ｌ以下でもよく、７０ｇ／Ｌ以下でもよい。

スラリーＳ３は、典型的には砥粒Ｐ３の他に水を含む。その他、スラリーＳ３には、スラリーＳ１やスラリーＳ２と同様に、酸、酸化剤、塩基性化合物、各種添加剤等を、必要に応じて含有させることができる。また、スラリーＳ３のｐＨは、スラリーＳ１のｐＨとして例示した範囲から適宜選択し得る。スラリーＳ３のｐＨと、スラリーＳ１またはスラリーＳ２のｐＨとは、同程度であってもよく、異なってもよい。

ここに開示される研磨方法において、同一定盤上にスラリーＳ１およびスラリーＳ２をこの順に供給して研磨する上述の研磨工程に使用する研磨装置は、研磨対象物の両面を同時に研磨する両面研磨装置であってもよく、研磨対象物の片面のみを研磨する片面研磨装置であってもよい。上記研磨工程が予備研磨工程である場合、いくつかの態様において、該研磨工程を行う研磨装置として両面研磨装置を好ましく採用し得る。予備研磨工程の後に仕上げ研磨工程を行う場合、該仕上げ研磨工程を行う研磨装置としては、片面研磨装置を好ましく採用し得る。これらの研磨装置において、各研磨装置の備える定盤の数は、１でもよく２以上でもよい。各研磨装置は、一度に一枚の研磨対象物を研磨するように構成された枚葉式の研磨装置でもよく、同一の定盤上で複数の研磨対象物を同時に研磨し得るように構成されたバッチ式の研磨装置でもよい。

ここに開示される技術は、予備研磨工程と仕上げ研磨工程とを同一の研磨定盤上で行うことを含む研磨方法や、かかる研磨方法を含む研磨物の製造方法にも適用することができる。ここに開示される技術は、例えば、スラリーＳ１を供給して研磨する第１段階を予備研磨工程またはその一部として行い、スラリーＳ２を供給して第２段階を仕上げ研磨工程またはその一部として行う態様で実施することができる。かかる態様において、予備研磨工程および仕上げ研磨工程に共通して用いられる研磨装置は、片面研磨装置であってもよく、両面研磨装置であってもよい。通常は片面研磨装置を用いることが好ましい。

＜研磨用組成物セット＞
この明細書によると、ここに開示される研磨方法に好ましく使用され得る研磨用組成物セットが提供される。その研磨用組成物セットは、互いに分けて保管される第１組成物と第２組成物とを少なくとも含む。第１組成物は、上記研磨スラリーＳ１またはその濃縮液であり得る。第２組成物は、上記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液であり得る。ここに開示される研磨方法は、かかる研磨用組成物セットを用いて好適に実施することができる。したがって、上記研磨用組成物セットは、ここに開示される研磨方法や、該研磨方法を実施することを含む研磨物製造方法等に好ましく利用され得る。研磨用組成物セットを構成する第１組成物および第２組成物は、それぞれ、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。多剤型の組成物は、例えば、各組成物の構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートＡと、残りの成分を含むパートＢとに分けて保管され、上記パートＡと上記パートＢとを混合して必要に応じて適切なタイミングで希釈することにより研磨スラリーが調製されるように構成され得る。

この明細書により開示される事項には、以下のものが含まれる。
（１） 磁気ディスク基板の研磨方法であって、
同一の研磨定盤上に研磨スラリーＳ１と研磨スラリーＳ２とをこの順に供給して上記磁気ディスク基板を研磨する研磨工程を含み、
上記研磨スラリーＳ１は、該研磨スラリーＳ１に含まれる砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１と平均粒子径ｄ１との積として表される砥粒作用指数Ｗ１を有し、
上記研磨スラリーＳ２は、該研磨スラリーＳ２に含まれる砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２と平均粒子径ｄ２との積として表される砥粒作用指数Ｗ２を有し、
上記砥粒作用指数Ｗ１と上記砥粒作用指数Ｗ２との関係が、０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８を満たす、研磨方法。
（２） 上記砥粒作用指数Ｗ２は５０以上である、上記（１）に記載の研磨方法。
（３） 上記砥粒作用指数Ｗ１は、１２０を超えて５００未満である、上記（１）または（２）に記載の研磨方法。
（４） 上記研磨スラリーＳ１を供給して研磨する時間ｔ１と、上記研磨スラリーＳ２を供給して研磨する時間ｔ２との関係が、ｔ２／ｔ１＜０．３を満たす、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の研磨方法。
（５） 上記平均粒子径ｄ１は、１００ｎｍを超えて４００ｎｍ未満である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の研磨方法。
（６） 上記平均粒子径ｄ２は、５０ｎｍを超えて２００ｎｍ未満である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の研磨方法。
（７） 上記磁気ディスク基板は、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の研磨方法。
（８） 上記研磨工程の後に、上記研磨定盤とは異なる研磨定盤上で行われる仕上げ研磨工程をさらに含む、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の研磨方法。
（９） 上記（１）〜（８）のいずれかに記載の研磨方法に用いられる研磨用組成物であって、上記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液であり、上記研磨スラリーＳ２の上記砥粒作用指数Ｗ２が５０以上である、研磨用組成物。
（１０） 上記（１）〜（８）のいずれかに記載の研磨方法に用いられる研磨用組成物セットであって、
上記研磨スラリーＳ１またはその濃縮液である第１組成物と、
上記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液である第２組成物と、
を含み、
上記第１組成物と上記第２組成物とは互いに分けて保管されている、研磨用組成物セット。
（１１） 上記研磨工程は上記磁気ディスク基板の予備研磨工程であり、
上記予備研磨工程の後に、記研磨定盤とは異なる研磨定盤上において、上記磁気ディスク基板に仕上げ研磨スラリーを供給して該磁気ディスク基板をさらに研磨する仕上げ研磨工程をさらに含む、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の研磨方法。
（１２） 上記（１）〜（８）および（１１）のいずれかに記載の研磨方法で磁気ディスク基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。

＜実験例１＞
１．研磨用組成物の調製
アスペクト比や平均粒子径の異なる複数種類のシリカ粒子を用意した。これらのシリカ粒子を単独でまたは組み合わせて含む砥粒と、３１％過酸化水素水と、脱イオン水と、リン酸とを混合して、砥粒を６０ｇ／Ｌ、３１％過酸化水素水を２０ｇ／Ｌの割合で含み、リン酸でｐＨ１．５に調整された研磨スラリーＡ〜Ｆを調製した。研磨スラリーＡ〜Ｆの各々に使用した砥粒の種類と性状を表１に示す。

２．磁気ディスク基板の研磨
（例１）
研磨スラリーＡを用いて、下記の研磨条件でＮｉ−Ｐ基板の研磨を行った。Ｎｉ−Ｐ基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。このＮｉ−Ｐ基板の外形は、外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型であり、ドーナツ型部分の面積は片面当たり約６６ｃｍ^２であった。上記Ｎｉ−Ｐ基板の厚さは１．７５ｍｍであり、上記ニッケルリンめっき層の比重は約７．９であり、該ニッケルリンめっき層の研磨前における表面粗さＲａは１３０Åであった。ここで、上記表面粗さＲａは、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定した算術平均粗さである。

Ｎｉ−Ｐ基板の研磨は、具体的には次のようにして行った。すなわち、以下に示す両面研磨装置にＮｉ−Ｐ基板をセットし、研磨スラリーＡを供給して以下の研磨条件で研磨を開始した。研磨スラリーＡの供給開始から５．００分経過後に、研磨スラリーＡの供給および両面研磨装置の作動を停止し、研磨を終了した。

［研磨条件］
研磨装置：システム精工社製の両面研磨機、型式「９．５Ｂ−５Ｐ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
Ｎｉ−Ｐ基板の投入枚数：１５枚（（５枚／キャリア）×３キャリア）
研磨スラリーの供給レート：１３５ｍＬ／分
加工圧力：１２０ｇ／ｃｍ^２
上定盤回転数：２７ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
サンギヤ（太陽ギヤ）回転数：８ｒｐｍ
研磨量：各Ｎｉ−Ｐ基板の両面の合計で約２．２μｍの厚さ

（例２）
本例では、上記研磨装置の同一定盤上において、一液目のスラリーＳ１として研磨スラリーＡ、二液目のスラリーＳ２として研磨スラリーＢを供給して、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨を行った。
具体的には、上記両面研磨装置にＮｉ−Ｐ基板をセットし、研磨スラリーＡを供給して上記研磨条件で研磨を開始した。
研磨スラリーＡの供給開始から４．７５分経過後、研磨スラリーＡの供給を止め、同時にリンス液の供給を開始した。リンス液としては、脱イオン水を使用した。リンス液の供給レートは５Ｌ／分とした。リンス液の供給中における上定盤、下定盤およびサンギヤの回転数ならびに加工圧力は、上記研磨条件のままとした。
リンス液の供給開始から０．５分経過後、リンス液の供給を停止し、同時に研磨スラリーＢの供給を開始して上記の研磨条件でＮｉ−Ｐ基板をさらに研磨した。研磨スラリーＢの供給開始から０．５分経過後、研磨スラリーＢの供給および両面研磨装置の作動を停止し、研磨を終了した。
なお、上記研磨条件における研磨量とは、本例および後述する例３〜９，１１，１２においては、一液目の研磨スラリーおよび二液目の研磨スラリーによる合計研磨量を指す。

（例３〜９）
二液目に使用する研磨スラリーの種類およびリンス液の供給時間を表２に示すとおりとした他は例２と同様にして、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨を行った。

３．測定および評価
（１）研磨レート
各例について、上記研磨条件でＮｉ−Ｐ基板を研磨したときの研磨レートを算出した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／分］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［分］）×１０^４
なお、上記式における研磨時間とは、例２〜９および後述する例１１，１２では、一液目の研磨スラリーおよび二液目の研磨スラリーによる合計研磨時間をいう。
得られた値を、例１の値を１００％とする相対値に換算して、表１の「相対研磨レート」の欄に示した。

（２）うねり
各例について、上記研磨時に各キャリアにセットされていたＮｉ−Ｐ基板のなかからランダムに１枚、合計３枚のＮｉ−Ｐ基板を抽出した。これら３枚のＮｉ−Ｐ基板の表裏、計６面につき、ＺＹＧＯ社製の非接触表面形状測定機「ＮＥＷＶＩＥＷ５０３２」を使用して、対物レンズ倍率１０倍、中間レンズ倍率１倍、バンドパスフィルター２０〜２５０μｍの条件で微小うねりを測定した。測定は、上記６面の各々について、研磨後の基板の中心から径方向外側に３７ｍｍの位置に対して、９０°間隔の４点で行い、それら２４点の平均値をうねり（Å）の値とした。得られた値を、例１の値を１００％とする相対値に換算して、表１の「相対うねり」の欄に示した。

上記相対うねりおよび相対研磨レートに基づいて、同一定盤上で二液目のスラリーを供給して研磨を行ったことにより研磨レートの低下を抑えてうねりを改善する効果があったかどうかを判定した。具体的には、相対うねりが１００％未満かつ相対研磨レートより小さい値であった場合には、「効果あり」と判定し、表１の効果の欄に「Ｅ」を記入した。一方、相対うねりが１００％以上または相対研磨レートより大きい値であった場合には、「効果なし」と判定し、表１の効果の欄に「ＮＥ」を記入した。

表２に示されるように、０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８を満たすスラリーＳ１およびスラリーＳ２をこの順に供給して研磨を行った例２〜７によると、研磨レートの低下を抑制しつつ、うねりが効果的に低減されることが確認された。これらの例２〜７に関し、上記微小うねり測定において２４点の平均値として得られたうねりは、いずれも１．０Å以上２．５Å未満であった。

＜実験例２＞
（例１０）
研磨スラリーＡに代えて研磨スラリーＦを用いた点、および、研磨スラリーＦの供給開始から６．００分後に該研磨スラリーＦの供給および両面研磨装置の作動を停止した他は例１と同様にして、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨を行った。

（例１１）
本例では、上記研磨装置の同一定盤上において、一液目のスラリーＳ１として研磨スラリーＦ、二液目のスラリーＳ２として研磨スラリーＢを供給して、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨を行った。
具体的には、上記両面研磨装置にＮｉ−Ｐ基板をセットし、研磨スラリーＦを供給して上記研磨条件で研磨を開始した。
研磨スラリーＦの供給開始から５．５０分経過後、研磨スラリーＦの供給を止め、同時にリンス液の供給を開始した。リンス液としては、脱イオン水を使用した。リンス液の供給レートは５Ｌ／分とした。リンス液の供給中における上定盤、下定盤およびサンギヤの回転数ならびに加工圧力は、上記研磨条件のままとした。
リンス液の供給開始から０．５分経過後、リンス液の供給を停止し、同時に研磨スラリーＢの供給を開始して上記の研磨条件でＮｉ−Ｐ基板をさらに研磨した。研磨スラリーＢの供給開始から１．０分経過後、研磨スラリーＢの供給および両面研磨装置の作動を停止し、研磨を終了した。

（例１２）
二液目に使用する研磨スラリーを研磨スラリーＤに変更した他は例１１と同様にして、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨を行った。

各例について、実験例１と同様にして研磨レートを算出し、うねりを測定した。得られた値を、例１０の値を１００％とする相対値に換算して、表３の「相対研磨レート」および「相対うねり」の欄に示した。上記相対うねりおよび相対研磨レートに基づいて、実験例１と同様の基準により効果の有無を判定した。結果を表３に示した。

表３に示されるように、表２に示す例１〜９とは異なる種類のスラリーＳ１を用いる態様においても、０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８を満たす例１１，１２によると、研磨レートの低下を抑制しつつ、うねりが効果的に低減されることが確認された。これらの例１１，１２に関し、上記微小うねり測定において２４点の平均値として得られたうねりは、いずれも１．０Å以上２．５Å未満であった。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (10)

1. 磁気ディスク基板の研磨方法であって、
   同一の研磨定盤上に研磨スラリーＳ１と研磨スラリーＳ２とをこの順に供給して前記磁気ディスク基板を研磨する研磨工程を含み、
   前記研磨スラリーＳ１は、該研磨スラリーＳ１に含まれる砥粒Ｐ１の平均アスペクト比Ａ１と平均粒子径ｄ１との積として表される砥粒作用指数Ｗ１を有し、
   前記研磨スラリーＳ２は、該研磨スラリーＳ２に含まれる砥粒Ｐ２の平均アスペクト比Ａ２と平均粒子径ｄ２との積として表される砥粒作用指数Ｗ２を有し、
   前記砥粒作用指数Ｗ１と前記砥粒作用指数Ｗ２とは、次の関係式：０．１＜Ｗ２／Ｗ１＜０．８；を満たす、研磨方法。
2. 前記砥粒作用指数Ｗ２は５０以上である、請求項１に記載の研磨方法。
3. 前記砥粒作用指数Ｗ１は、１２０を超えて５００未満である、請求項１または２に記載の研磨方法。
4. 前記研磨スラリーＳ１を供給して研磨する時間ｔ１と、前記研磨スラリーＳ２を供給して研磨する時間ｔ２とが、次の関係式：ｔ２／ｔ１＜０．３；を満たす、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨方法。
5. 前記平均粒子径ｄ１は、１００ｎｍを超えて４００ｎｍ未満である、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨方法。
6. 前記平均粒子径ｄ２は、５０ｎｍを超えて２００ｎｍ未満である、請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨方法。
7. 前記磁気ディスク基板は、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板である、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨方法。
8. 前記研磨工程の後に、前記研磨定盤とは異なる研磨定盤上で行われる仕上げ研磨工程をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の研磨方法。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の研磨方法に用いられる研磨用組成物であって、前記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液であり、前記研磨スラリーＳ２は前記砥粒作用指数Ｗ２が５０以上である、研磨用組成物。
10. 請求項１から８のいずれか一項に記載の研磨方法に用いられる研磨用組成物セットであって、
    前記研磨スラリーＳ１またはその濃縮液である第１組成物と、
    前記研磨スラリーＳ２またはその濃縮液である第２組成物と、
    を含み、
    前記第１組成物と前記第２組成物とは互いに分けて保管されている、研磨用組成物セット。