JP2018170380A - 基板処理方法及び記憶媒体。 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハに形成されたＳｉＧｅ層を、Ｓｉ層、ＳｉＯ２層及びＳｉＮ層の内の少なくとも一種に対して選択的にエッチングするにあたって、エッチング量を揃える技術を提供すること。【解決手段】交互に積層されたＳｉＧｅ層１００とＳｉ層１０１とが凹部１０３内に露出したウエハＷにおいてＳｉＧｅ層１００をサイドエッチングによりエッチングするにあたって、ウエハＷにＣｌＦ３ガスとＨＦガスとを同時に供給している。そのため各ＳｉＧｅ層１００のエッチング速度が均一になり、各ＳｉＧｅ層１００のエッチング量を揃えることができる。【選択図】図６

Description

本発明は、基板に形成されたＳｉＧｅをエッチングする技術に関する。

近年、半導体の製造プロセスにおいては、例えばゲートの形成工程において、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層と、シリコン（Ｓｉ）層とを積層した半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にサイドエッチングを行い、ＳｉＧｅ層を選択的に除去する工程が行われる。このようなＳｉＧｅ層を選択的に除去する方法としては、例えば特許文献１、２に記載されているように、三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）ガスを供給してエッチングする手法が知られている。ＣｌＦ_３ガスは、Ｓｉ層、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層及び窒化シリコン（ＳｉＮ）層に対するＳｉＧｅ層のエッチング選択比が高く、ＳｉＧｅ層を選択的に除去することができる。

ところでこのような半導体ウエハにおいては、例えばＳｉＧｅ層のエッチングの前処理において、ＳｉＧｅ層とＳｉ層とが交互に積層されたウエハに対して、エッチングを行い、ＳｉＧｅ層とＳｉ層の交互に配列された面を露出させる工程が行われる。その後ウエハにＣｌＦ_３ガスを供給して、各ＳｉＧｅ層の一部をエッチングするが、各ＳｉＧｅ層のエッチング量が揃わない問題があり、対応策が求められていた。

特表２００９−５１０７５０号公報 特開平１−９２３８５号公報

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に形成されたシリコンゲルマニウム層を、シリコン層、酸化シリコン層及び窒化シリコン層の内の少なくとも一種に対して選択的にエッチングするにあたって、エッチング量を揃える技術を提供することにある。

本発明の基板処理方法は、シリコンゲルマニウム層と、シリコン層、酸化シリコン層及び窒化シリコン層の内の少なくとも一種の層と、が露出した基板におけるシリコンゲルマニウム層をエッチングするエッチング方法において、
真空雰囲気である処理容器内にて前記基板にフッ素含有ガス及び三フッ化塩素ガスを同時に供給する工程を含むことを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、真空雰囲気である処理容器内にて前記基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためにステップ群が組まれていることを特徴とする。

本発明は、シリコンゲルマニウム層と、シリコン層、酸化シリコン層及び窒化シリコン層の少なくとも一種の層とが露出した基板においてシリコンゲルマニウム層をエッチングするにあたって、基板にフッ素含有ガスと三フッ化塩素ガスと、を同時に供給している。そのためシリコンゲルマニウム層のエッチング速度が均一になり、エッチング量を揃えることができる。

エッチング装置を備えた基板処理装置を示す平面図である。 エッチング装置を示す断面図である。 エッチング処理前のウエハの表面付近を示す断面図である。 ウエハの自然酸化膜の除去を模式的に示す説明図である。 ＳｉＧｅ層のエッチングを模式的に示す説明図である。 エッチング後のウエハを模式的に示す説明図である。 従来のＳｉＧｅ層のエッチングを模式的に示す説明図である。 従来のＳｉＧｅ層のエッチングを模式的に示す説明図である。 ＳｉＧｅ層のエッチングを説明する説明図である。 ＳｉＧｅ層のエッチングを説明する説明図である。 基板処理装置の他の例を示す平面図である。 試験例１におけるエッチング量を示す特性図である。 試験例１におけるＳｉＧｅに対する選択比を示す特性図である。 試験例２におけるエッチング量を示す特性図である。 試験例２におけるＳｉＧｅに対する選択比を示す特性図である。 試験例３におけるエッチング量を示す特性図である。 試験例３におけるＳｉＧｅに対する選択比を示す特性図である。 実施例におけるウエハの表面部の断面を説明する模式図である。 比較例におけるウエハの表面部の断面を説明する模式図である。

本発明の実施の形態にかかる基板処理方法に用いるエッチング装置について説明する。図１は基板処理方法を実行するエッチング装置３を備えた基板処理装置を示す。図１に示すように基板処理装置は、その内部雰囲気が、例えば窒素ガスにより常圧雰囲気とされる横長の常圧搬送室１２を備えている。常圧搬送室１２の手前には、例えば被処理基板であるウエハＷを搬入するためのキャリアＣに対して基板の受け渡しを行うためのロードポート１１が例えば３台並べて設置されている。

常圧搬送室１２の正面壁には、キャリアＣに設けられた図示しない蓋部と一緒に開閉される開閉ドア１７が取り付けられている。常圧搬送室１２内には、ウエハＷを搬送するための多関節アームで構成された第１の搬送アーム２０が設けられている。また常圧搬送室１２のロードポート１１側から見て左側壁には、ウエハＷの向きや偏心の調整を行うアライメント室１６が設けられている。

常圧搬送室１２におけるロードポート１１の反対側には、ウエハＷを待機させた状態で内部の雰囲気を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替える、例えば２個のロードロック室１３が左右に並ぶように配置され、ドアバルブ１８によって、常圧搬送室１２と各ロードロック室１３との間が区画されている。各ロードロック室１３には、例えばウエハＷを水平に支持する多関節アームで構成された第２の搬送アーム２１が設けられている。

各ロードロック室１３の常圧搬送室１２側から見て奥側には、ゲートバルブ２２を介して、各々熱処理装置２が設けられ、熱処理装置２の更に奥側には、エッチング装置３がゲートバルブ２３を介して配置されている。各ロードロック室１３に設けられた第２の搬送アーム２１はウエハＷを熱処理装置２に搬送すると共にウエハＷを熱処理装置２を通過して、エッチング装置３との間で搬送できるように構成されている。熱処理装置２は、例えば真空容器２４と、ウエハＷを載置する載置台２５とを備えている。載置台２５には、載置されたウエハＷを加熱する図示しない加熱機構が設けられている。また載置台２５には図示しない昇降ピンが設けられ、昇降ピンと第２の搬送アーム２１との協働作用により載置台２５にウエハＷが受け渡される。また熱処理装置２は、真空容器２４内にＮ_２ガスを導入すると共に、真空容器２４の内部を真空排気できるように構成されている。

エッチング装置３について図２も参照して説明する。図１、２に示すようにエッチング装置３は、横断面形状が角型の真空チャンバである処理容器１０を備えている。処理容器１０は、例えば天板部１０ａと本体部１０ｂとで構成され、本体部１０ｂの側面にウエハＷの受け渡しを行うための搬入出口１９が設けられている。搬入出口１９には、搬入出口１９を開閉する既述のゲートバルブ２３が設けられている。

処理容器１０の内部には、ウエハＷを載置する円柱形状の載置台４が設けられている。また載置台４には、載置台４の上面から突没する図示しない昇降ピンが設けられている。載置台４の内部にはウエハＷを加熱する温調機構４７が設けられており、載置台４に載置されるウエハＷが設定温度、例えば８０℃に温調される。処理容器１０の底面には排気口３１が設けられている。排気口３１には排気管３２が接続されており、排気管３２には、排気口３１側から圧力調整部３４、開閉バルブ３５が介設され、真空排気機構である真空排気ポンプ３３に接続されている。

天板部１０ａには、処理容器１０内にガスを導入するガス導入部３６が設けられている。ガス導入部３６にはガス供給路３７が接続され、このガス供給路３７には、ＣｌＦ_３ガス供給路３８、アンモニア（ＮＨ_３）ガス供給路３９、フッ化水素（ＨＦ）ガス供給路４０及びアルゴン（Ａｒ）ガス供給路４１の一端側が接続されている。ＣｌＦ_３ガス供給路３８、ＮＨ_３ガス供給路３９、ＨＦガス供給路４０及びＡｒガス供給路４１の他端側には、夫々ＣｌＦ_３ガス供給源４２、ＮＨ_３ガス供給源４３、ＨＦガス供給源４４及びＡｒガス供給源４５が接続されている。またＣｌＦ_３ガス供給路３８、ＮＨ_３ガス供給路３９、ＨＦガス供給路４０及びＡｒガス供給路４１に夫々設けられたＶ１〜Ｖ４は、バルブであり、Ｍ１〜Ｍ４は流量調整部である。なお各ガスをウエハＷに供給するにあたって、処理容器１０に各ガスを個別に供給するように各々のガスに対応したガス導入部を設けてもよい。

図１に戻って基板処理装置は、制御部９を備えている。この制御部９は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムは、後述の作用説明における一連の動作を実施するようにステップ群が組み込まれており、プログラムに従って、ウエハＷの搬送、ウエハＷの加熱及びガスの供給の調整などを行う。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気ディスク等に収納され制御部９にインストールされる。

本発明の実施の形態に係る基板処理方法に使用される半導体装置製造用の基板であるウエハＷの表面構造の一例について説明する。図３は半導体装置の製造工程の途中段階におけるウエハＷの断面構造を示す。この断面構造は、ウエハＷ上にＳｉＧｅ層１００と、Ｓｉ層１０１と、が交互に複数積層され、さらに表面は、Ｓｉ層１０１の上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層１０２が積層された構成となっている。各層が積層されたウエハＷは、例えばプラズマエッチング装置に搬送され、プラズマエッチングにより、凹部１０３が形成され、図３に示すように凹部１０３内にＳｉＯ_２層１０２の下層に形成されたＳｉＧｅ層１００と、Ｓｉ層１０１と、が交互に露出している。凹部１０３が形成されたウエハＷは、プラズマエッチング装置にてエッチングが行われた後、例えば洗浄処理が行われ、キャリアＣに保管された後、基板処理装置に搬入される。

基板処理装置の作用について説明する。既述のようにプラズマ処理装置にて凹部１０３が形成されたウエハＷは、キャリアＣに収納された状態で、ロードポート１１に載置される。次いでウエハＷは、第１の搬送アーム２０により、キャリアＣから取り出され、アライメント室１６にて偏心の調整が行われた後、各ロードロック室１３に搬送される。続いてロードロック室１３内の雰囲気を大気雰囲気から真空雰囲気に切り替えた後、ドアバルブ１８を閉じた状態でゲートバルブ２２、２３を開き、第２の搬送アーム２１によりウエハＷをロードロック室１３からエッチング装置３に搬送する。そして第２の搬送アーム２１と載置台４に設けられた昇降ピンとの協働作用によりウエハＷを載置台４に載置する。その後第２の搬送アーム２１をロードロック室１３まで退避させて、ゲートバルブ２２、２３を閉じる。

エッチング装置３においては、処理容器１０内の圧力を１０〜５００ｍＴ（１．３〜６６．７Ｐａ）、例えば１００ｍＴ（１３．３Ｐａ）に設定すると共にウエハＷを０．１〜１００℃、例えば８０℃に温調する。そして図４に示すようにウエハＷにＮＨ_３ガスとＨＦガスとを例えば夫々５０〜３００ｓｃｃｍの流量で供給する。これによりウエハＷがプラズマエッチング装置からエッチング装置に搬送されるときにウエハＷの表面に形成された自然酸化膜が除去される。次いで処理容器１０内にＡｒガスを供給すると共に真空排気を行い処理容器１０内にガスを置換する。

続いて図５に示すようにＣｌＦ_３ガスを１〜５０ｓｃｃｍの流量で供給すると共に、ＨＦガスを５〜５００ｓｃｃｍの流量で供給する。この時ＣｌＦ_３ガスの流量とＨＦガスの流量とは、既述の範囲の流量であると共に、ＣｌＦ_３ガスの流量とＨＦガスの流量との流量比が１：５以上（ＨＦガスの流量／ＣｌＦ_３ガスの流量＝５以上）となるように供給する。これにより凹部１０３内に露出したＳｉＧｅ層１００の一部がエッチングされて除去される。この時図６に示すように各ＳｉＧｅ層１００のエッチング量が揃う。

ここで背景技術にて述べたように、ウエハＷにＮＨ_３ガスとＨＦガスとを夫々供給した後、図７に示すようにウエハＷにＨＦガスを供給せずにＣｌＦ_３ガスのみを供給した場合においては、図８に示すようにＳｉＧｅ層１００の各層のエッチング量が揃わなくなることがある。これに対して後述の実施例に示すようにＳｉＧｅ層１００をエッチングするにあたって、ＣｌＦ_３ガスとＨＦとを同時に供給することでＳｉＧｅ層１００を均一にエッチングすることができる。

このメカニズムは以下のように推測される。既述のようにエッチング装置に搬送されたウエハＷにＣｌＦ_３ガスを供給する前に、ＮＨ_３ガスとＨＦガスの混合ガスを供給して、ウエハＷの表面に形成された自然酸化膜を除去しているが、自然酸化膜は必ずしも膜厚が均一に形成されないため、ウエハＷの表面に部分的に自然酸化膜が残りやすい。またＮＨ_３ガス及びＨＦガスの混合ガスによりすべての自然酸化膜を除去しようとしたときに、自然酸化膜が薄い部分においては、過剰にＮＨ_３ガス及びＨＦガスが供給されることになり、ＳｉＯ_２層１０２やＳｉ層１０１などがエッチングされたり、膜質が悪化するおそれがある。そのためウエハＷの表面の自然酸化膜を完全に除去することは難しい。

そしてウエハＷにＣｌＦ_３ガスを供給してＳｉＧｅ層１００をエッチングしようとしたときに自然酸化膜の除去が不完全である場合には、自然酸化膜の付着箇所において、ＣｌＦ_３によるＳｉＧｅ層１００のエッチング速度が遅くなってしまうことがある。そのため図８に示すようにＳｉＧｅ層１００の各層のエッチング量が揃わなくなる。

これに対して、ＣｌＦ_３ガスとＨＦとを同時に供給したときに、ＨＦガスは、ＣｌＦ_３ガスよりもウエハＷに吸着しやすい性質があるため、図９に示すようにウエハＷにＣｌＦ_３ガス１０５を吸着させる前にウエハＷの表面にＨＦガス１０４を均一に吸着させることができる。このＣｌＦ_３ガス１０５に先行して吸着するＨＦガス１０４は、ウエハＷの表面にわずかに残る自然酸化膜を除去する。その後ＣｌＦ_３ガス１０５がウエハＷに吸着しようとするが、ＣｌＦ_３ガス１０５は、ＨＦガス１０４に吸着しやすいため、図１０に示すようにウエハＷの表面に均一に吸着したＨＦガス１０４に向かって吸着し、ＣｌＦ_３ガス１０５はウエハＷの表面に均一に吸着する。このようにＣｌＦ_３ガスとＨＦとを同時に供給することで、ウエハＷの表面に残る自然酸化膜を除去できると共に、ウエハＷの表面にＣｌＦ_３ガスを均一に吸着させることができる。これによりＳｉＧｅ層１００の各層でエッチング速度に差が出にくくなり、エッチング量が均一になる。

その後処理容器１０内にＡｒガスを供給すると共に真空排気を行い、処理容器１０内のガスの置換を行い、ウエハＷのエッチングを終了する。エッチングを行ったウエハＷは、第２の搬送アーム２１により熱処理装置２に搬送され、第２の搬送アーム２１と載置台２５に設けられた昇降ピンとの協働作用により、載置台２５に載置される。これによりウエハＷに付着するエッチング残渣等が加熱除去される。その後ウエハＷは第２の搬送アーム２１によりウエハＷを受け取り、ウエハＷをキャリアＣからロードロック室１３に搬送したときと逆の順番で基板処理装置内を搬送されて、キャリアＣに戻される。

上述の実施の形態によれば、交互に積層されたＳｉＧｅ層１００とＳｉ層１０１とが凹部１０３内に露出したウエハＷにおいてＳｉＧｅ層１００をサイドエッチングによりエッチングするにあたって、ウエハＷにＣｌＦ_３ガスとＨＦガスとを同時に供給している。そのため各ＳｉＧｅ層１００のエッチング量を揃えることができる。

またＣｌＦ_３ガスと共にＨＦガスを供給することで、各ＳｉＧｅ層１００においてＣｌＦ_３ガスを均一に吸着させることができる。そのため各ＳｉＧｅ層１００のマイクロローディングが良好になり、エッチングの後の表面が平坦になる。
さらに自然酸化膜除去処理後のウエハＷの表面における自然酸化膜の残存量に関わらずＳｉＧｅ層１００のエッチング速度が揃う。そのため異なるウエハＷ間におけるエッチング量の再現性を高めることができる。

さらに上述の実施の形態にて説明したようにＳｉＧｅ層１００をＣｌＦ_３ガスによりエッチングする前に、ウエハＷの表面にＨＦガスを吸着することで効果が得られる。そのためウエハＷの表面の自然酸化膜の除去を終えた後、エッチング装置３にて、まずウエハＷにＨＦガスを先行して供給し、続いてＨＦガスと共に、ＣｌＦ_３ガスを供給するようにしてもよい。ＣｌＦ_３ガスによるＳｉＧｅ層１００のエッチングが始まる前に確実にウエハＷの表面にＨＦガスを吸着させることができるため、よりＳｉＧｅ層１００のエッチング量が安定しやすくなる。

また自然酸化膜の除去を行う装置と、ＳｉＧｅ層１００のエッチングを行う装置と、が個別に設けられていてもよい。あるいはＳｉＧｅ層１００のエッチング後にウエハＷを加熱しなくてもよい。図１１はこのような基板処理装置の例を示し、図１に示した基板処理装置と同様にロードポート１１、常圧搬送室１２、ロードロック室１３を備え、ロードロック室１３の奥側に真空雰囲気にてウエハＷを搬送する真空搬送室５が設けられている。真空搬送室５には、とウエハＷにＨＦガス及びＣｌＦ_３ガスを供給してＳｉＧｅ層をエッチングするエッチング装置６ウエハＷにＮＨ_３ガス及びＨＦガスを供給して自然酸化膜を除去するガス処理装置７とが接続されている。

エッチング装置６は、例えば図２に示すエッチング装置３において、ガス導入部３６から処理容器１０内にＨＦガス及びＣｌＦ_３ガス、あるいはさらにＡｒガスを供給できるように構成すればよい。またウエハＷにＮＨ_３ガス及びＨＦガスを供給して自然酸化膜を除去するガス処理装置７は、例えばガス導入部３６から、ＮＨ_３ガス、ＨＦガス及びＡｒガスを導入できるように構成した他は図２のエッチング装置と同様に構成すればよい。なお図１１中の５１は、エッチング装置６及びガス処理装置７と、真空搬送室５との間を区画するゲートバルブであり、５２は搬送アームである。このような基板処理装置では、ガス処理装置７にて自然酸化膜を除去したウエハＷは真空搬送室５を通って、エッチング装置７に搬送される。このような基板処理装置においても同様の効果を得ることができる。

またウエハＷを自然酸化膜の除去を行うガス処理装置７からエッチング装置６に搬送する際に大気雰囲気を搬送するようにしてもよい。自然酸化膜を除去した後のウエハＷは、速やかにエッチング装置に搬送することができ、ほとんど自然酸化膜は形成されない。また自然酸化膜を除去した後のウエハＷを８０℃以下に冷却するようにしてもよい。自然酸化膜を除去した後のウエハＷは、速やかにエッチング装置に搬送することができるため、ほとんど自然酸化膜は形成されないが、自然酸化膜処理後にウエハＷを８０℃以下に冷却することにより、自然酸化膜の形成を抑制することができるためより効果が大きくなる。

さらに後述の検証試験に示すようにＣｌＦ_３ガスは、ＳｉＧｅ層１００をエッチングするにあたって、ＳｉＯ_２層１０２、あるいはＳｉＮ層に対しても高い選択性を示す。そのため、ＳｉＧｅ層１００と共にＳｉＯ_２層１０２、あるいはＳｉＮ層が形成された基板におけるＳｉＧｅ層１００の選択的エッチングにおいて本発明を適用することで効果がある。なお明細書中ＳｉＮは、Ｓｉ及びＮの化学量論比に関わらずＳｉＮと記載している。従ってＳｉＮという記載には、例えばＳｉ_３Ｎ_４が含まれる。またＳｉＧｅ層１００をエッチングする際に、ＣｌＦ_３ガスと共にウエハＷに供給するガスには三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガス、フッ素（Ｆ_２）ガス、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスなどのフッ素含有ガスを用いてもよい。

またＳｉＯ_２層１０２は、自然酸化膜の除去工程においてエッチングされやすい。そのため表面にＳｉＯ_２層１０２が露出する基板においては、入念な自然酸化膜の除去が難しく自然酸化膜が残存しやすい。そのため表面にＳｉＯ_２層が露出する基板におけるＳｉＧｅ層１００のエッチングにおいてより効果が得られる。

さらにＣｌＦ_３ガスによりＳｉＧｅ層１００と、Ｓｉ層１０１、ＳｉＯ_２層１０２及びＳｉＮ層の内の少なくとも一種の層と、が表面に形成された基板のＳｉＧｅ層１００のエッチングを行うにあたって、ＳｉＧｅ層１００に対するＳｉ層１０１、ＳｉＯ_２層１０２、及びＳｉＮ層の選択比を５０以上とすることが好ましい。そのためＳｉＧｅ層１００のエッチングを行うにあたっては、処理温度を０．１〜１００℃とすることが好ましい。また圧力は１０〜５００ｍＴ（１．３〜６６．７Ｐａ）で良好な選択比を得ることができる。さらにＣｌＦ_３ガスの流量とフッ素含有ガスの流量との流量比を１：５以上（ＨＦガスの流量／ＣｌＦ_３ガスの流量＝５以上）とすることが好ましく、ＣｌＦ_３ガスを１〜５０ｓｃｃｍ、ＨＦガスを５〜５００ｓｃｃｍとすることが好ましい。

また本発明は、ＳｉＧｅ層１００の一部を除去する場合に限らず、ＳｉＧｅ層１００を抜き切るように除去するエッチングに適用してもよい。すべてのＳｉＧｅ層１００を除去するエッチングにおいても、例えばＳｉＧｅ層１００の下層に形成された層がＣｌＦ_３ガスさらされる時間に差が生じ、部分的に膜質が悪化するおそれがある。そのため本発明により、ＳｉＧｅ層のエッチング速度を揃えることで部分的に膜質が悪化を抑制することができる。

[検証試験]
本発明の効果を検証するために行った試験について記載する。ＣｌＦ_３ガスによるＳｉＧｅ層のエッチング量及びＳｉＧｅ層に対する、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層のエッチング選択比について調べた。シリコンからなる４枚の評価用の基板を用い、一枚の基板にＳｉＧｅ層を成膜し、他の基板に夫々Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層を成膜して４種の評価用の基板を作成した。そして図１、図２に示す実施の形態に用いたエッチング装置３を備えた基板処理装置を用い、実施の形態と同様に自然酸化膜の除去を行った後、以下の試験例１〜３に示すプロセス条件にて、４種の評価用の基板に各々ＣｌＦ_３ガス及びＡｒガスの混合ガスを供給してエッチングを行った。そしてエッチング処理後における各評価用の基板のエッチング量から、各試験例におけるＳｉＧｅ層、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層のエッチング量及びＳｉＧｅ層に対する、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層のエッチング選択比を求めた。

［試験例１］
ＣｌＦ_３ガスによるＳｉＧｅ層のエッチングにおける温度の影響について調べるため４種の評価用の基板に対して、温度のパラメータを夫々０．１、１５、３０、４５及び６０℃に設定してエッチングを行った。エッチングのその他のプロセス条件は、処理容器の圧力を３０ｍＴ（４Ｐａ）、ＣｌＦ_３ガスの流量を１０〜３０ｓｃｃｍ、Ａｒガスの流量を９１〜２８５ｓｃｃｍとし、プロセス時間を２０秒間とした。
［試験例２］
ＣｌＦ_３ガスによるＳｉＧｅ層のエッチングにおける圧力の影響について調べるため処理容器１０内の圧力のパラメータを夫々２０、３０及び４０ｍＴ（２．６７、４及び５．３３Ｐａ）に設定してエッチングを行った。エッチングのその他のプロセス条件は、評価用の基板の温度を３０℃、ＣｌＦ_３ガスの流量を１０〜３０ｓｃｃｍ、Ａｒガスの流量を９１〜２８５ｓｃｃｍとし、プロセス時間を２０秒間とした。
［試験例３］
ＣｌＦ_３ガスによるＳｉＧｅ層のエッチングにおけるＣｌＦ_３ガスの流量の影響について調べるためＣｌＦ_３ガスの流量のパラメータを１０、２０及び３０ｓｃｃｍに夫々設定してエッチングを行った。エッチングのその他のプロセス条件は、評価用の基板の温度を３０℃、処理容器の圧力を３０ｍＴ（４Ｐａ）、Ａｒガスの流量を９１〜２８５ｓｃｃｍとし、プロセス時間を２０秒間とした。

各評価用の基板を試験例１〜３に従ってエッチングしたときのエッチング量を試験例１〜３毎に夫々図１２、１４、１６に示す。また試験例１〜３における４種の評価用の基板のエッチング量から算出されたＳｉＧｅ層の他種の層に対する選択比を試験例１〜３毎に夫々図１３、１５、１７に示す。

図１２、１４、１６は図を正面に見て左からＳｉＧｅ層におけるエッチング量、Ｓｉ層におけるエッチング量、ＳｉＯ_２層におけるエッチング量及びＳｉＮ層におけるエッチング量のグラフ群ごとに並べて記載している。またＳｉＧｅ層、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層の各々のグラフ群における各グラフの下方に示した数値は、当該試験例にて変動させた温度、圧力、ＣｌＦ_３ガスの流量の各パラメータの設定値を示している。

また図１３、１５、１７は、図を正面に見て左からＳｉ層に対するＳｉＧｅ層のエッチング選択比、ＳｉＯ_２層に対するＳＩＧｅ層のエッチング選択比及びＳｉＮ層に対するＳＩＧｅ層のエッチング選択比を示すグラフ群ごとに並べて記載している。また各々のグラフ群における各グラフの下方に示した数値は、当該試験例にて変動させた温度、圧力、ＣｌＦ_３ガスの流量の各パラメータの設定値を示している。
なお図１５及び１７中に記載した※は、ＳｉＯ_２層のエッチング量がマイナスの値と測定されたため、選択比が負の値を示した試験を示す。マイナスの値のエッチング量は略０と推測されるため、実質選択比は略無限大であると考えられる。

図１２、１４、１６に示すように処理温度０．１〜６０℃、圧力２０〜４０ｍＴ、ＣｌＦ_３流量１０〜３０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量９１ｓｃｃｍ〜２８５ｓｃｃｍの設定した場合において、いずれもＳｉＧｅ層のエッチング量が大きく、Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層はほとんどエッチングされなかった。そのためＳｉＧｅ層に対するＳｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層エッチング選択比はいずれも５０以上の高い値を示していた。これらのパラメータの設定値において、ＣｌＦ_３ガスにより、ＳｉＧｅ層をＳｉ層、ＳｉＯ_２層及びＳｉＮ層の各々に対して高いエッチング選択比でエッチングすることができると言える。

また本発明の実施の形態の効果を検証するため、図３に示した凹部１０３を形成したウエハＷに対して、図４に示すように自然酸化膜の除去工程を行い、図２に示したエッチング装置３を用い、実施の形態に示すようにＳｉＧｅ層１００のエッチングを行った。なおエッチングにおいては、ＣｌＦ_３ガスの流量を１０〜３０ｓｃｃｍ、ＨＦガスの流量を９１〜２８５ｓｃｃｍ、ウエハＷの温度３０℃、処理容器１０の圧力を３０ｍＴ（４Ｐａ）とした。またＨＦガスに代えてＡｒガスを供給したことを除いて実施例と同様に処理した例を比較例とした。

図１８、図１９は夫々実施例及び比較例におけるウエハＷの表面の様子を模式的に示した説明図である。図１８に示すように実施例では、ＳｉＧｅ層１００のエッチング量が均一に揃っているのに対し、図１９に示すように比較例では、ＳｉＧｅ層１００のエッチング量が揃っていなかった。この結果によればＳｉＧｅ層１００、Ｓｉ層１０１及びＳｉＯ_２層１０２の露出したウエハＷにおけるＳｉＧｅ層１００のエッチングに本発明のエッチング方法を適用することによりＳｉＧｅ層１００のエッチング量を揃えることができると言える。

２ 熱処理装置
３ エッチング装置
４ 載置台
１０ 処理容器
３１ 排気口
３６ ガス導入部
１００ ＳｉＧｅ層
１０１ Ｓｉ層
１０２ ＳｉＯ_２層
１０３ 凹部
１０４ ＨＦガス
１０５ ＣｌＦ_３ガス
Ｗ ウエハ

Claims (8)

1. シリコンゲルマニウム層と、シリコン層、酸化シリコン層及び窒化シリコン層の内の少なくとも一種の層と、が露出した基板におけるシリコンゲルマニウム層をエッチングするエッチング方法において、
   真空雰囲気である処理容器内にて前記基板にフッ素含有ガス及び三フッ化塩素ガスを同時に供給する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記基板は、シリコン層とシリコンゲルマニウム層とが交互に積層され、各層の端面が露出している積層構造体を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記フッ素含有ガスは、フッ化水素ガス、三フッ化窒素ガス、フッ素ガス及び六フッ化硫黄の群から選ばれたガスであることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 三フッ化塩素ガスの流量に対する前記フッ素含有ガスの流量比（フッ素含有ガスの流量／三フッ化塩素ガスの流量）が５以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記工程における基板の温度が０．１〜１００℃であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記工程における処理容器内の圧力が１．３〜６６．７Ｐａであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記工程の前に、基板に処理ガスを供給して基板の表面の自然酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 真空雰囲気である処理容器内にて前記基板にガスを供給して処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
   前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施するためにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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