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JP2018169996A - Display device - Google Patents

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JP2018169996A
JP2018169996A JP2017227229A JP2017227229A JP2018169996A JP 2018169996 A JP2018169996 A JP 2018169996A JP 2017227229 A JP2017227229 A JP 2017227229A JP 2017227229 A JP2017227229 A JP 2017227229A JP 2018169996 A JP2018169996 A JP 2018169996A
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JP
Japan
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hole
conductive layer
main surface
display device
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2017227229A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
義弘 渡辺
Yoshihiro Watanabe
義弘 渡辺
佳克 今関
Yoshikatsu Imazeki
佳克 今関
陽一 上條
Yoichi Kamijo
陽一 上條
修一 大澤
Shuichi Osawa
修一 大澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract

【課題】 信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。【解決手段】 表示装置DSPは、第1絶縁基板10と、第1導電層L1と、を有する第1基板と、第1貫通孔VAを含んだ第2絶縁基板20と、第2導電層と、を有する第2基板と、第1貫通孔VAを通じて第1導電層と第2導電層とを電気的に接続する接続材Cと、を備える。第1平面Pa上において、角度θ1は45°以上である。【選択図】図8PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device having a highly reliable inter-substrate connection part. A display device DSP includes a first substrate having a first insulating substrate 10, a first conductive layer L1, a second insulating substrate 20 including a first through hole VA, a second conductive layer, and a second conductive layer. , And a connecting material C that electrically connects the first conductive layer and the second conductive layer through the first through hole VA. On the first plane Pa, the angle θ1 is 45 ° or more. [Selection] Figure 8

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a display device.

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第1基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第2基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。   In recent years, various techniques for narrowing the frame of a display device have been studied. In one example, a wiring portion having an in-hole connecting portion inside a hole penetrating the inner surface and the outer surface of the resin-made first substrate and a wiring portion provided on the inner surface of the resin-made second substrate are connected between the substrates. A technique of being electrically connected by a unit is disclosed.

特開2002−40465号公報JP 2002-40465 A

本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。   The present embodiment provides a display device having a highly reliable inter-substrate connection.

一実施形態に係る表示装置は、
第1絶縁基板と、第1導電層と、を有する第1基板と、前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離れて位置した第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通した第1貫通孔と、を含んだ第2絶縁基板と、前記第2主面に設けられた第2導電層と、を有する第2基板と、前記第1貫通孔を通じて前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、前記第1貫通孔を通り前記第1主面の法線に平行である仮想の第1平面上において、前記法線に沿って延びた第1直線と、前記第1貫通孔の前記第1主面側の第1開口端と前記第1貫通孔の前記第2主面側の第2開口端とを結ぶ第2直線と、が成す角度は、45°以上である。
A display device according to an embodiment includes:
A first substrate having a first insulating substrate and a first conductive layer; a first main surface facing the first conductive layer and positioned away from the first conductive layer; and the first main surface; Is provided on the second main surface, and includes a second insulating substrate including a second main surface on the opposite side, and a first through hole penetrating between the first main surface and the second main surface. A second substrate having a second conductive layer, and a connecting material for electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer through the first through hole, the first through hole A first straight line extending along the normal and a first main surface side first of the first through hole on a virtual first plane passing through the first parallel to the normal of the first main surface. The angle formed by the second straight line connecting the opening end and the second opening end on the second main surface side of the first through hole is 45 ° or more.

図1は、第1の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment. 図2は、図1に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing a basic configuration and an equivalent circuit of the display panel shown in FIG. 図3は、図1に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a display area of the display panel shown in FIG. 図4は、上記第1の実施形態に係るセンサの一構成例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of the sensor according to the first embodiment. 図5は、図1の線V−Vに沿って示す表示装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device taken along line VV in FIG. 図6は、図5に示した第2導電層及び第2主面を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing the second conductive layer and the second main surface shown in FIG. 図7は、図5に示した接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the connection hole and the second main surface shown in FIG. 図8は、図7の線VIII−VIIIに沿った上記表示パネルを示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line VIII-VIII in FIG. 図9は、上記表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第1貫通孔が形成された第2絶縁基板などを示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a part of the display panel taken with an electron microscope, such as a second insulating substrate in which a first through hole is formed. 図10は、図8に示した上記表示パネルを示す断面図であり、上記接続用孔の形状を説明するための図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing the display panel shown in FIG. 8 for explaining the shape of the connection hole. 図11は、上記第1の実施形態の変形例1に係る接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a connection hole and a second main surface according to Modification 1 of the first embodiment. 図12は、図11の線XII−XIIに沿った表示パネルを示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XII-XII in FIG. 図13は、図11の線XIII−XIIIに沿った上記表示パネルを示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XIII-XIII in FIG. 図14は、上記第1の実施形態の変形例2に係る接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a connection hole and a second main surface according to Modification 2 of the first embodiment. 図15は、図14の線XV−XVに沿った表示パネルを示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XV-XV in FIG. 図16は、上記第1の実施形態の変形例3に係る表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing a part of a display panel according to Modification 3 of the first embodiment. 図17は、上記第1の実施形態の変形例4に係る表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a part of a display panel according to Modification 4 of the first embodiment. 図18は、第2の実施形態に係る表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a part of the display panel according to the second embodiment. 図19は、第3の実施形態に係る接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 19 is a plan view showing a connection hole and a second main surface according to the third embodiment. 図20は、図19の線XX−XXに沿った表示パネルを示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XX-XX in FIG. 図21は、図19の線XXI−XXIに沿った上記表示パネルを示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XXI-XXI in FIG. 図22は、上記第3の実施形態に係る表示装置の製造工程における第2主面を示す平面図であり、第2絶縁基板にレーザ光を照射し第2絶縁基板を部分的に変質させている状態を説明するための図である。FIG. 22 is a plan view showing a second main surface in the manufacturing process of the display device according to the third embodiment, wherein the second insulating substrate is irradiated with laser light to partially alter the second insulating substrate. It is a figure for demonstrating the state which exists. 図23は、図22の線XXIII−XXIIIに沿った表示パネルを示す断面図である。23 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XXIII-XXIII in FIG. 図24は、上記第3の実施形態の変形例1に係る接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 24 is a plan view showing a connection hole and a second main surface according to Modification 1 of the third embodiment. 図25は、図24の線XXIV−XXIVに沿った表示パネルを示す断面図である。25 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line XXIV-XXIV in FIG. 図26は、第4の実施形態に係る接続用孔及び第2主面を示す平面図である。FIG. 26 is a plan view showing a connection hole and a second main surface according to the fourth embodiment. 図27は、図26の線XXVII−XXVIIに沿った表示パネルを示す断面図である。27 is a cross-sectional view of the display panel taken along line XXVII-XXVII in FIG. 図28は、上記第4の実施形態に係る表示装置の製造工程における表示パネルを示す断面図であり、第2絶縁基板にサイズの異なる複数の穴が形成されている状態を説明するための図である。FIG. 28 is a cross-sectional view showing the display panel in the manufacturing process of the display device according to the fourth embodiment, and is a diagram for explaining a state in which a plurality of holes having different sizes are formed in the second insulating substrate. It is. 図29は、図28に続く、上記製造工程における表示パネルを示す断面図であり、表示パネルにレーザ光を照射している状態を説明するための図である。FIG. 29 is a cross-sectional view showing the display panel in the manufacturing process, continued from FIG. 28, and is a view for explaining a state in which the display panel is irradiated with laser light. 図30は、上記第4の実施形態の変形例1に係る表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 30 is a cross-sectional view showing a part of a display panel according to Modification 1 of the fourth embodiment. 図31は、上記第4の実施形態の変形例1に係る表示装置の製造工程における表示パネルを示す断面図であり、表示パネルに接続用孔が形成されている状態を説明するための図である。FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating a display panel in a manufacturing process of a display device according to Modification 1 of the fourth embodiment, and is a diagram for explaining a state in which a connection hole is formed in the display panel. is there. 図32は、上記表示装置の他の構成例を示す平面図である。FIG. 32 is a plan view showing another configuration example of the display device. 図33は、上記表示パネルの一部を示す断面図である。FIG. 33 is a cross-sectional view showing a part of the display panel. 図34は、図33に示した第1導電層及び有機絶縁膜を示す平面図である。FIG. 34 is a plan view showing the first conductive layer and the organic insulating film shown in FIG.

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, for the sake of clarity, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part as compared to the actual embodiment, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.

各実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。各実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。   In each embodiment, the display device can be used in various devices such as a smartphone, a tablet terminal, a mobile phone terminal, a notebook personal computer, and a game machine. The main configuration disclosed in each embodiment includes a self-luminous display device such as a liquid crystal display device and an organic electroluminescence display device, an electronic paper display device having an electrophoretic element, and a micro electro mechanical systems (MEMS). The present invention can be applied to a display device applied or a display device applying electrochromism.

以下に示す各実施形態は、第1絶縁基板と第2絶縁基板とが間隔を空けて配置され、第2絶縁基板が貫通孔を有し、第1絶縁基板に位置する第1導電層と第2絶縁基板に位置する第2導電層とが上記貫通孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置に適用できる。   In each of the embodiments described below, the first insulating substrate and the second insulating substrate are arranged with a space therebetween, the second insulating substrate has a through hole, and the first conductive layer positioned on the first insulating substrate and the second insulating substrate The present invention can be applied to various display devices having an inter-substrate conduction structure in which a second conductive layer located on two insulating substrates is electrically connected through the through hole.

(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1実施形態の表示装置DSPの一例を示す平面図である。第1方向X、第2方向Y及び第3方向Zは、互いに直交しているが、90°以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置DSPの一例として、センサSSを搭載した液晶表示装置について説明する。
(First embodiment)
First, the first embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view illustrating an example of the display device DSP according to the first embodiment. The first direction X, the second direction Y, and the third direction Z are orthogonal to each other, but may intersect at an angle other than 90 °. The first direction X and the second direction Y correspond to the direction parallel to the main surface of the substrate constituting the display device DSP, and the third direction Z corresponds to the thickness direction of the display device DSP. Here, a liquid crystal display device equipped with a sensor SS will be described as an example of the display device DSP.

図1に示すように、表示装置DSPは、表示パネルPNL、ICチップ1、配線基板3、後述するバックライトユニットBLなどを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、シール材SEと、液晶層LCと、を備えている。第2基板SUB2は、第3方向Zにおいて第1基板SUB1に対向している。シール材SEは、図1において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。液晶層LCは、シール材SEの内側において第1基板SUB1と第2基板SUB2との間の空間に位置している。
以下の説明において、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方と称し、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方と称する。また、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かって見ることを平面視と称する。
As shown in FIG. 1, the display device DSP includes a display panel PNL, an IC chip 1, a wiring board 3, a backlight unit BL described later, and the like. The display panel PNL is a liquid crystal display panel, and includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, a sealing material SE, and a liquid crystal layer LC. The second substrate SUB2 faces the first substrate SUB1 in the third direction Z. The seal material SE corresponds to a portion indicated by a diagonal line rising to the right in FIG. 1, and bonds the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The liquid crystal layer LC is located in the space between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 inside the sealing material SE.
In the following description, the direction from the first substrate SUB1 toward the second substrate SUB2 is referred to as “upward”, and the direction from the second substrate SUB2 toward the first substrate SUB1 is referred to as “downward”. Further, viewing from the second substrate SUB2 toward the first substrate SUB1 is referred to as a plan view.

表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの外縁に沿って設けられた非表示領域NDAと、を備えている。表示領域DAは、シール材SEに囲まれた内側に位置している。非表示領域NDAは、表示領域DAを囲む額縁状の領域であり、表示領域DAと隣接している。シール材SEは、非表示領域NDAに位置している。   The display panel PNL includes a display area DA for displaying an image and a non-display area NDA provided along the outer edge of the display area DA. The display area DA is located inside the seal material SE. The non-display area NDA is a frame-shaped area surrounding the display area DA and is adjacent to the display area DA. The sealing material SE is located in the non-display area NDA.

ICチップ1は、配線基板3に実装されている。なお、図1に示す例に限らず、ICチップ1は、第2基板SUB2よりも外側に延出した第1基板SUB1に実装されていてもよいし、配線基板3に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ICチップ1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ディスプレイドライバDDは、例えば、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含んでいてもよい。また、図1に示す例では、ICチップ1は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路RCを内蔵している。なお、検出回路RCは、ICチップ1とは異なる他のICチップに内蔵されていてもよい。   The IC chip 1 is mounted on the wiring board 3. The IC chip 1 may be mounted on the first substrate SUB1 that extends outward from the second substrate SUB2 and is not limited to the example shown in FIG. May be implemented. The IC chip 1 includes, for example, a display driver DD that outputs a signal necessary for displaying an image. The display driver DD may include, for example, at least a part of a signal line driving circuit SD, a scanning line driving circuit GD, and a common electrode driving circuit CD, which will be described later. In the example shown in FIG. 1, the IC chip 1 includes a detection circuit RC that functions as a touch panel controller or the like. The detection circuit RC may be built in another IC chip different from the IC chip 1.

センサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、静電容量型の相互容量方式であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサSSは、複数のセンサ駆動電極Txと複数の検出電極Rx(Rx1,Rx2,Rx3,Rx4…)を備えている。センサ駆動電極Txは後述する。   The sensor SS performs sensing for detecting contact or approach of an object to be detected with the display device DSP. The sensor SS is a capacitance-type mutual capacitance method, and can detect contact or approach of an object to be detected based on a change in capacitance between a pair of electrodes opposed via a dielectric. The sensor SS includes a plurality of sensor drive electrodes Tx and a plurality of detection electrodes Rx (Rx1, Rx2, Rx3, Rx4...). The sensor drive electrode Tx will be described later.

検出電極Rxは、表示領域を横切る本体部RSと、複数の本体部を接続する接続部CNと、を備えている。また、各検出電極Rxは、接続部CNに連結される端子部RT(RT1,RT2,RT3,RT4…)を備えている。   The detection electrode Rx includes a main body RS that crosses the display area and a connection portion CN that connects a plurality of main bodies. Each detection electrode Rx includes a terminal portion RT (RT1, RT2, RT3, RT4...) Connected to the connection portion CN.

本体部RSは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部RSの間には、本体部RSとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。
また、端子部RTの少なくとも一部は、平面視でシール材SEに重なって位置している。端子部RTは、非表示領域NDAの上記一端側又は上記他端側に位置している。
The main body RS has a strip shape formed by an aggregate of fine metal wires formed in a mesh shape. Further, between adjacent main body parts RS, there is a dummy region in which fine metal wires are arranged in substantially the same arrangement as the main body part RS. The fine metal wire in the dummy region is not connected to any wiring and is in an electrically floating state.
Further, at least a part of the terminal portion RT is positioned so as to overlap the sealing material SE in plan view. The terminal portion RT is located on the one end side or the other end side of the non-display area NDA.

第1基板SUB1は、パッドP(P1,P2,P3,P4…)及び配線W(W1,W2,W3,W4…)を備えている。パッドP及び配線Wは、非表示領域NDAの一端側や他端側に位置し、平面視でシール材SEと重なっている。パッドPは、平面視で端子部RTに重なる。配線Wは、パッドPに接続され、配線基板3を介してICチップ1の検出回路RCと電気的に接続されている。   The first substrate SUB1 includes pads P (P1, P2, P3, P4...) And wirings W (W1, W2, W3, W4...). The pad P and the wiring W are located on one end side or the other end side of the non-display area NDA and overlap the seal material SE in plan view. The pad P overlaps the terminal portion RT in plan view. The wiring W is connected to the pad P and is electrically connected to the detection circuit RC of the IC chip 1 through the wiring board 3.

接続用孔V(V1,V2,V3,V4…)は、端子部RTとパッドPとが対向する位置に形成されている。接続用孔については後述する。   The connection holes V (V1, V2, V3, V4...) Are formed at positions where the terminal portions RT and the pads P face each other. The connection hole will be described later.

図2は、図1に示した表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を模式的に示す平面図である。
図2に示すように、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御できる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子SWを含んでいる。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の走査線G(G1〜Gn)、複数の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。
FIG. 2 is a plan view schematically showing a basic configuration and an equivalent circuit of the display panel PNL shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the display panel PNL includes a plurality of pixels PX in the display area DA. Here, the pixel indicates a minimum unit that can be individually controlled according to a pixel signal, and includes, for example, a switching element SW arranged at a position where a scanning line and a signal line, which will be described later, intersect. The plurality of pixels PX are arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y. The display panel PNL includes a plurality of scanning lines G (G1 to Gn), a plurality of signal lines S (S1 to Sm), a common electrode CE, and the like in the display area DA.

走査線G、信号線S及び共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GDに接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。   The scanning line G, the signal line S, and the common electrode CE are each drawn out to the non-display area NDA. In the non-display area NDA, the scanning line G is connected to the scanning line driving circuit GD, the signal line S is connected to the signal line driving circuit SD, and the common electrode CE is connected to the common electrode driving circuit CD.

図3は、表示領域DAにおいて表示装置DSPを第1方向Xに切断した断面図である。図3に示す例では、表示パネルPNLは、主としてX−Y平面に沿う横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、第1基板から第2基板に向かう縦電界や、縦電界と横電界の間の斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device DSP cut in the first direction X in the display area DA. In the example shown in FIG. 3, the display panel PNL has a configuration corresponding to a display mode that mainly uses a horizontal electric field along the XY plane. The display panel PNL has a configuration corresponding to a vertical electric field from the first substrate to the second substrate, an oblique electric field between the vertical electric field and the horizontal electric field, or a display mode using a combination thereof. It may be.

図3に示す如く、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10を備え、その上面(第3主面)に、第1絶縁膜11、信号線S、第2絶縁膜12、共通電極CE、金属層M、第3絶縁膜13、画素電極PE、第1配向膜AL1等がこの順に積層形成されている。なお、図3において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等を省略して図示している。   As shown in FIG. 3, the first substrate SUB1 includes a first insulating substrate 10, and a first insulating film 11, a signal line S, a second insulating film 12, a common electrode CE, and an upper surface (third main surface) thereof. The metal layer M, the third insulating film 13, the pixel electrode PE, the first alignment film AL1, and the like are laminated in this order. In FIG. 3, the switching elements, the scanning lines, various insulating films interposed between these elements are omitted.

第2基板SUB2は、第2絶縁基板20を備え、その下面(第1主面)に、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2等がこの順で積層形成されている。   The second substrate SUB2 includes a second insulating substrate 20, and a light shielding layer BM, a color filter CF, an overcoat layer OC, a second alignment film AL2, and the like are laminated in this order on the lower surface (first main surface). ing.

次に、本実施形態の表示装置DSPに搭載されるセンサSSの一構成例について説明する。
図4に示すように、センサSSは、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxを備えている。図4に示す例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示す部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示す部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。
Next, a configuration example of the sensor SS mounted on the display device DSP of the present embodiment will be described.
As shown in FIG. 4, the sensor SS includes a sensor drive electrode Tx and a detection electrode Rx. In the example shown in FIG. 4, the sensor drive electrode Tx corresponds to the portion indicated by the diagonally downward slanting line and is provided on the first substrate SUB1. Further, the detection electrode Rx corresponds to a portion indicated by a diagonal line rising to the right, and is provided on the second substrate SUB2. The sensor drive electrode Tx and the detection electrode Rx intersect each other in the XY plane.

図4に示す例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。   In the example shown in FIG. 4, the sensor drive electrodes Tx each have a strip shape extending in the second direction Y, and are arranged at intervals in the first direction X.

センサ駆動電極Txの各々は、配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Txは、共通電極CEによって形成される。すなわち、本実施形態では、図4に示す如く共通電極が帯状にパターニングされているのである。センサ駆動電極Txは、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。   Each of the sensor drive electrodes Tx is electrically connected to the common electrode drive circuit CD via the wiring WR. In the present embodiment, the plurality of sensor drive electrodes Tx are formed by the common electrode CE. That is, in this embodiment, the common electrode is patterned in a strip shape as shown in FIG. The sensor drive electrode Tx has a function of generating an electric field with the pixel electrode PE and a function of detecting the position of the detection object by generating a capacitance with the detection electrode Rx. Yes.

共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示期間に、共通電極CEを含むセンサ駆動電極Txに対してコモン信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング期間(タッチ期間)に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。検出電極Rxから出力されたセンサ信号は、図1に示す検出回路RCに入力される。   The common electrode drive circuit CD supplies a common signal to the sensor drive electrode Tx including the common electrode CE during a display period in which an image is displayed in the display area DA. Further, the common electrode drive circuit CD supplies a sensor drive signal to the sensor drive electrode Tx during a sensing period (touch period) in which sensing is performed. As the sensor drive signal is supplied to the sensor drive electrode Tx, the detection electrode Rx outputs a sensor signal necessary for sensing, that is, a signal based on a change in capacitance between the sensor drive electrode Tx and the detection electrode Rx. To do. The sensor signal output from the detection electrode Rx is input to the detection circuit RC shown in FIG.

なお、センサSSは、上記の相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Rx自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。   The sensor SS is not limited to the mutual capacitance sensor described above, and may be a self-capacitance sensor that detects an object to be detected based on a change in capacitance of the detection electrode Rx itself.

次に、前述の接続用孔V(V1,V2,V3,V4…)について説明する。図5は、図1中の線V−Vに沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。
図5に示すように、表示装置DSPは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、有機絶縁膜OIと、接続材Cと、第1偏光板PL1と、第2偏光板PL2と、カバー材CGと、を備えている。第1偏光板PL1は、接着層AD1によって第1基板SUB1に貼着されている。第2偏光板PL2は、接着層AD2によって第2基板SUB2に貼着されている。
Next, the connection holes V (V1, V2, V3, V4...) Will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the display device DSP along the line VV in FIG.
As shown in FIG. 5, the display device DSP includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, an organic insulating film OI, a connecting material C, a first polarizing plate PL1, a second polarizing plate PL2, and a cover. And a material CG. The first polarizing plate PL1 is attached to the first substrate SUB1 with the adhesive layer AD1. The second polarizing plate PL2 is attached to the second substrate SUB2 with the adhesive layer AD2.

第1基板SUB1は、前述の第1絶縁基板10と、第1導電層L1と、を備えている。第1導電層L1は、前述のパッドP(P1,P2,P3,P4…)や配線W(W1,W2,W3,W4…)を含み、第2基板SUB2に対向する第3主面10A側に位置している。第1絶縁基板10とパッドPとの間や、第1絶縁基板10と第2絶縁膜12との間には、図3に示す第1絶縁膜11や、他の絶縁膜や他の導電層が配置されていてもよい。   The first substrate SUB1 includes the above-described first insulating substrate 10 and the first conductive layer L1. The first conductive layer L1 includes the aforementioned pads P (P1, P2, P3, P4...) And wirings W (W1, W2, W3, W4...), And is on the third main surface 10A side facing the second substrate SUB2. Is located. Between the first insulating substrate 10 and the pad P and between the first insulating substrate 10 and the second insulating film 12, the first insulating film 11 shown in FIG. 3, other insulating films, and other conductive layers are provided. May be arranged.

第2基板SUB2は、前述の第2絶縁基板20と、第2導電層L2と、を備えている。第2絶縁基板20の第1主面20Aは、第1導電層L1と対向し、且つ、第1導電層L1から第3方向Zに離れて位置している。第2導電層L2は、前述の検出電極Rxすなわち端子部RT(RT1,RT2,RT3,RT4…)、接続部CN、本体部RSを含んでいる。第2導電層L2は、第2主面20B側に位置し、保護膜PFに覆われている。換言すると、第1絶縁基板10、第1導電層L1、第2絶縁基板20、第2導電層L2及び保護膜PFは、この順に第3方向Zに並んでいる。   The second substrate SUB2 includes the second insulating substrate 20 and the second conductive layer L2. The first main surface 20A of the second insulating substrate 20 faces the first conductive layer L1 and is located away from the first conductive layer L1 in the third direction Z. The second conductive layer L2 includes the detection electrode Rx, that is, the terminal portion RT (RT1, RT2, RT3, RT4...), The connection portion CN, and the main body portion RS. The second conductive layer L2 is located on the second main surface 20B side and is covered with the protective film PF. In other words, the first insulating substrate 10, the first conductive layer L1, the second insulating substrate 20, the second conductive layer L2, and the protective film PF are arranged in the third direction Z in this order.

第1導電層L1と第2絶縁基板20との間には、有機絶縁膜OIが位置している。有機絶縁膜OIに替えて、無機絶縁膜や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第2絶縁基板20と第2導電層L2との間や、第2導電層L2の上に各種絶縁膜や各種導電層が配置されてもよい。   An organic insulating film OI is located between the first conductive layer L1 and the second insulating substrate 20. Instead of the organic insulating film OI, an inorganic insulating film or another conductive layer may be located, or an air layer may be located. Various insulating films and various conductive layers may be disposed between the second insulating substrate 20 and the second conductive layer L2 or on the second conductive layer L2.

例えば、有機絶縁膜OIは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を貼り合わせるシール材SE、第1基板SUB1の第2絶縁膜12、第2基板SUB2の遮光層BM及びオーバーコート層OC等を含む。シール材SEは、第2絶縁膜12とオーバーコート層OCとの間に位置している。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との隙間に設けられ、シール材SEで囲まれている。   For example, the organic insulating film OI includes a sealing material SE for bonding the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, the second insulating film 12 of the first substrate SUB1, the light shielding layer BM and the overcoat layer OC of the second substrate SUB2. Including. The sealing material SE is located between the second insulating film 12 and the overcoat layer OC. The liquid crystal layer LC is provided in the gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is surrounded by the sealing material SE.

なお、第2絶縁膜12とシール材SEとの間には、図3に示した金属層M、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1が介在していてもよい。オーバーコート層OCとシール材SEとの間には、図3に示した第2配向膜AL2が介在していてもよい。   Note that the metal layer M, the third insulating film 13, and the first alignment film AL1 shown in FIG. 3 may be interposed between the second insulating film 12 and the sealing material SE. The second alignment film AL2 shown in FIG. 3 may be interposed between the overcoat layer OC and the sealing material SE.

第1及び第2絶縁基板10,20は、例えば無アルカリガラス又は透明樹脂によって形成されている。保護膜PFは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第1及び第2導電層L1,L2は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、インジウムガリウム酸化物(IGO)等の透明な導電材料等によって形成されている。第1及び第2導電層L1,L2は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。   The first and second insulating substrates 10 and 20 are made of non-alkali glass or transparent resin, for example. The protective film PF is formed of, for example, an organic insulating material such as an acrylic resin. The first and second conductive layers L1 and L2 are, for example, metal materials such as molybdenum, tungsten, titanium, aluminum, silver, copper, and chromium, alloys containing these metal materials, indium tin oxide (ITO), It is made of a transparent conductive material such as indium zinc oxide (IZO) or indium gallium oxide (IGO). The first and second conductive layers L1 and L2 may have a single layer structure or a multilayer structure.

第2基板SUB2には、非表示領域NDAにおいて第2絶縁基板20を貫通する第1貫通孔VAが形成されている。第1貫通孔VAは、第1主面20Aと、第2主面20Bとの間を貫通している。なお、図5に示す例では、第1貫通孔VAと重なる位置に第2導電層L2は存在していない。   In the second substrate SUB2, a first through hole VA penetrating the second insulating substrate 20 in the non-display area NDA is formed. The first through hole VA penetrates between the first main surface 20A and the second main surface 20B. In the example shown in FIG. 5, the second conductive layer L2 does not exist at a position overlapping the first through hole VA.

表示装置DSPは、第1貫通孔VAに加え、各有機絶縁膜OIを貫通する第2貫通孔VBを有している。第1貫通孔VA及び第2貫通孔VBは、互いに連通しており、前述の接続用孔Vを構成する。本実施形態と異なり、接続用孔Vは、第1導電層L1を貫通する貫通孔、及び第1絶縁基板10に形成された凹部をさらに有していてもよい。   The display device DSP has a second through hole VB penetrating each organic insulating film OI in addition to the first through hole VA. The first through hole VA and the second through hole VB are in communication with each other and form the connection hole V described above. Unlike the present embodiment, the connection hole V may further include a through-hole penetrating the first conductive layer L <b> 1 and a recess formed in the first insulating substrate 10.

第2貫通孔VBは、第2絶縁膜12を貫通する貫通孔、シール材SEを貫通する貫通孔、遮光層BM及びオーバーコート層OCを貫通する貫通孔などを含んでいる。第1導電層L1は、第2貫通孔VBにおいて、有機絶縁膜OIで覆われていない上面LT1を有している。   The second through hole VB includes a through hole that penetrates the second insulating film 12, a through hole that penetrates the sealing material SE, a through hole that penetrates the light shielding layer BM and the overcoat layer OC, and the like. The first conductive layer L1 has an upper surface LT1 that is not covered with the organic insulating film OI in the second through hole VB.

第2貫通孔VBは、第1貫通孔VAの直下に位置している。このような接続用孔Vは、第2基板SUB2の上方からのレーザ光の照射と、エッチングとにより、形成することができる。第2貫通孔VBが設けられた各種有機絶縁膜OIは、第1貫通孔VAが設けられた第2絶縁基板20と比較して、エッチングされやすい材料で形成されていてもよい。   The second through hole VB is located immediately below the first through hole VA. Such a connection hole V can be formed by laser beam irradiation from above the second substrate SUB2 and etching. The various organic insulating films OI provided with the second through holes VB may be formed of a material that is more easily etched than the second insulating substrate 20 provided with the first through holes VA.

接続用孔Vには、接続材Cが配置されている。接続材Cと、接続用孔Vが形成された各層、すなわち第1基板SUB1、第2基板SUB2及び有機絶縁膜OIとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Cは、例えば銀等の金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。
なお、接続用孔Vの表面に付着している接続材Cは、溶剤は蒸発しており、実質的には金属材料のみが付着していると考えてよい。
A connecting material C is disposed in the connecting hole V. The connection material C and the layers in which the connection holes V are formed, that is, the first substrate SUB1, the second substrate SUB2, and the organic insulating film OI form the inter-substrate conduction structure according to the present embodiment. The connecting material C preferably contains a metal material such as silver, for example, and contains a mixture of fine particles having a particle size of the order of several nanometers to several tens of nanometers in a solvent.
In addition, as for the connection material C adhering to the surface of the connection hole V, it may be considered that the solvent has evaporated and substantially only the metal material has adhered.

接続材Cは、接続用孔Vを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第1導電層L1と第2導電層L2とを電気的に接続している。接続材Cは、接続用孔Vの内部及び外部に位置している。接続材Cは、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20I、第2貫通孔VBにおける有機絶縁膜OIの内周面などを覆っている。また、接続材Cは、第2主面20Bの上方に位置している。   The connection material C electrically connects the first conductive layer L1 and the second conductive layer L2 provided on different substrates through the connection holes V, respectively. The connection material C is located inside and outside the connection hole V. The connecting material C covers the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA, the inner peripheral surface of the organic insulating film OI in the second through hole VB, and the like. Further, the connecting material C is located above the second main surface 20B.

図5に示す例では、接続材Cと第1導電層L1との関係に注目すると、接続材Cは、第2貫通孔VBにおけるパッドPの上面LT1に接触している。接続材Cと第2導電層L2との関係に注目すると、接続材Cは、後述の第1凸条部R1の内周面R11、上面R12、及び外周面R13と、第3凸条部R3の内周面R31と、にそれぞれ接触している。   In the example shown in FIG. 5, paying attention to the relationship between the connecting material C and the first conductive layer L1, the connecting material C is in contact with the upper surface LT1 of the pad P in the second through hole VB. When attention is paid to the relationship between the connecting material C and the second conductive layer L2, the connecting material C includes an inner peripheral surface R11, an upper surface R12, an outer peripheral surface R13, and a third convex portion R3 of the first convex portion R1, which will be described later. Are in contact with the inner circumferential surface R31.

図5に示す例では、接続材Cは、第1貫通孔VA、及び第2貫通孔VBの内周面にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続材Cが充填されていない。より具体的には、接続材は、これらの内周面を皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。
貫通孔の中空部分を埋めるべく、貫通孔は充填材FIで満たされている。充填材FIは、例えば保護膜PFと同様の材料によって形成されている。なお、接続材Cは、貫通孔を埋め尽くしていてもよい。
In the example shown in FIG. 5, the connection material C is in contact with the inner peripheral surfaces of the first through hole VA and the second through hole VB, respectively, but the connection material C is not filled in the vicinity of the center thereof. . More specifically, the connecting material only covers these inner peripheral surfaces in the form of a film, and the layer thickness is thin.
In order to fill the hollow part of the through hole, the through hole is filled with the filler FI. The filler FI is formed of the same material as that of the protective film PF, for example. The connecting material C may fill up the through hole.

接続材Cは、第1導電層L1と第2導電層L2との間において連続的に形成されている。これにより、第2導電層L2は、接続材C及び第1導電層L1を介して前述の配線基板3と電気的に接続される。そのため、第2導電層L2に対して信号を書き込んだり、第2導電層L2から出力された信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板3を介して第2導電層L2と接続可能になる。したがって、第2導電層L2と制御回路とを接続するために、第2基板SUB2用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。   The connecting material C is continuously formed between the first conductive layer L1 and the second conductive layer L2. As a result, the second conductive layer L2 is electrically connected to the above-described wiring substrate 3 via the connecting material C and the first conductive layer L1. Therefore, a control circuit for writing a signal to the second conductive layer L2 and reading a signal output from the second conductive layer L2 can be connected to the second conductive layer L2 via the wiring board 3. Therefore, it is not necessary to separately provide a wiring substrate for the second substrate SUB2 in order to connect the second conductive layer L2 and the control circuit.

カバー材CGは、平型であり、表示領域DA及び非表示領域NDAにわたって形成され、表示パネルPNLの全面を覆っている。カバー材CGの表示パネルPNLと対向する側の面には、遮光層SHが形成されている。遮光層SHは、非表示領域NDAに設けられている。遮光層SHは、接続用孔V、接続材Cなどを覆っている。
カバー材CGは、接着層ALにより第2偏光板PL2に接合されている。例えば、接着層ALは、光学用透明樹脂(OCR:Optically Clear Resin)で形成されている。接着層ALは、全域にわたって略均一な厚みを有している。
The cover material CG is a flat type, is formed over the display area DA and the non-display area NDA, and covers the entire surface of the display panel PNL. A light shielding layer SH is formed on the surface of the cover material CG facing the display panel PNL. The light shielding layer SH is provided in the non-display area NDA. The light shielding layer SH covers the connection hole V, the connection material C, and the like.
The cover material CG is bonded to the second polarizing plate PL2 by the adhesive layer AL. For example, the adhesive layer AL is formed of an optical transparent resin (OCR: Optically Clear Resin). The adhesive layer AL has a substantially uniform thickness over the entire area.

次に、本実施形態の第2導電層L2(端子部RT)について、説明する。図6は、本実施形態に係る端子部RT(RT1,RT2,RT3,RT4…)をカバー材CG側から見た平面図である。
図6に示すように、端子部RTは、接続用孔の中心を同心とした第1凸条部R1と、第2凸条部R2と、第3凸条部R3と、第4凸条部R4と、第5凸条部R5とを備えている。これら凸条部R1〜R5は、接続用孔Vに注入される接続材Cや充填剤FIの流れ止めとして機能する。
Next, the second conductive layer L2 (terminal portion RT) of this embodiment will be described. FIG. 6 is a plan view of the terminal portion RT (RT1, RT2, RT3, RT4...) According to the present embodiment as viewed from the cover material CG side.
As shown in FIG. 6, the terminal portion RT includes a first ridge portion R1, a second ridge portion R2, a third ridge portion R3, and a fourth ridge portion that are concentric with the center of the connection hole. R4 and 5th protruding item | line part R5 are provided. These ridges R1 to R5 function as a flow stop for the connection material C and the filler FI injected into the connection hole V.

図7に示すように、接続用孔Vは、第2開口端OP2と第3開口端OP3とを有している。第2開口端OP2は、接続用孔V(第1貫通孔VA)の第2主面20B側に位置している。第3開口端OP3は、接続用孔Vの第1絶縁基板10側に位置している。接続用孔Vのうち第1貫通孔VAに注目すると、第1貫通孔VAは、上記第2開口端OP2と第1開口端OP1とを有している。第1開口端OP1は、第1貫通孔VAの第1主面20A側に位置している。図7に示す例では、第1開口端OP1、第2開口端OP2及び第3開口端OP3は、平面視でそれぞれ真円形であり、同じ中心CENをもつ同心円である。   As shown in FIG. 7, the connection hole V has a second opening end OP2 and a third opening end OP3. The second opening end OP2 is located on the second main surface 20B side of the connection hole V (first through hole VA). The third opening end OP3 is located on the first insulating substrate 10 side of the connection hole V. When attention is paid to the first through hole VA in the connection hole V, the first through hole VA has the second opening end OP2 and the first opening end OP1. The first opening end OP1 is located on the first main surface 20A side of the first through hole VA. In the example shown in FIG. 7, the first opening end OP1, the second opening end OP2, and the third opening end OP3 are each a perfect circle in a plan view and are concentric circles having the same center CEN.

図8は、図7の線VIII−VIIIに沿った上記表示パネルを示す断面図である。なお、図8は、接続用孔V(第1貫通孔VA)を通る仮想の第1平面Pa上の断面である。本実施形態において、第1平面Paは、接続用孔Vの中心CENを通り、表示領域DAの外縁EOのうち接続用孔Vと対向する側縁ESに平行である。換言すると、第1平面Paは、第2方向Y及び第3方向Z(第1主面20Aの法線に平行な方向)で規定されるY−Z平面に平行である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing the display panel taken along line VIII-VIII in FIG. FIG. 8 is a cross section on a virtual first plane Pa passing through the connection hole V (first through hole VA). In the present embodiment, the first plane Pa passes through the center CEN of the connection hole V and is parallel to the side edge ES facing the connection hole V in the outer edge EO of the display area DA. In other words, the first plane Pa is parallel to the YZ plane defined by the second direction Y and the third direction Z (direction parallel to the normal line of the first main surface 20A).

図8に示すように、第1貫通孔VAを通り第1主面20Aの法線に平行である仮想の第1平面Pa上において、第1直線Ls1と第2直線Ls2とが成す角度θ1は、45°以上である。なお、45°≦θ1<90°である。ここで、第1直線Ls1は上記法線に沿って延びている。第2直線Ls2は、第1貫通孔VAの第1開口端OP1と第2開口端OP2とを結んでいる。本実施形態では、第1平面Pa上において、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iの全ての接線の各々と、第1直線Ls1と、が成す角度は、45°以上である。   As shown in FIG. 8, on the virtual first plane Pa that passes through the first through hole VA and is parallel to the normal line of the first main surface 20A, the angle θ1 formed by the first straight line Ls1 and the second straight line Ls2 is 45 ° or more. Note that 45 ° ≦ θ1 <90 °. Here, the first straight line Ls1 extends along the normal line. The second straight line Ls2 connects the first opening end OP1 and the second opening end OP2 of the first through hole VA. In the present embodiment, on the first plane Pa, an angle formed by each of all tangents of the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA and the first straight line Ls1 is 45 ° or more. It is.

また、第1平面Pa上において、第2主面20Bと第2直線Ls2とが第2絶縁基板20の内部側で成す角度θ2は、135°以上である。なお、135°≦θ2<180°である。ここでは、中心CENより左側の領域における角度θ1,θ2を代表して説明した。本実施形態において、角度θ1,θ2は、中心CENより左側の領域と中心CENより右側の領域とで同様である。   In addition, on the first plane Pa, the angle θ2 formed by the second main surface 20B and the second straight line Ls2 on the inner side of the second insulating substrate 20 is 135 ° or more. Note that 135 ° ≦ θ2 <180 °. Here, the angles θ1 and θ2 in the region on the left side of the center CEN have been described as a representative. In the present embodiment, the angles θ1 and θ2 are the same in the region on the left side from the center CEN and the region on the right side from the center CEN.

次に、第1貫通孔VAの幅と、第2絶縁基板20の厚みとに注目する。第1平面Pa上において、第1貫通孔VAの第1開口端OP1の幅を第1幅WI1、第1貫通孔VAの第2開口端OP2の幅を第2幅WI2、第2絶縁基板20の第3方向Zの厚みを第1厚みT1とする。本実施形態において、(WI2−WI1)/2≧T1である。また、本実施形態において、内周面20Iの傾斜は、中心CENに関して左右対称である。   Next, attention is paid to the width of the first through hole VA and the thickness of the second insulating substrate 20. On the first plane Pa, the width of the first opening end OP1 of the first through hole VA is the first width WI1, the width of the second opening end OP2 of the first through hole VA is the second width WI2, and the second insulating substrate 20 is. The thickness in the third direction Z is defined as a first thickness T1. In the present embodiment, (WI2−WI1) / 2 ≧ T1. In the present embodiment, the inclination of the inner peripheral surface 20I is symmetrical with respect to the center CEN.

ここで、本願発明者等は、本実施形態に係る表示パネルPNLを作成し、角度θ1について調査した。図9は、上記表示パネルPNLの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第1貫通孔VAが形成された第2絶縁基板20などを示す断面図である。
図9に基づいて角度θ1を調査した結果、45°≦θ1となる結果が得られた。
Here, the inventors of the present application created the display panel PNL according to the present embodiment and investigated the angle θ1. FIG. 9 is a view obtained by photographing a part of the display panel PNL with an electron microscope, and is a cross-sectional view showing the second insulating substrate 20 and the like in which the first through holes VA are formed.
As a result of investigating the angle θ1 based on FIG. 9, a result satisfying 45 ° ≦ θ1 was obtained.

次に、第1貫通孔VA及び第2貫通孔VBを含む接続用孔Vの全体に注目する。図10は、図8に示した上記表示パネルPNLを示す断面図であり、上記接続用孔Vの形状を説明するための図である。
図10に示すように、第1平面Pa上において、第1直線Ls1と第3直線Ls3とが成す角度θ3は、45°以上である。なお、45°≦θ3<90°である。ここで、第3直線Ls3は、接続用孔Vの第1絶縁基板10側の第3開口端OP3と第2開口端OP2とを結んでいる。本実施形態では、第1平面Pa上において、接続用孔Vにおける第2絶縁基板20の内周面20I及び有機絶縁膜OIの内周面OIIの全ての接線の各々と、第1直線Ls1と、が成す角度は、45°以上である。
Next, attention is focused on the entire connection hole V including the first through hole VA and the second through hole VB. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the display panel PNL shown in FIG. 8, and is a view for explaining the shape of the connection hole V. As shown in FIG.
As shown in FIG. 10, on the first plane Pa, the angle θ3 formed by the first straight line Ls1 and the third straight line Ls3 is 45 ° or more. Note that 45 ° ≦ θ3 <90 °. Here, the third straight line Ls3 connects the third opening end OP3 and the second opening end OP2 of the connection hole V on the first insulating substrate 10 side. In the present embodiment, on the first plane Pa, each of all tangents of the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 and the inner peripheral surface OII of the organic insulating film OI in the connection hole V, and the first straight line Ls1 The angle formed by, is 45 ° or more.

また、第1平面Pa上において、第2主面20Bと第3直線Ls3とが第2絶縁基板20の内部側で成す角度θ4は、135°以上である。なお、135°≦θ4<180°である。ここでは、中心CENより左側の領域における角度θ3,θ4を代表して説明した。本実施形態において、角度θ3,θ4は、中心CENより左側の領域と中心CENより右側の領域とで同様である。   In addition, on the first plane Pa, the angle θ4 formed by the second main surface 20B and the third straight line Ls3 on the inner side of the second insulating substrate 20 is 135 ° or more. Note that 135 ° ≦ θ4 <180 °. Here, the angles θ3 and θ4 in the region on the left side of the center CEN have been described as a representative. In the present embodiment, the angles θ3 and θ4 are the same in the region on the left side from the center CEN and the region on the right side from the center CEN.

次に、接続用孔Vの幅と、第2絶縁基板20及び有機絶縁膜OIの厚みの合計とに注目する。第1平面Pa上において、接続用孔Vの第1絶縁基板10側の幅を第3幅WI3、第2絶縁基板20及び有機絶縁膜OIの第3方向Zの厚みの合計を第2厚みT2とする。ここで、第2厚みT2は、接続用孔Vの第3方向Zの高さであり、パッドPの上面LT1から第2主面20Bまでの第3方向Zの距離である。なお、接続用孔Vの第2開口端OP2の幅は第2幅WI2である。本実施形態において、(WI2−WI3)/2≧T2である。また、本実施形態において、内周面20I,OIIの傾斜は、中心CENに関して左右対称である。   Next, attention is focused on the width of the connection hole V and the total thickness of the second insulating substrate 20 and the organic insulating film OI. On the first plane Pa, the width of the connection hole V on the first insulating substrate 10 side is the third width WI3, and the total thickness of the second insulating substrate 20 and the organic insulating film OI in the third direction Z is the second thickness T2. And Here, the second thickness T2 is the height of the connection hole V in the third direction Z, and is the distance in the third direction Z from the upper surface LT1 of the pad P to the second main surface 20B. The width of the second opening end OP2 of the connection hole V is the second width WI2. In the present embodiment, (WI2−WI3) / 2 ≧ T2. In the present embodiment, the inclination of the inner peripheral surfaces 20I and OII is symmetrical with respect to the center CEN.

上記のように構成された第1の実施形態に係る表示装置DSPによれば、接続用孔において、45°≦θ1であり、第2絶縁基板20の内周面20Iをなだらかなスロープにすることができる。45°≦θ1である場合、45°>θ1である場合と比較して、内周面20Iへの接続材Cの良好なつきまわり性を得ることができる。これにより、第1導電層L1と第2導電層L2とを接続材Cで良好に導通させることができる。
上記のことから、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置DSPを得ることができる。
According to the display device DSP according to the first embodiment configured as described above, in the connection hole, 45 ° ≦ θ1, and the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 has a gentle slope. Can do. In the case of 45 ° ≦ θ1, a better throwing power of the connecting material C to the inner peripheral surface 20I can be obtained as compared with the case of 45 °> θ1. Thereby, the 1st conductive layer L1 and the 2nd conductive layer L2 can be favorably connected with the connection material C.
From the above, a display device DSP having a highly reliable inter-substrate connection can be obtained.

(第1の実施形態の変形例1)
次に、上記第1の実施形態の変形例1について説明する。
図11に示すように、本変形例1では、第2開口端OP2の形状に関して上記第1の実施形態と相違している。平面視において、第2開口端OP2は楕円形であり、長軸AXを有している。長軸AXは、表示領域DAの側縁ESに平行である。長軸AXが第1方向Xに平行となる場合と比較して表示パネルPNLの非表示領域NDA、特に、接続用孔Vが設けられる端辺の幅を縮小できる。これにより、狭額縁化が可能となる。
なお、長軸AXは、第2方向Yに平行でなくともよく、例えば第1方向Xに平行であってもよい。
(Modification 1 of the first embodiment)
Next, Modification 1 of the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 11, the first modification is different from the first embodiment with respect to the shape of the second opening end OP2. In plan view, the second opening end OP2 is elliptical and has a long axis AX. The long axis AX is parallel to the side edge ES of the display area DA. Compared to the case where the long axis AX is parallel to the first direction X, the non-display area NDA of the display panel PNL, in particular, the width of the end where the connection hole V is provided can be reduced. As a result, the frame can be narrowed.
The long axis AX may not be parallel to the second direction Y, and may be parallel to the first direction X, for example.

図12に示すように、第1貫通孔VAを通り第1主面20Aの法線に平行である仮想の第1平面Pa上において、角度θ1は45°以上である。本変形例1では、第1平面Pa上において、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iの全ての接線の各々と、第1直線Ls1と、が成す角度は、45°以上である。また、第1平面Pa上において、角度θ2は135°以上である。本実施形態において、角度θ1,θ2は、中心CENより左側の領域と中心CENより右側の領域とで同様である。
第1平面Pa上において、第1貫通孔VAの第1開口端OP1の幅を第1幅WI1a、第1貫通孔VAの第2開口端OP2の幅を第2幅WI2aとする。本変形例1において、(WI2a−WI1a)/2≧T1である。
As shown in FIG. 12, on the virtual first plane Pa that passes through the first through hole VA and is parallel to the normal line of the first main surface 20A, the angle θ1 is 45 ° or more. In the first modification, on the first plane Pa, the angle formed by each of all tangents of the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA and the first straight line Ls1 is 45 °. That's it. Further, the angle θ2 is 135 ° or more on the first plane Pa. In the present embodiment, the angles θ1 and θ2 are the same in the region on the left side from the center CEN and the region on the right side from the center CEN.
On the first plane Pa, the width of the first opening end OP1 of the first through hole VA is defined as a first width WI1a, and the width of the second opening end OP2 of the first through hole VA is defined as a second width WI2a. In the first modification, (WI2a−WI1a) / 2 ≧ T1.

図13に示すように、一方、第1貫通孔VAを通り第1平面Paに直交し第1主面20Aの法線に平行である仮想の第2平面Pb上において、角度θ1は45°未満である。本変形例1では、第2平面Pb上において、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iの全ての接線の各々と、第1直線Ls1と、が成す角度は、45°未満である。また、第2平面Pb上において、角度θ2は135°未満である。
第2平面Pb上において、第1貫通孔VAの第1開口端OP1の幅を第1幅WI1b、第1貫通孔VAの第2開口端OP2の幅を第2幅WI2bとする。本変形例1において、(WI2b−WI1b)/2<T1である。
本変形例1においても、45°≦θ1となる第1平面Paが存在している。このため、本変形例1においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIG. 13, on the other hand, on the virtual second plane Pb that passes through the first through hole VA and is orthogonal to the first plane Pa and parallel to the normal line of the first main surface 20A, the angle θ1 is less than 45 °. It is. In the first modification, on the second plane Pb, the angle formed by each of all tangents of the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA and the first straight line Ls1 is 45 °. Is less than. Further, the angle θ2 is less than 135 ° on the second plane Pb.
On the second plane Pb, the width of the first opening end OP1 of the first through hole VA is defined as a first width WI1b, and the width of the second opening end OP2 of the first through hole VA is defined as a second width WI2b. In the first modification, (WI2b−WI1b) / 2 <T1.
Also in the first modification, there is a first plane Pa that satisfies 45 ° ≦ θ1. For this reason, also in this modification 1, the effect similar to the said 1st Embodiment can be acquired.

(第1の実施形態の変形例2)
次に、上記第1の実施形態の変形例2について説明する。
図14に示すように、本変形例2では、第2開口端OP2の形状に関して上記第1の実施形態と相違している。第2開口端OP2は側縁ESに平行な長軸AXを有している。第1平面Pa上において、第2方向Yにおける第1開口端OP1から第2開口端OP2までの距離は同一ではない。
(Modification 2 of the first embodiment)
Next, Modification 2 of the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 14, the second modification is different from the first embodiment with respect to the shape of the second opening end OP2. The second opening end OP2 has a long axis AX parallel to the side edge ES. On the first plane Pa, the distance from the first opening end OP1 to the second opening end OP2 in the second direction Y is not the same.

図15に示すように、角度θ1のうち、左側の角度をθ1L、右側の角度をθ1Rとする。第1平面Pa上において、角度θ1Lは45°以上であり、角度θ1Rは45°未満である。また、角度θ2のうち、左側の角度をθ2L、右側の角度をθ2Rとする。第1平面Pa上において、角度θ2Lは135°以上であり、角度θ2Rは135°未満である。
本変形例2においても、45°≦θ1Lとなる第1平面Paが存在している。このため、本変形例2においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIG. 15, among the angles θ1, the left angle is θ1L and the right angle is θ1R. On the first plane Pa, the angle θ1L is 45 ° or more, and the angle θ1R is less than 45 °. Of the angles θ2, the left angle is θ2L and the right angle is θ2R. On the first plane Pa, the angle θ2L is 135 ° or more, and the angle θ2R is less than 135 °.
Also in the second modification, there is a first plane Pa that satisfies 45 ° ≦ θ1L. For this reason, also in this modification 2, the same effect as the first embodiment can be obtained.

(第1の実施形態の変形例3)
次に、上記第1の実施形態の変形例3について説明する。
図16に示すように、本変形例3では、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iに関して上記第1の実施形態と相違している。第1平面Pa上において、内周面20Iは、第2直線Ls2より第2主面20B側に突出している。本変形例3において、内周面20Iの全体が、第2直線Ls2より第2主面20B側に突出している。
(Modification 3 of the first embodiment)
Next, Modification 3 of the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 16, the third modification is different from the first embodiment with respect to the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA. On the first plane Pa, the inner peripheral surface 20I protrudes from the second straight line Ls2 toward the second main surface 20B. In the third modification, the entire inner peripheral surface 20I protrudes from the second straight line Ls2 toward the second main surface 20B.

内周面20Iは、連続した第1内周面20I1及び第2内周面20I2を有している。第1内周面20I1は、第1主面20A側に設けられている。第2内周面20I2は、第1内周面20I1より第2主面20B側に設けられ、第1内周面20I1より緩やかな傾斜を有している。なお、本変形例3においても、45°≦θ1であり、135°≦θ2である。   The inner peripheral surface 20I has a continuous first inner peripheral surface 20I1 and second inner peripheral surface 20I2. The first inner peripheral surface 20I1 is provided on the first main surface 20A side. The second inner peripheral surface 20I2 is provided closer to the second main surface 20B than the first inner peripheral surface 20I1, and has a gentler slope than the first inner peripheral surface 20I1. In the third modification, 45 ° ≦ θ1 and 135 ° ≦ θ2.

本変形例3においても、45°≦θ1となる第1平面Paが存在している。このため、本変形例3においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
内周面20Iは、第2直線Ls2より第2主面20B側に突出している。内周面20Iが第2直線Ls2より第1主面20A側に凹んでいる場合と比較して、内周面20Iへの接続材Cの付着性を向上させることができる。
第1内周面20I1及び第2内周面20I2のうち、傾斜の緩やかな方である第2内周面20I2が第2主面20B側に位置している。第2内周面20I2の傾斜より第1内周面20I1の傾斜の方が緩やかである場合と比較して、内周面20Iへの接続材Cの付着性を向上させることができる。特に、接続材Cは注入直後から重力により第1基板SUB1側に溜まりやすい。本実施例の如く第2基板SUB2側を緩斜面に形成することで、特に第2基板SUB2側における接続材Cの付着性を向上させることができるのである。
Also in the third modification, there exists a first plane Pa that satisfies 45 ° ≦ θ1. For this reason, also in this modification 3, the effect similar to the said 1st Embodiment can be acquired.
The inner peripheral surface 20I protrudes from the second straight line Ls2 toward the second main surface 20B. Compared with the case where the inner peripheral surface 20I is recessed toward the first main surface 20A from the second straight line Ls2, the adhesion of the connecting material C to the inner peripheral surface 20I can be improved.
Of the first inner peripheral surface 20I1 and the second inner peripheral surface 20I2, the second inner peripheral surface 20I2 that has a gentler inclination is located on the second main surface 20B side. Compared with the case where the inclination of the first inner peripheral surface 20I1 is gentler than the inclination of the second inner peripheral surface 20I2, the adhesion of the connecting material C to the inner peripheral surface 20I can be improved. In particular, the connecting material C tends to accumulate on the first substrate SUB1 side by gravity immediately after injection. By forming the second substrate SUB2 side on a gentle slope as in this embodiment, it is possible to improve the adhesion of the connecting material C particularly on the second substrate SUB2 side.

(第1の実施形態の変形例4)
次に、上記第1の実施形態の変形例4について説明する。
図17に示すように、本変形例4では、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iに関して上記第1の実施形態と相違している。第1平面Pa上において、内周面20Iは、第2主面20B側に凸の曲面であり、第2直線Ls2より第2主面20B側に突出している。なお、本変形例4においても、45°≦θ1であり、135°≦θ2である。
(Modification 4 of the first embodiment)
Next, a fourth modification of the first embodiment will be described.
As shown in FIG. 17, the fourth modification is different from the first embodiment with respect to the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA. On the first plane Pa, the inner peripheral surface 20I is a curved surface convex toward the second main surface 20B, and protrudes toward the second main surface 20B from the second straight line Ls2. In the fourth modification as well, 45 ° ≦ θ1 and 135 ° ≦ θ2.

本変形例4においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。内周面20Iの傾斜は、第1主面20A側より第2主面20B側の方が緩やかである。このため、本変形例4においても、特に第2基板側SUBにおける接続材Cの付着性を向上させることができる。   Also in the fourth modification, the same effect as in the first embodiment can be obtained. The inclination of the inner peripheral surface 20I is gentler on the second main surface 20B side than on the first main surface 20A side. For this reason, also in this modification 4, the adhesiveness of the connection material C in the 2nd board | substrate side SUB can be improved especially.

(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態の表示装置DSPでは、第2導電層L2と接続材Cとが一体に形成されている点で、上記第1の実施形態と相違している。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. The display device DSP of the second embodiment is different from the first embodiment in that the second conductive layer L2 and the connecting material C are integrally formed.

図18に示すように、第2導電層L2と接続材Cとは、同一材料にて一体に形成され、導電層CLを形成している。導電層CLは、金属で形成されている。導電層CLは、第2主面20Bの上方に形成され、接続用孔Vを通って第1導電層L1にコンタクトしている。本実施形態において、導電層CLは、第2主面20B、内周面20I、内周面OII、及び上面LT1に接している。導電層CLは、表示領域DAにて本体部RSとして機能し、非表示領域NDAにて端子部RTとして機能し、接続用孔Vの内部にて接続材Cとして機能している。   As shown in FIG. 18, the second conductive layer L2 and the connecting material C are integrally formed of the same material to form a conductive layer CL. The conductive layer CL is made of metal. The conductive layer CL is formed above the second major surface 20B and is in contact with the first conductive layer L1 through the connection hole V. In the present embodiment, the conductive layer CL is in contact with the second main surface 20B, the inner peripheral surface 20I, the inner peripheral surface OII, and the upper surface LT1. The conductive layer CL functions as the main body portion RS in the display area DA, functions as the terminal portion RT in the non-display area NDA, and functions as the connection material C inside the connection hole V.

上記の導電層CLを形成する際、第2主面20Bの上及び接続用孔Vの内部に金属膜を形成し、続いて金属膜の上にレジスト膜を形成する。次いで、レジスト膜を利用してレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクを利用して上記金属膜をパターニングし、続いてレジストマスクを除去する。   When the conductive layer CL is formed, a metal film is formed on the second main surface 20B and in the connection hole V, and then a resist film is formed on the metal film. Next, a resist mask is formed using the resist film. Thereafter, the metal film is patterned using a resist mask, and then the resist mask is removed.

上記のように構成された第2の実施形態に係る表示装置DSPにおいても、45°≦θ1である。第2の実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、表示装置DSPは上記のような角度θ1を有しているため、走査線Gや信号線Sを形成するためプロセスと同様のプロセスを使用して導電層CLを形成することができる。第1の実施形態と比較して、第2導電層L2と接続材Cとの接触抵抗値に関する懸念を排除することができる。
Also in the display device DSP according to the second embodiment configured as described above, 45 ° ≦ θ1. Also in the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
Further, since the display device DSP has the angle θ1 as described above, the conductive layer CL can be formed using a process similar to the process for forming the scanning lines G and the signal lines S. Compared with the first embodiment, concerns regarding the contact resistance value between the second conductive layer L2 and the connecting material C can be eliminated.

導電層CLは、第2主面20Bから最も離れた側に反射防止層を有し、反射防止層が導電層CLの最表面を形成していてもよい。導電層CLにおける外光反射を低減することができる。
その他、本実施形態では、第2導電層L2及び接続材Cを同時に形成することができるため、製造工程の削減を図ることができる。これにより、製造時間の短縮や製造コストの低減を図ることができる。
The conductive layer CL may have an antireflection layer on the side farthest from the second main surface 20B, and the antireflection layer may form the outermost surface of the conductive layer CL. External light reflection in the conductive layer CL can be reduced.
In addition, in this embodiment, since the 2nd conductive layer L2 and the connection material C can be formed simultaneously, reduction of a manufacturing process can be aimed at. Thereby, shortening of manufacturing time and reduction of manufacturing cost can be aimed at.

(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態の表示装置DSPでは、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iが段差を有している点で、上記第1の実施形態と相違している。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described. The display device DSP of the third embodiment is different from the first embodiment in that the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA has a step.

図19に示すように、接続用孔V(第1貫通孔VA)は、平面視にて長軸AXを有している。この例では、長軸AXは、表示領域DAの側縁ESに沿う。接続用孔Vは、第1孔部Vt1と、第1穴部Vp1と、第2穴部Vp2と、第3穴部Vp3とを有している。第1孔部Vt1、第1穴部Vp1、第2穴部Vp2、及び第3穴部Vp3は、長軸AXに沿って並べられ、互いに繋がっている。   As shown in FIG. 19, the connection hole V (first through hole VA) has a long axis AX in plan view. In this example, the long axis AX is along the side edge ES of the display area DA. The connection hole V has a first hole Vt1, a first hole Vp1, a second hole Vp2, and a third hole Vp3. The first hole Vt1, the first hole Vp1, the second hole Vp2, and the third hole Vp3 are arranged along the long axis AX and connected to each other.

平面視にて長軸AXに直交する方向(第1方向X)において、第1孔部Vt1が最も大きい幅Wt1を有し、第3穴部Vp3が第1孔部Vt1より小さい幅Wp3を有し、第2穴部Vp2が第3穴部Vp3より小さい幅Wp2を有し、第1穴部Vp1が最も小さい幅Wp1を有している。本実施形態では、第1方向Xにおいて、幅Wt1は第1孔部Vt1の最大幅であり、幅Wp3は第3穴部Vp3の最大幅であり、幅Wp2は第2穴部Vp2の最大幅であり、幅Wp1は第1穴部Vp1の最大幅である。例えば、幅Wt1は、幅Wp1より大きい。   In a direction (first direction X) orthogonal to the long axis AX in plan view, the first hole Vt1 has the largest width Wt1, and the third hole Vp3 has a width Wp3 smaller than the first hole Vt1. The second hole Vp2 has a smaller width Wp2 than the third hole Vp3, and the first hole Vp1 has the smallest width Wp1. In the present embodiment, in the first direction X, the width Wt1 is the maximum width of the first hole Vt1, the width Wp3 is the maximum width of the third hole Vp3, and the width Wp2 is the maximum width of the second hole Vp2. The width Wp1 is the maximum width of the first hole Vp1. For example, the width Wt1 is larger than the width Wp1.

図20に示すように、接続用孔Vは、第1導電層L1を貫通する第3貫通孔VC、及び第1絶縁基板10に形成された凹部CCをさらに有している。第1貫通孔VAは、第1孔部Vt1、第1穴部Vp1、第2穴部Vp2、及び第3穴部Vp3で形成されている。第2貫通孔VBは、第1孔部Vt1及び第3穴部Vp3で形成されている。第3貫通孔VC及び凹部CCは、それぞれ第1孔部Vt1で形成されている。
第1貫通孔VAを通り第1主面20Aの法線に平行である仮想の第1平面Pa上において、角度θ1は45°以上である。また、第1平面Pa上において、角度θ2は135°以上である。
As shown in FIG. 20, the connection hole V further includes a third through hole VC that penetrates the first conductive layer L <b> 1 and a recess CC formed in the first insulating substrate 10. The first through hole VA is formed by a first hole Vt1, a first hole Vp1, a second hole Vp2, and a third hole Vp3. The second through hole VB is formed by the first hole Vt1 and the third hole Vp3. The third through hole VC and the recess CC are each formed by a first hole Vt1.
On a virtual first plane Pa that passes through the first through hole VA and is parallel to the normal line of the first main surface 20A, the angle θ1 is 45 ° or more. Further, the angle θ2 is 135 ° or more on the first plane Pa.

第1平面Pa上において、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iは、段差を有している。本実施形態の第1平面Pa上において、接続用孔Vにおける第2絶縁基板20及び有機絶縁膜OIの内周面20I,OIIは、段差を有している。段差は、第1孔部Vt1と第3穴部Vp3とが繋がる個所、第3穴部Vp3と第2穴部Vp2とが繋がる個所、及び第2穴部Vp2と第1穴部Vp1とが繋がる個所、に形成されている。内周面20I,OIIは段差を有しているが、45°≦θ1である。このため、内周面20I,OIIに対する接続材Cの良好なつきまわり性を得ることができる。   On the first plane Pa, the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA has a step. On the first plane Pa of the present embodiment, the second insulating substrate 20 and the inner peripheral surfaces 20I and OII of the organic insulating film OI in the connection hole V have steps. The level difference is where the first hole Vt1 and the third hole Vp3 are connected, where the third hole Vp3 and the second hole Vp2 are connected, and where the second hole Vp2 and the first hole Vp1 are connected. It is formed in the place. The inner peripheral surfaces 20I and OII have a step, but 45 ° ≦ θ1. For this reason, good throwing power of the connecting material C with respect to the inner peripheral surfaces 20I and OII can be obtained.

図21に示すように、一方、第1貫通孔VAを通り第1平面Paに直交し第1主面20Aの法線に平行である仮想の第2平面Pb上において、角度θ1は45°未満であり、角度θ2は135°未満である。
第2平面Pb上において、第2絶縁基板20及び有機絶縁膜OIの内周面20I,OIIは、段差を有していない。
As shown in FIG. 21, on the other hand, on the virtual second plane Pb that passes through the first through hole VA and is orthogonal to the first plane Pa and parallel to the normal line of the first main surface 20A, the angle θ1 is less than 45 °. And the angle θ2 is less than 135 °.
On the second plane Pb, the second insulating substrate 20 and the inner peripheral surfaces 20I and OII of the organic insulating film OI have no step.

次に、本実施形態の表示装置DSPの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Vを形成する方法について説明する。
図22に示すように、第2絶縁基板20をエッチングする前、第2絶縁基板20は、第2主面20Bの替わりに第2主面20Baを有している。接続用孔Vを形成する際、まず、第2絶縁基板20の複数の照射領域に、第2主面20Baの上方からレーザ光を照射する。複数の照射領域としては、第1孔部Vt1を形成するための領域AVt1に対応した照射領域RVt1と、第3穴部Vp3を形成するための領域AVp3に対応した照射領域RVp3と、第2穴部Vp2を形成するための領域AVp2に対応した照射領域RVp2と、第1穴部Vp1を形成するための領域AVp1に対応した照射領域RVp1と、を有している。例えば、各々の照射領域は、対応する孔部又は穴部を形成するための領域の中央に位置している。上記レーザ光はパルス状のレーザ光であり、パルス幅は数フェムト秒乃至数百フェムト秒程度である。
Next, a method for manufacturing the display device DSP of this embodiment will be described. Here, a method of forming the connection hole V will be described.
As shown in FIG. 22, before etching the second insulating substrate 20, the second insulating substrate 20 has a second main surface 20Ba instead of the second main surface 20B. When forming the connection hole V, first, a plurality of irradiation regions of the second insulating substrate 20 are irradiated with laser light from above the second main surface 20Ba. The plurality of irradiation regions include an irradiation region RVt1 corresponding to the region AVt1 for forming the first hole Vt1, an irradiation region RVp3 corresponding to the region AVp3 for forming the third hole Vp3, and the second hole. An irradiation region RVp2 corresponding to the region AVp2 for forming the part Vp2 and an irradiation region RVp1 corresponding to the region AVp1 for forming the first hole Vp1 are provided. For example, each irradiation region is located at the center of the corresponding hole or the region for forming the hole. The laser beam is a pulsed laser beam, and the pulse width is about several femtoseconds to several hundred femtoseconds.

図23に示すように、第3方向Zにおいて、エッチングする前の第2絶縁基板20は、上記第1厚みT1より厚い厚みT1aを有している。第3方向Zにおいて、照射領域RVp1は最も狭い範囲に設定され、照射領域RVp2は照射領域RVp1より広い範囲に設定され、照射領域RVp3は照射領域RVp2より広い範囲に設定され、照射領域RVt1は最も広い範囲に設定される。照射領域は、第2絶縁基板20を変質させる領域に相当している。   As shown in FIG. 23, in the third direction Z, the second insulating substrate 20 before etching has a thickness T1a that is thicker than the first thickness T1. In the third direction Z, the irradiation region RVp1 is set to the narrowest range, the irradiation region RVp2 is set to a range wider than the irradiation region RVp1, the irradiation region RVp3 is set to a range wider than the irradiation region RVp2, and the irradiation region RVt1 is the highest. Set to a wide range. The irradiation region corresponds to a region where the second insulating substrate 20 is altered.

上記のように、第2絶縁基板20にレーザ光を照射した後、第2絶縁基板20をエッチングする。これにより、第1厚みT1を有する第2絶縁基板20が得られる。第2絶縁基板20のうち変質させた領域のエッチングレートは、変質させていない領域のエッチングレートより高い。このため、第2絶縁基板20のうち、領域AVt1,AVp3,AVp2,AVp1のエッチングが促進される。そして、領域AVt1のエッチングが最も促進される。これにより、接続用孔Vが形成される。   As described above, after the second insulating substrate 20 is irradiated with the laser beam, the second insulating substrate 20 is etched. Thereby, the 2nd insulated substrate 20 which has 1st thickness T1 is obtained. The etching rate of the altered region of the second insulating substrate 20 is higher than the etching rate of the unaltered region. Therefore, the etching of the regions AVt1, AVp3, AVp2, and AVp1 in the second insulating substrate 20 is promoted. Then, the etching of the region AVt1 is most promoted. Thereby, the connection hole V is formed.

上記のように構成された第3の実施形態に係る表示装置DSPにおいても、45°≦θ1であり、135°≦θ2である。第3の実施形態においても、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第1貫通孔VA(接続用孔V)を形成する際、レーザ光の照射のみで形成するのではなく、レーザ光の照射とエッチングとを行って形成している。このため、第2絶縁基板20に、第1貫通孔VAを起点としたクラックの発生を抑制することができる。
なお、上記エッチングは両基板SUB1、SUB2が大判のままで行う。大判とは、複数の表示パネル個片に分割する前の状態のことを言う。本実施形態では、大判の厚さを薄型化するエッチング工程に伴って接続用孔が形成される。このため、製造工程の簡略化やそれに伴う信頼性の向上が図られる。
Also in the display device DSP according to the third embodiment configured as described above, 45 ° ≦ θ1 and 135 ° ≦ θ2. Also in the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
When forming the first through hole VA (connection hole V), the first through hole VA is not formed only by laser light irradiation, but is formed by laser light irradiation and etching. For this reason, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the second insulating substrate 20 from the first through hole VA.
The etching is performed with both substrates SUB1 and SUB2 being large. The large format means a state before being divided into a plurality of display panel pieces. In the present embodiment, the connection hole is formed along with the etching process for reducing the large thickness. For this reason, simplification of a manufacturing process and the improvement of the reliability accompanying it are achieved.

(第3の実施形態の変形例1)
次に、上記第3の実施形態の変形例1について説明する。
図24に示すように、本変形例1では、第2開口端OP2の形状に関して上記第3の実施形態と相違している。接続用孔Vは、単個の第1孔部Vt1、単個の第3穴部Vp3、単個の第2穴部Vp2、及び単個の第1穴部Vp1を有している。
(Modification 1 of 3rd Embodiment)
Next, Modification 1 of the third embodiment will be described.
As shown in FIG. 24, the first modification differs from the third embodiment with respect to the shape of the second opening end OP2. The connection hole V has a single first hole Vt1, a single third hole Vp3, a single second hole Vp2, and a single first hole Vp1.

図25に示すように、第1平面Pa上において、角度θ1Lは45°以上であり、角度θ1Rは45°未満である。第1平面Pa上において、内周面20I,OIIは、図中左側にて段差を有し、図中右側で段差を有していない。
本変形例1においても、45°≦θ1Lとなる第1平面Paが存在している。このため、本変形例1においても、上記第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIG. 25, on the first plane Pa, the angle θ1L is 45 ° or more, and the angle θ1R is less than 45 °. On the first plane Pa, the inner peripheral surfaces 20I and OII have a step on the left side in the drawing, and do not have a step on the right side in the drawing.
Also in the first modification, there is a first plane Pa that satisfies 45 ° ≦ θ1L. For this reason, also in this modification 1, the effect similar to the said 3rd Embodiment can be acquired.

(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態の表示装置DSPでは、第2導電層L2が接続材Cを介すること無しに第1導電層L1に接続されている点、及びレーザ光の照射とエッチングとを併用することにより接続用孔Vを形成している点で、上記第3の実施形態と相違している。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described. In the display device DSP of the fourth embodiment, the second conductive layer L2 is connected to the first conductive layer L1 without the connection material C, and the combination of laser light irradiation and etching is used. The connection hole V is different from the third embodiment in that the connection hole V is formed.

図26に示すように、接続用孔V(第1貫通孔VA)は、平面視にて長軸AXを有している。接続用孔Vは、第1孔部Vt1と、第1穴部Vp1と、第2穴部Vp2とを有している。第1孔部Vt1、第1穴部Vp1、及び第2穴部Vp2は、長軸AXに沿って並べられ、互いに繋がっている。   As shown in FIG. 26, the connection hole V (first through hole VA) has a long axis AX in plan view. The connection hole V has a first hole Vt1, a first hole Vp1, and a second hole Vp2. The first hole Vt1, the first hole Vp1, and the second hole Vp2 are arranged along the long axis AX and connected to each other.

図27に示すように、接続用孔Vは、第1貫通孔VA、及び第2貫通孔VBを有している。第1貫通孔VAは、第1孔部Vt1、第1穴部Vp1、及び第2穴部Vp2で形成されている。第2貫通孔VBは、第1孔部Vt1から独立して形成され、第1孔部Vt1に繋がっている。第1平面Pa上において、第1貫通孔VAにおける第2絶縁基板20の内周面20Iは、段差を有している。段差は、第1孔部Vt1と第2穴部Vp2とが繋がる個所、及び第2穴部Vp2と第1穴部Vp1とが繋がる個所、に形成されている。内周面20Iは段差を有しているため、内周面20Iに対する接続材Cの良好なつきまわり性を得ることができる。   As shown in FIG. 27, the connection hole V has a first through hole VA and a second through hole VB. The first through hole VA is formed by a first hole Vt1, a first hole Vp1, and a second hole Vp2. The second through hole VB is formed independently of the first hole Vt1, and is connected to the first hole Vt1. On the first plane Pa, the inner peripheral surface 20I of the second insulating substrate 20 in the first through hole VA has a step. The step is formed at a location where the first hole Vt1 and the second hole Vp2 are connected and a location where the second hole Vp2 and the first hole Vp1 are connected. Since the inner peripheral surface 20I has a step, good throwing power of the connecting material C with respect to the inner peripheral surface 20I can be obtained.

第2導電層L2は、接続用孔V(第1貫通孔VA及び第2貫通孔VB)を覆っている。本実施形態において、第2導電層L2は、接続用孔Vを完全に覆い、パッドPの上面LT1に接触している。本実施形態の表示パネルPNLは、充填材FI無しに形成されている。保護膜PFは、接続用孔Vの中空部分に充填され、接続用孔Vの内部及び周囲においても、第2導電層L2を覆っている。   The second conductive layer L2 covers the connection hole V (the first through hole VA and the second through hole VB). In the present embodiment, the second conductive layer L2 completely covers the connection hole V and is in contact with the upper surface LT1 of the pad P. The display panel PNL of this embodiment is formed without the filler FI. The protective film PF is filled in the hollow portion of the connection hole V and covers the second conductive layer L2 also in and around the connection hole V.

接続用孔Vの内部及び接続用孔Vの周囲に上述した接続材C(例えば、銀)は存在しない。そのため、接続用孔Vの内部及び周囲にて、接続材Cでの光反射を考慮しなくともよい。本実施形態において、接続用孔Vの内部及び周囲にて、第2導電層L2での光反射を考慮すればよい。   The connection material C (for example, silver) described above does not exist inside the connection hole V and around the connection hole V. Therefore, it is not necessary to consider light reflection at the connection material C in and around the connection hole V. In the present embodiment, light reflection at the second conductive layer L2 may be considered in and around the connection hole V.

例えば、第2導電層L2が、金属で形成された金属層と、透明な導電材料で形成された透明導電層と、を有する多層構造であり、透明導電層が保護膜PFに接している場合、透明導電層の作用により、反射光の干渉効果を得ることができる。
反射光の干渉現象は、上記透明導電層の表面で反射した第1反射光と、上記透明導電層と上記金属層との界面で反射した第2反射光と、が互いに干渉を起こすことにより発生する。このため、上記第1反射光と上記第2反射光との位相差が0.5波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。上述したことから、第2導電層L2自体、反射光を抑制するように構成されている。
そのため、第2導電層L2と異なる部材で、接続用孔Vの内部及び周囲における遮光対策を講じなくともよい。例えば、保護膜PFの替わりに、黒色の充填材FIを接続用孔Vの内部及び周囲に設けなくともよい。
For example, when the second conductive layer L2 has a multilayer structure including a metal layer formed of metal and a transparent conductive layer formed of a transparent conductive material, and the transparent conductive layer is in contact with the protective film PF The interference effect of reflected light can be obtained by the action of the transparent conductive layer.
The interference phenomenon of reflected light occurs when the first reflected light reflected by the surface of the transparent conductive layer and the second reflected light reflected by the interface between the transparent conductive layer and the metal layer cause interference with each other. To do. For this reason, if the phase difference between the first reflected light and the second reflected light is 0.5 wavelength, the two cancel each other, and the effect of reducing the reflected light intensity is obtained. As described above, the second conductive layer L2 itself is configured to suppress reflected light.
Therefore, it is not necessary to take a light shielding measure inside and around the connection hole V with a member different from the second conductive layer L2. For example, instead of the protective film PF, the black filler FI need not be provided in and around the connection hole V.

次に、本実施形態の表示装置DSPの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Vを形成する方法について説明する。
図28に示すように、第2絶縁基板20の複数の照射領域に、第2主面20Baの上方からレーザ光を照射する。これにより、サイズの異なる複数の穴Vu1,Vu2,Vu3が第2絶縁基板20に形成される。
Next, a method for manufacturing the display device DSP of this embodiment will be described. Here, a method of forming the connection hole V will be described.
As shown in FIG. 28, a plurality of irradiation regions of the second insulating substrate 20 are irradiated with laser light from above the second main surface 20Ba. Thereby, a plurality of holes Vu1, Vu2, and Vu3 having different sizes are formed in the second insulating substrate 20.

穴Vu1は、上述した第1孔部Vt1に対応し、穴Vu1,Vu2,Vu3のうち最も大きいサイズを有している。例えば、穴Vu1は、最も深く形成され、第2主面20Baにおける開口面積が最も大きい。穴Vu2は、上述した第2穴部Vp2に対応している。穴Vu3は、上述した第1穴部Vp1に対応し、穴Vu1,Vu2,Vu3のうち最も小さいサイズを有している。例えば、穴Vu3は、最も浅く形成され、第2主面20Baにおける開口面積が最も小さい。   The hole Vu1 corresponds to the first hole Vt1 described above, and has the largest size among the holes Vu1, Vu2, and Vu3. For example, the hole Vu1 is formed deepest and has the largest opening area in the second main surface 20Ba. The hole Vu2 corresponds to the second hole Vp2 described above. The hole Vu3 corresponds to the first hole Vp1 described above, and has the smallest size among the holes Vu1, Vu2, and Vu3. For example, the hole Vu3 is formed shallowest and the opening area in the second main surface 20Ba is the smallest.

上記のように、第2主面20Baに開口した穴Vu1,Vu2,Vu3を第2絶縁基板20に形成した後、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板20をエッチング(研磨加工やスリミング加工など)する。これにより、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板20の厚みは、それぞれ減少する。第1絶縁基板10は、第4主面10Baより第3主面10A側に位置した第4主面10Bを得ることができる。第2絶縁基板20は、第2主面20Baより第1主面20A側に位置した第2主面20Bを得ることができる。第2絶縁基板20においては、第2主面20Baにおいてだけではなく、穴Vu1,Vu2,Vu3の内部においてもエッチングが促進される。   As described above, after the holes Vu1, Vu2, and Vu3 opened in the second main surface 20Ba are formed in the second insulating substrate 20, the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 20 are etched (such as polishing or slimming). ) As a result, the thicknesses of the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 20 are reduced. The first insulating substrate 10 can obtain the fourth main surface 10B located on the third main surface 10A side from the fourth main surface 10Ba. The second insulating substrate 20 can obtain the second main surface 20B located on the first main surface 20A side from the second main surface 20Ba. In the second insulating substrate 20, etching is promoted not only in the second main surface 20Ba but also in the holes Vu1, Vu2, and Vu3.

図29に示すように、これにより、接続用孔Vのうち第1貫通孔VAが形成される。本実施形態においても、第1貫通孔VAを形成する際、レーザ光の照射とエッチングとを併用している。このため、第2絶縁基板20に、第1貫通孔VAを起点としたクラックの発生を抑制することができる。   As a result, as shown in FIG. 29, the first through hole VA is formed in the connection hole V. Also in the present embodiment, when the first through hole VA is formed, laser light irradiation and etching are used in combination. For this reason, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the second insulating substrate 20 from the first through hole VA.

次いで、表示パネルPNLの上方から、第1貫通孔VAの内部の有機絶縁膜OIに向けて、レーザ光LAを照射する。これにより、有機絶縁膜OIのうちレーザ光LAが照射された部分が昇華し、有機絶縁膜OIに第2貫通孔VBが形成される。これにより、接続用孔Vが形成される。
図27に示すように、続いて、接続用孔Vの内部及び第2主面20Bの上に、導電層を形成し、上記導電層にパターニングを施す。例えば、導電層は、金属層と透明導電層との積層構造を有している。これにより、接続用孔Vの内部及び第2主面20Bの上に、第2導電層L2が形成される。その後、接続用孔Vの内部、並びに第2主面20B及び第2導電層L2の上に、保護膜PFを形成する。
Next, the laser beam LA is irradiated from above the display panel PNL toward the organic insulating film OI inside the first through hole VA. As a result, the portion of the organic insulating film OI irradiated with the laser beam LA is sublimated, and the second through hole VB is formed in the organic insulating film OI. Thereby, the connection hole V is formed.
As shown in FIG. 27, subsequently, a conductive layer is formed inside the connection hole V and on the second main surface 20B, and the conductive layer is patterned. For example, the conductive layer has a laminated structure of a metal layer and a transparent conductive layer. As a result, the second conductive layer L2 is formed inside the connection hole V and on the second main surface 20B. Thereafter, a protective film PF is formed inside the connection hole V, and on the second main surface 20B and the second conductive layer L2.

上記のように構成された第4の実施形態に係る表示装置DSPにおいても、上記第3の実施形態と同様の接続用孔Vを得ることができ、上記第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、接続用孔Vを形成した後に第2導電層L2を積層する構成を採用するため、接続用孔Vやその周囲に上述した接続材Cは存在せず、第1導電層L1と第2導電層L2とが直接電気的に接合される。かかる構成の結果、接続材Cを設ける際の遮光対策を講じる必要がない。また、第1導電層L1と第2導電層L2間の接続抵抗の改善も図られる。   Also in the display device DSP according to the fourth embodiment configured as described above, the connection hole V similar to that of the third embodiment can be obtained, and the same effects as those of the third embodiment can be obtained. Can be obtained. In addition, since the configuration in which the second conductive layer L2 is laminated after the connection hole V is formed, the connection material C described above does not exist in the connection hole V and the periphery thereof, and the first conductive layer L1 and the second conductive layer L2 are formed. The conductive layer L2 is directly electrically joined. As a result of such a configuration, it is not necessary to take a light shielding measure when the connecting material C is provided. In addition, the connection resistance between the first conductive layer L1 and the second conductive layer L2 can be improved.

(第4の実施形態の変形例1)
次に、上記第4の実施形態の変形例1について説明する。
図30に示すように、本変形例1では、接続用孔Vが第3貫通孔VC及び凹部CCをさらに有している点と、接続材Cを利用している点とに関して上記第4の実施形態と相違している。第1貫通孔VAは、第1孔部Vt1、第1穴部Vp1、及び第2穴部Vp2で形成されている。第2貫通孔VB、第3貫通孔VC、及び凹部CCは、第1孔部Vt1から独立して形成されている。第2貫通孔VB、第3貫通孔VC、及び凹部CCのうち第2貫通孔VBは、第1孔部Vt1に繋がっている。接続材Cは、接続用孔Vの表面に付着し、第1導電層L1(パッドP)に接している。なお、接続材Cを形成する際、金属材料の塗布量は調整可能である。何れにおいても、接続材Cが第1導電層L1(パッドP)に接していればよい。
(Modification 1 of 4th Embodiment)
Next, Modification 1 of the fourth embodiment will be described.
As shown in FIG. 30, in the first modification, the connection hole V further includes the third through hole VC and the recess CC, and the point where the connection material C is used, This is different from the embodiment. The first through hole VA is formed by a first hole Vt1, a first hole Vp1, and a second hole Vp2. The second through hole VB, the third through hole VC, and the recess CC are formed independently of the first hole Vt1. Of the second through hole VB, the third through hole VC, and the recess CC, the second through hole VB is connected to the first hole Vt1. The connection material C adheres to the surface of the connection hole V and is in contact with the first conductive layer L1 (pad P). In addition, when forming the connection material C, the application quantity of a metal material is adjustable. In any case, the connecting material C only needs to be in contact with the first conductive layer L1 (pad P).

第2導電層L2は、接続用孔V及び接続材Cを覆い、接続材Cに接している。本変形例1において、第2導電層L2は、接続用孔V及び接続材Cを完全に覆っている。このため、第2導電層L2は、接続材Cを介して第1導電層L1(パッドP)に電気的に接続される。また、第2導電層L2は、接続材Cのための遮光層としての機能も有している。   The second conductive layer L2 covers the connection hole V and the connection material C and is in contact with the connection material C. In the first modification, the second conductive layer L2 completely covers the connection hole V and the connection material C. Therefore, the second conductive layer L2 is electrically connected to the first conductive layer L1 (pad P) via the connecting material C. Further, the second conductive layer L2 also has a function as a light shielding layer for the connection material C.

本変形例1の表示装置DSPの製造方法に関しては、上記第4の実施形態の表示装置DSPの製造方法を適用することができる。ここでは、上記第4の実施形態の製造方法との相違点について説明する。
図31に示すように、本変形例1では、上記レーザ光LAの照射により、第2貫通孔VBだけではなく、第1導電層L1を貫通する第3貫通孔VC、及び第1絶縁基板10における凹部CCも形成されている。そして、図30に示すように、第2導電層L2を形成する前に、接続用孔Vの内部に接続材Cを形成している。
本変形例1においても、上記第4の実施形態と同様の第1貫通孔VAを得ることができ、上記第4の実施形態と同様の効果を得ることができる。
Regarding the method for manufacturing the display device DSP of the first modification, the method for manufacturing the display device DSP of the fourth embodiment can be applied. Here, differences from the manufacturing method of the fourth embodiment will be described.
As shown in FIG. 31, in the first modification, not only the second through-hole VB but also the third through-hole VC that penetrates the first conductive layer L1 and the first insulating substrate 10 are irradiated by the laser light LA. A recess CC is also formed. And as shown in FIG. 30, before forming the 2nd conductive layer L2, the connection material C is formed in the inside of the hole V for a connection.
Also in this modification 1, the 1st through-hole VA similar to the said 4th Embodiment can be obtained, and the effect similar to the said 4th Embodiment can be acquired.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態を組合せることも可能である。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof. It is possible to combine a plurality of embodiments as required.

例えば、図32に示すように、検出電極Rx1、Rx2、Rx3…は、それぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいてもよい。本体部RSは、表示領域DAにおいて第2方向Yに延在している。また、端子部RT1、RT2、RT3…は、表示領域DAと配線基板3との間に位置し、第1方向Xに互いに間隔を置いて並んでいる。接続用孔V1、V2、V3…は、第1方向Xに互いに間隔を置いて並んでいる。なお、接続用孔Vが上記長軸AXを有している場合、長軸AXは第1方向Xと平行である方が望ましい。   For example, as shown in FIG. 32, the detection electrodes Rx1, Rx2, Rx3,... May extend in the second direction Y and be arranged in the first direction X at intervals. The main body RS extends in the second direction Y in the display area DA. Further, the terminal portions RT1, RT2, RT3,... Are located between the display area DA and the wiring board 3, and are arranged at intervals in the first direction X. The connection holes V1, V2, V3,... Are arranged in the first direction X at intervals. When the connection hole V has the long axis AX, it is desirable that the long axis AX is parallel to the first direction X.

また、図33に示すように、接続材Cは、第1基板SUB1において、接続用孔Vの第3貫通孔VCにおける第1導電層L1の内面LS1と、第1導電層L1の上面LT1とにそれぞれ接触していてもよい。
図34は、第2絶縁基板20側からみた第1導電層L1及び有機絶縁膜OIを示す平面図である。図34では、第1導電層L1及び有機絶縁膜OIのみを示している。上面LT1のうち有機絶縁膜OIで覆われていな領域には右上がりの斜線を付している。図34に示すように、平面視において、第2貫通孔VBのサイズは、第3貫通孔VCのサイズより大きい。第1導電層L1の上面LT1のうち接続材Cと接触している領域RAは、第2貫通孔VBにより有機絶縁膜OIで覆われていない領域である。ここでは、領域RAは、平面視にて環状に形成されている。図中、領域RAには、斜線を付している。平面視において、第2貫通孔VB及び第3貫通孔VCの形状は、真円であるが、これに限らず、楕円形など他の円形状であってもよく、円形以外の形状であってもよい。
In addition, as shown in FIG. 33, the connection material C includes an inner surface LS1 of the first conductive layer L1 and a top surface LT1 of the first conductive layer L1 in the third through hole VC of the connection hole V in the first substrate SUB1. May be in contact with each other.
FIG. 34 is a plan view showing the first conductive layer L1 and the organic insulating film OI as viewed from the second insulating substrate 20 side. FIG. 34 shows only the first conductive layer L1 and the organic insulating film OI. A region of the upper surface LT1 that is not covered with the organic insulating film OI is provided with a diagonal line rising to the right. As shown in FIG. 34, the size of the second through hole VB is larger than the size of the third through hole VC in plan view. The region RA in contact with the connecting material C on the upper surface LT1 of the first conductive layer L1 is a region that is not covered with the organic insulating film OI by the second through hole VB. Here, the region RA is formed in an annular shape in plan view. In the drawing, the region RA is hatched. In a plan view, the shape of the second through hole VB and the third through hole VC is a perfect circle, but is not limited to this, and may be another circular shape such as an ellipse, or a shape other than a circle. Also good.

DSP…表示装置、
SUB1…第1基板、10…第1絶縁基板、L1…第1導電層、SUB2…第2基板、
20…第2絶縁基板、20A…第1主面、20B…第2主面、L2…第2導電層、
OI…有機絶縁膜、20I,OII…内周面、V…接続用孔、VA,VB…貫通孔、
Vt1…第1孔部、Vp1…第1穴部、Vp2…第2穴部、Vp3…第3穴部、
C…接続材、DA…表示領域、NDA…非表示領域、
Pa…第1平面、Pb…第2平面、Ls1…第1直線、Ls2…第2直線、
θ1,θ2…角度、AX…長軸、
WI1,WI1a,WI2,WI2a,WI3,Wt1,Wp1,Wp2,Wp3…幅。
DSP ... display device,
SUB1 ... first substrate, 10 ... first insulating substrate, L1 ... first conductive layer, SUB2 ... second substrate,
20 ... 2nd insulating substrate, 20A ... 1st main surface, 20B ... 2nd main surface, L2 ... 2nd conductive layer,
OI ... organic insulating film, 20I, OII ... inner peripheral surface, V ... connection hole, VA, VB ... through hole,
Vt1 ... 1st hole, Vp1 ... 1st hole, Vp2 ... 2nd hole, Vp3 ... 3rd hole,
C: connecting material, DA: display area, NDA: non-display area,
Pa ... 1st plane, Pb ... 2nd plane, Ls1 ... 1st straight line, Ls2 ... 2nd straight line,
θ1, θ2 ... angle, AX ... long axis,
WI1, WI1a, WI2, WI2a, WI3, Wt1, Wp1, Wp2, Wp3... Width.

Claims (12)

第1絶縁基板と、第1導電層と、を有する第1基板と、
前記第1導電層と対向し且つ前記第1導電層から離れて位置した第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通した第1貫通孔と、を含んだ第2絶縁基板と、前記第2主面に設けられた第2導電層と、を有する第2基板と、
前記第1貫通孔を通じて前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第1貫通孔を通り前記第1主面の法線に平行である仮想の第1平面上において、前記法線に沿って延びた第1直線と、前記第1貫通孔の前記第1主面側の第1開口端と前記第1貫通孔の前記第2主面側の第2開口端とを結ぶ第2直線と、が成す角度は、45°以上である、
表示装置。
A first substrate having a first insulating substrate and a first conductive layer;
A first main surface facing the first conductive layer and located away from the first conductive layer; a second main surface opposite to the first main surface; the first main surface and the second A second insulating substrate including a first through hole penetrating between the main surface and a second conductive layer provided on the second main surface;
A connecting material for electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer through the first through-hole,
On a virtual first plane that passes through the first through hole and is parallel to the normal of the first main surface, a first straight line extending along the normal and the first main of the first through hole The angle formed between the first opening end on the surface side and the second straight line connecting the second opening end on the second main surface side of the first through hole is 45 ° or more.
Display device.
前記第1平面上において、前記第2主面と前記第2直線とが成す角度は、135°以上である、
請求項1に記載の表示装置。
On the first plane, an angle formed by the second main surface and the second straight line is 135 ° or more.
The display device according to claim 1.
前記第1平面上において、前記第1貫通孔における前記第2絶縁基板の内周面の全ての接線の各々と、前記第1直線と、が成す角度は、45°以上である、
請求項1に記載の表示装置。
On the first plane, an angle formed by each tangent to the inner peripheral surface of the second insulating substrate in the first through hole and the first straight line is 45 ° or more.
The display device according to claim 1.
前記第1平面上において、前記第1貫通孔における前記第2絶縁基板の内周面は、前記第2直線より前記第2主面側に突出している、
請求項1に記載の表示装置。
On the first plane, the inner peripheral surface of the second insulating substrate in the first through hole protrudes from the second straight line to the second main surface side.
The display device according to claim 1.
前記第2導電層と前記接続材とは、同一材料にて一体に形成されている、
請求項1に記載の表示装置。
The second conductive layer and the connecting material are integrally formed of the same material,
The display device according to claim 1.
前記第1平面上において、前記第1貫通孔における前記第2絶縁基板の内周面は、段差を有している、
請求項1に記載の表示装置。
On the first plane, the inner peripheral surface of the second insulating substrate in the first through hole has a step.
The display device according to claim 1.
前記第1貫通孔は、平面視にて長軸を有し、
前記長軸は、前記第1平面に平行であり、
前記第2絶縁基板の前記内周面は、前記第1貫通孔を通り前記第1平面に直交し前記法線に平行である仮想の第2平面上において、前記段差を有していない、
請求項6に記載の表示装置。
The first through hole has a long axis in plan view,
The long axis is parallel to the first plane;
The inner peripheral surface of the second insulating substrate does not have the step on a virtual second plane that passes through the first through hole and is orthogonal to the first plane and parallel to the normal line.
The display device according to claim 6.
表示領域と、
前記表示領域の外縁に沿って設けられる非表示領域と、をさらに備え、
前記第1貫通孔は、前記非表示領域に位置し、前記表示領域の前記外縁のうち前記第1貫通孔と対向する側縁に平行な長軸を有し、
前記長軸は、前記第1平面に平行である、
請求項1に記載の表示装置。
A display area;
A non-display area provided along an outer edge of the display area,
The first through hole is located in the non-display area, and has a long axis parallel to a side edge facing the first through hole among the outer edges of the display area,
The major axis is parallel to the first plane;
The display device according to claim 1.
前記第1導電層と前記第2絶縁基板との間に位置した有機絶縁膜と、
前記第1貫通孔と、前記有機絶縁膜を貫通し前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔と、を有した接続用孔と、をさらに備え、
前記第1平面は前記接続用孔を通り、
前記第1平面上において、前記第1直線と、前記接続用孔の前記第1絶縁基板側の第3開口端と前記第2開口端とを結ぶ第3直線と、が成す角度は、45°以上である、
請求項1に記載の表示装置。
An organic insulating film positioned between the first conductive layer and the second insulating substrate;
A connection hole having the first through hole and a second through hole penetrating the organic insulating film and connected to the first through hole;
The first plane passes through the connection hole,
On the first plane, an angle formed by the first straight line and a third straight line connecting the third opening end of the connection hole on the first insulating substrate side and the second opening end is 45 °. That's it,
The display device according to claim 1.
前記第1平面上において、前記接続用孔における前記第2絶縁基板及び前記有機絶縁膜の内周面は、段差を有している、
請求項9に記載の表示装置。
On the first plane, the inner peripheral surface of the second insulating substrate and the organic insulating film in the connection hole has a step.
The display device according to claim 9.
前記接続用孔は、前記第2絶縁基板と前記有機絶縁膜とを貫通した第1孔部と、前記第2主面に開口し前記第1主面に開口しておらず前記第1孔部に繋がった第1穴部と、を有し、
前記接続用孔は、平面視にて長軸を有し、
前記第1孔部及び前記第1穴部は、前記長軸に沿って並べられ、
平面視にて前記長軸に直交する方向において、前記第1孔部の幅は、前記第1穴部の幅より大きい、
請求項10に記載の表示装置。
The connection hole includes a first hole that penetrates the second insulating substrate and the organic insulating film, and the first hole that opens in the second main surface and does not open in the first main surface. A first hole connected to
The connection hole has a long axis in plan view,
The first hole and the first hole are aligned along the long axis,
In a direction orthogonal to the long axis in plan view, the width of the first hole is larger than the width of the first hole.
The display device according to claim 10.
前記第1導電層と前記第2絶縁基板との間に位置した有機絶縁膜と、
前記第1貫通孔と、前記有機絶縁膜を貫通し前記第1貫通孔に繋がった第2貫通孔と、を有した接続用孔と、をさらに備え、
前記接続材は、前記接続用孔の表面に付着し、前記第1導電層に接し、
前記第2導電層は、前記接続用孔及び前記接続材を覆っている、
請求項1に記載の表示装置。
An organic insulating film positioned between the first conductive layer and the second insulating substrate;
A connection hole having the first through hole and a second through hole penetrating the organic insulating film and connected to the first through hole;
The connection material adheres to the surface of the connection hole, contacts the first conductive layer,
The second conductive layer covers the connection hole and the connection material,
The display device according to claim 1.
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WO2025135734A1 (en) * 2023-12-22 2025-06-26 주식회사 동진쎄미켐 Electrochromic device

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