JP2018169462A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の性能を向上させる。【解決手段】表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＮＤＡとを有する基板１０と、液晶層ＬＱと、液晶層ＬＱと基板１０の間にある絶縁膜１１〜１４と、液晶層ＬＱと接する表面を有し、絶縁膜と液晶層ＬＱの間にある配向膜ＡＬ１と、表示領域ＤＡにおいて、絶縁膜と配向膜ＡＬ１との間にあり、配向膜ＡＬ１と接する表面ＰＥｆを有する画素電極（表示電極）ＰＥと、周辺領域ＮＤＡにおいて、絶縁膜と配向膜ＡＬ１との間にあり、配向膜ＡＬ１と接する表面ＴＥｆを有する電極ＴＥと、を備える。また、周辺領域ＮＤＡにおいて、電極ＴＥには電位が供給される。配向膜ＡＬ１、画素電極ＰＥ、および電極ＴＥのそれぞれは、絶縁膜１４上に形成される。基板１０から電極ＴＥの表面ＴＥｆまでの距離ＬＴｆは、基板１０から画素電極ＰＥの表面ＰＥｆまでの距離ＬＰｆより長い。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置に関し、例えば、表示領域の外側の周辺領域に電極が配置されている表示装置に適用して有効な技術に関する。

表示領域の外側の周辺領域に配置された電極（トラップ電極）に電位が供給されることにより、イオンが表示領域に集まることを抑制する技術がある。例えば、特開２０１４−２０１９４１号公報（特許文献１）には、非表示領域にトラップ電極が設けられている液晶表示装置が記載されている。

特開２０１４−２０１９４１号公報

液晶層を備える表示装置の場合、液晶層に電界を形成することにより液晶分子を駆動し、画像を表示する。液晶層の表示領域において、不純物等が帯電したイオンが多く分布している場合、イオンが電界に影響し、例えば表示輝度低下など、表示品質が低下する原因になる。イオンの影響による表示品質の低下を抑制する観点からは、周辺領域に配置される電極に電位を供給することにより、液晶層中のイオンを集め、表示領域におけるイオンの量を低減させる方法が有効である。

ところが、本願発明者の検討によれば、周辺領域に配置される電極によるイオンのトラップ効率を向上させようとすると、表示領域において上記イオン以外の理由により表示品質が低下する影響が生じる場合があることが判った。

本発明の目的は、表示装置の性能を向上させる技術を提供することにある。

本発明の一態様である表示装置は、表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する絶縁性基板と、前記周辺領域と重畳する遮光膜と、液晶層と、前記液晶層と前記絶縁性基板の間にある絶縁膜と、前記液晶層と接する表面を有し、前記絶縁膜と前記液晶層の間にある配向膜と、前記表示領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１表示電極と、前記周辺領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１電極と、を備える。また、前記周辺領域において、前記第１電極には電位が供給される。前記配向膜、前記第１表示電極、および前記第１電極のそれぞれは、前記絶縁膜上に形成される。前記絶縁性基板から前記第１電極の表面までの距離は、前記絶縁性基板から前記第１表示電極の表面までの距離より長い。

また、本発明の別の一態様である表示装置は、表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する絶縁性基板と、前記周辺領域と重畳する遮光膜と、液晶層と、前記液晶層と前記絶縁性基板の間にある絶縁膜と、前記液晶層と接する表面を有し、前記絶縁膜と前記液晶層の間にある配向膜と、前記表示領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１表示電極と、前記周辺領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１電極と、を備える。前記周辺領域において、前記第１電極には電位が供給される。前記配向膜、前記第１表示電極、および前記第１電極のそれぞれは、前記絶縁膜上に形成される。前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、前記周辺領域において前記第１電極と重畳する第３部分と、を有する。前記配向膜の前記第３部分の厚さは、前記配向膜の前記第２部分の厚さより薄い。

実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。 図１のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。 図３に示す共通電極とコモン線とが電気的に接続されている位置の拡大断面図である。 図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。 図４に示すトラップ電極および画素電極の周辺をさらに拡大して示す拡大断面図である。 図６に示すトラップ電極と、トラップ電極に電位を供給する配線とが電気的に接続されている部分の拡大断面図である。 図７に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。 図９に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。 図９に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図７に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図１２に示す溝部と電極との平面的な位置関係を示す拡大平面図である。 図４に対する変形例を示す拡大断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

以下の実施の形態では、表示装置の例として、液晶層を備えた液晶表示装置を取り上げて説明する。また、液晶表示装置は、表示機能層である液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の２通りに分類される。すなわち、第１の分類として、表示装置の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される、所謂、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertical Alignment）モードなどがある。また、第２の分類として、表示装置の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される、所謂、横電界モードがある。横電界モードには、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードや、ＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどがある。以下で説明する技術は、縦電界モードおよび横電界モードのいずれにも適用できるが、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明する。

＜表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態の表示装置の一例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図１のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。また、図４は、図１のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。図５は、図３に示す共通電極とコモン線とが電気的に接続されている位置の拡大断面図である。また図６は、図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。

なお、図１では、平面視における表示領域ＤＡと周辺領域ＮＤＡの境界を二点鎖線で示している。また、図１では、基板ＳＵＢ１に形成された回路ブロックや配線の一部を実線で模式的に示している。また、図１では、基板ＳＵＢ１と対向するように配置された基板ＳＵＢ２の輪郭を、点線で示している。また、図２は断面図であるが、見易さのため、液晶層ＬＱ、ドライバチップＤＲＣ１、および配線板ＦＷＢ１を除き、ハッチングは省略されている。同様に、図３および図４では、配線や電極などの導電性部材、液晶層ＬＱ、シール部ＳＬＰ（図４参照）、および遮光膜ＢＭを除き、ハッチングが省略されている。また、図３では、基板ＳＵＢ１の厚さ方向（図１に示すＺ方向）における走査線ＧＬと信号線ＳＬとの位置関係の例を示すため、図３とは異なる断面に設けられた走査線ＧＬを一緒に示している。

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域ＤＡを有する。また、表示装置ＤＳＰ１は、平面視において、表示領域ＤＡの周囲を囲むように設けられた周辺領域（非表示領域、額縁領域）ＮＤＡを有する。なお、図１に示す表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡは四角形であるが、表示領域が多角形や円形など、四角形以外の形状であってもよい。

また、図２に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、液晶層ＬＱを介して対向するように貼り合せられた基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２を有している。基板ＳＵＢ１は、スイッチング素子（能動素子）としての複数のトランジスタがアレイ状に配置されたアレイ基板である。また、基板ＳＵＢ２は、表示面側に設けられた基板である。基板ＳＵＢ２は、アレイ基板に対向配置された基板という意味で、対向基板と言い換えることができる。また、液晶層ＬＱは、電気光学層であって、液晶層ＬＱの周辺に形成する電界の状態を制御することにより、そこを通過する光を変調する機能を備えている。

また、図２に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、光学素子ＯＤ１と、光学素子ＯＤ２と、を有する。光学素子ＯＤ１は、基板ＳＵＢ１とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。光学素子ＯＤ２は、基板ＳＵＢ２の表示面側、すなわち基板ＳＵＢ２を挟んで基板ＳＵＢ１の反対側に配置されている。光学素子ＯＤ１および光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。

図３に示すように、基板ＳＵＢ１は、基板（ベース基板、絶縁性基板）１０を備えている。また、基板ＳＵＢ２は、基板（ベース基板、絶縁性基板）２０を備えている。基板１０および基板２０のそれぞれは、例えばガラスや透明な樹脂材料から成り、可視光が透過する特性を有している。また、基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２（言い換えれば基板１０と基板２０）は、互いに離間した状態で貼り合わされている。基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２は、周辺領域ＮＤＡ（図１参照）に配置された接着層（図４に示すシール部ＳＬＰ）を介して接着されている。液晶層ＬＱは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間に封入されている。

また、基板ＳＵＢ１は、基板１０と基板ＳＵＢ２との間に配置された複数の導体パターンを有する。複数の導体パターンには、複数の走査線（ゲート線）ＧＬ、複数の信号線（ソース線）ＳＬ、コモン線（金属配線）ＣＭＬ、共通電極ＣＥ、および複数の画素電極ＰＥが含まれる。また、複数の導体パターンのそれぞれの間には絶縁膜が介在している。隣り合う導体パターンの間に配置され、導体パターンを互いに絶縁する絶縁膜には、絶縁膜１１、１２、１３、１４、および配向膜ＡＬ１が含まれる。なお、図３では、走査線ＧＬ、共通電極ＣＥ、およびコモン線ＣＭＬについては、それぞれ一個ずつ示している。

上記した複数の導体パターンのそれぞれは、積層された複数の配線層に形成されている。図３に示す例では、共通電極（表示電極）ＣＥ、および画素電極（表示電極）ＰＥはそれぞれ異なる層に形成され、共通電極ＣＥが形成された層の下層に、基板１０側から順に、３層の配線層ＷＬ１、ＷＬ２、およびＷＬ３が設けられている。

基板１０上に形成された三層の配線層のうち、最も基板１０の近くに設けられた第１層目の配線層ＷＬ１には、主に走査線ＧＬが形成されている。配線層ＷＬ１に形成された導体パターンは、例えばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、もしくはモリブデン（Ｍｏ）等の金属またはそれらの合金からなる。また、絶縁膜１１は、基板１０側にあり、配線層ＷＬ１に形成された導体パターンを覆う絶縁膜である。絶縁膜１１は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の透明な無機絶縁膜である。

図１に示すように、複数の走査線ＧＬのそれぞれは、Ｘ方向に延在している。また、複数の走査線ＧＬは、Ｙ方向に互いに間隔を空けて配列されている。言い換えれば、複数の走査線ＧＬは、Ｙ方向の一方の側であるＹ１側から他方の側であるＹ２側に向かって配列されている。複数の走査線ＧＬのそれぞれは、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＮＤＡに引き出され、走査線駆動回路（ゲート駆動回路）ＧＤに接続されている。走査線駆動回路ＧＤは、複数の走査線ＧＬに入力される走査信号Ｇｓｉ（図６参照）を出力する走査信号出力回路である。走査線駆動回路ＧＤは、周辺領域ＮＤＡにおいて、基板ＳＵＢ１に設けられている。

また、図１に示すように、走査線駆動回路ＧＤには、イネーブル信号が供給される配線ＥＮＢ、および負の電位が供給される配線ＶＧＬが接続されている。走査線駆動回路ＧＤの制御信号であるイネーブル信号は、バッファ回路ＧＢＵにおいて生成され、配線ＥＮＢを介して走査線駆動回路ＧＤに伝送される。バッファ回路ＧＢＵは、配線ＶＧＬに供給される負の電位および配線ＶＧＨに供給される正電位を利用してイネーブル信号を生成する。図１に示す例では、配線ＶＧＨ、ＶＧＬのそれぞれは、配線板ＦＷＢ１に接続され、配線板ＦＷＢ１に接続された電源回路から供給される。

図４に示す例では、配線ＶＧＬおよび配線ＥＮＢのそれぞれは、配線層ＷＬ２に形成されている。配線層ＷＬ２に形成された導体パターンは、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。このため、配線層ＷＬ１に形成された導体パターンと比較して、配線インピーダンスを低減できる。ただし、変形例として、配線ＶＧＬおよび配線ＥＮＢのそれぞれが、例えば配線層ＷＬ１、あるいは配線層ＷＬ３に形成されている場合もある。

また、図３に示す基板１０と絶縁膜１１の間には、走査線ＧＬの他に、図６に示す画素スイッチ素子ＰＳＷとしてのトランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥや半導体層などが形成されている。トランジスタＴｒ１は薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）である。また、走査線ＧＬは、画素スイッチ素子ＰＳＷとしてのトランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥを含んでいる。

図３に示すように、絶縁膜１１上には、第２層目の配線層ＷＬ２が設けられている。配線層ＷＬ２には、主に信号線ＳＬが形成されている。また、図６に示す画素スイッチ素子ＰＳＷのソース電極ＳＥやドレイン電極ＤＥなども絶縁膜１１の上に形成されている。絶縁膜１２は、信号線ＳＬおよび絶縁膜１１の各々の上に形成されている。絶縁膜１２、１３、および１４は、例えばアクリル系の感光性樹脂等から成る、有機絶縁膜である。

図１に示すように、複数の信号線（映像信号線）ＳＬのそれぞれは、Ｙ方向に延在している。また、複数の信号線ＳＬは、Ｘ方向に互いに間隔を空けて配列されている。言い換えれば、複数の信号線ＳＬは、Ｘ方向の一方の側であるＸ１側から他方の側であるＸ２側に向かって配列されている。複数の信号線ＳＬのそれぞれは、表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＮＤＡに引き出されている。複数の信号線ＳＬの各々は、表示領域ＤＡ内の信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣ１とを相互に接続する接続配線（引き出し配線とも呼ぶ）としての信号用接続配線ＳＣＬを介してドライバチップＤＲＣ１と電気的に接続されている。ドライバチップＤＲＣ１は、信号線ＳＬを介して液晶層ＬＱ（図３参照）を駆動する、信号線駆動回路ＳＤを有する。信号線駆動回路ＳＤは、信号線ＳＬを介して複数の画素ＰＸのそれぞれが備える画素電極ＰＥ（図６参照）に映像信号Ｓｐｉｃ（図６参照）を供給する。

ドライバチップＤＲＣ１に接続され、複数の画素ＰＸに映像信号を供給する信号伝送経路である映像信号線のうち、表示領域ＤＡと重なる位置にある部分（配線部）を信号線ＳＬと呼ぶ。また、上記映像信号線のうち、表示領域ＤＡの外側にある部分（配線部）を信号用接続配線ＳＣＬと呼ぶ。複数の信号線ＳＬのそれぞれは、Ｙ方向に延びている。一方、信号用接続配線ＳＣＬは、信号線ＳＬとドライバチップＤＲＣ１とを接続する配線である。このため、複数の信号用接続配線ＳＣＬは、図１に示すように、ドライバチップＤＲＣ１と接続される端子群（図示は省略）から表示領域ＤＡに向かって放射状に広がっている。

また、図１に示す例では、信号線ＳＬと信号用接続配線ＳＣＬとの間には、スイッチ回路部ＳＷＳがある。スイッチ回路部ＳＷＳは、例えばマルチプレクサ回路であって、各色用の信号線ＳＬを選択して入力された信号を出力する。スイッチ回路部ＳＷＳは、例えば、赤色の信号、緑色の信号、あるいは青色の信号など、映像信号の種類を選択する選択スイッチとして動作する。この場合、スイッチ回路部ＳＷＳとドライバチップＤＲＣ１とを接続する信号用接続配線ＳＣＬの数は、信号線ＳＬの数より少なくて良い。このように、スイッチ回路部ＳＷＳを設けることで、信号用接続配線ＳＣＬの数を低減できれば、ドライバチップＤＲＣ１とスイッチ回路部ＳＷＳとの間において、信号用接続配線ＳＣＬの数を低減できる。

図３に示すように、絶縁膜１２上には、第３層目の配線層ＷＬ３が形成されている。配線層ＷＬ３には、主にコモン線ＣＭＬが形成されている。配線層ＷＬ３に形成された導体パターンは、配線層ＷＬ２と同様に、例えばアルミニウム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）等で挟んだ多層構造の金属膜からなる。図３に示す例では、コモン線ＣＭＬは、Ｙ方向に延在する。絶縁膜１３は、コモン線ＣＭＬおよび絶縁膜１２の各々の上に形成されている。

共通電極ＣＥは、絶縁膜１３上に形成されている。共通電極ＣＥには、表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する表示期間において、複数の画素ＰＸ（図１参照）に対して共通の駆動電位が供給される。このため、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に配置されている。共通電極ＣＥの数には種々の実施態様がある。例えば、表示領域ＤＡに１個の共通電極ＣＥがあっても良いし、表示領域ＤＡに複数の共通電極ＣＥがあっても良い。共通電極ＣＥは、ＩＴＯ（Indium tin oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電材料が好ましい。

図３に示す断面では、共通電極ＣＥとコモン線ＣＭＬとの間に絶縁膜１３が介在している。しかし、図５に示すように、コモン線ＣＭＬと共通電極ＣＥとは、コモン線ＣＭＬの一部分と共通電極ＣＥの一部分とが互いに接触し、電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、コモン線ＣＭＬを介して共通電極駆動回路ＣＤ（図６参照）と電気的に接続されている。共通電極駆動回路ＣＤは表示期間において、共通電極ＣＥに共通電位を供給する回路である。図１では図示を省略したが、図６に示す共通電極駆動回路ＣＤは、図１に示す基板ＳＵＢ１に接続された配線板（フレキシブル配線板）ＦＷＢ１に形成されている。なお、図５に示す例のように、共通電極ＣＥ上に、信号線ＳＬと重畳する位置に金属配線ＭＷ１が形成されていても良い。金属配線ＭＷ１を設けることにより、例えば共通電極ＣＥの抵抗値を調整することができる。また、図５に示す例では、金属配線ＭＷ１は共通電極ＣＥと絶縁膜１４の間に形成されているが、共通電極ＣＥと絶縁膜１３の間に形成されていても良い。

また、絶縁膜１４は、絶縁膜１３および共通電極ＣＥの上に形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４上に形成されている。平面視において、各画素電極ＰＥは、互いに隣り合う２つの信号線ＳＬの間に位置している。図３に示す例では、複数の画素電極ＰＥのそれぞれは、共通電極ＣＥと対向する位置に配置されている。また、図３に示す例では、複数の画素電極ＰＥのそれぞれは、スリットＳＬＴを介して隣り合う複数の部分により構成されている。本実施の形態のように画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとが異なる層に形成されている場合、スリットＳＬＴが存在することにより、複数の電気力線のうちの一部がスリットＳＬＴを通過する。これにより、液晶層ＬＱに形成される電界の電界強度が向上するので液晶分子を駆動し易くなる。

ただし、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥに電位が供給された時に、液晶分子を駆動する電界が形成されれば良いので、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとが対向していなくても良い。例えば、本実施の形態に対する変形例としては、複数の共通電極ＣＥと複数の画素電極ＰＥとが同一面（例えば絶縁膜１３上）に形成され、互いに隣り合うように交互に配列されていても良い。画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電材料または金属材料が好ましい。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥおよび絶縁膜１４を覆っている。配向膜ＡＬ１、ＡＬ２は液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の初期配向を揃える機能を備える有機絶縁膜であって、例えばポリイミド樹脂から成る。

図１に示す複数の画素ＰＸのそれぞれは、図６に示すように、画素スイッチ素子ＰＳＷと、画素電極ＰＥと、を有する。画素スイッチ素子ＰＳＷであるトランジスタＴｒ１のソース電極ＳＥは信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極ＤＥは画素電極ＰＥに接続されている。表示期間において、走査線駆動回路ＧＤは、ゲート電極ＧＥに走査信号Ｇｓｉを供給し、画素スイッチ素子ＰＳＷをオンオフ動作させることにより、画素電極ＰＥに対する映像信号Ｓｐｉｃの供給状態を制御する。言い換えれば、トランジスタＴｒ１は、画素電極ＰＥへの電位供給を制御する画素スイッチ素子ＰＳＷとして機能する。画素スイッチ素子ＰＳＷは、トップゲート型ＴＦＴおよびボトムゲート型ＴＦＴのいずれであってもよい。また、画素スイッチ素子ＰＳＷの半導体層は、例えば、多結晶シリコン（ポリシリコン）からなるが、アモルファスシリコンからなるものでも良い。

また、図３に示すように、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間には誘電体として機能する絶縁膜１４が介在している。共通電極ＣＥ、絶縁膜１４および画素電極ＰＥは、図６に示す保持容量ＣＳを形成している。映像信号に基づいて表示画像を形成する表示動作期間において、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間には各電極に印加される駆動信号に基づいて電界が形成される。そして、電気光学層である液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界により駆動される。例えば、本実施の形態のように、横電界モードを利用する表示装置ＤＳＰ１では、図３に示すように、基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥが設けられている。液晶層ＬＱを構成する液晶分子は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界（例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界）を利用して回転される。つまり、表示期間において、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥのそれぞれは、電気光学層である液晶層ＬＱを駆動する駆動電極として動作する。

また、図３に示すように、基板ＳＵＢ２は、基板２０の基板ＳＵＢ１に対向する面（背面）２０ｂ側にある、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢと、絶縁膜ＯＣ１と、配向膜ＡＬ２を有する。

カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢは、基板ＳＵＢ１と対向する面２０ｂ側に形成されている。図３に示す例では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢが周期的に配列されている。カラー表示装置では、例えばこの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブピクセルを１組として、１画素（１ピクセルともいう）を構成する。基板ＳＵＢ２の複数のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、基板ＳＵＢ１に形成されている画素電極ＰＥを有するそれぞれのサブピクセルと、互いに対向する位置に配置されている。なお、図６に示す画素ＰＸ（図１に示す複数の画素ＰＸのそれぞれ）は、一つのサブピクセルに相当する。また、１画素を構成するものは赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に限定されるものではない。

また、各色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのそれぞれの境界には、遮光膜ＢＭ１が配置されている。遮光膜ＢＭ１はブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属から成る。遮光膜ＢＭ１は、平面視において、例えば格子状に形成される。言い換えれば、遮光膜ＢＭ１は、Ｘ方向およびＹ方向に延在している。詳しくは、遮光膜ＢＭ１は、Ｙ方向に延びる複数の部分と、Ｙ方向に交差するＸ方向に延びる複数の部分を有している。各画素ＰＸをブラックマトリクスで区画することにより、光漏れや混色を抑制することができる。

また、図４に示すように、遮光膜ＢＭ２は、基板ＳＵＢ２の周辺領域ＮＤＡの全体に形成されている。言い換えれば、周辺領域ＮＤＡは、遮光膜ＢＭ２と重畳する。表示領域ＤＡは、周辺領域ＮＤＡよりも内側の領域として規定される。また、周辺領域ＮＤＡは、図２に示すバックライトユニット（光源）ＢＬから照射された光を遮光する遮光膜ＢＭ２と重畳する領域である。遮光膜ＢＭ１は表示領域ＤＡ内に形成されるが、表示領域ＤＡには、遮光膜ＢＭ１に複数の開口部が形成されている。一般的に、遮光膜ＢＭ１に形成され、カラーフィルタが露出する開口部のうち、最も周縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＡと周辺領域ＮＤＡの境界として規定される。

また、図３に示す絶縁膜ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。絶縁膜ＯＣ１は、カラーフィルタから液晶層に対して不純物が拡散するのを防止する保護膜として機能する。絶縁膜ＯＣ１は、例えばアクリル系の感光性樹脂等から成る、有機絶縁膜である。

また、図４に示すように、周辺領域ＮＤＡには、基板ＳＵＳ１と基板ＳＵＳ２との間に配置されたシール部（シール材）ＳＬＰを介して基板ＳＵＳ１と基板ＳＵＳ２とが接着固定されている。シール部ＳＬＰは、基板ＳＵＳ１および基板ＳＵＳ２を接着固定する接着部材としての機能を有している。また、液晶層ＬＱは、シール部ＳＬＰで囲まれた領域内に封入されている。シール部ＳＬＰは、液晶層ＬＱの漏れ出しを防ぐ封着材としての機能を有している。

図４に示す例では、シール部ＳＬＰと絶縁膜１４の間には、絶縁膜（有機絶縁膜）１５が配置され、配向膜ＡＬ１の端部は絶縁膜１５よりも内側にある。このため、シール部ＳＬＰと絶縁膜１４との間には配向膜ＡＬ１が無い。

また、図１および図４に示すように、周辺領域ＮＤＡには、Ｙ方向に沿って延びる電極ＴＥが配置されている。電極ＴＥには電位（本実施の形態の場合、負の電位）が供給され、液晶層ＬＱ（図４参照）に存在するイオン性の不純物を周辺領域ＮＤＡに集め、表示領域ＤＡに拡がることを抑制するトラップ電極として機能する。電極ＴＥの詳細については、後述する。

＜トラップ電極＞
次に、図１および図４に示す電極ＴＥの詳細について説明する。図４に示す液晶層ＬＱには、液晶分子の他、シール部ＳＬＰや配向膜ＡＬ１、ＡＬ２などから侵入した不純物が存在している場合がある。この不純物が帯電し、イオン性の不純物として表示領域ＤＡに多く分布している場合、イオンの影響により液晶分子を駆動する電界が乱れ、表示品質が低下する原因になる。例えば、部分的に表示輝度が低下して黒ムラが発生する場合がある。

そこで、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、周辺領域ＮＤＡに電極ＴＥが配置されている。電極ＴＥに電位が供給されると、クーロン力により電極ＴＥの近傍にイオンが集まる。これにより、表示領域ＤＡにイオンが拡がることを抑制できる。例えば、本実施の形態の場合、電極ＴＥは、配線ＶＧＬと電気的に接続されており、負の電位が供給されている。この場合、プラスに帯電したイオン性の不純物を周辺領域ＮＤＡにトラップすることができる。ただし、電極ＴＥに供給される電位には種々の変形例がある。例えば、マイナスに帯電したイオン性の不純物を集める場合には、正の電位が供給されることが好ましい。以下では、イオン性の不純物を電極ＴＥの近傍に集め、表示領域ＤＡに移動することを抑制することを、トラップ、またはイオントラップと呼ぶ。また、イオン性の不純物をトラップする機能を備えた電極ＴＥをトラップ電極と呼ぶ場合がある。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、複数の（図１では２本の）電極ＴＥを備えている。複数の電極ＴＥのそれぞれは、Ｙ方向に沿って延在する。また、Ｘ方向において、表示領域ＤＡのＸ１側にある周辺領域ＮＤＡと、表示領域ＤＡのＸ２側にある周辺領域ＮＤＡのそれぞれに、電極ＴＥが配置されている。この場合、表示領域ＤＡに分布するイオン性の不純物は、表示領域ＤＡのＸ１側にある周辺領域ＮＤＡおよび表示領域ＤＡのＸ２側にある周辺領域ＮＤＡのうち、いずれか近い方に向かって移動する。この結果、表示領域ＤＡに残るイオン性の不純物の密度を低減できる。

また、電極ＴＥのＹ方向の長さは、表示領域ＤＡのＹ方向の長さ以上である。この場合、表示領域ＤＡの全体において、表示領域ＤＡに残るイオン性の不純物の密度を低減できる。

また、電極ＴＥは、図４に示す液晶層ＬＱに存在するイオン性の不純物をトラップする電極である。したがって、電極ＴＥによるイオントラップを効率的に行うためには、電極ＴＥが液晶層ＬＱの近くに形成されていることが好ましい。本実施の形態の場合、図７に示すように電極ＴＥは、画素電極ＰＥと同層、すなわち、配向膜ＡＬ１と絶縁膜１４の間（詳しくは絶縁膜１４上）に形成されている。画素電極ＰＥは、配向膜ＡＬ１に接する表面（前面）ＰＥｆと、表面ＰＥｆの反対側に位置し、絶縁膜１４に接する裏面（背面）ＰＥｂと、を有する。また、電極ＴＥは、配向膜ＡＬ１に接する表面（前面）ＴＥｆと、表面ＴＥｆの反対側に位置し、絶縁膜１４に接する裏面（背面）ＴＥｂと、を有する。このように、配向膜ＡＬ１と接する位置に電極ＴＥが形成されている場合、電極ＴＥから液晶層ＬＱまでの距離が近いので、例えば、配線層ＷＬ１、ＷＬ２、あるいはＷＬ３などに電極ＴＥが形成されている場合と比較してイオントラップの効率が向上する。

また、イオントラップの効率を向上させる観点からは、電極ＴＥを覆う配向膜ＡＬ１の厚さが薄い方が良い。ところが、配向膜ＡＬ１の厚さが一様に薄い場合、画素電極ＰＥの近傍の強い電界が発生する部分において、電荷が集中し、この電荷に起因して配向膜ＡＬ１が損傷する（焼き付き現象と呼ぶ）場合がある。特に、本実施の形態のように、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとが一方の基板ＳＵＳ１に形成されている横電界モードの表示装置の場合、縦電界モードと比較して電極の近傍に電荷が集中し易い。また、図３に示すように、厚さ方向において、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとが互いに異なる層に設けられたＦＦＳモードの表示装置の場合、全体として不均一な強さの斜め電界（フリンジ電界）が発生する。このため、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとが同層に設けられたＩＰＳモードの表示装置と比較して、電界強度が局所的に強くなる部分が生じやすい。この結果、ＦＦＳモードの表示装置の場合、配向膜ＡＬ１が薄いと、焼き付き現象が特に発生し易い。

このように、周辺領域ＮＤＡに配置される電極ＴＥによるイオントラップの効率を向上させようとすると、表示領域ＤＡにおいて焼き付き現象により表示品質が低下する場合があることが判った。そこで、本願発明者は、イオントラップの効率を向上させ、かつ、焼き付き現象の発生を抑制する技術について検討を行った。この結果、図７に示すように、配向膜ＡＬ１のうち、電極ＴＥと重畳する部分ＰＴ３の厚さＴＨ３が、画素電極ＰＥと重畳する部分ＰＴ２の厚さＴＨ２より薄くなるように配向膜ＡＬ１が形成されていることにより、実現可能であることが判った。図７は、図４に示すトラップ電極および画素電極の周辺をさらに拡大して示す拡大断面図である。

図７に示すように、配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡにおいて画素電極ＰＥと重畳しない部分ＰＴ１を有している。また、配向膜ＡＬ１は、表示領域ＤＡにおいて画素電極ＰＥと重畳する（詳しくは画素電極ＰＥの表面ＰＥｆと重畳する）部分ＰＴ２を有している。配向膜ＡＬ１は、周辺領域ＮＤＡにおいて電極ＴＥと重畳する（詳しくは電極ＴＥの表面ＴＥｆと重畳する）部分ＰＴ３を有している。また、部分ＰＴ３の厚さＴＨ３は、部分ＰＴ２の厚さＴＨ２より薄い。

本実施の形態のように、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３が薄い場合、トラップ電極である電極ＴＥと液晶層ＬＱとの距離が近いので、電極ＴＥの周辺にイオン性の不純物を効率的にトラップすることができる。一方、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、部分ＰＴ３の厚さＴＨ３より厚く、例えば部分ＰＴ１の厚さＴＨ１と同程度である。この場合、画素電極ＰＥの近傍において、電荷の集中を抑制できるので焼き付き現象を抑制できる。

次に、配向膜ＡＬ１の部分毎の厚さを制御する構成について説明する。図７に示すように、本実施の形態の場合、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さは、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さより高くなっている。詳しくは、絶縁性基板である基板１０の面（前面）１０ｆから電極ＴＥの表面ＴＥｆまでの距離ＬＴｆは、基板１０の面１０ｆから画素電極ＰＥの表面ＰＥｆまでの距離ＬＰｆより長い。上記したように、配向膜ＡＬ１は、例えばポリイミドなどの樹脂から成り、例えば以下のように形成される。配向膜ＡＬ１の原料樹脂と溶媒の混合物を準備して、配向膜形成面である絶縁膜１４上、電極ＴＥ上、および画素電極ＰＥ上に塗布する。この時、原料樹脂と溶媒の混合物は低粘度の液体なので、被塗布面に凹凸があると、上記混合物からなる塗布膜の厚さは一様にならない。すなわち、被塗布面のうち、高さが低い場所に上記液体が集まり易いので、凸形状の被塗布面を覆う塗布膜の厚さは、凹形状の被塗布面を覆う塗布膜の厚さより薄く形成される。この状態で熱処理を施すと、溶媒が揮発するとともに、反応（ポリイミドの場合にはイミド化反応）が進み、配向膜ＡＬ１が形成される。したがって、本実施の形態のように、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さより高くなっている場合、図７に示すように、厚さＴＨ３は厚さＴＨ２より薄くなる。

また、図７に示す例では、基板１０の面１０ｆから配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の表面（前面）ＡＬｆまでの距離ＬＡｆは、基板１０の面１０ｆから電極ＴＥの表面ＴＥｆまでの距離ＬＴｆより短く、かつ、基板１０の面１０ｆから画素電極ＰＥの表面ＰＥｆまでの距離ＬＰｆより長い。画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さが配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の表面ＡＬｆの高さより高い場合、配向膜ＡＬ１の原料を塗布した時の広がりが抑制され、表示領域ＤＡにおいて配向膜ＡＬ１の厚さが局所的に薄い場所が生じる場合がある。しかし、図７に示すように、距離ＬＡｆが距離ＬＰｆよりも長い場合、表示領域ＤＡにおける配向膜ＡＬ１の厚さを安定的に厚くできる。

また、図７に示す配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の厚さＴＨ１と、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰに着目して、以下のように表現することもできる。すなわち、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰは、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の厚さＴＨ１より薄い。言い換えれば、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の厚さＴＨ１は、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚い。これにより、表示領域ＤＡにおいて、配向膜ＡＬ１の厚さを安定的に厚くできる。

また、トラップ電極である電極ＴＥの厚さＴＨＴは、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚く、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ１の厚さＴＨ１よりも厚い。本実施の形態の場合、電極ＴＥの厚さＴＨＴを厚くすることにより、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが画素電極ＰＥの表面ＰＥｆより高くなるようにしている。また、電極ＴＥの厚さＴＨＴが部分ＰＴ１の厚さＴＨ１より厚い場合、配向膜ＡＬ１を形成する際に電極ＴＥの周囲に配向膜ＡＬ１の原料樹脂を含む液体が電極ＴＥの周囲に流れやすくなるので、部分ＰＴ３の厚さＴＨ３を薄くすることができる。

配向膜ＡＬ１のうち、画素電極ＰＥと重畳する部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、部分ＰＴ１の厚さＴＨ１と同程度であることが好ましい。しかし、図７に示すように、画素電極ＰＥは絶縁膜１４上に形成されており、絶縁膜１４上において、画素電極ＰＥが形成された部分は凸形状になっている。したがって、上記したように、配向膜ＡＬ１を形成する際に、画素電極ＰＥと重畳する部分の塗布膜の厚さは画素電極ＰＥと重畳しない部分の塗布膜の厚さより薄くなる。このため、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、部分ＰＴ１の厚さＴＨ１より薄い。上記した焼き付き現象を抑制する観点からは、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、厚い方が良い。また、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰが薄ければ、配向膜ＡＬ１の形成時に、部分ＰＴ２の厚さＴＨ２が薄くなり難い。したがって、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚いことが好ましい。

ただし、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２と、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰとが同程度であれば、焼き付き現象をある程度は抑制することができる。配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２と、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰとが同程度と言えるためには、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰに対して、７０％以上かつ１３０％以下であることが好ましい。

また、電極ＴＥは、上記したように、画素電極ＰＥと同層に形成される。したがって、電極ＴＥが画素電極ＰＥと同じ透明導電材料で形成されている場合には、画素電極ＰＥと電極ＴＥを一括して形成することができる。ただし、上記したイオントラップの効率を向上させる観点からは、電極ＴＥのインピーダンスを低減させることが好ましい。電極ＴＥのインピーダンスを低減する観点からは、電極ＴＥが金属材料から成ることが好ましい。

また、電極ＴＥに電位を供給する経路のインピーダンスを低減する観点から、電極ＴＥに電位を供給する配線も金属配線であることが好ましい。図８は、図６に示すトラップ電極と、トラップ電極に電位を供給する配線とが電気的に接続されている部分の拡大断面図である。なお、図８は、電極ＴＥに接続される配線経路に沿った断面図なので、Ｘ方向やＹ方向は図示していない。図８に示す例では、電極ＴＥは、金属配線ＭＷ２を介して配線ＶＧＬと電気的に接続されている。配線ＶＧＬ、金属配線ＭＷ２は、金属材料から成る。配線ＶＧＬは、配線層ＷＬ２に形成されている。また金属配線ＭＷ２は配線層ＷＬ３に形成されている。なお、図５を用いて説明した金属配線ＭＷ１は、共通電極ＣＥの抵抗を制御する導体パターンであって、画素電極ＰＥには接続されていない。したがって、画素電極ＰＥと絶縁膜１４との間には、金属配線ＭＷ１は配置されていない。

＜変形例１＞
次に、上記した表示装置ＤＳＰ１に対する種々の変形例のうちの一部について、順に説明する。図９は、図７に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。また、図１０は、図９に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。図１１は、図９に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。

表示装置ＤＳＰ１では、図７に示すように、電極ＴＥの厚さＴＨＴが画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚くなるように形成されていることにより、配向膜ＡＬ１の厚さを制御する実施態様について説明した。

図９に示す表示装置ＤＳＰ２および図１０に示す表示装置ＤＳＰ３は、絶縁膜１４上にスペーサ部材ＳＰＰを介して電極ＴＥが形成されている点で、図７に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。また、表示装置ＤＳＰ２の電極ＴＥの厚さＴＨＴは、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰと同じ、あるいはそれ以下である点で、図７に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。

表示装置ＤＳＰ２の場合、電極ＴＥと絶縁膜１４との間にスペーサ部材ＳＰＰが配置されていることにより、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さより高くなっている。詳しくは、絶縁性基板である基板１０の面１０ｆから電極ＴＥの表面ＴＥｆまでの距離ＬＴｆは、基板１０の面１０ｆから画素電極ＰＥの表面ＰＥｆまでの距離ＬＰｆより長い。

このように、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さより高くなっている場合、既に説明したように、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３は、部分ＰＴ２の厚さＴＨ２より薄くなる。この結果、イオントラップの効果を向上させ、かつ、焼き付き現象の発生を抑制できる。

図９に示すように、電極ＴＥの延在方向に交差するＸ方向において、スペーサ部材ＳＰＰの幅は、電極ＴＥの幅より長い。また、Ｘ方向において、電極ＴＥの裏面ＴＥｂの全体がスペーサ部材ＳＰＰに接している。この場合、電極ＴＥの表面ＴＥｆを平坦化し易い。

また、スペーサ部材ＳＰＰの材質には種々の変形例がある。例えば、絶縁膜１４などと同様に、有機絶縁膜であっても良い。あるいは、画素電極ＰＥと同じ透明導電材料により形成されていても良い。また、金属膜であっても良い。電極ＴＥのインピーダンスを低減する観点からは、導電性材料が好ましく、金属膜が特に好ましい。

また、図９に示す表示装置ＤＳＰ２の場合、スペーサ部材ＳＰＰは、厚さ方向の断面視において、台形である。詳しくは、台形の上底が電極ＴＥの裏面ＴＥｂと接し、台形の下底が絶縁膜１４と接する。この場合、スペーサ部材ＳＰＰおよび電極ＴＥの加工が容易である。一方、図１０に示す表示装置ＤＳＰ３の場合、台形の下底が電極ＴＥの裏面ＴＥｂと接し、台形の上底が絶縁膜１４と接する、逆台形（逆テーパとも呼ぶ）の形状である。この場合、図９に示す例と比較して、電極ＴＥの近傍において、スペーサ部材ＳＰＰから露出する絶縁膜１４の面積が増加する。絶縁膜１４の露出面積が増加することにより、配向膜ＡＬ１を引っ張る表面張力が増大するので、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３を薄く加工し易くなる。なお、スペーサ部材ＳＰＰの断面形状は、台形に限定されない。

また、図９および図１０では、電極ＴＥの厚さＴＨＴが、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰと同じ、あるいはそれ以下である実施態様について説明したが、図９に示す電極ＴＥの厚さＴＨＴが画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚くても良い。この場合、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３は、図７、図９、あるいは図１０に示す例よりもさらに薄くなる。

図９において、信号線ＳＬと重畳する位置に、共通電極ＣＥと接する金属配線ＭＷ１が形成され、共通電極ＣＥの抵抗が金属配線ＭＷ１により低減されている。しかし、距離ＬＰｆを小さくするため、画素電極ＰＥと絶縁膜１３の間に金属配線ＭＷ１はない。

また、図１１に示す表示装置ＤＳＰ４のように、スペーサ部材ＳＰＰが絶縁膜１４と絶縁膜１３の間に形成されていても良い。この場合、スペーサ部材ＳＰＰの材質は特に限定されないが、金属配線ＭＷ１と同じ材料が好ましい。金属配線ＭＷ１と同じ材料で形成すれば、電極ＴＥと基板１０の距離ＬＴｆを大きくし易い。図９に示す表示装置ＤＳＰ２、図１０に示す表示装置ＤＳＰ３、および図１１に示す表示装置ＤＳＰ４は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様なので、重複する説明は省略する。

＜変形例２＞
図７に示す表示装置ＤＳＰ１や図９に示す表示装置ＤＳＰ２では、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さより高くなっていることにより、配向膜ＡＬ１の厚さを制御する実施態様について説明した。図１２は、図７に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。また、図１３は、図１２に示す溝部１４ｔｒと電極ＴＥとの平面的な位置関係を示す拡大平面図である。図１３は平面図であるが、溝部１４ｔｒの内側と電極ＴＥに互いに異なる種類のハッチングを付している。

図１２に示す表示装置ＤＳＰ５は、周辺領域ＮＤＡにおいて、電極ＴＥの近傍に溝部１４ｔｒが形成されている点で表示装置ＤＳＰ１、ＤＳＰ２と相違する。また、表示装置ＤＳＰ５は、電極ＴＥの厚さＴＨＴが、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰと同じ、あるいはそれ以下である点で、図７に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。また、表示装置ＤＳＰ５は、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さが、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さと同じである点で表示装置ＤＳＰ１、ＤＳＰ２と相違する。詳しくは、表示装置ＤＳＰ５が有する基板１０の面１０ｆから電極ＴＥの表面ＴＥｆまでの距離ＬＴｆは、基板１０の面１０ｆから画素電極ＰＥの表面ＰＥｆまでの距離ＬＰｆと同じである。

図１２に示すように、表示装置ＤＳＰ５の周辺領域ＮＤＡには、溝部１４ｔｒが形成されている。溝部１４ｔｒは、絶縁膜１４の一部分に設けられた窪みである。図１３に示すように溝部１４ｔｒは、電極ＴＥの延在方向であるＹ方向に沿って延びている。電極ＴＥと重畳する領域（第１領域）には、溝部１４ｔｒは形成されていない。また、溝部１４ｔｒと重畳する領域では、溝部１４ｔｒが設けられていない領域（例えば上記第１領域）と比較して、絶縁膜１４の厚さが薄くなっている。言い換えれば、絶縁膜１４は、周辺領域ＮＤＡにおいて電極ＴＥと重畳する第１領域と、周辺領域ＮＤＡにおいて電極ＴＥと重畳しない第２領域（溝部１４ｔｒが設けられた領域）とを有している。上記第１領域における絶縁膜１４の厚さは、上記第２領域における絶縁膜１４の厚さより厚い。

表示装置ＤＳＰ５の場合、電極ＴＥの表面ＴＥｆの高さは、画素電極ＰＥの表面ＰＥｆの高さと同じであるが、電極ＴＥの近傍に溝部１４ｔｒが設けられている。上記したように、配向膜ＡＬ１を形成する際に用いる原料樹脂と溶媒の混合物は低粘度の液体である。このため、被塗布面に凹凸があると、凸形状の被塗布面を覆う塗布膜の厚さは、凹形状の被塗布面を覆う塗布膜の厚さより薄く形成される。表示装置ＤＳＰ５の場合、電極ＴＥの近傍に溝部１４ｔｒを設けることにより、塗布した液体の多くが溝部１４ｔｒに流れ込む。つまり、溝部１４ｔｒは、配向膜ＡＬ１の原料を含む液体を電極ＴＥ上から集める吸液部としての機能を備えている。この結果、電極ＴＥと重畳する領域では、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３が薄くなる。一方、表示領域ＤＡには、溝部１４ｔｒは形成されていない。したがって、配向膜ＡＬ１のうち、画素電極ＰＥと重畳する部分ＰＴ２の厚さＴＨ２は、部分ＰＴ３の厚さＴＨ３と比較すると、相対的に厚くなる。

したがって、表示装置ＤＳＰ５によれば、イオントラップの効率を向上させ、かつ、焼き付き現象の発生を抑制することができる。

図１３に示す例では、平面視において、電極ＴＥを挟んで２本の溝部１４ｔｒが配置されている。言い換えれば、Ｘ方向において、電極ＴＥの両隣のそれぞれに、溝部１４ｔｒが配置されている。図１２に示す厚さＴＨ３を薄くする観点からは、図１３に示すように電極ＴＥの両隣に溝部１４ｔｒが形成されていることが特に好ましい。ただし、図１３に示す２本の溝部１４ｔｒのうち、いずれか一方のみが形成されている場合でも、溝部１４ｔｒを形成しない場合と比較すれば、図１２に示す厚さＴＨ３を薄くする効果は得られる。表示領域ＤＡに近い位置の方が配向膜ＡＬ１の厚さが厚く成り易いので、表示領域ＤＡと電極ＴＥの間に溝部１４ｔｒが優先的に配置されていることが好ましい。

また、配向膜ＡＬ１のうち、電極ＴＥと重畳する部分ＰＴ３の厚さＴＨ３を薄くするためには、電極ＴＥと溝部１４ｔｒの距離が近いことが好ましい。図１２に示すように表示装置ＤＳＰ５の場合、溝部１４ｔｒは、画素電極ＰＥより電極ＴＥに近い位置にある。

また、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３は、溝部１４ｔｒの溝幅や溝深さにより調整することができる。図１２に示す例では、有機絶縁膜である絶縁膜１４に溝部１４ｔｒが形成されている。しかし溝深さをさらに深くする場合には、絶縁膜１１、１２、１３、１４のうちの複数の絶縁膜を貫通するように溝部１４ｔｒを形成しても良い。図１２に示す例では、絶縁膜１１は無機絶縁膜であり、絶縁膜１２、１３、１４は有機絶縁膜である。図１２に示すように有機絶縁膜の方が無機絶縁膜より厚いので、有機絶縁膜の厚さを薄くする方が、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３の厚さを制御するマージンが大きい。

また、図１２では、溝部１４ｔｒと重畳する領域（上記第２領域）において、絶縁膜１４の厚さが薄くなっている実施態様を説明したが、絶縁膜１２や絶縁膜１３の厚さが薄くなっていても良い。この場合、絶縁膜１４の厚さは一定であっても、溝部１４ｔｒを形成することができる。

また、図１２に示す表示装置ＤＳＰ５の他の変形例として、溝部１４ｔｒと重畳する領域において、絶縁膜１１の厚さが薄くなっていても良い。この場合、配向膜ＡＬ１に含まれる水分が、有機絶縁膜を介して外部に排出され易くなる。

また、図１２および図１３では、溝部１４ｔｒに配向膜ＡＬ１の原料を含む液体が流れ込み、電極ＴＥと重畳する部分ＰＴ３における配向膜ＡＬ１の厚さＴＨ３が薄くできる実施態様について説明した。しかし、配向膜ＡＬ１の原料液が、電極ＴＥと重畳する部分ＰＴ３から周囲に流れやすい状態にできれば、溝部１４ｔｒが形成されていなくても良い。例えば、図１３に示す溝部１４ｔｒに代えて、配向膜ＡＬ１に対する親和性が電極ＴＥを構成する材料より高い材料からなる部分（吸液部）が設けられていても良い。

また、図１２および図１３では、電極ＴＥの厚さＴＨＴが、画素電極ＰＥの厚さＴＨＰと同じ、あるいはそれ以下である実施態様について説明したが、図１２に示す電極ＴＥの厚さＴＨＴが画素電極ＰＥの厚さＴＨＰより厚くても良い。この場合、配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３の厚さＴＨ３は、図７、図９、図１０、あるいは図１１に示す例よりもさらに薄くなる。

図１２および図１３に示す表示装置ＤＳＰ５は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様なので、重複する説明は省略する。

＜変形例３＞
また、図４に示すように、表示装置ＤＳＰ１の場合、シール部ＳＬＰと表示領域ＤＡとの間に電極ＴＥが設けられた実施態様について説明した。しかし、図１４に示すように電極ＴＥの一部分がシール部ＳＬＰと絶縁膜１４との間にあっても良い。図１４は、図４に対する変形例を示す拡大断面図である。

図１４に示す表示装置ＤＳＰ６は、電極ＴＥの一部分がシール部ＳＬＰと絶縁膜１４との間まで延びている点で図４に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。表示装置ＤＳＰ６は、Ｘ方向における周辺領域ＮＤＡの幅が図４に示す表示装置ＤＳＰ１より狭い。

表示装置ＤＳＰ６の場合、配向膜ＡＬ１は、電極ＴＥの表面ＴＥｆのうちの一部分に接し、他の部分では接しない。したがって、図７などを用いて説明した配向膜ＡＬ１の部分ＰＴ３は、配向膜ＡＬ１のうち、電極ＴＥの表面ＴＥｆに接している部分として定義できる。

図１４に示す表示装置ＤＳＰ６は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様なので、重複する説明は省略する。また、図１４では、代表的に図７の変形例として説明したが、図９〜図１２を用いて説明した各変形例と組み合わせて適用しても良い。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。

１０，２０ 基板（ベース基板、絶縁性基板）
１０ｆ 面（前面）
２０ｂ 面（背面）
１１ 絶縁膜（無機絶縁膜）
１２，１３，１４，１５ 絶縁膜（有機絶縁膜）
１４ｔｒ 溝部（吸液部）
ＡＬ１，ＡＬ２ 配向膜
ＡＬｆ 表面（前面）
ＢＬ バックライトユニット（光源）
ＢＭ，ＢＭ１，ＢＭ２ 遮光膜
ＣＤ 共通電極駆動回路
ＣＥ 共通電極（表示電極）
ＣＦＢ，ＣＦＧ，ＣＦＲ カラーフィルタ
ＣＭＬ コモン線（金属配線）
ＣＳ 保持容量
ＤＡ 表示領域
ＤＥ ドレイン電極
ＤＲＣ１ ドライバチップ
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２，ＤＳＰ３，ＤＳＰ４，ＤＳＰ５，ＤＳＰ６ 表示装置
ＥＮＢ，ＶＧＨ，ＶＧＬ 配線
ＦＷＢ１ 配線板（フレキシブル配線板）
ＧＢＵ バッファ回路
ＧＤ 走査線駆動回路（ゲート駆動回路）
ＧＥ ゲート電極
ＧＬ 走査線（ゲート線）
Ｇｓｉ 走査信号
ＬＡｆ，ＬＰｆ，ＬＴｆ 距離
ＬＱ 液晶層
ＭＷ１，ＭＷ２ 金属配線
ＮＤＡ 周辺領域（非表示領域、額縁領域）
ＯＣ１ 絶縁膜
ＯＤ１，ＯＤ２ 光学素子
ＰＥ 画素電極（表示電極）
ＰＥｂ，ＴＥｂ 裏面（背面）
ＰＥｆ，ＴＥｆ 表面（前面）
ＰＳＷ 画素スイッチ素子
ＰＴ１，ＰＴ２，ＰＴ３ 部分
ＰＸ 画素
ＳＣＬ 信号用接続配線
ＳＤ 信号線駆動回路
ＳＥ ソース電極
ＳＬ 信号線（映像信号線、ソース線）
ＳＬＰ シール部（シール材）
ＳＬＴ スリット
Ｓｐｉｃ 映像信号
ＳＰＰ スペーサ部材
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２ 基板
ＳＷＳ スイッチ回路部
ＴＥ 電極（トラップ電極）
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨＰ，ＴＨＴ 厚さ
Ｔｒ１ トランジスタ
ＷＬ１，ＷＬ２，ＷＬ３ 配線層
Ｘ，Ｙ，Ｚ 方向

Claims (11)

1. 表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する絶縁性基板と、
   前記周辺領域と重畳する遮光膜と、
   液晶層と、
   前記液晶層と前記絶縁性基板の間にある絶縁膜と、
   前記液晶層と接する表面を有し、前記絶縁膜と前記液晶層の間にある配向膜と、
   前記表示領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１表示電極と、
   前記周辺領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１電極と、を備え、
   前記周辺領域において、前記第１電極には電位が供給され、
   前記配向膜、前記第１表示電極、および前記第１電極のそれぞれは、前記絶縁膜上に形成され、
   前記絶縁性基板から前記第１電極の表面までの距離は、前記絶縁性基板から前記第１表示電極の表面までの距離より長い、表示装置。
2. 前記第１電極と重畳する領域における前記配向膜の厚さは、前記第１表示電極と重畳する領域における前記配向膜の厚さより薄い、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、を有し、
   前記絶縁性基板から前記配向膜の前記第１部分の表面までの距離は、前記絶縁性基板から前記第１電極の表面までの距離より短く、かつ、前記絶縁性基板から前記第１表示電極の表面までの距離より長い、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、を有し、
   前記第１電極の厚さは、前記配向膜の前記第１部分の厚さより厚い、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、を有し、
   前記配向膜の前記第２部分の厚さは、前記第１表示電極の厚さに対して７０％以上かつ１３０％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、を有し、
   前記配向膜の前記第２部分の厚さは、前記第１表示電極の厚さより厚い、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記絶縁膜は、前記周辺領域において前記第１電極と重畳する第１領域と、前記周辺領域において前記第１電極と重畳しない第２領域と、を有し、
   前記第１領域における前記絶縁膜の厚さは、前記第２領域における前記絶縁膜の厚さより厚い、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記絶縁膜は無機絶縁膜および有機絶縁膜を含み、
   前記有機絶縁膜のうち、前記第１領域における前記有機絶縁膜の厚さは、前記第２領域における前記有機絶縁膜の厚さより厚い、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１表示電極と前記絶縁性基板の間にある第２表示電極と、前記第２表示電極に接する第１金属配線と、
   を備え、
   前記絶縁膜は、前記第１表示電極と前記第２表示電極との層間絶縁膜を有し、
   前記第１表示電極と前記絶縁性基板の間に前記第１金属配線は無く、
   前記第１電極と前記絶縁性基板の間に前記第１金属配線と同層の金属膜がある、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有する絶縁性基板と、
    前記周辺領域と重畳する遮光膜と、
    液晶層と、
    前記液晶層と前記絶縁性基板の間にある絶縁膜と、
    前記液晶層と接する表面を有し、前記絶縁膜と前記液晶層の間にある配向膜と、
    前記表示領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１表示電極と、
    前記周辺領域において、前記絶縁膜と前記配向膜との間にあり、前記配向膜と接する表面を有する第１電極と、を備え、
    前記周辺領域において、前記第１電極には電位が供給され、
    前記配向膜、前記第１表示電極、および前記第１電極のそれぞれは、前記絶縁膜上に形成され、
    前記配向膜は、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳しない第１部分と、前記表示領域において前記第１表示電極と重畳する第２部分と、前記周辺領域において前記第１電極と重畳する第３部分と、を有し、
    前記配向膜の前記第３部分の厚さは、前記配向膜の前記第２部分の厚さより薄い、表示装置。
11. 前記絶縁膜は、前記周辺領域において前記第１電極と重畳する第１領域と、前記周辺領域において前記第１電極と重畳しない第２領域と、を有し、
    前記第１領域における前記絶縁膜の厚さは、前記第２領域における前記絶縁膜の厚さより厚い、請求項１０に記載の表示装置。

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