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JP2018168465A - Method for cleaning target material, device therefor, method for manufacturing target material, target material, method for manufacturing recycled ingot, and recycled ingot - Google Patents

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JP2018168465A
JP2018168465A JP2017196245A JP2017196245A JP2018168465A JP 2018168465 A JP2018168465 A JP 2018168465A JP 2017196245 A JP2017196245 A JP 2017196245A JP 2017196245 A JP2017196245 A JP 2017196245A JP 2018168465 A JP2018168465 A JP 2018168465A
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Koji Nishioka
宏司 西岡
洋行 塚田
Hiroyuki Tsukada
洋行 塚田
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Abstract

To provide a target material cleaning method capable of simply removing a joint material from a used target material without using acid or media, a device therefor, a method for manufacturing a target material using them, a target material, a method for manufacturing a recycled ingot with a reduced amount of impurities derived from the joint material and a support member, and a recycled ingot.SOLUTION: The present invention can provide: a target material cleaning method for removing a joint material from a target material by separating a target material from a support member of a sputtering target made by coupling the target material mainly made of metal and the support member with a joint material, and spraying water to a surface of at least the target material adhered to the joint material; a device therefor; a method for manufacturing the target material and a recycled ingot using them; a recycled material; and a recycled ingot.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、使用済みスパッタリングターゲットのリサイクル処理におけるターゲット材の洗浄方法、そのための装置、それらを使用したターゲット材の製造方法およびターゲット材、リサイクル鋳塊の製造方法およびリサイクル鋳塊に関する。   The present invention relates to a method for cleaning a target material in a recycling process of a used sputtering target, an apparatus therefor, a method for producing a target material using them, a target material, a method for producing a recycled ingot, and a recycled ingot.

スパッタリングターゲットは、一般に金属や合金、酸化物などのセラミックスから構成されるターゲット材と、金属や合金で構成されるバッキングプレートやバッキングチューブなどの支持部材とがハンダ材などの接合材で結合(ボンディング)されてなるものであり、このようなスパッタリングターゲットをスパッタリングに付すことによって基板上に金属や酸化物などの薄膜を形成することができる。ターゲット材は、その種類によらず、スパッタリングによって完全に消費されるものではなく、その使用後において回収され、例えばアルミニウムや銅などの金属は再び溶解して鋳造することにより鋳塊(スラブ、インゴット)として再使用(リサイクル)することができる。   In a sputtering target, a target material generally composed of ceramics such as metal, alloy, and oxide and a support member such as a backing plate or backing tube composed of metal or alloy are bonded with a bonding material such as solder material (bonding). A thin film such as a metal or an oxide can be formed on the substrate by subjecting such a sputtering target to sputtering. Regardless of the type of target material, it is not completely consumed by sputtering, but is recovered after its use. For example, a metal such as aluminum or copper is again melted and cast to produce an ingot (slab, ingot). ) Can be reused (recycled).

スパッタリングターゲットのリサイクルに関して、例えば、特許文献1〜3には、酸処理やブラスト処理などの機械的除去によるスパッタリングターゲットの表面付着物の除去が開示されている。   Regarding recycling of the sputtering target, for example, Patent Documents 1 to 3 disclose the removal of surface deposits on the sputtering target by mechanical removal such as acid treatment or blast treatment.

特開2005−23350号公報JP 2005-23350 A 特開2005−23349号公報JP 2005-23349 A 国際公開第2015/151498号パンフレットInternational Publication No. 2015/151498 Pamphlet

酸処理やブラスト処理などの処理は、手間と時間がかかり、非常に煩雑である。また、使用済みのターゲット材に残存する接合材の厚さは一様でない場合が主であり、特にサイズの大きなフラットパネルディスプレイ用のターゲット材では顕著である。従って、希硝酸による酸処理やブラスト処理では完全に接合材を除去することは困難であり、一部に接合材が残存するリスクがある。さらに、ブラスト処理においては、金属やセラミックスからなるメディアを処理部に衝突させるため、メディアの残留が懸念され、特にターゲット材が高純度品である場合にはメディアによる汚染が問題となる。よって、使用済みのターゲット材を溶解、鋳造して得られる鋳塊中には、メディアや接合材に由来する成分が不純物として混入し得るため、回収した材料から元のターゲット材と同等の品質のターゲット材を再生することは困難であった。また、バッキングプレートやバッキングチューブなどの支持部材に由来する成分も不純物として混入し得る場合もある。   Treatments such as acid treatment and blast treatment are laborious and time consuming and are very complicated. In addition, the thickness of the bonding material remaining on the used target material is mainly not uniform, and is particularly remarkable for a target material for a flat panel display having a large size. Therefore, it is difficult to completely remove the bonding material by acid treatment or blasting with dilute nitric acid, and there is a risk that the bonding material remains in part. Further, in the blasting process, a medium made of metal or ceramic collides with the processing unit, so there is a concern about the remaining of the medium. In particular, when the target material is a high-purity product, contamination by the medium becomes a problem. Therefore, in the ingot obtained by melting and casting the used target material, the components derived from the media and the bonding material can be mixed as impurities, so the recovered material has the same quality as the original target material. It was difficult to regenerate the target material. In addition, components derived from support members such as a backing plate and a backing tube may be mixed as impurities.

そこで、本発明では、酸やメディアを使用することなく、使用済みターゲット材から接合材を簡便に除去することのできるターゲット材の洗浄方法、そのための装置、それらを使用したターゲット材の製造方法およびターゲット材、接合材および支持部材に由来する不純物の量が低減したリサイクル鋳塊の製造方法ならびにリサイクル鋳塊の提供を課題とする。   Therefore, in the present invention, a target material cleaning method capable of easily removing a bonding material from a used target material without using an acid or a medium, an apparatus therefor, a method for producing a target material using them, and It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a recycled ingot in which the amount of impurities derived from the target material, the bonding material, and the support member is reduced, and to provide the recycled ingot.

本発明者は、鋭意研究の結果、主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットにおいて、その使用後に支持部材からターゲット材を分離し、その後、ターゲット材の接合材が付着して残存する面に水を噴射することによってターゲット材を洗浄することで、ターゲット材から、付着した接合材を簡便に除去できることを見出した。また、このような方法で処理したターゲット材を原料としてリサイクル鋳塊を得ることにより、接合材および支持部材に由来する不純物の量が大幅に低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of earnest research, the inventor has separated the target material from the support member after the use in the sputtering target in which the target material mainly composed of metal and the support member are bonded by the bonding material, and then the target It has been found that the adhered bonding material can be easily removed from the target material by washing the target material by spraying water onto the surface where the bonding material of the material adheres and remains. Further, the present inventors have found that the amount of impurities derived from the bonding material and the support member can be greatly reduced by obtaining a recycled ingot using the target material treated by such a method as a raw material, and the present invention has been completed.

本発明は、以下のターゲット材の洗浄方法、そのための装置、それらを使用したターゲット材の製造方法およびターゲット材、当該洗浄方法または装置で処理したターゲット材を原料としてリサイクル鋳塊を得ることを特徴とするリサイクル鋳塊の製造方法、ならびに当該製造方法によって得られるリサイクル鋳塊を提供し得るが、本発明は、以下に限定されるものではない。   The present invention is characterized in that the following target material cleaning method, apparatus therefor, target material manufacturing method and target material using them, and target material, and a recycled ingot is obtained using the target material treated by the cleaning method or apparatus as a raw material However, the present invention is not limited to the following.

[1]
主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲット(又は使用後のスパッタリングターゲット)の前記支持部材から前記ターゲット材を分離し、少なくとも前記ターゲット材の前記接合材が付着している面(又は付着して残存する面)に水を噴射することによって、前記ターゲット材から前記接合材を除去することを特徴とするターゲット材の洗浄方法。
[2]
前記水の圧力が90MPa以上であることを特徴とする上記[1]に記載のターゲット材の洗浄方法。
[3]
前記金属がアルミニウムまたは銅であることを特徴とする上記[1]または[2]に記載のターゲット材の洗浄方法。
[4]
上記[1]〜[3]のいずれか1項に記載の洗浄方法によりターゲット材を処理することを含む、ターゲット材(又は使用済みターゲット材)の製造方法。
[5]
エネルギー分散型蛍光X線分析によって、ターゲット材と支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素が実質的に検出されないことを特徴とする洗浄後のターゲット材(又は使用済みターゲット材)。
[6]
上記[4]に記載の製造方法より得られるターゲット材(又は使用済みターゲット材)を原料として、前記金属を鋳造することで前記金属を含むリサイクル鋳塊を得ることを特徴とするリサイクル鋳塊の製造方法。
[7]
ターゲット材と支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの接合材および支持部材に由来する不純物の合計量が重量基準で10ppm未満であることを特徴とするリサイクル鋳塊。
[8]
前記リサイクル鋳塊の主成分である金属がアルミニウムまたは銅であることを特徴とする上記[7]に記載のリサイクル鋳塊。
[9]
前記リサイクル鋳塊の主成分である金属がアルミニウムであり、前記不純物の合計量が重量基準で5ppm未満であることを特徴とする上記[8]に記載のリサイクル鋳塊。
[10]
主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの前記支持部材から分離された前記ターゲット材の少なくとも前記接合材が付着している面に水を噴射することによって、前記ターゲット材から前記接合材を除去するために用いられる装置であり、
前記ターゲット材に水を噴射するための噴射口を少なくとも1つ備える少なくとも1つのノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドを操作するためのアクチュエータと、
前記アクチュエータが配置され、前記ターゲット材を収容して処理するための処理室と
を含む、装置。
[11]
前記ターゲット材を前記処理室内で固定するためのクランプをさらに含む、上記[10]に記載の装置。
[12]
前記ターゲット材を反転させるための反転機構をさらに含む、上記[10]または[11]に記載の装置。
[13]
前記噴射口から噴射された水を回収して排水し、前記ターゲット材から除去された接合材を含む処理物を分離するための排水機構を含む、上記[10]〜[12]のいずれか1項に記載の装置。
[1]
The target material is separated from the support member of a sputtering target (or a sputtering target after use) in which a target material mainly composed of metal and a support member are bonded with a bonding material, and at least the bonding of the target material A method for cleaning a target material, wherein the bonding material is removed from the target material by spraying water onto a surface to which the material is adhered (or a surface remaining after adhering).
[2]
The method for cleaning a target material according to the above [1], wherein the water pressure is 90 MPa or more.
[3]
The method for cleaning a target material according to the above [1] or [2], wherein the metal is aluminum or copper.
[4]
The manufacturing method of a target material (or used target material) including processing a target material with the washing | cleaning method of any one of said [1]-[3].
[5]
The element contained in the impurities derived from the bonding material and the supporting member of the sputtering target in which the target material and the supporting member are bonded by the bonding material is not substantially detected by energy dispersive X-ray fluorescence analysis. Target material after cleaning (or used target material).
[6]
A recycle ingot including the metal by casting the metal using a target material (or a used target material) obtained from the production method according to the above [4] as a raw material. Production method.
[7]
A recycled ingot, wherein the total amount of impurities derived from a bonding material and a supporting member of a sputtering target formed by bonding a target material and a supporting member with a bonding material is less than 10 ppm on a weight basis.
[8]
The recycled ingot according to [7] above, wherein the metal as a main component of the recycled ingot is aluminum or copper.
[9]
The recycled ingot according to [8] above, wherein the metal as a main component of the recycled ingot is aluminum, and the total amount of the impurities is less than 5 ppm on a weight basis.
[10]
Water is sprayed onto at least the surface of the target material separated from the support member of the sputtering target formed by joining a target material mainly composed of metal and the support member with a bonding material. Is an apparatus used to remove the bonding material from the target material,
At least one nozzle head comprising at least one injection port for injecting water onto the target material;
An actuator for operating the nozzle head;
An apparatus comprising: a processing chamber in which the actuator is disposed and for storing and processing the target material.
[11]
The apparatus according to [10], further including a clamp for fixing the target material in the processing chamber.
[12]
The apparatus according to [10] or [11], further including a reversing mechanism for reversing the target material.
[13]
Any one of the above-mentioned [10] to [12], which includes a drainage mechanism for collecting and draining water ejected from the ejection port and separating a processed material including the bonding material removed from the target material. The device according to item.

本発明により、水を噴射することで接合材を簡便に除去することができるターゲット材の洗浄方法および洗浄装置を提供することができる。また、このような方法または装置で処理したターゲット材を原料としてリサイクル鋳塊を得ることにより、接合材および支持部材に由来する不純物の量を大幅に低減することができる。例えば、ターゲット材が主にアルミニウムまたは銅から構成される場合、不純物の合計量を重量基準で10ppm未満とすることができる。   According to the present invention, it is possible to provide a cleaning method and a cleaning apparatus for a target material that can easily remove a bonding material by spraying water. Moreover, the amount of impurities derived from the bonding material and the support member can be greatly reduced by obtaining a recycled ingot using the target material processed by such a method or apparatus as a raw material. For example, when the target material is mainly composed of aluminum or copper, the total amount of impurities can be less than 10 ppm on a weight basis.

本発明の概要を示す概略図である。It is the schematic which shows the outline | summary of this invention. スパッタリングターゲットのターゲット材と支持部材との結合を示す概略図である。It is the schematic which shows the coupling | bonding of the target material of a sputtering target, and a supporting member. 他のスパッタリングターゲットのターゲット材と支持部材との結合を示す概略図である。It is the schematic which shows the coupling | bonding of the target material and support member of another sputtering target. 別のスパッタリングターゲットのターゲット材と支持部材との結合を示す概略図である。It is the schematic which shows the coupling | bonding of the target material and support member of another sputtering target. 本発明において使用することのできる装置の実施形態を模式的に示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows typically embodiment of the apparatus which can be used in this invention. 本発明において使用することのできる装置の実施形態を模式的に示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows typically embodiment of the apparatus which can be used in this invention. 図6に示す装置のA−Aでの断面を示す概略図である。It is the schematic which shows the cross section in AA of the apparatus shown in FIG. 図6に示す装置のB−Bでの断面を示す概略図である。It is the schematic which shows the cross section in BB of the apparatus shown in FIG. 図5〜8に示すアクチュエータ103とノズルヘッド102との関係を模式的に示す概略図である。It is the schematic which shows typically the relationship between the actuator 103 and the nozzle head 102 which are shown in FIGS. 排水機構の一例としての膜分離式の固液分離装置を模式的に示す概略図である。It is the schematic which shows typically the membrane separation type solid-liquid separation apparatus as an example of a drainage mechanism. 排水機構の一例としての多段式の沈殿槽を模式的に示す概略図である。It is the schematic which shows typically the multistage type sedimentation tank as an example of a drainage mechanism.

本発明は、ターゲット材の洗浄方法、そのための装置、それらを使用したターゲット材の製造方法およびターゲット材、当該洗浄方法または装置で処理したターゲット材を原料とするリサイクル鋳塊の製造方法ならびに当該製造方法で製造されるリサイクル鋳塊に関する。   The present invention relates to a method for cleaning a target material, an apparatus therefor, a method for manufacturing a target material using them, a target material, a method for manufacturing a recycled ingot using a target material processed by the cleaning method or apparatus, and the manufacturing The present invention relates to a recycled ingot manufactured by the method.

例えば図1の概略図に示す通り、スパッタリングターゲットは、一般に金属を溶解し、鋳造して得られる鋳塊を加工(例えば、得られた鋳塊に圧延、押出などの塑性加工を施した後、切削、研磨などの機械加工)して平板型や円筒型などの形状を有するターゲット材を作製し、このターゲット材と、別途に作製した支持部材であるバッキングプレートやバッキングチューブなどとを接合材を用いて結合又は接合することにより作製することができる。スパッタリングターゲットは、本発明に従って、以下にて詳しく説明する通り、スパッタリングにて使用された後、ターゲット材と支持部材とに分離され、使用済みターゲット材は、水を噴射することで洗浄により接合材を除去し、再び溶解して鋳造することによって鋳塊とすることができ(以下、「リサイクル鋳塊」と称する)、このリサイクル鋳塊を加工することにより再びターゲット材を製造することができる。   For example, as shown in the schematic diagram of FIG. 1, a sputtering target generally melts a metal and processes an ingot obtained by casting (for example, after subjecting the obtained ingot to plastic processing such as rolling and extrusion, A target material having a shape such as a flat plate type or a cylindrical type is manufactured by machining such as cutting and polishing, and a bonding material is attached to the target material and a backing plate, a backing tube, or the like, which are separately prepared support members. It can be produced by using or bonding or joining. As will be described in detail below, the sputtering target is used in sputtering and then separated into a target material and a support member, and the used target material is a bonding material that is washed by spraying water. Can be made into an ingot by melting and casting again (hereinafter referred to as “recycled ingot”), and the target material can be produced again by processing the recycled ingot.

ターゲット材の洗浄方法
本発明において、「スパッタリングターゲット」は、主として金属(元素)から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるものであり、スパッタリングに使用され得るものであれば特に制限はない。スパッタリングターゲットが平板型の場合、支持部材として、平板状のバッキングプレートが用いられ得る。また、スパッタリングターゲットが円筒型の場合、支持部材として、円筒状のバッキングチューブが用いられ得る。ここで、円筒型ターゲット材の内部には、円筒状のバッキングチューブを挿入することができ、円筒型ターゲット材の内周部とバッキングチューブの外周部とが接合材にて結合され得る。
Cleaning method of target material In the present invention, the "sputtering target" is a target material mainly composed of a metal (element) and a support member bonded together with a bonding material, and can be used for sputtering. If there is no particular limitation. When the sputtering target is a flat plate type, a flat backing plate can be used as the support member. When the sputtering target is cylindrical, a cylindrical backing tube can be used as the support member. Here, a cylindrical backing tube can be inserted into the cylindrical target material, and the inner peripheral portion of the cylindrical target material and the outer peripheral portion of the backing tube can be joined by a bonding material.

「ターゲット材」は、主として、金属(元素)から構成され得るものであり、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、銀(Ag)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、金(Au)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)およびニッケル(Ni)からなる群から選択される金属(元素)を含むものであり、上記の金属を含む合金であってもよく、ビッカース硬度が200以下、好ましくは100以下、さらに好ましくは50以下である金属または合金であることが好ましい。なかでも主としてアルミニウム(純度99.99%(4N)以上、好ましくは純度99.999%(5N)以上)または銅(純度99.99%(4N)以上)から構成されることが好ましい。ビッカース硬度は、ビッカース硬さ試験(JIS Z 2244:2003)により確認することができる。ターゲット材の寸法、形状および構造に特に制限はない。ターゲット材として、板状のものを使用することが好ましい。   The “target material” can be mainly composed of a metal (element), for example, aluminum (Al), copper (Cu), chromium (Cr), iron (Fe), tantalum (Ta), titanium (Ti ), Zirconium (Zr), tungsten (W), molybdenum (Mo), niobium (Nb), silver (Ag), cobalt (Co), ruthenium (Ru), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au ), Rhodium (Rh), iridium (Ir), and nickel (Ni), and may include an alloy containing the above metal and have a Vickers hardness of 200 or less. The metal or alloy is preferably 100 or less, more preferably 50 or less. In particular, it is preferably composed mainly of aluminum (purity 99.99% (4N) or more, preferably 99.999% (5N) or more) or copper (purity 99.99% (4N) or more). The Vickers hardness can be confirmed by a Vickers hardness test (JIS Z 2244: 2003). There are no particular restrictions on the size, shape and structure of the target material. It is preferable to use a plate-like material as the target material.

ターゲット材が板状である場合、ターゲット材の長手方向の寸法は、例えば500mm〜4000mm、好ましくは1000mm〜3200mm、より好ましくは1200mm〜2700mmである。
幅方向(長手方向に対して垂直な方向)の寸法は、例えば50mm〜1200mm、好ましくは150mm〜750mm、より好ましくは170mm〜300mmである。
厚みは、例えば5mm〜35mm、好ましくは10mm〜30mm、より好ましくは12mm〜25mmである。
本発明では、例えば、大型のフラットパネルディスプレイ用のターゲット材であっても簡便に処理することができる。
When the target material is plate-like, the length in the longitudinal direction of the target material is, for example, 500 mm to 4000 mm, preferably 1000 mm to 3200 mm, and more preferably 1200 mm to 2700 mm.
The dimension in the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) is, for example, 50 mm to 1200 mm, preferably 150 mm to 750 mm, and more preferably 170 mm to 300 mm.
The thickness is, for example, 5 mm to 35 mm, preferably 10 mm to 30 mm, and more preferably 12 mm to 25 mm.
In the present invention, for example, even a target material for a large flat panel display can be easily processed.

支持部材が、「バッキングプレート」の場合は、主として、銅(Cu)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、鉄(Fe)、コバルト(Co)およびニッケル(Ni)からなる群から選択される金属(元素)を含むものであり、上記の金属を含む合金であってもよく、なかでも、銅(無酸素銅)、クロム銅合金、アルミニウム合金などであることが好ましい。ターゲット材を配置することができる板状ものであれば、バッキングプレートの寸法、形状および構造に特に制限はない。
支持部材が、「バッキングチューブ」の場合も、構成する金属は、上記のバッキングプレートの場合と同様であるが、なかでも、ステンレス鋼(SUS)、チタン、チタン合金などであることが好ましい。バッキングチューブの寸法は、円筒型ターゲット材の内部に挿入して接合するため、円筒型ターゲット材よりも通常長く、バッキングチューブの外径は、円筒型ターゲット材の内径よりも僅かに小さいことが好ましい。
When the support member is a “backing plate”, mainly copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), niobium It includes a metal (element) selected from the group consisting of (Nb), iron (Fe), cobalt (Co) and nickel (Ni), and may be an alloy including the above metals, Copper (oxygen-free copper), chromium copper alloy, aluminum alloy and the like are preferable. There is no particular limitation on the size, shape, and structure of the backing plate as long as the target material can be placed on the plate.
When the support member is a “backing tube”, the constituent metal is the same as in the case of the above-described backing plate, and among these, stainless steel (SUS), titanium, titanium alloy, and the like are preferable. Since the dimensions of the backing tube are inserted and joined inside the cylindrical target material, it is usually longer than the cylindrical target material, and the outer diameter of the backing tube is preferably slightly smaller than the inner diameter of the cylindrical target material. .

「接合材」は、ターゲット材と支持部材との結合に寄与してスパッタリングターゲットを形成するために使用され得るものであれば特に制限はない(図2)。接合材には、例えば、ハンダ材、ろう材などが含まれる。
「ハンダ材」とは、低融点(例えば723K以下)の金属または合金を含む材料であり、例えば、インジウム(In)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銅(Cu)、ビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)およびアンチモン(Sb)からなる群から選択される金属またはその合金を含む材料などが挙げられる。より具体的には、In、In−Sn、Sn−Zn、Sn−Zn−In、In−Ag、Sn−Pb−Ag、Sn−Bi、Sn−Ag−Cu、Pb−Sn、Pb−Ag、Zn−Cd、Pb−Sn−Sb、Pb−Sn−Cd、Pb−Sn−In、Bi−Sn−Sbなどが挙げられる。
「ろう材」としては、ターゲット材と支持部材とを結合することができ、ターゲット材および支持部材よりも融点の低い金属または合金であれば、特に制限なく使用することができる。
接合材として、一般に低融点であるInやIn合金、SnやSn合金などのハンダ材を使用することが好ましい。
The “bonding material” is not particularly limited as long as it can be used to form a sputtering target by contributing to the bonding between the target material and the support member (FIG. 2). Examples of the bonding material include solder material and brazing material.
The “solder material” is a material containing a metal or alloy having a low melting point (for example, 723 K or less), for example, indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb), silver (Ag). , Copper (Cu), bismuth (Bi), cadmium (Cd) and antimony (Sb), or a material containing a metal or an alloy thereof. More specifically, In, In—Sn, Sn—Zn, Sn—Zn—In, In—Ag, Sn—Pb—Ag, Sn—Bi, Sn—Ag—Cu, Pb—Sn, Pb—Ag, Zn-Cd, Pb-Sn-Sb, Pb-Sn-Cd, Pb-Sn-In, Bi-Sn-Sb, and the like can be given.
As the “brazing material”, a target material and a support member can be bonded, and any metal or alloy having a melting point lower than that of the target material and the support member can be used without any particular limitation.
As the bonding material, it is preferable to use a solder material such as In or In alloy, Sn or Sn alloy which generally has a low melting point.

例えば、ハンダ材は、加熱によって、ターゲット材との結合面において、ターゲット材に含まれる金属(元素)と拡散層(合金層)を形成して結合することができる。また、ハンダ材は、支持部材との接合面においても、同様に支持部材に含まれる金属(元素)と拡散層(合金層)を形成して結合することができる。従って、このようなハンダ材を使用することによってハンダ層を形成し、ターゲット材と支持部材とを結合することができる(図3)。   For example, the solder material can be bonded by forming a diffusion layer (alloy layer) with a metal (element) contained in the target material on the bonding surface with the target material by heating. In addition, the solder material can also form a bonding layer (alloy layer) and a metal (element) contained in the support member and bond them on the joint surface with the support member. Therefore, a solder layer can be formed by using such a solder material, and a target material and a support member can be combined (FIG. 3).

一般に、ターゲット材や支持部材に上記のハンダ材を乗せるだけでは、ターゲット材や支持部材の表面に存在し得る酸化膜が影響して、十分な接合強度が得られないことがある。そのため、まずはそれらの表面に対するハンダ材の濡れ性を向上させるためにメタライズ層が設けられ得る。   In general, if only the solder material is placed on the target material or the support member, an oxide film that may be present on the surface of the target material or the support member is affected, so that sufficient bonding strength may not be obtained. Therefore, first, a metallized layer may be provided in order to improve the wettability of the solder material with respect to those surfaces.

「メタライズ」とは、一般に非金属の表面を金属膜化するために使用され得る処理方法であり、本発明では、例えば、ターゲット材や支持部材が酸化膜を有する場合などにおいて、メタライズ用のハンダ材を用いてターゲット材や支持部材と結合させてメタライズ層を形成させることをいう。メタライズ層は、例えば、超音波はんだごてを使用して、超音波の振動エネルギー(キャビテーション効果)によってターゲット材や支持部材の酸化膜を破壊しながら、加熱によって、酸化膜中の酸素原子と共に、メタライズ用のハンダ材に含まれる金属原子と、ターゲット材や支持部材に含まれる金属原子とを化学的に結合させることによって形成され得るものである。   “Metallization” is a processing method that can be generally used to form a metal film on a non-metallic surface. In the present invention, for example, when a target material or a support member has an oxide film, solder for metallization is used. A metallized layer is formed by bonding with a target material or a support member using a material. The metallized layer, for example, using an ultrasonic soldering iron, while destroying the oxide film of the target material and the support member by ultrasonic vibration energy (cavitation effect), by heating, along with oxygen atoms in the oxide film, It can be formed by chemically bonding metal atoms contained in the metallization solder material and metal atoms contained in the target material or the support member.

このようにして形成され得るメタライズ層(5,5’)(図4参照)は、上記のハンダ層(4)とも結合することができ、ターゲット材(1)とハンダ層(4)との間、支持部材(2)とハンダ層(4)との間に位置して、ターゲット材(1)とハンダ層(4)、支持部材(2)とハンダ層(4)とを強固に結合する役割を果たすことができる。   The metallized layers (5, 5 ′) (see FIG. 4) that can be formed in this way can also be bonded to the solder layer (4), and between the target material (1) and the solder layer (4). Position between the support member (2) and the solder layer (4) to firmly bond the target material (1) and the solder layer (4) and the support member (2) and the solder layer (4) Can be fulfilled.

ハンダ層の厚みは、例えば平板型の場合は50μm〜500μm、円筒型の場合は250μm〜1500μmの範囲内である。
メタライズ層の厚みは、例えば平板型、円筒型ともに10μm〜100μmの範囲内である。
The thickness of the solder layer is, for example, in the range of 50 μm to 500 μm for the flat plate type and 250 μm to 1500 μm for the cylindrical type.
The thickness of the metallized layer is, for example, in the range of 10 μm to 100 μm for both the flat plate type and the cylindrical type.

メタライズに使用することのできるハンダ材は、例えば、インジウム(In)、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銅(Cu)、ビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)およびアンチモン(Sb)からなる群から選択される金属またはその合金を含む材料などであり、より具体的には、In、In−Sn、Sn−Zn、Sn−Zn−In、In−Ag、Sn−Pb−Ag、Sn−Bi、Sn−Ag−Cu、Pb−Sn、Pb−Ag、Zn−Cd、Pb−Sn−Sb、Pb−Sn−Cd、Pb−Sn−In、Bi−Sn−Sbなどが挙げられる。ターゲット材または支持部材と親和性の高い材料を適宜選択すればよい。   Solder materials that can be used for metallization include, for example, indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), lead (Pb), silver (Ag), copper (Cu), bismuth (Bi), cadmium ( A material including a metal selected from the group consisting of Cd) and antimony (Sb) or an alloy thereof, and more specifically, In, In—Sn, Sn—Zn, Sn—Zn—In, In—Ag. Sn-Pb-Ag, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu, Pb-Sn, Pb-Ag, Zn-Cd, Pb-Sn-Sb, Pb-Sn-Cd, Pb-Sn-In, Bi-Sn -Sb etc. are mentioned. What is necessary is just to select a material with high affinity with a target material or a supporting member suitably.

本発明では、例えば図1の概略図に示す通り、スパッタリングターゲットをスパッタリングにて使用した後、支持部材からターゲット材を分離(剥離)する。ターゲット材を支持部材から分離する方法に特に制限はない。例えば、上記の接合材から形成され得る接合層(又は結合層)に熱(例えば180℃〜300℃)を加えて、接合層を軟化または溶融しながら、必要に応じて物理的に接合層を破壊してターゲット材を支持部材から分離することができる。   In the present invention, for example, as shown in the schematic diagram of FIG. 1, after the sputtering target is used in sputtering, the target material is separated (peeled) from the support member. There is no particular limitation on the method for separating the target material from the support member. For example, heat (for example, 180 ° C. to 300 ° C.) is applied to a bonding layer (or bonding layer) that can be formed from the bonding material described above, and the bonding layer is physically formed as necessary while softening or melting the bonding layer. The target material can be separated from the support member by breaking.

ターゲット材が平板型の場合、分離した後のターゲット材において、バッキングプレートと結合(又は接合)していた側の面(以下、「結合面」又は「接合面」と称する場合もある)には、接合材の少なくとも一部が付着して残存している。なお、分離後の結合面に付着した接合材をヘラ(例えば、シリコーン製のヘラ)などでそぎ落としても、付着した接合材を完全に除去することはできない。また、ターゲット材のスパッタリング面においても接合材が付着して残存する場合がある。その原因としては、例えば、ターゲット材の分離の際に溶融した接合材がスパッタリング面に付着することや、分離した使用済みのターゲット材を互いに積み重ねて保管したために、結合面とスパッタリング面とが接触し、結合面の接合材がスパッタリング面に付着することなどが挙げられる。従って、スパッタリング面においても当該洗浄方法を適用してもよい。   In the case where the target material is a flat plate type, in the separated target material, the surface on the side that is bonded (or bonded) to the backing plate (hereinafter also referred to as “bonded surface” or “bonded surface”) At least a part of the bonding material remains attached. Note that even if the bonding material adhering to the bonded surface after separation is scraped off with a spatula (for example, a silicone spatula), the adhering bonding material cannot be completely removed. In addition, the bonding material may adhere and remain on the sputtering surface of the target material. As the cause, for example, the bonding material melted at the time of separation of the target material adheres to the sputtering surface, and the separated used target materials are stacked and stored so that the bonding surface and the sputtering surface are in contact with each other. For example, the bonding material on the bonding surface may adhere to the sputtering surface. Therefore, the cleaning method may be applied to the sputtering surface.

ターゲット材が円筒型の場合、円筒型ターゲット材が円筒状のバッキングチューブの外周部に接合材を用いて結合され得るため、前述の板状ターゲットの場合と同様に、分離後のターゲット材の結合面(内周部)には接合材が付着し、完全に除去することはできない。また、ターゲット材のスパッタリング面においても接合材が付着して残存する場合がある。さらには、バッキングチューブに由来する成分も不純物として混入し得る場合もある。従って、円筒型ターゲット材においてもスパッタリング面である外周部や内周部に対して当該洗浄方法を適用してもよい。   When the target material is cylindrical, since the cylindrical target material can be bonded to the outer periphery of the cylindrical backing tube using a bonding material, the target material after separation is combined as in the case of the plate target described above. The bonding material adheres to the surface (inner periphery) and cannot be completely removed. In addition, the bonding material may adhere and remain on the sputtering surface of the target material. Furthermore, components derived from the backing tube may be mixed as impurities. Therefore, the cleaning method may be applied to the outer peripheral portion and the inner peripheral portion, which are sputtering surfaces, also in the cylindrical target material.

分離後のターゲット材における接合材の付着の存在は、例えば、エネルギー分散型蛍光X線分析(EDXRF:Energy Dispersive X-ray Fluorescence Analysis)によって確認することができる。また、支持部材からターゲット材へと金属元素が拡散する場合もあり、このような金属元素についても同様にEDXRFによって確認することができる。他にも、波長分散型蛍光X線分析(WDXRF:Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence Analysis)、電子線プローブマイクロアナリシス(EPMA:Electron Probe Micro Analysis)、オージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)、X線光電分光法(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)、レーザー照射型誘導結合プラズマ質量分析(LA−ICP−MS:Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)、X線回折法(XRD:X-ray Diffraction Analysis)などの分析方法でも、接合材、支持部材に由来する不純物は確認可能であるが、分析の簡便さ、分析範囲の広さから、EDXRF、WDXRFでの確認が好ましい。   The presence of bonding material adhering to the target material after separation can be confirmed by, for example, energy dispersive X-ray fluorescence analysis (EDXRF). In addition, a metal element may diffuse from the support member to the target material, and such a metal element can be similarly confirmed by EDXRF. In addition, wavelength dispersive X-ray fluorescence analysis (WDXRF), electron probe microanalysis (EPMA), Auger Electron Spectroscopy (AES), X X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), laser irradiation type inductively coupled plasma mass spectrometry (LA-) Impurities originating from the bonding material and the support member can be confirmed by analysis methods such as ICP-MS: Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (XRD) and X-ray Diffraction Analysis (XRD). Confirmation with EDXRF or WDXRF is preferred because of its simplicity and wide analysis range.

ここで、接合材が付着した分離後のターゲット材をそのまま使用して、後続のリサイクル処理において、溶解、鋳造により、鋳塊(以下、「スラブ」または「インゴット」と称する場合もある)を製造し、この鋳塊から再びターゲット材を製造すると、付着した接合材の成分に由来する不純物が混入する。また、支持部材からターゲット材へと金属元素が拡散して不純物として混入する場合もあり、このような金属元素もまた、不純物として鋳塊中に混入する場合がある。   Here, an ingot (hereinafter sometimes referred to as “slab” or “ingot”) is manufactured by melting and casting in the subsequent recycling process using the separated target material to which the bonding material has adhered. When the target material is manufactured again from the ingot, impurities derived from the attached bonding material components are mixed. In some cases, a metal element diffuses from the support member to the target material and is mixed as an impurity, and such a metal element may also be mixed into the ingot as an impurity.

そこで、本発明では、使用済みのターゲット材を支持部材から分離した後、少なくともターゲット材の接合材が付着して残存する面に水を噴射することによってターゲット材を洗浄して、付着した接合材をターゲット材から除去することができる(図1)。   Therefore, in the present invention, after separating the used target material from the support member, the target material is cleaned by spraying water onto at least the surface where the bonding material of the target material adheres and remains, and the adhered bonding material Can be removed from the target material (FIG. 1).

水の噴射方法に特に制限はないが、以下の条件で水を噴射することが好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the injection method of water, It is preferable to inject water on the following conditions.

水の噴射は、例えば、ポンプを用いて行うことができ、高圧で水を噴射することが好ましい(以下、「ウォータージェット」と称する場合もある)。水を噴射する圧力は、例えば90MPa以上であり、好ましくは90MPa〜350MPa、より好ましくは150MPa〜280MPa、さらに好ましくは150MPa〜250MPaである。接合材、特に化学的に強固に結合したメタライズ層を除去するには噴射圧が低いと洗浄効果が十分でない場合があり、逆に噴射圧が高すぎるとメタライズ層を超えてターゲット材自体を深く削ってしまい、歩留りが悪くなったり、設備費が高くなる場合がある。   The water can be injected using, for example, a pump, and water is preferably injected at a high pressure (hereinafter, sometimes referred to as “water jet”). The pressure which injects water is 90 MPa or more, for example, Preferably it is 90 MPa-350 MPa, More preferably, it is 150 MPa-280 MPa, More preferably, it is 150 MPa-250 MPa. If the spray pressure is low, the cleaning effect may not be sufficient to remove the bonding material, especially the chemically strong metallization layer. Conversely, if the spray pressure is too high, the target material itself will be deepened beyond the metallization layer. It may be shaved, resulting in poor yield and high equipment costs.

水の噴射は、複数の噴射口(又はノズル)を有する回転式(又は回転可能)のノズルヘッドを用いて行うことが好ましい。ノズルヘッドの形状に特に制限はなく、ノズルヘッドのターゲット材に対向して面する側の面(又はノズルを設置する側の面)の形状は、例えば、三角形、四角形などの多角形、円形、楕円形であるが、回転させて水を噴射するため、円形および正方形などの正多角形が好ましく、真円形がより好ましい。また、平板型ターゲット材の接合面を処理する場合には、ノズルヘッドの回転軸に対して略平行な方向に水が噴射されるように噴射口を取り付けることができるノズルヘッドを使用することが好ましい。円筒型ターゲット材の接合面(内周部)を処理する場合には、ノズルヘッドの回転軸に対して略垂直な方向に水が噴射されるように噴射口を取り付けることができるノズルヘッドを使用することが好ましい。   It is preferable that the water is ejected using a rotary (or rotatable) nozzle head having a plurality of ejection ports (or nozzles). The shape of the nozzle head is not particularly limited, and the shape of the surface facing the target material of the nozzle head (or the surface on which the nozzle is installed) is, for example, a polygon such as a triangle or a rectangle, a circle, Although it is an ellipse, it is preferably a regular polygon such as a circle and a square, and more preferably a perfect circle, since it is rotated and jets water. Further, when processing the joining surface of the flat plate type target material, it is necessary to use a nozzle head to which an injection port can be attached so that water is injected in a direction substantially parallel to the rotation axis of the nozzle head. preferable. When processing the joint surface (inner periphery) of a cylindrical target material, use a nozzle head that can be attached with an injection port so that water is injected in a direction substantially perpendicular to the rotation axis of the nozzle head. It is preferable to do.

1つのノズルヘッドに設ける噴射口の数(又はノズル数)に特に制限はなく、例えば1個以上、好ましくは1個〜15個、より好ましくは3個〜10個である。ノズル数は、ノズルヘッドのサイズに合わせて適宜決定すればよく、ノズル数が少ないと削り残しができたり、処理時間が長くなる場合がある。また、ノズル数が多いと総吐出量が増加するため、より大型かつ高価なポンプが必要となり、設備費が高くなる場合がある。複数の噴射口をノズルヘッドに設けた場合には、噴射口をノズルヘッドの同径位置に配置してもよいし、異径位置に配置してもよい。また、同径配置、異径配置の組み合わせであってもよい。   There is no restriction | limiting in particular in the number (or number of nozzles) of the injection nozzle provided in one nozzle head, For example, it is 1 or more, Preferably it is 1-15, More preferably, it is 3-10. The number of nozzles may be appropriately determined in accordance with the size of the nozzle head. If the number of nozzles is small, there may be cases where uncut parts can be left or the processing time becomes long. Further, since the total discharge amount increases when the number of nozzles is large, a larger and more expensive pump is required, and the equipment cost may be increased. When a plurality of ejection ports are provided in the nozzle head, the ejection ports may be disposed at the same diameter position of the nozzle head or at different diameter positions. Moreover, the combination of same diameter arrangement | positioning and different diameter arrangement | positioning may be sufficient.

噴射口の寸法(ノズル径)は、例えば0.1mm以上、好ましくは0.15mm〜0.50mm、より好ましくは0.2mm〜0.35mmである。径が同一の噴射口をノズルヘッドに装着してもよいし、径の異なる噴射口を組み合わせてノズルヘッドに装着させてもよい。   The dimension (nozzle diameter) of the injection port is, for example, 0.1 mm or more, preferably 0.15 mm to 0.50 mm, and more preferably 0.2 mm to 0.35 mm. The nozzles with the same diameter may be attached to the nozzle head, or the nozzles with different diameters may be attached to the nozzle head.

水の吐出量(又は水量)は、噴射する水の圧力や噴射口の寸法に応じて変化し、大きくなるほど洗浄効果は高くなる。1つのノズルヘッドの全噴射口から噴射される水の総吐出量は、例えば2.0L/min以上であり、好ましくは2.0L/min〜42L/min、より好ましくは5.0L/min〜30L/minであり、さらに好ましくは5.0L/min〜20L/minである。   The discharge amount of water (or the amount of water) varies depending on the pressure of water to be sprayed and the dimensions of the spray port, and the larger the value, the higher the cleaning effect. The total discharge amount of water ejected from all the ejection ports of one nozzle head is, for example, 2.0 L / min or more, preferably 2.0 L / min to 42 L / min, more preferably 5.0 L / min to 30 L / min, more preferably 5.0 L / min to 20 L / min.

水の噴射は、ターゲット材の処理面に対して一定の距離を保ちながら、一定の速度で水平方向に帯状(ライン状)に移動して行うことが好ましい。また、水の噴射は、同一箇所において、数回、好ましくは1回〜3回重ねて行ってもよい。あるいは、1回の水の噴射における処理幅がターゲット幅より小さい場合などは、ライン状で部分的に重複(オーバーラップ)させて水を噴射させてもよい。   It is preferable that the water is ejected by moving in a strip shape (line shape) in the horizontal direction at a constant speed while maintaining a constant distance with respect to the processing surface of the target material. In addition, water injection may be performed several times, preferably 1 to 3 times in the same place. Alternatively, when the treatment width in one water injection is smaller than the target width, the water may be jetted by overlapping (overlapping) partially in a line shape.

ノズルヘッドの移動速度は、例えば100mm/min以上、好ましくは500mm/min〜7000mm/min、より好ましくは900mm/min〜5000mm/minである。移動速度が小さいと処理時間が長くなり、移動速度が大きいと洗浄効果が十分でない場合がある。   The moving speed of the nozzle head is, for example, 100 mm / min or more, preferably 500 mm / min to 7000 mm / min, more preferably 900 mm / min to 5000 mm / min. If the moving speed is low, the processing time becomes long. If the moving speed is high, the cleaning effect may not be sufficient.

ノズルヘッドの回転速度は、例えば500min−1以上、好ましくは500min−1〜4000min−1、より好ましくは900min−1〜2500min−1である。回転速度が小さすぎると、ノズルの数によってはターゲット材全面に水が当たらず、削り残しができる場合があり、回転速度が大きすぎると、ターゲット材に当たった際の衝撃が小さくなるため、十分な洗浄効果が得られない場合がある。 The rotational speed of the nozzle head is, for example, 500 min −1 or more, preferably 500 min −1 to 4000 min −1 , more preferably 900 min −1 to 2500 min −1 . If the rotation speed is too low, water may not be applied to the entire surface of the target material depending on the number of nozzles, and it may be left uncut.If the rotation speed is too high, the impact when hitting the target material will be small. The cleaning effect may not be obtained.

ノズルヘッドとターゲット材との間の距離(又はノズル距離)は、例えば10mm以上、好ましくは15mm〜100mm、より好ましくは20mm〜70mmである。距離が近すぎると、ターゲット材に当たって跳ね返った水の影響を受け、十分な洗浄効果が得られない場合があり、距離が大きすぎると、ターゲット材に当たった際の衝撃が小さくなるため、十分な洗浄効果が得られない場合がある。   The distance (or nozzle distance) between the nozzle head and the target material is, for example, 10 mm or more, preferably 15 mm to 100 mm, more preferably 20 mm to 70 mm. If the distance is too close, it may be affected by the water that bounces off the target material and may not provide a sufficient cleaning effect.If the distance is too large, the impact when it hits the target material will be small. The cleaning effect may not be obtained.

噴射される水は、ノズルが詰まるような粒子状の不純物や埃等が含まれていないものであれば特に制限はなく、例えば水道水や純水の使用が挙げられる。また、ポンプとノズルとの間にフィルターを設けて、かかるフィルターを通して水を噴射してもよい。   The water to be sprayed is not particularly limited as long as it does not contain particulate impurities, dust, or the like that clog the nozzle, and examples thereof include use of tap water and pure water. Further, a filter may be provided between the pump and the nozzle, and water may be ejected through the filter.

水の噴射の方向は、ターゲット材に水が当たる角度であれば特に制限はなく、ターゲット材に対して垂直であっても斜めであってもよい。例えば、噴射口の角度(噴射口の中心軸とターゲット材への垂線とのなす角)は、0°〜60°、好ましくは0°〜45°、より好ましくは5°〜45°、さらに好ましくは5°〜30°、よりさらに好ましくは8°〜30°、特に好ましくは10°〜25°である。ターゲット材に対して斜めから水を噴射した場合、ノズルヘッドが回転しているため、垂直に噴射する場合よりも処理幅が大きくなる。また、ターゲット材に当たった水が処理面に留まらず、外側に逃げるため、洗浄効果の向上も期待される。さらに、ノズルヘッドから斜めに水が噴射されると、ノズルヘッドをターゲット材の上方に位置させた状態で側面の洗浄も実施できる。ターゲット材の接合面の処理、スパッタリング面の処理、側面の処理に関して、ターゲット材をセットし直したり、ノズルヘッドの位置を変更したりする必要がないため、処理時間を短縮することができる。ただし、角度をつけすぎると、ターゲット材とノズルとの間の距離が大きくなる。また、ターゲット材に当たった際の衝撃が小さくなるため、十分な洗浄効果が得られない恐れがある。複数の噴射口をノズルヘッドに設けた場合には、各ノズルの角度は同一であってもよいし、異なっていてもよい。それぞれの噴射口の角度は、所望する処理幅や水が当たらないことによる削り残しができないように適宜決定すればよい。   The direction of water injection is not particularly limited as long as it is an angle at which water hits the target material, and may be perpendicular or oblique to the target material. For example, the angle of the injection port (the angle formed by the central axis of the injection port and the perpendicular to the target material) is 0 ° to 60 °, preferably 0 ° to 45 °, more preferably 5 ° to 45 °, and even more preferably. Is 5 ° to 30 °, more preferably 8 ° to 30 °, and particularly preferably 10 ° to 25 °. When water is jetted obliquely with respect to the target material, the processing width becomes larger than when jetted vertically because the nozzle head is rotating. Further, since the water hitting the target material does not stay on the treated surface and escapes to the outside, an improvement in the cleaning effect is also expected. Further, when water is jetted obliquely from the nozzle head, the side surface can be cleaned with the nozzle head positioned above the target material. Since it is not necessary to reset the target material or change the position of the nozzle head for the processing of the bonding surface of the target material, the processing of the sputtering surface, and the processing of the side surface, the processing time can be shortened. However, if the angle is too large, the distance between the target material and the nozzle increases. Further, since the impact when hitting the target material is reduced, there is a possibility that a sufficient cleaning effect cannot be obtained. When a plurality of injection ports are provided in the nozzle head, the angles of the nozzles may be the same or different. What is necessary is just to determine suitably the angle of each injection port so that it may not leave the shaving by the desired processing width and water not contacting.

前記ノズルヘッドは、ターゲット材1枚当たりの処理時間を短縮させるため、複数のノズルヘッドを同時に走査させてもよい。   The nozzle head may simultaneously scan a plurality of nozzle heads in order to shorten the processing time per target material.

上記では回転式のノズルヘッドを使用した場合について説明したが、ターゲット材を回転させることができる場合や、水が線状に噴射される平射型ノズルヘッドを用いる場合には、固定式のノズルヘッドを用いてもターゲット材を効率的に洗浄することができる。   In the above description, the case where the rotary nozzle head is used has been described. However, when the target material can be rotated or when the flat type nozzle head in which water is sprayed linearly is used, the fixed nozzle head is used. Even if the target material is used, the target material can be efficiently cleaned.

使用済みターゲット材の接合面から、洗浄により接合材やメタライズ層の除去が十分に行われると、その洗浄された表面は梨地状となり得る。また、洗浄時のノズルヘッドの動きに応じた周期的な加工痕(鱗状、らせん状等)が形成されていてもよい。梨地状となった場合、例えば洗浄された表面の波長300nm〜1500nmにおける正反射率は1.0%以下であり、接合材および支持部材に由来する不純物が十分に除去されたことを確認するには0.7%以下であることが好ましい。さらに、波長300nm〜1500nmにおける各入射光の波長に対する正反射率の変化率(洗浄された表面の正反射率/洗浄前の表面の正反射率)が、0.025以上0.85以下、好ましくは0.05以上0.75以下、より好ましくは0.08以上0.60以下、さらに好ましくは0.10以上0.40以下となるように洗浄処理すると、接合材および支持部材に由来する不純物が十分に除去されたことを確認できるとともに、ターゲット材を必要以上に削りすぎることを防ぐことができる。
また、算術平均粗さRaは、5μm以上であり、接合材および支持部材に由来する不純物が十分に除去されたことを確認するには10μm以上であることが好ましく、洗浄前後での算術平均粗さRaの変化率(洗浄された表面の算術平均粗さRa/洗浄前の表面の算術平均粗さRa)が、4以上80以下、好ましくは5以上50以下、より好ましくは7.5以上20以下、さらに好ましくは10以上15以下となるように洗浄処理をするとよい。通常、算術平均粗さRaは、100μm以下、好ましくは50μm以下である。算術平均粗さRaが大きすぎると、埃や砂等の異物が付着しやすかったり、酸化膜の厚さが厚くなり、リサイクル鋳塊中の不純物が増加する恐れがある。
When the bonding material and the metallized layer are sufficiently removed from the bonding surface of the used target material by cleaning, the cleaned surface can be a satin finish. In addition, periodic processing marks (such as scales and spirals) corresponding to the movement of the nozzle head during cleaning may be formed. When it becomes a satin finish, for example, the regular reflectance at a wavelength of 300 nm to 1500 nm of the cleaned surface is 1.0% or less, and it is confirmed that impurities derived from the bonding material and the support member are sufficiently removed. Is preferably 0.7% or less. Furthermore, the rate of change in regular reflectance with respect to the wavelength of each incident light at wavelengths of 300 nm to 1500 nm (regular reflectance of the cleaned surface / regular reflectance of the surface before cleaning) is 0.025 or more and 0.85 or less, preferably Is from 0.05 to 0.75, more preferably from 0.08 to 0.60, and even more preferably from 0.10 to 0.40, impurities derived from the bonding material and the support member Can be confirmed to be sufficiently removed, and the target material can be prevented from being excessively shaved.
The arithmetic average roughness Ra is 5 μm or more, preferably 10 μm or more for confirming that impurities derived from the bonding material and the support member have been sufficiently removed, and the arithmetic average roughness Ra before and after cleaning. The rate of change in thickness Ra (arithmetic average roughness Ra of the cleaned surface / arithmetic average roughness Ra of the surface before cleaning) is 4 or more and 80 or less, preferably 5 or more and 50 or less, more preferably 7.5 or more and 20 In the following, it is preferable to perform the cleaning treatment so that the viscosity is 10 or more and 15 or less. Usually, the arithmetic average roughness Ra is 100 μm or less, preferably 50 μm or less. If the arithmetic average roughness Ra is too large, foreign substances such as dust and sand are likely to adhere, and the thickness of the oxide film increases, which may increase impurities in the recycled ingot.

本発明の洗浄方法によると、EDXRFの検出下限界(通常、検出下限界は元素によって異なるが、例えば、接合材に由来する不純物の検出下限界は0.01重量%程度であり、例えばインジウムでは0.01重量%である)よりも低い値にまで接合材および支持部材に由来する不純物の量を低減することができ、洗浄後のターゲット材において、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素が実質的に検出されない(又は洗浄後のターゲット材が、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まない)ことを特徴とする。   According to the cleaning method of the present invention, the lower limit of detection of EDXRF (normally, the lower limit of detection varies depending on the element. For example, the lower limit of detection of impurities derived from the bonding material is about 0.01% by weight. The amount of impurities derived from the bonding material and the support member can be reduced to a value lower than 0.01% by weight), and the target material after cleaning includes the impurities derived from the bonding material and the support member. The target element after the cleaning is not substantially detected (or the target material after cleaning does not substantially contain the element contained in the impurities derived from the bonding material and the support member).

本発明において、「接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素が実質的に検出されない」(又は「接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まない」)とは、上述の通り、EDXRFの検出下限界よりも小さく、EDXRFでは検出できない程度にまで、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素の量が低減することを意味する。   In the present invention, “the element contained in the impurities derived from the bonding material and the support member is not substantially detected” (or “the element contained in the impurities derived from the bonding material and the support member is not substantially included”) As described above, means that the amount of elements contained in the impurities derived from the bonding material and the support member is reduced to a level that is smaller than the lower detection limit of EDXRF and cannot be detected by EDXRF.

また、本発明の洗浄方法は、フライスによる切削加工のように、一定の高さの位置で平面に加工するような方法とは異なり、噴射された水が当たったターゲット材(又はワーク)の表面だけを効率よく削り取る方法であるため、ターゲット材に凹凸や歪みが存在していても高い歩留まりでの処理が可能であり、ターゲット材の接合面だけでなく、スパッタリングにより形成された凹凸を有するターゲット材のスパッタリング面や円筒ターゲット内部の接合面の洗浄処理にも適している。さらに、本発明の洗浄方法は、処理面の高さを気にせずワークをセッティングできるため、セッティングや洗浄に時間を要することなく簡便に行うことがでるので、ブラストや切削などの従来の方法と比べて多くの利点を有する。   Also, the cleaning method of the present invention is different from the method of processing into a flat surface at a certain height, such as cutting with a milling cutter, and the surface of the target material (or workpiece) that has been sprayed with water. Since the target material can be efficiently scraped off, it can be processed with a high yield even if the target material has irregularities and distortions. The target has not only the bonding surface of the target material but also irregularities formed by sputtering. It is also suitable for cleaning the sputtering surface of the material and the joint surface inside the cylindrical target. Furthermore, since the cleaning method of the present invention can set a workpiece without worrying about the height of the processing surface, it can be easily performed without requiring time for setting and cleaning. Compared with many advantages.

装置
本発明は、上述の洗浄方法において使用することのできる装置にも関する。詳しくは、上述の主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの支持部材から分離されたターゲット材(又は使用済みのターゲット材)の少なくとも接合材が付着している面に水を噴射することによって、ターゲット材から接合材を除去するために用いられる装置に関する(以下、単に「洗浄装置」と称する場合もある)。
Apparatus The present invention also relates to an apparatus that can be used in the above-described cleaning method. Specifically, at least the bonding material of the target material (or the used target material) separated from the supporting member of the sputtering target in which the above-described target material mainly composed of metal and the supporting member are bonded with the bonding material. The present invention relates to an apparatus used to remove a bonding material from a target material by spraying water on the adhering surface (hereinafter, sometimes simply referred to as “cleaning apparatus”).

洗浄装置は、少なくとも、以下の構成(a)〜(c)を含み得る。
(a)ターゲット材に水を噴射するための噴射口を少なくとも1つ備える少なくとも1つのノズルヘッド
(b)ノズルヘッドを操作または移動させるためのアクチュエータ
(c)アクチュエータが配置され、ターゲット材を収容して処理するための処理室
The cleaning apparatus may include at least the following configurations (a) to (c).
(A) at least one nozzle head provided with at least one injection port for injecting water onto the target material; (b) an actuator for operating or moving the nozzle head; and (c) an actuator is disposed to accommodate the target material. Processing chamber for processing

例えば、図5〜8に示す通り、装置100は、少なくとも、
使用済みターゲット材(又はワーク)101に水を噴射することのできる少なくとも1つの噴射口(図示せず)を備える少なくとも1つのノズルヘッド102と、
ノズルヘッド102を操作する(又は移動させる)ことのできるアクチュエータ、好ましくはX軸スライダ103Xと、Y軸スライダ103Yと、Z軸スライダ103Zとを備え、ノズルヘッド102をXYZ軸のいずれの方向にも移動させることができるように構成されたアクチュエータ103と、
アクチュエータを配置することができ、なおかつターゲット材101を収容して処理(又は洗浄)することのできる処理室104と
を含む。
図示する態様において、ターゲット材101は平板型で記載されているが、装置100において使用することのできるターゲット材101は、平板型に限定されるものではない。
For example, as shown in FIGS.
At least one nozzle head 102 comprising at least one injection port (not shown) capable of injecting water onto the used target material (or workpiece) 101;
An actuator that can operate (or move) the nozzle head 102, preferably an X-axis slider 103X, a Y-axis slider 103Y, and a Z-axis slider 103Z, includes the nozzle head 102 in any direction of the XYZ axes. An actuator 103 configured to be movable;
And a processing chamber 104 in which the actuator can be disposed and the target material 101 can be accommodated and processed (or cleaned).
In the illustrated embodiment, the target material 101 is described as a flat plate type, but the target material 101 that can be used in the apparatus 100 is not limited to the flat plate type.

・ノズルヘッド
ノズルヘッドは、水を噴射することのできる噴射口(又はノズル)を少なくとも1つ備えるものであれば、特に制限なく使用することができる。また、使用するノズルヘッドの数にも特に制限はない。複数のノズルヘッドを使用する場合には、ノズルから噴射される水が互いに干渉しないように適切に間隔を開けて配置することが好ましい。
さらに、本発明の装置は、ワークの側面に水を噴射して洗浄するためのノズルヘッド(又はサイドノズルヘッド)を別途に備えていてもよい。ワークの側面(X−Z面および/またはY−Z面)を処理するために使用されるノズルヘッドの数および配置する位置に特に制限はない。
ノズルヘッドとして、上述の「ターゲット材の洗浄方法」において詳しく説明したものを適宜、制限なく使用することができる。
また、ノズルヘッドを回転させるためのロータリーユニットをさらに備えていてもよい。
-Nozzle head A nozzle head can be used without a restriction | limiting especially if it is provided with at least one injection port (or nozzle) which can inject water. There is no particular limitation on the number of nozzle heads used. When using a plurality of nozzle heads, it is preferable to arrange the nozzle heads at appropriate intervals so that the water sprayed from the nozzles does not interfere with each other.
Furthermore, the apparatus of the present invention may further include a nozzle head (or a side nozzle head) for spraying water onto the side surface of the workpiece for cleaning. There is no particular limitation on the number of nozzle heads used for processing the side surfaces (XZ plane and / or YZ plane) of the workpiece and the positions where they are arranged.
As the nozzle head, those described in detail in the “target material cleaning method” described above can be appropriately used without limitation.
Moreover, you may further provide the rotary unit for rotating a nozzle head.

・アクチュエータ
アクチュエータとしては、例えば、電気、油圧、空気圧などによる駆動力を利用して、ノズルヘッドを操作または移動させることができるものを使用すればよい。好ましくはX軸、Y軸およびZ軸の少なくとも一方向、より好ましくはX軸、Y軸およびZ軸の全ての方向にそれぞれ任意に適切にノズルヘッドを移動させることができるものを使用する。
より具体的には、X軸、Y軸およびZ軸の全ての方向にノズルヘッドを移動させるために、例えば、図5〜9(特に、図9)に示す通り、X軸スライダ103Xと、Y軸スライダ103Yと、Z軸スライダ103Zとを備える3軸組合せタイプのアクチュエータ103を使用することができる。
-Actuator An actuator that can operate or move the nozzle head using a driving force such as electricity, hydraulic pressure, or pneumatic pressure may be used. Preferably, a nozzle head that can arbitrarily and appropriately move the nozzle head in at least one direction of the X axis, Y axis, and Z axis, and more preferably in all directions of the X axis, Y axis, and Z axis is used.
More specifically, in order to move the nozzle head in all directions of the X axis, the Y axis, and the Z axis, for example, as shown in FIGS. 5 to 9 (particularly, FIG. 9), the X axis slider 103X, A three-axis combination type actuator 103 including an axis slider 103Y and a Z-axis slider 103Z can be used.

ノズルヘッド102は、例えば、必要に応じてロッド106などを介して、Z軸スライダ103Zに直接又は間接的に結合することができるように構成されていて、Z軸スライダ103Zによって、Z軸方向(上下方向あるいはターゲット材101の被処理面に対して近づく方向または遠ざかる方向)にノズルヘッド102を移動させることができる(図9)。また別の態様では、Z軸スライダ103Zは、その内部をロッド106が貫通して通過するように構成されていてもよい。   The nozzle head 102 is configured so that it can be directly or indirectly coupled to the Z-axis slider 103Z, for example, via a rod 106 as necessary. The nozzle head 102 can be moved in a vertical direction or a direction approaching or moving away from the surface of the target material 101 (FIG. 9). In another aspect, the Z-axis slider 103Z may be configured such that the rod 106 passes through the Z-axis slider 103Z.

Z軸スライダ103Zは、Y軸スライダ103Yに物理的または機械的に結合することができるように構成されていて、Y軸スライダ103Yによって、ノズルヘッド102をスライダ103ZとともにY軸方向(ターゲット材101の進行方向または図示する装置100もしくはターゲット材101の長手方向に対して垂直な方向)に沿って移動させることができる(図9)。   The Z-axis slider 103Z is configured to be physically or mechanically coupled to the Y-axis slider 103Y. The Y-axis slider 103Y moves the nozzle head 102 together with the slider 103Z in the Y-axis direction (the target material 101). It can be moved along the traveling direction or the direction perpendicular to the longitudinal direction of the device 100 or the target material 101 shown in FIG. 9 (FIG. 9).

Y軸スライダ103Yは、X軸スライダ103Xに物理的または機械的に結合することができるように構成されていて、X軸スライダ103Xによって、ノズルヘッド102をスライダ103Yおよび103ZとともにX軸方向(ターゲット材101の進行方向または図示する装置100もしくはターゲット材101の長手方向)に沿って移動させることができる(図9)。また、Y軸スライダ103YのX軸スライダ103Xと結合する端部とは反対側の端部は、X軸スライダ103Xと平行して配置され得るサポートガイド(又はガイドレール)と係合していてもよい。   The Y-axis slider 103Y is configured to be physically or mechanically coupled to the X-axis slider 103X. The X-axis slider 103X moves the nozzle head 102 together with the sliders 103Y and 103Z in the X-axis direction (target material). 101 in the traveling direction or the longitudinal direction of the apparatus 100 or the target material 101 shown in the figure (FIG. 9). Further, the end of the Y-axis slider 103Y opposite to the end coupled to the X-axis slider 103X is engaged with a support guide (or guide rail) that can be arranged in parallel with the X-axis slider 103X. Good.

このようなスライダ103X、103Yおよび103Zを含むアクチュエータ103(図9)の使用により、ノズルヘッド102をX軸、Y軸およびZ軸の3方向に適切に移動させることができる。   By using the actuator 103 (FIG. 9) including the sliders 103X, 103Y, and 103Z, the nozzle head 102 can be appropriately moved in the three directions of the X axis, the Y axis, and the Z axis.

スライダ103X、103Yおよび103Zは、電気、油圧、空気圧などによる駆動力を利用して互いにスライド可能に移動させることができる限り、その駆動様式や結合様式に特に制限はない。   As long as the sliders 103X, 103Y, and 103Z can be slidably moved with each other using a driving force such as electricity, hydraulic pressure, and pneumatic pressure, there is no particular limitation on the driving mode and the coupling mode.

アクチュエータによるノズルヘッドの移動および水の噴射は、電子的なプログラムによって制御されていてもよい。その場合、各スライダは、電気ケーブルなどで適切に接続されていてもよい。ノズルヘッドの移動速度および水の噴射については、上記の「ターゲット材の洗浄方法」において定義した通りに制御することが望ましい。   The movement of the nozzle head and the jet of water by the actuator may be controlled by an electronic program. In that case, each slider may be appropriately connected by an electric cable or the like. It is desirable to control the moving speed of the nozzle head and the jet of water as defined in the “target material cleaning method” above.

アクチュエータは、防水仕様であってもよく、防水仕様であることで、噴射された水やターゲット材に当たって生じる水しぶきがアクチュエータに触れることで生じる錆や油切れによる不具合を防ぐことができる。また、アクチュエータの各スライダを電気ケーブルで接続する場合、電気ケーブルについても、防水仕様であることが好ましい。   The actuator may be waterproof, and by being waterproof, it is possible to prevent problems due to rust and running out of oil caused by the spray of water splashing on the target material and touching the actuator. Moreover, when connecting each slider of an actuator with an electric cable, it is preferable that the electric cable is also waterproof.

図示する実施形態のように、ノズルヘッドから垂直下方に水を噴射してもよいが、ノズルヘッドの角度を変更することのできる機構を必要に応じてさらに配置してもよい。その場合、電子的なプログラムによって、ノズルヘッドの角度についても、あわせて制御することができる。また、このような機構によって、円筒型のターゲット材については、より効率よく洗浄することができる。   As shown in the illustrated embodiment, water may be jetted vertically downward from the nozzle head, but a mechanism that can change the angle of the nozzle head may be further arranged as necessary. In that case, the angle of the nozzle head can also be controlled by an electronic program. Further, with such a mechanism, the cylindrical target material can be more efficiently cleaned.

アクチュエータとしては、例えば、株式会社アイエイアイ(IAI)製の3軸組合せタイプの産業用ロボットを使用してもよい。   As the actuator, for example, a three-axis combination type industrial robot manufactured by IAI Co., Ltd. may be used.

尚、本発明の装置で使用することのできるアクチュエータは、上記のものに限定して解釈されるべきではない。   The actuator that can be used in the apparatus of the present invention should not be interpreted as being limited to the above.

・処理室
処理室は、上述のアクチュエータをノズルヘッドとともに配置することができ、ターゲット材を収容して、上述の「ターゲット材の洗浄方法」に従って、ターゲット材を処理することを主な目的とする。
・ Processing chamber The processing chamber can be arranged with the above-mentioned actuator together with the nozzle head. The main purpose is to accommodate the target material and process the target material according to the above-mentioned “cleaning method of the target material”. .

また、処理室内でターゲット材を処理することによって、ノズルヘッドから噴射された水がターゲット材に当たって生じる水しぶきや、ターゲット材から除去された接合材を含む固体の処理物(又は粉塵)が周囲に飛散して環境を汚染するのを防止することができる。   In addition, by processing the target material in the processing chamber, the water sprayed from the nozzle head hits the target material and the solid processed material (or dust) including the bonding material removed from the target material is scattered around. Thus, it is possible to prevent pollution of the environment.

例えば、図5〜8に示す通り、処理室104は、矩形の本体を有し、その上部が開放されていて、アクチュエータ(具体的には、図9に示すスライダ103X、103Y、103Zを含むアクチュエータ103)を配置することができるように構成されている。   For example, as shown in FIGS. 5 to 8, the processing chamber 104 has a rectangular main body, the upper part thereof is opened, and an actuator (specifically, an actuator including the sliders 103 </ b> X, 103 </ b> Y, 103 </ b> Z shown in FIG. 9). 103) can be arranged.

処理室104の寸法に特に制限はなく、大型のスパッタリングターゲット用のターゲット材を処理することができることが好ましい。   There is no particular limitation on the size of the treatment chamber 104, and it is preferable that a target material for a large sputtering target can be treated.

図示する実施形態のようにターゲット材101をその長手方向に沿って搬送する場合、処理室104のX軸方向の寸法とY軸方向の寸法との比(X/Y)は、例えば3/16〜10/1、好ましくは1/2〜10/3、より好ましくは6/7〜7/3である。
X軸方向の寸法とZ軸方向の寸法との比(X/Z)は、例えば1/3〜10/1、好ましくは1/2〜4/1、より好ましくは5/6〜35/12である。
Y軸方向の寸法とZ軸方向の寸法との比(Y/Z)は、例えば1/5〜8/1、好ましくは3/5〜2/1、より好ましくは5/6〜35/24である。
When the target material 101 is transported along the longitudinal direction as in the illustrated embodiment, the ratio (X / Y) of the dimension in the X axis direction to the dimension in the Y axis direction of the processing chamber 104 is, for example, 3/16. 10/1, preferably 1 / 2-10 / 3, more preferably 6 / 7-7 / 3.
The ratio (X / Z) between the dimension in the X-axis direction and the dimension in the Z-axis direction is, for example, 1/3 to 10/1, preferably 1/2 to 4/1, more preferably 5/6 to 35/12. It is.
The ratio (Y / Z) between the dimension in the Y-axis direction and the dimension in the Z-axis direction is, for example, 1/5 to 8/1, preferably 3/5 to 2/1, more preferably 5/6 to 35/24. It is.

上記の場合、X軸方向の寸法は、具体的には、例えば750mm〜5000mm、好ましくは1000mm〜4000mm、より好ましくは1500mm〜3500mmである。
Y軸方向の寸法は、具体的には、例えば500mm〜4000mm、好ましくは1200mm〜2000mm、より好ましくは1500mm〜1750mmである。
Z軸方向の寸法は、具体的には、例えば500mm〜2500mm、好ましくは1000mm〜2000mm、より好ましくは1200mm〜1750mmである。
In the above case, the dimension in the X-axis direction is specifically, for example, 750 mm to 5000 mm, preferably 1000 mm to 4000 mm, and more preferably 1500 mm to 3500 mm.
Specifically, the dimension in the Y-axis direction is, for example, 500 mm to 4000 mm, preferably 1200 mm to 2000 mm, and more preferably 1500 mm to 1750 mm.
Specifically, the dimension in the Z-axis direction is, for example, 500 mm to 2500 mm, preferably 1000 mm to 2000 mm, and more preferably 1200 mm to 1750 mm.

図示する実施形態では、以下にて詳細に説明するベルトコンベア、ローラーなどの搬送手段105を用いることによって、ターゲット材101をその長手方向に沿って搬送し、処理室104の内部にてターゲット材を処理することができるが、ターゲット材101の幅方向(長手方向に垂直な方向)に沿って(例えば、Y軸に沿って)ターゲット材101を搬送して、処理室104の内部にてターゲット材101を処理してもよい。   In the illustrated embodiment, the target material 101 is transported along the longitudinal direction by using a transport means 105 such as a belt conveyor and a roller, which will be described in detail below, and the target material is transported inside the processing chamber 104. Although the target material 101 can be processed, the target material 101 is transported along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the target material 101 (for example, along the Y axis), and the target material 101 is processed inside the processing chamber 104. 101 may be processed.

ターゲット材101をその幅方向(長手方向に垂直な方向)に沿って搬送する場合、処理室104のX軸方向の寸法とY軸方向の寸法との比(X/Y)は、例えば3/16〜10/1、好ましくは1/2〜10/3、より好ましくは6/7〜7/3である。
X軸方向の寸法とZ軸方向の寸法との比(X/Z)は、例えば1/3〜10/1、好ましくは1/2〜4/1、より好ましくは5/6〜35/12である。
Y軸方向の寸法とZ軸方向の寸法との比(Y/Z)は、例えば1/5〜8/1、好ましくは3/5〜2/1、より好ましくは5/6〜35/24である。
When the target material 101 is transported along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction), the ratio (X / Y) of the dimension in the X axis direction to the dimension in the Y axis direction of the processing chamber 104 is, for example, 3 / 16 to 10/1, preferably 1/2 to 10/3, more preferably 6/7 to 7/3.
The ratio (X / Z) between the dimension in the X-axis direction and the dimension in the Z-axis direction is, for example, 1/3 to 10/1, preferably 1/2 to 4/1, more preferably 5/6 to 35/12. It is.
The ratio (Y / Z) between the dimension in the Y-axis direction and the dimension in the Z-axis direction is, for example, 1/5 to 8/1, preferably 3/5 to 2/1, more preferably 5/6 to 35/24. It is.

上記の場合、X軸方向の寸法は、具体的には、例えば750mm〜5000mm、好ましくは1000mm〜4000mm、より好ましくは1500mm〜3500mmである。
Y軸方向の寸法は、具体的には、例えば500mm〜4000mm、好ましくは1200mm〜2000mm、より好ましくは1500mm〜1750mmである。
Z軸方向の寸法は、具体的には、例えば500mm〜2500mm、好ましくは1000mm〜2000mm、より好ましくは1200mm〜1800mmである。
In the above case, the dimension in the X-axis direction is specifically, for example, 750 mm to 5000 mm, preferably 1000 mm to 4000 mm, and more preferably 1500 mm to 3500 mm.
Specifically, the dimension in the Y-axis direction is, for example, 500 mm to 4000 mm, preferably 1200 mm to 2000 mm, and more preferably 1500 mm to 1750 mm.
Specifically, the dimension in the Z-axis direction is, for example, 500 mm to 2500 mm, preferably 1000 mm to 2000 mm, and more preferably 1200 mm to 1800 mm.

搬送手段105を用いる場合、処理室104には、搬送手段105およびターゲット材101が通過するための一対の開口部(搬入口、搬出口)を有していてもよい。ターゲット材101を通過させることができる限り、開口部の寸法に特に制限はない。   When the transport unit 105 is used, the processing chamber 104 may have a pair of openings (a carry-in port and a carry-out port) through which the transport unit 105 and the target material 101 pass. As long as the target material 101 can be passed through, the size of the opening is not particularly limited.

図示する実施形態のようにターゲット材101をその長手方向に沿って搬送する場合、開口部のY軸方向の寸法は、例えば100mm以上であり、好ましくは150mm〜1500mm、より好ましくは200mm〜1000mm、さらにより好ましくは250mm〜500mmであり、Z軸方向の寸法は、例えば10mm以上であり、好ましくは12mm〜300mm、より好ましくは20mm〜200mm、さらにより好ましくは45mm〜150mmである。   When transporting the target material 101 along its longitudinal direction as in the illustrated embodiment, the dimension of the opening in the Y-axis direction is, for example, 100 mm or more, preferably 150 mm to 1500 mm, more preferably 200 mm to 1000 mm, Still more preferably, it is 250 mm-500 mm, and the dimension of a Z-axis direction is 10 mm or more, for example, Preferably it is 12 mm-300 mm, More preferably, it is 20 mm-200 mm, More preferably, it is 45 mm-150 mm.

ターゲット材101をその幅方向(長手方向に垂直な方向)に沿って搬送する場合、開口部のX軸方向の寸法は、例えば500mm以上であり、好ましくは750mm〜4000mm、より好ましくは1000mm〜3500mm、さらにより好ましくは1500mm〜3000mmであり、Z軸方向の寸法は、例えば10mm以上であり、好ましくは12mm〜300mm、より好ましくは20mm〜200mm、さらにより好ましくは45mm〜150mmである。   When the target material 101 is conveyed along the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction), the dimension of the opening in the X-axis direction is, for example, 500 mm or more, preferably 750 mm to 4000 mm, more preferably 1000 mm to 3500 mm. The dimension in the Z-axis direction is, for example, 10 mm or more, preferably 12 mm to 300 mm, more preferably 20 mm to 200 mm, and still more preferably 45 mm to 150 mm.

上記実施形態では、ターゲット材101を搬送可能な装置について述べたが、本発明の洗浄装置は、搬送手段105を設けなくてもよい。   In the above embodiment, the apparatus capable of transporting the target material 101 has been described. However, the cleaning device of the present invention does not need to include the transport unit 105.

尚、図5に示す実施形態では、処理室104の内部の様子がよく見えるように、その側面(X−Z面)においても開口部を有するように示しているが、このような開口部は、存在していても、存在していなくてもよい。このような開口部が存在する場合、かかる開口部には、開閉式のドア(例えば、観音開きドア)を設けて、水しぶきや粉塵の飛散を防止してもよい。このようなドアを設けることによって、処理室104の内部でのメンテナンスが簡便となるので好ましい。   In the embodiment shown in FIG. 5, the side surface (XZ plane) is shown to have an opening so that the inside of the processing chamber 104 can be clearly seen. , May or may not be present. When such an opening exists, an opening / closing door (for example, a double door) may be provided in the opening to prevent splashing or dust scattering. Providing such a door is preferable because maintenance inside the processing chamber 104 is simplified.

処理室104の内部の底部には、ノズルヘッドから噴射されてターゲット材101を洗浄した後の水(ターゲット材から除去された接合材を含む固体の処理物(又は粉塵)を含む)(以下、「処理水」と呼ぶ)を一時的に貯留するためのプール(図示せず)を備えていてもよい。   At the bottom of the inside of the processing chamber 104, water (including solid processed matter (or dust) including the bonding material removed from the target material) sprayed from the nozzle head and cleaning the target material 101 (hereinafter, referred to as the following) A pool (not shown) for temporarily storing (treated water) may be provided.

また、処理室104の内部には、処理水を排出するための排出口(図示せず)を有していてもよい。排出口は、処理室104の底面に配置されていてもよいが、処理物が堆積して排出口を塞ぐ場合もあり得るので、底面から、例えば1mm〜50mm、好ましくは10mm〜25mmの間隔を開けて側面に配置することもできる。排出口は、処理水を排出することができれば、その形状、寸法および構造に特に制限はない。   Further, the treatment chamber 104 may have a discharge port (not shown) for discharging the treated water. Although the discharge port may be disposed on the bottom surface of the processing chamber 104, there is a possibility that the processing object accumulates and closes the discharge port, so that the interval from the bottom surface is, for example, 1 mm to 50 mm, preferably 10 mm to 25 mm. It can also be opened and placed on the side. The discharge port is not particularly limited in shape, size, and structure as long as the treated water can be discharged.

さらに、処理室104の内部には、処理室104の内壁面に付着した処理物を洗い流すためのシャワー機構を任意に備えていてもよい。   Furthermore, a shower mechanism for washing away the processing object attached to the inner wall surface of the processing chamber 104 may be optionally provided inside the processing chamber 104.

尚、本発明の装置で使用することのできる処理室は、上記のものに限定して解釈されるべきではない。   The processing chamber that can be used in the apparatus of the present invention should not be interpreted as being limited to the above.

その他の構成
装置は、上記の構成に加えて、他の構成を含んでいてもよい。
Other Configurations The device may include other configurations in addition to the above configuration.

・クランプ
本発明の装置は、ターゲット材を処理室内で固定するためのクランプをさらに含んでいてもよい。ターゲット材をクランプで固定することによって、洗浄処理の間にターゲット材が動かないように固定することができる。処理室内において、クランプを配置する位置に特に制限はない。ターゲット材の側面をその両側から固定することが好ましい。そのように固定することで、ターゲット材の被処理面がクランプで覆われることなく、被処理面の全面にわたって水を噴射することができる。
また、ターゲット材が変形している場合、例えば、弓なりに曲がっている場合などには、ターゲット材の上側から水を噴射すると、ターゲット材が振動して洗浄処理のパフォーマンスが低下する場合もあるが、上述のようにターゲット材の側面をクランプで固定することによって、ターゲット材の振動を抑制することができる。
尚、ターゲット材の反りが少ない場合や、ターゲット材の下側に土台がある場合には、ターゲット材の鉛直上方から水を噴射するため、予め決定した所定の位置からターゲット材が移動しないように固定するだけでよい。
また、予め決定した所定の位置にターゲット材をクランプで固定することによって(ターゲット材の位置決め)、ノズルヘッドの操作の際に0点調整(処理範囲の指定)を行う必要がなくなるという利点も得られる。
クランプの形状および寸法に等に制限はないが、上述のようにターゲット材の側面をその両側から固定することのできるクランプを使用することが好ましい。例えば、株式会社イマオコーポレーション、津田駒工業株式会社製のサイドクランプなどを使用することができる。クランプの数、クランプを配置する位置に特に制限はなく、ターゲット材にあわせて適宜決定すればよい。
クランプの機構は、自動であっても、手動であってもよいが、大型のターゲット材を固定する作業を簡便化するためには、所定の位置にターゲット材を設置した際に、ターゲット材の側面をその両側から挟み込むような自動式であるほうが好ましい。また、クランプが手動式の場合、作業性の面から、処理室104側面(X−Z面)には、開口部、好ましくは開閉式のドアを設けた方がよい。
-Clamp The apparatus of the present invention may further include a clamp for fixing the target material in the processing chamber. By fixing the target material with a clamp, the target material can be fixed so as not to move during the cleaning process. There is no restriction | limiting in particular in the position which arrange | positions a clamp in a process chamber. It is preferable to fix the side surface of the target material from both sides. By fixing in such a manner, water can be jetted over the entire surface of the target surface without being covered with the clamp.
In addition, when the target material is deformed, for example, when it is bent like a bow, when the water is sprayed from the upper side of the target material, the target material may vibrate and the performance of the cleaning process may deteriorate. As described above, the vibration of the target material can be suppressed by fixing the side surface of the target material with a clamp.
In addition, when there is little warpage of the target material or when there is a base on the lower side of the target material, water is injected from above the target material so that the target material does not move from a predetermined position. Just fix it.
In addition, by fixing the target material to a predetermined position with a clamp (target material positioning), there is an advantage that it is not necessary to perform zero point adjustment (designation of the processing range) when operating the nozzle head. It is done.
Although there is no restriction | limiting in the shape and dimension of a clamp, etc., it is preferable to use the clamp which can fix the side surface of a target material from the both sides as mentioned above. For example, it is possible to use Imao Corporation, a side clamp manufactured by Tsudakoma Corporation. There is no particular limitation on the number of clamps and the position where the clamps are arranged, and it may be determined as appropriate according to the target material.
The clamp mechanism may be automatic or manual, but in order to simplify the work of fixing a large target material, when the target material is installed at a predetermined position, It is preferable to be an automatic type in which the side surface is sandwiched from both sides. Further, in the case where the clamp is a manual type, it is preferable to provide an opening, preferably an openable / closable door, on the side surface (XZ plane) of the processing chamber 104 in terms of workability.

・搬送機構
本発明の装置は、処理室内にターゲット材を搬入して処理室からターゲット材を搬出することのできる搬送機構を含んでいてもよい(例えば、図5〜8に示す搬送手段105)。
搬送機構としては、ターゲット材を搬送することができるものであれば特に制限はなく使用することができ、例えば、ベルトコンベア、ローラコンベア、キャタピラなどのコンベア、シャトル搬送、パレット搬送、真空チャック搬送、ロボットアーム搬送などが挙げられる。
搬送機構によるターゲット材の搬送速度に特に制限はないが、例えば15m/分〜60m/分、好ましくは20m/分〜50m/分、より好ましくは25m/分〜40m/分である。
また、搬送機構は、処理室からターゲット材が搬出された後、再度、処理室に搬入され得るように連続したループを形成していてもよい。
搬送機構は、搬入用、搬出用、処理室内用、ループ用などの目的に応じて、任意に分割できるものであってもよい。
さらに、搬送機構には、処理室の入口側にターゲット材の供給機構が設けられていてもよく、処理室の出口側にはターゲット材の反転機構が設けられていてもよい。
-Conveyance mechanism The apparatus of this invention may include the conveyance mechanism which can carry in a target material in a processing chamber, and can carry out a target material from a processing chamber (for example, the conveyance means 105 shown to FIGS. 5-8). .
As the transport mechanism, any material can be used as long as it can transport the target material. For example, a conveyor such as a belt conveyor, a roller conveyor, or a caterpillar, shuttle transport, pallet transport, vacuum chuck transport, Robot arm transfer is an example.
Although there is no restriction | limiting in particular in the conveyance speed of the target material by a conveyance mechanism, For example, they are 15 m / min-60 m / min, Preferably they are 20 m / min-50 m / min, More preferably, they are 25 m / min-40 m / min.
Further, the transport mechanism may form a continuous loop so that the target material can be carried into the processing chamber again after the target material is carried out of the processing chamber.
The transport mechanism may be arbitrarily divided according to purposes such as loading, unloading, processing chamber, and loop.
Further, the transport mechanism may be provided with a target material supply mechanism on the inlet side of the processing chamber, and may be provided with a target material reversal mechanism on the outlet side of the processing chamber.

・ターゲット材の供給機構
本発明の装置は、ターゲット材を上述の搬送機構に適切に供給することができるようにターゲット材の供給機構を含んでいてもよい。ターゲット材の供給機構は、ターゲット材を適切に供給することができるものであれば特に制限はない。また、ターゲット材の供給機構は、複数のターゲット材を貯留するためのカセットを含んでいてもよく、そこから、必要に応じて、ターゲット材を適切に供給することができるものであってもよい。ターゲット材の供給機構として、市販の自動供給装置を使用してもよい。
Target Material Supply Mechanism The apparatus of the present invention may include a target material supply mechanism so that the target material can be appropriately supplied to the above-described transport mechanism. The target material supply mechanism is not particularly limited as long as the target material can be appropriately supplied. Further, the target material supply mechanism may include a cassette for storing a plurality of target materials, and from there, the target material may be appropriately supplied as necessary. . A commercially available automatic supply apparatus may be used as the target material supply mechanism.

・ターゲット材の反転機構
本発明の装置は、ターゲット材を反転させるための反転機構、好ましくはターゲット材を固定(例えばクランプなどで固定)した状態で反転させることができる機構をさらに含んでいてもよい。このような反転機構を含むことによって、ターゲット材の被処理面を任意に反転させることができる。反転機構の寸法に特に制限はない。
市販の自動反転装置を使用してもよく、例えば、株式会社アドペック製の自動反転装置などを使用することができる。
-Target material reversing mechanism The apparatus of the present invention may further include a reversing mechanism for reversing the target material, preferably a mechanism capable of reversing the target material in a fixed state (for example, clamped). Good. By including such a reversing mechanism, the target surface of the target material can be arbitrarily reversed. There is no particular limitation on the dimensions of the reversing mechanism.
A commercially available automatic reversing device may be used. For example, an automatic reversing device manufactured by Adpec Co., Ltd. can be used.

・排水機構
ターゲット材を洗浄した後の処理水は、ターゲット材から除去された接合材を含む固体の処理物(又は粉塵)などを含むことから、本発明の装置は、必要に応じて、かかる処理水から、望ましくは水だけを回収して排水し、接合材などの固体の処理物を分離することができる排水機構を含んでいてもよい。
排水機構としては、固体と液体とを分離することができるものであれば特に制限なく使用することができる。当該分野において、一般によく知られている固液分離装置などを必要に応じて適宜使用することができる。
排水機構は、処理室の内部に設けられ得る排出口に接続されることが好ましい。
-Drainage mechanism Since the treated water after washing the target material includes a solid processed material (or dust) including the bonding material removed from the target material, the apparatus of the present invention is required as necessary. It may include a drainage mechanism that can collect and drain only water from the treated water, and separate a solid treated material such as a bonding material.
Any drainage mechanism can be used without particular limitation as long as it can separate a solid and a liquid. In this field, a generally well-known solid-liquid separation device or the like can be appropriately used as necessary.
The drainage mechanism is preferably connected to a discharge port that can be provided inside the processing chamber.

例えば、一般に水処理に用いることのできる膜分離式の固液分離装置を利用することができる。膜分離式の固液分離装置では、固液分離が可能な膜を含む複数の膜カートリッジを少なくとも1つ使用して、かかる膜カートリッジに接続された集水管を通してポンプで水を吸引濾過することによって回収した水を外部に排水することができる(図10)。このとき、処理物は、槽の底部に沈殿し得るので、別途に回収して再利用することもできる。   For example, a membrane-separated solid-liquid separator that can be generally used for water treatment can be used. In a membrane separation type solid-liquid separation device, by using at least one of a plurality of membrane cartridges including a membrane capable of solid-liquid separation, the water is suction filtered with a pump through a water collecting pipe connected to the membrane cartridge. The collected water can be drained to the outside (FIG. 10). At this time, the processed product can be precipitated at the bottom of the tank, so that it can be separately collected and reused.

また、排水機構として、固体と液体とを沈殿により分離することのできる沈殿槽を利用してもよい。例えば、一般に水処理に用いることのできるホッパー型沈殿槽、中心駆動かきとり装置付き円形沈殿槽、横流式沈殿槽などが挙げられる。このような沈殿槽を使用することによって、ターゲット材から除去された接合材を含む固体の処理物を別途に回収することができる。   Moreover, you may utilize the precipitation tank which can isolate | separate solid and a liquid by precipitation as a drainage mechanism. For example, a hopper type sedimentation tank that can be generally used for water treatment, a circular sedimentation tank with a center drive scraper, a cross flow type sedimentation tank, and the like can be mentioned. By using such a sedimentation tank, it is possible to separately collect a solid processed product including the bonding material removed from the target material.

あるいは、図11に示すような多段式の沈殿槽を利用して固体と液体とを分離してもよい。多段式の沈殿槽は、複数の沈殿槽を有し、水位の高い沈殿槽から、水位の低い沈殿槽へと、順次、沈殿槽の上方から下段の沈殿槽へと排水することができる。各沈殿槽の底部には処理物が沈殿し、別途に回収して再利用することができる。
沈殿槽の段数および各沈殿槽の容量に特に制限はない。また、沈殿槽から次の沈殿槽への排水は、ポンプを用いて行ってもよい。
Or you may isolate | separate a solid and a liquid using a multistage precipitation tank as shown in FIG. The multistage settling tank has a plurality of settling tanks, and can drain water from a settling tank having a high water level to a settling tank having a low water level, and sequentially from above the settling tank to a lower settling tank. The treated product is precipitated at the bottom of each settling tank, and can be separately collected and reused.
There are no particular restrictions on the number of precipitation tanks and the capacity of each precipitation tank. Further, drainage from the settling tank to the next settling tank may be performed using a pump.

・サイドノズルヘッド
本発明の装置は、処理室内において、ターゲット材の側面に水を噴射するための少なくとも1つのノズルを有するサイドノズルヘッドを少なくとも1つ含んでいてもよい。サイドノズルヘッドは、上述の「ターゲット材の洗浄方法」において説明したノズルヘッドを上記と同様に使用することができる。サイドノズルヘッドは、固定式であっても、可動式であってもよい。サイドノズルヘッドが可動式である場合には、X軸またはY軸に沿って、サイドノズルヘッドを移動させて使用することが好ましい。
サイドノズルヘッドを配置する位置およびその数に特に制限はない。
このようなサイドノズルヘッドを必要に応じて使用することによって、ターゲット材の主面だけでなく、その側面も含めて、三次元的に洗浄処理を施すことが可能となる。
-Side nozzle head The apparatus of this invention may contain at least 1 side nozzle head which has an at least 1 nozzle for injecting water to the side surface of a target material in a process chamber. As the side nozzle head, the nozzle head described in the above-mentioned “target material cleaning method” can be used in the same manner as described above. The side nozzle head may be fixed or movable. When the side nozzle head is movable, it is preferable to use the side nozzle head by moving it along the X axis or the Y axis.
There are no particular restrictions on the position and number of side nozzle heads.
By using such a side nozzle head as necessary, not only the main surface of the target material but also its side surfaces can be three-dimensionally cleaned.

・ポンプ
本発明の装置は、上述のノズルヘッドおよび/またはサイドノズルヘッドに水を供給することのできるポンプを含んでいてもよい。ポンプとしては、例えば、上述の「ターゲット材の洗浄方法」において説明したポンプを使用することができる。
ポンプは、流体接続が可能なライン、好ましくは耐圧性のラインを通して、ノズルヘッドおよび/またはサイドノズルヘッドと接続することができる。このようなラインは、任意に配置することができ、例えば、図5〜8に示すロッド106に沿って、あるいはロッド106の内部を通して配置することができる。かかるポンプは、処理室の内部、外部のいずれに配置されていてもよいが、処理室の外部に配置されていることが好ましい。また、使用するポンプの数に特に制限はなく、複数のポンプを使用してもよい。
-Pump The apparatus of this invention may contain the pump which can supply water to the above-mentioned nozzle head and / or side nozzle head. As the pump, for example, the pump described in the above “target material cleaning method” can be used.
The pump can be connected to the nozzle head and / or the side nozzle head through a line capable of fluid connection, preferably a pressure resistant line. Such a line can be arranged arbitrarily, for example, along the rod 106 shown in FIGS. Such a pump may be disposed inside or outside the processing chamber, but is preferably disposed outside the processing chamber. Further, the number of pumps to be used is not particularly limited, and a plurality of pumps may be used.

・制御手段
上述の構成は、制御手段を用いて、いずれも適切に制御することができる。制御手段としては、例えば、CPU、ROM、RAMなどを備えるものが挙げられる。上述の構成を任意に選択して電気的に接続し、必要に応じて電子的なプログラムを用いて、上記構成をかかる制御手段によって制御することができる。
Control Unit Any of the above-described configurations can be appropriately controlled using the control unit. Examples of the control means include those provided with a CPU, ROM, RAM, and the like. The above configuration can be arbitrarily selected and electrically connected, and the configuration can be controlled by the control means using an electronic program as necessary.

・乾燥機構
本発明の装置は、処理室内外において、洗浄後の使用済みターゲット材に付着した水を速やかに取り除くための乾燥機構を含んでいてもよい。水を取り除くことで、洗浄後の使用済みターゲット材を原料として溶解、鋳造を行う際に、原料に付着した水が原因で生じる異物混入等の不具合を防ぐことができる。
乾燥機構としては、例えば、乾燥空気や窒素ガス等のガスを洗浄後の使用済みターゲット材に吹き付け、ターゲット材に付着した水を吹き飛ばす送風による乾燥機構や、温風やホットプレート上での加熱による乾燥機構を採用することができる。処理室104に搬送手段105およびターゲット材101が通過するための開口部(搬出口)を有する場合、開口部内外いずれかの隣接部に送風による乾燥機構を設けておくことが好ましい。
-Drying mechanism The apparatus of this invention may include the drying mechanism for removing rapidly the water adhering to the used target material after washing | cleaning inside and outside a process chamber. By removing the water, it is possible to prevent inconveniences such as mixing of foreign matters caused by water adhering to the raw material when the used target material after cleaning is melted and cast as the raw material.
As a drying mechanism, for example, a drying mechanism by blowing air such as dry air or nitrogen gas onto a used target material after cleaning, and blowing off water adhering to the target material, or by heating on hot air or a hot plate A drying mechanism can be employed. In the case where the processing chamber 104 has an opening (a carry-out port) through which the transfer means 105 and the target material 101 pass, it is preferable to provide a drying mechanism by blowing air at either the inside or outside of the opening.

[洗浄装置の好ましい実施形態]
装置は、好ましい実施形態において、
ノズルヘッドと、
アクチュエータと、
処理室と、
クランプ、サイドノズルヘッド、反転機構、排水機構、乾燥機構および搬送機構からなる群から選択される少なくとも1つの構成要素と
を含む。
[Preferred Embodiment of Cleaning Device]
In a preferred embodiment, the device is
A nozzle head;
An actuator,
A processing chamber;
And at least one component selected from the group consisting of a clamp, a side nozzle head, a reversing mechanism, a drainage mechanism, a drying mechanism, and a transport mechanism.

本発明の装置は、上記の構成を含むものに限定して解釈されるべきものではない。   The apparatus of the present invention should not be construed as being limited to those including the above-described configuration.

リサイクル鋳塊の製造方法
本発明の洗浄方法および/または洗浄装置に従って処理されたターゲット材は、例えば図1に示す通り、溶解、鋳造することにより、リサイクル鋳塊を製造することができる。
Recycled ingot manufacturing method The target material processed according to the cleaning method and / or the cleaning apparatus of the present invention can be manufactured by melting and casting as shown in FIG. 1, for example.

リサイクル鋳塊を製造する方法としては公知の方法を使用すればよく、溶解、鋳造の工程を経て製造することができる。溶解方法としては、電気炉や燃焼炉にて、大気中または真空中で溶解させればよく、鋳造方法としては、連続鋳造法、半連続鋳造法、金型鋳造法、精密鋳造法、ホットトップ鋳造法、重力鋳造法などを採用することができる。また、溶解、鋳造工程の間に、脱ガス処理、介在物除去処理を行ってもよい。   As a method for producing the recycled ingot, a known method may be used, which can be produced through a melting and casting process. As a melting method, it may be melted in the atmosphere or in a vacuum in an electric furnace or a combustion furnace, and as a casting method, a continuous casting method, a semi-continuous casting method, a die casting method, a precision casting method, a hot top A casting method, a gravity casting method, or the like can be employed. Moreover, you may perform a degassing process and an inclusion removal process between a melt | dissolution and a casting process.

リサイクル鋳塊の製造条件、特に温度は、ターゲット材に主として含まれる金属(元素)に応じて適宜決定すればよい。   What is necessary is just to determine suitably the manufacturing conditions of recycling ingot, especially temperature according to the metal (element) mainly contained in a target material.

例えば、ターゲット材に主成分として含まれる金属がアルミニウムである場合、洗浄後のターゲット材を真空下(例えば、0.03Torr)あるいは大気下、670〜1200℃、好ましくは750〜850℃において、カーボンやアルミナなどの坩堝中で溶解し、必要に応じて大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することによって、リサイクル鋳塊を製造することができる。   For example, when the metal contained as the main component in the target material is aluminum, the target material after cleaning is carbonized at 670 to 1200 ° C., preferably 750 to 850 ° C. under vacuum (for example, 0.03 Torr) or air. A recycled ingot can be manufactured by dissolving in a crucible such as aluminum or alumina, stirring in the air as necessary to remove dross, and then cooling in the air.

また、ターゲット材に主成分として含まれる金属が銅である場合、洗浄後のターゲット材を真空下(例えば、0.03Torr)あるいは大気下、1100〜1500℃、好ましくは1150〜1200℃においてカーボンやアルミナなどの坩堝中で溶解し、必要に応じて大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することによって、リサイクル鋳塊を製造することができる。   In the case where the metal contained as the main component in the target material is copper, the target material after cleaning may be carbon or carbon at 1100 to 1500 ° C., preferably 1150 to 1200 ° C. under vacuum (for example, 0.03 Torr) or in the air. A molten ingot can be produced by melting in a crucible such as alumina, stirring in the atmosphere as necessary to remove dross, and then cooling in the atmosphere.

リサイクル鋳塊の製造には、洗浄後のターゲット材のみで製造してもよいし、従来の原料金属と洗浄後のターゲット材との混合物をあわせて使用してもよい。原料金属と洗浄後のターゲット材とを混合する場合、洗浄後のターゲット材の混合割合は、通常20重量%以上であり、製造コストにおける原料費の割合を抑える上では、50重量%以上であることが好ましい。   For the production of the recycled ingot, it may be produced only with the target material after washing, or a mixture of conventional raw metal and the target material after washing may be used together. When the raw material metal and the target material after cleaning are mixed, the mixing ratio of the target material after cleaning is usually 20% by weight or more, and is 50% by weight or more for suppressing the ratio of the raw material cost in the manufacturing cost. It is preferable.

リサイクル鋳塊
本発明の方法に従って製造され得るリサイクル鋳塊は、上述の通り、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まないことを特徴とし、元の(未使用の)ターゲット材と実質的に同一の組成を有し得る。そのため、このようなリサイクル鋳塊から、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するターゲット材を再び製造することができる。ここで、「元のターゲット材と実質的に同一の組成を有する」とは、主たる金属(元素)が同一であり、元のターゲット材にもともと含まれる不純物と同程度の量の不純物を含み得ることを意味する。例えば、接合材および支持部材に由来し得る不純物の合計量が重量基準で10ppm未満、好ましくは0.1ppm〜8ppm、より好ましくは5ppm以下(又は未満)、さらにより好ましくは0.1ppm〜5ppmであり、さらに好ましくは0.1ppm〜2ppmであり、なおかつ全不純物合計量が50ppm未満、好ましくは0.1ppm〜20ppm、より好ましくは0.1ppm〜10ppm、さらに好ましくは5ppm以下(又は未満)、さらにより好ましくは0.1ppm〜5ppmの範囲内にある場合などが挙げられる。なお、元のターゲット材にもともと含まれる不純物およびその量は、そのターゲット材に主成分として含まれる金属の種類および元のターゲット材の製造方法に依存し得るものである。また、リサイクル鋳塊は、ターゲット材以外の用途に使用してもよく、例えば、アルミ電解コンデンサー、ハードディスク基板、耐食性材料、高純度アルミナなどの高い純度が求められる製品の原料としても使用することができる。
Recycled ingot The recycled ingot that can be produced according to the method of the present invention is characterized in that it contains substantially no elements contained in impurities derived from the bonding material and the support member as described above. ) It may have substantially the same composition as the target material. Therefore, a target material having substantially the same composition as the original target material can be manufactured again from such a recycled ingot. Here, “having substantially the same composition as the original target material” means that the main metal (element) is the same, and may contain impurities in the same amount as the impurities originally contained in the original target material. Means that. For example, the total amount of impurities that can be derived from the bonding material and the support member is less than 10 ppm, preferably 0.1 ppm to 8 ppm, more preferably 5 ppm or less (or less), and even more preferably 0.1 ppm to 5 ppm on a weight basis. More preferably 0.1 ppm to 2 ppm, and the total amount of impurities is less than 50 ppm, preferably 0.1 ppm to 20 ppm, more preferably 0.1 ppm to 10 ppm, more preferably 5 ppm or less (or less), The case where it exists in the range of 0.1 ppm-5 ppm more preferably is mentioned. The impurities originally contained in the original target material and the amount thereof can depend on the type of metal contained in the target material as a main component and the method of manufacturing the original target material. In addition, the recycled ingot may be used for applications other than the target material. For example, it may be used as a raw material for products that require high purity such as aluminum electrolytic capacitors, hard disk substrates, corrosion resistant materials, and high purity alumina. it can.

例えば、ターゲット材に主成分として含まれる金属がアルミニウムである場合、リサイクル鋳塊に含まれる接合材および支持部材に由来する不純物の合計量は、例えば、重量基準で10ppm未満であり、好ましくは0.1ppm〜8ppm、より好ましくは5ppm以下(又は未満)、さらに好ましくは0.1ppm〜5ppmであり、さらにより好ましくは0.1ppm〜2ppmである。なお、用途によるものの、例えばフラットディスプレイ用のアルミニウム製のターゲット材は、通常、50ppm以下、好ましくは0.1ppm〜20ppm、より好ましくは0.1ppm〜10ppm、さらにより好ましくは5ppm以下(又は未満)の不純物を含み得ることが知られていて、不純物の量がこの程度であれば、スパッタリングに特に支障はない。   For example, when the metal contained as the main component in the target material is aluminum, the total amount of impurities derived from the bonding material and the support member contained in the recycled ingot is, for example, less than 10 ppm on a weight basis, preferably 0. 0.1 ppm to 8 ppm, more preferably 5 ppm or less (or less), still more preferably 0.1 ppm to 5 ppm, and even more preferably 0.1 ppm to 2 ppm. Depending on the application, for example, an aluminum target material for a flat display is usually 50 ppm or less, preferably 0.1 ppm to 20 ppm, more preferably 0.1 ppm to 10 ppm, and even more preferably 5 ppm or less (or less). If it is known that the amount of impurities is in this range, there is no particular problem with sputtering.

また、ターゲット材に主成分として含まれる金属が銅である場合、リサイクル鋳塊に含まれる接合材および支持部材由来の不純物の合計量は、例えば、重量基準で10ppm未満であり、好ましくは0.05ppm〜9ppm、より好ましくは0.05ppm〜8ppmである。なお、用途によるものの、例えばフラットディスプレイ用の無酸素銅製のターゲット材は、通常100ppm以下、好ましくは0.1ppm〜75ppm、より好ましくは0.1ppm〜50ppmの不純物を含み得ることが知られていて、不純物の量がこの程度であれば、スパッタリングに特に支障はない。   Moreover, when the metal contained as a main component in the target material is copper, the total amount of impurities derived from the bonding material and the support member contained in the recycle ingot is, for example, less than 10 ppm, preferably 0. It is 05 ppm to 9 ppm, more preferably 0.05 ppm to 8 ppm. Although it depends on the application, for example, an oxygen-free copper target material for a flat display is known to contain impurities of usually 100 ppm or less, preferably 0.1 ppm to 75 ppm, more preferably 0.1 ppm to 50 ppm. If the amount of impurities is about this level, there is no particular problem in sputtering.

また、リサイクル鋳塊に含まれる不純物の量は極めて微量であるため、このような不純物の量は、グロー放電質量分析法(Glow Discharge Mass Spectrometry(GDMS))を用いて測定することができる。なお、GDMSの定量下限は、ターゲット材の主元素および検出対象である元素によって異なるものの、例えばターゲット材の主成分として含まれる金属がアルミニウムの場合、通常、0.001ppm〜0.1ppmであり、例えばインジウムでは0.01ppmである。   In addition, since the amount of impurities contained in the recycled ingot is extremely small, the amount of such impurities can be measured using glow discharge mass spectrometry (GDMS). Although the lower limit of quantification of GDMS varies depending on the main element of the target material and the element to be detected, for example, when the metal contained as the main component of the target material is aluminum, it is usually 0.001 ppm to 0.1 ppm. For example, indium is 0.01 ppm.

上述の通り、本発明によると、使用済みのターゲット材は簡便に洗浄することができ、洗浄後のターゲット材は、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まないことから、かかる洗浄方法で処理した使用後のターゲット材を再使用(又はリサイクル)することにより、接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まないリサイクル鋳塊を得ることができ、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するターゲット材を簡便に再生することができる。   As described above, according to the present invention, the used target material can be easily cleaned, and the target material after cleaning is substantially free of elements contained in impurities derived from the bonding material and the support member. From the above, by reusing (or recycling) the used target material treated by such a cleaning method, it is possible to obtain a recycled ingot that is substantially free of elements contained in impurities derived from the bonding material and the support member. And a target material having substantially the same composition as the original target material can be easily regenerated.

また、本発明では、使用済みターゲットを主として金属から構成されるターゲット材とすることにより、ターゲット材表層に存在するハンダ材、ろう材などの接合材を効率よく除去することが可能である。ターゲット材表層における接合材の結合具合に応じて、ウォータージェットの水圧を増加(例えば、90MPa以上に増加)させる必要があるが、主として金属から構成されるターゲット材とすることにより、高水圧の水を当ててもターゲット材自体を破損することなく、接合材を除去することができる。   Further, in the present invention, by using a used target as a target material mainly composed of metal, it is possible to efficiently remove bonding materials such as solder material and brazing material existing on the surface layer of the target material. The water pressure of the water jet needs to be increased (for example, increased to 90 MPa or more) according to the bonding condition of the bonding material on the surface layer of the target material. Even if the contact is applied, the bonding material can be removed without damaging the target material itself.

以下、本発明の実施例を挙げて本発明を詳しく説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example of this invention is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to a following example.

実施例1
アルミニウム製の平板型ターゲット材(純度:99.999%、ビッカース硬度:15〜17、寸法:2000mm×200mm×15mm)と、無酸素銅製のバッキングプレート(純度:99.99%、寸法:2300mm×250mm×15mm)とをInのハンダ材(ハンダ層の厚み:350μm)で接合(ターゲット材のメタライズには、Sn−Zn−Inのハンダ材を使用)してなるスパッタリングターゲットを、スパッタリングに付して使用した後、接合層を加熱(280℃)することによって、ターゲット材をバッキングプレートから分離した。ターゲット材の接合面に付着しているハンダ材をシリコーン製のヘラで掻き落として、可能な限りハンダ材を回収した。バッキングプレートから分離後、ターゲット材を300mm×200mm×15mm程度になるように切断した。
Example 1
A flat plate target material made of aluminum (purity: 99.999%, Vickers hardness: 15 to 17, dimensions: 2000 mm × 200 mm × 15 mm) and an oxygen-free copper backing plate (purity: 99.99%, dimensions: 2300 mm × 250 mm × 15 mm) and a sputtering target formed by joining with an In solder material (solder layer thickness: 350 μm) (using a Sn—Zn—In solder material for metallization of the target material) is applied to sputtering. Then, the target material was separated from the backing plate by heating (280 ° C.) the bonding layer. The solder material adhering to the joint surface of the target material was scraped off with a silicone spatula, and the solder material was recovered as much as possible. After separation from the backing plate, the target material was cut to a size of about 300 mm × 200 mm × 15 mm.

ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)、0.30mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0830)のノズルをそれぞれ3個ずつ(計6個、ノズルヘッドの外側3ヶ所に0.30mmノズル、内側3ヶ所に0.25mmノズルを配置)装着した真円形のノズルヘッド((株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CH)を用いて、ターゲット材の接合面およびスパッタリング面に水を噴射して全面を洗浄した(水圧:245MPa、水量:11.6L/min、ターゲット材とノズルヘッドとの間の距離:55mm、走査:2回、オーバーラップ:5mm、ノズルヘッドの回転速度:1500min−1、ノズルヘッドの移動速度:3000mm/min)。このとき、ノズルヘッドの中心軸と使用済みターゲット材の接合面とが鉛直になるようにノズルヘッドおよび使用済みターゲット材を配置し、ノズルヘッドを使用済みターゲット材の長辺方向へ走査した(ノズルヘッドの水が噴射される側の面は下に凸の山なり構造となっているため、ノズルは接合面に対して斜め方向を向いており、水は接合面に斜めから当たる)。洗浄後のターゲット材表面から接合材およびメタライズ層が除去され、梨地状となっていた。梨地状となった接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率を紫外可視近赤外分光光度計((株)日立ハイテクノロジーズ製、U-4100型)で測定した。5°正反射付属装置を用いて、試料に対して入射角5°の入射光を照射し、反射角5°に反射された反射光の入射光に対する反射率を入射光の波長100nm刻みで求めた。最大は入射光の波長が1300nmのときに0.4%であり、波長500nmのときは0.3%であり、1000nmのときは0.2%であった。なお、処理前の接合材が付着した接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率は、最大は入射光の波長が1300nmのときに2〜3%程度であり、波長500nmのときは1〜2%、1000nmのときは1〜2%であった。また、算術平均粗さRaを接触式表面粗さ計((株)ミツトヨ製、サーフテストSJ−301)を用いて、JIS B 0601(2001)に規定の方法で、梨地状となった接合面を3点測定したところ、Raの平均値は19μmであった。なお、処理前の接合材が付着した接合面の算術平均粗さRaは、平均で1.7μmであった。 Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: DN-0825), 0.30 mm (manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: DN-0830) Using a true circular nozzle head (model number: MNH-2506CH manufactured by Sugino Machine Co., Ltd.) equipped with 0.30 mm nozzles at the three outer locations of the nozzle head and 0.25 mm nozzles at the inner three locations) Then, water was sprayed onto the bonding surface and sputtering surface of the target material to clean the entire surface (water pressure: 245 MPa, water amount: 11.6 L / min, distance between the target material and the nozzle head: 55 mm, scanning: twice, (Overlap: 5 mm, nozzle head rotation speed: 1500 min −1 , nozzle head movement speed: 3000 mm / min). At this time, the nozzle head and the used target material are arranged so that the center axis of the nozzle head and the joining surface of the used target material are vertical, and the nozzle head is scanned in the long side direction of the used target material (nozzle Since the surface of the head on which water is ejected has a downwardly convex crest structure, the nozzle faces obliquely with respect to the joint surface, and the water strikes the joint surface obliquely). The bonding material and the metallized layer were removed from the surface of the target material after the cleaning, and a satin finish was obtained. The specular reflectance in the wavelength range of 300 nm to 1500 nm on the mated joint surface was measured with an ultraviolet visible near infrared spectrophotometer (U-4100, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). Using a 5 ° regular reflection accessory, the sample is irradiated with incident light with an incident angle of 5 °, and the reflectance of the reflected light reflected at the reflection angle of 5 ° with respect to the incident light is determined in increments of 100 nm. It was. The maximum was 0.4% when the wavelength of incident light was 1300 nm, 0.3% when the wavelength was 500 nm, and 0.2% when the wavelength was 1000 nm. In addition, the regular reflectance in the whole wavelength range of 300 nm to 1500 nm of the bonding surface to which the bonding material before treatment is attached is about 2-3% when the wavelength of incident light is 1300 nm, and is 1 to 3 when the wavelength is 500 nm. At 2% and 1000 nm, it was 1 to 2%. Moreover, the joint surface which became a satin-like surface by arithmetic mean roughness Ra by the method prescribed | regulated to JISB0601 (2001) using contact type surface roughness meter (Mitutoyo Corporation make, surf test SJ-301). When three points were measured, the average value of Ra was 19 μm. In addition, the arithmetic average roughness Ra of the bonding surface to which the bonding material before the treatment adhered was 1.7 μm on average.

島津製作所製のEDXRF分析装置(EDX−700L、検出限界:Inで約0.01重量%)を用いて、下記条件にて洗浄後の使用済みターゲット材の接合面を分析(半定量分析)した。その結果、洗浄後の使用済みターゲット材の接合面には、ハンダ材に由来するSn、Zn、Inや、バッキングプレートに由来するCuは、いずれも全く検出することができなかった。その際、接合材やバッキングプレートの成分の元素について、X線ピークの検出有無についても確認した。
なお、洗浄前の使用済みターゲット材の接合面を上記と同様にEDXRFで分析すると、ハンダ材に由来するSn、Zn、Inは、それぞれ10重量%以下、10重量%以下、1重量%〜70重量%で存在し、バッキングプレートに由来するCuは1重量%〜50重量%の量で存在し、本発明の洗浄方法によって、洗浄後の使用済みターゲット材は、ハンダ材およびバッキングプレートに由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まないことがわかった。
<分析条件>
X線照射径:10mmφ
励起電圧:10kV(Na〜Sc)、50kV(Ti〜U)
電流:100μA
測定時間:200秒(各励起電圧において100秒測定)
雰囲気:He
管球:Rhターゲット
フィルター:無し
測定方法:ファンダメンタルパラメータ法
検出器:Si(Li)半導体検出器
Using an EDXRF analyzer (EDX-700L, detection limit: about 0.01 wt% in In) manufactured by Shimadzu Corporation, the bonded surface of the used target material after cleaning was analyzed (semi-quantitative analysis) under the following conditions. . As a result, it was not possible to detect any Sn, Zn, In derived from the solder material, or Cu derived from the backing plate on the bonded surface of the used target material after cleaning. At that time, the presence or absence of X-ray peak detection was also confirmed for the elements of the components of the bonding material and the backing plate.
In addition, when the joint surface of the used target material before washing | cleaning is analyzed by EDXRF similarly to the above, Sn, Zn, and In originating from a solder material are 10 weight% or less, 10 weight% or less, 1 weight%-70 respectively. Cu present in weight%, and Cu derived from the backing plate is present in an amount of 1% to 50% by weight. By the cleaning method of the present invention, the used target material after cleaning is derived from the solder material and the backing plate. It turned out that the element contained in an impurity is not included substantially.
<Analysis conditions>
X-ray irradiation diameter: 10mmφ
Excitation voltage: 10 kV (Na to Sc), 50 kV (Ti to U)
Current: 100 μA
Measurement time: 200 seconds (100 seconds measurement at each excitation voltage)
Atmosphere: He
Tube: Rh target Filter: None Measurement method: Fundamental parameter method Detector: Si (Li) semiconductor detector

また、洗浄後の使用済みターゲット材を真空下(例えば、0.03Torr)、850℃において溶解し、大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することにより、リサイクル鋳塊を製造した。
リサイクル鋳塊に含まれる不純物の量を、GDMS(VG Elemental社製、VG9000)を用いて、Sn、Zn、In、Cuについての微量分析を行った。使用済みターゲット材(洗浄前)から同様の方法で作製した鋳塊と未使用のターゲット材(接合前)の分析結果とともに結果を以下の表1に示す。
Further, the used target material after washing is melted under vacuum (for example, 0.03 Torr) at 850 ° C., stirred in the air to remove dross, and then cooled in the air, thereby recycling ingots. Manufactured.
The amount of impurities contained in the recycled ingot was subjected to microanalysis for Sn, Zn, In and Cu using GDMS (VG Elemental, VG9000). The results are shown in Table 1 below together with the analysis results of the ingot produced by the same method from the used target material (before cleaning) and the unused target material (before joining).

Figure 2018168465
Figure 2018168465

表1に示す結果から、洗浄後の使用済みターゲット材を用いて製造したリサイクル鋳塊中に含まれる不純物(ハンダ材に由来するIn、Sn、Zn、バッキングプレートに由来するCu)の量は、いずれも未使用のターゲット材(接合前)と同程度にまで低減されていることがわかった。   From the results shown in Table 1, the amount of impurities (In, Sn, Zn derived from the solder material, Cu derived from the backing plate) contained in the recycled ingot produced using the used target material after washing is It was found that both were reduced to the same extent as the unused target material (before joining).

実施例2
無酸素銅製の平板型ターゲット材(純度:99.99%、ビッカース硬度:90、寸法:2000mm×200mm×15mm)と、無酸素銅製のバッキングプレート(純度:99.99%、寸法:2300mm×250mm×15mm)とをInのハンダ材(ハンダ層の厚み:350μm)で接合(ターゲット材のメタライズにはSn−Zn−Inのハンダ材を使用)してなるスパッタリングターゲットを、スパッタリングに付して使用した後、接合層を加熱(280℃)することによって、ターゲット材をバッキングプレートから分離した。ターゲット材の接合面に付着しているハンダ材をシリコーン製のヘラで掻き落として、可能な限りハンダ材を回収した。バッキングプレートから分離後、ターゲット材を300mm×200mm×15mm程度になるように切断した。
Example 2
Oxygen-free copper flat target material (purity: 99.99%, Vickers hardness: 90, dimensions: 2000 mm x 200 mm x 15 mm) and oxygen-free copper backing plate (purity: 99.99%, dimensions: 2300 mm x 250 mm) × 15 mm) and a sputtering target formed by joining with an In solder material (solder layer thickness: 350 μm) (using a Sn—Zn—In solder material for metallization of the target material) and using it for sputtering. Then, the target material was separated from the backing plate by heating (280 ° C.) the bonding layer. The solder material adhering to the joint surface of the target material was scraped off with a silicone spatula, and the solder material was recovered as much as possible. After separation from the backing plate, the target material was cut to a size of about 300 mm × 200 mm × 15 mm.

ノズル径:0.30mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0830)のノズルを6個装着した真円形のノズルヘッド((株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CH)を用いて、ターゲット材の接合面に水を噴射して全面を洗浄した(水圧:245MPa、水量:13.7L/min、ターゲット材とノズルヘッドとの間の距離:25mm、走査:3回、オーバーラップ:5mm、ノズルヘッドの回転速度:1500cm−1、ノズルヘッドの移動速度:100mm/min)。このとき、ノズルヘッドの中心軸と接合面とが鉛直になるようにノズルヘッドおよび使用済みターゲット材を配置し、ノズルヘッドを使用済みターゲット材の長辺方向へ走査した(ノズルヘッドの水が噴射される側の面は下に凸の山なり構造となっているため、ノズルは接合面に対して斜め方向を向いており、水は接合面に斜めから当たる)。洗浄後のターゲット材表面から接合材およびメタライズ層が除去され、梨地状となっていた。梨地状となった接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率を実施例1と同様の条件で測定したところ、最大は入射光の波長が1300nmのときに0.5%であり、波長500nmのときは0.1%であり、1000nmのときは0.3%であった。なお、処理前の接合体が付着した接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率は、入射光の波長が1300nmのとき最大となり、2〜3%程度、波長500nmのときは、1〜2%、波長1000nmのときは、1〜2%であった。また、算術平均粗さRaを実施例1と同様に測定したところ、Raの平均値は17μmであった。なお、処理前の接合体が付着した接合面の算術平均粗さRaは、平均で2.1μmであった。 Nozzle diameter: 0.30 mm (Model number: MNH-2506CH, manufactured by Sugino Machine Co., Ltd.) equipped with six nozzles having a nozzle of 0.30 mm (Model number: DN-0830 manufactured by Sugino Machine Co., Ltd.) Then, water was sprayed onto the joint surface of the target material to clean the entire surface (water pressure: 245 MPa, water amount: 13.7 L / min, distance between target material and nozzle head: 25 mm, scanning: 3 times, overlap) : 5 mm, nozzle head rotation speed: 1500 cm −1 , nozzle head movement speed: 100 mm / min). At this time, the nozzle head and the used target material are arranged so that the central axis of the nozzle head and the joining surface are vertical, and the nozzle head is scanned in the long side direction of the used target material (water from the nozzle head is ejected). Since the surface on the side to be formed has a downwardly convex crest structure, the nozzle faces in an oblique direction with respect to the joint surface, and water strikes the joint surface obliquely). The bonding material and the metallized layer were removed from the surface of the target material after the cleaning, and a satin finish was obtained. When the regular reflectance in the entire region of the wavelength of 300 nm to 1500 nm on the mated joint surface was measured under the same conditions as in Example 1, the maximum was 0.5% when the wavelength of incident light was 1300 nm, and the wavelength was 500 nm. Was 0.1% at 1000 nm, and 0.3% at 1000 nm. In addition, the regular reflectance in the wavelength range of 300 nm to 1500 nm of the bonded surface to which the bonded body before the treatment is adhered becomes maximum when the wavelength of incident light is 1300 nm, about 2-3%, and is 1 to 2 when the wavelength is 500 nm. %, When the wavelength was 1000 nm, it was 1 to 2%. Moreover, when arithmetic mean roughness Ra was measured similarly to Example 1, the average value of Ra was 17 micrometers. The arithmetic average roughness Ra of the bonded surface to which the bonded body before treatment adhered was 2.1 μm on average.

島津製作所製のEDXRF分析装置(EDX−700L)を用いて、実施例1と同様の条件で洗浄後の使用済みターゲット材の接合面を分析した。その結果、洗浄後の使用済みターゲット材の接合面には、ハンダ材に由来するSn、Zn、Inは、いずれも全く検出することができなかった。   Using the EDXRF analyzer (EDX-700L) manufactured by Shimadzu Corp., the joint surface of the used target material after cleaning was analyzed under the same conditions as in Example 1. As a result, Sn, Zn, and In derived from the solder material could not be detected at all on the bonded surface of the used target material after cleaning.

なお、洗浄前の使用済みターゲット材の接合面を上記と同様にEDXRFで分析すると、ハンダ材に由来するSn、Zn、Inは、それぞれ1重量%〜20重量%、1重量%〜20重量%、2重量%〜60重量%の量で存在していて、本発明の洗浄方法によって、洗浄後の使用済みターゲット材は、ハンダ材に由来する不純物を実質的に含まないことがわかった。   When the bonding surface of the used target material before cleaning is analyzed by EDXRF in the same manner as described above, Sn, Zn, and In derived from the solder material are 1 wt% to 20 wt%, 1 wt% to 20 wt%, respectively. It was found that the used target material after cleaning was substantially free of impurities derived from the solder material by the cleaning method of the present invention.

また、洗浄後の使用済みターゲット材を真空下(例えば、0.03Torr)、1200℃において溶解し、大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することにより、リサイクル鋳塊を製造した。
リサイクル鋳塊に含まれる不純物の量を、GDMS(VG Elemental社製、VG9000)を用いて、Sn、Zn、Inについての微量分析を行った。未使用のターゲット材(接合前)から同様の方法で作製した鋳塊の分析結果とともに結果を以下の表2に示す。
Further, the used target material after cleaning is melted at 1200 ° C. under vacuum (for example, 0.03 Torr), stirred in the atmosphere to remove dross, and then cooled in the atmosphere, thereby recycling ingots. Manufactured.
The amount of impurities contained in the recycled ingot was analyzed for Sn, Zn, and In using GDMS (VG 9000, manufactured by VG Elemental). The results are shown in Table 2 below together with the analysis results of the ingot produced by the same method from the unused target material (before joining).

Figure 2018168465
Figure 2018168465

表2に示す結果から、洗浄後の使用済みターゲット材を用いて製造したリサイクル鋳塊中に含まれる不純物(ハンダ材に由来するIn、Sn、Zn)の量は、未使用のターゲット材(接合前)と比べて若干の増加は認められるが、その増加量の合計が1.4ppm(重量基準)程度であり、不純物の量は大幅に低減されていることがわかった。   From the results shown in Table 2, the amount of impurities (In, Sn, Zn derived from the solder material) contained in the recycled ingot produced using the used target material after cleaning is determined based on the unused target material (joining Although a slight increase was observed compared to the previous case, the total increase was about 1.4 ppm (weight basis), and it was found that the amount of impurities was greatly reduced.

実施例2の結果から、銅を主成分として含む使用済みターゲット材においても、本発明に従う洗浄方法を実施すると、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有する洗浄後の使用済みターゲット材を得ることができた。また、この洗浄後の使用済みターゲット材を原料として溶解、鋳造を行うことにより、不純物の量が大幅に低減したリサイクル鋳塊が得られることもわかった。   From the results of Example 2, even in the used target material containing copper as a main component, when the cleaning method according to the present invention is performed, the used target material after cleaning having substantially the same composition as the original target material is obtained. I was able to get it. It was also found that a recycled ingot with a greatly reduced amount of impurities can be obtained by melting and casting the used target material after washing as a raw material.

実施例3
アルミニウム製の平板型ターゲット材(純度:99.999%、ビッカース硬度:15〜17、寸法:2000mm×200mm×15mm)と、無酸素銅製のバッキングプレート(純度:99.99%、寸法:2300mm×250mm×15mm)とを下記のハンダ材(ハンダ層の厚み:350μm)で接合してなるスパッタリングターゲットを、スパッタリングに付して使用した後、接合層を加熱(280℃)することによって、ターゲット材をバッキングプレートから分離した。ターゲット材の接合面に付着しているハンダ材をシリコーン製のヘラで掻き落として、可能な限りハンダ材を回収した。バッキングプレートから分離後、ターゲット材を300mm×200mm×15mm程度になるように切断した。
以下の条件1〜10でターゲット材の接合面を洗浄した。いずれの条件でも、洗浄後のターゲット材表面から接合材およびメタライズ層が除去され、梨地状となっていた。洗浄後のターゲット材について、島津製作所製のEDXRF分析装置(EDX−700L、検出限界:Inで約0.01重量%)を用いて、実施例1と同様の条件で洗浄後の使用済みターゲット材の接合面を分析した。その結果、洗浄後の使用済みターゲット材の接合面には、ハンダ材に由来するIn、Sn、Znやバッキングプレートに由来するCuは、いずれも全く検出することができなかった。特に以下の条件1〜8で得られた洗浄後の使用済みターゲット材について、真空下(例えば、0.03Torr)、850℃において、ターゲット材を溶解し、大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することにより、リサイクル鋳塊を製造した。
未使用のターゲット材(接合前)、当該リサイクル鋳塊および使用済みのターゲット材(洗浄前)から同様の方法で作製した鋳塊に含まれる不純物の量を、それぞれGDMS(VG Elemental社製、VG9000)を用いて測定した。結果を以下の表3、4に示す。
Example 3
A flat plate target material made of aluminum (purity: 99.999%, Vickers hardness: 15 to 17, dimensions: 2000 mm × 200 mm × 15 mm) and an oxygen-free copper backing plate (purity: 99.99%, dimensions: 2300 mm × 250 mm × 15 mm) and the following solder material (solder layer thickness: 350 μm) is used by sputtering, and after the sputtering target is used, the bonding layer is heated (280 ° C.) to obtain the target material. Was separated from the backing plate. The solder material adhering to the joint surface of the target material was scraped off with a silicone spatula, and the solder material was recovered as much as possible. After separation from the backing plate, the target material was cut to a size of about 300 mm × 200 mm × 15 mm.
The bonded surface of the target material was cleaned under the following conditions 1 to 10. Under any of the conditions, the bonding material and the metallized layer were removed from the surface of the target material after washing, resulting in a satin finish. About the target material after washing | cleaning, the used target material after washing | cleaning on the conditions similar to Example 1 using the EDXRF analyzer (EDX-700L, detection limit: About 0.01 weight% in In) by Shimadzu Corporation The joint surface was analyzed. As a result, no In, Sn, Zn derived from the solder material or Cu derived from the backing plate could be detected at all on the joint surface of the used target material after cleaning. In particular, for the used target material after washing obtained under the following conditions 1 to 8, the target material is dissolved under vacuum (for example, 0.03 Torr) at 850 ° C. and stirred in the atmosphere to remove dross. After that, a recycled ingot was produced by cooling in the air.
The amount of impurities contained in an ingot produced by the same method from an unused target material (before joining), the recycled ingot, and a used target material (before washing) was determined by GDMS (VG Elemental, VG9000, respectively). ). The results are shown in Tables 3 and 4 below.

条件1
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:1回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面
Condition 1
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0825)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 1 time Overlap: 5 mm
Cleaning treatment: Bonding surface

条件2
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:1回
オーバーラップ:22mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 2
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0825)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 1 time Overlap: 22 mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件3
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.30mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0830)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:1回
オーバーラップ:22mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 3
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.30 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0830)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 1 time Overlap: 22mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件4
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:2000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:22mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 4
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0825)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 2000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 22mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件5
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:2000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 5
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0825)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 2000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 5 mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件6
接合用のハンダ材:Sn−Zn
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:200MPa
水量:8.5L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 6
Solder material for bonding: Sn-Zn
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 200 MPa
Water volume: 8.5L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0825)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 5mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件7
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:245MPa
水量:11.6L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm、0.30mm(それぞれノズル3個ずつ、(株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825、DN−0830、ノズルヘッドの外側3ヶ所に0.30mmノズル、内側3ヶ所に0.25mmノズルを配置)
ノズル距離:55mm
回転速度:1500min−1
移動速度:4000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 7
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 245 MPa
Water volume: 11.6L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm, 0.30 mm (3 nozzles each, manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: DN-0825, DN-0830, 0.30 mm nozzles on the outside of the nozzle head, 3 insides 0.25mm nozzle is placed on the
Nozzle distance: 55mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 4000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 5mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件8
接合用のハンダ材:Sn−Zn
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:245MPa
水量:11.6L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.25mm、0.30mm(それぞれノズル3個ずつ、(株)スギノマシン製、形式番号:DN−0825、DN−0830、ノズルヘッドの外側3ヶ所に0.30mmノズル、内側3ヶ所に0.25mmノズルを配置)
ノズル距離:55mm
回転速度:1500min−1
移動速度:3000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面およびスパッタリング面
Condition 8
Solder material for bonding: Sn-Zn
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 245 MPa
Water volume: 11.6L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.25 mm, 0.30 mm (3 nozzles each, manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: DN-0825, DN-0830, 0.30 mm nozzles on the outside of the nozzle head, 3 insides 0.25mm nozzle is placed on the
Nozzle distance: 55mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 3000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 5 mm
Cleaning treatment: bonding surface and sputtering surface

条件9
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:150MPa
水量:7.3L/min
ノズル数:3個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、ピッチ円直径(P.C.D.)20mmの位置に配置、水は鉛直方向に噴射される)
ノズル径:0.35mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0835)
ノズル距離:25mm
回転速度:1000min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:1回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面
Condition 9
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 150 MPa
Water volume: 7.3 L / min
Number of nozzles: 3 (nozzle head is manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., arranged at a pitch circle diameter (PCD) of 20 mm, water is jetted in the vertical direction)
Nozzle diameter: 0.35 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0835)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1000 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 1 time Overlap: 5 mm
Cleaning treatment: Joint surface

条件10
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:245MPa
水量:3.4L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506CHを使用)
ノズル径:0.15mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0815)
ノズル距離:25mm
回転速度:1500min−1
移動速度:1000mm/min
ライン処理:1回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面
Condition 10
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 245 MPa
Water volume: 3.4 L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506CH is used)
Nozzle diameter: 0.15 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0815)
Nozzle distance: 25mm
Rotational speed: 1500 min -1
Movement speed: 1000mm / min
Line treatment: 1 time Overlap: 5 mm
Cleaning treatment: Bonding surface

Figure 2018168465
Figure 2018168465

Figure 2018168465
Figure 2018168465

実施例1、3の結果から、アルミニウムを主成分として含む使用済みのターゲット材において、本発明に従う洗浄方法を実施すると、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するリサイクル鋳塊が得られることがわかった。   From the results of Examples 1 and 3, when the cleaning method according to the present invention is performed on a used target material containing aluminum as a main component, a recycled ingot having substantially the same composition as the original target material is obtained. I understood it.

比較例1
実施例1と同様の使用済み平板型ターゲット材を100mm×200mm×15mm程度になるように切断し、室温で4.4wt%の硝酸水溶液中に20時間浸漬し、化学的処理によるハンダ材の除去を行った。接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率を実施例1と同様の処理で測定したところ、入射光の波長が1300nmのとき最大となり、13%、波長500nmのときは、6.0%、波長1000nmのときは、8.0%であった。また、算術平均粗さRaを実施例1と同様に測定したところ、Raの平均値は1.1μmであった。なお、処理前の接合体が付着した接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率は、入射光の波長が1300nmのとき最大となり、2〜3%程度、波長500nmのときは、1〜2%、波長1000nmのときは、1〜2%であり、処理前の接合面の算術平均粗さRaは、平均で1.7μmであった。島津製作所製のEDXRF分析装置(EDX−700L、検出限界:Inで約0.01重量%)を用いて、実施例1と同様の条件で化学的処理後の使用済みターゲット材の接合面を分析した。その結果、化学的処理後の使用済みターゲット材の接合面には、バッキングプレートに由来するCuが0.6wt%検出され、不純物が除去できていないことが判明した。
また、化学的処理後の使用済みターゲット材を真空下(例えば、0.03Torr)、850℃において溶解し、大気中にて撹拌してドロスを除去した後、大気中で冷却することにより、リサイクル鋳塊を製造した。
未使用のターゲット材(接合前)、比較例1のリサイクル鋳塊、使用済みターゲット材(化学的処理前)を溶解して作製した鋳塊に含まれる不純物の量を、それぞれGDMS(VG Elemental社製、VG9000)を用いて測定した。結果を以下の表5に示す。
Comparative Example 1
The used flat plate type target material similar to that in Example 1 is cut so as to have a size of about 100 mm × 200 mm × 15 mm, immersed in a 4.4 wt% nitric acid aqueous solution at room temperature for 20 hours, and the solder material is removed by chemical treatment. Went. When the regular reflectance in the entire wavelength range of 300 nm to 1500 nm on the bonding surface was measured by the same treatment as in Example 1, it was maximum when the wavelength of incident light was 1300 nm, 13%, and 6.0% when the wavelength was 500 nm. When the wavelength was 1000 nm, it was 8.0%. Moreover, when arithmetic mean roughness Ra was measured like Example 1, the average value of Ra was 1.1 micrometer. In addition, the regular reflectance in the wavelength range of 300 nm to 1500 nm of the bonded surface to which the bonded body before the treatment is adhered becomes maximum when the wavelength of incident light is 1300 nm, about 2-3%, and is 1 to 2 when the wavelength is 500 nm. %, When the wavelength was 1000 nm, it was 1 to 2%, and the arithmetic average roughness Ra of the joint surface before the treatment was 1.7 μm on average. Using a Shimadzu EDXRF analyzer (EDX-700L, detection limit: about 0.01 wt% in In), the joint surface of the used target material after chemical treatment was analyzed under the same conditions as in Example 1. did. As a result, 0.6 wt% of Cu derived from the backing plate was detected on the joint surface of the used target material after chemical treatment, and it was found that impurities could not be removed.
In addition, the used target material after the chemical treatment is melted at 850 ° C. under vacuum (for example, 0.03 Torr), stirred in the air to remove dross, and then cooled in the air for recycling. An ingot was produced.
The amount of impurities contained in the ingot produced by melting the unused target material (before joining), the recycled ingot of Comparative Example 1 and the used target material (before chemical treatment), respectively, is determined by GDMS (VG Elemental) (Manufactured by VG9000). The results are shown in Table 5 below.

Figure 2018168465
Figure 2018168465

酸による処理のみを行った比較例1では、20時間かけて処理したにもかかわらず、リサイクル鋳塊中に含まれる接合材およびバッキングプレートに由来する不純物(すなわち、In、Sn、Zn、Cu)の合計量は重量基準で約19ppmであり、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するリサイクル鋳塊を得ることはできない。   In Comparative Example 1 where only the treatment with the acid was performed, the impurities derived from the bonding material and the backing plate contained in the recycled ingot (that is, In, Sn, Zn, Cu) in spite of being treated for 20 hours. The total amount is about 19 ppm on a weight basis, and it is impossible to obtain a recycled ingot having substantially the same composition as the original target material.

実施例4
アルミニウム製の平板型ターゲット材(純度:99.999%、ビッカース硬度:14〜17、寸法:2000mm×200mm×15mm)と、無酸素銅製のバッキングプレート(純度:99.99%、寸法:2300mm×250mm×15mm)とを下記のハンダ材(ハンダ層の厚み:350μm)で接合してなるスパッタリングターゲットを、スパッタリングに付して使用した後、接合層を加熱(280℃)することによって、ターゲット材をバッキングプレートから分離した。ターゲット材の接合面に付着しているハンダ材をシリコーン製のヘラで掻き落として、可能な限りハンダ材を回収した。バッキングプレートからターゲット材を分離した後、ターゲット材を300mm×200mm×15mm程度になるように切断した。
以下の条件11で55枚のターゲット材の接合面、スパッタリング面および側面を洗浄した。いずれにおいても、洗浄後のターゲット材表面から接合材およびメタライズ層が除去され、梨地状となっていた。洗浄した55枚のうち10枚を無作為に選出し、梨地状となった接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率を実施例1と同様の条件で測定した。いずれのターゲット材でも、正反射率は、最大で0.4%程度であり、波長500nmのときは平均0.2%程度、1000nmのときは平均0.2%程度であった。また、無作為に選出した10枚の算術平均粗さRaを実施例1と同様の方法で測定したところ、Raの平均値は20μmであった。なお、処理前の接合体が付着した接合面の波長300nm〜1500nm全域における正反射率は、入射光の波長が1300nmのとき最大となり、2〜3%程度、波長500nmのときは、1〜2%、波長1000nmのときは、1〜2%であり、処理前の接合面の算術平均粗さRaは、平均で1.8μmであった。洗浄後のターゲット材について島津製作所製のEDXRF分析装置(EDX−700L、検出限界:Inで約0.01重量%)を用いて、実施例1と同様の条件で洗浄後の使用済みターゲット材55枚の接合面を分析した。その結果、洗浄後の使用済みターゲット材の接合面には、ハンダ材に由来するIn、Sn、Znやバッキングプレートに由来するCuは、いずれも全く検出することができなかった。また、55枚のターゲット材の洗浄前後の重量差から歩留りを求めたところ、平均して98%であり、高い歩留りで処理できていることも確認した。
次いで、処理した洗浄済みのターゲット材のうち25枚(約50kg)を真空中、800℃において溶解し、ドロスを除去した後、大気中でカーボン製の鋳型に溶湯を注ぎ込み、溶湯を大気中で冷却することにより、リサイクル鋳塊を製造した。リサイクル鋳塊に含まれる不純物の量を、GDMS(VG Elemental社製、VG9000(型番))を用いて測定した。結果を上記の表4に示す。
Example 4
Flat plate target material made of aluminum (purity: 99.999%, Vickers hardness: 14-17, dimensions: 2000 mm × 200 mm × 15 mm), and oxygen-free copper backing plate (purity: 99.99%, dimensions: 2300 mm × 250 mm × 15 mm) and the following solder material (solder layer thickness: 350 μm) is used by sputtering, and after the sputtering target is used, the bonding layer is heated (280 ° C.) to obtain the target material. Was separated from the backing plate. The solder material adhering to the joint surface of the target material was scraped off with a silicone spatula, and the solder material was recovered as much as possible. After separating the target material from the backing plate, the target material was cut to about 300 mm × 200 mm × 15 mm.
The bonded surfaces, sputtering surfaces, and side surfaces of 55 target materials were cleaned under the following condition 11. In any case, the bonding material and the metallized layer were removed from the surface of the target material after washing, and a satin finish was obtained. Ten of the washed 55 sheets were randomly selected, and the regular reflectance in the entire wavelength range of 300 nm to 1500 nm of the matte joint surface was measured under the same conditions as in Example 1. Regardless of the target material, the regular reflectance was a maximum of about 0.4%, and the average was about 0.2% when the wavelength was 500 nm, and the average was about 0.2% when the wavelength was 1000 nm. Moreover, when 10 arithmetic mean roughness Ra selected at random was measured by the method similar to Example 1, the average value of Ra was 20 micrometers. In addition, the regular reflectance in the wavelength range of 300 nm to 1500 nm of the bonded surface to which the bonded body before the treatment is adhered becomes maximum when the wavelength of incident light is 1300 nm, about 2-3%, and is 1 to 2 when the wavelength is 500 nm. %, When the wavelength was 1000 nm, it was 1 to 2%, and the arithmetic average roughness Ra of the bonded surface before the treatment was 1.8 μm on average. About target material after cleaning Used target material 55 after cleaning under the same conditions as in Example 1 using an EDXRF analyzer (EDX-700L, detection limit: about 0.01 wt% in In) manufactured by Shimadzu Corporation The joining surfaces of the sheets were analyzed. As a result, no In, Sn, Zn derived from the solder material or Cu derived from the backing plate could be detected at all on the joint surface of the used target material after cleaning. Moreover, when the yield was calculated | required from the weight difference before and behind washing | cleaning of 55 target materials, it was 98% on average and it confirmed that it was able to process with a high yield.
Next, 25 processed target materials (about 50 kg) were melted at 800 ° C. in a vacuum to remove dross, and then the molten metal was poured into a carbon mold in the atmosphere. Recycled ingots were produced by cooling. The amount of impurities contained in the recycled ingot was measured using GDMS (VG9000 (model number) manufactured by VG Elemental). The results are shown in Table 4 above.

条件11
接合用のハンダ材:In
メタライズ用のハンダ材:Sn−Zn−In
水圧:245MPa
水量:18.6L/min
ノズル数:6個(ノズルヘッドは、(株)スギノマシン製、形式番号:MNH−2506−15Cを使用(ノズルは、P.C.D.36mmの位置に配置))
ノズル径:0.35mm((株)スギノマシン製、形式番号:DN−0835)
ノズル距離:60mm
回転速度:2000min−1
移動速度:4000mm/min
ライン処理:2回
オーバーラップ:5mm
洗浄処理:接合面、スパッタリング面および側面
Condition 11
Solder material for bonding: In
Solder material for metallization: Sn-Zn-In
Water pressure: 245 MPa
Water volume: 18.6 L / min
Number of nozzles: 6 (Nozzle head manufactured by Sugino Machine Co., Ltd., model number: MNH-2506-15C is used (nozzle is placed at the position of PCD36 mm))
Nozzle diameter: 0.35 mm (manufactured by Sugino Machine, model number: DN-0835)
Nozzle distance: 60mm
Rotational speed: 2000 min -1
Movement speed: 4000mm / min
Line treatment: 2 times Overlap: 5mm
Cleaning treatment: bonding surface, sputtering surface and side surface

実施例4の結果(表4)が示す通り、本発明の洗浄処理は、使用済みターゲットのハンダ材の厚みのばらつきにも影響されず、大量の使用済みターゲットの処理にも好適であることが明らかとなった。
また、上記実施例及び比較例については、平板型ターゲット材について説明したが、バッキングチューブに接合材を用いて接合される円筒型ターゲット材についても、同様の処理を行うことにより、同結果を得ることができる。
As shown in the results of Table 4 (Table 4), the cleaning process of the present invention is not affected by the variation in the thickness of the solder material of the used target, and is suitable for processing a large amount of used target. It became clear.
Moreover, about the said Example and comparative example, although the flat type target material was demonstrated, the same result is obtained by performing the same process also about the cylindrical target material joined using a joining material to a backing tube. be able to.

本願は、2017年3月30日に日本国で出願された特願2017−068470を基礎としてその優先権を主張するものであり、その内容はすべて本明細書中に参照することにより援用される。   This application claims the priority on the basis of Japanese Patent Application No. 2017-068470 for which it applied in Japan on March 30, 2017, The content of all is used by reference in this specification. .

本発明によると、例えば、上述の装置を用いて、使用済みのターゲット材を上述のように洗浄することで、接合材およびバッキングプレートやバッキングチューブなどの支持部材に由来する不純物に含まれる元素を実質的に含まない使用済みターゲット材を得ることができ、このような使用済みターゲット材を原料として再び鋳塊を製造することによって、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するリサイクル鋳塊を得ることができる。本発明によると、このようなリサイクル鋳塊から、元のターゲット材と実質的に同一の組成を有するターゲット材を再生することができるので、ターゲット材のリサイクルに有用である。   According to the present invention, for example, by using the above-described apparatus to wash the used target material as described above, the elements contained in the impurities derived from the bonding material and the support member such as the backing plate and the backing tube can be obtained. A recycle ingot having substantially the same composition as the original target material can be obtained by producing a used target material substantially free of the target material and manufacturing the ingot again from such a used target material. Can be obtained. According to the present invention, since a target material having substantially the same composition as the original target material can be regenerated from such a recycled ingot, it is useful for recycling the target material.

1 ターゲット材
2 支持部材
3 接合材(又は接合層)
4 ハンダ層
5、5’ メタライズ層
10、20、30 スパッタリングターゲット
100 装置
101 ターゲット材(又はワーク)
102 ノズルヘッド
103 アクチュエータ
103X X軸スライダ
103Y Y軸スライダ
103Z Z軸スライダ
104 処理室
105 搬送手段
106 ロッド
1 target material 2 support member 3 bonding material (or bonding layer)
4 Solder layer 5, 5 ′ Metallized layer 10, 20, 30 Sputtering target 100 Device 101 Target material (or workpiece)
102 Nozzle head 103 Actuator 103X X-axis slider 103Y Y-axis slider 103Z Z-axis slider 104 Processing chamber 105 Conveying means 106 Rod

Claims (13)

主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの前記支持部材から前記ターゲット材を分離し、少なくとも前記ターゲット材の前記接合材が付着している面に水を噴射することによって、前記ターゲット材から前記接合材を除去することを特徴とするターゲット材の洗浄方法。   A target material mainly composed of metal and a support member are separated from the support member of the sputtering target formed by bonding with a bonding material, and at least the surface of the target material to which the bonding material is attached A method for cleaning a target material, wherein the bonding material is removed from the target material by spraying water. 前記水の圧力が90MPa以上であることを特徴とする請求項1に記載のターゲット材の洗浄方法。   The method for cleaning a target material according to claim 1, wherein the water pressure is 90 MPa or more. 前記金属がアルミニウムまたは銅であることを特徴とする請求項1または2に記載のターゲット材の洗浄方法。   The method for cleaning a target material according to claim 1, wherein the metal is aluminum or copper. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の洗浄方法によりターゲット材を処理することを含む、ターゲット材の製造方法。   The manufacturing method of a target material including processing a target material with the washing | cleaning method of any one of Claims 1-3. エネルギー分散型蛍光X線分析によって、ターゲット材と支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの接合材および支持部材に由来する不純物に含まれる元素が検出されないことを特徴とする洗浄後のターゲット材。   The element contained in the impurities derived from the bonding material and the supporting member of the sputtering target in which the target material and the supporting member are bonded by the bonding material is not detected by energy dispersive fluorescent X-ray analysis. Target material. 請求項4に記載の製造方法より得られるターゲット材を原料として、前記金属を鋳造することで前記金属を含むリサイクル鋳塊を得ることを特徴とするリサイクル鋳塊の製造方法。   A method for producing a recycled ingot, comprising: obtaining a recycled ingot containing the metal by casting the metal using a target material obtained from the production method according to claim 4 as a raw material. ターゲット材と支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの接合材および支持部材に由来する不純物の合計量が重量基準で10ppm未満であることを特徴とするリサイクル鋳塊。   A recycled ingot, wherein the total amount of impurities derived from a bonding material and a supporting member of a sputtering target formed by bonding a target material and a supporting member with a bonding material is less than 10 ppm on a weight basis. 前記リサイクル鋳塊の主成分である金属がアルミニウムまたは銅であることを特徴とする請求項7に記載のリサイクル鋳塊。   The recycled ingot according to claim 7, wherein the metal that is a main component of the recycled ingot is aluminum or copper. 前記リサイクル鋳塊の主成分である金属がアルミニウムであり、前記不純物の合計量が重量基準で5ppm未満であることを特徴とする請求項8に記載のリサイクル鋳塊。   The recycled ingot according to claim 8, wherein the metal that is a main component of the recycled ingot is aluminum, and a total amount of the impurities is less than 5 ppm by weight. 主として金属から構成されるターゲット材と、支持部材とが接合材で結合されてなるスパッタリングターゲットの前記支持部材から分離された前記ターゲット材の少なくとも前記接合材が付着している面に水を噴射することによって、前記ターゲット材から前記接合材を除去するために用いられる装置であり、
前記ターゲット材に水を噴射するための噴射口を少なくとも1つ備える少なくとも1つのノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドを操作するためのアクチュエータと、
前記アクチュエータが配置され、前記ターゲット材を収容して処理するための処理室と
を含む、装置。
Water is sprayed onto at least the surface of the target material separated from the support member of the sputtering target formed by joining a target material mainly composed of metal and the support member with a bonding material. Is an apparatus used to remove the bonding material from the target material,
At least one nozzle head comprising at least one injection port for injecting water onto the target material;
An actuator for operating the nozzle head;
An apparatus comprising: a processing chamber in which the actuator is disposed and for storing and processing the target material.
前記ターゲット材を前記処理室内で固定するためのクランプをさらに含む、請求項10に記載の装置。   The apparatus of claim 10, further comprising a clamp for securing the target material in the processing chamber. 前記ターゲット材を反転させるための反転機構をさらに含む、請求項10または11に記載の装置。   The apparatus according to claim 10 or 11, further comprising a reversing mechanism for reversing the target material. 前記噴射口から噴射された水を回収して排水し、前記ターゲット材から除去された接合材を含む処理物を分離するための排水機構を含む、請求項10〜12のいずれか1項に記載の装置。   It collect | recovers and discharges | emits the water injected from the said injection port, and the drainage mechanism for isolate | separating the processed material containing the joining material removed from the said target material is included in any one of Claims 10-12. Equipment.
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