JP2018166177A - ウエーハ加工システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハ加工システムの構成例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図3は、図1に示されたウエーハ加工システムの加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。
図1及び図2に示す実施形態1に係るウエーハ加工システム1は、図3に示すウエーハ201に加工を施す。ウエーハ201は、実施形態1ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素、LT(LiTaO3:タンタル酸リチウム)、又はLN(LiNbO3:ニオブ酸リチウム)などを基板202とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ201は、図3に示すように、交差する複数の分割予定ライン203によって区画された複数の領域にデバイス204が形成された表面205を備える。ウエーハ201は、表面205の裏側の裏面206が研削されて薄化された後、分割予定ライン203に沿って分割されることにより、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)のようなデバイスチップに分割される。
図4は、図1に示されたウエーハ加工システムの研削装置により研削される状態のウエーハの斜視図である。図5は、図1に示されたウエーハ加工システムの研削装置の研削ユニットの要部を示す側面図である。図6は、図1に示されたウエーハ加工システムの研削装置の洗浄ユニットの要部を示す側面図である。図7は、図6に示された洗浄ユニットの変形例の要部を示す側面図である。
図8は、図1に示されたウエーハ加工システムのレーザー加工装置を示す図である。レーザー加工装置20は、ウエーハ201の裏面206のデバイス204が形成されていない領域である図4に示す外周余剰領域208にレーザーマーキングするレーザー光線照射ユニット21を備える。また、レーザー加工装置20は、レーザー光線照射ユニット21をX軸方向及びY軸方向に移動させる図示しない移動ユニットを備える。
図9は、図1に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置がウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し保護テープを剥離する状態を示す斜視図である。図10は、図1に示されたウエーハ加工システムのテープ貼着装置により環状フレームが固定されたウエーハの斜視図である。
第1のカセット載置部40は、図4に示す表面205に保護テープ207が貼着されたウエーハ201を複数収容する第1のカセット41を載置する。実施形態1において、第1のカセット載置部40は、研削装置10とX軸方向に並ぶ位置に2つ設置される。
第2のカセット載置部50は、図10に示すダイシングテープ209で環状フレーム210の開口に支持されたウエーハ201を複数収容する第2のカセット51を載置する。実施形態1において、第2のカセット載置部50は、テープ貼着装置30とX軸方向に並ぶ位置に1つ設置される。
図11は、図1に示されたウエーハ加工システムの搬送ユニットの装置間搬送ユニットの一例を模式的に示す側面図である。搬送ユニット60は、研削装置10、テープ貼着装置30、第1のカセット41、及び第2のカセット51の間でウエーハ201を搬送する。実施形態において、研削装置10とテープ貼着装置30とは、Y軸方向に間隔をあけて配置される。
制御ユニット100は、ウエーハ加工システム1の構成要素である、研削装置10、レーザー加工装置20、テープ貼着装置30、及び搬送ユニット60を制御する。
本発明の実施形態2に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図12は、実施形態2に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係るウエーハ加工システムを図面に基づいて説明する。図13は、実施形態3に係るウエーハ加工システムの概略の構成を平面図である。図13は、実施形態2と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
10 研削装置
11 研削ユニット
20,20−2,20−3 レーザー加工装置
21 レーザー光線照射ユニット
22 レーザー光線
30 テープ貼着装置
33 フレームユニット形成手段
34 剥離手段
40 第1のカセット載置部
41 第1のカセット
50 第2のカセット載置部
51 第2のカセット
60 搬送ユニット
100 制御ユニット(制御手段)
201 ウエーハ
203 分割予定ライン
204 デバイス
205 表面
208 外周余剰領域(デバイスが形成されていない領域)
209 ダイシングテープ
210 環状フレーム
Claims (2)
- 交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウエーハに加工を施すウエーハ加工システムであって、
ウエーハの裏面を研削しウエーハを薄化する研削ユニットを備える研削装置と、
ウエーハにレーザー光線を照射して、ウエーハのデバイスが形成されていない領域にレーザーマーキングするレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置と、
研削装置で研削されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに、該ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定するフレームユニット形成手段と、ウエーハの表面に貼着された保護テープを剥離する剥離手段とを備えるテープ貼着装置と、
表面に該保護テープが貼着されたウエーハを複数収容する第1のカセットを載置する第1のカセット載置部と、
該ダイシングテープで該環状フレームの開口に支持されたウエーハを複数収容する第2のカセットを載置する第2のカセット載置部と、搬送ユニットと、各構成要素を制御する制御手段と、を含み、
該搬送ユニットは、第1のカセットから該研削装置にウエーハを搬送し、該研削装置にて研削後該研削装置から該レーザー加工装置に該ウエーハを搬送し、該レーザー加工装置にてレーザーマーキングした後該レーザー加工装置から該テープ貼着装置に該ウエーハを搬送し、該テープ貼着装置にて該ウエーハの裏面に該ダイシングテープを貼着するとともに該ダイシングテープの外周縁に該環状フレームを固定した後該テープ貼着装置から第2のカセットに該ウエーハを搬送するウエーハ加工システム。 - 前記レーザー加工装置は、前記ウエーハの裏面にレーザーマーキングする請求項1に記載のウエーハ加工システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2017063637A JP6877207B2 (ja) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | ウエーハ加工システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2017063637A JP6877207B2 (ja) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | ウエーハ加工システム |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2018166177A true JP2018166177A (ja) | 2018-10-25 |
| JP6877207B2 JP6877207B2 (ja) | 2021-05-26 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6877207B2 (ja) |
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