JP2018163939A - Solar cell - Google Patents
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Abstract
【課題】フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制することのできる太陽電池を提供する。【解決手段】フレキシブル基材2上に、少なくとも光電変換層4と上部電極6とを有する太陽電池1であって、光電変換層4は、有機無機ペロブスカイト化合物を含み、更に、光電変換層4の側面を取り囲むようにしてフレキシブル基材2上に配置された有機絶縁層からなる外枠9と、有機絶縁層からなる外枠9を被覆する無機層10とを有する。【選択図】図2PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell having excellent flexibility and capable of suppressing the infiltration of moisture in the atmosphere. SOLUTION: The solar cell 1 has at least a photoelectric conversion layer 4 and an upper electrode 6 on a flexible base material 2. The photoelectric conversion layer 4 contains an organic-inorganic perovskite compound, and further comprises a photoelectric conversion layer 4. It has an outer frame 9 made of an organic insulating layer arranged on the flexible base material 2 so as to surround the side surface, and an inorganic layer 10 covering the outer frame 9 made of the organic insulating layer. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本発明は、フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制することのできる太陽電池に関する。 The present invention relates to a solar cell that is excellent in flexibility and can suppress the intrusion of moisture in the atmosphere.
従来、太陽電池として、対向する電極間にN型半導体層とP型半導体層とを配置した積層体が盛んに開発されており、上記N型、P型半導体として主にシリコン等の無機半導体が用いられている。しかしながら、このような無機太陽電池は、製造にコストがかかるうえ大型化が困難であり、利用範囲が限られてしまうという問題があった。
そこで、近年、中心金属に鉛、スズ等を用いたペロブスカイト構造を有する有機無機ペロブスカイト化合物を光電変換層に用いた、ペロブスカイト太陽電池が注目されている(例えば、特許文献1、非特許文献1)。ペロブスカイト太陽電池は、高い光電変換効率が期待できるうえに、印刷法によって製造できることから製造コストを大幅に削減することができる。
Conventionally, as a solar cell, a laminate in which an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer are arranged between opposing electrodes has been actively developed, and inorganic semiconductors such as silicon are mainly used as the N-type and P-type semiconductors. It is used. However, such inorganic solar cells are expensive to manufacture and difficult to increase in size, and have a problem in that the range of use is limited.
Therefore, in recent years, a perovskite solar cell using an organic / inorganic perovskite compound having a perovskite structure using lead, tin or the like as a central metal for a photoelectric conversion layer has attracted attention (for example, Patent Document 1, Non-Patent Document 1). . Perovskite solar cells can be expected to have high photoelectric conversion efficiency and can be manufactured by a printing method, so that manufacturing costs can be greatly reduced.
一方、近年、ポリイミド、ポリエステル系の耐熱高分子材料や金属箔を基材とするフレキシブルな太陽電池が注目されるようになってきている。フレキシブル太陽電池は、薄型化や軽量化による運搬、施工の容易さや、衝撃に強い等の利点があり、例えば、フレキシブル基材上に、光が照射されると電流を生じる機能を有する光電変換層等の複数の層を薄膜状に積層することにより製造される。更に、必要に応じてフレキシブル太陽電池の上下面を、太陽電池封止シートを積層して封止する。
例えば、特許文献2には、シート状のアルミニウム基材を含む半導体装置用基板、及び、この半導体装置用基板を含む有機薄膜太陽電池が記載されている。
On the other hand, in recent years, flexible solar cells based on polyimide, polyester-based heat-resistant polymer materials or metal foils have attracted attention. The flexible solar cell has advantages such as transportation and ease of construction due to reduction in thickness and weight, resistance to impact, and the like. For example, a photoelectric conversion layer having a function of generating current when irradiated with light on a flexible substrate It is manufactured by laminating a plurality of layers such as a thin film. Furthermore, a solar cell sealing sheet is laminated | stacked and sealed on the upper and lower surfaces of a flexible solar cell as needed.
For example,
本発明は、フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制することのできる太陽電池を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the solar cell which is excellent in flexibility and can suppress the penetration | invasion of the water | moisture content in air | atmosphere.
本発明は、フレキシブル基材上に、少なくとも光電変換層と上部電極とを有する太陽電池であって、前記光電変換層は、有機無機ペロブスカイト化合物を含み、更に、前記光電変換層の側面を取り囲むようにして前記フレキシブル基材上に配置された有機絶縁層からなる外枠と、前記有機絶縁層からなる外枠を被覆する無機層とを有する太陽電池である。
以下、本発明を詳述する。
The present invention is a solar cell having at least a photoelectric conversion layer and an upper electrode on a flexible substrate, wherein the photoelectric conversion layer contains an organic-inorganic perovskite compound and further surrounds a side surface of the photoelectric conversion layer. A solar cell having an outer frame made of an organic insulating layer disposed on the flexible substrate and an inorganic layer covering the outer frame made of the organic insulating layer.
The present invention is described in detail below.
本発明によれば、フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制することのできる太陽電池を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solar cell which is excellent in flexibility and can suppress the permeation of the water | moisture content in air | atmosphere can be provided.
以下、本発明を実施の形態に即して説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments.
本発明者らは、フレキシブル基材上に、少なくとも光電変換層と上部電極とを有し、光電変換層が有機無機ペロブスカイト化合物を含む太陽電池について検討してきた。しかしながら、有機無機ペロブスカイト化合物は水分に非常に弱いため、光電変換層が有機無機ペロブスカイト化合物を含む太陽電池では、他の太陽電池(例えば、CIGS太陽電池等)と比べて大気中の水分の浸入による光電変換層の劣化が問題となりやすかった。
上記問題に対して、本発明者らは、光電変換層の側面を取り囲むようにしてフレキシブル基材上に配置された外枠を設けることにより、光電変換層の側面からの大気中の水分の浸入を抑制することを検討した。なかでも、本発明者らは、光電変換層の側面を取り囲むようにしてフレキシブル基材上に配置された有機絶縁層からなる外枠と、該有機絶縁層からなる外枠を被覆する無機層とを設けることにより、太陽電池のフレキシブル性を確保しながら大気中の水分の浸入を抑制できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
The present inventors have studied solar cells that have at least a photoelectric conversion layer and an upper electrode on a flexible substrate, and the photoelectric conversion layer contains an organic-inorganic perovskite compound. However, since the organic / inorganic perovskite compound is very sensitive to moisture, the solar cell in which the photoelectric conversion layer contains the organic / inorganic perovskite compound is more susceptible to the intrusion of moisture in the atmosphere than other solar cells (for example, CIGS solar cells). Deterioration of the photoelectric conversion layer was likely to be a problem.
In order to solve the above problem, the present inventors have provided an outer frame disposed on the flexible substrate so as to surround the side surface of the photoelectric conversion layer, thereby allowing moisture to enter from the side surface of the photoelectric conversion layer. We studied to suppress this. Among them, the present inventors include an outer frame made of an organic insulating layer disposed on a flexible substrate so as to surround a side surface of the photoelectric conversion layer, and an inorganic layer covering the outer frame made of the organic insulating layer; It has been found that the infiltration of moisture in the atmosphere can be suppressed while ensuring the flexibility of the solar cell, and the present invention has been completed.
本発明の太陽電池は、フレキシブル基材上に、少なくとも光電変換層と上部電極とを有する。
なお、本明細書中、「層」とは、明確な境界を有する層だけではなく、含有元素が徐々に変化する濃度勾配のある層をも意味する。なお、層の元素分析は、例えば、太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、特定元素の元素分布を確認する等によって行うことができる。また、本明細書中、層とは、平坦な薄膜状の層だけではなく、他の層と一緒になって複雑に入り組んだ構造を形成しうる層をも意味する。
The solar cell of the present invention has at least a photoelectric conversion layer and an upper electrode on a flexible substrate.
In the present specification, “layer” means not only a layer having a clear boundary but also a layer having a concentration gradient in which the contained elements gradually change. In addition, the elemental analysis of a layer can be performed by performing the FE-TEM / EDS ray analysis measurement of the cross section of a solar cell, and confirming the element distribution of a specific element etc., for example. In addition, in this specification, a layer means not only a flat thin film-like layer but also a layer that can form a complicated and complicated structure together with other layers.
上記フレキシブル基材は特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエステル系の耐熱性高分子や金属箔を有するフレキシブル基材が挙げられる。なかでも、金属箔を有することが好ましい。
上記金属箔を用いることにより、耐熱性高分子を用いる場合と比べてコストを抑えられるとともに、高温処理を行うことができる。即ち、有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層形成時において耐光性(光劣化に対する耐性)を付与する目的で80℃以上の温度で熱アニール(加熱処理)を行っても、歪みの発生を最小限に抑えて、高い光電変換効率を得ることができる。
The said flexible base material is not specifically limited, For example, the flexible base material which has a polyimide, a polyester type heat resistant polymer, and metal foil is mentioned. Especially, it is preferable to have a metal foil.
By using the metal foil, costs can be reduced as compared with the case of using a heat-resistant polymer, and high-temperature treatment can be performed. That is, even when thermal annealing (heat treatment) is performed at a temperature of 80 ° C. or higher for the purpose of imparting light resistance (resistance to photodegradation) when forming a photoelectric conversion layer containing an organic / inorganic perovskite compound, generation of distortion is minimized. And high photoelectric conversion efficiency can be obtained.
上記金属箔は特に限定されず、例えば、アルミニウム、チタン、銅、金等の金属や、ステンレス鋼(SUS)等の合金からなる金属箔が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、アルミニウム箔が好ましい。上記アルミニウム箔を用いることにより、他の金属箔を用いる場合と比べてもコストを抑えられ、また、柔軟性があることから作業性を向上できる。 The said metal foil is not specifically limited, For example, metal foil which consists of metals, such as aluminum, titanium, copper, gold | metal | money, and alloys, such as stainless steel (SUS), is mentioned. These may be used independently and 2 or more types may be used together. Of these, aluminum foil is preferable. By using the aluminum foil, costs can be reduced as compared with the case of using other metal foils, and workability can be improved because of the flexibility.
上記フレキシブル基材は、上記金属箔のみからなるものであってもよい。この場合、上記金属箔は、下部電極としての役割も果たしてもよい。
また、上記フレキシブル基材は、更に、上記金属箔上に形成された絶縁層を有していてもよい。この場合、本発明の太陽電池は、更に、上記絶縁層上に形成された下部電極を有することが好ましい。
The flexible substrate may be composed only of the metal foil. In this case, the metal foil may also serve as a lower electrode.
The flexible substrate may further have an insulating layer formed on the metal foil. In this case, it is preferable that the solar cell of the present invention further has a lower electrode formed on the insulating layer.
上記絶縁層は特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛等からなる無機絶縁層、エポキシ樹脂、ポリイミド等からなる有機絶縁層が挙げられる。なかでも、上記金属箔がアルミニウム箔である場合には、上記絶縁層が酸化アルミニウム被膜であることが好ましい。
上記絶縁層として上記酸化アルミニウム被膜を用いることにより、有機絶縁層の場合と比べて、大気中の水分が絶縁層を透過して有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層を劣化させることを抑制することができる。また、上記絶縁層として上記酸化アルミニウム被膜を用いることにより、上記アルミニウム箔と接することで時間の経過とともに有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層に変色が生じ、腐食が起きるという現象を抑制することができる。
なお、一般的な他の太陽電池では光電変換層がアルミニウムと反応して変色が生じること等は報告されておらず、上記のような腐食が起きるという現象は、光電変換層が有機無機ペロブスカイト化合物を含むペロブスカイト太陽電池に特有の問題として本発明者らが見出したものである。
The insulating layer is not particularly limited, and examples thereof include an inorganic insulating layer made of aluminum oxide, silicon oxide, zinc oxide, etc., and an organic insulating layer made of epoxy resin, polyimide, or the like. Especially, when the said metal foil is an aluminum foil, it is preferable that the said insulating layer is an aluminum oxide film.
By using the aluminum oxide film as the insulating layer, it is possible to prevent moisture in the atmosphere from passing through the insulating layer and deteriorating the photoelectric conversion layer containing the organic / inorganic perovskite compound as compared to the case of the organic insulating layer. Can do. In addition, by using the aluminum oxide film as the insulating layer, it is possible to suppress the phenomenon that the photoelectric conversion layer containing the organic / inorganic perovskite compound is discolored and corroded over time due to contact with the aluminum foil. it can.
In other general solar cells, it has not been reported that the photoelectric conversion layer reacts with aluminum to cause discoloration, and the phenomenon that the above corrosion occurs is that the photoelectric conversion layer is an organic-inorganic perovskite compound. The present inventors have found as a problem peculiar to perovskite solar cells including
上記酸化アルミニウム被膜の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が0.1μm、好ましい上限が20μmであり、より好ましい下限が0.5μm、より好ましい上限が10μmである。上記酸化アルミニウム被膜の厚みが0.5μm以上であれば、上記酸化アルミニウム被膜が上記アルミニウム箔の表面を充分に覆うことができ、上記アルミニウム箔と下部電極との間の絶縁性が安定する。上記酸化アルミニウム被膜の厚みが10μm以下であれば、上記フレキシブル基材を湾曲させても上記酸化アルミニウム被膜にクラックが生じにくい。
上記酸化アルミニウム被膜の厚みは、例えば、上記フレキシブル基材の断面を電子顕微鏡(例えば、S−4800、HITACHI社製等)で観察し、得られた写真のコントラストを解析することにより測定することができる。
The thickness of the aluminum oxide film is not particularly limited, but a preferable lower limit is 0.1 μm, a preferable upper limit is 20 μm, a more preferable lower limit is 0.5 μm, and a more preferable upper limit is 10 μm. When the thickness of the aluminum oxide film is 0.5 μm or more, the aluminum oxide film can sufficiently cover the surface of the aluminum foil, and the insulation between the aluminum foil and the lower electrode is stabilized. If the thickness of the aluminum oxide film is 10 μm or less, the aluminum oxide film is hardly cracked even if the flexible base material is curved.
The thickness of the aluminum oxide film can be measured, for example, by observing a cross section of the flexible base material with an electron microscope (for example, S-4800, manufactured by HITACHI) and analyzing the contrast of the obtained photograph. it can.
上記酸化アルミニウム被膜の厚みの比率は特に限定されないが、上記フレキシブル基材の厚み100%に対する好ましい下限が0.1%、好ましい上限が15%である。上記比率が0.1%以上であれば、上記酸化アルミニウム被膜の硬度が上がり、上記下部電極をパターニングする際に上記酸化アルミニウム被膜の剥離を抑制しつつパターニングを良好に行うことができ、絶縁不良及び導通不良の発生を抑制することができる。上記比率が15%以下であれば、有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層形成時に加熱処理を行う際に、上記アルミニウム箔との熱膨張係数の差によって上記酸化アルミニウム被膜及び/又はその上に形成された上記下部電極にクラックが生じることを抑制することができる。これにより、太陽電池の抵抗値が上昇してしまったり、上記アルミニウム箔が露出して有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層に腐食が起きたりすることを抑制することができる。上記比率のより好ましい下限は0.5%、より好ましい上限は5%である。 The ratio of the thickness of the aluminum oxide film is not particularly limited, but a preferable lower limit with respect to 100% of the thickness of the flexible substrate is 0.1%, and a preferable upper limit is 15%. When the ratio is 0.1% or more, the hardness of the aluminum oxide film is increased, and when the lower electrode is patterned, the aluminum oxide film can be favorably patterned while suppressing the peeling of the aluminum oxide film, resulting in poor insulation. And the occurrence of poor conduction can be suppressed. When the ratio is 15% or less, the aluminum oxide film and / or the film is formed on the aluminum foil due to the difference in thermal expansion coefficient from the aluminum foil when the heat treatment is performed when forming the photoelectric conversion layer containing the organic / inorganic perovskite compound. It can suppress that a crack arises in the above-mentioned lower electrode. Thereby, it can suppress that the resistance value of a solar cell rises or the said aluminum foil exposes and corrosion occurs in the photoelectric converting layer containing an organic inorganic perovskite compound. A more preferable lower limit of the ratio is 0.5%, and a more preferable upper limit is 5%.
上記酸化アルミニウム被膜を製膜する方法は特に限定されず、例えば、上記アルミニウム箔に陽極酸化を施す方法、上記アルミニウム箔の表面にアルミニウムのアルコキシド等を塗布する方法、上記アルミニウム箔の表面に熱処理による自然酸化被膜を形成する方法等が挙げられる。なかでも、上記アルミニウム箔の表面全体を均一に酸化させることができることから、上記アルミニウム箔に陽極酸化を施す方法が好ましい。即ち、上記酸化アルミニウム被膜は、陽極酸化被膜であることが好ましい。
上記アルミニウム箔に陽極酸化を施す場合には、陽極酸化における処理濃度、処理温度、電流密度、処理時間等を変更することにより、上記酸化アルミニウム被膜の厚みを調整することができる。上記処理時間は特に限定されないが、上記フレキシブル基材の作製の容易さの観点から、好ましい下限は5分、好ましい上限は120分であり、より好ましい上限は60分である。
The method for forming the aluminum oxide film is not particularly limited. For example, the method for anodizing the aluminum foil, the method for applying an aluminum alkoxide to the surface of the aluminum foil, and the surface of the aluminum foil by heat treatment. Examples thereof include a method of forming a natural oxide film. Especially, since the whole surface of the said aluminum foil can be oxidized uniformly, the method of anodizing to the said aluminum foil is preferable. That is, the aluminum oxide film is preferably an anodized film.
When anodizing the aluminum foil, the thickness of the aluminum oxide film can be adjusted by changing the treatment concentration, treatment temperature, current density, treatment time, etc. in the anodization. Although the said processing time is not specifically limited, From a viewpoint of the ease of preparation of the said flexible base material, a preferable minimum is 5 minutes, a preferable upper limit is 120 minutes, and a more preferable upper limit is 60 minutes.
上記フレキシブル基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が5μm、好ましい上限が500μmである。上記フレキシブル基材の厚みが5μm以上であれば、充分な機械的強度を持つ、取扱い性に優れた太陽電池とすることができる。上記フレキシブル基材の厚みが500μm以下であれば、フレキシブル性に優れた太陽電池とすることができる。上記フレキシブル基材の厚みのより好ましい下限は10μm、より好ましい上限は100μmである。
上記フレキシブル基材の厚みとは、上記フレキシブル基材が上記金属箔と上記金属箔上に形成された絶縁層とを有する場合、上記金属箔と上記絶縁層とを含む上記フレキシブル基材全体の厚みを意味する。
Although the thickness of the said flexible base material is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 500 micrometers. When the thickness of the flexible substrate is 5 μm or more, a solar cell having sufficient mechanical strength and excellent handleability can be obtained. When the thickness of the flexible substrate is 500 μm or less, a solar cell having excellent flexibility can be obtained. The minimum with more preferable thickness of the said flexible base material is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 100 micrometers.
When the flexible substrate has the metal foil and an insulating layer formed on the metal foil, the thickness of the flexible substrate includes the thickness of the entire flexible substrate including the metal foil and the insulating layer. Means.
上述したように上記フレキシブル基材が上記金属箔と上記金属箔上に形成された絶縁層とを有する場合、本発明の太陽電池は、更に、上記絶縁層上に形成された下部電極を有することが好ましい。上記下部電極は、上記フレキシブル基材の上記絶縁層側に配置される。
上記下部電極及び上記上部電極は、どちらが陰極になってもよく、陽極になってもよい。上記下部電極及び上記上部電極の材料として、例えば、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等の金属、CuI、ITO(インジウムスズ酸化物)、SnO2、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
As described above, when the flexible substrate has the metal foil and the insulating layer formed on the metal foil, the solar cell of the present invention further includes a lower electrode formed on the insulating layer. Is preferred. The lower electrode is disposed on the insulating layer side of the flexible base material.
Either the lower electrode or the upper electrode may be a cathode or an anode. Examples of the material of the lower electrode and the upper electrode include FTO (fluorine-doped tin oxide), sodium, sodium-potassium alloy, lithium, magnesium, aluminum, magnesium-silver mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-lithium alloy, Al / Al 2 O 3 mixture, Al / LiF mixture, metal such as gold, CuI, ITO (indium tin oxide), SnO 2 , AZO (aluminum zinc oxide), IZO (indium zinc oxide), GZO (gallium zinc) Conductive transparent materials such as oxides) and conductive transparent polymers. These materials may be used alone or in combination of two or more.
上記光電変換層は、有機無機ペロブスカイト化合物を含む。
上記光電変換層に上記有機無機ペロブスカイト化合物を用いることにより、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。上記有機無機ペロブスカイト化合物は、一般式R−M−X3(但し、Rは有機分子、Mは金属原子、Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子である。)で表されることが好ましい。
The photoelectric conversion layer contains an organic / inorganic perovskite compound.
By using the organic-inorganic perovskite compound for the photoelectric conversion layer, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved. The organic inorganic perovskite compound is preferably represented by the general formula R-M-X 3 (where R is an organic molecule, M is a metal atom, and X is a halogen atom or a chalcogen atom).
上記Rは有機分子であり、ClNmHn(l、m、nはいずれも正の整数)で示されることが好ましい。
上記Rは、具体的には例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、メチルペンチルアミン、ヘキシルメチルアミン、エチルプロピルアミン、エチルブチルアミン、イミダゾール、アゾール、ピロール、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、イミダゾリン、カルバゾール、メチルカルボキシアミン、エチルカルボキシアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ヘキシルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン、アニリン、ピリジン及びこれらのイオン(例えば、メチルアンモニウム(CH3NH3)等)やフェネチルアンモニウム等が挙げられる。なかでも、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンが好ましく、メチルアミン、エチルアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンがより好ましい。なかでも、高い光電変換効率が得られることから、メチルアミン、ホルムアミジニウム及びこれらのイオンが更に好ましい。
The R is an organic molecule, and is preferably represented by C 1 N m H n (l, m, and n are all positive integers).
Specifically, R is, for example, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropyl. Amine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, ethylmethylamine, methylpropylamine, butylmethylamine, methylpentylamine, hexylmethylamine, ethylpropylamine, ethylbutylamine, imidazole, azole, pyrrole, aziridine, azirine, Azetidine, azeto, imidazoline, carbazole, methylcarboxyamine, ethylcarboxyamine, propylcarboxyamine, butyl Rubokishiamin, pentyl carboxyamine, hexyl carboxyamine, formamidinium, guanidine, aniline, pyridine and these ions (e.g., 3 NH 3) such as methyl ammonium (CH) and the like or phenethyl ammonium and the like. Of these, methylamine, ethylamine, propylamine, propylcarboxyamine, butylcarboxyamine, pentylcarboxyamine, formamidinium, guanidine and their ions are preferred, and methylamine, ethylamine, pentylcarboxyamine, formamidinium, guanidine and These ions are more preferred. Among these, methylamine, formamidinium, and these ions are more preferable because high photoelectric conversion efficiency can be obtained.
上記Mは金属原子であり、例えば、鉛、スズ、亜鉛、チタン、アンチモン、ビスマス、ニッケル、鉄、コバルト、銀、銅、ガリウム、ゲルマニウム、マグネシウム、カルシウム、インジウム、アルミニウム、マンガン、クロム、モリブデン、ユーロピウム等が挙げられる。なかでも、電子軌道の重なりの観点から、鉛又はスズが好ましい。これらの金属原子は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 M is a metal atom, for example, lead, tin, zinc, titanium, antimony, bismuth, nickel, iron, cobalt, silver, copper, gallium, germanium, magnesium, calcium, indium, aluminum, manganese, chromium, molybdenum, Europium etc. are mentioned. Among these, lead or tin is preferable from the viewpoint of overlapping of electron orbits. These metal atoms may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子であり、例えば、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、セレン等が挙げられる。これらのハロゲン原子又はカルコゲン原子は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、構造中にハロゲンを含有することで、上記有機無機ペロブスカイト化合物が有機溶媒に可溶になり、安価な印刷法等への適用が可能になることから、ハロゲン原子が好ましい。更に、上記有機無機ペロブスカイト化合物のエネルギーバンドギャップが狭くなることから、ヨウ素がより好ましい。 X is a halogen atom or a chalcogen atom, and examples thereof include chlorine, bromine, iodine, sulfur, and selenium. These halogen atoms or chalcogen atoms may be used alone or in combination of two or more. Among these, the halogen atom is preferable because the organic / inorganic perovskite compound becomes soluble in an organic solvent and can be applied to an inexpensive printing method by containing halogen in the structure. Furthermore, iodine is more preferable because the energy band gap of the organic-inorganic perovskite compound becomes narrow.
上記有機無機ペロブスカイト化合物は、体心に金属原子M、各頂点に有機分子R、面心にハロゲン原子又はカルコゲン原子Xが配置された立方晶系の構造を有することが好ましい。
図1は、体心に金属原子M、各頂点に有機分子R、面心にハロゲン原子又はカルコゲン原子Xが配置された立方晶系の構造である、有機無機ペロブスカイト化合物の結晶構造の一例を示す模式図である。詳細は明らかではないが、上記構造を有することにより、結晶格子内の八面体の向きが容易に変わることができるため、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上すると推定される。
The organic / inorganic perovskite compound preferably has a cubic structure in which a metal atom M is disposed at the body center, an organic molecule R is disposed at each vertex, and a halogen atom or a chalcogen atom X is disposed at the face center.
FIG. 1 shows an example of a crystal structure of an organic / inorganic perovskite compound having a cubic structure in which a metal atom M is arranged at the body center, an organic molecule R is arranged at each vertex, and a halogen atom or a chalcogen atom X is arranged at the face center. It is a schematic diagram. Although details are not clear, since the orientation of the octahedron in the crystal lattice can be easily changed by having the structure described above, the mobility of electrons in the organic-inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric properties of the solar cell are increased. It is estimated that the conversion efficiency is improved.
上記有機無機ペロブスカイト化合物は、結晶性半導体であることが好ましい。結晶性半導体とは、X線散乱強度分布を測定し、散乱ピークが検出できる半導体を意味している。
上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制されやすくなる。
The organic / inorganic perovskite compound is preferably a crystalline semiconductor. The crystalline semiconductor means a semiconductor capable of measuring the X-ray scattering intensity distribution and detecting a scattering peak.
If the organic / inorganic perovskite compound is a crystalline semiconductor, the mobility of electrons in the organic / inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is improved. In addition, if the organic / inorganic perovskite compound is a crystalline semiconductor, it is easy to suppress a decrease in photoelectric conversion efficiency (photodegradation) caused by continuing to irradiate light on a solar cell, particularly a photodegradation due to a decrease in short-circuit current. .
また、結晶化の指標として結晶化度を評価することもできる。結晶化度は、X線散乱強度分布測定により検出された結晶質由来の散乱ピークと非晶質部由来のハローとをフィッティングにより分離し、それぞれの強度積分を求めて、全体のうちの結晶部分の比を算出することにより求めることができる。
上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度の好ましい下限は30%である。上記結晶化度が30%以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記結晶化度が30%以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制されやすくなる。上記結晶化度のより好ましい下限は50%、更に好ましい下限は70%である。
また、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を上げる方法として、例えば、熱アニール(加熱処理)、レーザー等の強度の強い光の照射、プラズマ照射等が挙げられる。
In addition, the degree of crystallization can be evaluated as an index of crystallization. The degree of crystallinity is determined by separating the crystalline-derived scattering peak detected by the X-ray scattering intensity distribution measurement and the halo derived from the amorphous part by fitting, obtaining the respective intensity integrals, Can be obtained by calculating the ratio.
A preferable lower limit of the crystallinity of the organic-inorganic perovskite compound is 30%. If the crystallinity is 30% or more, the mobility of electrons in the organic / inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is improved. Moreover, if the said crystallinity is 30% or more, it will become easy to suppress the photodegradation resulting from the fall (photodegradation) of photoelectric conversion efficiency by continuing irradiating a solar cell with light, especially the fall of a short circuit current. A more preferred lower limit of the crystallinity is 50%, and a more preferred lower limit is 70%.
Examples of a method for increasing the crystallinity of the organic / inorganic perovskite compound include thermal annealing (heat treatment), irradiation with intense light such as a laser, and plasma irradiation.
また、他の結晶化の指標として結晶子径を評価することもできる。結晶子径は、X線散乱強度分布測定により検出された結晶質由来の散乱ピークの半値幅からhalder−wagner法で算出することができる。
上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶子径が5nm以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制される。また、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。上記結晶子径のより好ましい下限は10nm、更に好ましい下限は20nmである。
The crystallite diameter can also be evaluated as another crystallization index. The crystallite diameter can be calculated by the holder-Wagner method from the half-value width of the scattering peak derived from the crystalline substance detected by the X-ray scattering intensity distribution measurement.
When the crystallite diameter of the organic / inorganic perovskite compound is 5 nm or more, a decrease in photoelectric conversion efficiency (photodegradation) caused by continuing to irradiate light to the solar cell, particularly a photodegradation due to a decrease in short-circuit current is suppressed. . Further, the mobility of electrons in the organic / inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is improved. A more preferred lower limit of the crystallite diameter is 10 nm, and a more preferred lower limit is 20 nm.
上記光電変換層は、本発明の効果を損なわない範囲内であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物に加えて、更に、有機半導体又は無機半導体を含んでいてもよい。
上記有機半導体として、例えば、ポリ(3−アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物や、表面修飾されていてもよいカーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン等のカーボン含有材料も挙げられる。
The photoelectric conversion layer may further contain an organic semiconductor or an inorganic semiconductor in addition to the organic / inorganic perovskite compound as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the organic semiconductor include compounds having a thiophene skeleton such as poly (3-alkylthiophene). In addition, for example, conductive polymers having a polyparaphenylene vinylene skeleton, a polyvinyl carbazole skeleton, a polyaniline skeleton, a polyacetylene skeleton, and the like can be given. Further, for example, compounds having a porphyrin skeleton such as a phthalocyanine skeleton, a naphthalocyanine skeleton, a pentacene skeleton, or a benzoporphyrin skeleton, a spirobifluorene skeleton, etc., and carbon-containing materials such as carbon nanotubes, graphene, and fullerene that may be surface-modified Also mentioned.
上記無機半導体として、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛、CuSCN、Cu2O、CuI、MoO3、V2O5、WO3、MoS2、MoSe2、Cu2S等が挙げられる。 Examples of the inorganic semiconductor include titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, gallium oxide, tin sulfide, indium sulfide, zinc sulfide, CuSCN, Cu 2 O, CuI, MoO 3 , V 2 O 5 , WO 3 , MoS 2, MoSe 2, Cu 2 S , and the like.
上記光電変換層は、上記有機無機ペロブスカイト化合物と上記有機半導体又は上記無機半導体とを含む場合、薄膜状の有機半導体又は無機半導体部位と薄膜状の有機無機ペロブスカイト化合物部位とを積層した積層体であってもよいし、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物部位とを複合化した複合膜であってもよい。製法が簡便である点では積層体が好ましく、上記有機半導体又は上記無機半導体中の電荷分離効率を向上させることができる点では複合膜が好ましい。 In the case where the photoelectric conversion layer includes the organic-inorganic perovskite compound and the organic semiconductor or the inorganic semiconductor, the photoelectric conversion layer is a laminated body in which a thin-film organic semiconductor or an inorganic semiconductor portion and a thin-film organic-inorganic perovskite compound portion are stacked. Alternatively, a composite film in which an organic semiconductor or inorganic semiconductor part and an organic / inorganic perovskite compound part are combined may be used. A laminated body is preferable in that the production method is simple, and a composite film is preferable in that the charge separation efficiency in the organic semiconductor or the inorganic semiconductor can be improved.
上記薄膜状の有機無機ペロブスカイト化合物部位の厚みは、好ましい下限が5nm、好ましい上限が5000nmである。上記厚みが5nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが5000nm以下であれば、電荷分離できない領域が発生することを抑制できるため、光電変換効率の向上につながる。上記厚みのより好ましい下限は10nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は20nm、更に好ましい上限は500nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the thin-film organic / inorganic perovskite compound site is 5 nm, and the preferable upper limit is 5000 nm. If the thickness is 5 nm or more, light can be sufficiently absorbed, and the photoelectric conversion efficiency is increased. If the said thickness is 5000 nm or less, since it can suppress that the area | region which cannot carry out charge separation generate | occur | produces, it leads to the improvement of photoelectric conversion efficiency. The more preferable lower limit of the thickness is 10 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 20 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.
上記光電変換層が、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物部位とを複合化した複合膜である場合、上記複合膜の厚みの好ましい下限は30nm、好ましい上限は3000nmである。上記厚みが30nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが3000nm以下であれば、電荷が電極に到達しやすくなるため、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は40nm、より好ましい上限は2000nmであり、更に好ましい下限は50nm、更に好ましい上限は1000nmである。 When the photoelectric conversion layer is a composite film in which an organic semiconductor or an inorganic semiconductor part and an organic / inorganic perovskite compound part are combined, a preferable lower limit of the thickness of the composite film is 30 nm, and a preferable upper limit is 3000 nm. If the thickness is 30 nm or more, light can be sufficiently absorbed, and the photoelectric conversion efficiency is increased. If the said thickness is 3000 nm or less, since it becomes easy to reach | attain an electrode, a photoelectric conversion efficiency becomes high. The more preferable lower limit of the thickness is 40 nm, the more preferable upper limit is 2000 nm, the still more preferable lower limit is 50 nm, and the still more preferable upper limit is 1000 nm.
上記光電変換層は、光電変換層形成後に熱アニール(加熱処理)が施されていることが好ましい。熱アニール(加熱処理)を施すことにより、光電変換層中の有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を充分に上げることができ、光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)をより抑制することができる。
従来の耐熱性高分子からなるフレキシブル基材を用いた太陽電池にこのような熱アニール(加熱処理)を行うと、フレキシブル基材と光電変換層等との熱膨張係数の差により、アニール時に歪みが生じ、その結果、高い光電変換効率を達成することが難しくなることがある。上記金属箔を用いた場合には、熱アニール(加熱処理)を行っても、歪みの発生を最小限に抑えて、高い光電変換効率を得ることができる。
The photoelectric conversion layer is preferably subjected to thermal annealing (heat treatment) after the photoelectric conversion layer is formed. By performing thermal annealing (heat treatment), the degree of crystallinity of the organic-inorganic perovskite compound in the photoelectric conversion layer can be sufficiently increased, and the decrease in photoelectric conversion efficiency (photodegradation) due to continued irradiation with light is further increased. Can be suppressed.
When such thermal annealing (heat treatment) is performed on a solar cell using a flexible base material made of a conventional heat-resistant polymer, distortion is caused during annealing due to the difference in thermal expansion coefficient between the flexible base material and the photoelectric conversion layer. As a result, it may be difficult to achieve high photoelectric conversion efficiency. When the metal foil is used, even if thermal annealing (heat treatment) is performed, generation of distortion can be minimized and high photoelectric conversion efficiency can be obtained.
上記熱アニール(加熱処理)を行う場合、上記光電変換層を加熱する温度は特に限定されないが、100℃以上、250℃未満であることが好ましい。上記加熱温度が100℃以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を充分に上げることができる。上記加熱温度が250℃未満であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物を熱劣化させることなく加熱処理を行うことができる。より好ましい加熱温度は、120℃以上、200℃以下である。また、加熱時間も特に限定されないが、3分以上、2時間以内であることが好ましい。上記加熱時間が3分以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を充分に上げることができる。上記加熱時間が2時間以内であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物を熱劣化させることなく加熱処理を行うことができる。
これらの加熱操作は真空又は不活性ガス下で行われることが好ましく、露点温度は10℃以下が好ましく、7.5℃以下がより好ましく、5℃以下が更に好ましい。
When performing the thermal annealing (heat treatment), the temperature for heating the photoelectric conversion layer is not particularly limited, but is preferably 100 ° C. or higher and lower than 250 ° C. When the heating temperature is 100 ° C. or higher, the crystallinity of the organic / inorganic perovskite compound can be sufficiently increased. If the said heating temperature is less than 250 degreeC, it can heat-process, without thermally degrading the said organic-inorganic perovskite compound. A more preferable heating temperature is 120 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. The heating time is not particularly limited, but is preferably 3 minutes or longer and 2 hours or shorter. When the heating time is 3 minutes or longer, the crystallinity of the organic-inorganic perovskite compound can be sufficiently increased. If the heating time is within 2 hours, the organic inorganic perovskite compound can be heat-treated without causing thermal degradation.
These heating operations are preferably performed in a vacuum or under an inert gas, and the dew point temperature is preferably 10 ° C or lower, more preferably 7.5 ° C or lower, and further preferably 5 ° C or lower.
本発明の太陽電池は、上記フレキシブル基材及び上記上部電極のうちの陰極となる側と、上記光電変換層との間に、電子輸送層を有してもよい。
上記電子輸送層の材料は特に限定されず、例えば、N型導電性高分子、N型低分子有機半導体、N型金属酸化物、N型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、シアノ基含有ポリフェニレンビニレン、ホウ素含有ポリマー、バソキュプロイン、バソフェナントレン、ヒドロキシキノリナトアルミニウム、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸化合物、ペリレン誘導体、ホスフィンオキサイド化合物、ホスフィンスルフィド化合物、フルオロ基含有フタロシアニン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等が挙げられる。
The solar cell of this invention may have an electron carrying layer between the side used as the cathode of the said flexible base material and the said upper electrode, and the said photoelectric converting layer.
The material of the electron transport layer is not particularly limited. For example, N-type conductive polymer, N-type low molecular organic semiconductor, N-type metal oxide, N-type metal sulfide, alkali metal halide, alkali metal, surface activity Specific examples include, for example, cyano group-containing polyphenylene vinylene, boron-containing polymer, bathocuproine, bathophenanthrene, hydroxyquinolinato aluminum, oxadiazole compound, benzimidazole compound, naphthalene tetracarboxylic acid compound, perylene derivative, Examples include phosphine oxide compounds, phosphine sulfide compounds, fluoro group-containing phthalocyanines, titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, gallium oxide, tin sulfide, indium sulfide, and zinc sulfide.
上記電子輸送層は、薄膜状の電子輸送層(バッファ層)のみからなっていてもよいが、多孔質状の電子輸送層を含むことが好ましい。特に、上記光電変換層が、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物を複合化した複合膜である場合、より複雑な複合膜(より複雑に入り組んだ構造)が得られ、光電変換効率が高くなることから、多孔質状の電子輸送層上に複合膜が製膜されていることが好ましい。 The electron transport layer may consist of only a thin film electron transport layer (buffer layer), but preferably includes a porous electron transport layer. In particular, when the photoelectric conversion layer is a composite film in which an organic semiconductor or an inorganic semiconductor site and an organic / inorganic perovskite compound are combined, a more complex composite film (a more complicated structure) is obtained, and the photoelectric conversion efficiency is improved. In order to increase the thickness, it is preferable that the composite film is formed on the porous electron transport layer.
上記電子輸送層の厚みは、好ましい下限が1nm、好ましい上限が2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分にホールをブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、電子輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記電子輸送層の厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the electron transport layer is 1 nm, and the preferable upper limit is 2000 nm. If the thickness is 1 nm or more, holes can be sufficiently blocked. If the said thickness is 2000 nm or less, it will become difficult to become resistance at the time of electron transport, and photoelectric conversion efficiency will become high. The more preferable lower limit of the thickness of the electron transport layer is 3 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 5 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.
本発明の太陽電池は、上記光電変換層と、上記フレキシブル基材及び上記上部電極のうちの陽極となる側との間に、ホール輸送層を有してもよい。
上記ホール輸送層の材料は特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、ポリ(3−アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、トリフェニルアミン骨格、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸、CuSCN、CuI等の銅化合物、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン含有材料等が挙げられる。
The solar cell of this invention may have a hole transport layer between the said photoelectric converting layer and the side used as the anode of the said flexible base material and the said upper electrode.
The material of the hole transport layer is not particularly limited, and examples thereof include a P-type conductive polymer, a P-type low molecular organic semiconductor, a P-type metal oxide, a P-type metal sulfide, and a surfactant. Examples include compounds having a thiophene skeleton such as poly (3-alkylthiophene). In addition, for example, conductive polymers having a triphenylamine skeleton, a polyparaphenylene vinylene skeleton, a polyvinyl carbazole skeleton, a polyaniline skeleton, a polyacetylene skeleton, and the like can be given. Further, for example, compounds having a porphyrin skeleton such as phthalocyanine skeleton, naphthalocyanine skeleton, pentacene skeleton, benzoporphyrin skeleton, spirobifluorene skeleton, etc., molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide, nickel oxide, copper oxide, tin oxide, sulfide Examples thereof include molybdenum, tungsten sulfide, copper sulfide, tin sulfide, etc., fluoro group-containing phosphonic acid, carbonyl group-containing phosphonic acid, copper compounds such as CuSCN and CuI, and carbon-containing materials such as carbon nanotubes and graphene.
上記ホール輸送層は、その一部が上記光電変換層に浸漬していてもよいし、上記光電変換層上に薄膜状に配置されてもよい。上記ホール輸送層が薄膜状に存在する時の厚みは、好ましい下限は1nm、好ましい上限は2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分に電子をブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、ホール輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。 A part of the hole transport layer may be immersed in the photoelectric conversion layer, or may be disposed in a thin film shape on the photoelectric conversion layer. The thickness when the hole transport layer is in the form of a thin film has a preferred lower limit of 1 nm and a preferred upper limit of 2000 nm. If the thickness is 1 nm or more, electrons can be sufficiently blocked. If the said thickness is 2000 nm or less, it will become difficult to become resistance at the time of hole transport, and a photoelectric conversion efficiency will become high. The more preferable lower limit of the thickness is 3 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 5 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.
本発明の太陽電池は、更に、上記光電変換層の側面を取り囲むようにして上記フレキシブル基材上に配置された有機絶縁層からなる外枠と、上記有機絶縁層からなる外枠を被覆する無機層とを有する。
上記有機絶縁層からなる外枠と、上記有機絶縁層からなる外枠を被覆する無機層とを設けることにより、太陽電池のフレキシブル性を確保しながら大気中の水分の浸入を抑制することができる。
一方、上記無機層を設けず、上記有機絶縁層からなる外枠のみを設けた場合には、上記有機絶縁層からなる外枠の水蒸気バリア性が不充分であるため、上記光電変換層の側面からの大気中の水分の浸入を充分に抑制することは難しい。また、上記有機絶縁層からなる外枠の代わりに無機層(無機絶縁層)からなる外枠を設けた場合には、太陽電池のフレキシブル性が低下してしまう。
The solar cell of the present invention further includes an outer frame made of an organic insulating layer disposed on the flexible substrate so as to surround a side surface of the photoelectric conversion layer, and an inorganic covering the outer frame made of the organic insulating layer. And having a layer.
By providing the outer frame made of the organic insulating layer and the inorganic layer covering the outer frame made of the organic insulating layer, it is possible to suppress the intrusion of moisture in the atmosphere while ensuring the flexibility of the solar cell. .
On the other hand, when only the outer frame made of the organic insulating layer is provided without providing the inorganic layer, the water vapor barrier property of the outer frame made of the organic insulating layer is insufficient. It is difficult to sufficiently prevent moisture from entering the atmosphere. Moreover, when the outer frame which consists of an inorganic layer (inorganic insulating layer) is provided instead of the outer frame which consists of the said organic insulating layer, the flexibility of a solar cell will fall.
上記有機絶縁層からなる外枠の材料は特に限定されないが、耐熱性が充分良好であるものが好ましい。このような材料として、例えば、熱硬化性ポリイミド、(メタ)アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。 The material of the outer frame made of the organic insulating layer is not particularly limited, but those having sufficiently good heat resistance are preferable. Examples of such a material include thermosetting polyimide, (meth) acrylic resin, and epoxy resin.
上記有機絶縁層からなる外枠の形状は、略枠状の形状であれば特に限定されない。
上記有機絶縁層からなる外枠の断面形状も特に限定されず、例えば、四角形、三角形、台形(例えば、上底より下底のほうが長い台形、上底より下底の方が短い台形)、多角形等の形状、及び、これらの形状における角部分が丸みを帯びた形状が挙げられる。なかでも、電極間の抵抗を高くすることができることから、上部の幅より下部の幅のほうが広い形状(例えば、三角形、上底より下底のほうが長い台形)が好ましい。
The shape of the outer frame made of the organic insulating layer is not particularly limited as long as it is a substantially frame shape.
The cross-sectional shape of the outer frame made of the organic insulating layer is not particularly limited. For example, a square, a triangle, a trapezoid (for example, a trapezoid whose bottom is longer than the top and a trapezoid whose bottom is shorter than the top), many Examples include a shape such as a square shape, and a shape in which corner portions in these shapes are rounded. In particular, since the resistance between the electrodes can be increased, a shape in which the lower width is wider than the upper width (for example, a triangle, and a trapezoid whose lower base is longer than the upper base) is preferable.
上記有機絶縁層からなる外枠の線幅は特に限定されないが、好ましい下限は5μm、好ましい上限は5000μmである。上記線幅が5μm以上であれば、上記有機絶縁層からなる外枠の形成が容易になる。上記線幅が5000μm以下であれば、充分な開口面積が確保できる。 The line width of the outer frame made of the organic insulating layer is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 μm and a preferable upper limit is 5000 μm. When the line width is 5 μm or more, it is easy to form an outer frame made of the organic insulating layer. If the line width is 5000 μm or less, a sufficient opening area can be secured.
上記有機絶縁層からなる外枠は、少なくとも上記光電変換層の側面を取り囲んでいればよいが、上記電子輸送層、上記光電変換層、上記ホール輸送層及び上記上部電極を含む積層体の側面を取り囲んでいることが好ましい。これにより、太陽電池への大気中の水分の浸入をより充分に抑制することができる。
更に、上記有機絶縁層からなる外枠は、後述する平坦化層及び/又はバリア層の側面をも取り囲んでいてもよい。
The outer frame made of the organic insulating layer only needs to surround at least the side surface of the photoelectric conversion layer, but the side surface of the laminate including the electron transport layer, the photoelectric conversion layer, the hole transport layer, and the upper electrode. Surrounding is preferred. Thereby, the penetration | invasion of the water | moisture content in air | atmosphere to a solar cell can be suppressed more fully.
Further, the outer frame made of the organic insulating layer may surround side surfaces of a planarizing layer and / or a barrier layer described later.
また、大きさの異なる複数の上記有機絶縁層からなる外枠が、例えば二重、三重等となるように配置されていてもよい。これにより、太陽電池への大気中の水分の浸入をより充分に抑制することができる。 Moreover, the outer frame which consists of several said organic insulating layers from which a magnitude | size differs may be arrange | positioned so that it may become a double, a triple, etc., for example. Thereby, the penetration | invasion of the water | moisture content in air | atmosphere to a solar cell can be suppressed more fully.
上記無機層の材料は特に限定されず、例えば、上記電子輸送層又は上記ホール輸送層の材料と同様の材料が挙げられる。なかでも、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム等のN型金属酸化物や、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等のN型金属硫化物や、ハロゲン化アルカリ金属や、酸化ニッケル、酸化スズ、CuAlO2、CuGaO2、SrCuO2、ZnO−Rh2O3等のP型金属酸化物が好ましい。
特に、上記無機層の材料として上記電子輸送層又は上記ホール輸送層の材料と同じものを選択することにより、例えばスパッタリング法等によって上記無機層と上記電子輸送層又は上記ホール輸送層とを1つの工程で同時に形成することができ、太陽電池の生産効率が向上する。
The material of the said inorganic layer is not specifically limited, For example, the material similar to the material of the said electron carrying layer or the said hole transport layer is mentioned. Among them, N-type metal oxides such as titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, and gallium oxide, N-type metal sulfides such as tin sulfide, indium sulfide, and zinc sulfide, alkali metal halides, oxidation nickel,
In particular, by selecting the same material as the material for the electron transport layer or the hole transport layer as the material for the inorganic layer, the inorganic layer and the electron transport layer or the hole transport layer are combined into one by, for example, sputtering. They can be formed simultaneously in the process, and the production efficiency of the solar cell is improved.
上記無機層の厚みは、好ましい下限が5nm、好ましい上限が5000nmである。上記厚みが5nm以上であれば、太陽電池への大気中の水分の浸入をより充分に抑制することができる。上記厚みが5000nm以下であれば、フレキシブル性に優れた太陽電池とすることができる。上記無機層の厚みのより好ましい下限は10nm、より好ましい上限は500nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the inorganic layer is 5 nm, and the preferable upper limit is 5000 nm. If the said thickness is 5 nm or more, the penetration | invasion of the water | moisture content in the air | atmosphere to a solar cell can be suppressed more fully. If the said thickness is 5000 nm or less, it can be set as the solar cell excellent in flexibility. The minimum with more preferable thickness of the said inorganic layer is 10 nm, and a more preferable upper limit is 500 nm.
上記無機層を形成する方法として、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、蒸着法、CVD法、ALD法等が挙げられる。 Examples of the method for forming the inorganic layer include a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, a CVD method, and an ALD method.
本発明の太陽電池は、更に、上記上部電極を被覆するバリア層を有することが好ましい。これにより、太陽電池への大気中の水分の浸入をより充分に抑制することができる。
上記バリア層の材料としては水蒸気バリア性を有していれば特に限定されないが、無機材料が好ましい。上記無機材料としては、Si、Al、Zn、Sn、In、Ti、Mg、Zr、Ni、Ta、W、Cu若しくはこれらを2種以上含む合金の酸化物、窒化物又は酸窒化物が挙げられる。なかでも、上記バリア層に水蒸気バリア性及び柔軟性を付与するために、Zn、Snの両金属元素を含む金属元素の酸化物、窒化物又は酸窒化物が好ましい。
The solar cell of the present invention preferably further has a barrier layer that covers the upper electrode. Thereby, the penetration | invasion of the water | moisture content in air | atmosphere to a solar cell can be suppressed more fully.
The material of the barrier layer is not particularly limited as long as it has a water vapor barrier property, but an inorganic material is preferable. Examples of the inorganic material include Si, Al, Zn, Sn, In, Ti, Mg, Zr, Ni, Ta, W, Cu, or an oxide, nitride, or oxynitride of an alloy containing two or more of these. . Among these, in order to impart water vapor barrier properties and flexibility to the barrier layer, oxides, nitrides, or oxynitrides of metal elements including both metal elements of Zn and Sn are preferable.
上記バリア層の材料が無機材料である場合、バリア層(無機層)の厚みは、好ましい下限が30nm、好ましい上限が3000nmである。上記厚みが30nm以上であれば、上記無機層が充分な水蒸気バリア性を有することができ、太陽電池の耐久性が向上する。上記厚みが3000nm以下であれば、上記無機層の厚みが増した場合であっても、発生する応力が小さいため、上記無機層と他の層との剥離を抑制することができる。上記厚みのより好ましい下限は50nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は100nm、更に好ましい上限は500nmである。
上記無機層の厚みは、光学干渉式膜厚測定装置(例えば、大塚電子社製のFE−3000等)を用いて測定することができる。
When the material of the barrier layer is an inorganic material, the barrier layer (inorganic layer) has a preferable lower limit of 30 nm and a preferable upper limit of 3000 nm. When the thickness is 30 nm or more, the inorganic layer can have a sufficient water vapor barrier property, and the durability of the solar cell is improved. If the thickness is 3000 nm or less, even if the thickness of the inorganic layer is increased, the generated stress is small, and therefore, the peeling between the inorganic layer and other layers can be suppressed. The more preferable lower limit of the thickness is 50 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 100 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.
The thickness of the inorganic layer can be measured using an optical interference film thickness measuring device (for example, FE-3000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).
上記バリア層の材料のうち、上記無機材料で上記上部電極を被覆する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、気相反応法(CVD)、イオンプレーティング法が好ましい。なかでも、緻密な層を形成するためにはスパッタリング法が好ましく、スパッタリング法のなかでもDCマグネトロンスパッタリング法がより好ましい。
上記スパッタリング法においては、金属ターゲット、及び、酸素ガス又は窒素ガスを原料とし、上記上部電極上に原料を堆積して製膜することにより、無機材料からなる無機層を形成することができる。
Among the barrier layer materials, vacuum deposition, sputtering, gas phase reaction (CVD), and ion plating are preferred as methods for coating the upper electrode with the inorganic material. Of these, the sputtering method is preferable for forming a dense layer, and the DC magnetron sputtering method is more preferable among the sputtering methods.
In the sputtering method, an inorganic layer made of an inorganic material can be formed by using a metal target and oxygen gas or nitrogen gas as raw materials and depositing the raw material on the upper electrode to form a film.
本発明の太陽電池は、必要に応じて、更に、上記上部電極と上記バリア層との間に配置された平坦化層を有していてもよい。
上記平坦化層の材料としては水蒸気バリア性を有していれば特に限定されないが、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が挙げられる。上記熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ブチルゴム、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリブタジエン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイソブチレン等が挙げられる。
The solar cell of the present invention may further include a planarization layer disposed between the upper electrode and the barrier layer as necessary.
The material of the flattening layer is not particularly limited as long as it has a water vapor barrier property, and examples thereof include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. Examples of the thermosetting resin or thermoplastic resin include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, butyl rubber, polyester, polyurethane, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyvinyl alcohol, poly Examples include vinyl acetate, ABS resin, polybutadiene, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyisobutylene and the like.
上記平坦化層の材料が熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂である場合、平坦化層(樹脂層)の厚みは、好ましい下限が100nm、好ましい上限が100000nmである。上記厚みのより好ましい下限は500nm、より好ましい上限は50000nmであり、更に好ましい下限は1000nm、更に好ましい上限は20000nmである。 When the material of the flattening layer is a thermosetting resin or a thermoplastic resin, the thickness of the flattening layer (resin layer) has a preferable lower limit of 100 nm and a preferable upper limit of 100,000 nm. A more preferable lower limit of the thickness is 500 nm, a more preferable upper limit is 50000 nm, a still more preferable lower limit is 1000 nm, and a still more preferable upper limit is 20000 nm.
上記平坦化層の材料のうち、上記熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂で上記上部電極を被覆する方法は特に限定されず、例えば、シート状の平坦化層の材料を用いて上記上部電極上をシールする方法、平坦化層の材料を有機溶媒に溶解させた溶液を上記上部電極上に塗布する方法、平坦化層となる液状モノマーを上記上部電極上に塗布した後、熱又はUV等で液状モノマーを架橋又は重合させる方法、平坦化層の材料に熱をかけて融解させた後に冷却させる方法等が挙げられる。 Of the materials for the flattening layer, the method for covering the upper electrode with the thermosetting resin or thermoplastic resin is not particularly limited. For example, the upper electrode is formed using the material for the sheet-like flattening layer. A method of sealing, a method of applying a solution in which the material of the flattening layer is dissolved in an organic solvent, and applying a liquid monomer to be the flattening layer on the upper electrode, and then liquidating with heat or UV Examples thereof include a method of crosslinking or polymerizing the monomer, a method of cooling the material of the planarizing layer by applying heat to the material, and the like.
本発明の太陽電池においては、更に、上記バリア層上を、例えば樹脂フィルム、無機材料を被覆した樹脂フィルム等のその他の材料が覆っていてもよい。これにより、仮に上記バリア層にピンホールがあった場合にも充分に水蒸気をブロックすることができ、太陽電池の耐久性をより向上させることができる。 In the solar cell of the present invention, the barrier layer may be covered with another material such as a resin film or a resin film coated with an inorganic material. Thereby, even if there is a pinhole in the barrier layer, water vapor can be sufficiently blocked, and the durability of the solar cell can be further improved.
図2は、本発明の太陽電池の一例を模式的に示す断面図である。
図2に示す太陽電池1は、フレキシブル基材2上に、電子輸送層3(薄膜状の電子輸送層31、多孔質状の電子輸送層32)、有機無機ペロブスカイト化合物を含む光電変換層4、ホール輸送層5、上部電極6、平坦化層7、バリア層8をこの順で有する。
図2に示す太陽電池1は、更に、薄膜状の電子輸送層31からバリア層8までを含む積層体の側面を取り囲むようにしてフレキシブル基材2上に配置された、有機絶縁層からなる外枠9と、有機絶縁層からなる外枠9を被覆する無機層10とを有する。このような有機絶縁層からなる外枠9と無機層10とを有することにより、太陽電池1は、フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制できるものとなる。なお、図2に示す太陽電池1は、無機層10の材料と薄膜状の電子輸送層31の材料とが同じであるため、例えばスパッタリング法等によって無機層10と薄膜状の電子輸送層31とを1つの工程で同時に形成することができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the solar cell of the present invention.
A solar cell 1 shown in FIG. 2 includes a
The solar cell 1 shown in FIG. 2 further includes an organic insulating layer disposed on the
図3は、本発明の太陽電池の別の一例を模式的に示す断面図である。
図3に示す太陽電池1は、フレキシブル基材2上に各層を有し、更に、大きさの異なる複数の有機絶縁層からなる外枠9と、有機絶縁層からなる外枠9を被覆する無機層10とが、二重になるように配置されていている。このように有機絶縁層からなる外枠9と、有機絶縁層からなる外枠9を被覆する無機層10とが二重になるように配置されていていることにより、太陽電池1は、大気中の水分の浸入をより充分に抑制できるものとなる。図3に示すように、バリア層8は、上部電極6だけでなく無機層10をも被覆するように形成されていてもよい。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing another example of the solar cell of the present invention.
The solar cell 1 shown in FIG. 3 has each layer on the
本発明の太陽電池を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記フレキシブル基材上に上記有機絶縁層からなる外枠を配置する工程と、上記有機絶縁層からなる外枠上に上記無機層を、上記フレキシブル基材上に上記薄膜状の電子輸送層を、1つの工程で同時に形成する工程と、上記薄膜状の電子輸送層上に上記多孔質状の電子輸送層を形成する工程と、上記多孔質状の電子輸送層上に上記光電変換層を形成する工程と、上記光電変換層上に上記ホール輸送層を形成する工程と、上記ホール輸送層上に上記上部電極を形成する工程と、上記上部電極上に上記平坦化層を形成する工程と、上記平坦化層上にバリア層を形成する工程とを有する製造方法が挙げられる。 The method for producing the solar cell of the present invention is not particularly limited. For example, the step of disposing the outer frame made of the organic insulating layer on the flexible substrate, and the inorganic layer on the outer frame made of the organic insulating layer. A step of simultaneously forming the thin film electron transport layer on the flexible substrate in one step, a step of forming the porous electron transport layer on the thin film electron transport layer, Forming the photoelectric conversion layer on the porous electron transport layer, forming the hole transport layer on the photoelectric conversion layer, and forming the upper electrode on the hole transport layer; And a production method including a step of forming the planarization layer on the upper electrode and a step of forming a barrier layer on the planarization layer.
本発明によれば、フレキシブル性に優れ、かつ、大気中の水分の浸入を抑制することのできる太陽電池を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solar cell which is excellent in flexibility and can suppress the permeation of the water | moisture content in air | atmosphere can be provided.
1 太陽電池
2 フレキシブル基材
3 電子輸送層
31 薄膜状の電子輸送層
32 多孔質状の電子輸送層
4 光電変換層
5 ホール輸送層
6 上部電極
7 平坦化層
8 バリア層
9 有機絶縁層からなる外枠
10 無機層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記光電変換層は、有機無機ペロブスカイト化合物を含み、
更に、前記光電変換層の側面を取り囲むようにして前記フレキシブル基材上に配置された有機絶縁層からなる外枠と、前記有機絶縁層からなる外枠を被覆する無機層とを有する
ことを特徴とする太陽電池。 A solar cell having at least a photoelectric conversion layer and an upper electrode on a flexible substrate,
The photoelectric conversion layer includes an organic inorganic perovskite compound,
And an outer frame made of an organic insulating layer disposed on the flexible substrate so as to surround a side surface of the photoelectric conversion layer, and an inorganic layer covering the outer frame made of the organic insulating layer. A solar cell.
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