JP2018163988A - Solar cell module - Google Patents
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Abstract
【課題】高出力の太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】太陽電池モジュール200は、複数の太陽電池101〜105が配線材82〜85により接続された太陽電池ストリング100、太陽電池ストリングの受光面側に配置された受光面保護材91、および太陽電池ストリングの裏面側に配置された裏面保護材92を備える。太陽電池のそれぞれは、平面視正方形状の半導体基板を2分割して得られた平面視長方形状の半導体基板の裏面側にのみ電極61,62を有する裏面接合太陽電池である。平面視長方形状の太陽電池は、平面視正方形状の半導体基板の外周領域に相当する領域の受光面上に反射部71を備える。【選択図】図1A high-power solar cell module is provided. SOLUTION: The solar cell module 200 includes a solar cell string 100 in which a plurality of solar cells 101 to 105 are connected by wiring members 82 to 85, a light receiving surface protection member 91 arranged on the light receiving surface side of the solar cell string, and The back surface protection member 92 is provided on the back surface side of the solar cell string. Each of the solar cells is a back surface junction solar cell having electrodes 61 and 62 only on the back surface side of a semiconductor substrate having a rectangular shape in plan view obtained by dividing a semiconductor substrate having a square shape in plan view into two. The solar cell having a rectangular shape in plan view includes a reflection portion 71 on the light receiving surface in a region corresponding to the outer peripheral region of the semiconductor substrate having a square shape in plan view. [Selection diagram] Figure 1
Description
本発明は、太陽電池モジュールに関する。 The present invention relates to a solar cell module.
裏面接合太陽電池は、半導体基板の裏面側に、所定形状にパターニングされたp型領域およびn型領域を有し、これらの導電型領域上に電極が設けられている。裏面接合太陽電池における導電型領域のパターン形状としては、一方向に延在するp型領域およびn型領域が、延在方向と直交する方向に沿って交互に配置された構成が一般的である。 The back junction solar cell has a p-type region and an n-type region patterned in a predetermined shape on the back side of the semiconductor substrate, and electrodes are provided on these conductivity type regions. As a pattern shape of the conductive region in the back junction solar cell, a configuration in which p-type regions and n-type regions extending in one direction are alternately arranged along a direction orthogonal to the extending direction is common. .
配線材を介して複数の太陽電池を接続した太陽電池ストリングを、受光面保護材と裏面保護材との間で封止することにより太陽電池モジュールが得られる。裏面接合太陽電池では、隣接する2つの太陽電池の一方のn型領域に設けられた電極と、他方のp型領域に設けられた電極とを配線材に接続することにより、太陽電池が直列接続される。 A solar cell module is obtained by sealing a solar cell string in which a plurality of solar cells are connected via a wiring material between a light-receiving surface protective material and a back surface protective material. In the back junction solar cell, the solar cell is connected in series by connecting the electrode provided in one n-type region of two adjacent solar cells and the electrode provided in the other p-type region to a wiring member. Is done.
裏面接合太陽電池は、半導体基板の裏面にのみ電極を有し受光面には電極を有していないため、電極に起因するシャドーイングロスがなく、高変換効率を実現可能である。一方、裏面接合太陽電池は、半導体基板の端部での光生成キャリアの再結合が生じやすく、半導体基板の端部に照射された光の利用効率が低い。 Since the back junction solar cell has an electrode only on the back surface of the semiconductor substrate and no electrode on the light receiving surface, there is no shadowing loss due to the electrode, and high conversion efficiency can be realized. On the other hand, in the back junction solar cell, recombination of photogenerated carriers is likely to occur at the end of the semiconductor substrate, and the utilization efficiency of the light irradiated to the end of the semiconductor substrate is low.
例えば、n型半導体基板を用いた裏面接合太陽電池の基板端部のn型領域では、少数キャリアである正孔の大半が多数キャリアである電子と再結合するため、基板端部のn型領域上に設けられた電極でのキャリア(電子)の回収効率が低い。特許文献1では、この領域の受光面に光反射材を設け、反射光を太陽電池の他の部分(半導体基板の中央部)に入射させることにより、入射光を有効に利用し、裏面接合太陽電池の変換効率を向上できることが記載されている。 For example, in the n-type region at the substrate end of a back junction solar cell using an n-type semiconductor substrate, most of the holes that are minority carriers recombine with electrons that are majority carriers, so that the n-type region at the edge of the substrate The recovery efficiency of carriers (electrons) at the electrode provided above is low. In Patent Document 1, a light reflecting material is provided on the light receiving surface of this region, and incident light is effectively used by making the reflected light incident on the other part of the solar cell (the central part of the semiconductor substrate). It is described that the conversion efficiency of the battery can be improved.
本発明は、裏面接合太陽電池のさらなる高出力化、特に、モジュール出力の向上を目的とする。 An object of the present invention is to further increase the output of a back junction solar cell, particularly to improve module output.
本発明の太陽電池モジュールは、複数の太陽電池が配線材により接続された太陽電池ストリング、太陽電池ストリングの受光面側に配置された受光面保護材、および太陽電池ストリングの裏面側に配置された裏面保護材を備える。太陽電池ストリングと受光面保護材との間、および太陽電池ストリングと裏面側保護材との間には、封止材が設けられ、封止材により太陽電池ストリングが封止されていることが好ましい。 In the solar cell module of the present invention, a solar cell string in which a plurality of solar cells are connected by a wiring material, a light-receiving surface protective material disposed on the light-receiving surface side of the solar cell string, and a back surface side of the solar cell string A back surface protective material is provided. It is preferable that a sealing material is provided between the solar cell string and the light receiving surface protective material and between the solar cell string and the back surface side protective material, and the solar cell string is sealed with the sealing material. .
太陽電池ストリングを構成する太陽電池のそれぞれは、平面視正方形状の半導体基板を2分割して得られた平面視長方形状の半導体基板を備え、半導体基板の裏面側にのみ電極を有し、受光面側には電極を有していない裏面接合太陽電池である。平面視長方形状の裏面接合型太陽電池のそれぞれは、分割前の平面視正方形状の半導体基板の外周領域に相当する領域の受光面上に反射部を備える。 Each of the solar cells constituting the solar cell string includes a semiconductor substrate having a rectangular shape in plan view obtained by dividing a semiconductor substrate having a square shape in plan view, and having electrodes only on the back side of the semiconductor substrate. This is a back junction solar cell having no electrode on the surface side. Each of the back junction solar cells having a rectangular shape in plan view includes a reflecting portion on a light receiving surface in a region corresponding to the outer peripheral region of the square-shaped semiconductor substrate in plan view before division.
本発明の太陽電池モジュールは、裏面接合太陽電池の端部の発電効率が低い領域に反射部材を設けることにより、発電効率の高い領域に入射する光の量を増大させ、出力を向上できる。 The solar cell module of the present invention can improve the output by increasing the amount of light incident on the region with high power generation efficiency by providing the reflecting member in the region with low power generation efficiency at the end of the back junction solar cell.
図1は、本発明の一実施形態にかかる太陽電池モジュール(以下、「モジュール」と記載する)の模式的断面図である。図1に示すモジュール200は、複数の太陽電池101〜105(以下、「セル」と記載する)が、配線材82〜85を介して電気的に接続された太陽電池ストリング100を備える。太陽電池ストリングの受光面側(図1の上側)には、受光面保護材91が設けられ、裏面側(図1の下側)には裏面保護材92が設けられている。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a solar cell module (hereinafter referred to as “module”) according to an embodiment of the present invention. A
セルとしては、裏面接合太陽電池(裏面接合セル)が用いられる。図2Aは裏面接合セルの裏面側の平面図であり、図2Bは裏面接合セルの受光面側の平面図である。モジュール200に含まれる裏面接合セル103は、結晶シリコン等の半導体基板の裏面側に第一導電型領域および第二導電型領域を有する。第一導電型領域上には第一電極61が設けられており、第二導電型領域上には第二電極62が設けられている。第一導電型領域および第二導電型領域は、いずれか一方がp型であり、他方がn型である。裏面接合セルは、半導体基板の受光面に電極を有さず、半導体基板で生成した光キャリア(正孔および電子)を、半導体基板の裏面側に設けられた電極61,62により回収する。
As the cell, a back junction solar cell (back junction cell) is used. FIG. 2A is a plan view of the back surface side of the back surface bonded cell, and FIG. 2B is a plan view of the light receiving surface side of the back surface bonded cell. The
図2Aおよび図2Bに示すように、セル103は、平面視において2つの長辺および2つの短辺を有する長方形状である。長方形状のセルは、例えば、平面視正方形状の半導体基板を用いた大判のセル10(図4参照)を中央の分割線C1−C2で2分割することにより得られる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
図3Aは、複数の裏面接合セルがグリッド状に配置された太陽電池グリッドの裏面側の平面図である。図3Bは太陽電池グリッドの受光面側の平面図である。図1は、図3Aおよび図3BのI−I線おける断面図に相当する。 FIG. 3A is a plan view of a back surface side of a solar cell grid in which a plurality of back surface junction cells are arranged in a grid shape. FIG. 3B is a plan view of the light receiving surface side of the solar cell grid. FIG. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along the line II in FIGS. 3A and 3B.
太陽電池グリッド180では、第一方向(x方向)に沿って複数のセルが接続された太陽電池ストリング100,110,120が、第一方向と直交する第二方向(y方向)に沿って並んで配置されている。太陽電池ストリング100は、第一方向に沿って並んだ複数のセル101〜105を備える。セルの裏面側に設けられた電極を、配線材82〜85を介して電気的に接続することにより、太陽電池ストリングが形成される。隣接する2つのセルのうちの一方のセルの第一電極61と他方のセルの第二電極62とを配線材を介して接続することにより、複数のセルが直列に接続される。隣接するセルの第一電極同士または第二電極同士を接続することにより、セルを並列接続してもよい。
In the
太陽電池ストリング100において、第一方向の一方の端部に配置された配線材81は、外部回路と接続可能な引き出し線81aを備える。第一方向の他方の端部に配置された配線材86は、第二方向に隣接する太陽電池ストリング110と接続されている。
In the
モジュール200では、保護材91,92の間に封止材95が充填されることにより、太陽電池グリッドが封止されている。モジュールにおいて、セルは必ずしもグリッド状に配置される必要はなく、複数のセルが1列に接続された太陽電池ストリングが保護材91,92の間で封止されていてもよい。
In the
[セルの構成および作製方法]
図4は,分割前の大判のセルを裏面側からみた平面図である。正方形状の大判のセルは、完全な正方形である必要はなく、例えば、図4に示すようなセミスクエア型(正方形の4つの角が丸みを帯びているものや、切欠き部が存在するもの)でもよい。セミスクエア型の大判のセルの分割により得られる長方形状のセルは、図2Aおよび図2Bに示すように、長方形の一方の長辺51の両端に切欠き部58,59を有する。
[Cell structure and fabrication method]
FIG. 4 is a plan view of a large cell before division viewed from the back side. A large square cell does not need to be a perfect square. For example, a semi-square type as shown in FIG. 4 (a square having four rounded corners or a notch is present) ) As shown in FIGS. 2A and 2B, the rectangular cell obtained by dividing the semi-square type large format cell has notches 58 and 59 at both ends of one
正方形の一辺の長さは、例えば20〜200mm程度である。正方形状の大判のセルの分割により得られる長方形状のセルでは、長方形の長辺の長さは分割前の半導体基板の1辺の長さに等しく、20〜200mm程度である。長方形の短辺の長さは、長辺の長さの略1/2であり、10〜100mm程度である。 The length of one side of the square is, for example, about 20 to 200 mm. In a rectangular cell obtained by dividing a large square cell, the length of the long side of the rectangle is equal to the length of one side of the semiconductor substrate before the division, and is about 20 to 200 mm. The length of the short side of the rectangle is approximately ½ of the length of the long side, and is about 10 to 100 mm.
分割により得られる長方形状のセル1枚の面積は、分割前の大判のセルの面積の半分であるため、面積の小さい場所にモジュールを設置する場合でも、モジュール電圧が高められる。また、1枚のセルの面積が半分であるため、配線材に流れる電流が半分となり、配線材の抵抗に起因する電気的ロスを低減し、モジュールの出力を向上できる。 Since the area of one rectangular cell obtained by the division is half of the area of the large cell before the division, the module voltage can be increased even when the module is installed in a small area. Further, since the area of one cell is halved, the current flowing through the wiring material is halved, the electrical loss due to the resistance of the wiring material can be reduced, and the output of the module can be improved.
図4に示す大判のセルは、公知の裏面接合セルの製造方法に基づいて製造できる。半導体基板としては、例えば正方形状の結晶シリコン基板が用いられる。結晶シリコンは、単結晶でも多結晶でもよい。 The large cell shown in FIG. 4 can be manufactured based on a known method of manufacturing a back junction cell. As the semiconductor substrate, for example, a square crystalline silicon substrate is used. Crystalline silicon may be single crystal or polycrystalline.
半導体基板の裏面側に、第一導電型領域と第二導電型領域が設けられる。前述のように、第一導電型領域および第二導電型領域は、一方がp型であり、他方がn型である。これらの導電型領域は、半導体基板にドーピング領域を設ける方法や、半導体基板上に非晶質シリコン薄膜等の半導体薄膜を形成する方法により形成できる。半導体基板上にp型またはn型の半導体薄膜を設ける場合、半導体基板と導電型半導体薄膜との間に、真性非晶質シリコン薄膜等の真性半導体薄膜を設けることにより、半導体基板表面のパッシベーション効果が得られる。第一導電型領域上に第一電極61が設けられ、第二導電型領域上に第二電極62が設けられる。
A first conductivity type region and a second conductivity type region are provided on the back side of the semiconductor substrate. As described above, one of the first conductivity type region and the second conductivity type region is p-type and the other is n-type. These conductivity type regions can be formed by a method of providing a doping region in a semiconductor substrate or a method of forming a semiconductor thin film such as an amorphous silicon thin film on the semiconductor substrate. When a p-type or n-type semiconductor thin film is provided on a semiconductor substrate, an intrinsic semiconductor thin film such as an intrinsic amorphous silicon thin film is provided between the semiconductor substrate and the conductive semiconductor thin film, thereby providing a passivation effect on the surface of the semiconductor substrate. Is obtained. A
第一電極61および第二電極62は、金属電極であることが好ましい。半導体層と金属電極との間には、金属酸化物等からなる透明導電層が設けられていてもよい。金属電極は、印刷やメッキ等の公知の方法により形成できる。金属電極の具体例としては、Agペーストのスクリーン印刷により形成されたAg電極や、電解メッキにより形成された銅メッキ電極が挙げられる。
The
図2Aおよび図4に示すように、第一電極61が設けられる第一導電型領域および第二電極62が設けられる第二導電型領域は、互いに噛み合う櫛歯状にパターニングされることが好ましい。櫛歯状にパターニングされた第一導電型領域上の第一電極61は、第一方向(x方向)に延在するフィンガー電極部61aと、第一方向に直交する第二方向(y方向)に延在し複数のフィンガー電極部61aを端部で連結するバスバー電極部61bを有する。同様に、櫛歯状にパターニングされた第二導電型領域上の第二電極62は、第一方向に延在するフィンガー電極部62aと、第二方向に延在するバスバー電極部62bとを有する。
As shown in FIGS. 2A and 4, the first conductivity type region in which the
分割前の大判のセル10では、中央の分割線(C1−C2線)と直交する方向に延在するようにフィンガー電極部61a,62aが設けられ、分割線と平行に延在するようにバスバー電極部61b,62bが設けられることが好ましい。この形態では、分割後の長方形状のセルのフィンガー電極部61a,62bの長さが、正方形状の大判の半導体基板から1つのセルを作製する場合の約半分となる。そのため、フィンガー電極のライン抵抗に起因するキャリア回収ロスを低減できる。
In the
大判のセル10では、1つの半導体基板上で、分割線に対して左右対称となるように、2つのセルに相当する第一導電型領域および第二導電型領域をパターニングすることが好ましい。すなわち、半導体基板の第一方向の両端に、第一電極61のバスバー電極部61bが設けられ、中央線に近接する位置に第二電極62のバスバー電極部62bが設けられることが好ましい。このように、分割線に沿って対称形状となるように大判のセルを形成すれば、分割後の2つのセル(L側セルとR側セル)が同一のパターン形状となる。そのため、分割後のセル取り扱いが容易であり、ストリング形成時の配線材の接続ミスの防止にも寄与する。特に、図4に示すように、セミスクエア型の大判のセルを2分割して、図2Aに示す長方形状のセルを作製すれば、分割後のセル103において、両端に切欠き部58,59を有する長辺51側が第一導電型(第一電極のバスバー電極部61b側)、切り欠きを有していない長辺55側が第二導電型(第二電極のバスバー電極部61b側)であることを容易に識別できるため、接続ミスを確実に防止できる。
In the
正方形状の大判のセルを中央の分割線に沿って切断して分割することにより、2枚の長方形状のセルが得られる。分割方法は特に限定されない。例えば、レーザ等の加工手段によりセルを分割できる。レーザ等により分割線に沿って溝を形成し、この溝を中心に、基板を折り割ることにより、溝に沿ってセルを分割してもよい。分割溝はセルの受光面および裏面のいずれに形成してもよい。 Two rectangular cells are obtained by cutting and dividing a square large cell along the central dividing line. The dividing method is not particularly limited. For example, the cell can be divided by a processing means such as a laser. A cell may be divided along the groove by forming a groove along the dividing line with a laser or the like and folding the substrate around the groove. The dividing groove may be formed on either the light receiving surface or the back surface of the cell.
図2Aに示す長方形状のセルにおいて、一方の長辺55は、分割線に沿った切断により形成された辺であり、長辺55に沿って第二電極62のバスバー電極部62bが設けられている。セルの長辺55に接する側面は、分割により生じた側面である。他方の長辺51は、分割前の大判のセルの1つの辺51と同一であり、長辺51に沿って第一電極61のバスバー電極部61bが設けられている。分割後の長方形状のセル103において、長辺51は分割前の正方形状の大判のセルの外周部分であり、セルの長辺51に接する側面は、分割前から存在していた側面(正方形状の半導体基板の側面)である。長方形状のセルの2つの短辺53,54も分割前の大判のセルの外周に相当する。
In the rectangular cell shown in FIG. 2A, one
大判セルの外周領域では、セルの作製時に薄膜の膜厚が不均一となりやすい。また、大判セルの外周領域は、セル作製時の基板のハンドリング等において、表面に擦れや傷が生じやすい。そのため、大判セルの外周領域は、大判セルの中央部に比べてキャリア再結合等に起因する発電ロスが大きく、発電効率が低い。 In the outer peripheral area of a large cell, the thickness of the thin film tends to be non-uniform when the cell is manufactured. Further, the outer peripheral area of the large cell is likely to be rubbed or scratched on the surface during handling of the substrate during cell production. For this reason, the outer peripheral area of the large cell has a larger power generation loss due to carrier recombination and the like, and the power generation efficiency is lower than the central portion of the large cell.
図2Bに示すように、長方形のセル103の受光面には、長辺51に沿って反射部71が設けられている。図1に示すように、セル103の反射部71が設けられた領域に照射された光L1は、反射部71により反射され、セル103には直接入射しない。反射部71で反射された光は、受光面保護材91等で再反射して、反射部が設けられていない領域からセルに入射して、発電に寄与する。反射光は、モジュールに含まれる他のセルに入射してもよい。このように、大判セルの外周領域に対応する領域に反射部71を設けることにより、発電効率の小さい領域への光照射による発電ロスを低減し、反射部71で反射した光を発電効率の高い領域(セルの面内中央部の正常領域)に再入射させることにより、モジュールの出力を向上できる。
As shown in FIG. 2B, a
長方形状のセル103において、短辺53,54は、長辺51と同様、大判セルにおける外周であるため、短辺53,54に沿った領域に反射部が設けられていてもよい。
In the
長方形状のセルの長辺55は、大判のセルにおける外周には相当しないため、長辺55に沿った外周領域は、長辺51に沿った外周領域および短辺53,54に沿った外周領域に比べると発電効率は高い。一方、長辺55に沿った外周領域は、大判のセルの分割線に沿った切断による半導体基板の側面の露出や、切断の際のハンドリング等に起因して、発電効率が低下している場合がある。そのため、切断により形成された長辺55に沿った領域にも反射部が設けられていてもよい。
Since the
反射部71は、光を反射できるものであれば材料は特に限定されない。反射率が高いことから、銅、アルミニウム、銀、金、スズおよびこれらの合金等が好ましい。反射部71は、受光面側が光反射性を有していればよく、表面に金属等からなる反射層が設けられた樹脂材料でもよい。受光面への金属層等の印刷により反射部を形成してもよく、反射部材をセルに接合することにより受光面に反射部を設けてもよい。
The material of the reflecting
反射部の形状は特に限定されないが、光を斜め方向に反射して、セルの他の部分への反射光の入射量を増大させるために、斜面を有していることが好ましい。例えば、受光面側表面に凹凸が設けられた反射部材をセルの受光面に接合することにより、斜め方向に光を反射させることができる。また、三角柱形状の反射部材をセルの受光面に設けてもよい。反射部の斜面は、平面状に限定されず曲面でもよい。例えば、断面半円形状の反射部材がセルの受光面に設けられていてもよい。 The shape of the reflecting portion is not particularly limited, but it is preferable to have a slope in order to reflect light obliquely and increase the amount of reflected light incident on other portions of the cell. For example, it is possible to reflect light in an oblique direction by bonding a reflecting member having irregularities on the light receiving surface side surface to the light receiving surface of the cell. Further, a triangular prism-shaped reflecting member may be provided on the light receiving surface of the cell. The slope of the reflecting portion is not limited to a flat shape, and may be a curved surface. For example, a reflecting member having a semicircular cross section may be provided on the light receiving surface of the cell.
セルへの接合面(底面)と側面(傾斜面)とのなす角が所定範囲の三角柱形状の反射部材を設けることにより、反射部で反射された光の受光面保護材91への入射角が大きくなる。これに伴って、受光面保護材91と空気との界面での反射率が高くなり、反射部で反射された光が、受光面保護材91で反射してセルに入射する光量が増大するため、モジュールの発電効率を向上できる。
By providing a triangular prism-shaped reflecting member whose angle formed between the joint surface (bottom surface) and the side surface (inclined surface) to the cell is within a predetermined range, the incident angle of the light reflected by the reflecting portion to the light receiving
例えば、反射部で反射された光の受光面保護材91への入射角が、受光面保護材と空気との界面における臨界角よりも大きい場合は、反射部で反射された光が、受光面保護材と空気との界面で全反射するため、反射光のセルへの入射効率が高められる。受光面保護材としてガラス(屈折率約1.5)が用いられる場合、臨界角は約41°である。そのため、反射部で反射した光の受光面保護材への入射角θrが41°以上であれば、受光面保護材と空気との界面で光が全反射する。
For example, when the incident angle of the light reflected by the reflecting portion to the light receiving
図5Aは、セルを構成する半導体基板50の受光面上に、底面と側面とのなす角θ1が41°以上(例えば60°程度)の三角柱状の反射部材75を設けた場合の、受光面からモジュールに入射する光の反射の様子を表す概念図である。小さな入射角(および屈折角)で受光面保護材91および封止材95を透過して反射部材75に到達した光L30は反射部材75の側面で反射され、反射光L31は受光面側に反射されることなく、そのまま半導体基板50に入射する。臨界角に近い屈折角γを有する入射光L40は、反射部材75の側面で受光面側に反射される。反射光L41の受光面保護材91と空気との界面への入射角θrは、反射部材の傾斜角θ1よりも大きい。そのため、傾斜角θ1が臨界角(41°)以上であれば、反射光L41は受光面保護材と空気との界面で全反射し、再反射光L42は半導体基板50に入射し、発電に寄与する。
Figure 5A, on the light receiving surface of the
このように、反射部材の底面と側面とのなす角θ1が、空気と受光面保護材91との界面での臨界角(41°)以上の場合は、三角柱形状の反射部材75の側面に到達して反射した光は、直接、または受光面保護材91と空気との界面で全反射した後に、半導体基板50に入射し、モジュールの受光面側には出射しない。そのため、反射部材で反射された光の実質的に全量を、セルの発電効率の高い領域に入射させることができ、モジュールの出力が向上する。また、反射部材75からの反射光がモジュールの受光面側に出射しないため、モジュールの外部からは反射部材による反射光は視認されず、反射部材は黒色に見える。バックコンタクトセルは受光面に電極が設けられておらず全面が黒色系であるため、反射部材の色とセルの色が黒色系で統一され、モジュールの意匠性が高められる。
As described above, when the angle θ 1 formed between the bottom surface and the side surface of the reflecting member is equal to or larger than the critical angle (41 °) at the interface between the air and the light receiving
図5Bは、底面と側面とのなす角θ1が65.5°の三角柱状の反射部材76を用いた場合の、受光面からモジュールに入射する光の反射の様子を表す概念図である。入射光L50の屈折角γが0〜41°のいずれの場合も、反射部材76の側面で反射された反射光L51は受光面側に反射されることなく、そのまま半導体基板50に入射する。すなわち、反射部材の底面と側面とのなす角θ1が65.5°以上の場合は、反射部材の側面に到達した光は、受光面側に反射されることなく、全ての反射光が、反射部材から直接半導体基板50に入射する。そのため、反射部材で反射後に、封止材95等を通過する際に吸収・散乱される光の量が少なく、モジュールの光利用効率および意匠性がさらに向上する。
5B is the case where the angle theta 1 between the bottom surface and the side surface with a triangular prism shaped reflecting
なお、反射部材の底面と側面とのなす角θ1が65.5°を超えると、それ以上θ1が大きくなっても光利用効率および意匠性の向上は期待できない。一方、反射部材の底面と側面とのなす角θ1が過度に大きいと、反射部材の高さが大きくなるとともに頂角が小さくなるため、封止材95により確実に封止を行うために、受光面側の封止材の厚みを大きくする必要がある。封止材の厚み増大は、コストアップ要因であることに加えて、封止材による光吸収の増加に起因するモジュールの出力低下に繋がる場合がある。そのため、三角柱形状の反射部材の底面と側面とのなす角は70°以下が好ましい。なお、後に詳述するように、受光面保護材として、透明フィルム等の可撓性材料を用いることにより、セルの受光面に三角柱状の反射部材を設ける場合でも、封止材の厚みを過度に増加させることなく、確実に封止を行うことができる。
If the angle θ 1 formed between the bottom surface and the side surface of the reflecting member exceeds 65.5 °, improvement in light utilization efficiency and designability cannot be expected even if θ 1 is further increased. On the other hand, if the angle theta 1 between the bottom surface and the side surface of the reflecting member is excessively large, the apex angle becomes smaller with the height of the reflecting member increases, in order to reliably sealed by the sealing
図5Aおよび図5Bに示すように、反射部材75,76の断面が、θ1=θ2の二等辺三角形状である場合、セルに反射部材を接合する際に、反射部材の向きを確認する必要がないため、生産性を向上できる。なお、二等辺三角形における2つの底角は、厳密に同一である必要はなく、±2°程度の差を有していてもよい。
As shown in FIGS. 5A and 5B, when the cross-sections of the reflecting
反射部材は、断面二等辺三角形状である必要はない。例えば、隣接するセルとの隙間に対峙する斜面の傾斜角θ2が、セルの中央側に対峙する斜面の傾斜角θ1よりも大きくてもよい。例えば、図5Cに示す反射部材77のように、隣接するセルとの隙間に対峙する側面と底面とのなす角が直角でもよい。隣接するセルとの隙間に対峙する側面と底面とのなす角は、鈍角でもよい。 The reflecting member does not need to have an isosceles triangular cross section. For example, the slope angle θ 2 of the slope facing the gap between the adjacent cells may be larger than the slope angle θ 1 of the slope facing the center side of the cell. For example, like the reflection member 77 shown in FIG. 5C, the angle formed between the side surface and the bottom surface facing the gap between adjacent cells may be a right angle. The angle formed between the side surface and the bottom surface facing the gap between adjacent cells may be an obtuse angle.
受光面上の反射部71を設ける領域は、セルの外周から3mm以内であることが好ましい。反射部の幅が大きく、外周からの距離が大きい領域にも反射部が設けられると、発電効率の高い正常領域に反射部材が重複するため、発電面積の減少によりモジュール出力が低下する場合がある。受光面では、セルの外周から0.1mm以上の領域に反射部71が設けられていることが好ましい。セルの受光面上での反射部71の幅は、0.1〜3mmが好ましく、0.5〜2mmがより好ましい。
The region where the reflecting
反射部71は、セルの外周からはみ出して、隣接するセルとの隙間の部分に設けられていてもよい。セルの外周からはみ出して反射部71を設けることにより、隙間の部分に照射された光が反射部71により反射して、セルの正常部に入射させることができるため、光利用効率が向上し、モジュール出力が向上する。セルの外周からの反射部材のはみ出し幅は、隣接するセルとの短絡が生じない範囲で設定すればよく、例えば、0.1〜2mm程度である。
The
前述のように、長方形状のセルでは、長辺51,短辺53および短辺54が、大判のセルにおける外周に相当するが、これらの全てに反射部が設けられている必要はなく、いずれかの辺に沿った領域に反射部が設けられていればよい。また、1つの辺に沿った全ての領域に反射部が設けられている必要はなく、辺に沿った一部の領域に反射部が設けられていてもよい。モジュール出力を効果的に向上する観点から、長辺51の方向に沿った半分以上の領域に反射部71が設けられていることが好ましい。
As described above, in the rectangular cell, the
反射部の平面視形状は特に限定されない。発電効率の低い外周領域を一定の幅で覆うために、反射部は平面視長方形状であることが好ましい。平面視長方形状の反射部の長辺の長さは、セルの1辺の長さの50%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましく、80%以上であることがさらに好ましい。長方形の短辺の長さ(反射部の幅)は、セルの外周からはみ出して隣接するセルとの隙間の部分に設けられる反射部の幅を考慮して、セルの外周から3mm以内の領域を反射部が覆うように設定すればよい。 The planar view shape of the reflection part is not particularly limited. In order to cover the outer peripheral region with low power generation efficiency with a certain width, the reflecting portion is preferably rectangular in plan view. The length of the long side of the rectangular reflection part in plan view is preferably 50% or more of the length of one side of the cell, more preferably 70% or more, and further preferably 80% or more. preferable. The length of the short side of the rectangle (the width of the reflecting portion) is set to a region within 3 mm from the outer periphery of the cell in consideration of the width of the reflecting portion provided in the gap between the adjacent cells and protruding from the outer periphery of the cell. What is necessary is just to set so that a reflection part may cover.
セルの受光面への反射部の形成は、正方形状の大判のセルの作製段階でおこなってもよく、長方形状のセルに分割した後に受光面に反射部を形成してもよい。また、複数のセルを接続して太陽電池ストリング(またはグリッド)を作成後に、それぞれのセルの受光面に反射部を設けてもよい。印刷により反射部を設ける場合は、分割前に反射部を設けることが好ましい。反射部材を接合する場合は、分割後のセルの受光面に反射部材を接合することが好ましい。上記の様に、斜面の傾斜角の調整等による光利用効率の向上が容易であること、およびセルの外周からはみ出して反射部形成可能であることから、セルの受光面に反射部材を接合して反射部を設けることが好ましい。 Formation of the reflective portion on the light receiving surface of the cell may be performed at the stage of producing a large square cell, or the reflective portion may be formed on the light receiving surface after being divided into rectangular cells. In addition, after creating a solar cell string (or grid) by connecting a plurality of cells, a reflecting portion may be provided on the light receiving surface of each cell. When providing a reflective part by printing, it is preferable to provide a reflective part before a division | segmentation. When joining a reflecting member, it is preferable to join a reflecting member to the light receiving surface of the cell after division. As described above, it is easy to improve the light utilization efficiency by adjusting the inclination angle of the slope, etc., and it is possible to form a reflection part that protrudes from the outer periphery of the cell. It is preferable to provide a reflecting portion.
セルの受光面への反射部材の接合方法は特に限定されない。反射部材の底面(セルとの接合面)が導電性を有している場合は、絶縁性接着剤を用いてセルの受光面に配線材を接合して、リークを防止することが好ましい。 The method for joining the reflecting member to the light receiving surface of the cell is not particularly limited. In the case where the bottom surface of the reflecting member (the bonding surface with the cell) has conductivity, it is preferable to prevent leakage by bonding a wiring material to the light receiving surface of the cell using an insulating adhesive.
[太陽電池ストリングの作製]
分割後の長方形状のセルを配線材を介して電気的に接続することにより、太陽電池ストリングが得られる。複数のストリングをストリング延在方向と直交する方向に並べて接続することにより太陽電池グリッドが得られる。
[Production of solar cell string]
A solar cell string is obtained by electrically connecting the divided rectangular cells via a wiring member. A solar cell grid is obtained by connecting a plurality of strings in a direction orthogonal to the string extending direction.
配線材は導電性であればその材料は特に限定されない。導電性の観点からは、銅、アルミニウム、銀、金、およびこれらの合金等の金属が好ましい。配線材は、表面が半田等により被覆されていてもよい。配線材の形状としては、平線状、シート状、ワイヤー状等が挙げられる。 The wiring material is not particularly limited as long as it is conductive. From the viewpoint of conductivity, metals such as copper, aluminum, silver, gold, and alloys thereof are preferable. The surface of the wiring material may be covered with solder or the like. Examples of the shape of the wiring material include a flat wire shape, a sheet shape, and a wire shape.
配線材とセルの電極61,62とは、半田、導電性接着剤、導電性フィルム等を介して接続できる。図3Aおよび図3Bに示すように、ストリング100におけるセル101〜105の接続方向が長方形の短辺方向と平行である場合は、分割前の正方形状のセルに比べて電流量が半分であり、配線材の幅は正方形状のセルを接続する場合と同等に設定できる。そのため、配線材の単位断面積あたりの電流量が小さく、抵抗に起因する電気的ロスが低減する。
The wiring member and the
前述のように、配線材とセルとを接続してストリングを形成後に、セルの受光面に反射部を設けてもよい。ストリングを形成後に反射部を設けることにより、隣接するセルへの反射材の接触等に起因するリークを確実に抑制できる。特に、セルの外周からはみ出すように反射部を設ける場合は、ストリングを形成後のセルの受光面に反射部を設けることが好ましい。 As described above, a reflective part may be provided on the light receiving surface of the cell after the wiring material and the cell are connected to form the string. By providing the reflective portion after the string is formed, it is possible to reliably suppress leakage caused by the contact of the reflective material to the adjacent cells. In particular, when the reflective portion is provided so as to protrude from the outer periphery of the cell, the reflective portion is preferably provided on the light receiving surface of the cell after the string is formed.
[モジュール化]
太陽電池ストリング(またはグリッド)の受光面側および裏面側のそれぞれに封止材および保護材を配置して積層した状態で、真空ラミネートを行い、太陽電池ストリングおよび保護材に封止材を密着させた後、加熱圧着することにより太陽電池間の隙間やモジュールの端部にも封止材が流動して、太陽電池ストリングが封止される。
[modularization]
In a state where the sealing material and the protective material are arranged and laminated on the light receiving surface side and the back surface side of the solar cell string (or grid), vacuum lamination is performed, and the sealing material is brought into close contact with the solar cell string and the protective material. After that, the sealing material flows in the gaps between the solar cells and the end of the module by thermocompression bonding, and the solar cell string is sealed.
封止材95としては、オレフィン系エラストマーを主成分とするポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン、エチレン/α‐オレフィン共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン/酢酸ビニル/トリアリルイソシアヌレート(EVAT)、ポリビニルブチラート(PVB)、シリコン、ウレタン、アクリル、エポキシ等の透明樹脂を用いることが好ましい。受光面側と裏面側の封止材の材料は、同一でも異なっていてもよい。
As the sealing
受光面保護材91は光透過性であり、ガラスや透明プラスチック等が用いられる。裏面保護材92は、光透過性、光吸収性および光反射性のいずれでもよい。光反射性の裏面保護材としては、金属色または白色等を呈するものが好ましく、白色樹脂フィルムや、樹脂フィルム間にアルミニウム等の金属箔を挟持した積層体等が好ましく用いられる。光吸収性の保護材としては、例えば、黒色樹脂層を含むものが用いられる。
The light receiving
一般的な太陽電池モジュールでは、受光面保護材91としてガラス板が用いられる場合が多いが、可撓性の樹脂フィルムを用いてもよい。セルの受光面に設けられる反射部が三角柱形状の反射部材である場合は、受光面保護材91として可撓性の透明フィルムを用いることにより、受光面保護材が反射部材の形状に沿うように変形するため、反射部材の高さが大きい場合や反射部材の頂角が小さい場合でも、反射部と受光面保護材との間の受光面側封止材の厚みが局所的に小さくなることを防止できる。そのため、封止材の厚みを過度に増加させることなく、確実に封止を行うことができる。受光面保護材91として可撓性の透明フィルムを用いる場合は、反射部の形状に沿ってフィルムを変形させるために、フィルムの厚みは1mm以下が好ましい。
In a general solar cell module, a glass plate is often used as the light-receiving
10 大判太陽電池
50 半導体基板
61,62 電極
71 反射部
75〜77 反射部材
81〜86 配線材
101〜105 太陽電池
100,110,120 太陽電池ストリング
91 受光面保護材
92 裏面保護材
95 封止材
200 太陽電池モジュール
201 配線材
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記太陽電池のそれぞれは、平面視正方形状の半導体基板を2分割して得られた平面視長方形状の半導体基板の裏面側にのみ電極を有し、受光面側には電極を有しておらず、
前記平面視正方形状の半導体基板の外周領域に相当する領域の受光面上に反射部が設けられている、太陽電池モジュール。 A solar cell having a solar cell string in which a plurality of solar cells are connected by a wiring material, a light receiving surface protective material disposed on the light receiving surface side of the solar cell string, and a back surface protective material disposed on the back surface side of the solar cell string A battery module,
Each of the solar cells has an electrode only on the back surface side of the semiconductor substrate having a rectangular shape in plan view obtained by dividing the semiconductor substrate having a square shape in plan view into two, and has no electrode on the light receiving surface side. Without
The solar cell module in which the reflection part is provided on the light-receiving surface of the area | region corresponded to the outer peripheral area | region of the said square-shaped semiconductor substrate in planar view.
両端に切欠き部を有する長辺に沿った外周領域の受光面上に、前記反射部が設けられている、請求項1に記載の太陽電池モジュール。 The rectangular semiconductor substrate in plan view has a notch at both ends of one long side,
The solar cell module according to claim 1, wherein the reflection portion is provided on a light receiving surface in an outer peripheral region along a long side having a notch portion at both ends.
The solar cell module according to any one of claims 1 to 12, wherein the light-receiving surface protective material is a flexible transparent film.
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