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JP2018162202A - Method for producing bismuth ruthenate powder and bismuth ruthenate powder - Google Patents

Method for producing bismuth ruthenate powder and bismuth ruthenate powder Download PDF

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JP2018162202A JP2017061759A JP2017061759A JP2018162202A JP 2018162202 A JP2018162202 A JP 2018162202A JP 2017061759 A JP2017061759 A JP 2017061759A JP 2017061759 A JP2017061759 A JP 2017061759A JP 2018162202 A JP2018162202 A JP 2018162202A
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Abstract

【課題】 抵抗体組成物の無鉛化における従来技術の問題点に鑑み、厚膜抵抗体用の導電物として平均粒子径と結晶子径がほぼ同等な、20nm以上、100nm以下の結晶子径を有するルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法を提供すると共に、得られるルテニウム酸ビスマス粉末を提供する。【解決手段】 ルテニウム酸ビスマス粉末製造方法であって、ルテニウム化合物粉末とビスマス酸化物を80質量%以上含有するガラス性物質粉末を混合し、酸素を含有する雰囲気下で600℃〜750℃で溶融熱処理してガラス性物質中にルテニウム酸ビスマス粒子を析出させた溶融熱処理物を形成する第1の工程と、前記溶融熱処理物を、酸で溶解してルテニウム酸ビスマス粒子を分離する第2の工程を含むことを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法。【選択図】 図1PROBLEM TO BE SOLVED: In view of the problems of the prior art in the lead-free resistor composition, as a conductive material for thick film resistors, an average particle diameter and a crystallite diameter of approximately 20 nm or more and 100 nm or less are substantially the same. Provided is a method for producing a bismuth ruthenate powder having the obtained bismuth ruthenate powder. SOLUTION: A method for producing bismuth ruthenate powder, comprising mixing a ruthenium compound powder and a vitreous material powder containing 80% by mass or more of a bismuth oxide, and melting at 600 ° C. to 750 ° C. in an atmosphere containing oxygen. A first step of forming a heat-treated heat-treated product in which bismuth ruthenate particles are precipitated in a glassy material by heat treatment; and a second step of separating the bismuth-ruthenate particles by dissolving the molten heat-treated product with an acid. The manufacturing method of the bismuth ruthenate powder characterized by including. [Selection] Figure 1

Description

本発明は、ルテニウム酸ビスマス粒子を溶融熱処理によって得ることにより、ルテニウム酸ビスマス粉末を製造する方法と、その製造方法により得られるルテニウム酸ビスマス粉末に関するものである。   The present invention relates to a method for producing bismuth ruthenate powder by obtaining bismuth ruthenate particles by melt heat treatment, and a bismuth ruthenate powder obtained by the production method.

厚膜抵抗体は、チップ抵抗器、厚膜ハイブリッドIC及び抵抗ネットワーク等に広く用いられている。その厚膜抵抗体の製造方法としては、通常、絶縁体基板の表面に形成された導電体回路パターン又は電極の上に、導電粉を均一に分散させたペーストを印刷し、これを焼成する工程が用いられる。   Thick film resistors are widely used in chip resistors, thick film hybrid ICs, resistor networks, and the like. As a method for producing the thick film resistor, usually, a paste in which conductive powder is uniformly dispersed is printed on a conductor circuit pattern or electrode formed on the surface of an insulating substrate, and this is fired. Is used.

上記厚膜抵抗体の製造に用いるペーストは、導電粒子とガラスフリット等のガラス結合剤がビヒクルと呼ばれる有機媒体中に均一に分散するように製造されている。このうち、導電粒子は厚膜抵抗体の電気的特性を決定する最も重要な役割を担い、酸化ルテニウム(RuO)又はルテニウム酸鉛(PbRu)の微粉末が広く用いられている。
一般に、酸化ルテニウムは低抵抗値から高抵抗値まで広範囲の導電物として使用され、特に高抵抗領域では導電物濃度に対する抵抗値の変動がより小さいルテニウム酸鉛が用いられることが多い。
The paste used for manufacturing the thick film resistor is manufactured such that conductive particles and glass binder such as glass frit are uniformly dispersed in an organic medium called a vehicle. Among these, the conductive particles play the most important role in determining the electrical characteristics of the thick film resistor, and fine powders of ruthenium oxide (RuO 2 ) or lead ruthenate (Pb 2 Ru 2 O 7 ) are widely used. Yes.
In general, ruthenium oxide is used as a conductor in a wide range from a low resistance value to a high resistance value, and in particular, in the high resistance region, lead ruthenate having a smaller variation in the resistance value with respect to the conductor concentration is often used.

ところで、厚膜抵抗体は導電粒子とガラス粒子をペースト状に混練し印刷、焼成することで得られる。焼成後は導電粒子がガラスの粒界に沿って導電パスを形成し、抵抗値が得られる。
設定抵抗値を得るための調整は、主に導電物とガラスフリットの混合比を変えることにより行われる。
そこで、導電パスを形成して良好な抵抗特性を得るためには、導電粒子の粒子径(SEM観察などによる平均粒径)を100nm以下とすることが必要である。平均粒径が100nmを超えると、導電パスが十分に形成されず、抵抗値が異常に高くなるなど、抵抗特性が十分に得られなくなる。
By the way, a thick film resistor can be obtained by kneading conductive particles and glass particles in a paste, printing, and firing. After firing, the conductive particles form a conductive path along the grain boundary of the glass, and a resistance value is obtained.
Adjustment for obtaining the set resistance value is performed mainly by changing the mixing ratio of the conductive material and the glass frit.
Therefore, in order to form a conductive path and obtain good resistance characteristics, it is necessary to set the particle diameter of the conductive particles (average particle diameter by SEM observation or the like) to 100 nm or less. When the average particle diameter exceeds 100 nm, the conductive path is not sufficiently formed, and the resistance value becomes abnormally high, for example, the resistance characteristics cannot be sufficiently obtained.

一方、近年、電子機器から毒性のある鉛の使用を排除することが求められることにより、高抵抗領域の厚膜抵抗体用の導電粒子として用いるルテニウム酸鉛粉末に代わる鉛を含有しない導電粒子が望まれている。また、厚膜抵抗体から完全に鉛を排除するためには、同時に用いられるガラス結合剤からも鉛を排除する必要があり、ペーストから鉛を全て排除した状態でも厚膜抵抗体として良好な電気特性が得られる導電粉が必要である。   On the other hand, in recent years, there has been a demand for eliminating the use of toxic lead from electronic devices, so that lead-free conductive particles instead of lead ruthenate powder used as conductive particles for thick film resistors in the high resistance region have been developed. It is desired. In addition, in order to completely remove lead from the thick film resistor, it is necessary to exclude lead from the glass binder used at the same time. A conductive powder that can provide the properties is required.

この解決策として、特許文献1には酸化イリジウム粉末を用いた抵抗体ペーストが提案されている。しかし、イリジウムは高価であり、安価なルテニウム化合物が求められている。そこで、BiRu、CaRuO、SrRuO、BaRuO、LaRuO等の化学式で表わされる種々の導電粉用ルテニウム複合酸化物粉末が提案されている。 As a solution to this problem, Patent Document 1 proposes a resistor paste using iridium oxide powder. However, iridium is expensive and an inexpensive ruthenium compound is required. Therefore, various ruthenium composite oxide powders for conductive powders represented by chemical formulas such as Bi 2 Ru 2 O 7 , CaRuO 3 , SrRuO 3 , BaRuO 3 , LaRuO 3 have been proposed.

また、ルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法としては、古くは特許文献2や、特許文献3に開示されるように、RuO粉末とBi粉末を混合し、空気雰囲気中で650℃〜950℃で焙焼する方法や、特許文献4に開示されているルテニウム塩とビスマス塩を共沈させ、その乾燥物を700℃〜900℃で焙焼して得る方法、等が挙げられる。 In addition, as a method for producing bismuth ruthenate powder, as disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3, RuO 2 powder and Bi 2 O 3 powder are mixed and 650 ° C. to 950 in an air atmosphere. Examples thereof include a method of roasting at 0 ° C. and a method of co-precipitating a ruthenium salt and a bismuth salt disclosed in Patent Document 4 and baking the dried product at 700 ° C. to 900 ° C.

しかし、いずれの方法でも、反応のための焙焼工程によって、異常粒成長や粒子同士の焼結凝集が進行することにより結晶子径100nmを超える粒子径粗大化は避けられない。   However, in any of the methods, particle size coarsening exceeding the crystallite diameter of 100 nm is unavoidable due to the progress of abnormal grain growth and sintering aggregation between particles in the roasting step for reaction.

特開2007−277040号公報JP 2007-277040 A 特公昭51−28353号公報Japanese Patent Publication No.51-28353 特開2007−208033号公報JP 2007-208033 A 特開平4−26519号公報JP-A-4-26519

本発明は、このような抵抗体組成物の無鉛化における従来技術の問題点に鑑み、厚膜抵抗体用の導電物として平均粒子径と結晶子径がほぼ同等な、20nm以上、100nm以下の結晶子径を有するルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法を提供すると共に、得られるルテニウム酸ビスマス粉末を提供するものである。   In view of the problems of the prior art in such a lead-free resistor composition, the present invention has an average particle diameter and crystallite diameter of approximately 20 nm or more and 100 nm or less as a conductive material for thick film resistors. The present invention provides a method for producing a bismuth ruthenate powder having a crystallite diameter and also provides a bismuth ruthenate powder obtained.

本発明の第1の発明は、ルテニウム酸ビスマス粉末製造方法であって、ルテニウム化合物粉末とビスマス酸化物を80質量%以上含有するガラス性物質粉末を混合し、酸素を含有する雰囲気下で600℃〜750℃で溶融熱処理してガラス性物質中にルテニウム酸ビスマス粒子を析出させた溶融熱処理物を形成する第1の工程と、その熔融熱処理物を、酸で溶解してルテニウム酸ビスマス粒子を分離する第2の工程を含むことを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法である。   The first invention of the present invention is a method for producing bismuth ruthenate powder, in which a ruthenium compound powder and a vitreous material powder containing bismuth oxide in an amount of 80% by mass or more are mixed and 600 ° C. in an atmosphere containing oxygen. A first step of forming a melt heat-treated product in which bismuth ruthenate particles are precipitated in a glassy material by melting and heat-treating at 750 ° C., and separating the bismuth ruthenate particles by dissolving the melt-heat treated product with an acid. The manufacturing method of the bismuth ruthenate powder characterized by including the 2nd process to do.

本発明の第2の発明は、第1の発明におけるガラス性物質粉末が、軟化点が450℃以下のビスマスガラスフリットであることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for producing bismuth ruthenate powder, wherein the vitreous substance powder in the first aspect is a bismuth glass frit having a softening point of 450 ° C. or lower.

本発明の第3の発明は、第2の発明におけるビスマスガラスフリットが、軟化点が300℃以上、450℃以下であることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法である。   A third invention of the present invention is a method for producing a bismuth ruthenate powder, wherein the bismuth glass frit according to the second invention has a softening point of 300 ° C. or higher and 450 ° C. or lower.

本発明の第4の発明は、第1から第3の発明におけるルテニウム化合物粉末が、不定形酸化ルテニウム水和物粉末、または、粉末X線回折での(110)面のピークから求めた結晶子径が20nm以下の酸化ルテニウム粉末であることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法である。   According to a fourth invention of the present invention, the ruthenium compound powder in the first to third inventions is an amorphous ruthenium oxide hydrate powder or a crystallite obtained from a peak of (110) plane in powder X-ray diffraction A method for producing a bismuth ruthenate powder, wherein the ruthenium oxide powder has a diameter of 20 nm or less.

本発明の第5の発明は、粉末X線回折での(111)面のピークから求めた半価幅が、0.16〜0.48°の範囲にあり、結晶子径が20nm以上、100nm以下であることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末である。   In the fifth aspect of the present invention, the half width determined from the peak of the (111) plane in powder X-ray diffraction is in the range of 0.16 to 0.48 °, and the crystallite diameter is 20 nm or more and 100 nm. It is a bismuth ruthenate powder characterized by the following.

本発明の第6の発明は、第5の発明におけるルテニウム酸ビスマス粉末のFE−SEM画像から求められる平均粒径が、20nm以上、100nm以下であることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末である。   A sixth invention of the present invention is a bismuth ruthenate powder characterized in that an average particle size determined from an FE-SEM image of the bismuth ruthenate powder in the fifth invention is 20 nm or more and 100 nm or less.

本発明によれば、無鉛厚膜抵抗体形成用ペースト用導電物として使用可能な、平均粒子径と結晶子径がほぼ同等で、20nm以上、100nm以下の結晶子径を有するルテニウム酸ビスマス粉末を得ることができ、電子機器の脱鉛化に大きく寄与し、工業上顕著な効果を奏する。   According to the present invention, there is provided a bismuth ruthenate powder having an average particle diameter and a crystallite diameter of approximately 20 nm or more and 100 nm or less, which can be used as a lead-free thick film resistor forming conductor. It can be obtained, greatly contributes to deleading of electronic equipment, and has an industrially significant effect.

実施例1で得られたルテニウム酸ビスマス粒子のFE−SEM画像である。2 is an FE-SEM image of bismuth ruthenate particles obtained in Example 1. FIG. 実施例1で得られたルテニウム酸ビスマス粒子のXRD回折図である。2 is an XRD diffractogram of bismuth ruthenate particles obtained in Example 1. FIG.

本発明に係るルテニウム酸ビスマス粉末製造方法は、ルテニウム化合物粉末と、ビスマス酸化物を80質量%以上含有するガラス性物質粉末の混合物を、酸素を含有する雰囲気下、600℃〜750℃の温度で溶融熱処理し、ガラス中にルテニウム酸ビスマス粒子を析出させた熔融熱処理物を形成する第1の工程と、その熔融熱処理物を酸で溶解してルテニウム酸ビスマス粒子を分離する第2の工程を有することを特徴とする。   In the method for producing bismuth ruthenate powder according to the present invention, a mixture of a ruthenium compound powder and a vitreous substance powder containing 80% by mass or more of a bismuth oxide is heated to 600 ° C. to 750 ° C. in an oxygen-containing atmosphere. A first step of forming a melt heat-treated product by melting and heat-treating bismuth ruthenate particles in the glass; and a second step of separating the ruthenium bismuth particles by dissolving the melt-treated heat product with an acid. It is characterized by that.

本発明に係るルテニウム酸ビスマス粉末製造方法は、下記式(1)に示す酸化物固相反応に基づくものである。   The method for producing bismuth ruthenate powder according to the present invention is based on an oxide solid phase reaction represented by the following formula (1).

[第一の工程]
先ず、ガラス性物質の内部でルテニウム酸ビスマスを粒子として析出させる第1の工程について説明する。
即ち、ルテニウム酸ビスマスの粒子の核生成と成長を、ガラスを溶融温度以上に高温化して溶融したガラス内部で進行させることを特徴とするもので、この手段により、析出粒子が高い粘度の溶融ガラス質内で保護されることで粒子同士の焼結を抑制し、単結晶単分散粉末を得るものである。
[First step]
First, the first step of depositing bismuth ruthenate as particles inside the glassy substance will be described.
That is, nucleation and growth of particles of bismuth ruthenate are allowed to proceed inside the molten glass by raising the glass to a temperature higher than the melting temperature. By this means, molten glass having a high viscosity of precipitated particles. By being protected within the material, sintering of the particles is suppressed, and a single crystal monodispersed powder is obtained.

(調合)
ルテニウムソースとして不定形酸化ルテニウム水和物粉末または、結晶子径が20nm以下の酸化ルテニウム粉末を使用することが望ましい。
不定形酸化ルテニウム水和物粉末は、公知の方法、例えばルテニウムイオンを含むアルカリ溶液に酸溶液を添加することで水酸化ルテニウムの沈殿物が得られ、これを水洗したのち固液分離し乾燥することで酸化ルテニウム水和物粉末が形成される。
形成された酸化ルテニウム水和物粉末が、XRD回折からは回折ピークは観察されず不定形であることを確認して、不定形酸化ルテニウム水和物粉末を得る。
(Formulation)
It is desirable to use amorphous ruthenium oxide hydrate powder or ruthenium oxide powder having a crystallite diameter of 20 nm or less as the ruthenium source.
Amorphous ruthenium oxide hydrate powder is obtained by adding an acid solution to an alkaline solution containing ruthenium ions to obtain a ruthenium hydroxide precipitate, which is washed with water, separated into solid and liquid, and dried. As a result, ruthenium oxide hydrate powder is formed.
The formed ruthenium oxide hydrate powder is confirmed to be amorphous with no diffraction peak observed from XRD diffraction, and amorphous ruthenium oxide hydrate powder is obtained.

この不定形酸化ルテニウム水和物粉末を大気雰囲気下で、温度350℃から400℃で15分から120分間焙焼すると、酸化ルテニウム水和物粉末から水が除去されてX線回折から酸化ルテニウム(RuO)のピークが確認される。
得られた酸化ルテニウムのX線回折の(110)面の半価幅から結晶子径を算出すると20nm以下の微細な酸化ルテニウムであることが確認できる。
When this amorphous ruthenium oxide hydrate powder is roasted at a temperature of 350 ° C. to 400 ° C. for 15 minutes to 120 minutes in an air atmosphere, water is removed from the ruthenium oxide hydrate powder and ruthenium oxide (RuO oxide) is detected by X-ray diffraction. The peak of 2 ) is confirmed.
When the crystallite diameter is calculated from the half width of the (110) plane of the X-ray diffraction of the obtained ruthenium oxide, it can be confirmed that the ruthenium oxide is a fine ruthenium oxide of 20 nm or less.

本発明に係るルテニウム酸ビスマス粉末製造方法では、ルテニウムソースとビスマスソースが反応する前に、結晶子径が20nm以下の酸化ルテニウムが形成されていれば良く、結晶子径が20nmを超えた酸化ルテニウム粉末を使用すると、得られるルテニウム酸ビスマス粉末の結晶子径が100nmより大きくなる傾向がある。   In the method for producing bismuth ruthenate powder according to the present invention, ruthenium oxide having a crystallite diameter of 20 nm or less may be formed before the ruthenium source and the bismuth source react, and the ruthenium oxide having a crystallite diameter exceeding 20 nm. When the powder is used, the crystallite diameter of the obtained bismuth ruthenate powder tends to be larger than 100 nm.

ビスマスソースとしては、酸化物換算で酸化ビスマス(Bi)が80質量%以上配合されたガラス性物質を用いる。
ガラス性物質なので、ガラス転移を備えることは要さない。ガラス性物質の一例としてビスマスガラスフリットを使用することが望ましい。ビスマスガラスフリットを用いることで、後述の溶融熱処理で溶融したガラスになり、ルテニウム酸ビスマス粒子を析出させることができ、さらに、その後の粒子成長の抑制が可能である。
酸化ビスマス(Bi)が80質量%未満では、溶融熱処理においてルテニウムソースとの反応が進行せず、ルテニウム酸ビスマスが析出しないためである。
As the bismuth source, a glassy material in which bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is blended by 80% by mass or more in terms of oxide is used.
Since it is a glassy substance, it is not necessary to provide a glass transition. It is desirable to use bismuth glass frit as an example of a glassy substance. By using the bismuth glass frit, it becomes glass melted by the below-described melting heat treatment, whereby the bismuth ruthenate particles can be precipitated, and further the growth of the particles can be suppressed.
This is because if the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is less than 80% by mass, the reaction with the ruthenium source does not proceed in the melt heat treatment, and bismuth ruthenate does not precipitate.

ビスマスガラスフリットの組成としては、酸化ビスマス(Bi)が80質量%以上配合されていればよく、酸化亜鉛(ZnO)5〜15質量%、酸化ホウ素(B)5〜15質量%、酸化ケイ素(SiO)や酸化アルミニウム(Al)を含有させることができる。
このようなビスマスガラスフリットの組成であれば、ルテニウム酸ビスマス粒子が析出してガラス中のビスマス原子がルテニウム酸ビスマス粒子の析出に消費されていても、次工程の第2の工程で硝酸などの酸に溶解する。
As composition of bismuth glass frit, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) may be blended in an amount of 80% by mass or more, zinc oxide (ZnO 2 ) 5 to 15% by mass, boron oxide (B 2 O 3 ) 5 to 5%. 15% by mass, silicon oxide (SiO 2 ) and aluminum oxide (Al 2 O 3 ) can be contained.
With such a composition of bismuth glass frit, even if bismuth ruthenate particles are precipitated and bismuth atoms in the glass are consumed for precipitation of bismuth ruthenate particles, nitric acid or the like is used in the second step of the next step. Dissolve in acid.

ビスマスガラスフリットの軟化点は450℃以下であり、望ましくは、300℃〜450℃であり、さらに好ましくは350℃〜450℃である。
軟化点が450℃より高いとガラスが十分に軟化されずガラス中へのルテニウム酸ビスマスの析出反応が十分に進行しない。なお、軟化点は、大気雰囲気下で昇温速度10℃/分の条件による熱重量・示差熱分析(TG−DTA)で測定して評価したものである。
また、ルテニウムソースに不定形酸化ルテニウム水和物を用いる場合、不定形酸化ルテニウムから酸化ルテニウムへ変化する際の水の除去を考慮すると、ガラスの軟化点は350℃〜450℃がさらに好ましい。
The softening point of the bismuth glass frit is 450 ° C. or lower, desirably 300 ° C. to 450 ° C., more preferably 350 ° C. to 450 ° C.
If the softening point is higher than 450 ° C., the glass is not sufficiently softened and the precipitation reaction of bismuth ruthenate in the glass does not proceed sufficiently. In addition, a softening point is measured and evaluated by thermogravimetric / differential thermal analysis (TG-DTA) under conditions of a heating rate of 10 ° C./min in an air atmosphere.
In addition, when amorphous ruthenium oxide hydrate is used for the ruthenium source, the softening point of the glass is more preferably 350 ° C. to 450 ° C. in consideration of the removal of water when changing from amorphous ruthenium oxide to ruthenium oxide.

ビスマスガラスフリットは、上記例示した酸化物を上記配合比で調合し、擂潰機(らいかいき)等で機械的混合をしたのち、白金るつぼ等に入れて焼成炉に装入し、約900℃で溶融させてガラスカレットを得た後、急冷することによってガラス化を行う。そのガラス化したものをクラッシュミル等で粗粉砕し、ボールミル等で微粉砕することで得られる。
ガラスフリットのレーザー回折を利用した粒度分布計の50%体積累計粒度は10μm以下、好ましくは5μm以下が望ましい。10μmよりも大きいとルテニウムソースと混合した時に均一になりにくく、その後の熱処理で生成粒子が偏析化しやすい。
The bismuth glass frit is prepared by mixing the above-exemplified oxides with the above-mentioned mixing ratio, mechanically mixing them with a crusher or the like, and then putting them in a platinum crucible or the like and charging them into a firing furnace. After melting at 0 ° C. to obtain glass cullet, vitrification is performed by rapid cooling. The vitrified product is roughly pulverized with a crush mill or the like and finely pulverized with a ball mill or the like.
The 50% volume cumulative particle size of the particle size distribution meter using laser diffraction of glass frit is 10 μm or less, preferably 5 μm or less. When it is larger than 10 μm, it is difficult to be uniform when mixed with the ruthenium source, and the generated particles are easily segregated by the subsequent heat treatment.

(熔融熱処理)
ルテニウムソースの不定形ルテニウム水和物または酸化ルテニウム粉末と、ビスマスガラスフリットを、既知の方法で混合する。擂潰機等の機械式乾式混合装置を使用して混合粉末にすることができる。より均一な混合の方法としてはビスマスガラスのボールミルでの微粉砕の際に、同時に上記ルテニウム化合物を添加して混合処理しても良い。
(Melting heat treatment)
Ruthenium source amorphous ruthenium hydrate or ruthenium oxide powder and bismuth glass frit are mixed in a known manner. It can be made into a mixed powder using a mechanical dry mixing device such as a grinder. As a more uniform mixing method, the ruthenium compound may be added and mixed at the same time when pulverizing with a ball mill of bismuth glass.

不定形ルテニウム水和物または酸化ルテニウム粉末と、ビスマスガラスフリットの配合比は、乾燥粉末比でガラスフリットを70重量%以上とする。ガラスフリットが70重量%より少なくなると、ガラスによるルテニウム酸ビスマス粒子焼結抑制効果が小さくなり、凝集粒子の発生や粗大化が顕著となる。   The mixing ratio of the amorphous ruthenium hydrate or ruthenium oxide powder and the bismuth glass frit is such that the glass frit is 70% by weight or more in terms of the dry powder ratio. When the glass frit is less than 70% by weight, the effect of suppressing the sintering of bismuth ruthenate particles by the glass becomes small, and the generation and coarsening of aggregated particles become remarkable.

調合された混合物粉末を、例えばアルミナるつぼに入れ、焼成炉に装入し、大気雰囲気等の酸素を含んだ雰囲気下で600℃〜750℃で溶融熱処理する。
その熔融熱処理保持時間は30分から2時間程度で良く、バッチサイズを加味し生成物の反応の終了を目安として設定すればよい。
熔融熱処理温度は、高くなるほどルテニウム酸ビスマス粒子の結晶子径が大きくなる傾向を示す。600℃未満ではルテニウム酸ビスマスは十分に生成せず、750℃を超えると結晶子径が100nm以上となる。
The prepared mixture powder is put in, for example, an alumina crucible, charged in a firing furnace, and melt-heat treated at 600 ° C. to 750 ° C. in an atmosphere containing oxygen such as an air atmosphere.
The melt heat treatment holding time may be about 30 minutes to 2 hours, and may be set by taking the batch size into consideration and setting the end of the reaction of the product as a guide.
As the melting heat treatment temperature increases, the crystallite size of the bismuth ruthenate particles tends to increase. When the temperature is lower than 600 ° C., bismuth ruthenate is not sufficiently formed. When the temperature exceeds 750 ° C., the crystallite diameter becomes 100 nm or more.

[第2の工程]
ガラス性物質の中に析出したルテニウム酸ビスマス粒子を取り出す第2の工程について説明する。
[Second step]
The second step of taking out the bismuth ruthenate particles precipitated in the glassy substance will be described.

(酸洗浄)
焼成炉からるつぼを取り出し冷却する。るつぼごと水中に投入急冷すると、るつぼから溶融物を、例えばガラスカレットとして容易に回収することができる。
回収した溶融物を、濃度30%以下の希硝酸水溶液で溶解する。
デカンテーションで固液分離し、希硝酸水溶液で酸洗浄し、ガラス成分を除去する。
その後濾過し、洗浄を複数回繰り返して硝酸を除去し、取り出した粒子を濾過分離し、乾燥することで、結晶子径が20nm〜100nmのルテニウム酸ビスマス粉末を得ることができる。
(Acid cleaning)
Remove the crucible from the firing furnace and cool. When the crucible and the water are rapidly cooled, the melt can be easily recovered from the crucible, for example, as glass cullet.
The recovered melt is dissolved in a dilute nitric acid aqueous solution having a concentration of 30% or less.
Solid-liquid separation by decantation, acid cleaning with dilute nitric acid aqueous solution to remove glass components.
Thereafter, filtration and washing are repeated a plurality of times to remove nitric acid, and the taken out particles are separated by filtration and dried to obtain a bismuth ruthenate powder having a crystallite diameter of 20 nm to 100 nm.

(ルテニウム酸ビスマス粉末)
本発明に係るルテニウム酸ビスマス粉末製造方法で得られたルテニウム酸ビスマス粉末、すなわち本発明に係るルテニウム酸ビスマス粉末は、粉末X線回折で同定される化学式がBiRu、BiRu6.92、Bi1.9Ru6.922、Bi1.87Ru6.903、BiRu7.3、BiRu11のいずれかの単相であり、FE−SEM画像(電界放出形走査電子顕微鏡)から求めたルテニウム酸ビスマス粉末を構成する各粒子の平均粒子径が20nm以上、100nm以下であり、粉末X線回折での(111)面のピークから求めた半価幅が0.16〜0.48°の範囲にあり、半価幅から求められる結晶子径が20nm〜100nmである。
すなわち、FE−SEM画像から求めた平均粒子径と結晶子径がほぼ同等であることは、ルテニウム酸ビスマス粉末が単結晶であることを意味する。
(Busmuth ruthenate powder)
The bismuth ruthenate powder obtained by the method for producing bismuth ruthenate powder according to the present invention, that is, the bismuth ruthenate powder according to the present invention has a chemical formula identified by powder X-ray diffraction of Bi 2 Ru 2 O 7 and Bi 2 Ru. One phase of any of 2 O 6.92 , Bi 1.9 Ru 2 O 6.922 , Bi 1.87 Ru 2 O 6.903 , Bi 2 Ru 2 O 7.3 , Bi 3 Ru 3 O 11 Yes, the average particle diameter of each particle constituting the bismuth ruthenate powder determined from the FE-SEM image (field emission scanning electron microscope) is 20 nm or more and 100 nm or less, and the (111) plane in powder X-ray diffraction The half width determined from the peak is in the range of 0.16 to 0.48 °, and the crystallite diameter determined from the half width is 20 nm to 100 nm.
That is, the fact that the average particle diameter and the crystallite diameter obtained from the FE-SEM image are substantially equal means that the bismuth ruthenate powder is a single crystal.

ところで、厚膜抵抗体として導電パスを形成する役割を担う導電粒子においては、その良好な電気特性を得るためにSEM観察などによる平均粒子径は100nm以下に制御する必要があり、更にばらつきの無い電気特性を得るためにはより均一で単分散な導電粒子が求められている。
平均粒径が100nmを超えると、導電パスが十分に形成されず、抵抗値が異常に高くなるなど、抵抗特性が十分に得られなくなる。粒子径が20nmより細かい場合、抵抗特性は良好であるが、比表面積の増大による粉末活性が大きくなり、ペーストの粘度安定性に問題を生じることがある。20〜100nmの単結晶単分散粒子とすることで、分散性、安定性に優れた導電粒子を得ることができる。
By the way, in the conductive particles that play the role of forming a conductive path as a thick film resistor, it is necessary to control the average particle diameter by SEM observation or the like to 100 nm or less in order to obtain good electrical characteristics, and there is no variation. In order to obtain electrical characteristics, more uniform and monodispersed conductive particles are required.
When the average particle diameter exceeds 100 nm, the conductive path is not sufficiently formed, and the resistance value becomes abnormally high, for example, the resistance characteristics cannot be sufficiently obtained. When the particle diameter is finer than 20 nm, the resistance characteristic is good, but the powder activity due to the increase of the specific surface area becomes large, which may cause a problem in the viscosity stability of the paste. By using single crystal monodispersed particles of 20 to 100 nm, conductive particles excellent in dispersibility and stability can be obtained.

これまで、本発明に係るルテニウム酸ビスマスの製造方法を中心に本発明を説明してきた。以下に、本発明の効果を、従来技術との対比で説明する。
特許文献2および3に開示されたルテニウム酸ビスマスの製造方法では、粒子サイズを100nm以下にするために、ボールミルやビーズミル等の機械的粉砕を加える必要があり、それに掛る長時間の粉砕、粉砕装置の摩耗による不純物の混合が避けられない。さらに、機械的粉砕でルテニウム酸ビスマス粉末の結晶にダメージを与え、多結晶のルテニウム酸ビスマス粉末となってしまう。
So far, the present invention has been described mainly on the method for producing bismuth ruthenate according to the present invention. Below, the effect of this invention is demonstrated by contrast with a prior art.
In the method for producing bismuth ruthenate disclosed in Patent Documents 2 and 3, it is necessary to add mechanical pulverization such as a ball mill or a bead mill in order to reduce the particle size to 100 nm or less. Impurities are inevitable due to wear. Further, mechanical pulverization damages the crystals of the bismuth ruthenate powder, resulting in polycrystalline bismuth ruthenate powder.

また、特許文献4に開示の方法も共沈粉を焙焼する点で同様であり、ルテニウムとビスマスを含んだ共沈粉は焙焼工程で粒子成長が起こりやすく、1μmを超える粗大粒子が生成しやすいなどの問題があった。すなわちこのような焙焼法では、焼成時に粒子の物理的接触がある以上、サイズの揃ったルテニウム酸ビスマス粒子を得ることは困難である。
このように、本発明に係るルテニウム酸ビスマスの製造方法によれば、結晶子径が20nm〜100nmの単結晶のルテニウム酸ビスマス粉末が得られる。
The method disclosed in Patent Document 4 is the same in that the coprecipitated powder is roasted, and the coprecipitated powder containing ruthenium and bismuth is likely to undergo particle growth in the roasting process, and coarse particles exceeding 1 μm are generated. There were problems such as easy to do. That is, with such a roasting method, it is difficult to obtain bismuth ruthenate particles having a uniform size as long as there is physical contact between the particles during firing.
Thus, according to the method for producing bismuth ruthenate according to the present invention, single crystal bismuth ruthenate powder having a crystallite diameter of 20 nm to 100 nm can be obtained.

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で
用いたFE−SEM平均粒径、比表面積、組織及び結晶性の測定方法と結晶子径の算出方法については以下の通りである。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples. In addition, it is as follows about the measuring method of the FE-SEM average particle diameter used by the Example and the comparative example, the specific surface area, a structure | tissue, and crystallinity, and the calculation method of a crystallite diameter.

(1)ルテニウム酸ビスマス粉末の平均粒径の測定:
日立製 SEM S−4800 FE−SEM装置を用いて粒子形状を観察、十万倍の視野から粒子100個をランダムに測長し、FE−SEM平均粒径とした。
(2)比表面積:
Mounteh製 Macsorb HM Model−1208を用いてBET一点法により、比表面積を求めた。脱気条件は、温度200℃で30min間とした。
(3)焙焼物の組織の同定:
X線回折装置 X‘Pert−Pro(PANalytical)装置を用いて同定を行った。
(4)結晶性(半値幅):
X線回折装置 X‘Pert−Pro(PANalytical)装置を用いて、酸化ルテニウム(110)面、ルテニウム酸ビスマスの(111)面のピーク半価幅を求めた。
(5)結晶子径:
上記(4)で求めた回折線半値幅を元に、シェラーの式を用いて(111)面の結晶子径を算出した。算出には、標準試料として結晶質のSi粉末を用いた。
(1) Measurement of average particle size of bismuth ruthenate powder:
The particle shape was observed using a Hitachi SEM S-4800 FE-SEM apparatus, and 100 particles were randomly measured from a field of view of 100,000 times to obtain an FE-SEM average particle diameter.
(2) Specific surface area:
Specific surface area was determined by the BET single point method using a Macsorb HM Model-1208 manufactured by Mounteh. The degassing conditions were a temperature of 200 ° C. and a duration of 30 minutes.
(3) Identification of the structure of the roasted product:
X-ray diffraction apparatus Identification was performed using an X'Pert-Pro (PANallytical) apparatus.
(4) Crystallinity (half width):
X-ray diffractometer The peak half-value width of the ruthenium oxide (110) plane and the (111) plane of bismuth ruthenate was determined using an X'Pert-Pro (PANallytical) apparatus.
(5) Crystallite diameter:
Based on the half-width of the diffraction line obtained in (4) above, the crystallite diameter of the (111) plane was calculated using Scherrer's equation. For the calculation, crystalline Si powder was used as a standard sample.

本発明の実施例、比較例に使用したルテニウム化合物を表1に示した。
「R−1」は、金属ルテニウム粉末を次亜塩素酸ナトリウム溶液と水酸化カリウム溶液で溶解し、硝酸を添加して得られた不定形酸化ルテニウム水和物乾燥体である。
「R−2」は、上記「R−1」を400℃で焙焼した酸化ルテニウム粉末である。
「R−3」は、上記「R−1」を850℃で焙焼した酸化ルテニウム粉末である。
XRD解説(110)面にて結晶子径を確認したところ、「R−1」は不定形、「R−2」は15nm、「R−3」は22nmであった。
The ruthenium compounds used in the examples and comparative examples of the present invention are shown in Table 1.
“R-1” is a dried amorphous ruthenium oxide hydrate obtained by dissolving metal ruthenium powder in a sodium hypochlorite solution and a potassium hydroxide solution and adding nitric acid.
“R-2” is a ruthenium oxide powder obtained by baking the above “R-1” at 400 ° C.
“R-3” is a ruthenium oxide powder obtained by baking the above “R-1” at 850 ° C.
When the crystallite diameter was confirmed on the XRD explanation (110) plane, “R-1” was amorphous, “R-2” was 15 nm, and “R-3” was 22 nm.

本発明の実施例、比較例に使用したビスマス含有ガラスフリットの組成を表2に示した。
「G−1」から「G−5」までの組成とガラス軟化点を示す。
Table 2 shows the compositions of the bismuth-containing glass frit used in Examples and Comparative Examples of the present invention.
The compositions from “G-1” to “G-5” and the glass softening point are shown.

ルテニウム化合物粉末10重量%と、ビスマス含有ガラスフリット90重量%を計量し、擂潰機q1を用いて2時間混合し、アルミナるつぼに投入して焼成炉により表3に記載の焙焼温度で2時間保持の溶融熱処理を行い、その後炉から取り出して水に投入して急冷した。焙焼雰囲気は大気である。   10% by weight of ruthenium compound powder and 90% by weight of glass frit containing bismuth are weighed, mixed for 2 hours using a crusher q1, put into an alumina crucible, and heated at a roasting temperature shown in Table 3 in a firing furnace. The melt heat treatment was carried out for a period of time, then removed from the furnace, put into water and quenched. The roasting atmosphere is air.

回収した溶融物を、20%硝酸水溶液でガラス質を溶解した。
デカンテーションで固液分離し、5%硝酸水溶液で酸洗浄、濾過し、温水での洗浄を所定回繰り返して粉末を濾過分離した。これを110℃で乾燥して粉末を得た。
その後、上記に示した特性の評価を行い、その結果を表3、図1、図2に示す。
図1、図2は、実施例1で得たルテニウム酸ビスマス粒子のFE−SEM画像(図1)とXRD回折結果(図2)を示すものである。
以下、実施例1と実施条件を変えた結果について記載する。
The recovered melt was dissolved in glass with a 20% aqueous nitric acid solution.
Solid-liquid separation by decantation, acid washing with 5% nitric acid aqueous solution and filtration, and washing with warm water were repeated a predetermined number of times to separate the powder by filtration. This was dried at 110 ° C. to obtain a powder.
Thereafter, the above characteristics were evaluated, and the results are shown in Table 3, FIG. 1 and FIG.
1 and 2 show an FE-SEM image (FIG. 1) and XRD diffraction results (FIG. 2) of bismuth ruthenate particles obtained in Example 1. FIG.
Hereinafter, the results obtained by changing the implementation conditions from Example 1 will be described.

ガラスフリットを「G−2」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で実施例2に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
A sample material according to Example 2 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the glass frit was changed to “G-2”.
The results are summarized in Table 3.

ルテニウム化合物を「R−2」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で実施例3に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
A test material according to Example 3 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the ruthenium compound was changed to “R-2”.
The results are summarized in Table 3.

焙焼温度を「600℃」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で実施例4に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
A test material according to Example 4 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the roasting temperature was changed to “600 ° C.”.
The results are summarized in Table 3.

焙焼温度を「650℃」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で実施例5に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
A test material according to Example 5 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the roasting temperature was changed to “650 ° C.”.
The results are summarized in Table 3.

焙焼温度を「750℃」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で実施例6に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
A test material according to Example 6 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the roasting temperature was changed to “750 ° C.”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例1)
ガラスフリットを「G−3」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例1に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 1)
A sample material according to Comparative Example 1 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the glass frit was changed to “G-3”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例2)
ガラスフリットを「G−4」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例2に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 2)
A test material according to Comparative Example 2 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the glass frit was changed to “G-4”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例3)
ガラスフリットを「G−5」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例3に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 3)
A test material according to Comparative Example 3 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the glass frit was changed to “G-5”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例4)
ルテニウム化合物を「R−3」に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例4に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 4)
A test material according to Comparative Example 4 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the ruthenium compound was changed to “R-3”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例5)
焙焼温度を「550℃」と低温に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例5に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 5)
A test material according to Comparative Example 5 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the roasting temperature was changed to a low temperature of “550 ° C.”.
The results are summarized in Table 3.

(比較例6)
焙焼温度を「800℃」と高温に変えた以外は、実施例1と同じ条件で比較例6に係る供試材を得て、評価を行った。
その結果を纏めて表3に示す。
(Comparative Example 6)
A test material according to Comparative Example 6 was obtained and evaluated under the same conditions as in Example 1 except that the roasting temperature was changed to a high temperature of “800 ° C.”.
The results are summarized in Table 3.

表1〜表3で、明らかなように、本発明に係るルテニウム紛末は以下に示す効果を有するものである。   As is clear from Tables 1 to 3, the ruthenium powder according to the present invention has the following effects.

1)ビスマス含有ガラスの選択
実施例1〜2、比較例1〜3では、ビスマス含有ガラスの組成、軟化点の影響を示している。
実施例1〜2に使用したガラスフリット「G−1」、「G−2」では、ルテニウム酸ビスマスの生成が確認されたが、比較例1〜3に使用したガラスフリット「G−3」、「G−4」、「G−5」では、酸洗浄後の回収粉末のXRD回折からいずれもRuOが同定され、ルテニウム酸ビスマスの生成が確認されなかった。
1) Selection of bismuth-containing glass Examples 1-2 and Comparative Examples 1-3 show the effects of the composition and softening point of bismuth-containing glass.
In the glass frits “G-1” and “G-2” used in Examples 1 and 2, the production of bismuth ruthenate was confirmed, but the glass frit “G-3” used in Comparative Examples 1 to 3, In “G-4” and “G-5”, RuO 2 was identified from the XRD diffraction of the recovered powder after acid washing, and the production of bismuth ruthenate was not confirmed.

2)ルテニウム化合物の選択
実施例1、3、比較例4では、ルテニウム化合物を変えた時の影響を示している。
実施例1、3では、結晶子径が20〜100nmの範囲のルテニウム酸ビスマスが生成されたが、比較例4では酸化ルテニウムの結晶子径が20nmを超えたものを使用した結果、粒子サイズが大きくなり、結晶子径が100nmを超える粒子となった。
2) Selection of ruthenium compound Examples 1, 3 and Comparative Example 4 show the effect of changing the ruthenium compound.
In Examples 1 and 3, bismuth ruthenate having a crystallite diameter in the range of 20 to 100 nm was produced, but in Comparative Example 4, as a result of using a ruthenium oxide crystallite diameter exceeding 20 nm, the particle size was As a result, the crystallite diameter exceeded 100 nm.

3)熔融熱処理温度の影響
実施例1、4〜6、比較例5〜6では、熔融熱処理温度の影響について示している。
比較例5に示す通り熔融熱処理温度である焙焼温度が550℃においては、ルテニウム酸ビスマスの生成が確認されず、未反応の酸化ルテニウムが確認された。
一方比較例6に示す通り、焙焼温度が700℃を超えると急激にルテニウム酸ビスマスの粒子成長が促進され、結晶子径が329nmと大きくなり、平均粒径も約1μmと粗大化した。
3) Influence of melt heat treatment temperature Examples 1, 4 to 6 and Comparative Examples 5 to 6 show the influence of the melt heat treatment temperature.
As shown in Comparative Example 5, when the roasting temperature, which is the melting heat treatment temperature, was 550 ° C., the formation of bismuth ruthenate was not confirmed, and unreacted ruthenium oxide was confirmed.
On the other hand, as shown in Comparative Example 6, when the roasting temperature exceeded 700 ° C., the particle growth of bismuth ruthenate was rapidly promoted, the crystallite size increased to 329 nm, and the average particle size became coarser to about 1 μm.

Claims (6)

ルテニウム酸ビスマス粉末製造方法であって、
ルテニウム化合物粉末とビスマス酸化物を80質量%以上含有するガラス性物質粉末を混合し、酸素を含有する雰囲気下で600℃〜750℃で熔融熱処理してガラス性物質中にルテニウム酸ビスマス粒子を析出させた溶融熱処理物を形成する第1の工程と、
前記熔融熱処理物を、酸で溶解してルテニウム酸ビスマス粒子を分離する第2の工程と、
を含むことを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法。
A method for producing bismuth ruthenate powder,
Ruthenium compound powder and glassy material powder containing 80% by mass or more of bismuth oxide are mixed, and heat treatment is performed at 600 ° C. to 750 ° C. in an atmosphere containing oxygen to precipitate bismuth ruthenate particles in the glassy material. A first step of forming a molten heat-treated product,
A second step of dissolving the melt heat-treated product with an acid to separate bismuth ruthenate particles;
The manufacturing method of the bismuth ruthenate powder characterized by including.
前記ガラス性物質粉末が、軟化点が450℃以下のビスマスガラスフリットであることを特徴とする請求項1に記載のルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法。   The method for producing a bismuth ruthenate powder according to claim 1, wherein the vitreous substance powder is a bismuth glass frit having a softening point of 450 ° C or lower. 前記ビスマスガラスフリットが、軟化点が300℃以上、450℃以下であることを特徴とする請求項2に記載のルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法。   The method for producing bismuth ruthenate powder according to claim 2, wherein the bismuth glass frit has a softening point of 300 ° C or higher and 450 ° C or lower. 前記ルテニウム化合物粉末が、不定形酸化ルテニウム水和物粉末、または、粉末X線回折での(110)面のピークから求めた結晶子径が20nm以下の酸化ルテニウム粉末であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のルテニウム酸ビスマス粉末の製造方法。   The ruthenium compound powder is an amorphous ruthenium oxide hydrate powder or a ruthenium oxide powder having a crystallite diameter of 20 nm or less determined from a peak of (110) plane in powder X-ray diffraction. Item 4. The method for producing bismuth ruthenate powder according to any one of Items 1 to 3. 粉末X線回折での(111)面のピークから求めた半価幅が、0.16〜0.48°の範囲にあり、結晶子径が20nm以上、100nm以下であることを特徴とするルテニウム酸ビスマス粉末。   Ruthenium having a half width determined from a peak of (111) plane in powder X-ray diffraction in a range of 0.16 to 0.48 ° and a crystallite diameter of 20 nm or more and 100 nm or less Bismuth acid powder. 前記ルテニウム酸ビスマス粉末のFE−SEM画像から求められる平均粒子径が、20nm以上、100nm以下であることを特徴とする請求項5に記載のルテニウム酸ビスマス粉末。   6. The bismuth ruthenate powder according to claim 5, wherein an average particle size obtained from an FE-SEM image of the bismuth ruthenate powder is 20 nm or more and 100 nm or less.
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