JP2018160214A - ペン入力装置、ペン入力装置用基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は入力ペンによる書き味が優れるペン入力装置用基板などを提供する。【解決手段】ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用基板であって、少なくとも一方の主面に複数の窪み部を有し、前記各々の窪み部の最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、前記各々の窪み部の円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、ペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法に関する。

従来より、入力ペンを用いて文字及び図形等の入力を行うことができるペン入力装置が知られている。
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等のディスプレイ装置の前面側にガラス基板等で構成される透明なカバー部材が配置されており、このカバー部材に対して入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、一般的にガラス基板の表面は凹凸が小さく滑らかに形成されているため、ガラス基板の表面に入力ペンを接触させて移動した場合にペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。

例えば特許文献１には、ペン入力装置における入力ペンの書き味を高めるために、マンテンス硬さが２０００Ｎ／ｍｍ^２〜４０００Ｎ／ｍｍ^２の範囲であり、表面において、１５０ｇｆの荷重を受けた移動部材を、室温で１０ｍｍ／秒の速度で一方向に移動させたとき、動摩擦力Ｆ_ｋ（Ｎ）と時間の関係が直線で近似される領域における動摩擦係数μ_ｋが０．１４以上０．５０以下であり、標準偏差σ（Ｎ）が０．０３以下であるカバーガラスが開示されている。

ＷＯ２０１５／０７２２９７ Ａ１

しかし、カバーガラス表面の硬さや動摩擦係数を所定の範囲にする方法では、書き味を向上させるにも限界があった。

本発明は、入力ペンによる書き味が優れるペン入力装置、ペン入力装置用基板及びその製造方法を提供するものである。

上記課題を解決するペン入力装置、ペン入力装置用基板及びその製造方法は、以下の特徴を有する。
即ち、本発明に係るペン入力装置用基板は、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用基板であって、少なくとも一方の主面に複数の窪み部を有し、前記各々の窪み部の最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、前記各々の窪み部の円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である。
このような構成により、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、前記窪み部のアスペクト比（窪み部の最大谷深さ／窪み部の円相当平均直径）の平均値が０．０１〜１である。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができるとともに、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。

また、ヘイズが、可視光の波長域において１０％未満である。
これにより、基板の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。

また、ペン入力装置は、請求項１〜請求項３の何れか一項に記載されるペン入力装置用基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える。
これにより、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、ペン入力装置は、前記ペン入力装置用基板の主面に接触しながら移動することにより、ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備える。
このような構成により、入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用基板の製造方法であって、ガラス基板の少なくとも一方の主面にパターン形成処理を施したのち、エッチング処理を施す。
これにより、ペン入力装置における入力ペンの書き味の良いペン入力装置用基板を得ることができる。

また、前記パターン形成処理及びエッチング処理を施すことにより、前記ペン入力装置用基板の少なくとも一方の主面に、最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である複数の窪み部を形成する。
これにより、ペン入力装置における入力ペンの書き味が優れたペン入力装置用ガラス基板を得ることができる。

本発明によれば、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

ペン入力装置を示す概略側面断面図である。 （ａ）ガラス基板の平面図、及び（ｂ）ガラス基板２０の平面図及びＡ−Ａ断面図である。 窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値を説明するための図である。 窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値を説明するための図である。 ガラス基板２０の主面２０ａの走査型電子顕微鏡による観察写真及びこれに基づく窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値の測定例を示す図である。 ガラス基板２０の製造方法について説明するための図である。

次に、本発明に係るペン入力装置、ペン入力装置用基板及びその製造方法を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。

図１に示すペン入力装置１０は、本発明に係るペン入力装置用基板を備えたペン入力装置の一実施形態である。
ペン入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置３０と、ディスプレイ装置３０の前面側に配置されるペン入力装置用基板としてのガラス基板２０と、ディスプレイ装置３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０と、入力ペン５０とを備える。ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用基板の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
なお、ディスプレイ装置３０の「前面側」とは、映像が表示される側をいい、ディスプレイ装置３０の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側をいう。

ペン入力装置１０は、ガラス基板２０に対して入力ペン５０を接触させた状態で移動させることにより、文字及び図形などの入力を行うことが可能となっている。
ペン入力装置１０は、例えばタブレット端末である。このタブレット端末は、表示機能とペン入力機能とを備えたペン入力用表示装置を広く意味する。タブレット端末は、タブレットＰＣ、モバイルＰＣ、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含む。

ガラス基板２０は、少なくとも一方の主面２０ａに窪み部が形成された透明なガラス板により形成されている。ガラス基板２０としては、例えばアルミノシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等からなるガラス板を用いることができる。ガラス基板２０がアルカリガラスからなるガラス板である場合、ガラス基板２０は、表面に化学強化層を有していても良い。ガラス基板２０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度が好ましい。なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。

ディスプレイ装置３０は、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、及び有機ＥＬディスプレイなどの公知の表示パネルにて構成されている。ディスプレイ装置３０においては、ガラス基板２０は、窪み部が形成された主面２０ａが入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。

デジタイザ回路４０は、入力ペン５０による入力を検出する検出センサを備えている。
入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力具であり、ガラス基板２０と接触するペン先５１は、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、又はフェルトなどで構成されている。これらの部材により構成されたペン先５１は、窪み部に対して引っかかりやすい。従って、入力ペン５０のペン先５１を、窪み部が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。

次に、ガラス基板２０について説明する。
図２に示すように、ガラス基板２０の主面２０ａには、複数の窪み部２０ｂが形成されている。そして、窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である。

ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値及び窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値が、このような範囲であることにより、ペン入力装置１０においては、入力ペン５０の書き味を向上させることが可能となっている。
また、形成された窪み部２０ｂによる散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラつきの発生を抑えることができる。

また、ガラス基板２０の主面２０ａは、上述のエラストマー、ポリアセタール樹脂などの樹脂材、及びフェルトなどといった窪み部に対して引っかかりを生じやすい部材で構成されているペン先５１に対して書き味が特に優れたものとなっている。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値の下限値は０．１μｍに設定されているが、０．５μｍに設定することが好ましく、１μｍに設定することがさらに好ましい。
また、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値の上限値は１０μｍに設定されているが、９μｍに設定することが好ましく、８μｍに設定することがさらに好ましい。

また、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値の標準偏差は、０．０１以上かつ１以下であることが好ましい。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値の下限値は０．５μｍに設定されているが、１μｍに設定することが好ましい。
本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの平均直径の平均値の上限値は１００μｍに設定されているが、９０μｍに設定することが好ましい。

また、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂの最円相当平均直径の平均値の標準偏差は、０．０５以上かつ１０以下であることが好ましい。

また、（窪み部の最大谷深さ／窪み部の円相当平均直径）であるアスペクト比の平均値は、０．０１〜１であることが好ましい。

このように、ペン入力装置１０においては、ガラス基板２０の主面２０ａにおける窪み部２０ｂのアスペクトの平均値が上述の範囲内となっているため、ペン入力装置１０に対する入力を行う入力ペン５０の書き味を優れたものとすることができるとともに、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂによる散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるぎらつきの発生を抑えることができる。また、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおけるアスペクト比の平均値の下限値は０．０１に設定されているが、０．０５に設定することが好ましい。
本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおけるアスペクト比の平均値の上限値は１に設定されているが、０．９に設定することが好ましい。

窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値及び円相当平均直径の平均値は以下の通り定義される。図３は、ガラス基板２０の主面２０ａに３つの窪み部２０ｂを有する。各々の窪み部２０ｂ最大谷深さは、それぞれ、Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３であり、最大谷深さの平均値は、（Ｄ_１＋Ｄ_２＋Ｄ_３）／３である。なお、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂの数が１ｍｍ^２あたり１０個以上と多い場合、各々の窪み部２０ｂの最大谷深さを求めて最大谷深さの平均値を求めることは困難であるため、主面２０ａ、１ｍｍ^２あたりにおいて、任意の５個の窪み部２０ｂの最大谷深さを求め、これらの平均値を、最大谷深さの平均値とする。

図４は、主面２０ａに３つの窪み部２０ｂを有するガラス基板２０を示している。両端側の窪み部２０ｂの周縁部は、平面視で円形であり、中央の窪み部２０ｂの周縁部は、平面視で楕円形である。窪み部２０ｂが平面視で円形である場合、円相当平均直径は、円の直径となり、それぞれＬ_１、Ｌ_３である。一方、窪み部２０ｂが平面視で円形でない場合、円相当平均直径は、ガラス基板２０の主面２０ａの平面視における当該窪み部２０ｂの面積を求め、その面積を有する円を想定した場合における、当該円の直径を表す。図３の中央の窪み部２０ｂの場合、点線で示した円が、当該窪み部２０ｂの面積と等しい円であり、この円の直径Ｌ_２が円相当平均直径である。円相当平均直径の平均値は、（Ｌ_１＋Ｌ_２＋Ｌ_３）／３である。なお、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂの数が１ｍｍ^２あたり１０個以上と多い場合、各々の窪み部２０ｂの円相当平均直径を求めて円相当平均直径の平均値を求めることは困難であるため、主面２０ａ、１ｍｍ^２あたりにおいて、任意の５個の窪み部２０ｂの円相当平均直径を求め、これらの平均値を、円相当平均直径の平均値とする。

窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値及び円相当平均直径の平均値は、以下のように測定される。窪み部２０ｂの円相当平均直径の平均値は、ガラス基板２０の主面２０ａを、走査型電子顕微鏡で観察し（観察倍率２００〜３０００倍、任意の５個の窪み部２０ｂの円相当直径を測定することにより求められる。例えば、図５の場合、窪み部２０ｂの円相当平均直径は約７０μｍである。窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値は、ガラス基板２０を任意に切断し、当該切断面を、走査型電子顕微鏡で観察し（観察倍率２００〜３０００倍、任意の５個の窪み部２０ｂの円相当直径を測定することにより求められる。

ガラス基板２０は、ディスプレイ装置３０の映像をガラス基板２０を介して見たときの映像の解像度の観点から、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが、可視光の波長域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において１０％未満となるように形成されている。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０のヘイズは１０％未満に設定されているが、７％未満であることが好ましく、５％未満であることがより好ましく、４％未満であることがさらに好ましい。

また、ガラス基板２０の主面２０ａには、入力ペンが接触する側の反射率を低下させるための反射防止膜、又は指紋の付着を防止し、撥水性、撥油性を付与するための防汚膜を形成することができる。

反射防止膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバーガラスとして使用する場合には、少なくともガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに有する。また、ガラス基板２０とディスプレイ装置３０との間に隙間がある場合には、ガラス基板２０の裏側（ディスプレイ装置３０側）の主面２０ａにも反射防止膜を有することが好ましい。
反射防止膜としては、例えばガラス基板２０よりも屈折率が低い低屈折率膜、又は相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、又はＣＶＤ法などにより形成することができる。

ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜の表面の窪み部２０ｂが上述の窪み部２０ｂの平均深さ及び平均直径が上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂが形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂが形成される。

防汚膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバーガラスとして使用する場合には、ガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに有する。
防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−ユニットを有し、かつ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
ガラス基板２０の表側の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合には、ガラス基板２０の主面２０ａ上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜が形成される。

ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、又はガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜の表面の窪み部２０ｂの平均深さ及び平均直径が上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂが形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズが上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの窪み部２０ｂが形成される。

次に、ガラス基板２０の製造方法について説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面に形成される窪み部２０ｂは、当該主面にパターン形成処理及びエッチング処理を施すことにより形成される。
パターン形成処理工程は、まず、図６（ａ）に示すように、ガラス原板６０の表面６０ａに、フォトレジスト７０を塗布する。次に、フォトレジスト７０の上部にマスク８０を配置する。当該マスク８０には、一辺の長さ０．１μｍかつ５０μｍ以下である正方形または長方形、あるいは直径が０．１μｍ以上かつ５０μｍ以下である円形の開口８０ａが複数形成されており、開口８０ａを含むマスクの面積に対する開口面積の割合は、１０〜９０％に設定されている。なお、図６（ａ）では、フォトレジスト７０とマスク８０が接しているが、必ずしも接している必要はない。その後、図６の（ｂ）に示すように、マスク８０側より光Ｌを照射することにより、開口８０ａに対応する部分のフォトレジスト７０での光反応を進行させる。光を照射し、光反応が十分に完了した後、現像処理により、フォトレジストパターンを得る。フォトレジスト７０としては、例えば、ポジ型、ネガ型が挙げられ、光反応を進行させる光は、例えば、波長１５０〜９００ｎｍ、照射エネルギー５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２、照射時間は５〜５０秒である。現像処理に用いる液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化ナトリウム水溶液、珪酸ナトリウム水溶液等が挙げられる。なお、ポジ型のフォトレジスト７０を用いた場合、現像処理により、図６（ｃ）に示すように、光反応が進行した部分のフォトレジストが除去される。

次に、エッチング処理を施す。エッチング処理は、フォトレジストパターンが形成された、ガラス原板６０の表面をエッチング液に浸漬することで行われる。これにより、図６（ｄ）に示すように、フォトレジストパターンに対応したガラス原板６０の表面のエッチングを行うことができる。

エッチング液としては、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄水溶液、シュウ酸水溶液およびこれらの混合溶液が挙げられる。
エッチング処理は、エッチング液にガラス原板６０を所定時間浸漬させ、ガラス原板６０の一部をエッチング液により除去することにより行われる。なお、エッチング液に浸漬する方法以外にも、ブラシ、刷毛、ローラ、スプレー等でエッチング液を部分的に塗布してエッチングしたり、フッ素含有化合物（例えば、四フッ化水素）などのプラズマ中でエッチングする方法を採用してもよい。

最後に、残ったフォトレジスト７０を、水酸化ナトリウム水溶液等に浸漬して除去した。その後、純水で洗浄し、水分を乾燥させることにより、図６（ｅ）のようなガラス基板２０を得た。

これにより、最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である窪み部２０ｂを主面２０ａに備えたガラス基板２０が得られる。

次に、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理により主面２０ａに窪み部２０ｂを形成したガラス基板２０の実施例について説明する。但し、ガラス基板２０はこれに限定されるものではない。

[試料の作製]
本実施例においては、ガラス基板２０の実施例として試料１を作製し、比較例として試料２を作製した。
試料１及び２に用いたガラス原板６０としては、厚さが０．５ｍｍの無アルカリガラスを使用した。

実施例となる試料１のガラス原板６０に対して、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、一方の主面に窪み部２０ｂを形成した。
具体的には、試料１のガラス原板６０に対し、ポジ型フォトレジスト（ＰＭＥＲ Ｐ−７１３０ＰＭ：東京応化工業社製）をスピンコーターで、ガラス基板の主面の全面に塗布した。スピンコーターの回転数は、３０００ｒｐｍ、コーティング時間は２０秒とした。その後、ガラス原板６０をホットプレート上に置き、１００℃、３００秒間加熱した。これにより、ガラス原板６０の表面に、厚さ２ｍｍのフォトレジスト７０層を形成した。

次に、フォトレジスト上に、マスク８０を置き、波長３６５ｎｍ、照射エネルギー４００ｍＪ／ｃｍ^２の光を１０秒間照射した。その後、マスクを除去し、フォトレジスト４０を、濃度５ｗｔ％、温度２５℃の水酸化ナトリウム水溶液に１０秒間浸漬し、現像を行った。その後、純水で洗浄し、水分を乾燥させた。

次に、ガラス原板６０を、濃度５ｗｔ％、温度２５℃のフッ酸水溶液に１０分間浸漬し、エッチングを行った。その後、純水で洗浄し、水分を乾燥させた。

最後に、残ったフォトレジスト７０を、濃度１０ｗｔ％、温度６０℃の水酸化ナトリウム水溶液に１０分間浸漬して除去した。その後、純水で洗浄し、水分を乾燥させることにより、主面２０ａに複数の窪み部２０ｂを有するガラス基板２０を得た。

比較例となる試料２のガラス基板２０の主面２０ａには処理を施していない。つまり試料２のガラス基板２０は未処理である。

[表面窪み部の測定]
試料１、２のガラス基板２０における主面２０ａの窪み部２０ｂの最大谷深さの平均値と窪み部２０ｂの円相当平均直径を測定した。これらの値の測定は、日立ハイテクノロジーズ社製 走査型電子顕微鏡 Ｓ−４３００ＳＥを用いた観察により行った。また、測定により得られた値から、アスペクト比の平均値を求めた。

[表面窪み部の測定結果]
試料１、２について行った窪み部の測定結果を表１に示す。

[解像度の評価]
ペン入力装置１０におけるディスプレイ装置３０の前面側に試料１、２のガラス基板２０を載置した場合の、ディスプレイ装置３０に表示される映像の解像度について評価を行った。評価方法としては、ディスプレイ装置３０に表示される映像に滲みが見られるか否かを以下に示す２段階で評価を行った。〇：鮮明な映像が見え、像に滲みが見られない、×：映像が不鮮明であり、かつ像の滲みが目立つ。

[解像度の評価結果]
表１に示すように、映像の解像度は、実施例である試料１、未処理の比較例である試料２ともに〇となった。

[書き味の評価]
ガラス基板２０に対して入力ペン５０により文字及び図形等の入力を行った際の書き味を官能試験により評価した。評価方法としては、入力ペン５０としてワコム社製プロペン（ＫＰ−５０３Ｅ）を使用し、ガラス基板２０上での書き味が、紙上でのＨＢのシャープペンシルの書き味と感覚的に近い場合を〇とし、当該書き味よりも滑りやすい、滑りにくいなど感覚的に異なる場合を×として、書き味の判定を行った。

[書き味の評価結果]
表１に示すように、書き味は、試料１は〇となり、試料２は×となった。

１０ ペン入力装置
２０ ガラス基板
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ装置
４０ デジタイザ回路
５０ 入力ペン５０

Claims (7)

1. ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用基板であって、
   少なくとも一方の主面に複数の窪み部を有し、
   前記各々の窪み部の最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、前記各々の窪み部の円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である、
   ことを特徴とするペン入力装置用基板。
2. 前記窪み部のアスペクト比（窪み部の最大谷深さ／窪み部の円相当平均直径）の平均値が０．０１〜１である、
   ことを特徴とする請求項１に記載のペン入力装置用基板。
3. ヘイズが、可視光の波長域において１０％未満である、
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のペン入力装置用基板。
4. 請求項１〜請求項３の何れか一項に記載されるペン入力装置用基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える、
   ことを特徴とするペン入力装置。
5. 前記ペン入力装置用基板の主面に接触しながら移動することにより、ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備える、
   ことを特徴とする請求項４に記載のペン入力装置。
6. ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用基板の製造方法であって、
   ガラス基板の少なくとも一方の主面にパターン形成処理を施したのち、エッチング処理を施す、
   ことを特徴とするペン入力装置用基板の製造方法。
7. パターン形成処理及びエッチング処理を施すことにより、
   前記ペン入力装置用基板の少なくとも一方の主面に、最大谷深さの平均値が０．１μｍ以上かつ１０μｍ以下であり、円相当平均直径の平均値が０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下である複数の窪み部を形成する、
   ことを特徴とする請求項６に記載のペン入力装置用基板の製造方法。