JP2018155942A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 製造コストの低減が可能な表示装置を提供する。又は、狭額縁化が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、第1接続配線CW1と、を備える。第1基板SUB1は、第1領域A1及び第2領域A2に位置した第1絶縁基板10と、第2領域A2に設けられた第1導電層(CL1)と、を有する。第2基板SUB2は、第1領域A1に位置した第2絶縁基板20と、第2導電層(CL2)と、を有する。第1接続配線CW1は、第1側面20S1と対向し、第1導電層(CL1)と第2導電層(CL2)とを電気的に接続している。第1接続配線CW1は、導電性材料を含有する感光性樹脂から成る。
【選択図】図6
【解決手段】 表示装置は、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、第1接続配線CW1と、を備える。第1基板SUB1は、第1領域A1及び第2領域A2に位置した第1絶縁基板10と、第2領域A2に設けられた第1導電層(CL1)と、を有する。第2基板SUB2は、第1領域A1に位置した第2絶縁基板20と、第2導電層(CL2)と、を有する。第1接続配線CW1は、第1側面20S1と対向し、第1導電層(CL1)と第2導電層(CL2)とを電気的に接続している。第1接続配線CW1は、導電性材料を含有する感光性樹脂から成る。
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
表示装置として液晶表示装置などが知られている。液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA(Office Automation)機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。近年では、画像を表示する液晶表示パネルにタッチセンシング機能を兼ね備えた構成が開示されている。
本実施形態は、製造コストの低減が可能な表示装置を提供する。又は、狭額縁化が可能な表示装置を提供する。
一実施形態に係る表示装置は、
第1領域及び前記第1領域に並んだ第2領域に位置した第1絶縁基板と、前記第2領域に設けられた第1導電層と、を有する第1基板と、前記第1基板と対向し前記第1領域に位置した第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板のうち前記第1基板と対向する側とは反対側の面の上方に設けられた第2導電層と、を有する第2基板と、前記第2絶縁基板の第1側面と対向し前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続した第1接続配線と、を備え、前記第1領域は前記第1基板と前記第2基板が重なる領域であり、前記第2領域は前記第1基板が前記第2基板と重ならない領域であり、前記第1接続配線は、導電性材料を含有する感光性樹脂から成る。
第1領域及び前記第1領域に並んだ第2領域に位置した第1絶縁基板と、前記第2領域に設けられた第1導電層と、を有する第1基板と、前記第1基板と対向し前記第1領域に位置した第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板のうち前記第1基板と対向する側とは反対側の面の上方に設けられた第2導電層と、を有する第2基板と、前記第2絶縁基板の第1側面と対向し前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続した第1接続配線と、を備え、前記第1領域は前記第1基板と前記第2基板が重なる領域であり、前記第2領域は前記第1基板が前記第2基板と重ならない領域であり、前記第1接続配線は、導電性材料を含有する感光性樹脂から成る。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示素子を用いた表示パネルを備える表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。液晶表示装置以外の表示装置としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示パネル、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示パネルなどが挙げられる。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。本実施形態の表示装置は、センサ付き表示装置でもある。図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す平面図である。本実施形態では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交している。ここで言う方向は、図中矢印の指す方向であり、矢印に対して180度反転した方向については逆方向とする。なお、第1方向X及び第2方向Yは、90°以外の角度で交差していてもよい。第3方向Zは、第1方向X及び第2方向Yとそれぞれ直交している。第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。
まず、第1の実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。本実施形態の表示装置は、センサ付き表示装置でもある。図1は、第1の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す平面図である。本実施形態では、第1方向X及び第2方向Yは、互いに直交している。ここで言う方向は、図中矢印の指す方向であり、矢印に対して180度反転した方向については逆方向とする。なお、第1方向X及び第2方向Yは、90°以外の角度で交差していてもよい。第3方向Zは、第1方向X及び第2方向Yとそれぞれ直交している。第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。
以下の説明において、第1基板SUB1から第2基板SUB2に向かう方向を上方(あるいは、単に上)とし、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かう方向を下方(あるいは、単に下)とする。また、「第1部材の上方の第2部材」及び「第1部材の下方の第2部材」とした場合、第2部材は、第1部材に接していてもよく、又は第1部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第1部材と第2部材との間に、第3の部材が介在していてもよい。また、第2基板SUB2から第1基板SUB1に向かって見ることを平面視という。
図1に示すように、表示装置DSPは、アクティブマトリックス型の表示パネルPNL、配線基板1,2、ICチップI1,I2などを備えている。表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向配置された第2基板SUB2と、シール材SEと、後述する液晶層LCと、を備えている。本実施形態において、第1基板SUB1は矩形状に形成され、第2基板SUB2は、第1基板SUB1より外形の小さい矩形状に形成されている。
平面視において、第1基板SUB1は第1領域A1及び第1領域A1に並んだ第2領域A2に位置している。第2基板SUB2は第1領域A1に位置し第2領域A2に位置していない。図に示した例では、第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、配線基板1が実装された辺を除く3辺が重なっている。また、第1領域A1は第1基板SUB1と第2基板SUB2との2枚の基板の重なる表示パネルPLNの2枚部と表現することもでき、同様に第2領域A2は第1基板SUB1が第2基板SUB2から露出した部分であり、表示パネルPNLの一枚部と表現することもできる。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DA以外の非表示領域NDAと、を備えている。本実施形態において、表示領域DAは第1領域A1に含まれ、非表示領域NDAは矩形枠状に形成されている。
表示パネルPNLのシール材SEは、非表示領域NDAに位置し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。
表示パネルPNLのシール材SEは、非表示領域NDAに位置し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着している。
ここで、非表示領域NDAのうち、表示領域DAより左側の領域であり第2方向Yに延在した帯状の領域を第1非表示領域NDA1、表示領域DAより右側の領域であり第2方向Yに延在した帯状の領域を第2非表示領域NDA2、表示領域DAより下側の領域であり第1方向Xに延在した帯状の領域を第3非表示領域NDA3、表示領域DAより上側の領域であり第1方向Xに延在した帯状の領域を第4非表示領域NDA4とする。第3非表示領域NDA3には、第1基板SUB1が第2基板SUB2と対向していない第2領域A2が含まれている。
表示パネルPNLは、走査線駆動回路GD1,GD2、回路群CIR、及びパッド群PG1,PG2,PG3を備えている。走査線駆動回路GD1,GD2は後述する走査線を駆動するように構成され、走査線駆動回路GD1は第1非表示領域NDA1に配置され、走査線駆動回路GD2は第2非表示領域NDA2に配置されている。
回路群CIRは、第3非表示領域NDA3に配置されている。回路群CIRには、後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路などの複数の回路が含まれている。なお、本実施形態において、共通電極はセンサ駆動電極と称される場合がある。
パッド群PG1,PG2,PG3は、アウターリードボンディングのパッド群であり、第2領域A2に配置されている。本実施形態において、パッド群PG3に含まれるパッドは、走査線駆動回路GD1,GD2、及び回路群CIRに電気的に接続されている。
回路群CIRは、第3非表示領域NDA3に配置されている。回路群CIRには、後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路などの複数の回路が含まれている。なお、本実施形態において、共通電極はセンサ駆動電極と称される場合がある。
パッド群PG1,PG2,PG3は、アウターリードボンディングのパッド群であり、第2領域A2に配置されている。本実施形態において、パッド群PG3に含まれるパッドは、走査線駆動回路GD1,GD2、及び回路群CIRに電気的に接続されている。
配線基板1は、第1基板SUB1のうち第2領域A2に位置する部分に物理的に接続され、パッド群PG1,PG2,PG3の複数のパッドに電気的に接続されている。ICチップI1は、配線基板1に実装されている。但し、本実施形態と異なり、ICチップI1は、第1基板SUB1の第2領域A2に位置する部分に実装されていてもよい。ICチップI1は、配線基板1、パッド群PG3などを介し、走査線駆動回路GD1,GD2、及び回路群CIRに信号を与えることができる。ICチップI1は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。ここでのディスプレイドライバDDは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び後述する共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。
配線基板2は、配線基板1に接続されている。なお、配線基板2は、図示しない制御モジュールに接続されていてもよい。ICチップI2は、配線基板2に実装されている。ICチップI2は、配線基板2、配線基板1、パッド群PG1,PG2などを介し、後述する検出電極から信号を受取ることができる。また、図示した例では、ICチップI2は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路RCを内蔵している。ICチップI2は、配線基板2及び配線基板1を介してパッド群PG1,PG2のパッドに接続されている。なお、検出回路RCは、ICチップI1に内蔵されていてもよい。
又は、本実施形態と異なり、ICチップI1,I2は外部回路基板に実装されていてもよい。
又は、本実施形態と異なり、ICチップI1,I2は外部回路基板に実装されていてもよい。
このような配線基板1,2は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。例えば、本実施形態の配線基板1,2は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。
表示パネルPNLは、例えば、第1基板SUB1の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。又は、表示パネルPNLは、第2基板SUB2の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の液晶表示パネルであってもよい。又は、表示パネルPNLは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。表示パネルPNLが透過型の液晶表示パネル又は半透過型の液晶表示パネルである場合、表示装置DSPは、第1基板SUB1の背面に配置された照明装置を備えている。
次に、第1基板SUB1側の導電層(第1導電層)CL1と、第2基板SUB2側の導電層(第2導電層)CL2との接続に関する構成について例示的に説明する。図2は、上記表示装置DSPの表示パネルPNLの一構成例を示す平面図であり、複数の検出電極Rx、複数のパッド、複数の検出電極Rxと複数のパッドとを接続する複数の配線群WIGなどを示す図である。
図2に示すように、第1基板SUB1は、第1絶縁基板10と、第2領域A2に設けられた導電層CL1と、を備えている。第2基板SUB2は、第2絶縁基板20と、導電層CL2と、を備えている。本実施形態において、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板20は、無アルカリガラスなどを利用したガラス基板であるが、可撓性を有する樹脂基板であってもよい。第1絶縁基板10は、第2基板SUB2と対向する主面10Aを有している。図示した例では、導電層CL1は、主面10Aの上方に位置している。第2絶縁基板20は、第1基板SUB1と対向する側とは反対側に主面20Aを有している。導電層CL2は、主面20Aの上方に設けられている。
表示装置DSPは、第1接続配線CW1を備えている。第1接続配線CW1は、導電層CL1と導電層CL2とを電気的に接続している。第1接続配線CW1は、導電性材料を含有する樹脂を利用している。
本実施形態において、導電層CL1は金属層M2である。但し、本実施形態と異なり、導電層CLは、透明導電層であってもよい。又は、導電層CLは、金属層M2と透明導電層とを含む積層構造を有していてもよい。上記透明導電層は、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)、インジウ亜鉛酸化物、(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化亜鉛(Zinc Oxide:ZnO)などの透明な導電材料などによって形成される。
第1基板SUB1は、第1配線W1をさらに有している。ここで、パッド群PG1,PG2の各パッドを以下、第1パッドP1と称する。各第1配線W1は、第2領域A2に設けられ、単個の金属層M2(導電層CL1)と単個の第1パッドP1とを電気的に接続している。
センサSSは、表示装置DSPへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサSSは、複数の導電層CL2を備えている。導電層CL2及び上記金属層M2は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
各導電層CL2は、検出電極Rxと、第2パッドP2と、検出電極Rxと第2パッドP2とを接続した周辺配線Lと、を有している。
各導電層CL2は、検出電極Rxと、第2パッドP2と、検出電極Rxと第2パッドP2とを接続した周辺配線Lと、を有している。
検出電極Rxは、少なくとも表示領域DAに位置し、帯状に形成され、第1方向Xに延出している。図示した例では、検出電極Rxは、帯状に形成されているが、より具体的には、微細な金属細線の集合体によって形成されている。第2パッドP2は、非表示領域NDAの第3非表示領域NDA3に位置し、検出電極Rxにつながっている。第2パッドP2は、第2絶縁基板20の第2領域A2側の端辺20E1の近傍に設けられている。複数の第2パッドP2は、第1方向Xに揃っている。上記第1接続配線CW1は、第2パッドP2にコンタクトしている。
対応する検出電極Rxに接続された周辺配線Lは、第1非表示領域NDA1又は第2非表示領域NDA2にて延在し、対応する第2パッドP2に接続されている。検出電極Rxに接続されていない周辺配線Lは、検出電極Rx及び検出電極Rxに接続された周辺配線Lよりも外側に位置し、第1非表示領域NDA1、第2非表示領域NDA2、及び第4非表示領域NDA4にて延在し、Π字状に形成され、左端の第2パッドP2と右端の第2パッドP2とに接続されている。検出電極Rxに接続されていない周辺配線Lは、コモン電位に設定される。なお、後述する共通電極も、表示駆動時に上記コモン電位に設定される。
上記のことから、周辺配線L、第2パッドP2、第1接続配線CW1、金属層M2、及び第1配線W1は、検出電極Rxと第1パッドP1とを接続する配線群WIGを構成している。このため、第2基板SUB2に設けられた検出電極Rxは、配線群WIG、第1パッドP1、及び配線基板1,2を介して上述した検出回路RCと電気的に接続される。検出回路RCは、検出電極Rxから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
このため、検出電極Rxに対して信号を書き込んだり、検出電極Rxから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板2を介して検出電極Rxと接続可能となる。つまり、配線基板1,2とは別の配線基板を第2基板SUB2に実装する必要がなくなる。別の配線基板を使用する必要が無い分、製造コストの高騰を抑制することができる。又は、表示装置DSPをモジュールに組み立てる際、上記別の配線基板を曲げる必要がないため、モジュールの構造設計の自由度の低下を抑制することができ、例えば狭額縁化を妨げる事態を回避することができる。
また、第4非表示領域NDA4から第3非表示領域NDA3側に向かって検出電極Rxを数えた場合、図示した例では、奇数番目の検出電極Rxに接続された周辺配線Lは第1非表示領域NDA1に位置し、偶数番目の検出電極Rxに接続された周辺配線Lは第2非表示領域NDA2に位置している。このようなレイアウトによれば、第1非表示領域NDA1の幅と第2非表示領域NDA2の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図3は、上記表示パネルPNLの基本構成及び等価回路を示す図である。
図3に示すように、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXにわたって配置されている。走査線G、信号線S、及び共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GD1,GD2に接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。
図3に示すように、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素PXは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極CEは、複数の画素PXにわたって配置されている。走査線G、信号線S、及び共通電極CEは、それぞれ非表示領域NDAに引き出されている。非表示領域NDAにおいて、走査線Gは走査線駆動回路GD1,GD2に接続され、信号線Sは信号線駆動回路SDに接続され、共通電極CEは共通電極駆動回路CDに接続されている。
各走査線Gは、走査線駆動回路GD1,GD2の両方に接続されているが、これに限定されるものではなく、走査線駆動回路GD1,GD2の何れか一方に接続されていてもよい。例えば、奇数番目の走査線Gが走査線駆動回路GD1に接続され、偶数番目の走査線Gが走査線駆動回路GD2に接続されていてもよい。また、信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び共通電極駆動回路CDは、第1基板SUB1上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図1に示したICチップI1に内蔵されていてもよい。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LCなどを備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子SWは、ゲート電極WG、ソース電極WS、及びドレイン電極WDを備えている。ゲート電極WGは、走査線Gと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Sと電気的に接続された電極をソース電極WSと称し、画素電極PEと電気的に接続された電極をドレイン電極WDと称する。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと画素電極PEとの間に形成される。
図4は、表示領域DAにて、上記表示装置DSPの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置DSPをX−Z平面に沿って切断した断面図を示す。
図4に示すように、図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
図4に示すように、図示した表示パネルPNLは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルPNLは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方に画素電極PE及び共通電極CEの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第1基板SUB1に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか一方が備えられ、第2基板SUB2に画素電極PE及び共通電極CEのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、X−Y平面と平行な面である。
第1基板SUB1は、第1絶縁基板10、信号線S、共通電極CE、金属層M1、画素電極PE、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第1配向膜AL1などを備えている。ここでは、スイッチング素子、走査線などの図示を省略している。
第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に位置している。信号線Sは、第1絶縁膜11の上に位置している。第2絶縁膜12は、信号線S、及び第1絶縁膜11の上に位置している。共通電極CEは、第2絶縁膜12の上に位置している。金属層M1は、信号線Sの直上において共通電極CEに接触している。図示した例では、金属層M1は、共通電極CEの上に位置しているが、共通電極CEと第2絶縁膜12との間に位置していてもよい。第3絶縁膜13は、共通電極CE、及び金属層M1の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEと対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極PE及び第3絶縁膜13を覆っている。
第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上に位置している。信号線Sは、第1絶縁膜11の上に位置している。第2絶縁膜12は、信号線S、及び第1絶縁膜11の上に位置している。共通電極CEは、第2絶縁膜12の上に位置している。金属層M1は、信号線Sの直上において共通電極CEに接触している。図示した例では、金属層M1は、共通電極CEの上に位置しているが、共通電極CEと第2絶縁膜12との間に位置していてもよい。第3絶縁膜13は、共通電極CE、及び金属層M1の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13の上に位置している。画素電極PEは、第3絶縁膜13を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEと対向する位置にスリットSLを有している。第1配向膜AL1は、画素電極PE及び第3絶縁膜13を覆っている。
走査線、信号線S、及び金属層M1は、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では走査線はモリブデンとタングステンを有する金属材料から形成され、信号線Sはチタンとアルミニウムを有する金属材料から形成され、金属層M1はモリブデンとアルミニウムから成る金属材料から形成され、走査線、信号線S及び金属層M1はそれぞれ異なる材料から成る。共通電極CE及び画素電極PEは、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成されている。第1絶縁膜11及び第3絶縁膜13は無機絶縁膜であり、第2絶縁膜12は有機絶縁膜である。
なお、第1基板SUB1の構成は、図示した例に限らず、画素電極PEが第2絶縁膜12と第3絶縁膜13との間に位置し、共通電極CEが第3絶縁膜13と第1配向膜AL1との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極PEはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極CEは画素電極PEと対向するスリットを有する。また、画素電極PE及び共通電極CEの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。
第2基板SUB2は、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2などを備えている。
遮光層BM及びカラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタなどを含んでいる。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
遮光層BM及びカラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、各画素を区画し、信号線Sの直上に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PEと対向し、その一部が遮光層BMに重なっている。カラーフィルタCFは、赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタなどを含んでいる。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
なお、カラーフィルタCFは、第1基板SUB1に配置されてもよい。カラーフィルタCFは、4色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、フィルタを配置せずにオーバーコート層OCを配置してもよい。
検出電極Rxは、第2絶縁基板20の主面20Aに位置している。検出電極Rxは、上記の通り、金属を含む導電層によって形成されている。絶縁層ILは、検出電極Rxの上に形成されている。
第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1は、第1絶縁基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2は、絶縁層ILの上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。また、図示しないが、カバー部材が、第2光学素子OD2の替わりに絶縁層ILの上に設けられていてもよく、又は、第2光学素子OD2の上にさらに設けられていてもよい。カバー部材は、例えばガラス基板で形成されている。この場合、カバー部材はカバーガラスと称され場合がある。又は、カバー部材は、樹脂基板などの光透過性を有する基板を利用して形成することができる。
第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1は、第1絶縁基板10と照明装置BLとの間に位置している。第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2は、絶縁層ILの上に位置している。第1光学素子OD1及び第2光学素子OD2は、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。また、図示しないが、カバー部材が、第2光学素子OD2の替わりに絶縁層ILの上に設けられていてもよく、又は、第2光学素子OD2の上にさらに設けられていてもよい。カバー部材は、例えばガラス基板で形成されている。この場合、カバー部材はカバーガラスと称され場合がある。又は、カバー部材は、樹脂基板などの光透過性を有する基板を利用して形成することができる。
次に、本実施形態の表示装置DSPに搭載されるセンサSSの一構成例について説明する。以下に説明するセンサSSは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図5は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図5に示すように、図示した構成例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び検出電極Rxを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと部分的に対向している。
図5は、センサSSの一構成例を示す平面図である。
図5に示すように、図示した構成例では、センサSSは、センサ駆動電極Tx、及び検出電極Rxを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Txは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第1基板SUB1に設けられている。また、検出電極Rxは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第2基板SUB2に設けられている。センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、X−Y平面において、互いに交差している。検出電極Rxは、第3方向Zにおいて、センサ駆動電極Txと部分的に対向している。
センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、表示領域DAに位置し、それらの一部が非表示領域NDAに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Txは、それぞれ第2方向Yに延出した帯状の形状を有し、第1方向Xに間隔を置いて並んでいる。検出電極Rxは、それぞれ第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。センサ駆動電極Txの各々は、引出し配線WRを介して共通電極駆動回路CDと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Tx及び検出電極Rxの個数、サイズ、及び形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
本実施形態において、センサ駆動電極Txに上記の共通電極CEを利用している。センサ駆動電極Txは、共通電極CEである。センサ駆動電極Tx(共通電極CE)は、画素電極PEとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Rxとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路CDは、表示領域DAに画像を表示する表示駆動時に、センサ駆動電極Txに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路CDは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Txに対してセンサ駆動信号を供給する。共通電極駆動回路CD及びICチップI1は、センサSSの駆動部として機能する。
検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号を出力する。検出電極Rxが出力するセンサ信号は、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量と、センサ駆動電極Txと被検出物との間の容量とに基づいている。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示したICチップI2(検出回路RC)に入力される。ICチップI2は、センサSSの制御部として機能し、検出電極Rxのセンサ出力値を検出する。
なお、上記した各構成例におけるセンサSSは、相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Rxと被検出物との間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。
検出電極Rxは、センサ駆動電極Txへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号を出力する。検出電極Rxが出力するセンサ信号は、センサ駆動電極Txと検出電極Rxとの間の電極間容量と、センサ駆動電極Txと被検出物との間の容量とに基づいている。検出電極Rxから出力された検出信号は、図1に示したICチップI2(検出回路RC)に入力される。ICチップI2は、センサSSの制御部として機能し、検出電極Rxのセンサ出力値を検出する。
なお、上記した各構成例におけるセンサSSは、相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Rxと被検出物との間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。
次に、第1接続配線の構成など、表示パネルPNLの一部の構成について説明する。図6は、上記表示パネルPNLの一部を示す斜視図であり、金属層M2、絶縁部材IM、第2パッドP2、第1接続配線CW1などを示す図である。
図6に示すように、第1領域A1と第2領域A2の境界部において第2絶縁基板20は、第2領域A2側に第1側面20S1を有している。表示パネルPNLは、第2絶縁基板20の第1側面20S1と第1基板SUB1とに接した絶縁部材IMを備えている。本実施形態において、絶縁部材IMは、表示パネルPNLの左側と右側とに分割して設けられている。但し、絶縁部材IMを形成する領域は、本実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。絶縁部材IMは、少なくとも、第1接続配線CW1を形成する領域に設けられていればよい。例えば、絶縁部材IMは、本実施形態と異なり、表示パネルPNLの左端から右端まで連続的に設けられ、分断されること無しに形成されていてもよい。
図6に示すように、第1領域A1と第2領域A2の境界部において第2絶縁基板20は、第2領域A2側に第1側面20S1を有している。表示パネルPNLは、第2絶縁基板20の第1側面20S1と第1基板SUB1とに接した絶縁部材IMを備えている。本実施形態において、絶縁部材IMは、表示パネルPNLの左側と右側とに分割して設けられている。但し、絶縁部材IMを形成する領域は、本実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。絶縁部材IMは、少なくとも、第1接続配線CW1を形成する領域に設けられていればよい。例えば、絶縁部材IMは、本実施形態と異なり、表示パネルPNLの左端から右端まで連続的に設けられ、分断されること無しに形成されていてもよい。
また、第1接続配線CW1は、第2絶縁基板20の第1側面20S1と対向している。本実施形態において、第1接続配線CW1は、絶縁部材IMに接触している。絶縁部材IMは、第1接続配線CW1に接触した側面IMSを有している。なお、側面IMSの形状は、特に限定されるものではない。本実施形態において、第1基板SUB1を下側、第2基板SUB2を上側とした場合、絶縁部材IMの側面IMSは、順テーパ面である。
絶縁部材IMを利用した場合、絶縁部材IMを利用しない場合と比較して、第1接続配線CW1の配線抵抗が高くなる事態や、第1接続配線CW1が断線する事態を回避することができる。本実施形態において、第1接続配線CW1は、順テーパ面である側面IMSに接触している。この場合、第1接続配線CW1の配線抵抗が高くなる事態などを、一層、回避することができる。
絶縁部材IMを利用した場合、絶縁部材IMを利用しない場合と比較して、第1接続配線CW1の配線抵抗が高くなる事態や、第1接続配線CW1が断線する事態を回避することができる。本実施形態において、第1接続配線CW1は、順テーパ面である側面IMSに接触している。この場合、第1接続配線CW1の配線抵抗が高くなる事態などを、一層、回避することができる。
第1接続配線CW1を形成する手法としては、転写法、フォトリソグラフィ法など、一般に知られている手法を挙げることができる。
上記転写法を採用する場合、第1接続配線CW1が貼り付けられた支持フィルムを用意し、上記支持フィルムを絶縁部材IMの側面IMSなどに貼り付け、第1接続配線CW1を、第2パッドP2、側面IMS、金属層M2などに接触させる。この状態で、第1接続配線CW1を加熱する。その後、上記支持フィルムを表示パネルPNLから剥がすことで、第1接続配線CW1も上記支持フィルムから剥がれる。これにより、第1接続配線CW1が表示パネルPNLに転写される。
上記転写法を採用する場合、第1接続配線CW1が貼り付けられた支持フィルムを用意し、上記支持フィルムを絶縁部材IMの側面IMSなどに貼り付け、第1接続配線CW1を、第2パッドP2、側面IMS、金属層M2などに接触させる。この状態で、第1接続配線CW1を加熱する。その後、上記支持フィルムを表示パネルPNLから剥がすことで、第1接続配線CW1も上記支持フィルムから剥がれる。これにより、第1接続配線CW1が表示パネルPNLに転写される。
一方、上記フォトリソグラフィ法を採用する場合、まず、導電性材料を含有する感光性樹脂を表示パネルPNLに塗布する。この場合、ディスペンサ、スピンコータなどを利用することにより、塗布が可能となる。その後、塗布された感光性樹脂に対して露光及び現像を行い、次いで、残した感光性樹脂を焼成する。これにより、表示パネルPNLに第1接続配線CW1が形成される。上記焼成の際、表示パネルPNLの温度は100〜140℃程度であり、より好ましくは100〜120℃の比較的低温である。このため、上記フォトリソグラフィ法を採用しても、熱による液晶層LCへの悪影響を抑制することができる。また、上記の導電性材料を含有する感光性樹脂は、導電粒子が分散された感光性樹脂である。導電粒子の材料を例示的に挙げると、金、銀、銀パラジウム、銅、又は白金である。第1接続配線CW1は導電粒子の集まりであるため、断線が生じ難い第1接続配線CW1を得ることができる。
次に、表示パネルPNLの断面構造について説明する。特に、第2領域A2における表示パネルPNLの断面構造について説明する。図7は、上記表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図7に示すように、第1パッドP1は、第1層L1、第2層L2、第3層L3、及び第4層L4を含み、積層構造を有している。また、第1絶縁膜11は、絶縁膜11a及び絶縁膜11bを有している。スイッチング素子SWの半導体層は、第1絶縁基板10と絶縁膜11aとの間に位置している。走査線G及び第1層L1は、絶縁膜11aと絶縁膜11bとの間に位置している。このため、走査線G及び第1層L1を、同一材料で同時に形成することができる。
図7に示すように、第1パッドP1は、第1層L1、第2層L2、第3層L3、及び第4層L4を含み、積層構造を有している。また、第1絶縁膜11は、絶縁膜11a及び絶縁膜11bを有している。スイッチング素子SWの半導体層は、第1絶縁基板10と絶縁膜11aとの間に位置している。走査線G及び第1層L1は、絶縁膜11aと絶縁膜11bとの間に位置している。このため、走査線G及び第1層L1を、同一材料で同時に形成することができる。
信号線S及び第2層L2は、絶縁膜11bと第2絶縁膜12との間に位置している。このため、信号線S及び第2層L2を、同一材料で同時に形成することができる。第2層L2は、絶縁膜11bに形成されたコンタクトホールを通り第1層L1にコンタクトしている。第2層L2は、第1パッドP1の一部を形成し、さらに、第1配線W1を形成している。
第2絶縁膜12は、第1パッドP1を形成する領域を除いて設けられている。共通電極CEは第2絶縁膜12の上に位置し、第3層L3は第2絶縁膜12及び第2層L2の上に位置している。第3層L3は第2層L2にコンタクトしている。共通電極CE及び第3層L3を、同一材料で同時に形成することができる。
金属層M1は共通電極CEの上に位置している。金属層M2は、第2絶縁膜12の上に位置し、第2絶縁膜12に形成されたコンタクトホールを通り第2層L2にコンタクトしている。金属層M1及び金属層M2を、同一材料で同時に形成することができる。なお、図7から分かるように、第1絶縁基板10と金属層M2(導電層CL1)との間には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されている。
第3絶縁膜13は、第1パッドP1を形成する領域と金属層M2と対向する領域を除いて設けられている。画素電極PEは第3絶縁膜13の上に位置し、第4層L4は第3層L3の上に位置し第3層L3にコンタクトしている。画素電極PE及び第4層L4を、同一材料で同時に形成することができる。
検出電極Rx、周辺配線L、及び第2パッドP2を含む導電層CL2は、主面20Aの上に位置している。なお、第2絶縁基板20と導電層CL2との間には、各種絶縁層や各種導電膜が配置されていてもよい。第1絶縁基板10、金属層M2、第2絶縁基板20、及び検出電極Rxは、この順に第3方向Zに並んでいる。
絶縁部材IMは、第1側面20S1、金属層M2の第1領域A1側の端部などに接触している。また、絶縁部材IMは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、及びシール材SEで囲まれたくぼみに充填されている。第1接続配線CW1は、金属層M2、絶縁部材IM、及び第2パッドP2の上に形成されている。絶縁層ILは、第2絶縁基板20、検出電極Rx、周辺配線L、第2パッドP2、絶縁部材IM、第1接続配線CW1、金属層M2などの上に形成され、検出電極Rx、周辺配線L、第2パッドP2、金属層M2、第1接続配線CW1などを覆っている。
配線基板1は、導電材料である異方性導電膜8を介して第2領域A2の第1基板SUB1に実装されている。配線基板1は、コア基板200と、コア基板200の下面側に配置された接続配線100と、を備えている。
配線基板1は、導電材料である異方性導電膜8を介して第2領域A2の第1基板SUB1に実装されている。配線基板1は、コア基板200と、コア基板200の下面側に配置された接続配線100と、を備えている。
上記のように構成された第1の実施形態に係る表示装置によれば、表示装置DSPは、第1基板SUB1の金属層M2(導電層CL1)と第2基板の導電層CL2とを導電性材料を含有する樹脂から成る第1接続配線CW1で電気的に接続している。配線基板1,2とは別の配線基板を第2基板SUB2に実装する必要がなくなる。上記のことから、製造コストの低減が可能な表示装置DSPを得ることができる。狭額縁化が可能な表示装置DSPを得ることができる。
(第1の実施形態の変形例1)
次に、上記第1の実施形態の変形例1に係る表示装置について説明する。図8は、上記第1の実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図8に示すように、変形例1は、表示装置DSPが絶縁層IL無しに形成されている点で、上述した第1の実施形態と相違している。上記のような変形例1に係る表示装置DSPにおいても、上述した第1の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。
次に、上記第1の実施形態の変形例1に係る表示装置について説明する。図8は、上記第1の実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図8に示すように、変形例1は、表示装置DSPが絶縁層IL無しに形成されている点で、上述した第1の実施形態と相違している。上記のような変形例1に係る表示装置DSPにおいても、上述した第1の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。
(第1の実施形態の変形例2)
次に、上記第1の実施形態の変形例2に係る表示装置について説明する。図9は、上記第1の実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図9に示すように、変形例2は、表示装置DSPが絶縁層IL無しに形成されている点で、上述した第1の実施形態と相違している。また、第2絶縁基板20の第1側面20S1の形状も、上述した第1の実施形態と相違している。本変形例2において、第1基板SUB1を下側、第2基板SUB2を上側とした場合、第1側面20S1は、順テーパ面である。
次に、上記第1の実施形態の変形例2に係る表示装置について説明する。図9は、上記第1の実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図9に示すように、変形例2は、表示装置DSPが絶縁層IL無しに形成されている点で、上述した第1の実施形態と相違している。また、第2絶縁基板20の第1側面20S1の形状も、上述した第1の実施形態と相違している。本変形例2において、第1基板SUB1を下側、第2基板SUB2を上側とした場合、第1側面20S1は、順テーパ面である。
第1接続配線CW1は、金属層M2、第1側面20S1、第2パッドP2などの上に位置し、第1側面20S1に接している。また、第1接続配線CW1は、第1基板SUB1、第2基板SUB2、及びシール材SEで囲まれたくぼみに充填されている。第1側面20S1が順テーパ面である場合、第1接続配線CW1の形成にフォトリソグラフィ法を利用した方が望ましい。上記のような変形例2に係る表示装置DSPによれば、第2絶縁基板20は、順テーパ面である第1側面20S1を有している。このため、本変形例2においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第1の実施形態の変形例3)
次に、上記第1の実施形態の変形例3に係る表示装置について説明する。図10は、上記第1の実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図10に示すように、変形例3は、表示装置DSPが絶縁層ILを有している点で、上記変形例2と相違している。また、本変形例3において、第1側面20S1は順テーパ面ではない。この場合、第1接続配線CW1の形成にフォトリソグラフィ法を利用した方が望ましい。上記のような変形例3においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上記第1の実施形態の変形例3に係る表示装置について説明する。図10は、上記第1の実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図10に示すように、変形例3は、表示装置DSPが絶縁層ILを有している点で、上記変形例2と相違している。また、本変形例3において、第1側面20S1は順テーパ面ではない。この場合、第1接続配線CW1の形成にフォトリソグラフィ法を利用した方が望ましい。上記のような変形例3においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第1の実施形態の変形例4)
次に、上記第1の実施形態の変形例4に係る表示装置について説明する。図11は、上記第1の実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図11に示すように、変形例4は、表示装置DSPが絶縁層IIをさらに有する点、及び第1接続配線CW1が絶縁層ILの上に形成されている点で上記第1の実施形態と相違している。
次に、上記第1の実施形態の変形例4に係る表示装置について説明する。図11は、上記第1の実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの一部を示す断面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図11に示すように、変形例4は、表示装置DSPが絶縁層IIをさらに有する点、及び第1接続配線CW1が絶縁層ILの上に形成されている点で上記第1の実施形態と相違している。
絶縁層ILは、絶縁部材として機能し、第1側面20S1、第1基板SUB1、シール材SEなどに接している。絶縁層ILは、検出電極Rx、周辺配線L、第2パッドP2、金属層M2などを覆っている。絶縁層ILのうち、第1側面20S1と対向した側面ILSは順テーパ面である。第1接続配線CW1は、絶縁層ILの上に位置し、側面ILSなど絶縁層ILに接している。第1領域A1において、第1接続配線CW1は、絶縁層ILに形成されたコンタクトホールを通り第2パッドP2にコンタクトしている。一方、第2領域A2において、第1接続配線CW1は、絶縁層ILに形成されたコンタクトホールを通り金属層M2にコンタクトしている。
絶縁層IIは、絶縁層IL及び第1接続配線CW1の上に位置し、第1接続配線CW1を覆っている。絶縁層ILのコンタクトホールの内部に第1接続配線CW1を介在させる必要がある場合、第1接続配線CW1の形成にフォトリソグラフィ法を利用した方が望ましい。上記のような変形例4においても、上述した第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係る表示装置DSPについて詳細に説明する。図12は、第2の実施形態に係る表示装置DSPの表示パネルPNLの一構成例を示す平面図であり、複数の検出電極Rx、複数のパッドP、複数の配線群WIGなどを示す図である。本実施形態に係る表示装置DSPは、上記第1の実施形態係る表示装置DSPと比較して、センサ駆動電極Txが第1方向Xに延出し、検出電極Rxが第2方向Yに延出している点で相違している。
次に、第2の実施形態に係る表示装置DSPについて詳細に説明する。図12は、第2の実施形態に係る表示装置DSPの表示パネルPNLの一構成例を示す平面図であり、複数の検出電極Rx、複数のパッドP、複数の配線群WIGなどを示す図である。本実施形態に係る表示装置DSPは、上記第1の実施形態係る表示装置DSPと比較して、センサ駆動電極Txが第1方向Xに延出し、検出電極Rxが第2方向Yに延出している点で相違している。
図12に示すように、センサ駆動電極Txは、表示領域DAにおいて、それぞれ第2方向Yに間隔を置いて並び、第1方向Xに略直線的に延出している。センサ駆動電極Txは、第1基板SUB1に設けられた周辺配線LWを介して共通電極駆動回路CDに電気的に接続されている。本実施形態において、周辺配線LWは第1非表示領域NDA1にて延在している。
検出電極Rxは、表示領域DAにおいて、それぞれ第1方向Xに間隔をおいて並び、第2方向Yに略直線的に延出している。これらのセンサ駆動電極Tx及び検出電極Rxは、各種誘電体を挟んで対向している。導電層CL2は、検出電極Rx及び第2パッドP2を有している。上記第1の実施形態と異なり、導電層CL2は、上述した周辺配線Lを有していない。
第1パッドP1は、上記第1の実施形態のように特定の領域に密集していない。図示しないが、本実施形態において、隣合う一対の第1パッドP1の間に、パッド群PG3のパッドが位置している。
次に、上記第2の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。ここでは、第1接続配線CW1の製造方法について説明する。図13は、上記第2の実施形態に係る表示装置DSPの製造方法を説明するための図であり、複数の第2パッドP2、複数の金属層M2の上に感光性樹脂が塗布されている状態を示す図である。
図13に示すように、本実施形態において、第1接続配線CW1の形成にフォトリソグラフィ法を利用している。上記フォトリソグラフィ法を採用する場合、まず、導電性材料を含有する感光性樹脂CWFを表示パネルPNLに塗布する。感光性樹脂CWFは、全ての金属層M2と、全ての第2パッドP2とに接している。その後、感光性樹脂CWFに対して露光、現像、及び焼成を行う。これにより、図12に示した第1接続配線CW1が形成される。
上記のように構成された第2の実施形態に係る表示装置によれば、表示装置DSPは、第1基板SUB1の金属層M2(導電層CL1)と第2基板の導電層CL2とを導電性材料を含有する樹脂を利用した第1接続配線CW1で電気的に接続している。上記のことから、製造コストの低減が可能な表示装置DSPを得ることができる。狭額縁化が可能な表示装置DSPを得ることができる。
なお、上記第2の実施形態の表示装置DSPは、上記第1の実施形態や上記第1の実施形態の各変形例の技術を適用して種々変形可能である。同様に、後述する第2の実施形態の各変形例は、上記第1の実施形態や上記第1の実施形態の各変形例の技術を適用して種々変形可能である。
(第2の実施形態の変形例1)
次に、上記第2の実施形態の変形例1に係る表示装置について説明する。図14は、上記第2の実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図14に示すように、変形例1は、検出電極Rx及び第1接続配線CW1が同一材料を利用し一体に形成されている点で、上述した第2の実施形態と相違している。
次に、上記第2の実施形態の変形例1に係る表示装置について説明する。図14は、上記第2の実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第2領域A2などを示す図である。
図14に示すように、変形例1は、検出電極Rx及び第1接続配線CW1が同一材料を利用し一体に形成されている点で、上述した第2の実施形態と相違している。
上記第2の実施形態と異なり、導電層CL2は、上述した第2パッドP2を有していない。検出電極Rx及び第1接続配線CW1は、同一材料にて同時に形成されている。検出電極Rx及び第1接続配線CW1の形成に利用する材料としては、導電性材料を含有する樹脂が挙げられる。本変形例1において、検出電極Rx及び第1接続配線CW1は、銀の導電性粒子を含むペーストを利用している。上記のような変形例1に係る表示装置DSPにおいても、上述した第2の実施形態に係る表示装置と同様の効果を得ることができる。
(第2の実施形態の変形例2)
次に、上記第2の実施形態の変形例2に係る表示装置について説明する。図15は、上記第2の実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第1接続配線CW1などを示す図である。
図15に示すように、第2絶縁基板20の第1側面20S1が延在する方向において、第1接続配線CW1は幅WI1を有し、金属層M2(導電層CL1)は幅WI2を有し、第2パッドP2は幅WI3を有している。本変形例2において、第1側面20S1が延在する方向は、第1方向Xである。幅WI1は幅WI2より大きい。また、幅WI1は幅WI3より大きい。
次に、上記第2の実施形態の変形例2に係る表示装置について説明する。図15は、上記第2の実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第1接続配線CW1などを示す図である。
図15に示すように、第2絶縁基板20の第1側面20S1が延在する方向において、第1接続配線CW1は幅WI1を有し、金属層M2(導電層CL1)は幅WI2を有し、第2パッドP2は幅WI3を有している。本変形例2において、第1側面20S1が延在する方向は、第1方向Xである。幅WI1は幅WI2より大きい。また、幅WI1は幅WI3より大きい。
上記のような変形例2においても、上述した第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。第1接続配線CW1は、金属層M2より幅広に形成されている。このため、配線群WIGにおける接続抵抗を低くすることができる。
(第2の実施形態の変形例3)
次に、上記第2の実施形態の変形例3に係る表示装置について説明する。図16は、上記第2の実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第1接続配線CW1、第2接続配線CW2などを示す図である。
図16に示すように、検出電極Rxと金属層M2(導電層CL1)との接続に、単個の接続配線CWではなく、複数の接続配線CWを利用してもよい。表示装置DSPは、第2接続配線CW2をさらに備えている。
次に、上記第2の実施形態の変形例3に係る表示装置について説明する。図16は、上記第2の実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの一部を示す平面図であり、第1接続配線CW1、第2接続配線CW2などを示す図である。
図16に示すように、検出電極Rxと金属層M2(導電層CL1)との接続に、単個の接続配線CWではなく、複数の接続配線CWを利用してもよい。表示装置DSPは、第2接続配線CW2をさらに備えている。
第2接続配線CW2は、第1接続配線CW1とは独立して設けられ、第2パッドP2(導電層CL2)と金属層M2(導電層CL1)とを電気的に接続している。なお、図示しないが、第1基板SUB1が下側、第2基板SUB2が上側となる断面において、第2接続配線CW2は、第1接続配線CW1と同様に第1側面20S1と対向している。第2接続配線CW2は、例えば第1方向Xに幅WI4を有している。本変形例において、幅WI1は幅WI2及び幅WI3のそれぞれより小さく、幅WI4は幅WI2及び幅WI3のそれぞれより小さい。
上記のような変形例3においても、上述した第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。複数の接続配線CWで第2パッドP2と金属層M2とを接続することにより、配線群WIGにおける接続抵抗が高くなる事態を回避することができる。又は、複数の接続配線CWのうち、一方の接続配線CWに断線が生じても、他方の接続配線CWにて第2パッドP2と金属層M2とを接続することができる。
(第2の実施形態の変形例4)
次に、上記第2の実施形態の変形例4に係る表示装置について説明する。図17は、上記第2の実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの表示パネルPNLの一構成例を示す平面図であり、複数の検出電極Rx、複数のパッドP、複数の配線群WIGなどを示す図である。
次に、上記第2の実施形態の変形例4に係る表示装置について説明する。図17は、上記第2の実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの表示パネルPNLの一構成例を示す平面図であり、複数の検出電極Rx、複数のパッドP、複数の配線群WIGなどを示す図である。
図17に示すように、平面視において、第1基板SUB1は、上述した第1領域A1及び第2領域A2に位置し、さらに、第3領域A3に位置している。第1領域A1は、第2領域A2と第3領域A3との間に位置している。第2基板SUB2は、第1領域A1に位置し、第2領域A2及び第3領域A3に位置していない。金属層M2(導電層CL1)は、第3領域A3に位置している。
第2絶縁基板20は、第3領域A3側に第2側面20S2を有している。第1接続配線CW1は、第2絶縁基板20の第2側面20S2と対向し、第2パッドP2と金属層M2とを電気的に接続している。
第2絶縁基板20は、第3領域A3側に第2側面20S2を有している。第1接続配線CW1は、第2絶縁基板20の第2側面20S2と対向し、第2パッドP2と金属層M2とを電気的に接続している。
複数の検出電極Rxのうち、左側半分の検出電極Rxに電気的に接続された各第1配線W1は、第4非表示領域NDA4(第3領域A3)、第1非表示領域NDA1、及び第3非表示領域NDA3にて延在し、パッド群PG1の単個の第1パッドP1に電気的に接続されている。複数の検出電極Rxのうち、右側半分の検出電極Rxに電気的に接続された各第1配線W1は、第4非表示領域NDA4(第3領域A3)、第2非表示領域NDA2、及び第3非表示領域NDA3にて延在し、パッド群PG2の単個の第1パッドP1に電気的に接続されている。
上記のような変形例4においても、上述した第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
上記のような変形例4においても、上述した第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記の実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
導電層CL1は、金属層M2に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、図18に示すように、導電層CL1は、第1配線W1であってもよい。この場合、第1接続配線CW1(接続配線CW)は、第2絶縁膜12に形成されたコンタクトホール12hを通り第1配線W1(第2層L2)にコンタクトしている。
導電層CL2は、検出電極RxなどのセンサSS用途以外の導電層であってもよい。
導電層CL2は、検出電極RxなどのセンサSS用途以外の導電層であってもよい。
DSP…表示装置、PNL…表示パネル、SUB1…第1基板、SUB2…第2基板、
10…第1絶縁基板、20…第2絶縁基板、20S1,20S2…側面
CL1,CL2…導電層、Tx…センサ駆動電極、M2…金属層、
Rx…検出電極、L…周辺配線、P2…パッド、IL…絶縁層、
IM…絶縁部材、IMS…側面、
CW1…第1接続配線、CW2…第2接続配線、WIG…配線群、
RC…検出回路、
WI1,WI2,WI3,WI4…幅、
A1…第1領域、A2…第2領域、A3…第3領域、
DA…表示領域、NDA…非表示領域。
10…第1絶縁基板、20…第2絶縁基板、20S1,20S2…側面
CL1,CL2…導電層、Tx…センサ駆動電極、M2…金属層、
Rx…検出電極、L…周辺配線、P2…パッド、IL…絶縁層、
IM…絶縁部材、IMS…側面、
CW1…第1接続配線、CW2…第2接続配線、WIG…配線群、
RC…検出回路、
WI1,WI2,WI3,WI4…幅、
A1…第1領域、A2…第2領域、A3…第3領域、
DA…表示領域、NDA…非表示領域。
Claims (10)
- 第1領域及び前記第1領域に並んだ第2領域に位置した第1絶縁基板と、前記第2領域に設けられた第1導電層と、を有する第1基板と、
前記第1基板と対向し前記第1領域に位置した第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板のうち前記第1基板と対向する側とは反対側の面の上方に設けられた第2導電層と、を有する第2基板と、
前記第2絶縁基板の第1側面と対向し前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続した第1接続配線と、を備え、
前記第1領域は前記第1基板と前記第2基板が重なる領域であり、前記第2領域は前記第1基板が前記第2基板と重ならない領域であり、
前記第1接続配線は、導電性材料を含有する感光性樹脂から成る、
表示装置。 - 前記第2絶縁基板の前記第1側面と前記第1基板とに接した絶縁部材をさらに備え、
前記第1接続配線は、前記絶縁部材に接触している、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記絶縁部材は、前記第1接続配線に接触した側面を有し、
前記第1基板を下側、前記第2基板を上側とした場合、前記絶縁部材の前記側面は、順テーパ面である、
請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2絶縁基板の前記第1側面と前記第1基板とに接し前記第2導電層を覆った絶縁部材をさらに備え、
前記第1接続配線は、前記絶縁部材に接触し、前記絶縁部材に形成されたコンタクトホールを通って前記第2導電層にコンタクトしている、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2導電層及び前記第1接続配線は、同一材料を利用し、一体に形成されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1基板は、前記第2領域に設けられた第1パッドと、前記第1導電層と前記第1パッドとを電気的に接続した第1配線と、をさらに有する、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2絶縁基板の前記第1側面が延在する方向において、前記第1接続配線の幅は、前記第1導電層の幅より大きい、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2絶縁基板の前記第1側面と対向し前記第1接続配線とは独立して設けられ前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続した第2接続配線をさらに備える、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1導電層と電気的に接続され前記第2導電層から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路をさらに備える、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2導電層は、前記第1領域の表示領域に位置した検出電極と、前記表示領域以外の非表示領域に位置し前記検出電極につながった第2パッドと、を有し、
前記第1接続配線は、前記第2パッドにコンタクトし、
前記第1基板は、前記検出電極と交差するセンサ駆動電極をさらに有する、
請求項9に記載の表示装置。
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