JP2018147802A

JP2018147802A - 発光装置

Info

Publication number: JP2018147802A
Application number: JP2017043531A
Authority: JP
Inventors: 石塚　真一; Shinichi Ishizuka; 真一石塚
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2017-03-08
Publication date: 2018-09-20

Abstract

【課題】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量を抑える。【解決手段】複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。各発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に含む積層構造を有している。各透光部１５４は、隣り合う発光部１５２の間に位置している。複数の遮光体２００のそれぞれは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。基板１００及び封止部材３００（透光性部材）によって中空領域が画定されている。複数の発光部１５２及び基板１００の第１面１０２は、この中空領域に覆われている。【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、透光性を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。特許文献１には、透光性ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、隣り合う第２電極の間を透過することができる。したがって、ＯＬＥＤは、透光性を有している。

特開２０１３−１４９３７６号公報

上述したように、近年、透光性を有するＯＬＥＤが開発されている。このようなＯＬＥＤは、互いに反対側を向いた２つの面を有しており、ＯＬＥＤの発光部から出力された光は、これら２つの面のうちの一方の面（発光面）から主に出力されるようになっている。しかしながら、本発明者は、発光部から出力された光の一部が発光面の反対側へ漏れる場合があることを見出した。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板の第１面側に位置し、前記第１面側から第１電極、有機層及び第２電極を順に含む積層構造をそれぞれ有する複数の発光部と、
隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
前記第１面側に位置し、前記複数の発光部とそれぞれ重なる複数の第１遮光体と、
を備え、
前記複数の発光部及び前記基板の前記第１面は、前記基板と、前記基板の前記第１面に対向する透光性部材と、によって画定される中空領域に覆われている発光装置である。

実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。図１から遮光体、封止部材及び接着層を取り除いた図である。図２から第２電極を取り除いた図である。図３から絶縁層を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図５に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。図５に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。実施形態１のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。比較例１のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。比較例２のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。図１２に示す角度φ及び光度比Ｒを説明するための図である。実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置のシミュレーション結果を示す図である。基板と封止部材の間の中空領域の厚さが０．５ｍｍ及び０．３ｍｍであるときのシミュレーション結果を示す図である。図５の変形例を示す図である。実施形態２に係る発光装置を示す断面図である。図１５に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。実施形態２のシミュレーションに係る発光装置を示す断面図である。実施形態２及び比較例１のそれぞれに係る発光装置のシミュレーション結果を示す図である。実施形態３に係る発光装置を示す断面図である。図１９に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。図１９に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。図１９の変形例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１から遮光体２００、封止部材３００及び接着層３１０を取り除いた図である。図３は、図２から第２電極１３０を取り除いた図である。図４は、図３から絶縁層１４０を取り除いた図である。図５は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１から図５において、Ｘ方向は、複数の発光部１５２の配列方向として規定されており、Ｙ方向は、Ｘ方向に交わる方向、より具体的にはＹ方向に直交する方向として規定されている。図２から図４では、説明のため、有機層１２０（図５）を示していない。

図５を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、複数の発光部１５２、複数の透光部１５４及び複数の遮光体２００を備えている。複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。各発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に含む積層構造を有している。各透光部１５４は、隣り合う発光部１５２の間に位置している。言い換えると、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４は、交互に並んでいる。複数の遮光体２００のそれぞれは、基板１００の第１面１０２側に位置しており、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。

図５に示す例では、基板１００及び封止部材３００（透光性部材）によって中空領域が画定されている。複数の発光部１５２及び基板１００の第１面１０２は、この中空領域に覆われている。つまり、複数の発光部１５２及び基板１００の第１面１０２は、この中空領域によって外部の領域から封止されている。

上述した構成によれば、発光装置１０の発光面（後述するように、基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。一方、発光部１５２から発せられた一部の光は、基板１００を透過し、基板１００の第１面１０２でフレネル反射によって反射される。上述した構成によれば、このような光を遮光体２００によって遮ることができる（詳細は、図６を用いて後述する。）。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、上述した構成によれば、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を多くすることができる。具体的には、上述した構成においては、複数の発光部１５２及び基板１００の第１面１０２は、中空領域、つまり、屈折率がほぼ１．０の領域によって覆われている。したがって、基板１００側からこの中空領域側に入射する光の臨界角を小さくすることができる。つまり、基板１００側から中空領域側に入射する光について全反射の生じる角度の範囲を広くすることができる（詳細は、図７を用いて後述する。）。したがって、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を多くすることができる。

次に、図１から図４を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４、複数の絶縁層１４０、発光領域１５０、複数の遮光体２００、封止部材３００及び接着層３１０を備えている。

図１から図４に示す例において、基板１００の形状は、Ｘ方向に沿った長辺及びＹ方向に沿った短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、図１から図４に示す例に限定されるものではない。

複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。第１配線１１４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、図４に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。第２配線１３４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。

複数の絶縁層１４０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１４０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１４０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

発光領域１５０は、Ｘ方向に沿って交互に並んだ複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。各発光部１５２は、絶縁層１４０の開口１４２によって画定されている。図５を用いて後述するように、開口１４２内において、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。特に図１から図４に示す例において、発光部１５２は、Ｙ方向に長手方向を有している。透光部１５４は、遮光部材と重なっておらず、特に図１から図４に示す例では、第２電極１３０及び遮光体２００と重なっていない。

複数の遮光体２００は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の遮光体２００のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。特に図１から図４に示す例において、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。

遮光体２００の第１配線１１４側の端部は、発光部１５２の第１配線１１４側の端部よりも、第１配線１１４側に突出していてもよいし、又は突出していなくてもよく、遮光体２００の第２配線１３４側の端部は、発光部１５２の第２配線１３４側の端部よりも、第２配線１３４側に突出していてもよいし、又は突出していなくてもよい。特に図１から図４に示す例では、遮光体２００の第１配線１１４側の端部は、発光部１５２の第１配線１１４側の端部よりも、第１配線１１４側に突出しており、遮光体２００の第２配線１３４側の端部は、発光部１５２の第２配線１３４側の端部よりも、第２配線１３４側に突出している。したがって、図１から図４に示す例では、発光部１５２のいずれの部分からＸ方向に沿って光が出射されても（詳細は図６を用いて後述する。）、この光が遮光体２００に入射するようにすることができる。

封止部材３００及び接着層３１０は、発光領域１５０、すなわち、複数の発光部１５２を封止している。具体的には、封止部材３００は、発光領域１５０の全体と重なっている。封止部材３００は、接着層３１０を介して基板１００上に位置している。接着層３１０は、発光領域１５０を囲んでおり、封止部材３００の縁に沿って延伸している。したがって、発光領域１５０の上方の領域は、封止部材３００によって封止されており、発光領域１５０の側方の領域は、接着層３１０によって封止されている。

次に、図５を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１４０、遮光体２００及び封止部材３００を備えている。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１４０、遮光体２００及び封止部材３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。発光装置１０（有機層１２０）から発せられる光は、主に、基板１００の第２面１０４から発せられる。したがって、基板１００の第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能している。

基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラス又は樹脂を含んでいる。

第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。一例において、第１電極１１０は、酸化物半導体、より具体的には、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）を含んでいる。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０を透過する。

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。この例においては、第１電極１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを経由して正孔がＥＭＬに注入され、第２電極１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを経由して電子がＥＭＬに注入され、正孔及び電子がＥＭＬで再結合して光を発する。

なお、図５に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１５２に亘って広がっている。言い換えると、複数の発光部１５２は、有機層１２０を共有している。ただし、他の例においては、互いに離間した複数の有機層１２０のそれぞれが複数の発光部１５２のそれぞれを構成していてもよい。

第２電極１３０は、遮光性、より具体的には光反射性を有しており、さらに、導電性を有している。一例において、第２電極１３０は、金属、より具体的には、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０で反射される。

絶縁層１４０は、発光部１５２を画定している。具体的には、絶縁層１４０は、開口１４２を有している。絶縁層１４０の開口１４２内において、発光部１５２は、基板１００の第１面１０２から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を順に含む積層構造を有している。

絶縁層１４０は、透光性を有していてもよいし、又は遮光性を有していてもよい。特に図５に示す例では、絶縁層１４０は、透光性を有している。したがって、絶縁層１４０の一部（第２電極１３０と重なっていない部分）は、透光部１５４の一部となっている。一例において、絶縁層１４０は、有機絶縁材料、例えば、ポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１４０は、無機絶縁材料、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）を含んでいる。

遮光体２００は、遮光性、より具体的には、吸光性を有している。一例において、遮光体２００は、黒色顔料（例えば、カーボンブラック）又は黒色染料を含んでいる。この例において、遮光体２００は、ブラックマトリクスとして機能することができる。

遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅より狭くてもよいし、又は広くてもよい。図５に示す例では、遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅より狭くなっている。したがって、透光部１５４の端部は、第２電極１３０の端部によって規定されている。

封止部材３００は、透光性を有しており、透光性部材として機能している。一例において、封止部材３００は、水蒸気透過率が低い材料、例えば、ガラスを含んでいる。したがって、封止部材３００は、発光部１５２、より具体的には、有機層１２０を封止することができる。

封止部材３００は、第１面３０２及び第２面３０４を有している。封止部材３００は、第２面３０４が基板１００の第１面１０２と対向するように基板１００上に位置している。基板１００と封止部材３００の間の領域は、中空領域となっている。言い換えると、この中空領域は、基板１００と封止部材３００によって画定されている。複数の発光部１５２は、この中空領域によって覆われており、この中空領域によって外部の領域から封止されている。

複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。図５に示す例では、複数の遮光体２００は、封止部材３００の第１面３０２上に位置している。

発光装置１０は、透光性を有している。具体的には、人間の視覚では、発光装置１０を隔てて基板１００の第２面１０４側から基板１００の第１面１０２側が透けて見えるとともに、発光装置１０を隔てて基板１００の第１面１０２側から基板１００の第２面１０４側が透けて見える。これは、発光装置１０が複数の透光部１５４を有しているためである。すなわち、発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。したがって、発光装置１０は、透光性を有している。

図６は、図５に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図である。

図６に示す例では、発光部１５２から発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θで反射されている（図６において、光は黒矢印で示されている。）。図６に示す例では、この光が遮光体２００によって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

基板１００の第２面１０４でどの反射角で反射する光を遮るかは、遮光体２００の位置の高さ、言い換えると、基板１００の第２面１０４から封止部材３００の第１面３０２までの距離によって制御することができ、具体的には、遮光体２００の位置の高さが低くなるほど反射角θは大きくなる（詳細は、図１３を用いて後述する。）。特に図６に示す例においては、遮光体２００の位置の高さは、例えば、基板１００の厚さ、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さ又は封止部材３００の厚さによって調節することができる。

図７は、図５に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図である。

図７に示す例では、基板１００側からの光が、屈折率ｎ１の領域（有機層１２０）と屈折率ｎ２の領域（上述した中空領域）の界面において臨界角θｃで反射されている（図７において、光は黒矢印で示されている。）。臨界角θｃは、スネルの法則に基づいて、θｃ＝ｓｉｎ^−１（ｎ２／ｎ１）となり、したがって、屈折率ｎ２が小さいほど小さくなる。

図７に示す例では、屈折率ｎ２の領域は、中空領域、つまり、屈折率の低い領域であり、具体的には、この中空領域の屈折率は、ほぼ１．０となる。したがって、臨界角θｃを小さくすることができる。つまり、基板１００側から中空領域側に入射する光について全反射の生じる角度の範囲を広くすることができる。したがって、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を多くすることができる。

次に、図８から図１３を用いて、発光装置１０のシミュレーションの結果について説明する。

図８は、実施形態１のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。本実施形態に係るシミュレーションの条件は、以下のとおりとした。

基板１００の厚さは、０．５ｍｍとした、基板１００の屈折率は、１．５２とした。

第１電極１１０の厚さは、ゼロとみなした。つまり、このシミュレーションにおいて、第１電極１１０は、考慮されていない。

第２電極１３０の幅は、０．２５ｍｍとした。

遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅と等しくした。

封止部材３００の厚さは、０．５ｍｍとした。封止部材３００の屈折率は、１．５２とした。

基板１００と封止部材３００の間の領域は、中空領域とした。基板１００の第１面１０２と封止部材３００の第２面３０４の間の距離は、０．５ｍｍとした。中空領域の屈折率は、１．０とした。

図９は、比較例１のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。比較例１に係るシミュレーションの条件は、遮光体２００を設けなかった点を除いて、実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

図１０は、比較例２のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。比較例２に係るシミュレーションの条件は、以下の点を除いて、実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

複数の発光部１５２及び基板１００の第１面１０２は、スペーサ４００によって覆われている。スペーサ４００の屈折率は、基板１００の屈折率と同じ、つまり、１．５２とした。スペーサ４００の厚さは、１．０ｍｍとした。スペーサ４００と基板１００は光学的に接続されている。つまり基板１００とスペーサ４００の接合部には屈折率差はなく、基板１００から出た光線は同じ角度でスペーサ４００の中を進む。

図１１は、図１２に示す角度φ及び光度比Ｒを説明するための図である。

基板１００の第２面１０４（発光装置１０の発光面）側における輝度分布は、第２面１０４に垂直な方向において第１輝度Ｌ１を有している。基板１００の第１面１０２（発光装置１０の発光面とは反対側の面）側における輝度分布は、第１面３０２に垂直な方向からＸ方向に沿って角度φ傾いた方向において第２輝度Ｌ２を有している。

光度比Ｒは、以下の式（１）によって定義される。
Ｒ＝Ｌ２／Ｌ１×１００（１）

図１２は、実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれに係る発光装置１０のシミュレーション結果を示す図である。図１２は、実施形態１、比較例１及び比較例２のそれぞれの光度比Ｒの分布を示している。

図１２に示すように、実施形態１の光度比Ｒは、角度φのほぼ全範囲に亘って、比較例１の光度比Ｒよりも小さくなっている。この結果は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができることを示唆している。

図１２に示すように、実施形態１の光度比Ｒは、角度φにつき約６０°以上の範囲において、比較例２の光度比Ｒよりも小さくなっている。この結果は、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を中空領域によって多くすることができること（つまり、基板１００側から中空領域側に入射する光について全反射の生じる角度の範囲を広くすること）を示唆している。

図１３は、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．５ｍｍ及び０．３ｍｍであるときのシミュレーション結果を示す図である。

図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．５ｍｍの発光装置１０は、図１２に示した実施形態１に係る発光装置１０と同様である。つまり、図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．５ｍｍであるとき、基板１００の第２面１０４から封止部材３００の第１面３０２までの距離は、１．５ｍｍである（基板１００の厚さ：０．５ｍｍ、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さ：０．５ｍｍ、封止部材３００の厚さ：０．５ｍｍ）。

図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．３ｍｍの発光装置１０は、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．３ｍｍである点を除いて、図１２に示した実施形態１に係る発光装置１０と同様である。つまり、図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．３ｍｍであるとき、基板１００の第２面１０４から封止部材３００の第１面３０２までの距離は、１．３ｍｍである（基板１００の厚さ：０．５ｍｍ、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さ：０．３ｍｍ、封止部材３００の厚さ：０．５ｍｍ）。

図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．５ｍｍであるとき、光度比Ｒは、角度φにつき２５°において極小値をとるのに対して、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．３ｍｍであるとき、光度比Ｒは、角度φにつき３０°において極小値をとる。

図１３に示す結果は、封止部材３００の第１面３０２からどの角度で漏れる光を遮るかは、遮光体２００の位置の高さ、言い換えると、基板１００の第２面１０４から封止部材３００の第１面３０２までの距離によって制御することができ、具体的には、遮光体２００の位置の高さが低くなるほど、光度比Ｒが極小値をとる角度は大きくなることを示唆している。具体的には、光度比Ｒが極小値をとる角度において、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向かう光の多くは、図６に示したように、遮光体２００によって遮られていると推測される。したがって、遮光体２００の位置の高さが低くなるほど、光度比Ｒが極小値をとる角度（図６に示した例では、反射角θに相当。）は大きくなるといえる。

さらに、図１３に示す結果は、実施形態１に係る構造（例えば、図８）は、比較例２に係る構造（例えば、図１０）よりも、発光装置１０の厚さを薄くする観点において有利であることを示唆している。具体的には、図１３において、基板１００と封止部材３００の間の中空領域の厚さが０．３ｍｍであるとき、つまり、基板１００の第２面１０４から封止部材３００の第１面３０２までの距離が１．３ｍｍであるときの光度比Ｒの０°から６０°までの分布は、図１２における比較例２の光度比Ｒの０°から６０°までの分布とほぼ同様である。一方で、比較例２（図１０）において、基板１００の第２面１０４からスペーサ４００の表面までの距離は、１．５ｍｍである（基板１００の厚さ：０．５ｍｍ、スペーサ４００の厚さ：１．０ｍｍ）。したがって、実施形態１に係る構造（例えば、図８）は、比較例２に係る構造（例えば、図１０）よりも、発光装置１０の厚さを薄くする観点において有利であるといえる。

以上、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、本実施形態によれば、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を多くすることができる。

図１４は、図５の変形例を示す図である。

図１４に示すように、複数の遮光体２００は、封止部材３００の第２面３０４上に位置していてもよい。図１４に示す例においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。さらに、基板１００の内部に閉じ込め可能な光の量を多くすることができる。

（実施形態２）
図１５は、実施形態２に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図５に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。

図１５に示す例において、複数の遮光体２００は、複数の第１遮光体２００ａ及び複数の第２遮光体２００ｂを含んでいる。複数の第１遮光体２００ａのそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっており、複数の第２遮光体２００ｂのそれぞれは、複数の発光部１５２のそれぞれと重なっている。複数の第２遮光体２００ｂは、複数の第１遮光体２００ａと異なる高さに位置している。特に図１５に示す例では、複数の第１遮光体２００ａは、封止部材３００の第１面３０２上に位置しており、複数の第２遮光体２００ｂは、封止部材３００の第２面３０４上に位置している。

図１６は、図１５に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図であり、実施形態１の図６に対応する。

図１６に示す例では、発光部１５２から発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ１で反射されている（図１６において、光は黒矢印で示されている。）。図１６に示す例では、この光が第１遮光体２００ａによって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、図１６に示す例では、発光部１５２から発せられた光が基板１００を透過し、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射角θ２（θ２＞θ１）で反射されている（図１６において、光は黒矢印で示されている。）。図１６に示す例では、この光が第２遮光体２００ｂによって遮られている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

基板１００の第２面１０４でどの反射角で反射する光を遮るかは、遮光体２００の位置の高さによって制御することができる。具体的には、図１６に示す例では、第１遮光体２００ａは、第２遮光体２００ｂよりも、基板１００の第１面１０２から離れた位置にある。したがって、第１遮光体２００ａは、基板１００の第２面１０４において小さな反射角（上述した例においては、反射角θ１）で反射された光を遮ることができ、第２遮光体２００ｂは、基板１００の第２面１０４において大きな反射角（上述した例においては、反射角θ２）で反射された光を遮ることができる。

次に、図１７及び図１８を用いて、発光装置１０のシミュレーションの結果について説明する。

図１７は、実施形態２のシミュレーションに係る発光装置１０を示す断面図である。本実施形態に係るシミュレーションの条件は、第１遮光体２００ａ及び第２遮光体２００ｂを設けた点を除いて、図８に示した実施形態１に係るシミュレーションの条件と同様とした。

図１８は、実施形態２及び比較例１のそれぞれに係る発光装置１０のシミュレーション結果を示す図であり、実施形態１の図１２に対応する。図１８に示す比較例１は、図１２に示した比較例１と同様である。

図１８に示すように、実施形態２の光度比Ｒは、角度φのほぼ全範囲に亘って、比較例１の光度比Ｒよりも小さくなっている。この結果は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を遮光体２００によって抑えることができることを示唆している。

（実施形態３）
図１９は、実施形態３に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態１の図５に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光装置１０と同様である。

図１９に示す例において、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の第２電極１３０のそれぞれを覆っている。各発光部１５２から発せられる光について、各遮光体２００に含まれる材料の反射率は、各第２電極１３０に含まれる材料の反射率よりも低くなっている。したがって、図２０を用いて詳細を後述するように、発光部１５２から発せられて基板１００と封止部材３００の間の領域を伝搬する光を遮光体２００によって吸収することができる。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに、図１９に示す例において、複数の遮光体２００のそれぞれは、複数の第２電極１３０のそれぞれの傾斜面Ｓを覆っている。具体的には、各第２電極１３０は、各発光部１５２の内側から外側にかけて傾斜面Ｓを有している。傾斜面Ｓは、第１電極１１０の上面と絶縁層１４０の上面との段差に起因して形成されている。図２１を用いて詳細を後述するように、傾斜面Ｓが露出していると、傾斜面Ｓで反射された光が発光装置１０の発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れることがある。図１９に示す例においては、傾斜面Ｓで光が反射されることを遮光体２００によって防ぐことができる。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

図２０は、図１９に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図である。

図２０に示すように、遮光体２００は、基板１００と封止部材３００の間の領域を伝搬する光を吸収している。具体的には、図２０に示すように、発光部１５２から発せられた光の一部は、基板１００と封止部材３００の間の領域を光が伝搬することがある（図２０において、光は黒矢印で示されている。）。仮に第２電極１３０が露出していると、この光は、第２電極１３０によって反射されることがある。これに対して図２０に示す例では、第２電極１３０は、遮光体２００によって覆われている。つまり、基板１００と封止部材３００の間の領域を伝搬する光を遮光体２００によって吸収することができる。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

図２１は、図１９に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図である。図２１では、説明のため、遮光体２００を取り除いており、第２電極１３０の傾斜面Ｓを露出している。

図２１に示すように、第２電極１３０の傾斜面Ｓで反射された光は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光になり得る（図２１において、光は黒矢印で示されている。）。具体的には、図２１に示すように、第２電極１３０の傾斜面Ｓで反射された光は、封止部材３００の第２面３０４に小さい入射角で入射することがある。このような光は、封止部材３００の第２面３０４でほとんど反射されず、封止部材３００を透過して封止部材３００の第１面３０２から出射される。これに対して、図１９に示す例において、第２電極１３０の傾斜面Ｓは、遮光体２００によって覆われている。つまり、光が第２電極１３０の傾斜面Ｓで反射することが防止されている。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

図２２は、図１９の変形例を示す図である。

図２２に示す例において、遮光体２００の幅は、第２電極１３０の幅よりも広くなっており、遮光体２００は、第２電極１３０の端部を覆っている。したがって、基板１００と封止部材３００の間の領域を伝搬する光が第２電極１３０の端部で反射されることを防ぐことができる。

図２２に示す例においては、第２電極１３０の端部におけるグレアを抑えることができる。具体的には、仮に、第２電極１３０の端部が露出していると、第２電極１３０の端部における光の反射によってグレアが生じることがある。これに対して、図２２に示す例においては、第２電極１３０の端部は、遮光体２００によって覆われている。したがって、第２電極１３０の端部における光の反射を抑えることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１０４第２面
１１０第１電極
１１２第１接続部
１１４第１配線
１２０有機層
１３０第２電極
１３２第２接続部
１３４第２配線
１４０絶縁層
１４２開口
１５０発光領域
１５２発光部
１５４透光部
２００遮光体
２００ａ第１遮光体
２００ｂ第２遮光体
３００封止部材
３０２第１面
３０４第２面
３１０接着層
４００スペーサ

Claims

基板の第１面側に位置し、前記第１面側から第１電極、有機層及び第２電極を順に含む積層構造をそれぞれ有する複数の発光部と、
隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
前記第１面側に位置し、前記複数の発光部とそれぞれ重なる複数の第１遮光体と、
を備え、
前記複数の発光部及び前記基板の前記第１面は、前記基板と、前記基板の前記第１面に対向する透光性部材と、によって画定される中空領域に覆われている発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記複数の発光部のそれぞれと重なる複数の第２遮光体を備え、
前記複数の第２遮光体は、前記複数の第１遮光体と異なる高さに位置する発光装置。
請求項２に記載の発光装置において、
前記透光性部材は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、前記透光性部材の前記第２面が前記基板の前記第１面と対向するように前記基板上に位置しており、
前記複数の第１遮光体は、前記透光性部材の前記第１面上及び前記第２面上の一方に位置しており、
前記複数の第２遮光体は、前記透光性部材の前記第１面上及び前記第２面上のもう一方に位置している発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記複数の第１遮光体のそれぞれは、複数の前記第２電極のそれぞれを覆っており、
各発光部から発せられる光について、各第１遮光体に含まれる材料の反射率は、各第２電極に含まれる材料の反射率より低い発光装置。
請求項４に記載の発光装置において、
前記複数の発光部をそれぞれ画定する複数の絶縁層を備え、
前記複数の第２電極のそれぞれは、前記複数の発光部のそれぞれの内側から外側にかけて傾斜面を有しており、
前記複数の第１遮光体のそれぞれは、前記複数の第２電極のそれぞれの前記傾斜面を覆っている発光装置。
請求項５に記載の発光装置において、
前記複数の第１遮光体のそれぞれは、前記複数の第２電極のそれぞれの端部を覆っている発光装置。