JP2018144076A - はんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板の電極への濡れ性が高く、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができるはんだバンプ製造用金属粉末を提供する。【解決手段】加熱によってＳｎ−Ｃｕ系はんだバンプまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、ＳｎとＣｕまたはＳｎとＡｇとＣｕを含み、さらにＮａ、ＬｉおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも一種の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲となる量にて含有することを特徴とするはんだバンプ製造用金属粉末。【選択図】なし

Description

本発明は、はんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法に関する。

回路基板の電極と半導体素子などの電子部品とを接合するための接合材として、はんだバンプが使用されている。はんだバンプの製造方法としては、はんだバンプ製造用金属粉末とフラックスとを含むペーストを回路基板の電極の上に塗布し、次いで加熱（リフロー）することにより、はんだバンプ製造用金属粉末を溶融させてはんだバンプを生成させる方法が知られている。このはんだバンプ製造用金属粉末の材料として、以前は、Ｓｎ−Ｐｂ合金が多用されていたが、環境上の配慮から、現在ではＰｂフリーはんだが開発され、その普及が進められている。

Ｐｂフリーはんだとしては、Ｓｎ−Ｃｕ系合金およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金が実用化されている。Ｓｎ−Ｃｕ系合金としては、Ｓｎ−０．７Ｃｕ合金が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金（ＳＡＣ３０５）、Ｓｎ−４．０Ａｇ−０．５Ｃｕ合金（ＳＡＣ４０５）が知られている。

しかしながら、ＰｂフリーはんだはＳｎ−Ｐｂ合金と比較して、回路基板の電極に対する濡れ性が低いという問題がある。はんだの濡れ性が低いと、回路基板の電極上にはんだバンプを均一に形成しにくくなり、また形成されたはんだバンプ中にはボイド（気泡）が発生しやすくなる。

Ｐｂフリーはんだの濡れ性を改善する方法として、特許文献１には、Ｐｂフリーはんだに特定のフラックスを配合する方法が開示されている。また、濡れ性が改善したＰｂフリーはんだとして、特許文献２には、Ｓｎに、所定量のＧａを添加したはんだが開示されている。特許文献３には、Ｓｎに、所定量のＣｕ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｇｅを添加したはんだが開示されている。

特開２０１５−１５０５８４号公報 特開２００２−１８５８９号公報 特開２０１０−１７２９０２号公報

ところで、近年の電子機器の小型化・高機能化に伴って、回路基板は小型化・高集積化しており、回路基板の電極は微細化する傾向にある。このため、微細な電極の上に、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して形成することができるはんだバンプ製造用金属粉末が求められている。しかしながら、前記特許文献１に開示されている方法のみでは、Ｐｂフリーはんだの濡れ性を十分に改善することは難しい。また、前記特許文献２、３に開示されているはんだは、濡れ性の改善が充分とは言えず、ボイドの発生が少ないはんだバンプを安定して形成することが困難となる場合がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、回路基板の電極への濡れ性が高く、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができるはんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法を提供することを目的とする。

前述の課題を解決するために、本発明のはんだバンプ製造用金属粉末は、加熱によってＳｎ−Ｃｕ系はんだバンプまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、ＳｎとＣｕまたはＳｎとＡｇとＣｕを含み、さらにＮａ、ＬｉおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも一種の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲となる量にて含有することを特徴としている。

上記のはんだバンプ製造用金属粉末によれば、Ｎａ、ＬｉおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも一種の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％の範囲にて含有するので、回路基板の電極への濡れ性が向上する。すなわち、Ｎａ、ＬｉおよびＰは、加熱によって溶融したはんだバンプ製造用金属粉末の表面張力を下げる効果があり、これによって、回路基板の電極に対する濡れ性が向上する。また、Ｎａ、ＬｉおよびＰは、強い還元作用を有し、回路基板の電極表面に形成されている酸化被膜を還元除去する作用があり、これによって、はんだバンプ製造用金属粉末の電極表面に対する濡れ性がさらに向上する。従って、本発明のはんだバンプ製造用金属粉末によれば、ボイドの発生が少なく、ボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができる。

ここで、本発明のはんだバンプ製造用金属粉末が、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、ＳｎとＣｕを含む場合は、Ｎａ、ＬｉおよびＰをＳｎ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有することが好ましい。
この場合は、Ｎａ、ＬｉおよびＰが合金として存在することによって、酸化しにくく化学的に安定になるため、はんだバンプ製造用金属粉末が溶融したときには、確実にその表面張力を下げることができ、また回路基板の電極表面に形成されている酸化被膜を還元除去することができるので、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいＳｎ−Ｃｕ系はんだバンプを安定して製造することができる。

また、本発明のはんだバンプ製造用金属粉末が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、ＳｎとＡｇとＣｕを含む場合は、Ｎａ、ＬｉおよびＰをＳｎ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有することが好ましい。
この場合は、Ｎａ、ＬｉおよびＰが合金として存在することによって化学的に安定するため、はんだバンプ製造用金属粉末が溶融したときには、確実にその表面張力を下げることができ、また回路基板の電極表面に形成されている酸化被膜を還元除去することができるので、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを安定して製造することができる。

本発明のはんだバンプ製造用ペーストは、上記のはんだバンプ製造用金属粉末と、フラックスとを含むことを特徴としている。
この構成のはんだバンプ製造用ペーストによれば、電極に対する濡れ性が向上したはんだバンプ製造用金属粉末を使用しているので、ボイドの発生が少なく、またボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができる。

本発明のはんだバンプの製造方法は、上記のはんだバンプ製造用ペーストを、回路基板の電極の上に塗布し、次いで加熱してはんだバンプを生成させることを特徴としている。
この構成のはんだバンプの製造方法によれば、電極に対する濡れ性が向上したはんだバンプ製造用金属粉末を用いているので、ボイドの発生が少なく、ボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができる。

本発明によれば、回路基板の電極への濡れ性が高く、ボイドの発生が少なく、ボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができるはんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法を提供することが可能となる。

以下、本発明の一実施形態であるはんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法について詳細に説明する。

＜はんだバンプ製造用金属粉末＞
本実施形態であるはんだバンプ製造用金属粉末は、加熱によってＳｎ−Ｃｕ系はんだバンプまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプからなる群より選ばれるはんだバンプを生成するためのものであって、Ｎａ、ＬｉおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも一種の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲となる量にて含有する。この添加元素としては、Ｎａ、ＬｉおよびＰから選ばれる一種を使用してもよいし、Ｎａ、ＬｉおよびＰから選ばれる二種以上を組み合わせて使用してもよい。二種以上の添加元素を使用する場合は、添加元素の含有量は、合計で１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下とする。

Ｎａ、Ｌｉ及びＰなどの添加元素は、はんだバンプ製造用金属粉末の溶融時の表面張力を低下させる表面張力低減剤としての作用効果を有する。これによって、はんだバンプ製造用金属粉末の溶融時の濡れ性が向上する。また、上記の添加元素は、回路基板の電極表面の酸化被膜を還元して除去する還元剤としての作用効果を有する。これによってはんだバンプ製造用金属粉末の回路基板の電極に対する濡れ性が向上する。ここで、添加元素の含有量が１０質量ｐｐｍ未満では、表面張力低減剤および還元剤としての作用効果が得られなくなるおそれがある。一方、添加元素の含有量が２．８質量％を超える場合には、上記の添加元素は酸化しやすく、酸化した添加元素の含有量が多くなることによって、かえって溶融時のはんだバンプ製造用金属粉末の濡れ性を低下させるおそれがあり、またはんだバンプ製造用金属粉末の融点が高くなる。
このような理由から、本実施形態のはんだバンプ製造用金属粉末においては、添加元素の含有量を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、添加元素の含有量を５０質量ｐｐｍ以上１質量％以下の範囲とすることが好ましい。

本実施形態のはんだバンプ製造用金属粉末が、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだバンプ製造用の金属粉末である場合は、Ｃｕを０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲、上記の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲、残部がＳｎ及び不可避不純物からなる組成を有することが好ましい。
Ｃｕは、はんだバンプに付与された応力を緩和させることによって、はんだバンプの強度を高くする作用効果がある。Ｃｕの含有量が０．１質量％未満では、上記の作用効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ｃｕの含有量が１．５質量％を超えると、はんだバンプ製造用金属粉末の融点が高くなり、はんだ付け性の低下を招くおそれがある。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｃｕの含有量を０．３質量％以上１．２質量％以下の範囲とすることが好ましい。

Ｓｎ−Ｃｕ系はんだバンプ製造用の金属粉末は、Ｓｎ源およびＣｕ源として、Ｓｎ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ粉末、Ｃｕ粉末のいずれかを含むことが好ましい。添加元素はＳｎ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有されていることが好ましい。すなわち、添加元素は、Ｓｎ−Ｃｕ−添加元素合金粉末、Ｓｎ−添加元素合金粉末、Ｃｕ−添加元素合金粉末のいずれかの合金粉末として含有されていることが好ましい。

本実施形態のはんだバンプ製造用金属粉末が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプ製造用の金属粉末である場合は、Ａｇを０．１質量％以上１０．０質量％以下の範囲、Ｃｕを０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲、上記の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲、残部がＳｎ及び不可避不純物からなる組成を有することが好ましい。
Ａｇは、はんだバンプの耐熱疲労性と機械的強度を向上させる作用効果を有する。Ａｇの含有量が０．１質量％未満では、上記の作用効果が得られなくなるおそれがある。一方、Ａｇの含有量が１０．０質量％を超えると、はんだバンプ製造用金属粉末の融点が高くなり、はんだ付け性の低下を招くおそれがある。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ａｇの含有量を２質量％以上５質量％以下の範囲とすることが好ましい。

Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプ製造用の金属粉末は、Ｓｎ源、Ａｇ源およびＣｕ源として、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ−Ａｇ合金粉末、Ｓｎ−Ｃｕ合金粉末、Ａｇ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ粉末、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末のいずれかを含むことが好ましい。添加元素はＳｎ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有されていることが好ましい。すなわち、添加元素は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−添加元素合金粉末、Ｓｎ−Ａｇ−添加元素合金粉末、Ｓｎ−Ｃｕ−添加元素合金粉末、Ａｇ−Ｃｕ−添加元素合金粉末、Ｓｎ−添加元素合金粉末、Ａｇ−添加元素合金粉末、Ｃｕ−添加元素合金粉末のいずれかの合金粉末として含有されていることが好ましい。

本実施形態のはんだバンプ製造用金属粉末は、さらに、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂｉを含有していてもよい。これらの金属は、はんだバンプ製造用金属粉末の溶融時の濡れ性をさらに向上させる作用効果を有する。これらの金属の含有量は、合計で０．１質量％以上５．０質量％以下の範囲にあることが好ましい。

＜はんだバンプ製造用ペースト＞
本実施形態であるはんだバンプ製造用ペーストは、上記のはんだバンプ製造用金属粉末とフラックスとからなる。

フラックスとしては、通常用いられる一般的なフラックスを用いることが可能であり、特に制限するものではないが、ペーストの濡れ性の観点等から、ＲＡフラックスやＲＭＡフラックスを用いることが好ましい。また、このフラックス中には、通常用いられるロジン、活性剤、溶剤およびチキソ剤等が含まれていても構わない。
また、はんだバンプ製造用ペーストにおけるフラックス含有量が５質量％未満であると、ペースト状にならない。一方、フラックス含有量が４０質量％を超えるとペーストの粘度が低すぎて、印刷の際にダレが生じることから、ペースト中のフラックス含有量を５〜４０質量％とすることが望ましく、フラックス含有量を６〜１５質量％とすることがさらに望ましい。

はんだペーストは、通常用いられる一般的な方法を用いて調製することができる。具体的には、はんだバンプ製造用金属粉末とフラックスとを上記のフラックス含有量となる割合にて混合し、混練することによって調製することができる。

＜はんだバンプの製造方法＞
本実施形態であるはんだバンプの製造方法は、はんだバンプ製造用ペーストを回路基板の電極の上に塗布し、次いで加熱してはんだバンプを生成させる。
はんだバンプ製造用ペーストを回路基板の電極の上に塗布する方法としては、塗布用のマスクを用いた印刷法を用いることができる。
はんだバンプ製造用ペーストの加熱（リフロー）は、はんだバンプの製造で使用される通常のリフロー炉を用いて行うことができる。

［本発明例１］
はんだバンプ製造用金属粉末として、Ｃｕ含有量が０．７質量％、残部ＳｎからなるＳｎ−０．７Ｃｕ系はんだに、Ｎａ含有量が１５質量ｐｐｍとなるようにＮａを添加したＳｎ−Ｃｕ−Ｎａ合金の粉末をアトマイズにより作製した。この合金粉末を、粒子径が５〜１５μｍの範囲となるように分級した。分級後の合金粉末とＲＡフラックスとを質量比８９：１１の割合で混合して、はんだバンプ製造用ペーストを調製した。

調製したはんだバンプ製造用ペーストの濡れ力と、そのペーストを用いて製造したはんだバンプの最大ボイド直径率を下記の方法により測定した。その結果を、表１に示す。
なお、表１には、はんだバンプ製造用ペーストに含まれるはんだバンプ製造用金属粉末の構成と組成およびフラックスの種類を併せて記載した。また、はんだバンプ製造用金属粉末の組成は、ＩＣＰ−ＯＥＳにて分析した。

（濡れ力の測定方法）
Ｃｕ板への濡れ力を、濡れ性試験機を用いて、メニスコグラフ法により測定した。Ｃｕ板として、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの無酸素銅板を用い、測定温度は２５７℃とした。

（最大ボイド直径率）
はんだバンプ製造用ペーストを、開口径８５μｍ、厚さ２０μｍ、ピッチ１５０μｍの開口部が設けられているソルダーレジスト（ＳＲ）を有する回路基板に、開口径１１０μｍ、厚さ２０μｍの開口部を有するステンシルマスクを用いて印刷した。次いで、回路基板を熱対流式リフロー炉にて温度２４０℃で加熱して、はんだバンプを製造した。製造した１６００個のはんだバンプ中のボイドのサイズを、透過Ｘ線によって計測した。計測したボイドのサイズが最も大きい最大ボイドが発生したバンプの直径とその最大ボイドの直径とから下記の式より、最大ボイド直径率（％）を算出した。
最大ボイド直径率（％）＝（最大ボイドの直径）÷（バンプの直径）×１００

［本発明例２〜１２、比較例１〜５］
はんだバンプ製造用金属粉末として、表１に示す構成からなる金属粉末を用いたこと以外は、本発明例１と同様にして、はんだバンプ製造用ペーストを調製した。そして、調製したはんだバンプ製造用ペーストについて濡れ力と、そのペーストを用いて製造したはんだバンプの最大ボイド直径率を測定した。その結果を表１に示す。

表１の結果から、はんだバンプ製造用金属粉末として、Ｎａ、ＬｉおよびＰを本発明の範囲内の量にて含むＳｎ−Ｃｕ−Ｎａ合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（本発明例１〜１２）は、これらの添加元素を含まない従来のＳｎ−０．７Ｃｕはんだ粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例１）と比較して、濡れ力が顕著に向上し、また得られるはんだバンプの最大ボイド直径率が顕著に低減することが確認された。
また、本発明例４、５の結果から、Ｎａを本発明の範囲内の量にて含むＳｎ−Ｎａ合金粉末とＣｕ粉末の混合物（本発明例４）およびＣｕ−Ｎａ合金粉末とＳｎ粉末の混合物（本発明例５）を用いた場合についても得られるはんだバンプの最大ボイド直径率が顕著に低減することが確認された。

一方、Ｎａ、ＬｉおよびＰの含有量が本発明の範囲から外れる合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例２〜５）については、濡れ力およびはんだバンプの最大ボイド直径率のいずれについても、従来のＳｎ−０．７Ｃｕ系はんだ粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例１）と同等もしくはわずかに向上する程度であることが確認された。

［本発明例１３］
はんだバンプ製造用金属粉末として、Ａｇ含有量が３質量％、Ｃｕ含有量が０．５質量％、残部ＳｎからなるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ系はんだにＮａ含有量が１５質量ｐｐｍとなるようにＮａを添加したＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎａ合金の粉末をアトマイズにより作製したこと以外は、本発明例１と同様にしてはんだバンプ製造用ペーストを調製した。そして、調製したはんだバンプ製造用ペーストについて、濡れ力とそのペーストを用いて製造したはんだバンプの最大ボイド直径率を測定した。その結果を表２に示す。
なお、表２には、はんだバンプ製造用ペーストに含まれるはんだバンプ製造用金属粉末の構成と組成およびフラックスの種類を併せて記載した。また、はんだバンプ製造用金属粉末の組成は、ＩＣＰ−ＯＥＳにて分析した。

［本発明例１４〜１９、比較例６〜７］
はんだバンプ製造用金属粉末として、表２に示す構成と組成からなる金属粉末を用いたこと以外は、本発明例１３と同様にして、はんだバンプ製造用ペーストを調製して、その評価を行った。その結果を表２に示す。

表２の結果から、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ系はんだについても、Ｎａ、ＬｉおよびＰを本発明の範囲内の量にて含む金属粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（本発明例１３〜１９）は、これらの添加元素を含まない従来のＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ系合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例６）と比較して、濡れ力が顕著に向上し、また得られるはんだバンプの最大ボイド直径率が顕著に低減することが確認された。一方、Ｐの含有量が本発明の範囲よりも多い合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例７）については、濡れ力およびはんだバンプの最大ボイド直径率のいずれについても、従来のＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ系はんだ粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例６）と同等もしくはわずかに向上する程度であることが確認された。

［本発明例２０］
はんだバンプ製造用金属粉末として、Ａｇ含有量が４質量％、Ｃｕ含有量が０．５質量％、残部ＳｎからなるＳｎ−４Ａｇ−０．５Ｃｕ系はんだにＮａ含有量が２８０００質量ｐｐｍとなるようにＮａを添加したＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎａ合金の粉末をアトマイズにより作製したこと以外は、本発明例１と同様にしてはんだバンプ製造用ペーストを調製した。そして、調製したはんだバンプ製造用ペーストについて、濡れ力とそのペーストを用いて製造したはんだバンプの最大ボイド直径率を測定した。その結果を表３に示す。
なお、表３には、はんだバンプ製造用ペーストに含まれるはんだバンプ製造用金属粉末の構成と組成およびフラックスの種類を併せて記載した。また、はんだバンプ製造用金属粉末の組成は、ＩＣＰ−ＯＥＳにて分析した。

［本発明例２１〜２３、比較例８〜９］
はんだバンプ製造用金属粉末として、表３に示す構成と組成からなる金属粉末を用いたこと以外は、本発明例２０と同様にして、はんだバンプ製造用ペーストを調製して、濡れ力とそのペーストを用いて製造したはんだバンプの最大ボイド直径率を測定した。その結果を表３に示す。

表３の結果から、Ｓｎ−４Ａｇ−０．５Ｃｕ系はんだについても、Ｎａ、ＬｉおよびＰを本発明の範囲内の量にて含む金属粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（本発明例２０〜２３）は、これらの添加元素を含まない従来のＳｎ−４Ａｇ−０．５Ｃｕ系合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例８）と比較して、濡れ力が顕著に向上し、また得られるはんだバンプの最大ボイド直径率が顕著に低減することが確認された。一方、Ｎａの含有量が本発明の範囲から外れる合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例９）については、濡れ力およびはんだバンプの最大ボイド直径率のいずれについても、従来のＳｎ−４Ａｇ−０．５Ｃｕ系合金粉末を用いたはんだバンプ製造用ペースト（比較例８）と同等もしくはわずかに向上する程度であることが確認された。

以上の結果から、本発明例によれば、回路基板の電極への濡れ性が高く、ボイドの発生が少なく、ボイドが発生したとしてもそのサイズが小さいはんだバンプを安定して製造することができるはんだバンプ製造用金属粉末、はんだバンプ製造用ペーストおよびはんだバンプの製造方法を提供することが可能となることが確認された。

Claims (5)

1. 加熱によってＳｎ−Ｃｕ系はんだバンプまたはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、
   ＳｎとＣｕまたはＳｎとＡｇとＣｕを含み、さらにＮａ、ＬｉおよびＰからなる群より選ばれる少なくとも一種の添加元素を１０質量ｐｐｍ以上２．８質量％以下の範囲となる量にて含有することを特徴とするはんだバンプ製造用金属粉末。
2. Ｓｎ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、前記Ｓｎと前記Ｃｕを含み、前記添加元素を前記Ｓｎおよび前記Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有することを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ製造用金属粉末。
3. Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだバンプを製造するためのはんだバンプ製造用金属粉末であって、前記Ｓｎと前記Ａｇと前記Ｃｕを含み、前記添加元素を、前記Ｓｎ、前記Ａｇおよび前記Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有することを特徴とする請求項１に記載のはんだバンプ製造用金属粉末。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のはんだバンプ製造用金属粉末と、フラックスとを含むことを特徴とするはんだバンプ製造用ペースト。
5. 請求項４に記載のバンプ製造用ペーストを、回路基板の電極の上に塗布し、次いで加熱してはんだバンプを生成させることを特徴とするはんだバンプの製造方法。