JP2018037558A - 積層体の製造方法、仮接着用組成物、仮接着膜 - Google Patents

Abstract

【課題】２つの基板を仮接着膜で貼り合わせて積層体を製造するに際し、作業効率に優れ、かつ、均一な仮接着膜が形成可能な積層体の製造方法、ならびに、仮接着用組成物および仮接着膜を提供する。【解決手段】積層体の製造方法は、第１の基板２、仮接着膜３３および第２の基板６が順に互いに隣接している構造を有する積層体の製造方法であって、第１の基板またはモールド型の一方の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に、モールド型または第２の基板を適用する工程と、仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する工程とを、順に含み、仮接着用組成物が、離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である。【選択図】図１

Description

本発明は、積層体の製造方法、仮接着用組成物および仮接着膜に関する。

集積回路（ＩＣ）や大規模集積回路（ＬＳＩ）などの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスウェハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
電子機器の更なる小型化および高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについても更なる小型化および高集積化が求められているが、デバイスウェハの面内方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。

ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来より、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、デバイスウェハに貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを、貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対する更なる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。

以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、デバイスウェハの単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚みを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、デバイスウェハの薄型化が検討されており、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるデバイスウェハの貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。また、パワーデバイスやイメージセンサーなどの半導体デバイスにおいても、上記集積度の向上やデバイス構造の自由度向上の観点から、薄型化が試みられている。

デバイスウェハとしては、約７００〜９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、デバイスウェハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
しかしながら、厚さ２００μｍ以下のデバイスウェハは非常に薄く、これを基板とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。

上記のような問題を解決すべく、薄型化前のデバイスウェハとキャリア基板とを仮接着用組成物により一時的に固定（仮接着）し、デバイスウェハの裏面を研削して薄型化した後に、デバイスウェハからキャリア基板を剥離（脱離）させる技術が知られている。

例えば、特許文献１には、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける上記接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、上記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０質量％以上になるように架橋されている半導体装置製造用接着シートが開示されている。

特開２００４−７５８５３号公報

ここで、特許文献１では、仮接着用組成物が、接着剤溶液として調製されている。液状の仮接着用組成物には、種々のメリットがあり、広く活用されている。しかしながら、液状の仮接着用組成物を用いると、例えば、キャリアウェハの表面に仮接着用組成物を層状に適用し、溶剤成分を乾燥させた後、硬化させて仮接着膜を形成し、さらに、デバイスウェハを貼り合わせる工程が必要になる。そのため、さらなる作業効率の向上が求められている。また、液状の仮接着用組成物をキャリアウェハ等の表面に層状に塗布すると、層状の仮接着用組成物膜の端部にエッジビード（端部の盛り上がり）が形成されてしまう場合がある。
本発明はかかる課題を解決することを目的とするものであって、２つの基板を仮接着膜で貼り合わせて積層体を製造するに際し、作業効率に優れ、かつ、均一な仮接着膜が形成可能な積層体の製造方法、ならびに、仮接着用組成物および仮接着膜を提供することを目的とする。

上記課題のもと、本発明者が検討を行った結果、下記手段＜１＞により、好ましくは＜２＞〜＜１８＞により、上記課題は解決された。
＜１＞第１の基板、仮接着膜および第２の基板が上記順に互いに隣接している構造を有する積層体の製造方法であって、第１の基板またはモールド型の一方の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に、モールド型または第２の基板を適用する工程と、上記仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する工程とを、上記順に含み、上記仮接着用組成物が、離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である、積層体の製造方法。
＜２＞上記エネルギーの付与が加熱を含む、＜１＞に記載の積層体の製造方法。
＜３＞上記エネルギーの付与が圧力の印加を含む、＜１＞または＜２＞に記載の積層体の製造方法。
＜４＞上記仮接着用組成物が樹脂を含む、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜５＞上記離型剤が、フッ素原子およびケイ素原子の少なくとも一方を含む、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜６＞上記仮接着用組成物が、酸化防止剤を含む、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜７＞上記第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に上記第２の基板を適用した後に、上記仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜８＞上記仮接着膜の形成と第１の基板と第２の基板の仮接着を、ボンダー装置を用いて同一プロセス内で行う、＜７＞に記載の積層体の製造方法。
＜９＞上記第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、上記仮接着用組成物の表面にモールド型を適用するか、あるいは、上記モールド型の表面に仮接着用組成物を適用し、上記仮接着用組成物の表面に上記第２の基板を適用することを含み、さらに、上記仮接着膜を形成した後、上記モールド型を剥離し、上記モールド型を剥離した側の仮接着膜の表面に、上記第２の基板または上記第１の基板を適用する、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
＜１０＞上記モールド型が、上記仮接着用組成物と接触する側の面に凹部および凸部の少なくとも一方を有する、＜９＞に記載の積層体の製造方法。
＜１１＞離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である、仮接着用組成物。
＜１２＞上記仮接着用組成物が、さらに、樹脂を含む、＜１１＞に記載の仮接着用組成物。
＜１３＞上記樹脂がスチレン系エラストマーを含む、＜１２＞に記載の仮接着用組成物。
＜１４＞上記離型剤が、フッ素原子およびケイ素原子の少なくとも一方を含む、＜１１＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の仮接着用組成物。
＜１５＞上記仮接着用組成物が、酸化防止剤を含む、＜１１＞〜＜１４＞のいずれか１つに記載の仮接着用組成物。
＜１６＞離型剤と樹脂を含む仮接着膜であって、上記仮接着膜は、表面に凹部および凸部の少なくとも一方を有し、かつ、平均厚さが５〜５００μｍである仮接着膜。
＜１７＞上記仮接着膜が、＜１１＞〜＜１５＞のいずれか１つに記載の仮接着用組成物を硬化してなる、＜１６＞に記載の仮接着膜。
＜１８＞＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の積層体の製造方法を含む、半導体装置の製造方法。

本発明により、２つの基板を仮接着膜で貼り合わせて積層体を製造するに際し、作業効率に優れ、かつ、均一な仮接着膜が形成可能な積層体の製造方法、ならびに、仮接着用組成物および仮接着膜を提供可能になった。

本発明の積層体の製造方法の第１の実施形態を示す概略図である。 本発明の積層体の製造方法の第２の実施形態を示す概略図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書中における「活性光線」または「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含むものを意味する。
本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた描画も露光に含める。また、露光に用いられる光としては、一般的に、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線または放射線が挙げられる。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」を表す。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製、内径（ＩＤ）６．０ｍｍ×１５．０ｃｍ）を用い、溶離液として１０ｍｍｏｌ／Ｌ リチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）溶液を用いることによって求めることができる。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。

積層体の製造方法
本発明の積層体の製造方法は、第１の基板、仮接着膜および第２の基板が上記順に互いに隣接している構造を有する積層体の製造方法であって、第１の基板またはモールド型の一方の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に、モールド型または第２の基板を適用する工程と、上記仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する工程とを、上記順に含み、上記仮接着用組成物が、離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状であることを特徴とする。
このように粉状または粒状の仮接着用組成物を用いることにより、溶剤を主成分とする仮接着用組成物とは異なり、塗布および乾燥して、仮接着膜を形成する必要がない。さらに、仮接着膜を塗布で製造すると、エッジ部にエッジビードができやすいが、粉状または粒状の仮接着用組成物を用いることにより、エッジビードの発生を抑制できる。
さらに、本発明の積層体の製造方法では、仮接着膜の表面に容易に凹部または凸部を形成することができるので、凹凸部を有するデバイスウェハをキャリア基板に仮固定する場合に好ましい。
エネルギーの付与手段としては、後述する第１の実施形態または第２の実施形態で挙げられるものが例示される。
以下、本発明の好ましい実施形態を図面に従って説明する。本発明が図面に記載の実施形態に限定されないことは言うまでもない。

＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態の製造方法は、第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に、第２の基板を適用した後に、仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する。さらに、仮接着膜の形成と第１の基板と第２の基板の仮接着を、ボンダー装置を用いて同一プロセス内で行うことが好ましい。
以下、図１に従って、第１の実施形態について、詳細に説明する。
図１（１）〜（４）は、第１の基板と第２の基板を仮接着膜で仮接着（ボンディング）して、積層体を製造する工程を示している。図１（５）〜（８）は、得られた積層体を加工する工程を示している。

＜＜ボンディング＞＞
図１（１）では、ボンダー装置（一部のみ図示、以下同じ）１に、第１の基板２が設けられ、仮接着用組成物３が、第１の基板２の上に置かれる。仮接着用組成物３は、第１の基板２の表面に、枠４などで囲いを設けた上で、置かれることが好ましい。仮接着用組成物３を第１の基板の表面に置くには、ふるいなどを用いて、仮接着用組成物３が均一な厚さとなるように散布することが好ましい。仮接着用組成物３を均一な厚さとなるように置くことにより、より均一な、仮接着膜が得られやすい。ここでの仮接着用組成物３（層状に適用した粉状または粒状）の平均厚さは、仮接着用組成物の形状により異なるが、組成物を基板表面に置いた状態での隙間（空隙）と固形分の体積比率が５０％：５０％の場合、０．０２〜０．４ｍｍが好ましく、０．０６〜０．３０ｍｍがより好ましい。本実施形態の方法は、特に、仮接着用組成物３の平均厚さが０．１〜０．２ｍｍ程度の場合に有益である。
第１の基板２は、キャリア基板であってもよいし、デバイスウェハであってもよいが、キャリア基板が好ましい。また、詳細を後述する他の基板であってもよい。第１の基板をキャリア基板とすることにより（デバイスウェハ上のデバイスを破損する確率をより効果的に低減することができる。
図１（１）に示すように、仮接着用組成物３を層状にした後、枠４を取り除き、図１（２）に示すように、仮接着用組成物より高い位置のエッジ部の少なくとも一部にスペーサー（図示せず）を挿入することが好ましい。このような構成とすることにより、第１の基板上の仮接着用組成物と第２の基板６が加圧前に接触することを防止できるため、仮接着用組成物の一部がエッジからこぼれて散乱することや、仮接着用組成物の一部が第２の基板に加圧前に付着して膜厚ムラが発生することをより効果的に抑制できる。
以上の記載では、枠４を取り除いたが、枠４の高さをボンディング後の仮接着膜の厚みより低くしておけば、取り除かなくても良い。

次いで、図１（３）に示すように、第２の基板６を、仮接着用組成物３の表面に設ける。第２の基板６は、第１の基板２がキャリア基板の場合は、デバイスウェハが好ましい。第２の基板６として、デバイスウェハを設ける場合、デバイスウェハ表面のバンプ等の凹部または凸部が、仮接着用組成物３に接するように設けられる。尚、本発明における凹部とは、例えば、くぼみが最も深い部分の深さが、５μｍ以上であることをいう。また、凸部とは、例えば、突出部の最も高い部分の高さが、５μｍ以上であることをいう。
次いで、図１（４）に示すように、エネルギーが付与される。エネルギーとしては、加熱および圧力の印加が例示され、加熱および圧力の印加の両方が行われることが好ましい。加熱温度は、仮接着用組成物に含まれる成分にもよるが、例えば、１００〜３００℃であり、加熱時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力は、例えば、５〜５０ｋＮであり、圧力の付加時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力の印加は、第１の基板２側および第２の基板６側から、圧力をかけて行うことが好ましい。
エネルギーが付与されることにより、例えば、仮接着用組成物３中の粉状または粒状の成分が変形して、空隙の殆どが無くなり、平坦な仮接着膜３３を形成する。
仮接着膜３３の平均厚さは、０．０１〜０．２ｍｍが好ましく、０．０３〜０．１５ｍｍがより好ましい。本実施形態の方法は、特に、仮接着膜３３の平均厚さが０．０５〜０．１ｍｍ程度の場合に有益である。

エネルギーの付与は、図１（４）に示すように、ボンダー装置１内で行われることが好ましい。従来の液状の仮接着用組成物では、塗布膜を乾燥させた後、ボンディングを行っていたが、本発明では、仮接着用組成物３が粉状または粒状であるため、仮接着膜３３の形成と第１の基板２と第２の基板６の仮接着を、ボンダー装置１内で行うことができる。さらに、仮接着膜３３の形成と、第１の基板２と第２の基板６の仮接着を同一プロセス内で行うこともできる。同一プロセス内とは、例えば、同じエネルギー付与工程内で行えることをいう。但し、仮接着膜３３の形成と、第１の基板２と第２の基板６の仮接着は、完全に同時進行する必要はない。実際、上述の図１（４）で、エネルギーが付与されると、最初は、仮接着膜３３の形成が優先的に進行し、仮接着膜３３の形成がある程度進んだ段階で、第１の基板２と第２の基板６の仮接着が進行する場合が多いであろう。

＜＜加工処理＞＞
上記のようにして得られた積層体は、加工されることが好ましい。加工は、通常、デバイスウェハ等の第２の基板の仮接着膜と接していない側の面に施される。加工は、機械的または化学的な処理が例示され、より具体的には、グラインディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄型化処理、化学気相成長（ＣＶＤ）や物理気相成長（ＰＶＤ）などの高温および真空下での処理、有機溶剤、酸性処理液や塩基性処理液などの薬品を用いた処理、めっき処理、活性光線の照射、加熱処理ならびに冷却処理などが挙げられる。
図１（５）では、積層体をグラインダーに移し、デバイスウェハの裏面（凹部または凸部が設けられていない側の面）を、グラインダーで薄型化している。薄型化した後のデバイスウェハ（加工された第２の基板６６）の基材部分（凹部または凸部を有さない土台となる部分）の厚さは、５０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。下限値としては、例えば、１０μｍとすることができる。

＜＜デボンディング＞＞
本発明では、第２の基板６を加工した後、加工された第２の基板６６の基板面の面積よりも外側にはみ出した仮接着膜を剥離液で洗浄する工程を設けてもよい。本実施形態では、デバイスウェハを薄型化した後、はみ出した仮接着膜を、剥離液を用いて除去することで、高温および真空下での処理が仮接着膜に直接施されることによる仮接着膜の変形、変質を防ぐことができる。
次に、図１（６）に示されるように、加工された第２の基板は、デボンダー装置に移動させる。通常、加工された第２の基板が下側（固定される側）となるように配置される。次いで、図１（７）に示されるように、第１の基板２と加工された第２の基板６６の一方が、加工（薄型化）された積層体から、剥離される。剥離される基板は、加工（薄型化）されていない方の基板であることが好ましい。図１（７）では、キャリア基板である第１の基板２が、仮接着膜３３との界面で剥離される。しかしながら、仮接着膜３３と加工された第２の基板６６との界面で剥離されてもよい。

剥離の方法は特に限定されるものではないが、加工されたデバイスウェハを固定し、キャリア基板を、端部から加工されたデバイスウェハに対して垂直方向に引き上げて剥離することが好ましい。このとき、剥離界面は、キャリア基板と仮接着膜の界面であることが好ましい。

次いで、図１（８）に示すように、加工された第２の基板６６から仮接着膜３３を除去することにより、加工された第２の基板６６を得ることができる。
仮接着膜３３の除去方法は、例えば、仮接着膜３３をフィルム状の状態のまま剥離する方法、剥離液を用いて除去する方法（仮接着膜を剥離液で膨潤させた後に剥離除去する方法、仮接着膜に剥離液を噴射して破壊除去する方法、仮接着膜を剥離液に溶解させて溶解除去する方法等）、仮接着膜を活性光線、放射線または熱の照射により分解、または、気化して除去する方法などが挙げられる。
溶剤の使用量削減の観点からは、仮接着膜３３をフィルム状の状態のまま剥離する方法（ピールオフ）が好ましい。仮接着膜３３をフィルム状の状態のまま剥離除去する方法とは、剥離液を用いる等の化学的処理を行うことなく、仮接着膜をフィルム状のまま物理的な力を加えて剥離除去（ピールオフ）する方法をいう。仮接着膜をフィルム状の状態のままで剥離除去する場合、手での剥離または機械剥離が好ましい。

また、剥離液としては、仮接着膜を溶解する有機溶剤が好ましい。剥離液の詳細は、特開２０１５−１９１９４０号公報の段落０２３１〜０２４１の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

＜＜クリーニング＞＞
第１の基板２を加工された第２の基板６６から剥離した後、洗浄してもよい。洗浄には、有機溶剤や上記剥離液が好ましく用いられる。

＜＜半導体装置の製造＞＞
加工された第２の基板６６に対して、種々の公知の処理を施してもよい。例えば、薄型化加工されたデバイスウェハに各種の処理を施して、半導体装置を製造することができる。

＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態の製造方法は、第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面にモールド型を適用するか、あるいは、モールド型の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に上記第２の基板を適用することを含み、さらに、仮接着膜を形成した後、モールド型を剥離し、モールド型を剥離した側の仮接着膜の表面に、上記第２の基板または上記第１の基板を適用する。
第２の実施形態では、モールド型を用いて仮接着膜を形成するため、凹部および凸部の少なくとも一方を有する仮接着膜を容易に製造することができる。
以下、図２に従って、第２の実施形態について、詳細に説明する。
図２は、第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面にモールド型を適用し、仮接着膜を形成した後、上記モールド型を剥離し、上記モールド型を剥離した側の仮接着膜の表面に、上記第２の基板を適用する工程を示す概略図である。
図２（１）〜（６）は、第１の基板と第２の基板を仮接着膜で仮接着（ボンディング）して、積層体を製造する工程を示している。図２（７）〜（１０）は、得られた積層体を加工する工程を示している。
図１と共通する符号については、共通する符号番号を付与している。

＜＜コンプレッションモールド＞＞
図２（１）では、コンプレッションモールド装置７（一部のみ図示）に、第１の基板２が設置され、その上に、仮接着用組成物３が置かれる。仮接着用組成物３は、第１の基板の表面に、枠４などで囲いを設けた上で、置くことが好ましい。仮接着用組成物３を第１の基板の表面に置く際には、ふるいなどを用いて、仮接着用組成物３を均一な厚さとすることが好ましい。仮接着用組成物３を均一な厚さとなるように置くことにより、より均一な、仮接着膜が得られやすい。この状態での、仮接着用組成物３の平均厚さは、仮接着用組成物の形状により異なるが、組成物を基板表面に置いた状態での隙間（空隙）と固形分の比率が約５０％：５０％の場合、０．０２〜０．４ｍｍが好ましく、０．０４〜０．３ｍｍがより好ましい。本実施形態の方法は、特に、仮接着用組成物３の平均厚さが０．１〜０．２ｍｍ程度の場合に効果的である。
第１の基板は、キャリア基板であってもよいし、デバイスウェハであってもよいが、キャリア基板が好ましい。また、詳細を後述する他の基板であってもよい。第１の基板をキャリア基板とすることにより、デバイスウェハ上のデバイスを破損する確率をより効果的に低減できる。
図２（１）に示すように、コンプレッションモールド装置７内に設置された第１の基板の上に仮接着用組成物３を層状に適用した後、必要に応じ、枠４を取り除く。
その後、モールド型８を仮接着用組成物３の表面に設ける。このとき、モールド型８は、仮接着用組成物３と接触する側の面に、凹部および凸部の少なくとも一方を有してもよい。本発明では、デバイスウェハ等の表面の凹部や凸部に対応するように、モールド型の凹部および凸部を設定できる。このような構成とすると、第１の基板２と第２の基板６の仮接着をより均一に行うことができ、最終的なボンディング後の積層体（キャリアウェハ／仮接着膜／デバイスウェハ）の厚みの均一性をより向上させることができる。

次いで、図２（３）に示すように、エネルギーが付与される。エネルギーとしては、加熱および圧力の印加が例示され、加熱および圧力の印加の両方が行われることが好ましい。加熱温度は、仮接着用組成物３に含まれる成分にもよるが、例えば、１００〜３００℃であり、加熱時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力は、例えば、５〜５０ｋＮであり、圧力の付加時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力の印加は、第１の基板２側およびモールド型８側から、圧力をかけて行うことが好ましい。
エネルギーが付与されることにより、例えば、仮接着用組成物３中の粉状または粒状の成分が変形して、仮接着膜３３を形成する。
エネルギーの付与は、コンプレッションモールド装置７内で、モールド型８および第１の基板２を介して行われる。コンプレッションモールド装置７は上下とも加熱機能・加圧機能を有している。このような構成とすることにより、仮接着膜３３の表面に凹部および凸部の少なくとも一方を有する仮接着膜が得られる。
なお、仮接着用組成物３の主成分として熱可塑性樹脂を用いる場合、加熱して熱可塑性樹脂を溶融させ、モールド型に対応する仮接着膜３３を形成した後、冷却することが好ましい。
仮接着膜３３の平均厚さは、０．０１〜０．２ｍｍが好ましく、０．０２〜０．１５ｍｍがより好ましい。本実施形態の方法は、特に、仮接着膜３３の平均厚さが０．０５〜０．１ｍｍ程度の場合に有益である。

仮接着膜３３が形成された後、図２（４）に示すように、モールド型８を剥離する。得られる仮接着膜３３は、その表面に、モールド型の凹部または凸部が転写された凸部または凹部を有する。

＜＜ボンディング＞＞
次いで、図２（５）および（６）に示すように、第２の基板６としてのデバイスウェハが仮接着膜３３の表面に設けられる。さらに、第１の基板２としてのキャリア基板と、第２の基板６としてのデバイスウェハが仮接着膜３３を介して仮接着される。仮接着は、ボンダー装置１内において行うことが好ましい。仮接着は、エネルギーを付与することによって行うことが好ましい。エネルギーとしては、加熱および圧力の印加が例示され、加熱および圧力の印加の両方が行われることが好ましい。加熱温度は、仮接着用組成物３に含まれる成分にもよるが、例えば、１００〜３００℃であり、加熱時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力は、例えば、５〜５０ｋＮであり、圧力の付加時間は、例えば、３０秒〜３０分である。圧力の印加は、第１の基板２側および第２の基板６側から、圧力をかけて行うことが好ましい。
また、第１の基板２と仮接着膜３３の積層体上に、第２の基板６を設ける前に、エッジの少なくとも一部にスペーサーを挿入しておくことが好ましい。また、加圧前に、ボンダー装置１内を真空に排気することが望ましい。さらに、スペーサーを挿入した場合は、加圧前にスペーサーを引き抜くことが必要である。これらの工程により、仮接着膜３３と第２の基板６の間に空気が残りにくくなり、加熱加圧時に、仮接着膜３３と第２の基板６の間にボイド（空気）が残ることを効果的に抑制できる。

＜＜加工処理、デボンディング、クリーニング、半導体装置の製造＞＞
上記のようにして得られた積層体は、加工されることが好ましい。加工は、図２の（７）〜（１０）に示す工程によって行われるが、これらの詳細は、図１の（５）〜（８）に対応する説明と同様であり、好ましい範囲も同様である。

次いで、キャリア基板を、加工されたデバイスウェハから剥離した後、加工されたデバイスウェハに対して、種々の公知の処理を施し、加工されたデバイスウェハを有する半導体装置を製造することができる。

第２の実施形態では、また、モールド型の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に第２の基板を適用することを含み、さらに、上記仮接着膜を形成した後、上記モールド型を剥離し、上記モールド型を剥離した側の仮接着膜の表面に第１の基板を適用する方法も開示する。この場合、コンプレッションモールド装置に、第１の基板の代わりに、モールド型を置き、モールド型／仮接着膜／第２の基板の積層体を製造する。上記積層体から、モールド型を剥離した後、上記モールド型が積層していた位置に、第１の基板が適用される。その他は、上述の実施形態と同様である。

＜基板＞
次に、第１の基板および第２の基板について述べる。第１の基板と第２の基板の好ましい実施形態の一例は、一方がデバイスウェハであり、他方が、デバイスウェハを加工する際に、デバイスウェハを保持するキャリア基板である。
デバイスウェハを支えるキャリア基板としては、シリコン基材やガラス基材を含む基板が例示される。
また、シリコン基材やガラス基材を含むキャリア基板を用いる場合、他方の基板として、メモリーデバイス、Ｆａｎｏｕｔデバイス（ロジック、ディスクリート等）、ＭＥＭＳデバイス（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓデバイス）、パワーデバイス、イメージセンサー、フレキシブルデバイス（通信、ディスプレイ等）等も用いることができる。
一方、金属基材（例えば、アルミニウム基材、銅基材、ステンレス基材等）、ガラス基材または樹脂基材（例えば、ガラスエポキシ基材、エポキシ基材、ポリカーボネート基材、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジンレジン）基材等）を含む基板と、可撓性を有するフレキシブル基材（例えば、ポリイミド基材、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基材、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材等）またはパッケージ基材（デバイス内蔵基板、デバイス実装基材等）を含む基板の組み合わせも好ましく用いることができる。
さらに、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方には、上記各種基材の表面に、凹部および凸部の少なくとも一方を有していてもよい。例えば、シリコン基材等の基材の表面に、金属バンプ、金属ピラー、金属回路、ダイシング溝、ＭＥＭＳ構造、実装チップなどを有するデバイスウェハが例示される。
加えて、第１の基板および第２の基板は、上記の基材の表面に層を有していてもよい。具体的には、シリコン基材の表面に、ＳｉＮ膜や酸化シリコン膜を設ける態様や、ガラス基材表面に、酸化シリコン膜を設ける態様などが例示される。これらの膜は、基材の強化膜として働く。また、シリコン基材等の基材の表面に、絶縁膜（無機絶縁膜または有機絶縁膜）、導電膜または離型層などを設ける態様なども例示される。

仮接着用組成物
本発明の仮接着用組成物は、離型剤を含み、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて、粉状または粒状である。粉状または粒状の仮接着用組成物とは、微細な固体物質を主成分とすることをいう。主成分とは、仮接着用組成物のうち、最も含有量が多い成分をいい、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上、一層好ましくは９８質量％以上を占める成分をいう。本発明における微細な固体物質は、その最大長さの平均が１ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以下であることがより好ましい。例えば、市販品の粉末状の樹脂や重合性モノマーなどは、本発明における微細な固体物質に含まれる。

本発明の仮接着用組成物は、溶剤の含有量が、仮接着用組成物の１０質量％以下であることが好ましい。溶剤の含有量は、さらに、仮接着用組成物の５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、０．５質量％以下であることが一層好ましく、０．１質量％以下であることがより一層好ましく、０．０５質量％以下であることがさらに一層好ましい。
また、本発明の仮接着用組成物は、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて、固体以外の成分の含有量が３質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．８質量％以下であることがさらに好ましく、０．５質量％以下であることが一層好ましく、０．１質量％以下であることがより一層好ましく、０．０５質量％以下であることがさらに一層好ましい。

本発明の仮接着用組成物は、樹脂および／または熱重合性モノマーもしくはオリゴマーと、離型剤を含むことが好ましく、樹脂と離型剤を含むことがより好ましい。また、本発明の仮接着用組成物は、上記成分に加え、酸化防止剤、その他の成分を含んでいてもよい。

樹脂は、熱可塑性樹脂であっても、熱硬化性樹脂であってもよい。
本発明の仮接着用組成物の第１の実施形態は、熱可塑性樹脂と離型剤を含み、溶剤の含有量が、仮接着用組成物の１質量％以下である態様である。第１の実施形態は、上記仮接着膜の形成と第１の基板と第２の基板の仮接着を、ボンダー装置を用いて同一プロセス内で行う場合に特に適している。
本発明の仮接着用組成物の第２の実施形態は、熱硬化性樹脂および／または熱重合性モノマーと離型剤を含み、溶剤の含有量が、仮接着用組成物の１質量％以下である態様である。第２の実施形態は、コンプレッションモールド装置を用いて仮接着膜を用いる場合に、特に適している。また、第２の実施形態では、仮接着用組成物が熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。

＜樹脂＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、樹脂を少なくとも１種含むことが好ましい。樹脂は、熱可塑性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂であってもよい。

＜＜エラストマー＞＞
本発明で用いる仮接着用組成物において、樹脂はエラストマーが好ましい。樹脂としてエラストマーを使用することで、基板（キャリア基板やデバイスウェハ等の被加工基板）の微細な凹凸にも追従し、適度なアンカー効果により、接着性に優れた仮接着用組成物を形成できる。エラストマーは、１種または２種以上を併用することができる。
なお、本明細書において、エラストマーとは、弾性変形を示す高分子化合物を表す。すなわち外力を加えたときに、その外力に応じて瞬時に変形し、かつ外力を除いたときには、短時間に元の形状を回復する性質を有する高分子化合物と定義する。

本発明において、エラストマーの重量平均分子量は、２，０００〜２００，０００が好ましく、１０，０００〜２００，０００がより好ましく、５０，０００〜１００，０００がさらに好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあるエラストマーは、溶剤への溶解性が優れるため、キャリア基板を被加工基板から剥離した後、溶剤を用いて、被加工基板やキャリア基板の上に残存するエラストマー由来の残渣を除去する際、残渣が容易に溶剤に溶解して除去される。このため、被加工基板やキャリア基板などに残渣が残らないなどの利点がある。

本発明において、エラストマーとしては、特に限定されず、スチレン由来の繰り返し単位を含むエラストマー（ポリスチレン系エラストマー）、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリアクリル系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ポリイミド系エラストマーなどが使用できる。特に、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーが好ましく、耐熱性と剥離性の観点からポリスチレン系エラストマーがさらに好ましい。

本発明において、エラストマーは、水添物であることが好ましい。特に、ポリスチレン系エラストマーの水添物が好ましい。エラストマーが水添物であると、熱安定性や保存安定性が向上する。さらには、剥離性および剥離後の仮接着用組成物の除去性が向上する。ポリスチレン系エラストマーの水添物を使用した場合、上記効果が顕著である。なお、水添物とは、エラストマーが水添された構造の重合体を意味する。

本発明において、エラストマーは、２５℃から、２０℃／分の昇温速度で昇温した際の５％熱質量減少温度が、２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましく、３５０℃以上であることがさらに好ましく、４００℃以上であることが一層好ましい。また、上限値は特に限定はないが、例えば１０００℃以下が好ましく、８００℃以下がより好ましい。この態様によれば、耐熱性に優れた仮接着用組成物とすることができる。
本発明におけるエラストマーは、元の大きさを１００％としたときに、室温（２０℃）において小さな外力で２００％まで変形させることができ、かつ外力を除いたときに、短時間で１３０％以下に戻る性質を有することが好ましい。

＜＜＜ポリスチレン系エラストマー＞＞＞
ポリスチレン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体（ＳＥＰ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。

ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の割合は９０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、４８質量％以下がさらに好ましく、３５質量％以下が一層好ましく、３３質量％以下がより一層好ましい。上記スチレン由来の繰り返し単位の割合の下限は、０質量％であってもよいが、１０質量％以上とすることもできる。このような範囲とすることにより、基板同士を仮接着用組成物で貼り合わせてなる積層体の反りをより効果的に抑制することができる。

本発明におけるポリスチレン系エラストマーの一実施形態として、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に１０質量％以上５５質量％以下の割合で含有するエラストマーＡと、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に５５質量％を超えて９５質量％以下の割合で含有するエラストマーＢとを組み合わせて用いることが挙げられる。エラストマーＡとエラストマーＢとを併用することで、反りの発生を効果的に抑制できる。このような効果が得られるメカニズムは、以下によるものと推測できる。すなわち、エラストマーＡは、比較的柔らかい材料であるため、弾性を有する層状の仮接着用組成物（仮接着膜）を形成しやすい。このため、仮接着用組成物を用いて基板とキャリア基板との積層体を製造し、基板を研磨して薄膜化する際に、研磨時の圧力が局所的に加わっても、仮接着用組成物（仮接着膜）が弾性変形して元の形状に戻り易い。その結果、優れた平坦研磨性が得られる。また、研磨後の、キャリア基板と被加工基板と仮接着用組成物の積層体を、加熱処理し、その後冷却しても、冷却時に発生する内部応力を仮接着用組成物（仮接着膜）によって、緩和でき、反りの発生を効果的に抑制できる。
また、上記エラストマーＢは、比較的硬い材料であるため、エラストマーＢを含むことで、剥離性に優れた仮接着用組成物とすることができる。

上記エラストマーＡと上記エラストマーＢを配合する場合の質量比は、エラストマーＡ：エラストマーＢ＝１：９９〜９９：１が好ましく、３：９７〜９７：３がより好ましく、５：９５〜９５：５がさらに好ましく、１０：９０〜９０：１０が一層好ましい。上記範囲であれば、上述した効果がより効果的に得られる。

ポリスチレン系エラストマーは、スチレンと他のモノマーとのブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンブロックであるブロック共重合体であることがより好ましく、両末端がスチレンブロックであることが特に好ましい。ポリスチレン系エラストマーの両端を、スチレンブロック（スチレン由来の繰り返し単位）とすると、耐熱性がより向上する傾向にある。これは、耐熱性の高いスチレン由来の繰り返し単位が末端に存在することとなるためである。特に、スチレン由来の繰り返し単位のブロック部位が反応性のポリスチレン系ハードブロックであることにより、耐熱性、耐薬品性により優れる傾向にあり好ましい。加えて、このようなエラストマーは、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
また、ポリスチレン系エラストマーは水添物であると、熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。さらに、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
ポリスチレン系エラストマーの不飽和二重結合量としては、剥離性の観点から、ポリスチレン系エラストマー１ｇあたり、１５ｍｍｏｌ未満であることが好ましく、５ｍｍｏｌ未満であることがより好ましく、０．５ｍｍｏｌ未満であることがさらに好ましい。なお、ここでいう不飽和二重結合量は、スチレン由来のベンゼン環内の不飽和二重結合の量を含まない。不飽和二重結合量は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定により算出することができる。

なお、本明細書において「スチレン由来の繰り返し単位」とは、スチレンまたはスチレン誘導体を重合した際に重合体に含まれるスチレン由来の構造単位であり、置換基を有していてもよい。スチレン誘導体としては、例えば、α−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−プロピルスチレン、４−シクロヘキシルスチレン等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。

ポリスチレン系エラストマーの市販品としては、例えば、タフプレンＡ、タフプレン１２５、タフプレン１２６Ｓ、ソルプレンＴ、アサプレンＴ−４１１、アサプレンＴ−４３２、アサプレンＴ−４３７、アサプレンＴ−４３８、アサプレンＴ−４３９、タフテックＨ１２７２、タフテックＰ１５００、タフテックＨ１０５２、タフテックＨ１０６２、タフテックＭ１９４３、タフテックＭ１９１１、タフテックＨ１０４１、タフテックＭＰ１０、タフテックＭ１９１３、タフテックＨ１０５１、タフテックＨ１０５３、タフテックＰ２０００、タフテックＨ１０４３（以上、旭化成ケミカルズ（株）製）、エラストマーＡＲ−８５０Ｃ、エラストマーＡＲ−８１５Ｃ、エラストマーＡＲ−８４０Ｃ、エラストマーＡＲ−８３０Ｃ、エラストマーＡＲ−８６０Ｃ、エラストマーＡＲ−８７５Ｃ、エラストマーＡＲ−８８５Ｃ、エラストマーＡＲ−ＳＣ−１５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−５、エラストマーＡＲ−７１０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−６５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−３０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−７５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−４５、エラストマーＡＲ−７２０、エラストマーＡＲ−７４１、エラストマーＡＲ−７３１、エラストマーＡＲ−７５０、エラストマーＡＲ−７６０、エラストマーＡＲ−７７０、エラストマーＡＲ−７８１、エラストマーＡＲ−７９１、エラストマーＡＲ−ＦＬ−７５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−８５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−６０Ｎ、エラストマーＡＲ−１０５０、エラストマーＡＲ−１０６０、エラストマーＡＲ−１０４０（以上、アロン化成（株）製）、クレイトンＤ１１１１、クレイトンＤ１１１３、クレイトンＤ１１１４、クレイトンＤ１１１７、クレイトンＤ１１１９、クレイトンＤ１１２４、クレイトンＤ１１２６、クレイトンＤ１１６１、クレイトンＤ１１６２、クレイトンＤ１１６３、クレイトンＤ１１６４、クレイトンＤ１１６５、クレイトンＤ１１８３、クレイトンＤ１１９３、クレイトンＤＸ４０６、クレイトンＤ４１４１、クレイトンＤ４１５０、クレイトンＤ４１５３、クレイトンＤ４１５８、クレイトンＤ４２７０、クレイトンＤ４２７１、クレイトンＤ４４３３、クレイトンＤ１１７０、クレイトンＤ１１７１、クレイトンＤ１１７３、カリフレックスＩＲ０３０７、カリフレックスＩＲ０３１０、カリフレックスＩＲ０４０１、クレイトンＤ０２４２、クレイトンＤ１１０１、クレイトンＤ１１０２、クレイトンＤ１１１６、クレイトンＤ１１１８、クレイトンＤ１１３３、クレイトンＤ１１５２、クレイトンＤ１１５３、クレイトンＤ１１５５、クレイトンＤ１１８４、クレイトンＤ１１８６、クレイトンＤ１１８９、クレイトンＤ１１９１、クレイトンＤ１１９２、クレイトンＤＸ４０５、クレイトンＤＸ４０８、クレイトンＤＸ４１０、クレイトンＤＸ４１４、クレイトンＤＸ４１５、クレイトンＡ１５３５、クレイトンＡ１５３６、クレイトンＦＧ１９０１、クレイトンＦＧ１９２４、クレイトンＧ１６４０、クレイトンＧ１６４１、クレイトンＧ１６４２、クレイトンＧ１６４３、クレイトンＧ１６４５、クレイトンＧ１６３３、クレイトンＧ１６５０、クレイトンＧ１６５１、クレイトンＧ１６５２（Ｇ１６５２ＭＵ−１０００）、クレイトンＧ１６５４、クレイトンＧ１６５７、クレイトンＧ１６６０、クレイトンＧ１７２６、クレイトンＧ１７０１、クレイトンＧ１７０２、クレイトンＧ１７３０、クレイトンＧ１７５０、クレイトンＧ１７６５、クレイトンＧ４６０９、クレイトンＧ４６１０（以上、クレイトンポリマージャパン（株）製）、ＴＲ２０００、ＴＲ２００１、ＴＲ２００３、ＴＲ２２５０、ＴＲ２５００、ＴＲ２６０１、ＴＲ２６３０、ＴＲ２７８７、ＴＲ２８２７、ＴＲ１０８６、ＴＲ１６００、ＳＩＳ５００２、ＳＩＳ５２００、ＳＩＳ５２５０、ＳＩＳ５４０５、ＳＩＳ５５０５、ダイナロン６１００Ｐ、ダイナロン４６００Ｐ、ダイナロン６２００Ｐ、ダイナロン４６３０Ｐ、ダイナロン８６０１Ｐ、ダイナロン８６３０Ｐ、ダイナロン８６００Ｐ、ダイナロン８９０３Ｐ、ダイナロン６２０１Ｂ、ダイナロン１３２１Ｐ、ダイナロン１３２０Ｐ、ダイナロン２３２４Ｐ、ダイナロン９９０１Ｐ（以上、ＪＳＲ（株）製）、デンカＳＴＲシリーズ（電気化学工業（株）製）、クインタック３５２０、クインタック３４３３Ｎ、クインタック３４２１、クインタック３６２０、クインタック３４５０、クインタック３４６０（以上、日本ゼオン製）、ＴＰＥ−ＳＢシリーズ（住友化学（株）製）、ラバロンシリーズ（三菱化学（株）製）、セプトン１００１、セプトン１０２０、セプトン２００２、セプトン２００４、セプトン２００５、セプトン２００６、セプトン２００７、セプトン２０６３、セプトン２１０４、セプトン４０３３、セプトン４０４４、セプトン４０５５、セプトン４０７７、セプトン４０９９、セプトンＨＧ２５２、セプトン８００４、セプトン８００６、セプトン８００７、セプトン８０７６、セプトン８１０４、セプトンＶ９４６１、セプトンＶ９４７５、セプトンＶ９８２７、ハイブラー７３１１、ハイブラー７１２５、ハイブラー５１２７、ハイブラー５１２５（以上、（株）クラレ製）、スミフレックス（住友ベークライト（株）製）、レオストマー、アクティマー（以上、リケンテクノス（株）製）などが挙げられる。

＜＜＜ポリエステル系エラストマー＞＞＞
ポリエステル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ジカルボン酸またはその誘導体と、ジオール化合物またはその誘導体とを重縮合して得られるものが挙げられる。
ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸およびこれらの芳香環の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸、およびシクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
ジオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールなどの脂肪族ジオール、脂環式ジオール、下記構造式で表される２価のフェノールなどが挙げられる。

上記式中、Ｙ^ＤＯは、炭素数２〜１０のアルキレン基、炭素数４〜８のシクロアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＳＯ_２−のいずれかを表すか、単結合を表す。Ｒ^ＤＯ１およびＲ^ＤＯ２は各々独立に、ハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を表す。ｐ^ｄｏ１およびｐ^ｄｏ２はそれぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎ^ｄｏ１は、０または１を表す。

２価のフェノールの具体例としては、ビスフェノールＡ、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、レゾルシンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用して用いてもよい。
また、ポリエステル系エラストマーとして、芳香族ポリエステル（例えば、ポリブチレンテレフタレート）部分をハードセグメント成分に、脂肪族ポリエステル（例えば、ポリテトラメチレングリコール）部分をソフトセグメント成分にしたマルチブロック共重合体を用いることもできる。マルチブロック共重合体としては、ハードセグメントとソフトセグメントとの種類、比率、および分子量の違いによりさまざまなグレードのものが挙げられる。具体例としては、ハイトレル（東レ・デュポン（株）製）、ペルプレン（東洋紡（株）製）、プリマロイ（三菱化学（株）製）、ヌーベラン（帝人（株）製）、エスペル１６１２、１６２０（以上、日立化成工業（株）製）などが挙げられる。

＜＜＜ポリオレフィン系エラストマー＞＞＞
ポリオレフィン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン等の炭素数２〜２０のα−オレフィンの共重合体などが挙げられる。例えば、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ）、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）等が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、シクロオクタジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエン、イソプレンなどの炭素数２〜２０の非共役ジエンとα−オレフィンの共重合体などが挙げられる。また、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性ニトリルゴムが挙げられる。具体的には、エチレン・α−オレフィンの共重合体ゴム、エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体ゴム、プロピレン・α−オレフィンの共重合体ゴム、ブテン・α−オレフィンの共重合体ゴムなどが挙げられる。
市販品として、ミラストマー（三井化学（株）製）、サーモラン（三菱化学（株）製）ＥＸＡＣＴ（エクソンモービル製）、ＥＮＧＡＧＥ（ダウ・ケミカル日本（株）製）、エスポレックス（住友化学（株）製）、Ｓａｒｌｉｎｋ（東洋紡（株）製）、ニューコン（日本ポリプロ（株）製）、ＥＸＣＥＬＩＮＫ（ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。

＜＜＜ポリウレタン系エラストマー＞＞＞
ポリウレタン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、低分子のグリコールおよびジイソシアネートからなるハードセグメントと、高分子（長鎖）ジオールおよびジイソシアネートからなるソフトセグメントとの構造単位を含むエラストマーなどが挙げられる。
高分子（長鎖）ジオールとしては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）、ポリ（エチレン・１，４−ブチレンアジペート）、ポリカプロラクトン、ポリ（１，６−ヘキシレンカーボネート）、ポリ（１，６−ヘキシレン・ネオペンチレンアジペート）などが挙げられる。高分子（長鎖）ジオールの数平均分子量は、５００〜１０，０００が好ましい。
低分子のグリコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ビスフェノールＡ等の短鎖ジオールを用いることができる。短鎖ジオールの数平均分子量は、４８〜５００が好ましい。
ポリウレタン系エラストマーの市販品としては、ＰＡＮＤＥＸ Ｔ−２１８５、Ｔ−２９８３Ｎ（以上、ＤＩＣ（株）製）、ミラクトラン（日本ミラクトラン（株）製）、エラストラン（ＢＡＳＦジャパン（株）製）、レザミン（大日精化工業（株）製）、ペレセン（ダウ・ケミカル日本（株）製）、アイアンラバー（ＮＯＫ（株）製）、モビロン（日清紡ケミカル（株）製）などが挙げられる。

＜＜＜ポリアミド系エラストマー＞＞＞
ポリアミド系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ポリアミド６、１１、１２などのポリアミドをハードセグメントに用い、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリテトラメチレングリコールなどのポリエーテルおよびポリエステルのうちの少なくとも一方をソフトセグメントに用いたエラストマーなどが挙げられる。このエラストマーは、ポリエーテルブロックアミド型、ポリエーテルエステルブロックアミド型の２種に大別される。
市販品として、ＵＢＥポリアミドエラストマー、ＵＢＥＳＴＡ ＸＰＡ（宇部興産（株）製）、ダイアミド（ダイセルエボニック（株）製）、ＰＥＢＡＸ（ＡＲＫＥＭＡ社製）、グリロンＥＬＸ（エムスケミージャパン（株）製）、グリラックス（東洋紡（株）製）、ポリエーテルエステルアミドＰＡ−２００、ＰＡ−２０１、ＴＰＡＥ−１２、ＴＰＡＥ−３２、ポリエステルアミドＴＰＡＥ−６１７、ＴＰＡＥ−６１７Ｃ（以上、（株）Ｔ＆Ｋ ＴＯＫＡ製）などが挙げられる。

＜＜＜ポリアクリル系エラストマー＞＞＞
ポリアクリル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレートなどのアクリル酸エステルをモノマー材料の主成分としたものや、アクリル酸エステルと、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどを共重合した共重合体が挙げられる。さらに、アクリル酸エステルと、アクリロニトリルやエチレンなどの架橋点モノマーとを共重合してなるものなどが挙げられる。具体的には、アクリロニトリル−ブチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−エチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体などが挙げられる。

＜＜＜その他エラストマー＞＞＞
本発明では、エラストマーとして、ゴム変性したエポキシ樹脂（エポキシ系エラストマー）を用いることができる。エポキシ系エラストマーは、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂あるいはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の一部または全部のエポキシ基を、両末端カルボン酸変性型ブタジエン−アクリロニトリルゴム、末端アミノ変性シリコーンゴム等で変性することによって得られる。

＜＜エラストマー以外の熱可塑性樹脂＞＞
本発明では、上述したエラストマー以外の熱可塑性樹脂（以下、単に、「他の熱可塑性樹脂」ともいう）を用いることができる。他の熱可塑性樹脂は、１種または２種以上を併用することができる。
他の熱可塑性樹脂の具体例としては、例えば、熱可塑性炭化水素樹脂、アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、熱可塑性シロキサン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。

本発明において、炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
炭化水素樹脂は、基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいてもよい。すなわち、炭素原子と水素原子のみからなる炭化水素樹脂に、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する場合も本発明における炭化水素樹脂に包含されるものであり、この場合、主鎖に炭化水素基が直接結合されてなる繰り返し単位の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して３０モル％以上であることが好ましい。
上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、ポリスチレン−ポリオレフィン共重合体、オレフィンポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、およびシクロオレフィンポリマー（例えば、ノルボルネン系共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）などが挙げられる。

本発明におけるアクリル樹脂は、（メタ）アクリレートモノマーを重合して得られる樹脂である。 （メタ）アクリレートモノマーとしては、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−ノニル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ｎ−デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニルメタ（アクリレート）、ベンジルメタ（アクリレート）、および２−メチルブチル（メタ）アクリレートが例示される。
また、アクリル樹脂は本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、（メタ）アクリレートモノマーと他のモノマーとを共重合してもよい。（メタ）アクリレートモノマーと他のモノマーとを共重合する場合、他のモノマーの量は、全モノマーの１０モル％以下が好ましい。
また、上記の他、三菱レイヨン（株）製、アクリペット ＭＦ ００１、スリーエム ジャパン（株）製、ＬＣ−５３２０ Ｆ１０３５などが例示される。

本発明では、オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂も好ましい。オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂としては、下記式（３）で表されるアクリル樹脂が挙げられる。
式（３）
上記式（３）中、Ｒ^１は複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２または−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３を示す。Ｒ^２は複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−Ｈ、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２または−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３を示す。Ｒ^３は複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−Ｈまたは−ＣＨ_３を示す。Ｒ^４は複数ある場合は同じでも異なっていてもよく、−Ｈ、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２、−ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３、またはエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アルコキシ基、ビニル基、シラノール基およびイソシアネート基からなる群より選ばれた少なくとも１種の官能基で置換された炭素数１〜６のアルキル基を示す。 ａは５０〜１５０であり、ｂは５０〜１５０であり、ｃは８０〜６００である。また、ｍは１〜１０である。
オルガノポリシロキサンを側鎖に有するアクリル樹脂の具体例としては、信越化学工業（株）製、シリコーングラフトアクリル樹脂、商品名：Ｘ−２４−７９８Ａ、Ｘ−２２−８００４（Ｒ^４：Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ、官能基当量：３２５０（ｇ／ｍｏｌ））、Ｘ−２２−８００９（Ｒ^４：Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３含有アルキル基、官能基当量：６２００（ｇ／ｍｏｌ））、Ｘ−２２−８０５３（Ｒ^４：Ｈ、官能基当量：９００（ｇ／ｍｏｌ））、Ｘ−２２−８０８４、Ｘ−２２−８０８４ＥＭ、Ｘ−２２−８１９５（Ｒ^４：Ｈ、官能基当量：２７００（ｇ／ｍｏｌ））、東亞合成（株）製サイマックシリーズ（ＵＳ−２７０、ＵＳ−３５０、ＵＳ−３５２、ＵＳ−３８０、ＵＳ−４１３、ＵＳ−４５０等）、レゼタＧＳ−１０００シリーズ（ＧＳ−１０１５、ＧＳ−１３０２等）等が挙げられる。

シクロオレフィンポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびこれら重合体の水素化物などが挙げられる。シクロオレフィンポリマーの好ましい例としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体、および、式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上をさらに含んでなる付加（共）重合体が挙げられる。また、シクロオレフィンポリマーの他の好ましい例としては、式（ＩＩＩ）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環（共）重合体が挙げられる。

式中、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ^１〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ^１〜Ｘ^３、および、Ｙ^１〜Ｙ^３は、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ_２）_ｎＣＯＯＲ^１１、−（ＣＨ_２）_ｎＯＣＯＲ^１２、−（ＣＨ_２）_ｎＮＣＯ、−（ＣＨ_２）_ｎＮＯ_２、−（ＣＨ_２）_ｎＣＮ、−（ＣＨ_２）_ｎＣＯＮＲ^１３Ｒ^１４、−（ＣＨ_２）_ｎＮＲ^１５Ｒ^１６、−（ＣＨ_２）_ｎＯＺ、−（ＣＨ_２）_ｎＷ、または、Ｘ^１とＹ^１、Ｘ^２とＹ^２、若しくはＸ^３とＹ^３から構成された（−ＣＯ）_２Ｏ、（−ＣＯ）_２ＮＲ^１７を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６およびＲ^１７は、それぞれ、水素原子、または、炭化水素基（好ましくは炭素数１〜２０の炭化水素基）、Ｚは、炭化水素基、または、ハロゲンで置換された炭化水素基を表し、Ｗは、ＳｉＲ^１８ _ｐＤ_３−ｐ（Ｒ^１８は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｄはハロゲン原子を表し、−ＯＣＯＲ^１８または−ＯＲ^１８を表し、ｐは０〜３の整数を示す）を表す。ｎは０〜１０の整数を表す。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ^５およびＲ^６は、水素原子またはメチル基であることが好ましく、Ｘ^３およびＹ^３は水素原子であることがより好ましく、その他の基は適宜選択される。

ノルボルネン系重合体は、特開平１０−７７３２号公報、特表２００２−５０４１８４号公報、ＵＳ２００４／２２９１５７Ａ１号公報あるいはＷＯ２００４／０７０４６３Ａ１号公報等に開示されている。ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合することによって得ることができる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン；ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。ノルボルネン系重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で販売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）あるいはＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同５０１３、同６０１３、同６０１５などのペレットが販売されている。さらに、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が販売されている。

ノルボルネン系重合体の水素化物は、特開平１−２４０５１７号公報、特開平７−１９６７３６号公報、特開昭６０−２６０２４号公報、特開昭６２−１９８０１号公報、特開２００３−１１５９７６７号公報あるいは特開２００４−３０９９７９号公報等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
ノルボルネン系重合体は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で販売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（ＺＥＯＮＥＸ）２５０、同２８０、同４８０Ｒという商品名で市販されており、これらを使用することができる。

熱可塑性シロキサン重合体としては、下記式（１）で示される繰り返し単位を有するシロキサン重合体が好ましい。

式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜８のアルキル基等の１価の炭化水素基を示す。ｍは１〜１００の整数であり、Ｂは正の整数、Ａは０または正の整数である。Ｘは下記式（２）で示される２価の有機基である。
式（２）中、Ｚは、以下のいずれかの構造単位から選ばれる２価の有機基であり、ｎは０または１である。Ｒ^５、Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数２〜４のアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは、それぞれ独立に、０、１、２のいずれかである。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４の具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、ｍは、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｂ／Ａは０〜２０、特に０．５〜５である。

上記シロキサン重合体の詳細については、特開２０１３−２４３３５０号公報の段落番号００３８〜００４４の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

また、シロキサン重合体として、熱可塑性シロキサン重合体を用いることができる。
熱可塑性シロキサン重合体は、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基または水酸基である。）およびＳｉＯ_４／２単位を含有し、上記Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンと、下記式（４）で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、上記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと上記オルガノポリシロキサンとの比率が、９９：１〜５０：５０であり、重量平均分子量が２００，０００〜１，５００，０００であることが好ましい。
式（４）
（式（４）中、Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の１価の炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）

上記式（４）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら炭化水素基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が好ましく、より好ましくはメチル基およびフェニル基である。

熱可塑性オルガノポリシロキサンの重量平均分子量は、好ましくは２００，０００以上、より好ましくは３５０，０００以上、かつ、好ましくは１，５００，０００以下、さらに好ましくは１，０００，０００以下である。また、分子量が７４０以下の低分子量成分含有量が好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。
市販品としては、ＳＩＬＲＥＳ ６０４（旭化成ワッカーシリコーン社製）が例示される。

熱可塑性ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得られるものを用いることができる。
公知の方法としては、例えば、溶剤中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを略等モル混合し、反応温度８０℃以下で反応させて得られたポリアミック酸を脱水閉環させる方法などが挙げられる。ここで、略等モルとは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル比が１：１近傍であることを言う。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比が、テトラカルボン酸二無水物の合計１．０モルに対して、ジアミンの合計が０．５〜２．０モルとなるように調整してもよい。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を上記の範囲内で調整することによって、熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量を調整することができる。

テトラカルボン酸二無水物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビスオキサビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２’−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕プロパン二無水物、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２’−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等を挙げることができ、これらを１種単独でまたは２種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が好ましく、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物がより好ましい。

ジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノエトキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノエトキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエトキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノエトキシ）フェニル）スルホン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレンジアミン、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン、４，９，１４−トリオキサへプタデカン−１，１７−ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン等を挙げることができる。
これらのジアミンの中でも、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ポリオキシプロピレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン、１，６−ジアミノヘキサン、および、４，９，１４−トリオキサへプタデカン−１，１７−ジアミンからなる群から選択される１種以上が好ましく、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダンがより好ましい。

上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応に用いられる溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。原材料等の溶解性を調整するために、非極性溶剤（例えば、トルエンや、キシレン）を併用してもよい。
上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応温度は、好ましくは１００℃未満、さらに好ましくは９０℃未満である。また、ポリアミック酸のイミド化は、代表的には不活性雰囲気（代表的には、真空または窒素雰囲気）下で加熱処理することにより行われる。加熱処理温度は、好ましくは１５０℃以上、さらに好ましくは１８０〜４５０℃である。

熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜１０００，０００が好ましく、２０，０００〜１００，０００がより好ましい。

本発明において、熱可塑性ポリイミド樹脂は、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、グリコールエーテル、ジメチルスルホキシドおよびテトラメチルウレアから選ばれる少なくとも１種の溶剤に対する２５℃での溶解度が１０質量％以上の熱可塑性ポリイミド樹脂が好ましい。
このような溶解度を有する熱可塑性ポリイミド樹脂としては、例えば、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダンとを反応させて得られる熱可塑性ポリイミド樹脂などが挙げられる。この熱可塑性ポリイミド樹脂は、耐熱性が特に優れる。

熱可塑性ポリイミド樹脂は、市販品を用いてもよい。例えば、Ｄｕｒｉｍｉｄｅ（登録商標）２００、２０８Ａ、２８４（以上、富士フイルム（株）製）、ＧＰＴ−ＬＴ（群栄化学工業（株）製）、ＳＯＸＲ−Ｓ、ＳＯＸＲ−Ｍ、ＳＯＸＲ−Ｕ、ＳＯＸＲ−Ｃ（以上、ニッポン高度紙工業（株）製）、ＥＸＴＥＭ ＶＨ１００３、ＶＨ１００３Ｆ、ＶＨ１００３Ｍ、ＸＨ１０１５（以上、ＳＡＢＩＣジャパン合同会社製）などが挙げられる。
その他、ＷＯ２０１６／０７６２６１号公報の段落００６５〜００８３に記載の熱可塑性樹脂なども好ましく用いることができる。

＜＜熱硬化性樹脂＞＞
本発明では、樹脂として、熱硬化性樹脂を用いることもできる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂が例示され、少なくともエポキシ樹脂を含むことが好ましい。

エポキシ樹脂としては、式（１１）で表されるエポキシ樹脂が例示される。
式（１１）
上記式（１１）において、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基ある。ａは０〜３の整数であり、ｂは０〜４の整数であり、ｎは平均値で、１〜５の整数である。
式（１２）
上記式（１２）において、Ｘは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｒ２）Ｃ（Ｒ２）−の中から選択される基で、Ｒ１は炭素数１〜６のアルキル基で互いに同一でも異なってもよい。ｍは０〜４の整数である。Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基で互いに同一でも異なってもよい。

式（１１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と式（１２）で表されるエポキシ樹脂（Ｂ）は、併用することが好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）を併用する場合の配合の質量比［（Ａ）／（Ｂ）］は、１０／９０〜９０／１０が好ましく、より好ましくは２０／８０〜７０／３０であり、特に好ましくは３０／７０〜５０／５０である。

フェノール樹脂としては、式（１３）で表される樹脂が好ましい。
式（１３）
上記式（１３）において、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。ａは０〜３の整数であり、ｂは０〜４の整数であり、ｎは平均値で、１〜５の整数である。

ブタジエン・アクリロニトリル共重合体としては、特に限定するものではないが、その構造の両端にカルボキシル基を有する式（１４）で表される化合物が好ましい。
式（１４）
上記式（１４）において、Ｂｕはブタジエン、ＡＣＮはアクリロニトリルを表す。ｘは１未満の正の数であり、ｙは１未満の正の数あり、ｘ＋ｙ＝１である。ｚは５０〜８０の整数である。

その他、特開２００６−２７４１８４号公報の段落００２４〜００３４に記載の熱硬化性樹脂を用いてもよく、さらに、上記段落に記載の熱硬化性樹脂のブレンド形態に従ってブレンドすることが好ましい。特開２００６−２７４１８４号公報の段落００２４〜００３４の内容は本明細書に組み込まれる。

さらに、仮接着用組成物に、熱硬化性樹脂を配合する場合、特開２００６−２７４１８４号公報の段落００３５に記載の硬化促進剤（トリフェニルホスフィン等）、段落００３７に記載のワックス（カルバナワックス）等を配合してもよい。

＜＜樹脂の引張弾性率Ｅ＞＞
上記樹脂は、２５℃における、ＪＩＳ（日本工業規格） Ｋ ７１６１：１９９４に準拠した、引張弾性率Ｅが１ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以上６０ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、１ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下であることが一層好ましく、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがより一層好ましく、１ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下であることがさらに一層好ましく、３ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることが特に一層好ましい。このような範囲にすることにより、反りをより効果的に抑制することが可能になる。

＜＜樹脂の配合量＞＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、樹脂を、仮接着用組成物の全固形分（溶剤を除いた全成分）中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％の割合で含むがより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが特に好ましい。樹脂の含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。
樹脂としてエラストマーを用いる場合、エラストマーは、仮接着用組成物の全固形分中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことがより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが特に好ましい。エラストマーの含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。エラストマーを２種以上使用した場合は、合計が上記範囲であることが好ましい。
また、樹脂としてエラストマーを用いる場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量は、５０〜１００質量％の割合で含むことが好ましく、７０〜１００質量％の割合で含むことがより好ましく、８０〜１００質量％の割合で含むことがさらに好ましく、９０〜１００質量％の割合で含むことが一層好ましい。また、樹脂は、実質的にエラストマーのみであってもよい。なお、樹脂が、実質的にエラストマーのみである場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量が、９９質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上がより好ましく、エラストマーのみからなることが一層好ましい。

＜熱重合性モノマー＞
本発明の仮接着用組成物は、樹脂に代えて、または、樹脂と共に、粉状または粒状の熱重合性モノマーを含んでいてもよい。熱重合性モノマーに熱エネルギーを付与することにより、硬化して仮接着膜が得られる。熱重合性モノマーとしては、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である熱重合性モノマーであれば、特に定めるものではないが、例えば、熱硬化する（メタ）アクリレートモノマーが例示される。熱硬化する（メタ）アクリレートモノマーの詳細は、上述のアクリル樹脂の原料となる（メタ）アクリレートモノマーが例示される。

仮接着用組成物が熱重合性モノマーを含む場合、熱重合性モノマーは、仮接着用組成物の全固形分中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことがより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％の割合で含むことがさらに好ましい。熱重合性モノマーの含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。熱重合性モノマーを２種以上使用した場合は、合計が上記範囲であることが好ましい。

＜離型剤＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、離型剤を含む。離型剤としては、フッ素原子およびケイ素原子の少なくとも一方を含む化合物が好ましく、ケイ素原子を含む化合物がより好ましく、シリコーン化合物がさらに好ましい。
離型剤は、２５℃、１０１，３００Ｐａにて、オイル状であることが好ましい。
シリコーン化合物は、Ｓｉ−Ｏ結合を含む化合物であり、ポリエーテル変性シリコーン、シランカップリング剤、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、環状シロキサンなどの低分子量シリコーンが例示され、ポリエーテル変性シリコーンであることが好ましい。
シリコーン化合物の光の屈折率は、１．３５０〜１．４８０であることが好ましく、１．３９０〜１．４４０がより好ましく、１．４００〜１．４３０がさらに好ましい。
シリコーン化合物を２８０℃、Ｎ_２気流下で３０分加熱した際の質量減少率は、０〜７０質量％が好ましく、５〜５０質量％がより好ましく、１０〜３０質量％がさらに好ましい。

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンは、式（Ａ）で表される比率が８０％以上であることが好ましい。
式（Ａ） ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００
上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％をいう。
上記式（Ａ）で表される比率は、９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましく、９９％以上であることが一層好ましく、１００％がより一層好ましい。

ポリエーテル変性シリコーンの重量平均分子量は、５００〜１０００００が好ましく、１０００〜５００００がより好ましく、２０００〜４００００がさらに好ましい。

本発明において、ポリエーテル変性シリコーンは、ポリエーテル変性シリコーンを窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持したときの質量減少率が５０質量％以下であることが好ましい。このような化合物を用いることにより、加熱を伴う基板の加工後の面状がより向上する傾向にある。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率は、４５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以下が一層好ましい。上記ポリエーテル変性シリコーンの質量減少率の下限値は０質量％であってもよいが、１５質量％以上、さらには２０質量％以上でも十分に実用レベルである。

本発明において、ポリエーテル変性シリコーンの光の屈折率は、１．４４０以下であることが好ましい。下限値については、特に定めるものではないが、１．４００以上であっても十分実用レベルである。

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンは、下記式（１０１）〜式（１０４）のいずれかで表されるポリエーテル変性シリコーンが好ましい。
式（１０１）
上記式（１０１）中、Ｒ^１１およびＲ^１６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ^１２およびＲ^１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ^１３およびＲ^１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ１１、ｍ１２、ｎ１およびｐ１は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ１およびｙ１は、それぞれ独立に２〜１００の数である。
式（１０２）
上記式（１０２）中、Ｒ^２１、Ｒ^２５およびＲ^２６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ^２２は、２価の連結基であり、Ｒ^２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ２およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ２は、２〜１００の数である。
式（１０３）
上記式（１０３）中、Ｒ^３１およびＲ^３６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ^３２およびＲ^３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ^３３およびＲ^３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ３１、ｍ３２、ｎ３およびｐ３は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ３は、２〜１００の数である。
式（１０４）
上記式（１０４）中、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５およびＲ^４６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ^４７は、２価の連結基であり、Ｒ^４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ４およびｎ４は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ４およびｙ４は、それぞれ独立に２〜１００の数である。

上記式（１０１）中、Ｒ^１１およびＲ^１６は、それぞれ独立に、置換基であり、炭素数１〜５のアルキル基またはフェニル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記式（１０１）中、Ｒ^１２およびＲ^１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、カルボニル基、酸素原子、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数６〜１６のシクロアルキレン基、炭素数２〜８のアルケニレン基、炭素数２〜５のアルキニレン基、および炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましく、酸素原子がより好ましい。
式（１０１）中、Ｒ^１３およびＲ^１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。

上記式（１０２）中、Ｒ^２１、Ｒ^２５およびＲ^２６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ^１１およびＲ^１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０２）中、Ｒ^２２は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ^１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０２）中、Ｒ^２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ^１３およびＲ^１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。

上記式（１０３）中、Ｒ^３１およびＲ^３６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ^１１およびＲ^１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０３）中、Ｒ^３２およびＲ^３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ^１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０３）中、Ｒ^３３およびＲ^３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ^１３およびＲ^１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。

上記式（１０４）中、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５およびＲ^４６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ^１１およびＲ^１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０４）中、Ｒ^４７は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ^１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０４）中、Ｒ^４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ^１３およびＲ^１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。

式（１０１）〜式（１０４）のポリエーテル変性シリコーン中、式（１０３）または式（１０４）のものが好ましく、式（１０４）のものがより好ましい。

本発明で用いるポリエーテル変性シリコーンにおいて、ポリオキシアルキレン基の分子中での含有率は特に限定されないが、ポリオキシアルキレン基の含有率が全分子量中１質量％を超えるものが望ましい。
ポリオキシアルキレン基の含有率は、「｛（１分子中のポリオキシアルキレン基の式量）／１分子の分子量｝×１００」で定義される。

シランカップリング剤の例としては、フッ素原子含有シランカップリング剤が挙げられ、クロロジメチル［３−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）プロピル］シラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリクロロ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチル）シラン、トリクロロ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、トリエトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリクロロ［３−（ペンタフルオロフェニル）プロピル］シラン、トリメトキシ（１１−ペンタフルオロフェノキシウンデシル）シラン、トリエトキシ［５，５，６，６，７，７，７−ヘプタフルオロ−４，４−ビス（トリフルオロメチル）ヘプチル］シラン、トリメトキシ（ペンタフルオロフェニル）シラン、トリエトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシランが好ましい。
さらに、特開昭６２−３６６６３号、特開昭６１−２２６７４６号、特開昭６１−２２６７４５号、特開昭６２−１７０９５０号、特開昭６３−３４５４０号、特開平７−２３０１６５号、特開平８−６２８３４号、特開平９−５４４３２号、特開平９−５９８８号、特開２００１−３３０９５３号各公報に記載の界面活性剤も本発明で使用可能なものとして、挙げられる。

本発明で用いるシリコーン化合物は、市販品を用いることもできる。
例えば、ＡＤＶＡＬＯＮ ＦＡ３３、ＦＬＵＩＤ Ｌ０３、ＦＬＵＩＤ Ｌ０３３、ＦＬＵＩＤ Ｌ０５１、ＦＬＵＩＤ Ｌ０５３、ＦＬＵＩＤ Ｌ０６０、ＦＬＵＩＤ Ｌ０６６、ＩＭ２２、ＷＡＣＫＥＲ−Ｂｅｌｓｉｌ ＤＭＣ ６０３８（以上、旭化成ワッカーシリコーン（株）製）、ＫＦ−３５２Ａ、ＫＦ−３５３、ＫＦ−６１５Ａ、ＫＰ−１１２、ＫＰ−３４１、Ｘ−２２−４５１５、ＫＦ−３５４Ｌ、ＫＦ−３５５Ａ、ＫＦ−６００４、ＫＦ−６０１１、ＫＦ−６０１１Ｐ、ＫＦ−６０１２、ＫＦ−６０１３、ＫＦ−６０１５、ＫＦ−６０１６、ＫＦ−６０１７、ＫＦ−６０１７Ｐ、ＫＦ−６０２０、ＫＦ−６０２８、ＫＦ−６０２８Ｐ、ＫＦ−６０３８、ＫＦ−６０４３、ＫＦ−６０４８、ＫＦ−６１２３、ＫＦ−６２０４、ＫＦ−６４０、ＫＦ−６４２、ＫＦ−６４３、ＫＦ−６４４、ＫＦ−９４５、ＫＰ−１１０、ＫＰ−３５５、ＫＰ−３６９、ＫＳ−６０４、Ｐｏｌｏｎ ＳＲ−Ｃｏｎｃ、Ｘ−２２−４２７２、Ｘ−２２−４９５２（以上、信越化学工業（株）製）、８５２６ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＦＺ−２２０３、ＦＺ−５６０９、Ｌ−７００１、ＳＦ ８４１０、２５０１ ＣＯＳＭＥＴＩＣ ＷＡＸ、５２００ ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ ＡＩＤ、５７ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０１９ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０２９ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０５４ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＢＹ１６−０３６、ＢＹ１６−２０１、ＥＳ−５６１２ ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ ＡＩＤ、ＦＺ−２１０４、ＦＺ−２１０８、ＦＺ−２１２３、ＦＺ−２１６２、ＦＺ−２１６４、ＦＺ−２１９１、ＦＺ−２２０７、ＦＺ−２２０８、ＦＺ−２２２２、ＦＺ−７００１、ＦＺ−７７、Ｌ−７００２、Ｌ−７６０４、ＳＦ８４２７、ＳＦ８４２８、ＳＨ ２８ ＰＡＩＮＲ ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＳＨ３７４９、ＳＨ３７７３Ｍ、ＳＨ８４００、ＳＨ８７００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＢＹＫ−３７８、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３３１、ＢＹＫ−３４５、ＢＹＫ−Ｂ、ＢＹＫ−３４７、ＢＹＫ−３４８、ＢＹＫ−３４９、ＢＹＫ−３７７（以上、ビックケミー・ジャパン（株）製）、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７００１、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７００２、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２００、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２１０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２２０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２３０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６０５、ＴＳＦ４４４５、ＴＳＦ４４４６、ＴＳＦ４４５２、Ｓｉｌｗｅｔ Ｈｙｄｒｏｓｔａｂｌｅ ６８、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２２、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７２８０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７５００、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７５５０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６００、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６０２、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６０４、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６０７、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６０８、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６２２、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６５０、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７６５７、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−７７、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−８５００、Ｓｉｌｗｅｔ Ｌ−８６１０、ＴＳＦ４４４０、ＴＳＦ４４４１、ＴＳＦ４４５０、ＴＳＦ４４６０（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）が例示される。
市販品としては、また、商品名「ＢＹＫ−３００」、「ＢＹＫ−３０６」、「ＢＹＫ−３１０」、「ＢＹＫ−３１５」、「ＢＹＫ−３１３」、「ＢＹＫ−３２０」、「ＢＹＫ−３２２」、「ＢＹＫ−３２３」、「ＢＹＫ−３２５」、「ＢＹＫ−３３０」、「ＢＹＫ−３３３」、「ＢＹＫ−３３７」、「ＢＹＫ−３４１」、「ＢＹＫ−３４４」、「ＢＹＫ−３７０」、「ＢＹＫ−３７５」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ−３５５０」、「ＢＹＫ−ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７００」、「ＢＹＫ−ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７２０」（以上、ビックケミー・ジャパン（株）製）、商品名「ＡＣ ＦＳ １８０」、「ＡＣ ＦＳ ３６０」、「ＡＣ Ｓ ２０」（以上、Ａｌｇｉｎ Ｃｈｅｍｉｅ製）、商品名「ポリフローＫＬ−４００Ｘ」、「ポリフローＫＬ−４００ＨＦ」、「ポリフローＫＬ−４０１」、「ポリフローＫＬ−４０２」、「ポリフローＫＬ−４０３」、「ポリフローＫＬ−４０４」、「ポリフローＫＬ−７００」（以上、共栄社化学（株）製）、商品名「ＫＰ−３０１」、「ＫＰ−３０６」、「ＫＰ−１０９」、「ＫＰ−３１０」、「ＫＰ−３１０Ｂ」、「ＫＰ−３２３」、「ＫＰ−３２６」、「ＫＰ−３４１」、「ＫＰ−１０４」、「ＫＰ−１１０」、「ＫＰ−１１２」、「ＫＰ−３６０Ａ」、「ＫＰ−３６１」、「ＫＰ−３５４」、「ＫＰ−３５７」、「ＫＰ−３５８」、「ＫＰ−３５９」、「ＫＰ−３６２」、「ＫＰ−３６５」、「ＫＰ−３６６」、「ＫＰ−３６８」、「ＫＰ−３３０」、「ＫＰ−６５０」、「ＫＰ−６５１」、「ＫＰ−３９０」、「ＫＰ−３９１」、「ＫＰ−３９２」（以上、信越化学工業（株）製）、商品名「ＬＰ−７００１」、「ＬＰ−７００２」、「８０３２ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「ＦＺ−２１１０」、「ＦＺ−２１０５」、「６７ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８６１８ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「３ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５６ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、「ＴＥＧＯ ＷＥＴ ２７０」（エボニック・デグサ・ジャパン（株）製）、「ＮＢＸ−１５」（ネオス（株）製）なども使用することができる。

フッ素原子を含む化合物としては、フッ素系液体状化合物が例示される。
フッ素系液体状化合物としては、国際公開ＷＯ２０１５／１９０４７７号公報の段落番号００２５〜００３５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品では、ＤＩＣ（株）製、メガファックシリーズのうち、フッ素系液体状化合物に該当するもの、例えば、メガファックＦ−５５７などが例示される。

仮接着用組成物における離型剤の含有量は、仮接着用組成物の固形分の０．００１〜１．０質量％であることが好ましい。上記離型剤の含有量の下限は、０．００４質量％以上がより好ましく、０．００６質量％以上がさらに好ましく、０．００８質量％以上が一層好ましく、０．００９質量％以上がより一層好ましい。上記離型剤の含有量の上限は、０．８質量％以下が好ましく、０．６質量％以下がより好ましく、０．３質量％以下がさらに好ましく、０．１５質量％以下がより一層好ましく、０．０９質量％以下がさらに一層好ましい。
本発明で用いる仮接着用組成物は、離型剤を１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜可塑剤＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、必要に応じて可塑剤を含んでいてもよい。可塑剤を配合することにより、上記諸性能を満たす仮接着膜とすることができる。
可塑剤としては、フタル酸エステル、脂肪酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルなどが使用できる。

フタル酸エステルとしては例えば、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、＃１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以上、大八化学工業（株）製）、ＰＬ−２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター（株）製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化（株）製）などが挙げられる。
脂肪酸エステルとしては例えば、ブチルステアレート、ユニスターＭ−９６７６、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ユニスターＨ−４７６、ユニスターＨ−４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油（株）製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学製）などが挙げられる。
芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ、モノサイザーＷ−７０５（以上、大八化学工業（株）製）、ＵＬ−８０、ＵＬ−１００（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ−１７２０、ポリサイザーＳ−２００２、ポリサイザーＳ−２０１０（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＢＡＡ−１５（大八化学工業（株）製）などが挙げられる。
上記可塑剤の中では、ＤＩＤＰ、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭ、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ポリサイザーＴＤ−１７２０が好ましく、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭがより好ましく、ＴＯＴＭが特に好ましい。
可塑剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。

可塑剤は、加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、２０℃／分の一定速度の昇温条件のもとで質量変化を測定したとき、その質量が１質量％減少する温度が、２５０℃以上であることが好ましく、２７０℃以上がより好ましく、３００℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、５００℃以下とすることができる。

可塑剤の添加量は、仮接着用組成物の全固形分に対して、０．０１質量％〜５．０質量％が好ましく、より好ましくは０．１質量％〜２．０質量％である。

＜酸化防止剤＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤などが使用できる。
フェノール系酸化防止剤としては例えば、ｐ−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ−８０（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。
硫黄系酸化防止剤としては例えば、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰＳ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。
リン系酸化防止剤としては例えば、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスフィト、ポリ（ジプロピレングリコール）フェニルホスフィト、ジフェニルイソデシルホスフィト、２−エチルヘキシルジフェニルホスフィト、トリフェニルホスフィト、Ｉｒｇａｆｏｓ１６８、Ｉｒｇａｆｏｓ３８（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）などが挙げられる。
キノン系酸化防止剤としては例えば、ｐ−ベンゾキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンなどが挙げられる。
アミン系酸化防止剤としては例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。
酸化防止剤は、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０がより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０が特に好ましい。
また、上記酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤またはリン系酸化防止剤とを併用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが最も好ましい。特に、エラストマーとして、ポリスチレン系エラストマーを使用した場合において、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが好ましい。このような組み合わせにすることにより、酸化反応による仮接着用組成物の劣化を、効率よく抑制できる効果が期待できる。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用する場合、両者の質量比は、フェノール系酸化防止剤：硫黄系酸化防止剤＝９５：５〜５：９５が好ましく、２５：７５〜７５：２５がより好ましい。
酸化防止剤の組み合わせとしては、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ、および、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ−８０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄがより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄが特に好ましい。

酸化防止剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、４００以上が好ましく、６００以上がさらに好ましく、７５０以上が特に好ましい。

仮接着用組成物が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の含有量は、仮接着用組成物の全固形分に対して、０．００１〜２０．０質量％が好ましく、０．００５〜１０．０質量％がより好ましい。
酸化防止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。酸化防止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

＜その他の添加剤＞
本発明で用いる仮接着用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した添加剤に加え、必要に応じて、各種添加物、例えば、硬化剤、硬化触媒、充填剤、密着促進剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は仮接着用組成物の全固形分の３質量％以下が好ましい。

本発明の仮接着用組成物は、各成分を混合することによって調製できる。特に、ミキサー等で撹拌することが好ましい。

仮接着膜
本発明に係る仮接着膜は、離型剤と樹脂を含む仮接着膜であって、上記仮接着膜は、表面に凹部および凸部の少なくとも一方を有し、かつ、平均厚さが５〜５００μｍを開示する。このような仮接着膜は、上述の仮接着用組成物を硬化して形成される。従来の仮接着膜は、基板上に、液状の仮接着用組成物を塗布し、硬化して製造していたため、表面に凹部や凸部を有する仮接着膜を製造することが困難であった。これに対し、コンプレッションモールド装置を用いて製造すると、容易に、表面に凹部や凸部を有する仮接着膜を製造することができる。さらに、本発明に係る仮接着膜は、エッジビードを有さない構成にできる。

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。
また、本実施例は、特に述べない限り、２５℃、１０１，３００Ｐａで行った。

＜実施例１−１〜実施例１−１７ 仮接着用組成物の製造＞
下記に組成を示す仮接着用組成物を、周波数６０Ｈｚ、加速度１００Ｇ、振幅１５ｍｍで６０秒間、ミキサーにて撹拌した。
＜＜仮接着用組成物の組成＞＞
・表１に記載の樹脂：９７．９質量部（２種の樹脂を配合する場合は、樹脂１が樹脂の８０質量％を、樹脂２が樹脂の２０質量％を占めるように配合した。）
・表１および表３に記載の添加剤（離型剤）：０．１質量部
＜＜＜実施例１−１〜実施例１−１７のすべての仮接着用組成物に配合した成分（酸化防止剤）＞＞＞
・Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）：１質量部
・Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ （住友化学（株）製、粉体）：１質量部

表１中に記載の化合物（樹脂）は以下の通りである。

上記表２に記載の樹脂はいずれも粉体である。
上記表２において、スチレン比率（スチレン由来の繰り返し単位の割合、質量％）は、仮接着用組成物をウェハ上に製膜し、剥離したのちにトリクロロベンゼン／重ベンゼン＝８０／２０（体積％）に溶解し、Ｈ−ＮＭＲ（ＪＥＯＬ−ＪＳＸ４００、日本電子（株）製）を用いて、樹脂中のスチレンおよびその他の共重合成分に帰属されるシグナルの積分強度を測定し、それぞれの共重合成分の比重を乗算することにより算出した。
上記表２において、Ｅは、樹脂の２５℃における、ＪＩＳ Ｋ ７１６１：１９９４に準拠した引張弾性率を示している。
上記表２において、ＣＯＰとは、シクロオレフィン系重合体をいい、ＴＰＩとは、熱可塑性ポリイミド樹脂をいう。

上記Ａ−１〜Ａ−１２の化合物（離型剤）は、オイル状である。

＜＜ポリエーテル変性シリコーンの２８０℃、３０分間加熱後の質量減少率の測定方法＞＞
上記表３に記載の「２８０℃３０分質量減少率」は、熱重量測定装置（ＴＧＡ−５０、（株）島津製作所製）を用い、窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持し、以下の式に基づいて質量減少率を算出したものである。
質量減少率（質量％）＝
｛（２０℃での質量−２８０℃３０分保持後の質量）／２０℃での質量｝×１００

＜＜屈折率の測定方法＞＞
精密屈折計（ＫＰＲ−３０００、（株）島津製作所製）を用い、２５℃の下、波長５８９ｎｍの光の屈折率を測定した。

＜＜式（Ａ）で表される比率の測定方法＞＞
ＮＭＲ（核磁気共鳴）を用いて、メチレンオキシド、エチレンオキシド、プロピレンオキシドに固有の水素原子のピークを測定し、各々の面積比率を算出した。

＜実施例２−１〜実施例２−１７＞
実施例２−１〜実施例２−１７は、それぞれ、上記実施例１−１〜実施例１−１７で製造した仮接着用組成物を用いて、積層体を製造した。

＜＜ボンディング＞＞
ＥＶグループ社製、ＥＶＧ５４０ボンダー（ボンダー装置）のボンドチャック上に、キャリア基板として、直径３００ｍｍの円盤状のシリコン基板および内径２９９ｍｍの金属枠をこの順に設置した。上記金属枠の枠内に、仮接着用組成物を平均厚さ０．２ｍｍとなるように、投入した。投入後、上記金属枠を静かに取り除いた後、エッジ部の３か所にボンドチャックに搭載されているスペーサーを挿入した。
次いで、デバイスウェハを、デバイス面を下（ボンダー装置側）にして位置合わせしてスペーサー上にセットした。
ここで、上記キャリア基板、デバイスウェハは、同心円上になるようにセットした。また、デバイスウェハは、直径３００ｍｍのシリコン基材の表面に、銅ピラーをピッチ１００μｍの等間隔で設けたものである。銅ピラーは、高さ３０μｍ、直径５０μｍの円柱形状である。
次に、ボンダー装置の上側および下側（デバイスウェハのデバイス面側およびキャリア基板の基板面側）に設けられた圧力板の温度を予め２００℃に加熱しておいた。下側圧力板の上にボンドチャック上に設置されたキャリア基板と仮接着用組成物とデバイスウェハがセットされた後、ボンダー内部を真空ポンプで吸引し、真空度が１×１０^−３Ｐａ以下になった後、スペーサーを抜き取り、デバイスウェハが仮接着用組成物の上に接触させるとほぼ同時に、上側圧力板をデバイスウェハの上面に加熱したまま接触させ、そのまま加圧し、圧力２０ｋＮで５分間加熱した後、圧力を開放した後、ボンドチャックを材料が載ったままボンダー装置外に引出し、室温まで冷却した。結果、キャリア基板／仮接着膜／デバイスウェハの積層体が得られた。仮接着膜の平均厚さは１００μｍで、エッジビードなどのない均一な膜であった。

＜＜加工処理＞＞
次いで、デバイスウェハの裏面の加工を行った。具体的には、デバイスウェハの裏面をグラインダーでバックグラインドして、デバイスの基材部分の厚さを２０μｍまで薄型化した。

＜＜デボンディング＞＞
スピンコーターを用い、１０００ｒｐｍで、加工処理をした積層体を、キャリア基板側を下にして回転させながら、デバイスウェハ側からメシチレン溶剤を流すことにより、積層体の端部（基板面の円周方向）に付着した異物、例えば、基板からはみ出した仮接着膜などを除去した。
次に、デバイスウェハを下にして、ダイシングフレームに貼ったダイシングテープ９に積層体を貼りつけた。
東京エレクトロン社製、機械剥離用のデボンダー装置、Ｓｙｎａｐｓｅ Ｚを用い、ダイシングテープ９に貼りつけた積層体をセットし、キャリア基板と仮接着膜の界面で剥離することにより、ダイシングテープ９上のデバイスウェハの表面に仮接着膜が約１００μｍの厚さで載っている積層体を得た。

＜＜クリーニング＞＞
東京エレクトロン社製のデボンダー装置Ｓｙｎａｐｓｅ Ｚを用い、メシチレン溶剤でスピン洗浄することにより、デバイスウェハ上の仮接着膜を溶解除去して、薄型化したデバイスウェハを得た。

＜実施例３＞
下記に示す成分をミキサーで混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕して仮接着用組成物とした。
エポキシ樹脂１：フェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ３０００、エポキシ当量２７４、軟化点５８℃）
２３．８質量部
エポキシ樹脂２：ビスフェノールＡ型結晶性エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＬ６８１０、エポキシ当量１７１、融点４５℃）
２３．９質量部
フェノール系樹脂１：フェノールビフェニルアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基当量２０３、軟化点６５℃）
４５．７質量部

ブタジエン・アクリロニトリル共重合体１（宇部興産（株）製、ＨＹＣＡＲ ＣＴＢＮ １００８−ＳＰ、下記式において、ｘ＝０．８２、ｙ＝０．１８、ｚの平均値は６２である化合物） １．４質量部
離型剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、ＴＳＦ４４４５） ０．０５質量部
トリフェニルホスフィン １．４質量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン １．９質量部
カルナバワックス １．９質量部

＜実施例４＞
実施例４は、上記実施例３で製造した仮接着用組成物を用いて、積層体を製造した。

＜＜コンプレッションモールド＞＞
コンプレッションモールド装置の下側圧力板の上に、直径３００ｍｍの円盤状のシリコン基板であるキャリア基板および内径２９９ｍｍの金属枠をこの順に設置した。
上記金属枠の枠内に、仮接着用組成物を平均厚さが０．４ｍｍとなるように、投入した。投入後、上記金属枠を静かに取り除いた。
次いで、厚み６ｍｍのアルミ板の表面に、後述するデバイスの凹凸に対応する位置に、逆凹凸になるような凹凸を機械加工で形成した後に耐熱フッ素樹脂をコーティングして剥離面を形成した剥離板を剥離面が下側（仮接着用組成物側）になるように置いた。
コンプレッションモールド装置の圧力板の温度を上側（剥離板側）および下側（キャリア基板側）とも予め２００℃に加熱しておき、加熱したまま、圧力２０ｋＮで、５分間加圧した。
その後、圧力板内の水冷パイプに冷却水を流し、６０℃まで冷却したところで、圧力板を開放した。
上記上側に載せた剥離板を取り除くことにより、デバイスウェハ上に仮接着膜を有する積層体を得た。

＜＜ボンディング＞＞
ＥＶグループ社製のＥＶＧ５４０ボンダー（ボンダー装置）を用い、ボンドチャック上に、上記で得られた積層体を、デバイスウェハ側が下側となるように設置した。次いで、エッジ部のスペーサーをセットした。
また、デバイスウェハは、直径３００ｍｍのシリコン基材のデバイス面に、デバイスをピッチ１０００μｍの等間隔に設けたものである。デバイスは、高さ１００μｍ、幅および長さ５００μｍの直方体である。
次に、ボンダー装置の上側および下側（デバイスウェハのデバイス面側およびキャリア基板の基板面側）に設けられた圧力板の温度を予め２００℃に加熱しておき、加熱したまま、圧力２０ｋＮで５分間加熱した後、圧力を開放した。キャリア基板／仮接着膜／デバイスウェハの積層体が得られた。仮接着膜のデバイスの無い部分の平均厚さは２００μｍで、デバイス部分（凸部）の平均厚さは１００μｍで、エッジビードなどのない均一な膜であった。

＜＜加工処理＞＞
次いで、デバイスウェハの裏面の加工を行った。具体的には、デバイスウェハの裏面をグラインダーでバックグラインドして、デバイスの基材部分の厚みを２０μｍまで薄型化した。

＜＜デボンディング＞＞
スピンコーターで、１０００ｒｐｍで、加工処理後の積層体をキャリア基板側を下にして回転させながら、デバイスウェハ側からメシチレン溶剤を流すことにより、積層体の端部（基板面の円周方向）に付着した異物、例えば、基板からはみ出した仮接着膜などを除去した。
次に、デバイスウェハを下側にして、ダイシングフレームに貼ったダイシングテープに積層体を貼りつけた。
東京エレクトロン社製、機械剥離用のデボンダー装置Ｓｙｎａｐｓｅ Ｚを用い、ダイシングテープに貼りつけた積層体をセットし、キャリア基板と仮接着膜の界面で剥離することにより、ダイシングテープ上のデバイスウェハの表面に仮接着膜が約１００μｍの厚みで載っている積層体を得た。

＜＜クリーニング＞＞
東京エレクトロン社製のデボンダー装置Ｓｙｎａｐｓｅ Ｚを用い、メシチレン溶剤でスピン洗浄することにより、デバイスウェハ上の仮接着膜を溶解除去して、薄型化したデバイスウェハを得た。

１ ボンダー装置
２ 第１の基板
３ 仮接着用組成物
４ 枠
６ 第２の基板
７ コンプレッションモールド装置
８ モールド型
９ ダイシングテープ
３３ 仮接着膜
６６ 加工された第２の基板

Claims (18)

1. 第１の基板、仮接着膜および第２の基板が前記順に互いに隣接している構造を有する積層体の製造方法であって、
   第１の基板またはモールド型の一方の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に、モールド型または第２の基板を適用する工程と、
   前記仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する工程とを、前記順に含み、
   前記仮接着用組成物が、離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である、積層体の製造方法。
2. 前記エネルギーの付与が加熱を含む、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記エネルギーの付与が圧力の印加を含む、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
4. 前記仮接着用組成物が樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
5. 前記離型剤が、フッ素原子およびケイ素原子の少なくとも一方を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
6. 前記仮接着用組成物が、酸化防止剤を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
7. 前記第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、仮接着用組成物の表面に前記第２の基板を適用した後に、前記仮接着用組成物にエネルギーを付与して、仮接着膜を形成する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
8. 前記仮接着膜の形成と第１の基板と第２の基板の仮接着を、ボンダー装置を用いて同一プロセス内で行う、請求項７に記載の積層体の製造方法。
9. 前記第１の基板の表面に仮接着用組成物を適用し、前記仮接着用組成物の表面にモールド型を適用するか、あるいは、
   前記モールド型の表面に仮接着用組成物を適用し、前記仮接着用組成物の表面に前記第２の基板を適用することを含み、
   さらに、前記仮接着膜を形成した後、前記モールド型を剥離し、前記モールド型を剥離した側の仮接着膜の表面に、前記第２の基板または前記第１の基板を適用する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
10. 前記モールド型が、前記仮接着用組成物と接触する側の面に凹部および凸部の少なくとも一方を有する、請求項９に記載の積層体の製造方法。
11. 離型剤を含み、かつ、２５℃、１０１，３００Ｐａにおいて粉状または粒状である、仮接着用組成物。
12. 前記仮接着用組成物が、さらに、樹脂を含む、請求項１１に記載の仮接着用組成物。
13. 前記樹脂がスチレン系エラストマーを含む、請求項１２に記載の仮接着用組成物。
14. 前記離型剤が、フッ素原子およびケイ素原子の少なくとも一方を含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
15. 前記仮接着用組成物が、酸化防止剤を含む、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
16. 離型剤と樹脂を含む仮接着膜であって、
    前記仮接着膜は、表面に凹部および凸部の少なくとも一方を有し、かつ、平均厚さが５〜５００μｍである仮接着膜。
17. 前記仮接着膜が、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の仮接着用組成物を硬化してなる、請求項１６に記載の仮接着膜。
18. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の積層体の製造方法を含む、半導体装置の製造方法。