JP2018037541A - 有孔基板の製造方法及び有孔基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】中空部を有する貫通孔に貫通電極を形成した後の工程において、その中空部への樹脂充填、その後の樹脂硬化、研磨除去の際に、基板割れなどの損傷を防ぐ有孔基板の製造方法及び有孔基板を提供する。【解決手段】有孔基板１２の製造方法は、第１面１３及び第２面１４を含み、第１面から第２面へ貫通する貫通孔２０が設けられた基板を準備する準備工程と、前記基板の貫通孔を、フィルム４１により第２面側で塞ぐ工程と、前記基板の貫通孔を第１面側から、第１樹脂層３２を含む第１フィルム３１で覆う第１封止工程と、第１フィルムに、第１フィルムによって覆われた貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第１樹脂層を貫通孔の内部に押し込む第１押込工程と、を備える。【選択図】図７
Description
本開示の実施形態は、有孔基板の製造方法及び有孔基板に関する。
第１面及び第２面を含み、第１面から第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、基板の第１面側から第２面側へ至るように貫通孔の内部に設けられた貫通電極と、を備える貫通電極基板が知られている。貫通電極基板の貫通電極の例としては、いわゆるフィルドビアやコンフォーマルビアが知られている。フィルドビアの場合、貫通電極は、貫通孔の内部に充填された銅などの導電性材料を含む。コンフォーマルビアの場合、貫通電極は、貫通孔に中空部が存在するよう、貫通孔の側壁に沿って広がっている。
ところで、貫通孔に中空部が存在していると、貫通孔に貫通電極を形成した後の工程において、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔の中空部に入ってしまうことがある。このような課題を解決する手段として、中空部に樹脂を充填することが挙げられる。例えば特許文献１，２は、まず、基板の第１面側から中空部に樹脂を充填し、樹脂を硬化させ、その後、樹脂のうち不要な部分を研磨により除去する、という手段を開示している。
樹脂の不要部分を研磨により除去する工程を実施すると、基板に応力が加わり、この結果、基板に割れなどの損傷が生じてしまうことがある。
本開示の実施形態は、このような課題を解決することができる有孔基板の製造方法及び有孔基板を提供することを目的とする。
本開示の一実施形態は、有孔基板の製造方法であって、第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する準備工程と、前記基板の前記貫通孔を前記第２面側で塞ぐ工程と、前記基板の前記貫通孔を前記第１面側から、第１樹脂層を含む第１フィルムで覆う第１封止工程と、前記第１フィルムに、前記第１フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、前記第１樹脂層を前記貫通孔の内部に押し込む第１押込工程と、を備える、製造方法である。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１封止工程は、前記第１フィルムの前記第１樹脂層を加熱する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１押込工程は、加熱された押圧部材を介して前記第１フィルムを前記基板の前記第１面に向けて押圧する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１封止工程は、前記基板の前記貫通孔の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法の前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、前記製造方法は、前記第１押込工程の後、前記基板の前記第１面に位置する前記第１樹脂層に、前記第１配線を部分的に露出させる開口を形成する工程を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１樹脂層は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含み、前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、前記製造方法は、前記第１押込工程の後、前記貫通孔の内部の前記第１樹脂層に電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程と、前記第１面に位置する前記第１樹脂層を除去する工程と、前記第１配線上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１樹脂層は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含み、前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、前記製造方法は、前記第１樹脂層に現像液を供給する現像工程と、前記第１配線上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法は、前記現像工程の後、前記貫通孔の内部の前記第１樹脂層に電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法の前記第１保護層形成工程は、前記基板の前記第１面に前記第１保護層を塗布する工程と、前記第１保護層に、前記第１配線を部分的に露出させる開口を形成する工程と、を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記基板の厚みは、１００μｍ以上且つ６００μｍ以下であり、前記貫通孔の寸法は、３０μｍ以上且つ２００μｍ以下であってもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第１樹脂層は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はエポキシ樹脂を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法の前記準備工程において準備される前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、前記第１配線には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１配線を見た場合に前記貫通孔に面する前記第１配線の内縁から前記第１配線の外縁に至る間隙が設けられていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法は、前記基板の前記貫通孔を前記第２面側から、第２樹脂層を含む第２フィルムで覆う第２封止工程と、前記第２フィルムに、前記第２フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、前記第２樹脂層を前記貫通孔の内部に押し込む第２押込工程と、を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第２封止工程は、前記第２フィルムの前記第２樹脂層を加熱する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第２押込工程は、加熱された押圧部材を介して前記第２フィルムを前記基板の前記第２面に向けて押圧する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法において、前記第２封止工程は、前記基板の前記貫通孔の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板の製造方法の前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、且つ、前記第２面には、第２配線が設けられており、前記第１配線の面積は、前記第２配線の面積よりも大きく、前記第１樹脂層の熱膨張率は、前記第２樹脂層の熱膨張率よりも小さくなっていてもよい。
本開示の一実施形態は、第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に充填された樹脂部と、を備え、前記樹脂部は、第１面側の第１樹脂層と、第２面側の、前記第１樹脂層と界面で接する第２樹脂層と、を含む、有孔基板である。
本開示の一実施形態による有孔基板は、前記貫通孔に設けられ、前記第１面から前記第２面へ至る貫通電極と、前記基板の前記第１面に位置し、前記貫通電極に接続された第１配線と、を更に備え、前記第１配線には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１配線を見た場合に前記貫通孔に面する前記第１配線の内縁から前記第１配線の外縁に至る間隙が設けられていてもよい。
本開示の一実施形態による有孔基板は、前記貫通孔に設けられ、前記第１面から前記第２面へ至る貫通電極と、前記基板の前記第１面に位置し、前記貫通電極に接続された第１配線と、前記基板の前記第２面に位置し、前記貫通電極に接続された第２配線と、を更に備え、前記第１配線の面積は、前記第２配線の面積よりも大きく、前記第１樹脂層の熱膨張率は、前記第２樹脂層の熱膨張率よりも小さくなっていてもよい。
本開示の実施形態によれば、基板に割れなどの損傷が生じてしまうことを抑制することができる。
以下、本開示の実施形態に係る有孔基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
以下、図１乃至図１１を参照して、本開示の実施の形態について説明する。ここでは、有孔基板が、貫通孔の側壁に設けられた貫通電極を備える貫通電極基板である例について説明する。
貫通電極基板
図１及び図２を参照して、本実施の形態に係る貫通電極基板１０について説明する。図１は、貫通電極基板１０を示す平面図である。図２は、一点鎖線に沿って切断した図１の貫通電極基板１０をII−II方向から見た断面図である。
図１及び図２を参照して、本実施の形態に係る貫通電極基板１０について説明する。図１は、貫通電極基板１０を示す平面図である。図２は、一点鎖線に沿って切断した図１の貫通電極基板１０をII−II方向から見た断面図である。
図１及び図２に示すように、貫通電極基板１０は、複数の貫通孔２０が設けられた基板１２、貫通電極２２、第１配線２５、第２配線２７、及び樹脂部３０を備える。以下、貫通電極基板１０の各構成要素について説明する。なお、図２に示すように、貫通孔２０及び第１配線２５は第１樹脂層３２によって覆われている。従って、図１の平面図においては、貫通孔２０及び第１配線２５を点線で表す。
（基板）
基板１２は、第１面１３及び第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。基板１２は、一定の絶縁性を有する材料から構成されている。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO2)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を含んでいてもよい。
基板１２は、第１面１３及び第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。基板１２は、一定の絶縁性を有する材料から構成されている。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO2)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を含んでいてもよい。
基板１２の厚さは特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上且つ６００μｍ以下の厚さの基板１２を使用することが好ましい。より好ましくは、基板１２は、２００μｍ以上且つ５００μｍ以下の厚さを有する。基板１２の厚さを１００μｍ以上とすることにより、基板１２のたわみが大きくなることを抑制できる。このため、製造工程における基板１２のハンドリングが困難になったり、基板１２上に形成する薄膜等の内部応力に起因して基板１２が反ってしまったりすることを抑制できる。また、基板１２の厚さを６００μｍ以下とすることにより、基板１２に貫通孔２０を形成する工程に要する時間が長くなり、貫通電極基板１０の製造コストが上昇してしまうことを抑制できる。
図２に示すように、貫通孔２０は、基板１２の第１面１３から第２面１４に至るよう基板１２に設けられる。第１面１３の面方向Ｄ１における貫通孔２０の寸法Ｓ１は、例えば３０μｍ以上且つ２００μｍ以下の範囲内である。なお、面方向Ｄ１とは、第１面１３に平行な方向である。
（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に設けられた、導電性を有する部材である。貫通電極２２は、図２に示すように、貫通孔２０の側壁２１に沿って広がっている。すなわち、貫通電極２２はいわゆるコンフォーマルビアである。
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に設けられた、導電性を有する部材である。貫通電極２２は、図２に示すように、貫通孔２０の側壁２１に沿って広がっている。すなわち、貫通電極２２はいわゆるコンフォーマルビアである。
貫通電極２２が導電性を有する限りにおいて、貫通電極２２の形成方法は特には限定されない。例えば、貫通電極２２は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。以下、貫通電極２２が、シード層と、シード層上に設けられためっき層と、を含む例について説明する。
シード層は、めっき層を形成するめっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層の材料としては、例えば、銅などの、めっき層と同一の金属材料を用いることができる。また、シード層の材料として、めっき層に比べて基板１２の材料に対する高い密着性を有する導電性材料を用いてもよい。例えば、シード層の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。
シード層に堆積されるめっき層が銅を含む場合、シード層の材料としては、好ましくは、銅が基板１２の内部に拡散することを抑制する材料を使用する。例えば、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル等、又はこれらを積層したものを用いることができる。シード層の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上且つ５００ｎｍ以下の範囲内である。
めっき層は、貫通電極２２の導電性を高めるためにシード層上に設けられる、導電性を有する層である。めっき層の材料としては、好ましくは、シード層に対する高い密着性を有し、且つ高い導電性を有する導電性材料が用いられる。例えば、めっき層の材料として、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。めっき層の厚さは、例えば、１μｍ以上且つ２０μｍ以下の範囲内である。
めっき層の厚みは、貫通電極２２に対して求められる導電性に応じて定められる。例えば、貫通電極２２が電源ラインや接地ラインを導通させるための部材である場合、十分な厚さを有するめっき層が用いられる。また、貫通電極２２が微弱な電気信号を導通させるための部材である場合、小さな厚みを有するめっき層を用いてもよい。又は、図示はしないが、めっき層を設けることなくシード層のみを貫通孔２０に設けてもよい。
（第１配線）
第１配線２５は、基板１２の第１面１３に設けられた、導電性を有する部材である。第１配線２５は、図２に示すように、貫通電極２２の第１面１３側の端部に接続されている。また、図１に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１配線２５を見た場合、第１配線２５は、貫通孔２０を囲っている。言い換えると、第１配線２５は、貫通孔２０を囲う内縁２５ｘと、内縁２５ｘを囲う外縁２５ｙとを有する。
第１配線２５は、基板１２の第１面１３に設けられた、導電性を有する部材である。第１配線２５は、図２に示すように、貫通電極２２の第１面１３側の端部に接続されている。また、図１に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１配線２５を見た場合、第１配線２５は、貫通孔２０を囲っている。言い換えると、第１配線２５は、貫通孔２０を囲う内縁２５ｘと、内縁２５ｘを囲う外縁２５ｙとを有する。
なお、第１面１３に位置し、且つ導電性を有する限りにおいて、第１配線２５の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、図示はしないが、貫通電極基板１０は、貫通孔２０に面さないように第１面１３に設けられた第１配線２５を更に備えていてもよい。また、図１においては、複数の第１配線２５が離散的に設けられているが、これに限られることはなく、隣り合う第１配線２５が互いに接続されていてもよい。
第１配線２５が導電性を有する限りにおいて、第１配線２５の形成方法は特には限定されない。例えば、第１配線２５を構成する導電層が、貫通電極２２を構成する導電層に連続していてもよい。この場合、第１配線２５は、貫通電極２２と同時に一体的に形成される。
（第２配線）
第２配線２７は、基板１２の第２面１４に設けられた、導電性を有する部材である。第２配線２７は、図２に示すように、貫通電極２２の第２面１４側の端部に接続されている。図示はしないが、第１配線２５の場合と同様に、基板１２の第２面１４の法線方向に沿って第２配線２７を見た場合、第２配線２７は、貫通孔２０を囲っている。
第２配線２７は、基板１２の第２面１４に設けられた、導電性を有する部材である。第２配線２７は、図２に示すように、貫通電極２２の第２面１４側の端部に接続されている。図示はしないが、第１配線２５の場合と同様に、基板１２の第２面１４の法線方向に沿って第２配線２７を見た場合、第２配線２７は、貫通孔２０を囲っている。
なお、第２面１４に位置し、且つ導電性を有する限りにおいて、第２配線２７の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、図示はしないが、貫通電極基板１０は、貫通孔２０に面さないように第２面１４に設けられた第２配線２７を更に備えていてもよい。
第２配線２７が導電性を有する限りにおいて、第２配線２７の形成方法は特には限定されない。例えば、第２配線２７を構成する導電層が、貫通電極２２を構成する導電層に連続していてもよい。この場合、第２配線２７は、第１配線２５の場合と同様に、貫通電極２２と同時に一体的に形成される。
（樹脂部）
樹脂部３０は、貫通孔２０に充填された樹脂である。樹脂部３０は、図２に示すように、第１面１３側の第１樹脂層３２と、第２面１４側の第２樹脂層３７とを含む。第１樹脂層３２と第２樹脂層３７とは、貫通孔２０の内部において界面３５で接する。貫通孔２０に樹脂部３０を設けることにより、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔２０の内部に入ってしまうことを抑制することができる。
樹脂部３０は、貫通孔２０に充填された樹脂である。樹脂部３０は、図２に示すように、第１面１３側の第１樹脂層３２と、第２面１４側の第２樹脂層３７とを含む。第１樹脂層３２と第２樹脂層３７とは、貫通孔２０の内部において界面３５で接する。貫通孔２０に樹脂部３０を設けることにより、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔２０の内部に入ってしまうことを抑制することができる。
貫通孔２０は、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を含む樹脂部３０によって隙間無く埋められていてもよく、隙間無く埋められていなくてもよい。例えば、貫通孔２０の内部に、第１樹脂層３２又は第２樹脂層３７が存在しない隙間があってもよい。このような場合であっても、貫通孔２０の端部を第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７で塞ぐことにより、導電性材料の屑などが残渣として貫通孔２０の内部に入ってしまうことを抑制することができる。
樹脂部３０の第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含む。例えば、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などの、絶縁性を有する有機材料、及び、光重合開始剤を含む。第１樹脂層３２を構成する材料と、第２樹脂層３７を構成する材料とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。
第１樹脂層３２と第２樹脂層３７との間の界面３５は、例えば光学顕微鏡や電子顕微鏡を用いることによって確認され得る。また、第１樹脂層３２を構成する材料と、第２樹脂層３７を構成する材料とが異なる場合、基板１２の厚み方向において第１面１３側又は第２面１４側から樹脂部３０の組成を分析することによっても、確認され得る。
図１及び図２に示すように、第１樹脂層３２は、貫通孔２０の内部だけでなく基板１２の第１面１３にも位置していてもよい。この場合、第１樹脂層３２は、第１配線２５を覆って第１配線２５を保護する保護層として機能する。第１面１３に位置する第１樹脂層３２の厚みＴ１は、貫通孔２０に十分に第１樹脂層３２を充填することができるように設定される。第１面１３に位置する第１樹脂層３２の厚みＴ１は、例えば１５μｍ以上且つ５０μｍ以下である。
図１及び図２に示すように、第１面１３に位置する第１樹脂層３２の一部には、第１配線２５を部分的に露出させるための開口３２ａが設けられている。この開口３２ａを介して、後述する配線層などの部材を第１配線２５に接続することができる。
図２に示すように、第２樹脂層３７も、貫通孔２０の内部だけでなく基板１２の第２面１４にも位置していてもよい。この場合、第２樹脂層３７は、第２配線２７を覆って第２配線２７を保護する保護層として機能する。第２面１４に位置する第２樹脂層３７の厚みは、第１樹脂層３２と同様に、貫通孔２０に十分に第２樹脂層３７を充填することができるように設定される。第２面１４に位置する第２樹脂層３７の厚みは、例えば１５μｍ以上且つ５０μｍ以下である。
図２に示すように、第２面１４に位置する第２樹脂層３７の一部にも、第２配線２７を部分的に露出させるための開口３７ａが設けられている。この開口３７ａを介して、後述する配線層などの部材を第２配線２７に接続することができる。
貫通電極基板の製造方法
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図３乃至図１１を参照して説明する。
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図３乃至図１１を参照して説明する。
（貫通孔の形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、図３に示すように、基板１２を加工して基板１２に複数の貫通孔２０を形成する。例えば、図示はしないが、まず、基板１２の面１３，１４のうち貫通孔２０が形成されない領域をレジスト層で覆う。続いて、基板１２の面１３，１４のうちレジスト層で覆われていない領域を除去して、複数の貫通孔２０を形成する。レジスト層で覆われていない領域を除去する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。
まず、基板１２を準備する。次に、図３に示すように、基板１２を加工して基板１２に複数の貫通孔２０を形成する。例えば、図示はしないが、まず、基板１２の面１３，１４のうち貫通孔２０が形成されない領域をレジスト層で覆う。続いて、基板１２の面１３，１４のうちレジスト層で覆われていない領域を除去して、複数の貫通孔２０を形成する。レジスト層で覆われていない領域を除去する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。
ウェットエッチング法のためのエッチング液としては、フッ化水素（ＨＦ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、塩酸（ＨＣｌ）のいずれか、又はこれらのうちの混合物を用いることができる。
ドライエッチング法としては、プラズマを用いたドライエッチングＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法、ボッシュプロセスを用いたＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ ＥｔｃｈｉｎｇＲＩＥ）法、サンドブラスト法、レーザアブレーション等のレーザ加工等を用いることができる。
レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。
また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。
（貫通電極の形成工程）
続いて、基板１２の貫通孔２０に貫通電極２２を形成する。例えば、まず、基板１２の第１面１３、第２面１４、及び貫通孔２０の側壁２１にシード層を形成する。シード層を形成する方法としては、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法や、化学成膜法などを用いることができる。続いて、シード層上に部分的にレジスト層を形成する。具体的には、シード層の領域のうち貫通電極２２が形成されない領域に位置する領域がレジスト層によって覆われるよう、レジスト層を形成する。続いて、電解めっきにより、レジスト層によって覆われていないシード層の領域上にめっき層を形成する。続いて、レジスト層を除去する。その後、レジスト層によって覆われていたシード層を除去する。このようにして、図４に示す貫通電極２２を形成することができる。このとき、図４に示すように、貫通電極２２と同時に第１配線２５及び第２配線２７を形成してもよい。
続いて、基板１２の貫通孔２０に貫通電極２２を形成する。例えば、まず、基板１２の第１面１３、第２面１４、及び貫通孔２０の側壁２１にシード層を形成する。シード層を形成する方法としては、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法や、化学成膜法などを用いることができる。続いて、シード層上に部分的にレジスト層を形成する。具体的には、シード層の領域のうち貫通電極２２が形成されない領域に位置する領域がレジスト層によって覆われるよう、レジスト層を形成する。続いて、電解めっきにより、レジスト層によって覆われていないシード層の領域上にめっき層を形成する。続いて、レジスト層を除去する。その後、レジスト層によって覆われていたシード層を除去する。このようにして、図４に示す貫通電極２２を形成することができる。このとき、図４に示すように、貫通電極２２と同時に第１配線２５及び第２配線２７を形成してもよい。
（第２面側の封止工程）
続いて、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側で塞ぐ工程を実施する。例えば、図５に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側からフィルム４１で覆う。これによって、基板１２の周囲と貫通孔２０の内部とが第２面１４側で連通することを抑制することができる。フィルム４１は、例えば、ポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料を含む樹脂フィルムである。フィルム４１の厚みは、例えば３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。
続いて、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側で塞ぐ工程を実施する。例えば、図５に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側からフィルム４１で覆う。これによって、基板１２の周囲と貫通孔２０の内部とが第２面１４側で連通することを抑制することができる。フィルム４１は、例えば、ポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料を含む樹脂フィルムである。フィルム４１の厚みは、例えば３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。
（第１封止工程）
続いて、図６に示すように、基板１２の貫通孔２０を第１面１３側から第１フィルム３１で覆う第１封止工程を実施する。第１フィルム３１は、図６に示すように、第１基材３３と、第１基材３３に積層された第１樹脂層３２と、を有する。第１樹脂層３２が基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第１フィルム３１で覆う。例えば、ローラーを用いて第１フィルム３１を基板１２の第１面１３に押し付ける。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から封止することができる。
続いて、図６に示すように、基板１２の貫通孔２０を第１面１３側から第１フィルム３１で覆う第１封止工程を実施する。第１フィルム３１は、図６に示すように、第１基材３３と、第１基材３３に積層された第１樹脂層３２と、を有する。第１樹脂層３２が基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第１フィルム３１で覆う。例えば、ローラーを用いて第１フィルム３１を基板１２の第１面１３に押し付ける。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から封止することができる。
好ましくは、第１封止工程は、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を加熱する工程を含む。これによって、加熱されて軟化した状態の第１樹脂層３２を、基板１２の第１面１３に強固に取り付けることができる。第１樹脂層３２を加熱する方法は特には限られない。例えば、ヒーターなどの加熱機構を備えたローラーを用いて、第１フィルム３１を基板１２の第１面１３に押し付けてもよい。また、赤外線ヒーターなどを用いて、放射伝熱によって第１樹脂層３２を加熱してもよい。
また、好ましくは、第１封止工程は、基板１２の貫通孔２０の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む。例えば、第１封止工程は、５００Ｐａ以下に減圧されたチャンバの内部で基板１２の貫通孔２０を第１面１３側から第１フィルム３１で覆う。これによって、第１フィルム３１によって封止された貫通孔２０の内部の圧力を５００Ｐａ以下に減圧することができる。このことにより、後述する第１押込工程において、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。
（第１押込工程）
続いて、図７に示すように、第１フィルム３１に、第１フィルム３１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む第１押込工程を実施する。例えば、図７に示すように、第１フィルム３１と対向するようにダイアフラム５１を配置する。続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。例えば、チャンバの内部に、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体を導入する。これによって、第１フィルム３１がダイアフラム５１を介して基板１２の第１面１３側に押圧され、この結果、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれる。なお、チャンバを大気に開放して基板１２の周囲の圧力を大気圧にすることによって、ダイアフラム５１を介して第１フィルム３１を基板１２の第１面１３側に押圧してもよい。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。
続いて、図７に示すように、第１フィルム３１に、第１フィルム３１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む第１押込工程を実施する。例えば、図７に示すように、第１フィルム３１と対向するようにダイアフラム５１を配置する。続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。例えば、チャンバの内部に、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体を導入する。これによって、第１フィルム３１がダイアフラム５１を介して基板１２の第１面１３側に押圧され、この結果、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれる。なお、チャンバを大気に開放して基板１２の周囲の圧力を大気圧にすることによって、ダイアフラム５１を介して第１フィルム３１を基板１２の第１面１３側に押圧してもよい。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。
好ましくは、加熱された状態のダイアフラム５１を、第１フィルム３１に接触させる。これによって、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を加熱して軟化させることができ、このことにより、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。
上述の第１封止工程及び第１押込工程は、別個の工程として順に実施されてもよい。若しくは、第１封止工程及び第１押込工程は、一連の工程として同時に実施されてもよい。例えば、同一の機構や手法を用いて、第１フィルム３１を基板１２の第１面１３に押し付けることと、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むこととを、一連の工程として連続的に実施してもよい。この場合、第１フィルム３１を任意のタイミングで加熱してもよい。例えば、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むタイミングで加熱を開始してもよい。
なお、図示はしないが、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体と第１フィルム３１との間に、ダイアフラム５１などの押圧部材が介在されていなくてもよい。すなわち、第１フィルム３１が、貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を有する気体によって基板１２の第１面１３側へ直接的に押圧されてもよい。
（第２封止工程）
続いて、基板１２の第２面１４からフィルム４１を取り外す。次に、図８に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側から第２フィルム３６で覆う第２封止工程を実施する。第２フィルム３６は、第１フィルム３１と同様に、第２基材３８と、第２基材３８に積層された第２樹脂層３７と、を有する。第２樹脂層３７が基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第２フィルム３６で覆う。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から再び封止することができる。
続いて、基板１２の第２面１４からフィルム４１を取り外す。次に、図８に示すように、基板１２の貫通孔２０を第２面１４側から第２フィルム３６で覆う第２封止工程を実施する。第２フィルム３６は、第１フィルム３１と同様に、第２基材３８と、第２基材３８に積層された第２樹脂層３７と、を有する。第２樹脂層３７が基板１２側に位置するよう、基板１２の貫通孔２０を第２フィルム３６で覆う。これによって、貫通孔２０の内部を基板１２の周囲から再び封止することができる。
第１封止工程の場合と同様に、第２封止工程も、好ましくは、第２フィルム３６の第２樹脂層３７を加熱する工程を含む。これによって、加熱されて軟化した状態の第２樹脂層３７を、基板１２の第２面１４に強固に取り付けることができる。また、第１封止工程の場合と同様に、第２封止工程も、好ましくは、基板１２の貫通孔２０の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む。
（第２押込工程）
続いて、図９に示すように、第２フィルム３６に、第２フィルム３６によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第２フィルム３６の第２樹脂層３７を貫通孔２０の内部に押し込む第２押込工程を実施する。例えば、第１押込工程の場合と同様に、第１フィルム３１と対向するようにダイアフラム５１を配置し、続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。
続いて、図９に示すように、第２フィルム３６に、第２フィルム３６によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第２フィルム３６の第２樹脂層３７を貫通孔２０の内部に押し込む第２押込工程を実施する。例えば、第１押込工程の場合と同様に、第１フィルム３１と対向するようにダイアフラム５１を配置し、続いて、基板１２の周囲の圧力を、貫通孔２０の内部の圧力よりも高くする。貫通孔２０の内部の圧力と、基板１２の周囲の圧力との差は、好ましくは１００ｋＰａ以上である。
上述の第１封止工程及び第１押込工程と同様に、第２封止工程及び第２押込工程は、別個の工程として順に実施されてもよく、若しくは、一連の工程として同時に実施されてもよい。
（照射工程）
続いて、図１０に示すように、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。このとき、第１樹脂層３２のうち開口３２ａが形成される部分、及び、第２樹脂層３７のうち開口３７ａが形成される部分には光Ｌが照射されないようにする。なお、第１樹脂層３２への光Ｌの照射と、第２樹脂層３７への光Ｌの照射とは、同時に実施してもよく、別々のタイミングで実施してもよい。また、第１樹脂層３２への光Ｌの照射は、第１基材３３を第１樹脂層３２から取り外した後に実施してもよく、第１基材３３を第１樹脂層３２から取り外す前に実施してもよい。同様に、第２樹脂層３７への光Ｌの照射は、第２基材３８を第２樹脂層３７から取り外した後に実施してもよく、第２基材３８を第２樹脂層３７から取り外す前に実施してもよい。
続いて、図１０に示すように、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。このとき、第１樹脂層３２のうち開口３２ａが形成される部分、及び、第２樹脂層３７のうち開口３７ａが形成される部分には光Ｌが照射されないようにする。なお、第１樹脂層３２への光Ｌの照射と、第２樹脂層３７への光Ｌの照射とは、同時に実施してもよく、別々のタイミングで実施してもよい。また、第１樹脂層３２への光Ｌの照射は、第１基材３３を第１樹脂層３２から取り外した後に実施してもよく、第１基材３３を第１樹脂層３２から取り外す前に実施してもよい。同様に、第２樹脂層３７への光Ｌの照射は、第２基材３８を第２樹脂層３７から取り外した後に実施してもよく、第２基材３８を第２樹脂層３７から取り外す前に実施してもよい。
（現像工程）
続いて、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に現像液を供給して、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７のうち光Ｌが照射されなかった部分を除去する現像工程を実施する。これによって、図１１に示すように、第１樹脂層３２に開口３２ａを形成し、また、第２樹脂層３７に開口３７ａを形成することができる。このようにして、第１面１３側の第１樹脂層３２及び第２面１４側の第２樹脂層３７を含む樹脂部３０が貫通孔２０に充填された貫通電極基板１０を得ることができる。なお、図１１に示すように、第１樹脂層３２のうち貫通孔２０と重なる部分の表面には、第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むことに起因する窪み３２ｂが形成されることがある。同様に、第２樹脂層３７のうち貫通孔２０と重なる部分の表面にも、窪み３７ｂが形成されることがある。
続いて、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に現像液を供給して、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７のうち光Ｌが照射されなかった部分を除去する現像工程を実施する。これによって、図１１に示すように、第１樹脂層３２に開口３２ａを形成し、また、第２樹脂層３７に開口３７ａを形成することができる。このようにして、第１面１３側の第１樹脂層３２及び第２面１４側の第２樹脂層３７を含む樹脂部３０が貫通孔２０に充填された貫通電極基板１０を得ることができる。なお、図１１に示すように、第１樹脂層３２のうち貫通孔２０と重なる部分の表面には、第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むことに起因する窪み３２ｂが形成されることがある。同様に、第２樹脂層３７のうち貫通孔２０と重なる部分の表面にも、窪み３７ｂが形成されることがある。
本実施の形態によれば、貫通孔２０の内部の圧力と基板１２の周囲の圧力との差を利用して樹脂層を貫通孔２０の内部に押し込むことにより、樹脂部３０を貫通孔２０に充填する。このため、樹脂の不要部分を研磨により除去する工程を実施する場合に比べて、基板に割れなどの損傷が生じてしまうことを抑制することができる。
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
（第１の変形例）
上述の実施の形態においては、第１樹脂層３２が、貫通孔２０の内部だけでなく基板１２の第１面１３にも位置し、第１樹脂層３２が、第１配線２５を覆って第１配線２５を保護する保護層としても機能する例を示した。本変形例においては、基板１２の第１面１３に、第１配線２５を保護する第１保護層３４を、第１樹脂層３２とは別に設ける例について説明する。
上述の実施の形態においては、第１樹脂層３２が、貫通孔２０の内部だけでなく基板１２の第１面１３にも位置し、第１樹脂層３２が、第１配線２５を覆って第１配線２５を保護する保護層としても機能する例を示した。本変形例においては、基板１２の第１面１３に、第１配線２５を保護する第１保護層３４を、第１樹脂層３２とは別に設ける例について説明する。
貫通電極基板の製造方法
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図１２乃至図１４を参照して説明する。なお、図３乃至図１１に示す上述の実施の形態の場合と同一の工程の説明については、適宜省略する。
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図１２乃至図１４を参照して説明する。なお、図３乃至図１１に示す上述の実施の形態の場合と同一の工程の説明については、適宜省略する。
まず、図３及び図４に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、貫通電極２２、第１配線２５及び第２配線２７が設けられた基板１２を準備する。続いて、図５乃至図９に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、第１フィルム３１を用いて第１面１３側から貫通孔２０の内部に第１樹脂層３２を充填し、また、第２フィルム３６を用いて第２面１４側から貫通孔２０の内部に第２樹脂層３７を充填する。
（照射工程）
続いて、図１２に示すように、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。
続いて、図１２に示すように、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。
（現像工程）
続いて、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に現像液を供給して、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７のうち光Ｌが照射されなかった部分を除去する現像工程を実施する。本変形例においては、図１３に示すように、第１樹脂層３２のうち、第１面１３の法線方向に沿って第１樹脂層３２を見た場合に貫通孔２０と重ならない部分が除去される。例えば、第１樹脂層３２のうち第１配線２５上に位置していた部分が除去される。また、図１３に示すように、第２樹脂層３７のうち、第２面１４の法線方向に沿って第２樹脂層３７を見た場合に貫通孔２０と重ならない部分が除去される。例えば、第２樹脂層３７のうち第２配線２７上に位置していた部分が除去される。
続いて、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に現像液を供給して、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７のうち光Ｌが照射されなかった部分を除去する現像工程を実施する。本変形例においては、図１３に示すように、第１樹脂層３２のうち、第１面１３の法線方向に沿って第１樹脂層３２を見た場合に貫通孔２０と重ならない部分が除去される。例えば、第１樹脂層３２のうち第１配線２５上に位置していた部分が除去される。また、図１３に示すように、第２樹脂層３７のうち、第２面１４の法線方向に沿って第２樹脂層３７を見た場合に貫通孔２０と重ならない部分が除去される。例えば、第２樹脂層３７のうち第２配線２７上に位置していた部分が除去される。
（保護層形成工程）
続いて、図１４に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を基板１２の第１面１３に形成する第１保護層形成工程を実施する。例えば、まず、絶縁性を有する有機材料及び光重合開始剤を含む保護層組成液を第１面１３に塗布し、保護層組成液を固化させて、第１面１３に第１保護層３４を形成する。有機材料は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などである。次に、第１保護層３４に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光を照射して、第１保護層３４を硬化させる。このとき、第１保護層３４のうち開口３４ａが形成される部分には光が照射されないようにする。その後、第１保護層３４を現像することにより、図１４に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を第１面１３に設けることができる。
続いて、図１４に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を基板１２の第１面１３に形成する第１保護層形成工程を実施する。例えば、まず、絶縁性を有する有機材料及び光重合開始剤を含む保護層組成液を第１面１３に塗布し、保護層組成液を固化させて、第１面１３に第１保護層３４を形成する。有機材料は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などである。次に、第１保護層３４に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光を照射して、第１保護層３４を硬化させる。このとき、第１保護層３４のうち開口３４ａが形成される部分には光が照射されないようにする。その後、第１保護層３４を現像することにより、図１４に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を第１面１３に設けることができる。
また、図１４に示すように、第２配線２７を部分的に露出させる開口３９ａが設けられた第２保護層３９を基板１２の第２面１４に形成する第２保護層形成工程を実施する。第２保護層形成工程は、例えば、上述の第１保護層形成工程の場合と同様に、保護層組成液を第２面１４に塗布する工程、保護層組成液を固化させて第２保護層３９を形成する工程、及び、第２保護層３９に開口３９ａを形成する工程を含む。
このようにして、図１４に示すように、貫通孔２０に充填された第１樹脂層３２とは異なる第１保護層３４によって第１配線２５が覆われ、また、貫通孔２０に充填された第２樹脂層３７とは異なる第２保護層３９によって第２配線２７が覆われた貫通電極基板１０を得ることができる。
本変形例によれば、貫通孔２０に充填される第１樹脂層３２とは異なる部材を用いて、第１面１３上の第１配線２５を保護する第１保護層３４を形成する。従って、第１保護層３４の厚みＴ２を、貫通孔２０への充填性に基づいて制約されることなく設定することができる。例えば、第１保護層３４の厚みＴ２を、上述の実施の形態における、第１面１３に位置する第１樹脂層３２の厚みＴ１よりも小さくすることができる。このことにより、貫通電極基板１０全体の厚みを低減することができる。第１保護層３４の厚みＴ２は、例えば３μｍ以上且つ２０μｍ以下である。
同様に、本変形例によれば、例えば、第２保護層３９の厚みを、上述の実施の形態における、第２面１４に位置する第２樹脂層３７の厚みよりも小さくすることができる。このことにより、貫通電極基板１０全体の厚みを低減することができる。第２保護層３９の厚みは、例えば３μｍ以上且つ２０μｍ以下である。
また、本変形例によれば、第１樹脂層３２の表面に、第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むことに起因する窪みが形成される場合であっても、第１保護層３４用の保護層組成液を第１樹脂層３２上に塗布して窪みを埋めることができる。このため、貫通電極基板１０の表面の平坦性を向上させることができる。第２樹脂層３７の窪みについても同様である。
（第２の変形例）
上述の第１の変形例においては、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を照射した後、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を現像する例を示した。本変形例においては、未硬化の第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を現像する例について説明する。なお、図３乃至図１１に示す上述の実施の形態の場合と同一の工程の説明については、適宜省略する。
上述の第１の変形例においては、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を照射した後、第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を現像する例を示した。本変形例においては、未硬化の第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を現像する例について説明する。なお、図３乃至図１１に示す上述の実施の形態の場合と同一の工程の説明については、適宜省略する。
まず、図３及び図４に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、貫通電極２２、第１配線２５及び第２配線２７が設けられた基板１２を準備する。続いて、図５乃至図９に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、第１フィルム３１を用いて第１面１３側から貫通孔２０の内部に第１樹脂層３２を充填し、また、第２フィルム３６を用いて第２面１４側から貫通孔２０の内部に第２樹脂層３７を充填する。次に、図１５に示すように、第１基材３３を第１樹脂層３２から取り外し、また、第２基材３８を第２樹脂層３７から取り外す。
（現像工程）
続いて、図１５に示すように、第１樹脂層３２に現像液Ｄｖを供給する現像工程を実施する。なお、第１樹脂層３２に現像液Ｄｖを供給するための具体的な方法は任意である。例えば、第１樹脂層３２に向けて現像液Ｄｖを吐出してもよく、若しくは、現像液が貯留された槽の中に、第１樹脂層３２が設けられた基板１２を浸漬させてもよい。
本変形例においては、第１面１３上に位置する第１樹脂層３２だけでなく、第１樹脂層３２のうち、第１面１３の法線方向に沿って第１樹脂層３２を見た場合に貫通孔２０と重なる部分も未硬化である。このため、図１６に示すように、第１面１３上に位置する第１樹脂層３２が除去され、且つ、貫通孔２０と重なる第１樹脂層３２も部分的に除去される。好ましくは、現像工程は、第１樹脂層３２に形成される窪みＤが所定の値に到達したら終了する。窪みＤとは、第１配線２５の表面から第１樹脂層３２の表面までの距離である。窪みＤは、０．１μｍ以上且つ２０μｍ以下が好ましく、例えば１０μｍである。
続いて、図１５に示すように、第１樹脂層３２に現像液Ｄｖを供給する現像工程を実施する。なお、第１樹脂層３２に現像液Ｄｖを供給するための具体的な方法は任意である。例えば、第１樹脂層３２に向けて現像液Ｄｖを吐出してもよく、若しくは、現像液が貯留された槽の中に、第１樹脂層３２が設けられた基板１２を浸漬させてもよい。
本変形例においては、第１面１３上に位置する第１樹脂層３２だけでなく、第１樹脂層３２のうち、第１面１３の法線方向に沿って第１樹脂層３２を見た場合に貫通孔２０と重なる部分も未硬化である。このため、図１６に示すように、第１面１３上に位置する第１樹脂層３２が除去され、且つ、貫通孔２０と重なる第１樹脂層３２も部分的に除去される。好ましくは、現像工程は、第１樹脂層３２に形成される窪みＤが所定の値に到達したら終了する。窪みＤとは、第１配線２５の表面から第１樹脂層３２の表面までの距離である。窪みＤは、０．１μｍ以上且つ２０μｍ以下が好ましく、例えば１０μｍである。
第１樹脂層３２と同様に、図１５に示すように、第２樹脂層３７にも現像液Ｄｖを供給して第２樹脂層３７を現像する。これによって、図１６に示すように、第２面１４上に位置する第２樹脂層３７が除去され、且つ、貫通孔２０と重なる第２樹脂層３７も部分的に除去される。
（照射工程）
続いて、図１６に示すように、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。
続いて、図１６に示すように、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７に電磁波又は荷電粒子線を、例えば光Ｌを照射する照射工程を実施する。これによって、貫通孔２０の内部に位置する第１樹脂層３２及び第２樹脂層３７を硬化させることができる。
（保護層形成工程）
続いて、図１７に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を基板１２の第１面１３に形成する第１保護層形成工程を実施する。例えば、上述の第１の変形例の場合と同様に、保護層組成液を第１面１３に塗布する工程、保護層組成液を固化させて第１保護層３４を形成する工程、及び、第１保護層３４に開口３４ａを形成する工程を含む。
続いて、図１７に示すように、第１配線２５を部分的に露出させる開口３４ａが設けられた第１保護層３４を基板１２の第１面１３に形成する第１保護層形成工程を実施する。例えば、上述の第１の変形例の場合と同様に、保護層組成液を第１面１３に塗布する工程、保護層組成液を固化させて第１保護層３４を形成する工程、及び、第１保護層３４に開口３４ａを形成する工程を含む。
また、図１７に示すように、第２配線２７を部分的に露出させる開口３９ａが設けられた第２保護層３９を基板１２の第２面１４に形成する第２保護層形成工程を実施する。第２保護層形成工程は、例えば、上述の第１保護層形成工程の場合と同様に、保護層組成液を第２面１４に塗布する工程、保護層組成液を固化させて第２保護層３９を形成する工程、及び、第２保護層３９に開口３９ａを形成する工程を含む。
このようにして、図１７に示すように、貫通孔２０に充填された第１樹脂層３２とは異なる第１保護層３４によって第１配線２５が覆われ、また、貫通孔２０に充填された第２樹脂層３７とは異なる第２保護層３９によって第２配線２７が覆われた貫通電極基板１０を得ることができる。
本変形例によれば、貫通孔２０に充填される第１樹脂層３２とは異なる部材を用いて、第１面１３上の第１配線２５を保護する第１保護層３４を形成する。従って、第１保護層３４の厚みＴ２を、貫通孔２０への充填性に基づいて制約されることなく設定することができる。例えば、第１保護層３４の厚みＴ２を、上述の実施の形態における、第１面１３に位置する第１樹脂層３２の厚みＴ１よりも小さくすることができる。このことにより、貫通電極基板１０全体の厚みを低減することができる。第１保護層３４の厚みＴ２は、例えば３μｍ以上且つ２０μｍ以下である。
また、本変形例によれば、現像工程において、貫通孔２０と重なる第１樹脂層３２が部分的に除去されるので、第１樹脂層３２第１面１３側の表面の位置が、上述の第１の変形例の場合に比べて第２面１４寄りになる。このため、第１面１３の法線方向に沿って貫通電極基板１０を見た場合に貫通孔２０と重なる領域において、第１樹脂層３２に起因する盛り上がりや凹凸などが貫通電極基板１０の表面に生じることを抑制することができる。
同様に、本変形例によれば、第２保護層３９の厚みを、上述の実施の形態における、第２面１４に位置する第２樹脂層３７の厚みよりも小さくすることができる。このことにより、貫通電極基板１０全体の厚みを低減することができる。第２保護層３９の厚みは、例えば３μｍ以上且つ２０μｍ以下である。また、本変形例によれば、第２面１４の法線方向に沿って貫通電極基板１０を見た場合に貫通孔２０と重なる領域において、第２樹脂層３７に起因する盛り上がりや凹凸などが貫通電極基板１０の表面に生じることを抑制することができる。
（第３の変形例）
上述の本実施の形態においては、基板１２の第１面１３側から第１樹脂層３２を貫通孔２０に押し込み、基板１２の第２面１４側から第２樹脂層３７を貫通孔２０に押し込むことによって、樹脂部３０を形成する例を示した。本変形例においては、基板１２の第１面１３側から第１樹脂層３２を貫通孔２０に押し込むことによって、樹脂部３０を形成する例について説明する。
上述の本実施の形態においては、基板１２の第１面１３側から第１樹脂層３２を貫通孔２０に押し込み、基板１２の第２面１４側から第２樹脂層３７を貫通孔２０に押し込むことによって、樹脂部３０を形成する例を示した。本変形例においては、基板１２の第１面１３側から第１樹脂層３２を貫通孔２０に押し込むことによって、樹脂部３０を形成する例について説明する。
まず、図３及び図４に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、貫通電極２２、第１配線２５及び第２配線２７が設けられた基板１２を準備する。続いて、図５及び図６に示す上述の実施の形態の工程の場合と同様にして、基板１２の第２面１４にフィルム４１を取り付け、基板１２の第１面１３に第１フィルム３１を取り付けて、貫通孔２０を封止する。
（第１押込工程）
続いて、第１フィルム３１に、第１フィルム３１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む第１押込工程を実施する。これによって、図１８に示すように、貫通孔２０の内部の全域に第１樹脂層３２を行き渡らせる。このようにして、貫通孔２０の全域に位置する第１樹脂層３２を含む樹脂部３０が貫通孔２０に充填された貫通電極基板１０を得ることができる。
続いて、第１フィルム３１に、第１フィルム３１によって覆われた貫通孔２０の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む第１押込工程を実施する。これによって、図１８に示すように、貫通孔２０の内部の全域に第１樹脂層３２を行き渡らせる。このようにして、貫通孔２０の全域に位置する第１樹脂層３２を含む樹脂部３０が貫通孔２０に充填された貫通電極基板１０を得ることができる。
本変形例によれば、第１面１３側からの第１樹脂層３２の押し込みによって樹脂部３０を形成することができる。このため、上述の実施の形態の場合に比べて、樹脂部３０を形成するための工数を削減することができる。なお、本変形例においては、第１面１３側からの第１樹脂層３２の押し込みによって、貫通孔２０の内部の全域に第１樹脂層３２が行き渡るよう、第１樹脂層３２の厚みＴ１、基板１２の厚みＴ、貫通孔２０の寸法Ｓを設定する。例えば、第１樹脂層３２の厚みＴ１が２０μｍ以上且つ５０μｍ以下であり、基板１２の厚みＴが１００μｍ以上且つ４００μｍ以下であり、貫通孔２０の寸法Ｓが３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。
（第４の変形例）
本変形例においては、貫通電極基板１０に反りが生じることを抑制するように、第１樹脂層３２を構成する材料と、第２樹脂層３７を構成する材料とを選択する例について説明する。
本変形例においては、貫通電極基板１０に反りが生じることを抑制するように、第１樹脂層３２を構成する材料と、第２樹脂層３７を構成する材料とを選択する例について説明する。
はじめに、本変形例における貫通電極基板１０の第１配線２５及び第２配線２７について説明する。図１９に示すように基板１２の第１面１３側に位置する第１配線２５の面積は、基板１２の第２面１４側に位置する第２配線２７の面積と異なっている。例えば、第１配線２５の面積は、第２配線２７の面積よりも大きい。
ところで、第１配線２５及び第２配線２７を構成する導電性材料の熱膨張率は、基板１２を構成するガラスやシリコンの熱膨張率よりも一般に大きい。例えば、導電性材料の一例である銅の熱膨張率は約１７ｐｐｍである。一方、ガラスの熱膨張率は、３ｐｐｍ〜９ｐｐｍの範囲内であり、シリコンの熱膨張率は、約２ｐｐｍである。従って、第１配線２５の面積と第２配線２７の面積が相違している場合、両者の面積の相違に起因する反りが貫通電極基板１０に現れてしまうことが考えられる。
このような課題を考慮し、本変形例においては、第１配線２５の面積と第２配線２７の面積の相違に起因して貫通電極基板１０に生じる反りを解消するように、第１樹脂層３２を構成する材料と、第２樹脂層３７を構成する材料とを選択することを提案する。例えば、第１配線２５の面積が第２配線２７の面積よりも大きい場合、第１樹脂層３２の熱膨張率を、第２樹脂層３７の熱膨張率よりも小さくすることを提案する。これによって、貫通電極基板１０に反りが現れてしまうことを抑制することができる。
第１樹脂層３２の熱膨張率及び第２樹脂層３７の熱膨張率を測定する方法の例としては、熱機械分析（ＴＭＡ）を挙げることができる。熱機械分析とは、試料の温度を変化させながら試料に圧縮、引っ張り、曲げなどを加え、試料に生じる変形を温度又は時間の関数として測定し、熱膨張率を算出する方法である。
（第５の変形例）
上述の実施の形態においては、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１配線２５を見た場合に第１配線２５の内縁２５ｘが貫通孔２０を囲う例を示した。本変形例においては、第１配線２５を見た場合に第１配線２５の内縁２５ｘが貫通孔２０を完全には囲わない例について説明する。これによって、後述するように、貫通孔２０の内部を減圧し易くなる。
上述の実施の形態においては、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１配線２５を見た場合に第１配線２５の内縁２５ｘが貫通孔２０を囲う例を示した。本変形例においては、第１配線２５を見た場合に第１配線２５の内縁２５ｘが貫通孔２０を完全には囲わない例について説明する。これによって、後述するように、貫通孔２０の内部を減圧し易くなる。
図２０は、本変形例に係る貫通電極基板１０を示す断面図である。また、図２１は、図２０に示す貫通電極基板１０を第１面１３側から見た場合を示す平面図である。図２０及び図２１に示すように、第１配線２５には、貫通孔２０に面する内縁２５ｘから外縁２５ｙに至る間隙２５ａが設けられている。以下、第１配線２５に間隙２５ａを設けることの利点について説明する。
図２２は、本変形例に係る貫通電極基板１０の製造工程の第１封止工程を示す図である。本変形例においては、間隙２５ａが設けられた第１配線２５に、第１フィルム３１が貼り付けられる。この場合、図２３に示すように、第１配線２５に間隙２５ａが形成されている部分では、第１フィルム３１の第１樹脂層３２と基板１２との間に隙間が存在する。従って、基板１２の第１面１３に第１フィルム３１を貼り付けた後であっても、貫通孔２０の内部の気体Ｆが隙間を通って外部へ排気され得る。このため、貫通孔２０の内部の減圧を容易に実施することができる。
第１配線２５に間隙２５ａを設ける方法は、特には限られない。例えば、第１配線２５が上述のシード層及びめっき層を含む場合、シード層を形成した後、シード層のうち間隙２５ａに対応する部分にレジスト層を形成する。続いて、電解めっきにより、レジスト層によって覆われていないシード層の領域上にめっき層を形成する。続いて、レジスト層を除去する。その後、レジスト層によって覆われていたシード層を除去する。このようにして、間隙２５ａが設けられた第１配線２５を形成することができる。
図示はしないが、基板１２の第２面１４に位置する第２配線２７にも、第１配線２５と同様に、第２配線２７の内縁から外縁に至る間隙が設けられていてもよい。
（第６の変形例）
図２３に示すように、貫通電極基板１０の第１面１３側には、配線層６０が設けられていてもよい。配線層６０は、貫通電極基板１０の第１配線２５に接続された導電層６１と、絶縁層６２とを有する。図２３に示すように、複数の配線層６０が第１面１３側に積層されていてもよい。
図２３に示すように、貫通電極基板１０の第１面１３側には、配線層６０が設けられていてもよい。配線層６０は、貫通電極基板１０の第１配線２５に接続された導電層６１と、絶縁層６２とを有する。図２３に示すように、複数の配線層６０が第１面１３側に積層されていてもよい。
同様に貫通電極基板１０の第２面１４側にも、配線層６０が設けられていてもよい。配線層６０は、貫通電極基板１０の第２配線２７に接続された導電層６１と、絶縁層６２とを有する。図２３に示すように、複数の配線層６０が第２面１４側に積層されていてもよい。
（第７の変形例）
上述の実施の形態においては、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む押圧部材として、ダイアフラム５１を用いる例を示した。しかしながら、第１フィルム３１を貫通孔２０側へ押圧して第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むことができる限りにおいて、押圧部材の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、押圧部材としてローラーを用いてもよい。ダイアフラム５１の場合と同様に、好ましくは、ローラーなどの押圧部材を、加熱された状態で第１フィルム３１に接触させる。これによって、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を加熱して軟化させることができ、このことにより、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。
上述の実施の形態においては、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込む押圧部材として、ダイアフラム５１を用いる例を示した。しかしながら、第１フィルム３１を貫通孔２０側へ押圧して第１樹脂層３２を貫通孔２０の内部に押し込むことができる限りにおいて、押圧部材の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、押圧部材としてローラーを用いてもよい。ダイアフラム５１の場合と同様に、好ましくは、ローラーなどの押圧部材を、加熱された状態で第１フィルム３１に接触させる。これによって、第１フィルム３１の第１樹脂層３２を加熱して軟化させることができ、このことにより、第１フィルム３１の第１樹脂層３２が貫通孔２０の内部に押し込まれ易くなる。
（貫通電極基板が搭載される製品の例）
図２４は、貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本発明の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。
図２４は、貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本発明の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
１０ 貫通電極基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
２０ 貫通孔
２１ 側壁
２２ 貫通電極
２５ 第１配線
２５ａ 間隙
２５ｘ 内縁
２５ｙ 外縁
２７ 第２配線
３０ 樹脂部
３１ 第１フィルム
３２ 第１樹脂層
３２ａ 開口
３３ 第１基材
３４ 第１保護層
３４ａ 開口
３６ 第２フィルム
３７ 第２樹脂層
３７ａ 開口
３８ 第２基材
３９ 第２保護層
３９ａ 開口
４１ フィルム
５１ ダイアフラム
６０ 配線層
６１ 導電層
６２ 絶縁層
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
２０ 貫通孔
２１ 側壁
２２ 貫通電極
２５ 第１配線
２５ａ 間隙
２５ｘ 内縁
２５ｙ 外縁
２７ 第２配線
３０ 樹脂部
３１ 第１フィルム
３２ 第１樹脂層
３２ａ 開口
３３ 第１基材
３４ 第１保護層
３４ａ 開口
３６ 第２フィルム
３７ 第２樹脂層
３７ａ 開口
３８ 第２基材
３９ 第２保護層
３９ａ 開口
４１ フィルム
５１ ダイアフラム
６０ 配線層
６１ 導電層
６２ 絶縁層
Claims (20)
- 有孔基板の製造方法であって、
第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板を準備する準備工程と、
前記基板の前記貫通孔を前記第２面側で塞ぐ工程と、
前記基板の前記貫通孔を前記第１面側から、第１樹脂層を含む第１フィルムで覆う第１封止工程と、
前記第１フィルムに、前記第１フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、前記第１樹脂層を前記貫通孔の内部に押し込む第１押込工程と、を備える、製造方法。 - 前記第１封止工程は、前記第１フィルムの前記第１樹脂層を加熱する工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
- 前記第１押込工程は、加熱された押圧部材を介して前記第１フィルムを前記基板の前記第１面に向けて押圧する工程を含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
- 前記第１封止工程は、前記基板の前記貫通孔の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、
前記製造方法は、前記第１押込工程の後、前記基板の前記第１面に位置する前記第１樹脂層に、前記第１配線を部分的に露出させる開口を形成する工程を更に備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記第１樹脂層は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含み、
前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、
前記製造方法は、
前記第１押込工程の後、前記貫通孔の内部の前記第１樹脂層に電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程と、
前記第１面に位置する前記第１樹脂層を除去する工程と、
前記第１配線上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、を更に備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記第１樹脂層は、電磁波又は荷電粒子線によって硬化する硬化性樹脂を含み、
前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、
前記製造方法は、
前記第１樹脂層に現像液を供給する現像工程と、
前記第１配線上に第１保護層を形成する第１保護層形成工程と、を更に備える、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記製造方法は、前記現像工程の後、前記貫通孔の内部の前記第１樹脂層に電磁波又は荷電粒子線を照射する照射工程を更に備える、請求項７に記載の製造方法。
- 前記第１保護層形成工程は、前記基板の前記第１面に前記第１保護層を塗布する工程と、前記第１保護層に、前記第１配線を部分的に露出させる開口を形成する工程と、を含む、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記基板の厚みは、１００μｍ以上且つ６００μｍ以下であり、
前記貫通孔の寸法は、３０μｍ以上且つ２００μｍ以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記第１樹脂層は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はエポキシ樹脂を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記準備工程において準備される前記基板の前記貫通孔の側壁には、貫通電極が設けられており、且つ、前記基板の前記第１面には、前記貫通電極に接続され、前記第１面に位置する第１配線が設けられており、
前記第１配線には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１配線を見た場合に前記貫通孔に面する前記第１配線の内縁から前記第１配線の外縁に至る間隙が設けられている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記製造方法は、
前記基板の前記貫通孔を前記第２面側から、第２樹脂層を含む第２フィルムで覆う第２封止工程と、
前記第２フィルムに、前記第２フィルムによって覆われた前記貫通孔の内部の圧力よりも高い圧力を加えて、前記第２樹脂層を前記貫通孔の内部に押し込む第２押込工程と、を更に備える、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記第２封止工程は、前記第２フィルムの前記第２樹脂層を加熱する工程を含む、請求項１３に記載の製造方法。
- 前記第２押込工程は、加熱された押圧部材を介して前記第２フィルムを前記基板の前記第２面に向けて押圧する工程を含む、請求項１３又は１４に記載の製造方法。
- 前記第２封止工程は、前記基板の前記貫通孔の内部を５００Ｐａ以下に減圧する工程を含む、請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記準備工程において準備される前記基板の前記第１面には、第１配線が設けられており、且つ、前記第２面には、第２配線が設けられており、
前記第１配線の面積は、前記第２配線の面積よりも大きく、
前記第１樹脂層の熱膨張率は、前記第２樹脂層の熱膨張率よりも小さい、請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の製造方法。 - 第１面及び第２面を含み、前記第１面から前記第２面へ貫通する貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の前記貫通孔に充填された樹脂部と、を備え、
前記樹脂部は、第１面側の第１樹脂層と、第２面側の、前記第１樹脂層と界面で接する第２樹脂層と、を含む、有孔基板。 - 前記貫通孔に設けられ、前記第１面から前記第２面へ至る貫通電極と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記貫通電極に接続された第１配線と、を更に備え、
前記第１配線には、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１配線を見た場合に前記貫通孔に面する前記第１配線の内縁から前記第１配線の外縁に至る間隙が設けられている、請求項１８に記載の有孔基板。 - 前記貫通孔に設けられ、前記第１面から前記第２面へ至る貫通電極と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記貫通電極に接続された第１配線と、
前記基板の前記第２面に位置し、前記貫通電極に接続された第２配線と、を更に備え、
前記第１配線の面積は、前記第２配線の面積よりも大きく、
前記第１樹脂層の熱膨張率は、前記第２樹脂層の熱膨張率よりも小さい、請求項１８に記載の有孔基板。
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