JP2018032594A - Electrode welding equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】スパッタの発生を抑制することができる電極溶接装置を提供する。【解決手段】電極溶接装置30は、複数の正極8のタブ14bが積層されたタブ積層体21にレーザ溶接用のレーザLを照射すると共に、複数の負極9のタブ16bが積層されたタブ積層体22にレーザ溶接用のレーザLを照射するレーザ照射器31と、レーザ照射器31によるレーザLの照射終端位置に向けて冷却ガスGcを噴射する冷却ガス噴射ノズル33とを備える。【選択図】図4An electrode welding apparatus capable of suppressing the generation of spatter. An electrode welding apparatus 30 irradiates a laser beam L for laser welding onto a tab laminated body 21 in which a plurality of tabs 14b of a plurality of positive electrodes 8 are laminated, and a tab laminated body in which tabs 16b of a plurality of negative electrodes 9 are laminated. The body 22 includes a laser irradiator 31 that irradiates the laser L for laser welding, and a cooling gas injection nozzle 33 that injects the cooling gas Gc toward the irradiation end position of the laser L by the laser irradiator 31. [Selection diagram] Fig. 4
Description
本発明は、電極溶接装置に関する。 The present invention relates to an electrode welding apparatus.
従来の電極溶接装置としては、例えば特許文献1に記載されている技術が知られている。特許文献1に記載の電極溶接装置は、正極板及び負極板がセパレータを介して捲回されてなる電極群のいずれか一方の極板から導出されたリードを、電極群を収容する電池ケースの開口部をかしめ封口する封口板に当接させた状態で、リード側からレーザを照射することにより、リードを封口板にレーザ溶接する。 As a conventional electrode welding apparatus, for example, a technique described in Patent Document 1 is known. In the electrode welding apparatus described in Patent Document 1, a lead led out from one electrode plate of an electrode group in which a positive electrode plate and a negative electrode plate are wound through a separator is used for a battery case that houses the electrode group. The lead is laser welded to the sealing plate by irradiating laser from the lead side in a state where the opening is brought into contact with the sealing plate that is caulked and sealed.
ところで、レーザの照射により溶接を行う場合、ワーク(加工対象)の温度分布としては、レーザの照射箇所が最も高温となり、照射箇所から離れるほど温度は下がる。一方で、レーザを走査しながら連続して照射する際、特にワークが小さい場合または溶接箇所が熱が逃げ難い形状を呈している場合等、温度が上昇しやすい条件下では、レーザの照射に伴って、ワーク全体または溶接ラインに沿った溶接箇所全体の温度も次第に上昇する。すなわち、溶接の開始位置である始端から溶接の終了位置である終端までレーザを走査した場合、エネルギービームの照射位置に隣接する箇所のみならず、照射位置から離れた箇所の温度も次第に上昇する。このため、レーザの出力を一定としていても、溶接後半、特に溶接の終端付近では、溶接の始端と比較して温度が上昇し、スパッタが発生しやすくなる。 By the way, when welding is performed by laser irradiation, the temperature distribution of the workpiece (processing object) is the highest temperature at the laser irradiation point, and the temperature decreases as the distance from the irradiation point increases. On the other hand, when continuously irradiating while scanning the laser, especially when the workpiece is small or the welded part has a shape that makes it difficult for heat to escape, under conditions where the temperature rises easily, As a result, the temperature of the entire workpiece or the entire welding location along the welding line also gradually increases. That is, when the laser is scanned from the starting end that is the welding start position to the end that is the welding end position, the temperature of not only the position adjacent to the energy beam irradiation position but also the position away from the irradiation position gradually increases. For this reason, even if the laser output is constant, in the latter half of welding, particularly in the vicinity of the end of welding, the temperature rises compared to the start of welding, and spatter is likely to occur.
本発明の目的は、スパッタの発生を抑制することができる電極溶接装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the electrode welding apparatus which can suppress generation | occurrence | production of a sputter | spatter.
本発明の一態様は、積層状態の複数の電極のタブ同士を溶接する電極溶接装置において、複数の電極のタブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射するレーザ照射部と、レーザ照射部によるレーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射部とを備えることを特徴とする。 One aspect of the present invention is an electrode welding apparatus for welding tabs of a plurality of electrodes in a stacked state, a laser irradiation unit that irradiates a laser beam for laser welding to a tab laminate in which tabs of a plurality of electrodes are stacked; And a cooling gas injection unit that injects a cooling gas toward a laser irradiation end position by the laser irradiation unit.
このような電極溶接装置においては、複数の電極のタブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射することにより、タブ積層体に溶接部が形成される。このとき、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近では、レーザが照射終端に至るまでにタブ積層体の温度が上昇しているため、レーザの照射により必要以上に温度が上昇しやすく、スパッタが発生しやすくなる。そこで、レーザが照射終端位置に至る前より、照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射することにより、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近が温度上昇することを抑える。これにより、スパッタの発生を抑制することができる。 In such an electrode welding apparatus, a welding portion is formed in the tab laminate by irradiating a laser beam for laser welding to a tab laminate in which a plurality of electrode tabs are laminated. At this time, in the vicinity of the laser irradiation end in the tab stack, the temperature of the tab stack increases before the laser reaches the irradiation end. It becomes easy to do. Therefore, by injecting the cooling gas toward the irradiation end position before the laser reaches the irradiation end position, the temperature rise in the vicinity of the laser irradiation end in the tab laminate is suppressed. Thereby, generation | occurrence | production of a sputter | spatter can be suppressed.
冷却ガス噴射部は、レーザ照射部によるレーザの照射始端位置を避けるように照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射してもよい。タブ積層体におけるレーザの照射始端付近では、温度が上昇しにくいため、レーザの溶け込み量が少ない。そこで、レーザの照射始端位置を避けるようにレーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射することにより、レーザの照射始端位置に冷却ガスが与えられることはない。従って、タブ積層体におけるレーザの照射始端付近の温度低下が抑えられるため、タブ積層体におけるレーザの照射始端付近に対するレーザの溶け込み量が必要以上に減少することが防止される。 The cooling gas injection unit may inject the cooling gas toward the irradiation end position so as to avoid the laser irradiation start position by the laser irradiation unit. In the vicinity of the laser irradiation start end in the tab laminate, the temperature hardly rises, so the amount of laser penetration is small. Thus, by injecting the cooling gas toward the laser irradiation end position so as to avoid the laser irradiation start end position, the cooling gas is not given to the laser irradiation start end position. Therefore, since the temperature drop near the laser irradiation start end in the tab laminated body is suppressed, it is possible to prevent the laser penetration amount near the laser irradiation start end in the tab laminated body from being reduced more than necessary.
電極溶接装置は、レーザ照射部によるレーザの照射箇所にアシストガスを噴射するアシストガス噴射部を更に備えてもよい。この場合には、アシストガスによってタブ積層体におけるレーザの照射箇所の酸化が防止されるため、各電極のタブ同士の溶接強度の低下を防ぐことができる。 The electrode welding apparatus may further include an assist gas injection unit that injects an assist gas to a laser irradiation portion of the laser irradiation unit. In this case, since the assist gas prevents oxidation of the laser irradiation portion in the tab laminate, it is possible to prevent a decrease in welding strength between the tabs of each electrode.
冷却ガス及びアシストガスは、同じガスであってもよい。この場合には、複数種類のガスを用意しなくて済むため、コスト的に有利である。 The cooling gas and the assist gas may be the same gas. In this case, it is not necessary to prepare a plurality of types of gases, which is advantageous in terms of cost.
電極溶接装置は、冷却ガス噴射部による冷却ガスの噴射量がアシストガス噴射部によるアシストガスの噴射量よりも多くなるように、冷却ガス噴射部及びアシストガス噴射部を制御する制御部を更に備えてもよい。この場合には、タブ積層体におけるレーザの照射終端付近の温度上昇が十分に抑えられるため、スパッタの発生を一層抑制することができる。 The electrode welding apparatus further includes a control unit that controls the cooling gas injection unit and the assist gas injection unit such that the injection amount of the cooling gas by the cooling gas injection unit is larger than the injection amount of the assist gas by the assist gas injection unit. May be. In this case, since the temperature rise in the vicinity of the laser irradiation end in the tab laminate can be sufficiently suppressed, the occurrence of sputtering can be further suppressed.
本発明によれば、スパッタの発生を抑制することができる。 According to the present invention, generation of spatter can be suppressed.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を使用して製造される蓄電装置の内部構成を示す断面図である。図2は、図1のII−II線断面図である。図1及び図2において、蓄電装置1は、積層型の電極組立体を有するリチウムイオン二次電池である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing an internal configuration of a power storage device manufactured using an electrode welding apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1 and 2, the power storage device 1 is a lithium ion secondary battery having a stacked electrode assembly.
蓄電装置1は、例えば略直方体形状をなすケース2と、このケース2内に収容された電極組立体3とを備えている。ケース2は、例えばアルミニウム等の金属により形成されている。ケース2の内部には、図示はしないが、例えば非水系(有機溶媒系)の電解液が注液されている。ケース2上には、正極端子4及び負極端子5が互いに離間して配置されている。正極端子4は、絶縁リング6を介してケース2に固定され、負極端子5は、絶縁リング7を介してケース2に固定されている。また、図示はしないが、電極組立体3の側面及び底面は絶縁フィルムにより覆われており、絶縁フィルムによってケース2と電極組立体3との間が絶縁されている。図1では便宜上、電極組立体3の底面とケース2の内側底面との間には僅かな隙間が設けられているが、実際には電極組立体3の底面が絶縁フィルムを介してケース2の内側底面に接触している。なお、電極組立体3とケース2との間にスペーサを配置することで、電極組立体3とケース2との間に隙間を形成してもよい。
The power storage device 1 includes a
電極組立体3は、複数の正極8と複数の負極9とが袋状のセパレータ10を介して交互に積層された構造を有している。正極8及び負極9は、電極である。正極8は、袋状のセパレータ10に包まれている。袋状のセパレータ10に包まれた状態の正極8は、セパレータ付き正極11として構成されている。従って、電極組立体3は、複数のセパレータ付き正極11と複数の負極9とが交互に積層された構造を有している。なお、電極組立体3の両端に位置する電極は、負極9である。
The
正極8は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔14と、この金属箔14の両面に形成された正極活物質層15とを有している。金属箔14は、平面視矩形状の箔本体部14aと、この箔本体部14aと一体化されたタブ14bとを有している。タブ14bは、箔本体部14aの長手方向の一端部近傍の縁から突出している。そして、タブ14bは、セパレータ10を突き抜けている。タブ14bは、導電部材12を介して正極端子4に接続されている。なお、図2では、便宜上タブ14bを省略している。
The
正極活物質層15は、箔本体部14aに形成されている。正極活物質層15は、正極活物質とバインダとを含んで形成された多孔質の層である。正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウムまたは硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも1つとリチウムとが含まれる。
The positive electrode
負極9は、例えば銅箔からなる金属箔16と、この金属箔16の両面に形成された負極活物質層17とを有している。金属箔16は、平面視矩形状の箔本体部16aと、この箔本体部16aと一体化されたタブ16bとを有している。タブ16bは、箔本体部16aの長手方向の一端部近傍の縁から突出している。タブ16bは、導電部材13を介して負極端子5に接続されている。なお、図2では、便宜上タブ16bを省略している。
The
負極活物質層17は、箔本体部16aに形成されている。負極活物質層17は、負極活物質とバインダとを含んで形成された多孔質の層である。負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、SiOx(0.5≦x≦1.5)等の金属酸化物またはホウ素添加炭素等が挙げられる。
The negative electrode
セパレータ10は、平面視矩形状を呈している。セパレータ10の形成材料としては、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、或いはポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、メチルセルロース等からなる織布または不織布等が例示される。
The
図3は、電極組立体3の斜視図である。図3において、電極組立体3は、複数の正極8と複数の負極9とがセパレータ10を介して交互に積層された組立体本体20と、複数の正極8のタブ14bが積層されたタブ積層体21と、複数の負極9のタブ16bが積層されたタブ積層体22とを有している。
FIG. 3 is a perspective view of the
タブ積層体21,22は、組立体本体20の一側面からX軸方向に突出している。X軸方向は、組立体本体20の長手方向(Y軸方向)及び正極8及び負極9の積層方向(Z軸方向)に垂直な方向である。タブ積層体21,22は、Y軸方向に離間して配置されている。タブ積層体21,22は、図示しない加圧ユニットにより加圧されている。これにより、タブ積層体21の各タブ14b同士が接触し、タブ積層体22の各タブ16b同士が接触している。
The tab laminates 21 and 22 protrude from the one side surface of the
タブ積層体21は、2つの側面21a、先端面21b及び上面21cを有している。先端面21b及び上面21cは、各側面21aを繋いでいる。タブ14bには、正極活物質層15が設けられていない。また、タブ積層体21を構成するタブ14bの枚数は、電極組立体3を構成する電極の枚数の約半分である。従って、組立体本体20の一側面の高さに合わせてタブ14bを積層してなるタブ積層体21の先端面21bは、タブ積層体21の先端に向かうに従ってタブ積層体21の厚みが小さくなるような傾斜面となっている。タブ積層体21は、導電部材12上に載置されている。タブ積層体21の上面21cには、保護板23が載置されている。従って、タブ積層体21は、導電部材12及び保護板23によってZ軸方向に挟まれている。
The
導電部材12の厚みは、タブ14bの厚みよりも大きい。保護板23の厚みは、タブ14bの厚みよりも大きいが、導電部材12の厚みよりも小さい。導電部材12のY軸方向の長さは、タブ積層体21のY軸方向の長さよりも大きい。タブ積層体21の先端位置は、導電部材12の縁部に一致している。保護板23のY軸方向の長さは、タブ積層体21のY軸方向の長さと等しい。導電部材12及び保護板23の材料は、金属箔14の材料と同じである。
The thickness of the
タブ積層体21の両側面21aには、タブ積層体21の各タブ14b同士を溶接した溶接部24が設けられている。溶接部24は、保護板23から導電部材12まで延びている。溶接部24は、レーザ溶接により形成されている。
On both side surfaces 21 a of the
タブ積層体22は、2つの側面22a、先端面22b及び上面22cを有している。先端面22b及び上面22cは、各側面22aを繋いでいる。タブ16bには、負極活物質層17が設けられていない。また、タブ積層体22を構成するタブ16bの枚数は、電極組立体3を構成する電極の枚数の約半分である。従って、組立体本体20の一側面の高さに合わせてタブ16bを積層してなるタブ積層体22の先端面22bは、タブ積層体22の先端に向かうに従ってタブ積層体22の厚みが小さくなるような傾斜面となっている。タブ積層体22は、導電部材13上に載置されている。タブ積層体22の上面22cには、保護板25が載置されている。従って、タブ積層体22は、導電部材13及び保護板25によってZ軸方向に挟まれている。
The
導電部材13の厚みは、タブ16bの厚みよりも大きい。保護板25の厚みは、タブ16bの厚みよりも大きいが、導電部材13の厚みよりも小さい。導電部材13のY軸方向の長さは、タブ積層体22のY軸方向の長さよりも大きい。タブ積層体22の先端位置は、導電部材13の縁部に一致している。保護板25のY軸方向の長さは、タブ積層体22のY軸方向の長さと等しい。導電部材13及び保護板25の材料は、金属箔16の材料と同じである。
The thickness of the
タブ積層体22の両側面22aには、タブ積層体22の各タブ16b同士を溶接した溶接部26が設けられている。溶接部26は、保護板25から導電部材13まで延びている。溶接部26は、レーザ溶接により形成されている。
On both side surfaces 22 a of the
図4は、本発明の一実施形態に係る電極溶接装置を示す概略平面図である。図4において、本実施形態の電極溶接装置30は、積層状態の複数の正極8のタブ14b同士を溶接すると共に、積層状態の複数の負極9のタブ16b同士を溶接する。なお、図4〜図6では、複数の正極8のタブ14b同士を溶接する構成のみを示しているが、複数の負極9のタブ17b同士を溶接する構成についても同様である。
FIG. 4 is a schematic plan view showing an electrode welding apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, the
電極溶接装置30は、4つのレーザ照射器31(レーザ照射部)と、4つのアシストガス噴射ノズル32(アシストガス噴射部)と、4つの冷却ガス噴射ノズル33(冷却ガス噴射部)と、コントローラ34(制御部)とを備えている。なお、図4では、レーザ照射器31、アシストガス噴射ノズル32及び冷却ガス噴射ノズル33は、2つずつ示されている。レーザ照射器31、アシストガス噴射ノズル32及び冷却ガス噴射ノズル33は、例えば3軸方向(XYZ軸方向)に移動可能な可動式であってもよいし、何らかの部品に取り付けられた固定式であってもよい。
The
レーザ照射器31は、タブ積層体21,22の側面21a,22aにレーザ溶接用のレーザLをそれぞれ照射する。これにより、タブ積層体21,22の側面21a,22aに溶接部24,26がそれぞれ形成される。レーザ照射器31は、図5に示されるように、タブ積層体21,22の上方からレーザLをタブ積層体21,22の側面21a,22aに向けてそれぞれ照射する。レーザ照射器31からのレーザLの照射方向は、タブ積層体21,22の側面21a,22aに対して所定の角度で傾斜している。
The
レーザ照射器31は、図6に示されるように、タブ積層体21,22の側面21a,22aに対してレーザLをそれぞれX軸方向に沿って照射始端位置P1から照射終端位置P2まで走査させて照射する。具体的には、レーザ照射器31は、タブ積層体21,22の側面21a,22aに対してレーザLをそれぞれZ軸方向に往復変位させながらX軸方向に沿って走査させる。このとき、レーザLのZ軸方向の変位量は、タブ積層体21,22の厚みよりも大きい。
As shown in FIG. 6, the
照射始端位置P1は、レーザ照射器31によるレーザLの照射を開始する位置である。照射始端位置P1は、保護板23,25のX軸方向の一端に対応した位置である。照射終端位置P2は、レーザ照射器31によるレーザLの照射を終了する位置である。照射終端位置P2は、保護板23,25のX軸方向の他端に対応した位置である。照射始端位置P1及び照射終端位置P2は、タブ積層体21,22の側面21a,22aにおけるZ軸方向の中心に位置している。照射始端位置P1及び照射終端位置P2を通る線Hは、X軸方向に延びている。
The irradiation start position P <b> 1 is a position at which the laser L irradiation by the
アシストガス噴射ノズル32は、レーザ照射器31によるレーザLの照射箇所にアシストガスGaを噴射する。アシストガス噴射ノズル32は、図6に示されるように、タブ積層体21,22に対応する高さ位置に配置されている。アシストガス噴射ノズル32は、X軸方向に沿って照射始端位置P1側から照射終端位置P2側に向けてアシストガスGaを噴射する。このとき、アシストガス噴射ノズル32は、アシストガスGaをタブ積層体21,22の側面21a,22aの中心位置を通るように噴射する。アシストガスGaとしては、N2ガスが使用される。なお、アシストガスGaを噴射する理由は、レーザLの熱により溶融した箇所の酸化を防止するためである。
The assist
冷却ガス噴射ノズル33は、レーザ照射器31によるレーザLの照射終端位置P2に向けて冷却ガスGcを噴射する。冷却ガス噴射ノズル33は、図6に示されるように、タブ積層体21,22の上方に配置されている。従って、冷却ガス噴射ノズル33は、アシストガス噴射ノズル32よりも高い位置に配置されている。
The cooling
具体的には、冷却ガス噴射ノズル33は、レーザ照射器31によるレーザLの照射始端位置P1を避けるようにレーザLの照射終端位置P2に向けて冷却ガスGcを噴射する。冷却ガス噴射ノズル33からの冷却ガスGcの噴射方向は、照射始端位置P1及び照射終端位置P2を通る線Hに対して傾斜している。つまり、冷却ガス噴射ノズル33からの冷却ガスGcの噴射方向は、アシストガス噴射ノズル32からのアシストガスGaの噴射方向に対して傾斜している。なお、本実施形態においては、冷却ガスGcとして、アシストガスGaと供給源を同じとするN2ガスが使用される。
Specifically, the cooling
コントローラ34は、CPU、RAM、ROM及び入出力インターフェース等により構成されている。コントローラ34は、レーザ照射器31を作動させるときに、アシストガス噴射ノズル32及び冷却ガス噴射ノズル33を同時に作動させるように、レーザ照射器31、アシストガス噴射ノズル32及び冷却ガス噴射ノズル33を制御する。このとき、コントローラ34は、冷却ガス噴射ノズル33による冷却ガスGcの噴射量がアシストガス噴射ノズル32によるアシストガスGaの噴射量よりも多くなるように、アシストガス噴射ノズル32及び冷却ガス噴射ノズル33を制御する。
The
以上のように本実施形態にあっては、複数の正極8のタブ14bが積層されたタブ積層体21にレーザ溶接用のレーザLを照射することにより、タブ積層体21に溶接部24が形成されると共に、複数の負極9のタブ16bが積層されたタブ積層体22にレーザ溶接用のレーザLを照射することにより、タブ積層体22に溶接部26が形成される。このとき、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射終端付近では、レーザLが照射終端に至るまでにタブ積層体21,22の温度が上昇しているため、レーザLの照射により必要以上に温度が上昇しやすく、スパッタが発生しやすくなる。そこで、レーザLが照射終端位置P2に至る前より、照射終端位置P2に向けて冷却ガスGcを噴射することにより、レーザLが照射終端位置P2に至るまでに、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射終端付近が温度上昇することを抑える。これにより、スパッタの発生を抑制することができる。その結果、レーザLによる溶接品質を向上させることが可能となる。
As described above, in the present embodiment, the welded
一方で、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射始端付近では、温度が上昇しにくいため、レーザLの溶け込み量が少ない。そこで、レーザLの照射始端位置P1を避けるようにレーザLの照射終端位置P2に向けて冷却ガスGcを噴射することにより、レーザLの照射始端位置P1に冷却ガスGcが与えられることはない。従って、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射始端付近の温度低下が抑えられるため、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射始端付近に対するレーザLの溶け込み量が必要以上に減少することが防止される。これにより、レーザLによる溶接品質を更に向上させることが可能となる。 On the other hand, in the vicinity of the irradiation start end of the laser L in the tab laminates 21 and 22, the temperature hardly rises, so that the amount of laser L penetration is small. Therefore, by injecting the cooling gas Gc toward the irradiation end position P2 of the laser L so as to avoid the irradiation start position P1 of the laser L, the cooling gas Gc is not given to the irradiation start position P1 of the laser L. Therefore, since the temperature drop near the laser L irradiation start end in the tab laminates 21 and 22 is suppressed, the amount of penetration of the laser L into the vicinity of the laser L irradiation start end in the tab laminates 21 and 22 may be reduced more than necessary. Is prevented. Thereby, it becomes possible to further improve the quality of welding by the laser L.
また、本実施形態では、レーザ照射器31によるレーザLの照射箇所にアシストガスGaを噴射するので、アシストガスGaによってタブ積層体21,22におけるレーザLの照射箇所の酸化が防止される。従って、各正極8のタブ14b同士及び各負極9のタブ16b同士の溶接強度の低下を防ぐことができる。これにより、レーザLによる溶接品質を一層向上させることが可能となる。
Moreover, in this embodiment, since assist gas Ga is injected to the irradiation location of the laser L by the
また、本実施形態では、冷却ガスGc及びアシストガスGaとして同じガスを使用するので、複数種類のガスを用意しなくて済む。従って、コスト的に有利である。 In the present embodiment, since the same gas is used as the cooling gas Gc and the assist gas Ga, it is not necessary to prepare a plurality of types of gases. Therefore, it is advantageous in terms of cost.
また、本実施形態では、冷却ガス噴射ノズル33による冷却ガスGcの噴射量をアシストガス噴射ノズル32によるアシストガスGaの噴射量よりも多くするので、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射終端付近の温度上昇が十分に抑えられる。従って、スパッタの発生を一層抑制することができる。
In the present embodiment, since the injection amount of the cooling gas Gc from the cooling
なお、本発明は、上記実施形態には限定されない。例えば上記実施形態では、アシストガス噴射ノズル32は、X軸方向に沿って照射始端位置P1側から照射終端位置P2側に向けてアシストガスGaを噴射しているが、特にその形態には限られず、例えばタブ積層体21,22に対するレーザLの照射箇所に合わせて、アシストガス噴射ノズル32によるアシストガスGaの噴射位置をずらしていく様にしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the assist
また、上記実施形態では、アシストガスGa及び冷却ガスGcとして、同じN2ガスを使用しているが、特にその形態には限られず、アシストガスGaと冷却ガスGcとで異なるガスを使用してもよい。例えば、アシストガスGa及び冷却ガスGcの一方をN2ガスとし、アシストガスGa及び冷却ガスGcの他方をArガスとしてもよい。 In the above embodiment, the same N 2 gas is used as the assist gas Ga and the cooling gas Gc. However, the present embodiment is not limited to this, and different gases are used for the assist gas Ga and the cooling gas Gc. Also good. For example, one of the assist gas Ga and the cooling gas Gc may be N 2 gas, and the other of the assist gas Ga and the cooling gas Gc may be Ar gas.
さらに、上記実施形態では、冷却ガス噴射ノズル33による冷却ガスGcの噴射量がアシストガス噴射ノズル32によるアシストガスGaの噴射量よりも多くなっているが、冷却ガスGcによってレーザLの照射終端付近の温度上昇が抑えられるのであれば、冷却ガスGcの噴射量がアシストガスGaの噴射量と同じでもよいし、或いは冷却ガスGcの噴射量がアシストガスGaの噴射量よりも少なくてもよい。
Further, in the above embodiment, the injection amount of the cooling gas Gc from the cooling
また、上記実施形態では、アシストガス噴射ノズル32によってレーザLの照射箇所にアシストガスGaを噴射しているが、特にその形態には限られず、タブ積層体21,22におけるレーザLの照射箇所の酸化の影響が少ないような場合には、アシストガス噴射ノズル32は特に無くてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although assist gas Ga is injected to the irradiation location of the laser L by the assist
さらに、上記実施形態では、蓄電装置1がリチウムイオン二次電池であるが、本発明は、特にリチウムイオン二次電池には限られず、例えばニッケル水素電池等の他の二次電池、電気二重層キャパシタまたはリチウムイオンキャパシタ等の蓄電装置における電極の溶接にも適用可能である。 Furthermore, in the said embodiment, although the electrical storage apparatus 1 is a lithium ion secondary battery, this invention is not restricted especially to a lithium ion secondary battery, For example, other secondary batteries, such as a nickel hydride battery, an electric double layer The present invention is also applicable to electrode welding in a power storage device such as a capacitor or a lithium ion capacitor.
8…正極(電極)、9…負極(電極)、14b…タブ、16b…タブ、21…タブ積層体、22…タブ積層体、30…電極溶接装置、31…レーザ照射器(レーザ照射部)、32…アシストガス噴射ノズル(アシストガス噴射部)、33…冷却ガス噴射ノズル(冷却ガス噴射部)、34…コントローラ(制御部)、P1…照射始端位置、P2…照射終端位置、L…レーザ、Ga…アシストガス、Gc…冷却ガス。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数の電極の前記タブが積層されたタブ積層体にレーザ溶接用のレーザを照射するレーザ照射部と、
前記レーザ照射部による前記レーザの照射終端位置に向けて冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射部とを備えることを特徴とする電極溶接装置。 In an electrode welding apparatus for welding tabs of a plurality of electrodes in a stacked state,
A laser irradiation unit that irradiates a laser beam for laser welding to a tab laminate in which the tabs of the plurality of electrodes are laminated;
An electrode welding apparatus comprising: a cooling gas injection unit that injects a cooling gas toward the irradiation end position of the laser by the laser irradiation unit.
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