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JP2018026549A - 剥離方法、表示装置、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents

剥離方法、表示装置、表示モジュール、及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】剥離工程の歩留まりを高める。剥離工程を用いて形成される表示装置の量産性を高める。【解決手段】基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成する。次に、第１の層に対して、第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成する。次に、第１の樹脂層上に、被剥離層を形成する。そして、被剥離層と基板とを分離する。第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う、または、酸素を含むガスを流しながら行う。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、剥離方法、表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された表示装置が知られている。そのほか、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
また、可撓性を有する基板（フィルム）上に、トランジスタなどの半導体素子や、有機ＥＬ素子などの表示素子を形成することによりフレキシブルな表示装置が実現できる。
特許文献１では、犠牲層を介して耐熱性樹脂層及び電子素子が設けられた支持基板（ガラス基板）にレーザ光を照射して、耐熱性樹脂層をガラス基板から剥離することで、フレキシブルな表示装置を作製する方法が開示されている。
特開２０１５−２２３８２３号公報
本発明の一態様は、新規な剥離方法または表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、低コストで量産性の高い剥離方法または表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、歩留まりの高い剥離方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、大判基板を用いて剥離を行うことを課題の一つとする。本発明の一態様は、大判基板を用いて表示装置を作製することを課題の一つとする。本発明の一態様は、作製工程が簡略化された表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示装置を低温で作製することを課題の一つとする。
本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、周囲の明るさによらず、視認性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、全天候型の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、利便性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示装置の薄型化または軽量化を課題の一つとする。本発明の一態様は、可撓性を有する、または曲面を有する表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、破損しにくい表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置、入出力装置、または電子機器などを提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、第１の樹脂層上に、被剥離層を形成し、被剥離層と基板とを分離する、剥離方法である。
本発明の一態様は、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、基板上及び第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の端部を覆う絶縁層を形成し、第１の樹脂層上に、絶縁層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、第１の樹脂層の少なくとも一部を基板から分離することで、分離の起点を形成し、トランジスタと基板とを分離する、剥離方法である。
本発明の一態様は、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、第１の層に対して、酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、基板上及び第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成し、第２の層に対して、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層の端部を覆う第２の樹脂層を形成し、第１の樹脂層上に、第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、第１の樹脂層の少なくとも一部を基板から分離することで、分離の起点を形成し、トランジスタと基板とを分離する、剥離方法である。
本発明の一態様は、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、基板上及び第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成し、第２の層に対して、酸素を含むガスを流さずに、または第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素の割合が低いガスを流しながら、第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層を形成し、第１の樹脂層上に、第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、第１の樹脂層の少なくとも一部を基板から分離することで、分離の起点を形成し、トランジスタと基板とを分離する、剥離方法である。
第２の加熱処理は、窒素ガスを流しながら行ってもよい。
第２の加熱処理は、窒素と酸素を含む混合ガスを流しながら、第１の加熱処理よりも低い温度で行ってもよい。
第２の加熱処理の温度が第１の加熱処理の温度よりも低い場合、第１の加熱処理で用いるガスと第２の加熱処理で用いるガスに含まれる酸素の割合が等しくてもよいことがある。
第１の加熱処理は、ガス流量全体に占める酸素ガス流量の割合が５％以上５０％以下の混合ガスを流しながら行ってもよい。
第１の加熱処理は、窒素と酸素を含む混合ガスを流しながら３５０℃以上４５０℃以下で行ってもよい。
厚さが１μｍ以上３μｍ以下となるように、第１の樹脂層を形成してもよい。
粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満の溶液を用いて、第１の層を形成してもよい。
スピンコータを用いて、第１の層を形成してもよい。
第１の加熱処理の温度以下の温度で、トランジスタを作製することが好ましい。
感光性を有する樹脂を用いて、第１の層を形成してもよい。
本発明の一態様は、第１の樹脂層と、第１の樹脂層上の第２の樹脂層と、第２の樹脂層上のトランジスタと、トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有する表示装置である。第１の樹脂層の第２の樹脂層とは反対側の面に対して行う、Ｘ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上である。第１の樹脂層の厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有することが好ましい。
本発明の一態様は、上記構成のうちいずれかの表示装置と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等の回路基板と、を有する表示モジュールである。
本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、または操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器である。
本発明の一態様により、新規な剥離方法または表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、低コストで量産性の高い剥離方法または表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、歩留まりの高い剥離方法を提供することができる。本発明の一態様により、大判基板を用いて剥離を行うことができる。本発明の一態様により、大判基板を用いて表示装置を作製することができる。本発明の一態様により、作製工程が簡略化された表示装置の作製方法を提供することができる。本発明の一態様により、表示装置を低温で作製することができる。
本発明の一態様により、消費電力の低い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、周囲の明るさによらず、視認性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、全天候型の表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、利便性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、表示装置の薄型化または軽量化が可能となる。本発明の一態様により、可撓性を有する、または曲面を有する表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、破損しにくい表示装置を提供することができる。本発明の一態様により、新規な表示装置、入出力装置、または電子機器などを提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図及び上面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図及び上面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図及び上面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す上面図及び断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図及び上面図。 表示装置の一例を示す斜視図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の作製方法の一例を示す断面図。 表示装置の一例及び画素の一例を示す図。 表示装置の画素回路の一例を示す回路図。 表示装置の画素回路の一例を示す回路図及び画素の一例を示す図。 表示モジュールの一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 実施例１の剥離結果を示す外観写真。 実施例１の剥離結果を示す外観写真。 実施例２の剥離方法を示す断面図及び上面図。 実施例２の剥離結果を示す外観写真。 実施例２の剥離に要する力の測定に用いた装置を示す斜視図と試料を示す断面図。 実施例２の剥離に要する力の測定結果。 実施例２の試料２Ａの断面ＳＴＥＭ写真。 実施例２の試料２Ｃの断面ＳＴＥＭ写真。 実施例２の試料２Ｅの断面ＳＴＥＭ写真。 実施例４の各試料のＸＰＳ分析結果。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
なお、本明細書等において、「基板」は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを支持する機能を有することが好ましい。なお、「基板」は、これらを支持する機能を有していなくてもよく、例えば、装置の表面を保護する機能、又は、機能回路、機能素子、及び機能膜等のうち少なくとも一つを封止する機能等を有していてもよい。
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
酸化物半導体または金属酸化物の結晶構造の一例について説明する。なお、以下では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］）を用いて、スパッタリング法にて成膜された酸化物半導体を一例として説明する。上記ターゲットを用いて、基板温度を１００℃以上１３０℃以下として、スパッタリング法により形成した酸化物半導体をｓＩＧＺＯと呼称し、上記ターゲットを用いて、基板温度を室温（Ｒ．Ｔ．）として、スパッタリング法により形成した酸化物半導体をｔＩＧＺＯと呼称する。例えば、ｓＩＧＺＯは、ｎｃ（ｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌ）及びＣＡＡＣのいずれか一方または双方の結晶構造を有する。また、ｔＩＧＺＯは、ｎｃの結晶構造を有する。なお、ここでいう室温（Ｒ．Ｔ．）とは、基板を意図的に加熱しない場合の温度を含む。
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電体の機能と、材料の一部では誘電体（または絶縁体）の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電体は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能を有し、誘電体は、キャリアとなる電子を流さない機能を有する。導電体としての機能と、誘電体としての機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電体領域、及び誘電体領域を有する。導電体領域は、上述の導電体の機能を有し、誘電体領域は、上述の誘電体の機能を有する。また、材料中において、導電体領域と、誘電体領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電体領域と、誘電体領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電体領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電体領域と、誘電体領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法及び表示装置の作製方法について図１〜２０を用いて説明する。
本実施の形態では、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する表示装置（アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置ともいう）を例に挙げて説明する。当該表示装置は、基板に可撓性を有する材料を用いることで、フレキシブルデバイスとすることができる。なお、本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を用いた発光装置、表示装置、及び入出力装置（タッチパネルなど）に限られず、他の機能素子を用いた半導体装置、発光装置、表示装置、及び入出力装置等の各種装置に適用することができる。
本実施の形態の剥離方法では、まず、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成する。次に、第１の層に対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成する。次に、第１の樹脂層上に被剥離層を形成する。そして、被剥離層と基板とを分離する。ここで、第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。第１の加熱処理は、酸素を含むガスを流しながら行うことが好ましい。
酸素を十分に含む雰囲気で第１の層を加熱することで形成された第１の樹脂層は、酸素を多く含み、基板から容易に剥離することができる。
本実施の形態の剥離方法では、第１の樹脂層を形成する際の加熱条件を制御することで、基板から第１の樹脂層を容易に剥離することができる。つまり、第１の樹脂層の剥離性を高めるために、第１の樹脂層の一面全体にレーザ光を照射する工程は不要である。
第１の樹脂層の一面全体にレーザ光を照射する場合、線状レーザビームを用いることが好適であるが、線状レーザビームを照射するためのレーザ装置は、装置自体が高価であり、かつ、ランニングコストが高い。本実施の形態の剥離方法では、当該レーザ装置が不要となるため、大幅にコストを抑えることが可能となる。また、大判基板への適用も容易である。
基板を介して第１の樹脂層の一面全体にレーザ光を照射する工程が無いため、基板がレーザ光の照射によるダメージを受けることを防止できる。基板を一度使用しても、強度が低下しにくいため、基板を再利用でき、コストを抑えることが可能となる。
または、本実施の形態の剥離方法では、まず、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成する。次に、第１の層に対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成する。次に、基板上及び第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の端部を覆う絶縁層を形成する。次に、第１の樹脂層上に、絶縁層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成する。次に、第１の樹脂層の少なくとも一部を基板から分離することで、分離の起点を形成する。そして、トランジスタと基板とを分離する。ここで、第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。第１の加熱処理は、酸素を含むガスを流しながら行うことが好ましい。
基板には、第１の樹脂層が接する部分と、絶縁層が接する部分と、が設けられる。絶縁層は、第１の樹脂層の端部を覆って設けられる。絶縁層は、第１の樹脂層に比べて、基板に対する密着性が高い。第１の樹脂層の端部を覆って絶縁層を設けることで、第１の樹脂層の剥離性が高くても、第１の樹脂層が基板から意図せず剥離することを抑制できる。例えば、基板の搬送時などに第１の樹脂層が剥がれることを抑制できる。そして、分離の起点を形成することで、所望のタイミングで、基板と第１の樹脂層とを分離することができる。つまり、本実施の形態の剥離方法では、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
または、本実施の形態の剥離方法では、まず、基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成する。次に、第１の層に対して、酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成する。次に、基板上及び第１の樹脂層上に、第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成する。次に、第２の層に対して、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層の端部を覆う第２の樹脂層を形成する。次に、第１の樹脂層上に、第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成する。次に、第１の樹脂層の少なくとも一部を基板から分離することで、分離の起点を形成する。そして、トランジスタと基板とを分離する。
第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。第１の加熱処理は、酸素を含むガスを流しながら行うことが好ましい。
第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行うことが好ましい。第２の加熱処理は、酸素を含むガスを流さずに行う、または第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素の割合が低いガスを流しながら行うことが好ましい。
第２の樹脂層は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で加熱することで形成されるため、第１の樹脂層に比べて剥離性が低い。
なお、膜中または膜表面の酸素量または酸素濃度を分析することで、第１の樹脂層が、第２の樹脂層よりも酸素を多く含むことを確認できることがある。具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ‐ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などを用いた分析を利用できる。
基板上には、第１の樹脂層が接する部分と、第２の樹脂層が接する部分と、が設けられる。第２の樹脂層は、第１の樹脂層の端部を覆って設けられる。第２の樹脂層は、第１の樹脂層に比べて、基板に対する密着性が高い。第１の樹脂層の端部を覆って第２の樹脂層を設けることで、第１の樹脂層の剥離性が高くても、第１の樹脂層が基板から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。そして、分離の起点を形成することで、所望のタイミングで、基板と第１の樹脂層とを分離することができる。つまり、本実施の形態の剥離方法では、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
なお、第１の加熱処理を行う雰囲気と第２の加熱処理を行う雰囲気が同じでも、第１の加熱処理の温度よりも第２の加熱処理の温度が十分に低いと、第１の樹脂層の剥離性と第２の樹脂層の剥離性に差をつけることができる場合がある。
第１の層及び第２の層は、それぞれ、感光性の材料を用いて形成してもよい。感光性の材料を用いることで、所望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。
本実施の形態の表示装置は、トランジスタのチャネル形成領域に、金属酸化物を有することが好ましい。金属酸化物は、酸化物半導体として機能することができる。
トランジスタのチャネル形成領域に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いる場合、５００℃から５５０℃程度の温度をかける必要があるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に耐熱性が求められる。また、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和するため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層の厚膜化が必要となる。
一方、チャネル形成領域に金属酸化物を用いたトランジスタは、３５０℃以下、さらには３００℃以下で形成することができる。そのため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に高い耐熱性は求められない。したがって、第１の樹脂層及び第２の樹脂層の耐熱温度を低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、チャネル形成領域に金属酸化物を用いたトランジスタは、レーザ結晶化の工程が不要であるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層の厚さを薄くすることができる。第１の樹脂層及び第２の樹脂層に高耐熱性が要求されず、薄膜化できることで、デバイス作製の大幅なコストダウンが期待できる。また、ＬＴＰＳを用いる場合に比べて、工程が簡略化でき好ましい。
第１の樹脂層の厚さ及び第２の樹脂層の厚さは、それぞれ、０．１μｍ以上３μｍ以下としてもよい。第１の樹脂層及び第２の樹脂層を薄く形成することで、低コストで表示装置を作製できる。また、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。また、表示装置の可撓性を高めることができる。
本実施の形態では、第１の樹脂層の耐熱温度以下の温度、かつ第２の樹脂層の耐熱温度以下の温度で、トランジスタ等を形成する。樹脂層の耐熱性は、例えば、加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等で評価できる。本実施の形態の剥離方法及び表示装置の作製方法では、工程中の最高温度を低くすることができる。例えば、本実施の形態では、第１の樹脂層の５％重量減少温度及び第２の樹脂層の５％重量減少温度を、それぞれ、２００℃以上５５０℃以下、２００℃以上４５０℃以下、２００℃以上４００℃以下、または２００℃以上３５０℃以下とすることができる。そのため、材料の選択の幅が広がる。なお、第１の樹脂層または第２の樹脂層の５％重量減少温度は、５５０℃より高くてもよい。
以下では、本実施の形態の表示装置の作製方法について、具体的に説明する。
なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。
リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
［作製方法例１］
まず、作製基板１４上に、第１の層２４ａを形成する（図１（Ａ））。
図１（Ａ）では塗布法を用いて作製基板１４の一面全体に第１の層２４ａを形成する例を示す。これに限られず、印刷法等を用いて作製基板１４上に第１の層２４ａを形成してもよい。作製基板１４上に、島状の第１の層２４ａ、開口または凹凸形状を有する第１の層２４ａ等を形成してもよい。
第１の層２４ａは、各種樹脂材料（樹脂前駆体を含む）を用いて形成することができる。
第１の層２４ａは、熱硬化性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
第１の層２４ａは、感光性を有する材料を用いて形成してもよく、感光性を有さない材料（非感光性の材料ともいう）を用いて形成してもよい。
感光性を有する材料を用いると、光を用いたリソグラフィ法により、第１の層２４ａの一部を除去し、所望の形状の第１の樹脂層２３ａを形成することができる。
第１の層２４ａは、ポリイミド樹脂またはポリイミド樹脂前駆体を含む材料を用いて形成されることが好ましい。第１の層２４ａは、例えば、ポリイミド樹脂と溶媒を含む材料、またはポリアミック酸と溶媒を含む材料等を用いて形成できる。ポリイミドは、表示装置の平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、成膜装置及び材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置及び材料を必要としない。
そのほか、第１の層２４ａの形成に用いることができる樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。
第１の層２４ａは、スピンコータを用いて形成することが好ましい。スピンコート法を用いることで、大判基板に薄い膜を均一に形成することができる。
第１の層２４ａは、粘度が５ｃＰ以上５００ｃＰ未満、好ましくは５ｃＰ以上１００ｃＰ未満、より好ましくは１０ｃＰ以上５０ｃＰ以下の溶液を用いて形成することが好ましい。溶液の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、溶液の粘度が低いほど、気泡の混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。
そのほか、第１の層２４ａの形成方法としては、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げられる。
作製基板１４は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。作製基板１４に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
次に、第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する（図１（Ｂ））。
第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。
第１の樹脂層２３ａが酸素を多く含むほど、第１の樹脂層２３ａの剥離に要する力を小さくできる。第１の加熱処理の雰囲気の酸素の割合が高いほど、第１の樹脂層２３ａに多くの酸素を含ませることができ、第１の樹脂層２３ａの剥離性を高めることができる。
第１の加熱処理は、例えば、加熱装置のチャンバーの内部を、酸素を含む雰囲気とした状態で行うことができる。または、第１の加熱処理は、大気雰囲気下でホットプレート等を用いて行うことができる。
例えば、第１の加熱処理時の雰囲気の酸素分圧は、５％以上１００％未満が好ましく、１０％以上１００％未満がより好ましく、１５％以上１００％未満がさらに好ましい。
第１の加熱処理は、加熱装置のチャンバー内に、酸素を含むガスを流しながら行うことが好ましい。第１の加熱処理は、例えば、酸素ガスのみ、または酸素ガスを含む混合ガスを流しながら行うことが好ましい。具体的には、酸素と、窒素もしくは希ガス（アルゴンなど）と、を含む混合ガスを用いることができる。
加熱装置によっては、雰囲気の酸素の割合が高くなると、加熱装置の劣化が生じる場合がある。そのため、酸素ガスを含む混合ガスを用いる際には、混合ガス流量全体に占める酸素ガス流量の割合を、５％以上５０％以下とすることが好ましく、１０％以上５０％以下とすることがより好ましく、１５％以上５０％以下とすることがさらに好ましい。
第１の加熱処理の温度は、２００℃以上５００℃以下が好ましく、２５０℃以上４７５℃以下がより好ましく、３００℃以上４５０℃以下がさらに好ましい。
第１の加熱処理の温度が高いほど、第１の樹脂層２３ａの剥離性を高めることができる。
第１の加熱処理により、第１の樹脂層２３ａ中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することができる。特に、第１の樹脂層２３ａ上に形成する各層の作製温度以上の温度で加熱することが好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、第１の樹脂層２３ａからの脱ガスを大幅に抑制することができる。
例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、第１の樹脂層２３ａとなる膜を３５０℃以上４５０℃以下で加熱することが好ましく、３５０℃以上４００℃以下がより好ましく、３５０℃以上３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、第１の樹脂層２３ａからの脱ガスを大幅に抑制することができる。
トランジスタの作製における最高温度と、第１の加熱処理の温度を等しくすると、第１の加熱処理を行うことで表示装置の作製における最高温度が高くなることを防止できるため、好ましい。
第１の加熱処理の時間が長いほど、第１の樹脂層２３ａの剥離性を高めることができる。
処理時間を長くすることで、加熱温度が比較的低い場合であっても、加熱温度がより高い条件の場合と同等の剥離性を実現できる場合がある。そのため、加熱装置の構成により加熱温度を高められない場合には、処理時間を長くすることが好ましい。
第１の加熱処理の時間は、例えば、５分以上２４時間以下が好ましく、３０分以上１２時間以下がより好ましく、１時間以上６時間以下がさらに好ましい。なお、第１の加熱処理の時間はこれに限定されない。例えば、第１の加熱処理を、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法を用いて行う場合などは、５分未満としてもよい。
加熱装置としては、電気炉や、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する装置等、様々な装置を用いることができる。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。ＲＴＡ装置を用いることによって、処理時間を短縮することができるので、量産する上で好ましい。また、加熱処理はインライン型の加熱装置を用いて行ってもよい。
ここで、例えば、表示装置の平坦化層等に樹脂を用いる場合には、当該樹脂が酸化され、変質してしまうことを防ぐために、酸素がほとんど含まれない条件で、かつ、樹脂が硬化する温度範囲においてできるだけ低い温度で、加熱することが一般的である。しかしながら、本発明の一態様では、第１の樹脂層２３ａとなる第１の層２４ａの表面を露出させ、酸素を積極的に含ませた雰囲気に暴露した状態で、比較的高い温度（例えば２００℃以上の温度）で加熱する。これにより、第１の樹脂層２３ａに、高い剥離性を付与することができる。
なお、加熱処理により、第１の樹脂層２３ａの厚さは、第１の層２４ａの厚さから変化する場合がある。例えば、第１の層２４ａに含まれていた溶媒が除去されることや、硬化が進行し密度が増大することにより、体積が減少し、第１の層２４ａよりも第１の樹脂層２３ａが薄くなる場合がある。または、加熱処理時に酸素が含まれることにより、体積が増大し、第１の層２４ａよりも第１の樹脂層２３ａが厚くなる場合もある。
第１の加熱処理を行う前に、第１の層２４ａに含まれる溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理ともいう）を行ってもよい。プリベーク処理の温度は用いる材料に応じて適宜決定することができる。例えば、５０℃以上１８０℃以下、８０℃以上１５０℃以下、または９０℃以上１２０℃以下で行うことができる。または、第１の加熱処理がプリベーク処理を兼ねてもよく、第１の加熱処理によって、第１の層２４ａに含まれる溶媒を除去してもよい。
第１の樹脂層２３ａは、可撓性を有する。作製基板１４は、第１の樹脂層２３ａよりも可撓性が低い。
第１の樹脂層２３ａの厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、第１の樹脂層２３ａを薄く形成することが容易となる。第１の樹脂層２３ａの厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めることができる。また、第１の樹脂層２３ａの厚さが厚いと、第１の樹脂層２３ａの剥離に要する力が小さくなる結果が得られている（実施例２参照）。このことから、第１の樹脂層２３ａは１μｍ以上の厚さを有することが好ましいと考えられる。ただし、これに限定されず、第１の樹脂層２３ａの厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、第１の樹脂層２３ａの厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。第１の樹脂層２３ａの厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。
第１の樹脂層２３ａの熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。第１の樹脂層２３ａの熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等を構成する層にクラックが生じることや、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
表示装置の表示面側に第１の樹脂層２３ａが位置する場合、第１の樹脂層２３ａは、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。
次に、第１の樹脂層２３ａ上に、絶縁層３１を形成する（図１（Ｃ））。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層３１は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａを加熱した際に、第１の樹脂層２３ａに含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層３１は、バリア性が高いことが好ましい。
絶縁層３１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。特に、第１の樹脂層２３ａ上に窒化シリコン膜を形成し、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成することが好ましい。
なお、本明細書などにおいて、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。
絶縁層３１の成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、絶縁層３１上に、トランジスタ４０を形成する（図１（Ｃ））。
表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
ここではトランジスタ４０として、金属酸化物層４４を有する、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。金属酸化物層４４は、トランジスタ４０の半導体層として機能することができる。金属酸化物は、酸化物半導体として機能することができる。
本実施の形態において、トランジスタの半導体には、酸化物半導体を用いる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
トランジスタ４０は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度で形成する。トランジスタ４０は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
具体的には、まず、絶縁層３１上に導電層４１を形成する。導電層４１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
表示装置が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ガリウムを含むＺｎＯ、またはシリコンを含むＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
続いて、絶縁層３２を形成する。絶縁層３２は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。
続いて、金属酸化物層４４を形成する。金属酸化物層４４は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
金属酸化物膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。
金属酸化物膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方または双方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。
金属酸化物膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。
金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ以上であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、ＰＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。
続いて、導電層４３ａ及び導電層４３ｂを形成する。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれ、金属酸化物層４４と接続される。
なお、導電層４３ａ及び導電層４３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない金属酸化物層４４の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
以上のようにして、トランジスタ４０を作製できる（図１（Ｃ））。トランジスタ４０において、導電層４１の一部はゲートとして機能し、絶縁層３２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。
次に、トランジスタ４０を覆う絶縁層３３を形成する（図１（Ｄ））。絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
また、絶縁層３３として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、金属酸化物層４４に酸素を供給することができる。その結果、金属酸化物層４４中の酸素欠損、及び金属酸化物層４４と絶縁層３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
以上の工程により、第１の樹脂層２３ａ上に絶縁層３１、トランジスタ４０、及び絶縁層３３を形成することができる（図１（Ｄ））。
この段階において、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することで、表示素子を有さないデバイスを作製することができる。例えば、トランジスタ４０や、トランジスタ４０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成し、後述する方法を用いて作製基板１４とトランジスタ４０とを分離することで、半導体装置を作製することができる。
次に、絶縁層３３上に絶縁層３４を形成する（図１（Ｄ））。絶縁層３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層３４は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
絶縁層３４は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層３４は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
絶縁層３４に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３４の形成時に第１の樹脂層２３ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
絶縁層３４に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、絶縁層３４及び絶縁層３３に、導電層４３ｂに達する開口を形成する。
その後、導電層６１を形成する（図１（Ｅ））。導電層６１は、その一部が発光素子６０の画素電極として機能する。導電層６１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
導電層６１は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度で形成する。導電層６１は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
導電膜の成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、導電層６１の端部を覆う絶縁層３５を形成する（図１（Ｅ））。絶縁層３５は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
絶縁層３５は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層３５は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
絶縁層３５に有機絶縁膜を用いる場合、絶縁層３５の形成時に第１の樹脂層２３ａにかかる温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、室温以上３００℃以下がさらに好ましい。
絶縁層３５に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度は、室温以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
次に、ＥＬ層６２及び導電層６３を形成する（図２（Ａ））。導電層６３は、その一部が発光素子６０の共通電極として機能する。
ＥＬ層６２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。
ＥＬ層６２には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。
導電層６３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
導電層６３は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度かつＥＬ層６２の耐熱温度以下の温度で形成する。また、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
以上のようにして、発光素子６０を形成することができる（図２（Ａ））。発光素子６０は、一部が画素電極として機能する導電層６１、ＥＬ層６２、及び一部が共通電極として機能する導電層６３が積層された構成を有する。
ここでは、発光素子６０として、トップエミッション型の発光素子を作製する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
次に、導電層６３を覆って絶縁層７４を形成する（図２（Ｂ））。絶縁層７４は、発光素子６０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発光素子６０は、絶縁層７４によって封止される。導電層６３を形成した後、大気に曝すことなく、絶縁層７４を形成することが好ましい。
絶縁層７４は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下の温度かつ発光素子６０の耐熱温度以下の温度で形成する。絶縁層７４は、第１の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度より低い温度で形成してもよい。
絶縁層７４は、例えば、上述した絶縁層３１に用いることのできるバリア性の高い無機絶縁膜が含まれる構成とすることが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。
絶縁層７４は、ＡＬＤ法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。ＡＬＤ法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ＡＬＤ法を用いると絶縁層７４のカバレッジが良好となり好ましい。
次に、絶縁層７４上に保護層７５を形成する（図２（Ｃ））。保護層７５は、表示装置の最表面に位置する層として用いることができる。保護層７５は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。
保護層７５として、上述した絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜を用いると、表示装置の表面に傷がつくことや、クラックが生じてしまうことを抑制できるため好ましい。
図３（Ａ）には、接着層７５ｂを用いて絶縁層７４上に基板７５ａを貼り合わせた例を示す。
接着層７５ｂには、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
基板７５ａには、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板７５ａには、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
次に、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離する（図３（Ｂ））。
例えば、第１の樹脂層２３ａに垂直方向に引っ張る力をかけることにより、作製基板１４から第１の樹脂層２３ａを剥離することができる。具体的には、基板７５ａの上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、作製基板１４から第１の樹脂層２３ａを引き剥がすことができる。
ここで、分離時に、分離界面に水や水溶液など、水を含む液体を添加し、該液体が分離界面に浸透するように分離を行うことで、分離を容易に行うことができる。また、分離時に生じる静電気が、トランジスタなどの機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。
分離前に、第１の樹脂層２３ａの一部を作製基板１４から分離することで、分離の起点を形成してもよい。例えば、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとの間に、刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、基板７５ａ側から鋭利な形状の器具で第１の樹脂層２３ａを切り込み、分離の起点を形成してもよい。または、レーザアブレーション法等のレーザを用いた方法で、分離の起点を形成してもよい。
作製方法例１では、第１の樹脂層２３ａを形成する際に酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うため、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。
作製基板１４から分離することで露出した第１の樹脂層２３ａと、基板２９とを、接着層２８を用いて貼り合わせてもよい（図３（Ｃ））。基板２９は、表示装置の支持基板として機能することができる。
接着層２８には、接着層７５ｂに用いることができる材料を適用することができる。基板２９には、基板７５ａに用いることができる材料を適用することができる。
以上の工程により、トランジスタのチャネル形成領域に金属酸化物が適用され、ＥＬ素子に塗り分け方式が適用された表示装置を作製することができる。
［作製方法例２］
以降の作製方法例では、先に説明した作製方法例と同様の部分について、説明を省略することがある。
まず、作製基板１４上に、第１の層２４ａを形成する（図４（Ａ））。
第１の層２４ａに用いる材料及び方法は、作製方法例１を参照することができる。
本実施の形態では、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いて第１の層２４ａを形成する。なお、第１の層２４ａは、非感光性の材料を用いて形成してもよい。
第１の層２４ａを成膜した後、溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理）を行い、その後フォトマスクを用いて露光を行う。続いて、現像処理を施すことで、不要な部分を除去することができる。次に、所望の形状に加工された第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する（図４（Ｂ））。図４（Ｂ）では、島状の第１の樹脂層２３ａを形成する例を示す。
なお、第１の樹脂層２３ａの形状は１つの島状に限られず、例えば、複数の島状、開口を有する形状などでもよい。また、ハーフトーンマスクもしくはグレートーンマスクを用いた露光技術、または多重露光技術などを用い、第１の樹脂層２３ａの表面に凹凸形状を形成してもよい。
第１の層２４ａまたは第１の樹脂層２３ａ上にレジストマスク、ハードマスク等のマスクを形成し、エッチングすることで、所望の形状の第１の樹脂層２３ａを形成することができる。この方法は、非感光性の材料を用いる場合に特に好適である。マスクを極めて薄い厚さで形成し、エッチングと同時にマスクを除去することができると、マスクを除去する工程を削減でき、好ましい。
作製方法例１と同様に、第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。第１の加熱処理は、酸素を含むガスを流しながら行うことが好ましい。
次に、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の層２４ｂを形成する（図４（Ｃ））。作製基板１４上には、第１の樹脂層２３ａが設けられていない部分が存在する。そのため、作製基板１４上に第２の層２４ｂが接する部分を形成することができる。
第２の層２４ｂは、第１の層２４ａに用いることができる材料及び方法を適用することができる。
塗布法を用いて第２の層２４ｂを形成することで、段差被覆性が向上し、後述する第２の樹脂層２３ｂの表面を平坦にすることができ、好ましい。
第２の層２４ｂは、熱硬化性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
第２の層２４ｂは、感光性を有する材料を用いて形成してもよく、非感光性の材料を用いて形成してもよい。
本実施の形態では、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いて第２の層２４ｂを形成する。
次に、第２の層２４ｂに対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層２３ｂを形成する（図４（Ｄ１））。
第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。第２の加熱処理は、酸素を含むガスを流さずに行う、または第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素の割合が低いガスを流しながら行うことが好ましい。
第２の加熱処理は、例えば、装置のチャンバーの内部を、窒素雰囲気、または希ガス雰囲気とした状態で行うことができる。
例えば、第１の加熱処理時の雰囲気の酸素分圧は、０％以上１５％未満が好ましく、０％以上１０％以下がより好ましく、０％以上５％以下がさらに好ましい。
第２の加熱処理は、装置のチャンバー内に、酸素を含まないガス、または第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素の割合が低いガスを流しながら行うことが好ましい。第２の加熱処理は、例えば、窒素ガスのみ、アルゴンガスのみ、または、酸素を含む混合ガスを流しながら行うことが好ましい。具体的には、酸素と、窒素または希ガス（アルゴンなど）と、を含む混合ガスを用いることができる。混合ガス流量全体に占める酸素ガス流量の割合は、０％より大きく１５％未満が好ましく、０％より大きく１０％以下がより好ましく、０％より大きく５％以下がさらに好ましい。
第２の加熱処理の温度は、２００℃以上５００℃以下が好ましく、２５０℃以上４７５℃以下がより好ましく、３００℃以上４５０℃以下がさらに好ましい。
第２の加熱処理により、第２の樹脂層２３ｂ中の脱ガス成分（例えば、水素、水等）を低減することができる。特に、第２の樹脂層２３ｂ上に形成する各層の作製温度以上の温度で加熱することが好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、第２の樹脂層２３ｂからの脱ガスを大幅に抑制することができる。
例えば、トランジスタの作製温度が３５０℃までである場合、第２の樹脂層２３ｂとなる膜を３５０℃以上４５０℃以下で加熱することが好ましく、４００℃以下がより好ましく、３７５℃以下がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、第２の樹脂層２３ｂからの脱ガスを大幅に抑制することができる。
トランジスタの作製における最高温度と、第２の加熱処理の温度を等しくすると、第２の加熱処理を行うことで装置の作製における最高温度が高くなることを防止できるため、好ましい。
第２の加熱処理の時間が長いほど、第２の樹脂層２３ｂ中の脱ガス成分を十分に低減することができる。
処理時間を長くすることで、加熱温度が比較的低い場合であっても、加熱温度がより高い条件の場合と同等の効果が得られる場合がある。そのため、装置の構成により加熱温度を高められない場合には、処理時間を長くすることが好ましい。
第２の加熱処理の時間は、例えば、５分以上２４時間以下が好ましく、３０分以上１２時間以下がより好ましく、１時間以上６時間以下がさらに好ましい。なお、第２の加熱処理の時間はこれに限定されない。例えば、第２の加熱処理を、ＲＴＡ法を用いて行う場合などは、５分未満としてもよい。
なお、加熱処理により、第２の樹脂層２３ｂの厚さは、第２の層２４ｂの厚さから変化する場合がある。
第２の加熱処理を行う前に、第２の層２４ｂに含まれる溶媒を除去するための熱処理（プリベーク処理）を行ってもよい。または、第２の加熱処理がプリベーク処理を兼ねてもよく、第２の加熱処理によって、第２の層２４ｂに含まれる溶媒を除去してもよい。
第２の樹脂層２３ｂは、可撓性を有する。作製基板１４は、第２の樹脂層２３ｂよりも可撓性が低い。
第２の樹脂層２３ｂの厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、第２の樹脂層２３ｂを薄く形成することが容易となる。第２の樹脂層２３ｂの厚さを上記範囲とすることで、表示装置の可撓性を高めることができる。また、第２の樹脂層２３ｂの厚さは、第１の樹脂層２３ａの剥離に要する力に影響しない結果が得られている（実施例２参照）。このことから、第２の樹脂層２３ｂは第１の樹脂層２３ａよりも薄く形成できることが考えられる。ただし、これに限定されず、第２の樹脂層２３ｂの厚さは、１０μｍ以上としてもよい。例えば、第２の樹脂層２３ｂの厚さを１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。第２の樹脂層２３ｂの厚さを１０μｍ以上とすることで、表示装置の剛性を高めることができるため好適である。
第２の樹脂層２３ｂの熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。第２の樹脂層２３ｂの熱膨張係数が低いほど、加熱により、トランジスタ等を構成する層にクラックが生じることや、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
表示装置の表示面側に第２の樹脂層２３ｂが位置する場合、第２の樹脂層２３ｂは、可視光に対する透光性が高いことが好ましい。
第２の樹脂層２３ｂは、平坦化機能を有していなくてもよい。図４（Ｄ１）では、第２の樹脂層２３ｂの上面が平坦な例を示すが、図４（Ｄ２）に示すように、第２の樹脂層２３ｂの上面が段差を有していてもよい。
図４（Ｄ１）に示す第２の樹脂層２３ｂは角ばっているが、第２の樹脂層２３ｂは、第１の樹脂層２３ａと同様に、端部にテーパを有していてもよい。
第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂは、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよく、同じ材料を用いて形成してもよい。同じ材料を用いることでコストを下げることができ好ましい。同じ材料を用いても、第１の加熱処理と第２の加熱処理の条件を変えることにより、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂとで、作製基板１４に対する密着性の高さを変えることができる。
次に、第２の樹脂層２３ｂ上に、絶縁層３１を形成する（図４（Ｅ））。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下、かつ第２の樹脂層２３ｂの耐熱温度以下の温度で形成する。第１の加熱処理の温度以下かつ第２の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度及び第２の加熱処理の温度の双方より低い温度で形成してもよい。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを加熱した際に、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層３１は、バリア性が高いことが好ましい。
絶縁層３１には、作製方法例１で例示した材料を用いることができる。
次に、絶縁層３１上に、トランジスタ４０を形成する（図４（Ｅ））。
トランジスタ４０は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下、かつ、第２の樹脂層２３ｂの耐熱温度以下の温度で形成する。トランジスタ４０は、第１の加熱処理の温度以下かつ第２の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度及び第２の加熱処理の温度の双方より低い温度で形成してもよい。
次に、作製方法例１と同様に、絶縁層３３から保護層７５までを形成する（図５（Ａ））。なお、これら各構成要素を作製する際には、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下、かつ、第２の樹脂層２３ｂの耐熱温度以下の温度で形成する。これら各構成要素は、第１の加熱処理の温度以下かつ第２の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度及び第２の加熱処理の温度の双方より低い温度で形成してもよい。
次に、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成する（図５（Ｂ１）、（Ｂ２））。
例えば、保護層７５側から、第１の樹脂層２３ａの端部よりも内側に刃物などの鋭利な形状の器具６５を差し込み、枠状に切れ目６４を入れる。
または、第１の樹脂層２３ａに、枠状にレーザ光を照射してもよい。
作製方法例２では、作製基板１４に、第１の樹脂層２３ａが接する部分と、第２の樹脂層２３ｂが接する部分と、を設ける。酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａは作製基板１４から剥離しやすい状態となる。一方、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うため、第２の樹脂層２３ｂは作製基板１４から剥離しにくい状態である。そのため、第１の樹脂層２３ａが作製基板１４から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。そして、分離の起点を形成することで、所望のタイミングで、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離することができる。したがって、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
次に、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図６（Ａ））。
作製方法例２では、第１の樹脂層２３ａを形成する際に酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うため、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを剥離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。
次に、作製基板１４から分離することで露出した第１の樹脂層２３ａと、基板２９とを、接着層２８を用いて貼り合わせる（図６（Ｂ））。基板２９は、表示装置の支持基板として機能することができる。
以上の工程により、トランジスタのチャネル形成領域に金属酸化物が適用され、ＥＬ素子に塗り分け方式が適用された表示装置を作製することができる。
［表示装置の構成例１］
図７（Ａ）は、表示装置１０Ａの上面図である。図７（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、表示装置１０Ａの表示部３８１の断面図及びＦＰＣ３７２との接続部の断面図の一例である。
表示装置１０Ａは、上記の作製方法例２を用いて作製することができる。表示装置１０Ａは、曲がった状態に保持することや、繰り返し曲げることなどが可能である。
表示装置１０Ａは、保護層７５及び基板２９を有する。保護層７５側が表示装置の表示面側である。表示装置１０Ａは、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置１０ＡにはＦＰＣ３７２が貼り付けられている。
接続体７６を介して、導電層４３ｃとＦＰＣ３７２とが電気的に接続されている（図７（Ｂ）、（Ｃ））。導電層４３ｃは、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
接続体７６としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
図７（Ｃ）に示す表示装置は、トランジスタ４０を有さず、トランジスタ４９を有している点、及び、絶縁層３３上に着色層９７を有する点で、図７（Ｂ）の構成と異なる。ボトムエミッション型の発光素子６０を用いる場合、発光素子６０よりも基板２９側に着色層９７を有していてもよい。
図７（Ｃ）に示すトランジスタ４９は、図７（Ｂ）に示すトランジスタ４０の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層４５を有する。
トランジスタ４９には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。このような構成とすることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。
上述の通り、酸素を含む雰囲気下で加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板から第１の樹脂層２３ａを剥離することができる。そのため、本実施の形態の表示装置の作製方法を適用して作製された表示装置が有する第１の樹脂層２３ａは、酸素を多く含むことが分析により確認できることがある。具体的には、第１の樹脂層２３ａの剥離面側の表面（作製基板側の表面ともいえる。図７（Ｂ）、（Ｃ）では接着層２８と接する面に相当する。）に対して、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ‐ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた分析で、酸素濃度を求めることができる。特に、第１の樹脂層２３ａの接着層２８側の面に対して行うＸ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上であることが好ましく、１５ａｔｏｍｉｃ％以上であることがより好ましい。
［作製方法例３］
作製方法例２では、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂを形成する例を示したが、絶縁層３１と作製基板１４との密着性の高さによっては、第２の樹脂層２３ｂは設けなくてもよい。
具体的には、作製基板１４上に第１の樹脂層２３ａを形成した後、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に接して、絶縁層３１を形成してもよい。そして、絶縁層３１上に、トランジスタ４０から保護層７５までを形成する（図８（Ａ））。
作製方法例３では、作製基板１４に、第１の樹脂層２３ａが接する部分と、絶縁層３１が接する部分と、を設ける。作製基板１４と絶縁層３１との密着性が十分に高いとき、第１の樹脂層２３ａの剥離性が高くても、第１の樹脂層２３ａが作製基板１４から意図せず剥離することを抑制できる。そして、分離の起点を形成する（図８（Ａ）の器具６５参照）ことで、所望のタイミングで、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離することができる（図８（Ｂ））。したがって、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
［作製方法例４］
まず、作製方法例２と同様に、作製基板１４上に、第１の樹脂層２３ａから絶縁層３５までを順に形成する。（図９（Ａ））。
次に、図９（Ｂ）に示すように、保護層７１を形成する。
保護層７１は、剥離工程において、絶縁層３５及び導電層６１の表面を保護する機能を有する。保護層７１には、容易に除去することのできる材料を用いることができる。
除去可能な保護層７１としては、例えば水溶性樹脂をその例に挙げることができる。塗布した水溶性樹脂は表面の凹凸を被覆し、その表面の保護を容易にする。また、除去可能な保護層７１として、光または熱により剥離可能な粘着剤を水溶性樹脂に積層したものを用いてもよい。
除去可能な保護層７１として、通常の状態ではその接着力が強く、熱を加える、または光を照射することによりその接着力が弱くなる性質を有する基材を用いてもよい。例えば、加熱することにより接着力が弱くなる熱剥離テープや、紫外光を照射することにより接着力が弱くなるＵＶ剥離テープ等を用いてもよい。また、通常の状態で接着力が弱い弱粘性テープ等を用いることができる。
続いて、作製方法例２と同様の方法により、作製基板１４とトランジスタ４０とを分離する（図９（Ｃ））。
作製基板１４と絶縁層３１とを分離した後、保護層７１を除去する。
その後、ＥＬ層６２及び導電層６３を形成することで発光素子６０を作製し、発光素子６０を封止することで、表示装置を作製することができる。発光素子６０の封止には、絶縁層７４、保護層７５、並びに、基板７５ａ及び接着層７５ｂ等のうち、一種以上を用いることができる。
ＥＬ層６２及び導電層６３の形成時に、第１の樹脂層２３ａをステージに固定した状態で成膜してもよいが、支持基板にテープ等を用いて固定し、支持基板を成膜装置のステージに配置した状態で成膜することが好ましい。支持基板に第１の樹脂層２３ａを固定することにより、第１の樹脂層２３ａの装置内、及び装置間における搬送を容易とすることができる。支持基板には、作製基板１４に用いることができる基板を適用できる。
作製方法例４では、作製基板１４を剥離した後にＥＬ層等を成膜し、表示素子を形成することができる。ＥＬ層等の積層構造に密着性の低い部分がある場合、剥離後にこれらの層を形成することで、剥離の歩留まりの低下を抑制できる。作製方法例４を用いることで、材料の選択の自由度がより高まり、より低コストで信頼性の高い表示装置を実現することができる。
［作製方法例５］
まず、作製方法例２と同様に、作製基板１４上に、島状の第１の樹脂層２３ａを形成する。そして、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の樹脂層２３ｂを形成する（図１０（Ａ））。
具体的には、作製基板１４上に第１の層２４ａを形成し、所望の形状の第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する。第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。そして、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に第２の層２４ｂを形成し、第２の層２４ｂに対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層２３ｂを形成する。第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。
次に、作製方法例２と同様に、第２の樹脂層２３ｂ上に、絶縁層３１を形成する（図１０（Ｂ））。
次に、絶縁層３１上にトランジスタ８０を形成する（図１０（Ｂ））。
ここではトランジスタ８０として、金属酸化物層８３と２つのゲートを有するトランジスタを作製する場合を示す。
トランジスタ８０は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下、かつ第２の樹脂層２３ｂの耐熱温度以下の温度で形成する。トランジスタ８０は、第１の加熱処理の温度以下かつ第２の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度及び第２の加熱処理の温度の双方より低い温度で形成してもよい。
具体的には、まず、絶縁層３１上に導電層８１を形成する。導電層８１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
続いて、絶縁層８２を形成する。絶縁層８２は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。
続いて、金属酸化物層８３を形成する。金属酸化物層８３は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。金属酸化物層８３は、金属酸化物層４４に用いることのできる材料を援用できる。
続いて、絶縁層８４及び導電層８５を形成する。絶縁層８４は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。絶縁層８４及び導電層８５は、絶縁層８４となる絶縁膜と、導電層８５となる導電膜とを成膜した後、レジストマスクを形成し、当該絶縁膜及び当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
次に、金属酸化物層８３、絶縁層８４、及び導電層８５を覆う絶縁層３３を形成する。絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
絶縁層３３は、水素を含むことが好ましい。絶縁層３３に含まれる水素が、絶縁層３３と接する金属酸化物層８３に拡散し、金属酸化物層８３の一部が低抵抗化する。絶縁層３３に接する金属酸化物層８３は低抵抗領域として機能するため、トランジスタ８０のオン電流の増大及び電界効果移動度の向上が可能である。
次に、絶縁層３３に、金属酸化物層８３に達する開口を形成する。
続いて、導電層８６ａ及び導電層８６ｂを形成する。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、それぞれ、絶縁層３３の開口を介して金属酸化物層８３と電気的に接続される。
以上のようにして、トランジスタ８０を作製できる（図１０（Ｂ））。トランジスタ８０において、導電層８１の一部はゲートとして機能し、絶縁層８４の一部はゲート絶縁層として機能し、絶縁層８２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層８５の一部はゲートとして機能する。金属酸化物層８３はチャネル領域と低抵抗領域とを有する。チャネル領域は絶縁層８４を介して導電層８５と重なる。低抵抗領域は導電層８６ａと接続される部分と、導電層８６ｂと接続される部分と、を有する。
次に、絶縁層３３上に絶縁層３４から発光素子６０までを形成する（図１０（Ｃ））。これらの工程は作製方法例１を参照できる。
また、図１０（Ａ）〜（Ｃ）までの工程とは独立して、図１１（Ａ）、（Ｂ）の工程を行う。作製基板１４上に、第１の樹脂層２３ａを形成する工程と同様に、作製基板９１上に、島状の第１の樹脂層９３ａを形成する。そして、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の樹脂層２３ｂを形成する工程と同様に、作製基板９１上及び第１の樹脂層９３ａ上に、第２の樹脂層９３ｂを形成する（図１１（Ａ））。
具体的には、作製基板９１上に第１の層を形成し、所望の形状の第１の層に対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層９３ａを形成する。第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。そして、作製基板９１上及び第１の樹脂層９３ａ上に第２の層を形成し、第２の層に対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層９３ｂを形成する。第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。
第１の樹脂層９３ａと第２の樹脂層９３ｂは、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよく、同じ材料を用いて形成してもよい。同じ材料を用いることでコストを下げることができ好ましい。同じ材料を用いても、第１の加熱処理と第２の加熱処理の条件を変えることにより、第１の樹脂層９３ａと第２の樹脂層９３ｂとで、作製基板９１に対する密着性の高さを変えることができる。
第１の樹脂層２３ａ、第２の樹脂層２３ｂ、第１の樹脂層９３ａ、及び第２の樹脂層９３ｂは、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよく、同じ材料を用いて形成してもよい。同じ材料を用いることでコストを下げることができ好ましい。同じ材料を用いても、各樹脂層に対する加熱処理の条件を変えることにより、各樹脂層の剥離性の制御が可能である。
次に、第２の樹脂層９３ｂ上に絶縁層９５を形成する。次に、絶縁層９５上に、着色層９７及び遮光層９８を形成する（図１１（Ｂ））。
絶縁層９５については、絶縁層３１の記載を援用できる。
着色層９７として、カラーフィルタ等を用いることができる。着色層９７は発光素子６０の表示領域と重なるように配置する。
遮光層９８として、ブラックマトリクス等を用いることができる。遮光層９８は、絶縁層３５と重なるように配置する。
次に、作製基板１４のトランジスタ８０等が形成されている面と、作製基板９１の着色層９７等が形成されている面とを、接着層９９を用いて貼り合わせる（図１１（Ｃ））。
次に、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成する（図１２（Ａ）、（Ｂ））。作製基板１４と作製基板９１はどちらを先に分離してもよい。ここでは、作製基板９１よりも先に作製基板１４を分離する例を示す。
例えば、作製基板１４側から、第１の樹脂層２３ａに、枠状にレーザ光６６を照射する（図１２（Ｂ）に示すレーザ光の照射領域６７参照）。作製基板１４及び作製基板９１にガラスなどの硬質基板を用いる場合に好適である。
分離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板や第１の樹脂層の厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
作製方法例５では、作製基板１４に、第１の樹脂層２３ａが接する部分と、第２の樹脂層２３ｂが接する部分と、を設ける。酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａは作製基板１４から剥離しやすい状態となる。一方、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うため、第２の樹脂層２３ｂは作製基板１４から剥離しにくい状態である。そのため、第１の樹脂層２３ａが作製基板１４から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。同様に、作製基板９１上には、第１の樹脂層９３ａが接する部分と、第２の樹脂層９３ｂが接する部分と、を設ける。第１の樹脂層９３ａは作製基板９１から剥離しやすい状態であり、第２の樹脂層９３ｂは作製基板９１から剥離しにくい状態である。そのため、第１の樹脂層９３ａが作製基板９１から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。
そして、第１の樹脂層２３ａまたは第１の樹脂層９３ａの一方のみに分離の起点を形成する。第１の樹脂層２３ａと第１の樹脂層９３ａとで、分離の起点を形成するタイミングを変えることができるため、作製基板１４と作製基板９１をそれぞれ別工程で剥離することができる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
レーザ光６６は、第１の樹脂層２３ａの一面全体に照射する必要はなく、部分的に照射する。そのため、高価かつランニングコストの高いレーザ装置は不要である。
次に、作製基板１４とトランジスタ８０とを分離する（図１３（Ａ））。ここでは、枠状にレーザ光６６を照射した内側の部分（図１２（Ｂ）に示すレーザ光の照射領域６７の内側の部分ともいえる。）が、作製基板１４から剥離される例を示す。また、図１３（Ａ）では、枠状にレーザ光６６を照射した外側の部分において、接着層９９中で分離が生じる（接着層９９が凝集破壊する）例を示すが、これに限られない。例えば、照射領域６７の外側において、接着層９９は絶縁層９５または絶縁層３３との間で分離が生じる（界面破壊または接着破壊が生じるともいう）場合がある。
作製方法例５では、第１の樹脂層２３ａを形成する際に酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うため、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを剥離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。
次に、作製基板１４から分離することで露出した第１の樹脂層２３ａと、基板２９とを、接着層２８を用いて貼り合わせる（図１３（Ｂ））。基板２９は、表示装置の支持基板として機能することができる。
次に、第１の樹脂層９３ａに分離の起点を形成する（図１４（Ａ））。
図１４（Ａ）では、基板２９側から、第１の樹脂層９３ａの端部よりも内側に刃物などの鋭利な形状の器具６５を差し込み、枠状に切れ目を入れる。基板２９に樹脂を用いる場合に好適である。
または、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成した際と同様に、作製基板９１側から、第１の樹脂層９３ａに、枠状にレーザ光を照射してもよい。
分離の起点を形成することで、所望のタイミングで、作製基板９１と第１の樹脂層９３ａとを分離することができる。したがって、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
次に、作製基板９１とトランジスタ８０とを分離する（図１４（Ｂ））。ここでは、枠状に切れ目を入れた内側の部分が、作製基板９１から剥離される例を示す。
作製方法例５では、第１の樹脂層９３ａを形成する際に酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うため、第１の樹脂層９３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板９１と第１の樹脂層９３ａとを剥離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。
次に、作製基板９１から分離することで露出した第１の樹脂層９３ａと、基板２２とを、接着層１３を用いて貼り合わせる（図１５（Ａ））。基板２２は、表示装置の支持基板として機能することができる。
図１５（Ａ）において、発光素子６０の発光は、着色層９７、第２の樹脂層９３ｂ、及び第１の樹脂層９３ａを通して、表示装置の外部に取り出される。そのため、第１の樹脂層９３ａ及び第２の樹脂層９３ｂの可視光の透過率はそれぞれ高いことが好ましい。本発明の一態様の剥離方法では、第１の樹脂層９３ａ及び第２の樹脂層９３ｂの厚さを薄くすることができる。そのため、第１の樹脂層９３ａ及び第２の樹脂層９３ｂの可視光の透過率を高め、発光素子６０の光取り出し効率の低下を抑制できる。
第１の樹脂層９３ａ及び第２の樹脂層９３ｂの一方または双方を除去してもよい。これにより、発光素子６０の光取り出し効率をさらに高めることができる。図１５（Ｂ）では、第１の樹脂層９３ａ及び第２の樹脂層９３ｂの双方を除去し、接着層１３を用いて絶縁層９５に基板２２を貼り合わせた例を示す。
接着層１３には、接着層７５ｂに用いることができる材料を適用できる。
基板２２には、基板７５ａに用いることができる材料を適用できる。
作製方法例５は、本発明の一態様の剥離方法を２回行って表示装置を作製する例である。本発明の一態様では、表示装置を構成する機能素子等は、全て作製基板上で形成するため、精細度の高い表示装置を作製する場合においても、可撓性を有する基板には、高い位置合わせ精度が要求されない。よって、簡便に可撓性を有する基板を貼り付けることができる。
［変形例］
作製方法例５（図１１（Ｃ））では、接着層９９が、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分の双方と重ねて設けられる場合を示した。
作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂの密着性、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂの密着性は、それぞれ、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａの密着性、及び作製基板９１と第１の樹脂層９３ａの密着性よりも高い。
作製基板と第２の樹脂層の界面で分離を行うと、剥離不良が生じるなど、剥離の歩留まりが低下することがある。そのため、第１の樹脂層に分離の起点を枠状に形成した後、第１の樹脂層と重なる部分のみを作製基板から剥離する工程が好適である。
一方、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、接着層９９を、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分とは重ねない構成とすることができる。
例えば、流動性の低い接着剤、または接着シートなどを接着層９９に用いると、接着層９９を島状に形成することが容易である（図１６（Ａ））。
または、枠状の隔壁９８ａを形成し、隔壁９８ａに囲まれた内側に接着層９９を充填し硬化してもよい（図１６（Ｂ））。
隔壁９８ａを表示装置の構成要素として用いる場合、隔壁９８ａには、硬化した樹脂を用いることが好ましい。このとき、隔壁９８ａも、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分とは重ねないことが好ましい。
隔壁９８ａを表示装置の構成要素として用いない場合、隔壁９８ａには、未硬化または半硬化の樹脂を用いることが好ましい。このとき、隔壁９８ａを作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分の一方または双方と重ねてもよい。
本実施の形態では、隔壁９８ａに未硬化の樹脂を用い、隔壁９８ａが、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分と重ならない例を示す。
接着層９９が、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分、及び作製基板９１と第２の樹脂層９３ｂとが接している部分と重ならない構成における分離の起点の形成方法について説明する。以下では、作製基板９１を作製基板１４よりも先に剥離する例を示す。
図１７（Ａ）〜（Ｅ）では、作製基板９１と第１の樹脂層９３ａとを分離する場合のレーザ光６６の照射位置を説明する。
図１７（Ａ）に示すように、第１の樹脂層９３ａと接着層９９とが重なる領域の少なくとも１か所に、レーザ光６６を照射することで、分離の起点を形成できる。
分離の起点に、作製基板９１と第１の樹脂層９３ａを引き離す力が集中することが好ましいため、接着層９９の中央部よりも端部近傍に分離の起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に分離の起点を形成することが好ましい。
図１７（Ｂ）〜（Ｅ）に、レーザ光の照射領域６７の一例を示す。
図１７（Ｂ）では、接着層９９の角部に１か所、レーザ光の照射領域６７を示す。
連続的もしくは断続的にレーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の分離の起点を形成することができる。図１７（Ｃ）では、接着層９９の角部に３か所、レーザ光の照射領域６７を示す。図１７（Ｄ）では、レーザ光の照射領域６７が、接着層９９の一辺に接し、かつ接着層９９の一辺に沿って伸びている例を示す。図１７（Ｅ）に示すように、レーザ光の照射領域６７が、接着層９９と第１の樹脂層９３ａとが重なる領域だけでなく、硬化状態でない隔壁９８ａと第１の樹脂層９３ａとが重なる領域に位置してもよい。
その後、作製基板９１と第１の樹脂層９３ａとを分離することができる（図１８（Ａ））。なお、作製基板１４側に隔壁９８ａの一部が残存することがある。隔壁９８ａは、除去してもよいし、除去せず、次の工程に進んでもよい。以降の図では、簡略化のため、隔壁９８ａを示さない。
次に、作製基板９１から分離することで露出した第１の樹脂層９３ａと、基板２２とを、接着層１３を用いて貼り合わせる（図１８（Ｂ））。
接着層９９と同様に、接着層１３も、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分とは重ねない構成とする。
隔壁９８ｂを表示装置の構成要素として用いる場合、隔壁９８ｂには、硬化した樹脂を用いることが好ましい。このとき、隔壁９８ｂも、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分とは重ねないことが好ましい。
隔壁９８ｂを表示装置の構成要素として用いない場合、隔壁９８ｂには、未硬化または半硬化の樹脂を用いることが好ましい。このとき、隔壁９８ｂを作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分と重ねてもよい。
本実施の形態では、隔壁９８ｂに未硬化の樹脂を用い、隔壁９８ｂが、作製基板１４と第２の樹脂層２３ｂとが接している部分と重なる例を示す。
これにより、図１９（Ａ）に示すように、第１の樹脂層２３ａと接着層１３とが重なる領域の少なくとも１か所に、レーザ光６６を照射することで、分離の起点を形成できる。
そして、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離することができる（図１９（Ｂ））。
［表示装置の構成例２］
図２０（Ａ）は、表示装置１０Ｂの上面図である。図２０（Ｂ）は、表示装置１０Ｂの表示部３８１の断面図及びＦＰＣ３７２との接続部の断面図の一例である。
表示装置１０Ｂは、上記の作製方法例５を用いて作製することができる。表示装置１０Ｂは、曲がった状態に保持することや、繰り返し曲げることなどが可能である。
表示装置１０Ｂは、基板２２及び基板２９を有する。基板２２側が表示装置１０Ｂの表示面側である。表示装置１０Ｂは、表示部３８１及び駆動回路部３８２を有する。表示装置１０ＢにはＦＰＣ３７２が貼り付けられている。
接続体７６を介して、導電層８６ｃとＦＰＣ３７２とが電気的に接続されている（図２０（Ｂ））。導電層８６ｃは、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料及び同一の工程で形成することができる。
上述の通り、酸素を含む雰囲気下で加熱処理を行うことで、第１の樹脂層の一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板から第１の樹脂層を剥離することができる。そのため、本実施の形態の表示装置の作製方法を適用して作製された表示装置が有する第１の樹脂層は、酸素を多く含むことが分析により確認できることがある。具体的には、第１の樹脂層の剥離面側の表面に対して、ＸＰＳを用いた分析で、酸素濃度を求めることができる。第１の樹脂層２３ａの接着層２８側の面に対して行うＸ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上であることが好ましく、１５ａｔｏｍｉｃ％以上であることがより好ましい。第１の樹脂層９３ａの接着層１３側の面に対して行うＸ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上であることが好ましく、１５ａｔｏｍｉｃ％以上であることがより好ましい。
以上のように、本実施の形態の剥離方法は、樹脂層を形成する際の加熱条件によって、樹脂層の作製基板に対する剥離性を制御する。線状レーザビームの照射など、高価な装置が必要な処理が不要であるため、低コストである。また、作製基板に対する剥離性の異なる樹脂層を２層積層することで、所望のタイミングで、作製基板と樹脂層とを分離することができる。したがって、本実施の形態の剥離方法を用いて、低コストかつ量産性高く表示装置等を作製できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法及び表示装置の作製方法について図２１及び図２２を用いて説明する。
本実施の形態では、トランジスタのチャネル形成領域に、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を用いる場合について説明する。
ＬＴＰＳを用いる場合、第１の樹脂層及び第２の樹脂層は、耐熱性の高い材料を用い、厚膜で形成することが好ましい。これにより、高温プロセスが可能となり、かつ、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和することができる。
まず、作製基板１４上に、第１の層２４ａを形成する（図２１（Ａ））。
第１の層２４ａの材料及び形成方法は、実施の形態１を参照することができる。本実施の形態で用いる第１の層２４ａの材料の耐熱性は、十分に高いことが好ましい。
次に、所望の形状の第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する（図２１（Ｂ））。ここでは、島状の第１の樹脂層２３ａを形成する。
第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。
第１の加熱処理の条件は、実施の形態１を参照することができる。
本実施の形態では、第１の層２４ａの材料に耐熱性の高い材料を用いるため、実施の形態１に示した加熱温度よりも高い温度で、第１の加熱処理を行うことができる。例えば、第１の加熱処理の温度は、４００℃以上６００℃以下が好ましく、４５０℃以上５５０℃以下がより好ましい。
第１の樹脂層２３ａの厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがさらに好ましい。第１の樹脂層２３ａが十分に厚いことで、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和することができる。
第１の樹脂層２３ａの５％重量減少温度は、４００℃以上６００℃以下が好ましく、４５０℃以上６００℃以下がより好ましく、５００℃以上６００℃以下がさらに好ましい。
次に、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の層２４ｂを形成する（図２１（Ｃ））。
第２の層２４ｂは、第１の層２４ａの形成に用いることができる材料及び方法を適用することができる。特に、本実施の形態で用いる第２の層２４ｂの材料は、耐熱性が十分に高いことが好ましい。
次に、第２の層２４ｂに対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層２３ｂを形成する（図２１（Ｄ））。
第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。
第２の加熱処理の条件は、実施の形態１を参照することができる。
本実施の形態では、第２の層２４ｂの材料に耐熱性の高い材料を用いるため、実施の形態１に示した加熱温度よりも高い温度で、第２の加熱処理を行うことができる。例えば、第２の加熱処理の温度は、４００℃以上６００℃以下が好ましく、４５０℃以上５５０℃以下がより好ましい。
第２の樹脂層２３ｂの厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがさらに好ましい。第２の樹脂層２３ｂが十分に厚いことで、レーザ結晶化の工程でのダメージを緩和することができる。
なお、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂのうち一方が十分に厚い場合（例えば、２０μｍ以上）、他方の厚さが１０μｍ未満であっても構わないことがある。
第２の樹脂層２３ｂの５％重量減少温度は、４００℃以上６００℃以下が好ましく、４５０℃以上６００℃以下がより好ましく、５００℃以上６００℃以下がさらに好ましい。
第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂは、それぞれ異なる材料を用いて形成してもよく、同じ材料を用いて形成してもよい。同じ材料を用いることでコストを下げることができ好ましい。同じ材料を用いても、第１の加熱処理と第２の加熱処理の条件を変えることにより、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂとで、作製基板１４に対する密着性の高さを変えることができる。
次に、第２の樹脂層２３ｂ上に、絶縁層３１を形成する（図２１（Ｅ））。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａの耐熱温度以下、かつ第２の樹脂層２３ｂの耐熱温度以下の温度で形成する。第１の加熱処理の温度以下かつ第２の加熱処理の温度以下の温度で形成することが好ましく、第１の加熱処理の温度及び第２の加熱処理の温度の双方より低い温度で形成してもよい。
絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。例えば、絶縁層３１は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを加熱した際に、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層３１は、バリア性が高いことが好ましい。
絶縁層３１には、実施の形態１で例示した材料を用いることができる。
次に、絶縁層３１上に、トランジスタ９０を形成する（図２１（Ｅ））。
ここではトランジスタ９０として、チャネル形成領域にＬＴＰＳを有する、トップゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。
まず、絶縁層３１上に、スパッタリング法、またはＣＶＤ法などを用いて、半導体膜を形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ装置を用いて、厚さ５０ｎｍの非晶質シリコン膜を成膜する。
次に、非晶質シリコン膜に対して加熱処理を行うことが好ましい。これにより、非晶質シリコン膜中から、水素を脱離させることができる。具体的には、４００℃以上５５０℃以下の温度で加熱することが好ましい。例えば、非晶質シリコン膜の含有水素量を５ａｔｏｍ％以下とすることで、結晶化工程での製造歩留まりを高めることができる。なお、非晶質シリコン膜の含有水素量が低い場合、加熱処理を省略してもよい。
本実施の形態では、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂの耐熱性が高いため、高い温度で加熱処理を行い、非晶質シリコン膜中から、水素を十分に脱離させることができる。
次に、半導体膜を結晶化させることで、結晶構造を有する半導体膜を形成する。
半導体膜の上方よりレーザ光を照射することで半導体膜を結晶化させることができる。レーザ光としては、例えば、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍ、または３５１ｎｍの波長を用いることができる。または、金属の触媒元素を用いて、半導体膜を結晶化させてもよい。
本実施の形態では、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを厚膜で形成するため、結晶化の際のダメージを緩和することができる。
次に、結晶構造を有する半導体膜にチャネルドープを行ってもよい。
次に、半導体膜を加工し、島状の半導体膜を形成する。
半導体膜の加工方法としては、ウエットエッチング法及びドライエッチング法のいずれか一方または双方を用いることができる。
次に、絶縁層３１及び半導体膜上に絶縁層８４及び導電層８５を形成する。絶縁層８４は、絶縁層３１に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。絶縁層８４及び導電層８５は、絶縁層８４となる絶縁膜と、導電層８５となる導電膜とを成膜した後、マスクを形成し、当該絶縁膜及び当該導電膜をエッチングした後にマスクを除去することにより形成できる。
半導体膜の一部に不純物元素を添加することで、チャネル領域８３ａ及び低抵抗領域８３ｃ（ソース領域及びドレイン領域ともいえる）を形成する。不純物元素を複数回添加することで、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域８３ｂを形成してもよい。絶縁層８４及び導電層８５、さらにはこれらを作製するために用いたマスクは、不純物元素の添加の際のマスクとして機能することができる。
ｎチャネル型のトランジスタを作製する場合、不純物元素としては、半導体膜にｎ型の導電性を付与する不純物元素を用いる。例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｅ等の元素を用いることができる。
ｐチャネル型のトランジスタを作製する場合、不純物元素としては、半導体膜にｐ型の導電性を付与する不純物元素を用いる。例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ等の元素を用いることができる。
次に、半導体層、絶縁層８４、及び導電層８５を覆う絶縁層３３を形成する。絶縁層３３は、絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
次に、加熱処理を行う。これにより、半導体層に添加した不純物元素を活性化させる。当該加熱処理は、導電層８５の酸化を防ぐため、絶縁層３３を形成した後に行うことが好ましい。
本実施の形態では、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂの耐熱性が高いため、不純物元素の活性化のための加熱処理を高温で行うことができる。これにより、トランジスタの特性を高めることができる。
絶縁層３３は、水素を含む絶縁膜を有していてもよい。トランジスタ９０上に水素を含む絶縁膜を形成した状態で、加熱処理を行うことで、水素を含む絶縁膜から半導体層中（特にチャネル領域８３ａ中）に水素を供給し、半導体層中の欠陥を水素で終端することができる。当該加熱処理は、水素を脱離させるために非晶質シリコン膜に対して行った加熱処理よりも低い温度で行う。
本実施の形態では、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂの耐熱性が高いため、水素化のための加熱処理を高温で行うことができる。これにより、トランジスタの特性を高めることができる。
次に、絶縁層３３に、半導体層の低抵抗領域８３ｃに達する開口を形成する。
続いて、導電層８６ａ及び導電層８６ｂを形成する。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層８６ａ及び導電層８６ｂは、それぞれ、絶縁層３３の開口を介して低抵抗領域８３ｃと電気的に接続される。
以上のようにして、トランジスタ９０を作製できる（図２１（Ｅ））。トランジスタ９０において、導電層８５の一部はゲートとして機能し、絶縁層８４の一部はゲート絶縁層として機能する。半導体層はチャネル領域８３ａ、ＬＤＤ領域８３ｂ、及び低抵抗領域８３ｃを有する。チャネル領域８３ａは絶縁層８４を介して導電層８５と重なる。低抵抗領域８３ｃは導電層８６ａと接続される部分と、導電層８６ｂと接続される部分と、を有する。
次に、絶縁層３３上に絶縁層３４から保護層７５までを形成する（図２２（Ａ１））。これらの工程は実施の形態１を参照できる。
次に、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成する（図２２（Ａ１）、（Ａ２））。
例えば、保護層７５側から、第１の樹脂層２３ａの端部よりも内側に刃物などの鋭利な形状の器具６５を差し込み、枠状に切れ目６４を入れる。
本実施の形態では、作製基板１４上に、第１の樹脂層２３ａが接する部分と、第２の樹脂層２３ｂが接する部分と、を設ける。そのため、第１の樹脂層２３ａが作製基板１４から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。そして、分離の起点を形成することで、所望のタイミングで、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを分離することができる。したがって、剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できる。これにより、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
次に、作製基板１４とトランジスタ９０とを分離する（図２２（Ｂ））。
第１の樹脂層２３ａを形成する際に酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うため、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを剥離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。
以上のように、耐熱性の高い材料を用い、第１の樹脂層及び第２の樹脂層を、厚膜で形成することで、トランジスタにＬＴＰＳが適用された表示装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置とその作製方法について図面を用いて説明する。
本実施の形態の表示装置は、可視光を反射する第１の表示素子と、可視光を発する第２の表示素子とを有する。
本実施の形態の表示装置は、第１の表示素子が反射する光と、第２の表示素子が発する光のうち、いずれか一方、または両方により、画像を表示する機能を有する。
第１の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は光源を持たない（人工光源を使用しない）ため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。
第１の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。
第２の表示素子には、発光素子を用いることが好ましい。このような表示素子が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、コントラストの高い、鮮やかな表示を行うことができる。
第２の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。
本実施の形態の表示装置は、第１の表示素子のみを用いて画像を表示する第１のモード、第２の表示素子のみを用いて画像を表示する第２のモード、並びに、第１の表示素子及び第２の表示素子を用いて画像を表示する第３のモードを有し、これらのモードを自動または手動で切り替えて使用することができる。
第１のモードでは、第１の表示素子と外光を用いて画像を表示する。第１のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力なモードである。例えば、表示装置に外光が十分に入射されるとき（明るい環境下など）は、第１の表示素子が反射した光を用いて表示を行うことができる。例えば、外光が十分に強く、かつ外光が白色光またはその近傍の光である場合に有効である。第１のモードは、文字を表示することに適したモードである。また、第１のモードは、外光を反射した光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。
第２のモードでは、第２の表示素子による発光を利用して画像を表示する。そのため、照度や外光の色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、照度が極めて低い場合などに有効である。また周囲が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２のモードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。これにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２のモードは、鮮やかな画像（静止画及び動画）などを表示することに適したモードである。
第３のモードでは、第１の表示素子による反射光と、第２の表示素子による発光の両方を利用して表示を行う。第１のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第２のモードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、照度が比較的低い場合、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。
このような構成とすることで、周囲の明るさによらず視認性が高く、利便性の高い表示装置または全天候型の表示装置を実現できる。
本実施の形態の表示装置は、第１の表示素子を有する第１の画素と、第２の表示素子を有する第２の画素とをそれぞれ複数有する。第１の画素と第２の画素は、それぞれ、マトリクス状に配置されることが好ましい。
第１の画素及び第２の画素は、それぞれ、１つ以上の副画素を有する構成とすることができる。例えば、画素には、副画素を１つ有する構成（白色（Ｗ）など）、副画素を３つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色、または、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色など）、または、副画素を４つ有する構成（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）の４色、または、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、黄色（Ｙ）の４色など）を適用できる。
本実施の形態の表示装置は、第１の画素と第２の画素のどちらでも、フルカラー表示を行う構成とすることができる。または、本実施の形態の表示装置は、第１の画素では白黒表示またはグレースケールでの表示を行い、第２の画素ではフルカラー表示を行う構成とすることができる。第１の画素を用いた白黒表示またはグレースケールでの表示は、文書情報など、カラー表示を必要としない情報を表示することに適している。
図２３〜図２６を用いて、本実施の形態の表示装置の構成例について説明する。
＜構成例１＞
図２３は、表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図２３では、基板３６１を破線で明示している。
表示装置３００は、表示部３６２、回路３６４、配線３６５等を有する。図２３では表示装置３００にＩＣ（集積回路）３７３及びＦＰＣ３７２が実装されている例を示している。そのため、図２３に示す構成は、表示装置３００、ＩＣ、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。
回路３６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
配線３６５は、表示部３６２及び回路３６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部から、またはＩＣ３７３から配線３６５に入力される。
図２３では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示す。ＩＣ３７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置３００及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
図２３には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表示素子が有する電極３１１ｂがマトリクス状に配置されている。電極３１１ｂは、可視光を反射する機能を有し、液晶素子１８０の反射電極として機能する。
また、図２３に示すように、電極３１１ｂは開口４５１を有する。さらに表示部３６２は、電極３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子１７０を有する。発光素子１７０からの光は、電極３１１ｂの開口４５１を介して基板３６１側に射出される。発光素子１７０の発光領域の面積と開口４５１の面積とは等しくてもよい。発光素子１７０の発光領域の面積と開口４５１の面積のうち一方が他方よりも大きいと、位置ずれに対するマージンが大きくなるため好ましい。特に、開口４５１の面積は、発光素子１７０の発光領域の面積に比べて大きいことが好ましい。開口４５１が小さいと、発光素子１７０からの光の一部が電極３１１ｂによって遮られ、外部に取り出せないことがある。開口４５１を十分に大きくすることで、発光素子１７０の発光が無駄になることを抑制できる。
図２４に、図２３で示した表示装置３００の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路３６４を含む領域の一部、及び表示部３６２を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図２４に示す表示装置３００は、基板３５１と基板３６１の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、液晶素子１８０、発光素子１７０、絶縁層２２０、着色層１３１、着色層１３４等を有する。基板３６１と絶縁層２２０は接着層１４１を介して接着されている。基板３５１と絶縁層２２０は接着層１４２を介して接着されている。
基板３６１には、着色層１３１、遮光層１３２、絶縁層１２１、及び液晶素子１８０の共通電極として機能する電極１１３、配向膜１３３ｂ、絶縁層１１７等が設けられている。基板３６１の外側の面には、偏光板１３５を有する。絶縁層１２１は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層１２１により、電極１１３の表面を概略平坦にできるため、液晶層１１２の配向状態を均一にできる。絶縁層１１７は、液晶素子１８０のセルギャップを保持するためのスペーサとして機能する。絶縁層１１７が可視光を透過する場合は、絶縁層１１７を液晶素子１８０の表示領域と重ねて配置してもよい。
液晶素子１８０は反射型の液晶素子である。液晶素子１８０は、画素電極として機能する電極３１１ａ、液晶層１１２、電極１１３が積層された積層構造を有する。電極３１１ａの基板３５１側に接して、可視光を反射する電極３１１ｂが設けられている。電極３１１ｂは開口４５１を有する。電極３１１ａ及び電極１１３は可視光を透過する。液晶層１１２と電極３１１ａの間に配向膜１３３ａが設けられている。液晶層１１２と電極１１３の間に配向膜１３３ｂが設けられている。
液晶素子１８０において、電極３１１ｂは可視光を反射する機能を有し、電極１１３は可視光を透過する機能を有する。基板３６１側から入射した光は、偏光板１３５により偏光され、電極１１３、液晶層１１２を透過し、電極３１１ｂで反射する。そして液晶層１１２及び電極１１３を再度透過して、偏光板１３５に達する。このとき、電極３１１ｂと電極１１３の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御することができる。すなわち、偏光板１３５を介して射出される光の強度を制御することができる。また光は着色層１３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
図２４に示すように、開口４５１には可視光を透過する電極３１１ａが設けられていることが好ましい。これにより、開口４５１と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様に液晶層１１２が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図しない光が漏れてしまうことを抑制できる。
接続部２０７において、電極３１１ｂは、導電層２２１ｂを介して、トランジスタ２０６が有する導電層２２２ａと電気的に接続されている。トランジスタ２０６は、液晶素子１８０の駆動を制御する機能を有する。
接着層１４１が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接続部２５２において、電極３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、電極１１３の一部が、接続体２４３により電気的に接続されている。したがって、基板３６１側に形成された電極１１３に、基板３５１側に接続されたＦＰＣ３７２から入力される信号または電位を、接続部２５２を介して供給することができる。
接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体２４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体２４３は、図２４に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
接続体２４３は、接着層１４１に覆われるように配置することが好ましい。例えば硬化前の接着層１４１に、接続体２４３を分散させておけばよい。
発光素子１７０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子１７０は、絶縁層２２０側から画素電極として機能する電極１９１、ＥＬ層１９２、及び共通電極として機能する電極１９３の順に積層された積層構造を有する。電極１９１は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ａと接続されている。トランジスタ２０５は、発光素子１７０の駆動を制御する機能を有する。絶縁層２１６が電極１９１の端部を覆っている。電極１９３は可視光を反射する材料を含み、電極１９１は可視光を透過する材料を含む。電極１９３を覆って絶縁層１９４が設けられている。発光素子１７０が発する光は、着色層１３４、絶縁層２２０、開口４５１、電極３１１ａ等を介して、基板３６１側に射出される。
液晶素子１８０及び発光素子１７０は、画素によって着色層の色を変えることで、様々な色を呈することができる。表示装置３００は、液晶素子１８０を用いて、カラー表示を行うことができる。表示装置３００は、発光素子１７０を用いて、カラー表示を行うことができる。
トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２０６は、いずれも絶縁層２２０の基板３５１側の面上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の工程を用いて作製することができる。
液晶素子１８０と電気的に接続される回路は、発光素子１７０と電気的に接続される回路と同一面上に形成されることが好ましい。これにより、２つの回路を別々の面上に形成する場合に比べて、表示装置の厚さを薄くすることができる。また、２つのトランジスタを同一の工程で作製できるため、２つのトランジスタを別々の面上に形成する場合に比べて、作製工程を簡略化することができる。
液晶素子１８０の画素電極は、トランジスタが有するゲート絶縁層を挟んで、発光素子１７０の画素電極とは反対に位置する。
ここで、チャネル形成領域に金属酸化物を有し、オフ電流が極めて低いトランジスタ２０６を適用した場合、またはトランジスタ２０６と電気的に接続される記憶素子を適用した場合などでは、液晶素子１８０を用いて静止画を表示する際に画素への書き込み動作を停止しても、階調を維持させることが可能となる。すなわち、フレームレートを極めて小さくしても表示を保つことができる。本発明の一態様では、フレームレートを極めて小さくでき、消費電力の低い駆動を行うことができる。
トランジスタ２０３は、画素の選択、非選択状態を制御するトランジスタ（スイッチングトランジスタ、または選択トランジスタともいう）である。トランジスタ２０５は、発光素子１７０に流れる電流を制御するトランジスタ（駆動トランジスタともいう）である。
絶縁層２２０の基板３５１側には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁層２１４等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１２は、トランジスタ２０６等を覆って設けられる。絶縁層２１３は、トランジスタ２０５等を覆って設けられている。絶縁層２１４は、平坦化層としての機能を有する。なお、トランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、単層であっても２層以上であってもよい。
各トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を実現できる。
トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２０６は、ゲートとして機能する導電層２２１ａ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、並びに、半導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、トランジスタ２０３及びトランジスタ２０６の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。このような構成とすることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。
表示装置が有するトランジスタの構造に限定はない。回路３６４が有するトランジスタと、表示部３６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路３６４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、２種類以上の構造が組み合わせて用いられていてもよい。同様に、表示部３６２が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、２種類以上の構造が組み合わせて用いられていてもよい。
導電層２２３には、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。導電層２２３を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層２１２に酸素を供給することができる。成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層２１２に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層２３１に供給され、半導体層２３１中の酸素欠損の低減を図ることができる。
特に、導電層２２３には、低抵抗化された金属酸化物を用いることが好ましい。このとき、絶縁層２１３に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層２１３の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層２２３中に水素が供給され、導電層２２３の電気抵抗を効果的に低減することができる。
絶縁層２１３に接して着色層１３４が設けられている。着色層１３４は、絶縁層２１４に覆われている。
基板３５１と基板３６１が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線３６５が接続層２４２を介してＦＰＣ３７２と電気的に接続されている。接続部２０４は接続部２０７と同様の構成を有している。接続部２０４の上面は、電極３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
基板３６１の外側の面に配置する偏光板１３５として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子１８０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにする。
なお、基板３６１の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板３６１の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜等を配置してもよい。
基板３５１及び基板３６１には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などを用いることができる。基板３５１及び基板３６１に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。
液晶素子１８０としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。
液晶素子１８０には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。
液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いることができる。
液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板１３５を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
偏光板１３５よりも外側に、フロントライトを設けてもよい。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。ＬＥＤを備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。
発光素子、トランジスタ、絶縁層、導電層、接着層、接続層等に用いることができる材料については、それぞれ、実施の形態１の説明を参照できる。
＜構成例２＞
図２５に示す表示装置３００Ａは、トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２０６を有さず、トランジスタ２８１、トランジスタ２８４、トランジスタ２８５、及びトランジスタ２８６を有する点で、主に表示装置３００と異なる。
なお、図２５では、絶縁層１１７及び接続部２０７等の位置も図２４と異なる。図２５では、画素の端部を図示している。絶縁層１１７は、着色層１３１の端部に重ねて配置されている。また、絶縁層１１７は、遮光層１３２の端部に重ねて配置されている。このように、絶縁層１１７は、表示領域と重ならない部分（遮光層１３２と重なる部分）に配置されてもよい。
トランジスタ２８４及びトランジスタ２８５のように、表示装置が有する２つのトランジスタは、部分的に積層して設けられていてもよい。これにより、画素回路の占有面積を縮小することが可能なため、精細度を高めることができる。また、発光素子１７０の発光面積を大きくでき、開口率を向上させることができる。発光素子１７０は、開口率が高いと、必要な輝度を得るための電流密度を低くできるため、信頼性が向上する。
トランジスタ２８１、トランジスタ２８４、及びトランジスタ２８６は、導電層２２１ａ、絶縁層２１１、半導体層２３１、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導電層２２１ａは、絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、半導体層２３１と電気的に接続される。トランジスタ２８１は、導電層２２３を有する。
トランジスタ２８５は、導電層２２２ｂ、絶縁層２１７、半導体層２６１、導電層２２３、絶縁層２１２、絶縁層２１３、導電層２６３ａ、及び導電層２６３ｂを有する。導電層２２２ｂは、絶縁層２１７を介して半導体層２６１と重なる。導電層２２３は、絶縁層２１２及び絶縁層２１３を介して半導体層２６１と重なる。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂは、半導体層２６１と電気的に接続される。
導電層２２１ａは、ゲートとして機能する。絶縁層２１１は、ゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａはソースまたはドレインの一方として機能する。トランジスタ２８６が有する導電層２２２ｂは、ソースまたはドレインの他方として機能する。
トランジスタ２８４とトランジスタ２８５が共有している導電層２２２ｂは、トランジスタ２８４のソースまたはドレインの他方として機能する部分と、トランジスタ２８５のゲートとして機能する部分を有する。絶縁層２１７、絶縁層２１２、及び絶縁層２１３は、ゲート絶縁層として機能する。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。導電層２２３は、ゲートとして機能する。
＜構成例３＞
図２６に、表示装置３００Ｂの表示部の断面図を示す。
図２６に示す表示装置３００Ｂは、基板３５１と基板３６１の間に、トランジスタ４０、トランジスタ８０、液晶素子１８０、発光素子１７０、絶縁層２２０、着色層１３１、着色層１３４等を有する。
トランジスタ４０及びトランジスタ８０の構成及び作製方法については、実施の形態１を参照できる。
液晶素子１８０では、外光を電極３１１ｂが反射し、基板３６１側に反射光を射出する。発光素子１７０は、基板３６１側に光を射出する。液晶素子１８０及び発光素子１７０の構成については、構成例１を参照できる。
基板３６１には、着色層１３１、絶縁層１２１、及び液晶素子１８０の共通電極として機能する電極１１３、配向膜１３３ｂが設けられている。
液晶層１１２は、配向膜１３３ａ及び配向膜１３３ｂを介して、電極３１１ａ及び電極１１３の間に挟持されている。
トランジスタ４０は、絶縁層２１２及び絶縁層２１３で覆われている。絶縁層２１３と着色層１３４は、接着層１４２によって、絶縁層１９４と貼り合わされている。
表示装置３００Ｂは、液晶素子１８０を駆動するトランジスタ４０と発光素子１７０を駆動するトランジスタ８０とを、異なる面上に形成するため、それぞれの表示素子を駆動するために適した構造、材料を用いて形成することが容易である。
＜表示装置３００の作製方法例＞
次に、図２７〜図３０を用いて、本実施の形態の表示装置の作製方法について、具体的に説明する。以下では、図２４に示す表示装置３００の作製方法の一例について説明する。図２７〜図３０では特に表示装置３００の表示部３６２に着目して、作製方法を説明する。なお、図２７〜図３０ではトランジスタ２０３の図示を省略する。
まず、基板３６１上に、着色層１３１を形成する（図２７（Ａ））。着色層１３１は、感光性の材料を用いて形成することで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工することができる。なお、図２４に示す回路３６４等では、基板３６１上に遮光層１３２を設ける。
次に、着色層１３１及び遮光層１３２上に、絶縁層１２１を形成する。
絶縁層１２１は、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層１２１には、アクリル、エポキシなどの樹脂を好適に用いることができる。
絶縁層１２１には、無機絶縁膜を適用してもよい。絶縁層１２１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
次に、電極１１３を形成する。電極１１３は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極１１３は、可視光を透過する導電性材料を用いて形成する。
次に、電極１１３上に、絶縁層１１７を形成する。絶縁層１１７には、有機絶縁膜を用いることが好ましい。
次に、電極１１３及び絶縁層１１７上に、配向膜１３３ｂを形成する（図２７（Ａ））。配向膜１３３ｂは、樹脂等の薄膜を形成した後に、ラビング処理を行うことで形成できる。
また、図２７（Ａ）を用いて説明した工程とは独立して、図２７（Ｂ）から図３０（Ａ）までに示す工程を行う。
まず、実施の形態１の作製方法例２と同様に、作製基板１４上に、第１の層２４ａを形成する（図２７（Ｂ））。次に、所望の形状に加工された第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する（図２７（Ｃ））。図２７（Ｃ）では、島状の第１の樹脂層２３ａを形成する例を示す。第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。次に、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の層２４ｂを形成する（図２７（Ｄ））。次に、第２の層２４ｂに対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層２３ｂを形成する（図２７（Ｅ））。第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。
次に、第２の樹脂層２３ｂ上に電極３１１ａを形成し、電極３１１ａ上に電極３１１ｂを形成する（図２７（Ｆ））。電極３１１ｂは、電極３１１ａ上に開口４５１を有する。電極３１１ａ及び電極３１１ｂは、それぞれ、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極３１１ａは、可視光を透過する導電性材料を用いて形成する。電極３１１ｂは、可視光を反射する導電性材料を用いて形成する。
第２の樹脂層２３ｂ上に、絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に電極３１１ａを形成してもよい。絶縁膜としては、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜が好適である。絶縁層は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。
次に、絶縁層２２０を形成する（図２８（Ａ））。そして、絶縁層２２０に電極３１１ｂに達する開口を設ける。
絶縁層２２０は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。絶縁層２２０は、例えば、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを加熱した際に、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる水分等がトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁層２２０は、バリア性が高いことが好ましい。
絶縁層２２０としては、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜及び樹脂等を用いることができる。
次に、絶縁層２２０上に、トランジスタ２０５及びトランジスタ２０６を形成する。
トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む酸化物半導体等を適用できる。
ここではトランジスタ２０６として、半導体層２３１として金属酸化物層を有する、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。トランジスタ２０５は、トランジスタ２０６の構成に導電層２２３及び絶縁層２１２を追加した構成であり、２つのゲートを有する。金属酸化物は、酸化物半導体として機能することができる。
具体的には、まず、絶縁層２２０上に、導電層２２１ａ及び導電層２２１ｂを形成する。導電層２２１ａ及び導電層２２１ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。ここで、絶縁層２２０の開口を介して、導電層２２１ｂと電極３１１ｂとが接続する。
続いて、絶縁層２１１を形成する。
絶縁層２１１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。無機絶縁膜の成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。
続いて、半導体層２３１を形成する。本実施の形態では、半導体層２３１として、金属酸化物層を形成する。金属酸化物層は、金属酸化物膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該金属酸化物膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。
続いて、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂを形成する。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、半導体層２３１と接続される。ここで、トランジスタ２０６が有する導電層２２２ａは、導電層２２１ｂと電気的に接続される。これにより、接続部２０７では、電極３１１ｂと導電層２２２ａを電気的に接続することができる。
なお、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない半導体層２３１の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。
以上のようにして、トランジスタ２０６を作製できる（図２８（Ａ））。トランジスタ２０６において、導電層２２１ａの一部はゲートとして機能し、絶縁層２１１の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。
次に、トランジスタ２０６を覆う絶縁層２１２を形成する。絶縁層２１２は、トランジスタ２０５及びトランジスタ２０６がそれぞれ有する半導体層２３１、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを覆うように形成される。次に、トランジスタ２０５の導電層２２３を絶縁層２１２上に形成する。
絶縁層２１２は、絶縁層２１１と同様の方法により形成することができる。
トランジスタ２０５が有する導電層２２３は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
以上のようにして、トランジスタ２０５を作製できる（図２８（Ａ））。トランジスタ２０５において、導電層２２１ａの一部及び導電層２２３の一部はゲートとして機能し、絶縁層２１１の一部及び絶縁層２１２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する。
次に、トランジスタ２０５及びトランジスタ２０６を覆う絶縁層２１３を形成する（図２８（Ａ））。絶縁層２１３は、絶縁層２１１と同様の方法により形成することができる。
また、絶縁層２１２として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜上に、絶縁層２１３として、窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、金属酸化物層に酸素を供給することができる。その結果、金属酸化物層中の酸素欠損、及び金属酸化物層と絶縁層２１２の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。
次に、絶縁層２１３上に、着色層１３４を形成し（図２８（Ａ））、その後、絶縁層２１４を形成する（図２８（Ｂ））。着色層１３４は、電極３１１ｂの開口４５１と重なるように配置する。
着色層１３４は、着色層１３１と同様の方法により形成することができる。絶縁層２１４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層２１４は、絶縁層１２１に用いることのできる樹脂または無機絶縁膜を援用できる。
次に、絶縁層２１２、絶縁層２１３、及び絶縁層２１４に、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ａに達する開口を形成する。
次に、電極１９１を形成する（図２８（Ｂ））。電極１９１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。ここで、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ａと電極１９１とが接続する。電極１９１は、可視光を透過する導電性材料を用いて形成する。
次に、電極１９１の端部を覆う絶縁層２１６を形成する（図２８（Ｂ））。絶縁層２１６は、絶縁層１２１に用いることのできる樹脂または無機絶縁膜を援用できる。絶縁層２１６は、電極１９１と重なる部分に開口を有する。
次に、ＥＬ層１９２及び電極１９３を形成する（図２８（Ｂ））。電極１９３は、その一部が発光素子１７０の共通電極として機能する。電極１９３は、可視光を反射する導電性材料を用いて形成する。
ＥＬ層１９２の形成後に行う各工程は、ＥＬ層１９２にかかる温度が、ＥＬ層１９２の耐熱温度以下となるように行う。電極１９３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。
以上のようにして、発光素子１７０を形成することができる（図２８（Ｂ））。発光素子１７０は、一部が画素電極として機能する電極１９１、ＥＬ層１９２、一部が共通電極として機能する電極１９３が積層された構成を有する。発光素子１７０は、発光領域が着色層１３４及び電極３１１ｂの開口４５１と重なるように作製する。
次に、電極１９３を覆って絶縁層１９４を形成する（図２８（Ｂ））。絶縁層１９４は、発光素子１７０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発光素子１７０は、絶縁層１９４によって封止される。電極１９３を形成した後、大気に曝すことなく、絶縁層１９４を形成することが好ましい。
絶縁層１９４は、例えば、上述した絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜を適用することができる。特に、バリア性の高い無機絶縁膜が含むことが好ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。
絶縁層１９４の成膜時の基板温度は、ＥＬ層１９２の耐熱温度以下の温度であることが好ましい。絶縁層１９４は、ＡＬＤ法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。ＡＬＤ法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ＡＬＤ法を用いると絶縁層１９４のカバレッジが良好となり好ましい。
次に、絶縁層１９４の表面に、接着層１４２を用いて基板３５１を貼り合わせる（図２８（Ｃ））。
接着層１４２には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
基板３５１には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板３５１には、ガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。基板３５１には、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。
次に、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成し、作製基板１４を剥離する（図２９（Ａ））。
次に、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを除去することが好ましい。例えば、ドライエッチング法などを用いて第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを除去することができる。これにより、電極３１１ａが露出する（図２９（Ｂ））。
第２の樹脂層２３ｂと電極３１１ａの間に絶縁膜を有する場合、当該絶縁膜を除去してもよいし、残してもよい。絶縁膜を除去する際は、ドライエッチング法などを用いることができる。
次に、露出した電極３１１ａ（または絶縁膜）の表面に、配向膜１３３ａを形成する（図３０（Ａ））。配向膜１３３ａは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成できる。
そして、図２７（Ａ）を用いて説明した工程が完了した基板３６１と、図３０（Ａ）までの工程が完了した基板３５１とを、液晶層１１２を挟んで貼り合わせる（図３０（Ｂ））。図３０（Ｂ）では示さないが、図２４等に示すように、基板３５１と基板３６１とは接着層１４１で貼り合わされる。接着層１４１は、接着層１４２に用いることのできる材料を援用できる。
図３０（Ｂ）に示す液晶素子１８０は、一部が画素電極として機能する電極３１１ａ（及び電極３１１ｂ）、液晶層１１２、一部が共通電極として機能する電極１１３が積層された構成を有する。液晶素子１８０は、着色層１３１と重なるように作製する。
基板３６１の外側の面には、偏光板１３５を配置する。
以上により、表示装置３００を作製することができる。
＜表示装置３００Ｂの作製方法例＞
次に、図３１〜図３３を用いて、本実施の形態の表示装置の作製方法について、具体的に説明する。以下では、図２６に示す表示装置３００Ｂの作製方法の一例について説明する。なお、表示装置３００の作製方法例と同様の部分については、説明を省略することがある。
まず、表示装置３００の作製方法例と同様に、基板３６１上に、着色層１３１、絶縁層１２１、電極１１３、及び配向膜１３３ｂを順に形成する（図３１（Ａ））。
また、図３１（Ａ）を用いて説明した工程とは独立して、図３１（Ｂ）に示す工程を行う。
まず、基板３５１上に、トランジスタ８０を形成する。トランジスタ８０の構成及び作製方法は、実施の形態１を参照することができる。
次に、絶縁層２１４、絶縁層２１６、発光素子１７０、及び絶縁層１９４を形成する（図３１（Ｂ））。絶縁層２１４、絶縁層２１６、発光素子１７０、及び絶縁層１９４の構成及び作製方法は、表示装置３００の作製方法例を参照することができる。
また、図３１（Ａ）を用いて説明した工程、及び図３１（Ｂ）を用いて説明した工程とは独立して、図３１（Ｃ）から図３１（Ｄ）までに示す工程を行う。
まず、実施の形態１の作製方法例２と同様に、作製基板１４上に、島状の第１の樹脂層２３ａを形成する。そして、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に、第２の樹脂層２３ｂを形成する（図３１（Ｃ））。
具体的には、作製基板１４上に第１の層２４ａを形成し、所望の形状の第１の層２４ａに対して第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層２３ａを形成する。第１の加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。そして、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に第２の層２４ｂを形成し、第２の層２４ｂに対して第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層２３ｂを形成する。第２の加熱処理は、第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で行う。
次に、第２の樹脂層２３ｂ上に電極３１１ａを形成し、電極３１１ａ上に電極３１１ｂを形成する（図３１（Ｄ））。電極３１１ａ及び電極３１１ｂは、それぞれ、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極３１１ａは、可視光を透過する導電性材料を用いて形成する。電極３１１ｂは、可視光を反射する導電性材料を用いて形成する。
第２の樹脂層２３ｂ上に、絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に電極３１１ａを形成してもよい。絶縁膜としては、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜が好適である。絶縁層は、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂに含まれる不純物が、後に形成するトランジスタ及び表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。
次に、絶縁層２２０を形成する（図３１（Ｄ））。そして、絶縁層２２０に電極３１１ｂに達する開口を設ける。
次に、絶縁層２２０上に、トランジスタ４０を形成する（図３１（Ｄ））。トランジスタ４０の構成及び作製方法は、実施の形態１を参照することができる。
次に、トランジスタ４０を覆う絶縁層２１２を形成し、絶縁層２１２上に絶縁層２１３を形成し、絶縁層２１３上に着色層１３４を形成する（図３１（Ｄ））。
図３１（Ｂ）を用いて説明した工程が完了した基板３５１と、図３１（Ｄ）までの工程が完了した作製基板１４とを、接着層１４２を用いて貼り合わせる（図３２（Ａ））。
次に、第１の樹脂層２３ａに分離の起点を形成し、作製基板１４を剥離する（図３２（Ｂ））。
次に、第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを除去することが好ましい。例えば、ドライエッチング法などを用いて第１の樹脂層２３ａ及び第２の樹脂層２３ｂを除去することができる。これにより、電極３１１ａが露出する（図３３（Ａ））。
第２の樹脂層２３ｂと電極３１１ａの間に絶縁膜を有する場合、当該絶縁膜を除去してもよいし、残してもよい。絶縁膜を除去する際は、ドライエッチング法などを用いることができる。
次に、露出した電極３１１ａ（または絶縁膜）の表面に、配向膜１３３ａを形成する（図３３（Ｂ））。
そして、図３１（Ａ）を用いて説明した工程が完了した基板３６１と、図３３（Ｂ）までの工程が完了した基板３５１とを、液晶層１１２を挟んで貼り合わせる（図３３（Ｃ））。図３３（Ｃ）では示さないが、基板３５１と基板３６１とは接着層で貼り合わされる。
図３３（Ｃ）に示す液晶素子１８０は、一部が画素電極として機能する電極３１１ａ（及び電極３１１ｂ）、液晶層１１２、一部が共通電極として機能する電極１１３が積層された構成を有する。液晶素子１８０は、着色層１３１と重なるように作製する。
以上により、表示装置３００Ｂを作製することができる。
以上のように、本実施の形態の表示装置は、２種類の表示素子を有し、複数の表示モードを切り替えて使用することができるため、周囲の明るさによらず視認性が高く、利便性が高い。
実施の形態１で説明した方法を用いることで、第１の樹脂層２３ａの一面全体にレーザ照射を行うことなく、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとを剥離することができる。そのため、低コストで表示装置を作製することができる。また、第１の樹脂層２３ａが作製基板１４から意図しないタイミングで剥離することを抑制できる。剥離のタイミングを制御でき、かつ、高い剥離性を実現できるため、剥離工程、及び表示装置の作製工程の歩留まりを高めることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３で説明した表示装置の、より具体的な構成例について図３４〜図３６を用いて説明する。
図３４（Ａ）は、表示装置４００のブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２、回路ＧＤ、及び回路ＳＤを有する。表示部３６２は、マトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。
表示装置４００は、複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、複数の配線ＣＳＣＯＭ、複数の配線Ｓ１、及び複数の配線Ｓ２を有する。複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭは、それぞれ、矢印Ｒで示す方向に配列した複数の画素４１０及び回路ＧＤと電気的に接続する。複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２は、それぞれ、矢印Ｃで示す方向に配列した複数の画素４１０及び回路ＳＤと電気的に接続する。
なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤとを、別々に設けてもよい。
画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。
図３４（Ｂ１）〜（Ｂ４）に、画素４１０が有する電極３１１の構成例を示す。電極３１１は、液晶素子の反射電極として機能する。図３４（Ｂ１）、（Ｂ２）の電極３１１には、開口４５１が設けられている。
図３４（Ｂ１）、（Ｂ２）には、電極３１１と重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１が有する開口４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出される。
図３４（Ｂ１）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図３４（Ｂ１）に示すように、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層を遮蔽マスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
図３４（Ｂ２）では、矢印Ｃで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。図３４（Ｂ２）においても同様に、矢印Ｃで示す方向に隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられていることが好ましい。
非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さいほど、液晶素子を用いた表示を明るくすることができる。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きいほど、発光素子３６０を用いた表示を明るくすることができる。
開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
また、図３４（Ｂ３）、（Ｂ４）に示すように、電極３１１が設けられていない部分に、発光素子３６０の発光領域が位置していてもよい。これにより、発光素子３６０が発する光は、表示面側に射出される。
図３４（Ｂ３）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの画素４１０において、発光素子３６０が一列に配列されていない。図３４（Ｂ４）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの画素４１０において、発光素子３６０が一列に配列されている。
図３４（Ｂ３）の構成は、隣接する２つの画素４１０が有する発光素子３６０どうしを離すことができるため、上述の通り、クロストークの抑制、及び、高精細化が可能となる。また、図３４（Ｂ４）の構成では、発光素子３６０の矢印Ｃに平行な辺側に、電極３１１が位置しないため、発光素子３６０の光が電極３１１に遮られることを抑制でき、高い視野角特性を実現できる。
回路ＧＤには、シフトレジスタ等の様々な順序回路等を用いることができる。回路ＧＤには、トランジスタ及び容量素子等を用いることができる。回路ＧＤが有するトランジスタは、画素４１０に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる。
回路ＳＤは、配線Ｓ１と電気的に接続される。回路ＳＤには、例えば、集積回路を用いることができる。具体的には、回路ＳＤには、シリコン基板上に形成された集積回路を用いることができる。
例えば、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ方式等を用いて、画素４１０と電気的に接続されるパッドに回路ＳＤを実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。
図３５は、画素４１０の回路図の一例である。図３５では、隣接する２つの画素４１０を示している。
画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図３５では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
図３５では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２にトランジスタを用いた場合の例を示している。
スイッチＳＷ１のゲートは、配線Ｇ１と接続されている。スイッチＳＷ１のソース及びドレインのうち一方は、配線Ｓ１と接続され、他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０の他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
スイッチＳＷ２のゲートは、配線Ｇ２と接続されている。スイッチＳＷ２のソース及びドレインのうち一方は、配線Ｓ２と接続され、他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極、及びトランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２の他方の電極は、トランジスタＭのソースまたはドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭのソースまたはドレインの他方は、発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０の他方の電極は、配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
図３５では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。
配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。
図３５に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
なお、図３５では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図３６（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。図３６（Ａ）に示す画素４１０は、図３５とは異なり、１つの画素で発光素子を用いたフルカラーの表示が可能である。
図３６（Ａ）では図３５の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続されている。
図３６（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０に、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
図３６（Ｂ）に、図３６（Ａ）に対応した画素４１０の構成例を示す。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示モジュール及び電子機器について説明する。
図３７に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。
例えば、本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された表示装置を、表示パネル８００６に用いることができる。これにより、高い歩留まりで表示モジュールを作製することができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
本発明の一態様により、曲面を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。また、本発明の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の表示装置は、外光の強さによらず、高い視認性を実現することができる。そのため、携帯型の電子機器、装着型の電子機器（ウェアラブル機器）、及び電子書籍端末などに好適に用いることができる。
図３８（Ａ）、（Ｂ）に示す携帯情報端末８００は、筐体８０１、筐体８０２、表示部８０３、表示部８０４、及びヒンジ部８０５等を有する。
筐体８０１と筐体８０２は、ヒンジ部８０５で連結されている。携帯情報端末８００は、折り畳んだ状態（図３８（Ａ））から、図３８（Ｂ）に示すように展開させることができる。
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された表示装置を、表示部８０３及び表示部８０４のうち少なくとも一方に用いることができる。これにより、高い歩留まりで携帯情報端末を作製することができる。
表示部８０３及び表示部８０４は、それぞれ、文書情報、静止画像、及び動画像等のうち少なくとも一つを表示することができる。表示部に文書情報を表示させる場合、携帯情報端末８００を電子書籍端末として用いることができる。
携帯情報端末８００は折り畳むことができるため、可搬性が高く、汎用性に優れる。
筐体８０１及び筐体８０２は、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。
図３８（Ｃ）に示す携帯情報端末８１０は、筐体８１１、表示部８１２、操作ボタン８１３、外部接続ポート８１４、スピーカ８１５、マイク８１６、カメラ８１７等を有する。
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された表示装置を、表示部８１２に用いることができる。これにより、高い歩留まりで携帯情報端末を作製することができる。
携帯情報端末８１０は、表示部８１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部８１２に触れることで行うことができる。
また、操作ボタン８１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部８１２に表示される画像の種類の切り替えを行うことができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
また、携帯情報端末８１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末８１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部８１２の画面表示の向きを自動的に切り替えることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部８１２に触れること、操作ボタン８１３の操作、またはマイク８１６を用いた音声入力等により行うこともできる。
携帯情報端末８１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末８１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
図３８（Ｄ）に示すカメラ８２０は、筐体８２１、表示部８２２、操作ボタン８２３、シャッターボタン８２４等を有する。またカメラ８２０には、着脱可能なレンズ８２６が取り付けられている。
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された表示装置を、表示部８２２に用いることができる。これにより、高い歩留まりでカメラを作製することができる。
ここではカメラ８２０を、レンズ８２６を筐体８２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ８２６と筐体８２１とが一体となっていてもよい。
カメラ８２０は、シャッターボタン８２４を押すことにより、静止画、または動画を撮像することができる。また、表示部８２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８２２をタッチすることにより撮像することも可能である。
なお、カメラ８２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体８２１に組み込まれていてもよい。
図３９（Ａ）〜（Ｅ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８等を有する。
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製された表示装置を、表示部９００１に好適に用いることができる。これにより、高い歩留まりで電子機器を作製することができる。
図３９（Ａ）〜（Ｅ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図３９（Ａ）〜（Ｅ）に示す電子機器が有する機能はこれらに限定されず、その他の機能を有していてもよい。
図３９（Ａ）は腕時計型の携帯情報端末９２００を、図３９（Ｂ）は腕時計型の携帯情報端末９２０１を、それぞれ示す斜視図である。
図３９（Ａ）に示す携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図３９（Ｂ）に示す携帯情報端末９２０１は、図３９（Ａ）に示す携帯情報端末と異なり、表示部９００１の表示面が湾曲していない。また、携帯情報端末９２０１の表示部の外形が非矩形状（図３９（Ｂ）においては円形状）である。
図３９（Ｃ）〜（Ｅ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０２を示す斜視図である。なお、図３９（Ｃ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態の斜視図であり、図３９（Ｄ）が携帯情報端末９２０２を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図３９（Ｅ）が携帯情報端末９２０２を折り畳んだ状態の斜視図である。
携帯情報端末９２０２は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０２が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０２を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０２は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
本実施例では、作製基板上に樹脂層を形成する際のベーク条件が、樹脂層の剥離性に与える影響について、評価を行った。
＜１．ベーク雰囲気＞
まず、樹脂層を形成する際のベーク雰囲気が異なる２つの試料について比較した。
各試料の作製基板には、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板を用いた。各試料の作製基板上には、樹脂層として、ポリイミド樹脂膜を形成した。感光性を有し、かつポリイミド樹脂前駆体を含む材料を用いてポリイミド樹脂膜を形成した。当該材料を塗布した際の膜厚は約２．０μｍであった。ベーク後のポリイミド樹脂膜の厚さは約１．５μｍであった。
試料１Ａには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、４５０℃で１時間のベークを行った。
試料１Ｂには、窒素ガス（６００ＮＬ／ｍｉｎ）を流しながら、４５０℃で１時間のベークを行った。ベーク中の装置内の酸素濃度は、０．０１％〜０．０２％程度であった。
そして、樹脂層にＵＶ剥離テープを貼り付け、該テープを手で引っ張ることで、作製基板から該テープを剥離した。
図４０（Ａ）に、試料１Ａの剥離結果を示し、図４０（Ｂ）に試料１Ｂの剥離結果を示す。各図において実線より上側がテープ側であり、下側がガラス側である。
図４０（Ａ）に示すように、試料１Ａは、剥離後、テープ側に樹脂層２３が残っており、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離させることができた。
図４０（Ｂ）に示すように、試料１Ｂは、剥離後、作製基板１４側に樹脂層２３が残っており、作製基板１４と樹脂層２３との界面で分離させることができなかった。
試料１Ａと試料１Ｂは、樹脂層２３形成時のベーク雰囲気が異なる。このことから、酸素を十分に含む雰囲気でベークを行って樹脂層２３を形成することで、作製基板１４から樹脂層２３を剥離することが容易になると考えられる。また、酸素の少ない雰囲気でベークを行って樹脂層２３を形成することで、作製基板１４から樹脂層２３が意図せず剥がれることを抑制できると考えられる。
＜２．ベーク温度と樹脂層の厚さ＞
次に、樹脂層を形成する際のベーク温度と、樹脂層の膜厚が異なる９つの試料について比較した。
各試料の作製基板には、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板を用いた。各試料の作製基板上には、樹脂層として、ポリイミド樹脂膜を形成した。感光性を有し、かつポリイミド樹脂前駆体を含む材料を用いてポリイミド樹脂膜を形成した。当該材料を塗布した後、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１時間ベークを行うことで、樹脂層を形成した。
各試料のベーク温度と、樹脂層の材料を塗布した際の膜厚を表１に示す。例えば、表１において、膜厚２．０μｍとは、樹脂層の材料（ポリイミド樹脂前駆体を含む材料）を厚さ２．０μｍとなるように塗布したことを指し、ベーク後に得られる樹脂層の厚さは２．０μｍよりも薄い。
次に、接着層を用いて、樹脂層とフィルムとを貼り合わせた。
接着層としては、厚さ約５μｍの熱硬化性のエポキシ樹脂を用いた。フィルムは、厚さ約２３μｍのフィルムと厚さ約１００μｍの保護フィルムの積層構造である。
次に、フィルム側から、樹脂層の端部よりも内側にカッターで枠状に切れ目を入れた。そして、フィルムを手で引っ張って、作製基板からフィルムを剥離した。
各試料の剥離結果を表２に示す。作製基板と樹脂層の界面で剥離できた試料は、丸印で示す。作製基板と樹脂層の界面で剥離できなかった試料はバツ印で示す。
図４１に、試料１Ｅ（樹脂層の塗布時の膜厚２．０μｍ、ベーク温度４５０℃）の剥離結果を示す。カッターで入れた枠状の切れ目の内側の部分について、作製基板１４から樹脂層２３を剥離できた。
本実施例では、樹脂層の厚さによらず、４５０℃ベークを行った試料では、作製基板から樹脂層を剥離することができた。樹脂層の厚さによらず、３５０℃ベークまたは４００℃ベークを行った試料では、作製基板から樹脂層を剥離することができなかった。
以上の結果から、酸素を十分に含む雰囲気で、高い温度でベークを行って樹脂層を形成することで、樹脂層の厚さによらず、作製基板から樹脂層を剥離することが容易になると考えられる。また、酸素を十分に含む雰囲気でも、低温でベークを行って樹脂層を形成することで、作製基板から樹脂層が意図せず剥がれることを抑制できると考えられる。
本実施例では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、作製基板から樹脂層を剥離した結果について説明する。
まず、図４２（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、作製基板１４上に、フォトリソグラフィ法を用いて、島状の第１の樹脂層２３ａを形成した。次に、作製基板１４上及び第１の樹脂層２３ａ上に第２の樹脂層２３ｂを形成した。第２の樹脂層２３ｂは、第１の樹脂層２３ａを覆うように形成した。作製基板１４は、第１の樹脂層２３ａが接する部分と、第２の樹脂層２３ｂが接する部分を有する。
作製基板１４としては、５インチ角、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板を用いた。
感光性を有し、かつ、ポリイミド樹脂前駆体を含む材料を塗布した後、島状に加工し、４５０℃、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１時間のベークを行うことで第１の樹脂層２３ａを形成した。当該材料の塗布時の膜厚は試料によって異なる（表３参照）。
感光性を有し、かつ、ポリイミド樹脂前駆体を含む材料を塗布した後、４５０℃、窒素及び酸素の混合雰囲気下で、１時間のベークを行うことで第２の樹脂層２３ｂを形成した。当該材料の塗布時の膜厚は試料によって異なる（表３参照）。
次に、接着層２６を用いて、第２の樹脂層２３ｂとフィルム２７とを貼り合わせた（図４２（Ｂ））。
接着層２６としては、厚さ約５μｍの熱硬化性のエポキシ樹脂を用いた。フィルム２７は、厚さ約２３μｍのフィルムと厚さ約１００μｍの保護フィルムの積層構造である。
次に、フィルム２７側から、第１の樹脂層２３ａの端部よりも内側に器具６５（ここではカッター）で枠状に切れ目６４を入れた（図４２（Ｃ１）、（Ｃ２））。そして、フィルム２７を手で引っ張って、作製基板１４からフィルム２７を剥離した（図４２（Ｄ））。
図４３に、各試料の剥離後の外観写真を示す。全ての試料について、切れ目６４の内側の部分では、作製基板１４から樹脂層２３を残膜なく剥離できた。
［剥離試験］
本実施例の試料について、作製基板１４から被剥離層を剥離するのに要する力の評価を行った。評価には、図４４（Ａ）に示すような治具を用いた。図４４（Ａ）に示す治具は、複数のガイドローラ１５４と、サポートローラ１５３を有する。測定方法としては、まず、作製基板１４上に予め形成された被剥離層１５０にテープ１５１を貼り付け、端部を一部剥離しておく。次に、テープ１５１をサポートローラ１５３に引っ掛けるように作製基板１４を治具に取り付け、テープ１５１及び被剥離層１５０が作製基板１４に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ１５１を作製基板１４に対して垂直方向に引っ張り（速度２０ｍｍ／ｍｉｎ）、被剥離層１５０を作製基板１４から剥離する際に、垂直方向に引っ張る力を測定することで、剥離に要する力を測定することができる。ここで、剥離が進行している間、第１の樹脂層２３ａが露出した状態で作製基板１４がガイドローラ１５４に沿ってその面方向に走行する。サポートローラ１５３及びガイドローラ１５４は、被剥離層１５０及び作製基板１４の走行中の摩擦の影響を無くすために回転可能に設けられている。
剥離試験には、島津製作所製の小型卓上試験機（ＥＺ−ＴＥＳＴ ＥＺ−Ｓ−５０Ｎ）及び日本工業規格（ＪＩＳ）の規格番号ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠する粘着テープ・粘着シート試験方法を用いた。各試料の寸法は、１２６ｍｍ×２５ｍｍとした。
被剥離層１５０の積層構造を図４４（Ｂ）に示す。
被剥離層１５０は、作製基板１４上の第１の樹脂層２３ａ、第１の樹脂層２３ａ上の第２の樹脂層２３ｂ、第２の樹脂層２３ｂ上の接着層２６、及び接着層２６上のフィルム２７を有する。第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの塗布時の膜厚は、各試料によって異なり、詳細は表３の通りである。
図４５に剥離試験の結果を示す。図４５に示す通り、剥離に要する力は、第１の樹脂層２３ａの膜厚が厚いほど、小さい傾向があった。また、剥離に要する力は、第２の樹脂層２３ｂの膜厚が変化しても違いが生じなかった。
図４６〜図４８に、試料２Ａ、試料２Ｃ、試料２Ｅの剥離前後の断面ＳＴＥＭ写真を示す。
図４６（Ａ）は試料２Ａ、図４７（Ａ）は試料２Ｃ、図４８（Ａ）は試料２Ｅの剥離前の断面ＳＴＥＭ写真である。
図４６（Ａ）に示す通り、試料２Ａでは、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造の厚さが、約２．５８μｍであった。
図４７（Ａ）に示す通り、試料２Ｃでは、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造の厚さが、約１．８２μｍであった。
図４８（Ａ）に示す通り、試料２Ｅでは、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造の厚さが、約１．４０μｍであった。
図４６（Ｂ）は試料２Ａ、図４７（Ｂ）は試料２Ｃ、図４８（Ｂ）は試料２Ｅの剥離後の作製基板１４側の断面ＳＴＥＭ写真である。
各試料において、剥離後のガラス表面に、樹脂層の存在は確認されなかった。
図４６（Ｃ）は試料２Ａ、図４７（Ｃ）は試料２Ｃ、図４８（Ｃ）は試料２Ｅの剥離後のフィルム２７側の断面ＳＴＥＭ写真である。
図４６（Ｃ）に示す通り、試料２Ａでは、厚さ約２．５０μｍの、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造が、フィルム２７側に存在していることがわかった。
図４７（Ｃ）に示す通り、試料２Ｃでは、厚さ約１．８５μｍの、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造が、フィルム２７側に存在していることがわかった。
図４８（Ｃ）に示す通り、試料２Ｅでは、厚さ約１．４０μｍの、第１の樹脂層２３ａと第２の樹脂層２３ｂの積層構造が、フィルム２７側に存在していることがわかった。
断面観察の結果から、各試料において、作製基板１４と第１の樹脂層２３ａとの界面で、剥離していることが確認できた。
本実施例では、作製基板上に樹脂層を形成する際のベーク条件が、樹脂層の剥離性に与える影響について、評価を行った。本実施例では、実施例１とは異なる材料を用いて、樹脂層を形成した結果について説明する。
各試料の作製基板には、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板を用いた。各試料の作製基板上には、樹脂層として、ポリイミド樹脂膜を形成した。ポリイミド樹脂膜は、スピンコート法を用いて形成した。室温で、塗布量４０ｍｌ、塗布時間１２．５ｓｅｃ、塗布時の回転数を、試料３Ａでは５００ｒｐｍ、試料３Ｂ及び試料３Ｃでは１０００ｒｐｍとして、成膜した。３つの試料のベーク後の樹脂層の膜厚が同程度となるように成膜条件を決定した。ポリイミド樹脂膜は、非感光性の可溶性ポリイミド樹脂を含む材料を用いて形成した。
試料３Ａには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１８０℃で３０分のベークを行った後、同じ混合ガスを流しながら、４５０℃で１時間のベークを行った。ベーク後の樹脂層の厚さは、約１．１１μｍであった。
試料３Ｂには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１８０℃で３０分のベークを行った後、同じ混合ガスを流しながら、４００℃で１時間のベークを行った。ベーク後の樹脂層の厚さは、約１．０１μｍであった。
試料３Ｃには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１８０℃で３０分のベークを行った後、同じ混合ガスを流しながら、３５０℃で１時間のベークを行った。ベーク後の樹脂層の厚さは、約１．０７μｍであった。
試料３Ａ、試料３Ｂ、及び試料３Ｃについて、実施例２と同様の方法で、剥離試験を行ったところ、作製基板と樹脂層との界面で分離させることができた。
試料３Ａの剥離に要する力は０．０９１Ｎであった。試料３Ｂの剥離に要する力は０．１６９Ｎであった。試料３Ａと試料３Ｂの厚さに大きな差は無いため、高温でベークを行うことで、剥離に要する力が小さくなったと考えることができる。
本実施例では、非感光性の材料を用いて樹脂層を形成した。一方、実施例１では、感光性を有する材料を用いて樹脂層を形成した。これらから、樹脂層に用いる材料の感光性を問わず、酸素を十分に含む雰囲気で、高い温度でベークを行って樹脂層を形成することで、作製基板から樹脂層を剥離できることがわかった。
実施例１では、４５０℃ベークを行った試料のみが、作製基板と樹脂層との界面で分離させることができ、３５０℃ベークまたは４００℃ベークを行った試料では、当該界面で分離させることができなかった。
一方、本実施例では、４５０℃に限らず、３５０℃ベークまたは４００℃ベークを行った試料でも、作製基板と樹脂層との界面で分離させることができた。このことから、ベーク温度の好ましい範囲は、樹脂層に用いる材料によって異なることが考えられる。
以上の結果から、酸素を十分に含む雰囲気で、高い温度でベークを行って樹脂層を形成することで、作製基板から樹脂層を剥離できることがわかった。
本実施例では、作製基板上に樹脂層を形成し、樹脂層の作製基板側の表面に対して、Ｘ線光電子分光分析を行った結果について説明する。
樹脂層の作製基板側の表面は、剥離工程により露出する面に相当する。
本実施例では、６つの試料（試料４Ａ〜試料４Ｆ）と、１つの比較試料を作製した。
試料４Ａ〜試料４Ｆは、特別な処理（レーザ光を樹脂層の一面全体に照射する処理など）をしなくても、作製基板と樹脂層との界面で分離させることができる。比較試料は、特別な処理を施さない場合、作製基板と樹脂層との界面で分離させることができない。
各試料の作製基板には、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板を用いた。
各試料の作製基板上には、樹脂層として、ポリイミド樹脂膜を形成した。ポリイミド樹脂膜は、スピンコート法を用いて形成した。
試料４Ａ、試料４Ｂ、試料４Ｃ、及び比較試料では、感光性を有し、かつポリイミド樹脂前駆体を含む材料を用いて、ポリイミド樹脂膜を形成した。当該材料を、塗布した際の膜厚が約２．０μｍとなるように成膜した。
試料４Ａ、試料４Ｂ、及び試料４Ｃには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、４５０℃でベークを行った。ベーク時間は、試料４Ａは１時間、試料４Ｂは２時間、試料４Ｃは３時間である。
比較試料には、窒素ガス（６００ＮＬ／ｍｉｎ）を流しながら、４５０℃で１時間のベークを行った。ベーク中の装置内の酸素濃度は、０．０１％〜０．０２％程度であった。
試料４Ｄ、試料４Ｅ、及び試料４Ｆは、３つの試料のベーク後の樹脂層の膜厚が同程度となるように成膜条件を決定した。具体的には、室温で、塗布量４０ｍｌ、塗布時間１２．５ｓｅｃ、塗布時の回転数を、試料４Ｄ及び４Ｅでは１０００ｒｐｍ、試料４Ｆでは５００ｒｐｍとして、成膜した。ポリイミド樹脂膜は、非感光性の可溶性ポリイミド樹脂を含む材料を用いて形成した。
試料４Ｄ、試料４Ｅ、及び試料４Ｆには、窒素ガスと酸素ガスの混合ガス（５８０ＮＬ／ｍｉｎ、酸素濃度２０％）を流しながら、１８０℃で３０分のベークを行った後、同じ混合ガスを流しながら、１時間のベークを行った。１時間のベークの温度は、試料４Ｄは３５０℃、試料４Ｅは４００℃、試料４Ｆは４５０℃である。
各試料において、作製基板側の表面に対して、Ｘ線光電子分光分析を行った。
各試料における酸素濃度を、図４９（Ａ）、（Ｂ）に示す。
比較試料の酸素濃度は、約６．８ａｔｏｍｉｃ％であった。試料４Ａ〜試料４Ｆの酸素濃度は、いずれも１５ａｔｏｍｉｃ％を超えていた。試料４Ａ〜試料４Ｆの酸素濃度は、比較試料の酸素濃度に比べて高い。
試料４Ｄ〜試料４Ｆは、ベーク後の樹脂層の膜厚が同程度となるように作製した試料である。別途、試料４Ｄ〜試料４Ｆと同様の構成の試料の剥離に要する力を評価した。剥離に要する力は、試料４Ｄの構成が一番大きく、試料４Ｆの構成が一番小さい結果が得られた。このことと、図４９（Ｂ）の結果から、酸素濃度が高いほど、剥離に要する力が小さい傾向が確認できた。そのため、樹脂層の剥離面側の表面に対して行うＸ線光電子分光分析で求められる酸素濃度は高いことが好ましいと示唆された。
１０Ａ 表示装置
１０Ｂ 表示装置
１３ 接着層
１４ 作製基板
２２ 基板
２３ 樹脂層
２３ａ 第１の樹脂層
２３ｂ 第２の樹脂層
２４ａ 第１の層
２４ｂ 第２の層
２６ 接着層
２７ フィルム
２８ 接着層
２９ 基板
３１ 絶縁層
３２ 絶縁層
３３ 絶縁層
３４ 絶縁層
３５ 絶縁層
４０ トランジスタ
４１ 導電層
４３ａ 導電層
４３ｂ 導電層
４３ｃ 導電層
４４ 金属酸化物層
４５ 導電層
４９ トランジスタ
６０ 発光素子
６１ 導電層
６２ ＥＬ層
６３ 導電層
６４ 切れ目
６５ 器具
６６ レーザ光
６７ 照射領域
７１ 保護層
７４ 絶縁層
７５ 保護層
７５ａ 基板
７５ｂ 接着層
７６ 接続体
８０ トランジスタ
８１ 導電層
８２ 絶縁層
８３ 金属酸化物層
８３ａ チャネル領域
８３ｂ ＬＤＤ領域
８３ｃ 低抵抗領域
８４ 絶縁層
８５ 導電層
８６ａ 導電層
８６ｂ 導電層
８６ｃ 導電層
９０ トランジスタ
９１ 作製基板
９３ａ 第１の樹脂層
９３ｂ 第２の樹脂層
９５ 絶縁層
９７ 着色層
９８ 遮光層
９８ａ 隔壁
９８ｂ 隔壁
９９ 接着層
１１２ 液晶層
１１３ 電極
１１７ 絶縁層
１２１ 絶縁層
１３１ 着色層
１３２ 遮光層
１３３ａ 配向膜
１３３ｂ 配向膜
１３４ 着色層
１３５ 偏光板
１４１ 接着層
１４２ 接着層
１５０ 被剥離層
１５１ テープ
１５３ サポートローラ
１５４ ガイドローラ
１７０ 発光素子
１８０ 液晶素子
１９１ 電極
１９２ ＥＬ層
１９３ 電極
１９４ 絶縁層
２０１ トランジスタ
２０３ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２０６ トランジスタ
２０７ 接続部
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１６ 絶縁層
２１７ 絶縁層
２２０ 絶縁層
２２１ａ 導電層
２２１ｂ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２３１ 半導体層
２４２ 接続層
２４３ 接続体
２５２ 接続部
２６１ 半導体層
２６３ａ 導電層
２６３ｂ 導電層
２８１ トランジスタ
２８４ トランジスタ
２８５ トランジスタ
２８６ トランジスタ
３００ 表示装置
３００Ａ 表示装置
３００Ｂ 表示装置
３１１ 電極
３１１ａ 電極
３１１ｂ 電極
３４０ 液晶素子
３５１ 基板
３６０ 発光素子
３６０ｂ 発光素子
３６０ｇ 発光素子
３６０ｒ 発光素子
３６０ｗ 発光素子
３６１ 基板
３６２ 表示部
３６４ 回路
３６５ 配線
３７２ ＦＰＣ
３７３ ＩＣ
３８１ 表示部
３８２ 駆動回路部
４００ 表示装置
４１０ 画素
４５１ 開口
８００ 携帯情報端末
８０１ 筐体
８０２ 筐体
８０３ 表示部
８０４ 表示部
８０５ ヒンジ部
８１０ 携帯情報端末
８１１ 筐体
８１２ 表示部
８１３ 操作ボタン
８１４ 外部接続ポート
８１５ スピーカ
８１６ マイク
８１７ カメラ
８２０ カメラ
８２１ 筐体
８２２ 表示部
８２３ 操作ボタン
８２４ シャッターボタン
８２６ レンズ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５５ ヒンジ
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
９２０２ 携帯情報端末

Claims (18)

  1. 基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
    前記第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、
    前記第１の樹脂層上に、被剥離層を形成し、
    前記被剥離層と前記基板とを分離する、剥離方法。
  2. 基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
    前記第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、
    前記基板上及び前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の端部を覆う絶縁層を形成し、
    前記第１の樹脂層上に、前記絶縁層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、
    前記第１の樹脂層の少なくとも一部を前記基板から分離することで、分離の起点を形成し、
    前記トランジスタと前記基板とを分離する、剥離方法。
  3. 基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
    前記第１の層に対して、酸素を含む雰囲気下で第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、
    前記基板上及び前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成し、
    前記第２の層に対して、前記第１の加熱処理の雰囲気よりも酸素の少ない雰囲気下で第２の加熱処理を行うことで、前記第１の樹脂層の端部を覆う第２の樹脂層を形成し、
    前記第１の樹脂層上に、前記第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、
    前記第１の樹脂層の少なくとも一部を前記基板から分離することで、分離の起点を形成し、
    前記トランジスタと前記基板とを分離する、剥離方法。
  4. 基板上に、樹脂または樹脂前駆体を含む材料を用いて、第１の層を形成し、
    前記第１の層に対して、酸素を含むガスを流しながら第１の加熱処理を行うことで、第１の樹脂層を形成し、
    前記基板上及び前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層の端部を覆う第２の層を形成し、
    前記第２の層に対して、酸素を含むガスを流さずに、または前記第１の加熱処理で用いるガスよりも酸素の割合が低いガスを流しながら、第２の加熱処理を行うことで、第２の樹脂層を形成し、
    前記第１の樹脂層上に、前記第２の樹脂層を介して、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを形成し、
    前記第１の樹脂層の少なくとも一部を前記基板から分離することで、分離の起点を形成し、
    前記トランジスタと前記基板とを分離する、剥離方法。
  5. 請求項３または４において、
    前記第２の加熱処理は、窒素ガスを流しながら行う、剥離方法。
  6. 請求項３乃至５のいずれか一において、
    前記第２の加熱処理は、窒素と酸素を含む混合ガスを流しながら、前記第１の加熱処理よりも低い温度で行う、剥離方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
    前記第１の加熱処理は、ガス流量全体に占める酸素ガス流量の割合が５％以上５０％以下の混合ガスを流しながら行う、剥離方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
    前記第１の加熱処理は、窒素と酸素を含む混合ガスを流しながら３５０℃以上４５０℃以下で行う、剥離方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
    厚さが１μｍ以上３μｍ以下となるように、前記第１の樹脂層を形成する、剥離方法。
  10. 請求項１乃至９のいずれか一において、
    粘度が５ｃＰ以上１００ｃＰ未満の溶液を用いて、前記第１の層を形成する、剥離方法。
  11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    スピンコータを用いて、前記第１の層を形成する、剥離方法。
  12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、
    前記第１の加熱処理の温度以下の温度で、前記トランジスタを作製する、剥離方法。
  13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、
    感光性を有する樹脂を用いて、前記第１の層を形成する、剥離方法。
  14. 第１の樹脂層と、
    前記第１の樹脂層上の第２の樹脂層と、
    前記第２の樹脂層上のトランジスタと、
    前記トランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有する表示装置であり、
    前記第１の樹脂層の前記第２の樹脂層とは反対側の面に対して行う、Ｘ線光電子分光分析で求められる酸素濃度が、１０ａｔｏｍｉｃ％以上である、表示装置。
  15. 請求項１４において、
    前記第１の樹脂層の厚さは、１μｍ以上３μｍ以下である、表示装置。
  16. 請求項１４または１５において、
    前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、表示装置。
  17. 請求項１４乃至１６のいずれか一に記載の表示装置と、
    フレキシブルプリント基板と、を有する、表示モジュール。
  18. 請求項１７に記載の表示モジュールと、
    アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。
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US (3) US10629831B2 (ja)
JP (2) JP7076959B2 (ja)
KR (3) KR20230106750A (ja)
WO (1) WO2018020333A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019239835A1 (ja) * 2018-06-15 2019-12-19 信越化学工業株式会社 マイクロディスプレイ用基板の製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI729030B (zh) 2016-08-29 2021-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及控制程式
CN106585069A (zh) * 2016-12-23 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板、面板及丝网印刷机制作柔性基板、面板的方法
US11125157B2 (en) 2017-09-22 2021-09-21 The Boeing Company Advanced inlet design
US10507548B2 (en) 2017-09-29 2019-12-17 The Boeing Company Method for additive manufacturing nacelle inlet lipskins
US11239453B2 (en) * 2017-10-12 2022-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Non-flexible substrate having base layer including inorganic film between resin layers, flexible display device and method for producing same
JP7410935B2 (ja) 2018-05-24 2024-01-10 ザ リサーチ ファウンデーション フォー ザ ステイト ユニバーシティー オブ ニューヨーク 容量性センサ
KR102696647B1 (ko) * 2018-11-09 2024-08-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110600516B (zh) * 2019-09-10 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组以及显示装置
CN110890411A (zh) * 2019-11-29 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102727809B1 (ko) * 2019-12-10 2024-11-07 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시장치
KR20210088044A (ko) * 2020-01-03 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102821267B1 (ko) * 2020-07-01 2025-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 재작업 방법 및 표시 장치의 분리 장치
KR102758493B1 (ko) 2021-03-05 2025-01-22 고려대학교 세종산학협력단 기판 탈착용 박막 및 그 제조방법
BR102022003769A2 (pt) 2021-05-04 2022-11-16 The Boeing Company Estrutura de entrada de nacele de um conjunto de motor
JP7776281B2 (ja) * 2021-09-01 2025-11-26 日東電工株式会社 高分子分散型液晶フィルムおよび高分子分散型液晶フィルムの製造方法
TWI815261B (zh) 2021-12-27 2023-09-11 財團法人工業技術研究院 光色轉換膜層結構、其製造方法以及包含其之發光裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012138547A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Fujifilm Corp フレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材
WO2015046019A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 東レ株式会社 ポリイミド前駆体、それから得られるポリイミド樹脂膜、ならびにそれを含む表示素子、光学素子、受光素子、タッチパネル、回路基板、有機ｅｌディスプレイ、および、有機ｅｌ素子ならびにカラーフィルタの製造方法
JP2015173249A (ja) * 2013-11-06 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法及び発光装置
JP2015179260A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 新日鉄住金化学株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液
JP2016068401A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 樹脂積層体、それを用いた有機ｅｌ素子基板、カラーフィルター基板及びそれらの製造方法ならびにフレキシブル有機ｅｌディスプレイ

Family Cites Families (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122123A (en) 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
JPS601846A (ja) 1983-06-18 1985-01-08 Toshiba Corp 多層配線構造の半導体装置とその製造方法
WO1995024510A1 (en) 1994-03-08 1995-09-14 Rgc Mineral Sands Limited Leaching of titaniferous materials
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
TW384412B (en) 1995-11-17 2000-03-11 Semiconductor Energy Lab Display device
TW309633B (ja) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
EP0818882A3 (en) 1996-07-10 1999-12-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Energy trapping piezoelectric device and producing method thereof
DE69739376D1 (de) 1996-08-27 2009-06-04 Seiko Epson Corp Ablösungsverfahren und Verfahren zum Übertragen eines Dünnfilm-Bauelements
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
SG67458A1 (en) 1996-12-18 1999-09-21 Canon Kk Process for producing semiconductor article
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
US6335479B1 (en) 1998-10-13 2002-01-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module
JP3679943B2 (ja) 1999-03-02 2005-08-03 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
US6468638B2 (en) 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
JP2001019933A (ja) 1999-07-09 2001-01-23 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、およびその製造方法
JP4627843B2 (ja) 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3767264B2 (ja) 1999-08-25 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4161574B2 (ja) 2000-05-24 2008-10-08 株式会社日立製作所 カラー／白黒切換可能携帯端末及び表示装置
FR2817395B1 (fr) 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
JP4202030B2 (ja) 2001-02-20 2008-12-24 シャープ株式会社 表示装置
TW558861B (en) 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017667A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Canon Inc 部材の分離方法及び分離装置
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
JP4785300B2 (ja) 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP2003098977A (ja) 2001-09-19 2003-04-04 Sony Corp 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP4397571B2 (ja) 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
JP4236081B2 (ja) 2001-10-16 2009-03-11 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
JP2003168820A (ja) 2001-12-03 2003-06-13 Sony Corp 剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
JP2003228304A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Toyota Industries Corp 表示装置
US7803393B2 (en) 2002-03-08 2010-09-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Preparing an implant by gas-plasma treatment of a substrate to couple cells
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
TW544944B (en) 2002-04-16 2003-08-01 Ind Tech Res Inst Pixel element structure of sunlight-readable display
JP4122828B2 (ja) 2002-04-30 2008-07-23 日本電気株式会社 表示装置及びその駆動方法
EP1363319B1 (en) 2002-05-17 2009-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of transferring an object and method of manufacturing a semiconductor device
JP2004047791A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Pioneer Electronic Corp 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP5022552B2 (ja) 2002-09-26 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP3918708B2 (ja) 2002-10-08 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 回路基板及びその製造方法、転写チップ、転写元基板、電気光学装置、電子機器
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20060072047A1 (en) 2002-12-06 2006-04-06 Kanetaka Sekiguchi Liquid crystal display
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
JP4637588B2 (ja) 2003-01-15 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP4151421B2 (ja) 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP3852931B2 (ja) 2003-03-26 2006-12-06 株式会社東芝 発光表示装置
ATE485535T1 (de) 2003-03-27 2010-11-15 E Ink Corp Elektrooptische baugruppen
US7575965B2 (en) 2003-12-02 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming large area display wiring by droplet discharge, and method for manufacturing electronic device and semiconductor device
US7084045B2 (en) 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4100351B2 (ja) 2004-02-09 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2005239042A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Nippon Seiki Co Ltd 車両用情報表示装置及び車両用情報表示方法
JP2006049800A (ja) 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
US7052924B2 (en) 2004-03-29 2006-05-30 Articulated Technologies, Llc Light active sheet and methods for making the same
US7547866B2 (en) 2004-04-28 2009-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device including an autofocusing mechanism using the same
US7521368B2 (en) 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8123896B2 (en) 2004-06-02 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system
US20050287871A1 (en) 2004-06-25 2005-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device, method, and program for computer aided design of flexible substrates
US7591863B2 (en) 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
WO2006011665A1 (en) 2004-07-30 2006-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP2007110064A (ja) 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
WO2007046290A1 (en) 2005-10-18 2007-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101319468B1 (ko) 2005-12-02 2013-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US7572667B2 (en) 2006-01-20 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming an organic semiconductor pattern and method of manufacturing an organic thin film transistor using the same
JP2007232882A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び電子機器
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8222116B2 (en) 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI424499B (zh) 2006-06-30 2014-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 製造半導體裝置的方法
US20090269621A1 (en) 2006-08-08 2009-10-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated device
JP5110830B2 (ja) 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI450387B (zh) 2006-09-29 2014-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US20100196683A1 (en) 2006-10-27 2010-08-05 Konnklijke Philips Electronics N.V. Electronic device having a plastic substrate
JP5408848B2 (ja) 2007-07-11 2014-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法
US7968388B2 (en) 2007-08-31 2011-06-28 Seiko Epson Corporation Thin-film device, method for manufacturing thin-film device, and display
US8168511B2 (en) 2007-09-20 2012-05-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device manufacturing method and laminated structure
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5368014B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2010072529A (ja) 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
TWI474408B (zh) 2008-12-26 2015-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI393950B (zh) 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
US9024312B2 (en) 2009-09-30 2015-05-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Substrate for flexible device, thin film transistor substrate for flexible device, flexible device, substrate for thin film element, thin film element, thin film transistor, method for manufacturing substrate for thin film element, method for manufacturing thin film element, and method for manufacturing thin film transistor
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101108161B1 (ko) 2009-12-24 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
KR101819197B1 (ko) 2010-02-05 2018-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101097344B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
US20120280229A1 (en) 2010-05-14 2012-11-08 Takeshi Suzuki Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same and image display device
JP2011248072A (ja) 2010-05-26 2011-12-08 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置の製造方法
US8852391B2 (en) 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
KR101793047B1 (ko) 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8895974B2 (en) 2011-02-07 2014-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Organic el display device and method for manufacturing the same
US20120213929A1 (en) 2011-02-18 2012-08-23 Tokyo Electron Limited Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system
JP5355618B2 (ja) 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
KR102040242B1 (ko) 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US8663804B2 (en) 2011-06-24 2014-03-04 E I Du Pont De Nemours And Company Printed wiring board encapsulated by adhesive laminate comprising a di-isoimide, and process for preparing same
JP2013038229A (ja) 2011-08-08 2013-02-21 Seiko Epson Corp 電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器
WO2013035298A1 (ja) 2011-09-08 2013-03-14 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP5891693B2 (ja) 2011-10-05 2016-03-23 Jsr株式会社 基板の製造方法および基板
KR101391774B1 (ko) 2012-03-13 2014-05-07 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2013221965A (ja) 2012-04-13 2013-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置
CN104380366B (zh) 2012-06-19 2017-09-08 新日铁住金化学株式会社 显示装置及其制造方法、以及显示装置支撑基材用聚酰亚胺膜及其制造方法
CN107728358B (zh) 2012-09-27 2021-01-12 日铁化学材料株式会社 显示装置的制造方法
US9871228B2 (en) 2012-11-30 2018-01-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device comprising flexible substrate and method for preparing thereof
JP6047007B2 (ja) * 2012-12-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 評価サンプルの作製方法及び膜の評価方法
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR101775198B1 (ko) 2013-04-09 2017-09-06 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR102104608B1 (ko) 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP5964807B2 (ja) 2013-08-30 2016-08-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
KR20150029429A (ko) 2013-09-10 2015-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그의 제조 방법
JP2015078254A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 東レ株式会社 樹脂組成物、それを用いたポリイミド樹脂膜、それを含むカラーフィルタ、ｔｆｔ基板、表示デバイスおよびそれらの製造方法
US20150151514A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Laminated Structure, Method of Preparing Same, and Method of Fabricating Electronic Device Using Laminated Structure
CN108281433A (zh) 2013-12-02 2018-07-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
US9427949B2 (en) 2013-12-03 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus
KR20150077969A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 기판의 제조 방법, 플렉시블 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치의 제조 방법
KR102334815B1 (ko) 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
CN104910400B (zh) 2014-03-12 2020-03-13 日铁化学材料株式会社 显示装置及其制造方法、以及显示装置用的聚酰亚胺膜
US9893228B2 (en) 2014-03-25 2018-02-13 Kaneka Corporation Method for manufacturing compound semiconductor solar cell
TWI690545B (zh) * 2014-03-31 2020-04-11 日商日產化學工業股份有限公司 剝離層形成用組成物
JP6354338B2 (ja) 2014-05-30 2018-07-11 東レ株式会社 積層体、積層体の製造方法、及びこれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法
US9437839B2 (en) 2014-06-19 2016-09-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing electronic device and electronic device manufactured thereby
JP6814633B2 (ja) 2014-07-16 2021-01-20 ランテクニカルサービス株式会社 薄型基板およびその製造方法、並びに基板の搬送方法
TWI695525B (zh) 2014-07-25 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置
KR102296917B1 (ko) 2014-09-15 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10431753B2 (en) 2014-09-30 2019-10-01 Toray Industries, Inc. Substrate for display, color filter using the same and method for the production thereof, organic EL element and method for the production thereof, and flexible organic EL display
US10350140B2 (en) 2014-10-03 2019-07-16 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Laminate film, outer packaging bag for transfusion bag, and transfusion bag packaging body
KR102510370B1 (ko) 2014-10-06 2023-03-17 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법, 및 표시 장치
US9515272B2 (en) 2014-11-12 2016-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate
JP6450451B2 (ja) 2015-03-23 2019-01-09 富士フイルム株式会社 キットおよび積層体
WO2016152906A1 (ja) 2015-03-26 2016-09-29 東レ株式会社 樹脂積層膜、それを含む積層体、ｔｆｔ基板、有機ｅｌ素子カラーフィルターならびにそれらの製造方法。
WO2016204121A1 (ja) 2015-06-18 2016-12-22 シャープ株式会社 フレキシブル電子デバイス及びフレキシブル電子デバイスの製造方法
TWI567110B (zh) 2015-12-04 2017-01-21 張綺蘭 樹脂組合物、以及包含此樹脂組合物之絕緣基材及電路板
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10181424B2 (en) 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN109075079B (zh) 2016-04-22 2022-04-15 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及柔性装置的制造方法
US10279576B2 (en) 2016-04-26 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
TWI753868B (zh) * 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012138547A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Fujifilm Corp フレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材
WO2015046019A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 東レ株式会社 ポリイミド前駆体、それから得られるポリイミド樹脂膜、ならびにそれを含む表示素子、光学素子、受光素子、タッチパネル、回路基板、有機ｅｌディスプレイ、および、有機ｅｌ素子ならびにカラーフィルタの製造方法
JP2015173249A (ja) * 2013-11-06 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法及び発光装置
JP2015179260A (ja) * 2014-02-28 2015-10-08 新日鉄住金化学株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液
JP2016068401A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 東レ株式会社 樹脂積層体、それを用いた有機ｅｌ素子基板、カラーフィルター基板及びそれらの製造方法ならびにフレキシブル有機ｅｌディスプレイ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019239835A1 (ja) * 2018-06-15 2019-12-19 信越化学工業株式会社 マイクロディスプレイ用基板の製造方法
JP2019220511A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 信越化学工業株式会社 マイクロディスプレイ用基板の製造方法

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